專利名稱：等離子體顯示板及其驅(qū)動(dòng)方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種等離子體顯示板(PDP)及其驅(qū)動(dòng)方法。更特別地，本發(fā)明涉及用于PDP的復(fù)位波形驅(qū)動(dòng)方法。
背景技術(shù)：
平板顯示器，例如，液晶顯示器(LCD)、場(chǎng)致發(fā)射平板顯示器(FED)、PDP等正在積極地發(fā)展著。和其它平板顯示器相比，PDP一般來說有較高的亮度、較高的發(fā)光效率和較寬的視角。因此，例如與常用的陰極射線管(CRT)相比，PDP更利于制造40英寸或更大型的顯示器。
PDP是利用氣體放電產(chǎn)生的等離子體來顯示字符或圖像的一種平板顯示器，根據(jù)其尺寸，它包括以矩陣模式排列的幾十到幾百萬(wàn)的像素。根據(jù)PDP的放電單元結(jié)構(gòu)和施加的驅(qū)動(dòng)電壓的波形，可將PDP分為直流(DC)型和交流(AC)型。
DC型PDP的電極暴露于放電空間，當(dāng)施加電壓時(shí)，直流電流(DC)可以流過放電空間，因此，DC型PDP一般需要一個(gè)電阻來限制所述電流。相反地，AC型PDP具有覆蓋有電介質(zhì)層的電極，所述介質(zhì)層形成一個(gè)電容元件來限制電流并保護(hù)電極在放電期間不受離子的碰撞。因此，和DC型PDP相比，AC型PDP有較長(zhǎng)的壽命。
圖1是一個(gè)AC型PDP的局部透視圖。圖1示出了第一玻璃基板1，平行的掃描電極4和維持電極5，電介質(zhì)層2和保護(hù)層3。在第二玻璃基板6上，設(shè)有數(shù)個(gè)為一絕緣層7所覆蓋的尋址電極8。障壁條(barrier rib)9形成在絕緣層7上并與尋址電極8平行，且插入尋址電極8之間。絕緣層7的表面和障壁條9的兩邊形成有熒光材料10。第一和第二玻璃基板1和2相對(duì)放置，在二者之間形成放電空間11，以使得掃描電極4和維持電極5的方向與尋址電極8正交。在尋址電極8和一對(duì)掃描電極4和維持電極5之間的交叉處的放電空間形成放電單元12。
圖2表示PDP中的電極分布。
參考圖2，PDP有一個(gè)由m×n個(gè)放電單元組成的像素矩陣。在該P(yáng)DP中，尋址電極A1-Am排列為列，掃描電極(Y電極)Y1-Yn和維持電極X1-Xn交替地排成n行。圖2中所示的放電單元12與圖1中的放電單元12相對(duì)應(yīng)。
根據(jù)一般的PDP驅(qū)動(dòng)方法，一個(gè)幀被分為許多子場(chǎng)，每個(gè)子場(chǎng)由一個(gè)復(fù)位間隔、一個(gè)尋址間隔和一個(gè)維持間隔構(gòu)成。
在復(fù)位(初始)間隔，來自于上一個(gè)維持間隔的壁電荷的狀態(tài)被擦除，并為穩(wěn)定地執(zhí)行下一次尋址放電壁電荷被設(shè)置。一般來說，復(fù)位間隔是為其后的尋址間隔期間的尋址操作準(zhǔn)備壁電荷的最佳狀態(tài)。
尋址間隔選擇接通單元和關(guān)斷單元并在接通單元(即尋址單元)累積壁電荷。維持間隔執(zhí)行放電從而在尋址單元顯示一個(gè)圖像。
常用驅(qū)動(dòng)方法的復(fù)位間隔包括施加一個(gè)斜坡波形(ramp waveform)，如US5,745,086中公開的。在常用的驅(qū)動(dòng)方法中，一個(gè)緩慢上升或下降的斜坡波形被施加在Y電極，以控制復(fù)位間隔期間每一個(gè)電極的壁電荷。然而，壁電荷的精確控制極大地依賴于所施加的斜坡波形的斜坡坡度。因此，為了精確地控制壁電荷，一般來說，需要長(zhǎng)時(shí)間用于初始化。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供了一種可在短時(shí)間內(nèi)實(shí)施初始化的等離子體顯示板及其驅(qū)動(dòng)方法。
本發(fā)明單獨(dú)地提供了一種驅(qū)動(dòng)等離子體顯示板的方法，該等離子體顯示板包括由第一電極和第二電極限定的第一空間，通過施加一個(gè)電壓至第一電極來使第一空間放電，并且在第一空間放電后，浮動(dòng)第一電極。
本發(fā)明單獨(dú)地提出一種驅(qū)動(dòng)等離子體顯示板的方法，該等離子體顯示板包括由第一電極和第二電極限定的第一空間。在復(fù)位間隔期間，該方法涉及施加一個(gè)上升的電壓至第一電極來使第一空間放電，在第一空間放電后浮動(dòng)第一電極，施加一個(gè)下降的電壓至第一電極來使第一空間放電，和在第一空間放電后浮動(dòng)第一電極。
本發(fā)明單獨(dú)地提供一種驅(qū)動(dòng)等離子體顯示板的方法，該等離子體顯示板包括第一電極和第二電極限定的第一空間。在復(fù)位間隔期間，該方法涉及在第一空間執(zhí)行第一放電，以至少在第一電極和第二電極之一上形成的電介質(zhì)上積累壁電荷，淬滅(quench)第一放電，在第一空間執(zhí)行第二放電，以在形成于至少第一電極和第二電極之一上的電介質(zhì)上積累壁電荷，淬滅第二放電。
本發(fā)明單獨(dú)地提出一種驅(qū)動(dòng)等離子體顯示板的方法，該等離子體顯示板包括由第一電極和第二電極限定的第一空間。在復(fù)位間隔期間，該方法涉及在第一空間執(zhí)行第一放電，以減少在至少第一電極和第二電極之一上形成的電介質(zhì)上積累的壁電荷，淬滅第一放電，在第一空間執(zhí)行第二放電，以減少在第一電極和第二電極上形成的電介質(zhì)上積累的壁電荷，淬滅第二放電。
本發(fā)明單獨(dú)地提供一種等離子體顯示板，包括第一電極和第二電極；由第一電極和第二電極限定的第一空間；和驅(qū)動(dòng)電路，用于在復(fù)位間隔期間發(fā)送一驅(qū)動(dòng)信號(hào)至第一電極和第二電極。該驅(qū)動(dòng)電路施加一個(gè)電壓至第一電極以使第一空間放電，之后浮動(dòng)第一電極。
本發(fā)明單獨(dú)地提供一種等離子體顯示板，包括第一基板和第二基板；平行地形成在第一基板上的第一電極和第二電極；形成在第二基板上的尋址電極；由第一電極和第二電極限定的第一空間；以及驅(qū)動(dòng)電路，用于在復(fù)位間隔、尋址間隔和維持間隔期間，將驅(qū)動(dòng)信號(hào)發(fā)送給第一電極、第二電極和尋址電極。在復(fù)位間隔期間，驅(qū)動(dòng)電路施加一個(gè)上升電壓至第一電極以使第一空間放電，然后浮動(dòng)第一電極。
本發(fā)明單獨(dú)地提供一種等離子體顯示板，包括第一基板和第二基板；平行地形成在第一基板上的第一電極和第二電極；形成在第二基板上的尋址電極；由第一電極和第二電極限定的第一空間；和驅(qū)動(dòng)電路，用于在復(fù)位間隔、尋址間隔和維持間隔期間，將驅(qū)動(dòng)信號(hào)發(fā)送給第一電極、第二電極和尋址電極。在復(fù)位間隔期間，驅(qū)動(dòng)電路施加一個(gè)下降電壓至第一電極以使第一空間放電，然后浮動(dòng)第一電極。


在此引入并構(gòu)成說明書的一部分的附圖描述了本發(fā)明的實(shí)施例，并且與所述說明一起用于解釋本發(fā)明的原理。
圖1是一個(gè)AC型PDP的局部透視圖。
圖2示出了PDP中電極的排列。
圖3A顯示了一個(gè)等離子顯示單元的模型，其用于描述根據(jù)本發(fā)明一個(gè)圖3B是與圖3A的等價(jià)電路圖。
圖4、5和6顯示了圖3A所示的等離子體顯示單元的圖形，其示出了放電空間中的電荷、壁電荷和電壓。
圖7是根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的PDP的圖形。
圖8A和圖8B是根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的驅(qū)動(dòng)方法的復(fù)位波形的圖形。
圖9顯示了根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的驅(qū)動(dòng)方法的電極電壓、壁電壓和放電電流。
圖10是根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施例實(shí)施驅(qū)動(dòng)方法的概念圖。
圖11是依照本發(fā)明第二實(shí)施例的驅(qū)動(dòng)方法的波形圖。
圖12A、12B和12C是圖11的復(fù)位波形的詳細(xì)的圖形。
圖13A和圖13B顯示根據(jù)第二實(shí)施例的驅(qū)動(dòng)方法的電極電壓、壁電壓和放電電流的圖形。
具體實(shí)施例方式
在接下來的詳細(xì)描述中，僅僅描述和說明了本發(fā)明的示例性實(shí)施例。將了解到，在不背離本發(fā)明的情況下，可對(duì)本發(fā)明作出多種顯而易見的修改。相應(yīng)地，附圖和描述實(shí)質(zhì)上是對(duì)發(fā)明作出舉例說明，而不是加以限制。
根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的驅(qū)動(dòng)等離子體顯示板的方法包括在復(fù)位間隔期間足夠快地增加或減少施加的電壓以產(chǎn)生劇烈的放電，然后在放電期間降低施加于放電空間內(nèi)的電壓從而導(dǎo)致放電的自淬滅(self-quenching)，由此控制壁電荷。依照本發(fā)明的實(shí)施例，利用電極的浮動(dòng)狀態(tài)，可以完成放電的自淬滅。
一個(gè)稱作“放電延遲”的預(yù)定時(shí)間周期是施加電壓后至放電空間放電的這個(gè)時(shí)間段。這個(gè)以施加電壓開始以放電結(jié)束的過程將在下面給以描述。
當(dāng)表現(xiàn)為電容負(fù)載的兩個(gè)電極(兩個(gè)X和Y電極和尋址電極)的至少一個(gè)耦合至一電源時(shí)，兩電極被充電并且給放電空間(即兩個(gè)電極之間)施加一電壓。當(dāng)電壓施加至放電空間時(shí)，放電通過α和γ過程發(fā)生并且壁電荷積累在兩電極的介質(zhì)層上。積累的壁電荷降低施加到放電空間內(nèi)部的電壓。因?yàn)橄喈?dāng)大數(shù)量的壁電荷積累了，隨著壁電荷逐漸地使該放電淬滅，施加到放電空間的電壓逐步減少。
在這一步驟中，可能發(fā)生下面的情形。
在第一種情形中，和現(xiàn)有技術(shù)中的復(fù)位方法相同，在基本上整個(gè)放電期間等離子體顯示板的電極耦合到電源上。
隨著放電的發(fā)生，壁電荷積累在形成于電極上的介質(zhì)層上。然而，因?yàn)殡娫催B續(xù)地提供電荷，電極電壓基本維持在一個(gè)恒定的施加電壓。從電源提供給電極的電荷數(shù)量幾乎與通過放電積累的壁電荷數(shù)量相等，因此由壁電荷引起的放電空間的內(nèi)部電壓降是非常無關(guān)緊要的。因此，需要相當(dāng)大數(shù)量的積累壁電荷來使放電淬滅。
在第二種情形中，在施加電壓后電極被浮動(dòng)并且電極與電源是電絕緣的，如本發(fā)明實(shí)施例所述。
隨著放電的發(fā)生和壁電荷的積累，因?yàn)椴淮嬖趶碾娫刺峁┙o電極的電荷，電極電壓根據(jù)積累的壁電荷的數(shù)量而改變。積累的壁電荷的數(shù)量降低了放電空間的間隔電壓，因此當(dāng)只有少量的壁電荷時(shí)，放電淬滅。當(dāng)一個(gè)預(yù)定的電壓施加到電極上并且電源和板被置于一個(gè)開路(高阻抗)狀態(tài)以浮動(dòng)電極時(shí)，電極之間的電壓由于壁電荷的積累導(dǎo)致的放電空間內(nèi)部電壓的減少而降低，從而少量的壁電荷使放電淬滅。相應(yīng)地，與給電極施加電壓相比，浮動(dòng)電極能夠更精確地控制壁電荷。
現(xiàn)在，參考圖3A、3B、4、5和6，對(duì)于根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的驅(qū)動(dòng)方法的原理給予更詳細(xì)地描述。
圖3A顯示了PDP單元的一維模型，用于解釋依照本發(fā)明實(shí)施例的驅(qū)動(dòng)方法，圖3B是圖3A的等價(jià)電路圖。
參考圖3A，第一電極(如Y電極)15通過開關(guān)S1耦合到電壓Vin，并且第二電極(例如X電極)16耦合到地電壓。電介質(zhì)20和30各自形成在第一和第二電極15、16上。在電介質(zhì)20和30之間注入有放電氣體(未示出)，并且電介質(zhì)20和30之間的區(qū)域定義為放電空間40。
第一電極15和第二電極16，電介質(zhì)20和30，和放電空間40在圖3B示出的等價(jià)電路圖中表現(xiàn)為一個(gè)板電容Cp。
在圖3A中，兩個(gè)電介質(zhì)20和30有相同的厚度d1，互相之間以一個(gè)預(yù)定的距離(放電距離)d2分隔開。兩個(gè)電介質(zhì)20和30的介電常數(shù)是εγ，施加至放電空間40的電壓是Vg。
接下來，將參考圖4來計(jì)算在沒有積累壁電荷的情況下，當(dāng)電壓Vin施加至電極上時(shí)施加至放電空間的電壓Vg。
參考圖4，根據(jù)下述等式1表示的麥克斯韋等式通過高斯面來選擇區(qū)域A和B。對(duì)區(qū)域A和B應(yīng)用高斯定理可導(dǎo)出等式2和3，等式2和3分別決定電介質(zhì)中的電場(chǎng)E1和放電空間中的電場(chǎng)E2。
等式1·D＝·(εE)＝σ等式2E1=σtϵγϵ0]]>其中σ1是施加到電極上的電荷。
等式3E2=σtϵ0]]>圖4中的外部施加電壓Vin可用來導(dǎo)出如下所示的等式4和5。
等式42d1E1+d2E2＝Vin等式5Vg＝d2E2如下所示的等式6和7可從等式1-5導(dǎo)出。
等式6σt=Vind2ϵ0+2d1ϵγϵ0]]>等式7Vg=d2E2=d2σtϵ0=d2d2+2d1ϵγVin=ϵγd2ϵγd2+2d1Vin=αVin]]>其中d2比d1大得多，所以α約等于1。
從等式7可以看出，幾乎所有的外部施加電壓Vin都施加到了放電空間。
下面，將參考圖5來計(jì)算當(dāng)利用施加的電壓Vin形成壁電荷σw時(shí)放電空間的內(nèi)部電壓Vg’。在圖5中，因?yàn)樵诒陔姾傻男纬蛇^程中電源向電極提供電荷以維持電極電勢(shì)基本上恒定，所以加到電極的電荷增加到σ1’。
參考圖5，通過高斯面選擇區(qū)域A和B。對(duì)區(qū)域A和B運(yùn)用高斯定理導(dǎo)出等式8和9，如下所示，等式8和9分別決定介質(zhì)20和30中的電場(chǎng)E1和放電空間中的電場(chǎng)E2。
等式8E1=σt′ϵγϵ0]]>等式9E2=(σt′-σw)ϵ0]]>因?yàn)?d1E1+d2E2＝Vin和Vg’＝d2E2，如下所示，可從等式8和9導(dǎo)出等式10和11。
等式10σt′=Vm+d2ϵ0σwd2ϵ0+2d1ϵγϵ0=Vind2ϵ0+2d1ϵγϵ0+ασw=ϵ0d2Vg+ασw]]>等式11Vg′=d2E2=d2σt′-σwϵ0=Vg+d2ϵ0ασw-d2ϵ0σw=Vg-d2ϵ0σw(1-α)]]>從等式11可以看出，當(dāng)施加電壓Vin時(shí)，α約等于1，并且產(chǎn)生一個(gè)可忽略的電壓降。
接下來參考圖6來計(jì)算施加電壓Vin后壁電荷σw形成且電極浮動(dòng)時(shí)放電空間的內(nèi)部電壓Vg’。在圖6中，因?yàn)樵诒陔姾傻男纬善陂g，沒有電荷從電源Vin加到電極上，施加到電極上的電荷變?yōu)棣襱。
參考圖6，通過高斯面選擇區(qū)域A和B。對(duì)區(qū)域A和B運(yùn)用高斯定理來導(dǎo)出等式2和12，如下所示，等式2和12分別決定電介質(zhì)中的電場(chǎng)E1和放電空間的電場(chǎng)E2。
等式12E2=(σt-σw)ϵ0]]>因?yàn)閂g’＝d2E2，等式12可寫為下面等式13所示的形式.
等式13Vg′=d2E2=d2σt-σwϵ0=Vg-d2ϵ0σw]]>從等式13可以看出，當(dāng)不施加電壓Vin時(shí)(即當(dāng)電極處于浮動(dòng)狀態(tài)時(shí))，由于壁電荷的影響，產(chǎn)生了一個(gè)高的電壓降。也就是說，等式11和等式13表明，當(dāng)電極浮動(dòng)時(shí)壁電荷引起的電壓降要比對(duì)電極施加電壓Vin時(shí)的電壓降大1/(1-α)倍。相應(yīng)地，當(dāng)電極處于浮動(dòng)狀態(tài)時(shí)附加地積累到電介質(zhì)上的少量壁電荷迅速地降低放電空間的內(nèi)部電壓并且以迅速放電淬滅機(jī)制起作用。
這一淬滅機(jī)制在本發(fā)明的實(shí)施例中用來精確地控制壁電荷。
接下來對(duì)依照本發(fā)明的第一個(gè)實(shí)施例的一種驅(qū)動(dòng)PDP的方法作出描述。
圖7是本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的PDP的示意圖。
本發(fā)明實(shí)施例中的PDP包括等離子體板100，控制器200，地址驅(qū)動(dòng)器300，X電極驅(qū)動(dòng)器400，和Y電極驅(qū)動(dòng)器500。
等離子體板100包括多個(gè)縱向排列的尋址電極A1到Am，和許多交替橫向排列的維持電極X1到Xn和掃描電極Y1到Y(jié)n。
控制器200接收外部的圖像信號(hào)并輸出地址驅(qū)動(dòng)控制信號(hào)210、X電極驅(qū)動(dòng)控制信號(hào)220和Y電極驅(qū)動(dòng)控制信號(hào)230。
尋址驅(qū)動(dòng)器300接收來自控制器200的地址驅(qū)動(dòng)控制信號(hào)210并對(duì)各個(gè)尋址電極施加一個(gè)用來選擇將顯示的放電單元的顯示數(shù)據(jù)信號(hào)。
X電極驅(qū)動(dòng)器400接收來自控制器200的X電極驅(qū)動(dòng)控制信號(hào)220并對(duì)X電極施加一個(gè)驅(qū)動(dòng)電壓。Y電極驅(qū)動(dòng)器500接收來自控制器200的Y電極驅(qū)動(dòng)控制信號(hào)230并對(duì)Y電極施加一個(gè)驅(qū)動(dòng)電壓。在復(fù)位間隔X電極驅(qū)動(dòng)器400或Y電極驅(qū)動(dòng)器500對(duì)X電極或Y電極施加一個(gè)預(yù)定的電壓來產(chǎn)生放電，然后浮動(dòng)各個(gè)電極。在維持間隔，X電極驅(qū)動(dòng)器400或Y電極驅(qū)動(dòng)器500也對(duì)X電極或Y電極施加一個(gè)維持電壓。
圖8A和8B是依照本發(fā)明第一個(gè)實(shí)施例的驅(qū)動(dòng)方法的復(fù)位波形圖。
如圖8A所示，依照本發(fā)明第一個(gè)實(shí)施例的復(fù)位波形，對(duì)Y電極施加電壓Vset，同時(shí)使X電極保持在地電壓來產(chǎn)生放電，然后浮動(dòng)Y電極。將施加電壓和浮動(dòng)電極的操作重復(fù)執(zhí)行一個(gè)預(yù)定的次數(shù)來驅(qū)動(dòng)Y電極。在這里，如圖8B所示，施加電壓的間隔ta比浮動(dòng)電極的間隔tf要短。
圖9示出了X電極和Y電極之間的電壓差Va、兩個(gè)電極的電介質(zhì)層上積累的壁電荷所引起的壁電壓Vw和如圖8A和8B所示當(dāng)重復(fù)施加電壓和浮動(dòng)電極的操作以驅(qū)動(dòng)Y電極時(shí)的放電電流Id。在接下來的描述中，因?yàn)樵诒景l(fā)明的第一實(shí)施例中，X電極電壓為地電壓，電壓Va將認(rèn)為是Y電極電壓。
參考圖9，當(dāng)大于放電激活電壓(discharge firing voltage)Vf的電壓Vset施加到Y(jié)電極來激發(fā)一次放電然后浮動(dòng)Y電極時(shí)，如先前所述，便積累了特定數(shù)量的壁電荷并且在放電空間中發(fā)生劇烈的放電淬滅。隨著放電空間放電的淬滅，Y電極電壓Va降低。接下來，給Y電極施加電壓Vset來產(chǎn)生第二次放電，然后浮動(dòng)Y電極，積累特定數(shù)量的壁電荷并且在放電空間發(fā)生劇烈的放電淬滅。將施加電壓和浮動(dòng)電極的操作重復(fù)執(zhí)行預(yù)定的次數(shù)。
從圖9可以看出，放電空間中的放電量(即放電電流的大小)慢慢地降低。這是因?yàn)樵诜烹娍臻g流動(dòng)的放電電流Id是與Y電極電壓Va和壁電壓Vw的差值成正比的。如圖9所示，隨著用來驅(qū)動(dòng)Y電極的施加電壓和浮動(dòng)電極步驟的重復(fù)執(zhí)行，兩電極的電介質(zhì)層上所積累的壁電荷引起的壁電壓Vw增加，于是Y電極電壓Va和壁電壓Vw的差值下降，因此放電電流Id下降。同時(shí)，壁電荷仍在積累直到施加到放電空間的電壓(即Va和Vw之間的電壓差)達(dá)到放電激活電壓Vf。
如上所述，本發(fā)明的第一個(gè)實(shí)施例當(dāng)中，通過給Y電極施加一個(gè)預(yù)定的電壓Vset然后浮動(dòng)Y電極來驅(qū)動(dòng)Y電極，在少量的壁電荷的情況下可迅速地淬滅放電。以這種方式，壁電荷能夠得到精確的控制。根據(jù)本發(fā)明的第一個(gè)實(shí)施例，為了控制壁電荷，施加電壓的時(shí)間ta不應(yīng)該長(zhǎng)到導(dǎo)致過分劇烈地放電。
此外，因?yàn)榈谝淮畏烹娛亲顒×业模景l(fā)明的第一個(gè)實(shí)施例能夠通過第二次放電穩(wěn)定地控制壁電荷。在本發(fā)明的實(shí)施例中，利用設(shè)置的電壓施加時(shí)間(即點(diǎn)亮?xí)r間)和浮動(dòng)時(shí)間(即熄滅時(shí)間)可以驅(qū)動(dòng)Y電極從而產(chǎn)生至少兩個(gè)放電時(shí)間。
接下來，對(duì)本發(fā)明第二個(gè)實(shí)施例的驅(qū)動(dòng)方法給予描述。
圖10是本發(fā)明第二個(gè)實(shí)施例實(shí)施復(fù)位方法的電路的示意圖。
參考圖10，可產(chǎn)生恒定電流的電流源I通過開關(guān)S1連接至一個(gè)板電容Cp。板電容Cp與兩個(gè)Y電極、X電極和尋址電極是等效的。當(dāng)開關(guān)閉合時(shí)施加到板電容Cp的一個(gè)電極上的電壓通過下面的等式給出等式14V＝±(I/Cx)·t其中Cx代表板電容Cp的電容量；符號(hào)(+)和(-)根據(jù)電流源提供的電流的方向決定。
從等式14可以看出，在本發(fā)明的第二個(gè)實(shí)施例中，提供給板電容Cp的是一個(gè)以斜率I/Cx上升的斜坡波形。
本發(fā)明第二實(shí)施例中的復(fù)位方法包括在一個(gè)預(yù)定時(shí)間期間給板電容的一個(gè)電極施加一個(gè)迅速上升和迅速下降的斜坡波形，從而在板電容間(即在兩個(gè)電極之間的放電空間)產(chǎn)生放電，然后浮動(dòng)板電容的一個(gè)電極來淬滅放電空間中的放電。
在圖10的等價(jià)電路中，與電流源I和開關(guān)S1相對(duì)應(yīng)的電路元件可以是圖7所示等離子體顯示板中的X電極驅(qū)動(dòng)器400、Y電極驅(qū)動(dòng)器500和尋址驅(qū)動(dòng)器300中的至少一個(gè)。圖10的等價(jià)電路中的電流I和開關(guān)S1的詳細(xì)電路對(duì)本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說是公知的，因而不再給以描述。
圖11是根據(jù)本發(fā)明第二個(gè)實(shí)施例的驅(qū)動(dòng)波形圖。參考圖11，復(fù)位間隔包括一個(gè)擦除間隔，一個(gè)Y上升斜坡/浮動(dòng)間隔，和一個(gè)Y下降斜坡/浮動(dòng)間隔。在下面對(duì)每個(gè)間隔給以簡(jiǎn)要描述。
(1) 擦除間隔在維持間隔完成以后，正(+)和負(fù)(-)電荷各自積累在X電極和Y電極的電介質(zhì)層上。在維持間隔后，將Y電極維持在一個(gè)預(yù)定的電壓(如地電壓)的同時(shí)，給X電極施加一個(gè)從0(V)上升到Ve(V)的斜坡電壓。于是積累在X電極和Y電極上的電介質(zhì)上的壁電荷被慢慢地擦除。
(2) Y上升斜坡/浮動(dòng)間隔在將尋址電極和X電極維持在0V時(shí)，用于重復(fù)執(zhí)行使斜坡從Vs上升到Vset然后浮動(dòng)Y電極的過程的一個(gè)上升斜坡/浮動(dòng)電壓被施加到Y(jié)電極。當(dāng)將迅速上升的斜坡電壓施加到Y(jié)電極時(shí)，在所有的放電單元發(fā)生復(fù)位放電來積累壁電荷，當(dāng)浮動(dòng)Y電極時(shí)，放電空間的放電迅速淬滅。
(3) Y下降斜坡/浮動(dòng)間隔將X電極維持在一個(gè)恒定電壓Ve，對(duì)Y電極施加一個(gè)用于重復(fù)執(zhí)行使斜坡從Vs下降到V0然后浮動(dòng)Y電極的過程的一個(gè)下降斜坡/浮動(dòng)電壓。
圖12A是圖11中復(fù)位間隔的區(qū)域II放大后的圖形，例如Y上升斜坡/浮動(dòng)間隔和Y下降斜坡/浮動(dòng)間隔；圖12B和圖12C分別是圖12A中的區(qū)域b和c放大后的圖形。
在圖12B和12C中，給Y電極施加上升的斜坡電壓的時(shí)間tr_a和給Y電極施加下降的斜坡電壓的時(shí)間tf_a最好分別少于Y電極的浮動(dòng)時(shí)間tr_f和tf_f。當(dāng)隨時(shí)間變化的電壓提供給Y電極(即板電容)時(shí)，在放電空間中提供電荷，從而更少地使存儲(chǔ)的壁電荷淬滅。因此，比較理想的是將具有陡的斜坡的隨著時(shí)間變化的電壓施加到電極上。
在第二個(gè)實(shí)施例中，隨時(shí)間而變化的電壓的斜率大于10V/μsec.c。
圖13A示出了本發(fā)明第二實(shí)施例的X和Y電極之間的電壓差Va、兩個(gè)電極的電介質(zhì)層上積累的壁電荷引起的壁電壓Vw、和在Y上升斜坡/浮動(dòng)間隔的放電電流Id。在接下來的描述中，為了示例的目的，電壓Va將認(rèn)為是本發(fā)明的第二實(shí)施例中的Y電極的電壓，因?yàn)樵赮上升斜坡/浮動(dòng)期間，X電極電壓是地電壓。
如圖13A所示，當(dāng)一個(gè)超過放電激活電壓Vf的斜坡電壓施加到Y(jié)電極上以產(chǎn)生一次放電然后浮動(dòng)Y電極時(shí)，就會(huì)如前所述積累特定數(shù)量的壁電荷并在放電空間導(dǎo)致劇烈放電的淬滅。隨著放電空間放電的淬滅，Y電極電壓Va下降。接下來，斜坡電壓第二次施加到Y(jié)電極，然后浮動(dòng)Y電極，就會(huì)積累特定數(shù)量的壁電荷并在放電空間導(dǎo)致劇烈放電的淬滅。將施加電壓和浮動(dòng)電極的操作重復(fù)執(zhí)行預(yù)定的次數(shù)。
從圖13A可以看出，第二實(shí)施例中放電空間的放電量(即放電電流的大小)要比第一實(shí)施例中的穩(wěn)定。這是因?yàn)槭┘拥結(jié)電極上的電壓Va和積累在形成于兩個(gè)電極的電介質(zhì)上的壁電荷引起的壁電壓Vw隨著施加電壓和浮動(dòng)電極步驟的重復(fù)而增加，因而使Y電極電壓Va和壁電壓Vw之間的差值和第一實(shí)施例的相比更穩(wěn)定。
相應(yīng)地，本發(fā)明第二實(shí)施例的復(fù)位方法與本發(fā)明第一實(shí)施例相比能更精確地控制壁電荷。
圖13B示出了本發(fā)明第二實(shí)施例中的X電極電壓Vx、Y電極電壓Vy、積累在兩個(gè)電極的電介質(zhì)層的壁電荷所引起的壁電壓Vw、和在Y下降斜坡/浮動(dòng)間隔的放電電流Id。在Y下降斜坡/浮動(dòng)間隔，一個(gè)高于Y電極電壓的偏壓Vx被施加到X電極。
如圖13B所示，一個(gè)迅速下降的斜坡電壓被施加到Y(jié)電極以產(chǎn)生一次放電，以致X電極電壓Vx和Y電極電壓Vy的差值超過放電激活電壓Vf，然后浮動(dòng)Y電極來減少先前積累的壁電荷，并在放電空間導(dǎo)致劇烈放電的淬滅。Y電極電壓Vy隨著放電空間放電的淬滅而增加。接下來，一個(gè)下降的斜坡電壓被施加到Y(jié)電極以產(chǎn)生一次放電，然后浮動(dòng)Y電極，使壁電荷進(jìn)一步減少，并在放電空間導(dǎo)致一次劇烈放電的淬滅。隨著施加電壓和浮動(dòng)電極步驟被重復(fù)執(zhí)行預(yù)定的次數(shù)，如圖13B所示，將在形成于X和Y電極的電介質(zhì)層上積累預(yù)定數(shù)量的壁電荷。
相應(yīng)地，和本發(fā)明第二實(shí)施例相同，通過重復(fù)地執(zhí)行施加電壓和浮動(dòng)電極步驟，能夠?qū)呻姌O上形成的電介質(zhì)層上所積累的壁電荷控制在一個(gè)期望的狀態(tài)。
如上所述，本發(fā)明實(shí)施例的復(fù)位方法通過施加電壓然后浮動(dòng)該電極來控制積累在電極的電介質(zhì)層上的壁電荷。下面將描述本發(fā)明有代表性的優(yōu)點(diǎn)。
常用的復(fù)位方法是一種反饋方法，其主要是施加一電壓來產(chǎn)生放電從而積累壁電荷，并且當(dāng)壁電荷積累得足夠的時(shí)候降低內(nèi)部電壓，淬滅放電。相對(duì)照地，本發(fā)明實(shí)施例中的使用電極浮動(dòng)狀態(tài)的復(fù)位方法是一個(gè)更為有效的反饋方法，其利用通過浮動(dòng)電極積累的少量壁電荷來迅速降低內(nèi)部電壓，從而使放電淬滅。也就是說，與常用的方法相比，本發(fā)明使用少得多的積累壁電荷來使放電淬滅，從而能夠?qū)Ρ陔姾蛇M(jìn)行精確的控制。
常用的施加一斜坡電壓的復(fù)位方法以穩(wěn)定的電壓變化緩慢地增加施加到放電空間的電壓，來阻止劇烈的放電并控制壁電荷。這一使用斜坡電壓的常規(guī)方法通過斜坡電壓的斜率來控制放電的強(qiáng)度，而且需要一個(gè)斜坡電壓斜率的限制條件來控制壁電荷，從而在復(fù)位操作上花費(fèi)太多的時(shí)間。相對(duì)照地，本發(fā)明實(shí)施例中使用浮動(dòng)狀態(tài)的復(fù)位方法通過采用基于壁電荷的電壓降來控制放電強(qiáng)度，從而減少了需要的時(shí)間。
本發(fā)明已經(jīng)描述的內(nèi)容被認(rèn)為是最實(shí)用的和最優(yōu)的實(shí)施例，可以理解的是本發(fā)明不限于公開的實(shí)施例，而是正相反，它將覆蓋包括在權(quán)利要求的構(gòu)思和范圍之內(nèi)的各種修改和等價(jià)的變換。
例如，盡管在本發(fā)明的實(shí)施例中通過浮動(dòng)Y電極來使放電淬滅，也可浮動(dòng)任何其它的電極。此外，在本發(fā)明的實(shí)施例中使用的是上升/下降斜坡波形，但也可使用任何其它的上升/下降波形。
如上所述，本發(fā)明能夠精確地控制壁電荷并縮短復(fù)位間隔所需要的時(shí)間。
權(quán)利要求
1.一種驅(qū)動(dòng)等離子體顯示板的方法，所述顯示板包括由第一電極和第二電極所限定的第一空間，所述方法包括在第一電極和第二電極間施加一電壓以使第一空間放電，和在施加第一電壓之后浮動(dòng)第一電極。
2.如權(quán)利要求1所述的方法，進(jìn)一步包括當(dāng)?shù)谝浑姌O處于浮動(dòng)狀態(tài)時(shí)或者維持施加到第二電極上的電壓或者浮動(dòng)第二電極。
3.如權(quán)利要求1所述的方法，其中驅(qū)動(dòng)方法在復(fù)位間隔執(zhí)行。
4.如權(quán)利要求3所述的方法，其中第一電極是一個(gè)掃描電極，第二電極是一個(gè)維持電極。
5.如權(quán)利要求4所述的方法，其中加壓步驟和浮動(dòng)步驟中的每一個(gè)都包括將維持電極偏壓到一個(gè)預(yù)定的電壓。
6.如權(quán)利要求1所述的方法，其中浮動(dòng)第一電極的間隔比給第一電極施加電壓的間隔長(zhǎng)。
7.如權(quán)利要求1所述的方法，進(jìn)一步包括將施壓步驟和浮動(dòng)步驟重復(fù)預(yù)定的次數(shù)。
8.如權(quán)利要求7所述的方法，其中電壓為一預(yù)定電壓。
9.如權(quán)利要求7所述的方法，其中電壓是一個(gè)隨時(shí)間變化的電壓。
10.如權(quán)利要求9所述的方法，隨時(shí)間而變化的電壓的斜率大于10V/μsec。
11.如權(quán)利要求9所述的方法，其中電壓是上升的斜坡電壓。
12.如權(quán)利要求9所述的方法，其中電壓是下降的斜坡電壓。
13.如權(quán)利要求7所述的方法，其中第n次施加電壓時(shí)在第一空間流動(dòng)的放電電流比第n+1次施加電壓時(shí)在第一空間流動(dòng)的放電電流大。
14.一種驅(qū)動(dòng)等離子體顯示板的方法，所述顯示板包括由第一電極和第二電極所限定的第一空間，所述方法包括在復(fù)位間隔，給第一電極施加一個(gè)上升電壓使第一空間放電；在給第一電極施加上升電壓后，浮動(dòng)第一電極；給第一電極施加一個(gè)下降電壓使第一空間放電；和在給第一電極施加下降電壓后，浮動(dòng)第一電極。
15.如權(quán)利要求14所述的方法，進(jìn)一步包括當(dāng)浮動(dòng)第一電極時(shí)或者維持施加到第二電極上的電壓或者浮動(dòng)第二電極。
16.如權(quán)利要求14所述的方法，其中第一電極是一個(gè)掃描電極，第二電極是一個(gè)維持電極。
17.如權(quán)利要求14所述的方法，進(jìn)一步包括將上升電壓施加步驟和浮動(dòng)步驟重復(fù)預(yù)定的次數(shù)。
18.如權(quán)利要求13所述的方法，進(jìn)一步包括將下降電壓施加步驟和浮動(dòng)步驟重復(fù)預(yù)定的次數(shù)。
19.一種驅(qū)動(dòng)等離子體顯示板的方法，所述顯示板包括由第一電極和第二電極所限定的第一空間，所述方法包括在復(fù)位間隔，在第一空間執(zhí)行第一放電以在形成于第一電極和第二電極中的至少一個(gè)上的電介質(zhì)上積累壁電荷；使第一放電淬滅；在第一空間執(zhí)行第二放電以在形成于第一電極和第二電極中的至少一個(gè)上的電介質(zhì)上積累壁電荷；使第二放電淬滅。
20.如權(quán)利要求19所述的方法，其中第一次放電的放電量比第二次放電的放電量大。
21.如權(quán)利要求19所述的方法，進(jìn)一步包括重復(fù)第二放電步驟和第二淬滅步驟直到壁電壓達(dá)到第一壁電壓為止，所述壁電壓基于積累在形成于第一電極和第二電極中的至少一個(gè)上的電介質(zhì)上的壁電荷。
22.如權(quán)利要求21所述的方法，其中第一壁電壓小于或等于第一電極電壓與第二電極電壓的電壓之間的差電壓減去放電激活電壓。
23.如權(quán)利要求19所述的方法，其中在第一放電淬滅步驟和第二放電淬滅步驟中沒有積累壁電荷。
24.如權(quán)利要求19所述的方法，其中在第一放電淬滅步驟和第二放電淬滅步驟中浮動(dòng)第一電極。
25.一種驅(qū)動(dòng)等離子體顯示板的方法，所述顯示板包括由第一電極和第二電極限定的第一空間，所述方法包括在復(fù)位間隔，在第一空間執(zhí)行第一放電以減少在第一電極和第二電極中的至少一個(gè)上形成的電介質(zhì)上積累的壁電荷；使第一放電淬滅；在第一空間執(zhí)行第二放電以減少在第一電極和第二電極中的至少一個(gè)上形成的電介質(zhì)上積累的壁電荷；使第二放電淬滅。
26.如權(quán)利要求25所述的方法，進(jìn)一步包括將第二放電步驟和使第二放電淬滅的步驟重復(fù)預(yù)定的次數(shù)。
27.如權(quán)利要求26所述的方法，其中使第一放電淬滅的步驟和使第二放電淬滅的步驟都包括浮動(dòng)第一電極。
28.一種等離子體顯示板，包括第一電極和第二電極；由第一電極和第二電極限定的第一空間；和在復(fù)位間隔發(fā)送一個(gè)驅(qū)動(dòng)信號(hào)給第一電極和第二電極的一個(gè)驅(qū)動(dòng)電路，所述驅(qū)動(dòng)電路給第一電極施加一個(gè)電壓來使第一空間放電，然后浮動(dòng)第一電極。
29.如權(quán)利要求28所述的等離子體顯示板，其中第一電極是一個(gè)掃描電極，第二電極是一個(gè)維持電極。
30.如權(quán)利要求28所述的等離子體顯示板，其中所述驅(qū)動(dòng)電路驅(qū)動(dòng)第一電極使第一電極浮動(dòng)的間隔比給第一電極施加電壓的間隔長(zhǎng)。
31.如權(quán)利要求28所述的等離子體顯示板，其中驅(qū)動(dòng)電路驅(qū)動(dòng)第一電極，從而使施加電壓和浮動(dòng)第一電極重復(fù)預(yù)定的次數(shù)。
32.如權(quán)利要求31所述的等離子體顯示板，其中第n次施加電壓時(shí)在第一空間流動(dòng)的放電電流比第n+1次施加電壓時(shí)在第一空間流動(dòng)的放電電流大。
33.如權(quán)利要求28所述的等離子體顯示板，其中驅(qū)動(dòng)電路包括一供電電壓；和連接在供電電壓和第一電極之間的開關(guān)。
34.如權(quán)利要求28所述的等離子體顯示板，其中驅(qū)動(dòng)電路包括一電流源；和連接在電流源和第一電極之間的開關(guān)。
35.一種等離子體顯示板，包括第一基板和第二基板；平行地形成在第一基板上的第一電極和第二電極；形成在第二基板上的尋址電極；由第一電極和第二電極限定的第一空間；和驅(qū)動(dòng)電路，其在復(fù)位間隔、尋址間隔和維持間隔發(fā)送驅(qū)動(dòng)信號(hào)給第一電極、第二電極和尋址電極，在復(fù)位間隔，所述驅(qū)動(dòng)電路為第一電極提供電壓來使第一空間放電，然后浮動(dòng)第一電極。
36.如權(quán)利要求35所述的等離子體顯示板，其中驅(qū)動(dòng)電路驅(qū)動(dòng)第一電極，從而使施加上升電壓和浮動(dòng)第一電極重復(fù)預(yù)定的次數(shù)。
37.如權(quán)利要求35所述的等離子體顯示板，其中驅(qū)動(dòng)電路附加地給第一電極施加一個(gè)下降電壓以使第一空間放電然后浮動(dòng)第一電極。
38.如權(quán)利要求37所述的等離子體顯示板，其中驅(qū)動(dòng)電路驅(qū)動(dòng)第一電極，從而使施加下降電壓和浮動(dòng)第一電極重復(fù)預(yù)定的次數(shù)。
39.如權(quán)利要求35所述的等離子體顯示板，其中驅(qū)動(dòng)電路包括一個(gè)電流源；和連接在電流源和第一電極之間的開關(guān)。
40.一種等離子體顯示板，包括第一基板和第二基板；平行地形成在第一基板上的第一電極和第二電極；形成在第二基板上的尋址電極；由第一電極和第二電極限定的第一空間；和驅(qū)動(dòng)電路，其在復(fù)位間隔、尋址間隔和維持間隔給第一電極、第二電極和尋址電極發(fā)送驅(qū)動(dòng)信號(hào)，在復(fù)位間隔，所述驅(qū)動(dòng)電路為第一電極提供下降電壓來使第一空間放電，然后浮動(dòng)第一電極。
41.如權(quán)利要求40所述的等離子體顯示板，其中驅(qū)動(dòng)電路驅(qū)動(dòng)第一電極，從而使施加下降電壓和浮動(dòng)第一電極重復(fù)預(yù)定的次數(shù)。
42.如權(quán)利要求40所述的等離子體顯示板，其中驅(qū)動(dòng)電路包括一電流源；和連接在電流源和第一電極之間的開關(guān)。
全文摘要
公開的是一個(gè)等離子體顯示板的復(fù)位波形。在復(fù)位間隔，快速地施加一個(gè)上升或下降的電壓來產(chǎn)生一個(gè)劇烈的放電。然后浮動(dòng)電極來降低放電期間施加在放電空間的電壓，使放電自發(fā)地淬滅，從而精確地控制壁電荷。
文檔編號(hào)G09G3/296GK1591544SQ200410079429
公開日2005年3月9日 申請(qǐng)日期2004年5月14日 優(yōu)先權(quán)日2003年5月14日
發(fā)明者鄭宇埈, 金鎮(zhèn)成, 姜京湖, 蔡升勛 申請(qǐng)人:三星Sdi株式會(huì)社