專利名稱：像素驅(qū)動(dòng)器電路的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及用于主動(dòng)矩陣顯示中的電路系統(tǒng)，更具體地涉及用于驅(qū)動(dòng)電致發(fā)光元件的電流驅(qū)動(dòng)電路系統(tǒng)。
背景技術(shù)：
近來(lái)，基于OLED的顯示器已經(jīng)引起了許多顯示應(yīng)用的很大興趣，因?yàn)榕c液晶顯示器(LCD)相比，它們有更快的響應(yīng)時(shí)間、更大的視角、更高的對(duì)比度、更輕的重量、更低的功率，和靈活的基板的可修正性。
OLED顯示器尋址的最簡(jiǎn)單的方法是使用被動(dòng)矩陣格式。盡管被動(dòng)矩陣尋址的OLED顯示器已經(jīng)上市，但它們不支持下一代顯示器所需要的分辨率，下一代顯示器使用大量信息內(nèi)容(HIC)格式。HIC格式只有在主動(dòng)矩陣尋址方案中才可行。
主動(dòng)矩陣尋址涉及一層背面電子器件(backplane electronics)，以薄膜晶體管(TFT)為基礎(chǔ)。這些薄膜晶體管提供每個(gè)OLED像素中所需的偏壓和驅(qū)動(dòng)電流，并可以使用非晶硅(a-Si:H)、多晶硅(poly-Si)、有機(jī)物、聚合物、或其它晶體管技術(shù)來(lái)制造。當(dāng)與被動(dòng)矩陣尋址進(jìn)行比較時(shí)，主動(dòng)矩陣尋址對(duì)每個(gè)像素使用較低的電壓，并且整個(gè)幀周期期間的電流是低常數(shù)值。這樣，主動(dòng)矩陣尋址能避免與被動(dòng)矩陣尋址相聯(lián)系的過(guò)大峰值驅(qū)動(dòng)和泄漏電流。這增加了OLED的壽命。
LCD是電場(chǎng)驅(qū)動(dòng)的設(shè)備。相反，OLED是電流驅(qū)動(dòng)的設(shè)備。這樣，顯示器中使用的給定OLED所發(fā)出的光的亮度和穩(wěn)定性取決于電流驅(qū)動(dòng)電路中的TFT的操作。這樣，AMOLED顯示器比TFT敏感得多，不穩(wěn)定性包括晶體管閾值電壓的空間和時(shí)間變化、遷移不穩(wěn)定性(mobility instability)，和失配問(wèn)題。為了普遍使用基于OLED的顯示器，需要解決這些不穩(wěn)定性。
圖1表示對(duì)于基于TFT的非晶硅，不同時(shí)刻的閾值電壓漂移相對(duì)應(yīng)力電壓(stress voltage)的曲線圖。從圖1可清楚地理解，晶體管的閾值電壓隨時(shí)間變化。如果這些晶體管用在顯示器中，閾值電壓的變化很可能會(huì)引起陣列中的OLED亮度的變化，和/或?qū)е铝炼入S時(shí)間降低，這兩種結(jié)果都是不能接受的。
簡(jiǎn)單的像素驅(qū)動(dòng)電路如圖2所示。該“2T”電路是電壓編程電路。由于這種電路不能補(bǔ)償晶體管閾值電壓的變化，所以對(duì)于OLED顯示器來(lái)說(shuō)這種電路是不實(shí)用的。對(duì)于這種閾值電壓的變化，一種解決辦法是使用電流編程電路來(lái)驅(qū)動(dòng)像素的OLED。因?yàn)镺LED是電流驅(qū)動(dòng)的設(shè)備，并且其亮度依賴于流經(jīng)它的電流大致是線性的，所以電流編程對(duì)于驅(qū)動(dòng)AMOLED顯示器來(lái)說(shuō)是種好方法。
圖3示出了一種這樣的電流編程電路。該電路與電流鏡結(jié)合，電流鏡補(bǔ)償了確保OLED 14的亮度不會(huì)隨時(shí)間而降低的驅(qū)動(dòng)晶體管12的閾值電壓的任何漂移或失配。該電路的這個(gè)特征使得其驅(qū)動(dòng)性質(zhì)與圖2的2T電路相比得到非常大的改善。
當(dāng)對(duì)圖3的電路進(jìn)行編程時(shí)，VADDRESS為高，并施加電流IDATA。該電流最初流經(jīng)晶體管T1并對(duì)電容器CS充電。當(dāng)該電容器電壓升高時(shí)，T3開(kāi)始導(dǎo)通并且IDATA開(kāi)始流過(guò)T2和T3，流到地面。當(dāng)所有IDATA流過(guò)T2和T3，而不流經(jīng)T1時(shí)，電容器電壓穩(wěn)定在該點(diǎn)。該過(guò)程獨(dú)立于晶體管T3和T4的閾值電壓VT。
T3和T4的柵極連接在一起，所以流過(guò)T3的電流被鏡像到T4中。該拓?fù)涫沟梦覀兡軌蛉Q于T3和T4的大小調(diào)整得到像素上(on-pixel)的電流增益或者電流衰減，這使得相應(yīng)的數(shù)據(jù)電流能夠按比例小于或大于OLED電流。在主動(dòng)矩陣陣列中，像素被掃描下來(lái)，并以逐行的方式進(jìn)行編程。掃描所有的行(一幀)所花費(fèi)的時(shí)間稱為幀時(shí)間。在陣列操作期間，在幀時(shí)間中，僅有一次，開(kāi)關(guān)TFT(T1和T2)是ON。
然而，由于電流鏡中不同Vt漂移和其它偏壓、溫度、或與機(jī)械應(yīng)力相關(guān)的的退化和失配，現(xiàn)有的電流編程電路并不能充分解決所引起的OLED驅(qū)動(dòng)電流的長(zhǎng)期穩(wěn)定性。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明涉及用于驅(qū)動(dòng)顯示器中的發(fā)光元件的電路，更具體地涉及改善電流鏡的電流驅(qū)動(dòng)電路，其中電流鏡中的每個(gè)晶體管都連接到負(fù)載。
本發(fā)明的一個(gè)目的是提供改進(jìn)的AMOLED顯示器背板和像素驅(qū)動(dòng)器電路。
因而，本發(fā)明的一個(gè)目的是提供用于主動(dòng)矩陣有機(jī)發(fā)光顯示器(AMOLED)的像素電流驅(qū)動(dòng)器電路，其在存在設(shè)備退化和/或失配的情況下，能夠提供穩(wěn)定并且可預(yù)測(cè)的驅(qū)動(dòng)電流，并能夠改變?nèi)鐪囟群蜋C(jī)械應(yīng)變的環(huán)境因素。后者對(duì)于機(jī)械上靈活的AMOLED顯示器來(lái)說(shuō)特別重要。
根據(jù)本發(fā)明的一方面，設(shè)置了用來(lái)在包括多個(gè)像素的顯示器中使用的像素電路。像素電路包括像素驅(qū)動(dòng)電路，像素驅(qū)動(dòng)電路包括開(kāi)關(guān)電路系統(tǒng)、具有基準(zhǔn)晶體管(reference transistor)和驅(qū)動(dòng)晶體管的電流鏡，基準(zhǔn)晶體管和驅(qū)動(dòng)晶體管各自具有第一和第二節(jié)點(diǎn)和柵極，基準(zhǔn)晶體管的柵極連接到驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極，并且電容器連接在基準(zhǔn)晶體管的柵極和接地電位之間，并且負(fù)載連接在電流鏡和接地電位之間，負(fù)載具有第一負(fù)載元件和第二負(fù)載元件，第一負(fù)載元件連接到基準(zhǔn)晶體管的第一節(jié)點(diǎn)，并且第二負(fù)載元件連接到驅(qū)動(dòng)晶體管的第一節(jié)點(diǎn)。
根據(jù)本發(fā)明的另一方面，提供了用于在包括多個(gè)像素的顯示器中使用的像素電路。像素電路包括像素驅(qū)動(dòng)電路，像素驅(qū)動(dòng)電路包括開(kāi)關(guān)電路系統(tǒng)、具有基準(zhǔn)晶體管和驅(qū)動(dòng)晶體管電流鏡，基準(zhǔn)晶體管和驅(qū)動(dòng)晶體管各自具有第一和第二節(jié)點(diǎn)和柵極，基準(zhǔn)晶體管的柵極連接到驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極，基準(zhǔn)晶體管和驅(qū)動(dòng)晶體管的第二節(jié)點(diǎn)連接到接地電位，并且電容器連接在基準(zhǔn)晶體管的柵極和接地電位之間，并且負(fù)載連接在電流鏡和一電位之間。
上述發(fā)明內(nèi)容沒(méi)有必要對(duì)本發(fā)明的所有特征進(jìn)行說(shuō)明。


通過(guò)下面的說(shuō)明書(shū)，并參考附圖，將會(huì)理解本發(fā)明的這些和其它特征，其中圖1示出了由非晶硅制成的薄膜晶體管在不同時(shí)刻的閾值電壓漂移v隨柵極應(yīng)力電壓的曲線圖；
圖2示出了2T電壓編程的像素驅(qū)動(dòng)電路的示意圖；圖3示出了4T電流編程的驅(qū)動(dòng)器電路的示意圖；圖4示出了根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的電流編程驅(qū)動(dòng)器電路的框圖；圖5A示出了根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的電流編程驅(qū)動(dòng)器電路的示意圖；圖5B示出了根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的電流編程驅(qū)動(dòng)器電路的示意圖；圖5C示出了根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的電流編程驅(qū)動(dòng)器電路的示意圖；圖6A示出了根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的電流編程驅(qū)動(dòng)器電路的示意圖；圖6B示出了根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的電流編程驅(qū)動(dòng)器電路的示意圖；圖6C示出了根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的電流編程驅(qū)動(dòng)器電路的示意圖；圖7A示出了根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的電流編程驅(qū)動(dòng)器電路的框圖；圖7B示出了根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的電流編程驅(qū)動(dòng)器電路的示意圖；圖7C示出了根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的電流編程驅(qū)動(dòng)器電路的示意圖；圖7D示出了根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的電流編程驅(qū)動(dòng)器電路的示意圖；和圖7E示出了根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的電流編程驅(qū)動(dòng)器電路的示意圖。
本發(fā)明的上述目的和特征將通過(guò)參考附圖對(duì)下面的優(yōu)選實(shí)施例的說(shuō)明變得更顯著。
具體實(shí)施例方式
已經(jīng)發(fā)現(xiàn)的是可通過(guò)向基于電流的驅(qū)動(dòng)電路的電流鏡的每個(gè)晶體管提供負(fù)載，來(lái)解決OLED驅(qū)動(dòng)電流的長(zhǎng)期穩(wěn)定性。
圖4中示出了根據(jù)本發(fā)明的一方面的像素驅(qū)動(dòng)器電路的框圖。驅(qū)動(dòng)器電路一般可考慮為包括開(kāi)關(guān)電路22、電流鏡24和負(fù)載26。要特別注意的是，負(fù)載26關(guān)于電流鏡24被配置，使得電流鏡24的兩個(gè)晶體管具有連接到它們的負(fù)載。在圖4所示的配置中，負(fù)載26通過(guò)接線28和30連接在電流鏡24和地面之間。其中接線28和30各自連接到電流鏡的晶體管的節(jié)點(diǎn)和負(fù)載26。該結(jié)構(gòu)提供了對(duì)電流鏡的晶體管之間的負(fù)載的平衡?，F(xiàn)將介紹實(shí)施該結(jié)構(gòu)的本發(fā)明的實(shí)施例。
在圖4所示的實(shí)施例中，開(kāi)關(guān)電路22被連接到兩個(gè)選擇線路，即，V-sel1和V-sel2。圖5A-5C、6A-6C和7A-7C中出現(xiàn)的實(shí)施例同樣具有兩條選擇線路。開(kāi)關(guān)電路22進(jìn)一步被連接到單獨(dú)的數(shù)據(jù)線路，I-data。
圖5A至5C所示的電路具有與圖4中所示的電路相同的基本結(jié)構(gòu)，即，電流鏡的兩個(gè)晶體管都被連接到負(fù)載26。圖5A至5C的電路表現(xiàn)出負(fù)載26的類型和配置的變化。
在圖5A中，電流鏡24包括基準(zhǔn)晶體管31、驅(qū)動(dòng)晶體管33。晶體管31和33是薄膜晶體管，其具有非晶硅溝道。存儲(chǔ)電容器25包含在電流鏡24中。晶體管31和晶體管33的柵極連在一起，并且二者都連接到存儲(chǔ)電容器25的一個(gè)極板上。存儲(chǔ)電容器Cs的另一個(gè)極板接地。基準(zhǔn)晶體管31的源極連接到電位Vc，漏極連接到開(kāi)關(guān)電路22。源極連接到電位Vc使得電流鏡的兩側(cè)得到了正確偏置的平衡。驅(qū)動(dòng)晶體管33的源極連接到發(fā)光二極管32，漏極連接到VDD。在該實(shí)施例中，發(fā)光二極管32是有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)。
圖5B是根據(jù)本發(fā)明的另一實(shí)施例的像素驅(qū)動(dòng)器電路的示意圖。在該實(shí)施例中，基準(zhǔn)晶體管31和驅(qū)動(dòng)晶體管33的源極分別連接到發(fā)光二極管36和32。
圖5C表示負(fù)載26的目前優(yōu)選配置。使用接線37將晶體管31和33連在一起。在圖5C中，接線37被繪制成位于負(fù)載26內(nèi)。當(dāng)前實(shí)施例并不限于這種表示法。單獨(dú)的OLED37被連接到公共接線37。
圖6A至6C表示本發(fā)明的各實(shí)施例，其中電流鏡24和負(fù)載26與圖5C中所示的實(shí)施例相同，但是提供的開(kāi)關(guān)電路系統(tǒng)的配置不同。圖6A至6C中介紹的開(kāi)關(guān)電路分別包括反饋晶體管44和開(kāi)關(guān)晶體管46。
在圖6A所示的電路中，反饋晶體管44的一個(gè)端子和開(kāi)關(guān)晶體管46的一個(gè)端子被連接到數(shù)據(jù)線路I-data。反饋晶體管44的第二端子被連接到基準(zhǔn)晶體管31的漏極，而開(kāi)關(guān)晶體管46的第二端子分別被連接到基準(zhǔn)晶體管31和驅(qū)動(dòng)晶體管33的柵極。最后，反饋晶體管44和開(kāi)關(guān)晶體管46的柵極分別被連接到選擇線路V-sel1和選擇線路V-sel2。
在圖6B所示的實(shí)施例中，開(kāi)關(guān)晶體管46的第一端子被連接到數(shù)據(jù)線路I-data，而反饋晶體管44的第一端子被連接到開(kāi)關(guān)晶體管46的第二端子并被分別連接到基準(zhǔn)晶體管31和驅(qū)動(dòng)晶體管33的柵極。反饋晶體管44的第二端子被連接到基準(zhǔn)晶體管31的漏極。最后，反饋晶體管44和開(kāi)關(guān)晶體管46的柵極分別被連接到選擇線路V-sel2和選擇線路V-sel1。
在圖6C所示的實(shí)施例中，開(kāi)關(guān)晶體管46的第一端子被連接到數(shù)據(jù)線路I-data，而反饋晶體管44的第一端子被連接到開(kāi)關(guān)晶體管46的第二端子并連接到基準(zhǔn)晶體管31的漏極。反饋晶體管44的第二端子被分別連接到基準(zhǔn)晶體管31和驅(qū)動(dòng)晶體管33的柵極。最后，開(kāi)關(guān)晶體管46和反饋晶體管44的柵極被分別連接到選擇線路V-sel1和選擇線路V-sel2。
被考慮的電路是如圖4中的框圖所示的電路的實(shí)施例。圖7A中示出了圖4的電路結(jié)構(gòu)的可替代實(shí)施例。開(kāi)關(guān)電路22和電流鏡24的構(gòu)造與圖4所示的實(shí)施例相同。在該實(shí)施例中，負(fù)載26被設(shè)置使得它位于電位VDD和電流鏡24之間。圖7B-7E表示基于圖7A的框圖的本發(fā)明的各實(shí)施例。這些實(shí)施例實(shí)施的電流鏡24的電路是相同的，而負(fù)載26的配置不同。
在圖7B所示的實(shí)施例中，負(fù)載26包括發(fā)光二極管40和42。二極管40和42分別連接在電位VDD和基準(zhǔn)晶體管31和驅(qū)動(dòng)晶體管33的漏極之間?；鶞?zhǔn)晶體管31和驅(qū)動(dòng)晶體管33的源極接地?；鶞?zhǔn)晶體管31和驅(qū)動(dòng)晶體管33的柵極連在一起，并且二者都被連接到開(kāi)關(guān)電路22和存儲(chǔ)電容器25的極板。在圖7C所示的實(shí)施例中，發(fā)光二極管40被連接到電位Vc，并且二極管42被連接到電位VDD。圖7D和7E所示的實(shí)施例分別不同于圖7B和7C的實(shí)施例，其中的發(fā)光二極管40被替換成晶體管47。晶體管47的柵極被連接到第三選擇線路V-sel3，第一端子被連接到一個(gè)電位，并且第二端子被連接到基準(zhǔn)晶體管32的源極端子。
在圖5B、7B和7C的示意圖中，每個(gè)像素有兩個(gè)OLED。這種雙OLED結(jié)構(gòu)是通過(guò)將每個(gè)像素的OLED的底部電極分成兩個(gè)電極而形成的。電極的分割提供了每個(gè)像素中有兩個(gè)OLED的形式。OLED之一被連接到驅(qū)動(dòng)晶體管，另一個(gè)被連接到基準(zhǔn)晶體管。因此，基準(zhǔn)晶體管和驅(qū)動(dòng)晶體管的負(fù)載是相同的，使得這兩個(gè)晶體管之間的失配最小。要注意的是可設(shè)計(jì)兩個(gè)OLED的面積之比和電流鏡的增益，以達(dá)到期望的電路性能。
根據(jù)本發(fā)明的可替代實(shí)施例，晶體管可以是制造薄膜晶體管的任意適當(dāng)材料，包括多晶硅、聚合體和有機(jī)材料。特別地，該實(shí)施例考慮了包括p-型TFT的適當(dāng)變化，其對(duì)本技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員來(lái)說(shuō)是相關(guān)的。
根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)可替代實(shí)施例，像素驅(qū)動(dòng)電路不包括電容器Cs。
根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)可替代實(shí)施例，開(kāi)關(guān)電路22適合于使用單個(gè)選擇線路。
根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)可替代實(shí)施例，像素驅(qū)動(dòng)器電路的晶體管可以具有多于一個(gè)的柵極。特別地，晶體管可以是雙柵極晶體管。
根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)可替代實(shí)施例，對(duì)于給定的一個(gè)像素，有多于一個(gè)驅(qū)動(dòng)器電路。特別地，可以有三個(gè)像素驅(qū)動(dòng)器電路，這會(huì)適合于RGB或者彩色顯示器中的像素。
本發(fā)明已經(jīng)關(guān)于一個(gè)或者多個(gè)實(shí)施例進(jìn)行了說(shuō)明。然而，對(duì)于本技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員來(lái)說(shuō)顯而易見(jiàn)的是可進(jìn)行許多改變和修改，而不會(huì)脫離權(quán)利要求中所定義的本發(fā)明的范圍。
權(quán)利要求
1.一種在包括多個(gè)像素的顯示器中使用的像素電路，所述像素電路包括像素驅(qū)動(dòng)電路，其包括開(kāi)關(guān)電路系統(tǒng)；電流鏡，其具有基準(zhǔn)晶體管和驅(qū)動(dòng)晶體管，所述基準(zhǔn)晶體管和所述驅(qū)動(dòng)晶體管各自包括第一和第二節(jié)點(diǎn)和柵極，所述基準(zhǔn)晶體管的所述柵極被連接到所述驅(qū)動(dòng)晶體管的所述柵極；和被連接在所述基準(zhǔn)晶體管的所述柵極和接地電位之間的電容器；和被連接在所述電流鏡和接地電位之間的負(fù)載，所述負(fù)載具有第一負(fù)載元件和第二負(fù)載元件，所述第一負(fù)載元件被連接到所述基準(zhǔn)晶體管的所述第一節(jié)點(diǎn)，并且所述第二負(fù)載元件被連接到所述驅(qū)動(dòng)晶體管的所述第一節(jié)點(diǎn)。
2.如權(quán)利要求1所述的像素電路，其中，所述基準(zhǔn)晶體管的所述第一節(jié)點(diǎn)被連接到第一電位，并且發(fā)光二極管被連接在所述驅(qū)動(dòng)晶體管的所述第一節(jié)點(diǎn)和所述接地電位之間。
3.如權(quán)利要求1所述的像素電路，其中，第一發(fā)光二極管被連接在所述驅(qū)動(dòng)晶體管的所述節(jié)點(diǎn)和接地電位之間，并且第二發(fā)光晶體管被連接在所述基準(zhǔn)晶體管的所述節(jié)點(diǎn)和接地電位之間。
4.如權(quán)利要求3所述的像素電路，其中，所述驅(qū)動(dòng)晶體管的所述節(jié)點(diǎn)和所述基準(zhǔn)晶體管的所述節(jié)點(diǎn)相連接。
5.如權(quán)利要求1所述的像素電路，其中，所述驅(qū)動(dòng)晶體管的所述節(jié)點(diǎn)和所述基準(zhǔn)晶體管的所述節(jié)點(diǎn)相連接，并且發(fā)光二極管被連接在所述驅(qū)動(dòng)晶體管的所述節(jié)點(diǎn)和接地電位之間。
6.如權(quán)利要求1所述的像素電路，其中，所述開(kāi)關(guān)電路系統(tǒng)包括反饋晶體管，其具有被連接到第一選擇線路的柵極，被連接到數(shù)據(jù)線路的第一節(jié)點(diǎn)，以及被連接到所述基準(zhǔn)晶體管的所述第二節(jié)點(diǎn)的第二節(jié)點(diǎn)；和開(kāi)關(guān)晶體管，其具有被連接到第二選擇線路的柵極，被連接到所述數(shù)據(jù)線路的第一節(jié)點(diǎn)，以及被連接到所述基準(zhǔn)晶體管的所述柵極的第二節(jié)點(diǎn)。
7.如權(quán)利要求1所述的像素電路，其中，所述開(kāi)關(guān)電路系統(tǒng)包括開(kāi)關(guān)晶體管，其具有被連接到第一選擇線路的柵極，被連接到所述數(shù)據(jù)線路的第一節(jié)點(diǎn)，以及被連接到所述基準(zhǔn)晶體管的所述柵極的第二節(jié)點(diǎn)；和反饋晶體管，其具有被連接到第二選擇線路的柵極，被連接到所述基準(zhǔn)晶體管的所述柵極的第一節(jié)點(diǎn)，以及被連接到所述基準(zhǔn)晶體管的所述第二節(jié)點(diǎn)的第二節(jié)點(diǎn)。
8.如權(quán)利要求1所述的像素電路，其中，所述開(kāi)關(guān)電路系統(tǒng)包括開(kāi)關(guān)晶體管，其具有被連接到第一選擇線路的柵極，被連接到數(shù)據(jù)線路的第一節(jié)點(diǎn)，以及被連接到所述基準(zhǔn)晶體管的所述第二節(jié)點(diǎn)的第二節(jié)點(diǎn)；反饋晶體管，其具有被連接到第二選擇線路的柵極，被連接到所述基準(zhǔn)晶體管的所述第二節(jié)點(diǎn)的第一節(jié)點(diǎn)，以及被連接到所述基準(zhǔn)晶體管的所述柵極的第二節(jié)點(diǎn)。
9.如權(quán)利要求1所述的像素電路，其中，所述晶體管是薄膜晶體管。
10.如權(quán)利要求9所述的像素電路，其中，所述薄膜晶體管是非晶硅。
11.如權(quán)利要求9所述的像素電路，其中，所述薄膜晶體管是多晶硅。
12.如權(quán)利要求11所述的像素電路，其中，所述多晶硅是p-型的。
13.如權(quán)利要求9所述的像素電路，其中，所述薄膜晶體管是有機(jī)物。
14.如權(quán)利要求13所述的像素電路，其中所述有機(jī)物是p-型的。
15.一種在包括多個(gè)像素的顯示器中使用的像素電路，所述像素電路包括像素驅(qū)動(dòng)電路，其包括開(kāi)關(guān)電路；電流鏡，其具有基準(zhǔn)晶體管和驅(qū)動(dòng)晶體管，所述基準(zhǔn)晶體管和所述驅(qū)動(dòng)晶體管各自具有第一和第二節(jié)點(diǎn)和柵極，所述基準(zhǔn)晶體管的所述柵極被連接到所述驅(qū)動(dòng)晶體管的所述柵極，所述基準(zhǔn)晶體管和驅(qū)動(dòng)晶體管的所述第二節(jié)點(diǎn)被連接到接地電位；和電容器，其被連接在所述基準(zhǔn)晶體管的所述柵極和接地電位之間；和負(fù)載，其被連接在所述電流鏡和一個(gè)電位之間。
16.如權(quán)利要求15所述的像素電路，其中，所述負(fù)載包括被連接在所述電流鏡和所述電位之間的第一負(fù)載元件和第二負(fù)載元件。
17.如權(quán)利要求16所述的像素電路，其中，所述第一負(fù)載元件和第二負(fù)載元件是發(fā)光二極管。
18.如權(quán)利要求17所述的像素電路，其中，所述電位是VDD。
19.如權(quán)利要求16所述的像素電路，其中，所述第一負(fù)載元件被連接到第一電位，并且所述第二負(fù)載元件被連接到VDD。
20.如權(quán)利要求15所述的像素電路，其中，所述第一負(fù)載元件是晶體管，其具有柵極、第一節(jié)點(diǎn)和第二節(jié)點(diǎn)，所述柵極被連接到第三選擇線路，所述第一節(jié)點(diǎn)被連接到所述基準(zhǔn)晶體管的所述第二節(jié)點(diǎn)，并且所述第二節(jié)點(diǎn)被連接到VDD，所述第二負(fù)載元件是發(fā)光二極管，其被連接在所述驅(qū)動(dòng)晶體管的所述第二節(jié)點(diǎn)和VDD之間。
21.如權(quán)利要求15所述的像素電路，其中，所述第一負(fù)載元件是晶體管，其具有柵極、第一節(jié)點(diǎn)和第二節(jié)點(diǎn)，所述柵極被連接到第三選擇線路，所述第一節(jié)點(diǎn)被連接到所述基準(zhǔn)晶體管的所述第二節(jié)點(diǎn)，并且所述第二節(jié)點(diǎn)被連接到第二電位，所述第二負(fù)載元件是發(fā)光二極管，其被連接在所述驅(qū)動(dòng)晶體管的所述第二節(jié)點(diǎn)和VDD之間。
22.如權(quán)利要求15所述的像素電路，其中，所述晶體管是薄膜晶體管。
23.如權(quán)利要求22所述的像素電路，其中，所述薄膜晶體管是非晶硅。
24.如權(quán)利要求22所述的像素電路，其中，所述薄膜晶體管是多晶硅。
25.如權(quán)利要求24所述的像素電路，其中，所述多晶硅是p-型的。
26.如權(quán)利要求22所述的像素電路，其中，所述薄膜晶體管是有機(jī)物。
27.如權(quán)利要求26所述的像素電路，其中，所述有機(jī)物是p-型的。
全文摘要
本發(fā)明提供了一種在包括多個(gè)像素的顯示器中使用的像素電路。負(fù)載平衡電流鏡像素電路能夠補(bǔ)償設(shè)備退化和/或失配，并改變?nèi)鐪囟群蜋C(jī)械應(yīng)變的環(huán)境因素。該像素電路包括像素驅(qū)動(dòng)電路，像素驅(qū)動(dòng)電路包括開(kāi)關(guān)電路系統(tǒng)、具有基準(zhǔn)晶體管和驅(qū)動(dòng)晶體管的電流鏡，各自具有第一、第二節(jié)點(diǎn)和柵極的基準(zhǔn)晶體管和驅(qū)動(dòng)晶體管，基準(zhǔn)晶體管的柵極被連接到驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極；以及連接在基準(zhǔn)晶體管的柵極和接地電位之間的電容器，和連接在電流鏡和接地點(diǎn)位之間的負(fù)載，負(fù)載具有第一負(fù)載元件和第二負(fù)載元件，第一負(fù)載元件被連接到基準(zhǔn)晶體管的第一節(jié)點(diǎn)，并且第二負(fù)載元件被連接到驅(qū)動(dòng)晶體管的第一節(jié)點(diǎn)。
文檔編號(hào)G09F9/33GK1871631SQ200480031173
公開(kāi)日2006年11月29日 申請(qǐng)日期2004年9月23日 優(yōu)先權(quán)日2003年9月23日
發(fā)明者A·內(nèi)森, K·V·薩卡里亞, P·塞爾瓦蒂, S·加法拉巴迪亞什蒂娜 申請(qǐng)人:伊格尼斯創(chuàng)新有限公司