專利名稱：數(shù)據(jù)線驅(qū)動電路、電光學(xué)裝置和電子設(shè)備的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及調(diào)整電光學(xué)裝置的像素亮度的技術(shù)。
背景技術(shù)：
作為驅(qū)動有機EL(Electro Luminescence(電致發(fā)光))顯示器等的電光學(xué)裝置的像素電路的驅(qū)動電路，用電流加算型的數(shù)字/模擬變換電路(以下，稱為DAC)的驅(qū)動電路是眾所周知的。電流加算型的DAC，因為與電壓輸出型的DAC比較能夠用較少的布線構(gòu)成，所以具有容易與電光學(xué)裝置的多灰度化對應(yīng)的優(yōu)點。關(guān)于電流加算型的DAC，已經(jīng)提出了種種技術(shù)(例如，專利文獻1、2和3)。
在專利文獻1中，記載著根據(jù)灰度數(shù)據(jù)選擇來自多個電流源的電流，并將它們加起來的電流加算型的DAC。這里，灰度數(shù)據(jù)為n位(n≥1的整數(shù))，與灰度的位對應(yīng)，例如持有1∶2∶4∶…∶2n-1的比的方式，構(gòu)成從各電流源供給的電流量，因此，能夠達到削減布線數(shù)的目的。專利文獻2中記載的電流加算型DAC，根據(jù)灰度數(shù)據(jù)，使與電容連接的多個電流源接通/斷開，用存儲在電容中的電荷驅(qū)動像素。因此，能夠削減電容的數(shù)量，縮小電路的尺寸。專利文獻3中記載的電流加算型DAC，當(dāng)將根據(jù)灰度數(shù)據(jù)加起來的電流變換成電壓時，以電壓持有預(yù)定范圍內(nèi)的值的方式進行調(diào)整，達到消除每個溝道的電壓零散的目的。
可是，在用電壓驅(qū)動型的像素電路的有機EL顯示器中，通過在設(shè)置在像素電路上的驅(qū)動晶體管上加上與灰度數(shù)據(jù)相應(yīng)的電壓，將與該電壓相應(yīng)的電流供給有機EL元件，有機EL元件以與灰度數(shù)據(jù)相應(yīng)的亮度發(fā)光。在圖3中表示出這種像素電路的例子。在晶體管162的源—漏極間流動的電流I和柵極電壓Vgs的關(guān)系由式(1)表示。
I＝(1/2)β(Vgs-Vth)2……(1)
式中，β增益系數(shù)，Vth閾值電壓。
然而，如果β和Vth對于全部驅(qū)動晶體管是相同的，則電流I由Vgs唯一地確定，但是實際上，因為對于每個驅(qū)動晶體管β和Vth具有零散，所以在電流I中也產(chǎn)生零散，結(jié)果，產(chǎn)生了亮度的零散。又，即便用具有Vth補償功能的像素電路，因為殘留著β的零散，所以不能夠消除亮度的零散。又，在上述的無論那個專利文獻中，都沒有揭示用于解決該問題的構(gòu)成。
另一方面，也具有下列問題。存在著設(shè)置在像素電路中的驅(qū)動晶體管和用于驅(qū)動電路的晶體管的制造工藝過程不同的情形。在許多情形中，在像素電路中用TFT(Thin Film transistor薄膜晶體管)，在驅(qū)動電路中用由MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)構(gòu)成的IC(Integrated Circiut集成電路)。在制造工藝過程不同的晶體管中，式(1)所示的增益系數(shù)β和閾值電壓Vth因工藝過程不同而不同。這樣當(dāng)增益系數(shù)β和閾值電壓Vth不同時，存在著在像素電路的驅(qū)動晶體管中生成具有與灰度數(shù)據(jù)相應(yīng)的所要電流值不同的電流值的電流，不能夠使有機EL元件以所要的亮度發(fā)光那樣的問題。在上述的無論那個專利文獻中，都沒有揭示用于解決該問題的構(gòu)成。
專利文獻1特開平5-216439號公報；專利文獻2特開平8-95522號公報；專利文獻3特開2000-26729號公報。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明正是在上述背景下提出的，其目的在于提供一種能夠?qū)γ總€像素調(diào)整電光學(xué)裝置的亮度的技術(shù)。又，本發(fā)明的目的在于提供一種即便像素電路的驅(qū)動晶體管和驅(qū)動電路的晶體管的特性不同，也能夠使像素以所要的亮度發(fā)光的技術(shù)。
為了解決上述課題，本發(fā)明提供一種數(shù)據(jù)線驅(qū)動電路，在具有設(shè)置在多條掃描線和多條數(shù)據(jù)線的各個交叉點上的像素、和順次選擇各條上述掃描線并且將選擇信號供給所選出的掃描線的掃描線驅(qū)動電路的電光學(xué)裝置中，用于驅(qū)動上述數(shù)據(jù)線，其特征在于，具有灰度電流生成部件，其在將選擇信號供給各條上述掃描線的期間，生成與表示設(shè)置在該掃描線上的像素的灰度的灰度數(shù)據(jù)相應(yīng)的灰度電流；校正電流生成部件，其生成用于校正上述像素亮度的校正電流；電流電壓變換部件，其生成與將由上述灰度電流生成部件生成的灰度電流和由上述校正電流生成部件生成的校正電流加起來得到的電流相應(yīng)的電壓；和將由上述電流電壓變換部件生成的電壓施加到各條上述數(shù)據(jù)線上的部件。
根據(jù)該構(gòu)成，則灰度電流生成部件生成灰度電流，校正電流生成部件生成用于校正像素亮度的校正電流。而且，數(shù)據(jù)線驅(qū)動電路，生成與將校正電流和灰度電流加起來得到的電流相應(yīng)的電壓，并加到各條數(shù)據(jù)線上。
因此，能夠?qū)γ總€像素調(diào)整電光學(xué)裝置的亮度。
優(yōu)選上述校正電流生成部件根據(jù)用于校正各個上述像素的亮度的校正數(shù)據(jù)生成校正電流。根據(jù)該構(gòu)成，則因為根據(jù)校正數(shù)據(jù)生成校正電流，所以能夠確實地進行亮度調(diào)整。
優(yōu)選上述灰度電流生成部件是電流加算型的數(shù)字/模擬變換電路，其生成多個要素電流，從該多個要素電流中將根據(jù)上述灰度數(shù)據(jù)選出的要素電流加起來，生成灰度電流。根據(jù)該構(gòu)成，則因為通過將多個要素電流加起來生成灰度電流，所以能夠確實地進行亮度調(diào)整。
優(yōu)選上述校正電流生成部件是電流加算型的數(shù)字/模擬變換電路，其生成多個要素電流，從該多個要素電流中將根據(jù)上述校正數(shù)據(jù)選出的要素電流加起來，生成校正電流。根據(jù)該構(gòu)成，則因為通過將多個要素電流加起來生成校正電流，所以能夠確實地進行亮度調(diào)整。
進一步，優(yōu)選上述數(shù)據(jù)線驅(qū)動電路具有存儲上述校正數(shù)據(jù)的存儲部件；上述校正電流生成部件讀出存儲在上述存儲部件中的校正數(shù)據(jù)，生成與該校正數(shù)據(jù)相應(yīng)的校正電流。根據(jù)該構(gòu)成，則因為用存儲在存儲部件中的校正數(shù)據(jù)，所以能夠高效率地進行亮度調(diào)整。
優(yōu)選上述校正電流生成部件，與各條上述數(shù)據(jù)線對應(yīng)地設(shè)置多個。根據(jù)該構(gòu)成，則能夠?qū)γ總€像素進行亮度調(diào)整。
進一步，優(yōu)選上述數(shù)據(jù)線驅(qū)動電路具有電流源、和用從上述電流源供給的電流生成電壓的基準電壓生成部件；上述灰度電流生成部件用由上述基準電壓生成部件生成的電壓生成灰度電流；上述校正電流生成部件用由上述基準電壓生成部件生成的電壓生成校正電流。并且，優(yōu)選上述電流源產(chǎn)生的電流量可以調(diào)整。
優(yōu)選上述校正數(shù)據(jù)是屬于特定的灰度帶的灰度數(shù)據(jù)。根據(jù)該構(gòu)成，則能夠?qū)γ總€灰度帶調(diào)整像素的亮度。
再有，為解決上述課題，本發(fā)明提供一種數(shù)據(jù)線驅(qū)動電路，在具有設(shè)置在多條掃描線和多條數(shù)據(jù)線的各個交叉點上的像素、和順次選擇各條上述掃描線并且將選擇信號供給所選出的掃描線的掃描線驅(qū)動電路的電光學(xué)裝置中，用于驅(qū)動上述數(shù)據(jù)線，具有基準電壓生成部件，其生成用于生成灰度電流的基準電壓；校正部件，其對由上述基準電壓生成部件生成的基準電壓進行校正；灰度電流生成部件，其用經(jīng)過上述校正部件校正的基準電壓生成灰度電流；電流電壓變換部件，其生成與由上述灰度電流生成部件生成的灰度電流相應(yīng)的電壓；和將由上述電流電壓變換部件生成的電壓施加到各條上述數(shù)據(jù)線的部件。
根據(jù)該構(gòu)成，則用校正部件校正由基準電壓生成部件的基準電壓。灰度電流生成部件用經(jīng)過校正部件校正的基準電壓生成灰度電流。電流電壓變換部件生成與灰度電流相應(yīng)的電壓。數(shù)據(jù)線驅(qū)動電路將該電壓加到各條數(shù)據(jù)線上。
因此，能夠?qū)γ總€像素調(diào)整電光學(xué)裝置的亮度的動態(tài)范圍。
優(yōu)選上述校正部件根據(jù)用于校正各個上述像素的亮度的校正數(shù)據(jù)對上述基準電壓進行校正。根據(jù)該構(gòu)成，則因為根據(jù)校正數(shù)據(jù)校正基準電壓，所以能夠確實地進行亮度調(diào)整。
優(yōu)選上述灰度電流生成部件是電流加算型的數(shù)字/模擬變換電路，其用經(jīng)過上述校正部件校正的基準電壓生成多個要素電流，從該多個要素電流中將根據(jù)上述灰度數(shù)據(jù)選出的要素電流加起來，生成灰度電流。根據(jù)該構(gòu)成，則因為通過將多個要素電流加起來生成灰度電流，所以能夠確實地進行亮度調(diào)整。
優(yōu)選上述校正部件是電流加算型的數(shù)字/模擬變換電路，其用由上述基準電壓生成部件生成的基準電壓生成多個要素電流，生成與從該多個要素電流中將根據(jù)上述校正數(shù)據(jù)選出的要素電流加起來的電流相應(yīng)的電壓。根據(jù)該構(gòu)成，則因為生成與通過將多個要素電流加起來得到的電流相應(yīng)的電壓，所以能夠確實地進行亮度調(diào)整。
進一步，優(yōu)選上述數(shù)據(jù)線驅(qū)動電路具有存儲上述校正數(shù)據(jù)的存儲部件；上述校正部件讀出存儲在上述存儲部件中的校正數(shù)據(jù)，根據(jù)該校正數(shù)據(jù)對基準電壓進行校正。根據(jù)該構(gòu)成，則因為用存儲在存儲部件校正數(shù)據(jù)，所以能夠高效率地進行亮度調(diào)整。
優(yōu)選上述校正部件，與各條上述數(shù)據(jù)線對應(yīng)地設(shè)置多個。根據(jù)該構(gòu)成，則能夠?qū)γ總€像素進行亮度調(diào)整。
優(yōu)選上述基準電壓生成部件具有可以調(diào)整電流量的電流源，用從該電流源供給的電流生成基準電壓。根據(jù)該構(gòu)成，則因為可以調(diào)整當(dāng)生成基準電壓時用的電流量，所以能夠調(diào)整灰度電流的動態(tài)范圍。
再有，本發(fā)明的數(shù)據(jù)線驅(qū)動電路也可以具有基準電壓生成部件，其生成用于生成灰度電流的基準電壓；灰度電流生成部件，其用由上述基準電壓生成部件生成的基準電壓生成灰度電流；校正部件，其對由上述灰度電流生成部件生成的灰度電流進行校正；電流電壓變換部件，其生成與經(jīng)過上述校正部件校正的灰度電流相應(yīng)的電壓；和將由上述電流電壓變換部件生成的電壓施加到各條上述數(shù)據(jù)線的部件。根據(jù)該構(gòu)成，則因為校正由灰度電流生成部件生成的灰度電流，所以能夠?qū)γ總€像素調(diào)整電光學(xué)裝置的亮度的動態(tài)范圍。
再有，為了解決上述課題，本發(fā)明提供一種數(shù)據(jù)線驅(qū)動電路，用于驅(qū)動具有像素電路和掃描線驅(qū)動電路的電光學(xué)裝置的數(shù)據(jù)線，上述像素電路包含設(shè)置在多條掃描線和多條上述數(shù)據(jù)線的各個交叉點上并且根據(jù)所加電壓生成電流的驅(qū)動晶體管、和由從該驅(qū)動晶體管供給的電流驅(qū)動的被驅(qū)動元件，上述掃描線驅(qū)動電路順次選擇各條上述掃描線并且將選擇信號供給所選出的掃描線，上述數(shù)據(jù)線驅(qū)動電路具有灰度電流生成部件，其在將選擇信號供給上述掃描線的期間，生成根據(jù)表示設(shè)置在該掃描線上的像素的灰度的灰度數(shù)據(jù)的灰度電流；和電流電壓變換電路，其包括使漏極和柵極短路連接并且該柵極經(jīng)過上述數(shù)據(jù)線與上述驅(qū)動晶體管的柵極連接的第1晶體管，通過將由上述灰度電流生成電路生成的灰度電流供給該第1晶體管，生成與該灰度電流相應(yīng)的電壓。
根據(jù)該構(gòu)成，則電流電壓生成電路，通過將由上述灰度電流生成電路生成的灰度電流供給上述第1晶體管生成與上述灰度電流相應(yīng)的電壓，將該電壓加到各條數(shù)據(jù)線上。因此，即便像素電路的驅(qū)動晶體管和驅(qū)動電路的晶體管的特性不同，因為可以進行與特性不同相應(yīng)的調(diào)整，所以也能夠使像素以所要的亮度發(fā)光。
在該數(shù)據(jù)線驅(qū)動電路中，優(yōu)選具有生成用于生成灰度電流的基準電壓的基準電壓生成部件；上述灰度電流生成電路用由上述基準電壓生成電路生成的基準電壓生成灰度電流。又，優(yōu)選上述基準電壓生成電路具有使漏極和柵極短路連接的第2晶體管、和可以調(diào)整電流量的電流源，通過將由上述電流源生成的電流供給上述第2晶體管，生成基準電壓。根據(jù)該構(gòu)成，則因為能夠調(diào)整基準電壓，所以能夠調(diào)整灰度電流的大小。因此能夠使像素以所要的亮度發(fā)光。
在該數(shù)據(jù)線驅(qū)動電路中，優(yōu)選當(dāng)上述第1晶體管的閾值電壓比上述驅(qū)動晶體管的閾值電壓低時，使上述第1晶體管的高位側(cè)的電源電壓成為比上述驅(qū)動晶體管的高位側(cè)的電源電壓，只低上述第1晶體管和上述驅(qū)動晶體管的閾值電壓之差的電壓；當(dāng)上述第1晶體管的閾值電壓比上述驅(qū)動晶體管的閾值電壓高時，使上述第1晶體管的高位側(cè)的電源電壓成為比上述驅(qū)動晶體管的高位側(cè)的電源電壓，只高上述第1晶體管和上述驅(qū)動晶體管的閾值電壓之差的電壓。根據(jù)該構(gòu)成，則即便像素電路的驅(qū)動晶體管和電流電壓變換電路的晶體管的閾值電壓不同，也能夠使像素以所要的亮度發(fā)光。
優(yōu)選上述第1晶體管具有將各柵極共同地連接起來的多個晶體管、和使該多個晶體管的各個的漏極和柵極短路連接并且將該漏極之間共同地連接起來的開關(guān)，根據(jù)預(yù)先作成的數(shù)據(jù)使上述開關(guān)接通/斷開。根據(jù)該構(gòu)成，則因為能夠調(diào)整第1晶體管的電流能力，所以能夠使像素以所要的亮度發(fā)光。
優(yōu)選上述灰度電流生成電路是電流加算型的數(shù)字/模擬變換電路，其生成多個要素電流，從該多個要素電流中將根據(jù)上述灰度數(shù)據(jù)選出的要素電流加起來，生成灰度電流。根據(jù)該構(gòu)成，則因為通過將多個要素電流加起來生成灰度電流，所以能夠確實地進行亮度的調(diào)整。
在該數(shù)據(jù)線驅(qū)動電路中，優(yōu)選具有對由上述電壓電流變換電路生成的電壓進行緩沖并輸出的緩沖電路。根據(jù)該構(gòu)成，則能夠穩(wěn)定地輸出電壓。
本發(fā)明的數(shù)據(jù)線驅(qū)動電路適用于驅(qū)動設(shè)置在多條掃描線和多條數(shù)據(jù)線的各個交叉點上的像素的電光學(xué)裝置。又，也可以在電子設(shè)備中備有該電光學(xué)裝置。


圖1是表示與第1實施方式有關(guān)的電光學(xué)裝置100的構(gòu)成圖。
圖2是表示從掃描線驅(qū)動電路21供給的信號的圖。
圖3是表示像素電路16的構(gòu)成的一例的圖。
圖4是表示數(shù)據(jù)線驅(qū)動電路22的構(gòu)成圖。
圖5是表示DAC222和基準電壓生成電路223的構(gòu)成圖。
圖6是表示DAC35的圖。
圖7是表示DAC222和基準電壓生成電路223的構(gòu)成圖。
圖8是表示DAC45的圖。
圖9是表示數(shù)據(jù)線驅(qū)動電路22的構(gòu)成圖。
圖10是表示DAC222、基準電壓生成電路223和電流電壓變換電路224的構(gòu)成圖。
圖11是表示基準電壓生成電路56的圖。
圖12是表示電流電壓變換電路57的圖。
圖13是表示設(shè)置緩沖電路58的構(gòu)成圖。
圖14是表示像素電路17的構(gòu)成圖。
圖15是表示像素電路17的工作的圖。
圖16是表示采用電光學(xué)裝置100的個人計算機的圖。
圖中100-電光學(xué)裝置，10-電光學(xué)面板，11-掃描線，12-數(shù)據(jù)線，14-電源線，16-像素電路，21-掃描線驅(qū)動電路，22-數(shù)據(jù)線驅(qū)動電路，60-控制裝置，70-電源電路，80-圖像存儲器，221-行存儲器，222-DAC，223-基準電壓生成電路，224-電流電壓變換電路，225-緩沖電路，31-DAC，32-DAC，33-基準電壓生成電路，34-基準電壓生成電路，35-DAC，36-基準電壓生成電路，41-DAC，42-DAC，44-基準電壓生成電路，45-DAC，46-基準電壓生成電路，51-DAC，53-基準電壓生成電路，55-電流電壓變換電路，56-基準電壓生成電路，57-電流電壓變換電路，58-緩沖電路。
具體實施例方式
(第1實施方式)以下說明本發(fā)明的第1實施方式。圖1是表示與第1實施方式有關(guān)的電光學(xué)裝置100的構(gòu)成圖。在本實施方式中，說明將本發(fā)明應(yīng)用于有機EL顯示器的例子。
電光學(xué)面板10具有m條掃描線11和n條數(shù)據(jù)線12。各條掃描線11和各條數(shù)據(jù)線12相互正交，在掃描線11和數(shù)據(jù)線12的各個交叉部位設(shè)置像素電路16。圖像存儲器80存儲供給數(shù)據(jù)線驅(qū)動電路22的灰度數(shù)據(jù)?？刂蒲b置60由CPU(Central Processing Unit中央處理器)、RAM(RandomAccess Memory隨機存取存儲器)、ROM(Read Only Memory只讀存儲器)等構(gòu)成，通過CPU執(zhí)行存儲在ROM中的程序?qū)﹄姽鈱W(xué)裝置100的各單元進行控制。電源電路70是向電光學(xué)裝置100的各單元供給電源的電路。
掃描線驅(qū)動電路21是將掃描信號供給各條掃描線11的電路。圖2是表示從掃描線驅(qū)動電路21供給的信號的圖。具體地說，掃描線驅(qū)動電路21從1個垂直掃描期間(1F)的開始時刻開始，按1個水平掃描期間(1H)選擇1條的方式，依次選擇掃描線11，將有效電平(H電平)的掃描信號(選擇信號)供給所選出的掃描線11，將非有效電平(L電平)的掃描信號(非選擇信號)供給除此以外的掃描線11。這里，我們將供給第i行(i＝1、2、…、m)掃描線的掃描信號表記為Yi。
另一方面，數(shù)據(jù)線驅(qū)動電路22是經(jīng)過數(shù)據(jù)線12將與灰度數(shù)據(jù)相應(yīng)的電壓加到各個像素電路16上的電路。我們將在后面述說數(shù)據(jù)線驅(qū)動電路22的詳細情形。
下面，說明像素電路16的構(gòu)成。圖3是表示像素電路16的構(gòu)成的一例的圖。在圖3中，只表示了位于第i行掃描線11和第j列(j＝1、2、…、n)數(shù)據(jù)線12的交叉部位的像素電路16，但是其它像素電路16也具有同樣的構(gòu)成。晶體管164是作為開關(guān)晶體管起作用的n溝道型晶體管，它的柵極與掃描線11連接，它的源極與數(shù)據(jù)線12連接，它的漏極與晶體管162的柵極和電容元件166的一端連接。電容元件166的另一端與加上高位側(cè)的電源電壓Vdd的電源線14連接。晶體管162是作為驅(qū)動晶體管起作用的p溝道型晶體管，它的源極與電源線14連接，它的漏極與有機EL元件168的陽極連接。有機EL元件168的陰極與低位側(cè)的電源電壓Gnd連接。在有機EL元件168的陽極和陰極之間夾持著有機EL層。
下面，對位于第i行掃描線11和第j列數(shù)據(jù)線12的交叉部位的像素電路16的工作進行說明。當(dāng)選擇第i行掃描線11，掃描信號Yi成為H電平時，晶體管164處于接通狀態(tài)，在晶體管162的柵極上加上電壓Vout。這樣一來，在晶體管162的源—漏極之間，流動著與電壓Vout相應(yīng)的電流Iout，有機EL元件168以與該電流Iout相應(yīng)的亮度發(fā)光。又，這時，在電容元件166上，積累與電壓Vout相應(yīng)的電荷。
接著，當(dāng)?shù)趇行掃描線11成為非選擇，掃描信號Yi成為L電平時，晶體管164處于斷開狀態(tài)，但是因為由電容元件166保持晶體管162的柵極電壓，所以在有機EL元件168中繼續(xù)流動著大小與晶體管164處于接通狀態(tài)時相等的電流Iout。因此，有機EL元件168，即便第i行掃描線11成為非選擇，也繼續(xù)以與選擇時的電流Iout相應(yīng)的亮度發(fā)光。
上述工作是在位于第i行掃描線11和各條數(shù)據(jù)線12的交叉部位的全部像素電路16中進行的。進一步，通過輪番選擇掃描線11，在全部像素電路16中進行同樣的工作，因此，顯示出1個幀的圖像。而且，在每1個垂直掃描期間重復(fù)顯示該1個幀的圖像。
下面，說明數(shù)據(jù)線驅(qū)動電路22。圖4是表示數(shù)據(jù)線驅(qū)動電路22的構(gòu)成圖。行存儲器221，從圖像存儲器80接受與位于由掃描線驅(qū)動電路11選擇的掃描線11和各數(shù)據(jù)線12的交叉部位的像素對應(yīng)的灰度數(shù)據(jù)的供給，存儲供給的灰度數(shù)據(jù)?；鶞孰妷荷呻娐?23生成基準電壓并加到DAC222上。DAC222從行存儲器221接受與各個像素電路16對應(yīng)的灰度數(shù)據(jù)的供給，生成與供給的灰度數(shù)據(jù)相應(yīng)的電流，將生成的電流供給電流電壓變換電路224。電流電壓變換電路224生成與供給的電壓相應(yīng)的電壓(數(shù)據(jù)信號)，經(jīng)過緩沖電路225將該電壓輸出到各條數(shù)據(jù)線12。
下面，說明DAC222。圖5是表示DAC222和基準電壓生成電路223的構(gòu)成圖。DAC222由與各條數(shù)據(jù)線12對應(yīng)的n個DAC31和n個DAC32構(gòu)成。DAC31是用于根據(jù)灰度數(shù)據(jù)生成灰度電流的DAC。DAC32是用于生成加在由DAC31生成的電流上的校正電流的DAC。
基準電壓生成電路223由與各個DAC31對應(yīng)的n個基準電壓生成電路33和與各個DAC32對應(yīng)的n個基準電壓生成電路34構(gòu)成。基準電壓生成電路33是用于在各個DAC31上加上基準電壓的電路，基準電壓生成電路34是用于在各個DAC32上加上基準電壓的電路。
此外，在圖5中，為了避免圖面變得復(fù)雜，只表示了與第j列數(shù)據(jù)線12對應(yīng)的DAC31、DAC32，基準電壓生成電路33和基準電壓生成電路34。
下面，說明DAC31和基準電壓生成電路33的構(gòu)成。DAC31具有晶體管31a、晶體管31b、晶體管31c、晶體管31d。晶體管31a到d都是n溝道型晶體管，它們的源極接地。又，晶體管31a到d的漏極分別與開關(guān)31e、31f、31g、31h的一端連接。開關(guān)31e到h的另一端都與端子A連接。基準電壓生成電路33具有恒電流源331和晶體管332。晶體管332是n溝道型晶體管，它的漏極與恒電流源331連接，它的源極接地。這里，晶體管332的漏極和柵極短路連接，形成二極管連接。而且，通過將晶體管332的柵極和晶體管31a到d的柵極連接起來，形成電流鏡電路。通過這樣做，將大小與晶體管332的柵極電壓相等的柵極電壓加到晶體管31a到d的柵極上，與該柵極電壓相應(yīng)的電流(要素電流)在晶體管31a到d的源—漏極之間流動。
這里，說明晶體管31a到d的溝道的尺寸比。晶體管31a到d都具有同一個溝道長度L1，另一方面，它們的溝道寬度不同。當(dāng)令晶體管31a、31b、31c、31d的溝道寬度分別為Wa、Wb、Wc、Wd時，它們的比為Wa∶Wb∶Wc∶Wd＝1∶2∶4∶8。晶體管的增益系數(shù)β表示為β＝μCW/L。這里，μ表示載流子遷移率，C表示柵極電容，W表示溝道寬度，L表示溝道長度。從而，在晶體管中流動的電流與溝道寬度成正比。因此，當(dāng)加上同一柵極電壓時，在晶體管31a、31b、31c、31d中流動的電流的比成為1∶2∶4∶8。
在本實施方式中，灰度數(shù)據(jù)由4位的二進制數(shù)構(gòu)成。當(dāng)經(jīng)過行存儲器221將該校正數(shù)據(jù)供給DAC31時，與該灰度數(shù)據(jù)相應(yīng)地使開關(guān)31e到h接通/斷開。具體地說，各位從最下位的位開始順序地與開關(guān)31e、31f、31g、31h對應(yīng)。例如，當(dāng)最下位的值為0時，開關(guān)31e處于斷開狀態(tài)，當(dāng)為1時處于接通狀態(tài)。這樣，根據(jù)灰度數(shù)據(jù)使開關(guān)31e到h接通/斷開，在與處于接通狀態(tài)的開關(guān)對應(yīng)的晶體管中流動電流。因此，合計這些電流得到的電流能夠持有包含0的16個階段的電流值，可以輸出大小與灰度數(shù)據(jù)對應(yīng)的灰度電流Idata1。
DAC32具有與DAC31同樣的構(gòu)成，又，基準電壓生成電路34具有與基準電壓生成電路33同樣的構(gòu)成。在圖5中，DAC32的各構(gòu)成要素的標(biāo)號是將DAC31的各構(gòu)成要素的標(biāo)號中的“31”部分改換成“32”而得到的，基準電壓生成電路34的各構(gòu)成要素的標(biāo)號是將基準電壓生成電路33的各構(gòu)成要素的標(biāo)號中的“33”部分改換成“34”而得到的。
可是，在DAC32中，代替灰度數(shù)據(jù)，輸入校正數(shù)據(jù)。由于溫度和外光等的環(huán)境條件、有機EL元件自身的隨著時間的變化等的影響，有機EL元件的輸入輸出特性發(fā)生變化。又，由于設(shè)置在像素電路16上的驅(qū)動晶體管的特性的零散，輸入輸出特性產(chǎn)生零散。從而，考慮到環(huán)境條件的變化和隨著時間的變化的影響，需要對每個像素校正有機EL元件的峰值亮度和γ校正的傾斜數(shù)據(jù)等。用于進行這種校正的數(shù)據(jù)是本實施方式中的校正數(shù)據(jù)。校正數(shù)據(jù)也由4位的二進制數(shù)構(gòu)成，持有包含0的16個階段的值。
此外，校正數(shù)據(jù)也可以是屬于特定的灰度帶的灰度數(shù)據(jù)。如果用這種校正數(shù)據(jù)，則能夠?qū)γ總€灰度帶，調(diào)整像素的亮度。
此外，也可以將校正數(shù)據(jù)與灰度數(shù)據(jù)一起存儲在圖像存儲器中。
具有上述構(gòu)成的電光學(xué)裝置100的工作如下所述。DAC31用由基準電壓生成電路33生成的基準電壓，生成與灰度數(shù)據(jù)相應(yīng)的灰度電流Idata1。DAC32用由基準電壓生成電路34生成的基準電壓，生成與校正數(shù)據(jù)相應(yīng)的校正電流Idata2。而且，在端子A將灰度電流Idata1和校正電流Idata2加起來形成電流Idata3。
將電流Idata3供給電流電壓變換電路224，電流電壓變換電路224生成與供給的電流Idata3相應(yīng)的電壓Vout輸出到緩沖電路225，緩沖電路225將電壓Vout加到各條數(shù)據(jù)線12上。當(dāng)將電壓Vout加到數(shù)據(jù)線12上時，通過上述工作，將與該電壓Vout相應(yīng)的電流Iout供給設(shè)置在像素電路16上的有機EL元件，有機EL元件以與該電流Iout相應(yīng)的亮度發(fā)光。
以上，如說明了的那樣，如果根據(jù)本實施方式，則根據(jù)對每個像素作成的校正數(shù)據(jù)生成校正電流，通過將該校正電流加到灰度電流上，能夠?qū)γ總€像素進行亮度調(diào)整。因此，可以在全部像素上進行沒有零散的均勻發(fā)光。
(第2實施方式)以下說明本發(fā)明的第2實施方式。圖6是表示DAC35的圖。在第2實施方式中，采用DAC35代替第1實施方式中的DAC31和32。此外，對與第1實施方式相同的構(gòu)成要素，附加相同的標(biāo)號。
此外，在圖6中，為了避免圖面變得復(fù)雜，只表示了與第j列數(shù)據(jù)線12對應(yīng)的DAC35，基準電壓生成電路33和基準電壓生成電路36。
下面，說明DAC35的構(gòu)成。DAC35具有部分改變第1實施方式中的DAC31的構(gòu)成。這里，說明DAC35與DAC31的不同點。DAC35除了DAC31的構(gòu)成外還具有晶體管35a。晶體管35a的源極接地，它的漏極與端子A連接?；鶞孰妷荷呻娐?6具有電流源361和晶體管362。電流源361可以調(diào)整生成的電流。晶體管362是n溝道型晶體管，它的漏極與電流源361連接，它的源極接地。這里，晶體管362的漏極和柵極短路連接，形成二極管連接。而且，通過將晶體管362的柵極和晶體管35a的柵極連接起來，形成電流鏡電路。通過這樣做，將大小與晶體管362的柵極電壓相等的柵極電壓加到晶體管35a的柵極上，與該柵極電壓相應(yīng)的電流在晶體管35a的源—漏極之間流動。
下面，說明具有上述構(gòu)成的電光學(xué)裝置100的工作。DAC35用由基準電壓生成電路33生成的基準電壓，生成與灰度數(shù)據(jù)相應(yīng)的灰度電流Idata1?；鶞孰妷荷呻娐?4用可以調(diào)整的電流源361生成校正電流Idata2。而且，在端子A將灰度電流Idata1和校正電流Idata2加起來形成電流Idata3。
將電流Idata3供給電流電壓變換電路224，電流電壓變換電路224生成與供給的電流Idata3相應(yīng)的電壓Vout輸出到緩沖電路225，緩沖電路225將電壓Vout加到各條數(shù)據(jù)線12上。當(dāng)將電壓Vout加到數(shù)據(jù)線12上時，通過上述工作，將與該電壓Vout相應(yīng)的電流Iout供給設(shè)置在像素電路16上的有機EL元件，有機EL元件以與該電流Iout相應(yīng)的亮度發(fā)光。
以上，如說明了的那樣，如果根據(jù)本實施方式，則通過對每個像素生成校正電流，將該校正電流加到灰度電流上，能夠?qū)γ總€像素進行亮度調(diào)整。因此，可以在全部像素上進行沒有零散的均勻發(fā)光。
(第3實施方式)以下說明本發(fā)明的第3實施方式。下面，對與第1實施方式相同的構(gòu)成要素，附加相同的標(biāo)號，并省略對它們的說明。
首先，說明DAC222。圖7是表示DAC222和基準電壓生成電路223的構(gòu)成圖。DAC222由與各條數(shù)據(jù)線12對應(yīng)的n個DAC41和n個DAC42構(gòu)成。DAC41是用于根據(jù)灰度數(shù)據(jù)生成灰度電流的DAC，DAC42是用于根據(jù)校正數(shù)據(jù)生成校正電壓，將該校正電壓加到DAC41上的DAC。
基準電壓生成電路223由與各個DAC42對應(yīng)的n基準電壓生成電路44構(gòu)成，將基準電壓加到各個DAC42上。
此外，在圖7中，為了避免圖面變得復(fù)雜，只表示了與第j列數(shù)據(jù)線12對應(yīng)的DAC41、DAC42和基準電壓生成電路44。
下面，我們說明DAC42和基準電壓生成電路44的構(gòu)成。DAC42具有晶體管42a、晶體管42b、晶體管42c、晶體管42d。晶體管42a到d都是p溝道型晶體管，它們的源極與高位側(cè)的電源電壓連接。又，晶體管42a到d的漏極分別與開關(guān)42e、42f、42g、42h的一端連接。晶體管42k是n溝道型晶體管，開關(guān)42e到h的另一端都與晶體管42k的漏極連接。晶體管42k的源極接地?；鶞孰妷荷呻娐?4具有恒電流源441和晶體管442。晶體管442是p溝道型晶體管，它的漏極與恒電流源441連接，它的源極與高位側(cè)的電源電壓連接。這里，晶體管442的漏極和柵極短路連接，形成二極管連接。而且，通過將晶體管442的柵極和晶體管42a到d的柵極連接起來，形成電流鏡電路。通過這樣做，將大小與晶體管442的柵極電壓相等的柵極電壓加到晶體管42a到d的柵極上，與該柵極電壓相應(yīng)的電流(要素電流)在晶體管42a到d的源—漏極之間流動。
這里，說明晶體管42a到d的溝道的尺寸比。晶體管42a到d都具有同一個溝道長度L1，另一方面，它們的溝道寬度不同。當(dāng)令晶體管42a、42b、42c、42d的溝道寬度分別為Wa、Wb、Wc、Wd時，它們的比為Wa∶Wb∶Wc∶Wd＝1∶2∶4∶8。晶體管的增益系數(shù)β表示為β＝μCW/L。這里，μ表示載流子遷移率，C表示柵極電容，W表示溝道寬度，L表示溝道長度。從而，在晶體管中流動的電流與溝道寬度成正比。因此，當(dāng)加上同一柵極電壓時，在晶體管42a、42b、42c、42d中流動的電流的比成為1∶2∶4∶8。
這里，說明校正數(shù)據(jù)。由于溫度和外光等的環(huán)境條件、有機EL元件自身的隨著時間的變化等的影響，有機EL元件的輸入輸出特性發(fā)生變化。又，由于設(shè)置在像素電路16上的驅(qū)動晶體管的特性零散，輸入輸出特性產(chǎn)生零散。從而，考慮到環(huán)境條件的變化和隨著時間的變化的影響，需要對每個像素校正有機EL元件的峰值亮度和γ校正的傾斜數(shù)據(jù)等。用于進行這種校正的數(shù)據(jù)是本實施方式中的校正數(shù)據(jù)。
此外，也可以將校正數(shù)據(jù)與灰度數(shù)據(jù)一起存儲在圖像存儲器中。
在本實施方式中，灰度數(shù)據(jù)由4位的二進制數(shù)構(gòu)成。當(dāng)經(jīng)過行存儲器221將該灰度數(shù)據(jù)供給DAC42時，與該灰度數(shù)據(jù)相應(yīng)地使開關(guān)42e到h接通/斷開。具體地說，各位從最下位的位開始順序地與開關(guān)42e、42f、42g、42h對應(yīng)。例如，當(dāng)最下位的值為0時，開關(guān)42e處于斷開狀態(tài)，當(dāng)為1時處于接通狀態(tài)。這樣，根據(jù)灰度數(shù)據(jù)使開關(guān)42e到h接通/斷開，在與處于接通狀態(tài)的開關(guān)對應(yīng)的晶體管中流動電流。因此，合計這些電流得到的電流能夠持有包含0的16個階段的電流值，可以輸出大小與校正數(shù)據(jù)對應(yīng)的校正電流Idata1。而且，將校正電流Idata1供給晶體管42k，在晶體管42k的源—漏極之間產(chǎn)生與校正電流Idata1的大小相應(yīng)的校正電壓Vdata1。
下面，說明DAC41。DAC41具有晶體管41a、晶體管41b、晶體管41c、晶體管41d。晶體管41a到d都是n溝道型晶體管，它們的源極接地。又，晶體管41a到d的漏極分別與開關(guān)41e、41f、41g、41h的一端連接。這里，DAC42的晶體管42k的柵極和晶體管41a到d的柵極連接，形成電流鏡電路。通過這樣做，將大小與晶體管42k的柵極電壓相等的柵極電壓加到晶體管41a到d的柵極上，與該柵極電壓相應(yīng)的電流在晶體管41a到d的源—漏極之間流動。
晶體管41a到d的溝道的尺寸比也與上述的晶體管42a到d相同，都具有同一個溝道長度L1，另一方面，它們的溝道寬度不同。當(dāng)令晶體管41a、41b、41c、41d的溝道寬度分別為Wa、Wb、Wc、Wd時，它們的比為Wa∶Wb∶Wc∶Wd＝1∶2∶4∶8。因此，當(dāng)加上同一個柵極電壓時，在晶體管41a、41b、41c、41d中流動的電流的比也成為1∶2∶4∶8?；叶葦?shù)據(jù)也由4位的二進制數(shù)構(gòu)成，持有包含0的16個階段的值。
具有上述構(gòu)成的電光學(xué)裝置100的工作如下所述。DAC42用校正數(shù)據(jù)對由基準電壓生成電路44生成的基準電壓進行校正，輸出校正電壓Vdata1(晶體管42k的柵極電壓)。DAC42生成與灰度數(shù)據(jù)相應(yīng)的灰度電流Idata2。生成該灰度電流Idata2時用的電壓是從DAC42的晶體管42k輸出的校正電壓Vdata1。即，通過對生成灰度電流Idata2時的基準電流進行校正，能夠調(diào)整灰度電流的動態(tài)范圍。而且，DAC41將生成的灰度電流Idata2輸出到電流電壓變換電路224。
電流電壓變換電路224生成與供給的電流Idata2相應(yīng)的電壓Vout輸出到緩沖電路225，緩沖電路225將電壓Vout加到各條數(shù)據(jù)線12上。當(dāng)將電壓Vout加到數(shù)據(jù)線12上時，通過上述工作，將與該電壓Vout相應(yīng)的電流Iout供給設(shè)置在像素電路16上的有機EL元件，有機EL元件以與該電流Iout相應(yīng)的亮度發(fā)光。
此外，在本實施方式中，具有由校正部件對由基準電壓生成部件生成的基準電壓進行校正，灰度電流生成部件用經(jīng)過校正的基準電壓生成灰度電流的構(gòu)成，但是也可以具有灰度電流生成部件用基準電流生成灰度電流，由校正部件對由該灰度電流進行校正的構(gòu)成。
以上，如說明了的那樣，如果根據(jù)本實施方式，則根據(jù)對每個像素作成的校正數(shù)據(jù)生成校正電壓，通過用該校正電壓生成與灰度數(shù)據(jù)對應(yīng)的灰度電流，能夠?qū)γ總€像素進行亮度的動態(tài)范圍的調(diào)整。因此，可以在全部像素上進行沒有零散的均勻發(fā)光。
(第4實施方式)以下說明本發(fā)明的第4實施方式。圖8是表示DAC45的圖。在第4實施方式中，采用DAC45代替第3實施方式中的DAC41和42。此外，對與第3實施方式相同的構(gòu)成要素，附加相同的標(biāo)號。
此外，在圖8中，為了避免圖面變得復(fù)雜，只表示了與第j列數(shù)據(jù)線12對應(yīng)的DAC45和基準電壓生成電路46。
下面，說明DAC45的構(gòu)成。DAC45具有與第1實施方式中的DAC41相同的構(gòu)成?；鶞孰妷荷呻娐?6具有恒電流源461和晶體管462。晶體管462是n溝道型晶體管，它的漏極與電流源461連接，它的源極接地。這里，晶體管462的漏極和柵極短路連接，形成二極管連接。而且，通過將晶體管462的柵極和晶體管45a的柵極連接起來，形成電流鏡電路。通過這樣做，將大小與晶體管462的柵極電壓相等的柵極電壓加到晶體管45a到d的柵極上，與該柵極電壓相應(yīng)的電流在晶體管45a到d的源—漏極之間流動。
下面，說明具有上述構(gòu)成的電光學(xué)裝置100的工作。基準電壓生成電路46用可以調(diào)整的電流源461輸出校正電流Idata1。DCA45生成與灰度數(shù)據(jù)相應(yīng)的灰度電流Idata2。生成該灰度電流Idata2時用的電壓是從基準電壓生成電路46的晶體管462輸出的校正電壓Vdata1。即，通過對生成灰度電流Idata2時的基準電流進行校正，能夠調(diào)整灰度電流的動態(tài)范圍。而且，DAC45將生成的灰度電流Idata2輸出到電流電壓變換電路224。
電流電壓變換電路224生成與供給的電流Idata2相應(yīng)的電壓Vout輸出到緩沖電路225，緩沖電路225將電壓Vout加到各條數(shù)據(jù)線12上。當(dāng)將電壓Vout加到數(shù)據(jù)線12上時，通過上述工作，將與該電壓Vout相應(yīng)的電流Iout供給設(shè)置在像素電路16上的有機EL元件，有機EL元件以與該電流Iout相應(yīng)的亮度發(fā)光。
以上，如說明了的那樣，如果根據(jù)本實施方式，則通過對每個像素生成校正電壓，用該校正電壓生成與灰度數(shù)據(jù)相應(yīng)的灰度電流，能夠?qū)γ總€像素進行亮度的動態(tài)范圍的調(diào)整。因此，可以在全部像素上進行沒有零散的均勻發(fā)光。
(第5實施方式)以下說明第5實施方式。下面，對與第1實施方式相同的構(gòu)成要素，附加相同的標(biāo)號，并省略對它們的說明。
首先，說明數(shù)據(jù)線驅(qū)動電路22。圖9是表示數(shù)據(jù)線驅(qū)動電路22的構(gòu)成的圖。行存儲器221，從圖像存儲器80接受與位于由掃描線驅(qū)動電路11選擇的掃描線11和各數(shù)據(jù)線12的交叉部位的像素對應(yīng)的灰度數(shù)據(jù)的供給，存儲供給的灰度數(shù)據(jù)?；鶞孰妷荷呻娐?23生成基準電壓并加到DAC222上。DAC222從行存儲器221接受與各個像素電路16對應(yīng)的灰度數(shù)據(jù)的供給，生成與供給的灰度數(shù)據(jù)相應(yīng)的電流，將生成的電流供給電流電壓變換電路224。電流電壓變換電路224生成與供給的電流相應(yīng)的電壓(數(shù)據(jù)信號)，將該電壓輸出到各條數(shù)據(jù)線12。
其次，說明DAC222、基準電壓生成電路223和電流電壓變換電路224的構(gòu)成。圖10是表示DAC222、基準電壓生成電路223和電流電壓變換電路224的構(gòu)成圖。DAC222由與各條數(shù)據(jù)線12對應(yīng)的n個DAC51構(gòu)成。DAC51是用于根據(jù)灰度數(shù)據(jù)生成灰度電流的DAC。
基準電壓生成電路223由與各個DAC51對應(yīng)的n個基準電壓生成電路53構(gòu)成，將基準電壓加到各個DAC51上。
電流電壓變換電路224由與各個DAC51對應(yīng)的n個電流電壓變換電路55構(gòu)成，生成與從DAC51供給的灰度電流相應(yīng)的電壓，將生成的電壓輸出到各條數(shù)據(jù)線12。
此外，在圖10中，為了避免圖面變得復(fù)雜，只表示了與第j列數(shù)據(jù)線12對應(yīng)的DAC51、基準電壓生成電路53和電流電壓變換電路55。又，在圖10中表示了設(shè)置在第i行掃描線11和第j列數(shù)據(jù)線12的交叉部位的像素電路16。
下面，說明DAC51、基準電壓生成電路53和電流電壓變換電路55的構(gòu)成。
DAC51具有晶體管51a、晶體管51b、晶體管51c、晶體管51d。晶體管51a到d都是n溝道型晶體管，它們的源極接地。又，晶體管51a到d的漏極分別與開關(guān)51e、51f、51g、51h的一端連接。開關(guān)51e到h的另一端共同與設(shè)置在電流電壓變換電路55中的晶體管551的漏極連接。
基準電壓生成電路53具有電流源531和晶體管532。電流源531具有調(diào)整輸出的電流量的功能。晶體管532是n溝道型晶體管，它的漏極與電流源531連接，它的源極接地。這里，晶體管532的漏極和柵極短路連接，形成二極管連接。而且，通過將晶體管532的柵極和晶體管51a到d的柵極連接起來，形成電流鏡電路。通過這樣做，將大小與晶體管532的柵極電壓相等的柵極電壓加到晶體管51a到d的柵極上，與該柵極電壓相應(yīng)的電流在晶體管51a到d的源—漏極之間流動。此外，代替基準電壓生成電路53，也能夠用外部輸入的電壓和從電阻等得到電壓。
設(shè)置在電流電壓變換電路55中的p溝道型晶體管551的源極與高位側(cè)的電源電壓Vdd連接，漏極和柵極短路連接形成二極管連接。進一步，晶體管551的柵極與數(shù)據(jù)線12連接。即，在選擇第i行掃描線11期間，由晶體管551和晶體管162形成電流鏡連接。
這里，說明晶體管51a到d的溝道的尺寸比。晶體管51a到d都具有同一個溝道長度L1，另一方面，它們的溝道寬度不同。當(dāng)令晶體管51a、51b、51c、51d的溝道寬度分別為Wa、Wb、Wc、Wd時，它們的比為Wa∶Wb∶Wc∶Wd＝1∶2∶4∶8。晶體管的增益系數(shù)β表示為β＝μCW/L。這里，μ表示載流子遷移率，C表示柵極電容，W表示溝道寬度，L表示溝道長度。從而，在晶體管中流動的電流與溝道寬度成正比。因此，當(dāng)加上同一柵極電壓時，在晶體管51a、51b、51c、51d中流動的電流的比成為1∶2∶4∶8。
在本實施方式中，灰度數(shù)據(jù)由4位的二進制數(shù)構(gòu)成。當(dāng)經(jīng)過行存儲器221將該灰度數(shù)據(jù)供給DAC51時，與該灰度數(shù)據(jù)相應(yīng)地使開關(guān)51e到h接通/斷開。具體地說，各位從最下位的位開始順序地與開關(guān)51e、51f、51g、51h對應(yīng)。例如，當(dāng)最下位的值為0時，開關(guān)51e處于斷開狀態(tài)，當(dāng)為1時處于接通狀態(tài)。這樣，根據(jù)灰度數(shù)據(jù)使開關(guān)51e到h接通/斷開，在與處于接通狀態(tài)的開關(guān)對應(yīng)的晶體管中流動電流。因此，合計這些電流得到的電流能夠持有包含0的16個階段的電流值，可以輸出大小與灰度數(shù)據(jù)對應(yīng)的灰度電流Idata。
可是，一般，用于像素電路的晶體管和用于數(shù)據(jù)線驅(qū)動電路的晶體管的制造工藝過程是不同的。在許多情形中，我們在用像素電路中用TFT，在數(shù)據(jù)線驅(qū)動電路中用MOSFET構(gòu)成的IC。在制造工藝過程不同的晶體管中，式(1)所示的增益系數(shù)β和閾值電壓Vth因工藝過程不同而不同。本實施方式，即便增益系數(shù)β和閾值電壓Vth這樣不同，也能夠以將所要電流供給有機EL元件168的方式進行構(gòu)成。下面說明該構(gòu)成。
首先，說明考慮到增益系數(shù)β不同的調(diào)整。如式(1)所示，由晶體管供給的電流與增益系數(shù)β成正比。假定，像素電路16的晶體管162的增益系數(shù)β為電流電壓變換電路55的晶體管551的增益系數(shù)β的2倍，晶體管162輸出從DAC51供給晶體管551的灰度電流Idata的2倍大小的電流Iout。在本實施方式中，考慮到這一點，以滿足下列關(guān)系的方式調(diào)整灰度電流。
(晶體管551的β)∶(晶體管162的β)＝Idata∶Iout…(2)灰度電流的調(diào)整能夠通過調(diào)整從基準電壓生成電路53的電流源531供給的電流來進行。因此，能夠從晶體管162輸出所要大小的輸出電流Iout。
其次說明考慮到閾值電壓不同的調(diào)整。如式(1)所示，由晶體管供給的電流與柵極電壓Vgs和閾值電壓Vth之差有關(guān)。假定，當(dāng)電流電壓變換電路55的晶體管551的閾值電壓只比像素電路16的晶體管162的閾值電壓低V1時，供給有機EL元件的電流只比所要的電流少與V1相當(dāng)?shù)臄?shù)量。與此相反，當(dāng)晶體管551的閾值電壓只比晶體管162的閾值電壓高V1時，供給有機EL元件的電流只比所要的電流多與V1相當(dāng)?shù)臄?shù)量。結(jié)果，不能夠使有機EL元件以所要亮度發(fā)光。為了避免這種不適合情形，在本實施方式中，以將補償像素電路16的驅(qū)動晶體管162和電流電壓變換電路55的晶體管551的閾值電壓差的電壓輸出到像素電路16的方式進行構(gòu)成。即，當(dāng)晶體管551的閾值電壓只比晶體管162的閾值電壓低V1時，將晶體管551的高位側(cè)的電源電壓Vdd設(shè)定在只比晶體管162的高位側(cè)的電源電壓Voel低V1的電壓上。與此相反，當(dāng)晶體管551的閾值電壓只比晶體管162的閾值電壓高V1時，將電源電壓Vdd設(shè)定在只比電源電壓Voel高V1的電壓上。因此，在像素電路的驅(qū)動晶體管和電流電壓變換電路的晶體管的閾值電壓不同的情形中，也能夠輸出所要的灰度電流Iout。
具有上述構(gòu)成的電光學(xué)裝置100的工作如下所述。
首先，當(dāng)選擇第i行掃描線11，掃描信號Yi成為H電平時，晶體管164處于接通狀態(tài)，DAC51，用由基準電壓生成電路53生成的基準電壓，生成與設(shè)置在第i行掃描線11和第j列數(shù)據(jù)線12的交叉部位上的像素對應(yīng)的灰度相應(yīng)的灰度電流Idata。
將電流Idata供給電流電壓變換電路55，電流電壓變換電路55生成與供給的灰度電流Idata相應(yīng)的電壓Vout，輸出到各條數(shù)據(jù)線12上。當(dāng)將電壓Vout輸出到數(shù)據(jù)線12上時，通過上述像素電路16的工作，將與該電壓Vout相應(yīng)的電流Iout供給有機EL元件168，有機EL元件168以與該電流Iout相應(yīng)的亮度發(fā)光。
以上，如說明了的那樣，如果根據(jù)本實施方式，則即便像素電路的驅(qū)動晶體管和驅(qū)動電路的晶體管的特性不同，也能夠使像素以所要的亮度發(fā)光。
此外，在上述的說明中，我們著眼于像素電路的驅(qū)動晶體管和電流電壓變換電路的晶體管的制造工藝過程不同引起的增益系數(shù)β和閾值電壓Vth不同，但是即便在同一種晶體管中也存在著增益系數(shù)β和閾值電壓Vth不同的情形。如上所述，通常，用于像素電路16的晶體管是TFT，但是TFT持有增益系數(shù)β和閾值電壓Vth容易發(fā)生零散的性質(zhì)。結(jié)果，存在對于每個像素，像素的亮度發(fā)生零散的問題。即便在這種每個像素存在零散的情形中，上述調(diào)整方法也是有效的。因為通過用該方法的調(diào)整，能夠調(diào)整每個像素的亮度零散，所以能夠使像素以所要的亮度發(fā)光。
(第6實施方式)下面說明本發(fā)明的第6實施方式。圖11是表示基準電壓生成電路56的圖。在第6實施方式中，采用基準電壓生成電路56代替第5實施方式中的基準電壓生成電路53。此外，對與第5實施方式相同的構(gòu)成要素，附加相同的標(biāo)號。與各條數(shù)據(jù)線12對應(yīng)地設(shè)置n個基準電壓生成電路56。
此外，在圖11中，為了避免圖面變得復(fù)雜，只表示了與第j列數(shù)據(jù)線12對應(yīng)的基準電壓生成電路56。
下面說明基準電壓生成電路56的構(gòu)成。基準電壓生成電路56具有晶體管56a、晶體管56b、晶體管56c、晶體管56d。晶體管56a到d都是p溝道型晶體管，它們的源極與高位側(cè)的電源電壓連接。又，晶體管56a到d的漏極分別與開關(guān)56e、56f、56g、56h的一端連接。晶體管56k是n溝道型晶體管，開關(guān)56e到h的另一端都與晶體管56k的漏極連接。晶體管56k的源極接地。進一步，基準電壓生成電路56具有電流源561和晶體管562。晶體管562是p溝道型晶體管，它的漏極與電流源561連接，它的源極與高位側(cè)的電源電壓連接。這里，晶體管562的漏極和柵極短路連接，形成二極管連接。而且，通過將晶體管562的柵極和晶體管56a到d的柵極連接起來，形成電流鏡電路。通過這樣做，將大小與晶體管562的柵極電壓相等的柵極電壓加到晶體管56a到d的柵極上，與該柵極電壓相應(yīng)的電流在晶體管56a到d的源—漏極之間流動。
晶體管56a到d的溝道的尺寸比，成為與第1實施方式中的晶體管51a到d相同的尺寸比，因此，在晶體管56a、56b、56c、56d中流動的電流比成為1∶2∶4∶8。當(dāng)輸入由4位的二進制數(shù)構(gòu)成的調(diào)整用數(shù)據(jù)時，根據(jù)該調(diào)整用數(shù)據(jù)使開關(guān)56e到h接通/斷開，在與處于接通狀態(tài)的開關(guān)對應(yīng)的晶體管中流動電流。因此，合計這些電流得到的電流能夠持有包含0的16個階段的電流值，可以輸出大小與調(diào)整用數(shù)據(jù)對應(yīng)的基準電流。而且，將基準電流供給晶體管56k的漏極，在晶體管56k的柵—源極之間產(chǎn)生與基準電流的大小相應(yīng)的基準電壓。
以上，如說明了的那樣，如果根據(jù)本實施方式，則即便像素電路的驅(qū)動晶體管和驅(qū)動電路的晶體管的特性不同，也能夠使像素以所要的亮度發(fā)光。
(第7實施方式)下面說明本發(fā)明的第7實施方式。圖12是表示電流電壓變換電路57的圖。在第7實施方式中，采用電流電壓變換電路57代替第5實施方式中的電流電壓變換電路55。此外，對與第5實施方式相同的構(gòu)成要素，附加相同的標(biāo)號。與各條數(shù)據(jù)線12對應(yīng)地設(shè)置n個電流電壓變換電路57。
此外，在圖12中，為了避免圖面變得復(fù)雜，只表示了與第j列數(shù)據(jù)線12對應(yīng)的電流電壓變換電路57。
下面說明電流電壓變換電路57的構(gòu)成。電流電壓變換電路57具有晶體管57a、晶體管57b、晶體管57c、晶體管57d。晶體管57a到d都是p溝道型晶體管，它們的源極與高位側(cè)的電源電壓連接。又，晶體管57a到d的漏極分別與開關(guān)57e、57f、57g、57h的一端連接。進一步，通過使晶體管57a到d的柵極共同連接起來，當(dāng)開關(guān)57e到h處于接通狀態(tài)時，使晶體管57a到d的柵極與各個漏極短路連接，形成二極管連接。進一步，使晶體管57a到d的柵極和與數(shù)據(jù)線12連接。即，在選擇第i行掃描線11期間，由晶體管57a到d和晶體管162形成電流鏡連接。
晶體管57a到d的溝道的尺寸比，成為與第5實施方式中的晶體管51a到d相同的尺寸比。即，晶體管57a到d都具有同一個溝道長度L1，另一方面，它們的溝道寬度不同。當(dāng)令晶體管57a、57b、57c、57d的溝道寬度分別為Wa、Wb、Wc、Wd時，它們的比為Wa∶Wb∶Wc∶Wd＝1∶2∶4∶8。當(dāng)輸入由4位的二進制數(shù)構(gòu)成的調(diào)整用數(shù)據(jù)時，根據(jù)該調(diào)整用數(shù)據(jù)使開關(guān)57e到h接通/斷開，在與處于接通狀態(tài)的開關(guān)對應(yīng)的晶體管中流動電流。這時，當(dāng)在與接通狀態(tài)的開關(guān)對應(yīng)的晶體管的溝道寬度的合計值為Ws時，晶體管57a到d與具有溝道寬度Ws的1個晶體管等效。換句話說，在本實施方式中的電流電壓變換電路57與第5實施方式中的可以調(diào)整晶體管55的溝道寬度的電路相當(dāng)。因為晶體管的增益系數(shù)β與溝道寬度成正比，所以調(diào)整溝道寬度與調(diào)整增益系數(shù)β相等。
以上，如說明了的那樣，如果根據(jù)本實施方式，則即便像素電路的驅(qū)動晶體管和驅(qū)動電路的晶體管的特性不同，也能夠使像素以所要的亮度發(fā)光。
(第8實施方式)下面說明本發(fā)明的第8實施方式。圖13是表示設(shè)置緩沖電路58的構(gòu)成圖。在第8實施方式中，形成經(jīng)過緩沖電路58將從第5實施方式中的電流電壓變換電路55輸出的電壓輸出到數(shù)據(jù)線12的構(gòu)成。緩沖電路58，例如，是電壓跟隨器。此外，對與第5實施方式相同的構(gòu)成要素，附加相同的標(biāo)號。與各條數(shù)據(jù)線12對應(yīng)地設(shè)置n個緩沖電路58。
此外，在圖13中，為了避免圖面變得復(fù)雜，只表示了與第j列數(shù)據(jù)線12對應(yīng)的緩沖電路58。
因為數(shù)據(jù)線12具有寄生電容，所以在像素電路16的電容元件166中積累電荷前，需要對該寄生電容充電(寫入數(shù)據(jù))。存在著將數(shù)據(jù)寫入數(shù)據(jù)線所需的時間與電流值有關(guān)，當(dāng)?shù)突叶葧r，寫入所需的時間變長那樣的問題。
在本實施方式中，經(jīng)過緩沖電路58將電壓輸出到數(shù)據(jù)線12。如果根據(jù)這種構(gòu)成，則因為將數(shù)據(jù)寫入數(shù)據(jù)線所需的時間與緩沖電路58的輸出段的電流能力有關(guān)，所以即便在低灰度，也能夠縮短寫入數(shù)據(jù)所需的時間。
(第9實施方式)下面說明本發(fā)明的第9實施方式。圖14是表示像素電路17的構(gòu)成圖。在第9實施方式中，成為采用閾值電壓補償型的像素電路17代替第5實施方式或第6實施方式中的像素電路16的構(gòu)成。在該圖中，只表示了位于第i行掃描線11和第j列數(shù)據(jù)線12的交叉部位的像素電路17，但是其它的像素電路17也具有同樣的構(gòu)成。
晶體管T1、T2是p溝道型晶體管，晶體管T3、T4、T5是n溝道型晶體管。晶體管T4起著作為驅(qū)動有機EL元件E1的驅(qū)動晶體管的作用，晶體管T1、T2、T3、T5起著作為開關(guān)晶體管的作用。晶體管T3的柵極與掃描線11連接，它的源極與數(shù)據(jù)處理線12連接，它的漏極與晶體管T5的源極和電容元件C1的一端連接。電容元件C1的另一端與晶體管T1的柵極和晶體管T2的漏極連接。晶體管T5的柵極與初始化控制線112連接，它的漏極與晶體管T2的漏極、晶體管T1的漏極和與晶體管T4的漏極連接。晶體管T2的柵極與點亮控制線114和與晶體管T4的漏極連接。晶體管T4的源極與有機EL元件E1的陽極連接，有機EL元件R1的陰極接地。晶體管T1的源極與加上高位側(cè)的電源電壓VEL的電源線14連接。
由掃描線驅(qū)動電路21將掃描信號GWRT供給掃描線11，將控制信號GINIT供給初始化控制線112，將控制信號GSET供給點亮控制線114。
下面說明位于第i行掃描線11和第j列數(shù)據(jù)線12的交叉部位的像素電路17的工作。圖15是表示像素電路17的工作的圖。將像素電路17的工作分成4個期間。圖15中的STEP1～STEP4分別與期間(1)～(4)相當(dāng)。
首先，在期間(1)，掃描線驅(qū)動電路21使控制信號GSET處于L電平，使控制信號GINIT處于H電平。又，數(shù)據(jù)線驅(qū)動電路22使供給全部數(shù)據(jù)線12信號為初始電壓VS。這里，VS是只比VEL低一定值的電壓。
如圖15(a)所示，在期間(1)，因為晶體管T2處于接通狀態(tài)，所以驅(qū)動晶體管T1起著作為二極管的作用，另一方面因為晶體管T4處于斷開狀態(tài)，所以截斷到有機EL元件E1的電流路徑。又，通過使控制信號GINIT處于H電平，使晶體管T5接通，進一步，通過使掃描信號GWRT處于H電平，也使晶體管T3接通。從而，驅(qū)動晶體管T1的柵極具有與數(shù)據(jù)線12大致相同的初始電壓VS。
在下一個期間(2)，掃描線驅(qū)動電路21，將控制信號GSET維持在L電平，使控制信號GINIT回復(fù)到L電平。又，數(shù)據(jù)線驅(qū)動電路22維持將數(shù)據(jù)信號作為初始電壓VS的狀態(tài)。
如圖15(b)所示，在期間(2)，通過使晶體管T2繼續(xù)接通，驅(qū)動晶體管T1繼續(xù)作為二極管起作用，但是因為通過使控制信號GINIT處于L電平，晶體管T5斷開，所以截斷從電源線14到數(shù)據(jù)線12的電流路徑。
另一方面，通過使晶體管T2繼續(xù)接通，電容C1的一端，即節(jié)點A的電壓，只從電源的高位側(cè)VEL減少驅(qū)動晶體管T1的閾值電壓Vth(VEL-Vth)地變化。但是，因為通過晶體管T3的接通，電容元件C1的另一端由在數(shù)據(jù)線12上的初始電壓VS保持一定，所以在節(jié)點A中電壓變化與電容C1(和驅(qū)動晶體管T1的柵極電容)中的充放電相應(yīng)地進行。但是電容C1的電荷，由于在期間(1)中的短路連接已經(jīng)清除了，并且因為來自期間(1)的節(jié)點A的電壓變化很少，所以在期間(2)節(jié)點A的電壓達到(VEL-Vth)不需要長的時間。因此，可以認為在期間(2)的結(jié)束時刻的節(jié)點A的電壓成為(VS-(VEL-Vth))。
下面，數(shù)據(jù)線驅(qū)動電路22，在期間(3)，將數(shù)據(jù)信號X的電壓從初始電壓(VEL-Vth)切換到(VEL-Vth-ΔV)。這里，ΔV由i行j列的像素相應(yīng)的圖像數(shù)據(jù)決定，它是使該圖像的有機EL元件E1越暗越接近零的值。所以，電壓(VEL-Vth-ΔV)意味著與要流過有機EL元件E1的電流量相應(yīng)的灰度電壓。
如圖15(c)所示，在期間(3)，因為晶體管T2處于斷開狀態(tài)，所以電容C1的一端(節(jié)點A)只由驅(qū)動晶體管T1的柵極電容保持。因此，節(jié)點A，只以電容C1和驅(qū)動晶體管T1的柵極電容的電容比分配的份數(shù)，從電壓(VEL-Vth)減去作為在電容C1的另一端的電壓變化份數(shù)的ΔV。詳細地說，當(dāng)令電容C1的大小為Cprg，驅(qū)動晶體管T1的柵極電容為Ctp時，節(jié)點A，從截止電壓(VEL-Vth)，只減少{ΔV·Cprg/(Ctp+Cprg)}，因此，在節(jié)點A上，寫入電壓{VEL-Vth-ΔV·Cprg/(Ctp+Cprg)}。
而且，在有機EL元件E1中，流過與寫入節(jié)點A的電壓相應(yīng)的電流，開始發(fā)光。這時寫入節(jié)點A的電壓是與要在有機EL元件E1中流動的電流相應(yīng)的目標(biāo)電壓。
下面，在期間(4)，掃描線驅(qū)動電路21使掃描信號GWRT處于L電平，使控制信號GSET處于H電平。
如圖15(d)所示，在期間(4)，晶體管T3處于斷開狀態(tài)，但是節(jié)點A，由驅(qū)動晶體管T1的柵極電容(和電容C1)，保持在目標(biāo)電壓{VEL-Vth-ΔV·Cprg/(Ctp+Cprg)}上。所以，在期間(4)，因為與該目標(biāo)電壓相應(yīng)的電流繼續(xù)在有機EL元件E1中流動，所以有機EL元件E1繼續(xù)以由圖像數(shù)據(jù)指定的亮度發(fā)光的狀態(tài)。
而且，當(dāng)期間(4)結(jié)束，控制信號GSET處于L電平時，晶體管T4斷開，截斷到有機EL元件E1的電流路徑，所以有機EL元件E1熄滅。
如果根據(jù)本實施方式，則因為能夠在驅(qū)動晶體管的柵極上寫入與要流入有機EL元件E1的電流相應(yīng)的目標(biāo)電壓，所以能夠補償驅(qū)動晶體管的閾值電壓的零散。從而，因為能夠調(diào)整由驅(qū)動晶體管的閾值電壓的零散引起的亮度零散，所以能夠使像素以所要的亮度發(fā)光。
(變形例)本發(fā)明不限于以上說明的方式，可以用種種方式實施。例如，采用如下變形的方式也可以實施上述實施方式。
在第1和第2實施方式中，從基準電壓生成電路33輸出的基準電壓也可以是外部輸入的電壓和從電阻等得到的電壓。進一步，由于可以調(diào)整該電壓，可以調(diào)整從DAC31或DAC35輸出的灰度電流的動態(tài)范圍。結(jié)果，能夠?qū)γ總€像素調(diào)整亮度的動態(tài)范圍。
又，校正電流也可以是外部輸入的電流和從電阻等得到的電流。
又，也可以形成由多條數(shù)據(jù)線12共有用于生成校正電流的DAC32的構(gòu)成。
在第3實施方式中，輸入到DAC31、32的基準電壓也可以是外部輸入的電壓和從電阻等得到的電壓。進一步，由于可以調(diào)整該電壓，可以調(diào)整從DAC31輸出的灰度電流的動態(tài)范圍。結(jié)果，可以對每個像素調(diào)整亮度的動態(tài)范圍。
又，校正電流也可以是外部輸入的電流和從電阻等得到的電流。
又，也可以形成由多條數(shù)據(jù)線12共有用于生成校正電流的DAC32的構(gòu)成。
在上述實施方式中，我們表示了將本發(fā)明應(yīng)用于有機EL顯示器的例子，但是也可以將本發(fā)明應(yīng)用于有機EL顯示器以外的電光學(xué)裝置。即，如果是用將供給電流和加上電壓的電作用變換成改變亮度和透過率的光學(xué)作用的電光學(xué)物質(zhì)顯示圖像的裝置，則就能夠應(yīng)用本發(fā)明。
例如，本發(fā)明能夠應(yīng)用于用作為有源元件TFD(薄膜二極管)的有源矩陣型的電光學(xué)面板、通過交叉帶狀電極夾持液晶的無源矩陣型的電光學(xué)裝置、將包含著了色的液體和分散在該液體中的白色粒子的微粒用作電光學(xué)物質(zhì)的電泳動顯示裝置、將在每個極性相反的區(qū)域中分別涂以不同顏色的扭曲球(twist ball)用作電光學(xué)物質(zhì)的扭曲球顯示器、將黑色調(diào)色劑用作電光學(xué)物質(zhì)的調(diào)色劑顯示器、或?qū)⒑ず湍实鹊母邏簹怏w用作電光學(xué)物質(zhì)的等離子顯示面板(PDP)等的各種電光學(xué)裝置。
下面，說明用與本發(fā)明有關(guān)的電光學(xué)裝置的電子設(shè)備的例子。
圖16是表示用該電光學(xué)裝置100的個人計算機200的圖。在該圖中，個人計算機200備有具有鍵盤201的主體單元202和用與本發(fā)明有關(guān)的電光學(xué)裝置100的顯示單元203。
又，作為能夠采用與本發(fā)明有關(guān)的電光學(xué)裝置的電子設(shè)備，除了上述個人計算機以外，還可以舉出移動電話機、液晶電視機、取景器型/監(jiān)視器直視型視頻帶錄像機、汽車導(dǎo)航裝置、尋呼機、電子記事本、電子計算器、文字處理器、工作站、可視電話機、POS終端、數(shù)字靜像照相機等的各種設(shè)備。
權(quán)利要求
1.一種數(shù)據(jù)線驅(qū)動電路，在具有設(shè)置在多條掃描線和多條數(shù)據(jù)線的各個交叉點上的像素、和順次選擇各條所述掃描線并且將選擇信號供給所選出的掃描線的掃描線驅(qū)動電路的電光學(xué)裝置中，用于驅(qū)動所述數(shù)據(jù)線，其特征在于，具有灰度電流生成部件，其在將選擇信號供給各條所述掃描線的期間，生成與表示設(shè)置在該掃描線上的像素的灰度的灰度數(shù)據(jù)相應(yīng)的灰度電流；校正電流生成部件，其生成用于校正所述像素亮度的校正電流；電流電壓變換部件，其生成與將由所述灰度電流生成部件生成的灰度電流和由所述校正電流生成部件生成的校正電流加起來得到的電流相應(yīng)的電壓；和將由所述電流電壓變換部件生成的電壓施加到各條所述數(shù)據(jù)線上的部件。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的數(shù)據(jù)線驅(qū)動電路，其特征在于，所述校正電流生成部件根據(jù)用于校正各個所述像素的亮度的校正數(shù)據(jù)生成校正電流。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的數(shù)據(jù)線驅(qū)動電路，其特征在于，所述灰度電流生成部件是電流加算型的數(shù)字/模擬變換電路，其生成多個要素電流，從該多個要素電流中將根據(jù)所述灰度數(shù)據(jù)選出的要素電流加起來，生成灰度電流。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的數(shù)據(jù)線驅(qū)動電路，其特征在于，所述校正電流生成部件是電流加算型的數(shù)字/模擬變換電路，其生成多個要素電流，從該多個要素電流中將根據(jù)所述校正數(shù)據(jù)選出的要素電流加起來，生成校正電流。
5.根據(jù)權(quán)利要求2或4所述的數(shù)據(jù)線驅(qū)動電路，其特征在于，具有存儲所述校正數(shù)據(jù)的存儲部件；所述校正電流生成部件讀出存儲在所述存儲部件中的校正數(shù)據(jù)，生成與該校正數(shù)據(jù)相應(yīng)的校正電流。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的數(shù)據(jù)線驅(qū)動電路，其特征在于，所述校正電流生成部件，與各條所述數(shù)據(jù)線對應(yīng)地設(shè)置多個。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的數(shù)據(jù)線驅(qū)動電路，其特征在于，具有電流源、和用從所述電流源供給的電流生成電壓的基準電壓生成部件；所述灰度電流生成部件用由所述基準電壓生成部件生成的電壓生成灰度電流；所述校正電流生成部件用由所述基準電壓生成部件生成的電壓生成校正電流。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的數(shù)據(jù)線驅(qū)動電路，其特征在于，可以調(diào)整所述電流源產(chǎn)生的電流量。
9.根據(jù)權(quán)利要求2、4或5所述的數(shù)據(jù)線驅(qū)動電路，其特征在于，所述校正數(shù)據(jù)是屬于特定的灰度帶的灰度數(shù)據(jù)。
10.一種數(shù)據(jù)線驅(qū)動電路，在具有設(shè)置在多條掃描線和多條數(shù)據(jù)線的各個交叉點上的像素、和順次選擇各條所述掃描線并且將選擇信號供給所選出的掃描線的掃描線驅(qū)動電路的電光學(xué)裝置中，用于驅(qū)動所述數(shù)據(jù)線，其特征在于，具有基準電壓生成部件，其生成用于生成灰度電流的基準電壓；校正部件，其對由所述基準電壓生成部件生成的基準電壓進行校正；灰度電流生成部件，其用經(jīng)過所述校正部件校正的基準電壓生成灰度電流；電流電壓變換部件，其生成與由所述灰度電流生成部件生成的灰度電流相應(yīng)的電壓；和將由所述電流電壓變換部件生成的電壓施加到各條所述數(shù)據(jù)線的部件。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的數(shù)據(jù)線驅(qū)動電路，其特征在于，所述校正部件根據(jù)用于校正各個所述像素的亮度的校正數(shù)據(jù)對所述基準電壓進行校正。
12.根據(jù)權(quán)利要求10所述的數(shù)據(jù)線驅(qū)動電路，其特征在于，所述灰度電流生成部件是電流加算型的數(shù)字/模擬變換電路，其用經(jīng)過所述校正部件校正的基準電壓生成多個要素電流，從該多個要素電流中將根據(jù)所述灰度數(shù)據(jù)選出的要素電流加起來，生成灰度電流。
13.根據(jù)權(quán)利要求11所述的數(shù)據(jù)線驅(qū)動電路，其特征在于，所述校正部件是電流加算型的數(shù)字/模擬變換電路，其用由所述基準電壓生成部件生成的基準電壓生成多個要素電流，生成與從該多個要素電流中將根據(jù)所述校正數(shù)據(jù)選出的要素電流加起來的電流相應(yīng)的電壓。
14.根據(jù)權(quán)利要求11或13所述的數(shù)據(jù)線驅(qū)動電路，其特征在于，具有存儲所述校正數(shù)據(jù)的存儲部件；所述校正部件讀出存儲在所述存儲部件中的校正數(shù)據(jù)，根據(jù)該校正數(shù)據(jù)對基準電壓進行校正。
15.根據(jù)權(quán)利要求10所述的數(shù)據(jù)線驅(qū)動電路，其特征在于，所述校正部件，與各條所述數(shù)據(jù)線對應(yīng)地設(shè)置多個。
16.根據(jù)權(quán)利要求10所述的數(shù)據(jù)線驅(qū)動電路，其特征在于，所述基準電壓生成部件具有可以調(diào)整電流量的電流源，用從該電流源供給的電流生成基準電壓。
17.一種數(shù)據(jù)線驅(qū)動電路，在具有設(shè)置在多條掃描線和多條數(shù)據(jù)線的各個交叉點上的像素、和順次選擇各條所述掃描線并且將選擇信號供給所選出的掃描線的掃描線驅(qū)動電路的電光學(xué)裝置中，用于驅(qū)動所述數(shù)據(jù)線，其特征在于，具有基準電壓生成部件，其生成用于生成灰度電流的基準電壓；灰度電流生成部件，其用由所述基準電壓生成部件生成的基準電壓生成灰度電流；校正部件，其對由所述灰度電流生成部件生成的灰度電流進行校正；電流電壓變換部件，其生成與經(jīng)過所述校正部件校正的灰度電流相應(yīng)的電壓；和將由所述電流電壓變換部件生成的電壓施加到各條所述數(shù)據(jù)線的部件。
18.一種數(shù)據(jù)線驅(qū)動電路，用于驅(qū)動具有像素電路和掃描線驅(qū)動電路的電光學(xué)裝置的數(shù)據(jù)線，所述像素電路包含設(shè)置在多條掃描線和多條所述數(shù)據(jù)線的各個交叉點上并且根據(jù)所加電壓生成電流的驅(qū)動晶體管、和由從該驅(qū)動晶體管供給的電流驅(qū)動的被驅(qū)動元件，所述掃描線驅(qū)動電路順次選擇各條所述掃描線并且將選擇信號供給所選出的掃描線，其特征在于，所述數(shù)據(jù)線驅(qū)動電路具有灰度電流生成部件，其在將選擇信號供給所述掃描線的期間，生成根據(jù)表示設(shè)置在該掃描線上的像素的灰度的灰度數(shù)據(jù)的灰度電流；和電流電壓變換電路，其包括使漏極和柵極短路連接并且該柵極經(jīng)過所述數(shù)據(jù)線與所述驅(qū)動晶體管的柵極連接的第1晶體管，通過將由所述灰度電流生成電路生成的灰度電流供給該第1晶體管，生成與該灰度電流相應(yīng)的電壓。
19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的數(shù)據(jù)線驅(qū)動電路，其特征在于，具有生成用于生成灰度電流的基準電壓的基準電壓生成部件；所述灰度電流生成電路用由所述基準電壓生成電路生成的基準電壓生成灰度電流。
20.根據(jù)權(quán)利要求19所述的數(shù)據(jù)線驅(qū)動電路，其特征在于，所述基準電壓生成電路具有使漏極和柵極短路連接的第2晶體管、和可以調(diào)整電流量的電流源，通過將由所述電流源生成的電流供給所述第2晶體管，生成基準電壓。
21.根據(jù)權(quán)利要求18所述的數(shù)據(jù)線驅(qū)動電路，其特征在于，當(dāng)所述第1晶體管的閾值電壓比所述驅(qū)動晶體管的閾值電壓低時，使所述第1晶體管的高位側(cè)的電源電壓成為比所述驅(qū)動晶體管的高位側(cè)的電源電壓，只低所述第1晶體管和所述驅(qū)動晶體管的閾值電壓之差的電壓；當(dāng)所述第1晶體管的閾值電壓比所述驅(qū)動晶體管的閾值電壓高時，使所述第1晶體管的高位側(cè)的電源電壓成為比所述驅(qū)動晶體管的高位側(cè)的電源電壓，只高所述第1晶體管和所述驅(qū)動晶體管的閾值電壓之差的電壓。
22.根據(jù)權(quán)利要求18所述的數(shù)據(jù)線驅(qū)動電路，其特征在于，所述第1晶體管具有將各柵極共同地連接起來的多個晶體管、和使該多個晶體管的各個的漏極和柵極短路連接并且將該漏極之間共同地連接起來的開關(guān)，根據(jù)預(yù)先作成的數(shù)據(jù)使所述開關(guān)接通/斷開。
23.根據(jù)權(quán)利要求18所述的數(shù)據(jù)線驅(qū)動電路，其特征在于，所述灰度電流生成電路是電流加算型的數(shù)字/模擬變換電路，其生成多個要素電流，從該多個要素電流中將根據(jù)所述灰度數(shù)據(jù)選出的要素電流加起來，生成灰度電流。
24.根據(jù)權(quán)利要求18所述的數(shù)據(jù)線驅(qū)動電路，其特征在于，具有對由所述電壓電流變換電路生成的電壓進行緩沖并輸出的緩沖電路。
25.一種電光學(xué)裝置，其特征在于，具有根據(jù)權(quán)利要求1～24中任一項所述的數(shù)據(jù)線驅(qū)動電路。
26.一種電子設(shè)備，其特征在于，具有根據(jù)權(quán)利要求25所述的電光學(xué)裝置。
全文摘要
提供一種數(shù)據(jù)線驅(qū)動電路(22)，具有生成與表示像素灰度的灰度數(shù)據(jù)相應(yīng)的灰度電流的DAC(31)、和生成用于校正像素亮度的校正電流的DAC(32)。數(shù)據(jù)線驅(qū)動電路(22)生成與將由DAC(32)生成的校正電流和由DAC(31)生成的灰度電流加起來得到的電流相應(yīng)的電壓，并分別施加到各數(shù)據(jù)線(12)上。這樣，可以針對每個像素調(diào)整電光學(xué)裝置的亮度。
文檔編號G09G3/32GK1637821SQ2005100042
公開日2005年7月13日 申請日期2005年1月5日 優(yōu)先權(quán)日2004年1月5日
發(fā)明者城宏明, 河西利幸, 野澤武史 申請人:精工愛普生株式會社