本公開涉及一種液體噴射頭。

背景技術(shù)：

1、如專利文獻(xiàn)1所記載的那樣，在液體噴射頭中，有時會與被排列配置的多個壓力室相鄰地設(shè)置有虛擬壓力室。虛擬壓力室為降低設(shè)置在不同的位置處的壓力室彼此的壓力損耗的偏差的技術(shù)。壓力室彼此的壓力損耗的偏差會產(chǎn)生被噴射的液體的量或飛翔速度的差異。多個壓力室會受到相鄰的壓力室的壓力變動的影響。因此，在多個壓力室中的端部的壓力室與中央的壓力室中，會因?yàn)橄噜彽膲毫κ业挠袩o而在壓力損耗中產(chǎn)生差異。因此，通過使虛擬壓力室與端部的壓力室被相鄰地設(shè)置，從而減少了端部的壓力室的壓力損耗與中央的壓力室的壓力損耗的差異。

2、但是，如專利文獻(xiàn)1所記載的那樣，已知僅通過設(shè)置虛擬壓力室而不足以對各壓力室的壓力損耗的偏差進(jìn)行抑制。在虛擬壓力室中，由于不產(chǎn)生壓力變動，因此在虛擬壓力室上的振動板和隔壁上不會被施加有張力。因此，與虛擬壓力室相鄰的壓力室相比于與不是虛擬壓力室的壓力室相鄰的壓力室，振動板和隔壁的變形程度較大。因此，在與虛擬壓力室相鄰的端部的壓力室和不與虛擬壓力室相鄰的中央處，會產(chǎn)生各壓力室的壓力損耗的偏差。

3、專利文獻(xiàn)1的技術(shù)為，在虛擬壓力室中也設(shè)置壓電元件，且在實(shí)施由液體噴射頭所實(shí)現(xiàn)的液體噴射的期間內(nèi)，通過也使虛擬壓力室的壓電元件進(jìn)行驅(qū)動，從而使虛擬壓力室產(chǎn)生壓力變動。由此，專利文獻(xiàn)1的技術(shù)通過使虛擬壓力室上的振動板和隔壁產(chǎn)生張力，從而對各壓力室的壓力損耗的偏差進(jìn)行抑制。

4、但是，在于虛擬壓力室中也設(shè)置壓電元件以使虛擬壓力室進(jìn)行驅(qū)動的情況下，在液體噴射頭中，配線和控制電路會變得復(fù)雜。而且，液體噴射頭為了使虛擬壓力室的壓電元件進(jìn)行驅(qū)動而會較多地消耗能量。

5、壓力損耗的偏差也會使液體的噴射特性惡化。由此，由于被噴射的液體中會產(chǎn)生濃度差，因此有時會在附著于噴射對象的液體中產(chǎn)生不均。因此，期望一種能夠在不使虛擬壓力室的壓電元件進(jìn)行驅(qū)動的條件下對各壓力室的壓力損耗的偏差進(jìn)行抑制的技術(shù)。

6、專利文獻(xiàn)1：日本特開2018-65391號公報(bào)

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、根據(jù)本公開的一個方式，可提供一種液體噴射頭。該液體噴射頭具有由壓電元件、振動板和壓力室基板層疊而成的層疊體，其中，所述振動板通過所述壓電元件的驅(qū)動而進(jìn)行振動，所述壓力室基板構(gòu)成與噴嘴連通且通過所述振動板的振動而向液體施加壓力從而有助于液體的噴射的壓力室、和無助于液體的噴射的壓力室。在所述層疊體中，所述壓力室和所述虛擬壓力室為在所述壓力室基板的與所述振動板相對的面的相反的面上開口、且在所述層疊方向上的朝向所述振動板的方向上具有深度的凹部。所述壓力室和所述虛擬壓力室在作為相對于所述層疊方向而垂直的方向的排列配置方向上被排列配置。作為所述虛擬壓力室的所述深度的第一深度與作為所述壓力室的所述深度的第二深度相比而較淺。

技術(shù)特征：

1.一種液體噴射頭，其中，

2.如權(quán)利要求1所述的液體噴射頭，其中，

3.如權(quán)利要求1所述的液體噴射頭，其中，

4.如權(quán)利要求1所述的液體噴射頭，其中，

5.如權(quán)利要求4所述的液體噴射頭，其中，

6.如權(quán)利要求4或5所述的液體噴射頭，其中，

7.如權(quán)利要求1所述的液體噴射頭，其中，

8.如權(quán)利要求1所述的液體噴射頭，其中，

9.如權(quán)利要求8所述的液體噴射頭，其中，

10.如權(quán)利要求8或9所述的液體噴射頭，其中，

11.如權(quán)利要求1所述的液體噴射頭，其中，

12.如權(quán)利要求1所述的液體噴射頭，其中，

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明提供一種液體噴射頭。本發(fā)明的課題在于，提供一種在該液體噴射頭中能夠抑制各壓力室的壓力損耗的偏差并改善液體噴射特性的技術(shù)。該液體噴射頭具有壓電元件、振動板和壓力室基板，所述壓力室基板構(gòu)成與噴嘴連通且通過振動板的振動而向液體施加壓力從而有助于液體的噴射的壓力室、和無助于液體的噴射的虛擬壓力室。壓力室和虛擬壓力室為在壓力室基板的與振動板相對的面的相反面上開口并且在層疊方向上的朝向振動板的方向上具有深度的凹部。而且，壓力室和虛擬壓力室在作為相對于層疊方向而垂直的方向的排列配置方向上被排列配置，作為虛擬壓力室的深度的第一深度與作為壓力室的深度的第二深度相比而較淺。

技術(shù)研發(fā)人員：長沼陽一,水田祥平,渡邊悠生,伊藤圓
受保護(hù)的技術(shù)使用者：精工愛普生株式會社
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2024/10/10