專利名稱：帶有光敏單元的矩陣顯示器件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及在基底上包含一個(gè)可尋址像素陣列的矩陣顯示器件，每個(gè)像素有一個(gè)顯示單元和一個(gè)控制顯示單元工作的控制電路，控制電路包括電荷存儲(chǔ)電容器和光敏器件，后者與存儲(chǔ)電容器相連接用以按照入射在光敏器件上的光線調(diào)整存儲(chǔ)電容器上存儲(chǔ)的電荷；驅(qū)動(dòng)顯示單元用的驅(qū)動(dòng)單元，該驅(qū)動(dòng)單元的控制端連接至所述存儲(chǔ)電容器上；以及用以使數(shù)據(jù)信號(hào)施加到驅(qū)動(dòng)單元上的地址單元。
本發(fā)明還涉及一種顯示裝置。
WO 0199190上公開了一種上述類型的矩陣顯示器，它包含的光敏器件可改善顯示器的均勻性和補(bǔ)償顯示器件的老化效應(yīng)。其光敏器件是具有柵極端的光敏晶體管，柵極與顯示單元的陽極連接，這里的顯示單元是所謂的有機(jī)電致發(fā)光顯示單元(OLED)，特別是聚合物電致發(fā)光單元(PLED)。理想上，對(duì)于n型光敏晶體管，上述連接點(diǎn)的電壓處于PLED陰極電壓(相對(duì)為負(fù))與電源電壓(相對(duì)為正)之間，并且驅(qū)動(dòng)單元的輸入端與電源電壓相連接。由于光敏晶體管不被驅(qū)動(dòng)到導(dǎo)通狀態(tài)，所以，它起光敏二極管的作用，其導(dǎo)通特性差不多與入射光強(qiáng)呈線性響應(yīng)。
然而，實(shí)際上，由于柵極電壓會(huì)隨PLED的光輸出變動(dòng)(PLED電壓會(huì)隨光輸出變化)，所以有這樣的情況，即柵極電壓不是最佳值，光敏二極管的泄漏電流(不是光電流)增大。結(jié)果，存儲(chǔ)電荷的點(diǎn)上放電過快，像素中的光線電平發(fā)生錯(cuò)誤。
本發(fā)明的一個(gè)目的是提供一種顯示器件，它具有改善的光敏單元性能。所以，按照本發(fā)明之顯示器件的特征在于，對(duì)控制電路提供一種裝置，對(duì)光敏器件的控制端給以獨(dú)立的電壓控制。發(fā)明人已經(jīng)認(rèn)識(shí)到，在此種方式下能自由地選擇光敏單元的柵極電壓，不再受限于在像素電路內(nèi)可供應(yīng)用的電壓。因此，光敏晶體管的偏置更加有效。光敏晶體管可始終設(shè)定于較小“暗”泄漏電流的工作區(qū)域內(nèi)。
此外，本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)是對(duì)于運(yùn)動(dòng)圖像可以采用占空因數(shù)技術(shù)進(jìn)行運(yùn)動(dòng)補(bǔ)償。借助于使光敏晶體管導(dǎo)通(也即提供一個(gè)相反極性的電壓使之變成導(dǎo)電的TFT開關(guān))，使驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極電壓設(shè)定到電源線的電壓上。這使得驅(qū)動(dòng)用TFT變?yōu)榻刂?，沒有電流流過PLED。這樣，能夠先期地停止光輸出。雖然靜止圖像上不需要這樣做，但能使像素電路的均勻補(bǔ)償有充分的得益。
另外，光敏晶體管可以是p型半導(dǎo)體。那時(shí)，控制電路全都是P型管，可以只采用PMOS工藝來制造顯示器件。與常規(guī)的混合型NMOS和PMOS工藝相比較，現(xiàn)在可節(jié)省通常的3道額外的掩模工序，所以制造工藝的成本低些。在另一實(shí)施例中，光敏晶體管可以為n型半導(dǎo)體，控制電路也全都是n型管，能只使用NMOS工藝制造顯示器件。與常規(guī)的混合型NMOS和PMOS工藝相比較，也能節(jié)省通常3道額外的掩模工序，亦可使制造工藝的成本低些。
從屬權(quán)利要求說明了本發(fā)明有其優(yōu)點(diǎn)的實(shí)施。
本發(fā)明的這些和其他目的通常參考下面所描述的實(shí)施例以及對(duì)它們的敘述，可清晰了解。
附圖中

圖1示明常規(guī)的有源矩陣電致發(fā)光顯示器件；圖2示明常規(guī)顯示器件的電路中幾個(gè)典型的像素；圖3A和3B分別示明p型和n型光敏晶體管的工作范圍；圖4示明按照本發(fā)明的顯示器件控制電路的實(shí)施例；圖5示明按照本發(fā)明的顯示器件控制電路的另一個(gè)實(shí)施例，全部TFT和光敏晶體管都是n型管；圖6示明按照本發(fā)明的顯示器件控制電路的又一個(gè)實(shí)施例；圖7示明控制本發(fā)明的顯示器件控制電路的再一個(gè)實(shí)施例；以及圖8A和8B示明按照本發(fā)明的顯示器件的光輸出在運(yùn)動(dòng)圖像和靜止圖像下分別與幀時(shí)間之間的函數(shù)曲線關(guān)系。
附圖未按原物比例畫出，在附圖中相同的標(biāo)號(hào)表示相同或相似部件。
參考圖1，常規(guī)的有源矩陣電致發(fā)光顯示器件中包含有由方塊10表示的、行和列規(guī)律地間隔的矩陣狀像素陣列構(gòu)成的平板，每個(gè)像素包含一個(gè)電致發(fā)光顯示單元和一個(gè)用以控制流過顯示單元之電流的、關(guān)連的驅(qū)動(dòng)器件，各像素均位于行(選擇)和列(數(shù)據(jù))地址導(dǎo)體或即導(dǎo)線12和14交叉集合之間的交點(diǎn)上。為簡(jiǎn)明起見，圖1中只示出幾個(gè)像素。對(duì)像素10的尋址是借助外圍驅(qū)動(dòng)電路根據(jù)地址導(dǎo)線的集合進(jìn)行的，外圍驅(qū)動(dòng)電路包含有連接到各導(dǎo)線集合端點(diǎn)上的行(選擇)驅(qū)動(dòng)器電路16和列(數(shù)據(jù))驅(qū)動(dòng)器電路18。
借助于由驅(qū)動(dòng)器電路16將選擇信號(hào)施加到相關(guān)的行導(dǎo)線12上，在一個(gè)幀周期內(nèi)依次地尋址每個(gè)像素行，以便依靠驅(qū)動(dòng)器電路18將各數(shù)據(jù)信號(hào)并行地提供給列導(dǎo)線14，由此在幀周期內(nèi)按尋址周期確定一行內(nèi)各個(gè)像素的顯示輸出。在尋址到每一行時(shí)，由電路18按合適的同步給出各數(shù)據(jù)信號(hào)。
在顯示裝置內(nèi)應(yīng)用該矩陣顯示器件時(shí)，它還包含有數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器電路18，用以使數(shù)據(jù)信號(hào)施加到尋址開關(guān)單元26的數(shù)據(jù)端上；以及選擇驅(qū)動(dòng)器電路16，用以使選擇信號(hào)施加到所述選擇線12上。視頻信號(hào)經(jīng)由天線由調(diào)諧器裝置TUN進(jìn)行接收，TUN將信號(hào)傳輸至視頻處理電路VP上，由VP向數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器電路18傳輸處理好的視頻信號(hào)。
圖2的電路示明幾個(gè)典型的像素。每個(gè)像素10包括一個(gè)發(fā)光的有機(jī)電致發(fā)光顯示單元20，在這里以二極管單元(LED)表示，它包含一對(duì)電極，在兩個(gè)電極之間夾有一層或多層有源式有機(jī)電致發(fā)光的發(fā)光材料。本具體實(shí)施例中，材料中包含聚合物L(fēng)ED材料，然而，也可以使用其他有機(jī)電致發(fā)光材料，諸如低分子量材料。在絕緣基底的表面上，制作有顯示單元以及關(guān)連的有源矩陣電路?；撞捎美缡遣ＡУ耐该鞑牧?，與基底最緊密接觸的各個(gè)顯示單元20的電極由諸如ITO之類透明導(dǎo)電材料構(gòu)成，以使得電致發(fā)光層產(chǎn)生的光線能通過這些電極和基底，從而在基底另一側(cè)的觀看者能見到圖像。
每個(gè)像素10包括一個(gè)低溫有機(jī)硅聚合物形式的TFT 22，這里為p型導(dǎo)電的TFT，它能夠控制所通過的電流，由此根據(jù)像素上施加的數(shù)據(jù)信號(hào)控制顯示單元20的工作。像素的數(shù)據(jù)信號(hào)電壓通過列導(dǎo)線14提供，而列導(dǎo)線是由相關(guān)的列內(nèi)諸像素共用的。列導(dǎo)線14通過也為p型的地址TFT 26連接至電流控制驅(qū)動(dòng)TFT 22的柵極上，同一行像素的各個(gè)TFT 26的柵極全部連接至一條公共行導(dǎo)線12上。
像素10的每行又共用保持于預(yù)定電位上的公共電源線30，它通常地作為連續(xù)的公共電極供所有像素使用，以及公共電流線32。顯示單元20和驅(qū)動(dòng)用TFT 22串聯(lián)地連接于電源線30與公共電流線32之間，公共電流線32起電流源的作用，提供流過顯示單元20的電流。例如，導(dǎo)線30可以處于地電位，導(dǎo)線32約處于正電位，它比如相對(duì)于導(dǎo)線30大約為12V。流過顯示單元20的電流由驅(qū)動(dòng)用TFT 22整流，成為TFT 22柵極電壓的一個(gè)函數(shù)，具體電流大小取決于由數(shù)據(jù)信號(hào)決定而存儲(chǔ)下的控制值。
對(duì)像素的各行進(jìn)行選擇和尋址是借助于行驅(qū)動(dòng)器電路16將選擇脈沖施加到其關(guān)連的行導(dǎo)線12上，使各像素的地址TFT 26導(dǎo)通，并確定一個(gè)相應(yīng)的行地址周期。在此場(chǎng)合下，從驅(qū)動(dòng)器電路18上提供的視頻信息中得出的、并由驅(qū)動(dòng)器電路18施加到列導(dǎo)線14上的電壓電平形式的數(shù)據(jù)信號(hào)，由地址TFT 26傳輸?shù)津?qū)動(dòng)TFT 22的柵極節(jié)點(diǎn)24上。當(dāng)行地址周期結(jié)束時(shí)，地址晶體管26截止，由連接于TFT 22柵極與公共電流線32之間的像素存儲(chǔ)電容器36維持柵極節(jié)點(diǎn)24上的電壓，從而在隨后的驅(qū)動(dòng)周期內(nèi)可保持顯示單元正常工作。
由TFT 22的柵極與公共電流線32之間的電壓決定流過顯示單元20的電流，該流過顯示單元的電流是驅(qū)動(dòng)TFT 22柵極-源極電壓的一個(gè)函數(shù)(p溝道型TFT 22的源極連接至公共電流線32上，TFT 22的漏極連接至顯示單元20上)。該電流轉(zhuǎn)而控制像素的光輸出電平(灰度層級(jí))。
像素的每行在各行地址板上按這種方式被依次尋址，從而使每行內(nèi)各像素順序地受到它們各自的驅(qū)動(dòng)信號(hào)的加載，并在對(duì)應(yīng)于大約一個(gè)幀周期的隨后的驅(qū)動(dòng)周期內(nèi)使各像素給出所期望的顯示輸出，直至它們下次被尋址到。
在每個(gè)像素上，采用光-電配置來補(bǔ)償顯示遞降效應(yīng)，這里是對(duì)于給定的電流減小依據(jù)其產(chǎn)生的光輸出電平提高其工作效率。由于此種遞降，受到長時(shí)間和強(qiáng)烈驅(qū)動(dòng)的顯示單元呈現(xiàn)的亮度將減低，導(dǎo)致顯示亮度不均勻。因此，借助于在一個(gè)驅(qū)動(dòng)周期內(nèi)控制顯示單元給出的綜合的總體光輸出，光-電配置可將這些效應(yīng)消解到一定程度。在驅(qū)動(dòng)周期內(nèi)通過使存儲(chǔ)電容器放電的速率依賴于顯示單元的瞬時(shí)發(fā)光，能應(yīng)用電-光反饋來調(diào)整在此期間存儲(chǔ)電容器上的電荷。結(jié)果，對(duì)于給定的數(shù)據(jù)信號(hào)值，在地址周期后的驅(qū)動(dòng)周期內(nèi)使顯示單元被激勵(lì)而產(chǎn)生光線的時(shí)間長度，按照顯示單元上存在的驅(qū)動(dòng)電流/發(fā)光級(jí)特性以及施加的數(shù)據(jù)信號(hào)電平進(jìn)行調(diào)整，以減小發(fā)光遞降效應(yīng)，特別是在顯示不均勻性方面。因此，能使各個(gè)像素的光輸出實(shí)質(zhì)上得到象非遞降顯示單元那樣所需的均勻性。
參考圖2，該常規(guī)顯示器件中的電-光放電裝置包含一個(gè)柵控的光敏薄膜器件40，它此處的形式為另一個(gè)TFT，其運(yùn)載電流的電極(源極和漏極)跨接在存儲(chǔ)電容器36上，也即連接在驅(qū)動(dòng)晶體管22的柵極節(jié)點(diǎn)24與電流線32上，而其柵極連接至驅(qū)動(dòng)TFT 22與顯示單元20之間的節(jié)點(diǎn)41上。在本具體實(shí)施例中，驅(qū)動(dòng)TFT 22(以及地址TFT 26)為p型低溫有機(jī)硅聚合物MOS TFT，而器件40為相反導(dǎo)電類型也即n型的有機(jī)硅聚合物MOS TFT。
像素的構(gòu)造和配置方面使柵控的光敏器件40受到像素工作中由顯示單元輻射出的光的照射。尋址階段結(jié)束時(shí)，根據(jù)施加的數(shù)據(jù)信號(hào)電平在驅(qū)動(dòng)TFT 22的柵極節(jié)點(diǎn)24上設(shè)定一個(gè)電壓，使電容器36充電到這個(gè)電壓電平，在隨后的驅(qū)動(dòng)階段內(nèi)它至少于初始時(shí)刻起到維持TFT22柵極電壓的作用。與電流線32連接的光敏器件40的漏極結(jié)被反向偏置而對(duì)光照起響應(yīng)，在驅(qū)動(dòng)周期內(nèi)顯示單元輻射的光線使器件40產(chǎn)生小量的光電流，它大約與顯示單元的瞬時(shí)光輸出級(jí)成線性比例。該光電流的作用是使存儲(chǔ)電容器36慢慢放電，因此，光電流大小也即放電速率取決于顯示單元的光輸出電平。理想情況下，TFT 40的柵極上加正偏置，其電壓對(duì)應(yīng)于節(jié)點(diǎn)41上的電壓，相對(duì)于電流線32的電壓始終為零或負(fù)值，這樣可確保TFT 40保持于截止(不導(dǎo)通)狀態(tài)。因此，晶體管40的作用不過是一個(gè)泄流器件，呈現(xiàn)為反偏的光敏二極管，它可使電容器36上的電荷泄漏。在驅(qū)動(dòng)周期內(nèi)電容器36發(fā)生的放電使得驅(qū)動(dòng)TFT 22的柵-源電壓逐漸下降，它轉(zhuǎn)而使流過顯示單元20的電流按相應(yīng)的狀態(tài)隨著顯示單元光輸出的逐漸減小而漸次地降低，直至TFT 22趨近其截止門限電平。流過顯示單元20的電流的下降使節(jié)點(diǎn)41上的電壓電平逐漸減小，雖然如此，它正能確保TFT 40繼續(xù)保持截止。最終，當(dāng)柵極節(jié)點(diǎn)24上的電壓下跌到低于TFT的門限電壓時(shí)，光輸出終止。
圖3A示明p型導(dǎo)電式光敏晶體管的工作范圍，而圖3B示明n型導(dǎo)電式光敏晶體管的工作范圍。圖中的曲線表明對(duì)數(shù)坐標(biāo)的源極-漏極電流Ids與施加的源極-柵極電壓Vgs之間的關(guān)系。虛線表示光電流，實(shí)線表示暗電流。箭頭310表示光敏晶體管的工作范圍，箭頭320和330分別表示光敏晶體管運(yùn)行時(shí)的理想?yún)^(qū)域和危險(xiǎn)區(qū)域。理想情況下，光敏晶體管應(yīng)工作于320區(qū)域內(nèi)，那里的暗電流(大大地)小于光電流。
實(shí)際上，由于柵極電壓隨著PLED光輸出變動(dòng)(PLED電壓隨光輸出改變)將發(fā)生這樣的情況，柵壓不是最佳的以及光敏二極管的泄漏電流(不是光電流)增加，也即進(jìn)入箭頭330指明的區(qū)域。例如，n型光敏晶體管的場(chǎng)合下，工作時(shí)節(jié)點(diǎn)41上的電壓可能高到8V，而驅(qū)動(dòng)TFT的控制端典型地約為4V。結(jié)果，存儲(chǔ)點(diǎn)24上放電過快，像素的光輸出級(jí)發(fā)生錯(cuò)誤。
圖4示明按照本發(fā)明的顯示器件的控制電路。光敏晶體管40的柵極連接至設(shè)定于獨(dú)立電壓的第二行導(dǎo)線42上。這樣，光敏晶體管的柵壓現(xiàn)在能自由選擇，不再受限于控制電路內(nèi)可應(yīng)用的電壓。于是，光敏晶體管的偏置可以更有效和靈活，使光敏晶體管始終工作于低暗電流的理想范圍內(nèi)。
再一個(gè)優(yōu)點(diǎn)在于，光敏晶體管可以為p型導(dǎo)電的，結(jié)果，電路成為全部均是p型管，在制造顯示器件時(shí)能單獨(dú)地使用PMOS工藝。與常規(guī)的混合式NMOS/PMOS工藝相比較，它典型地可節(jié)省三道額外的掩膜工序，使工藝較簡(jiǎn)單，產(chǎn)品較便宜。在此種p型光敏晶體管的場(chǎng)合下，光敏晶體管可以工作于低暗電流的理想范圍內(nèi)，例如是確保柵-源電壓在所有情況下高于0V。
圖5示明按照本發(fā)明的顯示器件用的另一個(gè)控制電路實(shí)施例，這里的所有TFT和光敏晶體管均為n型。由于現(xiàn)在的驅(qū)動(dòng)用晶體管22為n型，它連接至顯示單元的相反一端。光敏晶體管40的柵極也連接至設(shè)定于獨(dú)立電壓的第二行導(dǎo)線42上。這樣，光敏晶體管的柵壓現(xiàn)在能自由選擇，不再受限于控制電路內(nèi)可應(yīng)用的電壓。于是，光敏晶體管的偏置可以更有效和靈活，使光敏晶體管始終工作于低暗電流的理想范圍內(nèi)，例如是確保柵-源電壓在所有情況下低于0V。現(xiàn)在，電路成為全部均是n型管，在制造顯示器件時(shí)能單獨(dú)地使用NMOS工藝。同樣，與常規(guī)的混合式NMOS/PMOS工藝相比較，它典型地可節(jié)省三道額外的掩膜工序，使工藝較簡(jiǎn)單，產(chǎn)品較便宜。
圖6示明按照本發(fā)明的顯示器件的又一個(gè)控制電路實(shí)施例，它基于在US-6229506內(nèi)敘述的先有技術(shù)電路，設(shè)計(jì)為可補(bǔ)償驅(qū)動(dòng)晶體管門限電壓的變動(dòng)。同樣地，該電路通過采用p型光敏晶體管得到改進(jìn)。光敏晶體管40的柵極也連接至設(shè)定于獨(dú)立電壓的第二行導(dǎo)線42上。這樣，光敏晶體管的柵壓現(xiàn)在能自由地選擇，不再受限于控制電路內(nèi)可應(yīng)用的電壓。于是，光敏晶體管的偏置可以更有效和靈活，使光敏晶體管始終工作于低暗電路的理想范圍內(nèi)，例如是確保柵-源電壓在所有情況下高于0V。該電路同樣具有完全為p型管時(shí)的優(yōu)點(diǎn)。可以看到，在本發(fā)明的范圍內(nèi)可以實(shí)現(xiàn)對(duì)其他先有技術(shù)數(shù)據(jù)電壓尋址像素電路的類似修改。
圖7示明按照本發(fā)明的顯示器件的再一個(gè)控制電路實(shí)施例，它基于2000年“國際顯示器學(xué)術(shù)研究大會(huì)會(huì)刊2000”第358-361頁內(nèi)S.J.Bae等人敘述的先有技術(shù)電路。這是一個(gè)鏡像電流像素電路的例子，它有許多電路變型，這里再次示明是因?yàn)樗哂腥繛閜型管的電路的優(yōu)點(diǎn)。
鏡像電流電路的設(shè)計(jì)可補(bǔ)償門限電壓的變動(dòng)和驅(qū)動(dòng)晶體管遷移率的變動(dòng)。與前面的實(shí)施例不同，這里的數(shù)據(jù)信號(hào)的形式為電流。尋址周期內(nèi)，鏡像電流確保數(shù)據(jù)電流在驅(qū)動(dòng)TFT上有鏡像映射，因此，在其控制端24上存在合適的電壓，并存儲(chǔ)于電容器36上。尋址到后，驅(qū)動(dòng)TFT和存儲(chǔ)電容器被第二個(gè)尋址TFT從周圍電路中隔離開。這里同樣地，通過采用p型晶體管改善了鏡像電流電路。光敏晶體管40的柵極也連接至設(shè)定于獨(dú)立電壓的第二種行導(dǎo)線42上。這樣，光敏晶體管的柵壓現(xiàn)在能自由地選擇，不再受限于控制電路內(nèi)可應(yīng)用的電壓。于是，光敏晶體管的偏置可以更有效和靈活，使光敏晶體管始終工作于低暗電流的理想范圍內(nèi)，例如是確保柵-源電壓在所有情況下高于0V。可以看到，在本發(fā)明的范圍內(nèi)可以實(shí)現(xiàn)對(duì)其他鏡像電流像素電路的類似修改。
上面諸實(shí)施例中，連接至光敏晶體管40的柵板上的第二行導(dǎo)線42，對(duì)于整個(gè)顯示器來說它是單公共端的就可以。
按照本發(fā)明的電路中可以采用占空比技術(shù)用于運(yùn)動(dòng)圖像的運(yùn)動(dòng)補(bǔ)償。圖8A示明在運(yùn)動(dòng)圖像場(chǎng)合顯示器件的光輸出I與幀時(shí)間t的函數(shù)曲線關(guān)系。如圖8A中所示，通過使光敏晶體管導(dǎo)通(也即提供一個(gè)相反極性的電壓使光敏晶體管變成導(dǎo)電的TFT開關(guān))，驅(qū)動(dòng)晶體管的柵壓設(shè)置到電源線電壓上。這就使驅(qū)動(dòng)TFT截止，沒有電流流過PLED。于是，光輸出先期停止。
在靜止圖像場(chǎng)合下，同樣的參數(shù)I與t的關(guān)系曲線示明于圖8B，它不需要占空比技術(shù)，但能夠獲得像素電路一致性的全部受益。因此，按照本發(fā)明的電路能做到以占空比技術(shù)用于運(yùn)動(dòng)模糊的補(bǔ)償。常規(guī)顯示器中，視頻圖像的顯示會(huì)帶來取樣和保持所產(chǎn)生的偽痕而給出模糊的圖像。
在占空比技術(shù)的實(shí)施例中，控制電路最好能這樣設(shè)計(jì)，使連接至光敏晶體管40之柵極上的第二行(選擇)導(dǎo)線42在每一行的顯示中被單獨(dú)地尋址。在此種場(chǎng)合下，可實(shí)現(xiàn)顯示器更自然的掃描復(fù)位。另一種實(shí)施例中，第二行導(dǎo)線對(duì)顯示器各行的子集來說可以是公共的，例如，是位置上相互鄰近行的一個(gè)組塊。
本發(fā)明的再一個(gè)方面涉及一種顯示裝置，它包含根據(jù)本發(fā)明的矩陣顯示器件；使所述數(shù)據(jù)信號(hào)施加到尋址開關(guān)單元26數(shù)據(jù)端上的數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器電路18；以及使選擇信號(hào)施加到所述選擇導(dǎo)線12上的選擇驅(qū)動(dòng)器電路16。最好，獨(dú)立電壓控制裝置42內(nèi)包含占空比控制裝置。
概括地說，本發(fā)明涉及一種矩陣顯示器件，它包含一個(gè)可尋址像素10的陣列，每個(gè)像素10有一個(gè)顯示單元以及一個(gè)用以控制顯示單元工作的控制電路?？刂齐娐穬?nèi)包括電荷存儲(chǔ)電容器36和連接至存儲(chǔ)電容器上的光敏器件40，它根據(jù)入射到光敏器件40上的光線調(diào)整存儲(chǔ)電容器36上存儲(chǔ)的電荷。
控制電路還包含一個(gè)裝置，用于對(duì)最好為光敏晶體管的光敏器件40之柵極端的獨(dú)立電壓控制42。這樣，光敏晶體管的偏置能夠更有效和靈活。
最好，該裝置包含有連接至光敏器件40柵極端上的第二行導(dǎo)線42。該附加導(dǎo)線又能使用與該像素電路類型為相同極性的晶體管(p型或n型)，以節(jié)省額外的掩膜工序(和成本)。此外，這就有可能使用光敏晶體管作為TFT開關(guān)。這種雙重作用(光敏晶體管/TFT開關(guān))能使像素電路有額外的特性，例如將占空比技術(shù)應(yīng)用于運(yùn)動(dòng)模糊補(bǔ)償。
本發(fā)明也可應(yīng)用于其他顯示單元，諸如按電致發(fā)光原理和場(chǎng)致輻射原理工作的顯示單元。
應(yīng)當(dāng)指出，上述說明的實(shí)施例并不是用于限制本發(fā)明，本技術(shù)領(lǐng)域人員能設(shè)計(jì)許多另外的實(shí)施例，而偏離不開所附權(quán)利要求書的范圍。在權(quán)利要求書中，對(duì)處于括號(hào)內(nèi)的任何參考符號(hào)不應(yīng)認(rèn)作是對(duì)權(quán)利要求書的限制。詞語“包含”并不排除在與權(quán)利要求書中所列出的單元之外的其他單元或步驟。在單元前面的量詞“一”或“一個(gè)”并不意味著排除多個(gè)此種單元。
權(quán)利要求
1.一種包含有可尋址像素陣列的矩陣顯示器件，每個(gè)像素具有顯示單元和用于控制顯示單元工作的控制電路，該控制電路包含電荷存儲(chǔ)電容器，以及連接在存儲(chǔ)電容器上的光敏器件，用于根據(jù)入射至光敏器件上的光線調(diào)整存儲(chǔ)電容器上存儲(chǔ)的電荷；驅(qū)動(dòng)顯示單元的驅(qū)動(dòng)單元，驅(qū)動(dòng)單元的控制端連接至所述存儲(chǔ)電容器上；用于使數(shù)據(jù)信號(hào)施加到驅(qū)動(dòng)單元上的尋址單元；以及用于對(duì)光敏器件的控制端進(jìn)行獨(dú)立的電壓控制的裝置。
2.權(quán)利要求1的矩陣顯示器件，其中，獨(dú)立電壓控制裝置包含有連接至光敏器件柵極端的選擇線。
3.權(quán)利要求1的矩陣顯示器件，其中，光敏器件包含一個(gè)薄膜晶體管，其導(dǎo)電類型與驅(qū)動(dòng)單元和尋址單元的導(dǎo)電類型相同。
4.權(quán)利要求1的矩陣顯示器件，其中，顯示單元包含一個(gè)有機(jī)發(fā)光二極管。
5.權(quán)利要求2的矩陣顯示器件，其中，選擇線可單獨(dú)地尋址顯示器件中的每條選擇線。
6.權(quán)利要求2的矩陣顯示器件，其中，選擇線由單個(gè)公共端構(gòu)成的。
7.一種顯示裝置，包含如權(quán)利要求1的矩陣顯示器件；數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器電路，用于將所述數(shù)據(jù)信號(hào)施加到尋址開關(guān)單元的數(shù)據(jù)端上；以及選擇驅(qū)動(dòng)器電路，用于將選擇信號(hào)施加到所述選擇線上。
8.權(quán)利要求7的顯示裝置，其中，所述獨(dú)立電壓控制裝置包含占空比控制裝置。
全文摘要
一種包含尋址像素(10)陣列的矩陣顯示器件，每個(gè)像素(10)具有顯示單元(20)和用于控制顯示單元工作的控制電路?？刂齐娐分邪姾纱鎯?chǔ)電容器(36)和連接至存儲(chǔ)電容器(36)上的光敏器件(40)，光敏器件(40)用于根據(jù)入射至其上的光線調(diào)整存儲(chǔ)電容器(36)上存儲(chǔ)的電荷?？刂齐娐愤€包含一個(gè)裝置，用于對(duì)最好為光敏晶體管的光敏器件(40)的柵極端進(jìn)行獨(dú)立的電壓控制(42)。這樣，光敏晶體管的偏置更有效和靈活。該裝置最好包含有連接至光敏器件(40)柵極端的第二行導(dǎo)線(42)。該額外的導(dǎo)線還能夠使用與該類型像素電路相同的極性類型的晶體管，由此可節(jié)省額外的掩膜工序(和成本)。此外，這也就有可能使用光敏晶體管作為TFT開關(guān)。這種雙重作用(光敏晶體管/TFT開關(guān))能使像素電路具備額外的特性，例如將占空比技術(shù)應(yīng)用于運(yùn)動(dòng)模糊補(bǔ)償。
文檔編號(hào)G09G3/20GK1685390SQ03822581
公開日2005年10月19日 申請(qǐng)日期2003年8月8日 優(yōu)先權(quán)日2002年9月23日
發(fā)明者M·T·約翰遜, A·吉拉爾多 申請(qǐng)人:皇家飛利浦電子股份有限公司