專利名稱：存儲(chǔ)芯片及其在間隙供電時(shí)的充電控制方法、耗材容器、成像設(shè)備的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種存儲(chǔ)芯片及其在間隙供電時(shí)的充電控制方法，具體地說(shuō)，涉及一種用于耗材容器的存儲(chǔ)芯片及其間隙供電時(shí)的充電控制方法，本發(fā)明還涉及具有上述存儲(chǔ)芯片的耗材容器、成像設(shè)備。
背景技術(shù)：
本發(fā)明所說(shuō)的成像設(shè)備是指將文字、圖案等電信號(hào)轉(zhuǎn)換為在紙張等介質(zhì)上形成可視圖像的設(shè)備，例如噴墨類或激光類的打印機(jī)、復(fù)印機(jī)、傳真機(jī)及多功能一體機(jī)。常用的兩種打印機(jī)是噴墨打印機(jī)和激光打印機(jī)，噴墨打印機(jī)使用容納有墨水的墨盒作為耗材容器向打印機(jī)提供打印用的墨水，以在紙張上形成需要打印的文字或圖案；激光打印機(jī)則使用容納有碳粉的碳粉盒作為耗材容器向打印機(jī)提供打印用的碳粉，以在介質(zhì)上形成需要打印的文字或圖案，復(fù)印機(jī)、傳真機(jī)及多功能一體機(jī)的成像原理、使用耗材容器等與打印機(jī)基本相同。本發(fā)明所說(shuō)的耗材是指墨水或碳粉。如圖1所示，耗材容器的殼體上一般都安裝有存儲(chǔ)芯片13，存儲(chǔ)芯片13具有一塊基板16，在基板16上安裝有電子模塊17，電子模塊17用于存儲(chǔ)與成像設(shè)備通訊所需的數(shù)據(jù)、實(shí)現(xiàn)與成像設(shè)備之間的通訊操作，其中包括接收成像設(shè)備信號(hào)及電能的通訊部分和集成電路部分，通訊部分一般是電觸點(diǎn)或感應(yīng)線圈，集成電路部分中包括有一個(gè)存儲(chǔ)單元和一個(gè)控制單元，該存儲(chǔ)單元中存儲(chǔ)與耗材容器相關(guān)的數(shù)據(jù)和打印過(guò)程中產(chǎn)生的數(shù)據(jù)，包括 耗材容器廠家代碼、耗材容器生產(chǎn)日期、耗材容器型號(hào)、總打印量、已消耗打印頁(yè)數(shù)、耗材容器內(nèi)耗材余量、耗材容器的初始打印時(shí)間、上一打印操作時(shí)間等，控制單元與存儲(chǔ)單元連接，用于控制存儲(chǔ)單元的數(shù)據(jù)存取操作。當(dāng)耗材容器安裝到成像設(shè)備上時(shí)，成像設(shè)備會(huì)讀取存儲(chǔ)芯片13存儲(chǔ)單元中的數(shù)據(jù)并與成像設(shè)備自身存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)進(jìn)行比較，判斷該耗材容器是否適用于該臺(tái)成像設(shè)備；在工作過(guò)程中，成像設(shè)備還會(huì)實(shí)時(shí)讀取或?qū)懭氪鎯?chǔ)芯片13中存儲(chǔ)單元的打印相關(guān)數(shù)據(jù)，當(dāng)耗材耗盡時(shí)，成像設(shè)備提示更換耗材容器，防止成像設(shè)備在缺少耗材的情形下進(jìn)行打印工作。 成像設(shè)備關(guān)機(jī)或在成像設(shè)備的工作過(guò)程中，均會(huì)出現(xiàn)對(duì)存儲(chǔ)芯片13停止供電的情況，因此，存儲(chǔ)芯片13必須具備在停止供電的情況下仍能繼續(xù)保存數(shù)據(jù)，完成數(shù)據(jù)存儲(chǔ)的功能， 因此，大部分的存儲(chǔ)芯片13的存儲(chǔ)單元中都采用非易失性存儲(chǔ)器，如EEPROM作為存儲(chǔ)單元，然而EEPROM的寫(xiě)入速度較慢，必須將待寫(xiě)入地址擦除，然后才能進(jìn)行數(shù)據(jù)寫(xiě)入操作。為了提高存儲(chǔ)芯片13的寫(xiě)入速度，存儲(chǔ)芯片13的存儲(chǔ)單元常常同時(shí)包括有非易失性存儲(chǔ)器 (EEPROM)和易失性存儲(chǔ)器(SRAM)，并在存儲(chǔ)芯片13的電子模塊17中設(shè)置電源控制單元和第一蓄電單元，如圖2所示，常用的蓄電單元是電容，圖2中采用電容Cl作為第一蓄電單元。當(dāng)成像設(shè)備給存儲(chǔ)芯片13供電時(shí)，將非易失性存儲(chǔ)器中的數(shù)據(jù)傳送到易失性存儲(chǔ)器中，成像設(shè)備對(duì)非易失性存儲(chǔ)器的讀寫(xiě)操作實(shí)際轉(zhuǎn)化為對(duì)易失性存儲(chǔ)器的讀寫(xiě)操作；當(dāng)成像設(shè)備停止供電時(shí)，電源控制單元將存儲(chǔ)芯片13的供電電源切換到電容Cl，由電容Cl繼續(xù)給易失性存儲(chǔ)器供電。然而，若外部的成像設(shè)備是進(jìn)行間隙式供電，即每次供電(檢驗(yàn))的時(shí)間在幾十 幾百微秒，接著在幾十微秒或幾十毫秒之間短時(shí)間掉電，之后又開(kāi)始下一輪的數(shù)據(jù)通訊，由于電容Cl容量較大以滿足給存儲(chǔ)芯片13供電的需求，且從成像設(shè)備到存儲(chǔ)芯片13之間一般都設(shè)置有限流電阻，以防止電流過(guò)大損壞存儲(chǔ)芯片13，因此，短時(shí)間內(nèi)不能將電容Cl充滿電；當(dāng)成像設(shè)備停止供電時(shí)，由于電容Cl沒(méi)有充滿電，不能滿足易失性存儲(chǔ)器中將數(shù)據(jù)讀寫(xiě)操作執(zhí)行完畢的電量需求。
為了解決上述作為蓄電單元的電容Cl在成像設(shè)備采用間隙式供電時(shí)不能在間隙供電期間被充滿電的問(wèn)題，有些存儲(chǔ)芯片13在電源控制單元的輸出端口 VCC增加一個(gè)電容量較小的第二蓄電單元(電容C2)及充電控制部分作為電源控制單元的組成部分，如圖3 所示，設(shè)置充電控制單元控制VDD給電容Cl單向充電，設(shè)置兩個(gè)PMOS管Ql和Q2作為電容 Cl和電容C2的切換開(kāi)關(guān)，利用比較器UO比較成像設(shè)備供電端VDD與電容Cl端V_BAT的電壓，當(dāng)成像設(shè)備VDD對(duì)存儲(chǔ)芯片13停止供電時(shí)，存儲(chǔ)芯片13的集成電路部分由電容C2供電，上述方案雖然能在成像設(shè)備VDD采用間隙式供電時(shí)，交替采用電容Cl和電容C2給存儲(chǔ)芯片13供電，然而，當(dāng)成像設(shè)備VDD掉電時(shí)，比較器UO輸出高電平，此時(shí)PMOS管Ql關(guān)閉， PMOS管Q2導(dǎo)通，VDD短時(shí)間供電，由于電容Cl未充滿電，電容C2已充滿，此時(shí)，電容C2經(jīng)過(guò)PMOS管Q2向電容Cl放電，使得VCC的電源很快下降到很低，仍然造成了存儲(chǔ)單元中易失性存儲(chǔ)器的數(shù)據(jù)丟失。發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的主要目的是提供一種在外部間隙供電時(shí)確保易失性存儲(chǔ)器中數(shù)據(jù)不被丟失的存儲(chǔ)芯片，以彌補(bǔ)上述現(xiàn)有技術(shù)的不足。
為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供的存儲(chǔ)芯片包括電子模塊，該電子模塊包括通訊部分、與通訊部分連接的集成電路部分、與集成電路部分連接的電源控制部分及與電源控制部分連接的第一蓄電單元，該電源控制部分包括充電控制單元、第二蓄電單元、開(kāi)關(guān)切換單元及備用電源控制單元，開(kāi)關(guān)切換單元用于與外部供電電源及第二蓄電單元連接，充電控制單元用于與外部供電電源及第一蓄電單元連接，備用電源控制單元與開(kāi)關(guān)切換單元連接。
由上方案可見(jiàn)，由于存儲(chǔ)芯片的電子模塊內(nèi)設(shè)置有備用電源控制單元，當(dāng)成像設(shè)備的外部供電電源對(duì)存儲(chǔ)芯片供電時(shí)，備用電源控制單元控制關(guān)斷所述第一蓄電單元和第二蓄電單元之間的通路，使得成像設(shè)備的外部供電電源對(duì)第一蓄電單元和第二蓄電單元充電，先充滿電的蓄電單元不能通過(guò)二者間的通路向另一蓄電單元放電；當(dāng)成像設(shè)備的外部供電電源對(duì)存儲(chǔ)芯片掉電時(shí)，備用電源控制單元判斷掉電時(shí)間是否短于第二蓄電單元維持該存儲(chǔ)芯片供電時(shí)間的三分之一、并比較第一蓄電單元和第二蓄電單元的電壓大小，若掉電時(shí)間短于第二蓄電單元供電時(shí)間的三分之一或第一蓄電單元的電壓小于第二蓄電單元的電壓，控制關(guān)斷第一蓄電單元和第二蓄電單元之間、以及第二蓄電單元及外部供電電源的通路，使得外部供電電源短時(shí)間掉電、或第一蓄電單元的未能充滿時(shí)，利用第二蓄電單元對(duì)該存儲(chǔ)芯片進(jìn)行供電，否則，控制利用第一蓄電單元對(duì)存儲(chǔ)芯片進(jìn)行供電；如此，可在成像設(shè)備的外部供電電源對(duì)存儲(chǔ)芯片進(jìn)行間隙式供電的情況下，保證給存儲(chǔ)芯片供電的穩(wěn)定性，進(jìn)而確保其存儲(chǔ)單元中的數(shù)據(jù)不被丟失。CN 102529460 A
其進(jìn)一步技術(shù)方案是，備用電源控制單元包括互連的比較部分和控制部分，比較部分包括第一比較器和第二比較器，第一比較器用于與外部供電電源及第一蓄電單元連接，第二比較器與第一蓄電單元及第二蓄電單元連接，控制部分包括掉電延遲單元和邏輯門(mén)單元，掉電延遲單元用于與外部供電電源及邏輯門(mén)單元連接，邏輯門(mén)單元與比較單元連接。
由上方案可見(jiàn)，備用電源控制單元中采用比較部分，可以對(duì)第一蓄電單元及第二蓄電單元的電壓進(jìn)行比較，還可以對(duì)第一蓄電單元及外部供電電源的電壓進(jìn)行比較，以判斷是否關(guān)斷第一蓄電單元與第二蓄電單元之間的通路，控制部分能夠根據(jù)比較部分的結(jié)果，作出關(guān)斷或打開(kāi)第一蓄電單元和第二蓄電單元之間通路的控制命令；由此，確保在成像設(shè)備間隙式供電的情況下，仍舊保證對(duì)存儲(chǔ)芯片的穩(wěn)定供電，防止存儲(chǔ)單元中的數(shù)據(jù)丟失。
本發(fā)明的另一目的是提供了一種存儲(chǔ)芯片在間隙供電時(shí)的充電控制方法，該存儲(chǔ)芯片的結(jié)構(gòu)如上方案所述，該控制方法是在外部供電電源上電時(shí)備用電源控制單元控制開(kāi)關(guān)切換單元來(lái)打開(kāi)外部供電電源及第二蓄電單元之間的通路、并關(guān)斷第一蓄電單元與第二蓄電單元之間的通路；在外部供電電源掉電時(shí)備用電源控制單元判斷掉電時(shí)間是否短于第二蓄電單元供電時(shí)間的三分之一，并比較第一蓄電單元及第二蓄電單元的電壓大小，若掉電時(shí)間短于供電時(shí)間的三分之一，或第一蓄電單元的電壓小于第二蓄電單元時(shí)，備用電源控制單元控制開(kāi)關(guān)切換單元關(guān)斷外部供電電源及第二蓄電單元之間、以及第一蓄電單元及第二蓄電單元之間的通路；當(dāng)?shù)綦姇r(shí)間長(zhǎng)于等于供電時(shí)間的三分之一且第一蓄電單元的電壓大于等于第二蓄電單元時(shí)，備用電源控制單元控制開(kāi)關(guān)切換單元來(lái)關(guān)斷外部供電電源及第二蓄電單元之間的通路、并打開(kāi)第一蓄電單元及第二蓄電單元之間的通路。
由上方案可見(jiàn)，通過(guò)備用電源控制單元控制開(kāi)關(guān)切換單元，對(duì)第一蓄電單元和第二蓄電單元之間、以及外部供電電源及第二蓄電單元之間的通路打開(kāi)或關(guān)斷，使得成像設(shè)備的外部供電電源對(duì)存儲(chǔ)芯片間隙式供電時(shí)，對(duì)第一蓄電單元和第二蓄電單元進(jìn)行充電， 不會(huì)發(fā)生充滿電后蓄電單元向低電壓位置放電的情況，當(dāng)成像設(shè)備的外部供電電源短時(shí)間掉電時(shí)，采用充滿電的蓄電單元對(duì)存儲(chǔ)芯片供電，因此，保證對(duì)存儲(chǔ)芯片的穩(wěn)定供電，確保其存儲(chǔ)單元中的數(shù)據(jù)不被丟失。
本發(fā)明的又一目的是提供一種耗材容器，包括殼體，殼體圍成容納耗材的腔體，殼體的外壁上安裝有如上所述的存儲(chǔ)芯片。
本方案所提供耗材容器由于安裝有如上存儲(chǔ)芯片，因此，可以在成像設(shè)備處于供電電源間隙式供電的情況下，仍能確保對(duì)存儲(chǔ)芯片的穩(wěn)定供電，保證存儲(chǔ)單元中的數(shù)據(jù)不會(huì)因此而丟失。
本發(fā)明的又一目的是提供一種成像設(shè)備，包括成像單元和耗材容器，耗材容器上安裝有如上所述的存儲(chǔ)芯片。
成像設(shè)備上的耗材容器上設(shè)置有如上所述的存儲(chǔ)芯片，成像設(shè)備對(duì)該存儲(chǔ)芯片間隙式供電時(shí)，存儲(chǔ)芯片中的數(shù)據(jù)不會(huì)丟失。


圖I是現(xiàn)有存儲(chǔ)芯片的邏輯結(jié)構(gòu)示意圖。
圖2是現(xiàn)有存儲(chǔ)芯片中電子模塊的邏輯結(jié)構(gòu)示意圖。
圖3是現(xiàn)有存儲(chǔ)芯片中電源控制單元、蓄電單元及成像設(shè)備的連接示意圖。
圖4是本發(fā)明存儲(chǔ)芯片實(shí)施例的邏輯結(jié)構(gòu)示意圖。
圖5是本發(fā)明存儲(chǔ)芯片實(shí)施例之電子模塊的邏輯結(jié)構(gòu)示意圖。
圖6是本發(fā)明存儲(chǔ)芯片實(shí)施例之電源控制單元與第一蓄電單元及激光打印機(jī)的連接示意圖。
圖7是本發(fā)明存儲(chǔ)芯片實(shí)施例之備用電源控制單元的結(jié)構(gòu)示意圖。
圖8是本發(fā)明碳粉盒實(shí)施例的示意圖。
圖9是本發(fā)明打印機(jī)實(shí)施例的示意圖。
下面結(jié)合附圖和實(shí)施例對(duì)本發(fā)明進(jìn)一步進(jìn)行說(shuō)明。具體實(shí)施方式

存儲(chǔ)芯片實(shí)施例本發(fā)明提供的存儲(chǔ)芯片23用于碳粉盒，參見(jiàn)圖4及圖5，該存儲(chǔ)芯片23包括基板26、 安裝于基板26上的電子模塊27，電子模塊27包括通訊部分、與通訊部分連接的集成電路部分、與集成電路部分連接的電源控制部分，以及與電源控制部分連接、作為第一蓄電單元的電容Cl，本例中，電觸點(diǎn)作為通訊部分用于接收激光打印機(jī)信號(hào)及電能，集成電路部分包括控制單元和存儲(chǔ)單元，存儲(chǔ)單元用于存儲(chǔ)與激光打印機(jī)進(jìn)行數(shù)據(jù)通訊所需的數(shù)據(jù)，其中包括碳粉的參數(shù)信息、打印過(guò)程的使用狀態(tài)信息等，上述信息可被控制單元進(jìn)行讀訪問(wèn)和寫(xiě)訪問(wèn)，從而可以實(shí)現(xiàn)激光打印機(jī)對(duì)碳粉盒的識(shí)別和使用過(guò)程狀態(tài)的記錄，控制單元與存儲(chǔ)單元連接，控制單元是該存儲(chǔ)芯片23與激光打印機(jī)通訊的控制核心，用于控制存儲(chǔ)單元的讀寫(xiě)操作，控制單元中包括和激光打印機(jī)的通訊協(xié)議、編碼和解碼協(xié)議，甚至密鑰認(rèn)證協(xié)議等，上述結(jié)構(gòu)與現(xiàn)有存儲(chǔ)芯片13的結(jié)構(gòu)相類似，區(qū)別在于，本例中的電源控制部分包括充電控制單元、作為第二蓄電單元的電容C2、開(kāi)關(guān)切換單元及備用電源控制單元，其具體結(jié)構(gòu)參見(jiàn)圖6及圖7，開(kāi)關(guān)切換單元用于與外部供電電源VDD及電容C2連接，充電控制單元用于與外部供電電源VDD及電容Cl連接，備用電源控制單元與開(kāi)關(guān)切換單元連接。
本實(shí)施例中采用PMOS管Ql和PMOS管Q2作為開(kāi)關(guān)切換單元，與現(xiàn)有的開(kāi)關(guān)切換單元結(jié)構(gòu)相同，如圖7所示，備用電源控制單元包括互連的比較部分和控制部分，比較部分包括第一比較器Ul和第二比較器U2,第一比較器Ul用于與激光打印機(jī)的外部供電電源VDD 及電容Cl連接，第二比較器U2與電容Cl及電容C2連接，控制部分包括掉電延遲單元和邏輯門(mén)單元，掉電延遲單元用于與激光打印機(jī)的外部供電電源VDD及邏輯門(mén)單元連接，邏輯門(mén)單元與比較單元連接，本例中采用邏輯與非門(mén)U4作為邏輯門(mén)單元，掉電延遲單元包括場(chǎng)效應(yīng)管Q3、作為第三蓄電單元的電容C3、電阻Rl和斯密特反相器U3，場(chǎng)效應(yīng)管Q3的柵極和源極相連接，且用于與激光打印機(jī)的外部供電電源VDD連接，場(chǎng)效應(yīng)管Q3的漏極與電容C3 的一端、電阻Rl的一端及斯密特反相器U3的輸入端連接，電容C3的另一端及電阻Rl的另一端接地，斯密特反相器U3的輸出端連接到邏輯與非門(mén)U4的輸入端；PM0S管Ql的柵極接第一比較器Ul的輸出端，PMOS管Ql的源極接電容Cl、存儲(chǔ)芯片23供電端VCC及PMOS管 Q2的漏極、PMOS管Ql的漏極接外部供電電源VDD，PM0S管Q2的柵極接邏輯與非門(mén)U4的輸出端，PMOS管Q2的源極接電容C2的一端，第一蓄電單元Cl的另一端及電容C2的另一端均接地。
本實(shí)施例的工作原理如下充電控制單元在激光打印機(jī)的外部供電電源VDD供電時(shí)給電容C2充電，當(dāng)VDD掉電時(shí)，將PMOS管Ql關(guān)閉，防止電容C2儲(chǔ)存的電荷經(jīng)PMOS管Ql 到VDD放電。比較部分是由第一比較器Ul及第二比較器U2組成，當(dāng)VDD上電時(shí)，VDD電壓高于電容C2正端電壓VCC，第一比較器Ul輸出低電平，PMOS管Ql導(dǎo)通，而邏輯與非門(mén)U4輸出高電平，PMOS管Q2關(guān)斷；在VDD上電后，電容C3經(jīng)場(chǎng)效應(yīng)管Q3充電，為了更快的對(duì)電容 C3充滿電，電路中電阻Rl的阻值應(yīng)取得大些，電容C3的容量小些，當(dāng)電容C3的充電電壓充到大于1/2 VCC電壓時(shí)，斯密特反向器U3輸出低電平，因此PMOS管Q2關(guān)斷。當(dāng)VDD掉電時(shí)，電容C3經(jīng)電阻Rl放電，由于斯密特反相器U3可以將低電平翻轉(zhuǎn)電壓做得很低，當(dāng)電容 C3正端電壓降到0. 8V左右時(shí)，斯密特反相器U3輸出高電平，放電時(shí)間系數(shù)為RX C3 X K，K 為放電比例系數(shù)，如70%，因此通過(guò)選擇恰當(dāng)?shù)碾娙軨3容量及電阻Rl的阻值，可得到從VDD 掉電到斯密特反相器U3翻轉(zhuǎn)所需放電時(shí)間,放電時(shí)間設(shè)為VDD間隙掉電中掉電時(shí)間最大值的2倍以上。因此當(dāng)VDD掉電時(shí)間小于放電時(shí)間時(shí)，斯密特反相器U3輸出低電平，則邏輯與非門(mén)U4輸出高電平，PMOS管Q2不導(dǎo)通。當(dāng)外部掉電時(shí)間超過(guò)放電時(shí)間后，斯密特反相器U3輸出高電平。當(dāng)外部電源VDD掉電后，當(dāng)?shù)谝槐容^器Ul及斯密特反相器U3輸出均為高電平情況下，第二比較器U2還要將電容Cl的正端電壓V_BAT與存儲(chǔ)芯片23供電端的電壓VCC進(jìn)行比較，當(dāng)電容Cl的電壓V_BAT小于存儲(chǔ)芯片23正端的電壓VCC時(shí)，第二比較器 U2輸出低電平，則邏輯與非門(mén)U4輸出高電平，PMOS管Q2關(guān)斷，當(dāng)電容Cl的電壓V_BAT大于存儲(chǔ)芯片正端的電壓VCC時(shí)，邏輯與非門(mén)U4輸出低電平，PMOS管Q2導(dǎo)通，電容Cl經(jīng)由 Q2給存儲(chǔ)芯片23提供備用電源。
由于VDD掉電后，存儲(chǔ)芯片23不再與激光打印機(jī)通信，存儲(chǔ)芯片23內(nèi)部邏輯電路處于靜止工作狀態(tài)，其靜態(tài)電流非常微小，在短時(shí)間內(nèi)完全由電容C2蓄電維持供電。
作為本發(fā)明存儲(chǔ)芯片實(shí)施例的一種變換，控制單元可以采用其他控制器(如MCU)， 采用其軟件設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)其功能；也可采用可編程邏輯器件(如CPLD，F(xiàn)PGA等)通過(guò)硬件編程來(lái)實(shí)現(xiàn)，上述變換均可實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的目的。
作為本發(fā)明存儲(chǔ)芯片實(shí)施例的另一種變換，控制單元中可以包括有為數(shù)據(jù)通訊提供協(xié)議或接口的接口單元，或者將接口單元設(shè)置在控制單元之外、電子模塊之內(nèi)，接口單元與控制單元連接，上述變換同樣可以實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的目的。
作為本發(fā)明存儲(chǔ)芯片實(shí)施例的又一種變換，第一蓄電單元、第二蓄電單元及第三蓄電單元可以采用可充電電池或其它可充電的蓄電裝置，電容可以是大容量鉭電容、電解電容或超級(jí)電容或法拉電容，上述變換均可實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的目的。
作為本發(fā)明存儲(chǔ)芯片實(shí)施例的又一種變換，場(chǎng)效應(yīng)管Q3可以替換為二極管或其他電子開(kāi)關(guān)管，上述變換均可實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的目的。
作為本發(fā)明存儲(chǔ)芯片實(shí)施例的又一種變換，還可以用于墨盒存儲(chǔ)芯片，此時(shí)，存儲(chǔ)單元存放的是與墨盒相關(guān)的數(shù)據(jù)，其結(jié)構(gòu)和工作原理與本實(shí)施例相似，該變換同樣可以實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的目的。
存儲(chǔ)芯片在間隙供電時(shí)的充電控制方法實(shí)施例本實(shí)施例中存儲(chǔ)芯片23的結(jié)構(gòu)如上述存儲(chǔ)芯片實(shí)施例所述，其在間隙供電時(shí)的充電控制方法是在激光打印機(jī)的外部供電電源VDD上電時(shí)備用電源控制單元的控制部分控制開(kāi)關(guān)切換單元來(lái)打開(kāi)外部供電電源VDD及電容C2之間的通路、并關(guān)斷電容Cl與電容C2之間的通路；在激光打印機(jī)的外部供電電源VDD掉電時(shí)備用電源控制單元的控制部分判斷掉電時(shí)間是否短于電容C2供電時(shí)間的三分之一，并比較電容Cl及電容C2的電壓大小，若掉電時(shí)間短于供電時(shí)間的三分之一，或電容Cl的電壓小于所述電容C2的電壓時(shí),備用電源控制單元的控制部分控制開(kāi)關(guān)切換單元關(guān)斷外部供電電源VDD及電容C2之間、以及電容Cl及電容C2之間的通路；當(dāng)?shù)綦姇r(shí)間長(zhǎng)于等于供電時(shí)間的三分之一且電容Cl的電壓大于等于電容C2時(shí)，備用電源控制單元的控制部分控制開(kāi)關(guān)切換單元來(lái)關(guān)斷外部供電電源VDD及電容C2之間的通路、并打開(kāi)電容Cl及電容C2之間的通路。
其工作原理與上存儲(chǔ)芯片實(shí)施例中所述類似在激光打印機(jī)的外部供電電源VDD 供電時(shí)給電容C2充電，當(dāng)VDD掉電時(shí)，備用電源控制單元將PMOS管Ql關(guān)閉，防止電容C2儲(chǔ)存的電荷經(jīng)PMOS管Ql到VDD放電。當(dāng)VDD上電時(shí)，備用電源控制單元的控制部分對(duì)開(kāi)關(guān)切換單元進(jìn)行控制，使得其中的PMOS管Ql導(dǎo)通，PMOS管Q2關(guān)斷；當(dāng)VDD掉電且VDD掉電時(shí)間小于電容C2維持該存儲(chǔ)芯片供電時(shí)間的三分之一時(shí)，PMOS管Q2不導(dǎo)通；當(dāng)外部電源 VDD掉電時(shí)，備用電源控制單元的比較部分還要將電容Cl的正端電壓V_BAT與存儲(chǔ)芯片23 供電端的電壓VCC進(jìn)行比較，當(dāng)電容Cl的電壓V_BAT小于存儲(chǔ)芯片23正端的電壓VCC時(shí)， PMOS管Q2關(guān)斷，當(dāng)電容Cl的電壓V_BAT大于存儲(chǔ)芯片23正端的電壓VCC時(shí)，PMOS管Q2 導(dǎo)通，電容Cl經(jīng)由Q2給存儲(chǔ)芯片23提供備用電源。由于在外部供電電源VDD掉電時(shí)，該存儲(chǔ)芯片23進(jìn)入靜態(tài)，其電流損耗非常小，此時(shí)由電容C2維持供電的時(shí)間必須大于外部供電電源VDD瞬間掉電時(shí)間的3倍，以保證其中的數(shù)據(jù)不會(huì)被丟失。
作為本發(fā)明存儲(chǔ)芯片數(shù)據(jù)顯示方法實(shí)施例的又一種變換，本發(fā)明所提供的方法還可以針對(duì)安裝在噴墨打印機(jī)上墨盒芯片，其具體工作過(guò)程與上述方法實(shí)施例相同。
碳粉盒實(shí)施例參見(jiàn)圖8，碳粉盒包括殼體，該殼體圍成容納碳粉的腔體，殼體的外壁上安裝有如上實(shí)施例所述的存儲(chǔ)芯片23。
作為本發(fā)明碳粉盒實(shí)施例的一種變換，可以是安裝有上述實(shí)施例所述存儲(chǔ)芯片23的墨盒。
打印機(jī)實(shí)施例激光打印機(jī)包括成像單元和碳粉盒，該碳粉盒上安裝有如上所述的存儲(chǔ)芯片23，其結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)圖參見(jiàn)圖9，圖中存儲(chǔ)芯片23未示出。
作為本發(fā)明打印機(jī)實(shí)施例的一種變換，還可以是復(fù)印機(jī)或傳真機(jī)或多功能一體機(jī)等其他成像設(shè)備，上述變換同樣可以實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的目的。
本發(fā)明不限于上述各實(shí)施例及變換，其他基于本發(fā)明技術(shù)方案且不違背本發(fā)明目的的方法及其組合變化也應(yīng)該包括在本發(fā)明權(quán)利要求的保護(hù)范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1.存儲(chǔ)芯片，包括電子模塊； 所述電子模塊包括通訊部分；與所述通訊部分連接的集成電路部分； 與所述集成電路部分連接的電源控制部分； 與所述電源控制部分連接的第一蓄電單元； 所述電源控制部分包括充電控制單元； 第二蓄電單元； 開(kāi)關(guān)切換單元；所述開(kāi)關(guān)切換單元用于與外部供電電源及所述第二蓄電單元連接；所述充電控制單元用于與所述外部供電電源及所述第一蓄電單元連接； 其特征在于所述電源控制部分還包括與所述開(kāi)關(guān)切換單元連接的備用電源控制單元。
2.如權(quán)利要求1所述的存儲(chǔ)芯片，其特征在于所述備用電源控制單元包括互連的比較部分和控制部分；所述比較部分包括第一比較器和第二比較器，所述第一比較器用于與所述外部供電電源及所述第一蓄電單元連接，所述第二比較器與所述第一蓄電單元及所述第二蓄電單元連接；所述控制部分包括掉電延遲單元和邏輯門(mén)單元，所述掉電延遲單元用于與所述外部供電電源及所述邏輯門(mén)單元連接，所述邏輯門(mén)單元與所述比較單元連接。
3.如權(quán)利要求2所述的存儲(chǔ)芯片，其特征在于所述掉電延遲單元包括場(chǎng)效應(yīng)管、第三蓄電單元、電阻和反相器，所述場(chǎng)效應(yīng)管用于與所述外部供電電源、所述第三蓄電單元的一端、所述電阻的一端及所述反相器的輸入端連接，所述第三蓄電單元的另一端及所述電阻的另一端接地，所述反相器的輸出端連接到所述邏輯門(mén)單元的輸入端。
4.如權(quán)利要求3所述的存儲(chǔ)芯片，其特征在于 所述邏輯門(mén)單元是邏輯與非門(mén)。
5.如權(quán)利要求廣4中任意一項(xiàng)所述的存儲(chǔ)芯片，其特征在于所述第一蓄電單元、所述第二蓄電單元及所述第三蓄電單元均是電容。
6.存儲(chǔ)芯片在間隙供電時(shí)的充電控制方法，該存儲(chǔ)芯片包括電子模塊；所述電子模塊包括通訊部分；與所述通訊部分連接的集成電路部分； 與所述集成電路部分連接的電源控制部分； 與所述電源控制部分連接的第一蓄電單元； 所述電源控制部分包括充電控制單元； 第二蓄電單元；開(kāi)關(guān)切換單元； 備用電源控制單元；所述開(kāi)關(guān)切換單元用于與所述外部供電電源及所述第二蓄電單元連接；所述充電控制單元用于與所述外部供電電源及所述第一蓄電單元連接；所述備用電源控制單元與所述開(kāi)關(guān)切換單元連接； 其特征在于在外部供電電源上電時(shí)所述備用電源控制單元控制所述開(kāi)關(guān)切換單元來(lái)打開(kāi)所述外部供電電源及所述第二蓄電單元之間的通路、并關(guān)斷所述第一蓄電單元與所述第二蓄電單元之間的通路；在所述外部供電電源掉電時(shí)所述備用電源控制單元判斷掉電時(shí)間是否短于所述第二蓄電單元供電時(shí)間的三分之一，并比較所述第一蓄電單元及所述第二蓄電單元的電壓大小，若所述掉電時(shí)間短于所述供電時(shí)間的三分之一，或所述第一蓄電單元的電壓小于所述第二蓄電單元時(shí)，所述備用電源控制單元控制所述開(kāi)關(guān)切換單元關(guān)斷所述外部供電電源及所述第二蓄電單元之間、以及所述第一蓄電單元及所述第二蓄電單元之間的通路；當(dāng)所述掉電時(shí)間長(zhǎng)于等于所述供電時(shí)間的三分之一且所述第一蓄電單元的電壓大于等于所述第二蓄電單元時(shí)，所述備用電源控制單元控制所述開(kāi)關(guān)切換單元來(lái)關(guān)斷所述外部供電電源及所述第二蓄電單元之間的通路、并打開(kāi)所述第一蓄電單元及所述第二蓄電單元之間的通路。
7.如權(quán)利要求6所述存儲(chǔ)芯片在間隙供電時(shí)的充電控制方法，其特征在于 所述備用電源控制單元包括互連的比較部分和控制部分；所述比較部分比較所述第一蓄電單元與所述第二蓄電單元之間的電壓大小，以及比較所述第一蓄電單元與所述外部供電電源的電壓大??；所述控制部分判斷外部供電電源的上電時(shí)間與掉電時(shí)間長(zhǎng)短，根據(jù)所述判斷結(jié)果及所述比較部分的比較結(jié)果，控制所述開(kāi)關(guān)切換單元以打開(kāi)或關(guān)斷所述第一蓄電單元及所述第二蓄電單元之間的通路。
8.如權(quán)利要求6或7所述存儲(chǔ)芯片在間隙供電時(shí)的充電控制方法，其特征在于 所述第一蓄電單元、所述第二蓄電單元及所述第三蓄電單元均是電容。
9.耗材容器，包括殼體，所述殼體圍成容納耗材的腔體， 其特征在于所述殼體的外壁上安裝有如權(quán)利要求1所述的存儲(chǔ)芯片。
10.成像設(shè)備，包括成像單元和耗材容器， 其特征在于所述耗材容器上安裝有如權(quán)利要求1所述的存儲(chǔ)芯片。
全文摘要
本發(fā)明提供一種存儲(chǔ)芯片，包括電子模塊，該電子模塊包括通訊部分、與通訊部分連接的集成電路部分、與集成電路部分連接的電源控制部分及與電源控制部分連接的第一蓄電單元，電源控制部分包括充電控制單元、第二蓄電單元及開(kāi)關(guān)切換單元，開(kāi)關(guān)切換單元用于與外部供電電源及第二蓄電單元連接；充電控制單元用于與外部供電電源及第一蓄電單元連接；電源控制部分還包括與開(kāi)關(guān)切換單元連接的備用電源控制單元；本發(fā)明還提供了一種在間隙供電時(shí)的充電控制方法，設(shè)置有上述存儲(chǔ)芯片的耗材容器及成像設(shè)備；采用本發(fā)明，能在外部間隙式供電時(shí)，保證存儲(chǔ)芯片中存儲(chǔ)單元的數(shù)據(jù)不被丟失。
文檔編號(hào)B41J29/393GK102529460SQ201110448949
公開(kāi)日2012年7月4日 申請(qǐng)日期2011年12月28日 優(yōu)先權(quán)日2011年12月28日
發(fā)明者秦正南 申請(qǐng)人:珠海天威技術(shù)開(kāi)發(fā)有限公司