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      等離子體顯示裝置及其驅(qū)動(dòng)方法

      文檔序號:2613788閱讀:128來源:國知局
      專利名稱:等離子體顯示裝置及其驅(qū)動(dòng)方法
      技術(shù)領(lǐng)域
      本發(fā)明涉及一種具有等離子體顯示面板(PDP)的等離子體顯示裝置,及其驅(qū)動(dòng)方法。
      背景技術(shù)
      等離子體顯示裝置是一種利用由氣體放電生成的等離子體來顯示字符或圖像的平板顯示器。它根據(jù)其大小包括等離子體顯示板(PDP),其中幾十到上百萬的放電室以矩陣格式排列。
      根據(jù)PDP的驅(qū)動(dòng)方法,幀被分成多個(gè)具有各自亮度權(quán)重值的子場,并且子場被時(shí)分控制以由此表示灰度級。每個(gè)子場包括復(fù)位周期、尋址周期和維持周期。
      復(fù)位周期是用于初始化每個(gè)放電室以利于對放電室的尋址操作,并且尋址周期是用于選擇點(diǎn)亮放電室(或點(diǎn)火放電室),所述點(diǎn)亮放電室是應(yīng)該被點(diǎn)亮以顯示預(yù)期圖像的放電室。即,在尋址周期中,掃描脈沖(或信號)被順序施加到多個(gè)掃描電極,并且尋址脈沖(或信號)被施加到尋址電極。
      這里,尋址放電產(chǎn)生于掃描脈沖和尋址脈沖被同時(shí)施加的放電室中。在維持周期,交替(或重復(fù)和交替)具有高電平電壓和低電平電壓的維持放電脈沖(或信號)被施加到掃描電極和維持電極。這里,施加到掃描電極的維持脈沖相位與施加到維持電極的維持脈沖相位相反。
      圖1示出了傳統(tǒng)PDP中表示灰度級的傳統(tǒng)方法。
      如圖1所示,在尋址操作被順序應(yīng)用到從第一掃描電極線Y1到最后掃描電極線Yn的掃描電極線之后,在維持周期期間維持放電操作同時(shí)應(yīng)用于所有的放電室。
      根據(jù)圖1的驅(qū)動(dòng)方法,當(dāng)尋址操作被應(yīng)用到掃描電極線時(shí),在尋址操作被應(yīng)用到最后掃描電極線之后,在掃描電極線執(zhí)行維持放電操作。因此,放電室中的尋址操作和維持放電操作之間的時(shí)間間隔可以足夠長以引起不穩(wěn)定的維持放電操作。

      發(fā)明內(nèi)容
      本發(fā)明的一個(gè)方面提供一種可以減少尋址操作和維持放電操作之間的時(shí)間間隔的等離子體顯示設(shè)備。
      本發(fā)明的另一方面提供一種用于驅(qū)動(dòng)等離子體顯示設(shè)備的驅(qū)動(dòng)方法,其能夠減少尋址操作和維持放電操作之間的時(shí)間間隔。
      在本發(fā)明的實(shí)施例中,提供一種驅(qū)動(dòng)等離子體顯示設(shè)備的驅(qū)動(dòng)方法,該等離子體顯示設(shè)備包括多個(gè)第一電極和多個(gè)第二電極,其中多個(gè)第二電極被分成包括第一組和第二組的多個(gè)組。所述驅(qū)動(dòng)方法包括在包括多個(gè)尋址周期和多個(gè)維持周期的至少一個(gè)子場中,尋址周期具有與第一組相對應(yīng)的至少一個(gè)尋址周期和與第二組相對應(yīng)的至少一個(gè)尋址周期,并且所述維持周期具有與第一組相對應(yīng)的至少一個(gè)維持周期和與第二組相對應(yīng)的至少一個(gè)維持周期,在第一組的至少一個(gè)尋址周期和第二組的至少一個(gè)尋址周期從第一組和第二組的放電室中選擇將要顯示的放電室;并根據(jù)自動(dòng)功率控制(APC)電平確定至少一個(gè)第一維持放電脈沖的第一脈沖寬度,在多個(gè)維持周期的第一維持周期期間施加至少一個(gè)第一維持放電脈沖,第一維持周期在第一組的至少一個(gè)尋址周期和第二組的至少一個(gè)尋址周期之間。
      在本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施例中,提供一種等離子體顯示設(shè)備。所述等離子體顯示設(shè)備包括等離子體顯示面板(PDP)和控制器。PDP包括多個(gè)第一電極和多個(gè)第二電極??刂破魃捎糜隍?qū)動(dòng)PDP的控制信號,并通過輸入視頻信號確定自動(dòng)功率控制(APC)電平。多個(gè)第二電極被分成包括第一組和第二組的多個(gè)組。在包括多個(gè)尋址周期和多個(gè)維持周期的至少一個(gè)子場中,所述尋址周期具有與第一組相對應(yīng)的至少一個(gè)尋址周期和與第二組相對應(yīng)的至少一個(gè)尋址周期,并且所述維持周期具有與第一組相對應(yīng)的至少一個(gè)維持周期和與第二組相對應(yīng)的至少一個(gè)維持周期,所述控制器在第一組的至少一個(gè)尋址周期和第二組的至少一個(gè)尋址周期期間從第一組和第二組的放電室中選擇將要顯示的放電室,并且根據(jù)APC電平確定至少一個(gè)第一維持放電脈沖的第一脈沖寬度,至少一個(gè)第一維持放電脈沖在多個(gè)維持周期的第一維持周期期間被施加,第一維持周期在第一組的至少一個(gè)尋址周期和第二組的至少一個(gè)尋址周期之間。


      附圖和說明書舉例說明了本發(fā)明的示例性實(shí)施例,并且結(jié)合如下說明來解釋本發(fā)明的原理。
      圖1示出了用于表示等離子體顯示面板(PDP)中的灰度級的傳統(tǒng)方法。
      圖2是根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例的等離子體顯示設(shè)備的示意圖。
      圖3示出了用于驅(qū)動(dòng)等離子體顯示設(shè)備的方法,其將掃描電極分成多個(gè)組(例如,n組),并對于每個(gè)組驅(qū)動(dòng)從一幀劃分的多個(gè)子場。
      圖4說明了根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例將等離子體顯示面板(PDP)的掃描電極分成四組的例子。
      圖5示出了根據(jù)本發(fā)明的第一示例性實(shí)施例的等離子體顯示設(shè)備的驅(qū)動(dòng)波形圖。
      圖6A和圖6B示出了根據(jù)圖5所示的驅(qū)動(dòng)波形的應(yīng)用的壁電荷的分布狀態(tài)。
      圖7示出了運(yùn)用圖5所示的驅(qū)動(dòng)波形的控制器的過程。
      圖8示出了根據(jù)本發(fā)明的第二示例性實(shí)施例的等離子體顯示設(shè)備的驅(qū)動(dòng)波形圖。
      具體實(shí)施例方式
      在下面的詳細(xì)描述中,簡單地通過示例,僅描述和示出了本發(fā)明的特定示例性實(shí)施例。本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)該理解,在不脫離本發(fā)明的精神或范圍的情況下,可以以多個(gè)不同方式對所描述的實(shí)施例進(jìn)行修改。因此,附圖和說明實(shí)質(zhì)上應(yīng)被看作是說明性的而非限制性的。在全文中相同的附圖標(biāo)記指代相同的元件。
      在下面的描述中所述的壁電荷是指在接近放電室的電極的壁(例如,介電層)上形成和累積的電荷。這里,壁電荷可以描述為“形成”或“累積”在電極上,即使壁電荷實(shí)際上可以接觸電極。此外,壁電壓是指由壁電荷在放電室的壁上形成的電勢差。
      將參考圖2描述根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例的等離子體顯示設(shè)備。
      如圖2所示,等離子體顯示設(shè)備包括等離子體顯示面板(PDP)100、控制器200、尋址電極驅(qū)動(dòng)器300、掃描電極驅(qū)動(dòng)器400、和維持電極驅(qū)動(dòng)器500。PDP 100包括在列方向上延伸的多個(gè)尋址電極A1到Am,以及在行方向上延伸的多個(gè)維持電極X1到Xn和多個(gè)掃描電極Y1到Y(jié)n。多個(gè)掃描電極Y1到Y(jié)n和多個(gè)維持電極X1到Xn分別成對排列。放電室由與尋址電極交叉的掃描和維持電極對形成。
      控制器200接收外部視頻信號,并生成尋址電極驅(qū)動(dòng)控制信號、維持電極驅(qū)動(dòng)控制信號和掃描電極驅(qū)動(dòng)控制信號。而且,控制器200將一幀分成多個(gè)子場,其中每個(gè)子場按照時(shí)間方式包括復(fù)位周期、尋址周期和維持周期。在從控制器200接收尋址電極驅(qū)動(dòng)控制信號之后,尋址電極驅(qū)動(dòng)器300將用于選擇將要點(diǎn)亮的放電室(點(diǎn)亮放電室或點(diǎn)火放電室)的顯示數(shù)據(jù)信號施加到各個(gè)尋址電極。
      掃描電極驅(qū)動(dòng)器400在從控制器200接收掃描電極驅(qū)動(dòng)控制信號之后將驅(qū)動(dòng)電壓施加到掃描電極。維持電極驅(qū)動(dòng)器500在從控制器200接收維持電極驅(qū)動(dòng)控制信號之后將驅(qū)動(dòng)電壓施加到維持電極。
      將參考圖3到圖5描述根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例用于驅(qū)動(dòng)等離子體顯示設(shè)備的方法。
      圖3是顯示PDP驅(qū)動(dòng)方法的方框圖,其中掃描電極線被分成多個(gè)組(例如,n組)并且對于各個(gè)組一個(gè)幀被分成多個(gè)子場。每個(gè)組通過8個(gè)子場的組合來表示灰度級。
      掃描電極線根據(jù)其的物理排列順序可以分成許多(預(yù)定數(shù)量)的組。例如,當(dāng)PDP包括800條、被分成8組的掃描電極線時(shí),第一組可以包括第一到第100掃描電極線,并且第二組可以包括第101到第200條掃描電極線。
      當(dāng)將掃描電極線分成多個(gè)組時(shí),每個(gè)組不必須由連續(xù)的掃描電極線形成。例如,每組可以包括由間隔(或預(yù)定間隔)隔開的掃描電極線。因此,第一組可以包括第一、第九、第十七、……和第8K+1掃描電極線,并且第二組可以包括第二、第十、第十八、……和第8K+2掃描電極線。另外,所述組可以由任何合適的方式形成,例如以完全隨機(jī)的方式。
      圖4是顯示在PDP中掃描電極線被分成4個(gè)組的例子的方框圖。一個(gè)子場可由復(fù)位周期R、尋址/維持組合周期T1、公共維持周期T2、和亮度校正周期T3表示。
      復(fù)位周期R是通過將復(fù)位脈沖(信號)施加到所有掃描電極線組來初始化PDP中每個(gè)放電室的壁電荷狀態(tài)的周期。
      在尋址/維持組合周期T1中,尋址操作AG1被順序從第一組G1的第一掃描電極線Y11應(yīng)用到最后掃描電極線Y1m。在完成第一組G1中的所有放電室的尋址操作AG1之后,至少兩個(gè)維持脈沖可以被施加到第一組G1的掃描電極線以執(zhí)行第一維持放電操作S11。
      在完成第一組G1的第一維持放電操作S11之后,尋址操作AG2被應(yīng)用到掃描電極線的第二組G2的每個(gè)放電室。
      當(dāng)完成尋址操作AG2時(shí),即,在完成第二組G2的所有掃描電極線的尋址操作之后,第一維持周期S21被施加到第二組G2。在這種情況下,第二維持周期S12被施加到已經(jīng)被施加了第一維持周期S11的第一組G1。當(dāng)在第一組G1的第一維持周期S11已經(jīng)表示了期望的灰度級時(shí),第二維持周期S12可不施加到第一組G1。對于還沒有施加尋址周期的那些放電室可以保持暫停狀態(tài)。
      當(dāng)完成第二組G2的第一維持周期S21時(shí),以上述方式尋址周期AG3和第一維持周期S31被施加到掃描電極線的第三組G3。在這種情況下,在第一維持周期S31被施加到第三組G3的同時(shí),第二維持周期S22可以被施加到第二組G2的放電室并且第三維持周期S13可以被施加到已經(jīng)施加了在前維持周期的第一組G1的放電室。當(dāng)已經(jīng)由第一組G1的第二維持周期S11和第二組G2的第一維持周期S21表示期望的灰度級時(shí),可以不施加另外的維持周期S13和S22。
      最后,當(dāng)?shù)谝痪S持周期S31結(jié)束時(shí),尋址周期AG4和第一維持周期S41以上述方式被施加到掃描電極線的第四組G4。在這種情況下,在第一維持周期S41被施加到第四組G4的同時(shí),第二維持周期S32可以被施加到第三組G3的放電室,第三維持周期S23可以被施加到第二組G2的放電室,并且第四維持周期S14可以被施加到已經(jīng)施加有在前維持周期的第一組G1的放電室。
      參考圖4,在一個(gè)維持周期被施加到一組掃描電極線的放電室的同時(shí),另外的維持周期可以被施加到已經(jīng)施加了在前維持周期的放電室。在這種情況下,假定施加了相同數(shù)目的維持脈沖,并且在單位維持周期期間實(shí)現(xiàn)了相同的亮度,則第一組G1的亮度可能是第n組Gn的亮度的n倍。同樣地,第二組G2的亮度可能是的n組Gn的亮度的n-1倍,并且第n-1組Gn-1的亮度可能是第n組Gn的亮度的2倍。這樣,另外的維持周期可以被施加以便校正各個(gè)組的這種亮度差。從而,在如圖4所示的一個(gè)實(shí)施例中,可以施加亮度校正周期T3。
      設(shè)計(jì)亮度校正周期T3以校正各個(gè)組的亮度差,這樣放電室具有對于各個(gè)組一致的灰度級。最后,在亮度校正周期T3維持放電被選擇性地施加到各個(gè)組。
      而且,可以施加公共維持周期T2。公共維持周期T2是公共維持脈沖被施加到所有放電室的周期。同樣,當(dāng)分配給各個(gè)子場的灰度級規(guī)范不足以由尋址/維持組合周期T1,或?qū)ぶ?維持組合周期T1和亮度校正周期T3來表示時(shí)可以應(yīng)用公共維持周期T2。如圖4所示,在尋址/維持組合周期T1之后和亮度校正周期T3之前可以應(yīng)用公共維持周期T2。或者,可以在亮度校正周期T3之后應(yīng)用公共維持周期T2。
      此外,可以根據(jù)子場的權(quán)重值可變地施加公共維持周期T2以便具有合適大小。
      而且,在一個(gè)實(shí)施例中,僅在尋址/維持組合周期T1中實(shí)現(xiàn)子場。
      這樣,考慮前述狀況,在完成一個(gè)組的尋址操作和維持放電操作之后,對其他組執(zhí)行(順序執(zhí)行)尋址操作和維持放電操作。即,例如,如圖4所示可以從第一組G1到第四組G4施加(或順序施加)尋址和維持周期。
      圖5是根據(jù)本發(fā)明的第一示例性實(shí)施例的等離子體顯示設(shè)備的驅(qū)動(dòng)波形圖,其中圖4的驅(qū)動(dòng)方法被應(yīng)用于掃描電極和維持電極X,所述掃描電極被分成兩個(gè)掃描電極組YG1和YG2。此外,圖6A和圖6B說明了根據(jù)圖5的驅(qū)動(dòng)波形的應(yīng)用的壁電荷分布狀況。
      設(shè)計(jì)復(fù)位周期R以通過將復(fù)位波形施加到第一和第二組掃描電極線YG1和YG2來初始化每個(gè)放電室的壁電荷狀態(tài)。
      在尋址/維持組合周期T1中,尋址周期AG1和維持周期S11首先被施加到第一組YG1。當(dāng)維持周期S11結(jié)束時(shí),尋址周期AG2被施加到第二組YG2。第二維持周期S12然后被施加到第一組YG1,同時(shí)第一維持周期S21被同時(shí)(共同)施加到第二組YG2。
      而且,尋址/維持組合周期T1的尋址周期AG1被施加到第一組掃描電極YG1。在尋址周期AG1,具有電壓VscL的掃描脈沖(或信號)被依次施加以選擇第一組掃描電極YG1,同時(shí)第二組YG2的第二電極被偏置到電壓VscH。盡管未示出,尋址電壓被施加到尋址電極以便在由施加了掃描脈沖的掃描電極所定義的放電室中尋址(即,選擇、點(diǎn)亮)期望的放電室。因此,通過尋址電壓和電壓VscL的電壓差以及通過由壁電荷在尋址和掃描電極上形成的壁電壓產(chǎn)生尋址放電,因此在掃描和維持電極之間形成壁電壓。
      在尋址/維持組合周期T1的維持周期S11,維持放電脈沖(信號)交替施加到第一和第二組掃描電極YG1和YG2和維持電極X。在圖5中,示出了維持脈沖(信號)被施加到第一和第二組掃描電極YG1和YG2以及維持電極X一次。維持脈沖可具有高電平電壓(圖5的Vs電壓)和低電平電壓(圖5的0V或VscH電壓)。Vs或Vs-VscH電壓以及壁電壓,產(chǎn)生維持放電。
      這里,在維持周期S11,當(dāng)電壓Vs被施加到第一和第二組掃描電極YG1和YG2,并且0V被施加到維持電極X時(shí),由第一和第二組掃描電極YG1和YG2以及尋址電極之間的尋址放電形成的正(或負(fù))壁電壓,以及第一組掃描電極YG1和維持電極X之間的電壓差Vs生成維持放電。
      結(jié)果,負(fù)(或正)壁電壓形成在掃描電極和維持電極X之間。在尋址/維持組合周期T1的維持周期S11中,盡管維持脈沖被施加到第二組掃描電極YG2,壁電壓未形成在掃描電極YG2和維持電極X之間。因此,在掃描電極YG2和維持電極X之間沒有產(chǎn)生維持放電。在完成第一組掃描電極YG1的尋址周期AG1和維持周期S11之后,尋址周期AG2可以被施加到第二組掃描電極YG2。
      在尋址/維持組合周期T1的尋址周期AG2中,具有電壓VscL的掃描脈沖(或信號)被順序施加以選擇第二組掃描電極YG2,同時(shí)第一組掃描電極YG2和第二組未選擇的掃描電極YG2被偏置在電壓VscH。
      如上所述,尋址電壓被施加到尋址電極以便在由施加了掃描脈沖的掃描電極線所定義的放電室中尋址(即,點(diǎn)亮)期望的放電室。在圖5中,示出了維持周期S11可以與尋址周期AG2重疊。然而,作為選擇這兩個(gè)周期S11和AG2可分隔開(或不重疊)。
      在尋址/維持組合周期T1的維持周期S21和S12中,交替具有電壓Vs或0V的維持脈沖被施加到第一和第二組掃描電極YG1和YG2。因此,在尋址周期AG2期間被選擇的第二組YG2的放電室和在尋址周期AG1期間被選擇的第一組YG1的放電室中產(chǎn)生維持放電。即,在尋址/維持組合周期T1,維持周期S21被施加到第二組YG2,同時(shí)第二維持周期S12被同時(shí)(或當(dāng)前地)施加到第一組YG1。
      在公共維持周期T2中,維持脈沖被交替施加到第一和第二組掃描電極YG1和YG2以及維持電極X以便在第一和第二組掃描電極YG1和YG2中產(chǎn)生公共維持放電。
      在亮度校正周期T3中,另一維持周期被施加到第二組YG2以便第一組YG1和第二組YG2的所選放電室可以基本上具有相同的亮度。即,在亮度校正周期T3中,僅僅在第二組YG2的所選放電室中產(chǎn)生維持放電。因此,在亮度校正周期T3中在第一組YG1的所選放電室中沒有產(chǎn)生維持放電。
      這里,當(dāng)具有電壓Vs的維持脈沖被施加到維持電極X時(shí),電壓Vs被施加到第一組掃描電極YG1,并且地電壓0V被施加到第二組掃描電極YG2。結(jié)果,由于在第一組掃描電極YG1和維持電極X之間的電壓差是0V,所以在第一組YG1的放電室中沒有產(chǎn)生放電,但是在第二組YG2的所選放電室中產(chǎn)生了維持放電。
      其后,0V被施加到維持電極X并且電壓Vs被施加到第一組掃描電極YG1和第二組掃描電極YG2。結(jié)果,由于在前的維持放電沒有產(chǎn)生并且形成了反極性的壁電壓,所以在第一組YG的放電室中仍然沒有產(chǎn)生維持放電,并僅在第二組YG2的放電室中產(chǎn)生維持放電。
      以這種方式,通過抑制第二組YG2的維持放電的數(shù)量與第一組YG1的維持放電的數(shù)量相同,第一組YG1的放電室具有與第二組YG2的放電室相同的亮度。
      因此,在圖5的子場中,在第一和第二組YG1和YG2的所選放電室中分別產(chǎn)生五次放電(以產(chǎn)生5個(gè)光發(fā)射)。
      當(dāng)PDP 100的溫度或PDP 100的環(huán)境溫度高時(shí),由于覆蓋掃描電極Y和維持電極X的MgO層的形成條件對于PDP 100的溫度非常敏感,所以在尋址電壓的施加期間可能產(chǎn)生低的放電。特別地,當(dāng)掃描脈沖稍后施加到掃描電極時(shí),在掃描電極Y和維持電極X上累積的壁電荷丟失在掃描電極Y和維持電極X之間的空間以便尋址放電不能適當(dāng)?shù)禺a(chǎn)生。
      在復(fù)位周期之后圖5的壁電荷狀態(tài)變成圖6A的壁電荷狀態(tài)。即,如圖6A所示,在復(fù)位周期之后和掃描脈沖的施加之前,負(fù)(-)壁電荷(或預(yù)定負(fù)(-)壁電荷)形成在第一和第二組掃描電極YG1和YG2以及維持電極X上,并且正(+)壁電荷(或預(yù)定正(+)壁電荷)形成在尋址電極A上。
      在尋址周期AG1和維持周期S11施加到第一組掃描電極YG1完成之后,尋址周期AG2被施加到第二組掃描電極YG2。因此,在尋址操作和維持放電被施加到第二組掃描電極YG2的同時(shí),大量的壁電荷丟失在電極之間的空間,由此在尋址周期AG2中施加電壓VscL之前已經(jīng)累積在電極上的大量壁電荷大量減少,如圖6B所示。
      特別地,當(dāng)在施加掃描脈沖之前PDP 100的溫度或環(huán)境溫度相對高時(shí),大量壁電荷丟失在電極之間的空間。在這種情況下,隨后施加有掃描脈沖的掃描電極被初始化成其上形成有相對少量正(+)壁電荷和負(fù)(-)壁電荷的狀態(tài)。
      因此,在一個(gè)實(shí)施例中,如圖5所示,由于當(dāng)脈沖寬度M1大于(寬于)脈沖寬度M2時(shí)負(fù)(-)壁電荷累積在第一和第二組掃描電極YG1和YG2上,通過將在尋址/維持組合周期T1的維持周期S11中施加到第一和第二組掃描電極YG1和YG2的電壓Vs的脈沖寬度M1設(shè)置成大于(寬于)在公共維持周期T2或亮度校正周期T3中典型的維持放電的脈沖寬度M2,來補(bǔ)償負(fù)(-)壁電荷的丟失。
      即,通過增加維持周期S11中的電壓Vs的脈沖寬度M1,延長用于將已經(jīng)丟失在掃描和維持電極之間的空間的負(fù)(-)壁電荷累積在掃描電極上的時(shí)間(或負(fù)(-)壁電荷累積時(shí)間)。因此,在尋址周期AG2中施加掃描脈沖之前將第二組掃描電極YG2初始化在圖6B的壁電荷狀態(tài),以便產(chǎn)生更穩(wěn)定的尋址放電。即,通過累積時(shí)間的上述延長來補(bǔ)償由于高溫導(dǎo)致的在尋址周期中壁電荷的低效累積。
      然而,因?yàn)榉峙浣o一個(gè)幀的時(shí)間是有限的,在尋址/維持組合周期T1的維持周期S11期間被施加到第一和第二組掃描電極YG1和YG2的電壓Vs的脈沖寬度M1不能太多地被延長。因此,根據(jù)分配給公共維持周期T2或亮度校正周期T3的時(shí)間確定電壓Vs的脈沖寬度M1。
      即,隨著施加到公共維持周期T2或亮度校正周期T3的維持放電脈沖的數(shù)量的增加,分配給公共維持周期T2或亮度校正周期T3的時(shí)間被延長,因此,在尋址/維持組合周期T1的維持周期S11期間施加的電壓Vs的脈沖寬度M1降低。
      相比,當(dāng)維持放電脈沖的數(shù)量降低時(shí),在尋址/維持組合周期T1的維持周期S11期間施加的電壓Vs的脈沖寬度M1被延長。
      將參考圖7描述根據(jù)本發(fā)明第一示例性實(shí)施例的等離子體顯示設(shè)備的控制器200的操作。
      圖7示出了根據(jù)本發(fā)明第一示例性實(shí)施例的控制器的操作。
      如圖7所示,根據(jù)自動(dòng)功率控制(APC)電平,控制器200控制在尋址/維持組合周期T1的維持周期S11期間施加的電壓Vs的脈沖寬度M1。
      這里,本實(shí)施例中的APC電平是指當(dāng)驅(qū)動(dòng)等離子體顯示設(shè)備時(shí)用于驅(qū)動(dòng)一個(gè)幀所消耗的功率量,并且功率消耗量可以通過根據(jù)APC電平控制維持放電脈沖的數(shù)量來控制。通常,當(dāng)APC電平低時(shí)最小化屏幕負(fù)載,然而當(dāng)APC電平高時(shí)屏幕負(fù)載增加以便控制維持放電脈沖的數(shù)量減少。
      因此,在所有幀中,隨著表示相對高灰度級的放電室的數(shù)量增加,APC電平增加,以便控制最大維持放電脈沖的數(shù)量減少,而隨著表示相對低的灰度級的放電室的數(shù)量增加,APC電平降低,以便控制最大維持放電脈沖的數(shù)量增加。
      如圖7所示,控制器200根據(jù)在輸入視頻信號中包括的紅(R)、綠(G)和藍(lán)(B)數(shù)據(jù)計(jì)算平均信號電平。
      這里,通過公式1計(jì)算每個(gè)幀的平均信號電平(ASL)。
      〔公式1〕ASL=&Sigma;x=1N&Sigma;y=1MRx,y+Gx,y+Bx,y3&times;N&times;M]]>在公式1中,Rx,y、Gx,y、和Bx,y分別表示在(x,y)的R、G、和B灰度級值,并且N和M分別表示每個(gè)幀的水平大小和垂直大小。
      首先,在步驟S410,控制器200基于平均信號電平來確定驅(qū)動(dòng)等離子體顯示設(shè)備所需的APC電平。然后,在步驟S420,控制器200比較確定的APC電平和參考APC電平(或預(yù)定參考APC電平)。此時(shí),在步驟S430,由于當(dāng)確定的APC電平大于參考APC電平時(shí)維持放電脈沖的數(shù)量降低,控制信號被輸出以控制尋址/維持組合周期的維持放電脈沖寬度增加,如圖5所示。
      然而,由于當(dāng)確定的APC電平小于(或不大于)參考APC電平時(shí)維持放電脈沖的數(shù)量增加,在步驟S440控制器200輸出典型的控制信號以控制尋址/維持組合周期的維持放電脈沖寬度對應(yīng)于(或基本上等于)寬度M2,如圖5所示,以便控制在維持周期中掃描電極Y和維持電極X之間的放電的出現(xiàn)。這里,參考APC電平對應(yīng)于尋址/維持公共周期尋址周期的維持脈沖寬度的APC電平,用于降低或防止在尋址周期中弱放電的出現(xiàn),并且參考APC電平可以試驗(yàn)性地獲得。
      因此,在圖5中,維持放電脈沖的數(shù)量隨著APC電平增加而降低,但是尋址/維持組合周期的維持脈沖寬度M1隨著APC電平增加而增加,由此進(jìn)一步降低或防止弱放電的出現(xiàn)。
      相反,維持放電脈沖的數(shù)量隨著APC電平降低而增加,以便在尋址周期AG2中尋址/維持組合周期的維持脈沖寬度M1被限制到可以仍然降低或防止弱放電發(fā)生在尋址周期AG2中的寬度。
      根據(jù)本發(fā)明的第一示例性實(shí)施例當(dāng)APC電平大于參考APC電平時(shí),通過增加維持脈沖寬度M1可以降低或防止弱放電出現(xiàn),但是如圖8所示,它也可以通過根據(jù)本發(fā)明第二示例性實(shí)施例中的等離子體顯示設(shè)備的驅(qū)動(dòng)波形增加尋址/維持組合周期的維持脈沖M1的電壓電平而被防止。
      如圖8所示,除了尋址/維持組合周期的維持脈沖的電壓電平被增加到電壓Vs1之外,第二示例性實(shí)施例也基本上與本發(fā)明的第一示例性實(shí)施例相同,因此不再提供進(jìn)一步詳細(xì)的描述。
      根據(jù)本發(fā)明的上述實(shí)施例,在具有多個(gè)掃描電極并且通過將多個(gè)掃描電極分成多個(gè)組來驅(qū)動(dòng)的等離子體顯示設(shè)備中,通過根據(jù)APC電平控制尋址/維持組合周期的電壓電平或維持脈沖寬度,可以降低或防止在高溫時(shí)弱放電的發(fā)生。
      雖然結(jié)合特定示例性實(shí)施例已經(jīng)描述了本發(fā)明,但本領(lǐng)域的技術(shù)人員應(yīng)該理解,本發(fā)明并不限于所公開的實(shí)施例,而是相反,其意在涵蓋包括在所附權(quán)利要求及其等效物的精神和范圍內(nèi)的各種變形。
      權(quán)利要求
      1.一種用于通過由一個(gè)幀所劃分的多個(gè)子場來驅(qū)動(dòng)等離子體顯示設(shè)備的驅(qū)動(dòng)方法,該等離子體顯示設(shè)備具有多個(gè)第一電極和多個(gè)第二電極,多個(gè)第二電極被分成包括第一組和第二組的多個(gè)組,所述驅(qū)動(dòng)方法包括在包括多個(gè)尋址周期和多個(gè)維持周期的至少一個(gè)子場中,尋址周期具有與第一組相對應(yīng)的至少一個(gè)尋址周期和與第二組相對應(yīng)的至少一個(gè)尋址周期,并且維持周期具有與第一組相對應(yīng)的至少一個(gè)維持周期和與第二組相對應(yīng)的至少一個(gè)維持周期,在第一組的至少一個(gè)尋址周期和第二組的至少一個(gè)尋址周期中從第一組和第二組的放電室中選擇將要顯示的放電室;和根據(jù)自動(dòng)功率控制(APC)電平確定至少一個(gè)第一維持放電脈沖的第一脈沖寬度,至少一個(gè)第一維持放電脈沖在多個(gè)維持周期的第一維持周期期間被施加,第一維持周期在第一組的至少一個(gè)尋址周期和第二組的至少一個(gè)尋址周期之間。
      2.如權(quán)利要求1所述的驅(qū)動(dòng)方法,還包括在多個(gè)維持周期的第二維持周期期間,將具有第二脈沖寬度的第二維持放電脈沖交替地施加到多個(gè)第一電極和多個(gè)第二電極,所述第二維持周期在第二組的至少一個(gè)尋址周期之后。
      3.如權(quán)利要求2所述的驅(qū)動(dòng)方法,其中當(dāng)APC電平大于參考電平時(shí),第一脈沖寬度大于第二脈沖寬度。
      4.如權(quán)利要求2所述的驅(qū)動(dòng)方法,其中當(dāng)APC電平不大于參考電平時(shí),第一脈沖寬度對應(yīng)于第二脈沖寬度。
      5.如權(quán)利要求2所述的驅(qū)動(dòng)方法,其中第一維持放電脈沖具有高于第二維持放電脈沖的電壓電平的電壓電平。
      6.如權(quán)利要求2所述的驅(qū)動(dòng)方法,其中當(dāng)APC電平大于第一參考電平時(shí),第一脈沖寬度更寬,并且當(dāng)APC電平不大于第一參考電平時(shí),第一脈沖寬度更窄。
      7.如權(quán)利要求2所述的驅(qū)動(dòng)方法,其中第二脈沖寬度不大于第一脈沖寬度。
      8.如權(quán)利要求2所述的驅(qū)動(dòng)方法,其中第二脈沖寬度小于第一脈沖寬度。
      9.如權(quán)利要求1所述的驅(qū)動(dòng)方法,其中當(dāng)APC電平大于參考電平時(shí)多個(gè)維持周期的第二維持周期中的第二維持放電脈沖的數(shù)量小于當(dāng)APC電平小于參考電平時(shí)第二維持周期中的第二維持放電脈沖的數(shù)量。
      10.如權(quán)利要求9所述的驅(qū)動(dòng)方法,還包括在第二維持周期期間,將具有第二脈沖寬度的第二維持放電脈沖交替地施加到多個(gè)第一電極和多個(gè)第二電極,所述第二維持周期在第二組的至少一個(gè)尋址周期之后,并且第二脈沖寬度不大于第一脈沖寬度。
      11.一種等離子體顯示設(shè)備,包括等離子體顯示面板(PDP),具有多個(gè)第一電極和多個(gè)第二電極;和控制器,用于產(chǎn)生驅(qū)動(dòng)PDP的控制信號并通過輸入視頻信號確定自動(dòng)功率控制(APC)電平,其中多個(gè)第二電極被分成包括第一組和第二組的多個(gè)組,并且在包括多個(gè)尋址周期和多個(gè)維持周期的至少一個(gè)子場中,所述尋址周期具有與第一組相對應(yīng)的至少一個(gè)尋址周期和與第二組相對應(yīng)的至少一個(gè)尋址周期,并且維持周期具有與第一組相對應(yīng)的至少一個(gè)維持周期和與第二組相對應(yīng)的至少一個(gè)維持周期,所述控制器在第一組的至少一個(gè)尋址周期和第二組的至少一個(gè)尋址周期期間,從第一組和第二組的放電室選擇將要顯示的放電室,和根據(jù)APC電平確定至少一個(gè)第一維持放電脈沖的第一脈沖寬度,所述至少一個(gè)第一維持放電脈沖在多個(gè)維持周期的第一維持周期期間被施加,所述第一維持周期在第一組的至少一個(gè)尋址周期和第二組的至少一個(gè)尋址周期之間。
      12.如權(quán)利要求11所述的等離子體顯示設(shè)備,其中在多個(gè)維持周期的第二維持周期期間,具有第二脈沖寬度的第二維持放電脈沖被交替地施加到多個(gè)第一電極和多個(gè)第二電極,所述第二維持周期在第二組的至少一個(gè)尋址周期之后。
      13.如權(quán)利要求12所述的等離子體顯示設(shè)備,其中當(dāng)APC電平大于參考電平時(shí),控制器將第一脈沖寬度增加到大于第二脈沖寬度。
      14.如權(quán)利要求12所述的等離子體顯示設(shè)備,其中當(dāng)APC電平不大于參考電平時(shí),控制器控制第一脈沖寬度使其基本上等于第二脈沖寬度。
      15.如權(quán)利要求12所述的等離子體顯示設(shè)備,其中當(dāng)APC電平大于第一參考電平時(shí)第一脈沖寬度更寬,并且當(dāng)APC電平不大于第一參考電平時(shí)第一脈沖寬度更窄。
      16.如權(quán)利要求12所述的等離子體顯示設(shè)備,其中第二脈沖寬度不大于第一脈沖寬度。
      17.如權(quán)利要求12所述的等離子體顯示設(shè)備,其中第二脈沖寬度小于第一脈沖寬度。
      18.如權(quán)利要求12所述的等離子體顯示設(shè)備,其中控制器將第一維持放電脈沖的電壓電平增加到大于第二維持放電脈沖的電壓電平。
      19.如權(quán)利要求11所述的等離子體顯示設(shè)備,其中控制器控制當(dāng)APC電平大于參考電平時(shí)多個(gè)維持周期的第二維持周期中的多個(gè)第二維持放電脈沖的數(shù)量小于當(dāng)APC電平小于參考電平時(shí)第二維持周期中第二維持放電脈沖的數(shù)量。
      20.如權(quán)利要求19所述的等離子體顯示設(shè)備,其中在第二維持周期期間,具有第二脈沖寬度的第二維持放電脈沖被交替地施加到多個(gè)第一電極和多個(gè)第二電極,所述第二維持周期在第二組的至少一個(gè)尋址周期之后,并且所述第二脈沖寬度不大于第一脈沖寬度。
      全文摘要
      一種等離子體顯示設(shè)備及其驅(qū)動(dòng)方法,通過將多個(gè)掃描電極分成多個(gè)組來驅(qū)動(dòng)等離子體顯示設(shè)備。在一個(gè)實(shí)施例中,為了補(bǔ)償當(dāng)?shù)入x子體顯示設(shè)備的溫度相對高時(shí)可能產(chǎn)生的弱放電,通過增加在各個(gè)組的尋址周期之間的維持周期期間施加的維持放電脈沖的寬度和/或通過增加其電壓電平,來補(bǔ)償丟失壁電荷的數(shù)量。在一個(gè)實(shí)施例中,維持放電脈沖寬度和/或電壓電平隨著一幀的自動(dòng)功率控制電平的增加而增加。
      文檔編號G09G3/288GK1967641SQ20061016037
      公開日2007年5月23日 申請日期2006年11月15日 優(yōu)先權(quán)日2005年11月15日
      發(fā)明者尹致暎 申請人:三星Sdi株式會社
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