專利名稱：顯示裝置的制作方法
技術(shù)領域：
本發(fā)明涉及有源矩陣型顯示裝置，該裝置采用由驅(qū)動電流在有機半導體膜等發(fā)光薄膜流過而發(fā)光的EL(電致發(fā)光)元件或LED(發(fā)光二極管)等發(fā)光元件以及控制該發(fā)光元件的發(fā)光工作的薄膜晶體管(以下稱為TFT)。更詳細地說涉及在這種類型的顯示裝置內(nèi)構(gòu)成的各元件的驅(qū)動技術(shù)。
背景技術(shù)：
有一種用EL元件或LED元件等電流控制型發(fā)光元件的有源矩陣型顯示裝置。因為這類顯示裝置用的發(fā)光元件都自己發(fā)光，與液晶顯示裝置不同，不需要背后照明，此外，對視野角的依賴性也小，這是這類顯示裝置的優(yōu)點。
作為這類顯示裝置的一例，圖31是用電荷注入型有機薄膜EL元件的有源矩陣型顯示裝置的方框圖。在該圖所示的顯示裝置1A中，在透明基板上構(gòu)成多條掃描線gate，對該掃描線gate延長設置方向相交的方向延長設置的多條數(shù)據(jù)線sig，與這些數(shù)據(jù)線sig并列的多條公共供電線com，與數(shù)據(jù)線sig和掃描線gate的相交點對應的像素7。
在各像素7上構(gòu)成經(jīng)掃描線gate把掃描信號供給柵極(第1柵極)的第1TFT20，保存經(jīng)該第1TFT20由數(shù)據(jù)線sig供給的圖象信號的維持電容cap，由該維持電容cap保存的圖象信號供給柵極(第2柵極)的第2TFT30，在經(jīng)第2TFT30對公共供電線com電連接時由公共供電線com流驅(qū)動電流的發(fā)光元件40(作為電阻表示)。
在上述構(gòu)成的顯示裝置1A中，以往，如取N溝道型為例，則從簡化制造工藝的觀點著眼，第1TFT20以及第2TFT30，如圖32所示其等效電路那樣，都作為N溝道型或P溝道型的TFT構(gòu)成。因此如取N溝道型為例，如圖33(A)，(B)所示，由掃描線gate供給的掃描信號Sgate處于高電位，第1TFT20處于導通狀態(tài)時一旦由數(shù)據(jù)線sig在維持電容cap上寫入高電位的圖象信號data，則第2TFT30保持導通狀態(tài)。其結(jié)果，在發(fā)光元件40上從像素電極41向?qū)χ秒姌OOP方向沿箭頭E所示方向的驅(qū)動電流接連不斷流過，發(fā)光元件40接連不停發(fā)光(點亮狀態(tài))。與此相反，由掃描線gate供給的掃描信號Sgate處于高電位，第1TFT20處于導通狀態(tài)時，如果由數(shù)據(jù)線sig在維持電容cap寫入比公共供電線com的電位和對置電極OP電位間某電位還低電位的圖象信號data，則第2TFT30斷開，發(fā)光元件40熄滅(熄滅狀態(tài))。
在這種顯示裝置1A內(nèi)，構(gòu)成各元件的半導體膜、絕緣膜、電極等由在基板上由堆積的薄膜構(gòu)成，并且考慮基板的耐熱性等，該薄膜多采用低溫工藝形成。從而，起因于薄膜和基板體物理性質(zhì)差異等，引起缺陷多等膜品質(zhì)低下，因此，就TFT等而言，絕緣破壞和經(jīng)時老化等問題易表面化。
即使在用液晶作光調(diào)制元件的液晶顯示裝置在所謂用薄膜這一點上是共同的，但因為在這種情況下交流驅(qū)動光調(diào)制元件，所以不僅液晶，而且TFT的經(jīng)時老化也都能夠抑制。與此相反，在用電流控制型發(fā)光元件的顯示裝置1A中，從不得不直流驅(qū)動這一點而言，TFT也比液晶顯示裝置更容易引起經(jīng)時老化。為了解決這種問題，即使在使用電流控制型發(fā)光元件的顯示裝置1A中還不能說在TFT的構(gòu)造和工藝技術(shù)上加以改良的產(chǎn)品已充分改良。
此外，因為在用液晶作光調(diào)制元件的情況下通過電壓控制該光調(diào)制元件，只對各元件瞬時流過電流，所以消耗電功率低。與此相反，在電流控制型發(fā)光元件的顯示裝置1A中為連續(xù)點亮必須持續(xù)用驅(qū)動電流流過發(fā)光元件，所以消耗電功率高，容易產(chǎn)生絕緣破壞和經(jīng)時老化。
在液晶顯示裝置，能用每一像素一只TFT交流驅(qū)動液晶，而在用電流控制型發(fā)光元件的顯示裝置1A中每一像素用兩只TFT20、30直流驅(qū)動發(fā)光元素40，所以驅(qū)動電壓增大，所謂上述絕緣破壞以及耗費電功率大諸問題更顯著。例如，如圖33(A)所示，由于選擇像素時第1TFT20的柵電壓Vg sw相當于在相當于掃描信號Sgate的高電位的電位和維持電位電極st的電位(維持電容Cap的電位或第2TFT30的柵極電位)之間的電位差，所以提高維持電位電極st的電位以及使發(fā)光元件高亮度點亮、提高第2TFT30的柵電壓Vg cur時，因為第1TFT的柵電壓變低了，所以有必要增大掃描信號Sgate的振幅，結(jié)果顯示裝置1A的驅(qū)動電壓變高了。此外在前述的顯示裝置1A中由于發(fā)光元件40熄滅時使圖象信號data的電位比在公共供電線com的電位和對置電極op的電位之間的某電位低而第2 TFT輪流截止，所以也有所謂圖象信號data振幅大的問題。因此在這種顯示裝置1A中與液晶顯示裝置比較，必須特別考慮耗費電功率和TFT的耐壓，而現(xiàn)有的顯示裝置1A中這種考慮不夠充分。
因此本發(fā)明的課題是提供顯示裝置，該顯示裝置能用考慮了控制電流驅(qū)動型的發(fā)光元件發(fā)光動作的TFT的導電型的驅(qū)動方式，因而兼顧因驅(qū)動電壓的低電壓化而降低耗費電功率、絕緣破壞、經(jīng)時老化以及提高顯示品質(zhì)。
發(fā)明的公開為解決上述課題，與權(quán)利要求1有關的發(fā)明為在基板上有多條掃描線、與掃描線相交的多條數(shù)據(jù)線、多條公共供電線以及由前述數(shù)據(jù)線和前述掃描線形成的矩陣狀的像素，在各該像素上具有通過前述掃描線掃描信號供給第1柵極的第1TFT，通過第1TFT保存由前述數(shù)據(jù)供給的圖象信號的維持電容，由該維持電容保存的前述圖象信號供給第2柵極的第2TFT，以及由每個前述像素形成的圖象電極通過第2TFT電連接到前述公共供電線時通過前述像素電極和發(fā)光薄膜在對置的對置電極之間流過驅(qū)動電流使前述發(fā)光薄膜發(fā)光的發(fā)光元件，其特征為在前述第2TFT為N型溝道型的情況下設定前述公共供電線的電位比前述對置電極低。
在本發(fā)明的顯示裝置，因為第2TFT導通時的柵電壓相當于公共供電線的電位及像素電極電位中的一方電位和柵極電位(圖象信號的電位)之差，所以相應于第2TFT的導電型使公共供電線的電位和發(fā)光元件的對置電極的電位相對高低最佳化，構(gòu)成第2TFT的柵電壓使其相當于公共供電線電位和電位保持電極的電位之差。例如，假設第2TFT為N溝道型，相對發(fā)光元件的對置電極電位，降低公共供電線電位。因為就該公共供電線電位而言，與像素電極電位不同，能夠設定在足夠低的值，所以在第2TFT可獲大的導通電流，能夠進行高亮度顯示。此外，在像素為點亮狀態(tài)時假設第2TFT上獲得高的柵電壓，則因為能夠降低圖象信號的電位，所在能夠減小圖象信號的振幅、降低顯示裝置內(nèi)的驅(qū)動電壓。因此其優(yōu)點為除了能夠降低耗費電功率之外由薄膜構(gòu)成的各元件上令人擔心的耐電壓問題不致太明顯。
在本發(fā)明，上述第2TFT為N溝道型的情況下對應外點亮狀態(tài)的像素由前述數(shù)據(jù)線供給的圖象信號的電位最好比前述對置電極的電位低或等電位。在如此構(gòu)成的情況下在保持第2TFT導通狀態(tài)，也能夠降低圖象信號的振幅和降低顯示裝置內(nèi)的驅(qū)動電壓。
在本發(fā)明，第2TFT為N溝道型的情況下對應處熄滅狀態(tài)的像素由前述數(shù)據(jù)線供給的圖象信號的電位最好比前述公共供電線的電位高或等電位(權(quán)利要求5)。即像素取熄滅狀態(tài)時不加使第2TFT輪流截止那樣大的柵電壓(圖象信號)。結(jié)合發(fā)光元件的非線性電特性，能夠?qū)崿F(xiàn)熄滅狀態(tài)。因此能夠減小圖象信號的振幅，使顯示裝置內(nèi)的驅(qū)動電壓下降，此外能夠促使圖象信號的高頻化。
在本發(fā)明中與上述各構(gòu)成相反，前述第2TFT為P溝道型的情況下，各電位的相對關系反過來了。即在前述第2TFT為P溝道型的情況下其特征為前述公共供電線設定在比前述對置電極還高的電位，(權(quán)利要求2)。在這種情況下對應處點亮狀態(tài)的像素由前述數(shù)據(jù)線供給的圖象信號的電位最好比前述對置電極的電位高或等電位(權(quán)利要求4)。此外，對應處熄滅狀態(tài)的像素，由前述數(shù)據(jù)線供給的圖象信號的電位最好比前述公共供電線的電位低或等電位(權(quán)利要求6)。
在本發(fā)明，前述第1TFT和前述第2TFT最好用相反通導型TFT構(gòu)成(權(quán)利要求7)。即若第1TFT為N溝道型，則第二TFT為P溝道型；假設第1TFT為P溝道型，則第2TFT最好為N溝道型。更詳細情況與權(quán)利要求8有關的后述，如果采用這種構(gòu)成，則在顯示裝置的驅(qū)動電壓量程范圍內(nèi)只要向第1TFT導通時電阻變小的方向改變照明的圖象信號的電位，就能促使顯示動作的高速化。此外，因為這時為使像素點亮的圖象信號的電位向著第2TFT的導通時電阻變小方向改變，所以能夠促使亮度上升。因此，能實現(xiàn)兼顧驅(qū)動電壓低電壓化和提高顯示品質(zhì)。
在本發(fā)明的其它實施例(權(quán)利要求8)，即在基板上有多條掃描線、與該掃描線相交的多條數(shù)據(jù)線、多條公共供電線以及由前述數(shù)據(jù)線和前述掃描線形成矩陣狀的像素；在各該像素上具有通過前述掃描線掃描信號供給第1柵極的第1TFT；通過該第1TFT保存由前述數(shù)據(jù)線供給的圖象信號的維持電容；由該維持電容保存的前述圖象信號供給第2柵極的第2TFT；以及有發(fā)光薄膜的發(fā)光元件，在由前述每個像素形成的像素電極和對該像素電極對置的對置電極之間的層間前述像素電極通過前述第2 TFT對前述公共供電線電連接時通過前述像素電極和前述對置電極之間流過的驅(qū)動電流使該發(fā)光薄膜發(fā)光，其特征為前述第1TFT和第2TFT由逆導通型的TFT構(gòu)成。
在本發(fā)明，例如假設第1TFT是N型，則希望第2TFT為P型，因為第1TFT和第2TFT為逆導通型，所以為了提高第1TFT的寫入能力，要提高掃描信號的選擇脈沖高度，為了降低第2TFT的通導電阻，提高發(fā)光亮度，必須降低圖象信號的電位。這樣的掃描信號及圖象信號的最佳化對第1TFT的柵電壓，在像素選擇期間隨著具有使發(fā)光元件點亮的電平的圖象信號寫入維持電容，對于向著該TFT的導通電流增大方向偏移起作用。因此，由數(shù)據(jù)線通過第1TFT在維持電容順利地寫入圖象信號。這里，選擇像素時第1TFT的柵電壓相當于在相當于掃描信號高電位的電位和點亮時電位維持電極的電位(為點亮用的圖象信號電位，維持電容的電位或第2TFT的柵極電位)之差，第2TFT的柵極電壓相當于點亮時的維持電位電極的電位與公共供電線的電位之差，以這時的電位維持電極的電位作基準時，相當于掃描信號高電位的電位和公共供電線的電位為同一極性。因此，如果改變點亮時電位維持電極的電位(為點亮用的圖象信號電位)，則第1TFT的柵電壓以及第2TFT的柵電壓兩者向相同方向進行同樣程度的移動。因此在顯示裝置的驅(qū)動電壓量程范圍內(nèi)，如果使為點亮用的圖象信號電位向著第1TFT導通時電阻變小方向移動，則能促使顯示動作高速化。此外，因為這時為點亮用的圖象信號的電位向著使第2TFT導通時的電阻變小的方向移動，所以能謀求亮度上升。因此，能夠達到兼顧驅(qū)動電壓的低電壓化和顯示品質(zhì)的提高。
在本發(fā)明，在熄滅狀態(tài)像素的前述第2TFT上所加的柵電壓與該第2TFT導通狀態(tài)時的極性相同，并且最好處于不超過該第2TFT的閾值電壓的值(權(quán)利要求9)。即在像素處于熄滅狀態(tài)時不加使第2TFT完全截止那種程度的柵電壓(圖象信號)。因此能夠減小圖象信號的振幅、實現(xiàn)圖象信號的高頻化。
在如上所述構(gòu)成的情況下，如果前述第1TFT為N溝道型、前述第2TFT為P溝道型，則在前述第1TFT導通狀態(tài)時掃描信號電位和前述公共供電線的電位相同，而且在熄滅狀態(tài)的像素在前述第2TFT上所加的柵電極電位最好為比前述第1TFT導通狀態(tài)時的掃描信號電位扣除該第1TFT的閾值電壓的電位還低的電位(權(quán)利要求10)。與此相反，如果前述第1TFT為P溝道型、前述第2TFT為N溝道型，則前述第1TFT導通狀態(tài)時的掃描信號電位與前述公共供電線的電位相同，并且，在熄滅狀態(tài)的像素在前述第2TFT上所加的柵極電位最好為比前述第1TFT導通狀態(tài)時的掃描信號電位加上該第1TFT的閾值電壓還高的電位(權(quán)利要求11)。如上所述如果第1TFT導通狀態(tài)時的掃描信號電位與公共供電線的電位相等，則由于各驅(qū)動信號的電平數(shù)減小，所以可以減少向顯示裝置連接的信號輸入端數(shù)，同時因為能減少電源數(shù)所以可降低耗費電功率。
在本發(fā)明中，前述維持電容的兩電極中與前述第2TFT的第2柵極電連的電極對置的電極上最好供給比前述掃描信號的選擇脈沖延遲，與該選擇脈沖電位偏向反方向的脈沖(權(quán)利要求12)。如果如上述構(gòu)成，則因為能夠向維持電容補充寫入圖象信號，所以能夠不使圖象信號的振幅增大，使在第2TFT柵極上所加圖象信號電位向高亮度化方向移動。
在本發(fā)明其它的實施例，在基板上有多條掃描線、與該掃描線相交的多條數(shù)據(jù)線、多條公共供電線、前述數(shù)據(jù)線和前述掃描線形成矩陣狀的像素；在各該像素上具有通過前述掃描線掃描信號供給第1柵極上的第1TFT；通過該第1TFT保存由前述數(shù)據(jù)線供給的圖象信號的維持電容；由該維持電容保存的前述圖象信號供給第2柵極上的第2TFT；以及有發(fā)光薄膜的發(fā)光元件，在由前述每個像素形成的像素電極和對該像素電極對置電極的層間前述像素電極通過前述第2TFT對前述公共供電線電連接時通過前述像素電極和前述對置電極之間流過的驅(qū)動電流使該發(fā)光薄膜發(fā)光，其特征為在前述維持電容的兩電極中與前述第2TFT的第2柵極電連接的電極對置一側(cè)的電極上供給比掃描信號的選擇脈沖延遲，與該選擇脈沖電位偏向反方向的脈沖(權(quán)利要求13)。
如果采用上述構(gòu)成，則因為能補充向維持電容的圖象信號的寫入，所以能夠不使圖象信號的振幅增大，使第2TFT的柵極上所加圖象信號的電位向高亮度化移動。
在上述任一發(fā)明中作為發(fā)光薄膜也能應用例如有機半導體膜(權(quán)利要求14)。
在本發(fā)明的任一項發(fā)明中對第2 TFT通過其在飽和區(qū)工作在發(fā)光元件流過異常電流，因電壓下降能防止對其它像素產(chǎn)生交調(diào)失真(串像)。(權(quán)利要求15)。
此外通過在其線性區(qū)工作能防止該閾值電壓離散(偏差)對顯示工作的影響(權(quán)利要求16)。
附圖的簡要說明圖1是示范地表示適用本發(fā)明的顯示裝置平面圖。
圖2是表示適用本發(fā)明的顯示裝置基本構(gòu)成的方框圖。
圖3是放大表示圖2所示顯示裝置的像素的平面圖。
圖4是沿圖3的A-A′線的剖面圖。
圖5是沿圖3的B-B′線的剖面圖。
圖6(A)是沿圖3的C-C′線的剖面圖，圖6(B)是為說明圖6(A)所示構(gòu)成時的效果的說明圖。
圖7(A)、(B)分別是在圖2所示顯示裝置內(nèi)用的發(fā)光元件的剖面圖。
圖8(A)、(B)分別是具有不同于圖7所示發(fā)光元件結(jié)構(gòu)的發(fā)光元件剖面圖。
圖9是表示圖7(A)、圖8(B)所示發(fā)光元件的電流-電壓特性的圖。
圖10是表示圖7(B)、圖8(A)所示的發(fā)光元件的電流-電壓特性的圖。
圖11是表示N溝道型TFT的電流-電壓特性的圖。
圖12是表示P溝道型TFT的電流-電壓特性的圖。
圖13是表示適用本發(fā)明的顯示裝置的制造方法的工序剖面圖。
圖14(A)、(B)分別表示與圖3到圖6所示顯示裝置的像素不同構(gòu)成的像素平面圖及剖面圖。
圖15是表示本發(fā)明實施例1的顯示裝置像素構(gòu)成的等效電路圖。
圖16(A)、(B)分別表示由圖15所示像素構(gòu)成的各元件的電連接狀態(tài)的說明圖以及表示驅(qū)動信號等的電位變化的波形圖。
圖17是表示本發(fā)明實施例1的變型例的顯示裝置的像素構(gòu)成的等效電路圖。
圖18(A)、(B)分別表示由圖17所示像素構(gòu)成的各元件的電連接狀態(tài)的說明圖以及表示驅(qū)動信號等的電位變化的波形圖。
圖19是表示本發(fā)明的實施例2的顯示裝置的像素構(gòu)成的等效電路圖。
圖20(A)、(B)分別表示由圖19所示像素構(gòu)成的各元件的電連接狀態(tài)的說明圖以及表示驅(qū)動信號等的電位變化的波形圖。
圖21是表示本發(fā)明的實施例2的顯示裝置的像素構(gòu)成的等效電路圖。
圖22(A)、(B)分別表示由圖21所示像素構(gòu)成的各元件的電連接狀態(tài)的說明圖以及表示驅(qū)動信號等的電位變化的波形圖。
圖23是表示本發(fā)明實施例3的顯示裝置的像素構(gòu)成的等效電路圖。
圖24(A)、(B)分別表示為驅(qū)動圖23所示像素的信號波形圖以及表示這些信號與等效電路對應的說明圖。
圖25是為驅(qū)動本發(fā)明實施例2的顯示裝置的像素的信號波形圖。
圖26是表示本發(fā)明實施例3的顯示裝置像素構(gòu)成的等效電路圖。
圖27(A)、(B)分別表示為驅(qū)動圖26所示像素的信號波形圖以及表示這些信號和等效電路對應的說明圖。
圖28(A)、(B)分別表示本發(fā)明實施例4的顯示裝置像素的等效電路圖以及為驅(qū)動它的信號波形圖。
圖29是為產(chǎn)生圖28所示信號的掃描一側(cè)驅(qū)動電路方塊圖。
圖30是由圖29所示掃描側(cè)驅(qū)動電路輸出的各信號的波形圖。
圖31是顯示裝置的方框圖。
圖32是表示圖31所示顯示裝置中現(xiàn)有的像素構(gòu)成的等效電路圖。
圖33(A)、(B)分別表示為驅(qū)動圖32所示像素的信號波形圖以及表示這些信號和等效電路對應的說明圖。
圖34(A)、(B)分別表示用鄰接的柵極線形成電容的構(gòu)成方塊圖及其柵電壓信號波形。
1 顯示裝置2 顯示部3 數(shù)據(jù)側(cè)驅(qū)動電路4 掃描側(cè)驅(qū)動電路5 檢測電路6 安裝用墊7 像素10 透明基板20 第1TFT21 第1TFT的柵極
30第2TFT31第2TFT的柵極40發(fā)光元件41像素電極42空穴注入層43有機半導體膜50柵極絕緣膜bank 存儲體層cap 維持電容cline 電容線com 公共供電線gate 掃描線op對置電極sig 數(shù)據(jù)線st維持電位電極本發(fā)明的實施例參照


本發(fā)明的實施例。此外在說明本發(fā)明的各實施例之前，先說明各實施例共同的構(gòu)成。在這里就各實施例有共同的功能部分采取同一標號以避免說明的重復。
(有源矩陣基板的整體結(jié)構(gòu))圖1是示范地表示顯示裝置全體的布局的方框圖。圖2是由它構(gòu)成的有源矩陣的等效電路圖。
如圖1所示，在本實施例的顯示裝置1，在其基體的透明基板10的中央部分取作顯示部2。在透明基板10的外周部分內(nèi)向著圖面的上下側(cè)分別構(gòu)成對數(shù)據(jù)線sig輸出圖象信號的數(shù)據(jù)側(cè)驅(qū)動電路3以及檢測電路5，在向著圖面的左右側(cè)構(gòu)成對掃描線gate輸出掃描信號的掃描側(cè)驅(qū)動電路4。這些驅(qū)動電路3、4由N型TFT和P型TFT構(gòu)成互補型TFT，這些互補型TFT構(gòu)成移位寄存器電路，電平移相器電路、模擬開關電路等。在透明基板10上在從數(shù)據(jù)側(cè)驅(qū)動電路3向外的外周區(qū)域上形成用于輸入圖象信號及各種電位、脈沖信號的端子組安裝模塊。
在顯示裝置1上與液晶顯示裝置的有源矩陣基板同樣，在透明基板10上構(gòu)成多條掃描線gate，對該掃描線gate延長設置方向的相交方向延長設置多條數(shù)據(jù)線sig，如圖2所示，由這些數(shù)據(jù)線sig和掃描線gate相交構(gòu)成大量矩陣狀像素7。
在這些像素7的每一像素上構(gòu)成第1TFT20，掃描信號通過掃描線gate供給第1TFT的柵極21(第1柵極)。該TFT20的源·漏區(qū)的一方與數(shù)據(jù)線sig電連接，另一源·漏區(qū)與電位維持電極st電連接，即對掃描線gate并行配置電容線cline，該電容線cline和電位維持電極st之間形成維持電容cap。因此由掃描線選擇，如果第1TFT20處于導通狀態(tài)，則由數(shù)據(jù)線sig經(jīng)第1TFT20，圖象信號寫入維持電容cap。
在電位維持電極st電連接第2TFT30的柵極31(第2柵極)，第2TFT30的源·漏區(qū)的一方電連接公共供電線com，另一方的源·漏區(qū)電連接到發(fā)光元件40的一方電極(后述的像素電極)。公共供電線com保持恒定電位。在第2TFT30處于導通狀態(tài)時公共供電線com的電流經(jīng)第2TFT30流過發(fā)光元件40使發(fā)光元件40發(fā)光。
在上述構(gòu)成的顯示裝置1內(nèi)，因驅(qū)動電流流過電流路徑由發(fā)光元件40、第2TFT30以及公共供電線com構(gòu)成，所以第2TFT30處于截止狀態(tài)，沒有電流流過。只是，在本實施例1，如果由掃描電路選擇，第1TFT20處于導通狀態(tài)時，則圖象信號從數(shù)據(jù)線sig經(jīng)第1TFT20寫入維持電容cap。因此，即使第1TFT20處于截止狀態(tài)，第2TFT30的柵極也由維持電容cap保持與圖象信號相當?shù)碾娢?，所以?TFT30維持導通狀態(tài)。因此，驅(qū)動電流繼續(xù)在發(fā)光元件40流過，該像素保持點亮狀態(tài)。該狀態(tài)維持到新的圖象數(shù)據(jù)寫入維持電容cap，第2TFT30截止為止。
在顯示裝置內(nèi)對公共供電線com，像素7以及數(shù)據(jù)線sig可能有各種配置，但在本實施例，在公共供電線com兩側(cè)，與該公共供電線之間配置有供給驅(qū)動電流的發(fā)光元件的多個像素7，對這些像素7，2根數(shù)據(jù)線sig通過與公共供電線com的對置一側(cè)。即，以數(shù)據(jù)線sig，與其連接的像素群，1根公共供電線com，與其連接的像素群，以及把像素信號供給該像素群的數(shù)據(jù)線sig作為1個單位以其沿著掃描線gate的延長設置方向重復，用1根公共供電線對2列部分的像素7供給驅(qū)動電流。因此在本實施例，夾以公共供電線com地配置的兩像素7之間以該公共供電線com為中心線對稱地配置第1TFT20，第2TFT30以及發(fā)光元件40，使這些元件和各配線層之間的電連接容易實現(xiàn)。
如上所述在本實施例，因為用1根公共供電線com驅(qū)動2列部分的像素，所以與在每1列像素群上形成公共配電線com的情況比較，公共供電線com數(shù)可節(jié)省1/2，同時無需同一層間形成的公共供電線com和數(shù)據(jù)線sig之間確保的間隙。因此，在透明基板10上使用于配線的區(qū)域變狹，所以能夠提高亮度、對比度等顯示性能。再有，由于采用在以上所述1根公共供電線com上連接2列部分的像素的構(gòu)成，所以數(shù)據(jù)線sig處于每2根并列的狀態(tài)，對每列的像素群供給圖象信號。
(像素的構(gòu)成)參照圖3到圖6詳述如上所述結(jié)構(gòu)的顯示裝置1的各像素7。
圖3是放大表示本實施例的顯示裝置1內(nèi)形成的多個像素7中的3個像素的平面圖，圖4、圖5、及圖6分別是圖3的A-A′線剖面圖、B-B′線剖面圖以及C-C′線剖面圖。
首先在相當于圖3A-A′線的位置，如圖4所示在透明基板10的在各像素7上形成了第1TFT20的島狀硅膜20，在其表面形成柵絕緣膜50。在柵絕緣膜50的表面形成柵極21(掃描線gate的一部分)，對該柵極21自動匹配地形成源·漏區(qū)22、23。在柵絕緣膜50的表面?zhèn)刃纬傻?層間絕緣膜51，通過該層間絕緣膜上形成的接觸孔61，62，數(shù)據(jù)線sig以及電位維持電極st分別與源·漏區(qū)22、23電接觸。
掃描線gate和柵極21同一層間(柵絕緣膜50和第1層間絕緣膜51之間)形成電容線cline，通過第1層間絕緣膜51電位維持電極st的延長設置部分st1對該電容線cline重疊，以便在各像素7上與掃描線并列。因此，電容線cline和電位維持電極st的延長設置部分st1構(gòu)成以第1層間絕緣膜51作介電體膜的維持電容cap。再有，在電位維持電極st及數(shù)據(jù)線sig的表面?zhèn)壬闲纬傻?層間絕緣膜52。
在與圖3B-B′線相當?shù)奈恢蒙先鐖D5所示，在透明基板10上形成的第1層間絕緣膜51及第2層間絕緣膜50的表面對應各像素7的數(shù)據(jù)線sig形成兩根并列的狀態(tài)。
在與圖3C-C′線相當?shù)奈恢蒙先鐖D6(A)所示，形成了用于形成第2TFT30的島狀硅膜300，在硅膜表面形成柵絕緣膜50，以便在透明基板10上橫跨夾以公共供電線com的兩像素7。在柵絕緣膜50的表面上在各像素7上分別形成柵極31，對該柵極31自行匹配地形成源·漏區(qū)32、33，以便夾以公共供電線com。在柵絕緣膜50的表面?zhèn)壬闲纬傻?層間絕緣膜51，通過該層間絕緣膜上形成的接觸孔63，中繼電極35與源·漏區(qū)62電連接。一方面公共供給線com通過第1層間絕緣膜51的接觸孔64對在硅膜30中央的兩像素7上構(gòu)成公共的源·漏區(qū)33的部分電連接。在這些公共供電線com以及中繼電極35的表面上形成第2層間絕緣膜52。在第2層間絕緣膜52的表面形成由ITO膜構(gòu)成的像素電極41。該像素電極41通過在該第2層間絕緣膜52上形成的接觸孔65與中繼電極35電連接，通過該中繼電極35與第2TFT30的源·漏區(qū)32電連接。
(發(fā)光元件的特性)因為作為發(fā)光元件40即使在使用任何一種構(gòu)造的情況下都適用本發(fā)明，所以以下說明其典型情況。
首先，由前述ITO膜構(gòu)成的像素電極41如圖7(A)所示構(gòu)成發(fā)光元件40的一方電極(正電極)。在該像素電極41的表面疊層了空穴注入層42及作為發(fā)光薄膜的有機半導體膜43，接著在有機半導體膜43的表面形成由含鋰的鋁或鈣等金屬膜構(gòu)成的對置電極OP(負極)。該對置電極OP應構(gòu)成由在整個透明基板10的面或條形面上形成的共用電極，保持在一定電位。與此相反，在與圖7(A)所示發(fā)光元件40相反方向流過驅(qū)動電流的情況下也有如圖7(B)所示從下層向上層側(cè)依次由ITO膜構(gòu)成的像素電極41(負極)，具有透光性那樣薄的含鋰的鋁電極45，有機半導體層43，空穴注入層42，ITO膜46，由含鋰的鋁或鈣等金屬膜構(gòu)成的對置電極OP(正極)疊層構(gòu)成發(fā)光元件40的情況。如果如上所述構(gòu)成，則即使在圖7(A)、(B)所示發(fā)光元件40內(nèi)分別流過反極性驅(qū)動電流情況下，由于空穴注入層42及有機半導體層43直接連接的電極層的結(jié)構(gòu)相同，因此發(fā)光特性相同。這些圖7(A)、(B)所示的發(fā)光元件40在下層側(cè)(基板側(cè))都有由ITO膜構(gòu)成的像素電極41，光如箭頭hv所示，透過像素電極41及透明基板10從透明基板10里側(cè)射出。
與此相反，如果如圖8(A)、(B)所示構(gòu)成發(fā)光元件40，則光如箭頭hv所示透過對置電極OP，射出到透明基板10的表面?zhèn)?。即如圖8(A)所示在由含鋰的鋁等金屬膜構(gòu)成的像素電極14(負極)的表面疊層有機半導體膜43以及空穴注入層42，接著在空穴注入層42的表面形成了由ITO膜構(gòu)成的對置電極OP(正極)。該對置電極OP也是整個面上的極板或形成條狀的共用電極，保持在一定的電位。與此相反，在與圖8(A)所示的發(fā)光元件相反方向流過驅(qū)動電流時，如圖8(B)所示，也有由下層側(cè)向上層側(cè)，按以下順序?qū)臃e，由含鋰的鋁等金屬膜構(gòu)成的像素電極41(正極)，ITO膜層46，空穴注入層42，有機半導體膜43，具有透光性那樣薄的含鋰的鋁電極45，由ITO膜構(gòu)成的對置電極OP(負極)構(gòu)成發(fā)光元件40的情況。
在形成具有任一種構(gòu)造的發(fā)光元件40時，如果空穴注入層42及有機半導體膜43如后所述由噴墨法在基體層bank的內(nèi)側(cè)形成，則即使上下位置相反，制造工序也不復雜。此外，即使追加像具有透光性那樣薄的含鋰的鋁電極45以及ITO膜層46，含鋰的鋁電極45成為在與像素電極41相同區(qū)域疊層的構(gòu)造對顯示也并無障礙，ITO膜層46也成為與對置電極OP在同一區(qū)域疊層的構(gòu)造對顯示也并無障礙。因此含鋰的鋁電極45和像素電極41分別形成圖象也行，但用相同掩模統(tǒng)一形成圖案也行。同樣地，ITO膜層46和對置電極OP分別形成圖案也行，但用相同掩模統(tǒng)一形成圖案也行。當然含鋰的鋁電極45及ITO膜層46只在基體層bank的內(nèi)側(cè)區(qū)形成也行。
用ITO膜形成對置電極OP，用金屬膜形成像素電極41也行。在任何情況下光應從透明的ITO膜射出。
如上所述構(gòu)成的發(fā)光元件40作為正極及負極分別給對置電極OP及像素電極41加電壓，如圖9(圖7(A)，圖8(B)所示的發(fā)光元件40的電流-電壓特性)，圖10(圖7(B)，圖8(A)所示的發(fā)光元件40的電流-電壓特性)分別所示，在所加電壓(橫軸/對置電極OP對像素電極41的電位)超過閾值的區(qū)域?qū)ǎ刺幱诘碗娮锠顟B(tài)，流過有機半導體膜43的電流(驅(qū)動電流)急劇增大。其結(jié)果，發(fā)光元件40作為電致發(fā)光元件或LED元件發(fā)光，發(fā)光元件40的射出光在對置電極OP上反射，通過透明的像素電極OP對象素電極41及透明基板10射出。與此相反地，所加電壓(橫軸/對置電極41的電位)低于閾值的區(qū)域，截止，即處于高電阻狀態(tài)，沒有電流(驅(qū)動電流)流過有機半導體膜43，發(fā)光元件40熄滅。再有在圖9，圖10所示的例子中分別在+2V附近，-2V附近是閾值電壓。
在這里有發(fā)光效率稍低下傾向的，也有省略空穴注入層42。此外也有不用空穴注入層42而在對有機半導體層43形成空穴注入層42的位置另一側(cè)的位置上設置電子注入層的情形。此外，也有空穴注入層42及電子注入層兩者都設置的情形。
(TFT的特性)作為控制如上所述構(gòu)成的發(fā)光元件40的發(fā)光的TFT(圖2的第1TFT20和第2TFT30)，圖11及圖12(兩圖的漏極電壓都取4V、8V作為例子給出)給出N溝道型及P溝道型TFT的電流電壓特性。正如由這些圖看到的，TFT由加在柵極上的柵電壓進行導通、截止動作。即柵電壓一超越閾值電壓，TFT處于導通狀態(tài)(低電阻狀態(tài))，漏電流增大。與此相反，柵電壓-低于閾值電壓，TFT處于截止狀態(tài)(高電阻狀態(tài))，漏電流降低。
(顯示裝置的制造方法)對于如上所述構(gòu)成的顯示裝置1的制造方法，由于在透明基板10上一直到制造第1TFT20和第2TFT30的制造工序與制造液晶顯示裝置1的有源矩陣基板的工序大體相同，所以簡單地參照圖13說明其概要。
圖13示范地給出在600℃以下溫度條件下形成顯示裝置1的各構(gòu)成部分的過程的工序剖面圖。
即如圖13(A)所示根據(jù)需要對透明基板10用TEOS(四乙氧基硅烷)及氧氣等作原料氣體依靠等離子CVD法形成由厚度約2000～5000的氧化硅膜構(gòu)成的襯底保護膜(未圖示)。其次設定基板的溫度為約350℃，在襯底保護膜的表面依靠等離子CVD法形成由厚度為約300～700的非晶硅膜構(gòu)成的半導體膜100。其次對由非晶硅膜構(gòu)成的半導體膜100進行激光退火或固相成長法等結(jié)晶化工序，使半導體膜100結(jié)晶化為多晶硅。在激光退火法中例如用受激二聚物激光器，其束形狀的長尺寸用400mm的直線束，其輸出強度例如為200mJ/cm2。使直線束進行掃描，以便對直線束而言在相當于其短尺寸方向激光強度峰值90％的部分在各區(qū)域重疊。
其次，如圖13(B)所示，對半導體膜進行處理形成圖案，作為島狀半導體膜200、300，對其表面以TEOS(四乙氧基硅烷)及氧氣等作原料氣體依靠等離子體CVD法形成由厚度約600～1500的氧化硅膜或氮化硅膜構(gòu)成的柵絕緣膜50。
其次如圖13(C)所示，用濺射法形成由鋁、鉭、鉬、鈦、鎢等金屬膜構(gòu)成的導電膜后，形成圖案，形成作為掃描線gate的一部分的柵電極21，31。在該工序也形成電容線cline。再有，圖中310是柵極31的延長設置部分。
在此狀態(tài)下注入高濃度磷離子或硼離子等雜質(zhì)，在硅薄膜200、300上，對柵電極21、31自動匹配地形成源·漏區(qū)22、23、32、33。未摻入雜質(zhì)的部分構(gòu)成溝道區(qū)27、37。在本實施例，如后所述，因為有在同一基板上制造導電型不同的TFT的情形，所以在這種情況下，在雜質(zhì)摻雜工序，一邊用掩模復蓋逆導電型的TFT形成區(qū)域，一邊進行雜質(zhì)摻入。
其次如圖13(D)所示，在形成第1層間絕緣膜51后形成接觸孔61、62、63、64、69，形成數(shù)據(jù)線sig、電容線cline以及在柵電極31的延長設置部分310上具有的重疊的延長設置部分st1的電位維持電極st，公共供電線com以及中繼電極35。其結(jié)果，電位維持電極st通過接觸孔69及延長設置部分310與柵極31電連接。這樣一來形成第1TFT20及第2TFT30。此外，由電容線cline和電位維持電極st的延長設置部分st1形成維持電容cap。
其次如圖13(E)所示，形成第2層間絕緣膜52，在該層間絕緣膜上在與中繼電極35相當?shù)牟糠中纬山佑|孔65。接著在整個第2層間絕緣膜52的表面形成導電膜后形成圖案，通過接觸孔65形成與第2TFT30的源·漏區(qū)32電接觸的像素電極41。
其次如圖13(F)所示，在第2層間絕緣膜52的表面?zhèn)刃纬珊谏刮g層后，留下該抗蝕層以便包圍應形成發(fā)光元件40的有機半導體膜43、以及空穴注入層42的區(qū)域，形成存儲體層bank。在這里，無論是每個像素各自獨立形成盒狀的情況或是沿著數(shù)據(jù)線sig形成條狀的情況的兩種情況，有機半導體膜43也只與其相應的形狀形成存儲體層bank，能適用本實施例的制造方法。
其次，存儲體層bank的內(nèi)側(cè)區(qū)由噴墨頭IJ噴出用于構(gòu)成有機半導體膜43的液體材料(先驅(qū)體)，在存儲體層bank內(nèi)側(cè)區(qū)形成有機半導體膜43。同樣，對存儲體層bank的內(nèi)側(cè)區(qū)由噴墨頭IJ噴出用于構(gòu)成空穴注入層42的液體材料(先驅(qū)體)，在存儲體層bank的內(nèi)側(cè)區(qū)形成空穴注入層42。再有正如參照圖7(A)、(B)及圖8(A)、(B)說明發(fā)光元件40的構(gòu)造，也有根據(jù)其構(gòu)造改換形成有機半導體膜43及空穴注入層42的順序的。
在這里由于存儲體層bank由抗蝕層構(gòu)成，是疏水性。與此相反，由于有機半導體膜43及空穴注入層42的先驅(qū)體用親水性溶劑，有機半導體膜43的涂布區(qū)由存儲體層bank準確限定，不會在鄰接的像素上露出。此外，一旦足夠高地形成存儲體層bank，則即使不用噴墨法用自旋涂布法等涂布方法的情況下也能夠在預定區(qū)域形成有機半導體膜43及空穴注入層42。
在本實施例為了提高依靠噴墨法形成有機半導體膜43及空穴注入層42時的工作效率，如圖3所示，即使在沿掃描線gate的延長設置方向鄰接的任一像素7的間距也與前述有機半導體膜43的形成區(qū)中心間距相等。因此如箭頭Q所示，其優(yōu)點為沿掃描線gate的延長設置方向在等間隔的位置上由噴墨頭IJ噴出有機半導體膜43的材料便行了。此外，由于可等間距移動，所以噴墨IJ移動機構(gòu)簡單，而且也容易提高噴墨頭IJ的注入精度。
之后，如圖13(G)所示，在透明基板10的表面?zhèn)壬闲纬蓪χ秒姌OOP。在這里對置電極OP形成整個面或呈條狀，在對置電極呈條狀形成時，在透明基板10的整個表面形成導電膜后對其形成條狀圖案。
在圖1所示的數(shù)據(jù)側(cè)驅(qū)動電路3或掃描側(cè)驅(qū)動電路4上也形成TFT，但這些TFT引用了在前述像素7上形成TFT的工序的全部或一部分進行。因此構(gòu)成驅(qū)動電路的TFT也在與像素7的TFT同一層間形成。
在本實施例，因為存儲體層bank是黑色由絕緣性抗蝕劑構(gòu)成，原封不動保留下來，作為用于降低黑色矩陣(black-matrix黑色基體)以及寄生電容的絕緣層利用。
即如圖1所示，即使對透明基板10的周邊區(qū)域也形成前述存儲體層bank(在形成區(qū)打上斜線)。因此，由于數(shù)據(jù)側(cè)驅(qū)動電路3及掃描側(cè)驅(qū)動電路4都由存儲體層bank復蓋，所以對置電極OP對這些驅(qū)動電路的形成區(qū)即使處于重疊狀態(tài)，在驅(qū)動電路的配線層和對置電極OP之間也介入存儲體層bank。由此能夠防止驅(qū)動電路3，4上的寄生電容，所以能降低數(shù)據(jù)側(cè)驅(qū)動電路3的負荷，促使低耗電化或顯示動作高速化。
此外在本實施例如圖3到圖5所示形成存儲體層bank以便重疊在數(shù)據(jù)線sig上。因此，存儲體層bank介入數(shù)據(jù)線sig和對置電極op之間，所以能防止在數(shù)據(jù)線sig上寄生電容。其結(jié)果能降低驅(qū)動電路的負荷，所以能促使低耗電化或顯示動作高速化。
接著在本實施例，如圖3，圖4及圖6(A)所示，在像素電極41和中繼電極35重疊區(qū)也可以形成存儲體層bank。即如圖6(B)所示，在像素電極51和中繼電極35重疊區(qū)未形成存儲體層bank的情況下，例如在像素電極和對置電極OP之間流過驅(qū)動電流，使有機半導體膜43發(fā)光，由于該光夾在中繼電極35和對置電極OP之間，不能射出，所以對顯示沒有貢獻。這種對顯示沒有貢獻的部分流過的驅(qū)動電流從顯示的角度看稱為無效電流。然而在本實施例應當流過這種無效電流的部分形成存儲體層bank，在此防止了驅(qū)動電流流過，所以能防止在公共供電線com內(nèi)流過徒勞無用的電流。因此公共供電線寬可相應變狹。
此外，如前所述一旦殘留由黑色抗蝕劑構(gòu)成的存儲體bank，則存儲體bank有作為黑色矩陣的功能，可提高亮度、對比度等顯示品質(zhì)。即在本實施例的顯示裝置1上由于對置電極OP在透明基板10的整個表面?zhèn)然蛟趶V范圍內(nèi)呈條狀形成，所以因?qū)χ秒姌OOP的反射光而降低了對比度。然而在本實施例，由于一邊規(guī)定有機半導體膜43的形成區(qū)一邊由黑色抗蝕劑構(gòu)成有抑制寄生電容功能的存儲體層bank，所以存儲體層也有作為黑色基體的功能，遮蓋了從對置電極OP來的無效的反射光，所以有所謂對比度高的優(yōu)點。此外因為能利用存儲體層bank自行匹配地規(guī)定發(fā)光區(qū)，所以不把存儲體層bank作為黑色基體用而用別的金屬層等作黑色基體用時成為問題的發(fā)光區(qū)的調(diào)整裕量是不需要的。
(有源矩陣基板的其它結(jié)構(gòu))本發(fā)明不限于上述構(gòu)成，能適用各種有源矩陣基板。例如，參照圖31說明的那樣，在透明基板1上以1根數(shù)據(jù)線sig，1根公共供電線com，1列像素7作為1個單位對于向掃描線gate的延長設置方向重復的構(gòu)成的顯示裝置1A也能適用本發(fā)明。
此外對維持電容cap不用電容線而在公共供電線com和電位維持電極st之間構(gòu)成也行。在這種情況下，如圖14(A)、(B)所示，對用于電位維持電極st和柵電極31電連接的柵電極31的延長設置部分310一直擴張到公共供電線com的下層一側(cè)，構(gòu)成以位于該延長設置部分310和公共供電線com之間的第1層間絕緣膜51作為介電體膜的維持電容cap。
而且就維持電容cap而言，省略了圖示，但利用用于構(gòu)成TFT的多晶硅膜構(gòu)成也可以，而且，不限于電容線或公共供電線，也可以在與前級的掃描線之間構(gòu)成。
(實施例1)圖15是表示本實施例的顯示裝置像素構(gòu)成的等效電路圖。圖16(A)、(B)分別是表示在各像素上構(gòu)成的各元件的電連接狀態(tài)的說明圖以及表示驅(qū)動信號等電位變化的波形圖。
如圖15、圖16(A)、(B)所示，在本實施例，第1TFT20是N溝道型的。因此，在由掃描線供給的掃描信號Sgate處于高電位時，第1TFT20處于導通狀態(tài)，從數(shù)據(jù)線sig經(jīng)第1TFT20把圖象信號data寫入維持電容cap，在由掃描線gate供給的掃描信號Sgate處于低電位期間由維持電容cap保存的圖象信號data驅(qū)動控制第2TFT30。
在本實施例，第2TFT30也是N溝道型的。因此，由數(shù)據(jù)線sig把高電位側(cè)的圖象信號date寫入應點亮的像素的維持電容cap，低電位側(cè)的圖象信號date寫入應熄滅的像素的維持電容cap。
在這里，第2TFT30的柵電壓Vgcur相當于公共供電線com的電位以及圖像素30的電位中低的一方電位和電位維持電極st的電位之差。然而在本實施例，降低公共供電線com相對發(fā)光元件40的對置電極OP的電位，使第2TFT30處于導通狀態(tài)時，如箭頭F所示，其構(gòu)成希望電流從發(fā)光元件40一方向公共供電線com一方流過。因此，第2TFT30的柵電壓Vg cur相當于公共供電線com的電位和電位維持電極st的電位之差。關于該公共供電線com的電位與相當于公共供電線com的電位和對置電極op的電位之間的電位的像素電極30的電位不同，能設定在足夠低的值。因此在本實施例，由于能夠?qū)Φ?TFT30的柵電壓Vgcur取足夠高的值，從而，第2TFT30的導通電流大，所以能夠進行高亮度下的顯示。此外，在使像素點亮狀態(tài)期間，如果作為第2TFT30的柵電壓Vgcur得到高值，則因為能夠相應地降低這時的電位維持電極st的電位即圖象信號date的高電位側(cè)的電位，所以能夠降低圖象信號data的振幅以及降低顯示裝置1上的驅(qū)動電壓。
此外，第2TFT30的導通電流不限于柵電壓Vgcur，也依賴于漏電壓，但并不改變上述結(jié)論。
此外，在本實施例，第2TFT30的導通電流由公共供電線com的電位和電位維持電極st的電位之差規(guī)定，因為并不受對置電極op電位的直接的影響，所以降低取像素點亮狀態(tài)的圖象信號data高電位側(cè)的電位到比對置電極op電位還低的電位，減小圖象信號的振幅，促使顯示裝置1內(nèi)的驅(qū)動電壓的低電位化。此外，降低取像素點亮狀態(tài)的圖象信號data的高電位側(cè)的電位到與對置電極op等電位，降低圖象信號的振幅也行。
接著在本實施例，由數(shù)據(jù)線sig對于應為熄滅狀態(tài)的像素供給的圖象信號data的電位與公共供電線com的電位比較變?yōu)樯愿叩碾娢粋?cè)。由于第2TFT30是N溝道型，所以為使其完全截止，應取第2TFT30的柵電壓Vgcur為負(比公共供電線com低的電位)?；蛘咴O定圖象信號data低電位側(cè)的電位高，以便第2TFT30的柵電壓Vgcur的絕對值應處于比相當于第2TFT30的閾值電壓絕對值稍低的電位。這時，處于熄滅狀態(tài)的像素7上第2TFT30的柵電壓與第2TFT30導通狀態(tài)時的極性相同，并且設定在第2TFT30的閾值電壓以下。這時，即使在如上所述設定圖象信號data低電位側(cè)電位高的情況下，因為第2TFT30處于高電阻狀態(tài)，導通電流極小，所以發(fā)光元件40也熄滅。此外從數(shù)據(jù)線sig對于應熄滅的像素供給的圖象信號data的電位取與公共供給線com等電位，也可以減小圖象信號data的振幅。
如果對上述圖象信號data的低電位側(cè)電位設定在不超越第2TFT30閾值程度的高電位，則因為可以減小圖象信號data的振幅，所以能降低圖象信號data的驅(qū)動電壓。不過如前所述，因為降低取像素點亮狀態(tài)的圖象信號data的高電位側(cè)電位直到比對置電極OP的電位低的電位，所以圖象信號data的電位恢復到由對置電極OP和公共供電線規(guī)定的量程內(nèi)。因此，能降低顯示裝置1內(nèi)的驅(qū)動電壓，以及降低顯示裝置1的耗費電力。此外，如上所述的構(gòu)成也不致引起圖象質(zhì)量低下、動作異常以及可運行的頻率降低，其優(yōu)點為顯示裝置1的驅(qū)動電壓低，所以令人擔心的由薄膜構(gòu)成的元件的耐電壓問題不會顯現(xiàn)出來。
(實施例1的變形例)圖17是表示本實施例的顯示裝置1的像素構(gòu)成的等效電路圖。圖18(A)、(B)是分別表示在各像素上構(gòu)成的各元件的電連接狀態(tài)的說明圖以及表示驅(qū)動信號等的電位變化的波形圖。在本實施例與第1實施例相反，第1TFT20及第2TFT30都由P溝道型TFT構(gòu)成。但是在本實施例是在與實施例1相同的技術(shù)思想下驅(qū)動控制各元件，只是使實施例1說明的驅(qū)動信號的極性倒過來，由于對其它各點具有相同的構(gòu)成，所以對構(gòu)成只作簡單的說明。
如圖17，圖18(A)、(B)所示，在本實施例，由于第1TFT20是P溝道型，所以在由掃描線gate供給的掃描信號Sgate處于低電位時，第1TFT20處于導通狀態(tài)。
在本實施例，第2TFT30也是P溝道形。因此，從數(shù)據(jù)線sig把低電位側(cè)的圖象信號data寫入應取點亮狀態(tài)的像素維持電容cap，把高電位側(cè)的圖象信號data寫入應取熄滅狀態(tài)的像素維持電容cap。
在這里，第2TFT30的柵電壓Vgcur相當于在公共供電線com的電位及像素電極30的電位中高的一方電位與電位維持電極st電位之差。然而在本實施例，提高公共供電線com相對發(fā)光元件40的對置電極op電位的電位，使第2TFT30處于導通狀態(tài)時如箭頭E所示，電流從公共供電線com方向向發(fā)光元件40方流過。因此，第2TFT30的柵電壓Vgcur相當于公共供給線com的電位和電位維持電極st的電位之差。對該公共供電線com的電位與相當于公共供電線com的電位和對置電極OP的電位間的電位的像素電極的電位不同，能夠設定在足夠高的值。因此，在本實施例，由于第2TFT30的柵電壓Vgcur能取足夠高的值，第2TFT30的導通電流大，所以能在高亮度下進行顯示。此外，在取像素為點亮狀態(tài)期間，如果作為第2TFT30的柵電壓Vgcur能取高值，則因能相應地去提高這時的電位維持電極st的電位，即圖象信號data的低電位側(cè)的電位，所以能減小圖象信號data的振幅。
此外，在本實施例，因為第2TFT30的導通電流不直接受對置電極OP的電位的影響，所以取像素為點亮狀態(tài)的圖象信號data的低電位側(cè)的電位一直上升到比對置電極OP的電位稍高的電位，降低圖象信號data的振幅。此外，取像素為點亮狀態(tài)的圖象信號data的低電位側(cè)的電位一直上升到與對置電極OP相等的電位，降低圖象信號data的振幅也行。
還有，在本實施例，將由數(shù)據(jù)線sig對于應取熄滅狀態(tài)的像素供給的圖象信號data的電位一直下降到比公共供電線com的電位稍低的電位。即設定圖象信號data的高電位側(cè)電位低，以便第2TFT30的柵電壓Vgcur的絕對值成為比相當于該TFT的閾值電壓的絕對值的電平稍低的電位。因此第2TFT30的導通電流極小，發(fā)光元件40熄滅。此外將由數(shù)據(jù)線sig對于應取熄滅的狀態(tài)的像素供給的圖象信號data的電位設置為與公共供電線com等電位，也可以降低圖象信號data的振幅。
如上所述圖象信號data的低電位側(cè)的電位設定得高，并且取像素為點亮狀態(tài)的圖象信號data的高電位側(cè)的電位設定得低，所以圖象信號data的電位回到由對置電極OP和公共供電線com規(guī)定的電平內(nèi)。因此，能降低顯示裝置1內(nèi)的驅(qū)動電壓，能降低顯示裝置1的耗費電能等與實施例1具有同樣效果。
(實施例2)圖19是表示本實施例顯示裝置1的像素構(gòu)成的等效電路。圖20(A)、(B)分別表示在各像素上構(gòu)成的各元件的電連接狀態(tài)的說明圖以及表示驅(qū)動信號等電位變化的波形圖。
如圖19，圖20(A)、(B)所示，在本實施例，第1TFT20由N溝道型TFT構(gòu)成，第2TFT由P溝道型TFT構(gòu)成。由于第2TFT30是P溝道型，所以低電位側(cè)的圖象信號data由數(shù)據(jù)線sig寫入應取點亮狀態(tài)的像素維持電容cap，高電位側(cè)的圖象信號data寫入應取熄滅狀態(tài)的像素維持電容cap。第2TFT30的柵電壓Vgcur相當于在公共供電線com的電位和像素電極的電位中高的一方電位與電位維持電極st電位之差。
在本實施例設置公共供電線com的電位比發(fā)光元件40的對置電極OP電位高，第2TFT的柵電壓，使其相當于公共供電線com的電位和電位維持電極st的電位之差。因為與圖像電極41比較能夠?qū)υ摴补╇娋€com的電位設定在足夠高的值，所以第2TFT30的導通電流大，能在高亮度下進行顯示。此外，因為能夠相應地提高這時的電位維持電極st的電位，即圖象信號data的低電位側(cè)的電位，所以能夠降低圖象信號data的振幅。此外，因為第2TFT30的導通電流不直接受對置電極OP電位的影響，所以取像素為點亮狀態(tài)的圖象信號data的低電位側(cè)的電位一直上升到比對置電極OP的電位高的電位或者與其相等，降低圖象信號data的振幅。接著在實施例使由數(shù)據(jù)線sig供給應取熄滅狀態(tài)的像素的圖象信號data的電位比公共供電線com的電位稍低或與其相等，降低圖象信號data的振幅。因為由此使圖象信號data的電位回到由對置電極OP和公共供電線com規(guī)定的量程內(nèi)，進而降低顯示裝置1的驅(qū)動電壓，所以能降低顯示裝置1的耗費電能等，達到實施例1或其變形相同的效果。
本實施例由于第1TFT20是N溝道型，是與第2TFT30逆導電型，所以選擇像素時掃描線gata的電位(掃描信號Sgate)是高電位。這時的第1TFT20的柵電壓Vgsw相當于掃描信號Sgate的高電位的電位與電位維持電極st(維持電容st電位、第2TFT30的柵電極電位)電位之差。在這里，由于第2TFT30是P溝道型，所以用于點亮像素7的圖象信號data在低電位側(cè)，在像素7的選擇期間電位維持電極st的電位降低。因此第1TFT20的柵電壓Vgsw向?qū)娏髟龃蠓较蛞苿印?br> 一方面第2TFT30的柵電壓Vgcur相當于公共供電線com和電位維持電極st之間的電位差，在選擇的像素7處于點亮狀態(tài)時由于在選擇期間內(nèi)電位維持電極st有電位降低的傾向，所以第2TFT30的柵電壓Vgcur向?qū)娏髟龃蠓较蛞苿印?br> 如上所述，在本實施例，由于第1TFT20和第2TFT30是逆導電型的，所以為了提高第1TFT20的寫入能力，提高掃描信號Sgate的選擇脈沖高度，為提高發(fā)光元件40的亮度，應降低第2TFT30的導通電阻，從而降低圖象信號data。在像素7的選擇期間內(nèi)隨著使發(fā)光元件40點亮的電平的圖象信號寫入維持電容，對如上所述的掃描信號Sgate的選擇脈沖高度和圖象信號data的最佳化對第1TFT20的柵電壓而言該TFT的導通電流向增大方向移動是有效的。因此圖象信號從數(shù)據(jù)線sig經(jīng)第1TFT20寫入維持電容cap。在這里選擇像素7期間的第1TFT20的柵電壓Vgsw相當于與掃描信號Sgate的高電位相當?shù)碾娢缓碗娢痪S持電極st的電位(維持電容cap的電位或第2TFT30的柵電極的電位)之差，第2TFT30的柵電壓Vgcur相當于公共供電線com的電位和電位維持電極st電位之差，在以電位維持電極st的電位作基準時，相當于掃描信號Sgate的高電位的電位和公共供電線com的電位是同極性。因此，如果改變電位維持電極st的電位，則第1TFT20的柵電壓Vgsw及第2TFT30的柵電壓Vgcur雙方相應地在同方向只以相同部分移動。由此在顯示裝置1的驅(qū)動電壓量程的范圍內(nèi)，如果使其用于點亮的圖象信號data的電位向第1TFT20導通時的電阻變小方向變化，則能促使顯示動作高速化，同時因為這時用于點亮的圖象信號data的電位向第2TFT30導通時電阻變小的方向變化，所以能促使亮度上升。因此，能實現(xiàn)兼顧驅(qū)動電壓低電壓化和顯示品質(zhì)的提高。
(實施例2的變形例)圖21是表示本實施例的顯示裝置1的像素構(gòu)成的等效電路。圖22(A)、(B)分別是表示在各像素上構(gòu)成的各元件的電連接狀態(tài)的說明圖以及表示驅(qū)動信號等的電位變化的波形圖。再有在本實施例與實施例2相反，第1TFT20作為P溝道型，第2TFT30用N溝道型的TFT構(gòu)成。但是在本實施例在與實施例2同一技術(shù)思想下驅(qū)動控制各元件，僅與實施例2說明的驅(qū)動信號的極性相反，所以只簡單說明其構(gòu)成。
如圖21，圖22(A)、(B)所示，在本實施例與實施例1同樣，由于第2TFT30是N溝道型，所以高電位側(cè)的圖象信號data從數(shù)據(jù)線sig寫入應為點亮狀態(tài)的像素的維持電容cap，低電位側(cè)的圖象信號data寫入應為熄滅狀態(tài)的像素的維持電容cap。在這里，第2TFT的柵電壓Vgcur相當于在公共供電線com的電位及像素電極30電位中低的一方電位和電位維持電極st電位之差?？墒窃诒緦嵤├驗楣补╇娋€com的電位比發(fā)光元件的對置電極op的電位低，所以第2TFT30的柵電壓Vgcur相當于公共供電線com的電位和電位維持電極st的電位之差。因為對該公共供電線com的電位能取足夠低的電位，所以第2TFT30的導通電流大，能在高亮度下進行顯示?；蛘咴诹炼雀?，使這時的電位維持電極st的電位，即圖像信號data的高電位側(cè)的電位上升，可以降低圖象信號data的振幅。此外，因為第2TFT30的導通電流不直接受來自對置電極OP電位的影響，所以用于使像素為點亮狀態(tài)的圖象信號data的高電位側(cè)電位一直下降到比對置電極OP的電位低的電位或等電位，降低圖象信號data的振幅。而且在本實施例，由數(shù)據(jù)線sig對于應取熄滅狀態(tài)的像素供給的圖象信號data的電位取比公共供電線com的電位稍高的電位或等電位，減小圖象信號data的振幅。由此，使圖象信號data的電位回到由對置電極op和公共供電線com規(guī)定的量程內(nèi)，顯示裝置1內(nèi)的驅(qū)動電壓下降，所以顯示裝置1的耗電也下降等，與實施例1及其變形有相同效果。
在本實施例，第1TFT20是P溝道型，與第2TFT30是逆導電型，所以選擇像素時的掃描線gate的電位(掃描信號Sgate)是低電位。與此相反，由于第2TFT30是N溝道型，所以用于點亮像素7的圖象信號data處于高電位側(cè)。
如上所述，在本實施例，由于第1TFT20和第2TFT30是逆導電型，所以為了提高第1TFT20的寫入能力，降低掃描信號Sgate的選擇脈沖的電位，為了提高發(fā)光元件40的亮度，降低圖象信號data的電位，以便降低第2TFT30的導通電阻。隨著在像素7的選擇期間內(nèi)，使發(fā)光元件40點亮的電平的圖象信號data寫入維持電容cap，對如上所述的掃描信號Sgate的選擇脈沖高度和圖象信號data的最佳化對第1TFT的柵電壓向該TFT的導通電流增大方向移動有作用。因此，以電位維持電極st的電位作基準時，由于相當于掃描信號Sgate低電位的電位與公共供電線com的電位是同極性的，所以如果改變電位維持電極st的電位，則相應地第1TFT20的柵電壓Vgsw及第2TFT30的柵電壓Vgcur雙方只向同方向移動相同部分。由此在顯示裝置1的驅(qū)動電壓量程范圍內(nèi)，如果使用于點亮的圖象信號data的電位向著第1TFT20導通時電阻變小的方向改變，則能促使顯示動作高速化。因為這時使用于點亮的圖象信號data的電位向著第2TFT30導通時的電阻變小的方向變化，所以能夠促使亮度上升。因此，與實施例2同樣，能夠?qū)崿F(xiàn)兼顧驅(qū)動電壓的低電壓化和顯示品質(zhì)的上升。
用圖25說明上述實施例2及其變形中的最佳驅(qū)動方法。
在實施例2，第1TFT是N溝道型，第2TFT是P溝道型。如圖25所示，在發(fā)光元件40熄滅期間，提高圖象信號data的電位比公共供電線com的電位高，使P溝道型的第2TFT30截止，而在本實施例，如圖25所示，即使在發(fā)光元件40熄滅的情況下，也不使第2TFT30完全截止。即在本實施例，由于第2TFT30是P溝道型，為了使其完全截止，應該取柵電壓Vgcur為0V(與公共供電線com同電位)或取正電位(比公共供電線com高的電位)，而在本實施例，圖像信號data熄滅時的電位設定得低，以便第2TFT30的柵電壓Vgcur處于比相當于該TFT的閾值電壓Vthp(cur)的電平稍高的電位。因此，處于熄滅狀態(tài)的像素7上第2TFT30上所加的柵電壓與第2TFT30導通狀態(tài)時的極性相同，而處于超過第2TFT30的閾值電壓的值。例如設第2TFT30的閾值電壓(Vthp(cur))為-4V時，則在熄滅狀態(tài)加在第2TFT30上的柵電壓取-3V。
如上所述，第1TFT為N型，第2TFT為P型時，如果設定圖象信號data的熄滅側(cè)的電位比現(xiàn)有的低，則因為能減小圖象信號data的振幅，所以能夠促使圖象信號data的低壓化以及高頻化。此外，即使在設定如上所述的圖象信號data的熄滅側(cè)的電位低的情況下，因在P溝道型的第2TFT30處于比相當于閾值電壓Vthp(cur)的電平稍高的電位，所以熄滅時流過的電流極小。此外，如果加在發(fā)光元件40上的電壓低，則只流入極小的驅(qū)動電流。因此使發(fā)光元件40熄滅，實質(zhì)上并不存在問題。
此外，在本實施例，如果圖象信號data的熄滅時的電位不必要超越公共供電線com的電位，則可以設定公共供電線com的電位較高。因此在本實施例，使公共供電線com的電位與第1TFT20導通時的掃描信號Sgate電位相等。因此，在掃描側(cè)驅(qū)動電路上作為掃描信號Sgate的高電位用的信號電平照樣供給公共供電線com也行，所以在本實施例的顯示裝置1，使用的驅(qū)動信號的電平數(shù)少也行，能減少用于向顯示裝置1輸入驅(qū)動信號的接線端數(shù)。此外，由于能減少電源數(shù)，所以能夠促使電源電路低耗電化以及節(jié)省空間。
在這種情況下，因為第1TFT20是N溝道型，第2TFT30是P溝道型，所以使加在熄滅狀態(tài)的像素7的第2TFT30上的柵電極的電位變成比從第1TFT20導通狀態(tài)時的掃描信號gate的電位減去該第1TFT20的閾值電位Vthn(sw)之差的電位還低的電位。即使像素7為熄滅狀態(tài)時的圖象信號data(電位維持電極st的電位)和公共供電線com之間的電位差Voff的絕對值如下式所示，Vthn(sw)＜|Voff|設定得比第1TFT20的閾值電壓Vthn(sw)還大，可以防止在選擇像素7時的第1TFT20的寫入動作中發(fā)生故障。
在實施例2的變形例的第1TFT20是P溝道型，第2TFT30是N溝道型的情況下，參照圖26及圖27(A)、(B)如后所述，調(diào)換本實施例中說明的各信號的相對高低，使第1TFT20及第2TFT30上所加電壓的極性倒過來。即使在這種情況下，如本實施例所示，如果在使發(fā)光元件熄滅時第2TFT30不完全截止，則能促使圖象信號data的低電壓化以及高頻化。此外，通過使公共供電線com的電位與第2TFT20導通狀態(tài)時的掃描信號Sgate的電位相等，能夠減少電源數(shù)。在這種情況，在熄滅狀態(tài)的像素7的第2TFT30上所加的柵電極電位成為比在第1TFT20導通狀態(tài)時的掃描信號gate的電位加上該第1TFT20的閾值電壓Vthn(sw)還高的電位，以便對選擇像素7時的第1TFT20的寫入動作不產(chǎn)生障礙。
(實施例3)
在本實施例，如圖23中給出其等效電路所示，與實施2同樣，在各像素7都是取第1TFT20為N溝道型，第2TFT30為P溝道型構(gòu)成的一例。此外，即使在本實施例的顯示裝置1因第2TFT30是P溝道型的，所以公共供電線com的電位比發(fā)光元件40的對置電極OP的電位高。因此，在第2TFT30處于導通狀態(tài)時，如箭頭E所示，從公共供電線com向發(fā)光元件40一方流過電流。由于與實施例2同樣，故對其共同點省略說明，只記述其不同點。在實施例2設置了維持電容，但在本實施例并無維持電容cap這一點有所不同。通過這樣的構(gòu)成，能夠增加在輸出端維持電板st的電位變化。
在第1TFT20是P溝道型，第2TFT30是N溝道型的情況下，參照圖26及圖27(A)、(B)如后所述，調(diào)換本實施例說明的的各信號的相對高低，使加在第1TFT20及第2TFT30上的電壓極性倒過來。即使在這種情況為了提高第1TFT20的寫入能力，降低掃描信號的選擇脈沖的電位，為降低第2TFT30的導通電阻，提高發(fā)光亮度而增高圖像信號的電位。
(實施例3的變形例)在上述實施例3，說明在任一像素7，第1TFT20都是N溝道型，第2TFT30是P溝道型的情形，如圖26給出等效電路所示，第2TFT20為P溝道型，第2TFT30作為N溝道型構(gòu)成也行。在該圖所示例子，降低公共供電線com的電位比發(fā)光元件40的對置電極OP的電位低，在第2TFT30為導通狀態(tài)時，如箭頭F所示電流從發(fā)光元件40的對置電極OP一方流向公共供電線com一方。
在如上所述構(gòu)成圖像7時，如圖27(A)、(B)所示，應使圖24(A)所示的波形的各驅(qū)動信號的極性倒過來。
在實施例3，在第1TFT20是N溝道型，第2TFT30是P溝道型時，降低公共供電線com的電位比發(fā)光元件40的對置電極OP的電位低，在第2TFT30處于導通狀態(tài)時，也有這種構(gòu)成的情況即希望電流從發(fā)光元件40的對置電極OP一方流向公共供電線com一方。即使在上述構(gòu)成的情況，也能夠獲得使第1TFT20及第2TFT30為逆導電型的效果。與此相反，在第1TFT20是P溝道型，第2TFT30是N溝道型時提高公共供電線com對發(fā)光元件40的對置電極OP電位的電位，第2TFT30處于導通狀態(tài)時，電流從公共供電線com方向著發(fā)光元件40方流動的構(gòu)成的情況也能獲得使第1TFT20及第2TFT30為逆導電型的效果。
(實施例4)在上述實施例1，2，3內(nèi)，如參照圖28(A)、(B)的說明那樣，在維持電容cap的兩電極中，與電連接到第2TFT30的柵極的電極的另一側(cè)電極上供給由掃描信號gate的選擇脈沖延遲，與該選擇脈沖電位偏向反方向的脈沖的構(gòu)成也行。
在這兒所示例子，如圖28(A)所示，在維持電容cap的兩電極中與通過電位維持電極st在第2TFT30的柵極上電連接的電極的另一側(cè)的電極由延長設置的電容線cline構(gòu)成，以便與掃描線gate并列。
如圖28(B)所示，包含脈沖信號Pstg的電位stg供給該電容線cline上，該脈沖信號Psrg由掃描信號Sgate的選擇脈沖Pgate延遲并與該選擇脈沖Pgate電位偏向反方向。
選擇脈沖Pgate處于非選擇狀態(tài)后，利用維持電容cap的電容耦合，該脈沖信號Pstg使圖象信號data的電位移動。由此在像素7處于熄滅狀態(tài)的維持電容cap上保持圖象信號data的電位加上脈沖信號Pstg電位相應部分的信號。由于第1TFT20導通電阻大，在有限的時間要充分寫入圖象信號data的高電位側(cè)的信號是困難的。在該例，不能充分寫入的情況下不能點亮。但是通過利用本實施例能補充向維持電容cap寫入圖象信號data。因此不用擴大驅(qū)動信號的電位的最大量程。
這樣一來，正當把脈沖信號Pstg加入電容線cline時，如圖29所示，從掃描側(cè)驅(qū)動電路4引出電容線cline，同時在掃描側(cè)驅(qū)動電路4上在各柵極，將移位寄存器40的輸出信號通過NAND門電路及倒相器作為掃描信號Sgate輸出到掃描線gate，另一方，將移位寄存器40的輸出信號通過NAND門電路及2級倒相器一邊延遲，一邊如圖30所示使高電位側(cè)的電位電平從Vdd電平移位到Vccy，輸出到電容線cline也行。
在上述實施例及其各變形例中，附加維持電容時，說明的是設置了電容線cline類型的發(fā)光元件。不過，本實施例并不限于設置這種電容線cline的構(gòu)成，由鄰接維持電容一方電極的柵極線構(gòu)成也行。圖34(A)、(B)對如此構(gòu)成的一例，分別給出電路方框圖以及柵極線對掃描方向的柵極電壓波形。如上所述，通過以鄰接的柵極線作為維持電容的一方電極的構(gòu)成，有不必對該像素特意設置電容線cline的效果。
(其它實施例)對上述各實施例并未記載第2TFT30的電流-電壓特性在各區(qū)域的工作，如果第2TFT在其飽和區(qū)工作，則能夠利用TFT的弱恒定電流特性防止在發(fā)光元件40內(nèi)流過異常電流。例如在構(gòu)成發(fā)光元件40的有機半導體膜等產(chǎn)生針孔缺隙時，即使在這種情況也限制有缺陷的發(fā)光元件內(nèi)流過電流，不會在發(fā)光元件40的電極之間形成完全短路。
與此相反，如果使第2TFT30在其線性區(qū)域工作，能夠防止其閾值電壓的波動對顯示工作的影響。
對TFT的結(jié)構(gòu)而言，并不限于單極型，雙極型也可以，就其制造方法而言，也并不限于低溫工藝。
(發(fā)明的可利用性)如以上說明所示，在本發(fā)明權(quán)利要求1到7的顯示裝置，因為第2TFT導通時的柵電壓相當于在公共供電線的電位及像素電極中電位高的一方電位與柵電極的電位(圖象信號的電位)之差，所以與第2TFT的導電型相應設定公共供電線的電位和發(fā)光元件的對置電極的電位的相對高低，第2TFT的柵電壓使其相當于公共供電線的電位和電位維持電極的電位之差。例如，如果第2TFT是N溝道型，降低公共供電線對發(fā)光元件的對置電極電位的電位。因為對該公共供電線的電位與像素電極的電位不同，能夠設定在足夠低的值，所以在第2 TFT能獲得大的通導電流，能在高亮度下進行顯示。此外，如果在使像素點亮時，作為第2TFT得到高的柵電壓，則因為能夠相應地降低這時的圖象信號的電位，所以能減小圖象信號的振幅，降低顯示裝置內(nèi)的驅(qū)動電壓。因此，其優(yōu)點為，能降低耗電，同時并不顯現(xiàn)對于由薄膜構(gòu)成的各元件令人擔心的耐壓問題。
此外在本發(fā)明的權(quán)利要求7到11所述的顯示裝置，由于第1TFT和第2TFT是逆導電型，所以用于像素選擇的掃描信號的脈沖和用于點亮發(fā)光元件的圖象信號的電位有相反的關系。從而，以點亮時的電位維持電極的電位(點亮用的圖象信號的電位)作為基準時，由于相當于掃描信號的高電位的電位和公共供電線的電位是同極性，所以如果改變點亮時的電位維持電極的電位(點亮用的圖象信號的電位)，則第1TFT的柵電壓及第2TFT的柵電壓的兩電壓向同方向相應地只移動相同的量。因此，在顯示裝置的驅(qū)動電壓的量程范圍內(nèi)如果使點亮用圖象信號的電位向第1TFT導通時電阻變小方向移動，則能促使顯示工作的高速化，同時因為這時點亮用的圖象信號的電位應向第2TFT導通時電阻變小方向移動，所以能促使亮度上升。因此能夠?qū)崿F(xiàn)兼顧驅(qū)動電壓的低電壓化和顯示品質(zhì)的提高。
而且，在本發(fā)明的權(quán)利要求11或12所述的顯示裝置，因為在維持電容的兩電極中，與電連接第2TFT的第2柵電極的電極的另外一側(cè)的電極供給脈沖，該脈沖由掃描信號的選擇脈沖延遲，并偏向與該選擇脈沖的電位的反方向，所以，可以補償圖象信號向維持電容的寫入。因此，不增加圖象信號的振幅，就能使加在第2TFT的柵電極上的圖象信號電位向高亮度方向移動。
權(quán)利要求
1.具有包含像素電極；形成在所述像素電極上方的對置電極；存儲層；形成在所述存儲層內(nèi)側(cè)；所述像素電極和所述對置電極之間配置的有機半導體膜的發(fā)光元件。其特征為透過所述對置電極射出所述發(fā)光元件的光。
2.具有包含像素電極，形成在所述像素電極上方的對置電極，存儲層，和形成在所述存儲層內(nèi)側(cè)，所述像素電極，所述對置電極之間配置的有機半導體膜的發(fā)光元件。其特征為所述對置電極形成在所述存儲層上，透過所述對置電極射出所述發(fā)光元件的光。
3.根據(jù)權(quán)利要求1和2中的任意一項所述的顯示裝置，其特征為所述像素電極作為負極，所述對置電極作為正極。
4.根據(jù)權(quán)利要求1和2中的任意一項所述的顯示裝置，其特征為所述像素電極由金屬膜構(gòu)成，所述對置電極由ITO膜構(gòu)成。
5.根據(jù)權(quán)利要求1和2中的任意一項所述的顯示裝置，其特征為所述像素電極作為正極，所述對置電極作為負極。
6.根據(jù)權(quán)利要求1和2中的任意一項所述的顯示裝置，其特征為所述像素電極包括金屬膜；在所述像素電極上配置ITO膜；所述對置電極由ITO膜構(gòu)成；在所述對置電極的下側(cè)配有金屬膜。
7.根據(jù)權(quán)利要求1和2中的任意一項所述的顯示裝置，其特征為所述像素電極和所述對置電極之間，設置了空穴注入層。
8.根據(jù)權(quán)利要求1和2中的任意一項所述的顯示裝置，其特征為所述像素電極具有反射性。
9.一種顯示裝置，包括掃描線數(shù)據(jù)線，其中與該掃描線和數(shù)據(jù)線對應的交差部配置了薄膜晶體管，所述顯示裝置包括與所述薄膜晶體管連接的所述像素電極；形成在所述像素電極上方的對置電極；覆蓋所述數(shù)據(jù)線以及所述薄膜晶體管的層間絕緣膜；形成在所述絕緣膜上方的存儲層；形成在絕緣膜內(nèi)側(cè)；配置在所述像素電極和對置電極之間的發(fā)光薄膜。其特征為所述對置電極形成在所述存儲層上，所述發(fā)光薄膜發(fā)出的光通過所述對置電極被射出。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的顯示裝置，其特征為所述數(shù)據(jù)線形成在所述存儲層的下方。
11.根據(jù)權(quán)利要求9和10中的任意一項所述的顯示裝置，其特征為包括通過所述薄膜晶體管，將電流供給所述薄膜晶體管的供電線。所述供電線形成在所述存儲層的下方。
12.根據(jù)權(quán)利要求9和10中的任意一項所述的顯示裝置，其特征為所述像素電極作為負極，所述對置電極作為正極。
13.根據(jù)權(quán)利要求9和10中的任意一項所述的顯示裝置，其特征為所述像素電極由金屬膜構(gòu)成，所述對置電極由ITO膜構(gòu)成。
14.根據(jù)權(quán)利要求9和10中的任意一項所述的顯示裝置，其特征為所述像素電極作為正極，所述對置電極作為負極。
15.根據(jù)權(quán)利要求9和10中的任意一項所述的顯示裝置，其特征為所述像素電極包括金屬膜；在所述像素電極上配置ITO膜；所述對置電極由ITO膜構(gòu)成；在所述對置電極的下側(cè)配有金屬膜。
全文摘要
在用電流驅(qū)動型發(fā)光元件的顯示裝置中，采用考慮了控制發(fā)光元件的發(fā)光工作的TFT的導電型的驅(qū)動方式，以謀求兼顧驅(qū)動電壓的低電壓化和顯示品質(zhì)的提高作為目的，對發(fā)光元件(40)的驅(qū)動電流實施供斷的第2TFT(30)是N溝道型的情況，降低公共供電線(com)相對發(fā)光元件(40)的對置電極(op)電位的電位，以獲取高的柵電壓(Vgcur)。在這種情況下，與第2TFT(30)的柵極電連接的第1TFT(20)取P溝道型，在以點亮時的電位保持電極(st)的電位作基準時，相對該電位保持電極(st)，掃描信號(Sgate)的低電位和公共供電線(com)的電位取同極性。因此，在顯示裝置(1)的驅(qū)動電壓的量程范圍內(nèi)，使點亮用的圖象信號(data)的電位向第1TFT(20)和第2TFT(30)導通時電阻變小的方向移動，能夠謀求驅(qū)動電壓的低電壓化和顯示品質(zhì)的提高。
文檔編號G09G3/00GK1506929SQ0312050
公開日2004年6月23日 申請日期1998年2月17日 優(yōu)先權(quán)日1997年2月17日
發(fā)明者小澤德郎, 木村睦 申請人:精工愛普生株式會社