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      平整薄膜層噴孔結構制造方法、薄膜層結構及噴墨打印機的制作方法

      文檔序號:9900906閱讀:263來源:國知局
      平整薄膜層噴孔結構制造方法、薄膜層結構及噴墨打印機的制作方法
      【技術領域】
      [0001]本發(fā)明涉及一種平整噴孔薄膜層結構的制造方法,以及利用該方法制造的平整噴孔薄膜層結構,以及包含該薄膜層結構的噴墨打印機。
      【背景技術】
      [0002]目前業(yè)界傳統(tǒng)實現(xiàn)壓力腔的方法有兩種:
      1、采用激光打孔的方式:
      通過光刻的方式形成壓力腔的外形,再將已進行激光打孔形成噴孔的聚酰亞胺(polyimide)通過對位的方式粘貼到墻體的頂部。圖1所示為該方法制造的壓力腔的一種結構,此項技術的缺點是:
      (I)聚酰亞胺(polyimide)在對位粘貼時存在對位誤差,噴孔偏離目標位置。
      [0003](2)聚酰亞胺(poly imide)貼附于墻體頂部時,聚酰亞胺(poly imide)的黏附均勾性以及粘著力的大小會存在偏差。
      [0004]2、采用MEMS集成的方法:
      用有機犧牲材料形壓力腔的外形,再通過沉積的方式(PECVD)將無機材料(s12)覆蓋在有機犧牲材料形壓力腔的外形的四周,形成壓力腔的墻體和頂部,再用光刻在壓力腔頂部形成噴孔。再通過干法刻蝕(氧洗)的方式將有機犧牲材料去除,形成壓力腔。圖2所示為該方法制造的壓力腔的一種結構,此項技術的缺點是:
      (I)此方法形成的壓力腔之間會形成凹槽,容易造成油墨和其他污染物的累積。在噴孔擦洗過程中造成噴孔污染或堵塞。
      [0005](2)因此種方法形成的壓力腔墻體很薄,在噴頭擦洗過程中易受損傷。

      【發(fā)明內(nèi)容】

      [0006]本發(fā)明主要是解決現(xiàn)有技術所存在的技術問題,從而提供一種平整噴孔薄膜層的制造方法,利用該方法制造的平整噴孔薄膜層的表面平整不會累積污染物,堅固且易批量制造。
      [0007]本發(fā)明的上述技術問題主要是通過下述技術方案得以解決的:
      一種平整噴孔薄膜層結構的制造方法,包含如下步驟:
      ①采用犧牲材料,并將其制成壓力腔外形;
      ②將薄膜層覆蓋在由犧牲材料制成的壓力腔外形四周,形成壓力腔的墻體和平整頂部;
      ③在由薄膜層形成的壓力腔頂部上形成噴孔;
      ④將犧牲材料去除,形成壓力腔。
      [0008]作為本發(fā)明較佳的實施例,步驟①所述的犧牲材料為可濕法釋放的無機犧牲材料。
      [0009]作為本發(fā)明較佳的實施例,步驟①所述的壓力腔外形通過光刻方式形成。
      [0010]作為本發(fā)明較佳的實施例,步驟②中薄膜層通過旋涂或壓膜的方式覆蓋在由犧牲材料制成的壓力腔外形四周。
      [0011 ]作為本發(fā)明較佳的實施例,步驟③所述的噴孔通過光刻方式形成。
      [0012]作為本發(fā)明較佳的實施例,所述的薄膜層為有機材料。
      [0013]作為本發(fā)明較佳的實施例,所述的薄膜層為高分子化合物或氟化物。
      [0014]本發(fā)明還提供一種平整噴孔薄膜層結構,該薄膜層結構利用上述制造方法制造而成。
      [0015]本發(fā)明還提供一種噴墨打印機,該噴墨打印機包括上述的平整噴孔薄膜層結構。
      [0016]由于用本發(fā)明的方法制造的平整噴孔薄膜層結構的薄膜層整體由有機材料形成,在表面不會形成凹槽,不會造成油墨和其他污染物的累積;壓力腔墻體堅固不易損壞。該平整噴孔薄膜層結構的制造方法更利于批量化生產(chǎn)。
      【附圖說明】
      [0017]為了更清楚地說明本發(fā)明實施例或現(xiàn)有技術中的技術方案,下面將對實施例或現(xiàn)有技術描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹,顯而易見地,下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實施例,對于本領域普通技術人員來講,在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下,還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。
      [0018]圖1為目前業(yè)界傳統(tǒng)方法實現(xiàn)壓力腔的一種結構;
      圖2為目前業(yè)界傳統(tǒng)方法實現(xiàn)壓力腔的另一種結構;
      圖3為本發(fā)明平整噴孔薄膜層結構制造流程示意圖。
      【具體實施方式】
      [0019]下面結合附圖對本發(fā)明的優(yōu)選實施例進行詳細闡述,以使本發(fā)明的優(yōu)點和特征能更易于被本領域技術人員理解,從而對本發(fā)明的保護范圍做出更為清楚明確的界定。
      [0020]如圖3所示,平整噴孔薄膜層結構的制造方法,具有兩種實現(xiàn)方式:
      第一種實現(xiàn)方式為:采用可濕法釋放的無機犧牲材料,通過光刻方式形成壓力腔外形,再通過旋涂的方式將有機材料(高分子化合物或氟化物)覆蓋在可濕法釋放的無機犧牲材料形壓力腔的外形的四周,形成壓力腔的墻體和頂部,再用光刻在壓力腔頂部形成噴孔。再通過濕法刻蝕的方式將無機犧牲材料去除,形成壓力腔。
      [0021]第二種實現(xiàn)方式為:采用可濕法釋放的無機犧牲材料,通過光刻方式形成壓力腔外形,再通過壓膜的方式將有機材料覆蓋在可濕法釋放的無機犧牲材料形壓力腔的外形的四周,形成壓力腔的墻體和頂部,再用光刻在壓力腔頂部形成噴孔。再通過濕法刻蝕的方式將無機犧牲材料去除,形成壓力腔。
      [0022]本發(fā)明還提供一種平整噴孔薄膜層結構,該薄膜層結構利用上述制造方法制造而成。
      [0023]本發(fā)明還提供一種噴墨打印機,該噴墨打印機包括上述的平整噴孔薄膜層結構。
      [0024]由于用本發(fā)明的方法制造的平整噴孔薄膜層結構的薄膜層整體由有機材料形成,在表面不會形成凹槽,不會造成油墨和其他污染物的累積;壓力腔墻體堅固不易損壞。該平整噴孔薄膜層結構的制造方法更利于批量化生產(chǎn)。
      [0025]
      以上僅僅以一個實施方式來說明本發(fā)明的設計思路,在系統(tǒng)允許的情況下,本發(fā)明可以擴展為同時外接更多的功能模塊,從而最大限度擴展其功能。
      [0026]以上所述,僅為本發(fā)明的【具體實施方式】,但本發(fā)明的保護范圍并不局限于此,任何不經(jīng)過創(chuàng)造性勞動想到的變化或替換,都應涵蓋在本發(fā)明的保護范圍之內(nèi)。因此,本發(fā)明的保護范圍應該以權利要求書所限定的保護范圍為準。
      【主權項】
      1.一種平整薄膜層噴孔結構的制造方法,包含如下步驟: (1)在基底上,采用犧牲材料,并將犧牲材料制成壓力腔外形,壓力腔下表面與基底上表面連接; (2)將薄膜層覆蓋在由犧牲材料制成的壓力腔外形四周,形成壓力腔的墻體和平整頂部; (3)在由薄膜層形成的壓力腔平整頂部上形成貫穿薄膜層的噴孔; (4)在基底上形成貫穿基底的進墨通道,所述進墨通道與犧牲層對應、連通; (5)將犧牲材料去除,形成壓力腔。2.根據(jù)權利要求1所述的平整薄膜層噴孔結構的制造方法,其特征在于,步驟(I)所述的犧牲材料為可濕法釋放的無機犧牲材料。3.根據(jù)權利要求2所述的平整薄膜層噴孔結構的制造方法,其特征在于,步驟(I)所述的壓力腔外形通過光刻方式形成。4.根據(jù)權利要求1所述的平整薄膜層噴孔結構的制造方法,其特征在于,步驟(2)中薄膜層通過旋涂或壓膜的方式覆蓋在由犧牲材料制成的壓力腔外形四周。5.根據(jù)權利要求1所述的平整薄膜層噴孔結構的制造方法,其特征在于,步驟(3)所述的噴孔通過光刻方式形成。6.根據(jù)權利要求1?5任一所述的平整薄膜層噴孔結構的制造方法,其特征在于,所述的薄膜層為有機材料。7.根據(jù)權利要求1?5任一所述的平整薄膜層噴孔結構的制造方法,其特征在于,所述的薄膜層為高分子化合物或氟化物。8.一種平整薄膜層噴孔結構,其特征在于,所述的平整薄膜層噴孔結構由權利要求1-7任一所述的方法制造而成。9.一種噴墨打印機,其特征在于,所述的噴墨打印機包括權利要求8所述的平整噴孔薄膜層結構。
      【專利摘要】本發(fā)明公開了一種平整薄膜層噴孔結構的制造方法以及用該方法制造的薄膜層結構,以及包括該薄膜層結構的噴墨打印機,該方法先用犧牲材料制成壓力腔外形,然后將薄膜層覆蓋在由犧牲材料制成的壓力腔外形四周,形成壓力腔的墻體和平整頂部,在由薄膜層形成的壓力腔頂部上形成噴孔后將犧牲材料去除,形成壓力腔,其中的犧牲材料為可濕法釋放的無機犧牲材料,薄膜層優(yōu)選SU-8光刻膠或聚酰亞胺。由于用本發(fā)明的方法制造的平整噴孔薄膜層結構的薄膜層整體由有機材料形成,在表面不會形成凹槽,不會造成油墨和其他污染物的累積;壓力腔墻體堅固不易損壞。該平整噴孔薄膜層結構的制造方法更利于批量化生產(chǎn)。
      【IPC分類】B41J2/01, B41J2/14, B41J2/16
      【公開號】CN105667089
      【申請?zhí)枴緾N201610120025
      【發(fā)明人】李令英, 宋佳麗, 謝永林
      【申請人】中國科學院蘇州納米技術與納米仿生研究所, 蘇州銳發(fā)打印技術有限公司
      【公開日】2016年6月15日
      【申請日】2016年3月3日
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