專利名稱：驅(qū)動等離子體顯示板和等離子體顯示設(shè)備的方法和電路的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種等離子體顯示板(PDP)驅(qū)動方法和被開發(fā)用于產(chǎn)生且施加適當驅(qū)動電壓的電路。
背景技術(shù)：
等離子體顯示設(shè)備是使用由氣體放電過程產(chǎn)生的等離子體來顯示字符或圖像的平板顯示器。根據(jù)PDP的尺寸，它包括具有以矩陣形式提供的幾十至幾百萬像素的PDP。PDP按照它的放電單元結(jié)構(gòu)和施加的驅(qū)動電壓波形，可以分類成DC PDP或AC PDP。
DC PDP具有暴露在放電空間內(nèi)的電極，從而在提供電壓的同時允許電流流入放電空間。因此，DC PDP需要用于限制電流的晶體管。另一方面，AC PDP電極覆蓋有介電層，介電層形成電容器來限制電流，并且在放電期間保護電極不受離子撞擊。因此，AC PDP具有比DC PDP更長的壽命。
PDP的一幀被定義為板內(nèi)所有像素都被尋址的時間周期。一幀分成多個子場，并且每個子場包括復(fù)位周期、尋址周期和維持周期。復(fù)位周期是用于初始化每個放電單元的狀態(tài)以便于對放電單元的尋址操作。尋址周期是用于選擇導(dǎo)通/截止單元，它們是必須要導(dǎo)通或截止的單元，并且用于將壁電荷聚積在被尋址導(dǎo)通的導(dǎo)通單元上。維持周期是用于使這些單元要么繼續(xù)放電以便在尋址單元上顯示圖像，要么保持非激活狀態(tài)。
為了執(zhí)行上述操作和顯示圖像，在維持周期期間，維持脈沖交替施加到掃描電極和維持電極，而在復(fù)位周期和尋址周期期間，復(fù)位波形和掃描波形施加到掃描電極。因此，分別需要用于驅(qū)動掃描電極的掃描驅(qū)動板和用于驅(qū)動維持電極的維持驅(qū)動板。在底板上安裝這兩個單獨驅(qū)動板可能產(chǎn)生問題和增加設(shè)備總成本。
為了將這兩個驅(qū)動板組合成單個組合板，已經(jīng)提出了將單個組合板耦合到掃描電極并延伸維持電極到達組合板的方案。然而，當兩個驅(qū)動板這樣組合時，在延長的維持電極上產(chǎn)生的阻抗分量增加。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供一種PDP，其具有能驅(qū)動掃描電極和維持電極的組合板。另外，本發(fā)明提供適合于這種組合板的驅(qū)動波形和用來產(chǎn)生這些驅(qū)動波形的電路。
根據(jù)本發(fā)明的實施例，當驅(qū)動波形被施加到掃描電極時，維持電極被以一恒定電壓偏置。
提出一種用于驅(qū)動PDP的示例性方法。所述PDP包括以矩陣形式排列的掃描電極、維持電極和尋址電極，所述掃描電極和維持電極平行成對地形成，所述尋址電極垂直于所述掃描電極和維持電極延伸，在幀期間驅(qū)動PDP，每個幀具有子場，每個子場具有復(fù)位周期，后面是尋址周期，再后面是維持周期，所述復(fù)位周期包括上升周期和下降周期，所述示例性方法包括在每個子場的所有周期期間，以第一電壓偏置維持電極；在尋址周期期間，將負第二電壓施加到所述掃描電極的未選擇電極，并且將比所述第二電壓更負的第三電壓施加到所述掃描電極的選擇電極；在尋址周期的結(jié)束和維持周期的開始時，將所述掃描電極的電壓從負第二電壓增加到正第四電壓；和在維持周期期間，將負第五電壓和所述正第四電壓交替施加到所述掃描電極。
在另一實施例中，在維持周期的結(jié)束和下一子場的復(fù)位周期的開始時，將所述負第五電壓施加到所述掃描電極之后，將正第六電壓施加到所述掃描電極；和在下一子場的復(fù)位周期的上升周期期間，將所述掃描電極的電壓從所述正第六電壓逐漸增加到第七電壓。
在另一實施例中，在下一子場的復(fù)位周期的下降周期開始時，將所述掃描電極的電壓從所述第七電壓降低到正第八電壓；和在下一子場的復(fù)位周期的下降周期期間，將所述掃描電極的電壓從所述正第八電壓逐漸降低到負第九電壓。
在維持周期的結(jié)束和下一子場的復(fù)位周期的開始時，將所述負第五電壓施加到所述掃描電極之后，將正第六電壓施加到所述掃描電極；和在下一子場的復(fù)位周期期間，將所述掃描電極的電壓從所述正第六電壓逐漸降低到負第七電壓。
所述正第六電壓等于所述正第四電壓。所述正第四電壓的絕對值等于所述負第五電壓的絕對值。所述第一電壓是地電壓。在尋址周期期間，將正電壓的尋址脈沖施加到所述尋址電極。在復(fù)位周期的至少部分上升周期期間，高于所述掃描電極的偏置電壓的恒定電壓可以施加到所述尋址電極。
根據(jù)本發(fā)明一個實施例的示例性等離子體顯示設(shè)備可以包括PDP，該PDP包括排列成矩陣的掃描電極、維持電極和尋址電極，所述掃描電極和維持電極平行成對地形成，所述尋址電極垂直于所述掃描電極和維持電極。在幀期間驅(qū)動所述PDP，每個幀具有子場，每個子場具有復(fù)位周期，后面是尋址周期，再后面是維持周期，所述復(fù)位周期包括上升周期和下降周期。所述等離子體顯示設(shè)備也包括底板，包括把驅(qū)動波形施加到所述掃描電極和尋址電極的驅(qū)動板，用于在所述等離子體顯示板上顯示圖像，以及在顯示圖像期間以第一電壓偏置所述維持電極。
所述驅(qū)動板可以包括耦合所述掃描電極的多個選擇電路，以便將掃描電壓選擇地施加到選擇掃描電極和將非掃描電壓選擇地施加到非選擇掃描電極；第一開關(guān)，具有耦合到提供掃描電壓的第一電源的第一端子，以及通過所述多個選擇電路耦合到所述掃描電極的第二端子；第二開關(guān)，具有耦合到提供正第二電壓的第二電源的第一端子，以及通過所述多個選擇電路耦合到所述掃描電極的第二端子；以及第三開關(guān)，具有耦合到提供負第三電壓的第三電源的第一端子，以及通過所述多個選擇電路耦合到所述掃描電極的第二端子。在尋址周期期間，非掃描電壓施加到所述掃描電極之后，所述第一開關(guān)截止以便非掃描電壓不再施加到所述掃描電極，并且所述第二開關(guān)導(dǎo)通以便所述正第二電壓施加到所述掃描電極，和在維持周期期間，所述第二開關(guān)截止而所述第三開關(guān)導(dǎo)通，以便所述負第三電壓施加到所述掃描電極，并且所述第二開關(guān)和所述第三開關(guān)導(dǎo)通和截止，以便將所述正第二電壓和負第三電壓交替施加到所述掃描電極。
本發(fā)明的等離子體顯示設(shè)備的另一實施例也可以包括第四開關(guān)，具有耦合到提供第四電壓的第四電源的第一端子，以及通過所述多個選擇電路耦合到所述掃描電極的第二端子，所述第四電壓高于所述第二電壓，所述第四開關(guān)操作成這樣，就是所述掃描電極的電壓從所述正第二電壓逐漸增加到所述第四電壓。在下一子場的復(fù)位周期期間，所述第三開關(guān)截止而所述第二開關(guān)導(dǎo)通，以便將所述第二電壓施加到所述掃描電極，然后，所述第二開關(guān)截止而所述第四開關(guān)導(dǎo)通，以便將所述第四電壓施加到所述掃描電極。
在所述等離子體顯示設(shè)備的另一實施例中，所述第四開關(guān)可以包括充電到所述第四電壓的電容器，所述電容器具有耦合到所述第四電源的第一板和與所述第二開關(guān)和第三開關(guān)的連接節(jié)點耦合的第二板；和晶體管，具有耦合到所述電容器第一板的第一端子，以及通過所述多個選擇電路耦合到所述掃描電極的第二端子。在維持周期期間，所述第三開關(guān)導(dǎo)通以便所述第三電壓施加到所述掃描電極。在復(fù)位周期的第一部分期間，所述第三開關(guān)截止而所述第二開關(guān)導(dǎo)通，以便將所述正第二電壓施加到所述掃描電極，隨后，在復(fù)位周期期間，所述第四開關(guān)導(dǎo)通以便將所述第四電壓施加到所述掃描電極，并且將所述掃描電極的電壓從所述正第二電壓逐漸增加到所述正第二電壓和所述第四電壓之和。
在本發(fā)明的等離子體顯示設(shè)備中，所述第四電源提供等于所述負第三電壓和所述第四電壓之和的電力，并且，通過導(dǎo)通所述第三開關(guān)而截止所述第二開關(guān)和所述第四開關(guān)，所述電容器充電到所述第四電壓。所述第一電壓是地電壓。
本發(fā)明的另一實施例提出一種用于產(chǎn)生驅(qū)動波形的掃描驅(qū)動電路，用于驅(qū)動由等離子體顯示板的相鄰維持和掃描電極構(gòu)成的板式電容器，其中所述維持電極接地，而所述掃描電極耦合到所述驅(qū)動電路，所述掃描驅(qū)動電路包括維持放電部分，用于將正維持放電電壓和負維持放電電壓交替施加到所述掃描電極；耦合到所述維持放電部分的上升復(fù)位部分，用于向所述掃描電極提供上升電壓斜坡；耦合到所述上升復(fù)位部分的下降復(fù)位部分，用于向所述掃描電極提供下降電壓斜坡；和耦合到所述下降復(fù)位部分的掃描驅(qū)動器部分，用于將掃描電壓施加到選擇的掃描電極和將非掃描電壓施加到未選擇的掃描電極。
所述掃描驅(qū)動電路的另一實施例可以包括參考電壓供給器部分，其耦合到所述維持放電部分和所述上升復(fù)位部分，用于提供參考電壓。所述掃描驅(qū)動器部分可以包括選擇電路，用于選擇要選擇的掃描電極。所述下降復(fù)位部分可以包括晶體管，它們操作成允許小電流從它們的漏極流向它們的源極，以便所述掃描電極的電壓可以在導(dǎo)通這些晶體管時逐漸降低。所述上升復(fù)位部分可以包括第一晶體管，所述第一晶體管操作成允許小電流從所述第一晶體管的漏極流向所述第一晶體管的源極，以便所述掃描電極的電壓可以在導(dǎo)通這個晶體管時逐漸增加。所述上升復(fù)位部分還可以包括電容器，其中一個板耦合到所述第一晶體管的漏極，所述晶體管操作成在充電時逐漸增加所述掃描電極的電壓；和耦合在所述第一晶體管和所述電容器之間的第二晶體管，所述第二晶體管操作為所述下降復(fù)位部分和所述維持放電部分之間的開關(guān)。
圖1表示傳統(tǒng)AC PDP的局部透視圖。
圖2表示傳統(tǒng)AC PDP的示例性驅(qū)動波形。
圖3表示依據(jù)本發(fā)明示例性實施例的PDP的分解透視圖。
圖4表示依據(jù)本發(fā)明示例性實施例的PDP的布置圖。
圖5表示依據(jù)本發(fā)明示例性實施例的底板的平面圖。
圖6表示依據(jù)本發(fā)明第一示例性實施例的驅(qū)動波形。
圖7表示依據(jù)本發(fā)明第二示例性實施例的驅(qū)動波形。
圖8表示用于產(chǎn)生圖7的驅(qū)動波形的驅(qū)動電路。
圖9表示依據(jù)本發(fā)明第三示例性實施例的驅(qū)動波形。
圖10表示用于產(chǎn)生圖9的驅(qū)動波形的驅(qū)動電路。
圖11A和11B表示用于在圖10的驅(qū)動電路中的維持周期期間產(chǎn)生驅(qū)動波形的電流路徑。
圖12A和12B表示用于在圖10的驅(qū)動電路中的復(fù)位周期期間產(chǎn)生驅(qū)動波形的電流路徑。
圖13表示用于產(chǎn)生圖9的驅(qū)動波形的另一示例性驅(qū)動電路。
圖14表示用于產(chǎn)生圖9的驅(qū)動波形的第三示例性驅(qū)動電路。
圖15表示依據(jù)本發(fā)明第三實施例的驅(qū)動波形。
具體實施例方式
如圖1中所示，PDP包括一對分開布置但彼此面對的襯底1和6。多個掃描(Y)電極4和維持(X)電極5平行成對地形成在玻璃襯底1上。掃描電極4和維持電極5由介電層2和保護層3覆蓋。多個尋址(A)電極8形成在玻璃襯底6上，并且由絕緣層7覆蓋。在絕緣層7上，阻擋肋9形成在兩個相鄰的尋址電極8之間。另外，熒光體13形成在絕緣層7的表面和阻擋肋9的兩側(cè)上。玻璃襯底1和6排列成彼此面對且插入放電空間，以便掃描電極4和維持電極5垂直于尋址電極8。放電單元(下文中簡稱為單元)12通過放電空間11形成在尋址電極8和一對掃描及維持電極4，5的交叉區(qū)場上。
圖2表示AC PDP的傳統(tǒng)驅(qū)動波形。每個子場具有復(fù)位周期、尋址周期和維持周期。復(fù)位周期是用于消除由前一維持放電形成的壁電荷，并且用于初始化每個放電單元的狀態(tài)，以便促進對放電單元的尋址操作。尋址周期也稱為掃描周期或?qū)懭胫芷?，用于選擇板內(nèi)的導(dǎo)通/截止單元，并且將壁電荷聚積到導(dǎo)通單元。導(dǎo)通/截止單元是在尋址周期期間要導(dǎo)通或截止的單元；導(dǎo)通單元是在本周期期間要尋址的單元。維持周期是用于引起放電以便在尋址單元上顯示圖像。
為了執(zhí)行上述操作，在維持周期期間，維持脈沖交替地施加到掃描電極4和維持電極5。在隨后的擦除周期期間，逐漸增加的斜坡電壓施加到維持電極5。在隨后的復(fù)位周期內(nèi)，復(fù)位波形施加到掃描電極4，同時以參考電壓偏置尋址電極8，以恒定電壓偏置維持電極4。另外，在用于選擇導(dǎo)通單元的尋址周期期間，尋址波形施加到尋址電極8，同時掃描電極4和維持電極5保持在預(yù)定電壓上。
下面描述中提到的壁電荷指的是形成和聚積在壁上的電荷，即靠近放電單元電極的介電層。盡管壁電荷不實際接觸電極，但壁電荷將描述為“形成”或“聚積”在電極上。此外，壁電壓指的是由形成在壁上的壁電荷在放電單元的壁之間產(chǎn)生的電勢差。
圖3表示依據(jù)本發(fā)明示例性實施例的PDP的分解透視圖。圖4表示依據(jù)本發(fā)明示例性實施例的PDP的示意布置圖。圖5表示依據(jù)本發(fā)明示例性實施例的底板的示意平面圖。
如圖3中所示，等離子體顯示設(shè)備包括PDP 10、底板20、前殼30和后殼40。底板20耦合到與PDP 10的圖像顯示側(cè)相對的PDP 10上。前殼30和后殼40分別耦合到底板20的前部和后部。PDP 10的圖像顯示側(cè)耦合到前殼30，而底板20耦合到后殼40。所有這些部件一起形成等離子體顯示設(shè)備。
如圖4中所示，PDP 10包括在垂直方向上延伸的多個尋址電極A1-Am以及各自在水平方向上延伸的多個掃描電極Y1-Yn和多個維持電極X1-Xn。各個維持電極X1-Xn與各個掃描電極Y1-Yn對應(yīng)。
PDP 10也包括其上形成有X和Y電極的絕緣襯底以及其上形成A電極的另一絕緣襯底。這兩個絕緣襯底排列成彼此面對且在它們之間具有放電空間。A電極與Y電極和X電極相交，并且垂直于這兩組Y電極和X電極。放電空間形成在A電極與X電極和Y電極相交的區(qū)場上，這樣的放電空間形成單元12。
如圖5中所示，驅(qū)動板100，200，300，400和500形成在底板20上用于驅(qū)動PDP 10。底板20的上部和下部中所示的尋址緩沖板100可以形成為單個板或多個板。圖4圖解用雙驅(qū)動方法驅(qū)動的等離子體顯示設(shè)備。在用單驅(qū)動方法驅(qū)動的等離子體顯示設(shè)備的情況下，尋址緩沖板100位于底板20的上端和下端。這樣的尋址緩沖板100從圖像處理控制板400中接收尋址驅(qū)動控制信號，并且將用于選擇導(dǎo)通放電單元12的電壓施加到A電極。
掃描驅(qū)動板200位于底板20的左側(cè)，并且通過掃描緩沖板300與Y電極耦合。掃描驅(qū)動板200從圖像處理控制板400中接收驅(qū)動信號，并且將驅(qū)動電壓施加到Y(jié)電極。以恒定電壓偏置X電極。
掃描緩沖板300在尋址周期期間將電壓施加到Y(jié)電極用于順序選擇這些電極。在圖5中，掃描驅(qū)動板200和掃描緩沖板300圖示成位于底板20的左側(cè)。然而，這些驅(qū)動板可以位于該板的右側(cè)。另外，掃描緩沖板300和掃描驅(qū)動板200可以形成在一起作為一個部件。
圖像處理控制板400接收圖像信號，產(chǎn)生用于驅(qū)動A電極的控制信號和用于驅(qū)動Y電極及X電極的控制信號，并且將接收的信號施加到尋址驅(qū)動板100和掃描驅(qū)動板200。電源板500提供電力用于驅(qū)動等離子體顯示設(shè)備。圖像處理控制板400和電源板500可以位于底板20的中心區(qū)場內(nèi)。
圖6表示依據(jù)本發(fā)明第一實施例的PDP驅(qū)動波形。在下列書面描述中，為了更好地理解和便于描述，只結(jié)合一個單元來描述施加到Y(jié)電極、X電極和A電極的驅(qū)動波形。另外，在圖6所示的驅(qū)動波形中，施加到Y(jié)電極的電壓來自于掃描驅(qū)動板200和掃描緩沖板300，而施加到A電極的電壓來自于尋址緩沖板100。因為以恒定參考電壓偏置X電極，在圖6所示的實例中它是地電壓，所以不再更詳細地描述施加到X電極的電壓。
如圖6中所示，子場包括復(fù)位周期Pr、尋址周期Pa和維持周期Ps，復(fù)位周期Pr包括上升周期Pr1和下降周期Pr2。上升周期Pr1是用于在掃描電極Y、維持電極X和尋址電極A上形成壁電荷，而下降周期Pr2是用于部分擦除在上升周期Pr1內(nèi)形成的壁電荷，從而促進尋址放電。尋址周期Pa是用于選擇放電單元，在維持周期Ps期間將在該單元中產(chǎn)生維持放電。維持周期Ps是用于將維持放電脈沖施加到Y(jié)電極和X電極，以便在選擇的放電單元內(nèi)產(chǎn)生維持放電。
PDP與掃描/維持驅(qū)動電路耦合，用于在復(fù)位周期Pr、尋址周期Pa和維持周期Ps期間將驅(qū)動電壓施加到Y(jié)電極和X電極。PDP與尋址驅(qū)動電路耦合，用于將驅(qū)動電壓施加到A電極。
在復(fù)位周期Pr的上升周期Pr1期間，從Vs逐漸上升到Vset的斜坡電壓施加到Y(jié)電極，同時A電極和X電極保持在參考電壓(圖6中為0V)。當Y電極的電壓增加時，在Y電極和X電極之間以及Y電極和A電極之間出現(xiàn)弱放電。因此，負(-)壁電荷形成在Y電極上，正(+)壁電荷形成在X電極和A電極上。如圖6中所示，當維持電極Y的電壓逐漸變化時，出現(xiàn)在單元內(nèi)的弱放電形成壁電荷，以便外部施加的電壓和壁電荷之和可以保持在放電點火電壓。
電壓Vset是足夠高的電壓以便能在任何條件的單元內(nèi)點火放電，因為每個單元在復(fù)位周期期間必須要初始化。另外，電壓Vs等于在維持周期Ps期間施加到Y(jié)電極的電壓，并且小于Y電極和X電極之間的點火放電電壓。
在下降周期Pr2期間，Y電極的電壓從電壓Vs逐漸下降到電壓Vnf，同時使A電極保持在參考電壓。當Y電極的電壓降低時，在Y電極和X電極之間以及Y電極和A電極之間出現(xiàn)弱放電。因此，消除了形成在Y電極上的負(-)壁電荷和形成在X電極及A電極上的正(+)壁電荷。電壓Vnf通常設(shè)定為接近Y電極和X電極之間的放電點火電壓。然后，Y電極和X電極之間的壁電壓變?yōu)榻咏?V，因此，可以防止在尋址周期期間還沒有經(jīng)歷尋址放電的放電單元在維持周期內(nèi)不點火。另外，Y電極和A電極之間的壁電壓由電壓Vnf的電平確定，因為A電極保持在參考電壓。
隨后，在用于選擇導(dǎo)通單元的尋址周期期間，負電壓VscL的掃描脈沖和正電壓Va的尋址脈沖分別施加到導(dǎo)通單元的Y電極和A電極。沒有選擇的Y電極被以比電壓VscL更高的電壓VscH偏置，并且參考電壓施加到截止單元的A電極，截止單元是要截止的單元。為了這樣的操作，掃描緩沖板300在掃描電極Y1-Yn中選擇要被施加掃描脈沖VscL的Y電極。例如，在單驅(qū)動方法中，可以根據(jù)Y電極在垂直方向上的排列順序來選擇Y電極。當選擇了Y電極時，尋址緩沖板100在形成在所選Y電極上的單元之中選擇導(dǎo)通單元。也就是，尋址緩沖板100在尋址電極A1-Am中選擇被施加電壓Va的尋址脈沖的A電極。
更詳細地，首先，電壓VscL的掃描脈沖施加到第一行掃描電極Y1，同時，電壓Va的尋址脈沖施加到第一行內(nèi)導(dǎo)通單元上的A電極。然后，在第一行的Y電極(Y1)和被施加電壓Va的A電極之間產(chǎn)生放電，因此，正(+)壁電荷形成在Y電極上，負(-)壁電荷形成在A電極和X電極上。結(jié)果，壁電壓Vwxy形成在X電極和Y電極之間，以便Y電極的電勢變得比X電極的電勢更高。隨后，電壓Va的尋址脈沖施加到第二行內(nèi)導(dǎo)通單元的A電極，同時電壓VscL的掃描電壓施加到第二行內(nèi)的Y電極Y2。然后，在與接收電壓Va的A電極和第二行內(nèi)的Y電極相交的單元內(nèi)產(chǎn)生尋址放電，因此，壁電荷以上述方式形成在相應(yīng)單元內(nèi)。關(guān)于其他行內(nèi)的Y電極，壁電荷以上述相同方式形成在導(dǎo)通單元內(nèi)，即，通過將尋址脈沖Va施加到導(dǎo)通單元上的A電極，同時將掃描脈沖VscL順序施加到Y(jié)電極。
在這樣的尋址周期Pa期間，電壓VscL通常設(shè)定為等于或小于電壓Vnf，而電壓Va通常設(shè)定為大于參考電壓。將結(jié)合VscL等于Vnf的情況，描述通過將電壓Va施加到A電極而產(chǎn)生尋址放電。當在復(fù)位周期期間施加電壓Vnf時，A電極和Y電極之間的壁電壓與A電極和Y電極之間的外電壓Vnf之和達到A電極和Y電極之間的放電點火電壓Vfay。當在尋址周期Pa內(nèi)給A電極施加0V和給Y電極施加電壓VscL(＝Vnf)時，電壓Vfay形成在A電極和Y電極之間，因此可以認為產(chǎn)生放電。然而，在這種情況下，沒有產(chǎn)生放電，因為放電延時大于掃描脈沖和尋址脈沖的寬度。然而，如果電壓Va施加到A電極，同時電壓VscL(＝Vnf)施加到Y(jié)電極，則比電壓Vfay更大的電壓形成在A電極和Y電極之間，以便放電延時減小到小于掃描脈沖的寬度。在這種情況下，可以產(chǎn)生放電。此時，通過將電壓VscL設(shè)定成小于電壓Vnf可以促進尋址放電的產(chǎn)生。
隨后，在維持周期Ps期間，通過最初將電壓Vs的脈沖施加到Y(jié)電極，在Y電極和X電極之間引發(fā)維持放電。在尋址周期Pa期間已經(jīng)經(jīng)歷尋址放電的單元中，形成壁電壓Vwxy以便Y電極的電勢高于X電極的電勢。在這種情況下，設(shè)定電壓Vs以便它低于放電點火電壓Vfxy且電壓值Vs+Vwxy高于電壓Vfxy。作為這種維持放電的結(jié)果，負(-)壁電荷形成在Y電極上，而正(+)壁電荷形成在X電極和A電極上，以便X電極的電勢高于Y電極的電勢。
現(xiàn)在，由于形成壁電壓Vwxy以至于Y電極的電勢變成高于X電極，因此負電壓-Vs的脈沖施加到Y(jié)電極來點火隨后的維持放電。因此，正(+)壁電荷形成在Y電極上，而負(-)壁電荷形成在X電極和A電極上，以便通過將電壓Vs施加到Y(jié)電極可以點火另一維持放電。隨后，將電壓Vs和-Vs的維持脈沖交替施加到Y(jié)電極的過程重復(fù)相當于相應(yīng)子場加權(quán)值的次數(shù)。
如上所述，根據(jù)本發(fā)明的第一實施例，通過將驅(qū)動波形只施加到Y(jié)電極，同時以恒定電壓偏置X電極，可以執(zhí)行復(fù)位、尋址和維持操作。因此，不需要用于驅(qū)動X電極的驅(qū)動板，并且X電極可以簡單地以參考電壓偏置。
如圖6中所示，根據(jù)第一實施例，在復(fù)位周期的下降周期Pr2內(nèi)施加到Y(jié)電極的最后電壓設(shè)定成電壓Vnf，最后電壓Vnf可以接近Y電極和X電極之間的放電點火電壓。然而，在下降周期的最后電壓Vnf上，Y電極關(guān)于A電極的壁電勢可以設(shè)定成正電壓，因為掃描電極Y和維持電極A之間的放電點火電壓Vfay通常小于Y電極和X電極之間的放電點火電壓Vfxy。下一個子場的復(fù)位周期開始，同時在單元內(nèi)保持上述壁電荷狀態(tài)，因為在還沒有經(jīng)歷尋址放電的單元內(nèi)不產(chǎn)生維持放電。在上述單元狀態(tài)下，Y電極關(guān)于X電極的壁電勢大于Y電極關(guān)于A電極的壁電勢。因此，當Y電極的電壓在復(fù)位周期Pr的上升周期Pr1期間增加時，在A電極和Y電極之間的電壓已經(jīng)超過放電點火電壓Vfay不久之后，X電極和Y電極之間的電壓可以超過放電點火電壓。
在復(fù)位周期Pr的上升周期Pr1內(nèi)，Y電極操作為正電極，而A電極和X電極操作為負電極，因為高電壓施加到Y(jié)電極。當在稱為“γ過程”的過程中正離子撞著負電極時，從負電極發(fā)射的二次電子量確定單元內(nèi)的放電。在PDP中，X電極和Y電極典型地覆蓋有高二次電子發(fā)射系數(shù)的材料，用于增加維持放電性能，而A電極覆蓋有用于彩色顯示的熒光體。MgO膜可以用作這種高二次電子發(fā)射系數(shù)的材料。然而，在上升周期期間，在A電極和Y電極之間可以延遲放電，因為當A電極和Y電極之間的電壓超過放電點火電壓Vfay時，覆蓋有熒光體的A電極操作為負電極。由于放電延遲，當在A電極和Y電極之間實際產(chǎn)生放電時，A電極和Y電極之間的電壓大于放電點火電壓。因此，通過由放電延遲引起的高電壓，可以在A電極和Y電極之間產(chǎn)生強放電而不是弱放電。通過A電極和Y電極之間的強放電，可以在維持電極X和掃描電極A之間產(chǎn)生另一強放電。因此，與由正常上升周期Pr1產(chǎn)生的正壁電荷相比，更多的正壁電荷形成在單元內(nèi)，并且產(chǎn)生更大量的點火粒子。
因此，通過壁電荷和點火粒子可以在下降周期Pr2期間產(chǎn)生強放電，并且不可能完全消除X電極和Y電極之間的壁電荷。在這種情況下，當復(fù)位周期結(jié)束時，在單元內(nèi)的X電極和Y電極之間形成高壁電壓。因此，在維持周期期間通過高壁電壓可以在X電極和Y電極之間產(chǎn)生不點火。將參考圖7描述用于防止這個不點火放電的實施例。
圖7表示依據(jù)本發(fā)明第二實施例的驅(qū)動波形。盡管依據(jù)本發(fā)明第二實施例的驅(qū)動波形類似于第一實施例的驅(qū)動波形，但在第二實施例中，A電極在復(fù)位周期Pr的上升周期Pr1期間被以高于參考電壓的恒定電壓偏置。
更詳細地，在復(fù)位周期Pr的上升周期Pr1期間，Y電極的電壓從電壓Vs逐漸增加到電壓Vset，同時A電極的電壓被以高于參考電壓的恒定電壓偏置。因此，如果電壓Va用作A電極的偏置電壓，則不需要形成附加電壓以給A電極施加偏置電壓。當Y電極的電壓增加而A電極以電壓Va偏置時，A電極和Y電極之間的電壓小于第一實施例中這兩個電極之間的電壓。因此，在A電極和Y電極之間的電壓超過放電點火電壓之前，X電極和Y電極之間的電壓超過放電點火電壓。然后，在X電極和Y電極之間產(chǎn)生弱放電，從而形成點火粒子，并且在這種情況下，A電極和Y電極之間的電壓超過放電點火電壓。通過點火粒子減小A電極和Y電極之間的放電延遲。因此，在A電極和Y電極之間產(chǎn)生弱放電而不是強放電，并且適當形成壁電荷。在復(fù)位周期Pr的下降周期Pr2期間也可以防止不點火，因為不產(chǎn)生強放電。
圖8表示用于產(chǎn)生圖7的驅(qū)動波形的驅(qū)動電路。每個晶體管可以具有耦合源極的陽極和耦合漏極的陰極以形成體二極管。掃描驅(qū)動板200包括上升復(fù)位部分211、下降復(fù)位部分212、掃描驅(qū)動器部分213、維持放電部分215和參考電壓供給器部分214。為了更好地理解和便于描述，圖8表示了僅僅一個Y電極和僅僅一個選擇電路。由相鄰的X電極和Y電極形成的電容元件用板式電容器Cp表示。作為實例，板式電容器Cp的X電極被以地電壓偏置。
上升復(fù)位部分211包括二極管Dset、電容器Cset和晶體管YPP，Yrr，并且將從Vs上升到Vset的斜坡電壓施加到Y(jié)電極。電容器Cset耦合在負晶體管Ypp的源極和晶體管Yrr的漏極之間。晶體管Ypp的漏極和晶體管Yrr的源極耦合到第二節(jié)點N2。在這種情況下，當晶體管Yg導(dǎo)通時，電容器Cset由電壓Vset-Vs進行充電。晶體管Yrr在導(dǎo)通時操作以允許小電流從它的漏極流向它的源極，以便使板式電容器Cp以斜坡模式逐漸充電到電壓Vset。
二極管Dset耦合在電壓Vset-Vs的電源和晶體管Yrr的漏極連接電容器Cset的節(jié)點之間，并且截斷電容器Cset-二極管Dset-電壓Vset-Vs的電源的電流路徑。
下降復(fù)位部分212包括晶體管Ynp，Yfr和Yer，并且將從Vs下降到Vnf的斜坡電壓施加到電容器Cp。晶體管Yer和Yfr的漏極耦合在第一節(jié)點N1上，而晶體管Yer和Yfr的漏極耦合在電壓Vnf的電源上。晶體管Yer和Yfr操作以允許小電流從它們的漏極流向它們的源極，以便在導(dǎo)通這兩個晶體管時，Y電極的電壓可以逐漸降低。此時，晶體管Ynp截止GND-晶體管Yg-晶體管Ypp-晶體管Ynp-晶體管Yfr的電流路徑，這個電流路徑可以在電壓Vnf為負時形成。
掃描驅(qū)動器部分213包括選擇電路310、二極管Dsch、電容器Csch和晶體管YscL，并且按順序把掃描電壓VscL提供給Y電極。通常，為了在尋址周期期間可以順序選擇多個掃描電極Y1-Yn，每個掃描電極Y1-Yn與形成為IC的選擇電路310耦合。掃描驅(qū)動板200的驅(qū)動電路通過選擇電路310與掃描電極Y1-Yn耦合。
選擇電路310包括晶體管Sch和Scl，晶體管Sch的源極和晶體管Scl的漏極耦合到板式電容器Cp的Y電極，并且晶體管Scl的源極耦合到第一節(jié)點N1。
電容器Csch耦合在晶體管Sch的漏極和第一節(jié)點N1之間。二極管Dsch耦合在非掃描電壓Vsch的電源和電容器Csch與晶體管Sch的漏極互連的節(jié)點之間。當晶體管YscL導(dǎo)通時，電容器Csch由電壓Vsch-VscL進行充電。電容器Csch的第一節(jié)點耦合到晶體管Sch的漏極，而電容器的第二節(jié)點耦合到第一節(jié)點N1。晶體管YscL耦合在第一節(jié)點N1和掃描電壓VscL的電源之間，并且將電壓VscL提供給被選擇的放電單元的Y電極。
在尋址周期Pa期間，晶體管Sch導(dǎo)通以把非掃描電壓VscH施加到未選擇的Y電極，同時晶體管Scl導(dǎo)通以把掃描電壓VscL施加到選擇的Y電極。
參考電壓供給器部分214包括晶體管Yg。晶體管Yg耦合在第三節(jié)點N3和地電壓0V的電壓源之間，并且將地電壓提供給Y電極。
維持放電部分215包括電感器L、晶體管Yh，Yl，Yr和Yf、二極管Dr和Df、以及電容器C1，并且在維持周期Ps期間把電壓Vs或電壓-Vs提供給Y電極。
晶體管Yh具有耦合電壓Vs的電源的漏極和耦合第三節(jié)點N3的源極，而晶體管Yl具有耦合第三節(jié)點N3的漏極和耦合電壓-Vs的電源的源極。電感器L具有耦合第三節(jié)點的第一端子和耦合晶體管Yr源極的第二端子。電容器C1具有耦合晶體管Yr漏極的第一端子。為了截止可能由晶體管Yr和Yf的體二極管形成的電流，二極管Dr和Df排列在與晶體管Yr和Yf的體二極管相反的方向上。電容器C1的第二節(jié)點與-Vs的電源耦合，并且充電到總計為電壓Vs的電壓。此外，二極管Dyh和Dyl可以分別形成在-Vs的電源和電感器L的第二端子之間以及Vs的電源和電感器L的第二端子之間，以便固定電感器L的電勢。
因為在圖7的波形中電壓VscL低于電壓Vnf，當晶體管YscL導(dǎo)通時，通過晶體管Yfr和Yer的體二極管可以形成電流路徑。為了截止這個電流路徑，如圖6中所示，還可以形成晶體管Yfr1和Yer1，它們在與晶體管Yfr和Yer相反的方向上具有它們的體二極管。此外，二極管可以用來代替這樣的晶體管Yfr1和Yer1。類似地，參考電壓供給器214內(nèi)的晶體管Yg和掃描驅(qū)動器部分213內(nèi)的晶體管YscL可以由如圖所示的兩個晶體管串聯(lián)來替換。每對晶體管之一相對于另一晶體管用作二極管，并且對抗流經(jīng)這個另一晶體管的體二極管的電流。可以使用實際二極管來替換第二晶體管。
如上所述，根據(jù)本發(fā)明的第一和第二實施例，通過將驅(qū)動波形只施加到Y(jié)電極，同時X電極被以參考電壓偏置，可以執(zhí)行復(fù)位、尋址和維持操作。因此，不需要用于驅(qū)動X電極的驅(qū)動板，并且X電極可以簡單地以參考電壓偏置。
返回來參考圖7，在復(fù)位周期Pr的上升周期Pr1期間或者維持周期Ps期間，地電壓施加到Y(jié)電極。此時，驅(qū)動電路允許開關(guān)元件Yg導(dǎo)通，以便地電壓施加到Y(jié)電極。然而，可以看出，在復(fù)位周期Pr的上升周期Pr1期間或者維持周期Ps期間，Y電極的電壓可以不以地電壓偏置。當Y電極的電壓未被以地電壓偏置時，不需要用于提供地電壓的開關(guān)元件，從而對縮減電路制造成本有效。將在下文中參考圖9和10詳細描述這樣的實施例。
圖9表示依據(jù)本發(fā)明第三實施例的驅(qū)動波形，而圖10表示用于產(chǎn)生圖9的驅(qū)動波形的驅(qū)動電路。
如圖9中所示，依據(jù)本發(fā)明第三實施例的驅(qū)動波形類似于第一實施例。然而，根據(jù)本實施例，就在尋址周期Pa的末端之后，以及同樣就在維持周期Ps的末端之后，Y電極的電壓都立即增加到電壓Vs，在尋址周期Pa的末端時，電壓VscH施加到Y(jié)電極，在維持周期Ps的末端時，電壓-Vs施加到Y(jié)電極。
更詳細地，在維持周期Ps期間，Y電極的電壓立即從電壓VscH增加到電壓Vs，然后，在電壓Vs和-Vs之間振蕩的維持放電脈沖施加到Y(jié)電極。在復(fù)位周期Pr期間，Y電極的電壓從維持周期Ps的電壓-Vs立即增加到電壓Vs，然后，從電壓Vs逐漸增加到電壓Vset。
另一方面，圖10中所示的用于產(chǎn)生圖9波形的驅(qū)動電路類似于圖8中用于產(chǎn)生圖7波形的驅(qū)動電路。然而，在圖10的電路中，電容器Cset通過路徑①充電到Vset，同時拆除用于供應(yīng)地電壓的晶體管Yg。另外，電容器Cset的兩個端子與電壓Vset-2Vs的電源耦合。
在圖8的驅(qū)動電路中，當晶體管Yg導(dǎo)通時，電容器Cset充電到電壓Vset-Vs。然而，在圖10的驅(qū)動電路中，拆除了晶體管Yg，并且當晶體管Yl導(dǎo)通時(稱為路徑①)，電容器Cset從-Vs的電源充電到電壓Vset。由于這個方案，在沒有晶體管Yg的情況下，可以實現(xiàn)圖9中第三實施例的驅(qū)動波形。
圖11A，11B，12A和12B表示一種用于在維持周期Ps和復(fù)位周期Pr期間產(chǎn)生驅(qū)動波形的方法。圖11A和11B表示用于在圖10的驅(qū)動電路中的維持周期Ps期間產(chǎn)生驅(qū)動波形的電流路徑。圖12A和12B表示用于在圖10的驅(qū)動電路中的復(fù)位周期Pr期間產(chǎn)生驅(qū)動波形的電流路徑。
如圖11A中所示，在維持周期Ps期間，晶體管Sch截止而晶體管Yh，Ypp，Ynp和Scl導(dǎo)通，以便從某一狀態(tài)下增加Y電極的電壓直到電壓Vs(路徑②)，在所述狀態(tài)下，非掃描電壓Vsch施加到在尋址周期Pa期間未被選擇的電極Y。在截止晶體管Sch之前，當晶體管Sch在尋址周期Pa期間是導(dǎo)通(路徑①)時，Y電極的電壓是Vsch。在截止晶體管Sch之后，晶體管Yh截止而晶體管Yl導(dǎo)通，以便Y電極的電壓降低到-Vs(路徑③)。通過重復(fù)這樣的操作(即路徑②和路徑③)，在電壓Vs和電壓-Vs之間振蕩的維持放電脈沖施加到Y(jié)電極。
通過圖11A內(nèi)的硬切換，LC諧振可以用來改變Y電極的電壓，代替施加到Y(jié)電極的電壓Vs或-Vs。如圖11B中所示，晶體管Yr，Ypp，Ynp和Scl導(dǎo)通以在電感器L和板式電容器Cp之間產(chǎn)生諧振，以便從某一狀態(tài)下增加Y電極的電壓直到電壓Vs(路徑②)，在所述狀態(tài)下，通過導(dǎo)通晶體管Sch(路徑①)，非掃描電壓Vsch施加到在尋址周期Pa期間未被選擇的電極Y。隨后，晶體管Yr截止而晶體管Yh導(dǎo)通，以便使Y電極的電壓保持在電壓Vs。
然后，由于Y電極的電壓保持在電壓Vs的狀態(tài)，晶體管Yf導(dǎo)通以便電流沿著與路徑②相反的路徑流動，并且通過在電感器L和板式電容器Cp之間產(chǎn)生諧振(路徑③)，Y電極的電壓降低到-Vs。隨后，晶體管Yf截止而晶體管Yl導(dǎo)通，以便使Y電極的電壓保持在電壓-Vs。
如圖12A中所示，由于某一狀態(tài)，其中最后維持放電脈沖在維持周期期間施加到Y(jié)電極(路徑①)，晶體管Yl截止而晶體管Yh導(dǎo)通，以便使Y電極的電壓增加到電壓Vs(路徑②)。隨后，晶體管Yrr導(dǎo)通而晶體管Ypp截止，以便將從電壓Vs逐漸增加到電壓Vset的電壓施加到Y(jié)電極(路徑③)。此時，通過電壓Vs的電源和帶有電壓Vset-Vs的電容器Cset，Y電極的電壓增加到Vset。
為了使Y電極的電壓從某一狀態(tài)增加到Vs，在所述狀態(tài)下，-Vs電壓的最后維持脈沖施加到Y(jié)電極，代替圖12A中路徑②的硬切換，LC諧振可以用來改變Y電極的電壓(圖12B的路徑②)。
如圖12B中所示，由于某一狀態(tài)，其中最后維持放電脈沖的電壓-Vs施加到Y(jié)電極(路徑①)，晶體管Yr導(dǎo)通，以便通過電感器L和板式電容器Cp之間的諧振(路徑②)，使Y電極的電壓增加到電壓Vs。隨后，晶體管Yr截止而晶體管Yh導(dǎo)通，以便Y電極的電壓保持在電壓Vs(路徑③)。
在圖10、圖11A、圖11B、圖12A和圖12B所示的驅(qū)動電路中，通過在復(fù)位周期Pr期間跨越電容器Cset產(chǎn)生的電壓，Y電極的電壓從電壓Vs逐漸增加到電壓Vset。然而，如圖13中所示，可以拆除電容器Cset。
圖13表示用于產(chǎn)生圖9的驅(qū)動波形的第二示例性驅(qū)動電路。除了在圖13中電壓Vset的電源通過晶體管Yrr耦合到N2和拆除了電容器Cset之外，圖13中所示的驅(qū)動電路類似于圖10中所示的驅(qū)動電路。在本實施例中，在復(fù)位周期Pr期間電壓Vs施加到Y(jié)電極之后，開關(guān)元件Yr或Yh之一截止而開關(guān)元件Yrr導(dǎo)通，以便把電壓Vset提供給Y電極(路徑③)。
如圖10、11A、11B、12A、12B和13中所示，盡管驅(qū)動電路設(shè)計成電力恢復(fù)電路以便回收和再使用板式電容器Cp的電力，但本發(fā)明可以選擇放棄這樣的電力恢復(fù)功能。也就是，可以消除電容器C1。沒有這種電容器C1的實施例將圖示在圖14中。
圖14表示用于產(chǎn)生圖9的驅(qū)動波形的第三示例性驅(qū)動電路。本驅(qū)動電路類似于圖10中所示的驅(qū)動電路。然而，晶體管Yr的漏極和晶體管Yf的源極之間的連導(dǎo)通過拆除電容器C1而接地。換句話說，驅(qū)動電路可以如上所述進行操作。
如上所述，根據(jù)本發(fā)明的示例性實施例，通過將驅(qū)動波形只施加到Y(jié)電極，同時X電極被以恒定電壓偏置，可以執(zhí)行復(fù)位操作、尋址操作和維持放電操作。因此，不是必須要用于驅(qū)動X電極的驅(qū)動板。此外，因為用于維持放電的脈沖只提供給掃描驅(qū)動板300，所以在被施加維持放電脈沖的路徑中，阻抗可以變得均勻。
而且，盡管在每個復(fù)位周期Pr內(nèi)可以包括上升周期Pr1和下降周期Pr2，但能看出，某些復(fù)位周期Pr可以只形成有下降周期Pr2而沒有上升周期Pr1。圖15中圖示了這樣的實施例，其中復(fù)位周期Pr只形成有下降周期Pr2。
圖15表示依據(jù)本發(fā)明第四示例性實施例的驅(qū)動波形。為了更好地理解和便于描述，本圖只表示兩個子場，它們表示為第一和第二子場。第一子場的復(fù)位周期Pr形成有上升周期Pr1和下降周期Pr2，在上升周期Pr1內(nèi)，Y電極的電壓從Vs逐漸增加到Vset，而在下降周期Pr2內(nèi)，Y電極的電壓從Vs逐漸下降到Vnf。第二子場的復(fù)位周期Pr(Pr2)只形成有下降周期Pr(Pr2)，在下降周期Pr2期間，Y電極的電壓從Vs逐漸下降到Vnf。因此，在第二子場的復(fù)位周期Pr(Pr2)期間，只施加下降斜坡波形，而在第一子場的復(fù)位周期Pr期間，在下降斜坡波形之前施加上升波形。
當在第一子場或子場1的維持周期Ps期間已經(jīng)產(chǎn)生維持放電時，負(-)壁電荷形成在Y電極上，而正(+)壁電荷形成在A電極和X電極上。與形成在單元內(nèi)的壁電壓相加的Y電極的電壓超過放電點火電壓，同時Y電極的電壓逐漸降低，并且產(chǎn)生的弱放電類似于在第一子場的下降周期Pr2期間產(chǎn)生的弱放電。此外，因為Y電極的最后電壓Vnf與第一子場的下降周期Pr2的最后電壓Vnf相同，所以壁電荷在第二子場的下降周期Pr(Pr2)結(jié)束時的狀態(tài)相當于壁電荷在第一子場的下降周期Pr2結(jié)束時的狀態(tài)。
當在第一子場的維持周期Ps期間沒有出現(xiàn)維持放電時，因為在尋址周期Pa期間沒有出現(xiàn)尋址放電，所以壁電荷狀態(tài)保持在與第一子場的下降周期Pr2結(jié)束時的電平相等的恒定電平。當與施加的電壓相加時，第一子場的下降周期Pr2結(jié)束時的壁電壓接近放電點火電壓。因此，當Y電極的電壓下降到電壓Vnf時，不產(chǎn)生放電。結(jié)果，在第二子場的復(fù)位周期Pr(Pr2)期間不產(chǎn)生放電，并且保持在第一子場的復(fù)位周期Pr期間形成的壁電荷。
如上所述，關(guān)于只有下降周期的子場，當在前一子場內(nèi)產(chǎn)生維持放電時，產(chǎn)生復(fù)位放電，并且當在前一子場內(nèi)產(chǎn)生維持放電時，不產(chǎn)生復(fù)位放電。因此，當幀內(nèi)首次出現(xiàn)的子場設(shè)計成圖15的第一子場，包括上升周期Pr1和下降周期Pr2，并且隨后的子場設(shè)計成圖15的第二子場，只包括下降周期Pr(Pr2)時，在顯示0灰度(黑灰度)的情況下，只有在第一子場期間可以出現(xiàn)復(fù)位放電(弱放電)。也就是，在顯示黑灰度的情況下，防止在隨后的子場期間出現(xiàn)復(fù)位放電，從而提高對比度。
如上所述，根據(jù)本發(fā)明的實施例，用于驅(qū)動X電極的板可以變成不必要的，因為驅(qū)動波形可以只施加到Y(jié)電極，而X電極被以恒定電壓偏置。也就是，可以使用單個組合板，并且可以消除驅(qū)動電路的驅(qū)動開關(guān)，從而降低制造成本。
當Y電極和X電極由單獨驅(qū)動板驅(qū)動時，不同的阻抗形成在掃描驅(qū)動板和維持驅(qū)動板內(nèi)，因為復(fù)位周期Pr和尋址周期Pa內(nèi)的驅(qū)動波形主要來自于掃描驅(qū)動板。因此，在維持周期Ps期間施加到Y(jié)電極的維持放電脈沖和施加到X電極的維持放電脈沖可以變得不同。然而，根據(jù)本發(fā)明的實施例，阻抗可以保持均勻，因為用于維持放電的脈沖只由掃描驅(qū)動板提供。
雖然已經(jīng)結(jié)合目前認為實用的示例性實施例描述了本發(fā)明，但應(yīng)該理解，本發(fā)明不局限于公開的實施例，而相反，旨在覆蓋包含在附屬權(quán)利要求書的本質(zhì)和范圍內(nèi)的各種修改和等效布置。
權(quán)利要求
1.一種用于驅(qū)動等離子體顯示板的方法，所述等離子體顯示板包括以矩陣形式排列的掃描電極、維持電極和尋址電極，所述掃描電極和維持電極平行成對地形成，所述尋址電極垂直于所述掃描電極和維持電極延伸，所述方法在多個幀期間驅(qū)動等離子體顯示板，每個幀具有多個子場，每個子場具有復(fù)位周期，后面是尋址周期，再后面是維持周期，所述復(fù)位周期包括上升周期，后面是下降周期，所述方法包括在每個子場的所有周期期間，以第一電壓偏置維持電極；在尋址周期期間，將負第二電壓施加到所述掃描電極的未被選擇電極，并且將比所述第二電壓更負的第三電壓施加到所述掃描電極的選擇電極；在尋址周期結(jié)束和開始維持周期處，將所述掃描電極的電壓從負第二電壓增加到正第四電壓；和在維持周期期間，將負第五電壓和所述正第四電壓交替施加到所述掃描電極。
2.如權(quán)利要求1所述的方法，還包括在維持周期的結(jié)束和下一子場的復(fù)位周期的開始處，在將所述負第五電壓施加到所述掃描電極之后，將正第六電壓施加到所述掃描電極；和在下一子場的復(fù)位周期的上升周期期間，將所述掃描電極的電壓從所述正第六電壓逐漸增加到第七電壓。
3.如權(quán)利要求2所述的方法，還包括在下一子場的復(fù)位周期的下降周期開始處，將所述掃描電極的電壓從所述第七電壓降低到正第八電壓；和在下一子場的復(fù)位周期的下降周期期間，將所述掃描電極的電壓從所述正第八電壓逐漸降低到負第九電壓。
4.如權(quán)利要求1所述的方法，還包括在維持周期的結(jié)束和下一子場的復(fù)位周期的開始處，在將所述負第五電壓施加到所述掃描電極之后，將正第六電壓施加到所述掃描電極；和在下一子場的復(fù)位周期期間，將所述掃描電極的電壓從所述正第六電壓逐漸降低到負第七電壓。
5.如權(quán)利要求2所述的方法，其中，所述正第六電壓等于所述正第四電壓。
6.如權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述正第四電壓的絕對值等于所述負第五電壓的絕對值。
7.如權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述第一電壓是地電壓。
8.如權(quán)利要求1所述的方法，其中，在尋址周期期間，將正電壓的尋址脈沖施加到所述尋址電極。
9.如權(quán)利要求1所述的方法，其中，在復(fù)位周期的至少部分上升周期期間，所述尋址電極的電壓高于所述維持電極的電壓。
10.一種等離子體顯示設(shè)備，包括等離子體顯示板，包括排列成矩陣的掃描電極、維持電極和尋址電極，所述掃描電極和維持電極平行成對地形成，所述尋址電極垂直于所述掃描電極和維持電極，其中，在多個幀期間驅(qū)動所述等離子體顯示板，每個幀具有多個子場，每個子場具有復(fù)位周期，后面是尋址周期，再后面是維持周期，所述復(fù)位周期包括上升周期，后面是下降周期；底板，包括把驅(qū)動波形施加到所述掃描電極和尋址電極的驅(qū)動板，用于在所述等離子體顯示板上顯示圖像，以及在顯示圖像期間以第一電壓偏置所述維持電極，其中，所述驅(qū)動板包括與所述掃描電極耦合以便將掃描電壓有選擇地施加到選擇掃描電極和將非掃描電壓由選擇地施加到非選擇掃描電極的多個選擇電路；第一開關(guān)，具有耦合到提供掃描電壓的第一電源的第一端子，以及通過所述多個選擇電路耦合到所述掃描電極的第二端子；第二開關(guān)，具有耦合到提供正第二電壓的第二電源的第一端子，以及通過所述多個選擇電路耦合到所述掃描電極的第二端子；第三開關(guān)，具有耦合到提供負第三電壓的第三電源的第一端子，以及通過所述多個選擇電路耦合到所述掃描電極的第二端子；其中，在尋址周期期間，在將非掃描電壓施加到所述掃描電極之后，所述第一開關(guān)截止以便非掃描電壓不再施加到所述掃描電極，并且所述第二開關(guān)導(dǎo)通以便所述正第二電壓施加到所述掃描電極，和其中，在維持周期期間，所述第二開關(guān)截止而所述第三開關(guān)導(dǎo)通，以便所述負第三電壓施加到所述掃描電極，且所述第二開關(guān)和所述第三開關(guān)導(dǎo)通和截止，從而將所述正第二電壓和負第三電壓交替地施加到所述掃描電極。
11.如權(quán)利要求10所述的等離子體顯示設(shè)備，還包括第四開關(guān)，具有耦合到提供第四電壓的第四電源的第一端子，以及通過所述多個選擇電路耦合到所述掃描電極的第二端子，所述第四電壓高于所述第二電壓，操作所述第四開關(guān)，以便使所述掃描電極的電壓從所述正第二電壓逐漸增加到所述第四電壓，其中，在下一子場的復(fù)位周期期間，所述第三開關(guān)截止而所述第二開關(guān)導(dǎo)通，以便將所述第二電壓施加到所述掃描電極，然后，所述第二開關(guān)截止而所述第四開關(guān)導(dǎo)通，以便將所述第四電壓施加到所述掃描電極。
12.如權(quán)利要求10所述的等離子體顯示設(shè)備，其中，所述第四開關(guān)包括充電到所述第四電壓的電容器，所述電容器具有耦合到所述第四電源的第一板和與所述第二開關(guān)和第三開關(guān)的連接節(jié)點耦合的第二板；和晶體管，具有耦合到所述電容器第一板的第一端子，以及通過所述多個選擇電路耦合到所述掃描電極的第二端子，其中，在維持周期期間，所述第三開關(guān)導(dǎo)通以便使所述第三電壓被施加到所述掃描電極，其中，在復(fù)位周期的第一部分期間，所述第三開關(guān)截止而所述第二開關(guān)導(dǎo)通，以便將所述正第二電壓施加到所述掃描電極，和其中，接著在復(fù)位周期期間，所述第四開關(guān)導(dǎo)通以便將所述第四電壓施加到所述掃描電極，并且將所述掃描電極的電壓從所述正第二電壓逐漸增加到所述正第二電壓和所述第四電壓之和。
13.如權(quán)利要求11所述的等離子體顯示設(shè)備，其中，所述第四電源提供等于所述負第三電壓和所述第四電壓之和的電力，和其中，通過導(dǎo)通所述第三開關(guān)而截止所述第二開關(guān)和所述第四開關(guān)，所述電容器充電到所述第四電壓。
14.如權(quán)利要求10所述的等離子體顯示設(shè)備，其中，所述第一電壓是地電壓。
15.一種用于產(chǎn)生驅(qū)動波形的掃描驅(qū)動電路，所述驅(qū)動波形用于驅(qū)動由等離子體顯示板的相鄰維持和掃描電極構(gòu)成的板式電容器，其中，所述維持電極接地，而所述掃描電極耦合到所述驅(qū)動電路，所述掃描驅(qū)動電路包括維持放電部分，用于將正維持放電電壓和負維持放電電壓交替施加到所述掃描電極；耦合到所述維持放電部分的上升復(fù)位部分，用于向所述掃描電極提供上升電壓斜坡；耦合到所述上升復(fù)位部分的下降復(fù)位部分，用于向所述掃描電極提供下降電壓斜坡；和耦合到所述下降復(fù)位部分的掃描驅(qū)動器部分，用于將掃描電壓施加到選擇的掃描電極和將非掃描電壓施加到未被選擇的掃描電極。
16.如權(quán)利要求15所述的掃描驅(qū)動電路，還包括參考電壓供給器部分，其耦合到所述維持放電部分和所述上升復(fù)位部分，用于提供參考電壓。
17.如權(quán)利要求15所述的掃描驅(qū)動電路，其中，所述掃描驅(qū)動器部分包括選擇電路，用于選擇被選擇的掃描電極。
18.如權(quán)利要求15所述的掃描驅(qū)動電路，其中，所述下降復(fù)位部分包括多個晶體管，它們操作以允許小電流從它們的漏極流向它們的源極，以便使所述掃描電極的電壓可以在這些晶體管導(dǎo)通期間逐漸降低。
19.如權(quán)利要求15所述的掃描驅(qū)動電路，其中，所述上升復(fù)位部分包括第一晶體管，所述第一晶體管操作以允許小電流從所述第一晶體管的漏極流向所述第一晶體管的源極，以便使所述掃描電極的電壓可以在這個晶體管導(dǎo)通期間逐漸增加。
20.如權(quán)利要求19所述的掃描驅(qū)動電路，其中，所述上升復(fù)位部分還包括電容器，具有耦合到所述第一晶體管的漏極的一個板，所述電容器工作以在充電時逐漸增加所述掃描電極的電壓；和耦合在所述第一晶體管和所述電容器之間的第二晶體管，所述第二晶體管作為所述下降復(fù)位部分和所述維持放電部分之間的開關(guān)而工作。
全文摘要
根據(jù)本發(fā)明的等離子體顯示板的示例性驅(qū)動方法，具有復(fù)位功能、尋址功能和維持放電功能的波形施加到掃描電極，同時維持電極被以地電壓偏置。消除了用于驅(qū)動維持電極的板和用于提供地電壓的開關(guān)，因此縮減了驅(qū)動板的制造成本。也提出了用于產(chǎn)生理想波形的各種電路和不折衷電路效力的簡化。
文檔編號G09G3/291GK1722205SQ2005100913
公開日2006年1月18日 申請日期2005年5月25日 優(yōu)先權(quán)日2004年5月25日
發(fā)明者伊藤一裕, 金俊亨, 趙炳權(quán) 申請人:三星Sdi株式會社