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      打印頭晶片的制作方法

      文檔序號(hào):2513491閱讀:182來源:國知局
      打印頭晶片的制作方法
      【專利摘要】提供一種打印頭晶片,其包括基底和延伸通過所述基底的槽,所述槽包括第一槽部段和分立的第二槽部段,所述第二槽部段沿著主軸并沿著正交的副軸相對(duì)于所述第一槽部段偏置。
      【專利說明】打印頭晶片
      【背景技術(shù)】
      [0001]當(dāng)今在打印機(jī)構(gòu)中廣泛使用噴墨打印頭。繼而,這些打印機(jī)構(gòu)進(jìn)入到許多產(chǎn)品中,舉例來說,如桌面打印機(jī)、便攜式打印機(jī)、繪圖器、復(fù)印機(jī)、照片打印機(jī)、票據(jù)打印機(jī)、視頻打印機(jī)、銷售點(diǎn)終端、傳真機(jī)以及多合一裝置(例如打印機(jī)、掃描儀、復(fù)印機(jī)和傳真中的至少兩種的組合)等等。
      [0002]打印頭通常具有多個(gè)液體噴射元件(經(jīng)常稱作“噴嘴”),其以線性取向設(shè)置,沿著線性陣列的主軸具有特定長度。這種長度可以稱作打印頭的“高度”,但是所述打印頭能夠在任何方向取向。沿著所述線性陣列副軸的長度(正交于所述打印頭的高度的方向)可以稱作“寬度”。總體來說,對(duì)于給定長度,打印頭越寬,打印頭的面積越大,并且打印頭的成本越聞。
      【專利附圖】

      【附圖說明】
      [0003]圖1是根據(jù)本公開實(shí)施例的用于噴出特定液體滴的打印頭晶片的示意圖。
      [0004]圖2是本公開實(shí)施例的圖1中打印頭晶片的一部分的放大示意圖,示出了兩列相鄰噴嘴包裝件的端部。
      [0005]圖3是根據(jù)本公開另ー實(shí)施例的用于噴出多種不同液體滴的打印頭晶片的示意圖。
      [0006]圖4是制造打印頭晶片的方法的根據(jù)本公開實(shí)施例的流程圖。
      【具體實(shí)施方式】
      [0007]在噴墨打印機(jī)中,當(dāng)打印機(jī)的打印頭、打印媒質(zhì)或者二者都相對(duì)于彼此移動(dòng)時(shí),滴沉積在打印媒質(zhì)上。為了增加打印機(jī)的呑吐量,所述打印機(jī)可以設(shè)置成使得所述打印頭具有至少如打印媒質(zhì)的對(duì)應(yīng)尺寸一樣大的高度。這樣,在運(yùn)行中,打印媒質(zhì)可以在打印頭之下通過,滴可以單次沉積在整個(gè)可打印區(qū)域上。這可以有效降低否則與跨過打印媒質(zhì)使打印頭往復(fù)運(yùn)動(dòng)以覆蓋整個(gè)可打印區(qū)域相關(guān)的延遲。
      [0008]噴墨打印頭通常使用集成電路和/或微機(jī)加工制作技術(shù)而制作在基底(例如硅晶片)上。噴嘴可以布置在供給槽的任ー側(cè)上,所述供給槽完全穿過所述晶片而形成。供給槽將液體供給到用于噴射的噴嘴。在稱為“熱噴墨”的ー類噴墨技術(shù)中,加熱元件(例如電阻器)迅速加熱小體積的液體,形成引起至少一滴液體噴射的氣泡。運(yùn)行所述噴嘴所需要的電能量通常在表面邊緣處連接到所述晶片。
      [0009]如本文和所附的權(quán)利要求所限定的,“液體”應(yīng)該寬泛地理解為代表非主要由氣體組成的流體。另外,取向和相對(duì)位置的術(shù)語(例如“頂部”、“底部”、“側(cè)面”、“高度”、“寬度”、“長度”等)并非_在要求任何元件或組件的特定取向,而是為了便于解釋和說明而使用。
      [0010]在前述設(shè)置中,因?yàn)楣┙o槽延伸完全穿過所述晶片,將能量傳送至噴發(fā)電阻器的電跡線必須在所述槽的周圍布線。槽的長度越長,用于從所述槽的一個(gè)側(cè)面到另ー個(gè)側(cè)面獲取能量的電跡線越長。所述晶片上顯著長的電跡線引起電壓降沿著跡線長度増加(由于所述跡線的寄生電阻),尤其對(duì)于傳送顯著數(shù)量電流的跡線。
      [0011]在具有大于約一英寸高度的打印頭中,這些電壓降可能變得足夠大以致阻止與所述晶片的電連接件最接近的噴嘴和/或與所述晶片的電連接件最遠(yuǎn)離的噴嘴在他們的可允許電壓范圍內(nèi)運(yùn)行。如果發(fā)生這種情況,從不同噴嘴噴射的墨滴大小可能改變,一些噴嘴可能不能噴出滴,一些噴嘴可能被損壞。所有這些影響導(dǎo)致打印輸出的質(zhì)量下降。
      [0012]現(xiàn)在參照附圖,其示出了示例性打印頭晶片,其中,電跡線將合適的電功率提供到所述晶片的各種噴嘴以產(chǎn)生要求質(zhì)量的打印輸出。如所示出,所述晶片可以提供多個(gè)供給槽以將相同的液體供給到更寬噴嘴陣列中的不同噴嘴子組中。供給槽和噴嘴子組可以沿著所述晶片的主軸延伸。所述打印頭晶片上的各種部件的布局和形狀使得所述晶片的(沿著副軸的)寬度最小,同時(shí)將合適的功率分配提供到所有噴嘴,因此減少了打印頭晶片的成本。
      [0013]圖1中示出了示例性打印頭晶片10,所述打印頭晶片具有槽設(shè)置,在所述槽設(shè)置中,全長度槽20穿過基底11形成,所述全長度槽被分割成用于穿過所述晶片供給相同液體的多個(gè)更小的分立槽部段20a-20d (在圖1中總體用陰影條表示)。如圖所示,所述槽部段可以形成多列,每列包括至少ー個(gè)槽部段。據(jù)此,槽部段20a-20d限定兩個(gè)實(shí)質(zhì)上平行的列
      12、14,每列包括一對(duì)對(duì)齊的槽部段,其平行于另一列中的槽部段。雖然在圖1中示出每列帶有兩個(gè)槽部段,可以使用更多或更少的槽部段。
      [0014]如所示出,列12相對(duì)于列14在副軸方向4上偏置槽至槽間隔30。在一些示例中,所述槽至槽間隔30可以為大約1000微米。將理解的是,槽至槽間隔30可以部分地根據(jù)在所述槽部段之間延伸電跡線的要求來確定。還將理解的是,所述槽至槽間隔30影響晶片10的寬度35。繼而,寬度35影響所述晶片的成本。
      [0015]所述槽部段可以錯(cuò)開以使得相鄰槽部段處于不同行。(在不同列中的)相鄰槽部段(例如槽部段20a、20b)還沿著主軸方向2彼此偏置。通常,(同樣,在不同列中的)相鄰槽部段設(shè)置成使得所述槽部段的相鄰端部沿著相同副軸定位。例如,槽部段20b、20c的相鄰端部沿著相同的副軸32。同樣地,槽部段20a、20b的相鄰端部沿著相同的副軸,槽部段20c、20d的相鄰端部也如此,等等。這種定位有利于在打印運(yùn)行期間把與兩個(gè)列12、14的槽部段均相關(guān)的噴嘴當(dāng)做高度37的實(shí)質(zhì)線性的噴嘴陣列處理,其中所述噴嘴沿著主軸2等距地間隔。因此所述槽部段可以用作單個(gè)的全長度槽。
      [0016]在一些示例中,(在不同列中的)相鄰槽部段的相鄰端部可以沿幾個(gè)噴嘴與所述副軸32重合,以允許補(bǔ)償例如將從端部噴嘴噴射的滴打歪的影響,或者為了將足夠的液體流提供到所述端部噴嘴。在這種示例中,在打印運(yùn)行期間可以選擇使用達(dá)到要求打印性能的疊置噴嘴。在所述晶片是頁面寬度陣列晶片時(shí),所述高度37可以為一至四英寸,或者更多。
      [0017]電功率、以及數(shù)據(jù)和/或控制信號(hào),可以通過接觸墊42連接到打印頭晶片10。每個(gè)接觸墊42與各個(gè)功率連接件、數(shù)據(jù)信號(hào)或者控制信號(hào)關(guān)聯(lián)。通常,至少ー個(gè)接觸墊42在特定列中的每兩個(gè)槽部段之間布置在晶片10上。例如,接觸墊42a在槽部段20a、20c之間布置在列12中。
      [0018]電跡線40在副軸方向4上從接觸墊42延伸跨過晶片10。因?yàn)樗霾鄄慷瓮耆┻^所述晶片,所述電跡線在所述槽部段周圍布線。因而選擇所述槽至槽間隔30從而足以允許例如電跡線40a在槽部段20a的下端部和槽部段20b的上端部之間通過。因而電跡線40a能夠與布置在槽部段20a、20b的與接觸墊42a相對(duì)的側(cè)面上的電子器件連接。雖然基于清晰的因素而沒有圖示,將理解的是,從墊42a的電跡線也可以與槽部段20a、20b的最接近接觸墊42a之側(cè)面上的電子器件直接連接。
      [0019]基于上文,電跡線40a的總體長度可以顯著地短于如果(例如)槽部段20a_20d全部組合成高度37的單個(gè)槽的情況。在那種情況下,所述跡線40a將長很多,因?yàn)槠鋵@所述晶片的頂部或底部端部布線以到達(dá)槽相對(duì)于所述墊的另ー側(cè)面上的電子器件。在頁面寬度陣列中,尤其對(duì)于傳送顯著數(shù)量電流(例如高達(dá)I安培)的功率跡線,由于所述跡線的寄生電阻,這種額外距離將導(dǎo)致不可接受的電壓降。
      [0020]然而,在本示例中,電跡線40a、40b的長度足夠短以確保施加到所有噴嘴(無論位置)的電壓都在公差之內(nèi)。這樣繼而有助于確保從不同噴嘴噴射的滴大小一致,并且確保所有噴嘴能夠噴出滴,其繼而有助于確保高質(zhì)量的打印輸出。
      [0021]現(xiàn)在更為詳細(xì)地考慮,并且參照?qǐng)D2,示出了打印頭晶片10的兩個(gè)相鄰的槽組60a、60b,每個(gè)組定位在不同列中。如所示出,噴嘴包裝件50布置成與槽的每個(gè)長邊相鄰或鄰接。每個(gè)噴嘴包裝件50可以實(shí)質(zhì)上為矩形,并且具有與所述槽部段高度實(shí)質(zhì)上相同的高度。
      [0022]如本文所用,“槽組”將寬泛地理解為表示槽部段和與所述槽部段的長邊鄰接或相鄰而布置的至少ー個(gè)噴嘴包裝件的設(shè)置?!皣娮彀b件”應(yīng)寬泛地理解為包括與槽部段的長邊鄰接或相鄰的間隔噴嘴的陣列,以使得通過所述槽部段供給的液體能夠流入到所述噴嘴包裝件的每個(gè)噴嘴中,用于隨后噴射。每個(gè)噴嘴包裝件還應(yīng)該理解為包括接收引起液體滴從各個(gè)噴嘴可控地噴射的功率、數(shù)據(jù)和/或控制信號(hào)的電子器件。所述電子器件的形狀要素示出為簡單的矩形,但是其他設(shè)置可以預(yù)期。所述功率數(shù)據(jù)和/或控制信號(hào)由所述電子器件通過可以連接到信號(hào)源位置(例如墊42a)的跡線接收。所述功率、數(shù)據(jù)和/或控制信號(hào)可以路由通過相鄰組60a、60b之間的對(duì)角線路徑70。
      [0023]每個(gè)噴嘴包裝件的所述電子器件可以包括例如與所述線性噴嘴陣列相鄰或鄰接布置的驅(qū)動(dòng)開關(guān)陣列。所述線性陣列中的每個(gè)噴嘴與所述驅(qū)動(dòng)開關(guān)陣列中的對(duì)應(yīng)驅(qū)動(dòng)開關(guān)關(guān)聯(lián)。通常,功率跡線(也稱為“噴發(fā)線路”)連接到所述噴嘴的噴發(fā)電阻器的ー個(gè)側(cè)面,并且所述對(duì)應(yīng)驅(qū)動(dòng)開關(guān)連接到所述噴發(fā)電阻器的另ー側(cè)面。所述驅(qū)動(dòng)開關(guān)還連接到參照電壓(通常為地線)跡線。所述驅(qū)動(dòng)開關(guān)控制通過所述噴發(fā)電阻器的電流流動(dòng)。當(dāng)所述驅(qū)動(dòng)開關(guān)打開時(shí),足以加熱所述液體并從所述噴嘴噴射滴的電流從所述功率跡線通過所述噴發(fā)電阻器流動(dòng)到地線。在一些示例中,所述驅(qū)動(dòng)開關(guān)是場效應(yīng)晶體管(FET)開關(guān),其中,所述噴發(fā)電阻器和地線連接到所述FET的漏源路徑,并且所述驅(qū)動(dòng)開關(guān)陣列是這種FET的陣列。
      [0024]所述電子器件還可以包括與所述驅(qū)動(dòng)開關(guān)陣列相鄰或鄰接布置的控制邏輯陣列。所述控制邏輯陣列接收數(shù)據(jù)和控制信號(hào)并確定所述液體滴是否和何時(shí)從特定噴嘴噴射。從所述控制邏輯陣列的輸出連接到每個(gè)驅(qū)動(dòng)開關(guān)的控制輸入(例如FET開關(guān)的柵極)。在ー些示例中,所述控制邏輯陣列對(duì)于每個(gè)FET驅(qū)動(dòng)開關(guān)包括大約五至十個(gè)邏輯類型的控制晶體管。然而,這些控制晶體管每個(gè)通常占據(jù)比所述FET驅(qū)動(dòng)開關(guān)更小的區(qū)域。
      [0025]在一些示例中,所述副軸方向4上的每個(gè)槽部段的寬度54為大約150微米。在主軸方向2上的每個(gè)槽部段的高度39可以為大約15000至30000微米。因而所述槽可以具有大約100比I或者更大的縱橫比。因而,對(duì)于頁面寬度打印頭晶片(其中每個(gè)槽部段具有大約1/2英寸的高度),每列中將存在八個(gè)槽部段(總共為16個(gè)槽部段),以達(dá)到8英寸的狹長高度。因此將理解的是,為了清楚之目的,附圖1至3不是按比例繪制的,并且沒有示出所有的所述槽部段。
      [0026]在一些示例中,噴嘴包裝件50的所述寬度52 (包括所述噴嘴陣列和所述電子器件)可以為大約400微米。在所述槽部段寬度54為大約150微米時(shí)(如上所述),并且在所述槽部段的每個(gè)側(cè)面上存在噴嘴包裝件吋,對(duì)應(yīng)槽組60a為大約950微米寬度。所述槽至槽間隔30不僅僅基于所述噴嘴包裝件50a、50b的寬度52,然而,還基于所述路徑70 (通過所述路徑70電跡線40a至少布線至噴嘴包裝件50d)在副軸方向4上的寬度。此外,功率、數(shù)據(jù)和/或控制信號(hào)可以經(jīng)由與電跡線40a (如圖所示)聯(lián)接或者直接從墊42a連接的跡線而提供至噴嘴包裝件50a的電子器件。這種電跡線能夠在不延伸通過路徑70的情況下連接到噴嘴包裝件50a的電子器件。
      [0027]繼而,跡線40a的長度和寬度,不僅取決于所述槽組的寬度,并且取決于在副軸方向4上的槽部段20a和20b之間的槽至槽間隔30。更大的間隔30產(chǎn)生更長的跡線40a。關(guān)于跡線40a的寬度,雖然為了清楚而圖示了一個(gè)跡線40a和墊42a,能理解的是,多個(gè)用于功率、數(shù)據(jù)和/或控制信號(hào)的不同跡線可以延伸通過路徑70。通常選擇路徑70的尺寸以適應(yīng)布線通過所述路徑70的跡線的數(shù)量和寬度?;蛘?,相反地表達(dá),所述路徑70的尺寸可以限制能夠布線通過所述路徑70的跡線的數(shù)量和/或?qū)挾取?br> [0028]將理解的是,由于功率跡線傳送更大數(shù)量的電流,所述功率跡線的寬度通常顯著地寬于數(shù)據(jù)或信號(hào)跡線的寬度。延伸通過所述路徑70的跡線越多和/或越寬,所述路徑本身越寬。因?yàn)椴鄄慷?0a、20b的相鄰端部被約束以保持沿著相同副軸32,以保持跨過槽部段20a和槽部段20b 二者在主軸方向2上的噴嘴等距間隔,通過增加所述槽至槽間隔30達(dá)到加寬所述路徑70。
      [0029]根據(jù)本公開的另一示例,并且參照?qǐng)D3,現(xiàn)在考慮用于噴出多種不同液體的滴的打印頭晶片,所述晶片可以是矩形頁面寬度陣列打印頭晶片410。所述晶片410采用基底的形式,所述基底具有在其上形成的總體上矩形的打印頭槽組460的設(shè)置。每個(gè)打印頭槽組460具有液體供給槽420,所述供給槽420在平分方向402上實(shí)質(zhì)上平分所述槽組460。每個(gè)槽組460還具有與所述液體供給槽部段420的每個(gè)側(cè)面相鄰或鄰接的噴嘴包裝件450。噴嘴包裝件450的ー個(gè)示例可以包括噴嘴陣列和電子器件。噴嘴包裝件450的另ー示例可以包括噴嘴陣列、驅(qū)動(dòng)開關(guān)陣列以及控制邏輯陣列,如上參照?qǐng)D2所述。
      [0030]如圖所示,用于給定液體(例如,特定顏色的液體)的噴嘴包裝件在所述平分方向402上在兩個(gè)交替列412、414中錯(cuò)開。所述晶片410具有在用于第一列412中的給定液體的第一槽組460a和用于第二列414中的給定液體的相鄰的第二槽組460b之間的對(duì)角線路徑470a。電跡線440a能夠從第一列中的第一位置(即第一槽組460a和第三槽組460c之間的第一列中的位置)布線通過所述對(duì)角線路徑470a,且連接到布置在相對(duì)于所述第一位置的所述液體供給槽420b相反側(cè)面上的第二槽組460b的噴嘴包裝件450b上。所述電跡線440a還可以連接到所述噴嘴包裝件450a、450c和450d的ー個(gè)或多個(gè)上。
      [0031]在一些不例中,用于第二液體(例如黃色墨)-不同于用于槽組460a、460b的給定液體(例如藍(lán)綠色墨)-的槽組460e、460f的兩個(gè)交替列416、418相對(duì)于用于給定液體的兩個(gè)交替列412、414在正交于所述平分方向402的方向404上間隔開。在相鄰列(例如,列414、416)中用于兩種不同液體的槽組460之間的所述槽至槽間隔431可以顯著地大于在相鄰列中(例如,列412、414)用于相同液體的槽組460之間的槽至槽間隔430。所述間隔431通常與附連到所述晶片410的背部側(cè)面以保持兩種不同液體彼此分開的在列414、416之間的物理屏障(例如豎直肋部)的大小有夫。
      [0032]在一些示例中,所述槽組460成行和成列地設(shè)置在所述晶片410上。每對(duì)相鄰列與不同液體關(guān)聯(lián)。例如,列412和414共同包括用于傳遞藍(lán)綠色墨的全長度槽,而列416和418共同包括用于傳遞黃色墨的全長度槽。
      [0033]每個(gè)槽組460均被分配到特定行。在一些示例中,電跡線440a在槽組460的兩行之間在行方向404上跨過所述晶片410布線。例如,電跡線440a跟隨迂回路徑跨過所述晶片,其以迂回方式而通過在一行中的槽組460a、460e和在另一行中的槽組460b、460f之間的對(duì)角線通路470a。通常,電跡線440在每隔ー個(gè)相鄰對(duì)的行之間布線。例如,功率跡線440b以迂回方式而通過在一行中的槽組460c和在另一行中的槽組460d之間的對(duì)角線通路470b。接觸墊442a、442b可以布置在晶片410的豎直邊緣處或附近。例如,墊442a連接到電跡線440a,而墊442b連接到電跡線440b。
      [0034]根據(jù)本公開的示例,并參照?qǐng)D4,現(xiàn)在考慮用于制作頁面寬度陣列硅打印頭晶片的方法700,在702,將兩個(gè)交替列中錯(cuò)開的用于相同液體的槽部段的位置限定在基底上。
      [0035]在704,將噴嘴電子器件提供在每個(gè)槽位置的ー側(cè)或兩側(cè)上。所述電子器件能夠通過集成電路處理技術(shù)(例如標(biāo)準(zhǔn)的NMOS (N型金屬氧化物半導(dǎo)體)或CMOS (互補(bǔ)行金屬氧化物半導(dǎo)體)硅制作エ藝)制作在所述晶片上。所述電子器件配置成控制從噴嘴線性陣列噴射相同液體的滴。
      [0036]在706,從在一列中的兩個(gè)相鄰槽位置之間的發(fā)源點(diǎn)(例如墊),在另一列中的第三槽位置的一個(gè)端部周圍,將跡線(包括一個(gè)或多個(gè)功率跡線)提供到所述第三槽位置的遠(yuǎn)側(cè)面上的電子器件。所述跡線能夠使用與所述電子器件相同或相似的集成電路處理技術(shù)制作在所述晶片上。
      [0037]在708,在所述槽位置的每ー個(gè)處穿過所述基底而形成槽。所述槽能夠借助例如激光鉆孔的技術(shù)穿過所述基底形成。所述槽通常在所述電子器件和所述跡線已經(jīng)制作之后形成。
      [0038]在710,噴嘴陣列在每個(gè)槽和每個(gè)電子器件之間形成在所述晶片上。總體上,具有兩部分的噴嘴陣列:噴發(fā)電阻器,以及限定腔室(所述噴發(fā)電阻器布置在其中)的孔ロ層。所述噴發(fā)電阻器利用集成電路處理技術(shù)(例如NMOS (N型金屬氧化物半導(dǎo)體)或CMOS (互補(bǔ)行金屬氧化物半導(dǎo)體)技木)制作。在一些示例中,所述孔ロ層是附連到所述晶片的金屬孔ロ層。在其他示例中,所述孔ロ層是利用半導(dǎo)體處理技術(shù)(例如圖案形成和刻蝕)形成的SU8MEMS型孔ロ層。在一些示例中,所述噴發(fā)電阻器可以在槽形成之前形成,而所述孔ロ層在槽形成之后形成。
      [0039]在一些示例中,多個(gè)晶片可以制作在單個(gè)硅晶圓上,各個(gè)晶片從所述硅晶圓切割或分開。
      [0040]雖然說明和圖示了多個(gè)具體的示例,本公開不限于如此說明和圖示的部分的具體的方法、形式或設(shè)置。這種說明將理解為包括本文所說明的元件的所有新式且非顯而易見的組合,并且在本申請(qǐng)或者之后申請(qǐng)中權(quán)利要求可以給出為這些元件的任何新式且非顯而易見的組合。上述的示例是闡釋性的,并且對(duì)于可以在本申請(qǐng)或之后申請(qǐng)中要求保護(hù)的所有可能組合,沒有單個(gè)特征或元件是基本的。除非另外指定,方法權(quán)利要求的步驟不必以指定的順序執(zhí)行。本公開不限于上述的實(shí)施方式,而是相反地按照他們等同物的全部范圍通過所附權(quán)利要求限定。在權(quán)利要求中陳述其等同物的“一”或者“第一”元件吋,這種權(quán)利要求將理解為包括一個(gè)或多個(gè)這種元件的合并,既非必需也非排除兩個(gè)或更多這種元件。
      【權(quán)利要求】
      1.一種打印頭晶片,包括: 基底;以及 延伸通過所述基底的槽,所述槽包括第一槽部段以及分立的第二槽部段,所述第二槽部段沿著主軸并沿著正交的副軸相對(duì)于所述第一槽部段偏置。
      2.如權(quán)利要求1所述的打印頭晶片,其中,所述第一槽部段和所述第二槽部段具有沿著相同副軸的相鄰端部。
      3.如權(quán)利要求1所述的打印頭晶片,其中,所述第一槽部段和所述第二槽部段的偏置限定所述第一槽部段和所述第二槽部段之間的路徑。
      4.如權(quán)利要求3所述的打印頭晶片,還包括:通過所述路徑而布線跨過所述基底的電跡線。
      5.如權(quán)利要求1所述的打印頭晶片,其中,所述第一槽部段在第一列中,以及所述第二槽部段在平行于所述第一列的第二列中。
      6.如權(quán)利要求1所述的打印頭晶片,其中,所述槽還包括:第三槽部段,沿著所述主軸的相繼槽部段在第一列和第二列之間交替。
      7.如權(quán)利要求6所述的打印頭晶片,其中,在給定列中的每個(gè)槽部段與在所述給定列中的所有其他槽部段對(duì)齊。
      8.—種打印頭晶片,包括: 基底;` 第一全長度槽,其分割成多個(gè)分立的槽部段以傳遞第一液體穿過所述基底,所述第一全長度槽具有在所述第一全長度槽的相鄰槽部段之間限定的路徑; 第二全長度槽,其分割成多個(gè)分立的槽部段以傳遞不同的第二液體穿過所述基底,所述第二全長度槽具有在所述第二全長度槽的相鄰槽部段之間限定的路徑;以及 經(jīng)由所述路徑而布線跨過所述基底的電跡線。
      9.如權(quán)利要求8所述的打印頭晶片,其中,所述槽部段設(shè)置成行,每行包括所述第一全長度槽的槽部段和所述第二全長度槽的槽部段。
      10.如權(quán)利要求9所述的打印頭晶片,其中,所述第一全長度槽和第二全長度槽的相鄰槽部段之間的路徑限定所述槽部段的相鄰行之間的迂回路徑。
      11.如權(quán)利要求8所述的打印頭晶片,其中,每個(gè)全長度槽的所述槽部段設(shè)置在多列中,相鄰的槽部段處于不同列中。
      12.如權(quán)利要求11所述的打印頭晶片,其中,在每個(gè)全長度槽的相鄰槽部段之間限定的路徑是對(duì)角線路徑。
      13.如權(quán)利要求8所述的打印頭晶片,還包括:多個(gè)噴嘴包裝件,每個(gè)噴嘴包裝件與槽部段關(guān)聯(lián)。
      14.如權(quán)利要求13所述的打印頭晶片,其中,經(jīng)由所述第一全長度槽的相鄰槽部段之間布線的所述電跡線與噴嘴包裝件電連通,所述噴嘴包裝件與所述第二全長度槽的槽部段關(guān)聯(lián)。
      15.一種制造打印頭晶片的方法,包括: 對(duì)于用來傳遞相同液體穿過所述基底的多個(gè)槽部段,在基底上限定在兩個(gè)交替列中錯(cuò)開的槽位置;在每個(gè)槽位置附近提供電子器件以控制與所述槽位置關(guān)聯(lián)的噴嘴陣列; 從一列中的兩個(gè)相鄰槽位置之間,在另一列中的第三槽位置的一個(gè)端部周圍,將電跡線提供到在所述第三槽位置的遠(yuǎn)側(cè)上的電子器件; 在所述槽位置處穿過所述基底形成槽;以及 在每個(gè)槽和每個(gè)電子器件附近在所述晶片上形成噴嘴陣列。
      【文檔編號(hào)】B41J2/175GK103561958SQ201180071278
      【公開日】2014年2月5日 申請(qǐng)日期:2011年5月31日 優(yōu)先權(quán)日:2011年5月31日
      【發(fā)明者】J.P.阿克斯特爾, J.M.托爾格森, T.本杰明 申請(qǐng)人:惠普發(fā)展公司,有限責(zé)任合伙企業(yè)
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