專利名稱：加熱元件的制作方法
加熱元件
背景技術(shù)：
墨盒包括集成在該墨盒內(nèi)的打印頭，或者替代性地，包括與打印頭分開的墨液供 應部。因此，在后一示例中，消費者通常僅更換墨液供應部，而重復使用打印頭。然而，在某些情況中，集成在墨盒內(nèi)的打印頭在墨液供應部被耗盡之前便失效，因 而強迫消費者更換僅被部分使用的墨盒。在其它情形中，使用工業(yè)類型打印頭的商用打印 機在打印頭失效時可能不得不停工。該停工會導致喪失來自被暫停的生產(chǎn)的收入，并且增 加了用于失效打印頭的專業(yè)更換的維護費用。在這兩種情況中，都會發(fā)生影響較大的中斷。


圖1是根據(jù)本公開一個實施例示出了噴墨打印系統(tǒng)的框圖。圖2是根據(jù)本公開一個實施例示出了流體噴射裝置的一部分的示意性剖視圖。圖3是根據(jù)本公開一個實施例的、流體噴射裝置中部分形成的加熱區(qū)域的俯視 圖。圖4是沿圖3中的線4-4剖取的剖視圖，其根據(jù)本公開的一個實施例示出了一種 形成流體噴射裝置中的加熱區(qū)域的方法。圖5是根據(jù)本公開一個實施例的、流體噴射裝置中部分形成的加熱區(qū)域的俯視 圖。圖6是沿圖5中的線6-6剖取的剖視圖，其根據(jù)本公開的一個實施例示出了一種 形成流體噴射裝置中的加熱區(qū)域的方法。圖7是根據(jù)本公開一個實施例的、流體噴射裝置中部分形成的加熱區(qū)域的俯視 圖。圖8是沿圖7中的線8-8剖取的剖視圖，其根據(jù)本公開的一個實施例示出了一種 形成流體噴射裝置中的加熱區(qū)域的方法。圖9是根據(jù)本公開一個實施例的、圖8的放大的局部剖視圖。圖10是一個剖視圖，其根據(jù)本公開的一個實施例示出了流體噴射裝置中部分形 成的加熱區(qū)域以及一種形成該加熱區(qū)域的方法。圖11是根據(jù)本公開一個實施例的、圖10實施例的放大的局部剖視圖。圖12是根據(jù)本公開的一個實施例示出了流體噴射裝置中部分形成的加熱區(qū)域的 俯視圖，其圖解說明了一種形成該加熱區(qū)域的方法。圖13是沿圖12中的線13-13剖取的剖視圖，其根據(jù)本公開的一個實施例示出了 一種形成流體噴射裝置中的加熱區(qū)域的方法。圖14是沿圖13中的線14-14剖取的剖視圖，其根據(jù)本公開的一個實施例示出了 一種形成流體噴射裝置中的加熱區(qū)域的方法。圖15的剖視圖大致對應于圖13的剖視圖，其根據(jù)本公開的一個實施例示出了一 種形成流體噴射裝置中的加熱區(qū)域的方法。圖16的剖視圖大致對應于圖14的剖視圖，其根據(jù)本公開的一個實施例示出了一種形成流體噴射裝置中的加熱區(qū)域的方法。圖17是根據(jù)本公開的一個實施例示出了流體噴射裝置中部分形成的加熱區(qū)域的 俯視圖。圖18是沿圖17中的線18-18剖取的剖視圖，其根據(jù)本公開的一個實施例示出了 流體噴射裝置中部分形成的加熱區(qū)域以及一種形成該加熱區(qū)域的方法。圖19是一個剖視圖，其根據(jù)本公開的一個實施例示出了流體噴射裝置中部分形 成的加熱區(qū)域以及一種形成該加熱區(qū)域的方法。圖20是一個剖視圖，其根據(jù)本公開的一個實施例示出了部分形成的加熱區(qū)域以 及一種形成該加熱區(qū)域的方法。圖21是一個俯視圖，其根據(jù)本公開的一個實施例示出了流體噴射裝置中部分形 成的加熱區(qū)域以及一種形成該加熱區(qū)域的方法。圖22是沿圖21中的線22-22剖取的剖視圖，其根據(jù)本公開的一個實施例示出了 部分形成的加熱區(qū)域以及一種形成該加熱區(qū)域的方法。圖23是一個俯視圖，其根據(jù)本公開的一個實施例示出了流體噴射裝置中部分形 成的加熱區(qū)域以及一種形成該加熱區(qū)域的方法。圖24是一個俯視圖，其根據(jù)本公開的一個實施例示出了流體噴射裝置中部分形 成的加熱區(qū)域以及一種形成該加熱區(qū)域的方法。圖25是一個剖視圖，其根據(jù)本公開的一個實施例示出了流體噴射裝置中部分形 成的加熱區(qū)域。圖26是一個剖視圖，其根據(jù)本公開的一個實施例示出了一種形成流體噴射裝置 中的加熱區(qū)域的方法。圖27是一個剖視圖，其根據(jù)本公開的一個實施例示出了一種形成流體噴射裝置 中的加熱區(qū)域的方法。圖28是一個剖視圖，其根據(jù)本公開的一個實施例示出了一種形成流體噴射裝置 中的加熱區(qū)域的方法。圖29是根據(jù)本公開的一個實施例進一步示出了圖28實施例的剖視圖。圖30是一個俯視圖，其根據(jù)本公開的一個實施例示出了流體噴射裝置中部分形 成的加熱區(qū)域以及一種形成該加熱區(qū)域的方法。圖31是沿圖30中的線31-31剖取的剖視圖，其根據(jù)本公開的一個實施例示出了 一種形成流體噴射裝置中的加熱區(qū)域的方法。圖32是沿圖30中的線32-32剖取的剖視圖，其根據(jù)本公開的一個實施例示出了 一種形成流體噴射裝置中的加熱區(qū)域的方法。圖33是根據(jù)本公開一個實施例的打印頭加熱元件的電阻帶的俯視圖。圖34是根據(jù)本公開一個實施例的打印頭加熱元件的電阻帶的俯視圖。
具體實施例方式在以下的詳細描述中將會參考形成本申請文件一部分的附圖，在附圖中通過圖示 方式示出了本公開可以被加以實施的具體實施例。在這點上，參考了附圖中所描述的方位 來使用方向術(shù)語，例如，“頂部”、“底部”、“正面”、“背部”、“前面的”、“后面的”，等等。因為能
5夠以許多不同的方位來定位本公開的實施例的部件，所以方向術(shù)語僅僅用作說明目的，而 絕不是作為限制。應該理解的是，在不背離本公開范圍的情況下，可以利用其它的實施例， 并且可以實現(xiàn)結(jié)構(gòu)或邏輯的改變。因此，不應從限制的意義上來理解以下的詳細描述，本公 開的范圍由所附權(quán)利要求限定。本公開的實施例涉及流體噴射裝置(例如，噴墨打印頭)的加熱區(qū)域，以及形成 該加熱區(qū)域的方法。在一個實施例中，加熱區(qū)域的中央電阻盤形成為具有低輪廓的側(cè)壁和 /或低輪廓的端部，以便確保覆于該中央電阻盤上的上層(例如，鈍化層和氣穴阻擋層)形 成比打印頭電阻部分的常規(guī)形貌明顯低的輪廓形貌。該中央電阻盤的低輪廓形貌又促使 相應的上層(例如，鈍化層和/或氣穴阻擋層)的形成更加均勻，從而具有更大的強度和完 整性，以便用于抵抗腐蝕性墨液的滲透或者用于抵抗氣穴的危害，由此增加了打印頭和中 央電阻盤的壽命。在一個實施例中，形成加熱區(qū)域的方法包括，形成該加熱區(qū)域的導電元件 (其圍繞在中央電阻盤的端部周圍)，使得該導電元件相對更陡或者更厚的部分位于該加 熱區(qū)域的流體腔室的側(cè)壁之外。該布置有利于將低輪廓形貌的中央電阻盤定位在流體腔室 內(nèi)，并由此將低輪廓形貌的上層定位在該流體腔室內(nèi)。在另一個實施例中，形成加熱區(qū)域的方法包括，形成該加熱區(qū)域的非導電側(cè)區(qū) (其圍繞在中央電阻盤周圍)，使得該中央電阻盤的側(cè)壁相對于該非導電側(cè)區(qū)具有相對較 小的高度或厚度。該布置也有利于將加熱區(qū)域的低輪廓形貌的上層形成在流體腔室內(nèi)。將聯(lián)系圖1 圖34對這些實施例和另外的實施例進行更加詳細地描述。圖1根據(jù)本公開的一個實施例，示出了噴墨打印系統(tǒng)10。噴墨打印系統(tǒng)10包括了 一個流體噴射系統(tǒng)的實施例，該流體噴射系統(tǒng)包括流體噴射組件(例如，噴墨打印頭組件 12)和流體供應組件(例如，墨液供應組件14)。在所示實施例中，噴墨打印系統(tǒng)10還包括 安裝組件16、介質(zhì)傳送組件18、以及電子控制器20。作為流體噴射組件的一個實施例，噴墨 打印頭組件12根據(jù)本公開的一個實施例形成，并且包括有一個或多個通過多個孔口或噴 嘴13噴射墨滴或流體滴的打印頭或流體噴射裝置。在一個實施例中，這些墨滴或流體滴被 引向介質(zhì)(例如，打印介質(zhì)19)，從而打印在打印介質(zhì)19上。打印介質(zhì)19是任意合適類型 的片狀材料，例如，紙、制卡片的原料、幻燈片、聚酯薄膜等等。通常，噴嘴13布置成一個或 多個列或陣列，使得在一個實施例中，隨著噴墨打印頭組件12與打印介質(zhì)19相對于彼此的 運動，墨液從噴嘴13的正確順序的噴射會導致字符、符號、和/或其它圖表或圖像被打印在 打印介質(zhì)19上。作為流體供應組件的一個實施例，墨液供應組件14將墨液供應給打印頭組件12， 并且還包括有用于存儲墨液的容器15。這樣，在一個實施例中，墨液從容器15流到噴墨打 印頭組件12。在該實施例中，墨液供應組件14和噴墨打印頭組件12能夠形成單向的墨液 輸送系統(tǒng)，或者形成再循環(huán)的墨液輸送系統(tǒng)。在單向的墨液輸送系統(tǒng)中，基本上所有供應給 噴墨打印頭組件12的墨液在打印期間都被消耗掉。然而，在再循環(huán)的墨液輸送系統(tǒng)中，供 應給噴墨打印頭組件12的墨液的一部分在打印期間被消耗掉。這樣，在打印期間沒有消耗 掉的那部分墨液又返回到墨液供應組件14。在一個實施例中，使噴墨打印頭組件12和墨液供應組件14被一起容納于噴墨盒 (或噴墨筆)或者流體噴射盒(或流體噴射筆)內(nèi)。在另一個實施例中，墨液供應組件14 與噴墨打印頭組件12分開，并且通過接口連接(例如，供應管(未示出))將墨液供應給噴墨打印頭組件12。在這兩個實施例中，墨液供應組件14的容器15可以被移除、替換、和/ 或重新裝填。在使噴墨打印頭組件12和墨液供應組件14 一起容納于噴墨盒內(nèi)的實施例中， 容器15包括位于該盒內(nèi)的本地容器和/或與該盒分開的更大的容器。這樣，該分開的且更 大的容器用于重新裝填本地容器。因此，分開的且更大的容器和/或本地容器可以被移除、 替換、和/或重新裝填。安裝組件16相對于介質(zhì)傳送組件18來定位噴墨打印頭組件12，介質(zhì)傳送組件18 相對于噴墨打印頭組件12來定位打印介質(zhì)19。因而，打印域17被限定成相鄰于噴嘴13且 處于噴墨打印頭組件12和打印介質(zhì)19之間的區(qū)內(nèi)。在一個實施例中，噴墨打印頭組件12 是掃描型打印頭組件。這樣，安裝組件16包括使噴墨打印頭組件12相對于介質(zhì)傳送組件 18運動以便掃描打印介質(zhì)19的托架。在另一個實施例中，噴墨打印頭組件12是非掃描型 打印頭組件。這樣，安裝組件16將噴墨打印頭組件12相對于介質(zhì)傳送組件18固定于預定 位置處。因而，介質(zhì)傳送組件18相對于噴墨打印頭組件12定位打印介質(zhì)19。電子控制器20與噴墨打印頭組件12、安裝組件16、以及介質(zhì)傳送組件18通信。電 子控制器20接收來自主機系統(tǒng)(例如，計算機)的數(shù)據(jù)21，并且包括有用于暫時存儲數(shù)據(jù) 21的存儲器。通常，數(shù)據(jù)21沿電子路徑、紅外路徑、光路徑、或其它信息傳輸路徑被送給噴 墨打印系統(tǒng)10。例如，數(shù)據(jù)21表示了將要打印的文獻和/或文件。這樣，數(shù)據(jù)21形成噴墨 打印系統(tǒng)10的打印作業(yè)，并且包括有一個或多個打印作業(yè)命令和/或命令參數(shù)。在一個實施例中，電子控制器20提供了對噴墨打印頭組件12的控制，該控制包括 用于墨滴從噴嘴13的噴射的定時控制。這樣，電子控制器20限定了所噴射的墨滴的圖案， 該圖案形成了打印介質(zhì)19上的字符、符號、和/或其它圖表或圖像。定時控制由打印作業(yè) 命令和/或命令參數(shù)確定，由此所噴射的墨滴的圖案也由打印作業(yè)命令和/或命令參數(shù)確 定。在一個實施例中，形成電子控制器20—部分的邏輯電路和驅(qū)動電路位于噴墨打印頭組 件12上。在另一個實施例中，邏輯電路和驅(qū)動電路沒有位于噴墨打印頭組件12上。圖2示出了噴墨打印頭組件12的一部分的一個實施例。作為流體噴射組件的一 個實施例，噴墨打印頭組件12包括液滴噴射元件30的陣列。液滴噴射元件30形成在襯底 40上，襯底40在其內(nèi)部具有流體(或墨液)進料槽44。這樣，流體進料槽44給液滴噴射 元件30提供了流體(或墨液)供應。在一個實施例中，每個液滴噴射元件30都包括薄膜結(jié)構(gòu)32、孔口層34、腔室層41、 以及噴流電阻38。薄膜結(jié)構(gòu)32具有形成在其內(nèi)部的流體(或墨液)進料通道33，流體(或 墨液)進料通道33與襯底40的流體進料槽44連通?？卓趯?4具有正面35，噴嘴開口 36 形成在正面35內(nèi)。腔室層41還具有形成在其內(nèi)部的流體腔室37，流體腔室37與噴嘴開口 36以及薄膜結(jié)構(gòu)32的流體進料通道33兩者連通。噴流電阻38定位在流體腔室37內(nèi)，并 且包括將噴流電阻38電耦接至驅(qū)動信號和地的引線39。在一個實施例中，在操作期間，流體經(jīng)由流體進料通道33從流體進料槽44流到流 體腔室37。噴嘴開口 36與噴流電阻38可操作地聯(lián)系，使得當噴流電阻38通電時，流體滴 從流體腔室37通過噴嘴開口 36 (例如，垂直于噴流電阻38的平面)被噴向介質(zhì)。噴墨打印頭組件12的示例性實施例包括熱感式打印頭、壓電式打印頭、彎曲伸張 式(flex-tensional)打印頭、或本領域中公知的任意其它類型的流體噴射裝置。在一個實 施例中，噴墨打印頭組件12是完全集成的熱感式打印頭。這樣，襯底40由例如硅、玻璃、或穩(wěn)定的聚合物形成，薄膜結(jié)構(gòu)32由一個或多個由二氧化硅、碳化硅、氮化硅、鉭、多晶硅玻 璃、或其它合適材料構(gòu)成的鈍化層或絕緣層形成。薄膜結(jié)構(gòu)32還包括限定了噴流電阻38 和引線39的導電層。例如，該導電層由鋁、金、鉭、鉭鋁合金、或其它金屬或金屬合金形成。圖3 圖16根據(jù)本公開的一個實施例，示出了一種制造流體噴射裝置中的加熱區(qū) 域的方法，其中圖15和圖16示出了通過該方法形成的加熱區(qū)域。在一個實施例中，流體噴 射裝置的加熱區(qū)域基本上包括和圖1與圖2中示出且描述的流體噴射裝置和/或打印頭組 件相同的特征和屬性。圖3是示出了打印頭組件100的部分形成的加熱區(qū)域102的俯視圖。加熱區(qū)域 102定位成與打印頭組件100的電源總線109相鄰并從其接收電力，其中電源總線109包括 主總線區(qū)域(如圖中通過虛線111所表示的部分)和過渡部分110。如圖3所示，線A示意 性地表示加熱區(qū)域102與電源總線109的過渡部分110之間的邊界，而附圖標記117則指 示主總線區(qū)域110與過渡部分110之間的邊界。在一個實施例中，電源總線109的過渡部 分110大致將加熱區(qū)域102與主總線區(qū)域111分開，主總線區(qū)域111包括過渡部分110中 所沒有的另外的部件和/或電路。另外，電源總線109包括延伸部分114和118，延伸部分 114和118從過渡部分110延伸到加熱區(qū)域102中以便進一步限定加熱區(qū)域102的多個加 熱元件112中每一個的邊界。在一個實施例中，電源總線109相應的部分111、110、114和 118大致對應于打印頭組件110的“導電跡線”，并且這些部分一起工作以便給多個加熱元 件112供電。如圖3所示，延伸部分14將加熱區(qū)域102的多個加熱元件112彼此分開，其中每個 加熱元件112都包括第一端104和第二端106。在另一方面，如圖3所示，當電源總線109 的過渡部分110和延伸部分114、118完成成形時，它們被用作物理邊界，并且提供電功能， 以便使加熱區(qū)域102的相應的加熱元件112能夠操作。如圖3所示，部分形成的加熱區(qū)域 102中的每一個加熱元件112包括第一導電層154和過孔盤(后面等同于過孔盤119)的陣 列。圖4是沿圖3中的線4-4剖取的剖視圖，其中根據(jù)本公開的一個實施例示出了部 分形成的加熱區(qū)域102的一個加熱元件112。圖4示出了支撐襯底151和形成在絕緣層152 頂部的第一導電層154。在一個實施例中，中性層156介于第一導電層154與絕緣層152之 間，中性層156起到使最小化接合部尖峰形成以及最小化電遷移的作用。在一個實施例中，第一導電層154是鋁材料，而在其它實施例中，第一導電層154 包括鋁、銅、或金、以及這些導電材料的組合。使用公知的技術(shù)(包括但不限于，濺射和蒸 發(fā))來沉積出第一導電層154。在一個實施例中，襯底151包括硅片、玻璃材料、半導體材 料、或適于用作流體噴射裝置襯底的其它公知材料。在一個實施例中，絕緣層152生長或沉積在襯底151上，以便提供襯底151之上的 流體屏障，并且提供襯底151的電保護和/或熱保護。在一個實施例中，絕緣層152包括通 過原硅酸四乙酯(TEOS)材料的化學氣相沉積形成的二氧化硅層。在其它實施例中，絕緣層 152包括由氧化鋁、碳化硅、氮化硅、或玻璃構(gòu)成的材料。在一個實施例中，絕緣層152經(jīng)由 熱生長、濺射、蒸發(fā)、或化學氣相沉積形成。在一個實施例中，絕緣層152包括約1微米或2 微米的厚度。在一個實施例中，中性層156沉積在絕緣層152上，并且包括鈦加氮化鈦材料。在其它實施例中，中性層156包括由鎢鈦合金、鈦、鈦合金、金屬氮化物、鉭鋁合金、或鋁硅合 金構(gòu)成的材料。如圖4所示，第一導電層154的厚度T1明顯大于中性層156的厚度T2。將聯(lián)系圖 5 圖9對加熱元件112各個層的厚度的示例進行更加詳細的描述。根據(jù)本公開的一個實施例，圖5是部分形成的加熱區(qū)域102的俯視圖，圖6是部分 形成的加熱區(qū)域102的一個加熱元件112的剖視圖。圖5和圖6示出了第一導電層154內(nèi) 第一窗口 171的形成，其中該第一窗口限定了長度Lp如圖5所示，電源總線109的過渡部 分110和延伸部分114、118，以及過孔盤119經(jīng)由掩膜(如圖中由陰影部分所表示的)加以 保護，而區(qū)170和175則被蝕刻以便如圖6中所示那樣在第一導電層154內(nèi)限定第一窗口 171和槽175。在蝕刻后，圖5中所示的被掩膜的電源總線109的部分110、118以及被掩膜 的過孔盤119分別對應并且限定絕緣層152頂部上的導電元件177、179、178，正如圖6中 所示那樣。另外，在一個實施例中，從區(qū)170和175中去除第一導電層154還包括去除中性 層156，以便在第一窗口 171以及槽175內(nèi)暴露絕緣層152的表面153。在另一方面，中性 層156保留在剩余的導電元件177、178和179之下。在一個實施例中，相應的導電元件178、179彼此間隔開，分別處于第一窗口 171的 相對端上，其中相應的導電元件178、179包括傾斜表面168，從而使得各自導電元件178、 179的傾斜表面168彼此面對。在一個方面，每個相應的導電元件178、179都保持了第一導 電層154的厚度T1。在一個實施例中，導電層(例如，第一導電層154)的蝕刻包括干法蝕刻。同樣，在 一個實施例中，如聯(lián)系圖7所描述那樣的其它層的蝕刻也包括干法蝕刻。根據(jù)本公開的一個實施例，圖7是部分形成的加熱區(qū)域102的俯視圖，圖8是部分 形成的加熱區(qū)域102的一個加熱元件112的剖視圖。圖9是進一步示出了圖8的實施例的 放大的局部剖視圖。正如圖7和圖8中所示，第二導電層180被沉積在整個加熱區(qū)域102 中相應的加熱元件112上，然后在新形成的第二導電層180中對區(qū)190進行蝕刻(不對該 第二導電層的其它區(qū)進行蝕刻)，以便限定第二窗口 184，由此暴露絕緣層152的表面153。 由于第二導電層180的添加以及第二窗口 184的形成，所以相應的導電元件177、178、179 中的每一個都限定了更厚的導電元件，而槽175則被第二導電層180部分填充。因此，在一 個方面，第一導電層154和第二導電層180有效地形成了稍微更厚一些的相應的導電元件 177、178、179。在一個實施例中，當在第二導電層180內(nèi)形成第二窗口 184時，還形成了導電架 182。在一個方面，如圖8和圖9所示，導電架182包括內(nèi)部185和外部187。外部187與相 應的導電元件178、179接觸并且從相應的導電元件178、179向內(nèi)延伸，而導電架182的內(nèi) 部185(即，內(nèi)邊緣)則限定第二窗口 184。在另一方面，導電架182的內(nèi)部185還在第二窗 口 184內(nèi)限定了中央電阻盤226的長度L2，在圖10和圖11中對中央電阻盤226進行了更 加充分的圖示和描述。在一個方面，第一窗口 171的長度L1大于第二窗口 184的長度L2。另外如圖8和圖9中所示，在一個實施例中，在絕緣層152上的第一窗口 171內(nèi)形 成第二導電層180會導致在導電架182之下缺失(即，省略了)中性層156。然而，如前面 在圖5和圖6中所示，中性層156仍然延伸在相應的導電元件177、178和179下。在另一 方面，如圖9中所示，中性層156包括邊緣189，邊緣189與導電架182的內(nèi)部185以距離D1間隔開，以便相對于第二窗口 184位于遠側(cè)或外側(cè)。在一個實施例中，如圖8和圖9中所示，導電架182限定了大致平坦的構(gòu)件，該構(gòu) 件相對于相應的導電元件178、179并且相對于絕緣層152的表面153形成大致臺階形圖案。在一個實施例中，如圖8和圖9中所示，導電架182具有的厚度大致對應于第二導 電層180的厚度T3。在一個實施例中，在加入第二導電層180之前及之后，相應的導電元件
177、178、179中每一個的厚度T1明顯大于導電架182的厚度。在一個實施例中，第一導電 層154具有約4000埃的厚度T1，第二導電層180具有約1000埃的厚度Τ3。因此，在該實施 例中，當形成第二導電層180之后，導電元件177、178、179具有約5000埃的總厚度，而導電 架182具有約1000埃的總厚度。在另一個實施例中，第一導電層154具有約3000埃的厚度T1,第二導電層180具 有約2000埃的厚度Τ3。因此，在該實施例中，當形成第二導電層180之后，導電元件177、
178、179具有約5000埃的總厚度，而導電架182具有約2000埃的總厚度。在一個實施例中，導電架182的內(nèi)部185相對于絕緣層152的暴露表面153限定了 第一接合部，并且導電架182的外部187相對于每個相應的導電元件178、179的傾斜表面 168 (參見圖6)限定了第二接合部。在一個方面，第一接合部形成有低輪廓的形貌(或低輪 廓的過渡部分)，這是因為導電架182的厚度T3相對于絕緣層152的暴露表面153來說相 對最小，而第二接合部提供了大致陡峭或突兀的接合部，這是因為相應的導電元件178、179 的厚度T1明顯大于導電架182的厚度Τ3。圖10是根據(jù)本公開的一個實施例，示出了形成在部分形成的加熱區(qū)域102的每個 加熱元件112上的電阻層230的剖視圖。圖11是進一步示出了圖10的實施例的放大的局 部剖視圖。如圖10中所示，電阻層230基本上沉積在整個加熱元件112上，以便覆蓋相應的 導電元件177、178、179，覆蓋導電架182，以及覆蓋絕緣層152在第二窗口 184內(nèi)的暴露表 面153。在一個實施例中，除了現(xiàn)在進一步包括覆蓋的電阻層230之外，導電元件177、178、 179以及導電架182都大致保持它們各自相應的形狀。在導電架182頂部上添加的電阻層 230形成了大致平坦的構(gòu)件228。在一個實施例中，形成電阻層230的材料包括含鎢氮化硅 (tungsten silicon nitride)，而在其它實施例中，電阻材料包括鉭鋁合金、鎳鉻合金、或 氮化鈦。在一個實施例中，如圖10和圖11所示，形成在絕緣層152位于第二窗口 184內(nèi)的 暴露表面153上的這部分電阻層230限定了中央電阻區(qū)域226 ( S卩，電阻盤)。在一個方面， 中央電阻盤226包括外邊緣227，外邊緣227以距離D1與中性層156的邊緣189間隔開。在 一個實施例中，電阻層具有約1000埃的厚度T4，使得中央電阻盤226也具有約1000埃的厚度。在一個方面，形成加熱區(qū)域102的加熱元件112的后續(xù)步驟會導致形成由腔室層 304(參見圖15和圖16)的側(cè)壁(由虛線243表示)限定的流體腔室240。因此，在一個實 施例中，將導電架182的寬度(以及由此大致平坦的構(gòu)件228的寬度)選擇成使得流體腔 室240的每一個相應的側(cè)壁243都豎直對齊在導電架182上，以便將導電架182的外部187 定位成以距離D2與每個相應的側(cè)壁243間隔開。流體腔室240的側(cè)壁243的這種定位(相對于導電架182的外部187)將導電架182的外部187隔離在流體腔室240之外。在一個 方面，如圖8和圖9所示，導電架182的寬度D1將位于導電架182的外部187與相應的導 電元件178、179的傾斜表面168之間的更突兀的過渡部分與流體腔室240隔離開。而且，大致平坦的構(gòu)件228 (基本上由大致平坦的導電架182限定)相對于中央 電阻盤226的低輪廓使得隨后形成的鈍化層和氣穴阻擋層能夠在位于導電架182的內(nèi)部 185 (圖9)處的中央電阻盤226的外邊緣227上形成更加平滑的低輪廓過渡部分。這些低 輪廓的過渡部分又增加了鈍化層和氣穴層的強度和完整性，這是因為這些層的形成會更加 均勻地發(fā)生，否則這些層將會形成為常規(guī)的高輪廓過渡部分(形成在常規(guī)的電阻長度與常 規(guī)的陡峭或突兀的傾斜導電元件之間，該常規(guī)的陡峭或突兀的傾斜導電元件界定了常規(guī)的 電阻盤)。在另一個實施例中，該布置導致中性層156的邊緣189以距離D2與流體腔室240 的側(cè)壁243間隔開，該距離D2和將中性層156的邊緣189與流體腔室240隔離開(或者使 中性層156的邊緣189位于流體腔室240外部)的距離基本上相同。因此，限定了大致平坦的構(gòu)件228的低輪廓導電架182 (以及使導電元件178、179 位于流體腔室240的側(cè)壁243位置之外的隔離)通過基本上阻止或減小了腐蝕性墨液通過 鈍化層和氣穴層的滲透從而顯著地增加了中央電阻盤226的壽命。圖12是根據(jù)本公開的一個實施例，部分形成的加熱區(qū)域102的俯視圖，圖13是沿 圖12中的線13-13剖取的、示出了部分形成的加熱區(qū)域102的一個加熱元件112的剖視圖。 圖13示出了大致平坦的構(gòu)件228(包括導電架182)相對于導電元件178、179并且相對于 加熱區(qū)域102的中央電阻盤226的大致臺階形布置。圖14是沿圖12中的線14-14剖取的 剖視圖，并且其示出了加熱區(qū)域102的加熱元件112的中央電阻盤226的低輪廓側(cè)壁277。圖12 圖14示出了一種進一步形成圖10和圖11中的實施例的加熱區(qū)域102的 方法的一個實施例。在一個方面，該方法包括，經(jīng)由掩膜于電阻層230 (其覆蓋了整個加熱 區(qū)域102和電源總線109的過渡部分110)上，從而基本上保持或保護了整個加熱區(qū)域102 以及電源總線109的過渡部分110 (其具有圖10中所示的結(jié)構(gòu))，同時對主總線區(qū)域111進 行蝕刻以便至少去除導電層和/或其它層。在一個實施例中，該蝕刻步驟是“深蝕刻”步驟， 其中從主總線區(qū)域111去除至少約4000 5000埃的導電材料(和/或其它材料)。同時， 沒有材料從加熱區(qū)域102和電源總線109的過渡部分110中去除。因此，當對主總線區(qū)域 111進行蝕刻(而沒有對加熱區(qū)域102的其它區(qū)進行蝕刻)時，如圖10中所示的加熱區(qū)域 102的結(jié)構(gòu)大致上不受影響。接下來，如圖12中所示，在保護主總線區(qū)域111的同時，電阻性覆蓋的區(qū)(包括過 渡部分110、延伸部分114和118、過孔盤119、電阻盤226、以及大致平坦的構(gòu)件228)被掩 膜，使得能夠?qū)?cè)區(qū)260進行蝕刻，以便從每個相應的加熱元件112的相應側(cè)區(qū)260中去除 電阻層230和第二導電層180。在一個實施例中，電阻性覆蓋的中央電阻盤226以及大致平 坦的構(gòu)件228限定了電阻帶270，其中側(cè)區(qū)260從電阻帶270的側(cè)邊緣272沿相反的方向側(cè) 向向外延伸。在一個方面，側(cè)區(qū)260還圍繞被掩膜的過孔盤119。如圖14中所示，將對加熱區(qū)域102的側(cè)區(qū)260進行的蝕刻與對主總線區(qū)域111進 行的蝕刻分開，有利于從側(cè)區(qū)260去除相對較淺深度的電阻層230(例如，約1000埃)和第 二導電層180(例如，約1000埃)。如圖14中所示，該“淺蝕亥?！瘜е铝税ㄓ写笾缕教沟募绮?75的蝕刻后側(cè)區(qū)260，其中肩部275緊鄰著中央電阻盤226的側(cè)邊緣272，如圖14中 所示那樣。該布置產(chǎn)生了電阻帶270的中央電阻盤226的低輪廓側(cè)壁277。在一個實施例 中，該低輪廓側(cè)壁277具有約2000埃的厚度，該厚度大致對應于在由圖12和圖14所表示 的淺蝕刻步驟中所去除的材料的厚度。因此，在一個實施例中，中央電阻盤226的頂表面273以大約兩倍于電阻層230厚 度的距離在大致平坦的肩部275之上與其豎直地間隔開，其中電阻層230形成中央電阻盤 226。在另一個實施例中，如圖14所示，蝕刻后側(cè)區(qū)260的大致平坦的肩部275具有的寬度 W1至少為側(cè)區(qū)260的寬度W2的一半。如聯(lián)系圖15和圖16更加詳細地描述那樣，該低輪廓的側(cè)壁277通過有利于在中 央電阻盤226的低輪廓側(cè)壁277上更加均勻地形成相應的鈍化層和氣穴阻擋層，從而抑制 了該隨后形成的上層(例如，鈍化層和氣穴阻擋層)中的滲透。該布置又給相應的上部鈍 化層和氣穴層提供了更大的強度和完整性，以便由此增加它們對于所噴射的墨液或其它流 體時不時的腐蝕作用所致的滲透的抵抗性。在一個實施例中，相應的低輪廓且大致平坦的構(gòu)件228 (圖12 圖14中所示)電 支撐著中央電阻盤226，并且對應于從電源總線109的延伸部分118 ( S卩，導電元件179)為 單個加熱元件112的電阻焊盤226提供電力的導電“抽頭”。因此，該延伸在相應的加熱元 件112內(nèi)(并且沒有延伸到相應的加熱元件112之外)的導電“抽頭”的厚度明顯小于導 電元件179(即，電源總線109的延伸部分118)和導電元件177(即，電源總線109的過渡 部分110)的厚度，導電元件177和179都部分限定了相應的加熱元件112的端部邊界。然 而，在另一方面，該導電“抽頭”沒有包括過孔盤119(即，導電元件178)，所述過孔盤明顯厚 于該導電“抽頭”。圖15是根據(jù)本公開的一個實施例，打印頭組件110的加熱區(qū)域102的一個加熱 元件112的剖視圖。圖15大致上對應于圖13的剖視圖，此外圖15還示出了在電阻層230 頂部上進一步形成的鈍化層300、氣穴阻擋層302、腔室層304、以及包括噴嘴308的孔口層 306。在一個方面，如圖15所示，腔室層304包括部分限定流體腔室240的側(cè)壁243，其中側(cè) 壁243大致對應于先前在圖10和圖11中所示的側(cè)壁243。在一個方面，鈍化層300對在下面的電阻盤226以及被電阻性覆蓋的導電元件 177、178、179進行保護，使它們免于充電和/或受到來自放置在流體腔室內(nèi)的流體或墨液 的腐蝕。在一個實施例中，鈍化層300由例如氧化鋁、碳化硅、氮化硅、玻璃、或氮化硅/碳 化硅復合物構(gòu)成的材料通過濺射、蒸發(fā)、或氣相沉積來形成。在一個實施例中，鈍化層300 包括約2000?；?000埃的厚度。在一個方面，氣穴阻擋層302覆蓋在鈍化層300上，用于緩和當電阻盤226進行 加熱時在下的電阻性覆蓋的結(jié)構(gòu)受到的由氣泡形成所生成的力。在一個實施例中，氣穴 阻擋層302包括鉭材料。在一個實施例中，腔室層304由聚合物材料形成，例如，光滲透式 (photoimpregnable)環(huán)氧樹脂(其在商業(yè)上可作為來自IBM的SU8而獲得)或其它光滲透 式聚合物。圖15示出了鈍化層300和氣穴阻擋層302的低輪廓過渡部分320，低輪廓過渡部 分320大致上復制了在下的被電阻性覆蓋的加熱元件112的結(jié)構(gòu)的形貌。鈍化層300和氣 穴阻擋層302的低輪廓形貌320相鄰于中央電阻盤226的邊緣227，并且受益于導電架182相對于電阻盤226的大致平坦的臺階形布置。在一個方面，如先前所描述的那樣，設定導電 架182的大小以便將更陡的傾斜導電元件178、179與中央電阻盤226的邊緣227隔開。該 上層的低輪廓形貌320 (相鄰于中央電阻盤226的邊緣227)幫助阻止或至少減小了腐蝕性 墨液通過這些上層的滲透，并由此增加了加熱元件112的電阻盤226的壽命，從而增加了打 印頭的壽命。圖16是根據(jù)一個實施例，打印頭的加熱區(qū)域102的加熱元件112的剖視圖。圖16 除了大致對應于圖14的剖視圖之外，還大致對應于圖15中所形成的結(jié)構(gòu)。因此，圖16示 出了鈍化層300和氣穴阻擋層302的低輪廓過渡部分330，其中因為受益于中央電阻盤226 相對于側(cè)區(qū)260大致平坦的肩部275的低輪廓側(cè)壁277，所以低輪廓過渡部分330豎直對齊 在位于在下的中央電阻盤226的側(cè)邊緣上。該大致更光滑的且低輪廓形貌的上層(即，鈍 化層300和氣穴阻擋層302)幫助阻止或至少減小了腐蝕性墨液通過這些相應上層的滲透， 由此增加了加熱元件112的電阻盤226的壽命，從而增加了打印頭的壽命。特別地，中央電 阻盤226的低輪廓側(cè)壁277促進了更加均勻地形成這些上層，結(jié)果是當存在腐蝕性墨液或 其它流體時，鈍化層300和氣穴阻擋層302具有更大的強度和完整性。圖17 圖25示出了一種形成打印頭的加熱區(qū)域402的方法的另一個實施例。根 據(jù)本公開的一個實施例，圖17是部分形成的加熱區(qū)域402的加熱元件412的俯視圖，圖18 是部分形成的加熱區(qū)域402的一個加熱元件412的剖視圖。在該例子中，圖17沒有示出主 總線區(qū)域，但要理解的是，在一個實施例中，打印頭組件400以大致對應于如先前圖12中所 示的打印頭組件400的電源總線109(包括主總線區(qū)域111和過渡部分110)的方式包括有 電源總線和主總線區(qū)域。在一個實施例中，圖17和圖18示出了通過在第一導電層454內(nèi)形成第一窗口 420 來形成每個加熱元件412。如圖17和圖18所示，加熱元件412包括覆蓋在絕緣層452 (由 和圖4和圖5中襯底151相似的襯底支撐)上的第一導電層454，其中中性層456介于第一 導電層454和絕緣層452之間。在一個方面，加熱元件412包括第一端404和第二端405。 通過對第一導電層454和中性層456的一部分進行蝕刻，在第一導電層454內(nèi)限定第一窗 口 420，以便暴露絕緣層452的頂表面421。該布置在第一窗口 420的相對側(cè)上產(chǎn)生了一 對彼此間隔開的傾斜的導電元件478、479，其中每一個導電元件478、479都限定傾斜的表 面468。在一個實施例中，第一窗口 420的長度L3明顯大于最終形成的中央電阻盤的長度 L4(圖20 圖22)。在一個實施例中，除了在余下的圖17 圖25的描述中所指出的差異之外，絕緣層 452、第一導電層454、以及中性層456具有和先前聯(lián)系圖3 圖16所描述的絕緣層152、第 一導電層154、以及中性層156基本上相同的特征和屬性。除了根據(jù)本公開的一個實施例示出了加熱元件412的進一步形成之外，圖19的剖 視圖大致對應于圖18的剖視圖。特別地，圖19示出了第二導電層480的形成，第二導電層 480形成在傾斜的導電元件478、479之上，并且形成在絕緣層454在第一窗口 420內(nèi)的暴露 表面421上，以便產(chǎn)生中央導電部分481。除了根據(jù)本公開的一個實施例示出了加熱元件412的進一步形成之外，圖20的剖 視圖大致對應于圖19的剖視圖。特別地，圖20示出了第二導電層480內(nèi)形成第二窗口 484， 以便在第二窗口 484內(nèi)再次暴露絕緣層452的表面421。該布置產(chǎn)生了從相應的傾斜導電
13元件478、479向內(nèi)延伸的導電架482。在一個實施例中，導電架482是大致上平坦的構(gòu)件。圖21提供了示出相對于第一窗口 420處于嵌套關系的第二窗口 484的位置的俯 視圖，其中第二窗口 484的大小要比第一窗口 420小。在一個實施例中，第二窗口 484限定 了一個長度L4,該長度L4對應于完全形成的中央電阻盤526的長度(圖22)。以和先前聯(lián)系圖3 圖16所描述的加熱區(qū)域102的形成基本上相同的方式，每個 加熱元件412的第一導電層452的厚度T1明顯大于第二導電層480的厚度T3，如圖20中 所示。在一個實施例中，導電架482的厚度大致上對應于第二導電層480的厚度T3。在一 個實施例中，在添加第二導電層480之前以及之后，導電元件478、479的厚度明顯大于導電 架482的厚度Τ3。在一個實施例中，第一導電層454具有約4000埃的厚度T1，第二導電層 480則具有約1000埃的厚度Τ3。因此，在該實施例中，在形成第二導電層480之后，導電元 件478、479具有約5000埃的總厚度，而導電架482則具有約1000埃的總厚度。在另一個實施例中，第一導電層454具有約3000埃的厚度T1，第二導電層480具 有約2000埃的厚度Τ3。因此，在該實施例中，在形成第二導電層480之后，導電元件478、 479具有約5000埃的總厚度，而導電架482則具有約2000埃的總厚度。圖22是根據(jù)本公開的一個實施例，示出了部分形成的加熱區(qū)域402的一個加熱元 件412的剖視圖。圖22示出了進一步形成的電阻層500，電阻層500覆蓋在相應的傾斜導 電元件478、479上，覆蓋在導電架482上，并且還覆蓋在絕緣層454位于第二窗口 484內(nèi)的 暴露表面421上。在一個方面，電阻層500形成了位于導電架482的相對的部分(從相對 的相應導電元件478、479向內(nèi)延伸的部分)之間的第二窗口 484內(nèi)的中央電阻盤526。在 一個實施例中，電阻層500包括和先前聯(lián)系圖3 圖16所描述的電阻層230相同的特征與 屬性，這些特征與屬性包括電阻層500具有約1000埃的厚度。正如先前聯(lián)系圖20和圖21 所描述的那樣，中央電阻盤526具有由第二窗口 484限定的長度L4,該長度L4小于由第一 窗口 420限定的長度L3，其中第二窗口 484形成在第二導電層500內(nèi)，第一窗口 420形成在 第一導電層452內(nèi)。如圖22中所示，上層510 (包括鈍化層和/或氣穴阻擋層)以及流體腔室530的 壁522以和先前聯(lián)系圖10、圖11以及圖15、圖16所示的與加熱元件112有關的相同方式在 電阻層500的上面豎直延伸。特別地，在一個實施例中，導電架482(因此，和圖10和圖11 中大致平坦的構(gòu)件228相同的大致平坦的構(gòu)件)的寬度被選定，使得流體腔室530的每個 側(cè)壁522在導電架482上豎直對齊，其中導電架482的外部與側(cè)壁522以距離D3間隔開，由 此導電架482的外部位于流體腔室530外。因此，使得導電架482與相應的導電元件478、 479之間的更加突兀的過渡部分與流體腔室530隔開，否則這些突兀的過渡部分會導致上 層被腐蝕性墨液破壞。代替地，電阻性覆蓋的導電架482和中央電阻盤526之間的低輪廓 過渡部分527被定位在流體腔室530的邊界內(nèi)(正如由側(cè)壁522所限定的那樣)。該低輪 廓的、大致平坦的且電阻性覆蓋的導電架482使得隨后形成的上層510(例如，鈍化層和氣 穴阻擋層)能夠在位于導電架482位置處的中央電阻盤526的邊緣上形成低輪廓的過渡部 分。將該大致更平滑的低輪廓過渡部分527置于流體腔室530內(nèi)又增加了鈍化層和氣穴層 的強度和完整性，這是因為在沒有通常對齊在流體腔室邊界內(nèi)的常規(guī)的、突兀的傾斜導電 元件(其界定了常規(guī)電阻盤)的情況下，這些層的形成能夠發(fā)生得更加均勻。在另一個實施例中，該布置另外還包括以距離D3與流體腔室530的側(cè)壁522間隔開并且位于流體腔室530之外的中性層456的邊緣489。圖23是根據(jù)本公開的一個實施例，示出了打印頭組件的主總線區(qū)域111和部分形 成的加熱區(qū)域402的俯視圖，并且該俯視圖還示出了一種形成加熱區(qū)域402的方法。特別 地，圖23示出了形成區(qū)域402的每個加熱元件412的電阻帶570的側(cè)壁的方法。在一個實 施例中，過孔盤119以及包括了過渡部分110與延伸部分114和118的電源總線109具有 和先前聯(lián)系圖3 圖16所示出和描述的那些元件基本上相同的特征和屬性。在一個實施 例中，包括了過渡部分110、延伸部分114和118、以及過孔盤119的所選區(qū)(由陰影表示) 被加以掩膜，而同時從加熱區(qū)域402未掩膜的側(cè)區(qū)561以及未掩膜的總線區(qū)域111對材料 進行蝕刻。在一個方面，部分形成的電阻帶570也被掩膜，其中電阻帶570包括相對的端部 571、相對的頸縮部572、以及介于相應的頸縮部572之間的中央部574。中央部574具有如 圖23所示的寬度W3，該寬度W3明顯大于圖24和圖25中所示的最終形成的電阻帶570的寬 度W4。在一個方面，側(cè)區(qū)561從部分形成的電阻帶570的相對側(cè)向外延伸，直到抵達被掩膜 的延伸部分114時為止，其中未掩膜的側(cè)區(qū)561還圍繞在被掩膜的過孔盤119周圍。在一 個方面，被掩膜的延伸部分118大致對應于被電阻性覆蓋的導電元件479，被掩膜的過孔盤 119大致上對應于被電阻性覆蓋的導電元件478，被掩膜的過渡部分110大致上對應于被電 阻性覆蓋的導電元件(類似于圖12、圖13以及圖15中的元件177)。使用該布置，能夠以足以去除電阻層500、第二導電層480、以及大部分第一導電 層454的深度(如圖25中所示的D5)在未掩膜的主總線區(qū)域111上以及在加熱區(qū)域402的 每個加熱元件412的未掩膜側(cè)區(qū)561上同時進行蝕刻。在一個實施例中，該蝕刻被認為是 深蝕刻，因為該蝕刻去除了至少約4000 5000埃的材料。圖24是根據(jù)本公開的一個實施例，示出了部分形成的加熱區(qū)域402以及主總線區(qū) 域111的俯視圖。圖24示出了另外的電阻帶570的形成，其包括，除了圖23的部分形成的 電阻帶570的相對側(cè)上的肩部區(qū)(由虛線584大致表示)之外，對基本上整個加熱區(qū)域402、 過渡部分110和主總線區(qū)域111進行保護或掩膜。當對這對肩部區(qū)584進行蝕刻時，限定 了最終形成的電阻帶570的側(cè)壁577，同時暴露側(cè)區(qū)561的肩部580，如圖24和圖25中所示。
在一個實施例中，電阻帶570的蝕刻后肩部區(qū)584的寬度W5被選擇成使得頸縮部 572的斜截部573被保留，其中斜截部573從每個相應的端部571延伸到電阻帶570的側(cè)壁 577。保留該斜截的頸縮部573用于對側(cè)區(qū)530的兩個蝕刻步驟順序中可能發(fā)生的任何不 對準進行補償，其中側(cè)區(qū)530的兩個蝕刻步驟被執(zhí)行以便限定最終的電阻帶570。換言之， 斜截的頸縮部573確保了部分形成的電阻帶570包括了稍微更大寬度的相鄰端部571以包 容由用來限定電阻帶570的側(cè)壁577的多個蝕刻步驟所導致的變化。因此，該布置在側(cè)壁 577和電阻帶570的端部571之間阻止了或至少減小了不規(guī)則限定的過渡部分，否則除了其 它可能不期望的結(jié)果之外，該不規(guī)則的過渡部分還可能會妨礙該區(qū)域內(nèi)的電流流動。圖25是圖24中沿線25-25剖取的剖視圖，并且其根據(jù)本公開的一個實施例示出 了加熱區(qū)域402的一個加熱元件412的中央電阻盤526的低輪廓側(cè)壁577。如圖25中所 示，加熱元件412包括電阻帶570，其中側(cè)區(qū)561從電阻帶570側(cè)向向外延伸。在一個方面， 側(cè)區(qū)561的肩部580緊鄰于中央電阻盤526的相應側(cè)壁577，并且由此側(cè)向向外延伸。在一個方面，側(cè)區(qū)561的肩部580經(jīng)由對肩部區(qū)584的蝕刻形成，如圖23和圖24中所示。在一個實施例中，如圖25中所示，中央電阻盤526的頂表面以距離D4與側(cè)區(qū)561 的肩部580豎直地間隔開，該距離D4大致對應于在由圖24所示的淺蝕刻步驟中去除的材 料的厚度。在一個方面，該距離為大約2000埃。要理解的是，以和先前如圖15、圖16中所示那樣基本上相同的方式，完成加熱區(qū) 域402的形成，其中添加了上層(即，鈍化層和氣穴阻擋層)和腔室層以便形成豎直定位于 圖25中所示加熱元件412的中央電阻盤526之上的流體腔室。因此，在一個實施例中，圖 25中所示的加熱元件412還提供了至少某些和圖15、圖16中所示的加熱區(qū)域基本上相同 的特征和屬性。特別地，加熱區(qū)域402的加熱元件412的實施例提供了中央電阻盤526的 低輪廓側(cè)壁577(圖25)，和/或如圖22中所示為中央電阻盤526提供了低輪廓且臺階形 端部(即，導電架482)(圖22)。在一個實施例中，如圖25中所示的中央電阻盤526的低 輪廓側(cè)壁577通過促進覆蓋于相應電阻層和導電層上的上部鈍化層和氣穴阻擋層的更均 勻且強度更高的形成，從而顯著提高了打印頭的加熱區(qū)域的加熱元件的壽命。在另一個實 施例中，位于流體腔室530之下的低輪廓電阻-導電過渡部分(S卩，從中央電阻盤526到相 鄰的大致平坦的導電架482的過渡部分)用于將更加突兀的傾斜導電元件(例如，導電元 件478、479)與流體腔室530隔開。該低的電阻-導電過渡部分通過促進覆蓋于相應電阻 層和導電層上的上部鈍化層和氣穴阻擋層的更均勻且強度更高的形成，從而顯著地提高了 打印頭組件的加熱區(qū)域402的加熱元件412的壽命。圖26 圖32根據(jù)本公開的一個實施例，示出了一種形成加熱區(qū)域602中的加熱 元件612的方法，其中形成電阻盤的電阻層還位于電阻盤726相對端的導電跡線之下(如 圖29中所示)。相反，先前圖3 圖25中的實施例包括覆蓋在位于相應電阻盤226 (圖13)、 526 (圖22)相對端處的相應導電跡線之上的電阻層230(圖3 圖16)或500(圖17 圖 25)。在一個實施例中，一種形成加熱元件612的方法除了聯(lián)系圖26 圖32所指出的不同 之外，包括和先前聯(lián)系圖1 圖25分別示出并描述的形成相應加熱元件112、412的方法基 本上相同的特征與屬性。圖26是根據(jù)本公開的一個實施例，示出了部分形成的加熱區(qū)域602的(多個相似 加熱元件中的)一個加熱元件612的剖視圖，并且該剖視圖除了相應薄膜層的不同順序之 外基本上與圖4的剖視圖相似。圖26示出了在電阻層630上的第一導電層654，以及絕緣 層652和支撐襯底651。在一個方面，第一導電層654具有厚度T1，而電阻層630具有厚度T2。圖27是根據(jù)本公開的一個實施例，示出了部分形成的加熱區(qū)域602的加熱元件 612的剖視圖，并且示出了形成在第一導電層654內(nèi)的第一窗口 671，其中該第一窗口限定 長度U。在一個實施例中，除了以下指出的不同之外，加熱元件612的第一窗口 671以和 先前聯(lián)系圖5、圖6所描述的加熱元件112的第一窗口 171基本上相同的方式形成。特別 地，濕法蝕刻被施加到第一導電層654(其中在電阻層630上具有阻礙物，以便保護電阻層 630)，以便限定第一窗口 671，由此在一對間隔開的導電元件678、679之間暴露電阻層630。 在一個方面，導電元件678、679分別對應于電源總線的過孔盤119和電源總線的延伸部分 118 (如圖5中所示)。另夕卜，同時在導電元件678和導電元件677 (例如，電源總線的過渡 部分110)之間限定槽675。
在一個實施例中，相應的導電元件678、679彼此間隔開，分別處于第一窗口 671 相對端上，其中每個相應的導電元件678、679都包括了傾斜表面668，使得相應的導電元件 678,679的傾斜表面668彼此面對。在一個方面，每個相應的導電元件678、679都保持了第 一導電層654的厚度T1。圖28是根據(jù)本公開的一個實施例，示出了部分形成的加熱區(qū)域602的一個加熱元 件612的剖視圖。圖29是進一步示出圖28的實施例的放大的局部剖視圖。如圖28中所 示，第二導電層680沉積在整個加熱元件612上，然后在第二導電層680中濕法蝕刻出限定 第二窗口 684的區(qū)，其中在電阻層630的材料上具有阻礙物，從而不會使其它區(qū)被濕法蝕 刻。該操作重新暴露和保護了電阻層630的表面653。在另一方面，隨著第二導電層680的 添加和第二窗口 684的形成，每個相應的導電元件677、678、679都限定了更厚的導電部件， 同時槽675由第二導電層680部分填充。如圖28和圖29所示，第二窗口 684的形成還部分限定了導電架682。在一個方 面，除了導電層630延伸在導電元件677、678、679之下的不同之外，加熱元件612的導電架 682包括和先前聯(lián)系圖7 圖15所示出并描述的導電架182基本上相同的特征和屬性。因此，在一個方面，如圖28和圖29中所示，導電架628包括內(nèi)部685和外部687。 外部687與相應的導電元件678、679接觸，并由此向內(nèi)延伸，而導電架682的內(nèi)部685 (即， 內(nèi)邊緣)限定了第二窗口 684。在另一個方面，導電架682的內(nèi)部685還在第二窗口 684內(nèi) 限定了中央電阻盤226的長度L2。在一個方面，第一窗口 671的長度L1大于第二窗口 684 的長度L2,并且大致對應于加熱元件612的長度。在一個實施例中，如圖28和圖29所示，導電架682限定了大致平坦的構(gòu)件，該大 致平坦的構(gòu)件相對于相應的導電元件678、679并且相對于電阻層652的表面653形成大致 上臺階形圖案。相比于加熱元件112(圖3 圖16)，導電架682大致對應于大致平坦的構(gòu) 件228，其中大致平坦的構(gòu)件228限定電源總線的導電“抽頭”并向一個加熱元件612(而不 是其它加熱元件)的電阻盤726供電。在一個實施例中，如圖28和圖29所示，導電架682的厚度大致對應于第二導電層 680的厚度T3。在一個實施例中，每個相應的導電元件677、678、679的厚度T1明顯大于導 電架682的厚度。在一個實施例中，第一導電層654具有約4000埃的厚度T1，第二導電層 680具有約1000埃的厚度Τ3。因此，在該實施例中，當形成第二導電層680之后，導電元件 677、678、679具有約5000埃的總厚度，而導電架682具有約1000埃的總厚度。在另一個實施例中，第一導電層654具有約3000埃的厚度T1，第二導電層680具 有約2000埃的厚度Τ3。因此，在該實施例中，當形成第二導電層680之后，導電元件677、 678,679具有約5000埃的總厚度，而導電架682具有約2000埃的總厚度。在一個實施例中，如圖29所示，導電架682的內(nèi)部685相對于電阻盤726限定了 第一接合部，并且導電架682的外部687相對于每一個相應的導電元件678、679的傾斜表 面686限定了第二接合部。在一個方面，第一接合部形成有低輪廓的形貌(或低輪廓的過 渡部分)，這是因為導電架682的厚度T3相對于電阻盤726來說相對最小，而第二接合部提 供了大致陡峭或突兀的接合部，這是因為相應的導電元件678、679的厚度T1明顯大于導電 架682的厚度T30在一個方面，形成加熱區(qū)域602的加熱元件612的后續(xù)步驟會導致由腔室層304
17的側(cè)壁(由虛線243表示)限定的流體腔室240的形成，如圖29中所示。因此，在一個實施 例中，將導電架682的寬度隊選擇成使得流體腔室240的每一個相應的側(cè)壁243都豎直對 齊在導電架682上，以便將導電架682的外部687定位成以距離D2與每個相應的側(cè)壁243 間隔開。流體腔室240的側(cè)壁243的這種定位(相對于導電架182的外部687)將導電架 682的外部687隔離在流體腔室240之外。在一個方面，如圖29所示，導電架682的寬度 將位于導電架682的外部687與相應的導電元件678、679之間的更突兀的過渡部分與流體 腔室240隔離開。而且，大致平坦的構(gòu)件(基本上由大致平坦的導電架682限定)相對于中央電阻 盤726的低輪廓使得隨后形成的鈍化層和氣穴阻擋層能夠在中央電阻盤726與導電架682 的內(nèi)部685接合的外邊緣上形成更加平滑的低輪廓過渡部分。這些低輪廓的過渡部分又增 加了鈍化層和氣穴層的強度和完整性，這是因為這些層的形成會發(fā)生得更加均勻，否則這 些層將會形成為常規(guī)的高輪廓過渡部分(形成在常規(guī)的電阻長度與界定了常規(guī)電阻盤的 常規(guī)的陡峭或突兀的傾斜導電元件之間)。圖30是根據(jù)本公開的一個實施例，示出了部分形成的加熱區(qū)域602的俯視圖，圖 31是沿圖30中的線31-31剖取的、示出了部分形成的加熱區(qū)域602的一個加熱元件612 的剖視圖。圖31示出了大致平坦的構(gòu)件728(由導電架682限定)相對于導電元件678、 679并且相對于加熱區(qū)域602的中央電阻盤726的大致臺階形布置。圖32是沿圖30中的 線32-32剖取的剖視圖，并且示出了加熱區(qū)域602的加熱元件612的中央電阻盤726的低 輪廓側(cè)壁777。圖30 圖32示出了一種進一步形成圖26 圖29中的實施例的加熱區(qū)域602的 方法的一個實施例。在一個方面，該方法包括，通過在整個加熱區(qū)域602上加以掩膜來基本 上保持或保護整個加熱區(qū)域602 (其具有圖28中所示的結(jié)構(gòu))，同時對主總線區(qū)域111進 行蝕刻以便至少去除導電層、電阻層、和/或其它層。在一個實施例中，該蝕刻步驟是“深 蝕刻”步驟，其中從主總線區(qū)域111去除至少約4000 5000埃的導電材料(和/或其它 材料)以及至少去除電阻層630 (例如，約1000埃)。同時，沒有從加熱區(qū)域602中去除材 料。因此，當對主總線區(qū)域111進行蝕刻(而沒有對加熱區(qū)域602的其它區(qū)進行蝕刻)時， 如圖30中所示的加熱區(qū)域602的結(jié)構(gòu)大致上不受影響。接下來，如圖30中所示，在保護主總線區(qū)域111的同時，包括有過渡部分110、延伸 部分114和118、過孔盤119、電阻盤726、以及大致上平坦的構(gòu)件728的所選區(qū)都被掩膜， 如通過陰影部分表示的那樣。然后對側(cè)區(qū)760進行蝕刻，以便從每個相應的加熱元件612 的相應的側(cè)區(qū)760中去除電阻層630和第二導電層680。在一個實施例中，中央電阻盤726 和導電性覆蓋的平坦構(gòu)件728限定了電阻帶770，其中側(cè)區(qū)760從電阻帶770的側(cè)邊緣772 沿相反的方向側(cè)向向外延伸。在一個方面，側(cè)區(qū)260還圍繞被掩膜的過孔盤119。在一個 方面，被掩膜的延伸部分118大致對應于圖31中所示的導電元件679，被掩膜的過孔盤119 大致對應于圖31中所示的導電元件678，被掩膜的過渡部分110大致對應于圖31中所示的 導電元件677。如圖32中所示，將對加熱區(qū)域602的側(cè)區(qū)760進行的蝕刻與對主總線區(qū)域111進 行的蝕刻分開，有利于從側(cè)區(qū)760中去除相對較淺深度的電阻層630 (例如，約1000埃)和 第二導電層680(例如，約1000埃)。如圖32中所示，該“淺蝕刻”導致了限定有大致平坦的肩部775的蝕刻后側(cè)區(qū)760，其中肩部775緊鄰中央電阻盤726的側(cè)邊緣772，如圖32中 所示那樣。該布置產(chǎn)生了電阻帶770的中央電阻盤726的低輪廓側(cè)壁777。在一個實施例 中，該低輪廓側(cè)壁777具有約2000埃的厚度，該厚度大致對應于在由圖30和圖32所表示 的淺蝕刻步驟中所去除的材料的厚度。因此，在一個實施例中，中央電阻盤726的頂表面773以大約兩倍于電阻層630厚 度的距離在大致平坦的肩部775之上與其豎直地間隔開，其中電阻層630形成中央電阻盤 726。在另一個實施例中，如圖32所示，蝕刻后側(cè)區(qū)760的大致平坦的肩部775具有的寬度 W1至少為側(cè)區(qū)760的寬度W2的一半。以聯(lián)系圖15、圖16關于加熱元件112所描述的方式相似的方式，該低輪廓的側(cè)壁 777通過有利于在中央電阻盤726的低輪廓側(cè)壁777上更加均勻地形成相應的鈍化層和氣 穴阻擋層，從而抑制了該隨后形成的上層(例如，鈍化層和氣穴阻擋層)中的滲透。該布置 又給相應的上部鈍化層和氣穴層提供了更大的強度和完整性，以便由此增加了它們對于噴 射的墨液或其它流體的時不時的腐蝕作用所致的滲透的抵抗性。在另一個實施例中，除了至少以下不同之夕卜，經(jīng)由和圖17 圖25中所示方法基本 上相同的方法形成圖31和圖32中所示的加熱元件612。在一個方面，電阻層630位于第 一導電層和第二導電層之下，使得經(jīng)由濕法蝕刻同時放置阻礙物以阻止或至少減小對電阻 層630的蝕刻來形成第一窗口(和圖17、圖18中的第一窗口 420相同)和第二窗口(和圖 20、圖21中的第二窗口 484相同)。提供圍繞加熱元件的電阻區(qū)域的低輪廓形貌的另一方面涉及到在該電阻區(qū)域的 加熱期間發(fā)生在加熱元件中的熱效應。例如，在常規(guī)打印頭中，在電阻區(qū)域的加熱期間，大 量的熱由于被傳到側(cè)向圍繞在該電阻區(qū)域端部周圍的薄膜層中的設想外目標處，從而損失 掉。特別地，電阻區(qū)域端部處的導電跡線提供了會將熱不期望地從電阻區(qū)域傳走的機構(gòu)。因此，在本公開的一個實施例中，導電元件(例如，圖7 圖15中的導電元件178、 179)形成相對薄的導電架182以便顯著減小相鄰于電阻盤226的導熱材料的體積。該布置 使得從電阻盤226傳走的熱量最小化，從而使由電阻盤226生成的基本上所有熱量都將豎 直地傳給墨液，以便增大加熱元件112的熱效率。在一個實施例中，每個加熱元件112的導電架182(圖8 圖11中所示)都具有 寬度D1，并且包括有位于流體腔室的壁之外的寬度為D2的部分。在一個實施例中，D1至少 是10微米。在另一個實施例中，D1小于10微米。在一個方面，對低輪廓導電架182的寬 度0工加以選擇，以便有效地去除常規(guī)導電跡線中會另外存在的大致上較厚的部分，這些部 分將從所設想的目標處(例如，墨液或其它流體)傳走熱量。因此，采用圖7 圖15的實 施例，導電架182相鄰于電阻盤226的導電區(qū)具有的厚度明顯小于剩余的導電元件178、179 的厚度(例如，5000埃)。盡管圖7 圖12的實施例示出導電架的厚度T3為大約1000埃 或2000埃，但是導電架182可以具有更大的厚度(例如，3000埃)，不過要理解的是，將導 電架182維持以更大的厚度將會削弱所設想的減小導電跡線熱損失的好處。然而，還要理 解的是，更大的主電源總線(導電元件177、178、179從其中延伸)在整個芯片(die)上并 未減小厚度，這是因為減小主電源總線的厚度將會導致明顯的寄生損失。為實現(xiàn)增加的熱效率從而在這段距離上將導電架182變薄的距離取決于導電材 料的類型以及使電阻盤通電進行噴流的脈沖寬度的持續(xù)時間。在一個方面，關于熱擴散距離的總的關系由公式(a*t)1/2表示，其中a是材料的熱擴散率。在一個示例中，導電材料 為鋁，其熱擴散率a等于96微米2/微秒。因此，根據(jù)通常的加熱脈沖寬度，則圍繞電阻盤 周圍的導電跡線(即，抽頭)的大約至少10微米區(qū)域?qū)脑撾娮璞P引走熱量。因此，使 約10微米長度(從電阻盤向外延伸)的區(qū)域內(nèi)的導電抽頭變薄將會顯著減小從該電阻盤 傳到導電跡線中的熱量。當然，可以使用除鋁之外的材料，這樣由a表示的熱擴散率將會 不同，導致增加或減小需要將導電層變薄的長度，這依賴于材料的熱傳導的程度。另外，因 為被變薄的導電層的區(qū)域相對于整個電源總線的導電跡線的全部長度而言相對較小，所以 該局部變薄的區(qū)將在整個電源總線的導電跡線上產(chǎn)生最小的寄生損失。增加的熱效率導致了打印頭中更低的尖峰溫度，更快的打印速度，以及提高的打 印質(zhì)量。該增加的熱效率被確信使得能夠具有更高的打印頭噴流頻率和/或增大的打印頭 處理能力(通過降低熱步調(diào)(thermal pacing))。在另一個方面，因為減小了熱致使的材料 退化，以及因為打印頭受到墨液除氣的影響更小，所以打印頭更加魯棒。在一個方面，打印 頭增加的熱效率減小了用于操作該打印頭的電力消耗，由此因為能夠使用更加便宜的電源 供應，所以減小了打印機的操作費用。在另一個方面，打印頭的增大的熱效率提供了提高的電阻壽命和提高的抗結(jié)垢性 能，結(jié)果是由加熱墨液所致的剩余沉積物更少。該特征是由電阻盤(例如，鉭層)表面的尖 峰溫度減小和/或在電阻盤上更小的溫度變化所致，從而使得能夠以更低的總能量來操作 打印頭。在另一個實施例中，通過相對于電阻盤的寬度來減小導電抽頭(圍繞在電阻盤周 圍的導電跡線的一部分)的寬度來實現(xiàn)這些熱效益。該減小寬度的導電抽頭緊鄰于電阻盤 (例如，在離該電阻盤大約10微米內(nèi))，顯著地減小了該電阻盤附近的導熱材料的體積。導 電抽頭的體積減小有效地為電阻盤所生成的熱量去除了設想外的目標。在一個實施例中， 基本上整個長度的導電抽頭在寬度上都被減小，而在另一個實施例中，一部分長度的導電 抽頭在寬度上減小，同時其它部分在寬度上沒有減小。在一個方面，這些被減小了寬度的導電抽頭有效地最小化了從電阻盤到導電抽頭 的傳熱，由此增大了加熱元件的熱效率，這是因為這時大多數(shù)所生成的熱都直接作用于腔 室內(nèi)的流體上(而不是耗散在圍繞在周圍的薄膜層中)。因此，該實施例享有和先前所描述 的低輪廓導電架182的實施例(圖1 圖16)基本上相同的熱效益。圖33根據(jù)本公開的一個實施例，示出了加熱元件812的俯視圖。在一個實施例中， 除了以下指出的不同之外，加熱元件812包括和先前聯(lián)系圖1 圖32所分別示出并描述的 加熱元件112、412、或612基本上相同的特征和屬性。特別地，除了那些通過從電阻盤延伸 的減小了寬度的導電抽頭(而不是如圖8 圖13中那樣通過減小厚度)來實現(xiàn)的熱效應 之外，圖33中所示的實施例享有先前關于減小厚度的導電架182所描述的那些熱效益。圖33示出了包括電阻盤826和導電抽頭840A、840B的加熱元件812。每個導電 抽頭840A、840B從電阻盤826的相對端向外延伸，其中導電抽頭840A延伸到導電元件879 中，導電抽頭840B延伸到過孔導電元件878中。導電元件879從打印頭的電源總線(例如， 電源總線109)延伸，并且和打印頭的電源總線電連接。在一個實施例中，如圖33中所示， 導電元件878大致對應于過孔盤119(圖5 圖13)，而導電元件879大致對應于電源總線 109的延伸部分118(圖5 圖13)。
在一個方面，電阻盤826具有寬度W7,同時每個導電抽頭840A、840B都具有寬度 W6，寬度W6明顯小于電阻盤826的寬度W7。在一個實施例中，導電抽頭840A、840B的明顯較 小的寬度W6是寬度W7的大約一半。在其它實施例中，導電抽頭840A、840B的寬度W6大于 或者小于電阻盤826的寬度W7的一半，從而提供了從全寬度(即，具有寬度^)的導電抽頭 840A、840B上顯著減小的導電抽頭840A、840B的體積。在一個實施例中，如圖33所示，導電 抽頭相對于電阻盤826的端部形成相對突兀的角度(例如，90° )。在一個實施例中，每個導電抽頭840A、840B中是基于導電元件的材料的熱擴散率 來限定其具有寬度W6的部分的長度L5。在一個實施例中，每個導電抽頭由鋁構(gòu)成，該導電 抽頭的長度為大約10微米。在一個實施例中，加熱元件812根據(jù)加工過程來準備，在該加工過程中相應的導 電抽頭840A、840B以及電阻盤826都被形成為具有第二寬度W7，之后每個相應的導電抽頭 840A、840B的體積被顯著減小。該體積減小是經(jīng)由沿它們的長度L5去除至少一部分相應的 導電抽頭840A、840B，從而將該相應的導電抽頭從第二寬度^減小到第一寬度^來進行的。 在該實施例中，被減小之前的“全寬度”的導電抽頭840A、840B由虛線845表示。在一個實施例中，相應的導電抽頭840A、840B初始時形成為具有第一寬度W6,電阻 盤具有第二寬度W7,其中對圍繞在電阻盤826周圍的區(qū)進行掩膜，使得初始時就將相應導電 抽頭840A、840B的導電材料沉積成它們的最終寬度，該最終寬度等于第一寬度W6。與先前聯(lián)系圖1 圖32所描述的實施例一致的其它技術(shù)也可以用于限定從電阻 盤826延伸的導電抽頭840A、840B(或850A、850B)的大致狹窄的寬度W6。圖34是根據(jù)本公開的一個實施例，加熱元件822的俯視圖。在一個實施例中，除 了包括具有漸縮端部852的導電抽頭850A、850B (而不是導電抽頭840A、840B)之外，加熱 元件822包括和加熱元件812基本上相同的特征和屬性。如圖34中所示，每個導電抽頭 850A、850B的漸縮端部852相對于電阻盤826的端部大致成鈍角。在另一個方面，漸縮端部 852相對于導電元件878的端部并且相對于導電元件879的邊緣843大致成鈍角。本公開的實施例通過在加熱元件的電阻部分的端部及側(cè)壁處建立低輪廓的形貌， 從而增加了流體噴射裝置(例如，打印頭組件)的加熱元件的壽命。這些低輪廓的形貌又 促使形成了大致上更加平滑且強度更大的上層(例如，鈍化層和氣穴阻擋層)，以便更好的 抵抗某些墨液和流體的腐蝕作用。另外，圍繞在電阻盤周圍的具有被減小形貌的導電元件 通過增大加熱元件的熱效率來為加熱元件提供增加的壽命。該減小的形貌有效地阻止了或 至少減小了從電阻盤到導電元件的傳熱，使得由電阻盤生成的熱量中更多的部分被應用于 流體腔室內(nèi)的墨液或流體，而不是損失在側(cè)向地圍繞在該電阻盤周圍的薄膜層中。盡管以上描述涉及并包括形成在噴墨打印頭組件內(nèi)加熱區(qū)域的電阻部分的低輪 廓形貌，其中噴墨打印頭組件作為流體噴射系統(tǒng)的流體噴射組件的一個實施例，但是要理 解的是，該低輪廓的電阻形貌可以被結(jié)合到包括有非打印應用或系統(tǒng)的其它流體噴射系統(tǒng) 中，例如，醫(yī)療裝置等等。盡管本文中已經(jīng)示出并描述了具體實施例，但是本領域中的技術(shù)人員將會認識 到，在不背離本公開范圍的情況下，可以用各種替換和/或等同的實施方式替代所示出并 描述的具體實施例。本申請旨在覆蓋本文所詳述的具體實施例的任何改變或變型。因此， 本公開僅由所附權(quán)利要求及其等同物限制。
權(quán)利要求
一種制造打印頭的方法，所述方法包括在所述打印頭的加熱區(qū)域(102)內(nèi)形成電阻帶(270)，包括形成包含有中央電阻區(qū)域(226)的電阻層(230)，所述中央電阻區(qū)域(226)介于兩個間隔開的導電元件(178，179/478，479/678，679)之間，其中所述電阻層與第一導電層(154/454)覆蓋在所述加熱區(qū)域的側(cè)區(qū)(260/561)內(nèi)的襯底(151)上，所述側(cè)區(qū)從各自的所述導電元件的相對側(cè)邊緣以及從所述電阻層的中央電阻區(qū)域的相對側(cè)邊緣(272)側(cè)向向外延伸；在對所述加熱區(qū)域的第一部分進行保護的同時，從所述打印頭的總線區(qū)域(111)中至少去除第二導電層(180/480)，包括至少在所述加熱區(qū)域的側(cè)區(qū)的肩部(257/580)內(nèi)保護所述電阻層和所述第一導電層，其中所述肩部緊鄰著所述中央電阻區(qū)域的相對側(cè)邊緣；以及至少從所述加熱區(qū)域的側(cè)區(qū)的肩部去除所述電阻層和所述第一導電層，以便限定所述中央電阻區(qū)域的側(cè)壁(277/577)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，形成所述加熱區(qū)域的電阻帶包括形成在 各自的所述導電元件下延伸的電阻層(630)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，形成所述加熱區(qū)域的電阻帶包括形成覆 蓋各自的所述導電元件的電阻層(230/500)。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述襯底支撐著絕緣層(152)，而且在完 成形成的所述加熱區(qū)域中，所述中央電阻區(qū)域的頂表面(273)以不大于所述中央電阻區(qū)域 厚度兩倍的距離豎直間隔地位于所述絕緣層的頂表面上方。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，去除所述第二導電層包括在從所述總線 區(qū)域中去除所述第二導電層的期間，對所述打印頭的基本上整個加熱區(qū)域進行保護；而且 至少從所述側(cè)區(qū)的肩部去除所述電阻層和所述第一導電層包括從所述加熱區(qū)域的基本上 整個側(cè)區(qū)去除所述電阻層和所述第一導電層。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，其特征在于，所述總線區(qū)域中第二導電層的去除深度 明顯大于從所述加熱區(qū)域側(cè)區(qū)的肩部去除所述電阻層和所述第一導電層的深度。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，在從所述總線區(qū)域中去除所述第二導電 層的期間至少保留所述肩部包括，所述肩部具有所述側(cè)區(qū)的至少一半寬度，以便允許在從 所述總線區(qū)域中去除所述第二導電層的同時在所述加熱區(qū)域側(cè)區(qū)的肩部外去除所述電阻 層和所述第一導電層。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其特征在于，至少從所述側(cè)區(qū)的肩部中去除所述電阻 層和所述第一導電層包括，從所述加熱區(qū)域的側(cè)區(qū)的肩部中去除所述電阻層和所述第一導 電層，而不從所述側(cè)區(qū)的其它部分中去除所述第一導電層。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述相應的導電元件具有的厚度明顯大 于所述第一導電層的厚度。
10.一種根據(jù)權(quán)利要求1、2、3、4、5、6、7、8、或9所述方法形成的流體噴射裝置的加熱元 件(112/412/612)，其特征在于，所述加熱元件包括所述絕緣層，其被支撐在所述襯底上；所述兩個相應的導電元件，其在所述絕緣層上彼此間隔開；以及所述中央電阻區(qū)域，其覆蓋在所述絕緣層上并且介于所述相應的導電元件之間；以及上部結(jié)構(gòu)，其在所述電阻層上限定流體腔室；其中，所述絕緣層限定了所述肩部，所述肩部緊鄰著所述中央電阻區(qū)域的側(cè)邊緣，所述 肩部以不大于所述中央電阻區(qū)域厚度兩倍的距離豎直間隔地位于所述電阻部分的頂表面 之下。
全文摘要
本發(fā)明公開了流體噴射裝置加熱元件(112/412/612)的實施例。
文檔編號B41J2/16GK101945768SQ200880100498
公開日2011年1月12日 申請日期2008年7月25日 優(yōu)先權(quán)日2007年7月26日
發(fā)明者A·M·富勒, B·D·鐘, B·沙, G·E·克拉克, O·伊爾迪林 申請人:惠普開發(fā)有限公司