專利名稱：熱敏頭的制造方法、熱敏頭和打印裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及熱敏頭(Thermal head)的制造方法、熱敏頭和打印裝 置，尤其涉及安裝在辦公用或者民用的各種打印機(jī)設(shè)備上的熱敏頭的制 造方法、熱敏頭以及安裝了該熱敏頭的打印裝置。
背景技術(shù)：
存在用于各種打印裝置(復(fù)寫(xiě)打印機(jī)、卡打印機(jī)、視頻打印機(jī)、條 形碼打印機(jī)、標(biāo)簽打印機(jī)、傳真機(jī)、售票機(jī)等)的熱敏記錄的熱敏頭。 在這種熱敏頭中，通過(guò)加熱到規(guī)定溫度，來(lái)對(duì)介質(zhì)進(jìn)行打印或者消去已 打印的信息。更具體地講，熱敏頭根據(jù)熱能向反應(yīng)介質(zhì)打印文字或圖、 或者消去已經(jīng)打印的文字或圖，其中，熱能是通過(guò)對(duì)以直線方式設(shè)置的 單個(gè)或多個(gè)發(fā)熱電阻選擇性地施加電位從而使其發(fā)熱所獲得的。這樣的熱敏頭的制造方法，例如公開(kāi)于專利文獻(xiàn)l中。圖IO示出了 現(xiàn)有的熱敏頭的制造方法的工序圖。熱敏頭的制造方法包括以下工序 釉(glaze)基板的制造工序(步驟SlOl)、在釉基板上形成發(fā)熱電阻層 的膜的發(fā)熱電阻層成膜工序(步驟S102)、熱處理工序(步驟S103)、光 刻/蝕刻工序(步驟S104)、電極層成膜工序(步驟S105)、光刻/蝕刻工 序(步驟S106)、保護(hù)膜形成工序(步驟S107)、和檢查工序(步驟S108)。在步驟SIOI的釉基板制造工序中，在基板主體上形成釉來(lái)制造釉基板。在步驟S102的發(fā)熱電阻層成膜工序中，利用濺射法等，在釉上形成 發(fā)熱電阻的膜。這時(shí)，將發(fā)熱電阻的成膜壓力設(shè)為0.4Pa 1.5Pa，并且將 發(fā)熱電阻的成膜功率設(shè)為500W 2000W。而且，將基板溫度設(shè)為180°C 250°C。在步驟S103的熱處理工序中，在真空中以55(TC 65(TC的溫度進(jìn)行發(fā)熱電阻的熱處理。這時(shí)，熱處理時(shí)間取決于熱處理溫度。例如，如果熱處理溫度為550°C，則熱處理時(shí)間為2小時(shí)左右；如果熱處理溫度為 65(TC，則熱處理時(shí)間為1小時(shí)左右。該熱處理工序的目的，例如公開(kāi)于 專利文獻(xiàn)2中。即，例如尤其在將多晶硅用于發(fā)熱電阻的情況下，通過(guò) 該工序提高其結(jié)晶性。接著，進(jìn)行步驟S104的光刻/蝕刻工序。在步驟S105的電極層成膜工序中，通過(guò)濺射或蒸鍍來(lái)在發(fā)熱電阻上 形成一對(duì)電極的膜。接著，進(jìn)行步驟S106的光刻/蝕刻工序。在步驟S107的保護(hù)膜形成工序中，形成保護(hù)膜以覆蓋發(fā)熱電阻和電極。在步驟S108的檢查工序中，對(duì)制造出的熱敏頭進(jìn)行檢查，結(jié)束熱敏 頭的制造工序。利用上述的制造方法，能夠制造特性良好的熱敏頭，被制造出來(lái)的 熱敏頭用于標(biāo)簽用打印機(jī)。近年來(lái)，熱敏頭的作為圖像用打印機(jī)的用途正在不斷增加。在圖像 用打印機(jī)中，需要具有比標(biāo)簽用打印機(jī)更高的打印質(zhì)量。然而，己知的 是，在現(xiàn)有的進(jìn)行發(fā)熱電阻成膜、熱處理的制造方法中，作為圖像用熱 敏頭，點(diǎn)之間的電阻值的偏差過(guò)大。由此導(dǎo)致打印的不均勻。圖11是以現(xiàn)有的制造方法所制造出的熱敏頭的電阻值的分布圖。在 圖11中，橫軸表示在熱敏頭的主掃描方向上的發(fā)熱電阻的各點(diǎn)的位置， 縱軸表示發(fā)熱電阻的電阻值。曲線C100表示電阻值的分布。如看到曲線 C100的電阻值分布所理解的那樣，各發(fā)熱電阻的電阻值的偏差很大，其 偏差程度是3.10%。因此，考慮進(jìn)行調(diào)整(trimming)。專利文獻(xiàn)1日本特開(kāi)2006-192796號(hào)公報(bào)專利文獻(xiàn)2日本特開(kāi)2005-254773號(hào)公報(bào)由于在以現(xiàn)有的制造方法所制造出的熱敏頭中，作為圖像用熱敏頭， 點(diǎn)之間的電阻值偏差過(guò)大，因此考慮到了通過(guò)調(diào)整來(lái)抑制各點(diǎn)的電阻值 的偏差的方法。所以，實(shí)際上，已經(jīng)嘗試了針對(duì)以現(xiàn)有的制造方法所制造出的熱敏頭的調(diào)整。如下這樣地進(jìn)行調(diào)整通過(guò)對(duì)構(gòu)成各點(diǎn)的發(fā)熱電 阻進(jìn)行多次脈沖通電，來(lái)改變構(gòu)成各點(diǎn)的發(fā)熱電阻的電阻值，反復(fù)對(duì)各 點(diǎn)的發(fā)熱電阻進(jìn)行脈沖通電直到使各點(diǎn)處的發(fā)熱電阻的電阻值相等為 止。圖12是為了嘗試對(duì)以現(xiàn)有的制造方法所制造出的熱敏頭進(jìn)行調(diào)整從 而對(duì)構(gòu)成各點(diǎn)的發(fā)熱電阻進(jìn)行多次脈沖通電后的電阻值的分布圖。在圖 12中，橫軸表示在熱敏頭的主掃描方向上的發(fā)熱電阻的各點(diǎn)的位置，縱軸表示發(fā)熱電阻的電阻值。曲線C101表示電阻值的分布。如看到曲線 C101的電阻值分布所理解的那樣，雖然各發(fā)熱電阻的電阻值的偏差比以圖11所示的現(xiàn)有的制造方法所制造出的熱敏頭中的發(fā)熱電阻的電阻值的偏差有一定改善，但是即使如此，偏差仍為1.72%,存在不能夠抑制電阻 值的偏差以達(dá)到能夠應(yīng)用于圖像用熱敏頭的程度的問(wèn)題。發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明的目的在于鑒于上述問(wèn)題，提供用于得到耐久性優(yōu)良且電阻值的偏差較小的熱敏頭的熱敏頭的制造方法、熱敏頭和打印裝置。 為了達(dá)到上述目的，本發(fā)明的熱敏頭的制造方法、熱敏頭和打印裝置如下這樣地構(gòu)成。本發(fā)明的熱敏頭的制造方法，用于制造具有發(fā)熱電阻、連接到該發(fā)熱電阻上的電極、和在所述發(fā)熱電阻及所述電極上形成的保護(hù)膜的熱敏頭，該熱敏頭的制造方法的特征在于，所述發(fā)熱電阻的組成成分中含有Si和C，所述熱敏頭的制造方法包含執(zhí)行以下處理的工序在形成所述 發(fā)熱電阻后，不進(jìn)行熱處理而形成所述電極；以及在形成所述保護(hù)膜后 進(jìn)行調(diào)整。另外，上述方法的特征在于，優(yōu)選的是，發(fā)熱電阻是TaSiC、 WSiC、 以及MoSiC中的任意一種。另外，上述方法的特征在于，優(yōu)選的是，在進(jìn)行調(diào)整的工序中，對(duì) 發(fā)熱電阻進(jìn)行脈沖通電。另外，上述方法的特征在于，在進(jìn)行調(diào)整的工序中，通過(guò)進(jìn)行多次 脈沖通電，來(lái)改變各發(fā)熱電阻的電阻值。本發(fā)明的熱敏頭的特征在于，該熱敏頭是通過(guò)上述熱敏頭的制造方 法來(lái)制造的。本發(fā)明的打印裝置的特征在于，該打印裝置利用上述熱敏頭。 根據(jù)本發(fā)明，不需要以往的熱處理工序，通過(guò)進(jìn)行調(diào)整工序，能夠得到耐久性優(yōu)良、且降低了各點(diǎn)的發(fā)熱電阻的電阻值的偏差的熱敏頭和打印裝置。


圖1是本發(fā)明實(shí)施方式的打印裝置的概略圖。圖2是示出本發(fā)明的實(shí)施方式的打印裝置的熱敏頭單元的俯視圖。 圖3是示出本發(fā)明的實(shí)施方式的打印裝置的熱敏頭單元的側(cè)視圖。 圖4是示意性地示出本發(fā)明的實(shí)施方式的熱敏頭的俯視圖。 圖5是示意性地示出本發(fā)明的實(shí)施方式的熱敏頭的剖面結(jié)構(gòu)的圖。 圖6是示出本發(fā)明的實(shí)施方式的熱敏頭的制造方法的工序圖。 圖7是示出本發(fā)明的實(shí)施方式的熱敏頭的制造工序的圖。 圖8是示出本發(fā)明的實(shí)施方式的熱敏頭的各發(fā)熱電阻的電阻值分布 的圖。圖9是示出一個(gè)發(fā)熱電阻的電阻值根據(jù)脈沖通電的脈沖次數(shù)變化的變化率的曲線圖。圖IO示出了現(xiàn)有的熱敏頭的制造方法的工序圖。圖11是以現(xiàn)有的制造方法所制造出的熱敏頭的電阻值分布圖。圖12是為了嘗試對(duì)以現(xiàn)有的制造方法所制造出的熱敏頭進(jìn)行調(diào)整從而進(jìn)行脈沖通電后的電阻值分布圖。 符號(hào)說(shuō)明10熱敏頭單元；11鋁散熱板；12連接器；13 IC罩(cover); 14螺 母；20基板；30打印裝置；31熱敏紙；32外殼；33顯示面板；34輸 入鍵；35排紙口； 36輸送輥；56基板主體；57釉；58保護(hù)層；64導(dǎo) 電層；64a、 64b導(dǎo)電層(電極)；66公共電極部；70熱敏頭；72發(fā)熱電阻。具體實(shí)施方式

圖1是本發(fā)明實(shí)施方式的打印裝置30的概略圖。圖1所示的打印裝 置30具有六面體形狀的外殼32，在外殼32的前面設(shè)有液晶顯示面板33、 輸入鍵34以及排紙口 35。并且，熱敏紙31以巻成輥狀的形式存放在外 殼32內(nèi)，熱敏紙31的前端部分通過(guò)多根(圖1中為2根)輸送輥36來(lái) 支撐從而定位在排紙口35的前方。另外，將用于安裝熱敏頭的熱敏頭單 元10定位在熱敏紙31的上方來(lái)將其組裝到外殼32內(nèi)，能夠通過(guò)利用熱 敏頭單元10對(duì)熱敏紙31加熱來(lái)使其顯色，從而在將文字或圖像等影像 打印到熱敏紙31上后，將該熱敏紙31從排紙口 35排出。圖2是示出熱敏頭單元10的俯視圖，圖3是示出圖2的熱敏頭單元 10的側(cè)視圖。如圖2和圖3所示，熱敏頭單元10具有基板20。在基板 20的下面一側(cè)安裝有鋁散熱板11以及連接器12。在基板20的上面一側(cè) 通過(guò)螺母14安裝有IC罩13?；?0上的A部表示熱敏頭70。接著，說(shuō)明本實(shí)施方式的熱敏頭70。圖4是示意性地示出熱敏頭70 的俯視圖，圖5是圖4的X-X處的剖視圖。如圖5所示，熱敏頭70具有由厚度約為lmm的由鋁瓷構(gòu)成的絕緣 性基板主體56，在基板主體上形成厚度約為50 的玻璃制釉57。釉 57形成為如下的形狀在俯視時(shí)，以直線形狀隆起，而在橫截面上，具 有外輪廓略呈圓弧狀的突起部。在該釉57的曲面頂部上，以主掃描方向 排列的方式設(shè)置由厚度約為0.2 P m的薄膜構(gòu)成的多個(gè)發(fā)熱電阻72。在各 發(fā)熱電阻72上的位于副掃描方向上的兩側(cè)，分別在釉57上形成有導(dǎo)電 層64a、 64b的膜，該導(dǎo)電層64a、 64b是由厚度約為0.6y m的鋁等構(gòu)成。 并且，在熱敏頭70上，形成有保護(hù)層58以將發(fā)熱電阻72和導(dǎo)電層64a、 64b覆蓋。符號(hào)66表示公共電極部。發(fā)熱電阻72的材料的組成成分中包含Si和C，且該發(fā)熱電阻72是 由TaSiC、 WSiC、 MoSiC中的任意一種構(gòu)成的電阻，如圖4所示，發(fā)熱 電阻72被形成為在熱敏頭70的長(zhǎng)度方向上、以規(guī)定的間隔離散地排列。導(dǎo)電層64a、 64b由銀(Ag)、金(Au)、銅(Cu)、鎳(Ni)、鉤(W)、鋁(Al)、鈾(Pt)等金屬、或者以這些金屬為主要成分的合金、或者這 些金屬或合金的層疊體組成。并且，在最上層形成例如由Si02等組成的具有所希望的厚度的保護(hù)層58的膜以將公共電極部66和導(dǎo)電層64a、 64b、以及發(fā)熱電阻72覆蓋。 關(guān)于上述結(jié)構(gòu)的熱敏頭，根據(jù)圖6和圖7說(shuō)明熱敏頭的制造方法。 圖6是示出本實(shí)施方式的熱敏頭的制造方法的工序圖。熱敏頭的制造包括以下工序釉基板的制作工序(步驟Sll)、發(fā)熱電阻成膜工序(步驟S12)、光刻/蝕刻工序(步驟S13)、電極層(導(dǎo)電層)成膜工序(步驟S14)、光刻/蝕刻工序(S15)、保護(hù)膜(保護(hù)層)形成工序(步驟S16)、調(diào)整工序(步驟S17)、檢査工序(步驟S18)。首先，如圖7 (b)所示，在步驟Sll的釉基板的制造工序中，通過(guò)絲網(wǎng)印刷(screenprinting)等，在圖7 (a)所示的基板主體56上形成釉57。如圖7 (c)所示，在步驟S12的發(fā)熱電阻成膜工序中，在釉57上， 使用真空蒸鍍、CVD (Chemical Vapor Deposition,化學(xué)氣相沉積法)、濺 射等的薄膜形成技術(shù)來(lái)形成發(fā)熱電阻72。例如，通過(guò)LP-CVD(Low-Pressure Chemical Vapor Deposition,低壓化學(xué)氣相沉積)法等， 在釉57上形成發(fā)熱電阻72的膜。在通過(guò)例如濺射來(lái)成膜的情況下，將 發(fā)熱電阻72的成膜壓力設(shè)為0.4Pa 1.5Pa，并且將發(fā)熱電阻72的成膜 功率設(shè)為500W 2000W。而且，將基板溫度設(shè)為180。C 250。C。在步驟S13的光刻/蝕刻工序中，利用光刻和蝕刻所形成的發(fā)熱電阻 72的膜，如圖4所示的那樣，被形成為在釉57的長(zhǎng)度方向上、以規(guī)定的 間隔離散地排列。另外，這時(shí)不對(duì)所形成的發(fā)熱電阻72進(jìn)行熱處理。如圖7 (d)所示，在步驟S14的電極層成膜工序中，在不進(jìn)行熱處 理的狀態(tài)下，在整個(gè)發(fā)熱電阻72上形成所希望厚度的導(dǎo)電層64。導(dǎo)電層 64可以通過(guò)濺射等的薄膜形成技術(shù)來(lái)形成，也可以通過(guò)絲網(wǎng)印刷法來(lái)形 成。在步驟S15的光刻/蝕刻工序中，利用光刻和蝕刻去除導(dǎo)電層64來(lái) 構(gòu)圖，以除去所希望的區(qū)域，更具體地講，按照如下的方式除去導(dǎo)電層864:在圖4所示的熱敏頭70的長(zhǎng)度方向上，以規(guī)定的間隔離散地排列， 且使發(fā)熱電阻72的頂部區(qū)域露出。通過(guò)該工序，導(dǎo)電層64被電分離為 公共電極部66側(cè)的第1導(dǎo)電層64a和相對(duì)一側(cè)的第2導(dǎo)電層64b。另外， 在電極層成膜工序中，也可以從開(kāi)始就不在上述頂部區(qū)域形成導(dǎo)電層64。 構(gòu)圖后的導(dǎo)電層64a、 64b成為該熱敏頭中的電極。如圖7 (e)所示，在步驟S16的保護(hù)膜形成工序中，在最上層上形 成保護(hù)層58。即，在發(fā)熱電阻72以及導(dǎo)電層64a、 64b上形成保護(hù)膜58。在步驟S17的調(diào)整工序中，為了使制造出的各發(fā)熱電阻72的電阻值 相等，進(jìn)行調(diào)整。調(diào)整是按照如下的方式進(jìn)行的通過(guò)在第l導(dǎo)電層64a 和第2導(dǎo)電層64b之間對(duì)構(gòu)成各點(diǎn)的發(fā)熱電阻72進(jìn)行多次脈沖通電，來(lái) 改變構(gòu)成各點(diǎn)的發(fā)熱電阻72的電阻值，反復(fù)對(duì)各點(diǎn)的發(fā)熱電阻72進(jìn)行 脈沖通電直到使各點(diǎn)處的發(fā)熱電阻72的電阻值相等為止。該調(diào)整在如下 的條件下進(jìn)行施加在第1導(dǎo)電層64a和第2導(dǎo)電層64b之間的電壓為 20V 40V;該脈沖通電的脈沖寬度為30ms以下；脈沖通電的脈沖次數(shù) 為102 107次。在步驟S18的檢查工序中，對(duì)制造出的熱敏頭70進(jìn)行檢查，結(jié)束熱 敏頭70的制造工序。圖8是如上所述那樣地制造出的熱敏頭的各發(fā)熱電阻(TaSiC)的電 阻值分布圖。在圖8中，橫軸表示在主掃描方向上的熱敏頭的發(fā)熱電阻 的各點(diǎn)的位置，縱軸表示發(fā)熱電阻的電阻值。曲線C10表示電阻值的分 布。如看到曲線C10的電阻值分布所理解的那樣，各發(fā)熱電阻的電阻值 的偏差比圖11和圖12所示的以現(xiàn)有的制造方法制造出的熱敏頭中的發(fā) 熱電阻的電阻值的偏差有很大的改善，所了解到的偏差為0.40%。如上所述，能夠不需要以往的發(fā)熱電阻成膜工序后的熱處理工序， 而如本實(shí)施方式那樣在保護(hù)膜形成工序后通過(guò)進(jìn)行調(diào)整工序來(lái)降低熱敏 頭的各發(fā)熱電阻的電阻值的偏差，這也可以從接下來(lái)的實(shí)驗(yàn)結(jié)果理解。圖9是示出一個(gè)發(fā)熱電阻的電阻值根據(jù)脈沖通電的脈沖次數(shù)變化的 變化率的曲線圖。在圖9中，橫軸表示對(duì)1個(gè)發(fā)熱電阻施加的脈沖通電 的次數(shù)，縱軸表示該發(fā)熱電阻的電阻值的變化率。在該實(shí)驗(yàn)中，使用TaSiC膜作為發(fā)熱電阻。圖中，曲線20示出以現(xiàn)有的制造方法(即，在發(fā)熱電阻成膜工序后進(jìn)行熱處理工序的制造方法)所制造出的發(fā)熱電阻的電阻值的變化率。曲線C21示出在沒(méi)有進(jìn)行熱處理工序、也沒(méi)有進(jìn)行調(diào)整的 情況下所制造出的發(fā)熱電阻的電阻值的變化率。曲線C22示出本實(shí)施方 式的不進(jìn)行熱處理工序而是通過(guò)進(jìn)行調(diào)整所制造出的發(fā)熱電阻的電阻值 的變化率。如從曲線C20所理解的那樣，在通過(guò)進(jìn)行熱處理工序所制造出的發(fā) 熱電阻中，即使進(jìn)行l(wèi)xl(f次以上的脈沖次數(shù)的脈沖通電也幾乎不引起電 阻值的變化。由此可見(jiàn)，在通過(guò)進(jìn)行熱處理工序來(lái)制造發(fā)熱電阻的情況 下，即使想要通過(guò)進(jìn)行脈沖通電來(lái)進(jìn)行調(diào)整，由于脈沖通電幾乎不會(huì)使 電阻值發(fā)生變化，因此不能將電阻值變化為在各點(diǎn)的發(fā)熱電阻處相等而 進(jìn)行有效的調(diào)整。另一方面，如從曲線C21所理解的那樣，對(duì)于不進(jìn)行熱處理工序所 制造出的發(fā)熱電阻而言，通過(guò)進(jìn)行脈沖通電，電阻值發(fā)生了變化。正因 為如此，理解到，能夠通過(guò)對(duì)沒(méi)有進(jìn)行熱處理工序所制造出的各點(diǎn)的發(fā) 熱電阻進(jìn)行脈沖通電來(lái)使電阻值變化，由此來(lái)進(jìn)行調(diào)整以使電阻值相等。 如曲線C22所示，理解到，在調(diào)整后得到了電阻值幾乎沒(méi)有變化并耐久 性良好的發(fā)熱電阻。如上所述，根據(jù)本實(shí)施方式，能夠不迸行以往的熱處理工序而是通 過(guò)進(jìn)行調(diào)整工序從而得到耐久性優(yōu)良、并且降低了各發(fā)熱電阻的電阻值 的偏差的熱敏頭以及安裝了該熱敏頭的打印裝置。另外，在本實(shí)施方式中，示出了將TaSic用作發(fā)熱電阻的例子，但 是對(duì)于使用WsiC、 MoSiC的情況也可以獲得相同的結(jié)果。對(duì)于在以上的實(shí)施方式中所說(shuō)明的結(jié)構(gòu)、配置關(guān)系等，只不過(guò)是為 了達(dá)到能夠理解并實(shí)施本發(fā)明的程度而進(jìn)行的概略性的說(shuō)明。因此，本 發(fā)明并不限于所說(shuō)明的實(shí)施方式，只要不脫離在本發(fā)明保護(hù)的范圍所示 的技術(shù)思想的范圍的情況下，能夠?qū)⒈景l(fā)明變更為各種各樣的形式。本發(fā)明能夠廣泛地用于安裝在辦公用或者民用的各種打印機(jī)設(shè)4上 的熱敏頭的制造方法、熱敏頭和安裝了該熱敏頭的打印裝置。
權(quán)利要求
1.一種熱敏頭的制造方法，所述制造方法用于制造具有發(fā)熱電阻、連接到該發(fā)熱電阻上的電極、和在所述發(fā)熱電阻及所述電極上形成的保護(hù)膜的熱敏頭，所述制造方法的特征在于，所述發(fā)熱電阻的組成成分中含有Si和C，所述熱敏頭的制造方法包含執(zhí)行以下處理的工序在形成所述發(fā)熱電阻后，不進(jìn)行熱處理，而形成所述電極；以及在形成所述保護(hù)膜后進(jìn)行調(diào)整。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的熱敏頭的制造方法，其特征在于，所述發(fā) 熱電阻是TaSiC、 WSiC、 MoSiC中的任意一種。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的熱敏頭的制造方法，其特征在于，在進(jìn)行 所述調(diào)整的工序中，對(duì)所述發(fā)熱電阻進(jìn)行脈沖通電。
4. 根據(jù)權(quán)利要求3所述的熱敏頭的制造方法，其特征在于，在進(jìn)行 所述調(diào)整的工序中，通過(guò)進(jìn)行多次脈沖通電，來(lái)改變各所述發(fā)熱電阻的 電阻值。
5. —種熱敏頭，其特征在于，該熱敏頭是通過(guò)權(quán)利要求1至權(quán)利要 求4中的任一項(xiàng)所述的熱敏頭的制造方法來(lái)制造的。
6. —種打印裝置，其特征在于，該打印裝置利用權(quán)利要求5所述的 熱敏頭。
全文摘要
本發(fā)明提供用于得到耐久性優(yōu)良且電阻值的偏差較小的熱敏頭的熱敏頭的制造方法、熱敏頭和打印裝置。該熱敏頭的制造方法用于制造具有在組成成分中含有Si和C的發(fā)熱電阻(72)的熱敏頭(70)，該制造方法包括執(zhí)行如下處理的工序形成發(fā)熱電阻(72)、不對(duì)形成后的發(fā)熱電阻(72)進(jìn)行熱處理而形成電極(64)、形成保護(hù)膜(58)、以及進(jìn)行調(diào)整。
文檔編號(hào)B41J2/335GK101327690SQ200810110108
公開(kāi)日2008年12月24日 申請(qǐng)日期2008年6月10日 優(yōu)先權(quán)日2007年6月22日
發(fā)明者安藤杉, 小林瑞紀(jì) 申請(qǐng)人:Tdk株式會(huì)社