專利名稱：等離子顯示裝置及其驅(qū)動方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種等離子顯示裝置及其驅(qū)動方法。
背景技術(shù)：
通常，等離子顯示裝置通過用紫外線使熒光體發(fā)光而顯示圖像，該紫外線是在混合的惰性氣體例如He+Xe、Ne+Xe或者He+Ne+Xe放電期間產(chǎn)生的。這種等離子顯示裝置能夠制造得薄而且具有大的屏幕尺寸。隨著近來技術(shù)的發(fā)展，該等離子顯示裝置的畫面質(zhì)量已經(jīng)提高。
為了實現(xiàn)圖像的灰度等級，將等離子顯示裝置進(jìn)行時分，即把一幀劃分為具有不同數(shù)量(number)的發(fā)射的幾個子場(sub-field)。這些子場中每個都分為用于初始化整個屏幕的復(fù)位周期、用于選擇掃描線和從選擇的掃描線中選擇放電單元的尋址周期和用于根據(jù)放電的數(shù)量實現(xiàn)灰度等級的維持周期。
例如，要顯示具有256灰度等級的圖像，將對應(yīng)著1/60秒的幀周期(16.67ms)分為8個子場(SF1到SF8)，如圖1所示。這8個子場(SF1到SF8)每一個分為初始化周期、尋址周期和維持周期。這些子場每個的初始化周期和尋址周期對于每個子場都是相同的。維持周期和其中分配的維持脈沖的數(shù)量在每個子場中按照2n(n＝0，1，2，3，4，5，6，7)的比率增加。
圖2示意性地示出了相關(guān)技術(shù)中三電極AC表面放電型等離子顯示面板(以下，稱之為”P(DP)”)的電極布置情況。
參照圖2，常規(guī)的三電極AC表面放電型P(DP)包括形成于上基板上的掃描電極Y1到Y(jié)n和維持電極Z和形成于下基板上與掃描電極Y1到Y(jié)n及維持電極Z交叉的尋址電極X1到Xm。
在矩陣形式的掃描電極Y1到Y(jié)n、維持電極Z和尋址電極X1到Xm的交叉處布置用于顯示紅色、綠色或者藍(lán)色可見光之一的放電單元1。
在其中形成有掃描電極Y1到Y(jié)n和維持電極Z的上基板上形成絕緣層(未示出)和MgO保護(hù)層(未示出)。
在其中形成有尋址電極X1到Xm的下基板上形成用于防止相鄰放電單元1之間光和電干擾的隔條。在下基板和隔條的表面形成在紫外線激發(fā)下發(fā)出可見光的熒光體。
在P(DP)的上基板和下基板之間隔開的放電空間中注入惰性混合氣體例如He+Xe、Ne+Xe或者He+Xe+N。
圖3示出在如圖2所示的P(DP)上所施加的驅(qū)動波形。圖3中的驅(qū)動波形將參照圖4a到4e中的壁電荷(wall charge)分布進(jìn)行描述。
參照圖3，每個子場(SFn-1，SFn)包括用于初始化整個屏幕的放電單元1的復(fù)位周期(RP)、用于選擇放電單元的尋址周期(AP)、用于保持所選擇的放電單元1的維持周期、和用于擦除(erase)放電單元1內(nèi)的壁電荷的擦除周期(EP)。
在第(n-1)個子場(SFn-1)的擦除周期(EP)內(nèi)，對維持電極Z施加擦除傾斜波形(ERR)。在擦除周期(EP)期間，在掃描電極Y和尋址電極X上施加0V。該擦除傾斜波形(ERR)是正的傾斜波形，其電壓從0V逐漸上升到正維持電壓(Vs)。在掃描電極Y和維持電極Z之間，在因擦除傾斜波形(ERR)而產(chǎn)生維持放電的導(dǎo)通單元(on-cell)內(nèi)產(chǎn)生擦除放電。導(dǎo)通單元內(nèi)的壁電荷通過擦除放電而擦除。結(jié)果，每個放電單元1在擦除周期(EP)之后即具有如圖4a所示的壁電荷分布。
在第n個子場開始的復(fù)位周期(RP)的建立(set-up)周期(SU)內(nèi)，對所有的掃描電極Y施加正傾斜波形(PR)，并且對維持電極Z和尋址電極X施加0V。掃描電極Y上的電壓逐漸從正維持電壓(Vs)通過建立周期(UP)的正傾斜波形(PR)上升到比正的維持電壓(Vs)更高的復(fù)位電壓(Vr)。在掃描電極Y和尋址電極X之間，以及在掃描電極Y和維持電極Z之間，利用正傾斜波形(PR)，在整個屏幕的放電單元內(nèi)產(chǎn)生無光放電(dark discharge)。
作為無光放電的結(jié)果，直接在建立周期(SU)之后，在尋址電極X和維持電極Z上保持著正壁電荷，并且在掃描電極Y上保持著負(fù)壁電荷，如圖4b所示。在建立周期(SU)內(nèi)產(chǎn)生無光放電的同時，掃描電極Y和維持電極Z之間的間隙(gap)電壓(Vg)和在掃描電極Y和尋址電極X之間的間隙電壓被初始化到一個與能夠產(chǎn)生放電的開啟(firing)電壓接近的電壓。
在復(fù)位周期(RP)的建立周期(SU)之后的撤消(set-down)周期(SD)內(nèi)，在掃描電極Y上施加負(fù)傾斜波形(NR)。同時，在維持電極Z上施加正維持電壓(Vs)，并且在尋址電極X上施加0V。掃描電極Y上的電壓逐漸從正維持電壓(Vs)通過負(fù)傾斜波形(NR)下降到負(fù)擦除電壓(Ve)。
在掃描電極Y和維持電極Z之間以及在掃描電極Y和尋址電極X之間的整個屏幕的放電單元內(nèi)通過負(fù)傾斜波形(NR)產(chǎn)生無光放電。作為撤消周期(SD)的無光放電的結(jié)果，每個放電單元1內(nèi)的壁電荷分布被改變到最佳尋址狀態(tài)(adress condition)，如圖4c所示。除了所需要的壁電荷的預(yù)定量外，在每個放電單元1內(nèi)，對于尋址放電所不必要的過量壁電荷就從掃描電極Y和尋址電極X上擦除掉。
當(dāng)負(fù)壁電荷從掃描電極Y上移動且在維持電極Z上積累的時候，維持電極Z上的壁電荷的極性從正極性反轉(zhuǎn)到負(fù)極性。當(dāng)在復(fù)位周期(RP)的撤消周期(SD)內(nèi)產(chǎn)生無光放電的同時，掃描電極Y和維持電極Z之間的間隙電壓以及掃描電極Y和尋址電極X之間的間隙電壓變得與開啟電壓(Vf)接近。
在尋址周期(AP)內(nèi)，當(dāng)隨后在掃描電極Y上施加負(fù)掃描脈沖(-SCNP)的時候，在尋址電極X上施加與該掃描脈沖(-SCNP)同步的正數(shù)據(jù)脈沖(DP)。該掃描脈沖(-SCNP)的電壓是一個從0V或者約為0V的負(fù)掃描偏置電壓(Vyb)下降到負(fù)掃描電壓(-Vy)的掃描電壓(Vsc)。數(shù)據(jù)脈沖(DP)的電壓是一個正數(shù)據(jù)電壓(Va)。在尋址周期(AP)期間，在維持電極Z上施加低于正維持電壓(Vs)的正Z偏置電壓(Vzb)。
在復(fù)位周期(RP)后立即將間隙電壓調(diào)整到一個大約為開啟電壓(Vf)的電壓的狀態(tài)下，在掃描電極Y和尋址電極X之間產(chǎn)生尋址放電，同時在施加有掃描電壓(Vsc)和數(shù)據(jù)電壓(Va)的導(dǎo)通單元內(nèi)，電極Y和X之間的間隙電壓超過開啟電壓(Vf)。掃描電極Y和尋址電極X之間的第一尋址放電在放電單元內(nèi)產(chǎn)生起爆(priming)帶電微粒，因而在掃描電極Y和維持電極Z之間感應(yīng)第二放電，如圖4d所示。在其中產(chǎn)生了尋址放電的導(dǎo)通單元內(nèi)的壁電荷分布如圖4e所示。
在其中沒有產(chǎn)生尋址放電的截止單元(off-cell)內(nèi)的壁電荷分布基本上保持圖4c所示的狀態(tài)。
在維持周期(SP)內(nèi)，將正維持電壓(Vs)的維持脈沖(SUSP)交替地施加到掃描電極Y和維持電極Z上。在由每個維持脈沖(SUSP)尋址放電選擇的導(dǎo)通單元內(nèi)，由于圖4e的壁電荷分布，在掃描電極Y和維持電極Z之間產(chǎn)生維持放電。然而，在維持周期期間，在截止單元內(nèi)不會產(chǎn)生放電。這是因為，當(dāng)把第一正維持電壓(Vs)施加到掃描電極Y上的時候，由于截止單元的壁電荷分布保持在圖4c所示的狀態(tài)中，掃描電極Y和維持電極Z之間的間隙電壓不能超過開啟電壓(Vf)。
然而，在常規(guī)的等離子顯示裝置中，產(chǎn)生若干放電，以通過第(n-1)個子場(SFn-1)的擦除周期(EP)和第n個子場(SFn)的復(fù)位周期(RP)控制放電單元1的初始化和壁電荷。因此，因為暗室對比度值下降以及因而對比率下降而出現(xiàn)問題。下面的表1列出放電的類型和次數(shù)(number)，它們產(chǎn)生于常規(guī)等離子顯示裝置的前一子場(SFn-1)的擦除周期(EP)和復(fù)位周期(RP)內(nèi)。
表1 如表1所示，在擦除周期(EP)和復(fù)位周期(RP)期間的同時，在第n-1子場(SFn-1)內(nèi)導(dǎo)通的導(dǎo)通單元在掃描電極Y和維持電極Z之間產(chǎn)生三次表面放電以及在掃描電極Y和尋址電極X之間產(chǎn)生兩次對向放電。在擦除周期(EP)和復(fù)位周期(RP)期間，在前一子場(SFn-1)內(nèi)截止的截止單元在掃描電極Y和維持電極Z之間產(chǎn)生兩次表面放電以及在掃描電極Y和尋址電極X之間產(chǎn)生兩次對向放電。
在擦除周期和復(fù)位周期內(nèi)產(chǎn)生的多次放電增加了在擦除周期和復(fù)位周期內(nèi)的光發(fā)射的量，即使應(yīng)該使發(fā)光量最小以保持合適的對比度，由此引起暗室反差值的降低。更具體地，由于在掃描電極Y和維持電極Z之間的表面放電中的發(fā)光量多于掃描電極Y和尋址電極X之間的對向放電的發(fā)光量，因此表面放電中的光量對于暗室對比度有實質(zhì)性不利的影響。
在常規(guī)的等離子顯示裝置中，壁電荷在第(n-1)個子場(SFn-1)的擦除周期(EP)內(nèi)不會平滑地擦除。因此，如果負(fù)壁電荷在掃描電極Y上積累過量，那么在第n個子場(SFn)的建立周期(SU)內(nèi)不產(chǎn)生無光放電。如果如上所述在建立周期內(nèi)不產(chǎn)生無光放電，放電單元不會初始化。在這種情況下，為了在建立周期內(nèi)產(chǎn)生放電，復(fù)位電壓(Vr)應(yīng)該是高的。
如果在建立周期(SU)內(nèi)不產(chǎn)生無光放電，那么放電單元內(nèi)的條件在復(fù)位周期后不會立即變成最佳尋址條件。這導(dǎo)致非正常放電或者錯誤放電。
如果在第(n-1)個子場(SFn-1)的擦除周期(EP)之后，正壁電荷在掃描電極Y上積累過量，那么當(dāng)在第n個子場(SFn)的建立周期(SU)內(nèi)在掃描電極Y上施加正維持電壓(Vs)也即正傾斜波形(PR)的開始電壓的時候，產(chǎn)生強放電。因此，在所有的單元內(nèi)初始化不會均勻。下面參照圖5具體描述這個問題。
圖5示出在建立周期(SU)內(nèi)在掃描電極Y和維持電極Z之間外加電壓(Vyz)和放電單元內(nèi)的間隙電壓(Vg)。在圖5中用實線標(biāo)出的外加電壓(Vyz)是分別施加到掃描電極Y和維持電極Z上的外電壓。由于在維持電極Z上施加0V的外加電壓(Vyz)，因此它與正傾斜波形(PR)的電壓基本上相同。在圖5中，虛線①②和③標(biāo)出在放電單元內(nèi)在放電氣體中由壁電荷形成的間隙電壓(Vg)。
虛線①②和③標(biāo)出的間隙電壓(Vg)是不同的，因為放電單元內(nèi)的壁電荷的量取決于前一子場內(nèi)是否出現(xiàn)放電而不同。掃描電極Y和維持電極Z之間的外加電壓(Vyz)與形成于放電單元內(nèi)放電氣體中的間隙電壓(Vg)之間的關(guān)系可以用下面的等式1表示。
Vyz＝Vg+Vw在圖5中，間隙電壓(Vg)指的是其中充分地擦除了放電單元內(nèi)的壁電荷以及壁電荷足夠小的情況。間隙電壓(Vg)相對于外加電壓(Vyz)成比例增加，但是如果間隙電壓大約等于開啟電壓(Vf)的話，會產(chǎn)生無光放電。通過無光放電，放電單元內(nèi)的間隙電壓初始化到開啟電壓。
在圖5中，間隙電壓指的是在第(n-1)個子場(SFn-1)的擦除周期(EP)期間產(chǎn)生強放電并且因而該強放電使放電單元內(nèi)壁電荷分布的壁電荷的極性反轉(zhuǎn)的情況。在擦除周期(EP)稍后在掃描電極Y上積累的壁電荷的極性因為該強放電而反轉(zhuǎn)到正極性。
當(dāng)在大尺寸PDP中放電單元的均允性低或者擦除傾斜波形(ERR)的斜率隨溫度波動而改變的時候產(chǎn)生這種情況。在這種情況下，如圖5中標(biāo)出的，因為初始間隙電壓(Vg)上升得太多，當(dāng)在建立周期(SU)內(nèi)對掃描電極Y施加正維持電壓(Vs)的同時，間隙電壓(Vg)超過開啟電壓(Vf)。因此產(chǎn)生強放電。
由于通過建立周期(SU)和撤消周期(SD)內(nèi)的強放電，放電單元不會初始化到最佳尋址條件的壁電荷分布也即圖4c中的壁電荷分布，因此在應(yīng)該截止的截止單元中可能產(chǎn)生尋址放電。換句話說，如果在復(fù)位周期之前的擦除周期中產(chǎn)生強擦除放電，那么可能產(chǎn)生錯誤放電。
在圖5中，間隙電壓③指的是這種情況因為在第(n-1)個子場(SFn-1)的擦除周期(EP)期間不產(chǎn)生擦除放電或者產(chǎn)生非常弱的擦除放電，因而放電單元內(nèi)的壁電荷分布(是作為直接在擦除放電之前產(chǎn)生的維持放電的結(jié)果而形成的)保持原狀。下面更詳細(xì)地描述這一點。如圖3所示，當(dāng)把維持脈沖(SUSP)施加到掃描電極Y上的時候，產(chǎn)生最后一個維持放電。
作為最后一個維持放電的結(jié)果，在掃描電極Y上保持負(fù)壁電荷并且在維持電極Z上保持正壁電荷。然而，盡管為了在下一個子場內(nèi)正常進(jìn)行初始化，必須要擦除這些壁電荷，但是壁電荷的極性仍然保持原狀，如果擦除放電不產(chǎn)生或者產(chǎn)生非常弱的放電的話。
為什么不產(chǎn)生擦除放電或者產(chǎn)生非常弱的擦除放電的原因在于在PDP中放電單元的均勻性非常低或者擦除傾斜波形(ERR)的斜率因溫度波動而改變。在這種情況下，由于初始間隙電壓(Vg)非常低，也即如圖5中③所示的負(fù)極性，放電單元內(nèi)的間隙電壓(Vg)不等于開啟電壓(Vf)，即使在建立周期(SU)內(nèi)正傾斜波形(PR)上升到復(fù)位電壓(Vr)。因此，在建立周期(SU)和撤消周期(SD)內(nèi)不產(chǎn)生無光放電。因而，如果在復(fù)位周期之前的擦除周期內(nèi)不產(chǎn)生擦除放電或者產(chǎn)生非常弱的擦除放電，那么因為不能充分進(jìn)行初始化而產(chǎn)生錯誤放電或者非正常放電。
在圖5的的情況中，間隙電壓(Vg)和開啟電壓(Vf)之間的關(guān)系可以表示為下面的等式2。在圖5的③的情況中，間隙電壓(Vg)和開啟電壓(Vf)之間的關(guān)系可以表示為下面的等式3。
Vgini+Vs＞Vf[等式3]Vgini+Vr＜Vf其中Vgini是如圖5所示直接位于建立周期(SU)前的初始間隙電壓。
考慮到上述問題，用于在擦除周期(EP)和復(fù)位周期(RP)內(nèi)使初始化正常進(jìn)行的間隙電壓條件(或者說墻壁電壓條件)可以表達(dá)為下面的等式4，其滿足等式2和3。
Vf-Vr＜Vgini＜Vf-Vs如果初始間隙電壓(Vgini)在建立周期(SU)之前不滿足等式4的條件，常規(guī)的等離子顯示裝置將產(chǎn)生錯誤放電、誤放電或者非正常放電，并且將具有狹窄的操作余量(operational margin)。換句話說，為了保證常規(guī)等離子顯示裝置的工作可靠性和操作余量，必須要進(jìn)行擦除周期(EP)內(nèi)的擦除操作。然而，如上所述，擦除操作因放電單元的均勻性和PDP的使用溫度而可能進(jìn)行得不正常。
在常規(guī)等離子顯示裝置中，由于在高溫環(huán)境下出現(xiàn)的過量的空間電荷(spatial charge)以及因空間電荷的活性運動(active motion)的量引起的不穩(wěn)定的壁電荷分布，可能產(chǎn)生錯誤放電、誤放電或者非正常放電。因此，因為操作余量的減少，所以產(chǎn)生問題。這一點將結(jié)合圖6a到6c具體描述。
因放電產(chǎn)生的空間電荷的量和在高溫環(huán)境下的空間電荷的運動的量多于那些在室溫或者低溫下的電荷。因此，在第(n-1)個子場(SFn-1)的維持放電中，產(chǎn)生空間電荷的實際數(shù)量(substantial number)。在放電空間內(nèi)這些空間電荷61中許多保持著活性，即使是直接在第n個子場(SFn)的建立周期(SU)之后，如圖6a所示。
如果當(dāng)在放電空間內(nèi)存在如圖6a所示的空間電荷61的活性運動的時候，在尋址周期(AP)期間將數(shù)據(jù)電壓(Va)施加到尋址電極X以及將掃描電壓(-Vy)施加到掃描電極Y，那么負(fù)空間電荷61與已經(jīng)在掃描電極Y上積累的負(fù)壁電荷就會重新結(jié)合，作為在建立周期(SU)內(nèi)的建立放電的結(jié)果。負(fù)空間電荷61與在尋址電極X上已經(jīng)積累的正壁電荷重新結(jié)合，作為建立周期(SU)的建立放電的結(jié)果，如圖6b所示。
結(jié)果，如圖6c所示，掃描電極Y上通過建立放電形成的負(fù)壁電荷以及尋址電極X上通過建立放電形成的正壁電荷就被擦除。盡管將數(shù)據(jù)電壓(Va)和掃描電壓(-Vy)施加到尋址電極X和掃描電極Y，但是間隙電壓(Vg)不等于開啟電壓(Vf)。因此，不會產(chǎn)生尋址放電。
因此，在把如圖3所示的驅(qū)動波形施加到高溫環(huán)境下使用的PDP上的情況下，因為頻繁出現(xiàn)導(dǎo)通單元的誤寫入而出現(xiàn)問題。

發(fā)明內(nèi)容
因此，本發(fā)明是基于上述問題而進(jìn)行的，本發(fā)明的一個目的是提供一種等離子顯示裝置及其驅(qū)動方法，其中使得放電在高溫環(huán)境下穩(wěn)定。
本發(fā)明中的等離子顯示裝置包括具有掃描電極和維持電極的PDP、在一個或者多個子場的復(fù)位周期之前將預(yù)復(fù)位(pre-reset)波形提供給掃描電極或者維持電極的驅(qū)動器、和根據(jù)PDP的溫度或者PDP的環(huán)境溫度控制位于在第(n-1)個子場(SFn-1)(其中n是一個正整數(shù))的維持周期期間提供給掃描電極或者維持電極的最后一個維持脈沖與在第n個子場的復(fù)位周期期間施加到掃描電極的初始化信號之間的周期的控制器。
根據(jù)本發(fā)明中驅(qū)動包括掃描電極和維持電極的PDP的等離子顯示裝置的驅(qū)動方法包括步驟在復(fù)位周期之前提供預(yù)復(fù)位波形到掃描電極或者維持電極、并且根據(jù)PDP的溫度或者PDP的環(huán)境溫度控制位于在第(n-1)個子場(SFn-1)(其中n是一個正整數(shù))的維持周期期間提供給掃描電極或者維持電極的最后一個維持脈沖與在第n個子場的復(fù)位周期期間施加到掃描電極的初始化信號之間的周期。
本發(fā)明的優(yōu)點在于當(dāng)在高溫環(huán)境下驅(qū)動PDP的時候能夠進(jìn)行穩(wěn)定的放電而沒有誤寫入。


本發(fā)明的另外的目的和優(yōu)點可以從下面結(jié)合附圖的詳細(xì)描述中得到完全的理解，其中圖1示出在等離子顯示裝置中用于實現(xiàn)256灰度等級的8-bit默認(rèn)碼的子場模式；圖2是示意性地示出了三電極AC表面放電型PDP的電極布置的平面圖；圖3示出一種典型的PDP的驅(qū)動波形；圖4a到4e一步一步示出放電單元內(nèi)的壁電荷分布，它們通過如圖3所示的驅(qū)動波形而改變；圖5示出當(dāng)用如圖3所示的驅(qū)動波形驅(qū)動PDP的時候在建立周期內(nèi)，掃描電極Y和維持電極Z之間的外加電壓和以及放電單元內(nèi)的間隙電壓的變化。
圖6a到6c示出當(dāng)在高溫環(huán)境下用如圖3所示的驅(qū)動波形驅(qū)動PDP的時候，空間電荷和該空間電荷的行為；圖7示出用于解釋本發(fā)明第一實施例的等離子顯示裝置的驅(qū)動方法的波形；圖8示出用于解釋在本發(fā)明第二實施例的等離子顯示裝置的驅(qū)動方法中第一子場周期的驅(qū)動波形的波形；圖9示出用于解釋在本發(fā)明第三實施例中的等離子顯示裝置的驅(qū)動方法的第一子場的驅(qū)動波形的波形；圖10a到10e一步步示出放電單元內(nèi)的壁電荷分布，其根據(jù)如圖9所示的驅(qū)動波形而改變；圖11是用于顯示在本發(fā)明第三實施例的等離子顯示裝置的驅(qū)動方法中不是第一子場周期的其余子場周期的驅(qū)動波形的波形；圖12示出在如圖11所示的驅(qū)動波形作用下在維持周期之后在放電單元內(nèi)形成的壁電荷的分布；圖13示出一個放電單元內(nèi)的壁電荷的分布，其是在圖9和11的驅(qū)動波形作用下在建立周期之前形成的，以及間隙電壓。
圖14示出當(dāng)用如圖9和11所示的驅(qū)動波形驅(qū)動PDP的時候在建立周期內(nèi)，掃描電極Y和維持電極Z之間的外加電壓和以及放電單元內(nèi)的間隙電壓的變化。
圖15示出在擦除周期和復(fù)位周期內(nèi)維持電極上的壁電荷極性的變化，其是在如圖3所示的常規(guī)的驅(qū)動波形的作用下產(chǎn)生的；圖16示出在復(fù)位周期內(nèi)維持電極上的壁電荷極性的變化，其是在如圖9和11所示的驅(qū)動波形的作用下產(chǎn)生的；圖17示出用于解釋在本發(fā)明第四實施例的等離子顯示裝置的驅(qū)動方法中第一個子場的驅(qū)動波形的波形；圖18示出用于解釋在本發(fā)明第四實施例的等離子顯示裝置的驅(qū)動方法中不是第一個子場周期的其余子場周期的驅(qū)動波形的波形；圖19示出用于解釋在本發(fā)明第五實施例的等離子顯示裝置的驅(qū)動方法中第一個子場的驅(qū)動波形的波形；圖20是用于解釋本發(fā)明一個實施例的等離子顯示裝置的結(jié)構(gòu)的框圖。
具體實施例方式
參照附圖更詳細(xì)地描述本發(fā)明的優(yōu)選實施例。
根據(jù)本發(fā)明的等離子顯示裝置包括具有掃描電極和維持電極的PDP、在一個或者多個子場的復(fù)位周期之前將預(yù)復(fù)位(pre-reset)波形提供給掃描電極或者維持電極的驅(qū)動器、和根據(jù)PDP的溫度或者PDP的環(huán)境溫度控制位于在第(n-1)個子場(SFn-1)(其中n是一個正整數(shù))的維持周期期間提供給掃描電極或者維持電極的最后一個維持脈沖與在第n個子場的復(fù)位周期期間施加到掃描電極的初始化信號之間的周期的控制器。
當(dāng)PDP的溫度或者PDP的環(huán)境溫度升高時，該控制器可以把位于在第(n-1)個子場(SFn-1)(其中n是一個正整數(shù))的維持周期期間產(chǎn)生的最后一個維持脈沖與在第n個子場的復(fù)位周期期間產(chǎn)生的初始化信號之間的這個周期設(shè)置得比室溫下的那個長。
位于在第(n-1)個子場的維持周期期間產(chǎn)生的最后一個維持脈沖與在第n個子場的復(fù)位周期期間產(chǎn)生的初始化信號之間的這個周期的時間長度設(shè)在近似100μs到1ms的范圍內(nèi)。
當(dāng)PDP的溫度或者PDP的環(huán)境溫度高于室溫時，該控制器可以把該維持脈沖的上升周期和下降周期設(shè)置在近似320nm到360nm的范圍內(nèi)。
把該最后一個維持脈沖的寬度設(shè)為1μs到1ms。
在把最后一個維持脈沖施加到掃描電極或者維持電極之后，可以把掃描電極或者維持電極的電壓維持在接地電平電壓。
把掃描電極或者維持電極的電壓維持在接地電平電壓的那個周期的長度設(shè)為100μs到1ms。
該預(yù)復(fù)位波形可以在一幀的多個子場中至少之一的復(fù)位周期之前提供。
該預(yù)復(fù)位波形可以在該幀的這多個子場內(nèi)具有最低灰度等級權(quán)重(weight)的子場的復(fù)位周期之前提供。
根據(jù)本發(fā)明的等離子顯示裝置包括具有掃描電極和維持電極的PDP、在一個或者多個子場的復(fù)位周期之前將預(yù)復(fù)位波形提供給掃描電極或者維持電極的驅(qū)動器、和控制當(dāng)PDP溫度或者PDP的環(huán)境溫度實際較高的時候位于提供給掃描電極或者維持電極的最后一個維持脈沖的提供點與下一個子場的初始化信號的提供點之間的距離的控制器。
PDP的溫度或者PDP的環(huán)境溫度的高溫可能是40℃或者更高。
最后一個維持脈沖的提供點和下一個子場的初始化信號的提供點之間的距離依賴于該最后一個維持脈沖的寬度。
該最后一個維持脈沖的寬度被設(shè)為1μs到1ms。
在把這最后一個維持脈沖施加到掃描電極或者維持電極之后，將掃描電極或者維持電極的電壓維持在接地電平電壓。
本發(fā)明驅(qū)動包括掃描電極和維持電極的PDP的等離子顯示裝置的驅(qū)動方法包括步驟在復(fù)位周期之前把預(yù)復(fù)位波形提供給掃描電極或者維持電極、并且根據(jù)PDP的溫度或者PDP的環(huán)境溫度控制位于在第(n-1)個子場(其中n是一個正整數(shù))的維持周期期間提供給掃描電極或者維持電極的最后一個維持脈沖與在第n個子場的復(fù)位周期期間施加到掃描電極的初始化信號之間的周期。
位于在第(n-1)個子場的維持周期期間所產(chǎn)生的最后一個維持脈沖和在第n個于場的復(fù)位周期期間產(chǎn)生的初始化信號之間的這個周期設(shè)在近似100μs到1ms的范圍內(nèi)。
在維持周期期間施加到掃描電極或者維持電極上的該維持脈沖的上升周期和撤消周期設(shè)為近似320ns到360ns。
該最后一個維持脈沖的寬度設(shè)為1μs到1ms。
在將這最后一個維持脈沖施加到掃描電極或者維持電極后，將掃描電極或者維持電極的電壓維持在接地電平電壓。
其中掃描電極或者維持電極的電壓為接地電平電壓的那個周期的長度設(shè)為100μs到1ms。
下面參照附圖描述本發(fā)明的等離子顯示裝置及其驅(qū)動方法。
圖7示出用于解釋本發(fā)明第一實施例的等離子顯示裝置的驅(qū)動方法的波形。圖7的驅(qū)動波形可以應(yīng)用到圖2所示的三電極AC表面放電性PDP。
參照圖7，每個子場(SFn-1，SFn)包括用于初始化整個屏幕的放電單元的復(fù)位周期(RP)、用于選擇放電單元的尋址周期(AP)、用于維持所選放電單元的放電的維持周期(SP)、和用于擦除該放電單元內(nèi)壁電荷的擦除周期(EP)。
復(fù)位周期(RP)、尋址周期(AP)和維持周期(SP)與圖3所示的驅(qū)動波形的那些基本相同，因此省去對它們的描述。提供給本發(fā)明的等離子顯示裝置的驅(qū)動方法的維持電極的偏置電壓(Vzb)也可以從復(fù)位周期的撤消周期到尋址周期施加到維持電極。然而，如圖7所示，能夠在該撤消周期結(jié)束后將該偏置電壓(Vzb)提供給維持電極，然后在尋址周期內(nèi)將其維持。
在根據(jù)本發(fā)明的等離子顯示裝置的驅(qū)動方法中，在40℃或者更高的高溫下，把用于引起空間電荷的衰退的空間電荷的衰退周期(Tdecay)設(shè)在第(n-1)個子場(SFn-1)的最后一個維持脈沖(LSTSUSP)的上升點與第n個子場(SFn)的復(fù)位周期(RP)開始之處的正傾斜波形(PR)的上升點之間。該空間電荷衰退周期(Tdecay)在40℃的高溫下設(shè)置得比室溫環(huán)境長，并且具有近似100μs到1ms的時間長度。
該最后一個維持脈沖的寬度為1μs到1ms。
該最后一個維持脈沖也可以施加到維持電極。此外，在將該最后一個維持脈沖施加到掃描電極或者維持電極之后的預(yù)定時間內(nèi)，將掃描電極或者維持電極維持在接地電平電壓。掃描電極或者維持電極的電壓維持在接地電平電壓的那個周期的時間長度為100μs到1ms。
在空間電荷衰退周期(Tdecay)期間，在第(n-1)個子場(SFn-1)的維持放電中產(chǎn)生的空間電荷通過彼此之間的重新結(jié)合也即與壁電荷的重新結(jié)合而衰退。在空間電荷衰退之后，在第n個子場(SFn)的復(fù)位周期(RP)內(nèi)連續(xù)產(chǎn)生建立放電和撤消放電。結(jié)果，在第n個子場(SFn)的復(fù)位周期(RP)之后即刻，這些放電單元中每個就被初始化到用于尋址放電的、幾乎沒有空間電荷的最佳壁電荷分布狀態(tài)，如圖4c所示。
在空間電荷衰退周期(Tdecay)內(nèi)的擦除周期(EP)期內(nèi)，將用于引起擦除放電的擦除傾斜波形(ERR)施加到維持電極Z。該擦除傾斜波形(ERR)是正傾斜波形，其從0V逐漸上升到正維持電壓(Vs)。在掃描電極Y和維持電極Z之間，在其中通過擦除傾斜波形(ERR)產(chǎn)生維持放電的導(dǎo)通單元內(nèi)產(chǎn)生擦除放電。
圖8示出用于解釋在本發(fā)明第二實施例的等離子顯示裝置的驅(qū)動方法中第一子場周期的驅(qū)動波形的波形。
將圖8的驅(qū)動波形施加到這樣的PDP中，即其中放電單元僅僅是通過前一子場的最后一個維持放電和下一個子場隨后的撤消放電而沒有建立放電而初始化的，也即具有放電單元的高度均一性和寬的驅(qū)動余量的PDP中。
參照圖8，第(n-1)個子場(SFn-1)包括復(fù)位周期(RP)、尋址周期(AP)和維持周期(SP)。第n個子場(SFn)包括復(fù)位周期(RP)和撤消周期。第n個子場(SFn)不具有建立周期、尋址周期(AP)和維持周期(SP)以及擦除周期(EP)。
尋址周期(AP)和維持周期(SP)與圖3的驅(qū)動波形以及圖7的實施例的那些相同。因此省去對它們的描述。
在用于本發(fā)明第二實施例的等離子顯示裝置的驅(qū)動方法中，把用于在高溫環(huán)境下引起空間電荷衰退的空間電荷衰退周期(Tdecay)設(shè)置發(fā)生于第(n-1)個子場(SFn-1)的最后一個維持脈沖(LSTSUSP2)的上升點和第n個子場(SFn)的復(fù)位周期(RP)開始的那個負(fù)傾斜波形(PR)的下降點之間。
空間電荷衰退周期(Tdecay)的時間長度與最后一個維持脈沖的脈寬相同，并且在40℃或者更高的高溫環(huán)境下設(shè)置得比在室溫環(huán)境下更長?？臻g電荷衰退周期(Tdecay)在高溫下近似為100μs到1ms。
在空間電荷衰退周期(Tdecay)期內(nèi)，把維持電壓(Vs)的最后一個維持脈沖(LSTSUSP)施加到掃描電極Y，并且保持該維持電壓(Vs)和維持脈沖。在把最后一個維持脈沖(LSTSUSP)施加到掃描電極Y之后的一個預(yù)定時間(Td)后，將維持電壓(Vs)施加到維持電極Z。該電壓使得在空間電荷衰退周期(Tdecay2)期內(nèi)在掃描電極Y上積累負(fù)空間電荷以及在尋址電極X上積累正空間電荷。因此，在空間電荷衰退周期(Tdecay2)之后即刻，這些放電單元的每一個就初始化為類似于在先的建立放電結(jié)果的壁電荷分布，也即壁電荷分布與圖4B的類似，其中大多數(shù)空間電荷在每個放電單元中被耗散。
在空間電荷衰退周期(Tdecay2)之后，在第n個子場(SFn)的復(fù)位周期(RP(SD))內(nèi)將負(fù)傾斜波形(NR)施加到掃描電極Y上。在該復(fù)位周期(RP(SD))期內(nèi)，將正維持電壓(Vs)施加到維持電極Z上，并且將0V施加到尋址電極X上。該負(fù)傾斜波形(NR)引起掃描電極Y的電壓從正維持電壓(Vs)逐漸下降到負(fù)擦除電壓(Ve)。該負(fù)傾斜波形(NR)引起在整個屏幕的放電單元內(nèi)在掃描電極Y和尋址電極X之間產(chǎn)生無光放電，還引起在掃描電極Y和維持電極Z之間產(chǎn)生無光放電。作為撤消周期(SD)的無光放電的結(jié)果，在每個放電單元1內(nèi)的壁電荷分布就改變到具有如圖4c所示的最佳尋址條件。
圖9示出用于解釋在本發(fā)明第三實施例中的等離子顯示裝置的驅(qū)動方法的第一子場的驅(qū)動波形的波形。下面結(jié)合圖10a到10e的壁電荷分布描述圖9的驅(qū)動波形。
參照圖9，在根據(jù)本發(fā)明的等離子顯示裝置的驅(qū)動方法中，在高溫環(huán)境下，至少一個子場(例如第一子場用其驅(qū)動)被時分為用于在掃描電極Y上形成正壁電荷和在維持電極Z上形成負(fù)壁電荷的預(yù)復(fù)位周期(PRERP)、用于利用該預(yù)復(fù)位周期(PRERP)所形成的壁電荷分布初始化整個屏幕放電單元的復(fù)位周期(RP)、尋址周期(AP)和用于維持所選放電單元的放電的維持周期(SP)。在維持周期(SP)和下一個子場的復(fù)位周期之間還可以包括擦除周期。
該預(yù)復(fù)位周期包括在多個子場的至少一個子場內(nèi)。該預(yù)復(fù)位周期可以包括在這多個子場中具有最低灰度等級加權(quán)(weight)的那個子場中。在復(fù)位周期之前將預(yù)復(fù)位波形施加到掃描電極或者維持電極。
在預(yù)復(fù)位波形中，在將正維持電壓(Vs)施加到整個維持電極Z之后，在一個預(yù)定時間(Td2)過去之后將其電壓從0V或者基電壓(basevoltage)(GND)下降到負(fù)的-V1電壓的第一Y負(fù)傾斜波形(NRY1)施加到所有的掃描電極Y。該預(yù)定時間(Td2)可以根據(jù)面板特性而改變。在保持該維持電極Z的電壓的同時，掃描電極Y的電壓減小，并且然后在-V1電壓保持一個預(yù)定時間。在預(yù)復(fù)位周期(PRERP)期內(nèi)，將0V施加到尋址電極X。
在預(yù)復(fù)位周期(PRERP)的初始的預(yù)定時間(Td2)期內(nèi)，由于施加到維持電極Z上的維持電壓(Vs)和施加到掃描電極Y上的0V之間的差，放電單元內(nèi)的負(fù)空間電荷就在掃描電極Y上積累，并且隨后改變?yōu)楸陔姾伞?br> 放電單元內(nèi)的正空間電荷在維持電極Z上積累并且之后改變?yōu)楸陔姾?。在空間電荷被擦除之后，施加到維持電極Z上的維持電壓(Vs)和施加到掃描電極Y上的第一Y負(fù)傾斜波形(NRY1)在掃描電極Y和維持電極Z之間以及在維持電極Z和尋址電極X之間對所有的放電單元都產(chǎn)生無光放電。
作為放電的結(jié)果，在預(yù)復(fù)位周期(PRERP)之后即刻，在所有的放電單元內(nèi)，在掃描電極Y上積累正壁電荷，并且在維持電極Z上積累負(fù)壁電荷，如圖10a所示。圖10a的壁電荷分布引起在所有的放電單元內(nèi)在掃描電極Y和維持電極Z之間形成足夠高的正間隙電壓，以及在這些放電單元的每個內(nèi)沿從掃描電極Y到維持電極Z的方向形成電場。
在復(fù)位周期(RP)的建立周期(SU)內(nèi)，將第一Y正傾斜波形(PRY1)和第二Y正傾斜波形(PRY2)連續(xù)施加到所有的掃描電壓Y上，并且將0V施加到維持電極Z和尋址電極X上。第一Y正傾斜波形(PRY1)的電壓從0V上升到正維持電壓(Vs)，而第二Y正傾斜波形(PRY2)的電壓從該正維持電壓(Vs)上升到比該正維持電壓(Vs)更高的正Y復(fù)位電壓(Vry)。第二Y正傾斜波形(PRY2)的斜率小于第一Y正傾斜波形(PRY1)的斜率。
第一Y正傾斜波形(PRY1)和第二Y正傾斜波形(PRY2)可以根據(jù)面板的特性設(shè)置為具有相同的斜率。當(dāng)?shù)谝籝正傾斜波形(PRY1)和形成于掃描電極Y和維持電極Z之間放電單元內(nèi)的電場的電壓增加的時候，在掃描電極Y和維持電極Z之間以及在掃描電極Y和尋址電極X之間在所有的放電單元內(nèi)產(chǎn)生無光放電。
作為放電的結(jié)果，如圖10b所示，當(dāng)在建立周期(SU)后即刻在所有的放電單元內(nèi)在掃描電極Y上積累負(fù)壁電荷的同時，壁電荷的極性發(fā)生負(fù)反轉(zhuǎn)。因此，比負(fù)壁電荷更多的正壁電荷在尋址電極X上積累。盡管維持電極Z上已經(jīng)積累的負(fù)壁電荷移向掃描電極Y，它們?nèi)匀槐３重?fù)極性，盡管在數(shù)量上部分減少。
在預(yù)復(fù)位周期(PRERP)之后即刻在撤消周期(SU)內(nèi)因壁電荷分布產(chǎn)生無光放電，在此之前，Y復(fù)位電壓(Vr)小于圖3中前面的復(fù)位電壓(Vr)，因為整個放電單元內(nèi)的正間隙電壓足夠高。當(dāng)通過預(yù)復(fù)位周期(PRERP)和建立周期(SU)在尋址電極X上積累了足夠的正壁電荷的時候，對于尋址放電所必需的外加電壓的絕對值也即數(shù)據(jù)電壓(Va)和掃描電壓(-Vy)的絕對值就減小了。
在建立周期(SU)之后的復(fù)位周期(RP)的撤消周期(SD)內(nèi)，在把第二Y負(fù)傾斜波形(NRY2)施加到掃描電極Y的同時，把第二Z負(fù)傾斜波形(NRZ2)被施加到維持電極Z。第二Y負(fù)傾斜波形(NRY2)的電壓從正維持電壓(Vs)下降到負(fù)電壓(-V2)。第二Z負(fù)傾斜波形(NRZ2)的電壓從正維持電壓(Vs)下降到0V或者基電壓。電壓(-V2)可以與預(yù)復(fù)位周期(PRERP)的電壓(-V1)相同或者與之不同。
在撤消周期(SD)期間，掃描電極Y和維持電極Z的電壓在相同時間下降。因此，在掃描電極Y和維持電極Z之間不會產(chǎn)生放電，然而在掃描電極Y和尋址電極X之間產(chǎn)生無光放電。該無光放電使得在掃描電極Y上已經(jīng)積累的過量的負(fù)壁電荷被擦除，以及在尋址電極X上已經(jīng)積累的過量的正壁電荷被擦除。
作為放電的結(jié)果，所有的放電單元具有如圖10c所示的均勻的壁電荷分布。在圖10c的壁電荷分布中，在掃描電極Y上積累了足夠的負(fù)壁電荷，并且在尋址電極X上積累了足夠的正壁電荷。掃描電極Y和尋址電極X之間的間隙電壓增加到開啟電壓(Vf)。因此，在撤消周期(SD)之后即刻，所有的放電單元的壁電荷分布就改變到具有一個最佳尋址狀態(tài)。
在尋址周期(AP)內(nèi)，當(dāng)將負(fù)掃描脈沖(-SCNP)連續(xù)地施加到掃描電極Y時，將正數(shù)據(jù)脈沖(DP)與掃描脈沖(-SCNP)同步施加到尋址電極X。掃描脈沖(-SCNP)的電壓是一個從0V或者接近0V的負(fù)掃描偏置電壓(Vyb)下降到負(fù)掃描電壓(-Vy)的掃描電壓(Vsc)。在尋址周期(AP)期內(nèi)，將小于正維持電壓(Vs)的正Z偏置電壓(Vzb)施加到維持電極Z。
當(dāng)在復(fù)位周期(RP)之后即刻把所有放電單元的間隙電壓調(diào)整到最佳尋址狀態(tài)的時候，在施加有掃描電壓(Vsc)和數(shù)據(jù)電壓(Va)的導(dǎo)通單元內(nèi)，掃描電極Y和尋址電極X之間的間隙電壓超過開啟電壓(Vf)。因此，尋址放電僅產(chǎn)生在電極Y和X之間。其中產(chǎn)生尋址放電的導(dǎo)通單元內(nèi)的壁電荷分布如圖10d所示。在尋址放電之后即刻，導(dǎo)通單元的壁電荷分布被改變到圖10e所示的那樣，即通過尋址放電，在掃描電極Y上積累正壁電荷，在尋址電極X上積累負(fù)壁電荷。
在其中尋址電極X上施加了0V或基電壓或者在掃描電極Y上施加了0V或者掃描偏置電壓(Vyb)的截止單元具有小于開啟電壓的間隙電壓。因此，其中不產(chǎn)生尋址放電的截止單元具有基本上與圖10c相同的壁電荷分布。
在維持周期(SP)內(nèi)，將正維持電壓(Vs)的維持脈沖(FISRTSUSP，SUSP和LSTSUSP)交替施加到掃描電極Y和維持電極Z。在維持周期(SP)期內(nèi)，將0V或者基電壓施加到尋址電極X。在每個掃描電極Y和維持電極Z上開始施加的維持脈沖(FISRTSUSP)的脈寬設(shè)置的比正常維持脈沖(SUSP)的更寬，以穩(wěn)定維持放電初始化。將最后一個維持脈沖(LSTSUSP)施加到維持電極Z。
在建立周期(SU)的初始狀態(tài)下，最后一個維持脈沖(LSTSUSP)的脈寬設(shè)置得比正常維持脈沖(SUSP)的更寬，以在維持電極Z上積累足夠的負(fù)壁電荷。在維持周期期內(nèi)，由尋址放電選擇的導(dǎo)通單元在掃描電極Y和維持電極Z之間每個維持脈沖(SUSP)產(chǎn)生源于圖10e的壁電荷分布的維持放電。在截止單元內(nèi)的維持周期(SP)的初始的壁電荷分布與圖10c的相同。盡管截止單元上施加有維持脈沖(FISRTSUSP，SUSP和LSTSUSP)，但是維持脈沖的間隙電壓仍然保持著小于開啟電壓(Vf)，因此在截止單元內(nèi)不會產(chǎn)生放電。
為了減少在維持放電中產(chǎn)生的空間電荷的量，將每個維持脈沖(FISRTSUSP，SUSP和LSTSUSP)的上升周期和下降周期設(shè)置得相對較長，從320ns到360ns。
圖9的驅(qū)動波形不限于第一子場，而是可以應(yīng)用到包括第一子場的若干初始子場，并且還能夠應(yīng)用到一幀周期中所包括的所有子場。
圖11示出在本發(fā)明第三實施例的等離子顯示裝置的驅(qū)動方法中在第(n-1)(其中n是一個正整數(shù))個子場(SFn-1)的維持周期(SP)和第n個子場(SFn)期內(nèi)提供給如圖2所示的PDP的驅(qū)動波形。將結(jié)合圖12和13的壁電荷分布描述圖11的驅(qū)動波形。
參照圖11，在第n個子場(SFn)中，利用第(n-1)個子場(SFn-1)也即第一子場的維持周期后所形成的壁電荷分布將該PDP的所有的單元初始化。
第(n-1)個子場(SFn-1)和第n個子場(SFn)中的每一個都包括用于初始化整個單元的復(fù)位周期(RP)、用于選擇單元的尋址周期(AP)和用于保持所選單元的放電的維持周期(SP)，所述初始化是由其中在維持電極Z上積累了足夠的負(fù)壁電荷的壁電荷分布產(chǎn)生的。
在第(n-1)個子場(SFn-1)的維持周期內(nèi)，將最后一個維持脈沖(LSTSUSP3)施加到維持電極Z。將0V或者基電壓施加到掃描電極Y和尋址電極X。將對應(yīng)著最后一個維持脈沖(LSTSUSP3)的脈寬的空間電荷衰退周期(Tdecay3)設(shè)置為具有足夠的時間使空間電荷改變?yōu)楸陔姾?，因而在?dǎo)通單元內(nèi)感應(yīng)維持放電，并且在第n個子場(SFn)的復(fù)位周期(RP)之前也將放電單元內(nèi)的空間電荷擦除掉。其中最后一個維持脈沖(LSTSUSP3)被維持在維持電壓(Vs)的空間電荷衰退周期(Tdecay3)為近似300μs±50μs。
由于利用最后一個維持脈沖(LSTSUSP3)在掃描電極Y和維持電極Z之間產(chǎn)生放電，因此，如圖12所示，在掃描電極Y上積累了足夠的正壁電荷以及在維持電極Z上積累了負(fù)壁電荷，且?guī)缀鯖]有空間電荷。
在第n個子場(SFn)的建立周期(SU)內(nèi)，圖12的壁電荷分布用來在整個單元內(nèi)產(chǎn)生無光放電，這樣用如圖10b所示的壁電荷分布初始化了整個單元。建立周期(SU)、和之后的撤消初始化、尋址和維持操作與圖9的驅(qū)動波形的那些基本上相同。
在根據(jù)本發(fā)明第三實施例的等離子顯示裝置及其驅(qū)動方法中，空間電荷在高溫環(huán)境下改變?yōu)楸陔姾?，以在高溫環(huán)境下穩(wěn)定的初始化壁電荷分布。下一個子場的建立周期直接跟隨前一子場的最后一個維持放電，而在前一子場的維持周期和下一個子場的復(fù)位周期之間沒有用于擦除壁電荷的擦除周期。由于維持放電是強輝光放電，因此可以在掃描電極y和維持電極Z上充分地積累很多的壁電荷，并且能夠穩(wěn)定地保持掃描電極Y上的正壁電荷和維持電極Z上的負(fù)壁電荷的極性。
圖13示出一個單元的單元間隙電壓的狀態(tài)，其是由最后一個維持放電或者預(yù)復(fù)位周期(PRERP)的放電形成的。
參照圖13，通過最后一個維持脈沖(LSTSUSP)或者預(yù)復(fù)位周期(PRERP)的波形(NRY1、PRZ和NRZ1)，在掃描電極Y和維持電極Z之間產(chǎn)生放電。在建立周期(SU)之前，在從掃描電極Y到維持電極Z的方向的電場作用下，在單元內(nèi)形成了一個內(nèi)-Y-Z(inter-Y-Z)初始間隙電壓(Vgini-yz)。在從掃描電極Y到尋址電極X的方向的電場作用下，在該單元內(nèi)形成內(nèi)-Y-X初始間隙電壓(Vgini-yx)。
內(nèi)-Y-Z初始間隙電壓(Vgini-yz)在建立周期(SU)之前因圖13的壁電荷分布在放電單元內(nèi)就已經(jīng)形成。如果施加的外電壓等于開啟電壓(Vf)和內(nèi)-Y-Z初始間隙電壓(Vgini-yz)之間的電壓，那么在建立周期(SU)期內(nèi)在該放電單元內(nèi)產(chǎn)生無光放電。這可以表示為下面的等式5。
Vyz＝Vf-(Vgini-yz)Vyz是在建立周期(SU)期內(nèi)施加到掃描電極Y和維持電極Z的外電壓(以下，稱之為“內(nèi)-Y-Z外電壓”)。電壓Vyz表示圖9和11的驅(qū)動波形中施加到掃描電極的正傾斜波形(PRY1，PRY2)的電壓和施加到維持電極Z的0V。
如等式5和圖14所示，如果在建立周期(SU)期內(nèi)，內(nèi)-Y-Z外電壓(Vyz)比開啟電壓(Vf)與內(nèi)-Y-Z初始間隙電壓(Vgini-yz)之差要高，那么由于寬的驅(qū)動余量在放電單元內(nèi)就能夠穩(wěn)定地產(chǎn)生無光放電。
在根據(jù)本發(fā)明第三實施例的等離子顯示裝置中，在每個子場復(fù)位周期期內(nèi)產(chǎn)生的發(fā)光量相比于相關(guān)技術(shù)是最少的。這是因為在每個子場的復(fù)位周期期內(nèi)產(chǎn)生的放電次數(shù)(number)，更具體地說，表面放電的次數(shù)比現(xiàn)有技術(shù)的要少。
下面的表2列出了產(chǎn)生于第一子場的預(yù)復(fù)位周期(PRERP)和復(fù)位周期(RP)內(nèi)的放電的類型和次數(shù)，其已經(jīng)參照圖9的驅(qū)動波形圖進(jìn)行了描述。表3列出了產(chǎn)生于其余子場的每一個子場的復(fù)位周期(RP)而不在預(yù)復(fù)位周期(PRERP)內(nèi)的放電的類型和次數(shù)，其已經(jīng)參照圖11的驅(qū)動波形圖進(jìn)行了描述。
表2
表3 如表2所示，在圖9的第一子場的驅(qū)動波形中，通過預(yù)復(fù)位周期(PRERP)和復(fù)位周期(RP)，最多產(chǎn)生三次對向放電(counterdischarge)和兩次表面放電。在第一子場之后的其余子場中，在復(fù)位周期(RP)期內(nèi)，最多產(chǎn)生一次對向放電和兩次表面放電，而僅僅一次對向放電產(chǎn)生于截止單元內(nèi)，如表3中所示。
然而，在根據(jù)本發(fā)明第三實施例的等離子顯示裝置中，在用分為十二個子場的一幀周期驅(qū)動該裝置的情況下，由于放電次數(shù)和放電類型的差別，黑屏的亮度相比于現(xiàn)有技術(shù)的等離子顯示裝置降低到三分之一或者更少。因此，根據(jù)本發(fā)明的等離子顯示裝置能夠以相比現(xiàn)有技術(shù)低的暗室對比度值來顯示黑屏，并且能夠以更高的清晰度顯示圖像。
復(fù)位周期(RP)內(nèi)的少的放電次數(shù)意味著壁電荷的改變或者極性的變化在放電單元內(nèi)是低的。例如，在常規(guī)的等離子顯示裝置中，維持電極Z上的壁電荷的極性從第(n-1)個子場(SFn-1)的最后一個維持放電之后到第n個子場(SFn)的撤消周期(SD)的無光放電之后，從正極性改變到擦除極性和負(fù)極性(圖4a)，到正極性(圖4b)，然后改變到負(fù)極性(圖4c)，如圖15所示。
在本發(fā)明的等離子顯示裝置中，然而，從第(n-1)個子場(SFn-1)的最后一個維持放電之后到第n個子場(SFn)的撤消周期(SD)的無光放電之后，維持電極Z上的壁電荷的極性保持為負(fù)極性，如圖16所示。換句話說，在本發(fā)明的等離子顯示裝置中，尋址周期(AP)開始，同時在初始化過程中，維持電極X上的壁電荷的極性保持為負(fù)極性，如圖10a、10b和10c所示。
圖17示出用于解釋在本發(fā)明的第四實施例的等離子顯示裝置的驅(qū)動方法中第一子場的驅(qū)動波形的波形。圖18示出根據(jù)本發(fā)明第四實施例的等離子顯示裝置的驅(qū)動方法中在第(n-1)(其中n是一個正整數(shù))個子場(SFn-1)的維持周期(SP)期內(nèi)和第n個子場期內(nèi)的驅(qū)動波形。
參照圖17和18，在根據(jù)本發(fā)明的等離子顯示裝置的驅(qū)動方法中，在每個子場內(nèi)，在撤消周期(SD)期內(nèi)，在掃描電極Y上施加一個從0V或者基電壓(GND)下降的電壓，因而在所有的在建立周期(SU)初始化的放電單元內(nèi)產(chǎn)生均一的壁電荷分布。
第一子場包括預(yù)復(fù)位周期(PRERP)、復(fù)位周期(RP)、尋址周期(AP)和維持周期(SP)，如圖17所示。余下的子場(SFn)包括復(fù)位周期(RP)、尋址周期(AP)和維持周期(SP)，如圖18所示。
為了使空間電荷改變?yōu)楸陔姾?，由此擦除空間電荷并且也在每個放電單元內(nèi)形成如圖10a所示的壁電荷分布，在第一子場的預(yù)復(fù)位周期(PRERP)期內(nèi)，在將正維持電壓(Vs)施加到整個維持電極Z之后，在預(yù)定時間(Td2)過去之后，將其電壓從0V或者基電壓(GND)下降到負(fù)電壓(-V1)的第一Y負(fù)傾斜波形(NRY1)施加到所有的掃描電極Y。
在除了第一子場外的第n個子場的復(fù)位周期(RP)之前施加到維持電極Z的最后一個維持脈沖(LSTSUSP3)，在大約300μs±50μs的空間電荷衰退周期(Tdecay3)期內(nèi)保持為正維持電壓(Vs)。而在空間電荷衰退周期(Tdecay3)期內(nèi)，將空間電荷改變?yōu)楸陔姾汕胰缓蟛脸?br> 在子場(SFn-1，SFn)的每一個的復(fù)位周期(RP)的撤消周期(SD)內(nèi)，在將第二Y負(fù)傾斜波形(NRY2)施加到掃描電極的同時，將第二Z負(fù)傾斜波形(NRZ2)施加到維持電極Z。與上述實施例不同，第二Y負(fù)傾斜波形(NRY2)的電壓從0V或者基電壓(GND)下降到負(fù)電壓(-V2)。第二Z負(fù)傾斜波形(NRZ2)的電壓從正維持電壓(Vs)下降到0V或者基電壓。
在撤消周期(SD)期內(nèi)，掃描電極Y和維持電極Z的電壓同步減小。因此，在掃描電極Y和維持電極Z之間不會產(chǎn)生放電，然而在掃描電極Y和尋址電極X之間產(chǎn)生無光放電。
該無光放電使得在掃描電極Y上已經(jīng)積累的過量的負(fù)壁電荷被擦除，并且使得在尋址電極X上已經(jīng)積累的過量的正壁電荷被擦除。省去了第二Z負(fù)傾斜波形(NRZ2)。
如果第二Y負(fù)傾斜波形(NRY2)的電壓從0V或者基電壓(GND)下降，那么相比于上述實施例，撤消周期(SD)將變短。盡管第二Y負(fù)傾斜波形(NRY2)的電壓從0V或者基電壓(GND)減小，但是在掃描電極Y和維持電極Z之間的電壓差是最小的。
本發(fā)明的等離子顯示裝置能夠穩(wěn)定初始化，同時有效地抑制掃描電極Y和維持電極Z之間的放電。因此，當(dāng)前實施例由于撤消周期(SD)的減少，能夠保證更多的驅(qū)動時間，以及能夠穩(wěn)定撤消周期(SD)的初始化操作。
為了減少在維持放電中產(chǎn)生的空間電荷的量，將每個維持脈沖(FIRSTSUSP，SUSP，LSTSUSP)的上升周期和下降周期設(shè)置得相對較長，從320ns到360ns。
圖19示出用于解釋驅(qū)動本發(fā)明第五實施例的等離子顯示裝置的驅(qū)動方法的波形。圖19示出施加到高溫環(huán)境的驅(qū)動波形的波形。
參照圖19，在根據(jù)本發(fā)明的等離子顯示裝置的驅(qū)動方法中，在第(n-1)個子場(SFn-1)的后面的周期內(nèi)，將最后一個維持脈沖(LSTSUSP)施加到維持電極Z，該脈沖在近似為300μs到500μs的空間電荷衰退周期(Tdecay3)期內(nèi)保持為正維持電壓。然后將0V或者基電壓(GND)施加到維持電極Z。
在本發(fā)明的等離子顯示裝置的驅(qū)動方法中，在將正維持電壓(Vs)施加到所有的維持電極Z之后，在預(yù)定時間(Td2)過去后，把從0V或者基電壓(GND)下降到負(fù)電壓(-V1)的第一Y負(fù)傾斜波形(NRY1)施加到所有的掃描電極Y。因此，當(dāng)維持電極Z的電壓保持為該維持電壓(Vs)的時候，將第一Y負(fù)傾斜波形(NRY1)施加到掃描電極Y。
在根據(jù)本發(fā)明的等離子顯示裝置的驅(qū)動方法中，在將0V或者基電壓(GND)施加到掃描電極Y之后，把從維持電壓(Vs)逐漸減小到0V或者基電壓(GND)的第一Z負(fù)傾斜波形(NRZ1)施加到維持電極。
為了減少在維持放電中產(chǎn)生的空間電荷的量，將每個維持脈沖(FIRSTSUSP，SUSP，LSTSUSP)的上升周期和下降周期設(shè)置得相對較長，從大約320ns到360ns。
在高溫環(huán)境下由一系列驅(qū)動波形產(chǎn)生的空間電荷在第n個子場(SFn)之前幾乎被擦除或者改變?yōu)楸陔姾?。每個放電單元被初始化為具有如圖10a所示的壁電荷分布。
圖20是用于解釋本發(fā)明一個實施例的等離子顯示裝置的結(jié)構(gòu)的框圖。
參照圖20，本發(fā)明的等離子顯示裝置包括PDP 200、用于探測PDP200的溫度的溫度傳感器206、用于將數(shù)據(jù)提供給PDP 200的尋址電極X1到Xm的數(shù)據(jù)驅(qū)動器202、用于驅(qū)動PDP 200的掃描電極Y1到Y(jié)n的掃描驅(qū)動器203、用于驅(qū)動PDP 200的維持電極Z的維持驅(qū)動器204、用于根據(jù)PDP 200的溫度控制各個驅(qū)動器202、203和204的定時控制器201、和用于產(chǎn)生各個驅(qū)動器202、203和204所必需的驅(qū)動電壓的驅(qū)動電壓產(chǎn)生器205。
溫度傳感器206探測PDP的溫度，以產(chǎn)生探測電壓，把該探測電壓轉(zhuǎn)換為數(shù)字信號，并且把該數(shù)字信號提供給定時控制器201。
數(shù)據(jù)驅(qū)動器202提供有數(shù)據(jù)，該數(shù)據(jù)通過反轉(zhuǎn)伽馬校正電路(未示出)、誤差擴(kuò)散電路(未示出)等進(jìn)行反轉(zhuǎn)伽馬校正(inverse gammacorrection)、誤差擴(kuò)散(erroneous diffusion)等，并且通過子場映射(mapping)電路將該數(shù)據(jù)映射到預(yù)定的子場模型。如圖7，8，9，11，17，18和19所示，數(shù)據(jù)驅(qū)動器202在預(yù)復(fù)位周期(PRERP)、復(fù)位周期(RP)和維持周期(SP)期內(nèi)將0V或者基電壓施加到尋址電極X1到Xm。數(shù)據(jù)驅(qū)動器202在定時控制器201的控制下在每個子場的尋址周期(AP)期內(nèi)采樣并且鎖存數(shù)據(jù)，然后把數(shù)據(jù)電壓(Va)提供給尋址電極X1到Xm。
如圖7、8、9、11、17、18和19所示，在定時控制器201的控制下，掃描驅(qū)動器203在預(yù)復(fù)位周期(PRERP)和復(fù)位周期(RP)期內(nèi)把傾斜波形(NRY1，PRY1，PRY2、NRY2)提供給掃描電極Y1到Y(jié)n，以初始化所有的放電單元，并且然后把掃描脈沖(SCNP)連續(xù)地施加到掃描電極Y1到Y(jié)n，以在尋址周期(AP)期內(nèi)選擇其上提供有數(shù)據(jù)的掃描線。
當(dāng)PDP的溫度是高的時候，掃描驅(qū)動器203把其上升周期和下降周期近似為340ns±20ns的維持脈沖(FSTSUSP，SUSP)提供給掃描電極Y1到Y(jié)n，以在維持周期(SP)期間在所選的導(dǎo)通單元內(nèi)產(chǎn)生維持放電。
如圖6、8、14到23所示，在定時控制器201的控制下，維持驅(qū)動器204把傾斜波形(NRZ1，NRZ2)提供給維持電極Z，以在預(yù)復(fù)位周期(PRERP)和復(fù)位周期(RP)內(nèi)初始化所有的放電單元，并且然后在尋址周期(AP)內(nèi)把Z偏置電壓(Vzb)提供給維持電極Z。維持驅(qū)動器204與掃描驅(qū)動器203交替工作，以在維持周期(SP)內(nèi)把維持脈沖(FSTSUSP，SUSP，LSTSUSP)提供給維持電極Z。
當(dāng)PDP的溫度是高的時候，在維持驅(qū)動器204中產(chǎn)生的最后一個維持脈沖(LSTSUSP)的脈寬是長的，為300μs±50μs。每個維持脈沖(FSTSUSP，SUSP，LSTSUSP)的上升周期和下降周期近似為340ns±20ns。
定時控制器201接受垂直/水平同步信號和時鐘信號，以產(chǎn)生各個驅(qū)動器202、203和204所必需的定時控制信號(CTRX，CTRY，CTRZ)。定時控制器201把定時控制信號(CTRX，CTRY，CTRZ)提供給對應(yīng)的驅(qū)動器202、203和204，以控制各個驅(qū)動器202、203和204。
提供給數(shù)據(jù)驅(qū)動器202的定時控制信號(CTRX)包括用于采用數(shù)據(jù)的采樣時鐘、鎖存控制信號、和用于控制能量恢復(fù)電路和驅(qū)動開關(guān)元件的導(dǎo)通/截止時間的開關(guān)控制信號。施加到掃描驅(qū)動器203的定時控制信號(CTRY)包括用于控制掃描驅(qū)動器203內(nèi)的能量恢復(fù)電路和驅(qū)動開關(guān)元件的導(dǎo)通/截止時間的開關(guān)控制信號。施加到維持驅(qū)動器204的定時控制信號(CTRZ)包括用于控制維持驅(qū)動器204內(nèi)的能量恢復(fù)電路和驅(qū)動開關(guān)元件的導(dǎo)通/截止時間的開關(guān)控制信號。
當(dāng)PDP的溫度是高的時候，定時控制器201從溫度傳感器206接收輸出電壓，以控制掃描驅(qū)動器203和維持驅(qū)動器204，使得最后一個維持脈沖(LSTSUSP)的脈寬近似為300μs±50μs，并且還控制掃描驅(qū)動器203和維持驅(qū)動器204，使得維持脈沖(FSTSUSP，SUSP，LSTSUSP)的上升周期和下降周期近似為340ns±20ns。定時控制器201控制掃描驅(qū)動器203和維持驅(qū)動器204，使得在第一Y負(fù)傾斜波形(NRY1)之前把正維持電壓(Vs)施加到維持電極Z。
驅(qū)動電壓產(chǎn)生器205產(chǎn)生提供給PDP 200的驅(qū)動電壓，也即示于圖6、8和14到23的電壓(Vry，Vs，-V1，-V2，-Vy，Va，Vyb，Vzb)。這些驅(qū)動電壓能夠根據(jù)放電特性或者放電氣體的成分而改變，它們因PDP200的分辨率、模式而不同。
如此描述的本發(fā)明可以以不同的方式改變。不認(rèn)為這種變化脫離了本發(fā)明的精神或者范疇，并且這種對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來說應(yīng)該是顯而易見的所有修改包括在下列權(quán)利要求的范疇內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種等離子顯示裝置，包括等離子顯示面板(PDP)，其包括掃描電極和維持電極；驅(qū)動器，其用于在一個或者多個子場的復(fù)位周期之前將預(yù)復(fù)位波形施加到該掃描電極或者該維持電極；和控制器，其用于根據(jù)該PDP的溫度或者該PDP的環(huán)境溫度控制位于在第(n-1)個子場(其中n是正整數(shù))的維持周期內(nèi)施加到該掃描電極或者該維持電極的最后一個維持脈沖和在第n個子場的復(fù)位周期內(nèi)施加到該掃描電極的初始化信號之間的周期。
2.如權(quán)利要求1所述的等離子顯示裝置，其中該控制器在該PDP的溫度或者該PDP的環(huán)境溫度變高的時候，把在第(n-1)個子場(其中n是正整數(shù))的維持周期內(nèi)產(chǎn)生的該最后一個維持脈沖和在第n個子場的該復(fù)位周期內(nèi)產(chǎn)生的初始化信號之間的時間周期設(shè)置得比室溫下的時間周期更長。
3.如權(quán)利要求2所述的等離子顯示裝置，其中在第(n-1)個子場的維持周期內(nèi)產(chǎn)生的最后一個維持脈沖和在第n個子場的復(fù)位周期內(nèi)產(chǎn)生的初始化信號之間的時間周期在近似1001μs到1ms的范圍內(nèi)。
4.如權(quán)利要求1所述的等離子顯示裝置，其中當(dāng)該PDP的溫度或者該PDP的環(huán)境溫度高于室溫時，該控制器控制該維持脈沖的上升周期和下降周期為近似320ns到360ns。
5.如權(quán)利要求1所述的等離子顯示裝置，其中該最后一個維持脈沖的寬度為1μs到1ms。
6.如權(quán)利要求1所述的等離子顯示裝置，其中在將該最后一個維持脈沖施加到該掃描電極或者該維持電極之后，將該掃描電極或者該維持電極的電壓保持為接地電平電壓。
7.如權(quán)利要求6所述的等離子顯示裝置，其中該掃描電極或者該維持電極的該電壓保持為該接地電平電壓的那個周期的時間長度為100μs到1ms。
8.如權(quán)利要求1所述的等離子顯示裝置，其中該預(yù)復(fù)位波形是在一幀的多個子場中至少之一的復(fù)位周期之前施加的。
9.如權(quán)利要求8所述的等離子顯示裝置，其中該預(yù)復(fù)位波形是在該幀的多個子場中具有最低灰度值權(quán)重的子場的復(fù)位周期之前施加的。
10.一種等離子顯示裝置，包括PDP，其包括掃描電極和維持電極；驅(qū)動器，其用于控制在一個或者多個子場的復(fù)位周期之前施加到該掃描電極或者該維持電極的預(yù)復(fù)位波形；和控制器，當(dāng)該PDP的溫度或者該PDP的環(huán)境溫度充分高的時候，用于控制提供給該掃描電極或者該維持電極的最后一個維持脈沖的提供點和下一個子場的初始化信號的提供點之間的距離。
11.如權(quán)利要求10所述的等離子顯示裝置，其中該PDP的所述高溫或者該PDP的該環(huán)境溫度是40℃或者更高。
12.如權(quán)利要求10所述的等離子顯示裝置，其中該最后一個維持脈沖的提供點和下一個子場的初始化信號的提供點之間的距離是根據(jù)最后一個維持脈沖的寬度來確定的。
13.如權(quán)利要求11所述的等離子顯示裝置，其中該最后一個維持脈沖的該寬度是1μs到1ms。
14.如權(quán)利要求11所述的等離子顯示裝置，其中在將最后一個維持脈沖施加到該掃描電極或者該維持電極之后，將該掃描電極或者該維持電極的電壓保持為接地電平電壓。
15.一種等離子顯示裝置的驅(qū)動方法，其驅(qū)動包括掃描電極和維持電極的PDP，該方法包括步驟在復(fù)位周期之前在該掃描電極或者該維持電極之前提供預(yù)復(fù)位周期；以及用于根據(jù)該PDP的溫度或者該PDP的環(huán)境溫度控制在第(n-1)個子場(其中n是正整數(shù))的維持周期內(nèi)施加到該掃描電極或者該維持電極的最后一個維持脈沖和在第n個子場的復(fù)位周期內(nèi)施加到該掃描電極的初始化信號之間的周期。
16.如權(quán)利要求15所述的驅(qū)動方法，其中在第(n-1)個子場的維持周期內(nèi)產(chǎn)生的最后一個維持脈沖和在第n個子場的復(fù)位周期內(nèi)產(chǎn)生的初始化信號之間的周期近似為100μs到1ms。
17.如權(quán)利要求15所述的驅(qū)動方法，其中在該維持周期內(nèi)施加到該掃描電極或者該維持電極的維持脈沖的上升時間周期和下降時間周期近似為320ns到360ns。
18.如權(quán)利要求15所述的驅(qū)動方法，其中該最后一個維持脈沖的寬度為1μs到1ms。
19.如權(quán)利要求15所述的驅(qū)動方法，其中在對該掃描電極或者該維持電極提供該最后一個維持脈沖結(jié)束后，將該掃描電極或者該維持電極的電壓保持為接地電平電壓。
20.如權(quán)利要求19所述的驅(qū)動方法，其中該掃描電極或者該維持電極的電壓保持為接地電平電壓的那個時間周期的長度為100μs到1ms。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種等離子顯示裝置及其驅(qū)動方法。本發(fā)明的等離子顯示裝置包括具有掃描電極和維持電極的等離子顯示面板(PDP)、用于在一個或者多個子場的復(fù)位周期之前將預(yù)復(fù)位波形施加到該掃描電極或者該維持電極的驅(qū)動器、以及用于根據(jù)該PDP的溫度或者該PDP的環(huán)境溫度控制在第(n－1)個子場(其中n是正整數(shù))的維持周期內(nèi)施加到該掃描電極或者該維持電極的最后一個維持脈沖和在第n個子場的復(fù)位周期內(nèi)施加到該掃描電極的初始化信號之間的周期的控制器。
文檔編號G09G3/288GK1776788SQ2005101251
公開日2006年5月24日 申請日期2005年11月21日 優(yōu)先權(quán)日2004年11月19日
發(fā)明者鄭允權(quán) 申請人:Lg電子株式會社