專利名稱：平板顯示器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種平板顯示器，更具體地說，涉及一種全彩色平板顯示器。
背景技術(shù)：
因為平板顯示器重量輕、結(jié)構(gòu)薄、圖像質(zhì)量更好，所以其被認(rèn)為是陰極射線管顯示器的替代品。平板顯示器的示例包括液晶顯示器(LCD)和有機(jī)發(fā)光顯示器(OLED)。與LCD相比，OLED具有更高的亮度和更大的視角，并且不需要背光，這使得OLED在實現(xiàn)薄顯示器中具有優(yōu)勢。
平板顯示器包括用于實現(xiàn)全彩色顯示的紅、綠、藍(lán)像素。紅、綠、和藍(lán)像素可形成在以條狀排列、馬賽克(mosaic)狀排列、或“Δ”(delta)狀排列的陣列中。“Δ”狀排列和馬賽克狀排列在混合三原色的顏色以獲得不同的色彩方面都優(yōu)于條狀排列，因而，“Δ”狀排列和馬賽克狀排列更適合顯示運(yùn)動的畫面。在第6,429,599號美國專利中已經(jīng)公開了具有按“Δ”狀排列的像素陣列的OLED。
圖1是上述美國專利中公開的具有按“Δ”狀排列的像素陣列的OLED的平面圖。在這個圖中，紅(R)、綠(G)、藍(lán)(B)像素按“Δ”狀排列。在以條狀排列的陣列中，相鄰行的像素成直線，從而所有的R像素沿相同的列，所有的G像素沿相同的列，所有的B像素沿相同的列。另一方面，在“Δ”狀排列中，相鄰行的像素是交錯的，從而一行的B像素與該行的相鄰兩行的R像素及G像素形成三角形，或“Δ”狀。每個R像素、G像素、及B像素包括第一薄膜晶體管(TFT)4、電容器5、第二TFT6、和發(fā)光二極管的像素電極7。此外，數(shù)據(jù)線1和柵極線3結(jié)合到第一TFT4，電源線2結(jié)合到第二TFT6。
如上所述，在“Δ”狀排列中，一行的每個R像素、G像素、及B像素鄰近于相鄰行的其它兩個顏色像素設(shè)置，從而從一個像素到相鄰列中的相同顏色的像素產(chǎn)生Z字路徑。在總體列方向上延伸的數(shù)據(jù)線1沿這個Z字路徑結(jié)合到相同顏色像素的第一TFT4。Z字路徑增大了數(shù)據(jù)線1的電阻，延遲了數(shù)據(jù)信號。而且，電源線2也沿Z字路徑延伸。因而，電源線2的電阻也被增大了，這會導(dǎo)致電壓沿電源線下降。數(shù)據(jù)信號沿數(shù)據(jù)線1的延遲和電壓沿電源線2下降會惡化畫面質(zhì)量，這隨著顯示尺寸的增加作為一個嚴(yán)重的問題顯現(xiàn)出來。此外，如此復(fù)雜的互連布局增加了互連所占據(jù)的空間，這導(dǎo)致孔徑比的減小。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明通過提供一種平板顯示器來解決傳統(tǒng)裝置的問題，該平板顯示器具有改善的三原色顏色混合以獲得不同的色彩，并且沒有信號延遲或電壓下降。
在本發(fā)明的示例性實施例中，平板顯示器包括襯底和排列在襯底上的信號線。像素驅(qū)動電路區(qū)域由信號線的互連限定。像素驅(qū)動電路位于像素驅(qū)動電路區(qū)域中。像素電極結(jié)合到每個像素驅(qū)動電路，并至少與一個信號線疊置。
在本發(fā)明的另一示例性實施例中，平板顯示器包括襯底和排列在襯底上的信號線。像素驅(qū)動電路區(qū)域由信號線的互連限定。像素驅(qū)動電路位于像素驅(qū)動電路區(qū)域中。像素電極結(jié)合到像素驅(qū)動電路。像素電極的排列與像素驅(qū)動區(qū)域的排列不同。
在本發(fā)明的再一示例性實施例中，平板顯示器包括襯底和排列在襯底上的信號線。至少一些信號線包括掃描線和數(shù)據(jù)線，數(shù)據(jù)線與掃描線交叉并沿直線排列。像素驅(qū)動電路區(qū)域由掃描線和數(shù)據(jù)線的交叉限定。像素驅(qū)動電路位于像素驅(qū)動電路區(qū)域中。像素電極結(jié)合到像素驅(qū)動電路。像素電極沿行或列方向鄰近于不同顏色的像素電極。
在本發(fā)明的又一示例性實施例中，平板顯示器包括襯底和排列在襯底上的信號線。至少一些信號線包括掃描線和數(shù)據(jù)線，數(shù)據(jù)線與掃描線交叉并沿直線排列。紅、綠、藍(lán)像素驅(qū)動電路區(qū)域由掃描線和數(shù)據(jù)線的交叉限定。對應(yīng)于相同顏色的像素驅(qū)動電路區(qū)域一個鄰近于另一個地沿列方向排列。紅、綠、和藍(lán)像素驅(qū)動電路位于像素驅(qū)動電路區(qū)域中。紅、綠、藍(lán)像素電極分別結(jié)合到紅、綠、藍(lán)像素驅(qū)動電路。每個像素電極沿行和列方向鄰近于不同顏色的像素電極。


圖1是具有以“Δ”狀排列的像素陣列的傳統(tǒng)OLED的平面圖。
圖2是在根據(jù)本發(fā)明第一實施例的OLED中的像素驅(qū)動電路的電路圖。
圖3是根據(jù)本發(fā)明第一實施例的OLED的像素陣列的平面圖。
圖4A和圖4B是根據(jù)本發(fā)明第一實施例的OLED沿圖3中的線I-I’截取的剖面圖。
圖5是在根據(jù)本發(fā)明第二實施例的OLED中的像素驅(qū)動電路的電路圖。
圖6是在根據(jù)本發(fā)明第三實施例的OLED中的像素驅(qū)動電路的電路圖。
具體實施例方式
在下面的附圖描述中，在不同層上或在襯底上形成層表示該層直接形成在所述不同層上或直接形成在襯底上。然而，它也可以表示在所形成的層和所述不同層或襯底之間存在其它層。
圖2是在根據(jù)本發(fā)明第一實施例的OLED中的像素驅(qū)動電路100a的電路圖。每個像素驅(qū)動電路100a結(jié)合到信號線，信號線包括掃描線S，數(shù)據(jù)線DR、DG、DB，和電源線ELVDD。數(shù)據(jù)線DR、DG、DB包括紅數(shù)據(jù)線DR、綠數(shù)據(jù)線DG、和藍(lán)數(shù)據(jù)線DB。紅、綠、藍(lán)數(shù)據(jù)線DR、DG、DB與掃描線S相交叉，從而限定紅像素PR、綠像素PG、和藍(lán)像素PB。紅、綠、藍(lán)數(shù)據(jù)線DR、DG、DB分別結(jié)合到紅像素PR、綠像素PG、和藍(lán)像素PB。因而，具有特定顏色(紅、綠、藍(lán))的數(shù)據(jù)信號被傳送到對應(yīng)于相同顏色的數(shù)據(jù)線DR、DG、DB。像素驅(qū)動電路100a比對應(yīng)于不同顏色的數(shù)據(jù)信號被相同的數(shù)據(jù)線傳送的電路更容易被驅(qū)動。
像素包括紅、綠、藍(lán)發(fā)光二極管ER、EG、EB和用于驅(qū)動發(fā)光二極管ER、EG、EB的像素驅(qū)動電路100a。像素驅(qū)動電路100a具有開關(guān)晶體管M1a、電容器Csta、和驅(qū)動晶體管M2a。開關(guān)晶體管M1a具有結(jié)合到掃描線S的柵和結(jié)合到數(shù)據(jù)線DR、DG、DB的源，從而基于施加到掃描線S的掃描信號來開關(guān)施加到數(shù)據(jù)線DR、DG、DB的數(shù)據(jù)信號。電容器Csta結(jié)合在開關(guān)晶體管M1a的漏和電源線ELVDD之間以將數(shù)據(jù)信號存儲預(yù)定長度時間。驅(qū)動晶體管M2a具有結(jié)合到電容器Csta的柵、結(jié)合到電源線ELVDD的源、和結(jié)合到每個發(fā)光二極管ER、EG、EB的漏，從而將相應(yīng)于數(shù)據(jù)信號的電流供應(yīng)到每個發(fā)光二極管ER、EG、EB。每個發(fā)光二極管ER、EG、EB相應(yīng)于所供應(yīng)的電流發(fā)光。
圖3是根據(jù)本發(fā)明第一實施例的OLED的像素陣列200a的平面圖，其中相同的標(biāo)號表示和圖2中相同的元件。信號線包括排列在襯底上的掃描線S，數(shù)據(jù)線DR、DG、DB，和電源線ELVDD。每個掃描線S沿第一方向延伸。數(shù)據(jù)線DR、DG、DB包括紅數(shù)據(jù)線DR、綠數(shù)據(jù)線DG、和藍(lán)數(shù)據(jù)線DB。每個數(shù)據(jù)線DR、DG、DB沿與第一方向交叉的第二方向延伸。當(dāng)掃描線S和數(shù)據(jù)線DR、DG、DB沿相交叉的方向延伸時，它們是彼此絕緣的。電源線ELVDD當(dāng)與掃描線S交叉時也是絕緣的。電源線ELVDD的排列方向與數(shù)據(jù)線DR、DG、DB的排列方向相同。
像素驅(qū)動電路區(qū)域CR、CG、CB由信號線限定，具體地講，像素驅(qū)動電路區(qū)域CR、CG、CB由彼此交叉的掃描線S和數(shù)據(jù)線DR、DG、DB限定。在這個實施例中，像素驅(qū)動電路區(qū)域CR、CG、CB指設(shè)置用于控制施加到發(fā)光二極管ER、EG、EB的信號的像素驅(qū)動電路100a的區(qū)域。因而，像素驅(qū)動電路區(qū)域CR、CG、CB是放置圖2中示出的像素驅(qū)動電路100a的所有元件的區(qū)域。發(fā)光二極管ER、EG、EB沒有位于像素驅(qū)動電路區(qū)域上。
在像素驅(qū)動電路區(qū)域CR、CG、CB中，具有相同顏色的區(qū)域沿列方向相鄰地排列。例如，紅像素驅(qū)動電路區(qū)域CR沿相同的列擺放。換言之，像素驅(qū)動電路區(qū)域CR、CG、CB具有帶狀排列。因而，順次結(jié)合到相應(yīng)顏色的像素的數(shù)據(jù)線DR、DG、DB也可沿直線排列。這與圖1的z字線形成了對比。在圖3所示的構(gòu)造中，縮短了每個數(shù)據(jù)線DR、DG、DB的長度，減小了數(shù)據(jù)線電阻，從而防止施加到每個數(shù)據(jù)線DR、DG、DB的數(shù)據(jù)信號被延遲。電源線ELVDD也可沿直線排列。從而，也減小了電源線ELVDD的線電阻并防止供應(yīng)到電源線ELVDD的電壓的降低。因此，改善了畫面質(zhì)量。此外，減小了被數(shù)據(jù)線DR、DG、DB和電源線ELVDD占據(jù)的區(qū)域，因而提高了孔徑比。
紅、綠、藍(lán)像素驅(qū)動電路100a分別位于紅、綠、藍(lán)像素驅(qū)動電路區(qū)域CR，CG，CB上。每個像素驅(qū)動電路100a包括開關(guān)晶體管M1a、電容器Csta、和驅(qū)動晶體管M2a。紅、綠、藍(lán)像素驅(qū)動電路100a分別結(jié)合到紅、綠、藍(lán)像素電極140R、140G、140B。更詳細(xì)地講，驅(qū)動晶體管M2a的漏極130a結(jié)合到每個像素電極140R、140G、140B。在每個像素電極140R、140G、140B中的開口定義為發(fā)光區(qū)，其中，開口指圖4B中的145a。有機(jī)發(fā)射層和相對電極被順次位于每個像素電極140R、140G、140B的開口上方。像素電極140R、140G、140B，有機(jī)發(fā)射層，和相對電極組成發(fā)光二極管ER、EG、EB。
像素電極140R、140G、140B的排列與像素驅(qū)動電路區(qū)域CR、CG、CB的排列不同。每個像素電極140R、140G、140B沿行和列方向鄰近于不同顏色的像素電極排列。例如，紅像素電極140R沿行和列方向鄰近于綠像素電極140G和藍(lán)像素電極140B排列，而不鄰近于另一紅像素電極140R排列。為了說明的目的，如果我們假設(shè)圖3中的中間行是奇數(shù)行，那么在奇數(shù)行中的像素電極140R、140G、140B位于像素驅(qū)動電路區(qū)域CR、CG、CB的右邊，在偶數(shù)行中的像素電極140R、140G、140B位于像素驅(qū)動電路區(qū)域CR、CG、CB的左邊。這導(dǎo)致圖3中的像素電極140R、140G、140B的“Δ”狀排列?！唉ぁ睜钆帕懈纳屏巳幕旌弦垣@得不同的色彩，提升了畫面質(zhì)量。因此，當(dāng)信號線沿直線延伸時，像素電極140R、140G、140B可以以“Δ”狀排列擺放，“Δ”狀排列實現(xiàn)有效的顏色混合。像素驅(qū)動電路區(qū)域CR，CG，CB沿行方向的長度與一節(jié)距相對應(yīng)。在一個實施例中，考慮到顏色混合，像素電極140R、140G、140B以0.5節(jié)距到1.5節(jié)距位于像素驅(qū)動電路區(qū)域CR、CG、CB的左邊或右邊。優(yōu)選0.75節(jié)距。像素電極140R、140G、140B與信號線至少疊置一部分。
如上所述，具有相同顏色的像素驅(qū)動電路區(qū)域CR、CG、CB沿列方向相鄰地設(shè)置，同時像素電極140R、140G、140B沿行方向和列方向鄰近于不同顏色的像素電極設(shè)置，從而沒有信號延遲地實現(xiàn)三原色的顏色混合以獲得不同的色彩，因而改善了畫面質(zhì)量。
圖4A和圖4B是根據(jù)本發(fā)明第一實施例的OLED沿圖3中的線I-I’截取的剖面圖。
圖4A示出具有紅像素驅(qū)動電路區(qū)域CR、綠像素驅(qū)動電路區(qū)域CG、藍(lán)像素驅(qū)動電路區(qū)域CB的襯底100。襯底100可以是透明的襯底或者不透明的襯底。此外，襯底100可以是玻璃襯底、塑料襯底、石英襯底、硅襯底、或金屬襯底?？稍谝r底100上形成緩沖層105。緩沖層105可包括硅氧化物層、硅氮化物層、硅氧氮化物層、或上述材料的多層化合物。
半導(dǎo)體層110形成在緩沖層105上。半導(dǎo)體層110可包括非晶硅層或從非晶硅層結(jié)晶的多晶硅層。在一個實施例中，半導(dǎo)體層110包括具有高遷移率的多晶硅層。柵絕緣層115形成在半導(dǎo)體層110上。柵絕緣層115包括硅氧化物層、硅氮化物層、硅氧氮化物層、或上述材料的多層化合物。
柵電極120形成在柵絕緣層115上，并且形成柵電極120的區(qū)域正是半導(dǎo)體層110位于柵絕緣層115下面的區(qū)域。在形成柵電極120的同時，也可形成掃描線S(參見圖3)。然后，通過利用柵電極120作為掩膜將導(dǎo)電雜質(zhì)注入半導(dǎo)體層110來形成源區(qū)110c和漏區(qū)110a。溝道區(qū)110b限定在源區(qū)110c和漏區(qū)110a之間。第一內(nèi)絕緣層125形成在柵電極120和半導(dǎo)體層110上。另外，穿過第一內(nèi)絕緣層125形成接觸孔以露出源區(qū)110c和漏區(qū)110a。導(dǎo)電層被沉積在具有接觸孔的襯底上，然后構(gòu)圖以形成源電極130c、漏電極130a、數(shù)據(jù)線DR、DG、DB，和電源線ELVDD。源電極130c和漏電極130a分別與露出的源區(qū)110c和漏區(qū)110a接觸。因此，通過半導(dǎo)體層110、柵電極120、源電極130c和漏電極130a形成了驅(qū)動晶體管M2a(參見圖3)。
第二內(nèi)絕緣層133、135形成在具有源電極130c、漏電極130a的襯底上。第二內(nèi)絕緣層133、135可以是鈍化層133、平坦化層135、或平坦化層135沉積在鈍化層133上的雙層。鈍化層133可由硅氧化物層、硅氮化物層、硅氧氮化物層、或包括上述化合物的組合的多層形成。在一個實施例中，鈍化層133包括硅氮化物層，該硅氮化物層能夠有效地保護(hù)下面的薄膜晶體管不受氣體和潮濕的侵損，并含有大量的氫，氫用來鈍化多晶硅層的晶粒邊界處的不完全的鍵。平坦化層135是諸如苯并環(huán)丁烯(benzocyclobutene)(BCB)層、聚酰亞胺層、聚丙烯酸層的有機(jī)層，其用于為下面的表面提供光滑的覆蓋物。穿過第二內(nèi)絕緣層133、135形成通孔135a以露出漏電極130a。
參見圖4B，像素電極140R、140G、140B每個具有一個通孔135a地形成在襯底上。在示出的實施例中，像素電極140R、140G、140B形成在第二內(nèi)絕緣層133、135上。像素電極140R、140G、140B結(jié)合到通過通孔135a露出的漏電極130a。
如上所述，像素電極140R、140G、140B的排列與像素驅(qū)動電路區(qū)域CR、CG、CB的排列不同。更詳細(xì)地說，像素電極140R、140G、140B排列在像素驅(qū)動電路區(qū)域CR、CG、CB的左邊。像素電極140R、140G、140B結(jié)合到像素驅(qū)動電路區(qū)域CR、CG、CB的漏電極130a。每個像素電極140R、140G、140B形成在至少一些信號線，例如數(shù)據(jù)線DR、DG、DB，和電源線ELVDD，之上。在一個實施例中，形成于像素電極140R、140G、140B和數(shù)據(jù)線DR、DG、DB之間的第二內(nèi)絕緣層133、135的厚度T1或者形成于像素電極140R、140G、140B和電源線ELVDD之間的第二內(nèi)絕緣層133、135的厚度T2可以是5000?；蚋?。由于具有相對大的隔離，故可使像素電極140R、140G、140B與數(shù)據(jù)線DR、DG、DB之間的寄生電容和像素電極140R、140G、140B與電源線ELVDD之間的寄生電容最小化。優(yōu)選地，考慮到通孔135a的深寬比，這些厚度T1、T2，即第二內(nèi)絕緣層133、135的厚度可以為5000到3μm(30,000)。
像素電極140R、140G、140B由反射導(dǎo)電層制成，反射導(dǎo)電層可包括具有高功函數(shù)的Ag、Al、Ni、Pt、Pd，或這些元素的合金。在這種情況下，像素電極140R、140G、140B用作陽極。此外，反射導(dǎo)電層可包括具有低功函數(shù)的Mg、Ca、Al、Ag、Ba或這些元素的合金。在這種情況下，像素電極140R、140G、140B用作陰極。
另一方面，反射層圖案139可在形成像素電極140R、140G、140B之前另外形成在像素電極140R、140G、140B的下面。在這種情況下，像素電極140R、140G、140B必須由透明導(dǎo)電層制成。透明導(dǎo)電層包括氧化銦錫(ITO)層或氧化銦鋅(IZO)層。在一個實施例中，反射層圖案139可具有60％或更大的反射率。此外，反射層圖案139包括Al、鋁合金、Ag、銀合金、或含有這些金屬和合金的任一組合物的合金。反射層圖案139可和通孔135a分隔開。
像素限定層145形成在像素電極140R、140G、140B上。像素限定層145可由苯并環(huán)丁烯(benzocyclobutene)(BCB)、以丙烯酸為基礎(chǔ)的光阻材料(acrylic-based photoresist)、以苯酚為基礎(chǔ)的光阻材料(phenolic-basedphotoresist)、或以酰亞胺為基礎(chǔ)的光阻材料(imide-based photoresist)形成。開口145a形成在像素限定層145中以至少露出一部分像素電極140R、140G、140B。
發(fā)紅光層150R、發(fā)綠光層150G、發(fā)藍(lán)光層150B形成在通過開口145a露出的紅、綠、藍(lán)像素電極140R、140G、140B上。可通過真空沉積法、噴墨印刷法、和激光誘導(dǎo)熱成像法來形成每個發(fā)光層。另外，空穴注入層、空穴傳輸層、空穴阻擋層、電子傳輸層、或電子注入層(未示出)可形成在發(fā)光層150R、150G、150B的上或下。然后，相對電極160形成在發(fā)光層150R、150G、150B上。相對電極160可形成在整個襯底上。相對電極160可由透明導(dǎo)電層形成。透明導(dǎo)電層可以是ITO層或IZO層，或者可包括從Mg、Ca、Al、Ag、Ba這一組元素選出的元素或這些元素的任一合金，這種元素或合金層足夠薄，以使光透射。
像素電極140R、140G、140B，發(fā)光層150R、150G、150B，和相對電極160分別形成發(fā)光二極管ER、EG、EB。發(fā)光二極管ER、EG、EB的發(fā)光區(qū)ERR、ERG、ERB由開口145a限定。
當(dāng)驅(qū)動發(fā)光二極管ER、EG、EB工作時，空穴和電子被從像素電極和相對電極注入到發(fā)光層150R、150G、150B中。然后，注入到發(fā)光層150R、150G、150B中的電子和空穴在發(fā)光層150R、150G、150B中復(fù)合，從而產(chǎn)生激子。當(dāng)激子從激發(fā)態(tài)躍遷到基態(tài)時，發(fā)射光。從發(fā)光層150R、150G、150B發(fā)射的光由像素電極140R、140G、140B反射(在這種情況下，像素電極140R、140G、140B由反射導(dǎo)電層制成)，或者由像素電極140R、140G、140B下面的反射層圖案139反射(在這種情況下，像素電極140R、140G、140B由透明導(dǎo)電層制成)，然后通過由透明導(dǎo)電層制成的相對電極160發(fā)射到外部。
圖5是在根據(jù)本發(fā)明第二實施例的OLED中的像素驅(qū)動電路100b的電路圖。第(n-1)掃描線S(n-1)、第(n)掃描線S(n)、數(shù)據(jù)線D、電源線ELVDD、和預(yù)充電線Vint結(jié)合到像素驅(qū)動電路100b。像素P由相交叉的數(shù)據(jù)線D和掃描線S(n)限定。像素P包括發(fā)光二極管E和用于驅(qū)動發(fā)光二極管E的像素驅(qū)動電路100b，其中發(fā)光二極管E可以是紅、綠、藍(lán)發(fā)光二極管ER、EG、EB中的任一個。取決于發(fā)光二極管ER、EG、EB和數(shù)據(jù)線D，像素P可以是紅、綠、或藍(lán)像素PR、PG、PB，其中數(shù)據(jù)線D可以是紅、綠、或藍(lán)數(shù)據(jù)線DR、DG、DB。像素驅(qū)動電路由第一到第四晶體管M1b、M2b、M3b、M4b和電容器Cstb組成。
第一晶體管M1b包括結(jié)合到掃描線S(n)的柵和結(jié)合到數(shù)據(jù)線D的源。第三晶體管M3b包括結(jié)合到第一晶體管M1b的漏的源和彼此相結(jié)合的柵和漏。第四晶體管M4b包括結(jié)合到第(n-1)掃描線S(n-1)的柵、結(jié)合到第三晶體管M3b的漏的源、和結(jié)合到預(yù)充電線Vint的漏。第二晶體管M2b包括結(jié)合到第三晶體管M3b的柵的柵、結(jié)合到電源線ELVDD的源、和結(jié)合到發(fā)光二極管E的漏。電容器Cstb結(jié)合在第三晶體管M3b的柵和電源線ELVDD之間?？梢允羌t、綠、藍(lán)發(fā)光二極管ER、EG、EB中的任一個的發(fā)光二極管E包括像素電極、相對電極、和置于像素電極與相對電極之間的發(fā)光層。發(fā)光二極管E的像素電極、相對電極、和發(fā)光層與用于第一實施例100a的發(fā)光二極管ER、EG、EB的在圖4B中示出的像素電極140R、140G、140B，相對電極160，和發(fā)光層150R、150G、150B相似。
具有上述根據(jù)本發(fā)明第二實施例的像素驅(qū)動電路100b的OLED的像素布局與圖3中為第一實施例100a所示的像素布局相似。但是，在第二實施例的像素驅(qū)動電路100b中，在行或列方向上增加了預(yù)充電線Vint，并且也增加了第三晶體管M3b和第四晶體管M4b。第二實施例100b的第一到第四晶體管M1b、M2b、M3b、M4b和電容器Cstb位于像素驅(qū)動電路區(qū)域中，該像素驅(qū)動電路區(qū)域與圖3中示出的第一實施例的像素驅(qū)動電路區(qū)域CR、CG、CB相似。像素電極(與第一實施例的像素電極140R、140G、140B相似)可與預(yù)充電線Vint疊置。
圖6是在根據(jù)本發(fā)明第三實施例的OLED中的像素驅(qū)動電路100c的電路圖。包括掃描線S(n)、數(shù)據(jù)線D、電源線ELVDD、和發(fā)光控制線EM(n)的信號線結(jié)合到像素驅(qū)動電路100c。數(shù)據(jù)線D和掃描線S(n)彼此交叉，限定像素P。像素P包括可以是紅、綠、藍(lán)發(fā)光二極管ER、EG、EB中的任一個的發(fā)光二極管E和用于驅(qū)動發(fā)光二極管E的像素驅(qū)動電路100c。像素驅(qū)動電路100c包括第一到第三晶體管M1c、M2c、M3c和電容器Cstc。
第一晶體管M1c包括結(jié)合到掃描線S的柵和結(jié)合到數(shù)據(jù)線D的源。第二晶體管M2c包括結(jié)合到第一晶體管M1c的漏的柵和結(jié)合到電源線ELVDD的源。電容器Cstc結(jié)合在第二晶體管M2c的柵和電源線ELVDD之間。第三晶體管M3c包括結(jié)合到發(fā)光控制線EM(n)的柵、結(jié)合到第二晶體管M2c的漏的源、和結(jié)合到發(fā)光二極管E的漏。發(fā)光二極管E包括像素電極、相對電極、和置于像素電極與相對電極之間的發(fā)光層。發(fā)光二極管E的像素電極、相對電極、和發(fā)光層與用于第一實施例100a的發(fā)光二極管ER、EG、EB的在圖4B中示出的像素電極140R、140G、140B，相對電極160，和發(fā)光層150R、150G、150B相似。
除了在行或列方向上加入發(fā)光控制線EM(n)，具有上述根據(jù)本發(fā)明第三實施例的像素驅(qū)動電路100c的OLED的像素布局與圖3中示出的像素布局相同，第一到第三晶體管M1c、M2c、M3c和電容器Cstc位于像素驅(qū)動電路區(qū)域(與圖3中示出的第一實施例的像素驅(qū)動電路區(qū)域CR、CG、CB相似)中。像素電極(與第一實施例的像素電極140R、140G、140B相似)可與發(fā)光控制線EM(n)疊置。
在該說明書中，LED的實施例是通過舉例的方式來描述的。本發(fā)明也可應(yīng)用于LCD，特別是利用外部光的反射型LCD。
如上所述，具有相同顏色的像素驅(qū)動電路區(qū)域CR、CG、CB沿列方向相鄰地排列，并且每個像素電極140R、140G、140B沿行方向和列方向鄰近于具有不同顏色的像素電極140R、140G、140B排列，這種排列沒有信號延遲地或沒有電壓下降地實現(xiàn)三原色的顏色混合以獲得不同的色彩，并實現(xiàn)優(yōu)良的畫面質(zhì)量。
雖然已參照某些示例性實施例描述了本發(fā)明，但是本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)該理解，在不脫離由權(quán)利要求及其等同物所限定的本發(fā)明的精神或范圍的情況下，可對本發(fā)明作出各種修改和變化。
權(quán)利要求
1.一種平板顯示器，包括襯底；信號線，排列在所述襯底上；像素驅(qū)動電路，位于由所述信號線的交叉而限定的像素驅(qū)動電路區(qū)域中；和像素電極，結(jié)合到每個像素驅(qū)動電路并至少與所述信號線之一疊置。
2.如權(quán)利要求1所述的平板顯示器，其中，所述像素電極按第一排列圖案排列，所述像素驅(qū)動電路按第二排列圖案排列，所述第一排列圖案與所述第二排列圖案不同。
3.如權(quán)利要求1所述的平板顯示器，其中，對應(yīng)于相同顏色的像素驅(qū)動電路區(qū)域沿列方向相鄰地排列。
4.如權(quán)利要求3所述的平板顯示器，其中，所述像素電極按第一排列圖案排列，所述像素驅(qū)動電路按第二排列圖案排列，所述第一排列圖案與所述第二排列圖案不同。
5.如權(quán)利要求4所述的平板顯示器，其中，一種顏色的像素電極沿行和列方向鄰近于不同顏色的像素電極。
6.如權(quán)利要求5所述的平板顯示器，其中，所述像素電極按“△”狀排列。
7.如權(quán)利要求1所述的平板顯示器，其中，所述信號線包括掃描線和與所述掃描線相交叉的數(shù)據(jù)線，所述掃描線和所述數(shù)據(jù)線沿直線延伸。
8.如權(quán)利要求7所述的平板顯示器，其中，所述信號線還包括與所述掃描線相交叉并沿直線延伸的電源線。
9.如權(quán)利要求1所述的平板顯示器，還包括位于至少所述信號線之一和所述像素電極之間的絕緣層，所述絕緣層具有5000?；蚋蟮暮穸?。
10.如權(quán)利要求9所述的平板顯示器，其中，位于至少所述信號線之一和所述像素電極之間的所述絕緣層具有3μm或更小的厚度。
11.如權(quán)利要求1所述的平板顯示器，其中，所述平板顯示器是有機(jī)發(fā)光顯示器。
12.如權(quán)利要求1所述的平板顯示器，其中，所述像素電極由反射導(dǎo)電層形成。
13.如權(quán)利要求1所述的平板顯示器，其中，所述像素電極由透明導(dǎo)電層形成，并且所述平板顯示器還包括形成于所述透明導(dǎo)電層下面的反射層圖案。
14.一種平板顯示器，包括襯底；信號線，排列在所述襯底上；像素驅(qū)動電路區(qū)域，由所述信號線的交叉來限定；像素驅(qū)動電路，位于所述像素驅(qū)動電路區(qū)域中；和像素電極，結(jié)合到所述像素驅(qū)動電路，其中，所述像素電極按第一排列圖案排列，所述像素驅(qū)動電路按第二排列圖案排列，所述第一排列圖案與所述第二排列圖案不同。
15.如權(quán)利要求14所述的平板顯示器，其中，對應(yīng)于相同顏色的像素驅(qū)動電路區(qū)域沿列方向相鄰地排列。
16.如權(quán)利要求14所述的平板顯示器，其中，所述像素電極沿行和列方向鄰近于不同顏色的像素電極。
17.如權(quán)利要求16所述的平板顯示器，其中，所述像素電極按“△”狀排列。
18.如權(quán)利要求14所述的平板顯示器，其中，所述信號線包括掃描線和與所述掃描線相交叉的數(shù)據(jù)線，所述掃描線和所述數(shù)據(jù)線沿直線延伸。
19.如權(quán)利要求18所述的平板顯示器，其中，所述信號線還包括與所述掃描線相交叉并沿直線延伸的電源線。
20.如權(quán)利要求14所述的平板顯示器，其中，所述平板顯示器是有機(jī)發(fā)光顯示器。
21.如權(quán)利要求14所述的平板顯示器，其中，所述像素電極由反射導(dǎo)電層形成。
22.如權(quán)利要求14所述的平板顯示器，其中，所述像素電極由透明導(dǎo)電層形成，并且所述平板顯示器還包括形成于所述透明導(dǎo)電層下面的反射層圖案。
23.一種平板顯示器，包括襯底；信號線，排列在所述襯底上，所述信號線包括掃描線和與所述掃描線相交叉的數(shù)據(jù)線，所述掃描線和所述數(shù)據(jù)線沿直線延伸；像素驅(qū)動電路區(qū)域，由所述掃描線和所述數(shù)據(jù)線的交叉來限定；像素驅(qū)動電路，位于所述像素驅(qū)動電路區(qū)域中；和像素電極，結(jié)合到所述像素驅(qū)動電路，所述像素電極沿行和列的方向鄰近于不同顏色的像素電極。
24.如權(quán)利要求23所述的平板顯示器，其中，所述信號線包括與所述掃描線相交叉并沿直線延伸的電源線。
25.如權(quán)利要求23所述的平板顯示器，其中，相同顏色的像素驅(qū)動電路區(qū)域沿列方向相鄰地排列。
26.如權(quán)利要求23所述的平板顯示器，其中，所述像素電極按“△”狀排列。
27.如權(quán)利要求23所述的平板顯示器，其中，所述平板顯示器是有機(jī)發(fā)光顯示器。
28.如權(quán)利要求23所述的平板顯示器，其中，所述像素電極由反射導(dǎo)電層形成。
29.如權(quán)利要求23所述的平板顯示器，其中，所述像素電極由透明導(dǎo)電層形成，并且所述平板顯示器還包括形成于所述透明導(dǎo)電層下面的反射層圖案。
30.一種平板顯示器，包括襯底；信號線，排列在所述襯底上，所述信號線包括掃描線和與所述掃描線相交叉的數(shù)據(jù)線，所述掃描線和所述數(shù)據(jù)線沿直線延伸；紅、綠、藍(lán)像素驅(qū)動電路區(qū)域，由所述掃描線和所述數(shù)據(jù)線的交叉來限定，在所述像素驅(qū)動電路區(qū)域中相同顏色的像素驅(qū)動電路區(qū)域沿列方向相鄰地排列；紅、綠、藍(lán)像素驅(qū)動電路，分別位于所述紅、綠、藍(lán)像素驅(qū)動電路區(qū)域中；和紅、綠、藍(lán)像素電極，分別結(jié)合到所述紅、綠、藍(lán)像素驅(qū)動電路，所述紅、綠、藍(lán)像素電極沿行和列的方向鄰近于不同顏色的像素電極。
31.如權(quán)利要求30所述的平板顯示器，其中，所述像素電極按“△”狀排列。
32.如權(quán)利要求30所述的平板顯示器，其中，所述平板顯示器是有機(jī)發(fā)光顯示器。
33.如權(quán)利要求30所述的平板顯示器，其中，所述像素電極由反射導(dǎo)電層形成。
34.如權(quán)利要求30所述的平板顯示器，其中，所述像素電極由透明導(dǎo)電層形成，并且所述平板顯示器還包括形成于所述透明導(dǎo)電層下面的反射層圖案。
全文摘要
本發(fā)明提供了一種平板顯示器，這種平板顯示器具有優(yōu)良的對三原色的顏色混合以獲得不同的色彩，并且只有很少的信號延遲。該顯示器包括信號線，信號線包括掃描線和與掃描線相交叉的數(shù)據(jù)線，掃描線和數(shù)據(jù)線都沿直線延伸。紅、綠、藍(lán)像素驅(qū)動電路區(qū)域由掃描線和數(shù)據(jù)線的交叉來限定。具有相同顏色的像素驅(qū)動電路區(qū)域沿列方向相鄰地排列。紅、綠、藍(lán)像素驅(qū)動電路位于像素驅(qū)動電路區(qū)域中并且結(jié)合到紅、綠、藍(lán)像素電極。像素電極沿行和列的方向鄰近于不同顏色的像素電極。
文檔編號G09G3/20GK1773591SQ20051011560
公開日2006年5月17日 申請日期2005年11月7日 優(yōu)先權(quán)日2004年11月8日
發(fā)明者徐美淑, 姜泰旭, 李乙浩 申請人:三星Sdi株式會社