專利名稱：通孔形成方法、噴墨頭和硅襯底的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及一種通孔形成方法、噴墨頭和硅襯底。
背景技術：
已經(jīng)研究了 一種通過各向同性或各向異性的蝕刻在硅襯底中形成 通孔和將其應用到多種裝置中的技術。該技術也被應用到噴墨頭的供 墨口的形成中。
當形成噴墨頭時，特別是當在一個襯底上布置許多噴墨頭打印元 件時，蝕刻端側上的通孔的邊緣位置有時候與噴墨打印元件和墨孔的 位置不重合。結果，噴墨頭的噴嘴的打印特性會變化，這大大降低了 打印圖像的質(zhì)量。
為了解決該問題，本發(fā)明人提出了 一種通過在硅襯底中形成通孔 處的區(qū)域周圍形成重摻雜的區(qū)域而控制通孔的尺寸的方法(見日本專
利早期y〉開號2004-34533 )。
但是，按照日本專利早期公開號2004-34533中公開的方法，當重 摻雜的區(qū)域很薄時，機械強度就很弱。如圖4中所示，在重摻雜的區(qū) 域和蝕刻停止層之間的應力下會發(fā)生扭曲或裂紋。使重摻雜的區(qū)域變 厚可以抑制扭曲的產(chǎn)生，但是降低了生產(chǎn)率并且增加了成本。
發(fā)明內(nèi)容
進行本發(fā)明來克服常規(guī)的缺點，并且其目標是增加通孔的定位精 確度和增加通孔周圍的機械強度。
按照本發(fā)明的第一方面，提供了一種通孔形成方法，包括以下步
在將于硅襯底的第一表面中形成通孔的區(qū)域周圍形成第一雜質(zhì)區(qū)
域，所述第一雜質(zhì)區(qū)域的雜質(zhì)濃度高于所述硅襯底的雜質(zhì)濃度；
沿所述硅襯底的深度方向在鄰近所述第一雜質(zhì)區(qū)域的位置處形成 第二雜質(zhì)區(qū)域，所述第二雜質(zhì)區(qū)域的雜質(zhì)濃度高于所述第一雜質(zhì)區(qū)域 的雜質(zhì)濃度；
在所述硅襯底的第一表面上形成蝕刻停止層；
在所述硅襯底的與第一表面相對的第二表面上形成蝕刻掩模層， 所述蝕刻掩模層在與待形成的通孔相對應的位置處具有開口；和
蝕刻所述硅襯底直到通過所述開口露出至少所述蝕刻停止層，從 而形成通孑L。
按照本發(fā)明的第二方面，提供了一種噴墨頭，其中，將按照上面 描述的通孔形成方法所形成的通孔形成為供墨口。
按照本發(fā)明的第三方面，提供了一種在其中形成有通孔的硅襯底， 該襯底包4舌
在所述硅襯底中形成通孔的區(qū)域周圍布置的第一雜質(zhì)區(qū)域，所述 第一雜質(zhì)區(qū)域的雜質(zhì)濃度高于所述硅襯底的雜質(zhì)濃度；和
沿所述硅襯底的深度方向布置在鄰近所述第一雜質(zhì)區(qū)域的位置處 的第二雜質(zhì)區(qū)域，所述第二雜質(zhì)區(qū)域的雜質(zhì)濃度高于第一雜質(zhì)區(qū)域的 雜質(zhì)濃度。
按照本發(fā)明的第四方面，提供了一種噴墨頭，其中，該噴墨頭在 上面描述的硅村底上形成。
本發(fā)明的更多的特征參照附圖通過下面的示例性的實施例的描述 將變得清楚。
圖1A-1G是用于解釋按照本發(fā)明的第一優(yōu)選實施例的通孔形成 方法的剖視圖2A-2D是用于解釋按照本發(fā)明的第二優(yōu)選實施例的通孔形成方 法的剖視圖3A-3H是示出按照本發(fā)明的第三優(yōu)選實施例的噴墨頭的供墨
口的形成的應用實例的剖視圖；和
圖4是用于解釋常規(guī)的通孔形成方法的剖視圖。
具體實施例方式
下面將參照附圖對本發(fā)明的優(yōu)選實施例進行詳細的描述。在下面 的描述中提出的各個部分的結構、布置、尺寸、雜質(zhì)類型等不應理解 為將本發(fā)明的范圍僅僅限制為它們，除非明確說明。 (第一實施例)
圖1A-1G是用于解釋按照本發(fā)明的第一優(yōu)選實施例的通孔形成 方法的剖視圖。
在圖1A所示的步驟中，制備具有<100>晶面的硅襯底101。同樣 在該步驟中，雜質(zhì)濃度高于硅襯底101的第一雜質(zhì)區(qū)域102a在以下區(qū) 域周圍形成，在該區(qū)域中通孔入口將形成在珪襯底101的第一表面中。 第一雜質(zhì)區(qū)域102a可通過例如借助已知的光刻術形成圖案和采用該 圖案作為掩模通過離子注入技術將雜質(zhì)摻雜入硅襯底101中而形成。
在圖1B所示的步驟中，雜質(zhì)濃度高于在圖1A所示的步驟中形成 的第一雜質(zhì)區(qū)域102a的第二雜質(zhì)區(qū)域102b在將形成通孔入口的區(qū)域 周圍形成。第二雜質(zhì)區(qū)域102b沿硅襯底101的深度方向在鄰近第一雜 質(zhì)區(qū)域102a的位置處形成。
在圖1C所示的步驟中，蝕刻停止層103在圖1B所示步驟中形成 的第二雜質(zhì)區(qū)域102b (在第一表面上)上形成。
在圖1D所示的步驟中，蝕刻掩模層104在與笫一表面相對的硅 襯底101的第二表面上形成，其中在第一表面上將形成通孔的入口 。 蝕刻掩模層104的開口與將形成通孔出口的區(qū)域相對應。
在圖1E所示的步驟中，硅襯底101被浸入例如強堿性溶液的蝕 刻溶液中以采用蝕刻掩模層104作為掩模執(zhí)行各向異性的蝕刻，從而 形成通孔。蝕刻掩模層104的開口布置成使得直到蝕刻停止層103被 暴露后，被蝕刻的通孔被第一和第二雜質(zhì)區(qū)域102a和102b包圍。
在圖1F所示的步驟中，過蝕刻(over-etching)被完成。然后，
通孔通過側蝕刻被加寬，并到達第一和第二雜質(zhì)區(qū)域102a和102b。 在通孔的側蝕刻到達第一和第二雜質(zhì)區(qū)域102a和102b之后，側蝕刻 速度根據(jù)雜質(zhì)濃度而降低。更具體地，側蝕刻速度降低到大約1/2-1/10。 假設在貫穿硅襯底101之后，通孔的尺寸由于硅襯底101的厚度變化、 晶體缺陷等而變化。即使在該情況下，在進行過蝕刻以將通孔加寬到 第一和第二雜質(zhì)區(qū)域102a和102b之后，側蝕刻速度也大大降低。這 使得所獲得通孔的尺寸幾乎不變，如圖IF所示。
在圖1G所示的步驟中，從硅襯底101 (在硅襯底101中，以上面 描述的方法控制通孔的尺寸)適當?shù)匾瞥g刻停止層103和蝕刻掩模 層104，以完成通孔。
第一和第二雜質(zhì)區(qū)域102a和102b之間的蝕刻速度是不同的。由 于該原因，第一和第二雜質(zhì)區(qū)域102a和102b的厚度取決于雜質(zhì)濃度 和蝕刻時間而相互不同。這將參照圖IE和1F進行解釋。
如圖1E和1F所示，第一和第二雜質(zhì)區(qū)域102a和102b在珪襯底 101的深度方向上的位置是不同的。更具體地，第二雜質(zhì)區(qū)域102b比 第一雜質(zhì)區(qū)域102a更靠近硅襯底101的表面放置。第一雜質(zhì)區(qū)域10^ 的雜質(zhì)濃度高于硅襯底101的雜質(zhì)濃度，第二雜質(zhì)區(qū)域102b的雜質(zhì)濃 度高于第一雜質(zhì)區(qū)域102a的雜質(zhì)濃度。由于該原因，在圖IE和IF 所示的步驟中，硅襯底IOI的蝕刻速度最高，第一雜質(zhì)區(qū)域10h的第 二高，第二雜質(zhì)區(qū)域102b的最低。如果通孔被過蝕刻，第一雜質(zhì)區(qū)域 102a蝕刻得比硅襯底101少并且被保留。第一雜質(zhì)區(qū)域102a朝向通 孔的出口變得更厚。第二雜質(zhì)區(qū)域102b幾乎不被蝕刻并且被保留。對 于形成的通孔，第一雜質(zhì)區(qū)域102a增加了第二雜質(zhì)區(qū)域102b的強度， 通孔從入口到出口的形狀幾乎可以變得光滑。按照第一實施例，第一 雜質(zhì)區(qū)域102a的雜質(zhì)濃度低于第二雜質(zhì)區(qū)域102b的雜質(zhì)濃度，所以 通孔可以通過熱擴散或離子注入容易地形成。這樣，通孔形成方法可 以高生產(chǎn)率和低成本進行。
即使僅僅將重摻雜的區(qū)域布置在硅襯底中的常規(guī)的方法也可以通 過使重摻雜的區(qū)域變厚來增加通孔的機械強度。但是，為了使重摻雜
的區(qū)域變厚，高濃度的雜質(zhì)必須熱擴散很長時間，這增加了步驟的數(shù) 量并延長了加工時間。由于硅襯底和雜質(zhì)區(qū)域之間的蝕刻速度差很大， 因此通孔從入口到出口的形狀不會變得光滑，并且可能產(chǎn)生臺階。
第一雜質(zhì)區(qū)域102a的雜質(zhì)濃度優(yōu)選地為lxl(Tcm-3或更高，更優(yōu) 選地為lxl0'9cm-3或更高。如果雜質(zhì)濃度變成7xl0'9cm-3或更高，第 一雜質(zhì)區(qū)域102a的蝕刻速度降低到通常的硅襯底的蝕刻速度的大約 1/100。第一實施例甚至在lxl0'8cm^或更高的雜質(zhì)濃度下也可以具有 效果，因為將第一雜質(zhì)區(qū)域102a的側蝕刻速度設置為稍微地低于硅襯 底的側蝕刻速度就足夠了 。
為了將第二雜質(zhì)區(qū)域102b的蝕刻速度設置為比通常的硅襯底的 蝕刻速度低得多，第二雜質(zhì)區(qū)域102b的雜質(zhì)濃度優(yōu)選地為lxl0'9cm_3 或更高，更優(yōu)選地為7xl0'9cm-3或更高。
硅村底101的濃度未被具體地限制，但是優(yōu)選地為大約 lxl013cm 3至'J lxl016cm 3。
第一和第二雜質(zhì)區(qū)域102a和102b優(yōu)選地為大約l-20nm寬， 0.2-3nm深，但是這些數(shù)值可以根據(jù)通孔的用途適當?shù)馗淖儭?br>
第一和第二雜質(zhì)區(qū)域102a和102b的雜質(zhì)的實例是硼、磷、砷和 銻。在這些雜質(zhì)中，硼是令人滿意的，因為其蝕刻速度在低雜質(zhì)濃度 下會相對于例如KOH的堿性化學溶液會變化。為了改進蝕刻速度的 可控性，第一和第二雜質(zhì)區(qū)域102a和102b的雜質(zhì)為相同的種類是令 人滿意的。
當形成通常的半導體器件時，第一和第二雜質(zhì)區(qū)域102a和102b 也可以同時在雜質(zhì)擴散層形成步驟中形成。
為了通過低能量離子注入更容易地形成通孔，第二雜質(zhì)區(qū)域102b 優(yōu)選地比第一雜質(zhì)區(qū)域102a更靠近硅襯底101的第一表面(在通孔的 入口側)。該布置通過在襯底表面上的各向異性的蝕刻抑制了側蝕刻的 過程并增加了加工精度。但是，只要第一雜質(zhì)區(qū)域102a的至少一部分 沿硅襯底101的深度方向布置在與第二雜質(zhì)區(qū)域102b不同的位置，第 二雜質(zhì)區(qū)域102b就可以被加強。因此，第一和第二雜質(zhì)區(qū)域102a和
102b之間沿硅襯底101的深度方向的位置關系并不限于圖1A-1G所 示的布置。
即使第二雜質(zhì)區(qū)域102b接觸蝕刻溶液，蝕刻也幾乎不進行。但是， 當?shù)诙s質(zhì)區(qū)域102b接觸蝕刻溶液時，第二雜質(zhì)區(qū)域102b的表面大 大地粗糙化并可能產(chǎn)生灰塵。為了防止這個問題，至少部分第一雜質(zhì) 區(qū)域102a優(yōu)選地比第二雜質(zhì)區(qū)域102b更靠近通孔形成的區(qū)域布置。 在這種情況下，第一雜質(zhì)區(qū)域102a首先通過各向異性的蝕刻被蝕刻。 第二雜質(zhì)區(qū)域102b接觸蝕刻溶液的時間變短，抑制了第二雜質(zhì)區(qū)域 102b的表面變粗糙。但是，第一雜質(zhì)區(qū)域102a與珪襯底101的表面 平行的位置并不僅僅限于圖1A-1G所示的布置。
當界面狀態(tài)在蝕刻停止層103和硅襯底101之間的界面處形成， 并且損壞層通過加工等形成時，各向異性的蝕刻中的側蝕刻迅速地進 行。在這種情況下，即使第一和第二雜質(zhì)區(qū)域102a和102b被形成， 也可能未荻得足夠的效果。這樣，熱氧化膜優(yōu)選地在蝕刻停止層103 與第一和第二雜質(zhì)區(qū)域102a和102b之間的界面處形成，因為它抑制 側蝕刻。當側蝕刻需要被抑制的至少部分第二雜質(zhì)區(qū)域102b與熱氧化 膜接觸時，這是更有效果的。
蝕刻停止層103足以相對于蝕刻溶液具有低的蝕刻速度并且相對 于硅襯底具有高的選擇性。作為蝕刻停止層103,例如氮化硅膜和鉭 的多種材料是可選擇的。特別地，等離子體CVD氧化膜通常甚至被 用在LSI制造過程中，并且當通孔、用在LSI中的元件和類似的元件 同時形成時是有效果的。
按照第 一 實施例的通孔形成方法優(yōu)選適用于具有供墨口的噴墨頭。
(第二實施例)
圖2A-2D是用于解釋按照本發(fā)明的第二優(yōu)選實施例的通孔形成方 法的剖視圖。按照第二實施例的通孔形成方法是對按照第 一實施例的 通孔形成方法的局部修改。更具體地，在第一實施例中，第二雜質(zhì)區(qū) 域102b被埋入部分第一雜質(zhì)區(qū)域102a中。在第二實施例中，第一雜
質(zhì)區(qū)域202a未埋有第二雜質(zhì)區(qū)域202b。其余布置與第一實施例的相 同。在圖2A-2D中，與圖1A-1C相對應的步驟被省略，步驟從與圖 1D相對應的圖2A所示的步驟開始。
在圖2A所示的步驟中，4nm寬、lnm深和0.8nm厚的第一雜質(zhì) 區(qū)域202a以lOljim的內(nèi)徑在具有<100>晶面(厚度625jim )的硅襯 底201中形成。3jim寬和0.2nm厚的第二雜質(zhì)區(qū)域202b以lOOpm的 內(nèi)徑在比第一雜質(zhì)區(qū)域202a更靠近襯底表面的位置形成。作為蝕刻停 止層203， LP-SiN膜形成為2S00二。蝕刻停止層203布置在第二雜質(zhì) 區(qū)域202b上，第二雜質(zhì)區(qū)域202b布置在比第一雜質(zhì)區(qū)域202a更向 里并且更靠近襯底的第一表面(在通孔的入口側)的位置。硼(B) 作為雜質(zhì)在第一雜質(zhì)區(qū)域202a中以lxl0'8cm-3的濃度擴散。同時，硼 (B)作為雜質(zhì)在第二雜質(zhì)區(qū)域202b中以lxl(Tcm-3的濃度擴散。用 于各向異性的蝕刻的掩模204(例如SiO,且4000二 )布置在硅襯底201
的第二表面(在通孔的出口側)上。
在圖2B所示步驟中，硅襯底201被各向異性地蝕刻。例如，整 個硅襯底201被浸入22%的TMAH水溶液中，并在83。C的溫度下4皮 各向異性地蝕刻1000分鐘。在這些條件下的蝕刻速度為約39-40nm/h。 村底表面優(yōu)選地用夾具保護，以便防止TMAH水溶液進入襯底。各 向異性的蝕刻形成貫穿硅襯底201并具有80-95nm形成寬度的通孔。
在圖2C所示的步驟中，各向異性的蝕刻再次被執(zhí)行，以便進一 步過蝕刻硅襯底201。例如，當各向異性的蝕刻被進行30分鐘時，通 孔 一 側的側蝕刻速度是大約5 jim/h 。在過蝕刻中的側蝕刻使通孔變寬。 在通孔的入口附近，第二雜質(zhì)區(qū)域202b停止蝕刻。通孔的寬度變成 100-101,。
在圖2D所示的步驟中，蝕刻停止層203和蝕刻掩模層204被適 當?shù)匾瞥?，以完成通孔?br>
注意，第二實施例采用TMAH作為硅襯底蝕刻溶液，但是本發(fā) 明并不限于此，而可以采用KOH等。
如上面描述的，在第二實施例中，第一雜質(zhì)區(qū)域比在第一實施例
中更深地布置在襯底中。在該布置中，第一雜質(zhì)區(qū)域可以增加第二雜 質(zhì)區(qū)域的機械強度，并且通孔從入口到出口的形狀可以更平滑。 (第三實施例)
圖3A-3H是示出將按照第一或第二實施例的通孔形成方法應用 到作為本發(fā)明第三優(yōu)選實施例的噴墨頭的供墨口的形成中的實例的剖 視圖。如圖3A-3H所示，多個電熱變換器和多個用于將電流供應到電 熱變換器的切換元件通常被集成到按照第三實施例的噴墨頭襯底上。
在圖3A所示的步驟中，具有<100>晶面的p-型硅襯底301(例如， 厚度625jim)被制備。n-型雜質(zhì)被選擇性地摻雜以在p-型珪襯底301 的表面中形成n-型井區(qū)域302。 n-型井區(qū)域302也可以在p-型硅村底 301的整個表面中形成。當在p-型硅襯底301的整個表面中形成n-型 井區(qū)域302時，n-型井區(qū)域302可以通過外延生長形成。
在圖3B所示的步驟中，大約50nm厚的柵極氧化膜(柵極絕緣膜) 303被形成，并且多晶硅在柵極氧化膜303上沉積大約300nm的厚度。 例如，磷被摻雜到多晶硅中以便具有所期望的配線電阻值。然后，在 該步驟中，通過已知的光刻術形成圖案，并且多晶硅被蝕刻，形成 MIS型場效應晶體管的柵極電極304 。
在圖3C所示的步驟中，通過已知的光刻術形成圖案，從光刻膠 形成離子注入掩模(未示出)。在該步驟中，柵極電極304也被用作離 子注入掩模，并且p-型雜質(zhì)(例如，硼)的離子被選擇性地注入。然 后，在該步驟中，例如，退火在1100。C下^f皮執(zhí)行60分鐘，形成雜質(zhì) 區(qū)域305和在將形成通孔的區(qū)域周圍的第一雜質(zhì)區(qū)域305a。也在該步 驟中，退火在p-型雜質(zhì)的離子注入之前和之后完成，以形成用于在硅 襯底301的第二表面(出口側)上各向異性蝕刻的掩模312 (例如， SiO,且4000二)。雜質(zhì)區(qū)域305是約2.2jim深的基區(qū)，在該區(qū)域中元 件、配線等是電絕緣的?；鶇^(qū)的濃度在最上面的表面上優(yōu)選地落在大 約lxlO'cm -lxlOl9cm范圍內(nèi)。
在圖3D所示的步驟中，例如砷離子采用柵極電極304和光刻膠 作為掩模被注入，以形成NSD區(qū)域306。也在該步驟中，例如，硼離
子采用柵極電極304和光刻膠作為掩模被注入，以形成PSD區(qū)域306a 和將形成通孔入口的區(qū)域周圍的第二雜質(zhì)區(qū)域306b。然后，在該步驟 中，例如，退火在950。C下被執(zhí)行30分鐘，使NSD區(qū)域306、 PSD 區(qū)域306a和雜質(zhì)區(qū)域306b活化。
在圖3E所示的步驟中，例如，氧化膜通過等離子體CVD沉積， 以形成層間絕緣膜307。層間絕緣膜307也起到蝕刻停止層的作用。 在該步驟中，接觸孔308被形成，并且導體被沉積和形成圖案，以形 成配線。在配線形成中，多層配線如所需要地被形成。在該步驟中， 電熱變換器309通過已知的薄膜形成方法在p-型硅襯底301上形成。 作為電熱變換器309，例如TaSiN是可以利用的。
在圖3F所示的步驟中，用作墨通道的模具的正抗蝕層310通過 在p-型硅襯底301上形成圖案而形成。在該步驟中，負抗蝕層311被 施加到墨通道上，墨孔313通過形成圖案而形成。
在圖3G所示的步驟中，整個襯底被浸入22%的TMAH水溶液中， 并且在83。C下被各向異性地蝕刻990分鐘。襯底表面優(yōu)選地用夾具保 護，以便防止TMAH水溶液進入襯底。圖3G示出在各向異性的蝕刻 結束時的襯底的剖面形狀。
在圖3H所示的步驟中，當襯底表面被保護時，起到蝕刻停止層 作用的層間絕緣膜307從硅襯底301的第二表面(出口側)用例如HF 蝕刻。結果，通孔在硅襯底301中完成。然后，在該步驟中，起到墨 通道的模具作用的正抗蝕層310被移除。掩模312被適當?shù)匾瞥?，?完成噴墨頭。
每個具有上面提到的噴墨頭的芯片在顯微鏡下被檢查通孔周圍的
硅的裂紋和異常，以便確定沒有產(chǎn)生缺陷。通孔的寬度被測量，以便 確定其落在102-106fim的范圍內(nèi)并且通孔以高精度形成。
雖然本發(fā)明參照示例性的實施例進行了描述，但是應當理解的是， 本發(fā)明并不限于所公開的示例性實施例。下面的權利要求書的范圍與 最寬的解釋一致，以便包括所有這樣的修改和等同的結構和功能。
權利要求
1. 一種通孔形成方法，包括以下步驟在將于硅襯底的第一表面中形成通孔的區(qū)域周圍形成第一雜質(zhì)區(qū)域，所述第一雜質(zhì)區(qū)域的雜質(zhì)濃度高于所述硅襯底的雜質(zhì)濃度；沿所述硅襯底的深度方向在鄰近所述第一雜質(zhì)區(qū)域的位置處形成第二雜質(zhì)區(qū)域，所述第二雜質(zhì)區(qū)域的雜質(zhì)濃度高于所述第一雜質(zhì)區(qū)域的雜質(zhì)濃度；在所述硅襯底的第一表面上形成蝕刻停止層；在所述硅襯底的與第一表面相對的第二表面上形成蝕刻掩模層，所述蝕刻掩模層在與待形成的通孔相對應的位置處具有開口；和蝕刻所述硅襯底直到通過所述開口露出至少所述蝕刻停止層，從而形成通孔。
2. 如權利要求1所述的方法，還包括在蝕刻步驟之后移除所述蝕 刻停止層的步驟。
3. 如權利要求l所述的方法，其中，所述第二雜質(zhì)區(qū)域比所述第 一雜質(zhì)區(qū)域更靠近所述硅襯底的第一表面布置。
4. 如權利要求3所述的方法，其中，至少部分所述第一雜質(zhì)區(qū)域 比所述第二雜質(zhì)區(qū)域更靠近所述通孔布置。
5. 如權利要求l所述的方法，其中，至少部分所述第二雜質(zhì)區(qū)域 與熱氧化膜接觸。
6. —種噴墨頭，其中，按照權利要求1中所述的通孔形成方法所 形成的通孔形成為供墨口。
7. —種硅襯底，在所述硅襯底中形成有通孔，所述襯底包括 在所述硅襯底中形成通孔的區(qū)域周圍布置的第一雜質(zhì)區(qū)域，所述第一雜質(zhì)區(qū)域的雜質(zhì)濃度高于所述硅襯底的雜質(zhì)濃度；和沿所述硅襯底的深度方向布置在鄰近所述第一雜質(zhì)區(qū)域的位置處 的第二雜質(zhì)區(qū)域，所述第二雜質(zhì)區(qū)域的雜質(zhì)濃度高于第一雜質(zhì)區(qū)域的 雜質(zhì)濃度。
8. —種噴墨頭，其中，所述噴墨頭在如權利要求7所述的硅襯底 上形成。
全文摘要
提供了一種通孔形成方法、噴墨頭和硅襯底。該方法包括如下步驟在將于硅襯底(101)的第一表面中形成通孔的區(qū)域周圍形成第一雜質(zhì)區(qū)域(102a)，第一雜質(zhì)區(qū)域(102)的雜質(zhì)濃度高于硅襯底(101)；沿硅襯底(101)的深度方向在鄰近第一雜質(zhì)區(qū)域(102a)的位置形成第二雜質(zhì)區(qū)域(102b)，第二雜質(zhì)區(qū)域(102b)的雜質(zhì)濃度高于第一雜質(zhì)區(qū)域(102a)；在第一表面上形成蝕刻停止層(103)；在與第一表面相對的硅襯底(101)的第二表面上形成具有開口的蝕刻掩模層(104)；和蝕刻硅襯底(101)直到通過開口露出至少蝕刻停止層(103)。
文檔編號B41J2/16GK101386228SQ2008101491
公開日2009年3月18日 申請日期2008年9月12日 優(yōu)先權日2007年9月13日
發(fā)明者佐佐木圭一, 早川幸宏 申請人:佳能株式會社