專利名稱：液晶顯示裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種液晶顯示裝置，特別是涉及為了確保中間隔著液晶相對(duì)配置的各個(gè)基板的間隙而形成的所謂的支柱狀間隔物。
背景技術(shù)：
已知有這樣的液晶顯示裝置為了確保中間隔著液晶相對(duì)配置的各個(gè)基板的間隙，使間隔物介于它們之間，作為該間隔物，使用例如，被叫做支柱狀間隔物的間隔物。
即，在各基板之中的一方的基板的液晶側(cè)的面上形成由例如樹(shù)脂構(gòu)成的層，并用選擇刻蝕法形成該層。因此，具有這樣的優(yōu)點(diǎn)在基板之間，可以只在必要的部位形成必要的個(gè)數(shù)的該支柱狀間隔物。
但是，這樣構(gòu)成的液晶顯示裝置，由于在該支柱狀間隔物和與該間隔物接觸的另一方的基板之間的摩擦阻力變大，故在另一方的基板相對(duì)于一方的基板，在其面方向上產(chǎn)生了偏移的情況下，該偏移不會(huì)復(fù)原，有時(shí)會(huì)產(chǎn)生因上側(cè)基板的像素區(qū)域和下側(cè)基板的像素區(qū)域的偏移而導(dǎo)致的亮度不均。
此外，在日本公開(kāi)特許公報(bào)2003-131238號(hào)中，公開(kāi)了作為制造工序中的支柱狀間隔物的狀態(tài)具有不同的高度的例子。
但是，這樣構(gòu)成的液晶顯示裝置，存在著必須形成高度不同的各支柱狀間隔物，并且精度波動(dòng)大的缺點(diǎn)。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明就是基于這樣的情況完成的。其優(yōu)點(diǎn)在于提供例如不會(huì)增大制造工序，且可以應(yīng)對(duì)基板的橫向偏移和過(guò)剩的壓力的液晶顯示裝置。
以下簡(jiǎn)單地說(shuō)明在本申請(qǐng)的發(fā)明之中有代表性的發(fā)明的概要。
(1)本發(fā)明的液晶顯示裝置，其特征在于例如，包括形成在中間隔著液晶相對(duì)配置的一對(duì)基板之中的一方的基板的液晶側(cè)的面上的、高度大體相等的支柱狀間隔物，該支柱狀間隔物包括與另一方的基板的液晶側(cè)的面接觸的間隔物和不接觸的間隔物。
(2)本發(fā)明的液晶顯示裝置，其特征在于例如，包括形成在中間隔著液晶相對(duì)配置的一對(duì)基板之中的一方的基板的液晶側(cè)的面上的、高度大體相等的支柱狀間隔物，該支柱狀間隔物包括與另一方的基板的液晶側(cè)的面接觸的間隔物和不接觸的間隔物，上述與另一方的基板的液晶側(cè)的面接觸的各支柱狀間隔物，配置成在其周圍具有未與上述另一方的基板接觸的支柱狀間隔物。
(3)本發(fā)明的液晶顯示裝置，其特征在于例如，包括形成在中間隔著液晶相對(duì)配置的一對(duì)基板之中的一方的基板的液晶側(cè)的面上的支柱狀間隔物，該支柱狀間隔物包括第1支柱狀間隔物和第2支柱狀間隔物，第1支柱狀間隔物所接觸的另一方的基板的液晶側(cè)的面為凸起形狀。
(4)本發(fā)明的液晶顯示裝置，其特征在于例如，包括形成在中間隔著液晶相對(duì)配置的一對(duì)基板之中的一方的基板的液晶側(cè)的面上的支柱狀間隔物，該支柱狀間隔物包括第1支柱狀間隔物和第2支柱狀間隔物，另一方的基板的與上述第1支柱狀間隔物相對(duì)的部分高于與第2支柱狀間隔物相對(duì)的部分。
(5)本發(fā)明的液晶顯示裝置，例如以(3)的結(jié)構(gòu)為前提，其特征在于第1支柱狀間隔物所接觸的另一方的基板的液晶側(cè)的面的凸起形狀，中間隔著一層具有厚度的材料地形成在絕緣膜的下層。
(6)本發(fā)明的液晶顯示裝置，例如以(4)的結(jié)構(gòu)為前提，其特征在于上述另一方的基板與上述第1支柱狀間隔物相對(duì)的部分，中間隔著一層具有厚度的材料地形成在絕緣膜的下層。
(7)本發(fā)明的液晶顯示裝置，例如，包括形成在中間隔著液晶相對(duì)配置的一對(duì)基板之中的一方的基板的液晶側(cè)的面上的支柱狀間隔物，其特征在于該支柱狀間隔物包括第1支柱狀間隔物和第2支柱狀間隔物，另一方的基板的與第2支柱狀間隔物相對(duì)的面為凹陷形狀。
(8)本發(fā)明的液晶顯示裝置，例如以(3)的結(jié)構(gòu)為前提，其特征在于每個(gè)第1支柱狀間隔物都配置為在其周圍具有第2支柱狀間隔物。
(9)本發(fā)明的液晶顯示裝置，例如以(4)的結(jié)構(gòu)為前提，其特征在于每個(gè)第1支柱狀間隔物都配置為在其周圍具有第2支柱狀間隔物。
(10)本發(fā)明的液晶顯示裝置，例如，在中間隔著液晶相對(duì)配置的一對(duì)基板之中的一方的基板上，在其各像素上至少包括薄膜晶體管，對(duì)于多個(gè)相鄰的像素，至少以一個(gè)像素的比例，在該像素的一部分上形成平面性地與上述薄膜晶體管的半導(dǎo)體層分開(kāi)的另一半導(dǎo)體層，具有在另一方的基板上形成的支柱狀間隔物，該支柱狀間隔物包括與上述另一半導(dǎo)體層相對(duì)配置的支柱狀間隔物和分開(kāi)配置的支柱狀間隔物。
(11)本發(fā)明的液晶顯示裝置，例如，以(10)的結(jié)構(gòu)為前提，其特征在于上述另一半導(dǎo)體層形成在驅(qū)動(dòng)各像素的薄膜晶體管的柵極信號(hào)線的上方。
(12)本發(fā)明的液晶顯示裝置，例如，以(10)的結(jié)構(gòu)為前提，其特征在于各支柱狀間隔物高度大體相等。
(13)本發(fā)明的液晶顯示裝置，例如，以(10)的結(jié)構(gòu)為前提，其特征在于上述另一半導(dǎo)體層與薄膜晶體管的半導(dǎo)體層在同一步驟中形成。
(14)本發(fā)明的液晶顯示裝置，例如，以(10)的結(jié)構(gòu)為前提，其特征在于上述另一半導(dǎo)體層與薄膜晶體管的半導(dǎo)體層為同一層。
(15)本發(fā)明的液晶顯示裝置，例如，以(10)的結(jié)構(gòu)為前提，其特征在于在該支柱狀間隔物之中的與上述半導(dǎo)體層分開(kāi)配置的間隔物的直徑大于與上述半導(dǎo)體層相對(duì)配置的間隔物的直徑。
(16)本發(fā)明的液晶顯示裝置，例如，以(4)的結(jié)構(gòu)為前提，其特征在于上述另一方的基板的與上述第1支柱狀間隔物相對(duì)的部分和與第2支柱狀間隔物相對(duì)的部分的高度差為0.06μm～0.18μm。
(17)本發(fā)明的液晶顯示裝置，例如，以(10)的結(jié)構(gòu)為前提，其特征在于上述另一方的基板的形成了上述另一半導(dǎo)體層的部分和未形成上述另一半導(dǎo)體層的部分的高度差為0.06μm～0.18μm。
另外，本發(fā)明并不限于以上的結(jié)構(gòu)，在不背離本發(fā)明技術(shù)思想的范圍內(nèi)可以進(jìn)行種種的變形。
在這樣構(gòu)成的液晶顯示裝置中，相對(duì)于形成了支柱狀間隔物的一方的基板，具有未形成支柱狀間隔物的另一方的基板，并且，在支柱狀間隔物中混合存在著與另一方的基板接觸的支柱狀間隔物和不接觸的支柱狀間隔物，因此對(duì)于另一方的基板相對(duì)于一方的基板在平面方向的偏移，可以大幅度地減少摩擦阻力。
為此，即便產(chǎn)生了上述偏移，另一方的基板也易于返回到原來(lái)的位置，可以避免因保持偏移的狀態(tài)不變而產(chǎn)生亮度不均。
此外，在另一方的基板與一方的基板之間產(chǎn)生了過(guò)度的壓力的情況下，之前未與另一方的基板接觸的支柱狀間隔物與另一方的基板接觸，可以充分地承受過(guò)度的壓力，確保兩個(gè)基板的間隙。
此外，由于可以使各支柱狀間隔物的高度形成得大體上相同，故不會(huì)招致制造工序的增大。


圖1是表示本發(fā)明的液晶顯示裝置的像素的結(jié)構(gòu)的實(shí)施例的平面圖。
圖2是圖1的II-II線處的剖面圖。
圖3是表示本發(fā)明的液晶顯示裝置的像素的結(jié)構(gòu)的實(shí)施例的平面圖。
圖4是圖3的IV-IV線處的剖面圖。
圖5是表示本發(fā)明的液晶顯示裝置的像素的結(jié)構(gòu)的實(shí)施例的平面圖。
具體實(shí)施例方式
以下，用

本發(fā)明的液晶顯示裝置的實(shí)施例。
圖1是表示本發(fā)明的液晶顯示裝置的一個(gè)實(shí)施例的顯示部的主要部分結(jié)構(gòu)圖，是示出了中間隔著液晶相對(duì)配置的一對(duì)基板之中的一方的基板的液晶側(cè)的面的結(jié)構(gòu)的圖。此外，圖2示出了圖1的II-II線處的剖面圖。
在上述一方的基板SUB1的液晶側(cè)的面上，首先，形成在x方向上延伸、在y方向并列設(shè)置的柵極信號(hào)線GL。
這些柵極信號(hào)線GL，與后述的漏極信號(hào)線一起，圍成矩形形狀的區(qū)域，把該區(qū)域構(gòu)成為像素區(qū)域。
此外，在各柵極信號(hào)線GL之間的區(qū)域上，形成有與該柵極信號(hào)線GL平行配置的相對(duì)電壓信號(hào)線CL。該相對(duì)電壓信號(hào)線CL連接到后述的對(duì)置電極CT，通過(guò)該相對(duì)電壓信號(hào)線CL給該對(duì)置電極CT施加基準(zhǔn)電壓信號(hào)(相對(duì)于圖像信號(hào)成為基準(zhǔn))。
在象這樣地形成了柵極信號(hào)線GL和相對(duì)電壓信號(hào)線CL的基板SUB1的表面上，將該柵極信號(hào)線GL和相對(duì)電壓信號(hào)線CL也覆蓋地形成有由例如SiN構(gòu)成的絕緣膜GI。
該絕緣膜GI，在后述的漏極信號(hào)線DL的形成區(qū)域中，具有作為上述柵極信號(hào)線GL和相對(duì)電壓信號(hào)線CL的層間絕緣膜的功能，在后述的薄膜晶體管TFT的形成區(qū)域中，具有作為其柵極絕緣膜的功能，在后述的電容元件Cstg的形成區(qū)域中，具有作為其電介質(zhì)膜的功能。
此外，在該絕緣膜GI的表面，與上述柵極信號(hào)線GL的一部分重疊地形成有例如由非晶硅構(gòu)成的半導(dǎo)體層AS。
該半導(dǎo)體層AS，是薄膜晶體管TFT的半導(dǎo)體層，在其上面形成漏極電極SD1和源極電極SD2，由此，可以構(gòu)成以柵極信號(hào)線GL的一部分為柵極電極的逆交錯(cuò)(stagger)構(gòu)造的MIS型晶體管。
在這里，上述漏極電極SD1和源極電極SD2可在形成漏極信號(hào)線DL時(shí)同時(shí)形成。
就是說(shuō)，形成在y方向上延伸、在x方向上并列設(shè)置的漏極信號(hào)線DL，其一部分一直延伸到上述半導(dǎo)體層AS的上面，形成漏極電極SD1，此外，與該漏極電極SD1恰好分開(kāi)一個(gè)薄膜晶體管TFT的溝道長(zhǎng)度地形成源極電極SD2。
該源極電極SD2形成為從半導(dǎo)體層AS開(kāi)始向像素內(nèi)延伸，進(jìn)而，在y方向上橫穿該像素的中央部地進(jìn)行延伸。該延伸部起著像素電極PX的作用，因此，與后述的對(duì)置電極CT之間產(chǎn)生電場(chǎng)，由該電場(chǎng)控制液晶的透射率。
通過(guò)形成該像素電極PX，該像素電極PX變成中間隔著絕緣膜地與對(duì)置電極CL重疊，在它們之間形成以上述絕緣膜GI為電介質(zhì)膜的電容元件Cstg。該電容元件Cstg具有使提供給像素電極PX的圖像信號(hào)存儲(chǔ)得比較長(zhǎng)等功能。
另外，在上述的說(shuō)明中，上述半導(dǎo)體層AS形成在薄膜晶體管TFT的形成區(qū)域內(nèi)，但是，在本實(shí)施例中，在薄膜晶體管TFT的形成區(qū)域以外的區(qū)域、也是柵極信號(hào)線GL的上方，在形成上述半導(dǎo)體層AS時(shí)，同時(shí)形成半導(dǎo)體層ASI。
在該情況下，半導(dǎo)體層ASI，并不是在每個(gè)像素上都形成，而是對(duì)于由彼此相鄰的像素構(gòu)成的多個(gè)像素群，以例如1個(gè)的比率形成。該半導(dǎo)體層ASI，就如在后面的說(shuō)明中弄明白的那樣，具有用來(lái)在形成了該半導(dǎo)體層ASI的部分中，使與液晶接觸的最上層的高度形成得比別的部分高的“拔高”的作用，其效果將在后邊講述。
在象這樣地形成了薄膜晶體管TFT、漏極信號(hào)線DL、漏極電極SD1和源極電極SD2的透明基板SUB1的表面上，形成有由例如SiN構(gòu)成的保護(hù)膜PAS。該保護(hù)膜PAS是避免薄膜晶體管TFT與液晶直接接觸的膜，可以防止該薄膜晶體管TFT的特性劣化。
另外，作為上述保護(hù)膜PAS，也可以用由例如樹(shù)脂構(gòu)成的有機(jī)材料層、或者無(wú)機(jī)材料層和有機(jī)材料層的疊層體構(gòu)成。
另外，在該保護(hù)膜PAS的上面，形成有對(duì)置電極CT。該對(duì)置電極CT，基本上只要相對(duì)于上述像素電極PX的長(zhǎng)邊方向形成在左右就具有其功能，在本實(shí)施例中，形成為充分地把漏極信號(hào)線DL和柵極信號(hào)線GL覆蓋起來(lái)。換句話說(shuō)，在形成于顯示部(用各像素的集合形成的區(qū)域部分)的整個(gè)區(qū)域上的導(dǎo)電層上，形成有在留存了各像素區(qū)域的周邊的中央部形成了開(kāi)口的圖形。這是因?yàn)橐箒?lái)自漏極信號(hào)線DL和柵極信號(hào)線GL的信號(hào)電場(chǎng)在對(duì)置電極上終結(jié)，而不到達(dá)像素電極PX的緣故。
作為該對(duì)置電極CT的材料，由例如ITO(氧化銦錫)、ITZO(氧化銦錫鋅)、IZO(氧化銦鋅)、SnO2(氧化錫)、In2O3(氧化銦)等透光性的導(dǎo)電材料構(gòu)成，有助于提高像素的開(kāi)口率。
另外，在象這樣地形成了對(duì)置電極CT的透明基板SUB1的上面把該對(duì)置電極CT也覆蓋起來(lái)地形成有取向膜AL。該取向膜AL是與液晶LC直接接觸的膜，借助于在其表面產(chǎn)生的摩擦確定該液晶LC的分子的初始取向方向。
圖2示出了圖1的II-II線處的剖面圖，也示出了中間隔著液晶LC與上述基板SUB1相對(duì)的基板SUB2。
在基板SUB1的表面，除了用于上述薄膜晶體管TFT的半導(dǎo)體層AS之外，還與相對(duì)電壓信號(hào)線CL、絕緣膜GI、保護(hù)膜PAS等一起示出了個(gè)別地形成的半導(dǎo)體層ASI。借助于該半導(dǎo)體層ASI的形成，與該部分中的液晶LC接觸的面，與其它的部分相比，形成得高出與其膜厚的量對(duì)應(yīng)的高度。
另一方面，在基板SUB2的液晶側(cè)的面上，形成有例如黑色矩陣BM，使得與上述柵極信號(hào)線GL相對(duì)。該黑色矩陣BM是為了實(shí)現(xiàn)顯示的對(duì)比度的提高而設(shè)置的。
另外，該黑色矩陣BM形成得把基板SUB1側(cè)的薄膜晶體管TFT也充分地覆蓋起來(lái)，阻擋外來(lái)光向該薄膜晶體管TFT的照射，故可以避免該薄膜晶體管TFT的特性劣化。
在形成了黑色矩陣BM的基板SUB2的面上，把該黑色矩陣BM的開(kāi)口也覆蓋起來(lái)地形成有濾色片CF。該濾色片CF，由例如紅(R)、綠(G)、藍(lán)(B)各色的濾色片構(gòu)成，在y方向上并列設(shè)置的各像素區(qū)域群上公共地形成同色的濾色片，并在x方向上依次相鄰的像素區(qū)域群上以紅(R)、綠(G)、藍(lán)(B)、紅(R)、...這樣的排列形成。
在象這樣地形成了黑色矩陣BM和濾色片CF的基板SUB2的表面上，把這些黑色矩陣BM和濾色片CF也覆蓋起來(lái)地形成有平坦化膜OC。該平坦化膜OC由能通過(guò)涂敷形成的樹(shù)脂膜構(gòu)成，是為了消除因上述黑色矩陣BM和濾色片CF的形成而突顯出來(lái)的臺(tái)階而設(shè)置的。
并且，在該平坦化膜OC的上表面上，形成有間隔物SP，該間隔物SP是為了使基板SUB1相對(duì)于基板SUB2確保均等的間隙(例如4μm)。該間隔物SP，形成為通過(guò)對(duì)在平坦化膜OC的面上形成的大體上均一的膜厚的例如樹(shù)脂膜進(jìn)行選擇刻蝕而形成的支柱狀的突起(支柱狀間隔物)。為此，這樣形成的各間隔物SP就可以構(gòu)成為高度大體上均一的突起。
在該實(shí)施例中，該間隔物SP在各像素中以例如1個(gè)的比率形成，它們分別形成在各像素對(duì)應(yīng)的位置上。就是說(shuō)，在上述的各像素之中的形成了半導(dǎo)體層ASI的像素中，在該像素的該半導(dǎo)體層ASI上的取向膜AL上配置間隔物SP，使得其頂部相對(duì)，在該間隔物SP的周圍的別的間隔物SP也在對(duì)應(yīng)的部位形成。
因此，在基板SUB2和SUB1之間未施加超出預(yù)定的壓力的情況下，如圖1所示，在具備半導(dǎo)體層ASI的像素中，在該像素中具有的間隔物SP與基板SUB1側(cè)(正確地說(shuō)與取向膜AL接觸)接觸，但是，在該間隔物SP的周圍的別的間隔物SP處于未與基板SUB1側(cè)接觸的狀態(tài)。
在這里，如上所述，上述半導(dǎo)體層ASI，對(duì)于由彼此相鄰的像素構(gòu)成的多個(gè)像素群，以例如1個(gè)的比率形成，這意味著對(duì)于該像素群，1個(gè)間隔物SP與基板SUB1側(cè)接觸。因此，在由像素的集合形成的顯示部?jī)?nèi)，多個(gè)與基板SUB1側(cè)接觸的間隔物SP分散地進(jìn)行配置，在基板SUB2未給基板SUB1側(cè)施加超出預(yù)定的壓力的狀態(tài)下，這些間隔物SP承擔(dān)維持間隙的功能。
在這里，之所以表現(xiàn)為在基板SUB2與基板SUB1之間未施加超出預(yù)定的壓力的狀態(tài)，是因?yàn)樵诶缛擞檬种竿茐旱那闆r下等，有時(shí)基板SUB2和基板SUB1之間會(huì)施加過(guò)度的壓力的緣故。在該情況下，與上述半導(dǎo)體層ASI相對(duì)配置的間隔物SP產(chǎn)生彈性變形，變成該間隔物SP以外的別的間隔物SP與基板SUB1側(cè)接觸。其結(jié)果是，在施加了過(guò)度的壓力的情況下，在該區(qū)域中的所有間隔物都參加支持間隙，每一個(gè)間隔物的壓力被分散。借助于此，能防止ASI上的間隔物的破壞。
由此可知，在基板SUB2與基板SUB1之間施加了過(guò)度的壓力的情況下，所有的間隔物SP都發(fā)揮其功能，在未施加過(guò)度的壓力的情況下，在該各間隔物之中僅僅幾個(gè)間隔物發(fā)揮其功能。
因此，在后者的情況下，就可以大幅度地降低在基板SUB1和基板SUB2之間的摩擦阻力，即便是在基板SUB2相對(duì)于基板SUB1在其平面方向上產(chǎn)生了偏移的情況下，也存在使之復(fù)原的力，從而可以避免偏移不復(fù)原這樣的情況。
這也可以看作是具有通常時(shí)用的間隔物和異常時(shí)用的間隔物這么2種。
因此，這樣功能不同的2種間隔物SP，可以在形成薄膜晶體管TFT的半導(dǎo)體層AS時(shí)，通過(guò)形成上述半導(dǎo)體層ASI來(lái)形成。因此，不會(huì)導(dǎo)致制造工序的增大。
另外，在上述平坦化膜OC的表面，也包括間隔物SP的表面地形成取向膜AL，該取向膜AL，是直接與液晶LC接觸的膜，借助于在其表面產(chǎn)生的摩擦，可確定該液晶的分子的初始取向。
在圖示的結(jié)構(gòu)中，此外還至少充分覆蓋柵極信號(hào)線GL和DL地構(gòu)成有對(duì)置電極CT。在這樣的情況下，在支柱狀間隔物SP的頂部所接觸的面的周圍構(gòu)成形成了大面積的該對(duì)置電極CT的結(jié)構(gòu)。因此，該對(duì)置電極CT，對(duì)支柱狀間隔物SP起著墊子那樣的作用，因該墊子的剛性，而容易引起與該部位接觸的支柱狀間隔物SP的彈性變形。
由此可知，在未形成上述結(jié)構(gòu)的對(duì)置電極CT的情況下，也可以形成例如金屬等剛性比較大的墊子。在該情況下，在支柱狀間隔物SP的頂部所接觸的面上，最好在該面及其周圍形成，而且要形成得比該支柱狀間隔物SP的頂部的面積大。
當(dāng)然，即便是僅僅在與支柱狀間隔物相對(duì)的位置上設(shè)置配置ASI的間隔物和不配置ASI的間隔物，在基板SUB1和SUB2之間產(chǎn)生了偏移的情況下，該偏移也易于復(fù)原，而且還可以實(shí)現(xiàn)防止破壞ASI上的間隔物的效果。
此外，在圖示的結(jié)構(gòu)中，作為液晶顯示裝置的例子，雖然示出的是像素電極PX與對(duì)置電極CT處于同一基板SUB1上的例子，但是，即便是在SUB1上設(shè)置像素電極PX、在SUB2上設(shè)置對(duì)置電極CT的結(jié)構(gòu)，通過(guò)在與支柱狀間隔物相對(duì)的位置上設(shè)置配置ASI的間隔物和不配置ASI的間隔物，在基板SUB1和SUB2之間產(chǎn)生了偏移的情況下，該偏移也易于復(fù)原，而且能實(shí)現(xiàn)防止破壞ASI上的間隔物的效果。
此外，如上所述，在基板SUB2上形成的支柱狀間隔物SP包括與基板SUB1接觸的間隔物和不接觸的間隔物。在實(shí)現(xiàn)這一點(diǎn)時(shí)，與支柱狀間隔物相對(duì)的基板SUB1的高度，最好是支柱狀間隔物SP所接觸的部分和不接觸的部分的表面的臺(tái)階、或高度差處于0.06μm到0.18μm的范圍內(nèi)。
在這里，之所以取0.06μm，是因?yàn)榭紤]到對(duì)室溫(例如25℃)和高溫(例如40℃)的液晶的熱膨脹之差的修正，對(duì)于基板SUB1、SUB2的增大，維持顯示裝置內(nèi)的負(fù)壓的緣故。此外，0.18μm是用于在負(fù)荷集中時(shí)，在通常狀態(tài)下與基板SUB1接觸的支柱狀間隔物SP因壓力而破壞之前，通常狀態(tài)下不與基板SUB1接觸的支柱狀間隔物SP，與基板SUB1接觸來(lái)分散該負(fù)荷所必需的值。
另外，也可以使通常狀態(tài)下與基板SUB1不接觸的支柱狀間隔物SP的直徑比通常狀態(tài)下與基板SUB1接觸的支柱狀間隔物的直徑大。在該情況下，可以提高偏移的易于復(fù)原性，同時(shí)難以破壞在過(guò)度的負(fù)荷時(shí)的支柱狀間隔物SP。
在上述的實(shí)施例中，不論在哪一個(gè)實(shí)施例中，都是把間隔物SP設(shè)置在基板SUB2側(cè)，但是，如果把上述半導(dǎo)體層ASI的替代品設(shè)置在基板SUB2側(cè)，則間隔物SP也可以設(shè)置在基板SUB1側(cè)。
此外，在上述的實(shí)施例中，不論在哪一個(gè)實(shí)施例中，都是用半導(dǎo)體層ASI形成與基板SUB1的液晶接觸的面的高度的比較高的部分，但是，不用說(shuō)，也可以是上述半導(dǎo)體層ASI的替代品，也可以用具有某種程度的厚度的別的材料層。圖3是這樣構(gòu)成的平面圖，用符號(hào)DM示出了ASI的替代品的材料層。通過(guò)使用這樣的材料層DM，將得到可以任意地設(shè)定其厚度的效果。當(dāng)然，在該情況下，上述材料層DM，不言而喻也可以在形成于基板SUB1上的材料層形成時(shí)的同時(shí)形成。作為一個(gè)例子，也可以用漏極信號(hào)線DL的材料層形成。此外，也可以通過(guò)在與多個(gè)間隔物SP相對(duì)的部分中的一部分的部分中，使保護(hù)膜PAS或柵極絕緣膜GI的膜厚變厚來(lái)實(shí)現(xiàn)。在該情況下，可以借助于半曝光等實(shí)現(xiàn)而無(wú)須增加熱工序。
此外，如圖5所示，與半導(dǎo)體層ASI相對(duì)配置的間隔物SP和不與該半導(dǎo)體層ASI相對(duì)配置的間隔物SP，也可以使其配置部位各自不同。因?yàn)樾纬砂雽?dǎo)體層ASI的部分，在其周圍需要某種程度的間隙。
上述的各個(gè)實(shí)施例，也可以分別單獨(dú)或組合起來(lái)使用。因?yàn)榭梢詥为?dú)或相乘地得到在各自的實(shí)施例中的效果。
權(quán)利要求
1.一種液晶顯示裝置，其特征在于包括形成在中間隔著液晶相對(duì)配置的一對(duì)基板之中的一方的基板的液晶側(cè)的面上的、高度大體相等的支柱狀間隔物，該支柱狀間隔物包括與另一方的基板的液晶側(cè)的面接觸的間隔物和不接觸的間隔物。
2.一種液晶顯示裝置，其特征在于包括形成在中間隔著液晶相對(duì)配置的一對(duì)基板之中的一方的基板的液晶側(cè)的面上的、高度大體相等的支柱狀間隔物，該支柱狀間隔物包括與另一方的基板的液晶側(cè)的面接觸的間隔物和未接觸的間隔物，上述與另一方的基板的液晶側(cè)的面接觸的各支柱狀間隔物，配置為在其周圍具有與上述另一方的基板未接觸的支柱狀間隔物。
3.一種液晶顯示裝置，其特征在于包括形成在中間隔著液晶相對(duì)配置的一對(duì)基板之中的一方的基板的液晶側(cè)的面上的支柱狀間隔物，該支柱狀間隔物包括第1支柱狀間隔物和第2支柱狀間隔物，第1支柱狀間隔物所接觸的另一方的基板的液晶側(cè)的面，成為凸起形狀。
4.一種液晶顯示裝置，其特征在于包括形成在中間隔著液晶相對(duì)配置的一對(duì)基板之中的一方的基板的液晶側(cè)的面上的支柱狀間隔物，該支柱狀間隔物包括第1支柱狀間隔物和第2支柱狀間隔物，另一方的基板的與上述第1支柱狀間隔物相對(duì)的部分，比與第2支柱狀間隔物相對(duì)的部分高。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的液晶顯示裝置，其特征在于第1支柱狀間隔物所接觸的另一方的基板的液晶側(cè)的面的凸起形狀，中間隔著一層具有厚度的材料地形成在絕緣膜的下層。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的液晶顯示裝置，其特征在于與上述另一方的基板的上述第1支柱狀間隔物相對(duì)的部分，中間隔著一層具有厚度的材料地形成在絕緣膜的下層。
7.一種液晶顯示裝置，其特征在于包括形成在中間隔著液晶相對(duì)配置的一對(duì)基板之中的一方的基板的液晶側(cè)的面上的支柱狀間隔物，該支柱狀間隔物包括第1支柱狀間隔物和第2支柱狀間隔物，另一方的基板的與第2支柱狀間隔物相對(duì)的面成凹陷形狀。
8.根據(jù)權(quán)利要求3所述的液晶顯示裝置，其特征在于各個(gè)第1支柱狀間隔物都配置成在其周圍具有第2支柱狀間隔物。
9.根據(jù)權(quán)利要求4所述的液晶顯示裝置，其特征在于各個(gè)第1支柱狀間隔物都配置成在其周圍具有第2支柱狀間隔物。
10.一種液晶顯示裝置，其特征在于在中間隔著液晶相對(duì)配置的一對(duì)基板之中的一方的基板上，在其各像素內(nèi)至少具有薄膜晶體管，對(duì)于多個(gè)相鄰的像素，至少以一個(gè)像素的比例，在該像素的一部分上形成與上述薄膜晶體管的半導(dǎo)體層平面性地分開(kāi)的另一半導(dǎo)體層，具有形成在另一方的基板上的支柱狀間隔物，該支柱狀間隔物包括與上述另一半導(dǎo)體層相對(duì)配置的支柱狀間隔物和分開(kāi)配置的支柱狀間隔物。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的液晶顯示裝置，其特征在于上述另一半導(dǎo)體層，形成在驅(qū)動(dòng)各像素的薄膜晶體管的柵極信號(hào)線的上方。
12.根據(jù)權(quán)利要求10所述的液晶顯示裝置，其特征在于各支柱狀間隔物的高度大體相等。
13.根據(jù)權(quán)利要求10所述的液晶顯示裝置，其特征在于上述另一半導(dǎo)體層與薄膜晶體管的半導(dǎo)體層在同一步驟中被形成。
14.根據(jù)權(quán)利要求10所述的液晶顯示裝置，其特征在于上述另一半導(dǎo)體層與薄膜晶體管的半導(dǎo)體層為同一層。
15.根據(jù)權(quán)利要求10所述的液晶顯示裝置，其特征在于在該支柱狀間隔物之中，與上述半導(dǎo)體層分開(kāi)配置的間隔物的直徑大于與上述半導(dǎo)體層相對(duì)配置的間隔物的直徑。
16.根據(jù)權(quán)利要求4所述的液晶顯示裝置，其特征在于上述另一方的基板的、與上述第1支柱狀間隔物相對(duì)的部分和與第2支柱狀間隔物相對(duì)的部分的高度差為0.06μm～0.18μm。
17.根據(jù)權(quán)利要求10所述的液晶顯示裝置，其特征在于上述另一方的基板的、形成了上述另一半導(dǎo)體層的部分和未形成上述另一半導(dǎo)體層的部分的高度差為0.06μm～0.18μm。
全文摘要
本發(fā)明提供一種液晶顯示裝置，包括形成在中間隔著液晶相對(duì)配置的一對(duì)基板之中的一方的基板的液晶側(cè)的面上的、高度大體相等的支柱狀間隔物，該支柱狀間隔物包括與另一方的基板的液晶側(cè)的面接觸的間隔物和不接觸的支柱狀間隔物。
文檔編號(hào)G09F9/30GK1611996SQ2004100809
公開(kāi)日2005年5月4日 申請(qǐng)日期2004年10月26日 優(yōu)先權(quán)日2003年10月27日
發(fā)明者蘆澤啟一郎, 中谷光雄, 三輪廣明, 田中貴男, 平井定文, 川邊俊一, 佐佐木誠(chéng), 伊藤一行, 家田雅大 申請(qǐng)人:株式會(huì)社日立顯示器