專(zhuān)利名稱(chēng)：發(fā)光元件陣列的驅(qū)動(dòng)裝置與驅(qū)動(dòng)方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種發(fā)光元件陣列的驅(qū)動(dòng)裝置與驅(qū)動(dòng)方法，用于按順序把至少一個(gè)或幾個(gè)排列成陣列的發(fā)光可控硅組設(shè)置成發(fā)光狀態(tài)。
作為現(xiàn)有技術(shù)，自掃描型發(fā)光元件陣列(SLED)在以下文獻(xiàn)中披露了日本專(zhuān)利申請(qǐng)公開(kāi)1-238962,2-208067,2-212170,3-20457,3-194978,4-5872,4-23367,4-296579和5-84971；“光打印集成驅(qū)動(dòng)電路的發(fā)光元件陣列的方案(Proposal of lightEmission Element Array For Optical Printer Integrating DriveCircuits)”JAPAN HARD COPY,1991(A-17)；“使用PNPN可控硅結(jié)構(gòu)的自掃式發(fā)光元件的方案(Proposal Of Self-Scanning Type LightEmission Element(SLED)Using PNPN Thyristor Structure)”THEINSTITUTE OF ELECTRONICS,INFORMATION AND COMMUNICATION ENGINEERS,March5,1991；等等。這種SLED作為記錄發(fā)光元件已經(jīng)引起了廣泛的注意。
圖1表示SLED100作為發(fā)光元件陣列的例子。在現(xiàn)有技術(shù)中，圖2是從外部傳遞給SLED100用于控制圖1所示的SLED100的各種控制信號(hào)的時(shí)序圖，并表示所有發(fā)光元件都被驅(qū)動(dòng)的一個(gè)例子。
在圖1中，相應(yīng)于SLED100的電源電壓的VGA101被連接到二極管141,142,143,144和145。這些二極管141,142,143,144和145分別通過(guò)電阻102,103,104,105和106與啟動(dòng)脈沖φS145級(jí)聯(lián)。如圖1所示，SLED100包括作為控制元件而被排列成陣列的移位可控硅組S1’,S2’,S3’,S4’,和S5’，和作為發(fā)光元件而被排列成陣列的發(fā)光可控硅組S1,S2,S3,S4，和S5等。發(fā)光可控硅和移位可控硅的控制極信號(hào)彼此相連。例如，第一發(fā)光可控硅S1的控制極信號(hào)和第一移位可控硅S1’的控制極信號(hào)相連，并進(jìn)而被連接到接收啟動(dòng)脈沖φS145的信號(hào)輸入部分Va。第二發(fā)光可控硅S2的控制極信號(hào)和第二移位可控硅S2’的控制極信號(hào)相連，并進(jìn)而被連接到二極管141的負(fù)極Vb，二極管141被連接到發(fā)送啟動(dòng)脈沖φS145的端子Va。第三發(fā)光可控硅S3的控制極信號(hào)和第三移位可控硅S3’的控制極信號(hào)相連，并進(jìn)而被連接到二極管142的負(fù)極Vc。類(lèi)似地，第五發(fā)光可控硅S5的控制極信號(hào)和第五移位可控硅S5’的控制極信號(hào)相連，并進(jìn)而被連接到二極管142的負(fù)極Ve。
下面參照?qǐng)D2的時(shí)序圖說(shuō)明SLED100的驅(qū)動(dòng)方法。
在圖2中，開(kāi)始，啟動(dòng)脈沖φS145的電壓從0V變到5V。通過(guò)使啟動(dòng)脈沖φS145的電壓從0V變到5V,Va的電壓成為5.0V,Vb的電壓成為3.6V(正向電壓降為1.4V),Vc的電壓成為2.2V,Vd的電壓成為0.8V,Ve及其后面的的電壓成為0V。然后，移位可控硅S1’和S2’的控制極信號(hào)電壓分別從0V變?yōu)?.0V和3.6V。在這種情況下，通過(guò)把移位脈沖φ1135的電壓從5V變?yōu)?V，移位可控硅S1’的陽(yáng)極，陰極和控制極電位分別成為5V,0V和3.6V。這樣，該可控硅具備導(dǎo)通條件，從而移位可控硅S1’成為導(dǎo)通狀態(tài)。在這種狀態(tài)下，即使啟動(dòng)脈沖φS145的電壓被設(shè)置為0V，因?yàn)橐莆豢煽毓鑃1’處于導(dǎo)通狀態(tài)，所以Va的電壓成為5V(例如圖2中的4.8V)。這是因?yàn)槊}沖通過(guò)和啟動(dòng)脈沖φS145有關(guān)的電阻102被加上，并且當(dāng)把該可控硅設(shè)置為ON(導(dǎo)通)狀態(tài)時(shí)，其陽(yáng)極和控制極之間的電位差幾乎為0。因此，即使啟動(dòng)脈沖的電壓φS145被設(shè)置為0V，第一移位可控硅S1’的ON狀態(tài)也被維持，因而第一移位操作結(jié)束。在這種狀態(tài)下，如果發(fā)光可控硅驅(qū)動(dòng)時(shí)鐘φI110被從5V變?yōu)?V，因?yàn)榘l(fā)光可控硅S1變?yōu)榫哂泻鸵莆豢煽毓鑃1’成為ON狀態(tài)時(shí)相同的條件，所以發(fā)光可控硅S1成為ON狀態(tài)，因而第一發(fā)光可控硅S1發(fā)光。在第一發(fā)光可控硅S1，通過(guò)使發(fā)光可控硅驅(qū)動(dòng)時(shí)鐘φI110的電壓回到5V而使發(fā)光可控硅S1的陽(yáng)極和陰極之間的電位差成為0。這樣，因?yàn)榘l(fā)光可控硅S1不能流過(guò)最小的維持電流，所以發(fā)光可控硅S1變?yōu)镺FF狀態(tài)，從而使可控硅S1熄滅。
接著說(shuō)明從移位可控硅S1’到移位可控硅S2’的可控硅的ON狀態(tài)的轉(zhuǎn)移。即使發(fā)光可控硅S1成為OFF狀態(tài)，移位脈沖φ1135的電壓仍然為0V。這樣，移位可控硅S1’仍然處于ON狀態(tài)，移位可控硅S1’的控制極電壓Va是5V(例如圖2中的4.8V)，并且Vb的電壓是3.6V。在這種狀態(tài)下，通過(guò)把移位脈沖φ2120的電壓從5V變?yōu)?V，移位可控硅S2’的陽(yáng)極，陰極和控制極電壓分別成為5V，0V和3.6V，從而使移位可控硅S2’成為ON狀態(tài)。在移位可控硅S2’成為ON狀態(tài)之后，通過(guò)把移位脈沖φ1135的電壓從0V變?yōu)?V，移位可控硅S1’以和發(fā)光可控硅S1成為OFF狀態(tài)相同的方式成為OFF狀態(tài)。這樣，移位可控硅的ON狀態(tài)便從移位可控硅S1’轉(zhuǎn)移到移位可控硅S2’。這樣，通過(guò)把發(fā)光可控硅驅(qū)動(dòng)時(shí)鐘φI110的電壓從5V變?yōu)?V，可使發(fā)光可控硅S2選擇地發(fā)光。下面說(shuō)明只有相應(yīng)于處于ON狀態(tài)的移位可控硅的發(fā)光可控硅發(fā)光的原因。因?yàn)槌N狀態(tài)可控硅(例如S2’)的兩側(cè)的可控硅(例如S1’和S3’)之外的可控硅的控制極電壓都是0V，所以這些可控硅不能成為ON狀態(tài)。此外，關(guān)于兩側(cè)移位可控硅(例如S1’和S3’)，因?yàn)橛捎谝莆豢煽毓?例如S2’)成為ON狀態(tài)而使驅(qū)動(dòng)時(shí)鐘φI110的電位成為3.6V(在每個(gè)發(fā)光可控硅上的正向壓降)，所以?xún)蓚?cè)可控硅(例如S1’和S3’)成為這樣一種狀態(tài)，在這種狀態(tài)下，控制極和陰極之間的電位差為最小，因而可控硅不能流過(guò)最小維持電流。因此，便不可能把兩側(cè)移位可控硅(例如S1’和S3’)設(shè)置為ON狀態(tài)。
如上所述，一般地說(shuō)，當(dāng)供給5V的啟動(dòng)脈沖φS145的電壓時(shí)，通過(guò)把移位脈沖φ1135的電壓(作為奇數(shù)移位可控硅S1’和S3’的驅(qū)動(dòng)信號(hào))變?yōu)?V，第一位移位可控硅S1’被設(shè)置為ON狀態(tài)，并且發(fā)光可控硅S1的控制極電壓被維持在5V。此后，發(fā)光可控硅S1的發(fā)光可控硅驅(qū)動(dòng)時(shí)鐘φI110的電壓被設(shè)置為0V，從而使發(fā)光可控硅S1發(fā)光。
然而，作為SLED的特征的移位可控硅的控制極電壓按順序移動(dòng)的速度根據(jù)構(gòu)成SLED的半導(dǎo)體芯片的制造條件而改變。因此，在進(jìn)行高速移位和發(fā)光操作的情況下，移位可控硅的控制電壓的電壓轉(zhuǎn)移有時(shí)被延遲。也就是說(shuō)，發(fā)生應(yīng)該發(fā)光的發(fā)光可控硅不發(fā)光，而另一個(gè)其控制極電壓最高的可控硅發(fā)光的現(xiàn)象。結(jié)果，使得發(fā)光操作的移動(dòng)成為不穩(wěn)定的。尤其是，當(dāng)?shù)谝话l(fā)光可控硅發(fā)光時(shí)，除去第一位之外的移位可控硅的控制極電壓趨向成為這樣一種狀態(tài)，在這種狀態(tài)下，因?yàn)楦咚僖莆欢闺妷翰荒芡耆蔀?V。在這種狀態(tài)下，在啟動(dòng)脈沖φS145的電壓被設(shè)置為5V，第一位移位可控硅被設(shè)置為ON狀態(tài)的情況下，如果另一個(gè)移位可控硅的控制極電壓高于第一位移位可控硅的控制極電壓，第一位移位可控硅便不能成為ON狀態(tài)，而其控制極電壓高的移位可控硅成為ON狀態(tài)。因此，如果發(fā)光可控硅驅(qū)動(dòng)時(shí)鐘φI110的電壓被設(shè)置為0V以便把第一發(fā)光可控硅設(shè)置為ON狀態(tài)，則其位數(shù)相應(yīng)于控制極電壓高的上述另一個(gè)移位可控硅的位數(shù)的發(fā)光可控硅要發(fā)光。結(jié)果，發(fā)生了這樣的問(wèn)題，即第一位的發(fā)光狀態(tài)不能按照順序移向另一位。
本發(fā)明是為了解決上述問(wèn)題而作出的，其目的在于提供一種發(fā)光元件陣列驅(qū)動(dòng)裝置和驅(qū)動(dòng)方法，用于可靠地首先把第一發(fā)光可控硅設(shè)置為ON狀態(tài)，從而穩(wěn)定發(fā)光操作，使得從第一發(fā)光可控硅移位。
為了解決上述問(wèn)題，本發(fā)明提供一種發(fā)光元件陣列驅(qū)動(dòng)裝置，其驅(qū)動(dòng)具有多個(gè)排列成陣列的發(fā)光可控硅的發(fā)光元件陣列和排列成陣列的多個(gè)移位可控硅，移位可控硅的每個(gè)控制極和發(fā)光可控硅的每個(gè)控制極相連，所述裝置包括用于產(chǎn)生用來(lái)按順序移動(dòng)移位可控硅的ON狀態(tài)的移位信號(hào)的產(chǎn)生單元；以及用于產(chǎn)生用來(lái)啟動(dòng)發(fā)光元件陣列驅(qū)動(dòng)的啟動(dòng)信號(hào)的產(chǎn)生單元，其中按照啟動(dòng)信號(hào)供給第一發(fā)光可控硅的控制極電壓，而不按照移位信號(hào)把第一位移位可控硅設(shè)置為ON狀態(tài)。
此外，本發(fā)明提供一種發(fā)光元件陣列驅(qū)動(dòng)裝置，其驅(qū)動(dòng)具有多個(gè)發(fā)光元件(排列成陣列)和多個(gè)控制元件(排列成陣列，并且每個(gè)元件對(duì)相應(yīng)的發(fā)光元件提供ON狀態(tài))的發(fā)光元件陣列，所述裝置包括用于產(chǎn)生用來(lái)按順序移動(dòng)控制元件ON狀態(tài)的移位信號(hào)的產(chǎn)生單元；以及用于產(chǎn)生用來(lái)啟動(dòng)發(fā)光元件陣列的驅(qū)動(dòng)的啟動(dòng)信號(hào)的產(chǎn)生單元，其中第一發(fā)光元件按照啟動(dòng)信號(hào)被設(shè)置為ON狀態(tài)。
圖1是SLED的基本結(jié)構(gòu)的例子的示意圖；圖2是表示常規(guī)的控制信號(hào)及其時(shí)序的時(shí)序圖；圖3是表示在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中的SLED驅(qū)動(dòng)控制裝置的基本結(jié)構(gòu)的例子的方塊圖；圖4是表示在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中的用于控制SLED的控制信號(hào)及其時(shí)序的時(shí)序圖；圖5是表示在本發(fā)明的實(shí)施例中的SLED的結(jié)構(gòu)的例子的示意圖。
下面參照


本發(fā)明的實(shí)施例。
圖3表示用于驅(qū)動(dòng)作為發(fā)光元件陣列的SLED的驅(qū)動(dòng)裝置的結(jié)構(gòu)。圖4是用于說(shuō)明圖3所示的操作的時(shí)序圖。
雖然SLED的內(nèi)部結(jié)構(gòu)和圖1所示的常規(guī)的SLED的內(nèi)部結(jié)構(gòu)相同，但是在圖5中還是示出了這種SLED的內(nèi)部結(jié)構(gòu)，以便說(shuō)明問(wèn)題。
在圖5中，相應(yīng)于SLED100的電源電壓的VGA101被連接到二極管141,142,143,144和145，這些二極管141,142,143,144和145分別通過(guò)電阻102,103,104,105和106與啟動(dòng)脈沖φS145級(jí)聯(lián)。如圖5所示，SLED100包括作為控制元件而被排列成陣列的移位可控硅組S1’,S2’,S3’,S4’，和S5’，和作為發(fā)光元件而被排列成陣列的發(fā)光可控硅組S1,S2,S3,S4，和S5等。發(fā)光可控硅和移位可控硅的控制極信號(hào)彼此相連。例如，第一發(fā)光可控硅S1的控制極信號(hào)和第一移位可控硅S1’的控制極信號(hào)相連，并進(jìn)而被連接到接收啟動(dòng)脈沖φS145的信號(hào)輸入部分Va。第二發(fā)光可控硅S2的控制極信號(hào)和第二移位可控硅S2’的控制極信號(hào)相連，并進(jìn)而被連接到二極管141的負(fù)極Vb，二極管141被連接到接收啟動(dòng)脈沖φS145的端子Va。第三發(fā)光可控硅S3的控制極信號(hào)和第三移位可控硅S3’的控制極信號(hào)相連，并進(jìn)而被連接到二極管142的負(fù)極Vc。類(lèi)似地，第五發(fā)光可控硅S5的控制極信號(hào)和第五移位可控硅S5’的控制極信號(hào)相連，并進(jìn)而被連接到二極管144的負(fù)極Ve。
應(yīng)當(dāng)注意，在本實(shí)施例中，因?yàn)閱?dòng)信號(hào)和移位信號(hào)和常規(guī)信號(hào)中的這些信號(hào)的功能不同，所以其標(biāo)號(hào)也和圖1中的不同，而在圖5中的其它部分附加了和圖1相同的標(biāo)號(hào)。
如圖3所示，其中的驅(qū)動(dòng)裝置包括用于輸出用來(lái)在電子照相記錄介質(zhì)上形成永久的可視圖像的圖像數(shù)據(jù)的圖像數(shù)據(jù)輸出單元301，具有SLED驅(qū)動(dòng)電路302的用于輸出讀時(shí)鐘信號(hào)320的SLED控制單元303，其被用于對(duì)圖像數(shù)據(jù)輸出單元301讀出圖像數(shù)據(jù)310，并輸入從圖像數(shù)據(jù)輸出單元301輸出的圖像數(shù)據(jù)310，從而產(chǎn)生SLED(LED陣列)驅(qū)動(dòng)信號(hào)305，以及SLED頭304，其具有SLED的用來(lái)按照順序設(shè)置發(fā)光狀態(tài)的移位可控硅和發(fā)光可控硅。在SLED頭304中，已在背景技術(shù)中說(shuō)明的多個(gè)SLED100被排列成為陣列，如圖3的標(biāo)號(hào)100-1到100-7所示。SLED(LED陣列)驅(qū)動(dòng)信號(hào)305含有來(lái)自電源的信號(hào)330，到GND的信號(hào)335，移位時(shí)鐘φ1340，移位時(shí)鐘φ2345，發(fā)光可控硅驅(qū)動(dòng)時(shí)鐘φI350和啟動(dòng)脈沖φS355。發(fā)光可控硅驅(qū)動(dòng)時(shí)鐘φI1到φI7用于選擇地使每個(gè)SLEDS中的發(fā)光元件發(fā)光或?qū)?，這些時(shí)鐘信號(hào)是7位的并行信號(hào)，其中每位信號(hào)和SLED100-1到100-7相對(duì)應(yīng)。在SLEDS的數(shù)量大的情況下，因?yàn)榘l(fā)光可控硅驅(qū)動(dòng)時(shí)鐘的位寬也變大，所以需要通過(guò)合適地進(jìn)行編碼處理來(lái)減少信號(hào)線的數(shù)量。
因?yàn)槠渌盘?hào)例如來(lái)自電源的信號(hào)330，到GND的信號(hào)335，移位時(shí)鐘φ1340，移位時(shí)鐘φ2345，和啟動(dòng)脈沖φS355對(duì)于每個(gè)SLEDS是共用的，所以上述每個(gè)信號(hào)的信號(hào)線數(shù)量可以規(guī)定為1。
圖4是移位脈沖φ1，移位脈沖φ2，啟動(dòng)脈沖φS和由圖像數(shù)據(jù)310以及發(fā)光時(shí)鐘(未示出)構(gòu)成的發(fā)光可控硅驅(qū)動(dòng)時(shí)鐘φI的時(shí)序圖。通過(guò)圖3所示的SLED驅(qū)動(dòng)電路302把來(lái)自SLED控制電路303的SLED驅(qū)動(dòng)信號(hào)305輸出到SLED頭304。
在圖4中，在脈沖φS和脈沖φ1的波形中的虛線部分表示常規(guī)的SLED驅(qū)動(dòng)信號(hào)波形，而在本實(shí)施例中的波形由實(shí)線表示。在本發(fā)明中，由5V的電壓施加啟動(dòng)脈沖φS的時(shí)間被延長(zhǎng)直到這樣一個(gè)時(shí)間，在此時(shí)刻常規(guī)的第一位移位可控硅S1’的ON狀態(tài)結(jié)束(即時(shí)刻t420)，而不把第一位移位可控硅S1’設(shè)置為ON狀態(tài)。這樣，第一位發(fā)光可控硅S1的控制極電壓按照啟動(dòng)脈沖φS140而被提供，從而維持發(fā)光可控硅S1的ON狀態(tài)。因?yàn)榈谝晃灰莆豢煽毓鑃1’不被設(shè)置為ON狀態(tài)，所以其控制極電壓仍然不完全為0V的移位可控硅(除去第一位)不被設(shè)置為ON狀態(tài)。此外，可以確保除去第一位(例如S2’)之外的移位可控硅的控制極電壓變?yōu)?V所需的時(shí)間(從t410到t420)。第一位移位可控硅S1’的控制極電壓按照啟動(dòng)脈沖φS140被保持為5V。通過(guò)啟動(dòng)脈沖φS140把第一位移位可控硅S1’的控制極電壓保持為5V。這樣，通過(guò)利用5V的啟動(dòng)脈沖φS140提供第一位發(fā)光可控硅S1的控制極電壓，確保第一位發(fā)光可控硅S1被設(shè)置為ON狀態(tài)，從而穩(wěn)定從第一位發(fā)光可控硅S1到第五位發(fā)光可控硅S5的移位操作。當(dāng)?shù)谝晃话l(fā)光可控硅S1處于ON狀態(tài)時(shí)，通過(guò)設(shè)置驅(qū)動(dòng)時(shí)鐘φI為ON狀態(tài)，可以選擇地使發(fā)光可控硅S1發(fā)光。
因?yàn)橹钡缴鲜鲆莆豢煽毓?例如S2’)的控制極電壓成為0V的時(shí)間可以是從時(shí)刻t410到時(shí)刻t420的一段時(shí)間，如圖4所示，在這種情況下，當(dāng)發(fā)光可控硅S2成為ON狀態(tài)時(shí)的時(shí)間可以延長(zhǎng)到時(shí)刻t430。
在第一位移位可控硅之后的移位可控硅的移位操作按照移位信號(hào)以和現(xiàn)有技術(shù)中相同的方式進(jìn)行。
此外，每個(gè)發(fā)光可控硅的發(fā)光操作按照驅(qū)動(dòng)時(shí)鐘φI以和現(xiàn)有技術(shù)中相同的方式進(jìn)行，從而使每個(gè)發(fā)光可控硅有選擇地發(fā)光。
在上面的說(shuō)明中，圖5中示出了5對(duì)可控硅，以便簡(jiǎn)化說(shuō)明。不過(guò)，實(shí)際上設(shè)置有數(shù)百對(duì)可控硅。
如上所述，按照本發(fā)明的LED陣列驅(qū)動(dòng)裝置，5V電壓的啟動(dòng)脈沖φS140的施加時(shí)間被延長(zhǎng)到在常規(guī)情況下第一位移位可控硅S1’的ON狀態(tài)結(jié)束的時(shí)刻，而不把第一位移位可控硅S1’設(shè)置為ON狀態(tài)。這樣，第一位發(fā)光可控硅S1的控制極電壓按照啟動(dòng)脈沖φS140提供，從而維持第一位發(fā)光可控硅S1的ON狀態(tài)，使得確保第一位發(fā)光可控硅S1被設(shè)置為ON狀態(tài)。結(jié)果，可以穩(wěn)定從第一位起的發(fā)光元件的移動(dòng)操作。
如上所述，本發(fā)明參照最佳實(shí)施例進(jìn)行了說(shuō)明。不過(guò)本發(fā)明不限于所述的實(shí)施例。也就是說(shuō)，在所附的權(quán)利要求的范圍內(nèi)，可以作出各種改型和應(yīng)用。
權(quán)利要求
1一種發(fā)光元件陣列驅(qū)動(dòng)裝置，其驅(qū)動(dòng)具有排列成陣列的多個(gè)發(fā)光可控硅的發(fā)光元件陣列和排列成陣列的多個(gè)移位可控硅，移位可控硅的每個(gè)控制極和發(fā)光可控硅的每個(gè)控制極相連，所述裝置包括用于產(chǎn)生用來(lái)按順序移動(dòng)移位可控硅的ON狀態(tài)的移位信號(hào)的產(chǎn)生單元；以及用于產(chǎn)生用來(lái)啟動(dòng)發(fā)光元件陣列的驅(qū)動(dòng)的啟動(dòng)信號(hào)的產(chǎn)生單元，其中第一發(fā)光可控硅的控制極電壓按照啟動(dòng)信號(hào)被供給，而不按照移位信號(hào)把第一移位可控硅設(shè)置為ON狀態(tài)。
2如權(quán)利要求1所述的裝置，其中用于提供第一發(fā)光可控硅的控制極電壓的啟動(dòng)信號(hào)直到第二移位可控硅成為ON狀態(tài)被保持在高電位，并且在第二發(fā)光可控硅成為ON狀態(tài)之前被設(shè)置為低電位。
3如權(quán)利要求1所述的裝置，其中移位信號(hào)含有和奇數(shù)移位可控硅的每個(gè)陰極相連的第一移位信號(hào)和與偶數(shù)移位可控硅的每個(gè)陰極相連的第二移位信號(hào)。
4如權(quán)利要求1所述的裝置，其中電源電壓被提供給每個(gè)發(fā)光可控硅和每個(gè)移位可控硅的陽(yáng)極。
5如權(quán)利要求1所述的裝置，其中所述裝置具有多個(gè)串級(jí)連接的二極管(每個(gè)二極管的正極和移位可控硅以及發(fā)光可控硅的控制極相連，也通過(guò)每個(gè)電阻和電源相連)，并且啟動(dòng)信號(hào)被提供給多個(gè)二極管中第一二極管的正極。
6如權(quán)利要求1所述的裝置，還包括用于產(chǎn)生用來(lái)選擇地使發(fā)光可控硅發(fā)光的驅(qū)動(dòng)信號(hào)的產(chǎn)生裝置。
7一種發(fā)光元件陣列驅(qū)動(dòng)方法，用于驅(qū)動(dòng)具有多個(gè)排列成陣列的發(fā)光可控硅的發(fā)光元件陣列和排列成陣列的多個(gè)移位可控硅，移位可控硅的每個(gè)控制極和發(fā)光可控硅的每個(gè)控制極相連，所述方法包括用于按照啟動(dòng)信號(hào)啟動(dòng)發(fā)光元件陣列的驅(qū)動(dòng)的啟動(dòng)步驟；以及根據(jù)移位信號(hào)按順序地移動(dòng)移位可控硅的ON狀態(tài)，以便按順序把移位可控硅設(shè)置為ON狀態(tài)的移位步驟，其中按照啟動(dòng)信號(hào)施加和第一移位可控硅相連的第一發(fā)光可控硅的控制極電壓，而不把第一移位可控硅按照移位信號(hào)設(shè)置為驅(qū)動(dòng)狀態(tài)。
8如權(quán)利要求7所述的方法，其中用于提供第一發(fā)光可控硅的控制極電壓的啟動(dòng)信號(hào)直到第二移位可控硅成為ON狀態(tài)被保持在高電位，并且在第二發(fā)光可控硅成為ON狀態(tài)之前被設(shè)置為低電位。
9如權(quán)利要求7所述的方法，其中在所述移位步驟中，產(chǎn)生和奇數(shù)移位可控硅的每個(gè)陰極相連的第一移位信號(hào)和與偶數(shù)移位可控硅的每個(gè)陰極相連的第二移位信號(hào)。
10一種發(fā)光元件陣列驅(qū)動(dòng)裝置，其驅(qū)動(dòng)具有多個(gè)發(fā)光元件(排列成陣列)和多個(gè)控制元件(排列成陣列，并且每個(gè)元件對(duì)相應(yīng)的發(fā)光元件提供ON狀態(tài))的發(fā)光元件陣列，所述裝置包括用于產(chǎn)生用來(lái)按順序移動(dòng)控制元件的ON狀態(tài)的移位信號(hào)的產(chǎn)生裝置；以及用于產(chǎn)生用來(lái)啟動(dòng)發(fā)光元件陣列的驅(qū)動(dòng)的啟動(dòng)信號(hào)的產(chǎn)生裝置，其中第一發(fā)光元件按照啟動(dòng)信號(hào)被設(shè)置為ON狀態(tài)。
11如權(quán)利要求10所述的裝置，其中移位信號(hào)含有用于把奇數(shù)控制元件設(shè)置為ON狀態(tài)的第一移位信號(hào)和用于把偶數(shù)控制元件設(shè)置為ON狀態(tài)的第二移位信號(hào)。
12如權(quán)利要求10所述的裝置，還包括用于產(chǎn)生用來(lái)選擇地使發(fā)光元件發(fā)光的驅(qū)動(dòng)信號(hào)的產(chǎn)生裝置。
13如權(quán)利要求10所述的裝置，其中ON狀態(tài)按照移位信號(hào)被移位到第二和隨后的控制元件。
14一種發(fā)光元件陣列驅(qū)動(dòng)方法，用于驅(qū)動(dòng)具有多個(gè)發(fā)光元件(排列成陣列)和多個(gè)控制元件(排列成陣列，并且每個(gè)元件對(duì)相應(yīng)的發(fā)光元件提供ON狀態(tài))的發(fā)光元件陣列，所述方法包括用于按照啟動(dòng)信號(hào)啟動(dòng)發(fā)光元件陣列的驅(qū)動(dòng)的啟動(dòng)步驟；以及根據(jù)移位信號(hào)按順序地移動(dòng)移位控制元件的ON狀態(tài)的移位步驟，其中按照啟動(dòng)信號(hào)把第一發(fā)光元件設(shè)置為ON狀態(tài)。
15如權(quán)利要求14所述的方法，其中移位信號(hào)含有用于把奇數(shù)控制元件設(shè)置為ON狀態(tài)的第一移位信號(hào)和用于把偶數(shù)控制元件設(shè)置為ON狀態(tài)的第二移位信號(hào)。
16如權(quán)利要求14所述的方法，還包括按照驅(qū)動(dòng)信號(hào)選擇地使發(fā)光元件發(fā)光的驅(qū)動(dòng)步驟。
17如權(quán)利要求14所述的方法，其中ON狀態(tài)按照移位信號(hào)被移位到第二和隨后的控制元件。
全文摘要
在自掃描型發(fā)光元件陣列的驅(qū)動(dòng)裝置中,第一位發(fā)光可控硅被可靠地設(shè)置為ON狀態(tài),從而穩(wěn)定從第一位發(fā)光可控硅的發(fā)光操作的移位。它驅(qū)動(dòng)具有成陣列的多個(gè)發(fā)光可控硅的發(fā)光元件陣列和成陣列的多個(gè)移位可控硅(移位可控硅和發(fā)光可控硅的每個(gè)控制極相連),該裝置包括:按順序移動(dòng)移位可控硅ON狀態(tài)的移位信號(hào)的產(chǎn)生單元;及啟動(dòng)發(fā)光元件陣列驅(qū)動(dòng)的啟動(dòng)信號(hào)的產(chǎn)生單元,其中第一發(fā)光可控硅的控制極電壓按照啟動(dòng)信號(hào)被供給,而不按照移位信號(hào)把第一移位可控硅設(shè)置為ON狀態(tài)。
文檔編號(hào)B41J2/44GK1222719SQ981262
公開(kāi)日1999年7月14日 申請(qǐng)日期1998年12月29日 優(yōu)先權(quán)日1997年12月29日
發(fā)明者白石光生, 關(guān)谷利幸 申請(qǐng)人:佳能株式會(huì)社