專利名稱：有機(jī)電致發(fā)光器件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種顯示器件，更具體地說，涉及一種具有增強(qiáng)的圖像質(zhì)量的有機(jī)電致發(fā)光顯示器件。
背景技術(shù)：
通常，有機(jī)電致發(fā)光器件也稱為有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)器件，包括多個像素以及每一像素內(nèi)的有機(jī)發(fā)光二極管。每一有機(jī)發(fā)光二極管具有注入電子的陰極、注入空穴的陽極和位于所述陰極和陽極之間的有機(jī)電致發(fā)光層。每一有機(jī)發(fā)光二極管通常具有形成在陽極和陰極之間的有機(jī)薄膜的多層結(jié)構(gòu)。如果將正向電流施加到有機(jī)薄膜，由于陽極和陰極之間的P-N結(jié)的作用，電子-空穴對(通常稱為激子)在有機(jī)薄膜內(nèi)復(fù)合。復(fù)合在一起的電子-空穴對具有比它們分離時低的能量。這樣，復(fù)合和分離的電子-空穴對之間產(chǎn)生的復(fù)合能量差通過有機(jī)電致發(fā)光層轉(zhuǎn)換成光。換句話說，有機(jī)電致發(fā)光層響應(yīng)施加的電流，發(fā)射由于電子和空穴的復(fù)合產(chǎn)生的能量。
這樣，有機(jī)電致發(fā)光器件不需要附加的光源。而且，有機(jī)電致發(fā)光器件具有厚度薄、重量輕、能效高、功耗低、亮度高以及響應(yīng)時間短等特點。由于這些優(yōu)點，有機(jī)電致發(fā)光器件被認(rèn)為是下一代各種各樣的消費類電子產(chǎn)品的極具發(fā)展前景的競爭產(chǎn)品，例如移動通信設(shè)備、個人數(shù)字助理(PDA)、便攜式攝像機(jī)以及掌上PC等。而且，有機(jī)電致發(fā)光器件的制造工藝相對簡單，從而制造成本降低了。
有機(jī)電致發(fā)光器件可以分為無源矩陣型和有源矩陣型。無源矩陣型有機(jī)電致發(fā)光器件與有源矩陣型相比，具有相對簡單的結(jié)構(gòu)和制造工藝，但是需要較高的功率。另外，無源矩陣型有機(jī)電致發(fā)光器件由于總線數(shù)目的增加而具有大的尺寸和較差的孔徑比。另一方面，與無源矩陣型相比，有源矩陣型有機(jī)電致發(fā)光器件具有更高的圖像質(zhì)量和更高的亮度。
圖1示出了現(xiàn)有技術(shù)的有源矩陣型有機(jī)電致發(fā)光器件的示意圖。在圖1中，有源矩陣型有機(jī)電致發(fā)光器件包括沿第一方向的多條掃描線S1到Sm以及沿與掃描線S1到Sm交叉的第二方向的多條數(shù)據(jù)線D1到Dn，從而限定出多個像素區(qū)。在每一像素區(qū)內(nèi)形成有機(jī)發(fā)光二極管E、開關(guān)薄膜晶體管(TFT)P1、驅(qū)動TFT P2以及電容C1。其中開關(guān)TFT P1和驅(qū)動TFT P2為P型金屬氧化物半導(dǎo)體(PMOS)晶體管。特別地，開關(guān)晶體管P1的柵極和源極分別連接到掃描線S1到Sm中的一條以及數(shù)據(jù)線D1到Dn中的一條。開關(guān)晶體管P1的漏極連接到電容C1。驅(qū)動晶體管P2的源極和漏極分別連接到電源VDD和有機(jī)發(fā)光二極管E的陽極。另外，驅(qū)動晶體管P2的柵極連接到開關(guān)晶體管P1的漏極。
另外，當(dāng)掃描信號通過掃描線S施加到開關(guān)晶體管P1的柵極時，開關(guān)晶體管P1導(dǎo)通。這時，施加到數(shù)據(jù)線D的數(shù)據(jù)電壓通過開關(guān)晶體管P1傳輸?shù)诫娙軨1，從而為電容C1充電。之后，驅(qū)動晶體管P2工作，并且存儲在電容C1中的電荷決定通過驅(qū)動晶體管P2流入有機(jī)發(fā)光二極管E的電流級別。
這樣，有機(jī)發(fā)光二極管E能夠顯示黑和白之間的灰度級。特別地，順序驅(qū)動掃描線S1到Sm以導(dǎo)通連接到相應(yīng)掃描線的開關(guān)晶體管P1，并且將數(shù)據(jù)電壓施加到期望的數(shù)據(jù)線，以使各自的有機(jī)發(fā)光二極管E工作。
圖2示出了現(xiàn)有技術(shù)的有機(jī)電致發(fā)光器件的像素區(qū)的電路圖。如圖2所示，在像素區(qū)內(nèi)形成四個晶體管，而不是圖1所示的兩個。圖2所示的4-晶體管結(jié)構(gòu)通常稱為4-TFT/1-CAP。在圖2中，數(shù)據(jù)線D和電源線VDD沿第一方向形成，第一掃描線SC1和第二掃描線SC2沿與數(shù)據(jù)線D和電源線VDD交叉的第二方向形成，從而限定出像素區(qū)。在像素區(qū)內(nèi)形成第一和第二驅(qū)動TFT M1和M2、有機(jī)發(fā)光二極管E、第一和第二開關(guān)TFT SW1和SW2以及存儲電容Cst。
第一和第二驅(qū)動TFT M1和M2接收來自電源線VDD的電源電壓，并且第二驅(qū)動TFT M2連接到有機(jī)發(fā)光二極管E。第一和第二開關(guān)TFT SW1和SW2分別接收來自第一和第二掃描線SC1和SC2的掃描信號。第一開關(guān)TFT SW1接收來自數(shù)據(jù)線D的數(shù)據(jù)信號，并且第二開關(guān)TFT SW2接收來自第一開關(guān)和第一驅(qū)動TFT SW1和M1的輸出信號。存儲電容Cst連接在電源線VDD與第一和第二驅(qū)動TFT M1和M2的柵極之間，并且向第一和第二驅(qū)動TFT M1和M2的柵極提供電壓以保持其中的電壓信號。
第一開關(guān)TFT SW1為N型金屬氧化物半導(dǎo)體(NMOS)晶體管，并且第二開關(guān)TFT SW2、第一驅(qū)動TFT M1以及第二驅(qū)動TFT M2為PMOS晶體管。而且，第一和第二驅(qū)動TFT M1和M2形成鏡像電流電路，使得無論負(fù)載阻值如何，第一驅(qū)動TFT M1的漏極電流與第二驅(qū)動TFT M2的漏極電流都成比例。這樣，鏡像電流電路控制有機(jī)發(fā)光二極管E，使得第二驅(qū)動TFT M2與第一驅(qū)動TFT M1的鏡像比(MR)控制施加到有機(jī)發(fā)光二極管E的電流級別。
圖3示出了施加到圖2所示的掃描線SC1和SC2的掃描信號圖，圖4A和4B示出了解釋圖2的器件ON和OFF狀態(tài)的等效電路圖。如圖3所示，在預(yù)充電周期，將高電平掃描信號施加到第一掃描線SC1并且將低電平掃描信號施加到第二掃描線SC2。而且，在第一掃描線SC1的高電平掃描信號轉(zhuǎn)換為低電平之前，在電容Cst充電周期結(jié)束時將第二掃描線SC2的低電平信號轉(zhuǎn)換到高電平。
當(dāng)在預(yù)充電周期和電容Cst充電周期中，將高電平掃描信號施加到第一掃描線SC1并且將低電平掃描信號施加到第二掃描線SC2時，第一和第二開關(guān)TFTSW1和SW2導(dǎo)通。如圖4A所示，當(dāng)?shù)谝缓偷诙_關(guān)TFT SW1和SW2導(dǎo)通時，第一驅(qū)動TFT M1用作二極管。因此，施加到第二驅(qū)動TFT M2的電流IOLED由第一驅(qū)動TFT M1的數(shù)據(jù)電流Idata控制。例如，如果第一和第二驅(qū)動TFT M1和M2的鏡像比(MR)為5∶1，并且如果有機(jī)發(fā)光二極管OLED E需要1微安(μA)的電流顯示白顏色，則在當(dāng)5微安(μA)的電流流經(jīng)第一驅(qū)動TFT M1時，1微安(μA)的電流通過第二驅(qū)動TFT M2施加到有機(jī)發(fā)光二極管E。
另外，如圖4B所示，像素具有電流陷(current sink)方式，使得無論相鄰像素的組成如何，第一和第二驅(qū)動TFT M1和M2的柵極電壓Vg_m1和Vg_m2都具有相同的值。因此，具有圖2所示結(jié)構(gòu)的像素可以提高圖像質(zhì)量，并且存儲在存儲電容Cst中的電荷能夠保持驅(qū)動TFT M1和M2的柵極上電壓信號的電壓。而且，盡管開關(guān)TFT SW1和SW2截止，在一幀期間流入有機(jī)發(fā)光二極管E中的電流級別保持不變。
圖5示出了在圖2像素中的寄生電容。如圖5所示，第一寄生電容C1位于第一開關(guān)TFT SW1與第一和第二驅(qū)動TFT M1和M2的柵極之間。第二寄生電容C2位于第二開關(guān)TFT SW2與第一和第二驅(qū)動TFT M1和M2的柵極之間。這樣，在第一和第二開關(guān)TFT SW1和TFT SW2截止時，會產(chǎn)生反沖現(xiàn)象。由第一和第二寄生電容C1和C2產(chǎn)生的第一和第二反沖電流可以通過下面的等式(1)和(2)計算ΔIp1=C1C1+C2+CstΔI1]]>-----------------等式(1)ΔIp2=C2C1+C2+CstΔI2]]>-----------------等式(2)其中，C1表示位于第一開關(guān)TFT SW1與第一和第二驅(qū)動TFT M1和M2的柵極之間的第一寄生電容，C2表示位于第二開關(guān)TFT SW2與第一和第二驅(qū)動TFT M1和M2的柵極之間的第二寄生電容。而且，ΔI1和ΔI2表示施加到第一和第二寄生電容C1和C2的電流值。
圖6示出了圖2所示的像素內(nèi)產(chǎn)生的反沖電流的模擬圖表。如圖6所示，當(dāng)?shù)诙偷谝婚_關(guān)TFT SW2和SW1(圖2所示的)順序截止時，寄生電容C1和C2產(chǎn)生電壓降并在A和B部分處產(chǎn)生電流下降。總的反沖電流ΔIp大約為總電流的27.1％。這樣，有機(jī)電致發(fā)光器件在運行中會顯示不正常的線。
圖7示出了現(xiàn)有技術(shù)的另一有機(jī)電致發(fā)光器件的像素電路圖。在圖7中，所述像素包括數(shù)據(jù)線D、電源線VDD、第一和第二驅(qū)動TFT M1和M2、有機(jī)發(fā)光二極管E、第一和第二開關(guān)TFT SW1和SW2、第一和第二掃描線SC1和SC2以及存儲電容Cst。所述第一和第二驅(qū)動TFT M1和M2接收來自電源線VDD的電源電壓。第二驅(qū)動TFT M2連接到有機(jī)發(fā)光二極管E。
第一和第二開關(guān)TFT SW1和SW2接收分別來自第一和第二掃描線SC1和SC2的掃描信號。第一開關(guān)TFT SW1連接到數(shù)據(jù)線D以接收來自數(shù)據(jù)線D的數(shù)據(jù)信號。第二開關(guān)TFT SW2連接到第一開關(guān)和第一驅(qū)動TFT SW1和M1。存儲電容Cst位于電源線VDD和第二開關(guān)TFT SW2的漏極之間，并且向第二驅(qū)動TFT M2的柵極提供電壓。
與圖2所示的像素不同，圖7的第一和第二開關(guān)TFT SW1和SW2以及第一和第二驅(qū)動TFT M1和M2都是PMOS晶體管。有機(jī)發(fā)光二極管E的陽極連接到第二驅(qū)動TFT M2。
第一和第二驅(qū)動TFT M1和M2具有鏡像電流電路的連接方式，其中無論負(fù)載阻值如何，第一驅(qū)動TFT M1的漏極電流與第二驅(qū)動TFT M2的漏極電流都成比例。在圖7中，有機(jī)發(fā)光二極管E的陽極連接到第二驅(qū)動TFT M2的漏極，使得鏡像電流電路控制施加到有機(jī)發(fā)光二極管E的數(shù)據(jù)電流值。這樣，第二驅(qū)動TFT M2與第一驅(qū)動TFT M1的鏡像比(MR)控制施加到有機(jī)發(fā)光二極管E的電流級別。
圖8示出了施加到圖7的掃描線SC1和SC2的掃描信號圖。圖9A和圖9B示出了圖7的開關(guān)元件ON和OFF狀態(tài)的等效電路圖。如圖8所示，在預(yù)充電周期，將低電平掃描信號施加到第一和第二掃描線SC1和SC2。然后，在另一高電平掃描信號施加到第一掃描線SC1之前，在Cst充電周期結(jié)束時將一高電平掃描信號施加到第二掃描線SC2。
如圖9A所示，當(dāng)?shù)碗娖綊呙栊盘柺┘拥降谝缓偷诙呙杈€SC1和SC2時，第一和第二開關(guān)TFT SW1和SW2導(dǎo)通。這樣，形成電流陷，第一和第二驅(qū)動TFT M1和M2的柵極電壓Vg_m1和Vg_m2具有相同的值。
如圖9B所示，當(dāng)?shù)谝缓偷诙_關(guān)TFT SW1和SW2截止時，第一和第二驅(qū)動TFT M1和M2接收不同的柵極電壓。因此，在第一和第二驅(qū)動TFT M1和M2上施加不同的電壓(stress)，并且驅(qū)動TFT M1和M2表現(xiàn)出不同的特性。例如，當(dāng)?shù)谝缓偷诙_關(guān)TFT SW1和SW2截止時，第二驅(qū)動TFT M2的第二柵極電壓Vg_m2是來自數(shù)據(jù)線D的數(shù)據(jù)電壓，而由于連續(xù)的二極管連接，第一驅(qū)動TFT M1的第一柵極電壓Vg_m1是電源VDD和第一驅(qū)動TFT M1的閾值電壓Vth_m1的差值。這樣，第一和第二柵極電壓Vg_m1和Vg_m2彼此明顯不同。從而，有機(jī)電致發(fā)光器件仍然不能顯示均勻一致的圖像。
圖10示出了圖7的像素中的寄生電容。如圖10所示，寄生電容C3形成在第二驅(qū)動TFT M2的柵極和第二開關(guān)TFT SW2的柵極之間。這樣，在第一和第二開關(guān)TFT SW1和SW2截止后，會產(chǎn)生反沖現(xiàn)象。由寄生電容C3產(chǎn)生的反沖電流可以通過下面的等式(3)計算ΔIp3=C3C3+CstΔI3]]>-------------------等式(3)其中C3表示在第二驅(qū)動TFT M2的柵極和第二開關(guān)TFT SW2的柵極之間的寄生電容，并且ΔI3表示施加到寄生電容C3的電流值。
圖11示出了在圖7的像素中產(chǎn)生的反沖電流的模擬圖。如圖11所示，當(dāng)?shù)诙偷谝婚_關(guān)TFT SW2和SW1(圖7所示的)順序截止時，寄生電容C3(如10所示的)在部分A產(chǎn)生導(dǎo)致電流下降的壓降?？偟姆礇_電流ΔIp3大約為整個電流的6.1％。然而，由于在第一和第二開關(guān)TFT SW1和SW2截止時，第一和第二驅(qū)動TFT M1和M2接收不同的柵極電壓，有機(jī)電致發(fā)光器件在運行中仍然不會均勻一致地顯示圖像。

發(fā)明內(nèi)容
因此，本發(fā)明在于提供一種有機(jī)電致發(fā)光器件，其能夠基本上克服由于現(xiàn)有技術(shù)的局限和缺點而產(chǎn)生的一個或多個問題。
本發(fā)明的一個目的在于提供一種能夠最小化反沖電流影響的有機(jī)電致發(fā)光器件。
本發(fā)明的另一目的在于提供一種有機(jī)電致發(fā)光器件，其能夠防止施加在各驅(qū)動晶體管上的不同電壓，從而獲得更高的分辨率和更好的圖像質(zhì)量。
通過以下的說明或?qū)Ρ景l(fā)明的實踐將會了解本發(fā)明的其他特征和優(yōu)點。通過說明書、權(quán)利要求書以及附圖中具體描述的結(jié)構(gòu)將會更好地理解本發(fā)明的目的和其他優(yōu)點。
為了實現(xiàn)這些和其他優(yōu)點并按照本發(fā)明，如具體和概括的描述，有機(jī)電致發(fā)光器件包括彼此串聯(lián)的第一、第二和第三開關(guān)元件，其中第一開關(guān)元件由第一信號控制，第二和第三開關(guān)元件由第二信號控制，所述第二信號不同于第一信號；連接到電源、存儲電容以及第一、第二和第三開關(guān)元件的第一驅(qū)動元件；以及連接到電源、存儲電容、有機(jī)發(fā)光二極管以及第三開關(guān)元件的第二驅(qū)動元件。
按照另一方面，有機(jī)電致發(fā)光器件包括電源線和數(shù)據(jù)線，連接到電源線的第一驅(qū)動TFT，連接到電源線的第二驅(qū)動TFT，連接到第二驅(qū)動TFT的有機(jī)發(fā)光二極管，連接到數(shù)據(jù)線的第一開關(guān)TFT，連接到第一開關(guān)TFT和第一驅(qū)動TFT的第二開關(guān)TFT，連接到第二開關(guān)TFT、第一驅(qū)動TFT以及第二驅(qū)動TFT的第三開關(guān)TFT，連接在電源線和第三開關(guān)TFT之間的存儲電容，連接到第一開關(guān)TFT的第一掃描線，以及連接到第二開關(guān)TFT和第三開關(guān)TFT的第二掃描線。
應(yīng)該理解，本發(fā)明的上述說明和下面的詳細(xì)描述都是示例性的和解釋性的，意欲對所要保護(hù)的本發(fā)明提供進(jìn)一步的解釋。


所包括的附圖用于進(jìn)一步理解本發(fā)明，并包含在說明書中構(gòu)成說明書的一部分，其連同說明書一起解釋本發(fā)明的實施例，在附圖中圖1示出了現(xiàn)有技術(shù)有源矩陣型有機(jī)電致發(fā)光器件的示意圖；圖2示出了現(xiàn)有技術(shù)有機(jī)電致發(fā)光器件的像素區(qū)的電路圖；圖3示出了施加到圖2的掃描線SC1和SC2的掃描信號圖；圖4A和圖4B示出了圖2的開關(guān)元件ON和OFF狀態(tài)的等效電路圖；圖5示出了在圖2的像素中的寄生電容；圖6示出了在圖2的像素中產(chǎn)生的反沖電流的仿真圖；圖7示出了現(xiàn)有技術(shù)的另一有機(jī)電致發(fā)光器件的像素的電路圖；圖8示出了施加到圖7的掃描線SC1和SC2的掃描信號圖；圖9A和9B示出了圖7的開關(guān)元件ON和OFF狀態(tài)的等效電路圖；圖10示出了在圖7的像素中的寄生電容；圖11示出了在圖7的像素中產(chǎn)生的反沖電流的仿真圖；圖12示出了按照本發(fā)明實施例的有機(jī)電致發(fā)光器件的像素的等效電路圖；圖13示出了施加到圖12的掃描線SC1和SC2的掃描信號圖；圖14A和14B示出了圖12的開關(guān)元件ON和OFF狀態(tài)的等效電路圖；圖15示出了在圖12的像素中的寄生電容；圖16示出了在圖12的像素中產(chǎn)生的反沖電流的仿真圖。
具體實施例方式
下面將參照附圖詳細(xì)描述本發(fā)明的優(yōu)選實施例。
圖12示出了按照本發(fā)明實施例的有機(jī)電致發(fā)光器件的像素的等效電路圖。在圖12中，有機(jī)電致發(fā)光器件包括沿第一方向彼此分隔開的數(shù)據(jù)線D和電源線VDD，沿與數(shù)據(jù)線D和電源線VDD交叉的第二方向的第一和第二掃描線SC1和SC2，以限定像素區(qū)。盡管圖中只示出了一條數(shù)據(jù)線D、一條電源線VDD、一條第一掃描線SC1和一條第二掃描線SC2，有機(jī)電致發(fā)光器件包括多條數(shù)據(jù)線D、多條電源線VDD、多條第一掃描線SC1和多條第二掃描線SC2，從而具有多個像素區(qū)。
另外，在像素區(qū)內(nèi)形成第一和第二驅(qū)動薄膜晶體管MT1和MT2、有機(jī)發(fā)光二極管E、第一到第三開關(guān)薄膜晶體管SWT1、SWT2和SWT3以及存儲電容Cst。第一和第二驅(qū)動薄膜晶體管MT1和MT2形成鏡像電流電路并且從電源線VDD接收電源電壓。有機(jī)發(fā)光二極管E連接到第二驅(qū)動TFT MT2和地電源GND。
而且，數(shù)據(jù)線D連接到第一開關(guān)TFT SWT1，并且向第一開關(guān)TFT SWT1施加數(shù)據(jù)信號。第二開關(guān)TFT SWT2連接到第一開關(guān)TFT SWT1和第一驅(qū)動TFT MT1，并且第三開關(guān)TFT SWT3連接到第二開關(guān)TFT SW2以及第一和第二驅(qū)動TFT MT1和MT2。存儲電容Cst連接到電源線VDD和第三開關(guān)TFT SWT3。第一掃描線SC1連接到第一開關(guān)TFT SWT1以向其施加第一掃描信號，第二掃描線SC2連接到第二和第三開關(guān)TFT SWT2和SWT3以向其施加第二掃描信號。這樣，第二開關(guān)TFT SWT2和第三開關(guān)TFT SWT3可以同時工作。
圖13示出了施加到圖12的掃描線SC1和SC2的掃描信號圖，圖14A和14B示出了圖12的開關(guān)元件的ON和OFF狀態(tài)的等效電路圖。如圖13所示，在預(yù)充電周期，將低電平(low-state)的掃描信號施加到第一和第二掃描線SC1和SC2。然而，在另一高電平(high-state)掃描信號施加到第一掃描線Sc1之前，在Cst充電周期結(jié)束時將高電平掃描信號施加到第二掃描線SC2。
當(dāng)在預(yù)充電周期和Cst充電周期，將低電平掃描信號施加到第一和第二掃描線SC1和SC2時，第一到第三開關(guān)TFT SWT1、SWT2和SWT3導(dǎo)通，第一驅(qū)動TFT MT1可以作為一二極管，并且第一和第二驅(qū)動TFT MT1和MT2形成鏡像電流。
當(dāng)高電平掃描信號施加到第一和第二掃描線SC1和SC2時，第一到第三開關(guān)TFT SWT1、SWT2和SWT3截止。如圖14B所示，盡管第一、第二和第三開關(guān)TFT SW1、SW2和SW3截止，第一驅(qū)動TFT MT1的柵極會由于第二和第三開關(guān)TFT SWT2和SWT3同時截止而浮置(float)。這樣，第一驅(qū)動晶體管MT1不形成二極管連接，并且第一和第二驅(qū)動TFT MT1和MT2的柵極電壓Vg_m1和Vg_m2大約相同。因此，在第一和第二驅(qū)動TFT MT1和MT2上施加相同的電壓，從而避免了圖像質(zhì)量的不均勻一致性。
圖15示出了在圖12的像素中的寄生電容。如圖15所示，寄生電容可以在第三開關(guān)TFT SWT3截止時看作是連接在第二驅(qū)動TFT MT2的柵極端和第三開關(guān)TFT SWT3的柵極端。這樣，會產(chǎn)生反沖電流ΔIp，并且該反沖電流ΔIp可以通過下面的等式(4)計算ΔIp=C4C4+CstΔI4]]>--------------------等式(4)其中，C4表示第三開關(guān)TFT SWT3和第二驅(qū)動TFT MT2之間的寄生電容，ΔI4表示施加到寄生電容C4的電流值。即，ΔI4表示施加在第三開關(guān)TFT SW3和第二驅(qū)動TFT MT2的柵極之間的電流。
圖16示出了在圖12的像素中發(fā)生的反沖電流的仿真圖。如圖16所示，當(dāng)高電平掃描信號施加到第二掃描線Sc2使得第二和第三開關(guān)TFT SWT2和SWT3(圖12所示的)截止時，在圓圈A處會產(chǎn)生反沖電流ΔIp。該反沖電流ΔIp大約為總電流的8.3％，其接近于參照圖11所描述的值。具體地，圖16所示的8.3％的反沖電流ΔIp與圖11所示的6.1％的反沖電流ΔIp3之間的差值大約為2％，尤其考慮到在第一和第二驅(qū)動TFT MT1和MT2的柵極施加相似的電壓值時，相對沒有本質(zhì)上的區(qū)別。這樣，第一到第三開關(guān)TFT SWT1、SWT2和SWT3可以保護(hù)第一和第二驅(qū)動TFT MT1和MT2免受不同的電壓值，并且最小化反沖電流的影響。
這樣，按照本發(fā)明實施例的有機(jī)電致發(fā)光器件避免了施加到驅(qū)動TFT上的不同的電壓值，從而均勻一致地顯示圖像。而且，按照本發(fā)明實施例的有機(jī)電致發(fā)光器件可以最小化由于位于驅(qū)動TFT和開關(guān)TFT之間的寄生電容而產(chǎn)生的反沖電流的影響。因此，按照本發(fā)明實施例的有機(jī)電致發(fā)光器件提供更高的分辨率和更好的圖像質(zhì)量。
對于本領(lǐng)域技術(shù)人員來說，很明顯，任何不脫離本發(fā)明的實質(zhì)和范圍的修改和變化都可在本發(fā)明中的有機(jī)發(fā)光器件中進(jìn)行。因此，本發(fā)明意欲覆蓋在所附權(quán)利要求及其等同物的范圍之內(nèi)的修改和變化。
權(quán)利要求
1.一種有機(jī)電致發(fā)光器件，包括彼此串聯(lián)的第一、第二和第三開關(guān)元件，所述第一開關(guān)元件由第一信號控制，并且所述第二和第三開關(guān)元件由第二信號控制，該第二信號不同于第一信號；連接到電源、存儲電容以及第一、第二和第三開關(guān)元件的第一驅(qū)動元件；以及，連接到電源、存儲電容、有機(jī)發(fā)光二極管和第三開關(guān)元件的第二驅(qū)動元件。
2.按照權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光元件，其特征在于，所述第一開關(guān)元件在第二和第三開關(guān)元件截止之后截止。
3.按照權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光元件，其特征在于，所述第一和第二驅(qū)動元件包括P型金屬氧化物半導(dǎo)體(PMOS)晶體管。
4.按照權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光元件，其特征在于，所述第一、第二和第三開關(guān)元件包括P型金屬氧化物半導(dǎo)體(PMOS)晶體管。
5.按照權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光元件，其特征在于，所述第一和第二驅(qū)動元件包括N型金屬氧化物半導(dǎo)體(NMOS)晶體管。
6.按照權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光元件，其特征在于，所述第一、第二和第三開關(guān)元件包括N型金屬氧化物半導(dǎo)體(NMOS)晶體管。
7.按照權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光元件，其特征在于，所述第三開關(guān)元件的輸出流入第二驅(qū)動元件的柵極。
8.按照權(quán)利要求7所述的有機(jī)電致發(fā)光元件，其特征在于，所述第一驅(qū)動元件的柵極連接到第二和第三開關(guān)元件之間的一結(jié)點。
9.按照權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光元件，其特征在于，所述第一和第二驅(qū)動元件形成鏡像電流電路。
10.按照權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光元件，其特征在于，所述第一開關(guān)元件連接到數(shù)據(jù)信號源。
11.按照權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光元件，其特征在于，當(dāng)所述第一、第二和第三開關(guān)元件截止時，第一驅(qū)動元件的柵極電壓與第二驅(qū)動元件的柵極電壓基本相同。
12.按照權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光元件，其特征在于，當(dāng)所述第一、第二和第三開關(guān)元件截止時，第一驅(qū)動元件的柵極浮置。
13.一種有機(jī)電致發(fā)光器件，包括電源線和數(shù)據(jù)線；連接到電源線的第一驅(qū)動薄膜晶體管；連接到電源線的第二驅(qū)動薄膜晶體管；連接到第二驅(qū)動薄膜晶體管的有機(jī)發(fā)光二極管；連接到數(shù)據(jù)線的第一開關(guān)薄膜晶體管；連接到第一開關(guān)薄膜晶體管和第一驅(qū)動薄膜晶體管的第二開關(guān)薄膜晶體管；連接到第二開關(guān)薄膜晶體管、第一驅(qū)動薄膜晶體管和第二驅(qū)動薄膜晶體管的第三開關(guān)薄膜晶體管；連接在電源線和第三開關(guān)薄膜晶體管之間的存儲電容；連接到第一開關(guān)薄膜晶體管的第一掃描線；以及連接到第二開關(guān)薄膜晶體管和第三開關(guān)薄膜晶體管的第二掃描線。
14.按照權(quán)利要求13所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，所述第一開關(guān)薄膜晶體管在第二和第三開關(guān)薄膜晶體管截止之后截止。
15.按照權(quán)利要求13所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，所述第一和第二驅(qū)動薄膜晶體管包括P型金屬氧化物半導(dǎo)體(PMOS)晶體管。
16.按照權(quán)利要求13所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，所述第一、第二和第三開關(guān)薄膜晶體管包括P型金屬氧化物半導(dǎo)體(PMOS)晶體管。
17.按照權(quán)利要求13所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，所述第二開關(guān)薄膜晶體管的輸出流入第一驅(qū)動薄膜晶體管的柵極。
18.按照權(quán)利要求13所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，所述第三開關(guān)薄膜晶體管的輸出流入第二驅(qū)動薄膜晶體管的柵極。
19.按照權(quán)利要求13所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，所述第一和第二驅(qū)動薄膜晶體管形成鏡像電流電路。
20.按照權(quán)利要求13所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，當(dāng)所述第一、第二和第三開關(guān)薄膜晶體管截止時，第一驅(qū)動薄膜晶體管的柵極浮置。
全文摘要
本發(fā)明公開的一種有機(jī)電致發(fā)光器件包括彼此串聯(lián)的第一、第二和第三開關(guān)元件，所述第一開關(guān)元件由第一信號控制，并且所述第二和第三開關(guān)元件由第二信號控制，該第二信號不同于第一信號；連接到電源、存儲電容以及第一、第二和第三開關(guān)元件的第一驅(qū)動元件；以及連接到電源、存儲電容、有機(jī)發(fā)光二極管和第三開關(guān)元件的第二驅(qū)動元件。
文檔編號G09F9/30GK1694149SQ20041008379
公開日2005年11月9日 申請日期2004年10月22日 優(yōu)先權(quán)日2004年4月30日
發(fā)明者金性均, 吳斗煥 申請人:Lg.菲利浦 Lcd 株式會社