專利名稱：有源矩陣板的檢查設備和方法，以及有源矩陣有機發(fā)光二極管板的制造方法
技術領域：
本發(fā)明涉及用于有源矩陣有機發(fā)光二極管(OLED)板的檢查設備等，尤其涉及在OLED形成工藝之前對薄膜晶體管(TFT)陣列進行性能檢查的檢查設備等。
背景技術：
OLED(也稱為有機電發(fā)光(EL))用來在熒光有機化合物中通過直流，所述熒光有機化合物被施加的電場激發(fā)，從而使該化合物發(fā)光。在下一代顯示設備中，在小尺寸、寬視角、寬色域等方面，OLED吸引了人們的注意。盡管OLED的驅(qū)動方法包括無源型和有源型，但考慮到材料、壽命、串擾諸方面，有源型更適合實現(xiàn)大屏幕、高分辨率顯示器。有源型需要薄膜晶體管(TFT)驅(qū)動，在此用途方面，應用低溫多晶硅或者無定形硅(a-Si)的TFT陣列正在受到注意。
例如，有一種用于液晶顯示器(LCD)中的TFT陣列的傳統(tǒng)檢查方法。該方法設計為在向像素電容器中寫入一個電壓后用積分電路觀測像素電容器中累積的電荷，從而檢查該電壓是否被正確地寫入(例如見專利文獻1)。同時，還公開了一種使用光電元件對像素電容器的寫入進行光學檢查的方法(例如見專利文獻2)。另外，還有一種在形成EL元件之前檢查像素單元是否正常工作的技術，該技術在對像素電極進行構圖之前將一個電源連接到公共像素電極以進行檢查(例如見專利文獻3)。
專利文獻1美國專利No.5,179,345(第3-5頁，圖2)；專利文獻2美國專利No 4,983,911(第2-4頁，圖1-3)；專利文獻3日本未審專利公開說明書No.2002-108243(第9頁，圖3)。
下面對有源矩陣OLED(AMOLED)和有源矩陣液晶顯示器(AMLCD)作一比較。圖14A和14B是用于比較和說明AMOLED和AMLCD中的像素電路的示意圖。圖14A圖示了AMOLED的像素電路，圖14B圖示了AMLCD的像素電路。在圖14B中，TFT陣列的像素電路由連接到數(shù)據(jù)線(Data)和柵極線(Gate)的TFT310形成。同時，在圖14A所示的AMOLED中，激勵TFT302是一個開路漏極激勵晶體管，它相鄰地連接到一個類似于圖14B所示電路的像素電容器，作為發(fā)光元件的OLED301連接到該激勵TFT302。
順便說明，在圖14B所示的AMLCD的情況下，像素電路被閉合在一個TFT陣列襯底內(nèi)。相反，在圖14A所示的AMOLED的情況下，像素電路不是被閉合在TFT陣列襯底內(nèi)，因為OLED301在其中不存在。因此，激勵TFT302被設計為漏極開路(或者源極開路)，而其漏極端(或者源極端)直接連接到像素電極。盡管在AMOLED的TFT陣列襯底的像素電路中有至少兩個TFT，僅僅通過板接口端子的輸入輸出是不可能在激勵TFT上通過電流的。
在這種情況下，為了減少當前的AMOLED板的制造成本，需要對獨立的TFT陣列進行性能測試，僅將沒有缺陷的產(chǎn)品送到下一工序。希望在制造AMOLED板時在安裝OLED301之前測試激勵TFT302的性能，這是因為當前用于AMOLED板的TFT陣列的成品率不高；OLED301的原材料成本高；在整個制造工藝中，OLED301的制造工藝占用較長的時間；等等。
但是，在獨立的TFT陣列中，作為像素電路的構成部件的OLED沒有按照上述方式安裝，激勵TFT302沒有設置到漏極開路(或者源極開路)狀態(tài)。也就是，在安裝OLED之前的工藝中，圖14A中虛線所示的OLED301沒有連接，因此還沒有形成正常的電路。因此，僅僅利用板接口端子的輸入輸出，不可能檢查激勵TFT302中的開路/短路缺陷。
上述專利文獻1和2僅僅描述了檢查圖14B所示AMLCD的TFT陣列的像素電路的方法，而沒有公開向圖14A所示激勵TFT302提供電流的機制。因此，不可能利用專利文獻1和2中公開的技術對設置為漏極開路(或者源極開路)狀態(tài)的激勵TFT302進行開路/短路測量。
同時，專利文獻3中公開的技術能夠測量電阻部件隨像素而發(fā)生的不均勻性。但是，這個技術不是用來在對像素電極構圖之后進行檢查的。因此，該技術不能檢查由于構圖(patterning)而造成的缺陷。另外，盡管該技術能夠檢查激勵TFT302的缺陷，該技術不能區(qū)分這種缺陷的類型(是開路缺陷還是短路缺陷)。因此，該技術不能對作為形成OLED301后顯示器的缺陷的亮點和暗點(死點，dead points)計數(shù)，也不能獲取相應于例如檢查者建立的評估標準的數(shù)據(jù)。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明就是考慮到前述問題做出的。本發(fā)明的一個目的是在安裝OLED之前檢查TFT陣列中的激勵TFT的開路/短路缺陷。
本發(fā)明的另一個目的是獲取亮點或者暗點(死點)數(shù)目(該數(shù)目是在安裝OLED之前的TFT陣列階段的顯示單元的評估項目)，以在形成OLED之前對缺陷板進行評估。
本發(fā)明的又一個目的是計算板中正常工作的像素中Von-Voff值的不均勻性，從而評估像素電路制造的精度。
為了達到上述目的，本發(fā)明關注像素電極和作為開路的像素電路之間存在的寄生電容，通過檢查激勵TFT導通和關斷時寄生電容的變化來高速檢查激勵TFT中的開路/短路缺陷。另外，本發(fā)明對構成板的所有像素進行檢查，同時評估缺陷的類型和數(shù)量，從而評估AMOLED中亮點和暗點(死點)缺陷的數(shù)目。具體地，本發(fā)明提供一種用于有源矩陣板的檢查設備，用于在形成OLED之前檢查有源矩陣板，其設計為利用電壓改變裝置來改變針對構成該有源矩陣板的激勵TFT的檢查線路上的電壓，當該電壓改變裝置改變該檢查線路上的電壓時，用測量裝置在激勵TFT的源極側(cè)測量在該線路上流過的瞬變電流，從而測量激勵TFT的關斷狀態(tài)和導通狀態(tài)之間寄生電容的變化。另外，根據(jù)測量裝置測量到的寄生電容的變化，利用不均勻性評估裝置，檢查系統(tǒng)評估在形成構成有源矩陣板的像素電路時導致的不均勻性。
這里，所述測量裝置能夠測量構成有源矩陣板的所有像素中寄生電容的變化，從而找出其激勵TFT中具有開路/短路缺陷的像素的數(shù)量。另外，該測量裝置能夠利用連接到源極側(cè)線路的積分電路測量瞬變電流，從而從該積分電路取得一個輸出，在將該輸出用A/D轉(zhuǎn)換器轉(zhuǎn)換為數(shù)字數(shù)據(jù)之后輸入計算機。
從另一個角度看，根據(jù)本發(fā)明另一方面的有源矩陣板的檢查設備設計為利用關斷狀態(tài)寄生電容測量裝置在激勵TFT的關斷狀態(tài)測量通過一個像素電極的寄生電容，利用導通狀態(tài)寄生電容測量裝置在激勵TFT的導通狀態(tài)測量通過該像素電極的寄生電容，從而基于關斷狀態(tài)寄生電容測量裝置測得的寄生電容和導通狀態(tài)寄生電容測量裝置測得的寄生電容利用檢查裝置檢查激勵TFT的開路/短路缺陷。這里，當激勵TFT的柵極電壓具有低的初始電壓時，所述導通狀態(tài)寄生電容測量裝置能夠進行通過所述寄生電容的電荷泵運(charge pumping)。
另外，在將直接與檢查線路的相關線路AC耦合的像素的激勵TFT設為導通狀態(tài)的同時，所述導通狀態(tài)寄生電容測量裝置評估構成有源矩陣板的檢查線路的每一條線路上的寄生電容。另外，在將直接與檢查線路的相關線路AC耦合的像素的激勵TFT設為關斷狀態(tài)的同時，所述關斷狀態(tài)寄生電容測量裝置評估構成有源矩陣板的檢查線路的每一條線路上的寄生電容。另外，利用前面得到的寄生電容的最大/最小值與單個寄生電容之間的差，檢查裝置能夠評估其激勵TFT中具有開路/短路缺陷的像素的數(shù)量。
本發(fā)明的另一個方面是用于有源矩陣板的檢查方法，用于在形成OLED之前檢查有源矩陣板，該方法包括第一步驟，在構成有源矩陣板的激勵TFT的關斷狀態(tài)下測量基于通過一個像素電極的寄生電容的一個值；第二步驟，在該激勵TFT的導通狀態(tài)下測量基于通過該像素電極的寄生電容的一個值；以及檢查步驟，基于所述第一步驟測得的值和所述第二步驟測得的值檢查所述激勵TFT的開路/短路缺陷。
這里，所述第一和第二步驟中基于通過所述像素電極的寄生電容的值可以表示通過所述寄生電容從像素電極一側(cè)流到源極側(cè)的瞬變電流。另外，該第一步驟可以設計為在將直接AC耦合到檢查線路的所有像素的激勵TFT同時設置為關斷狀態(tài)的同時，基于在構成所述有源矩陣板的檢查線路的每一條線路上的寄生電容評估所述值。另外，該第二步驟可以設計為在將直接AC耦合到檢查線路的所有像素的激勵TFT同時設置為導通狀態(tài)的同時，基于在構成所述有源矩陣板的檢查線路的每一條線路上的寄生電容評估所述值。
同時，本發(fā)明還可以被視為一種制造有源矩陣OLED板的制造方法。該制造方法包括在襯底上形成TFT陣列從而制造有源矩陣板的陣列工藝，檢查制造出的有源矩陣板的功能的檢查過程，以及在檢查過程之后將OLED安裝到有源矩陣板上的單元工藝(cell process)。這里，檢查過程設計為在構成在陣列工藝中制造的有源矩陣板的激勵TFT被導通和關斷時，測量通過像素電極的寄生電容的變化，從而檢查激勵TFT的開路/短路缺陷。
這里，所述檢查過程可以設計為測量構成有源矩陣板的像素的寄生電容的變化，從而找出其激勵TFT中具有開路/短路缺陷的像素的數(shù)量。另外，該檢查過程可以根據(jù)構成有源矩陣板的像素的寄生電容的變化的不均勻性，評估在形成構成有源矩陣板的像素電路時導致的不均勻性。
另外，該檢查過程能夠在將直接AC耦合到檢查線路的相關線路的像素的激勵TFT設置為導通狀態(tài)的同時，評估檢查線路的每一條線路上的寄生電容，從而利用估算的寄生電容的最大值和單個寄生電容之間的差評估其激勵TFT中具有開路缺陷的像素的數(shù)量。另外，該檢查過程能夠在將直接AC耦合到檢查線路的相關線路的像素的激勵TFT設置為關斷狀態(tài)的同時，評估檢查線路的每一條線路上的寄生電容，從而利用估算的寄生電容的最小值和單個寄生電容之間的差評估其激勵TFT中具有短路缺陷的像素的數(shù)量。另外，該檢查方法在將直接AC耦合到檢查線路的相關線路的像素的激勵TFT導通和關斷時，評估檢查線路的每一條線路上的寄生電容，從而利用估算的寄生電容的最大值和最小值與檢查線路的每一個線路上的寄生電容之間的差評估檢查線路的每一條線路上開路/短路缺陷的數(shù)量。


為了更全面地理解本發(fā)明及其優(yōu)點，需要閱讀下面結合附圖所作的說明。附圖中圖1是用于說明應用本發(fā)明的一個實施例的OLED板制造方法的視圖；圖2是用于說明用在檢查過程中的測試設備的配置的視圖；圖3A和3B是用于說明AMOLED像素電路的視圖；圖4A和4B是應用最簡單的雙TFT結構的電壓編程模式的像素電路的例子的視圖；圖5是寄生電容測量流程的流程圖；圖6A和6B是描述關斷激勵TFT和導通激勵TFT時的寄生電容的等效電路圖；圖7是用于觀測從激勵TFT輸出的電流的積分電路的例子的電路圖；圖8A和8B是用于說明應用四TFT結構的像素電路的電路圖；圖9A和9B是用于說明電荷泵運操作的示意圖；圖10圖示了在電壓編程板上的一個應用例子，其中每一個像素電路包括兩個TFT。
圖11圖示了用在測量中的激勵波形；圖12A和12B圖示了AMOLED檢查結果的例子；圖13是應用于基本雙TFT電路的逐步檢查方法的流程圖；圖14A和14B是用于比較和說明AMOLED和AMLED中的像素電路的示意圖。
具體實施例方式
現(xiàn)在結合附圖基于一個實施例詳細描述本發(fā)明。
圖1是用于說明應用本發(fā)明的一個實施例的有機發(fā)光二極管(OLED)板的制造工藝。應用該實施例的OLED板的制造方法包括制造作為OLED的驅(qū)動電路的薄膜晶體管(TFT)陣列(有源矩陣板)的陣列工藝1，以及對這樣制得的獨立的TFT陣列進行性能測試的檢查過程2。在檢查過程2中，進行檢查，來檢查線路的開路/短路缺陷是否在預定條件以下，以及在整個板中構成TFT陣列的激勵TFT的特性是否均一。在此檢查過程2中被判斷為缺陷產(chǎn)品的TFT陣列不會被送到后續(xù)工序而是被取消。被判斷為無缺陷產(chǎn)品的TFT陣列將被送到在TFT陣列上形成OLED的單元工藝，然后進入最后檢查過程4。在該最后檢查過程4中，將產(chǎn)品最終分類為無缺陷產(chǎn)品和缺陷產(chǎn)品。在此實施例中，在單元工藝3之前進行檢查過程2。因此，可以檢查像素電路中的開路/短路缺陷，或者更具體地說，能夠在安裝OLED之前檢查激勵TFT的外圍。這種檢查的對象包括用作個人手持電話系統(tǒng)(PHS)和蜂窩式電話的顯示屏的有源矩陣(AM)板和各種有源矩陣OLED(AMOLED)板。
下面詳細描述檢查過程2。
圖2是用于說明用在檢查過程2中的測試設備10的配置的視圖。應用該實施例的該測試設備10包括存儲設備(數(shù)據(jù)庫)11、計算機(PC)12、測量控制電路(控制電路)13、信號生產(chǎn)和信號測量電路(驅(qū)動/感測電路)14、探針(數(shù)據(jù)探針，Data probes)15、信號生成和信號測量電路(驅(qū)動/感測電路)16以及探針(柵極探針，Gate probes)17。利用這個配置，測試設備10檢查作為檢查對象的TFT陣列(有源矩陣板)100中的激勵TFT中的開路/短路缺陷。
測試設備10中的存儲設備11存儲判斷作為檢查對象的TFT陣列是否有缺陷所需的信息，還存儲測量所需的信息。計算機12例如由個人計算機(PC)構成，被配置為相應于輸入的數(shù)據(jù)基于存儲設備11中存儲的信息進行判斷處理。測量控制電路13管理后面要描述的檢查方法的測量序列。同時，信號生成和信號測量電路14和16是模擬電路，配置為生成用于AMOLED的驅(qū)動信號并從TFT陣列100獲取輸出波形。下面要描述的積分電路被安裝到這些信號輸出和信號測量電路14和16上。探針15和17將信號生成和信號測量電路14和16產(chǎn)生的AMOLED驅(qū)動信號提供給作為測量對象的TFT陣列100，也從TFT陣列100獲得測量波形。
在測試設備10中，測量控制電路13管理下面要描述的檢查方法的測量序列，信號生成和信號測量電路14和16輸出的AMOLED驅(qū)動信號被通過探針15和17提供給TFT陣列100。另外，TFT陣列100的測量波形通過探針15和17被輸入到信號輸出和信號測量電路14和16用于觀察。被觀測到的信號由測量控制電路13和14轉(zhuǎn)換為數(shù)字數(shù)據(jù)，然后輸入計算機12。該計算機12對測量數(shù)據(jù)進行處理，并參照存儲在存儲設備11中的信息判斷缺陷產(chǎn)品。這里，測試設備10的各組成部件，比如測量控制電路13和信號輸出和信號測量電路14和16用作關斷狀態(tài)寄生電容測量裝置和導通狀態(tài)寄生電容測量裝置的一部分，也用作電壓改變裝置和測量裝置的一部分。同時，例如，計算機12用作不均勻性測量裝置和檢查裝置的一部分。
下面說明在檢查過程2中利用測試設備10執(zhí)行的用于激勵TFT的檢查方法。首先，描述作為測量對象的AMOLED的像素電路。
圖3A和3B是用于說明AMOLED像素電路的視圖。圖3A圖示了應用最簡單的雙TFT結構的AMOLED像素電路。在此階段，用虛線表示的OLED120還沒有安裝。圖3B是設計為從TFT的玻璃襯底一側(cè)發(fā)射光的AMOLED像素電路(所謂的底部發(fā)射結構)的剖面圖。在圖3B所示的AMOLED像素電路中，柵極132和柵極金屬線135形成在玻璃或類似材料制成的襯底131上，這些組成部分被蓋以柵極絕緣膜133。另外，在上面形成一個溝道134，該溝道134被覆以絕緣膜136。源極金屬線137形成在絕緣膜136上，這些組成部分被覆以保護膜138。像素電極139形成在該保護膜138上。盡管像素電極139和溝道134在所謂的頂部發(fā)射結構(設計為從襯底131的上部發(fā)射光)中相對設置，但是在圖3B所示的底部發(fā)射結構中，像素電極139和溝道134并不相對設置。如圖3B所示，像素電極139的一個區(qū)域占據(jù)像素的大部分，像素電路形成在一個非常短距離的空間中。因此，寄生電容是在該空間中產(chǎn)生的。
圖4A和4B圖示了應用圖3A所示的最簡單雙TFT結構的電壓編程模式的像素電路的一個例子。圖4A圖示了安裝OLED120的狀態(tài)，圖4B圖示了在安裝OLED120之前的狀態(tài)。圖4B圖示了在激勵TFT(Tr.d)的各線路(包括數(shù)據(jù)線(Data)、選擇線(Select)、柵極線和地(GND))與像素電極139之間產(chǎn)生寄生電容的狀態(tài)。該寄生電容的大小隨像素電路的配置或者布局而變化。但是，在應用均勻的規(guī)格的板中，在每一個像素中產(chǎn)生基本上相同大小的寄生電容?？梢酝ㄟ^檢查所有像素電路之間寄生電容的不均勻性來判斷像素電路的形成中的缺陷。
下面說明在檢查過程2中執(zhí)行的檢查處理的流程。
圖5是表示測量寄生電容的流程的流程圖。這里，通過在激勵TFT導通(ON)的狀態(tài)下和在激勵TFT關斷(OFF)的狀態(tài)下向檢查線路比如數(shù)據(jù)線(Data)施加一個電壓變化來測量像素電極139和GND之間的通過所述寄生電容的電容的變化。
圖6A和6B圖示了當激勵TFT關斷和當激勵TFT導通時描述寄生電容的等效電路。圖6A圖示了激勵TFT關斷的狀態(tài)，圖6B圖示了激勵TFT導通的狀態(tài)。如圖6B所示，當正確地導通激勵TFT時，GND和像素電極139被直接連接起來，與TFT并聯(lián)的寄生電容消失。相反，在數(shù)據(jù)線(Data)和GND之間的寄生電容變大。因此，當向數(shù)據(jù)線(Data)施加一個電壓時，在導通狀態(tài)有更多電荷流動。在圖5所示的測量處理中測量這兩個狀態(tài)之間寄生電容的變化。
為了基于圖5的流程圖更詳細地進行描述，在測量處理中，一開始將所有線路設置為GND，將激勵TFT關斷(步驟S101)。更具體地，在圖4B所示的基本雙TFT電路中，將選擇線(Select)和數(shù)據(jù)線(Data)設置為GND，然后選擇所有的選擇線(Select)，向數(shù)據(jù)線(Data)施加一個足以關斷激勵TFT的電壓。因此關斷所有的激勵TFT。之后，向數(shù)據(jù)線施加預定的電壓。在這種情況下，一個瞬變電流從像素電極139一側(cè)通過所述寄生電容流到GND。用連接到作為源極側(cè)線路的GND一側(cè)的積分電路(將在下面描述)測量該瞬變電壓。也就是，在關斷激勵TFT的狀態(tài)中獲得積分電路輸出Voff(步驟S102)。
圖7的視示了用于觀測從激勵TFT輸出的電流的積分電路的一個例子。圖7圖示了積分電路150被連接到圖4B所示的電路的情況。每一個圖2所示的信號生成和信號測量電路14和16提供這樣的積分電路150。示于圖7的該積分電路150包括一個運算放大器151、一個電容器Ci和一個重置開關SWreset。這里，由于積分電路150造成的虛短路，激勵TFT Tr.d的源極側(cè)被設置為GND電位。積分電路150可以類似地連接到其它像素電路。來自積分電路150的輸出被A/D轉(zhuǎn)換器轉(zhuǎn)換為數(shù)字數(shù)據(jù)，該A/D轉(zhuǎn)換器要被設置在圖2所示的測量控制電路13中并納入計算機12中。這樣，后續(xù)的評估處理就成為可能。
在圖5的步驟S102中獲得積分電路輸出Voff后，判斷連接到積分電路150的激勵TFT是否可以導通(步驟S103)。在這種情況下，當不能容易地導通激勵TFT比如在四TFT電路的情況下，進行通過寄生電容的電荷泵運(charge pumping)(將在后面描述)，以提高激勵TFT的柵極電壓(步驟S104)。然后，過程前進到下一步驟S105。當能夠?qū)頣FT時，過程直接前進到步驟S105。
圖8A和8B的電路圖用于說明用于四TFT結構的像素電路。圖8A圖示了用于基本四TFT結構的AMOLED像素電路，圖8B的電路圖用于說明在形成OLED120之前陣列襯底上的電路。當向像素電容器Cs1中寫入灰度電壓時，選擇線(Select)導通圖8A和8B所示的開關SW1。Vth校正控制線(Vth cnt.)控制開關SW2，電流開關控制線(Currentcnt.)控制開關SW3，從而，在像素電容器Cs2中累積電荷。在形成OLED120之前，在像素電極139和圖8B所示的線路的每一個線路之間產(chǎn)生寄生電容。注意，在這里只描述主要的寄生電容。
圖9A和9B的電路圖用于說明電荷泵運操作。在進行電荷泵運操作的過程中，首先導通被測量像素的開關SW3，其它像素(不被測量的像素)的開關SW3都關斷。另外，開關SW1和SW2關斷?，F(xiàn)在，當將激勵電壓V寫入數(shù)據(jù)線(Data)時，通過所述寄生電容，激勵TFT(Tr.d)的漏極電位升高。之后，如圖9A所示，將開關SW2導通一定時間。在這種情況下，電位通過所述寄生電容和像素電容Cs2和Cs1重新分布，激勵TFT Tr.d的柵極電位略微升高。如圖9B所示，當導通開關SW1同時保持開關SW2關斷時，如果由于向數(shù)據(jù)線Data施加激勵電位V而使激勵TFT Tr.d的柵極電位超過一個閾值電壓Vth，則導通所述激勵TFT Tr.d，確認所述電流。這樣就完成了電荷泵運操作。相反，即使激勵TFT Tr.d不導通，激勵TFT Tr.d具有比開關SW2足夠?qū)挼臏系缹挾?。因此，激勵TFT Tr.d的漏極電位由于漏電流而被設置到地電位。之后將開關SW1關斷、將數(shù)據(jù)線Data設置為地電位。然后將開關SW1再次導通。通過重復上述過程進行電荷泵運操作，直到激勵TFTTr.d導通并且電流得到確認。
在圖5的步驟S105選擇要檢查的像素，從數(shù)據(jù)線(data)施加一個足以使激勵TFT導通的電壓，以將激勵TFT設置到導通狀態(tài)。例如，當激勵TFT的柵極電壓具有低的初始電壓時，比如在使用四TFT的電壓編程模式中，就進行步驟S104所示的電荷泵運操作。同時，在電流編程模式中，通過在數(shù)據(jù)線(Data)上流過電流，將激勵TFT置為導通狀態(tài)。在這種情況下，柵極-源極電壓在像素電容Cs中累積。如上所述，當將激勵TFT置為導通狀態(tài)時，被選擇的像素的選擇線(Select)被關斷以被置為非選擇狀態(tài)。然后，將數(shù)據(jù)線(Data)也設為GND狀態(tài)。
在步驟S106的寄生電容測量處理中，將一個類似于步驟S102的電壓的電壓加到處于上述狀態(tài)的數(shù)據(jù)線(Data)上。在這種情況下，同樣，一個瞬變電流從像素電極139一側(cè)通過所述寄生電容流向GND。類似于步驟S102，該瞬變電流由所述積分電路150測量。這樣獲得的電壓是一個積分電路輸出Von。然后，被檢查的像素的選擇線(Select)被導通。同時，向該數(shù)據(jù)線施加足以關斷所述激勵TFT的電荷，從而將該激勵TFT置為關斷狀態(tài)。對要由一個數(shù)據(jù)線(Data)驅(qū)動的所有像素執(zhí)行步驟S105和步驟S106中所描述的處理。另外，對所有的數(shù)據(jù)線(Data)執(zhí)行圖5的步驟S101到步驟S106。通過執(zhí)行上述處理過程，對于所有像素，能夠獲得當激勵TFT導通時流過的電荷量。這里，當要連接到所述積分電路150的倒相輸入的接地線獨立時獲得每一個像素的積分電路輸出Von。另一方面，當接地線被匯集(bundled，集束)起來時獲得每一條線路的積分電路輸出Von。
在步驟S107評估檢查的結果。當被檢查的像素的激勵TFT被正確地導通時，當激勵TFT導通時流過的電荷量和當激勵TFT關斷時流過的電荷量表現(xiàn)出相互不同的值。換句話說，當比較一個激勵TFT置為關斷狀態(tài)時的Voff值與該激勵TFT被置為導通狀態(tài)時的Von值時，當激勵TFT正常工作時，滿足Voff≠Von。如果在這些值之間沒有差別，或者換句話說如果滿足Voff＝Von，則可以將該像素電路判斷為損壞的，其激勵TFT要么是開路要么是短路。這樣，就能夠完成系列檢查。
這里，如果從處于關斷狀態(tài)的所有數(shù)據(jù)線的電荷量中選擇一個最小值(最小Voff值Voff.min)，則可以推斷該最小值表示所有像素正常工作的情況。因此，可以利用該值和處于關斷狀態(tài)的每一個數(shù)據(jù)線(Data)的值之間的差來估計短路像素的數(shù)量(Nshort)。這樣，可以估計具有短路缺陷的像素和具有開路缺陷的像素的比例，也就是Voff-Voff.min＝Nshort*(Von1-Voff1)Nfault＝Nshort+Nopen這里，Nfault表示對于所有數(shù)據(jù)線(Data)重復測得的缺陷像素的數(shù)量，Nopen表示具有開路缺陷的像素的數(shù)量。另外，Von1對應于對于一個像素，當其處于導通狀態(tài)時流過所述寄生電容的電荷量，Voff1對應于對于一個像素，當其處于關斷狀態(tài)時流過所述寄生電容的電荷量。為了具體找出(Von1-Voff1)，要選擇從所有像素獲得的所有(Von-Voff)值中的最小值。
下面利用一個雙TFT電壓編程像素電路的更為具體的例子來詳細說明該實施例。
圖10的視圖表示將該實施例應用于一個電壓編程板的例子，在該電壓編程板中，每一個像素電路包括兩個TFT。示于圖10的該應用例圖示了作為該板的一部分的九個(3×3)像素，要測量的像素是位于中央的那個像素，對于各像素，積分電路150連接到接地線。實際的測量是通過對所有像素重復上述測量方法來完成的。這里，在積分電路150中，盡管可以將接地線獨立地連接到積分電路150的倒相輸入，但是也可以將某些接地線(或者所有接地線)匯集起來(形成集束)，形成如圖10所示的公共接地線。如果按照匯集起來的接地線(接地線束)的組的數(shù)量設置積分電路150，則可以對各組并行地進行測量。注意，如果應用p溝道激勵TFT時，接地線要為電源線所替代。
圖11的視示了在測量中使用的激勵波形。在如圖10所示的雙TFT電壓編程像素電路中，可以直接通過數(shù)據(jù)線驅(qū)動激勵TFT。因此，可以不用上述電荷泵運操作而將所述激勵TFt設置為導通狀態(tài)。
這里，基于圖11最上一行所指出的序列加以說明*序列1將一個關斷電壓寫入所有像素以使板不發(fā)光。
*序列4對處于全關斷狀態(tài)的Data 2施加一個導通電位，測量此時流過的電荷。
*序列8將一個關斷電壓再次寫入所有像素以使板不發(fā)光。
*序列11同時對Select 2和Data 2施加導通電位，從而將被測量的像素的激勵TFT置為導通狀態(tài)。
*序列15將與序列4中所用電壓相同的電壓施加給Data 2，測量此時流過的電荷。
*序列18完成測量。
對所有由同一數(shù)據(jù)線驅(qū)動的像素重復序列8到序列18的過程，對所有數(shù)據(jù)線重復從序列0到序列18的過程。
利用在上述過程中獲得的積分電路150的波形輸出，計算機12執(zhí)行接下來的計算。
圖12A和12B的視示了圖10所示AMOLED的檢查結果。圖12A例舉了圖10所示各像素相應的正常、開路和短路像素狀態(tài)。圖12B圖示了在全關斷狀態(tài)下和在每一個像素單獨導通的狀態(tài)下積分電路150檢測到的值。由于在縱向排列的像素受單一數(shù)據(jù)線(Data)的影響，對于各數(shù)據(jù)線(Data 1到Data 4)獲得全關斷狀態(tài)下的電荷量。由于由積分電路150測量電荷量，電荷量被轉(zhuǎn)換為積分電路150的輸出電壓。假設關斷狀態(tài)的一個像素的激勵TFT的值為Voff，在導通狀態(tài)下該像素的該激勵TFT的值為Von，則當像素具有如圖12A所示的缺陷時，輸出值如圖12B所示。在有開路缺陷的情況下，激勵TFT仍然保持關斷狀態(tài)，在短路缺陷的情況下，激勵TFT仍然保持導通狀態(tài)。
比較在每一個像素的激勵TFT的導通狀態(tài)獲得的輸出和全關斷狀態(tài)獲得的輸出，所述值無差別的像素可以被判斷為缺陷像素。所述值不同的像素工作正常，值的變化Von-Voff總是等于Von1-Voff1。更具體地，相應于Von-Voff的電容在幾個飛法到幾十個飛法數(shù)量級。在包括正常工作的激勵TFT的像素之間，Von-Voff值的不均勻性可以被視為設計尺寸的不均勻性。因此，這樣的不均勻性也可以用來判斷設計質(zhì)量。這樣，可以通過檢查所有像素來判斷像素的缺陷。
另外，如上所述，要由一個數(shù)據(jù)線測量的包括在全關斷狀態(tài)中的像素的數(shù)量取決于匯集的接地線(集束接地線，bundled GND lines)的數(shù)量。例如，當在視頻圖形陣列(VGA，分辨率為640×480點)板中將所有接地線匯集到一起時，用一個數(shù)據(jù)線同時測量480個像素。但是，AMOLED是電流驅(qū)動的，因此通常的做法是，為幾個接地線束引接地線，而不是將所有像素都集束起來，以避免電流的集中。在這種情況下，每個接地線的像素數(shù)量減少了。當板包括為各像素提供的接地線時，可以測量每一個像素。
在圖12所示的例子中，為每三條線提供一個公共接地線。在這種情況下，比較各數(shù)據(jù)線在關斷狀態(tài)下的輸出值，其中的最小值可以被估計為表示所有像素正常工作的狀態(tài)的值。在圖12B所示的例子中，右端線路(Data 4)的輸出值為3Voff。也就是，在全關斷狀態(tài)的最小值為3Voff，右端線路(Data 4)上的所有像素被認為是正常的。將上述值和缺陷列的輸出值之間的差除以所述變化值Von1-Voff1，得到的值等于短路缺陷的數(shù)量。
例如在圖12A和12B所示的情況中，各列的測量結果如下Data 1(3Voff1-3Voff1)/(Von1-Voff1)＝0無短路缺陷；Data 2(1Voff1+2Voff1-3Voff1)/(Von1-Voff1)＝1一個短路缺陷；Data 3(2Von1+1Voff1-3Voff1)/(Von1-Voff1)＝2二個短路缺陷；缺陷像素的總數(shù)(在導通狀態(tài)下的值與在關斷狀態(tài)下的值無差別的像素數(shù)量)6；短路缺陷數(shù)量∶開路缺陷數(shù)量＝3∶3。
這樣，根據(jù)該實施例，可以估計短路缺陷和開路缺陷之間的比例。
這里，通過應用上述檢查方法，可以以更高的速度進行檢查。
例如，對于構成有源矩陣OLED板的檢查線路的每一條線路，對所有直接AC耦合到檢查線路的像素(例如，在數(shù)據(jù)線(Data)的情況下，屬于相關列的所有像素)，在將其激勵TFT同時設置為關斷狀態(tài)和設置為導通狀態(tài)的情況下，如上所述評估寄生電容。然后，從最小值、最大值以及檢查線路的每一條線路的寄生電容之間的差值來估計開路/短路缺陷的數(shù)量。另外，在進行評估之后，將檢查線路的包括開路/短路缺陷的線路中的各像素抽出，如上所述再次進行檢查，從而評估每一個缺陷像素是開路缺陷還是短路缺陷。通過采用如上所述的步進測量方法，可以更高速地進行檢查。
圖13是一個流程圖，表示了應用于如圖4B所示的基本雙TFT電路的步進檢查方法。在該檢查方法中，首先，將選擇線(Select)和數(shù)據(jù)線(Data)設為接地狀態(tài)(步驟S201)。然后，選擇所有選擇線，對其施加足以關斷激勵TFT的電壓，以將所有激勵TFT設為關斷狀態(tài)(步驟S202)。之后，在所有選擇線和數(shù)據(jù)線都設為接地狀態(tài)的狀態(tài)下，對數(shù)據(jù)線施加一個電壓(步驟S203)。在這種情況下，一個瞬變電流從像素電極一側(cè)通過寄生電容流到地一側(cè)。用如圖7所示連接到接地線的積分電路150測量該瞬變電流(步驟S204)。利用為測量控制電路13提供的模數(shù)轉(zhuǎn)換電路，將積分電路150的輸出轉(zhuǎn)換為數(shù)字數(shù)據(jù)，并輸入計算機12。這樣，作為各數(shù)據(jù)線的電壓值Voff，數(shù)據(jù)被存儲到該計算機12中設置的預定存儲器中(步驟S205)。該測量的結果表示等效于所有激勵TFT都設為關斷狀態(tài)時的寄生電容值的電壓值。但是，注意，每一個值表示當電壓加到數(shù)據(jù)線上時，在該數(shù)據(jù)線的方向上排列的所有像素的和。
接下來，選擇所有像素，從該數(shù)據(jù)線施加一個足以導通激勵TFT的電壓，從而將所有像素的激勵TFT置為導通狀態(tài)(步驟S206)。但是，當激勵TFT的柵極電壓具有低的初始電壓時，比如在如圖8A和8B所示的使用四TFT的電壓編程模式中，要執(zhí)行通過所述寄生電容的電荷泵運操作。同時，在電流編程模式中，通過在數(shù)據(jù)線上流過電流，將激勵TFT置為導通狀態(tài)。在這種情況下，柵極-源極電壓累積到像素電容Cs中。之后，將所有像素的選擇線關斷，從而設置為非選擇狀態(tài)。然后，將該數(shù)據(jù)線(Data)也設置為接地狀態(tài)(步驟S207)。
另外，與步驟S203所施加的電壓相同的電壓被施加給該數(shù)據(jù)線(步驟S208)。在這種情況下，同樣，一個瞬變電流從像素電極一側(cè)通過寄生電容流到地一側(cè)。用類似于步驟S204的積分電路150測量該瞬變電流(步驟S209)。測量結果被轉(zhuǎn)換為數(shù)字數(shù)據(jù)，將每一條數(shù)據(jù)線上的電壓值Von存儲到計算機12中設置的預定存儲器中(步驟S210)。
這樣，在步驟S205和S210中獲得的Voff值和Von值中，可以評估Voff的最小值和Von的最大值，表示其中的激勵TFT正常工作的數(shù)據(jù)線。相應地，如果分別將所述最小值和最大值定義為Voff.min和Von.max，則可以用下述方式評估每一條數(shù)據(jù)線中短路缺陷的數(shù)量和開路缺陷的數(shù)量(步驟S211)Von.max-Voff.min＝N*VdiffVoff-Voff.min＝Nshort*VdiffVon.max-Von＝Nopen*Vdiff這里，N表示該數(shù)據(jù)線上像素的數(shù)量，Nshort表示該數(shù)據(jù)線上短路缺陷的數(shù)量，Nopen表示該數(shù)據(jù)線上開路缺陷的數(shù)量。
然后，在指定包括上述缺陷的數(shù)據(jù)線后，將指定數(shù)據(jù)線上的每一個像素的激勵TFT置為導通狀態(tài)(步驟212)，用于類似于圖5之步驟S106的積分電路測量通過寄生電容從像素電極一側(cè)流到地一側(cè)地瞬變電流(步驟S213)。這樣，獲得電壓值Von，從電壓值結果得到缺陷像素的位置(步驟S214)。利用上述方法，可以高速檢查短路缺陷和開路缺陷的數(shù)量，并高速確定缺陷像素的位置。
如上所述，該實施例重點關注有源矩陣OLED板(AMOLED板)中，連接到激勵TFT的電極之一的電源線(GND)和不與該電源線(GND)DC耦合的檢查線路(比如數(shù)據(jù)線(Data))之間的寄生電容，并觀測作為源側(cè)線路的電源線(GND)的電荷進出，它們與檢查線路分別在被測量激勵TFT的導通和關斷狀態(tài)下的電壓變化有關。這樣，可以測量激勵TFT的導通狀態(tài)和關斷狀態(tài)之間寄生電容的變化。另外，該實施例還關注這樣的事實在包括開路缺陷或者短路缺陷的激勵TFT中，寄生電容沒有變化。這樣，本實施例實現(xiàn)了激勵TFT中開路/短路缺陷的檢查。
在這種情況下，通過測量所有像素中寄生電容的變化，可以獲得所有像素中包括具有開路/短路缺陷的激勵TFT的像素的數(shù)量。另外，還可以從所有像素之間寄生電容變化的不均勻性來評估在形成像素電路時導致的不均勻性。另外，對于構成板的檢查線路的每一個線路，對于直接AC耦合到檢查線路的所有像素(例如，在數(shù)據(jù)線的情況下，屬于一個相關列的像素)，在將其激勵TFT設置為導通狀態(tài)的同時評估所述寄生電容。在這種情況下，通過找出評估得到的寄生電容值的最大值和單個寄生電容值之間的差，可以評估包括具有開路缺陷的激勵TFT的像素的數(shù)量。另外，對于構成板的檢查線路的每一個線路，對于直接AC耦合到檢查線路的所有像素(例如，在數(shù)據(jù)線的情況下，屬于一個相關列的像素)，在將其激勵TFT設置為關斷狀態(tài)的同時評估所述寄生電容。在這種情況下，通過找出評估得到的寄生電容值的最小值和單個寄生電容值之間的差，可以評估包括具有短路缺陷的激勵TFT的像素的數(shù)量。這里，還可以將該檢查方法設計為評估開路缺陷像素和短路缺陷像素與缺陷像素總數(shù)之間的比例。
同時，對于構成板的檢查線路的每一個線路，對于直接AC耦合到檢查線路的所有像素(例如，在數(shù)據(jù)線的情況下，屬于一個相關列的像素)，在將其激勵TFT同時設置為關斷狀態(tài)和同時設置為導通狀態(tài)的情況下，評估所述寄生電容。然后，根據(jù)最小值、最大值和檢查線路的每一條線路的寄生電容之間的差，評估檢查線路的每一條線路中開路/短路缺陷的數(shù)量。之后，檢查線路的包括開路/短路缺陷的線路中的各像素被抽出并被檢查。這樣，可以高速評估缺陷像素中的開路/短路缺陷。
如上所述，對于在安裝OLED之前的TFT陣列，本實施例能夠判斷各像素中激勵TFT中的開路/短路缺陷，測量板內(nèi)的開路缺陷和短路缺陷的數(shù)量，評估像素電路的設計尺寸的不均勻性，而不用接觸像素電極。也就是，可以在TFT陣列階段找出激勵TFT中的開路/短路缺陷的數(shù)量，并檢查作為顯示器單元的評估項目的亮點和暗點(死點)數(shù)量。通過基于上述結果判斷板中的缺陷，可以大大減少被送往下一工序的缺陷產(chǎn)品的數(shù)量。這樣，可以縮減制造板的成本。同時，通過計算板內(nèi)正常工作的像素的Von-Voff值的不均勻性，可以評估形成像素電路的精度。另外，本實施例還可用于通過檢查板之間的不均勻性來管理TFT陣列工藝中的工藝流程。另外，最好將該檢查方法設計為在下述狀態(tài)下評估所述寄生電容所述檢查線路通過所述寄生電容驅(qū)動的所有像素的激勵TFT被同時設置為關斷狀態(tài)的狀態(tài)，以及所述激勵TFT被同時設置為導通狀態(tài)的狀態(tài)，因為這樣就可以更迅速地評估開路/短路缺陷的數(shù)量。另外，通過將圖2所示的測試設備10用于故障分析，可以在板的開發(fā)階段縮短開發(fā)周期。
盡管本實施例的描述是使用n溝道激勵TFT作為例子，但本發(fā)明也可以應用于使用p溝道激勵TFT的情況。當使用p溝道激勵TFT時，示于圖7的積分電路150的非反相輸入(圖7所示的運算放大器151的正輸入)可以從GND換接到電源(Vd)。換句話說，只要積分電路150被連接到激勵TFT的源側(cè)線路就可以，而不管該源側(cè)線路是n溝道激勵TFT的GND側(cè)還是p溝道激勵TFT的電源(Vd)側(cè)。
如上所述，根據(jù)本發(fā)明，可以在形成OLED之前迅速地判斷用于AMOLED板的TFT陣列中的激勵TFT的開路/短路缺陷。
盡管上面詳細描述了本發(fā)明的優(yōu)選實施例，但應當理解，在不偏離所附權利要求所限定的本發(fā)明的實質(zhì)范圍的前提下，可以做出各種改變、替換和變化。
權利要求
1.用于有源矩陣板的檢查設備，用于在形成有機發(fā)光二極管之前檢查有源矩陣板，包括電壓改變裝置，用于改變構成有源矩陣板的激勵薄膜晶體管的檢查線路上的電壓；和測量裝置，用于在所述電壓改變裝置改變所述檢查線路上的電壓時在激勵薄膜晶體管的源極側(cè)測量在線路上流過的瞬變電流，并測量在激勵薄膜晶體管的關斷狀態(tài)和導通狀態(tài)之間寄生電容的變化。
2.如權利要求1所述的用于有源矩陣板的檢查設備，其中，所述測量裝置測量所有構成有源矩陣板的像素中寄生電容的變化，找出其激勵薄膜晶體管中具有任何開路和短路缺陷的像素的數(shù)量。
3.如權利要求1所述的用于有源矩陣板的檢查設備，還包括非均勻性評估裝置，用于基于所述測量裝置測得的寄生電容的變化，評估在形成構成有源矩陣板的像素電路時造成的不均勻性。
4.如權利要求1所述的用于有源矩陣板的檢查設備，其中，所述測量裝置利用連接到所述源極側(cè)線路的積分電路來測量所述瞬變電流，并將該積分電路的輸出轉(zhuǎn)換為數(shù)字數(shù)據(jù)后輸入計算機。
5.一種用于有源矩陣板的檢查設備，用于在形成有機發(fā)光二極管之前檢查有源矩陣板，包括關斷狀態(tài)寄生電容測量裝置，用于在構成有源矩陣板的激勵薄膜晶體管的關斷狀態(tài)測量通過一個像素電極的寄生電容；導通狀態(tài)寄生電容測量裝置，用于在所述激勵薄膜晶體管的導通狀態(tài)測量通過所述像素電極的寄生電容；以及檢查裝置，用于根據(jù)所述關斷狀態(tài)寄生電容測量裝置測得的寄生電容和所述導通狀態(tài)寄生電容測量裝置測得的寄生電容檢查所述激勵薄膜晶體管的任何開路和短路缺陷。
6.如權利要求5所述的用于有源矩陣板的檢查設備，其中，當所述激勵薄膜晶體管的柵極電壓具有低的初始電壓時，所述導通狀態(tài)寄生電容測量裝置進行通過所述寄生電容的電荷泵運。
7.如權利要求5所述的用于有源矩陣板的檢查設備，在將直接與檢查線路的相關線路交流耦合的像素的激勵薄膜晶體管設為導通狀態(tài)的同時，所述導通狀態(tài)寄生電容測量裝置評估構成有源矩陣板的檢查線路的每一條線路上的寄生電容；并且利用評估得到寄生電容的最大值與單個寄生電容之間的差，檢查裝置評估其激勵薄膜晶體管中具有開路缺陷的像素的數(shù)量。
8.如權利要求5所述的用于有源矩陣板的檢查設備，其中，在將直接與檢查線路的相關線路交流耦合的像素的激勵薄膜晶體管設為關斷狀態(tài)的同時，所述關斷狀態(tài)寄生電容測量裝置評估構成有源矩陣板的檢查線路的每一條線路上的寄生電容；并且利用評估得到寄生電容的最小值與單個寄生電容之間的差，檢查裝置評估其激勵薄膜晶體管中具有短路缺陷的像素的數(shù)量。
9.如權利要求5所述的用于有源矩陣板的檢查設備，其中，在將直接與檢查線路的相關線路交流耦合的像素的激勵薄膜晶體管設為關斷狀態(tài)的同時，所述關斷狀態(tài)寄生電容測量裝置評估構成有源矩陣板的檢查線路的每一條線路上的寄生電容；在將直接與檢查線路的相關線路交流耦合的像素的激勵薄膜晶體管設為導通狀態(tài)的同時，所述導通狀態(tài)寄生電容測量裝置評估構成有源矩陣板的檢查線路的每一條線路上的寄生電容；并且利用評估得到寄生電容的最小值和最大值與檢查線路的每一條線路上的單個寄生電容之間的差，檢查裝置評估檢查線路的每一條線路上開路和短路缺陷的數(shù)量。
10.一種用于有源矩陣板的檢查方法，用于在形成有機發(fā)光二極管之前檢查有源矩陣板，該方法包括第一步驟，在構成有源矩陣板的激勵薄膜晶體管的關斷狀態(tài)下測量基于通過一個像素電極的寄生電容的一個值；第二步驟，在該激勵薄膜晶體管的導通狀態(tài)下測量基于通過該像素電極的寄生電容的一個值；以及檢查步驟，基于所述第一步驟測得的值和所述第二步驟測得的值檢查所述激勵薄膜晶體管的的任何開路和短路缺陷。
11.如權利要求10所述的用于有源矩陣板的檢查方法，其中，所述第一和第二步驟中基于通過所述像素電極的寄生電容的每一個值表示通過所述寄生電容從像素電極一側(cè)流到源極側(cè)的瞬變電流。
12.如權利要求10所述的用于有源矩陣的檢查方法，其中，該第一步驟被設計為在將直接交流耦合到檢查線路的所有像素的激勵薄膜晶體管同時設置為關斷狀態(tài)的同時，基于在構成所述有源矩陣板的檢查線路的每一條線路上的寄生電容評估所述值。
13.如權利要求10所述的用于有源矩陣的檢查方法，其中，該第二步驟被設計為在將直接交流耦合到檢查線路的所有像素的激勵薄膜晶體管同時設置為導通狀態(tài)的同時，基于在構成所述有源矩陣板的檢查線路的每一條線路上的寄生電容評估所述值。
14.一種制造有源矩陣有機發(fā)光二極管板的制造方法，包括在襯底上形成薄膜晶體管陣列從而制造有源矩陣板的陣列工藝；檢查制造出的有源矩陣板的功能的檢查過程；以及在檢查過程之后將有機發(fā)光二極管安裝到有源矩陣板上的單元工藝；其中，所述檢查過程被設計為在構成在陣列工藝中制造的有源矩陣板的激勵薄膜晶體管被導通和關斷時，測量通過像素電極的寄生電容的變化，從而檢查激勵薄膜晶體管的任何開路和短路缺陷。
15.如權利要求14所述的用于有源矩陣有機發(fā)光二極管板的制造方法，其中，所述檢查過程被設計為測量構成有源矩陣板的像素的寄生電容的變化，從而找出其激勵薄膜晶體管中具有開路/短路缺陷的像素的數(shù)量。
16.如權利要求14所述的用于有源矩陣有機發(fā)光二極管板的制造方法，其中，該檢查過程被設計為根據(jù)構成有源矩陣板的像素的寄生電容的變化的不均勻性，評估在形成構成有源矩陣板的像素電路時導致的不均勻性。
17.如權利要求14所述的用于有源矩陣有機發(fā)光二極管板的制造方法，其中，該檢查過程被設計為在將直接交流耦合到檢查線路的相應線路的像素的激勵薄膜晶體管設置為導通狀態(tài)的同時，評估檢查線路的每一條線路上的寄生電容，從而利用評估得到的寄生電容的最大值和單個寄生電容之間的差評估其激勵薄膜晶體管中具有開路缺陷的像素的數(shù)量。
18.如權利要求14所述的用于有源矩陣有機發(fā)光二極管板的制造方法，其中，該檢查過程被設計為在將直接交流耦合到檢查線路的相關線路的像素的激勵薄膜晶體管設置為關斷狀態(tài)的同時，評估檢查線路的每一條線路上的寄生電容，從而利用評估得到寄生電容的最小值和單個寄生電容之間的差評估其激勵薄膜晶體管中具有短路缺陷的像素的數(shù)量。
19.如權利要求14所述的用于有源矩陣有機發(fā)光二極管板的制造方法，其中，該檢查方法被設計為在將直接交流耦合到檢查線路的像素的激勵薄膜晶體管導通和關斷時，評估檢查線路的每一條線路上的寄生電容，從而利用評估得到的寄生電容的最小值和最大值與檢查線路的每一個線路上的寄生電容之間的差來評估檢查線路的每一條線路上開路和短路缺陷的數(shù)量。
全文摘要
本發(fā)明涉及有源矩陣板的檢查設備和方法，以及有源矩陣有機發(fā)光二極管板的制造方法。該檢查方法包括在襯底上形成薄膜晶體管陣列從而制造有源矩陣板的陣列工藝；對制造出的有源矩陣板進行性能測試的檢查過程；以及在檢查過程之后將有機發(fā)光二極管安裝到有源矩陣板上的單元工藝。在所述檢查過程中，在構成在陣列工藝中制造的有源矩陣板的激勵薄膜晶體管被導通和關斷時，測量通過像素電極的寄生電容的變化，從而檢查激勵薄膜晶體管中的任何開路/短路缺陷。
文檔編號G09F9/30GK1573341SQ20041004
公開日2005年2月2日 申請日期2004年5月20日 優(yōu)先權日2003年5月21日
發(fā)明者中野大樹, 坂口佳民 申請人:國際商業(yè)機器公司