專利名稱：具有光傳感器的顯示裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種顯示裝置，并尤其涉及一種具有在其上形成有像素陣列的襯底上形成的光傳感器的顯示裝置。
背景技術(shù)：
在現(xiàn)在的信息社會，電子顯示裝置作為信息傳輸媒體越來越重要，并且各種電子顯示裝置正廣泛應(yīng)用于工業(yè)裝置或家用器具。這樣的電子顯示裝置繼續(xù)在具有滿足信息社會的各種需求的新的合適功能上取得進(jìn)展。
一般來說，電子顯示裝置向使用信息的用戶顯示和傳輸許多條信息。也就是說，該電子顯示裝置將電子裝置輸出的電子信息信號轉(zhuǎn)換為用戶視覺能識別的光信息信號。
通常將電子顯示裝置分為發(fā)射性顯示裝置和非發(fā)射性顯示裝置。該發(fā)射性顯示裝置通過發(fā)射光而顯示光信息信號，而非發(fā)射性顯示裝置通過反射、散射或干涉而顯示該光信息信號。該發(fā)射性顯示裝置包括陰極射線管(CRT)，等離子體顯示板裝置(PDP)、發(fā)光二極管(LED)和場致發(fā)光顯示裝置(ELD)。該發(fā)射性顯示裝置被稱為有源顯示裝置。而且，被稱為無源顯示裝置的非發(fā)射性顯示裝置包括液晶顯示裝置(LCD)、電氣化學(xué)顯示裝置(ECD)和電泳圖像顯示裝置(EPID)。
隨著半導(dǎo)體技術(shù)的開發(fā)，對新的電子顯示裝置的需求日益增加，例如具有薄厚度、輕重量、低驅(qū)動電壓和低功耗的卓越特性的平板顯示裝置?？衫萌招略庐惖陌雽?dǎo)體技術(shù)制造該平板顯示裝置。
在該平板裝置中，因?yàn)橐壕э@示裝置薄且具有與陰極射線管大致相同的低功耗和高顯示質(zhì)量，所以液晶顯示裝置(LCD)已廣泛應(yīng)用于各種電子裝置。而且，該液晶顯示裝置可在低驅(qū)動電壓下工作，并易于制造。
該液晶顯示裝置一般包括透射型、反射型以及透射和反射型液晶顯示裝置。該透射型液晶顯示裝置利用環(huán)境光源而顯示信息。該反射型液晶顯示裝置利用環(huán)境光而顯示信息。該透射和反射型液晶顯示裝置在黑暗地點(diǎn)利用環(huán)境光源而顯示信息，在明亮地點(diǎn)利用環(huán)境光而顯示信息。
該場致發(fā)光顯示裝置包括有機(jī)場致發(fā)光顯示裝置和無機(jī)場致發(fā)光顯示裝置。該有機(jī)場致發(fā)光顯示裝置具有例如低功耗、寬視角、高速響應(yīng)、高對比度等的優(yōu)點(diǎn)，所以已進(jìn)行了對于有機(jī)場致發(fā)光顯示裝置的研究。
在該有機(jī)場致發(fā)光顯示裝置中，陰極為光發(fā)射部分提供電子，陽極為光發(fā)射部分提供空穴，從而電子與空穴結(jié)合而形成激子。激子下降到地狀態(tài)，從而產(chǎn)生光。
該有機(jī)場致發(fā)光顯示裝置包括無源矩陣型顯示裝置和有源矩陣型顯示裝置。該有源矩陣型有機(jī)場致發(fā)光顯示裝置具有多個(gè)有機(jī)場致發(fā)光器件。獨(dú)立驅(qū)動與像素對應(yīng)的有機(jī)場致發(fā)光器件以顯示圖像。
然而，該有機(jī)場致發(fā)光顯示裝置是發(fā)射性顯示裝置之一，所以不可以反射方式形成該有機(jī)場致發(fā)光顯示裝置。因而，當(dāng)環(huán)境光亮?xí)r，惡化了可視度。
而且，該透射和反射型液晶顯示裝置由于不能自己判定環(huán)境光的強(qiáng)度，所以在顯示高質(zhì)量圖像時(shí)受限制。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供了一種根據(jù)環(huán)境光亮度調(diào)整顯示面板的亮度的電子顯示裝置。
本發(fā)明還提供了一種根據(jù)環(huán)境光亮度調(diào)整該場致發(fā)光顯示裝置的亮度的有機(jī)場致發(fā)光顯示裝置。
本發(fā)明還提供了一種根據(jù)環(huán)境光亮度調(diào)整背光組件的亮度的液晶顯示裝置。
在本發(fā)明的電子顯示裝置的例子中，該電子顯示裝置包括襯底、多個(gè)像素和至少一個(gè)光感測部分。該襯底包括顯示區(qū)域和與該顯示區(qū)域相鄰的外圍區(qū)域，并且該襯底包括沿第一方向延伸的多根選通線以及沿著與該第一方向基本垂直的第二方向延伸的多根數(shù)據(jù)線。所述多個(gè)像素形成在該顯示區(qū)域中以顯示圖像，并由所述每一數(shù)據(jù)線和所述每一選通線來限定所述像素。該光感測部分形成在該外圍區(qū)域中，并且該光感測部分感測環(huán)境光強(qiáng)度。
在本發(fā)明的示例有機(jī)場致發(fā)光顯示裝置中，該有機(jī)場致發(fā)光顯示裝置包括襯底、多個(gè)像素和至少一個(gè)光感測部分。該襯底包括顯示區(qū)域和與該顯示區(qū)域相鄰的外圍區(qū)域。所述像素包括沿第一方向延伸的選通線，沿著與該第一方向基本垂直的第二方向延伸的數(shù)據(jù)線，與所述選通和數(shù)據(jù)線電連接的開關(guān)器件，與該開關(guān)器件電連接的第一電極，布置在該第一電極上的場致發(fā)光層，和形成在該場致發(fā)光層上的第二電極。所述光感測部分形成在該外圍區(qū)域中，該光感測部分感測環(huán)境光強(qiáng)度。
在本發(fā)明的示例液晶顯示裝置中，該液晶顯示裝置包括顯示組件和背光組件。該顯示組件，包括襯底、多個(gè)像素和至少一個(gè)光感測部分。該襯底包括顯示區(qū)域和與該顯示區(qū)域相鄰的外圍區(qū)域。所述像素包括沿第一方向延伸的選通線，沿著與該第一方向基本垂直的第二方向延伸的數(shù)據(jù)線，與所述選通和數(shù)據(jù)線電連接的開關(guān)器件，與該開關(guān)器件電連接的透明電極。所述光感測部分形成在該外圍區(qū)域中，并且該光感測部分感測環(huán)境光強(qiáng)度。該背光組件為該顯示組件提供光。根據(jù)該光感測部分感測的環(huán)境光的強(qiáng)度來調(diào)整該背光組件所提供的光的強(qiáng)度。
根據(jù)本發(fā)明，在陣列襯底上形成用于感測環(huán)境光強(qiáng)度的光感測部分，使得可根據(jù)環(huán)境光強(qiáng)度來調(diào)整該顯示裝置的亮度。


通過參考附圖詳細(xì)描述示例實(shí)施例，本發(fā)明的以上和其他特點(diǎn)和優(yōu)點(diǎn)將變得更加清楚，其中圖1是示出了根據(jù)本發(fā)明第一示例實(shí)施例的頂部發(fā)射型AMOELD裝置的示意圖；圖2是示出了圖1的部分“A”的放大視圖；圖3A和3B是分別示出了圖1的頂部發(fā)射型AMOELD的像素部分和光感測部分的剖面圖；圖4是示出了圖1的AMOELD的光感測部分的操作的電路圖；圖5是示出了電壓Vgs和光電電流之間的關(guān)系的曲線圖；圖6A和6B是分別示出了根據(jù)本發(fā)明第二示例實(shí)施例的底部發(fā)射型AMOELD的像素部分和光感測部分的剖面圖；圖7是示出了根據(jù)本發(fā)明第三示例實(shí)施例的透射和反射型液晶顯示裝置的示意圖；圖8是示出了根據(jù)本發(fā)明第三示例實(shí)施例的透射和反射型液晶顯示裝置的光感測部分的電路圖；
圖9是示出了圖8的光感測部分的剖面圖；圖10是示出了根據(jù)本發(fā)明第四示例實(shí)施例的透射和反射型液晶顯示裝置的光感測部分的電路圖；圖11是示出了根據(jù)本發(fā)明第五示例實(shí)施例的透射和反射型液晶顯示裝置的光感測部分的電路圖；圖12是示出了根據(jù)本發(fā)明第六示例實(shí)施例的透射和反射型液晶顯示裝置的光感測部分的電路圖；圖13是示出了與存在環(huán)境光的情況和不存在環(huán)境光的情況對應(yīng)的泄漏電流的曲線圖。
具體實(shí)施例方式
現(xiàn)在將參考附圖詳細(xì)描述本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例。
實(shí)施例1圖1是示出了根據(jù)本發(fā)明第一示例實(shí)施例的頂部發(fā)射型AMOELD裝置的示意圖。圖2是示出了圖1的部分“A”的放大視圖。圖3A和3B是分別示出了圖1的頂部發(fā)射型AMOELD的像素部分和光感測部分的剖面圖。
參考圖1、2、3A和3B，根據(jù)本發(fā)明第一示例實(shí)施例的頂部發(fā)射型有源矩陣有機(jī)場致發(fā)光顯示裝置(以下稱為“AMOELD”)包括具有多個(gè)像素的陣列襯底100以顯示圖像。以矩陣形狀布置這些像素。
該陣列襯底包括多個(gè)選通線GL和多個(gè)數(shù)據(jù)線Vdata。選通線GL和數(shù)據(jù)線Vdata沿著彼此基本垂直的方向延伸，以形成由選通線GL和數(shù)據(jù)線Vdata限定的單位像素125。
電源線Vdd插入在相鄰數(shù)據(jù)線Vdata之間，使得電源線Vdd與數(shù)據(jù)線Vdata基本垂直。將顯示信號的最大直流電流施加到該電源線Vdd。
選通線GL和數(shù)據(jù)線Vdata電連接到第一薄膜晶體管T1。該第一薄膜晶體管T1用作開關(guān)器件。
具體說，該第一薄膜晶體管T1包括電連接到選通線GL的柵極102a，電連接到數(shù)據(jù)線Vdata的源極108a，和電連接到第一節(jié)點(diǎn)N1的漏極110a。將數(shù)據(jù)電壓經(jīng)由數(shù)據(jù)線Vdata施加到源極108a，將該數(shù)據(jù)電壓傳輸?shù)皆摰谝槐∧ぞw管T1的漏極110a。
第二薄膜晶體管T2的柵極102b和儲能電容器Cst的第一電容器電極電連接到第一節(jié)點(diǎn)N1。儲能電容器Cst的第二電容器電極和第二薄膜晶體管T2的源極108b電連接到該電源線Vdd。
第二薄膜晶體管T2的漏極120b電連接到該有機(jī)場致發(fā)光器件EL。
因而，當(dāng)該第一薄膜晶體管T1導(dǎo)通時(shí)，可根據(jù)數(shù)據(jù)線Vdd的狀態(tài)而導(dǎo)通該第二薄膜晶體管T2。因而，將電源線Vdd的電壓施加到該場致發(fā)光器件EL以驅(qū)動該場致發(fā)光器件EL。
圖3A和3B的第一和第二薄膜晶體管T1和T2對應(yīng)于具有低于漏極和源極布置的柵極的反轉(zhuǎn)交錯(cuò)型非晶硅薄膜晶體管。然而，各種晶體管均可用作第一和第二薄膜晶體管T1和T2。
該場致發(fā)光器件EL包括場致發(fā)光層118、以及第一和第二電極114b和121。該第一電極114b用作像素電極和陽極電極。場致發(fā)光層118布置在該第一電極114b上。第二電極121布置在該場致發(fā)光層118上，并且該第二電極121用作陰極電極。該第一電極114b視覺不透明且可傳導(dǎo)電。然而，該第二電極121視覺透明且可傳導(dǎo)電，以允許該場致發(fā)光器件EL產(chǎn)生的光通過該第二電極121。從而顯示圖像。
在顯示區(qū)域120中形成該第二電極121，并最好不在形成光感測部分“A”的外圍區(qū)域形成該第二電極121。
在環(huán)繞該顯示區(qū)域120的外圍區(qū)域形成用于感測環(huán)境光的強(qiáng)度的光感測部分“A”。
一般來說，指紋識別器、觸摸屏面板、光感測電路等包含具有一個(gè)儲能電容器和兩個(gè)薄膜晶體管的、以矩陣形狀布置的單元，以識別位置。然而，該光感測部分“A”僅感測環(huán)境光的強(qiáng)度。因而，不需要以矩陣形狀布置該光感測部分“A”。因而，可在外圍區(qū)域130中僅形成包括光感測薄膜晶體管Ts的一個(gè)光感測部分“A”，或?qū)⒃摴飧袦y部分“A”布置成一條線。
在外圍區(qū)域120中形成有讀出線ROL，用于將光感測薄膜晶體管Ts產(chǎn)生的信號傳輸?shù)阶x出電路部分150。
該光感測部分“A”包括光感測薄膜晶體管Ts、電源線Vdd和讀出線ROL。由環(huán)境光驅(qū)動該光感測薄膜晶體管Ts以產(chǎn)生信號。該光感測薄膜晶體管Ts包括與電源線Vdd電連接的漏極、以及與讀出線ROL電連接的柵極和源極。因而，將光感測薄膜晶體管Ts產(chǎn)生的信號經(jīng)由該讀出線ROL傳輸?shù)皆撟x出電路部分150。該讀出電路部分150接收該信號，并將該信號轉(zhuǎn)換為數(shù)字信號。
在該陣列襯底100的外圍區(qū)域120中形成用于檢測環(huán)境光強(qiáng)度的讀出電路部分150。
另外，在該外圍區(qū)域120中形成用于驅(qū)動選通線GL的選通驅(qū)動部分145、和用于驅(qū)動數(shù)據(jù)線Vdata的數(shù)據(jù)驅(qū)動部分。
當(dāng)將非晶硅晶體管用作AMOELD的開關(guān)器件時(shí)，最好將AMOELD形成為頂部發(fā)射型。因而，該光感測薄膜晶體管形成為反轉(zhuǎn)交錯(cuò)型，使得該光感測薄膜晶體管Ts的溝道暴露在環(huán)境光中。
當(dāng)環(huán)境光到達(dá)該光感測薄膜晶體管的溝道時(shí)，光電流流過該光感測薄膜晶體管Ts，并將該光電流施加到該讀出電路部分ROC。
圖4是示出了圖1的AMOELD的光感測部分的操作的電路圖，而圖5是示出了電壓Vgs和光電電流之間的關(guān)系的曲線圖。在圖5的曲線圖中，符號‘■’對應(yīng)于沒有環(huán)境光的光電流，符號‘●’對應(yīng)于有環(huán)境光的光電流。
參考圖2、4和5，將光感測薄膜晶體管Ts的柵極和源極G和S彼此電連接以將Vgs設(shè)為0V。
調(diào)整將要施加到該電源線Vdd的電壓使得其不充滿為強(qiáng)環(huán)境光。最好是，將電源線的電壓調(diào)節(jié)到大約2V到大約10V的范圍。
當(dāng)環(huán)境光到達(dá)光感測薄膜晶體管Ts的溝道時(shí)，光電流I流過該薄膜晶體管Ts。該光電流I流過該讀出線ROL以到達(dá)該讀出電路ROC。
因而，該讀出電路部分ROC的電容器Cref被充電，使得在電容器Cref兩端之間形成的電壓改變。改變的電壓經(jīng)由放大器AMP(未示出)被放大，以輸出到模-數(shù)變換器ADC(未示出)。
來自該模-數(shù)變換器ADC的數(shù)字信號被反饋到頂部發(fā)射型AMOELD的驅(qū)動控制部分，使得頂部發(fā)射型AMOELD的亮度被調(diào)整。
因而，當(dāng)周圍亮度低時(shí)，AMOELD的亮度被調(diào)低，當(dāng)周圍亮度高時(shí)，頂部發(fā)射型AMOELD的亮度被調(diào)高。
下面，將參考圖3A和3B說明制造圖1的陣列襯底100的方法。
在包括顯示區(qū)域120和外圍區(qū)域130的陣列襯底100上形成第一傳導(dǎo)層。該第一傳導(dǎo)層被刻上圖案以形成第一傳導(dǎo)圖案。例如，該第一傳導(dǎo)圖案可通過光刻方法而被刻上圖案。該第一傳導(dǎo)圖案包括沿第一方向延伸的選通線GL、從該選通線GL叉開的第一和第二薄膜晶體管T1和T2的柵極102a和102b、以及該光感測薄膜晶體管Ts的柵極102c。而且，該第一傳導(dǎo)圖案包括儲能電容器Cst的下級電極，該下級電極與第二薄膜晶體管T2的柵極102b電連接。
在包含有在第一襯底上形成的第一傳導(dǎo)圖案的第一襯底上沉積氮化硅，以形成選通絕緣層104。可通過等離子增強(qiáng)化學(xué)蒸汽沉積PECVD來沉積該氮化硅。
順序形成包含有非晶硅的有源層和包含有n+非晶硅的歐姆(ohmic)接觸層?？赏ㄟ^PECVD裝置的腔內(nèi)的原位置(in-situ)處理而形成該有源層和歐姆接觸層。然后，該有源層和歐姆接觸層被刻上圖案以形成有源圖案105a、105b和105c以及歐姆接觸圖案106a、106b和106c。
然后，形成第二傳導(dǎo)層，并且該第二傳導(dǎo)層被刻上圖案以形成該第二傳導(dǎo)圖案?？赏ㄟ^光刻方法為該第二傳導(dǎo)層刻上圖案。
該第二傳導(dǎo)圖案包括數(shù)據(jù)線Vdata、電源線Vdd、讀出線ROL、第一和第二薄膜晶體管T1和T2的漏極和源極108a和108b以及110a和110b、以及該光感測薄膜晶體管Ts的漏極和源極110c和108c。
在與該第一方向基本垂直的第二方向延伸該數(shù)據(jù)線Vdata。也沿著第二方向延伸該電源線Vdd，使得該電源線和該數(shù)據(jù)線Vdata基本彼此平行。在外圍區(qū)域中形成該讀出線ROL。從數(shù)據(jù)線Vdata叉出所述第一和第二薄膜晶體管T1和T2的源極108a和108b。從電源線Vdd叉出光感測薄膜晶體管Ts的漏極110c，并從讀出線ROL叉出光感測薄膜晶體管Ts的源極108c。而且，該第二傳導(dǎo)圖案包括儲能電容器Cst的上部電極，該電極與第二薄膜晶體管T2的源極108b電連接。
然后，通過例如反應(yīng)離子蝕刻方法形成在源極108a、108b和108c以及漏極110a、110b和110c之間暴露的歐姆接觸圖案106a、106b和106c。然后，在漏極110a、110b和110c和源極108a、108b和108c之間暴露的有源圖案區(qū)域分別用作第一、第二和光感測薄膜晶體管T1、T2和Ts的溝道層。
當(dāng)形成第一、第二和光感測薄膜晶體管T1、T2和Ts時(shí)，沉積氮化硅，使得用于保護(hù)所述第一、第二和光感測薄膜晶體管T1、T2和Ts的保護(hù)層112形成。然后，該保護(hù)層112被部分蝕刻以形成第一到第五接觸孔113a、113b、113c、113d和113e。該第一接觸孔113a暴露第一薄膜晶體管T1的漏極110a。該第二和第三接觸孔113b和113c暴露第二薄膜晶體管T2的柵極和漏極102b和108b。該第四和第五接觸孔113d和113e暴露光感測薄膜晶體管Ts的源極和柵極108c和102c。
在第一到第五接觸孔113a到113e以及保護(hù)層112上沉積有第三傳導(dǎo)層。該第三傳導(dǎo)層是非透明的和傳導(dǎo)性的。該第三傳導(dǎo)層例如通過光刻方法被刻上圖案以形成第三傳導(dǎo)圖案。該第三傳導(dǎo)圖案可包括鉻(Cr)層和在該鉻層上形成的銦錫氧化物(ITO)層。
該第三傳導(dǎo)圖案包括第一電極114b、以及第一和第二橋接配線114a和114c。該第一橋接配線114a通過第一和第二接觸孔113a和113b電連接第一薄膜晶體管T1的漏極110a以及第二薄膜晶體管T2的柵極102b。該第一電極114b通過第三接觸孔113c電連接第二薄膜晶體管T2的漏極110b。該第二橋接配線114c通過第四和第五接觸孔113d和113e電連接光感測薄膜晶體管Ts的源極和柵極108c和102c。
與像素電極對應(yīng)的第一電極114b用作場致發(fā)光器件EL的陽極電極。
在第三傳導(dǎo)圖案114a、114b和114c以及保護(hù)層112上沉積有包括具有低介電常數(shù)的有機(jī)或無機(jī)材料的層以形成平面化層116。然后，該平面化層116例如通過光刻方法被刻上圖案，以形成暴露像素電極114的一部分的開口117。該開口117具有與第一電極114b基本相同的形狀，但該開口117的寬度小于第一電極114b。該平面化層116支承有機(jī)場致發(fā)光層118。
形成該有機(jī)場致發(fā)光層118以覆蓋開口117，并形成第二電極121。第二電極121用作該有機(jī)場致發(fā)光器件的陰極。
該第二電極121包括具有低功函數(shù)的材料。例如，該第二電極121包括Mg(鎂):Ag(銀)層和在該Mg:Ag層上形成的銦錫氧化物層。最好是僅在顯示區(qū)域中形成該第二電極121。也就是說，不在外圍區(qū)域中形成該第二電極121，使得在外圍區(qū)域布置的光感測部分能更精確地檢測環(huán)境光的強(qiáng)度。
如上所述，根據(jù)本實(shí)施例，在陣列襯底上形成用于感測環(huán)境光強(qiáng)度的光感測部分以調(diào)整顯示裝置的亮度。當(dāng)周圍亮度低時(shí)，將頂部發(fā)射型AMOELD的亮度調(diào)低。當(dāng)周圍亮度高時(shí)，將頂部發(fā)射型AMOELD的亮度調(diào)高。由此，增強(qiáng)了頂部發(fā)射型AMOELD的可視度。
實(shí)施例2圖6A和6B是分別示出了根據(jù)本發(fā)明第二示例實(shí)施例的AMOELD的像素部分和光感測部分的剖面圖。本實(shí)施例的底部型AMOELD除了第一和第二電極外，其余與實(shí)施例1相同。因而，將使用相同的附圖標(biāo)記來描述與實(shí)施例1中相同的部件，并省略其具體說明。
參考圖6A和6B，在底部發(fā)射型AMOELD的情況下，從有機(jī)場致發(fā)光器件EL產(chǎn)生的光通過襯底100離開該底部型AMOELD。因此，在該底部型AMOELD的顯示側(cè)布置該襯底100。
因而，該底部型AMOELD包括透明的并用作有機(jī)場致發(fā)光器件EL的陽極電極的第一電極114b，和不透明的并用作有機(jī)場致發(fā)光器件EL的陰極電極的第二電極121。例如，該第一電極114b可包括銦錫氧化物(ITO)，該第二電極121可包括鋁(Al)。
環(huán)境光進(jìn)入襯底100，并繼續(xù)前進(jìn)。當(dāng)環(huán)境光到達(dá)第二電極121時(shí)，該第二電極121反射該環(huán)境光。然后，在第二電極121上反射的環(huán)境光到達(dá)光感測薄膜晶體管Ts的溝道。然后，光電流流過該光感測薄膜晶體管Ts。讀出電路部分ROC感測光電流幅度。
與該像素的開關(guān)器件對應(yīng)的第一薄膜晶體管T1包括電連接到選通線GL的柵極102a，電連接到數(shù)據(jù)線Vdata的源極108a，以及通過第一橋接配線114a電連接到與該像素的開關(guān)器件對應(yīng)的第二薄膜晶體管T2的柵極102b的漏極110a。
第二薄膜晶體管T2包括電連接到電源線Vdd的源極108b，電連接到有機(jī)場致發(fā)光器件EL的漏極110b，以及電連接到第一薄膜晶體管T1的漏極110a的柵極102b。
該儲能電容器Cst包括與第二薄膜晶體管T2的柵極102b和第一薄膜晶體管T1的漏極110a電連接的第一電容器電極，以及電連接到電源線Vdd的第二電容器電極。
該有機(jī)場致發(fā)光器件EL包括用作像素電極和陽極電極的第一電極114b，和用作陰極電極的第二電極121，和有機(jī)場致發(fā)光層118。該第一電極114b視覺透明且具有導(dǎo)電性。在該第一電極114b上形成該有機(jī)場致發(fā)光層118。在該有機(jī)場致發(fā)光層118上形成的第二電極121是不透明的。
在襯底100的整個(gè)表面上形成用于將環(huán)境光反射到光感測薄膜晶體管Ts的溝道上的第二電極121，從而該溝道層檢測環(huán)境光的強(qiáng)度。
在外圍區(qū)域中形成的光感測部分包括光感測薄膜晶體管Ts、電源線Vdd和讀出線RL。由環(huán)境光驅(qū)動該光感測薄膜晶體管Ts以輸出信號。該電源線Vdd電連接到該光感測薄膜晶體管Ts的漏極110c。該讀出線RL電連接到源極108c，使得該信號傳輸?shù)綄⒃撔盘栟D(zhuǎn)換為數(shù)字信號的該讀出電路部分ROC。
該光感測薄膜晶體管Ts的柵極和源極102c和108c通過第二橋接配線114c彼此電連接。
如上所述，該底部發(fā)射型AMOELD可采用該光感測部分。
實(shí)施例3圖7是示出了根據(jù)本發(fā)明第三示例實(shí)施例的透射和反射型液晶顯示裝置的示意圖，圖8是示出了根據(jù)本發(fā)明第三示例實(shí)施例的透射和反射型液晶顯示裝置的光感測部分的電路圖，而圖9是示出了圖8的光感測部分的剖面圖。
參考圖7、8和9，根據(jù)本發(fā)明第三示例實(shí)施例的透射和反射型液晶顯示裝置包括陣列襯底200、面向該陣列襯底200的濾色鏡襯底(未示出)、和插在該陣列襯底200和濾色鏡襯底之間的液晶層(未示出)。在該陣列襯底200中布置有多個(gè)像素。
在陣列襯底200的顯示區(qū)域中形成的選通線GL和數(shù)據(jù)線Vdata定義了這些像素。具體說，每個(gè)像素包括選通線GL、數(shù)據(jù)線Vdata、開關(guān)器件、透明電極和反射電極。沿第一方向延伸該選通線GL。沿與該第一方向基本垂直的第二方向延伸該數(shù)據(jù)線Vdata。該開關(guān)器件電連接到數(shù)據(jù)和選通線Vdata和GL。所述透明和反射電極電連接到該開關(guān)器件，并且所述透明和反射電極形成包括透明區(qū)域和反射區(qū)域的像素電極(未示出)。
該開關(guān)器件對應(yīng)于包括從選通線GL叉開的柵極、從數(shù)據(jù)線Vdata叉開的源極、和與該像素電極電連接的漏極的反轉(zhuǎn)交錯(cuò)型非晶薄膜晶體管。
在與該顯示區(qū)域相鄰的外圍區(qū)域中形成用于感測環(huán)境光強(qiáng)度的光感測部分260。在讀出線ROL和選通線GL之一的交叉點(diǎn)處形成該光感測部分260。
該光感測部分260可形成為一條線或多條線。
該光感測部分260包括第一和第二薄膜晶體管Ts1和Ts2、以及儲能電容器Cst。該第一薄膜晶體管Ts1感測環(huán)境光的強(qiáng)度并產(chǎn)生光電流。該儲能電容器Cst接收光電流以存儲電荷。該第二薄膜晶體管Ts2輸出該電荷。
所述第一和第二薄膜晶體管Ts1和Ts2可以是反轉(zhuǎn)交錯(cuò)型非晶硅薄膜晶體管。
該第一薄膜晶體管Ts1包括與Voff信號線電連接的柵極202a、與數(shù)據(jù)線Vdata電連接的漏極208a、以及與儲能電容器Cst的下部電極和第二薄膜晶體管Ts2的漏極電連接的源極208b。
該第二薄膜晶體管Ts2包括與Vg信號線電連接的柵極202b、與讀出線ROL電連接的源極208c、以及與第一薄膜晶體管Ts1的源極208b電連接的漏極。
將信號通過讀出線ROL傳輸?shù)皆撟x出電路部分ROC。該讀出電路ROC將該信號轉(zhuǎn)換為數(shù)字信號。
在第二薄膜晶體管Ts2上布置光阻止層216。從而，環(huán)境光可到達(dá)第一薄膜晶體管Ts1，但由于該光阻止層216，環(huán)境光不會到達(dá)該第二薄膜晶體管Ts2。
可通過選通線GL傳輸該Vg信號，或可通過與第二薄膜晶體管Ts2的柵極202b電連接的單獨(dú)形成的Vg信號線來傳輸該Vg信號。
在外圍區(qū)域形成用于讀出由第一薄膜晶體管Ts1感測的環(huán)境光強(qiáng)度并與讀出線ROL電連接的讀出電路部分ROC。
而且，在外圍區(qū)域也形成選通和數(shù)據(jù)驅(qū)動部分(未示出)。
下面，將說明光感測部分260的操作。
當(dāng)環(huán)境光到達(dá)感測光的第一薄膜晶體管Ts1時(shí)，將負(fù)電壓施加到與第一薄膜晶體管Ts1的柵極202a電連接的Vgoff信號線，并將正電壓施加到第一薄膜晶體管Ts1的漏極208a以截止該第一薄膜晶體管Ts1。然后，暴露給該環(huán)境光的第一薄膜晶體管Ts1的泄漏電流增加。因而，該第一薄膜晶體管Ts1的泄漏電流多于不暴露給該環(huán)境光的第二薄膜晶體管Ts2的泄漏電流。
當(dāng)該第二薄膜晶體管Ts2截止時(shí)，該第一薄膜晶體管Ts1的泄漏電流對儲能電容器Cst充電。只要該第二薄膜晶體管Ts2截止，則就保持該儲能電容器Cst中存儲的電荷。
當(dāng)將Vg信號施加到與第二薄膜晶體管Ts2的柵極202b電連接的Vg信號線時(shí)，該第二薄膜晶體管Ts2導(dǎo)通。因而，該儲能電容器中存儲的電荷流過該第二薄膜晶體管Ts2和讀出線ROL，被傳輸?shù)皆撟x出電路部分ROC。
因而，該讀出電路部分ROC測量該電流量，根據(jù)該電流量獲得該環(huán)境光的強(qiáng)度，并將轉(zhuǎn)換的數(shù)字信號反饋到布置在該陣列襯底200之下的背光，以調(diào)整該背光的亮度。
下面，將參考圖9說明制造圖7的陣列襯底200的方法。
第一傳導(dǎo)層包括沉積在包括顯示區(qū)域250和外圍區(qū)域的陣列襯底200上的金屬，例如鋁合金、鉻(Cr)、鉬(Mo)、銅(Cu)及其合金等。該第一傳導(dǎo)層被刻上圖案以形成第一傳導(dǎo)圖案。可通過光刻方法將該第一傳導(dǎo)層刻上圖案。
該第一傳導(dǎo)圖案包括選通線GL、在顯示區(qū)域(未示出)中布置的薄膜晶體管的柵極、和該光感測部分260的第一和第二薄膜晶體管Ts1和Ts2的柵極202a和202b。該選通線沿第一方向延伸。該顯示區(qū)域中的薄膜晶體管的柵極從該選通線GL叉開。
在具有第一傳導(dǎo)圖案的陣列襯底上沉積有氮化硅。然后，順序沉積包括非晶硅的有源層、和包含有n+非晶硅的歐姆接觸層?？赏ㄟ^PECVD裝置的腔內(nèi)的in-situ處理而形成該有源層和歐姆接觸層。然后，該有源層和歐姆接觸層例如通過光刻被刻上圖案以形成包括非晶硅的有源圖案205a和205b，以及包含有n+非晶硅的歐姆接觸圖案206和206b。
包含釹化鋁(AlNd)、鉻(Cr)、鉬(Mo)及其合金等的第二傳導(dǎo)層被沉積和刻上圖案以形成第二傳導(dǎo)圖案。
該第二傳導(dǎo)圖案包括數(shù)據(jù)線Vdata、讀出線ROL、以及儲能電容器Cst的下部電極。沿著與該第一方向基本垂直的第二方向延伸該數(shù)據(jù)線Vdata。沿著該第二方向延伸該讀出線ROL，使得讀出線ROL和數(shù)據(jù)線基本彼此平行。
另外，該第二傳導(dǎo)圖案包括在顯示區(qū)域中布置的薄膜晶體管的源極和漏極(未示出)、第一薄膜晶體管Ts1的漏極208a、和第二薄膜晶體管Ts2的源極208c。顯示區(qū)域中的薄膜晶體管的源極從數(shù)據(jù)線Vdata叉開。第一薄膜晶體管Ts1的漏極208a從外圍區(qū)域的數(shù)據(jù)線Vdata叉開。第二薄膜晶體管Ts2的源極208c從讀出線ROL叉開。
然后，通過反應(yīng)離子蝕刻方法來分別去除在漏極和源極208a和208b之間、以及在漏極和源極208b和208c之間暴露的歐姆接觸圖案206a和206b。然后，在漏極和源極208a和208b之間、以及在漏極和源極208b和208c之間暴露的有源圖案分別用作光感測部分的第一和第二薄膜晶體管Ts1和Ts2的溝道。
當(dāng)形成該薄膜晶體管時(shí)，形成絕緣層210。該絕緣層210可包括氮化硅。該絕緣層210也可用作儲能電容器Cst的介電層。
另外，去除該絕緣層210的一部分，使得形成暴露顯示區(qū)域中的薄膜晶體管的漏極的接觸孔(未示出)。
然后，在具有該接觸孔的絕緣層210上順序沉積包含銦錫氧化物(ITO)或銦鋅氧化物(IZO)的透明傳導(dǎo)層、和包含鉻(Cr)、鉬(Mo)、釹化鋁(AlNd)、銅(Cu)及其混合物的反射層。所述透明傳導(dǎo)層和反射層被刻上圖案以形成該像素的像素電極(未示出)和該光感測部分的儲能電容器Cst的上部電極212，使得該像素電極通過接觸孔電連接到布置在該顯示區(qū)域中的薄膜晶體管的漏極。
該像素電極包括透明電極和反射電極。所述透明和反射電極分別限定透射區(qū)域和反射區(qū)域。
然后，在形成像素電極和儲能電容器Cst的上部電極212的陣列襯底200上沉積氮化硅以形成保護(hù)層214。另外，光阻止材料在陣列襯底200上沉積并被刻上圖案以形成光阻止層216。在光感測部分260的第二薄膜晶體管Ts2上布置該光阻止層216。在本實(shí)施例中，將透射和反射型液晶顯示裝置解釋為一個(gè)例子。然而，本發(fā)明的第二實(shí)施例也可應(yīng)用透射型液晶顯示裝置。
如上所述，根據(jù)本實(shí)施例，在透射和反射型液晶顯示裝置的陣列襯底上形成用于感測環(huán)境光強(qiáng)度的光感測部分。該光感測部分感測環(huán)境光強(qiáng)度，并根據(jù)該環(huán)境光強(qiáng)度輸出信號。然后，根據(jù)該光感測部分的信號調(diào)整布置在該陣列襯底下的背光組件的亮度。因而，使液晶顯示裝置的亮度最優(yōu)化。
實(shí)施例4圖10是示出了根據(jù)本發(fā)明第四示例實(shí)施例的透射和反射型液晶顯示裝置的光感測部分的電路圖。
參考圖10，根據(jù)本發(fā)明第四示例實(shí)施例的透射和反射型液晶顯示裝置的光感測部分包括用作光感測薄膜晶體管Ts的非晶硅薄膜晶體管和儲能電容器Cst。通過直接使用該儲能電容器來測量該薄膜晶體管Ts的泄漏電流。
該光感測薄膜晶體管Ts包括與Voff信號線電連接的柵極、與數(shù)據(jù)線Vdata電連接的漏極、以及與儲能電容器Cst的下部電極和讀出線ROL電連接的源極。
當(dāng)環(huán)境光到達(dá)該光感測薄膜晶體管Ts時(shí)，泄漏電流根據(jù)環(huán)境光的強(qiáng)度而增加。然后，由于該泄漏電流而在該儲能電容器Cst中存儲電荷，并且將該電荷傳輸?shù)阶x出電路部分ROC。
因而，該讀出電路ROC測量該泄漏電流的大小，獲得環(huán)境光的強(qiáng)度、并反饋所轉(zhuǎn)換的數(shù)字信號以調(diào)整背光組件的亮度。本實(shí)施例的光感測部件可用于透射型液晶顯示裝置。
實(shí)施例5圖11是示出了根據(jù)本發(fā)明第五示例實(shí)施例的透射和反射型液晶顯示裝置的光感測部分的電路圖。
參考圖11，透射和反射型液晶顯示裝置的光感測部分通過使用非晶硅薄膜晶體管來感測環(huán)境光的強(qiáng)度。
當(dāng)環(huán)境光到達(dá)光感測薄膜晶體管Ts時(shí)，泄漏電流流過光感測薄膜晶體管Ts的溝道。該泄漏電流通過讀出線流到讀出電路部分ROC。
然后，該讀出電路部分ROC測量該泄漏電流的大小以獲得環(huán)境光的強(qiáng)度、并反饋所轉(zhuǎn)換的數(shù)字信號以調(diào)整背光組件的亮度。
本實(shí)施例的光感測部件可用于透射型液晶顯示裝置。
實(shí)施例6圖12是示出了根據(jù)本發(fā)明第六示例實(shí)施例的透射和反射型液晶顯示裝置的光感測部分的電路圖，而圖13是示出了與存在環(huán)境光的情況和不存在環(huán)境光的情況對應(yīng)的泄漏電流的曲線圖。在圖13的曲線圖中，“OFF”對應(yīng)于沒有環(huán)境光的泄漏電流，而“ON”對應(yīng)于具有入射到光感測薄膜晶體管Ts的環(huán)境光的泄漏電流。
參考圖12和13，根據(jù)本發(fā)明第六示例實(shí)施例的透射和反射型液晶顯示裝置的光感測部分包括與光感測薄膜晶體管Ts對應(yīng)的非晶硅薄膜晶體管。
當(dāng)該光感測薄膜晶體管Ts的柵極電壓Vgs為0V時(shí)，測量沒有環(huán)境光的泄漏電流OFF和具有環(huán)境光的泄漏電流ON，以獲得泄漏電流OFF和泄漏電流ON之間的差值。
然后，反饋泄漏電流OFF和泄漏電流ON之間的差值作為調(diào)整背光組件亮度的信號。
該光感測部分可采用薄膜二極管或包括p型半導(dǎo)體層、本征半導(dǎo)體層和n型半導(dǎo)體層的PIN二極管。
根據(jù)本發(fā)明，在陣列襯底上形成感測環(huán)境光強(qiáng)度的光感測部分，使得可根據(jù)環(huán)境光的強(qiáng)度調(diào)整該顯示裝置的亮度。
也就是說，在AMOELD的情況下，當(dāng)周圍光的亮度低時(shí)，降低有機(jī)場致發(fā)光器件EL的亮度以增強(qiáng)使用壽命，并且當(dāng)周圍光的亮度高時(shí)，提高有機(jī)場致發(fā)光器件EL的亮度以增強(qiáng)可視度。
在透射和反射型液晶顯示裝置的情況下，根據(jù)光感測部分感測的強(qiáng)度來調(diào)整背光組件的亮度。
盡管已描述了本發(fā)明的示例實(shí)施例及其優(yōu)點(diǎn)，但應(yīng)注意在不脫離所附權(quán)利要求限定的本發(fā)明的精神和范圍的情況下，可作出各種改變、替換和修改。
權(quán)利要求
1.一種電子顯示裝置，包括襯底，包括顯示區(qū)域和與該顯示區(qū)域相鄰的外圍區(qū)域，該襯底包括沿第一方向延伸的多根選通線以及沿著與該第一方向基本垂直的第二方向延伸的多根數(shù)據(jù)線；多個(gè)像素，形成在該顯示區(qū)域中以顯示圖像，由所述每一數(shù)據(jù)線和所述每一選通線來限定所述像素；和至少一個(gè)光感測部分，形成在該外圍區(qū)域中，并感測環(huán)境光的強(qiáng)度。
2.根據(jù)權(quán)利要求1的電子顯示裝置，其中以一維陣列布置多個(gè)所述光感測部分。
3.根據(jù)權(quán)利要求1的電子顯示裝置，其中以二維陣列布置多個(gè)所述光感測部分。
4.根據(jù)權(quán)利要求1的電子顯示裝置，還包括讀出線，所述讀出線形成在該外圍區(qū)域中，并與所述光感測部分電連接。
5.根據(jù)權(quán)利要求1的電子顯示裝置，還包括形成在該外圍區(qū)域中的驅(qū)動電路部分，該驅(qū)動電路部分與所述選通線和數(shù)據(jù)線電連接，以驅(qū)動所述像素；和形成在該外圍區(qū)域中的讀出電路部分，該讀出電路部分讀出由光感測部分感測的環(huán)境光的強(qiáng)度。
6.根據(jù)權(quán)利要求1的電子顯示裝置，其中所述像素的每一個(gè)包括作為開關(guān)器件的非晶硅薄膜晶體管，并且該光感測部分包括至少一個(gè)非晶硅薄膜晶體管。
7.根據(jù)權(quán)利要求1的電子顯示裝置，其中該光感測部分包括第一薄膜晶體管，產(chǎn)生根據(jù)環(huán)境光強(qiáng)度判定其大小的光電流；儲能電容器，通過該第一薄膜晶體管產(chǎn)生的光電流而存儲電荷；和第二薄膜晶體管，輸出在該儲能電容器中存儲的電荷。
8.根據(jù)權(quán)利要求7的電子顯示裝置，還包括光阻止層，用于防止環(huán)境光到達(dá)該第二薄膜晶體管。
9.根據(jù)權(quán)利要求1的電子顯示裝置，其中該光感測部分包括薄膜晶體管和儲能電容器。
10.根據(jù)權(quán)利要求1的電子顯示裝置，其中該光感測部分包括薄膜晶體管。
11.根據(jù)權(quán)利要求1的電子顯示裝置，其中該光感測部分包括薄膜二極管。
12.根據(jù)權(quán)利要求1的電子顯示裝置，其中該光感測部分包括具有p型半導(dǎo)體層、本征半導(dǎo)體層和n型半導(dǎo)體層的PIN二極管。
13.一種有機(jī)場致發(fā)光顯示裝置，包括襯底，包括顯示區(qū)域和與該顯示區(qū)域相鄰的外圍區(qū)域；多個(gè)像素，包括沿第一方向延伸的選通線，沿著與該第一方向基本垂直的第二方向延伸的數(shù)據(jù)線，與所述選通和數(shù)據(jù)線電連接的開關(guān)器件，與該開關(guān)器件電連接的第一電極，布置在該第一電極上的場致發(fā)光層，和形成在該場致發(fā)光層上的第二電極；和至少一個(gè)光感測部分，形成在該外圍區(qū)域中，并感測環(huán)境光強(qiáng)度。
14.根據(jù)權(quán)利要求13的有機(jī)場致發(fā)光顯示裝置，其中以一維陣列布置多個(gè)所述光感測部分。
15.根據(jù)權(quán)利要求13的有機(jī)場致發(fā)光顯示裝置，其中所述光感測部分的每一個(gè)包括反轉(zhuǎn)交錯(cuò)型非晶硅薄膜晶體管。
16.根據(jù)權(quán)利要求15的有機(jī)場致發(fā)光顯示裝置，其中所述光感測部分的每一個(gè)包括光感測薄膜晶體管，當(dāng)該光感測薄膜晶體管暴露于環(huán)境光中時(shí)，其輸出電子信號；電源線，與該光感測薄膜晶體管的漏極電連接；和讀出線，與該光感測薄膜晶體管的源極電連接，并將該光感測薄膜晶體管輸出的電信號傳輸?shù)阶x出電路部分。
17.根據(jù)權(quán)利要求16的有機(jī)場致發(fā)光顯示裝置，其中所述光感測薄膜晶體管的柵極和源極彼此電連接。
18.根據(jù)權(quán)利要求13的有機(jī)場致發(fā)光顯示裝置，還包括形成在該顯示區(qū)域中的驅(qū)動電路部分，該驅(qū)動電路與所述選通線和數(shù)據(jù)線電連接以驅(qū)動該像素；和形成在該顯示區(qū)域中的讀出部分，該讀出部分讀出由該光感測部分感測的環(huán)境光強(qiáng)度。
19.根據(jù)權(quán)利要求13的有機(jī)場致發(fā)光顯示裝置，其中所述像素的每一個(gè)還包括至少一個(gè)驅(qū)動器件和至少一個(gè)電容器。
20.根據(jù)權(quán)利要求19的有機(jī)場致發(fā)光顯示裝置，其中該開關(guān)器件和驅(qū)動器件包括反轉(zhuǎn)交錯(cuò)型非晶硅薄膜晶體管。
21.根據(jù)權(quán)利要求13的有機(jī)場致發(fā)光顯示裝置，其中該第一電極是不透明的，而該第二電極是透明的。
22.根據(jù)權(quán)利要求13的有機(jī)場致發(fā)光顯示裝置，其中該第一電極是透明的，而該第二電極是不透明的。
23.一種液晶顯示裝置，包括(i)顯示組件，包括襯底，包括顯示區(qū)域和與該顯示區(qū)域相鄰的外圍區(qū)域；多個(gè)像素，包括沿第一方向延伸的選通線，沿著與該第一方向基本垂直的第二方向延伸的數(shù)據(jù)線，與所述選通和數(shù)據(jù)線電連接的開關(guān)器件，與該開關(guān)器件電連接的透明電極；和至少一個(gè)光感測部分，形成在該外圍區(qū)域中，并感測環(huán)境光強(qiáng)度；和(ii)背光組件，為該顯示組件提供光，并根據(jù)該光感測部分感測的環(huán)境光的強(qiáng)度來調(diào)整從該背光組件提供的光的強(qiáng)度。
24.根據(jù)權(quán)利要求23的液晶顯示裝置，還包括與該開關(guān)器件電連接的反射電極。
25.根據(jù)權(quán)利要求23的液晶顯示裝置，其中以一維陣列布置所述光感測部分。
26.根據(jù)權(quán)利要求23的液晶顯示裝置，其中以二維陣列布置所述光感測部分。
27.根據(jù)權(quán)利要求23的液晶顯示裝置，還包括讀出線，該讀出線形成在該外圍區(qū)域中，并與該光感測部分電連接。
28.根據(jù)權(quán)利要求27的液晶顯示裝置，其中在該讀出線和該選通線的交叉點(diǎn)處形成該光感測部分。
29.根據(jù)權(quán)利要求23的液晶顯示裝置，還包括讀出電路部分，形成在該外圍區(qū)域中，并讀出由該光感測部分感測的環(huán)境光強(qiáng)度。
30.根據(jù)權(quán)利要求23的液晶顯示裝置，其中該開關(guān)器件對應(yīng)于非晶硅薄膜晶體管。
31.根據(jù)權(quán)利要求23的液晶顯示裝置，其中該光感測部分包括至少一個(gè)非晶硅薄膜晶體管。
32.根據(jù)權(quán)利要求31的液晶顯示裝置，其中該光感測部分包括第一薄膜晶體管，產(chǎn)生根據(jù)環(huán)境光的強(qiáng)度判定其大小的光電流；儲能電容器，通過該第一薄膜晶體管產(chǎn)生的光電流而存儲電荷；和第二薄膜晶體管，輸出在該儲能電容器中存儲的電荷。
33.根據(jù)權(quán)利要求32的液晶顯示裝置，還包括光阻止層，用于防止環(huán)境光到達(dá)該第二薄膜晶體管。
34.根據(jù)權(quán)利要求31的液晶顯示裝置，其中該光感測部分包括薄膜晶體管和儲能電容器。
35.根據(jù)權(quán)利要求31的液晶顯示裝置，其中該光感測部分包括薄膜晶體管。
36.根據(jù)權(quán)利要求23的液晶顯示裝置，其中該光感測部分包括薄膜二極管。
37.根據(jù)權(quán)利要求23的液晶顯示裝置，其中該光感測部分包括具有p型半導(dǎo)體層、本征半導(dǎo)體層和n型半導(dǎo)體層的PIN二極管。
全文摘要
一種包括襯底、像素和光感測部分的電子顯示裝置。該襯底包括顯示區(qū)域和與該顯示區(qū)域相鄰的外圍區(qū)域，并且該襯底包括沿第一方向延伸的多根選通線以及沿著與該第一方向基本垂直的第二方向延伸的多根數(shù)據(jù)線。由所述數(shù)據(jù)線和選通線的每一根限定的像素形成在該顯示區(qū)域中以顯示圖像。該光感測部分形成在該外圍區(qū)域中，并且該光感測部分感測環(huán)境光強(qiáng)度。在陣列襯底上形成感測環(huán)境光強(qiáng)度的光感測部分，使得可根據(jù)環(huán)境光強(qiáng)度調(diào)整該顯示裝置的亮度。
文檔編號G09G3/32GK1607561SQ2004100054
公開日2005年4月20日 申請日期2004年2月19日 優(yōu)先權(quán)日2003年10月15日
發(fā)明者崔埈厚, 朱仁秀, 丁奎夏 申請人:三星電子株式會社