專利名稱：：用于尋址具有基于鐵電薄膜晶體管的像素的有源矩陣顯示器的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明一般性涉及任何類型的有源矩陣顯示器(例如有源矩陣電泳顯示器和有源矩陣液晶顯示器)。本發(fā)明特別涉及用于采用多個(gè)像素的有源矩陣顯示器的尋址方案，每個(gè)像素具有鐵電薄膜晶體管形式的存儲(chǔ)元件。
背景技術(shù)：
：圖1示出了具有鐵電絕緣體層16的鐵電薄膜晶體管15,該鐵電絕緣體層可以是有機(jī)的或無(wú)機(jī)的。鐵電薄膜晶體管15進(jìn)一步具有柵電極G、源電極S和漏電極D,并且鐵電絕緣體層16在柵電極G和源電極F與漏電極D的組合之間。在操作中，鐵電薄膜晶體管15可以在通常稱為常開(kāi)狀態(tài)的傳導(dǎo)狀態(tài)和通常稱為常關(guān)狀態(tài)的非傳導(dǎo)狀態(tài)之間轉(zhuǎn)換，該轉(zhuǎn)換基于柵電壓V。和源電壓Vs之間的差分電壓Ves和漏電壓V。和源電壓Vs之間的差分電壓VDS,它們都具有在鐵電絕緣體層16上生成的電場(chǎng)高于與鐵電絕緣體層16相關(guān)聯(lián)的強(qiáng)制電場(chǎng)的幅度。特別的，都具有等于或小于負(fù)的轉(zhuǎn)換閾值-ST的幅度的差分電壓Ves和VDS在鐵電絕緣體層16上生成將鐵電薄膜晶體管15轉(zhuǎn)換到常開(kāi)狀態(tài)的電場(chǎng)。相反，都具有等于或大于正的轉(zhuǎn)換閾值+ST的幅度的差分電壓V6S和VDS在鐵電絕緣體層16上生成將鐵電薄膜晶體管15轉(zhuǎn)換到常關(guān)狀態(tài)的電場(chǎng)。
發(fā)明內(nèi)容鑒于在相應(yīng)像素的尋址周期期間選擇性地將每個(gè)鐵電薄膜晶體管在傳導(dǎo)狀態(tài)和非傳導(dǎo)狀態(tài)之間轉(zhuǎn)換，本發(fā)明提供了一種用于采用多個(gè)像素的有源矩陣顯示器的新的和唯一的尋址方案，每個(gè)像素具有鐵電薄膜晶體管形式的存儲(chǔ)元件。在本發(fā)明的一種形式中，顯示器包括行驅(qū)動(dòng)器、列驅(qū)動(dòng)器和像素，像素包括鐵電薄膜晶體管形式的存儲(chǔ)元件和可操作耦合到鐵電薄膜晶體管的顯示元件，該鐵電薄膜晶體管可操作耦合到行驅(qū)動(dòng)器和列驅(qū)動(dòng)器。行驅(qū)動(dòng)器和列驅(qū)動(dòng)器可操作地用于在像素的尋址周期的開(kāi)始階段、中間階段和結(jié)束階段期間對(duì)鐵電薄膜晶體管施加不同組的驅(qū)動(dòng)電壓。鐵電薄膜晶體管可操作用于在像素尋址周期的開(kāi)始階段期間響應(yīng)于由行驅(qū)動(dòng)器和列驅(qū)動(dòng)器施加到該鐵電薄膜晶體管的傳導(dǎo)行驅(qū)動(dòng)電壓和傳導(dǎo)列驅(qū)動(dòng)電壓而被設(shè)置到傳導(dǎo)狀態(tài)。鐵電薄膜晶體管還可操作用于在像素的尋址周期的中間階段期間響應(yīng)于由行驅(qū)動(dòng)器和列驅(qū)動(dòng)器施加到該鐵電薄膜晶體管的充電行驅(qū)動(dòng)電壓和充電列驅(qū)動(dòng)電壓促進(jìn)顯示元件的充電。鐵電薄膜晶體管還可以操作用于在像素的尋址周期的結(jié)束階段期間響應(yīng)于由行驅(qū)動(dòng)器和列驅(qū)動(dòng)器對(duì)該鐵電薄膜晶體管施加的非傳導(dǎo)行驅(qū)動(dòng)電壓和非傳導(dǎo)列驅(qū)動(dòng)電壓而重置到非傳導(dǎo)狀態(tài)。從以下結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明各實(shí)施例的詳細(xì)描述中，本發(fā)明的前述形式和其它形式以及本發(fā)明的各種特征和優(yōu)點(diǎn)將更清楚。詳細(xì)描述和附圖僅僅是對(duì)本發(fā)明的舉例說(shuō)明而不是限制，本發(fā)明的范圍由隨附權(quán)利要求和其等價(jià)物限定。圖1示出了當(dāng)前技術(shù)已知的鐵電晶體管的示意圖；圖2示出了依照本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的顯示器的框圖；圖3示出了依照本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的像素的示意圖；圖4示出了表示依照本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的有源矩陣顯示器尋址方案的流程圖5-11示出了表示依照本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的有源矩陣電泳顯示器尋址方案的流程圖12-14示出了表示本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的有源矩陣液晶顯示器尋址方案的流程圖。具體實(shí)施例方式圖2所示的本發(fā)明的顯示器20采用列驅(qū)動(dòng)器30、行驅(qū)動(dòng)器40、共有電極50(commonelectrode)、和XxY的^f象素P的矩陣。每個(gè)^f象素P采用鐵電薄膜晶體管形式的存儲(chǔ)元件和任何形式的顯示元件(例如電泳顯示元件和液晶顯示元件)。本發(fā)明對(duì)每個(gè)4象素P的存儲(chǔ)元件和顯示元件的結(jié)構(gòu)配置不強(qiáng)加任何限制或任何約束。因而，以下對(duì)像素P的存儲(chǔ)元件和顯示元件的示范實(shí)施例的描述不限制或約束依照本發(fā)明的每個(gè)像素P的存儲(chǔ)元件和顯示元件的結(jié)構(gòu)配置的范圍。圖3示出了本發(fā)明的鐵電薄膜晶體管形式的存儲(chǔ)元件60和顯示元件62。鐵電薄膜晶體管60具有能夠是有機(jī)或無(wú)機(jī)的鐵電絕緣體層61。鐵電薄膜晶體管60進(jìn)一步具有可操作與行驅(qū)動(dòng)器30(圖1)耦合的柵電極G、可操作與列驅(qū)動(dòng)器40(圖1)耦合的源電極S和可操作與顯示元件62耦合的漏電極D,顯示元件62也可操作與共有電極60(圖1)耦合。在替代實(shí)施例中，源電極可操作與顯示元件62耦合并且漏電極D可操作與列驅(qū)動(dòng)器40耦合。在操作中，可以由行驅(qū)動(dòng)器30向鐵電薄膜晶體管60的柵電極G施加行驅(qū)動(dòng)電壓W并且由列驅(qū)動(dòng)器40向鐵電薄膜晶體管60的源電極S施加列驅(qū)動(dòng)電壓Ve,從而顯示元件62能夠依賴于漏電極電壓V。E和共有電極電壓VcE之間的差^L選擇性地充電。本發(fā)明提供了由圖4所示的流程圖70表示的新的并且唯一的有源矩陣尋址方案，鑒于在顯示器20的幀速率、鐵電薄膜晶體管60的尺寸、和行驅(qū)動(dòng)電壓L的幅度最高限度之間實(shí)現(xiàn)最優(yōu)折衷同時(shí)消除了任何不良效果，該方案用于控制在像素的尋址周期的不同階段期間行驅(qū)動(dòng)電壓Va和列驅(qū)動(dòng)電壓Vc的不同幅度。參考圖3和圖4,流程圖70的步驟S72包括在像素的尋址周期的開(kāi)始階段向鐵電薄膜晶體管60的柵電極G施加作為傳導(dǎo)行驅(qū)動(dòng)電壓V腳的行驅(qū)動(dòng)電壓VK并且向鐵電薄膜晶體管60的源電極S施加作為傳導(dǎo)列驅(qū)動(dòng)電壓V卿的列驅(qū)動(dòng)電壓Ve。在這個(gè)開(kāi)始階段，傳導(dǎo)行驅(qū)動(dòng)電壓V腳和傳導(dǎo)列驅(qū)動(dòng)電壓V腳之間的差分電壓Ve^皮設(shè)計(jì)為小于或等于負(fù)的轉(zhuǎn)換閾值-ST,從而將鐵電薄膜晶體管60轉(zhuǎn)換到常開(kāi)狀態(tài)(即傳導(dǎo)狀態(tài))。流程圖70的步驟S74包括在像素的尋址周期的中間階段向鐵電薄膜晶體管60的柵電極G施加作為充電行驅(qū)動(dòng)電壓VIRD的行驅(qū)動(dòng)電壓Va并且向鐵電薄膜晶體管60的源電極S施加作為充電列驅(qū)動(dòng)電壓VieD的列驅(qū)動(dòng)電壓Ve。在這個(gè)中間階段，充電行驅(qū)動(dòng)電壓V，和充電列驅(qū)動(dòng)電壓VICD之間的差分電壓Ves被設(shè)計(jì)為小于正的轉(zhuǎn)換閾值+ST,從而鐵電薄膜晶體管6G被維持在常開(kāi)狀態(tài)。流程圖70的步驟S76包括在像素的尋址周期的結(jié)束階段向鐵電薄膜晶體管60的柵電極G施加作為非傳導(dǎo)行驅(qū)動(dòng)電壓V咖的行驅(qū)動(dòng)電壓VR并且向鐵電薄膜晶體管60的源電極S施加作為非傳導(dǎo)列驅(qū)動(dòng)電壓VECD的列驅(qū)動(dòng)電壓Ve。在這個(gè)結(jié)束階段，非傳導(dǎo)行驅(qū)動(dòng)電壓V哪和非傳導(dǎo)列驅(qū)動(dòng)電壓V，之間的差分電壓Ve^皮設(shè)計(jì)為等于或大于正的轉(zhuǎn)換闊值+ST,從而鐵電薄膜晶體管60被轉(zhuǎn)換到常關(guān)狀態(tài)(即非傳導(dǎo)狀態(tài))，該狀態(tài)導(dǎo)致在中間階段對(duì)像素的充電被像素保留。為了幫助理解圖70(圖4)中所體現(xiàn)的本發(fā)明的有源矩陣尋址方案，下面是對(duì)圖6-11所示的流程圖80中所體現(xiàn)的本發(fā)明的有源矩陣電泳尋址方案的描述。如圖5所示，將在如下環(huán)境中描述流程圖80:(1)基于30伏特的轉(zhuǎn)換閾值并且轉(zhuǎn)換時(shí)間是1微秒的3x3的像素矩陣，(2)顯示元件62的顯示元件電壓V皿是-15伏特/0伏特/+15伏特，(3)0伏特的共有電極電壓VeB，(4)像素P(11)-P(")的鐵電薄膜晶體管60初始^L設(shè)置為常關(guān)狀態(tài)，從而在顯示元件62兩端施加O伏特的電荷。參考圖6,流程圖80的步驟S82包括利用-15脈沖形式的傳導(dǎo)行驅(qū)動(dòng)電壓V腳掃描行R(1)-R(3),并且每個(gè)行掃描促進(jìn)了對(duì)每個(gè)被選擇用于顯示的像素選擇性施加+15脈沖形式的傳導(dǎo)列驅(qū)動(dòng)電壓V歸。下面的表1指定了對(duì)圖6所示的3x3像素矩陣的示范行掃描，其中在這個(gè)-15V顯示器尋址周期期間像素P(l2)、P(21)、P(32)被選擇用于顯示。表1<table>tableseeoriginaldocumentpage9</column></row><table>結(jié)果是如圖6所示像素P(12)、P(21)和P(32)的晶體管被轉(zhuǎn)換到常開(kāi)狀態(tài)(即傳導(dǎo)狀態(tài))，而剩余像素的晶體管維持在初始的常關(guān)狀態(tài)。參考圖7，流程圖80的步驟S84包括在-15V顯示器尋址周期的中間階段期間在行R(1)-R(3)上施加0伏特的充電行驅(qū)動(dòng)電壓V,并且在列C(1)-C(3)上施加-15伏特的充電列驅(qū)動(dòng)電壓VICD。結(jié)果是如圖7所示，P(12)、P(21)和P(32)將被充電到-15伏特用于顯示目的，而剩余像素的晶體管維持在初始的常關(guān)狀態(tài)。參考圖8，流程圖80的步驟S86包括在-15V顯示器尋址周期的結(jié)束階段期間在行R(1)-R(3)上施加+15伏特的非傳導(dǎo)行驅(qū)動(dòng)電壓VERD并且在列C(1)-C(3)上施加-15伏特的非傳導(dǎo)列驅(qū)動(dòng)電壓V咖。結(jié)果是如圖8所示所有晶體管纟皮設(shè)置到常關(guān)狀態(tài)，并且前先充電-15伏特的像素P(12)、P(21)和P(32)被保持用于顯示目的。參考圖9,流程圖80的步驟S88包括利用-15脈沖形式的傳導(dǎo)行驅(qū)動(dòng)電壓V腳掃描行R(1)-R(3)，并且每個(gè)行掃描促進(jìn)了對(duì)每個(gè)被選擇用于顯示的像素選擇性施加+15脈沖形式的傳導(dǎo)列驅(qū)動(dòng)電壓V腳。下面的表2指定了對(duì)圖9所示的3x3像素矩陣的示范行掃描，其中在這個(gè)+15V顯示器尋址周期期間像素P(11)、P(13)、P(33)被選擇用于顯示。表2<table>tableseeoriginaldocumentpage10</column></row><table>結(jié)果是如圖9所示像素P(11)、P(13)和P(33)的晶體管被轉(zhuǎn)換到常開(kāi)狀態(tài)(即傳導(dǎo)狀態(tài))，而剩余像素的晶體管維持在初始的常關(guān)狀態(tài)。參考圖10,流程圖80的步驟S90包括在+15V顯示器尋址周期的中間階l殳期間在行R(1)-R(3)上施加0伏特的充電4亍驅(qū)動(dòng)電壓VIRD，并且在列C(1)-C(3)上施加+15伏特的充電列驅(qū)動(dòng)電壓VIM。結(jié)果是如圖IO所示，P(12)、P(21)和P(32)先前充電的-15伏特被保留用于顯示目的，像素P(11)、P(13)和P(33)將被充電到+15伏特用于顯示目的，而剩余像素的晶體管維持在初始的常關(guān)狀態(tài)。參考圖11，流程圖80的步驟S92包括在+15V顯示器尋址周期的結(jié)束階段期間在行R(1)-R(3)上施加+15伏特的非傳導(dǎo)行驅(qū)動(dòng)電壓VERD,并且在列C(1)-C(3)上施加-15伏特的非傳導(dǎo)列驅(qū)動(dòng)電壓VEeD。結(jié)果是如圖11所示，所有晶體管一皮設(shè)置為常關(guān)狀態(tài)，P(12)、P(21)和P(32)先前充電的-15伏特被保留用于顯示目的，像素P(ll)、P(13)和P(33)先前充電的+15伏特不明確但是足夠用于顯示目的。用于基于晶體管60的寬度/長(zhǎng)度比為20尋址3x3像素矩陣的總時(shí)間等于步驟S82:(3行xl微秒)+步驟384:(-15伏特充電時(shí)間)+步驟S86:(l微秒)+步驟S88:(3行x1微秒)+步驟S90:(+15伏特充電時(shí)間)+步驟S92:(l微秒)，并且用于尋址一個(gè)或更多附加行的總時(shí)間是每個(gè)附加行增加2微秒。這支持較大面板和具有低場(chǎng)效應(yīng)遷移性的小晶體管60的有利使用。為了進(jìn)一步促進(jìn)理解圖70(圖4)中所體現(xiàn)的本發(fā)明的有源矩陣尋址方案，下面描述圖12-14所示的流程圖100所體現(xiàn)的本發(fā)明的有源矩陣液晶尋址方案。如圖12-14所示，將在轉(zhuǎn)換閾值為30V的環(huán)境中描述流程圖100。另外，實(shí)際上，使用流程圖100所表示的有源矩陣液晶尋址方案的顯示器是一次一行地尋址。因此，本領(lǐng)域技術(shù)人員將理解，流程圖IOO表示為每一行重復(fù)的單行掃描的方案。參考圖12,流程圖100的步驟S102包括在顯示器尋址周期的開(kāi)始階段期間向被掃描行的每一個(gè)晶體管60施加-V的傳導(dǎo)行驅(qū)動(dòng)電壓V哪和施加+V的傳導(dǎo)列驅(qū)動(dòng)電壓VBeD。結(jié)果是被掃描行的所有晶體管60將被轉(zhuǎn)換到常開(kāi)狀態(tài)。參考圖13,流程圖100的步驟S104包括在顯示器尋址周期的中間階段期間向被掃描行的每一個(gè)晶體管60施加O伏特的充電行驅(qū)動(dòng)電壓V和施加在+V和-V之間的充電列驅(qū)動(dòng)電壓VIM。結(jié)果是^皮掃描行的每一個(gè)像素顯示元件62將;^皮適當(dāng)充電用于顯示目的。參考圖14,流程圖100的步驟S106包括在那一行的顯示器尋址周期的結(jié)束階段期間向被掃描行的每一個(gè)晶體管60施加+V的充電行驅(qū)動(dòng)電壓V，和施加-V的非傳導(dǎo)列驅(qū)動(dòng)電壓VBeD。結(jié)果是被掃描行的所有晶體管60將被轉(zhuǎn)換到常關(guān)狀態(tài)(即非傳導(dǎo)狀態(tài))，從而所有先前的充電被被掃描行的每個(gè)像素顯示元件62保持。參考圖2-14,本領(lǐng)域的一般技術(shù)人員將理解的是，本發(fā)明的許多優(yōu)點(diǎn)包括但是不限于提供了從使用鐵電薄膜晶體管作為像素的存儲(chǔ)元件得到各種好處的尋址方案。盡管這里公開(kāi)的本發(fā)明的實(shí)施例當(dāng)前考慮是優(yōu)選的，但是可以對(duì)其做各種變化和修改而不偏離本發(fā)明的精神和范圍。本發(fā)明的范圍由隨附權(quán)利要求指定，并且旨在將在等價(jià)物的意義和范圍內(nèi)的所有變化包括在其內(nèi)。權(quán)利要求1.一種顯示器(20)，包括:行驅(qū)動(dòng)器(30)；列驅(qū)動(dòng)器(40)；像素(P)，包括鐵電薄膜晶體管(60)形式的存儲(chǔ)元件，其可操作耦合到行驅(qū)動(dòng)器(30)和列驅(qū)動(dòng)器(40)，和可操作耦合到該鐵電薄膜晶體管(60)的顯示元件(62)；其中行驅(qū)動(dòng)器(30)和列驅(qū)動(dòng)器(40)可操作用于在像素(P)的尋址周期的開(kāi)始階段、中間階段和結(jié)束階段期間向鐵電薄膜晶體管(60)施加不同的驅(qū)動(dòng)電壓；其中鐵電薄膜晶體管(60)可操作用于在像素(P)的尋址周期的開(kāi)始階段期間響應(yīng)于由行驅(qū)動(dòng)器(30)和列驅(qū)動(dòng)器(40)向該鐵電薄膜晶體管(60)施加的傳導(dǎo)行驅(qū)動(dòng)電壓和傳導(dǎo)列驅(qū)動(dòng)電壓而被設(shè)置到傳導(dǎo)狀態(tài)；其中鐵電薄膜晶體管(60)還可以操作用于在像素(P)的尋址周期的中間階段期間響應(yīng)于由行驅(qū)動(dòng)器(30)和列驅(qū)動(dòng)器(40)施加到該鐵電薄膜晶體管(60)的充電行驅(qū)動(dòng)電壓和充電列驅(qū)動(dòng)電壓而促進(jìn)顯示元件(62)的充電；和其中鐵電薄膜晶體管(60)還可以操作用于在像素(P)的尋址周期的結(jié)束階段響應(yīng)于由行驅(qū)動(dòng)器(30)和列驅(qū)動(dòng)器(40)施加到該鐵電薄膜晶體管(60)的非傳導(dǎo)行驅(qū)動(dòng)電壓和非傳導(dǎo)列驅(qū)動(dòng)電壓而被重置到非傳導(dǎo)狀態(tài)。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示器(20),其中行驅(qū)動(dòng)器(30)在像素(P)的尋址周期的開(kāi)始階段期間與鐵電薄膜晶體管(60)的柵電極(G)進(jìn)行電通信以便促進(jìn)向鐵電薄膜晶體管(60)的柵電極(G)施加傳導(dǎo)行驅(qū)動(dòng)電壓。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示器(20),其中行驅(qū)動(dòng)器(30)在像素(P)的尋址周期的中間階段期間與鐵電薄膜晶體管(60)的柵電極(G)進(jìn)行電通信以便促進(jìn)向鐵電薄膜晶體管(60)的柵電極(G)施加充電4亍驅(qū)動(dòng)電壓。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示器(20),其中行驅(qū)動(dòng)器(30)在像素(P)的尋址周期的結(jié)束階段期間與鐵電薄膜晶體管(60)的柵電極(G)進(jìn)行電通信以便促進(jìn)向鐵電薄膜晶體管(60)的柵電極(G)施加非傳導(dǎo)行驅(qū)動(dòng)電壓。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示器(20),其中列驅(qū)動(dòng)器(40)在像素(P)的尋址周期的開(kāi)始階段期間與鐵電薄膜晶體管(60)的源電極(S)進(jìn)行電通信以便促進(jìn)向鐵電薄膜晶體管(60)的源電極(S)施加傳導(dǎo)列驅(qū)動(dòng)電壓。6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示器(20),其中列驅(qū)動(dòng)器(40)在像素(P)的尋址周期的中間階段期間與鐵電薄膜晶體管(60)的源電極(S)進(jìn)行電通信以便促進(jìn)向鐵電薄膜晶體管(60)的源電極(S)施加充電列驅(qū)動(dòng)電壓。7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示器(20),其中列驅(qū)動(dòng)器(40)在像素(P)的尋址周期的結(jié)束階段期間與鐵電薄膜晶體管(60)的源電極(S)進(jìn)行電通信以便促進(jìn)向鐵電薄膜晶體管(60)的源電極(S)施加非傳導(dǎo)列驅(qū)動(dòng)電壓。8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示器(20),其中顯示元件(62)在像素(P)的尋址周期的中間階段期間與鐵電薄膜晶體管(60)的漏電極(D)進(jìn)行電通信，以便響應(yīng)于由行驅(qū)動(dòng)器(30)和列驅(qū)動(dòng)器(40)向鐵電薄膜晶體管(60)施加的充電行驅(qū)動(dòng)電壓和充電列驅(qū)動(dòng)電壓而促進(jìn)顯示元件(62)的充電。9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示器(20),其中所述顯示元件(62)是電泳顯示元件(62)。10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示器(20),其中所述顯示元件(62)是液晶顯示元件(62)。11.一種顯示器(20),包括多個(gè)像素(P)，每個(gè)像素(P)包括鐵電薄膜晶體管(60)形式的存儲(chǔ)元件，其可操作耦合到行驅(qū)動(dòng)器(30)和列驅(qū)動(dòng)器(40),和可操作耦合到該鐵電薄膜晶體管(60)的顯示元件(62);其中鐵電薄膜晶體管(60)可操作用于在像素(P)的尋址周期的開(kāi)始階段期間響應(yīng)于施加到該鐵電薄膜晶體管(60)的傳導(dǎo)行驅(qū)動(dòng)電壓和傳導(dǎo)列驅(qū)動(dòng)電壓而一皮_沒(méi)置到傳導(dǎo)狀態(tài)；其中鐵電薄膜晶體管(60)還可以操作用于在像素(P)的尋址周期的中間階段期間響應(yīng)于施加到該鐵電薄膜晶體管(60)的充電行驅(qū)動(dòng)電壓和充電列驅(qū)動(dòng)電壓而促進(jìn)顯示元件(62)的充電；和其中鐵電薄膜晶體管(60)還可以操作用于在像素(P)的尋址周期的結(jié)束階段期間響應(yīng)于施加到該鐵電薄膜晶體管(60)的非傳導(dǎo)行驅(qū)動(dòng)電壓和非傳導(dǎo)列驅(qū)動(dòng)電壓而被重置到非傳導(dǎo)狀態(tài)。12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的顯示器(20),其中在像素(P)的尋址周期的開(kāi)始階段期間向鐵電薄膜晶體管(60)的柵電極(G)選擇性地施加傳導(dǎo)行驅(qū)動(dòng)電壓。13.根據(jù)權(quán)利要求11所述的顯示器UO)，周期的中間階段期間向鐵電薄膜晶體管(60)施加充電4亍驅(qū)動(dòng)電壓。14.根據(jù)權(quán)利要求11所述的顯示器(20),周期的結(jié)束階段期間向鐵電薄膜晶體管(60)施加非傳導(dǎo)行驅(qū)動(dòng)電壓。15.根據(jù)權(quán)利要求11所述的顯示器(20)，周期的開(kāi)始階段期間向鐵電薄膜晶體管(60)施加傳導(dǎo)列驅(qū)動(dòng)電壓。16.根據(jù)權(quán)利要求11所述的顯示器(20),周期的中間階段期間向鐵電薄膜晶體管(60)施加充電列驅(qū)動(dòng)電壓。17.根據(jù)權(quán)利要求11所述的顯示器(20),周期的結(jié)束階段期間向鐵電薄膜晶體管(60)施加非傳導(dǎo)列驅(qū)動(dòng)電壓。18.根據(jù)權(quán)利要求11所述的顯示器(20)像素(P)的尋址周期的中間階段期間與鐵電薄膜晶體管(60)的漏電極(D)進(jìn)行電通信，以便響應(yīng)于施加到鐵電薄膜晶體管(60)的柵電極(G)和源電極(S)的充電行驅(qū)動(dòng)電壓和充電列驅(qū)動(dòng)電壓而促進(jìn)顯示元件(62)的充電。19.根據(jù)權(quán)利要求11所述的顯示器(20),其中所述顯示元件(62)是電泳顯示元件(62)。20.根據(jù)權(quán)利要求11所述的顯示器(20),其中所述顯示元件(62)其中在像素(P)的尋址的柵電極(G)選擇性地其中在像素(P)的尋址的柵電極(G)選擇性地其中在像素(P)的尋址的源電極(S)選擇性地其中在像素(P)的尋址的源電極(S)選擇性地其中在像素(P)的尋址的源電極(S)選擇性地,其中顯示元件(62)在是液晶顯示元件(62)。21.—種顯示器(20),包括行驅(qū)動(dòng)器(30);列驅(qū)動(dòng)器(40);像素(P),包括鐵電薄膜晶體管(60)形式的存儲(chǔ)元件，其可操作耦合到行驅(qū)動(dòng)器(30)和列驅(qū)動(dòng)器(40)，和可操作耦合到該鐵電薄膜晶體管(60)的顯示元件(62);其中行驅(qū)動(dòng)器(30)和列驅(qū)動(dòng)器(40)可操作用于在像素(P)的尋址周期的每個(gè)階段期間向鐵電薄膜晶體管(60)施加不同的驅(qū)動(dòng)電壓；其中鐵電薄膜晶體管(60)可操作用于在像素(P)的尋址周期的開(kāi)始階段期間響應(yīng)于由行驅(qū)動(dòng)器(30)和列驅(qū)動(dòng)器(40)向該鐵電薄膜晶體管(60)施加的傳導(dǎo)行驅(qū)動(dòng)電壓和傳導(dǎo)列驅(qū)動(dòng)電壓而^皮設(shè)置到傳導(dǎo)狀態(tài)。全文摘要顯示器(20)的像素(P)包括鐵電薄膜晶體管(“TFT”)(60)形式的存儲(chǔ)元件和可操作耦合到該鐵電TFT(60)的顯示元件(62)。鐵電TFT(60)在像素(P)的尋址周期的開(kāi)始階段期間響應(yīng)于施加到該鐵電TFT(60)的傳導(dǎo)行驅(qū)動(dòng)電壓和傳導(dǎo)列驅(qū)動(dòng)電壓而被設(shè)置到傳導(dǎo)狀態(tài)。鐵電TFT(60)在像素(P)的尋址周期的中間階段期間響應(yīng)于施加到該鐵電TFT(60)的充電行驅(qū)動(dòng)電壓和充電列驅(qū)動(dòng)電壓而促進(jìn)顯示元件(62)的充電。鐵電TFT(60)在像素(P)的尋址周期的結(jié)束階段期間響應(yīng)于施加到該鐵電TFT(60)的非傳導(dǎo)行驅(qū)動(dòng)電壓和非傳導(dǎo)列驅(qū)動(dòng)電壓而被重置到非傳導(dǎo)狀態(tài)。文檔編號(hào)G09G3/20GK101379541SQ200680043044公開(kāi)日2009年3月4日申請(qǐng)日期2006年11月3日優(yōu)先權(quán)日2005年11月16日發(fā)明者G·H·格林克,H·E·A·休特馬申請(qǐng)人:聚合物視象有限公司