專利名稱：曝光裝置以及圖像形成裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及具備多個(gè)光源的曝光裝置以及利用了該曝光裝置的圖像 形成裝置。
背景技術(shù)：
以往，提出了將排列有多個(gè)發(fā)光元件的曝光裝置用在感光體鼓等像載
體的曝光中的電子照相方式圖像形成裝置。在專利文獻(xiàn)1和專利文獻(xiàn)2中， 提出了按照與以規(guī)定數(shù)量為單位將多個(gè)發(fā)光元件劃分后的各集合(以下稱 為"元件組")對(duì)置的方式配置了微透鏡的構(gòu)成。來自屬于一個(gè)元件組的 規(guī)定數(shù)量的發(fā)光元件的出射光，通過與該元件組對(duì)應(yīng)的微透鏡而在像載體 的表面上成像。
然而，屬于一個(gè)元件組的各發(fā)光元件與微透鏡的光軸的位置關(guān)系(例 如距離)按各發(fā)光元件而不同。因此，在來自各發(fā)光元件的出射光到達(dá)像 載體的表面的區(qū)域(以下稱為"光點(diǎn)區(qū)域")的尺寸和對(duì)光點(diǎn)區(qū)域賦予的 能量的強(qiáng)度中，會(huì)因微透鏡的像差等各種原因而產(chǎn)生按每個(gè)發(fā)光元件不同 的偏差。因此，在圖像形成裝置所形成的圖像中，存在產(chǎn)生分辨率或灰度 不均的問題。
專利文獻(xiàn)1:特開2000-158705號(hào)公報(bào)
專利文獻(xiàn)2:特開2001-205845號(hào)公報(bào)

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明鑒于上述情形而實(shí)現(xiàn)，目的在于解決抑制光點(diǎn)區(qū)域的尺寸和能 量強(qiáng)度的偏差的課題。
為了解決以上課題，本發(fā)明的一個(gè)方式所涉及的曝光裝置具備第一 光源列，其包括沿第一方向(例如圖7的X方向)排列的多個(gè)光源；第二
光源列，其包括位于在與第一方向交叉的第二方向(例如圖7的Y方向) 上和第一光源列的各光源隔開的位置并沿第一方向排列的多個(gè)光源；和聚 光體(例如圖4的透鏡44)，其將來自第一光源列以及第二光源列的各光 源的出射光向被曝光面聚光；通過來自第一光源列的光源的出射光、和來 自相對(duì)該光源位于第二方向的第二光源列的光源的出射光，對(duì)被曝光面進(jìn) 行多次曝光；第一光源列中的第一光源(例如圖7的發(fā)光元件El)的中 心、與第二光源列中的相對(duì)第一光源位于第二方向上的第二光源(例如圖 7的發(fā)光元件E2)的中心沿第一方向的距離(例如圖7的距離Sl)，大 于第一光源列中的比第一光源更遠(yuǎn)離聚光體的光軸的第三光源(例如圖7 的發(fā)光元件E3)的中心、與第二光源列中的相對(duì)第三光源位于第二方向 上的第四光源(例如圖7的發(fā)光元件E4)的中心沿第一方向的距離(例 如圖7的距離S2)。根據(jù)其他觀點(diǎn)，按照第一光源列中的距聚光體的光軸 越遠(yuǎn)的光源、與第二光源列中的相對(duì)該光源在第二方向上鄰接的光源的中 心間沿第一方向的距離越大的方式，選定第一光源列以及第二光源列各自 中的各光源的位置。此外，作為光源，優(yōu)選采用例如有機(jī)發(fā)光二極管元件 等發(fā)光元件。
在以上的構(gòu)成中，第一光源與第二光源的中心間的距離，大于比第一 光源或第二光源更遠(yuǎn)離聚光體光軸的第三光源與第四光源的中心間的距 離。因此，即使當(dāng)存在越遠(yuǎn)離聚光體光軸的光源其光點(diǎn)區(qū)域的尺寸越擴(kuò)大 的趨勢(shì)(例如，聚光體的像差)的情況下，與在第二方向上鄰接的各光源 沿第一方向位于相同位置的構(gòu)成相比，也能抑制由第一光源與第二光源的 多次曝光形成的光點(diǎn)區(qū)域、和第三光源與第四光源的多次曝光形成的光點(diǎn) 區(qū)域的尺寸的差異。
進(jìn)而，在優(yōu)先方式中，第一光源列中的距聚光體的光軸的距離最大的 光源(例如圖7的發(fā)光元件E7)、和相對(duì)該光源位于第二方向上的第二 光源列的光源(例如圖7的發(fā)光元件E8)，沿第一方向位于相同位置。 根據(jù)本方式，來自第一光源列中的距光軸最遠(yuǎn)的光源的出射光和來自與其 在第二方向上鄰接的第二光源列的光源的出射光在被曝光面上充分疊加。 因此，與這些光源在第一方向上的位置不同的構(gòu)成相比，通過雙方光源的 多次曝光能高效地向光點(diǎn)區(qū)域賦予能量。 在本發(fā)明的優(yōu)選方式中，第三光源以及第四光源比第一光源以及第二 光源的尺寸更大。例如，距聚光體光軸越遠(yuǎn)的光源其尺寸越大。根據(jù)以上 方式，即使當(dāng)存在越遠(yuǎn)離聚光體光軸的光源所形成的光點(diǎn)區(qū)域的能量強(qiáng)度 越降低的趨勢(shì)的情況下，與各光源為相同尺寸的構(gòu)成相比，也能抑制由第 一光源與第二光源的多次曝光對(duì)光點(diǎn)區(qū)域賦予的能量強(qiáng)度、和由第三光源 與第四光源的多次曝光對(duì)光點(diǎn)區(qū)域賦予的能量強(qiáng)度的差異。
進(jìn)而，在優(yōu)選方式中，第一光源列形成在距聚光體的光軸規(guī)定距離的 位置，第二光源列隔著光軸形成在第一光源列的相反一側(cè)且距該光軸規(guī)定 距離的位置。根據(jù)以上方式，由于第一光源列的光源和相對(duì)該光源在第二 方向上鄰接的光源的每一個(gè)距聚光體光軸的距離相等，因此，通過使雙方 光源為相同尺寸，從而可起到對(duì)各光點(diǎn)區(qū)域賦予的能量強(qiáng)度均勻化的所期 望的效果。
此外，用于對(duì)光源的位置和形態(tài)進(jìn)行控制的構(gòu)造是任意的。例如，在 各光源包括具有位于絕緣層上形成的開口部的內(nèi)側(cè)的發(fā)光層的發(fā)光元件 的方式(例如后述的第一實(shí)施方式)中，各光源的位置以及形態(tài)根據(jù)絕緣 層中的與該光源對(duì)應(yīng)的開口部的位置以及形態(tài)來確定。另外，在各光源包 括發(fā)光元件、和形成有使來自朝向被曝光面的發(fā)光元件的出射光通過的開 口部的遮光層的方式(例如后述的第二實(shí)施方式)中，各光源的位置以及 形態(tài)根據(jù)遮光層中的與該光源對(duì)應(yīng)的開口部的位置以及形態(tài)來確定。在任 意方式中，能以簡便的方法高精度地控制各光源的位置和形態(tài)。此外，光 源的形態(tài)是指光源的形狀和尺寸。
在本發(fā)明的優(yōu)選方式中，選定各光源的位置以及形態(tài)，以便在通過來 自第一光源的出射光與來自第二光源的出射光的多次曝光而在被曝光面 上形成的光點(diǎn)區(qū)域、和通過來自第三光源的出射光與來自第四光源的出射 光的多次曝光而在被曝光面上形成的光點(diǎn)區(qū)域中，尺寸以及能量相等。根 據(jù)以上方式，可有效抑制各光點(diǎn)區(qū)域的尺寸和能量強(qiáng)度的偏差。此外，各 光點(diǎn)區(qū)域的尺寸和能量相等不僅包括尺寸和能量在各光點(diǎn)區(qū)域中完全一 致的情況，還包括尺寸和能量在各光點(diǎn)區(qū)域中實(shí)際上相同的情況。
以上各方式所涉及的曝光裝置用在各種電子設(shè)備中。例如，本發(fā)明的 一個(gè)方式所涉及的圖像形成裝置具備以上任一方式所涉及的曝光裝置；
像載體(例如感光體鼓)，通過曝光裝置的曝光而形成潛像的被曝光面相
對(duì)曝光裝置沿第二方向前進(jìn)；和顯影器，其通過添加針對(duì)像載體的潛像的 顯影劑(例如調(diào)色劑)來形成顯像。根據(jù)以上各方式的曝光裝置，由于被 曝光面上形成的光點(diǎn)區(qū)域的尺寸和形狀均勻化，因此，利用了該曝光裝置 的圖像形成裝置可形成良好抑制了分辨率和灰度不均的高品質(zhì)的圖像。
當(dāng)然，本發(fā)明所涉及的曝光裝置的用途并不限定于像載體的曝光。例 如，在掃描儀等圖像讀取裝置中，可將本發(fā)明所涉及的曝光裝置用于原稿 的照明。該圖像讀取裝置具備以上各方式所涉及的曝光裝置、和將從曝 光裝置出射后由讀取對(duì)象(原稿)反射的光變換成電信號(hào)的受光裝置(例 如，CCD (Charge Coupled Device)元件等受光元件)。


圖1是表示第一實(shí)施方式所涉及的圖像形成裝置的局部構(gòu)造的立體
圖2是表示曝光裝置的構(gòu)成的立體圖； 圖3是表示發(fā)光裝置的構(gòu)成的剖視圖； 圖4是表示曝光裝置的構(gòu)成的剖視圖； 圖5是表示透鏡與元件組的關(guān)系的俯視圖6是表示對(duì)比例中的光點(diǎn)區(qū)域的直徑以及光點(diǎn)區(qū)域內(nèi)的能量強(qiáng)度與
發(fā)光元件的位置的關(guān)系的示意圖7是表示構(gòu)成元件組的各發(fā)光元件的構(gòu)成的俯視圖8是表示各發(fā)光元件賦予被曝光面的能量的分布的概念圖9是表示光點(diǎn)區(qū)域的直徑以及光點(diǎn)區(qū)域內(nèi)的能量強(qiáng)度與發(fā)光元件的
位置的關(guān)系的示意圖IO是表示第二實(shí)施方式所涉及的發(fā)光裝置的構(gòu)成的剖視圖； 圖11是表示遮光層的各開口部與各發(fā)光元件的關(guān)系的俯視圖； 圖12是表示變形例所涉及的元件組的構(gòu)成的俯視圖； 圖13是表示變形例所涉及的元件組的構(gòu)成的俯視圖14是表示電子設(shè)備的一個(gè)形態(tài)(圖像形成裝置)的剖視圖。
圖中100 —曝光裝置；IO —發(fā)光裝置；12 —基板；14一布線要素層；
15 —遮光層；151 —開口部；21 —第一電極；23 —絕緣層；231 —開口部； 25 —發(fā)光層；27 —第二電極；30 —遮光部件；32 —貫通孔；40 —透鏡陣列;
44一透鏡；70—感光體鼓；72—被曝光面。
具體實(shí)施例方式
<A:第一實(shí)施方式>
圖1是表示本發(fā)明的一個(gè)形態(tài)所涉及的圖像形成裝置的局部構(gòu)造的立 體圖。如該圖所示，圖像形成裝置具備外周面作為被曝光面(像形成面)
72而發(fā)揮功能的感光體鼓70;和通過感光體鼓70的曝光而在被曝光面72 上形成潛像的曝光裝置100 (線形頭)。感光體鼓70被沿X方向(主掃描 方向)延伸的旋轉(zhuǎn)軸支承，以被曝光面72與曝光裝置100對(duì)置的狀態(tài)旋 轉(zhuǎn)。因此，被曝光面72相對(duì)于曝光裝置100沿Y方向(與X方向垂直的 方向)前進(jìn)。
圖2是表示曝光裝置100的構(gòu)造的立體圖。在圖1與圖2中，曝光裝 置100的上下(Z方向的位置關(guān)系)翻轉(zhuǎn)。如圖2所示，曝光裝置100具 備發(fā)光裝置10、遮光部件30和透鏡陣列40。發(fā)光裝置10包括被固 定成以X方向?yàn)殚L邊的姿勢(shì)的矩形形狀的基板12、在基板12的與感光體 鼓70相反一側(cè)的表面上形成的多個(gè)發(fā)光元件E?；?2是由玻璃或塑料 等成型的透光性的板材。在基板12的與感光體鼓70對(duì)置的面上配置遮光 部件30，在遮光部件30與感光體鼓70的間隙內(nèi)配置透鏡陣列40。發(fā)光 元件E是通過電流的供給而發(fā)光的有機(jī)發(fā)光二極管元件，作為產(chǎn)生使被曝 光面72曝光用的光線的電源而發(fā)揮功能。
圖3是表示發(fā)光裝置10的具體構(gòu)造的剖視圖。如該圖所示，在基板 12的與感光體鼓70相反一側(cè)的表面上配置布線要素層14。布線要素層14 是控制發(fā)光元件E的光量的有源元件(晶體管)或傳輸各種信號(hào)的布線等 的導(dǎo)電層、與使各要素電性絕緣的絕緣層層疊起來的部分。在布線要素層 14的面上，按每個(gè)發(fā)光元件E相互分離地形成作為發(fā)光元件E的陽極而 發(fā)揮功能的第一電極21。第一電極21由ITO (Indium Tin Oxide)等透光 性的導(dǎo)電材料形成。
在形成有第一電極21的基板12的表面上形成絕緣層23。從與基板
12的表面垂直的Z方向觀察，絕緣層23是在與第一電極21重疊的區(qū)域 上形成有開口部231 (將絕緣層23從厚度方向上貫通的孔)的絕緣性的膜 體。第一電極21以及絕緣層23被由有機(jī)EL (Electroluminescence)材料 構(gòu)成的發(fā)光層25覆蓋。發(fā)光層25例如通過旋涂法等成膜技術(shù)在多個(gè)發(fā)光 元件E內(nèi)連續(xù)形成。由于第一電極21按每個(gè)發(fā)光元件E獨(dú)立地形成，因 此，即使說發(fā)光層25在多個(gè)發(fā)光元件E內(nèi)連續(xù)，也能根據(jù)從各第一電極 21供給的電流而按發(fā)光元件E單個(gè)地控制發(fā)光元件E的光量。當(dāng)然，也 可采用發(fā)光層25按發(fā)光元件E相互分離地形成的構(gòu)成。
發(fā)光層25的表面被作為發(fā)光元件E的陰極而發(fā)揮功能的第二電極27 覆蓋。第二電極27是在多個(gè)發(fā)光元件E內(nèi)連續(xù)的光反射性的導(dǎo)電膜。發(fā) 光層25以與從第一電極21向第二電極27流動(dòng)的電流相應(yīng)的強(qiáng)度發(fā)光。 從發(fā)光層25向第一電極21側(cè)的出射光和在第二電極27表面的反射光， 如圖3中空心箭頭所示，透過第一電極21和基板12，向感光體鼓70側(cè)射 出。由于在第一電極21與第二電極27之間存在絕緣層23的區(qū)域不流動(dòng) 電流，因此，發(fā)光層25中與絕緣層23重疊的部分不發(fā)光。即，如圖3所 示，第一電極21、發(fā)光層25和第二電極27的疊層中位于開口部231的內(nèi) 側(cè)的部分作為發(fā)光元件E (光源)而發(fā)揮功能。因此，從Z方向觀察時(shí)的 發(fā)光元件E的位置和形態(tài)(尺寸和形狀)根據(jù)開口部231的位置和形態(tài)確 定。
圖2的透鏡陣列40是將來自各發(fā)光元件E的出射光向被曝光面72聚 光的單元，包括沿XY平面排列成陣列狀的多個(gè)透鏡44 (雙凸透鏡)。圖 4是從圖1中的IV-IV線觀察到的剖視圖(XZ平面的剖視圖)。如圖4所示， 透鏡陣列40包括由透光性材料(例如玻璃)形成的平板狀的基體42、 在基體42的與感光體鼓70相反一側(cè)的表面上排列的多個(gè)透鏡部441、和 在基體42的與感光體鼓70對(duì)置的面上排列的多個(gè)透鏡部442。多個(gè)透鏡 部441的每一個(gè)隔著基體42與單個(gè)的透鏡部442對(duì)置。各透鏡部441以 及各透鏡部441由折射率與基體42相同的透光性的材料形成為近似圓形 狀。由在Z方向上重疊的透鏡部441以及透鏡部442兩者之間填充的基體 42構(gòu)成一個(gè)透鏡44 (微透鏡)。連接透鏡部441以及透鏡部442各自的中 心的直線是透鏡44的光軸A。
圖5是表示透鏡陣列40的各透鏡44與發(fā)光裝置10的各發(fā)光元件E 的關(guān)系的俯視圖。在該圖中，從Z方向觀察，各透鏡44的外形(透鏡部 441和透鏡部442的邊緣)由雙點(diǎn)劃線表示。如圖5所示，構(gòu)成透鏡陣列 40的多個(gè)透鏡44被劃分為透鏡組GL1 GL3。屬于透鏡組GLj (j是滿足 lg。的整數(shù))的多個(gè)透鏡44各自的光軸A按照與X方向的直線LXj交 叉的方式沿X方向排列。直線LX1 LX3相互保持間隔(PY+2A)地沿Y 方向排列。
各透鏡44在X方向的位置按各透鏡組GL1 GL3而不同。g卩，透鏡 組GL2的各透鏡44的光軸A位于沿X方向的正側(cè)距透鏡組GL1的各透 鏡44的光軸A距離PX的位置上，透鏡組GL3的各透鏡44的光軸A位 于沿X方向的正側(cè)距透鏡組GL2的各透鏡44的光軸A距離PX的位置上。 即，透鏡組GL1 GL3的各透鏡44以間距PX排列。
如圖5所示，發(fā)光裝置10所具備的多個(gè)發(fā)光元件E以規(guī)定數(shù)量(在 本實(shí)施方式中為16個(gè))為單位被劃分成多個(gè)元件組G。多個(gè)元件組G的 每一個(gè)與單個(gè)的透鏡44對(duì)應(yīng)。如圖5所示，屬于一個(gè)元件組G的各發(fā)光 元件E和與該元件組G對(duì)應(yīng)的透鏡44在Z方向上重疊。
一個(gè)元件組G被劃分為第一元件列Gl和第二元件列G2。透鏡組GLj 的與透鏡44對(duì)置的各元件組G的第一元件列Gl是沿著直線La在X方向 上排列的8個(gè)發(fā)光元件E的集合，該直線La在Y方向的負(fù)側(cè)與通過該透 鏡44的光軸A的直線LXj相隔間隔A。同樣，透鏡組GLj的與透鏡44對(duì) 置的各元件組G的第二元件列G2是沿著直線Lb在X方向上排列的8個(gè) 發(fā)光元件E的集合，該直線Lb在Y方向的正側(cè)與直線LXj相隔間隔A。 如圖5所示，從第一元件列Gl的各發(fā)光元件E觀察，第二元件列G2的 各發(fā)光元件E位于Y方向的正側(cè)。
如圖4所示，遮光部件30是在發(fā)光裝置10與透鏡陣列40的間隙內(nèi)， 固定為與基板12和基體42密接的狀態(tài)的遮光性的板材。如圖2以及圖4 所示，在遮光部件30的從Z方向觀察與透鏡陣列40的各透鏡44重疊的 區(qū)域，形成將該遮光部件30從厚度方向(Z方向)貫通的貫通孔32。貫 通孔32與透鏡部441的直徑近似相同。
如圖4的虛線所示，從一個(gè)元件組G的各發(fā)光元件E出射后透過基板
12的光線在貫通孔32的內(nèi)側(cè)前進(jìn)，并且入射到該元件組G所對(duì)應(yīng)的透鏡 44 (透鏡部441)。并且，透過基體42后從透鏡44 (透鏡部442)出射的 光線在通過該透鏡44的作用進(jìn)行聚光的同時(shí)前進(jìn)，在感光體鼓70的被曝 光面72上成像。
發(fā)光裝置10的驅(qū)動(dòng)電路(省略圖示)控制各發(fā)光元件E的發(fā)光時(shí)期， 以使根據(jù)來自沿著直線LX1 LX3的每一條的元件組G的各發(fā)光元件E (即，發(fā)光裝置10所具備的所有發(fā)光元件E)的出射光，在被曝光面72 上形成相當(dāng)于圖像的一行(line)的潛像。大致地說，沿著直線LX1的各 發(fā)光元件E (即與透鏡組GL1對(duì)置的各發(fā)光元件E)、沿著直線LX2的各 發(fā)光元件E和沿著直線LX3的各發(fā)光元件E按照以上順序依次發(fā)光，從 而形成潛像的一行，并通過與感光體鼓70的旋轉(zhuǎn)并行地重復(fù)同樣的動(dòng)作， 由此，在被曝光面72上形成由多條線構(gòu)成的潛像。若對(duì)形成一行時(shí)各發(fā) 光元件E發(fā)光的時(shí)期進(jìn)行詳述則如下所述。
第一，屬于一個(gè)元件組G的第一元件列Gl的各發(fā)光元件E與屬于該 元件組G的第二元件列G2的各發(fā)光元件E，相隔被曝光面72沿Y方向 前進(jìn)圖5的距離2A (即，第一元件列Gl與第二元件列G2的間隔)的時(shí) 間長度的間隔而依次發(fā)光。因此，在被曝光面72的應(yīng)形成潛像的一行的 區(qū)域，多次照射(多次曝光)來自屬于一個(gè)元件組G的第一元件列G1的 各發(fā)光元件E的出射光和來自屬于該元件組G的第二元件列G2的各發(fā)光 元件E的出射光。
第二，屬于直線LX1上的元件組G的第二元件列G2的各發(fā)光元件E 與屬于直線LX2上的元件組G的第一元件列Gl的各發(fā)光元件E，相隔被 曝光面72沿Y方向前進(jìn)圖5的距離PY的時(shí)間長度的間隔而依次發(fā)光。 同樣，屬于直線LX2上的元件組G的第二元件列G2的各發(fā)光元件E與 屬于直線LX3上的元件組G的第一元件列Gl的各發(fā)光元件E，相隔被曝 光面72沿Y方向前進(jìn)距離PY的時(shí)間長度的間隔而依次發(fā)光。因此，被 曝光面72的來自沿著直線LX1 LX3的每一條的元件組G的各發(fā)光元件 E的出射光所到達(dá)的光點(diǎn)區(qū)域，在X方向上排列成直線。此外，以上的過 程只是例示，可適當(dāng)變更使各發(fā)光元件E發(fā)光的順序和時(shí)期。
可是，由于一個(gè)元件組G的各發(fā)光元件E沿X方向排列，因此距透
鏡44的光軸A的距離按每個(gè)發(fā)光元件E而不同。另一方面，透鏡44的光 學(xué)特性(例如，聚光特性)主要根據(jù)距光軸A的距離而變動(dòng)。因此，在一 個(gè)元件組G的各發(fā)光元件E以相同形態(tài)(尺寸以及形狀)等間隔排列的構(gòu) 成(以下稱為"對(duì)比例")中，被曝光面72的由一個(gè)發(fā)光元件E照射的光 點(diǎn)區(qū)域的尺寸和對(duì)光點(diǎn)區(qū)域賦予的能量強(qiáng)度會(huì)根據(jù)距透鏡44的光軸A的 距離而按每個(gè)發(fā)光元件E產(chǎn)生偏差。
圖6是表示對(duì)比例的構(gòu)成中的光點(diǎn)區(qū)域的尺寸(直徑)以及光點(diǎn)區(qū)域 內(nèi)被賦予的能量強(qiáng)度、與發(fā)光元件E的位置的關(guān)系的示意圖。該圖的橫軸 表示發(fā)光元件E的位置。位置XI最靠近透鏡44的光軸A，越趨向位置 X4越遠(yuǎn)離透鏡44的光軸A。該圖的縱軸所示的光點(diǎn)區(qū)域的直徑(光點(diǎn)直 徑)與能量強(qiáng)度按照位于位置X1的發(fā)光元件E所對(duì)應(yīng)的光點(diǎn)區(qū)域的直徑 以及強(qiáng)度為"1"的方式被正規(guī)化。
透鏡44的聚光性能隨著遠(yuǎn)離光軸A而下降，因此，在對(duì)比例的構(gòu)成 中，如圖6所示，越遠(yuǎn)離透鏡44的光軸A，發(fā)光元件E的光點(diǎn)區(qū)域的直 徑越擴(kuò)大并且能量強(qiáng)度越降低。如上所述，若光點(diǎn)區(qū)域的尺寸和能量強(qiáng)度 存在偏差，則被曝光面72上形成的潛像(進(jìn)而在紙張上形成的顯像)的 分辨率和灰度可能會(huì)按每個(gè)元件組G產(chǎn)生周期性不均。為了解決以上問 題，在本形態(tài)中，根據(jù)距透鏡44的光軸A的距離而個(gè)別地選定各發(fā)光元 件E的位置和形態(tài)，以使被曝光面72的光點(diǎn)區(qū)域的尺寸和能量強(qiáng)度均勻 化。
圖7是表示屬于一個(gè)元件組G的各發(fā)光元件E (E1 E8)的具體形態(tài) 的俯視圖。如該圖所示，第一元件列G1的8個(gè)發(fā)光元件E在X方向上排 列成各自的中心位于直線La上，第二元件列G2的8個(gè)發(fā)光元件E在X 方向上排列成各自的中心位于距直線La距離2A的直線Lb上?；趤碜?第一元件列Gl的一個(gè)發(fā)光元件E的出射光和在其Y方向的正側(cè)鄰接的第 二元件列G2的一個(gè)發(fā)光元件E的出射光進(jìn)行多次曝光，從而在被曝光面 72上形成一個(gè)光點(diǎn)區(qū)域。
如圖7所示，屬于第一元件列Gl的發(fā)光元件E的中心與位于該發(fā)光 元件E的Y方向的第二元件列G2的發(fā)光元件E的中心沿X方向的距離 (Sl、 S2、 S3)，在越靠近透鏡44的光軸A的發(fā)光元件E中越大(S1〉S2>S3)。若進(jìn)一步詳細(xì)描述，則第一元件列Gl中最靠近光軸A的 發(fā)光元件El的中心、與第二元件列G2中沿Y方向與發(fā)光元件El鄰接的 發(fā)光元件E2的中心在X方向的距離S1，大于第一元件列G1中比發(fā)光元 件El更遠(yuǎn)離光軸A的發(fā)光元件E3的中心、與第二元件列G2中沿Y方 向與發(fā)光元件E3鄰接的發(fā)光元件E4的中心在X方向的距離S2大。同樣， 發(fā)光元件E3和E4的中心間的距離S2大于進(jìn)一步遠(yuǎn)離光軸A的發(fā)光元件 E5和E6的中心間的距離S3。而且，第一元件列G1中距光軸A最遠(yuǎn)的發(fā) 光元件E7與第二元件列G2中沿Y方向與發(fā)光元件E7鄰接的發(fā)光元件 E8各自的中心在X方向上的位置一致(沿X方向的中心間的距離為零)。
還有，如圖7所示，各發(fā)光元件E的尺寸(直徑D1、 D2、 D3、 D4)， 在越遠(yuǎn)離透鏡44的光軸A的發(fā)光元件E中越增加(D4>D3>D2>D1)。例 如，發(fā)光元件E3和E4的直徑D2大于靠近光軸A的發(fā)光元件El和E2 的直徑D1，發(fā)光元件E5和E6的直徑D3大于直徑D2。還有，距光軸A 最遠(yuǎn)的發(fā)光元件E7和E8的直徑D4在元件組G中最大。各發(fā)光元件E的 位置(距離Sl、 S2、 S3)和尺寸(直徑D1、 D2、 D3、 D4)，根據(jù)在圖3 的絕緣層23形成的開口部231的位置和尺寸被控制為滿足以上的條件。
圖8是表示通過各發(fā)光元件E的出射光的照射而賦予被曝光面72的 能量強(qiáng)度的分布的概念圖。該圖的曲線CA1表示發(fā)光元件E1所賦予的能 量的分布，該圖的曲線CA2表示發(fā)光元件E2所賦予的能量的分布。曲線 CA是通過來自發(fā)光元件El和E2各自的出射光的多次照射對(duì)被曝光面72 賦予的能量的分布(曲線CA1與曲線CA2的加法運(yùn)算)。同樣，曲線CB 是發(fā)光元件E7所賦予的能量的分布(曲線CB1)與發(fā)光元件E8所賦予的 能量的分布(曲線CB2)的加法運(yùn)算值(即，通過發(fā)光元件E7和E8各自 的出射光的多次照射對(duì)被曝光面72賦予的能量的分布)。
如圖8所示，光點(diǎn)區(qū)域SP (SPA、 SPB)是能量強(qiáng)度超過規(guī)定閾值TH (例如峰值的5%)的區(qū)域。由于發(fā)光元件E1和E2在X方向上位于錯(cuò)開 的位置，因此通過兩者的多次曝光形成的光點(diǎn)區(qū)域SPA的尺寸，與發(fā)光元 件El和E2位于X方向的相同位置的情況相比，在X方向上尺寸實(shí)際被 擴(kuò)大。SP，如圖8所示，能使由發(fā)光元件E1和E2的多次曝光形成的光點(diǎn) 區(qū)域SPA接近由發(fā)光元件E7和E8的多次曝光形成的光點(diǎn)區(qū)域SPB的尺
寸。
圖9是按每個(gè)發(fā)光元件E表示本形態(tài)中的光點(diǎn)區(qū)域的尺寸和光點(diǎn)區(qū)域 被賦予的能量強(qiáng)度的示意圖。與圖6同樣，該圖的縱軸所示的光點(diǎn)區(qū)域的 直徑(光點(diǎn)直徑)與能量強(qiáng)度，按照使發(fā)光元件E1和E2所形成的光點(diǎn)區(qū) 域SPA的直徑以及能量強(qiáng)度為"1"的方式進(jìn)行正規(guī)化。如圖9所示，在 本形態(tài)中，根據(jù)距光軸A的距離來選定在Y方向上鄰接的各發(fā)光元件E 的中心間的距離(Sl、 S2、 S3)，以使通過在Y方向上相鄰接的兩個(gè)發(fā)光 元件E的多次曝光形成的各光點(diǎn)區(qū)域的尺寸(X方向的尺寸)均勻化。
還有，如圖7所示，由于發(fā)光元件E7和E8形成為比發(fā)光元件E1和 E2直徑大，因此，與元件組G的所有發(fā)光元件E形成為相同直徑的情況 相比，通過發(fā)光元件E7和E8的多次曝光形成的光點(diǎn)區(qū)域被賦予的能量增 加。即，因遠(yuǎn)離透鏡44的光軸A而引起的能量降低由發(fā)光元件E的尺寸 增大來補(bǔ)償。因此，如圖8所示，能使由發(fā)光元件E7和E8的多次曝光形 成的光點(diǎn)區(qū)域SPB被賦予的能量的總和，接近由發(fā)光元件El和E2的多 次曝光形成的光點(diǎn)區(qū)域SPA被賦予的能量的總和。在本形態(tài)中，如圖9 所示，根據(jù)距光軸A的距離來選定各發(fā)光元件E的尺寸，以使通過一個(gè)元 件組G的各發(fā)光元件E的多次曝光形成的多個(gè)光點(diǎn)區(qū)域的每一個(gè)被賦予的 能量強(qiáng)度均勻化。
如上所述，在本形態(tài)中，通過根據(jù)距透鏡44的光軸A的距離來個(gè)別 地選定屬于一個(gè)元件組G的各發(fā)光元件E的位置和形態(tài)，從而使各光點(diǎn)區(qū) 域的尺寸和能量均勻化，因此，能抑制圖像形成裝置所形成的圖像(顯像) 的分辨率和灰度的不均。而且，還具有可通過控制絕緣層23中形成的開 口部231的位置和形態(tài)的簡便方法獲得以上效果的優(yōu)點(diǎn)。
此外，使各光點(diǎn)區(qū)域的尺寸(直徑)均勻化的效果，通過越靠近透鏡 44的光軸A的發(fā)光元件E的中心間的距離(Sl、 S2、 S3)越增大的構(gòu)成 來實(shí)現(xiàn)，因此，無需采用距透鏡44的光軸A越遠(yuǎn)的發(fā)光元件E的尺寸越 增大的構(gòu)成。但是，在使屬于一個(gè)元件組G的所有發(fā)光元件E為相同直徑 的情況下，如圖6所示，存在距光軸A越遠(yuǎn)的發(fā)光元件E的光點(diǎn)區(qū)域能量 越降低的問題。當(dāng)然，若對(duì)于距光軸A越遠(yuǎn)的發(fā)光元件E越增加供給的電 流值，也能使各光點(diǎn)區(qū)域被賦予的能量均勻化。但是，尤其是對(duì)有機(jī)發(fā)光
二極管元件等發(fā)光元件E供給越高電流密度的電流，越加快其劣化，因此， 距光軸A越遠(yuǎn)的發(fā)光元件E其特性越迅速劣化，結(jié)果，存在各發(fā)光元件E 的特性的偏差(進(jìn)而圖像的灰度不均)隨時(shí)間變化而擴(kuò)大的問題。
對(duì)此，在本形態(tài)中，通過對(duì)距光軸A越遠(yuǎn)的發(fā)光元件E越增加其尺寸， 從而使各光點(diǎn)區(qū)域內(nèi)的能量均勻化，因此，能有效抑制各發(fā)光元件E的特 性偏差隨時(shí)間變化而擴(kuò)大的問題。不過，即使說本形態(tài)可消除通過調(diào)整電 流值來使光點(diǎn)區(qū)域的能量均勻化的構(gòu)成中的問題，也并不意味著將控制向 各發(fā)光元件E供給的電流值的構(gòu)成從本發(fā)明的范圍中除去。例如，按照在 如圖7所例示那樣調(diào)整了各發(fā)光元件E的尺寸的基礎(chǔ)上進(jìn)一步可靠地使各 光點(diǎn)區(qū)域的能量均勻化的方式，來調(diào)整向各發(fā)光元件E供給的電流的電流 值的構(gòu)成當(dāng)然可被采用。
<B:第二實(shí)施方式>
下面，對(duì)本發(fā)明的第二實(shí)施方式進(jìn)行說明。此外，對(duì)于在本形態(tài)中作 用和功能與第一實(shí)施方式共通的要素標(biāo)注與上述形態(tài)中相同的標(biāo)記，并適 當(dāng)省略其詳細(xì)說明。
圖10是表示發(fā)光裝置10的構(gòu)成的剖視圖(與圖3對(duì)應(yīng)的剖視圖)。 如圖IO所示，本形態(tài)中的發(fā)光裝置IO的布線要素層14包括遮光層15。 遮光層15是從同一層形成了控制發(fā)光元件E的光量的有源元件和傳輸各 種信號(hào)的布線的遮光性的膜體。從Z方向觀察，在遮光層15的與發(fā)光元 件E重疊的區(qū)域形成近似圓形狀的開口部151 。來自發(fā)光元件E的出射光 中，只有通過遮光層15的開口部151的成分通過基板12出射到感光體鼓 70艦lj。在第一實(shí)施方式中，例示了根據(jù)絕緣層23的開口部231的位置和 形態(tài)來控制光點(diǎn)區(qū)域的尺寸和能量強(qiáng)度的構(gòu)成。對(duì)應(yīng)于此，在本形態(tài)中， 根據(jù)遮光層15的開口部151的位置和形態(tài)來控制光點(diǎn)區(qū)域的尺寸和能量。
圖11是表示屬于一個(gè)元件組G的各發(fā)光元件E的具體形態(tài)的俯視圖 (與圖7對(duì)應(yīng)的俯視圖)。如圖11所示，在本形態(tài)中，所有的發(fā)光元件E (E1 E8)形成為相同直徑。而且，第一元件列Gl的8個(gè)發(fā)光元件E沿 X方向等間隔排列，第二元件列G2的8個(gè)發(fā)光元件E沿X方向等間隔排 列在從Y方向上與第一元件列Gl隔開的位置。
如圖11所示，越靠近透鏡44的光軸A，第一元件列Gl的發(fā)光元件E 所對(duì)應(yīng)的開口部151的中心和與該發(fā)光元件E在Y方向上鄰接的第二元件 列G2的發(fā)光元件E所對(duì)應(yīng)的開口部151的中心沿X方向的距離(S1、S2、 S3)越大(S1>S2>S3)。而且，發(fā)光元件E7所對(duì)應(yīng)的開口部151與發(fā)光 元件E8所對(duì)應(yīng)的開口部151各自的中心在X方向上的位置一致。進(jìn)而， 如圖ll所示，距透鏡44的光軸A越遠(yuǎn)的發(fā)光元件E所對(duì)應(yīng)的開口部151 的直徑越大(D4>D3>D2〉D1)。
在本形態(tài)中，被曝光面72上的能量分布與圖8同樣，因此，可實(shí)現(xiàn) 與第一實(shí)施方式同樣的作用以及效果。如上所述，在第一實(shí)施方式中，發(fā) 光元件E作為光源發(fā)揮功能，在本形態(tài)中，發(fā)光元件E與遮光層15 (開 口部151)協(xié)同作為光源發(fā)揮功能。
<C:變形例>
可對(duì)以上各形態(tài)施加各種變形。具體的變形方式如下所述。此外，也 可適當(dāng)組合以下各方式。 (1)變形例1
在以上各形態(tài)中，例示了一個(gè)元件組G由第一元件列Gl和第二元件 列G2構(gòu)成的方式，但一個(gè)元件組G中的發(fā)光元件E的排列數(shù)量是任意的。 例如，如圖12所示，也可采用屬于一個(gè)元件組G的多個(gè)發(fā)光元件E排列 成第一元件列Gl、第二元件列G2、第三元件列G3和第四元件列G4這 四列的構(gòu)成。屬于第一元件列Gl和第二元件列G2的各發(fā)光元件E、與屬 于第三元件列G3和第四元件列G4的各發(fā)光元件E在X方向上的位置不 同。因此，例如，通過基于第一元件列Gl和第二元件列G2的各發(fā)光元 件E的多次曝光來形成潛像的一條線中第奇數(shù)個(gè)像素，通過基于第三元件 列G3和第四元件列G4的各發(fā)光元件E的多次曝光來形成第偶數(shù)個(gè)像素。 在圖12的構(gòu)成中，按照使第一元件列Gl的各發(fā)光元件E與第二元件列 G2的各發(fā)光元件E的關(guān)系、和第三元件列G3的各發(fā)光元件E與第四元 件列G4的各發(fā)光元件E的關(guān)系滿足圖7或圖11的條件的方式，選定各發(fā) 光元件E的位置和形態(tài)。
還有，如圖13所示，也可構(gòu)成為第一元件列Gl和第二元件列G2
在距光軸A等距離處沿X方向排列，并且，第三元件列G3和第四元件列 G4在第一元件列Gl以及第二元件列G2的外側(cè)距光軸A等距離處沿X 方向排列。在圖12的構(gòu)成中，由于在第一元件列Gl和第二元件列G2中 各發(fā)光元件E距光軸A的距離不同，因此，需要使Y方向上鄰接的(即， 在一個(gè)光點(diǎn)區(qū)域的多次曝光中使用的)2個(gè)發(fā)光元件E的尺寸也按各元件 列而不同。對(duì)于第三元件列G3和第四元件列G4也同樣。相對(duì)于此，在 圖13的構(gòu)成中，由于第一元件列Gl和第二元件列G2的每一個(gè)(或第三 元件列G3和第四元件列G4的每一個(gè))距光軸A近似等距離，因此，與 圖7和圖11同樣，可使在一個(gè)光點(diǎn)區(qū)域的多次曝光中使用的2個(gè)發(fā)光元 件E的尺寸相同。因此，存在發(fā)光裝置10的構(gòu)成被簡化的優(yōu)點(diǎn)。
(2) 變形例2
在以上各形態(tài)中，例示了調(diào)整絕緣層23的開口部231或遮光層15的 開口部151的構(gòu)成，但用于控制光源(來自發(fā)光層25的放射光實(shí)際出射 的區(qū)域)的位置和形態(tài)的要素并不限定于以上的例示。例如，也可根據(jù)第 一電極21的位置和形狀，按照滿足圖7或圖11的條件的方式選定光源的 位置和形態(tài)。還有，在圖3和圖10中，例示了底部發(fā)射型發(fā)光裝置10， 但也可采用頂部發(fā)射型發(fā)光裝置。
(3) 變形例3
有機(jī)發(fā)光二極管元件只是發(fā)光元件的例子。可取代以上各形態(tài)中的有 機(jī)發(fā)光二極管而釆用例如無機(jī)EL元件或LED (Light Emitting Diode)元 件等各種發(fā)光元件。
<D:應(yīng)用例>
對(duì)利用了本發(fā)明所涉及的曝光裝置100的電子設(shè)備(圖像形成裝置) 的具體形態(tài)進(jìn)行說明。
圖14是表示采用了以上形態(tài)所涉及的曝光裝置100的圖像形成裝置 的構(gòu)成的剖視圖。圖像形成裝置是串聯(lián)(tandem)型全彩圖像形成裝置， 具備以上形態(tài)中的4個(gè)曝光裝置100 (IOOK、 100C、 100M、 IOOY)、與各 曝光裝置100對(duì)應(yīng)的4個(gè)感光體鼓70 (70K、 70C、 70M、 70Y)。如圖1 所示， 一個(gè)曝光裝置100配置為與該曝光裝置100所對(duì)應(yīng)的感光體鼓70
的被曝光面72 (外周面)對(duì)置。此外，各標(biāo)記的尾標(biāo)"K"、 "C"、 "M"、 "Y"是指在形成黑色(K)、藍(lán)綠色(C)、品紅色(M)、黃色(Y)的各 顯像中使用。
如圖14所示，在驅(qū)動(dòng)輥711和從動(dòng)輥712上巻繞有無接頭的中間轉(zhuǎn) 印帶72。 4個(gè)感光體鼓70相互保持規(guī)定間隔地配置在中間轉(zhuǎn)印帶72的周 圍。各感光體鼓70與中間轉(zhuǎn)印帶72的驅(qū)動(dòng)同步旋轉(zhuǎn)。
在各感光體鼓70的周圍除了曝光裝置100之外，還配置有電暈帶電 器731K、 731C、 731M、 731Y和顯影器732K、 732C、 732M、 732Y。電 暈帶電器731K、 731C、 731M、 731Y使與之對(duì)應(yīng)的感光體鼓70的像形成 面均勻帶電。通過各曝光裝置IOO對(duì)該帶電的像形成面進(jìn)行曝光，形成靜 電潛像。各顯影器732通過在靜電潛像上附著顯影劑(調(diào)色劑)，從而在 感光體鼓70上形成顯像(可視像)。
如上所述，通過將感光體鼓70上形成的各色(黑色、藍(lán)綠色、品紅 色、黃色)顯像依次轉(zhuǎn)印(一次轉(zhuǎn)印)到中間轉(zhuǎn)印帶72的表面，從而形 成了全彩的顯像。在中間轉(zhuǎn)印帶72的內(nèi)側(cè)配置有4個(gè)一次轉(zhuǎn)印電暈管 (corotron)(轉(zhuǎn)印器)74K、 74C、 74M、 74Y。通過各一次轉(zhuǎn)印電暈管 74K、 74C、 74M、 74Y從與之對(duì)應(yīng)的感光體鼓70以靜電方式吸引顯像， 將顯像轉(zhuǎn)印到通過感光體鼓70和一次轉(zhuǎn)印電暈管74K、 74C、 74M、 74Y 的間隙的中間轉(zhuǎn)印帶72上。
通過拾取輥761從供紙盒762逐張供給薄片(記錄材料)75，將其搬 送到中間轉(zhuǎn)印帶72與二次轉(zhuǎn)印輥77之間的輥隙(nip)。在中間轉(zhuǎn)印帶 72的表面形成的全彩顯像通過二次轉(zhuǎn)印輥77被轉(zhuǎn)印到薄片75的一面(二 次轉(zhuǎn)印)，穿過定影輥對(duì)78而定影于薄片75。排紙輥對(duì)79將經(jīng)過上述工 序而顯像被定影后的薄片75排出。
由于以上例示的圖像形成裝置利用有機(jī)發(fā)光二極管元件作為光源，所 以，與利用了激光掃描光學(xué)系統(tǒng)的構(gòu)成相比可實(shí)現(xiàn)裝置的小型化。另外， 在以上例示的構(gòu)成之外的圖像形成裝置中也可利用曝光裝置100。例如， 也可在旋轉(zhuǎn)顯像式圖像形成裝置、不使用中間轉(zhuǎn)印帶而從感光體鼓70直 接對(duì)薄片轉(zhuǎn)印顯像方式的圖像形成裝置、或形成單色圖像的圖像形成裝置 中利用曝光裝置100。此外，曝光裝置100的用途不限定于像載體的曝光。例如，曝光裝置
100可作為對(duì)原稿等讀取對(duì)象照射光的照明裝置而應(yīng)用于圖像讀取裝置。
作為這種圖像讀取裝置有掃描儀、復(fù)印機(jī)或傳真機(jī)的讀取部分、條形碼閱
讀器、或?qū)θ鏠R編碼(注冊(cè)商標(biāo))那樣的二維圖像編碼進(jìn)行讀取的二維 圖像編碼閱讀器。
權(quán)利要求
1.一種曝光裝置，具備第一光源列，其包括沿第一方向排列的多個(gè)光源；第二光源列，其包括位于在所述第一方向交叉的第二方向上和所述第一光源列的各光源隔開的位置并沿所述第一方向排列的多個(gè)光源；和聚光體，其將來自所述第一光源列以及所述第二光源列的各光源的出射光向被曝光面聚光；通過來自所述第一光源列的光源的出射光、和來自相對(duì)該光源位于所述第二方向的所述第二光源列的光源的出射光，對(duì)所述被曝光面進(jìn)行多次曝光；所述第一光源列中的第一光源的中心與所述第二光源列中的第二光源的中心沿所述第一方向的距離，大于所述第一光源列中的第三光源的中心與所述第二光源列中的第四光源的中心沿所述第一方向的距離，其中所述第二光源相對(duì)于所述第一光源來說位于所述第二方向上，所述第三光源比所述第一光源更遠(yuǎn)離所述聚光體的光軸，所述第四光源相對(duì)于所述第三光源來說位于所述第二方向上。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的曝光裝置，其特征在于， 所述第一光源列中的距所述聚光體的光軸的距離最大的光源、和相對(duì)該光源位于所述第二方向上的所述第二光源列的光源，沿所述第一方向位 于相同位置。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的曝光裝置，其特征在于， 所述第三光源以及所述第四光源比所述第一光源以及所述第二光源的尺寸更大。
4. 根據(jù)權(quán)利要求3所述的曝光裝置，其特征在于， 所述第一光源列形成在距所述聚光體的光軸規(guī)定距離的位置， 所述第二光源列隔著所述光軸形成在所述第一光源列的相反一側(cè)且距該光軸所述規(guī)定距離的位置。
5. 根據(jù)權(quán)利要求1 4的任一項(xiàng)所述的曝光裝置，其特征在于，所述各光源包括具有發(fā)光層的發(fā)光元件，所述發(fā)光層位于絕緣層上形 成的開口部的內(nèi)側(cè)，所述各光源的位置以及形態(tài)根據(jù)所述絕緣層中的與該光源對(duì)應(yīng)的開 口部的位置以及形態(tài)來確定。
6. 根據(jù)權(quán)利要求1 4的任一項(xiàng)所述的曝光裝置，其特征在于， 所述各光源包括發(fā)光元件；和遮光層，其形成有使來自朝向所述被曝光面的所述發(fā)光元件的出射光通過的開口部；所述各光源的位置以及形態(tài)根據(jù)所述遮光層中的與該光源對(duì)應(yīng)的開 口部的位置以及形態(tài)來確定。
7. 根據(jù)權(quán)利要求1 6的任一項(xiàng)所述的曝光裝置，其特征在于， 該曝光裝置具備多個(gè)元件組，分別包括所述第一光源列和所述第二光源列；和 多個(gè)所述聚光體，分別與單個(gè)的元件組對(duì)應(yīng)。
8. 根據(jù)權(quán)利要求1 7的任一項(xiàng)所述的曝光裝置，其特征在于， 選定各光源的位置以及形態(tài)，以便在通過來自所述第一光源的出射光與來自所述第二光源的出射光的多次曝光而在所述被曝光面上形成的光 點(diǎn)區(qū)域、和通過來自所述第三光源的出射光與來自所述第四光源的出射光 的多次曝光而在所述被曝光面上形成的光點(diǎn)區(qū)域中，尺寸以及能量相等。
9. 一種圖像形成裝置，具備 權(quán)利要求1 8中任一項(xiàng)所述的曝光裝置；像載體，通過所述曝光裝置的曝光而形成潛像的所述被曝光面相對(duì)所述曝光裝置沿所述第二方向前進(jìn)；和顯影器，其通過添加針對(duì)所述像載體的潛像的顯影劑來形成顯像。
全文摘要
提供一種曝光裝置以及圖像形成裝置，其中該曝光裝置的第一元件列包括沿X方向排列的多個(gè)發(fā)光元件，第二元件列包括位于在Y方向上和第一元件列的各發(fā)光元件隔開的位置并沿X方向排列的多個(gè)發(fā)光元件。透鏡(44)將來自第一元件列及第二元件列的各發(fā)光元件的出射光向被曝光面聚光。通過來自第一元件列及第二元件列各自的發(fā)光元件對(duì)被曝光面進(jìn)行多次曝光。第一元件列的發(fā)光元件、與第二元件列的相對(duì)發(fā)光元件位于Y方向上的發(fā)光元件的中心間距離，大于第一元件列的比發(fā)光元件遠(yuǎn)離透鏡光軸的發(fā)光元件、與第二元件列的相對(duì)發(fā)光元件位于Y方向上的發(fā)光元件的中心間距離。由此抑制光點(diǎn)區(qū)域的尺寸和能量強(qiáng)度的偏差。
文檔編號(hào)B41J2/447GK101177071SQ200710162920
公開日2008年5月14日 申請(qǐng)日期2007年9月27日 優(yōu)先權(quán)日2006年9月29日
發(fā)明者宮澤孝雄 申請(qǐng)人:精工愛普生株式會(huì)社