專利名稱：具有歐姆金屬凸塊的有機(jī)粘結(jié)發(fā)光元件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種發(fā)光二極管，特別是涉及一種具有歐姆金屬凸塊的有機(jī)粘結(jié)發(fā)光元件。
背景技術(shù)：
發(fā)光二極管的應(yīng)用頗為廣泛，例如，可應(yīng)用于光學(xué)顯示裝置、交通號志、數(shù)據(jù)儲存裝置、通訊裝置、照明裝置、以及醫(yī)療裝置。在此技藝中，目前技術(shù)人員重要課題之一為如何提高發(fā)光二極管的亮度，另一重要課題為如何降低發(fā)光二極管的制造成本。
于臺灣專利公告第474094號揭露一種發(fā)光二極管及其制法，利用一透明絕緣粘接層，將一發(fā)光二極管疊層與一透明基板接合在一起。由于粘接層不導(dǎo)電，因此該先前技藝方法僅適用于兩電極位于同一側(cè)的發(fā)光二極管，無法應(yīng)用于電極位于發(fā)光二極管上下表面的發(fā)光二極管。又由于兩電極需位于同一側(cè)，因此制造工藝中須加上蝕刻的步驟，將部分的發(fā)光二極管疊層移除，不僅浪費(fèi)材料，同時增加制造工藝的復(fù)雜性。

發(fā)明內(nèi)容
本申請發(fā)明人于思考如何解決前述的缺點時，獲得一發(fā)明靈感，認(rèn)為若藉使用一歐姆金屬凸塊的有機(jī)粘結(jié)層連結(jié)一發(fā)光疊層與一導(dǎo)電基板，其中該歐姆金屬凸塊有機(jī)粘結(jié)層包括一歐姆金屬凸塊以及分布于該歐姆金屬凸塊周圍的一粘結(jié)材料，藉由該粘結(jié)材料粘結(jié)該導(dǎo)電基板及該發(fā)光疊層，該歐姆金屬凸塊分別與該導(dǎo)電基板及該發(fā)光疊層形成歐姆接觸，如此，即可解決前述的粘接層不導(dǎo)電，無法應(yīng)用于垂直結(jié)構(gòu)的發(fā)光二極管的問題，同時制造程序中不需要經(jīng)過蝕刻步驟形成電極，簡化制造工藝，降低制造成本。
本發(fā)明的主要目的在于提供具有歐姆金屬凸塊有機(jī)粘結(jié)層的發(fā)光二極管，其利用一歐姆金屬凸塊有機(jī)粘結(jié)層連結(jié)一導(dǎo)電基板與一發(fā)光疊層，在其制造工藝中，藉使用一歐姆金屬凸塊有機(jī)粘結(jié)層，連結(jié)一發(fā)光疊層與一導(dǎo)電基板；另外，由于該歐姆金屬凸塊有機(jī)粘結(jié)層中有一歐姆金屬凸塊，因此藉由該歐姆金屬凸塊分別與該導(dǎo)電基板及該發(fā)光疊層形成歐姆接觸，使得電流能夠?qū)āＳ捎诖酥品o前述先前技藝的問題，因而能夠達(dá)到簡化制造工藝，降低成本的目的。
依本發(fā)明一優(yōu)選實施例具有歐姆金屬凸塊的有機(jī)粘結(jié)發(fā)光元件，包括一導(dǎo)電基板；一發(fā)光疊層；一金屬層形成于該導(dǎo)電基板上；一反射層形成于該發(fā)光疊層之上；以及一歐姆金屬凸塊有機(jī)粘結(jié)層，其中該歐姆金屬層包括一歐姆金屬凸塊以及分布于該歐姆金屬凸塊周圍的一粘結(jié)材料，以該粘結(jié)材料粘結(jié)該金屬層及該反射層，以該歐姆金屬凸塊分別與該金屬層及該反射層形成歐姆接觸。
前述導(dǎo)電基板，包括選自GaP、GaAsP、AlGaAs、Si、SiC及Ge所構(gòu)成材料組群中的至少一種材料或其它可代替的材料；前述粘結(jié)材料包括選自于聚酰亞胺(PI)、苯并環(huán)丁烷(BCB)或過氟環(huán)丁烷(PFCB)所構(gòu)成材料組群中的至少一種材料；前述金屬凸塊包括選自于In、Sn、Al、Au、Pt、Zn、Ge、Ag、Ti、Pb、Pd、Cu、AuBe、AuGe、Ni、PbSn或AuZn所構(gòu)成材料組群中的至少一種材料；前述的反射層包括選自In、Sn、Al、Au、Pt、Zn、Ge、Ag、Ti、Pb、Pd、Cu、AuBe、AuGe、Ni、Cr、PbSn、AuZn或氧化銦錫所構(gòu)成材料組群中的至少一種材料；前述的金屬層包括選自In、Sn、Al、Au、Pt、Zn、Ge、Ag、Ti、Pb、Pd、Cu、AuBe、AuGe、Ni、Cr、PbSn或AuZn所構(gòu)成材料組群中的至少一種材料；前述發(fā)光疊層，包括選自AlGaInP、GaN、InGaN及AlInGaN所構(gòu)成材料組群中的至少一種材料。


圖1為一示意圖，顯示依本發(fā)明一優(yōu)選實施例的一種具有歐姆金屬凸塊有機(jī)粘結(jié)層的發(fā)光二極管；圖2為一示意圖，顯示依本發(fā)明另一優(yōu)選實施例的一種具有具有歐姆金屬凸塊有機(jī)粘結(jié)層的發(fā)光二極管；圖3為一示意圖，顯示依本發(fā)明又一優(yōu)選實施例的一種具有具有歐姆金屬凸塊有機(jī)粘結(jié)層的發(fā)光二極管。
簡單符號說明1發(fā)光二極管
10 導(dǎo)電基板11 金屬層12 歐姆金屬凸塊有機(jī)粘結(jié)層121歐姆金屬凸塊122粘結(jié)材料13 反射層14 透明導(dǎo)電層15 第一接觸層16 第一束縛層17 發(fā)光層18 第二束縛層19 第二接觸層20 第一電極21 第二電極2 發(fā)光二極管210導(dǎo)電基板211歐姆金屬凸塊有機(jī)粘結(jié)層2111 歐姆金屬凸塊2112 粘結(jié)材料212反射層213透明導(dǎo)電層214第一接觸層215第一束縛層216發(fā)光層217第二束縛層218第二接觸層220第一電極221第二電極3 發(fā)光二極管310金屬基板311歐姆金屬凸塊有機(jī)粘結(jié)層
3111 歐姆金屬凸塊3112 粘結(jié)材料312反射層313透明導(dǎo)電層314第一接觸層315第一束縛層316發(fā)光層317第二束縛層318第二接觸層319電極具體實施方式

請參閱圖1，依本發(fā)明一優(yōu)選實施例具有歐姆金屬凸塊的有機(jī)粘結(jié)發(fā)光元件1，包括一第一電極20、形成于該第一電極上的一導(dǎo)電基板10、形成于該導(dǎo)電基板上的一金屬層11、形成于該金屬層上的一歐姆金屬凸塊有機(jī)粘結(jié)層12，其中該歐姆金屬凸塊有機(jī)粘結(jié)層包括一歐姆金屬凸塊121以及分布于該歐姆金屬凸塊周圍的一粘結(jié)材料122，該粘結(jié)材料與部分金屬層相粘結(jié)，該歐姆金屬凸塊與另一部份金屬層形成歐姆接觸、形成于該歐姆金屬凸塊有機(jī)粘結(jié)層上的一反射層13，其中該粘結(jié)材料與部分反射層相粘結(jié)，該歐姆金屬凸塊與另一部份反射層形成歐姆接觸、形成于該反射層上的一透明導(dǎo)電層14、形成于該透明導(dǎo)電層上的一第一接觸層15、形成于該第一接觸層上的一第一束縛層16、形成于該第一束縛層上的一發(fā)光層17、形成于該發(fā)光層上的一第二束縛層18、形成于該第二束縛層上的一第二接觸層19、以及形成于該第二接觸層上的一第二電極21。上述的反射層的功能在提高亮度，因此也可移除，并不會影響本發(fā)明的實施。若移除上述的反射層，則上述的金屬層也可以一金屬反射層替代之作為反射的功能。
請參閱圖2，依本發(fā)明一優(yōu)選實施例具有歐姆金屬凸塊有機(jī)粘結(jié)層的發(fā)光二極管2，包括一第一電極220、形成于該第一電極上的一導(dǎo)電基板210、形成于該導(dǎo)電基板上的一歐姆金屬凸塊有機(jī)粘結(jié)層211，其中該歐姆金屬凸塊有機(jī)粘結(jié)層包括一歐姆金屬凸塊2111以及分布于該歐姆金屬凸塊周圍的一粘結(jié)材料2112，該粘結(jié)材料與部分導(dǎo)電相粘結(jié)，該歐姆金屬凸塊與另一部份導(dǎo)電基板形成歐姆接觸、形成于該歐姆金屬凸塊有機(jī)粘結(jié)層上的一反射層212，其中該粘結(jié)材料與部分反射層相粘結(jié)，該歐姆金屬凸塊與另一部份反射層形成歐姆接觸、形成于該反射層上的一透明導(dǎo)電層213、形成于該透明導(dǎo)電層上的一第一接觸層214形成于該第一接觸層上的一第一束縛層215、形成于該第一束縛層上的一發(fā)光層216、形成于該發(fā)光層上的一第二束縛層217、形成于該第二束縛層上的一第二接觸層218、以及形成于該第二接觸層上的一第二電極221。上述的反射層可以一金屬層取代之，并與該歐姆金屬凸塊形成歐姆接觸請參閱圖3，依本發(fā)明一優(yōu)選實施例具有歐姆金屬凸塊有機(jī)粘結(jié)層的發(fā)光二極管3，包括一金屬基板310、形成于該金屬基板上的一歐姆金屬凸塊有機(jī)粘結(jié)層311，其中該歐姆金屬凸塊有機(jī)粘結(jié)層包括一歐姆金屬凸塊3111以及分布于該歐姆金屬凸塊周圍的一粘結(jié)材料3112，該粘結(jié)材料與部分金屬基板相粘結(jié)，該歐姆金屬凸塊與另一部份金屬基板形成歐姆接觸、形成于該歐姆金屬凸塊有機(jī)粘結(jié)層上的一反射層312，其中該粘結(jié)材料與部分反射層相粘結(jié)，該歐姆金屬凸塊與另一部份反射層形成歐姆接觸、形成于該反射層上的一透明導(dǎo)電層313、形成于該透明導(dǎo)電層上的一第一接觸層314、形成于該第一接觸層上的一第一束縛層315、形成于該第一束縛層上的一發(fā)光層316、形成于該發(fā)光層上的一第二束縛層317、形成于該第二束縛層上的一第二接觸層318、以及形成于該第二接觸層上的一電極319。
前述導(dǎo)電基板，包括選自GaP、GaAsP、AlGaAs、Si、SiC及Ge所構(gòu)成材料組群中的至少一種材料或其它可代替的材料；前述金屬基板，包括選自Cu、Al、Mo及金屬基質(zhì)復(fù)合材料(Metal Matrix Composites，MMC)載體所構(gòu)成材料組群中的至少一種材料或其它可代替的材料，其中該金屬基質(zhì)復(fù)合材料載體于一具有孔洞的載體中充填入適合的金屬基質(zhì)，使得該金屬基質(zhì)復(fù)合材料載體具有可調(diào)變的熱傳系數(shù)或熱膨脹系數(shù)特征。前述粘結(jié)材料包括選自于聚酰亞胺(PI)、苯并環(huán)丁烷(BCB)及過氟環(huán)丁烷(PFCB)所構(gòu)成材料組群中的至少一種材料；前述金屬凸塊包括選自于In、Sn、Al、Au、Pt、Zn、Ge、Ag、Ti、Pb、Pd、Cu、AuBe、AuGe、Ni、PbSn及AuZn所構(gòu)成材料組群中的至少一種材料；前述的反射層包括選自In、Sn、Al、Au、Pt、Zn、Ge、Ag、Ti、Pb、Pd、Cu、AuBe、AuGe、Ni、Cr、PbSn、AuZn及氧化銦錫所構(gòu)成材料組群中的至少一種材料；前述的金屬層包括選自In、Sn、Al、Au、Pt、Zn、Ge、Ag、Ti、Pb、Pd、Cu、AuBe、AuGe、Ni、Cr、PbSn及AuZn所構(gòu)成材料組群中的至少一種材料；前述的金屬反射層包括選自In、Sn、Al、Au、Pt、Zn、Ge、Ag、Ti、Pb、Pd、Cu、AuBe、AuGe、Ni、Cr、PbSn及AuZn所構(gòu)成材料組群中的至少一種材料；前述的透明導(dǎo)電層，包括選自氧化銦錫、氧化鎘錫、氧化銻錫、氧化鋅及氧化鋅錫所構(gòu)成材料組群中的至少一種材料；前述第一束縛層，包括選自AlGaInP、AlInP、AlN、GaN、AlGaN、InGaN及AlInGaN所構(gòu)成材料組群中的至少一種材料；前述發(fā)光層，包括選自AlGaInP、GaN、InGaN及AlInGaN所構(gòu)成材料組群中的至少一種材料；前述第二束縛層，包括選自AlGaInP、AlInP、AlN、GaN、AlGaN、InGaN及AlInGaN所構(gòu)成材料組群中的至少一種材料；前述第二接觸層，包括選自于GaP、GaAs、GaAsP、InGaP、AlGaInP、AlGaAs、GaN、InGaN及AlGaN所構(gòu)成材料組群中的至少一種材料；前述第一接觸層，包括選自于GaP、GaAs、GaAsP、InGaP、AlGaInP、AlGaAs、GaN、InGaN及AlGaN所構(gòu)成材料組群中的至少一種材料。
雖然本發(fā)明以優(yōu)選實施例揭露如上，然而其并非用以限定本發(fā)明，本領(lǐng)域的技術(shù)人員在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，可作些許的更動與潤飾，因此本發(fā)明的保護(hù)范圍應(yīng)當(dāng)以后附的權(quán)利要求所界定者為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1.一種具有歐姆金屬凸塊的有機(jī)粘結(jié)發(fā)光元件，至少包括一導(dǎo)電基板；形成于該導(dǎo)電基板上的一歐姆金屬凸塊有機(jī)粘結(jié)層，其中該歐姆金屬凸塊有機(jī)粘結(jié)層包括一歐姆金屬凸塊，及分布于該歐姆金屬凸塊周圍的一粘結(jié)材料，該粘結(jié)材料與一部分導(dǎo)電基板相粘結(jié)，該歐姆金屬凸塊與另一部份導(dǎo)電基板形成歐姆接觸；以及形成于該歐姆金屬凸塊有機(jī)粘結(jié)層上的一發(fā)光疊層，其中該粘結(jié)材料與一部分發(fā)光疊層相粘結(jié)，該歐姆金屬凸塊與另一部份發(fā)光疊層形成歐姆接觸。
2.如權(quán)利要求1所述的具有歐姆金屬凸塊的有機(jī)粘結(jié)發(fā)光元件，其中，還包括于該導(dǎo)電基板與該歐姆金屬凸塊有機(jī)粘結(jié)層之間形成一金屬層，該金屬層分別與該歐姆金屬凸塊形成歐姆接觸，與該粘結(jié)材料相粘結(jié)。
3.如權(quán)利要求1所述的具有歐姆金屬凸塊的有機(jī)粘結(jié)發(fā)光元件，其中，還包括于該歐姆金屬凸塊有機(jī)粘結(jié)層與該發(fā)光疊層之間形成一反射層。
4.如權(quán)利要求2所述的具有歐姆金屬凸塊的有機(jī)粘結(jié)發(fā)光元件，其中，該金屬層也可以一金屬反射層替換之。
5.如權(quán)利要求1所述的具有歐姆金屬凸塊的有機(jī)粘結(jié)發(fā)光元件，其中，該導(dǎo)電基板，包括選自GaP、GaAsP、AlGaAs、Si、Ge及SiC所構(gòu)成材料組群中的至少一種材料或其它可代替的材料。
6.如權(quán)利要求1所述的具有歐姆金屬凸塊的有機(jī)粘結(jié)發(fā)光元件，其中，該金屬凸塊包括選自于In、Sn、Al、Au、Pt、Zn、Ge、Ag、Ti、Pb、Pd、Cu、AuBe、AuGe、Ni、PbSn及AuZn所構(gòu)成材料組群中的至少一種材料。
7.如權(quán)利要求1所述的具有歐姆金屬凸塊的有機(jī)粘結(jié)發(fā)光元件，其中，該粘結(jié)材料包括選自于聚酰亞胺(PI)、苯并環(huán)丁烷(BCB)及過氟環(huán)丁烷(PFCB)所構(gòu)成材料組群中的至少一種材料。
8.如權(quán)利要求2所述的具有歐姆金屬凸塊的有機(jī)粘結(jié)發(fā)光元件，其中，該金屬層包括選自In、Sn、Al、Au、Pt、Zn、Ge、Ag、Ti、Pb、Pd、Cu、AuBe、AuGe、Ni、Cr、PbSn及AuZn所構(gòu)成材料組群中的至少一種材料。
9.如權(quán)利要求3所述的具有歐姆金屬凸塊的有機(jī)粘結(jié)發(fā)光元件，其中，該反射層包括選自In、Sn、Al、Au、Pt、Zn、Ge、Ag、Ti、Pb、Pd、Cu、AuBe、AuGe、Ni、Cr、PbSn、AuZn及氧化銦錫所構(gòu)成材料組群中的至少一種材料。
10.一種具有歐姆金屬凸塊的有機(jī)粘結(jié)發(fā)光元件，至少包括一金屬基板；形成于該金屬基板上的一歐姆金屬凸塊有機(jī)粘結(jié)層，其中該歐姆金屬凸塊有機(jī)粘結(jié)層包括一歐姆金屬凸塊，及分布于該歐姆金屬凸塊周圍的一粘結(jié)材料，該粘結(jié)材料與一部分金屬基板相粘結(jié)，該歐姆金屬凸塊與另一部份金屬基板形成歐姆接觸；以及形成于該歐姆金屬凸塊有機(jī)粘結(jié)層上的一發(fā)光疊層，其中該粘結(jié)材料與一部分發(fā)光疊層相粘結(jié)，該歐姆金屬凸塊與另一部份發(fā)光疊層形成歐姆接觸。
11.如權(quán)利要求10所述的具有歐姆金屬凸塊的有機(jī)粘結(jié)發(fā)光元件，其中，還包括于該歐姆金屬凸塊有機(jī)粘結(jié)層與該發(fā)光疊層之間形成一反射層。
12.如權(quán)利要求10所述的具有歐姆金屬凸塊的有機(jī)粘結(jié)發(fā)光元件，其中，該金屬基板，包括選自Cu、Al、Mo及MMC載體所構(gòu)成材料組群中的至少一種材料或其它可代替的材料。
13.如權(quán)利要求10所述的具有歐姆金屬凸塊的有機(jī)粘結(jié)發(fā)光元件，其中，該金屬凸塊包括選自于In、Sn、Al、Au、Pt、Zn、Ge、Ag、Ti、Pb、Pd、Cu、AuBe、AuGe、Ni、PbSn及AuZn所構(gòu)成材料組群中的至少一種材料。
14.如權(quán)利要求10所述的具有歐姆金屬凸塊的有機(jī)粘結(jié)發(fā)光元件，其中，該粘結(jié)材料包括選自于聚酰亞胺(PI)、苯并環(huán)丁烷(BCB)及過氟環(huán)丁烷(PFCB)所構(gòu)成材料組群中的至少一種材料。
15.如權(quán)利要求11所述的具有歐姆金屬凸塊的有機(jī)粘結(jié)發(fā)光元件，其中，該反射層包括選自In、Sn、Al、Au、Pt、Zn、Ge、Ag、Ti、Pb、Pd、Cu、AuBe、AuGe、Ni、Cr、PbSn、AuZn及氧化銦錫所構(gòu)成材料組群中的至少一種材料。
16.一種具有歐姆金屬凸塊的有機(jī)粘結(jié)發(fā)光元件，至少包括一第一電極形成于該第一電極上的一導(dǎo)電基板；形成于該導(dǎo)電基板上的一金屬層；形成于該金屬層上的一歐姆金屬凸塊有機(jī)粘結(jié)層，其中該歐姆金屬凸塊有機(jī)粘結(jié)層包括一歐姆金屬凸塊，及分布于該歐姆金屬凸塊周圍的一粘結(jié)材料，該粘結(jié)材料與一部分金屬層相粘結(jié)，該歐姆金屬凸塊與另一部份金屬層形成歐姆接觸；形成于該歐姆金屬凸塊有機(jī)粘結(jié)層上的一反射層，其中該粘結(jié)材料與一部分反射層相粘結(jié)，該歐姆金屬凸塊與另一部份反射層形成歐姆接觸；形成于該反射層上的一透明導(dǎo)電層；形成于該透明導(dǎo)電層上的一第一接觸層形成于該第一接觸層上的一第一束縛層；形成于該第一束縛層上的一發(fā)光層；形成于該發(fā)光層上的一第二束縛層；形成于該第二束縛層上的一第二接觸層；以及形成于該第二接觸層上的一第二電極。
17.一種具有歐姆金屬凸塊的有機(jī)粘結(jié)發(fā)光元件，至少包括一第一電極形成于該第一電極上的一導(dǎo)電基板；形成于該導(dǎo)電基板上的一歐姆金屬凸塊有機(jī)粘結(jié)層，其中該歐姆金屬凸塊有機(jī)粘結(jié)層包括一歐姆金屬凸塊，及分布于該歐姆金屬凸塊周圍的一粘結(jié)材料，該粘結(jié)材料與一部分導(dǎo)電基板相粘結(jié)，該歐姆金屬凸塊與另一部份導(dǎo)電基板形成歐姆接觸；形成于該歐姆金屬凸塊有機(jī)粘結(jié)層上的一反射層，其中該粘結(jié)材料與一部分金屬反射層相粘結(jié)，該歐姆金屬凸塊與另一部份金屬反射層形成歐姆接觸；形成于該反射層上的一透明導(dǎo)電層；形成于該透明導(dǎo)電層上的一第一接觸層；形成于該第一接觸層上的一第一束縛層；形成于該第一束縛層上的一發(fā)光層；形成于該發(fā)光層上的一第二束縛層；形成于該第二束縛層上的一第二接觸層；以及形成于該第二接觸層上的一第二電極。
18.一種具有歐姆金屬凸塊的有機(jī)粘結(jié)發(fā)光元件，至少包括一金屬基板；形成于該金屬基板上的一歐姆金屬凸塊有機(jī)粘結(jié)層，其中該歐姆金屬凸塊有機(jī)粘結(jié)層包括一歐姆金屬凸塊，及分布于該歐姆金屬凸塊周圍的一粘結(jié)材料，該粘結(jié)材料與一部分金屬基板相粘結(jié)，該歐姆金屬凸塊與另一部份金屬基板形成歐姆接觸；形成于該歐姆金屬凸塊有機(jī)粘結(jié)層上的一反射層，其中該粘結(jié)材料與一部分反射層相粘結(jié)，該歐姆金屬凸塊與另一部份反射層形成歐姆接觸；形成于該反射層上的一透明導(dǎo)電層；形成于該透明導(dǎo)電層上的一第一接觸層；形成于該第一接觸層上的一第一束縛層；形成于該第一束縛層上的一發(fā)光層；形成于該發(fā)光層上的一第二束縛層；形成于該第二束縛層上的一第二接觸層；以及形成于該第二接觸層上的一第一電極。
19.如權(quán)利要求16或17所述的具有歐姆金屬凸塊的有機(jī)粘結(jié)發(fā)光元件，其中，該導(dǎo)電基板，包括選自GaP、GaAsP、AlGaAs、Si、Ge及SiC所構(gòu)成材料組群中的至少一種材料或其它可代替的材料。
20.如權(quán)利要求18所述的具有歐姆金屬凸塊的有機(jī)粘結(jié)發(fā)光元件，其中，該金屬基板，包括選自Cu、Al、Mo及MMC載體所構(gòu)成材料組群中的至少一種材料或其它可代替的材料。
21.如權(quán)利要求16、17或18所述的具有歐姆金屬凸塊的有機(jī)粘結(jié)發(fā)光元件，其中，該金屬凸塊包括選自于In、Sn、Al、Au、Pt、Zn、Ge、Ag、Ti、Pb、Pd、Cu、AuBe、AuGe、Ni、PbSn及AuZn所構(gòu)成材料組群中的至少一種材料。
22.如權(quán)利要求16、17或18所述的具有歐姆金屬凸塊的有機(jī)粘結(jié)發(fā)光元件，其中，該粘結(jié)材料包括選自于聚酰亞胺(PI)、苯并環(huán)丁烷(BCB)及過氟環(huán)丁烷(PFCB)所構(gòu)成材料組群中的至少一種材料。
23.如權(quán)利要求16所述的具有歐姆金屬凸塊的有機(jī)粘結(jié)發(fā)光元件，其中，該金屬層包括選自In、Sn、Al、Au、Pt、Zn、Ge、Ag、Ti、Pb、Pd、Cu、AuBe、AuGe、Ni、Cr、PbSn及AuZn所構(gòu)成材料組群中的至少一種材料。
24.如權(quán)利要求16、17或18所述的具有歐姆金屬凸塊的有機(jī)粘結(jié)發(fā)光元件，其中，該反射層包括選自In、Sn、Al、Au、Pt、Zn、Ge、Ag、Ti、Pb、Pd、Cu、AuBe、AuGe、Ni、Cr、PbSn、AuZn及氧化銦錫所構(gòu)成材料組群中的至少一種材料。
25.如權(quán)利要求16、17或18所述的具有歐姆金屬凸塊的有機(jī)粘結(jié)發(fā)光元件，其中，該透明導(dǎo)電層包括選自于氧化銦錫、氧化鎘錫、氧化銻錫、氧化鋅、氧化鋅錫、Be/Au、Ge/Au及Ni/Au所構(gòu)成材料組群中的至少一種材料。
26.如權(quán)利要求16、17或18所述的具有歐姆金屬凸塊的有機(jī)粘結(jié)發(fā)光元件，其中，該第一接觸層包括選自于GaP、GaAs、GaAsP、InGaP、AlGaInP、AlGaAs、GaN、InGaN及AlGaN所構(gòu)成材料組群中的至少一種材料。
27.如權(quán)利要求16、17或18所述的具有歐姆金屬凸塊的有機(jī)粘結(jié)發(fā)光元件，其中，該第一束縛層包括選自于AlGaInP、AlInP、AlN、GaN、AlGaN、InGaN及AlInGaN所構(gòu)成材料組群中的至少一種材料。
28.如權(quán)利要求16、17或18所述的具有歐姆金屬凸塊的有機(jī)粘結(jié)發(fā)光元件，其中，該發(fā)光層包括選自AlGaInP、GaN、InGaN及AlInGaN所構(gòu)成材料組群中的至少一種材料。
29.如權(quán)利要求16、17或18所述的具有歐姆金屬凸塊的有機(jī)粘結(jié)發(fā)光元件，其中，該第二束縛層包括選自AlGaInP、AlInP、AlN、GaN、AlGaN、InGaN及AlInGaN所構(gòu)成材料組群中的至少一種材料。
30.如權(quán)利要求16、17或18所述的具有歐姆金屬凸塊的有機(jī)粘結(jié)發(fā)光元件，其中，該第二接觸層包括選自于GaP、GaAs、GaAsP、InGaP、AlGaInP、AlGaAs、GaN、InGaN及AlGaN所構(gòu)成材料組群中的至少一種材料。
31.如權(quán)利要求16或17所述的具有歐姆金屬凸塊的有機(jī)粘結(jié)發(fā)光元件，其中可包括在該第二接觸層之上，第二電極之下形成一透明導(dǎo)電層。
32.如權(quán)利要求18所述的具有歐姆金屬凸塊的有機(jī)粘結(jié)發(fā)光元件，其中可包括在該第二接觸層之上，第一電極之下形成一透明導(dǎo)電層。
33.如權(quán)利要求31所述的具有歐姆金屬凸塊的有機(jī)粘結(jié)發(fā)光元件，其中，該透明導(dǎo)電層包括選自于氧化銦錫、氧化鎘錫、氧化銻錫、氧化鋅、氧化鋅錫、Be/Au、Ge/Au及Ni/Au所構(gòu)成材料組群中的至少一種材料。
34.如權(quán)利要求32所述的具有歐姆金屬凸塊的有機(jī)粘結(jié)發(fā)光元件，其中，該透明導(dǎo)電層包括選自于氧化銦錫、氧化鎘錫、氧化銻錫、氧化鋅、氧化鋅錫、Be/Au、Ge/Au及Ni/Au所構(gòu)成材料組群中的至少一種材料。
全文摘要
一種具有歐姆金屬凸塊的有機(jī)粘結(jié)發(fā)光元件，該元件包括一導(dǎo)電基板；一發(fā)光疊層；一金屬層形成于該導(dǎo)電基板上；一反射層形成于該發(fā)光疊層之上；一歐姆金屬凸塊有機(jī)粘結(jié)層，其中該歐姆金屬凸塊有機(jī)粘結(jié)層包括一歐姆金屬凸塊以及分布于該歐姆金屬凸塊周圍的一粘結(jié)材料，該粘結(jié)材料粘結(jié)該金屬層及該反射層，該歐姆金屬塊分別與該金屬層及該反射層形成歐姆接觸。此結(jié)構(gòu)可簡化發(fā)光二極管制造工藝。
文檔編號G09F9/33GK1677699SQ2004100332
公開日2005年10月5日 申請日期2004年3月29日 優(yōu)先權(quán)日2004年3月29日
發(fā)明者謝明勛, 劉文煌, 曾子峰, 楊雅蘭 申請人:晶元光電股份有限公司