專(zhuān)利名稱(chēng):金屬網(wǎng)板型等離子體顯示平板測(cè)試用多功能驅(qū)動(dòng)電路的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域:
本發(fā)明涉及一種金屬網(wǎng)板型等離子體顯示平板,尤其是一種金屬網(wǎng)板型等離子體顯示平板掃描電極、數(shù)據(jù)電極驅(qū)動(dòng)電路,具體地說(shuō)是一種金屬網(wǎng)板型等離子體顯示平板測(cè)試用多功能驅(qū)動(dòng)電路。
背景技術(shù):
20世紀(jì)90年代初興起的等離子體平板顯示器(PDP),具有數(shù)字化,大屏幕,高分辨率,高清晰度,寬視角以及厚度薄,重量輕等優(yōu)點(diǎn),在大屏幕顯示領(lǐng)域具有廣闊的發(fā)展前景。
目前正在開(kāi)發(fā)的金屬網(wǎng)板型等離子體顯示平板是一種對(duì)向放電型交流等離子體顯示平板,它與傳統(tǒng)表面放電型交流等離子體顯示平板相比,具有制造工藝簡(jiǎn)單、更容易實(shí)現(xiàn)高分辨率、以及制造成本和驅(qū)動(dòng)成本低等優(yōu)點(diǎn),具有更強(qiáng)的市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力。正是由于這種金屬網(wǎng)板型等離子體顯示平板在結(jié)構(gòu)上與傳統(tǒng)表面放電型交流等離子體顯示平板相比具有較大差別,因而急需對(duì)多種不同結(jié)構(gòu)的金屬網(wǎng)板型等離子體顯示平板進(jìn)行各種特性測(cè)試,測(cè)試工作量巨大,因此設(shè)計(jì)一種多功能驅(qū)動(dòng)電路裝置,對(duì)與大屏具有相同結(jié)構(gòu)的小屏進(jìn)行特性測(cè)試,以滿(mǎn)足對(duì)金屬網(wǎng)板型等離子體顯示平板各種特性快速測(cè)試要求,幫助金屬網(wǎng)板型等離子體顯示平板進(jìn)行技術(shù)改進(jìn),提高市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力具有十分重要的意義。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是針對(duì)現(xiàn)有的金屬網(wǎng)板型等離子體顯示平板存在的大量特性測(cè)試問(wèn)題,設(shè)計(jì)一種結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、功能全面的金屬網(wǎng)板型等離子體顯示平板測(cè)試用多功能驅(qū)動(dòng)電路。
本發(fā)明的技術(shù)方案是一種金屬網(wǎng)板型等離子體顯示平板測(cè)試用多功能驅(qū)動(dòng)電路,其特征是它主要由邏輯控制電路a、高壓波形產(chǎn)生電路b組成,邏輯控制電路a的兩個(gè)輸出端分別接到高壓波形產(chǎn)生電路b的兩個(gè)輸入端,高壓波形產(chǎn)生電路b的兩個(gè)輸出端分別接金屬網(wǎng)板型等離子體顯示平板的行掃描電極和列數(shù)據(jù)電極;所述的邏輯控制電路a由可編程邏輯芯片組成,它的兩個(gè)輸出端經(jīng)過(guò)單片機(jī)驅(qū)動(dòng)芯片驅(qū)動(dòng)后分別輸出兩組數(shù)字開(kāi)關(guān)信號(hào)R1、G1、B1、R2、G2、B2、COH、COL、CCLK、CSTB、CPOC、CBLK和XEPH、XEPL、XSPH、XSPL、XPRH、XPRH1、XPRH2、XENH、XENL、XSNH、XSNL、XSWP、XSWN、XVG2、XVG21、XVG22、XVG23、XVG1、XAD1、XAD2、XSTB、XBLK、XCLK、XSI、XHIZ,這兩組數(shù)字開(kāi)關(guān)信號(hào)控制高壓波形產(chǎn)生電路b分別產(chǎn)生合適的列數(shù)據(jù)波形和行掃描波形來(lái)驅(qū)動(dòng)金屬網(wǎng)板型等離子體顯示平板進(jìn)行圖像顯示;所述的高壓波形產(chǎn)生電路(b)由正電壓能量恢復(fù)模塊1、正電壓維持模塊2、正向復(fù)位模塊3、負(fù)電壓能量恢復(fù)模塊4、負(fù)電壓維持模塊5、隔離續(xù)流模塊6、負(fù)向復(fù)位模塊7、尋址模塊8、行芯片模塊9、數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)模塊10、電源模塊11所組成,它們所需的輸入控制信號(hào)XEPH、XEPL、XSPH、XSPL、XPRH、XPRH1、XPRH2、XENH、XENL、XSNH、XSNL、XSWP、XSWN、XVG2、XVG21、XVG22、XVG23、XVG1、XAD1、XAD2、XSTB、XBLK、XCLK、XSI、XHIZ、COH、COL、CCLK、CSTB、CPOC及CBLK由邏輯控制電路a提供,其中正電壓維持模塊2、正向復(fù)位模塊3、負(fù)電壓維持模塊5、負(fù)向復(fù)位模塊7、尋址模塊8、數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)模塊10所需的高壓信號(hào)VPS、VPP、VNS、VNP、VNA、VER、VA由直流高壓電源模塊11提供,正向復(fù)位模塊3的輸出端、正電壓維持模塊2的輸出端、正電壓能量恢復(fù)模塊1的輸出端一起與隔離續(xù)流模塊6的一個(gè)輸入端相連,負(fù)電壓能量恢復(fù)模塊4的輸出端、負(fù)電壓維持模塊5的輸出端一起與隔離續(xù)流模塊6的另一個(gè)輸入端相連,隔離續(xù)流模塊6的一個(gè)輸出端與尋址模塊8的一個(gè)輸出端一起與行芯片模塊9的一個(gè)輸入端相連,隔離續(xù)流模塊6的另一個(gè)輸出端、尋址模塊8的另一個(gè)輸出端及負(fù)向復(fù)位模塊7輸出端一起與行芯片模塊9的另一個(gè)輸入端相連,行芯片模塊9的輸出端與金屬網(wǎng)板型等離子體顯示平板對(duì)應(yīng)的行掃描電極相連,數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)模塊10的輸出端與金屬網(wǎng)板型等離子體顯示平板對(duì)應(yīng)的列數(shù)據(jù)電極相連。
所述的數(shù)字開(kāi)關(guān)信號(hào)R1、G1、B1、R2、G2、B2、COH、COL、CCLK、CSTB、CPOC、CBLK是數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)模塊10的輸入控制信號(hào),XEPH、XEPL是正電壓能量恢復(fù)模塊1的輸入控制信號(hào),XSPH、XSPL是正電壓維持模塊2的輸入控制信號(hào),XPRH、XPRH1、XPRH2是正向復(fù)位模塊3的輸入控制信號(hào),XENH、XENL是負(fù)電壓能量恢復(fù)模塊4的輸入控制信號(hào),XSNH、XSNL是負(fù)電壓維持模塊5的輸入控制信號(hào),XSWP、XSWN是隔離續(xù)流模塊6的輸入控制信號(hào),XVG2、XVG21、XVG22、XVG23是負(fù)向復(fù)位模塊7的輸入控制信號(hào),XVG1、XAD1、XAD2是尋址模塊8的輸入控制信號(hào),XSTB、XBLK、XCLK、XSI、XHIZ是行芯片模塊9的輸入控制信號(hào)。
所述的正電壓能量恢復(fù)模塊1由電容C1、場(chǎng)效應(yīng)管Q1、場(chǎng)效應(yīng)管Q2、二極管D1、二極管D2和電感L1所組成,正電壓能量恢復(fù)模塊1的輸入從場(chǎng)效應(yīng)管Q1、Q2對(duì)應(yīng)的柵極引出接邏輯控制電路a的數(shù)字開(kāi)關(guān)信號(hào)輸出端XEPH和XEPL,正電壓能量恢復(fù)模塊1的輸出通過(guò)電感L1的一端引出與正向復(fù)位模塊3的輸出端、正電壓維持模塊2的輸出端一起與隔離續(xù)流模塊6的一個(gè)輸入端相連。
所述的正電壓維持模塊2由二極管D3、場(chǎng)效應(yīng)管Q3、Q4組成,正電壓維持模塊2的輸入從場(chǎng)效應(yīng)管Q3、Q4對(duì)應(yīng)的柵極引出接邏輯控制電路a的數(shù)字開(kāi)關(guān)信號(hào)輸出端XSPH、XSPL,正電壓維持模塊2的輸出從場(chǎng)效應(yīng)管Q3的源極、Q4的漏極的連接點(diǎn)引出與正向復(fù)位模塊3的輸出端、正電壓能量恢復(fù)模塊1的輸出端即電感L1的一端一起與隔離續(xù)流模塊6的一個(gè)輸入端相連。正電壓維持模塊2的高壓信號(hào)VPS的輸入端從二極管D3的陽(yáng)極引出接直流高壓電源模塊11對(duì)應(yīng)輸出端。
所述的正向復(fù)位模塊3由場(chǎng)效應(yīng)管Q5、Q6、Q7和可變電阻VR1、VR2、VR3組成,正向復(fù)位模塊3的輸入從場(chǎng)效應(yīng)管Q5、Q6、Q7對(duì)應(yīng)的柵極引出接邏輯控制電路a的數(shù)字開(kāi)關(guān)信號(hào)輸出端XPRH、XPRH1、XPRH2,正向復(fù)位模塊3的輸出從場(chǎng)效應(yīng)管Q6的源極、Q7的源極、可變電阻VR1的一端的連接點(diǎn)引出與正電壓能量恢復(fù)模塊1的輸出端即L1的一端、正電壓維持模塊2的輸出端一起與隔離續(xù)流模塊6的一個(gè)輸入端相連,正向復(fù)位模塊3的高壓信號(hào)VPP的輸入端從場(chǎng)效應(yīng)管Q5的漏極引出接直流高壓電源模塊11的對(duì)應(yīng)輸出端。
所述的負(fù)電壓能量恢復(fù)模塊4由電容C2、場(chǎng)效應(yīng)管Q8、Q9、二極管D4、D5和電感L2組成,它的輸入通過(guò)場(chǎng)效應(yīng)管Q8、Q9對(duì)應(yīng)的柵極引出接邏輯控制電路a的數(shù)字開(kāi)關(guān)信號(hào)輸出端XENH、XENL,它的輸出通過(guò)電感L2的一端引出并且與負(fù)電壓維持模塊5的輸出端、隔離續(xù)流模塊6的一個(gè)輸入端連在一起。
所述的負(fù)電壓維持模塊5由場(chǎng)效應(yīng)管Q10、Q11和二極管D6組成,它的輸入從場(chǎng)效應(yīng)管Q10、Q11對(duì)應(yīng)的柵極引出接邏輯控制電路a的數(shù)字開(kāi)關(guān)信號(hào)端XSNH、XSNL,它的輸出從場(chǎng)效應(yīng)管Q10的源極、Q11的漏極的連接點(diǎn)引出并且與負(fù)電壓能量恢復(fù)模塊4的輸出端即電感L2的一端、隔離續(xù)流模塊6的一個(gè)輸入端連在一起。負(fù)電壓維持模塊5的高壓信號(hào)VNS的輸入端從二極管D6的陰極引出接直流高壓電源模塊11的對(duì)應(yīng)輸出端。3、根據(jù)權(quán)利要求1所述的金屬網(wǎng)板型等離子體顯示平板多功能驅(qū)動(dòng)電路裝置,其特征是所述的隔離續(xù)流模塊6由場(chǎng)效應(yīng)管Q12、Q13,二極管D7、D8組成,它的控制輸入分別從場(chǎng)效應(yīng)管Q12、Q13對(duì)應(yīng)的柵極引出接對(duì)應(yīng)的邏輯控制電路a的數(shù)字開(kāi)關(guān)信號(hào)輸出端XSWP、XSWN,它的另外兩路輸入端分別從場(chǎng)效應(yīng)管Q12的漏極和場(chǎng)效應(yīng)管Q13的源極引出并且分別接正電壓能量恢復(fù)模塊1的輸出即L1的一端和負(fù)電壓能量恢復(fù)模塊4的輸出即L2的一端,它的另兩個(gè)輸出端從場(chǎng)效應(yīng)管Q12的源極和場(chǎng)效應(yīng)管Q13的漏極引出分別接尋址模塊8和負(fù)向復(fù)位模塊7。
所述的負(fù)向復(fù)位電路7由場(chǎng)效應(yīng)管Q14、Q15、Q16、Q17、二極管D12和可變電阻VR4、VR5、VR6、VR7組成。它的輸入從場(chǎng)效應(yīng)管Q14、Q15、Q16、Q17對(duì)應(yīng)的柵極引出接邏輯控制電路a的數(shù)字開(kāi)關(guān)信號(hào)輸出端XVG2、XVG21、XVG22、XVG23,其輸出從二極管D12的陽(yáng)極引出與隔離續(xù)流模塊6的一個(gè)輸出端、行芯片模塊9的一個(gè)輸入端、尋址模塊8的一個(gè)輸出端相連。負(fù)向復(fù)位電路7的高壓信號(hào)VNP從場(chǎng)效應(yīng)管Q15、Q16、Q17的源極連接點(diǎn)引出接直流高壓電源模塊11的對(duì)應(yīng)輸出端。
所述的尋址模塊8由場(chǎng)效應(yīng)管Q18、Q19、Q20和二極管D9、D10、D11組成,它的輸入端從場(chǎng)效應(yīng)管Q18、Q19、Q20對(duì)應(yīng)的柵極引出接邏輯控制電路a的數(shù)字開(kāi)關(guān)信號(hào)輸出端XAD1、XAD2、XVG1,它的一個(gè)輸出從二極管D9的陰極、D10的陽(yáng)極的連接點(diǎn)引出與隔離續(xù)流模塊6的一個(gè)輸出端、負(fù)向復(fù)位電路7的輸出端、行芯片模塊9的一個(gè)輸入端相連,它的另一個(gè)輸出端從D11的陽(yáng)極引出與隔離續(xù)流模塊6的另一個(gè)輸出端、行芯片模塊9的一個(gè)輸入端連在一起。尋址模塊8的高壓信號(hào)輸入端VNA、VER分別從場(chǎng)效應(yīng)管Q18、Q19的源極的連接點(diǎn)以及場(chǎng)效應(yīng)管Q20的源極引出接直流高壓電源模塊11的對(duì)應(yīng)輸出端。
所述的行芯片模塊9由行芯片IC1組成,它的一個(gè)輸入端與隔離續(xù)流模塊6的一個(gè)輸出端、尋址模塊8的一個(gè)輸出端連在一起,另外一個(gè)輸入端與隔離續(xù)流模塊6的另一個(gè)輸出端、負(fù)向復(fù)位電路7的輸出端、尋址模塊8的另一個(gè)輸出端連在一起;行芯片模塊9的控制信號(hào)由邏輯控制電路a的數(shù)字開(kāi)關(guān)信號(hào)輸出端XSTB、XBLK、XCLK、XSI、XHIZ提供;行芯片模塊9的輸出端接金屬網(wǎng)板型等離子體顯示平板的行掃描電極。
所述的數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)模塊10由場(chǎng)效應(yīng)管Q21、Q22、二極管D13、列芯片IC2組成,它的輸入從場(chǎng)效應(yīng)管Q21、Q22對(duì)應(yīng)的柵極引出接邏輯控制電路a的數(shù)字開(kāi)關(guān)信號(hào)輸出端COH、COL,它的輸出端接金屬網(wǎng)板型等離子體顯示平板的列數(shù)據(jù)電極;列芯片IC2的輸入控制信號(hào)接邏輯控制電路a的數(shù)字開(kāi)關(guān)信號(hào)輸出端CCLK、CSTB、CPOC及CBLK。數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)模塊10的高壓信號(hào)VA的輸入端從二極管D13的正極引出接直流高壓電源模塊11對(duì)應(yīng)輸出端。
本發(fā)明的有益效果(1)通過(guò)選擇合適的電路結(jié)構(gòu)和元器件,使該多功能驅(qū)動(dòng)電路裝置的工作耐壓達(dá)到800V,這里的工作耐壓指圖2或圖6中所示的最高電壓與最低電壓的差值。同時(shí),該電路裝置具有較大的帶負(fù)載能力,可以驅(qū)動(dòng)金屬網(wǎng)板型等離子體顯示平板4寸、6寸、8寸屏。
(2)與現(xiàn)有驅(qū)動(dòng)電路相比,通過(guò)改變正向復(fù)位模塊3、負(fù)向復(fù)位電路7的電路組成,使得驅(qū)動(dòng)波形在正向復(fù)位期可實(shí)現(xiàn)一段、二段、三段斜率變化,在負(fù)向復(fù)位實(shí)現(xiàn)一段、二段、三段、四段斜率變化,適合對(duì)金屬網(wǎng)板等離子體顯示平板進(jìn)行波形優(yōu)化,尋找適合金屬網(wǎng)板等離子體顯示平板進(jìn)行高速尋址的復(fù)位波形,提高金屬網(wǎng)板等離子體顯示平板的有效發(fā)光時(shí)間,降低金屬網(wǎng)板等離子體顯示平板的驅(qū)動(dòng)成本。
(3)與現(xiàn)有驅(qū)動(dòng)電路相比,通過(guò)對(duì)邏輯控制電路的程序控制和電源的不同連接,可以實(shí)現(xiàn)如圖2所示尋址期T2的整體移動(dòng),圖6所示的最低脈沖寬度為100ns的窄脈寬選擇性擦除尋址波形(該波形在正向復(fù)位期可實(shí)現(xiàn)一段、二段、三段斜率變化,在負(fù)向復(fù)位實(shí)現(xiàn)一段、二段、三段、四段斜率變化),就是將尋址期T2上移的結(jié)果。
圖1是本發(fā)明的金屬網(wǎng)板等離子體顯示平板多功能驅(qū)動(dòng)電路結(jié)構(gòu)圖。
圖2是本發(fā)明所能產(chǎn)生的基本驅(qū)動(dòng)波形示意圖。
圖3是本發(fā)明的邏輯控制電路原理框圖。
圖4是本發(fā)明的高壓波形產(chǎn)生電路原理框圖。
圖5是與圖4所示的框圖相配的一個(gè)電路原理圖。
圖6是利用本發(fā)明的電路裝置產(chǎn)生選擇性擦除尋址波形示意圖。
具體實(shí)施例方式
下面結(jié)合附圖和實(shí)施例對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步的說(shuō)明。
如圖1-6所示。
一種金屬網(wǎng)板型等離子體顯示平板檢測(cè)測(cè)試用多功能驅(qū)動(dòng)電路,它主要由邏輯控制電路a、高壓波形產(chǎn)生電路b組成。邏輯控制電路a的兩個(gè)輸出端分別接到高壓波形產(chǎn)生電路b的兩個(gè)輸入端,高壓波形產(chǎn)生電路b的兩個(gè)輸出端分別接金屬網(wǎng)板型等離子體顯示平板的行掃描電極和列數(shù)據(jù)電極。邏輯控制電路a由可編程邏輯芯片(EP2C8T144C8)組成,它的兩個(gè)輸出端經(jīng)過(guò)單片機(jī)驅(qū)動(dòng)芯片74HC541驅(qū)動(dòng)后分別輸出兩組數(shù)字開(kāi)關(guān)信號(hào)R1、G1、B1、R2、G2、B2、COH、COL、CCLK、CSTB、CPOC、CBLK和XEPH、XEPL、XSPH、XSPL、XPRH、XPRH1、XPRH2、XENH、XENL、XSNH、XSNL、XSWP、XSWN、XVG2、XVG21、XVG22、XVG23、XVG1、XAD1、XAD2、XSTB、XBLK、XCLK、XSI、XHIZ,這兩組數(shù)字開(kāi)關(guān)信號(hào)控制高壓波形產(chǎn)生電路b分別產(chǎn)生合適的列數(shù)據(jù)波形和行掃描波形來(lái)驅(qū)動(dòng)金屬網(wǎng)板型等離子體顯示平板進(jìn)行圖像顯示。高壓波形產(chǎn)生電路b由正電壓能量恢復(fù)模塊1、正電壓維持模塊2、正向復(fù)位模塊3、負(fù)電壓能量恢復(fù)模塊4、負(fù)電壓維持模塊5、隔離續(xù)流模塊6、負(fù)向復(fù)位模塊7、尋址模塊8、行芯片模塊9、數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)模塊10、電源模塊11所組成,它們所需的輸入控制信號(hào)XEPH、XEPL、XSPH、XSPL、XPRH、XPRH1、XPRH2、XENH、XENL、XSNH、XSNL、XSWP、XSWN、XVG2、XVG21、XVG22、XVG23、XVG1、XAD1、XAD2、XSTB、XBLK、XCLK、XSI、XHIZ、COH、COL、CCLK、CSTB、CPOC及CBLK由邏輯控制電路a提供,其中正電壓維持模塊2、正向復(fù)位模塊3、負(fù)電壓維持模塊5、負(fù)向復(fù)位模塊7、尋址模塊8、數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)模塊10所需的高壓信號(hào)VPS、VPP、VNS、VNP、VNA、VER、VA由直流高壓電源模塊11提供,正向復(fù)位模塊3的輸出端、正電壓維持模塊2的輸出端、正電壓能量恢復(fù)模塊1的輸出端一起與隔離續(xù)流模塊6的一個(gè)輸入端相連,負(fù)電壓能量恢復(fù)模塊4的輸出端、負(fù)電壓維持模塊5的輸出端一起與隔離續(xù)流模塊6的另一個(gè)輸入端相連,隔離續(xù)流模塊6的一個(gè)輸出端與尋址模塊8的一個(gè)輸出端一起與行芯片模塊9的一個(gè)輸入端相連,隔離續(xù)流模塊6的另一個(gè)輸出端、尋址模塊8的另一個(gè)輸出端及負(fù)向復(fù)位模塊7輸出端一起與行芯片模塊9的另一個(gè)輸入端相連,行芯片模塊9的輸出端與金屬網(wǎng)板型等離子體顯示平板對(duì)應(yīng)的行掃描電極相連,數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)模塊10的輸出端與金屬網(wǎng)板型等離子體顯示平板對(duì)應(yīng)的列數(shù)據(jù)電極相連。
具體實(shí)施時(shí)的邏輯控制電路a如圖1、3所示。其中數(shù)字開(kāi)關(guān)信號(hào)R1、G1、B1、R2、G2、B2、COH、COL、CCLK、CSTB、CPOC、CBLK是數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)模塊10的輸入控制信號(hào),XEPH、XEPL是正電壓能量恢復(fù)模塊1的輸入控制信號(hào),XSPH、XSPL是正電壓維持模塊2的輸入控制信號(hào),XPRH、XPRH1、XPRH2是正向復(fù)位模塊3的輸入控制信號(hào),XENH、XENL是負(fù)電壓能量恢復(fù)模塊4的輸入控制信號(hào),XSNH、XSNL是負(fù)電壓維持模塊5的輸入控制信號(hào),XSWP、XSWN是隔離續(xù)流模塊6的輸入控制信號(hào),XVG2、XVG21、XVG22、XVG23是負(fù)向復(fù)位模塊7的輸入控制信號(hào),XVG1、XAD1、XAD2是尋址模塊8的輸入控制信號(hào),XSTB、XBLK、XCLK、XSI、XHIZ是行芯片模塊9的輸入控制信號(hào)。
具體實(shí)施時(shí)的高壓波形產(chǎn)生電路b如圖5所示。其中正電壓能量恢復(fù)模塊1由電容C1、場(chǎng)效應(yīng)管Q1、場(chǎng)效應(yīng)管Q2、二極管D1、二極管D2和電感L1所組成,正電壓能量恢復(fù)模塊1的輸入從場(chǎng)效應(yīng)管Q1、Q2對(duì)應(yīng)的柵極引出接邏輯控制電路a的數(shù)字開(kāi)關(guān)信號(hào)輸出端XEPH和XEPL,正電壓能量恢復(fù)模塊1的輸出通過(guò)電感L1的一端引出與正向復(fù)位模塊3的輸出端、正電壓維持模塊2的輸出端一起與隔離續(xù)流模塊6的一個(gè)輸入端相連。正電壓維持模塊2由二極管D3、場(chǎng)效應(yīng)管Q3、Q4組成,正電壓維持模塊2的輸入從場(chǎng)效應(yīng)管Q3、Q4對(duì)應(yīng)的柵極引出接邏輯控制電路a的數(shù)字開(kāi)關(guān)信號(hào)輸出端XSPH、XSPL,正電壓維持模塊2的輸出從場(chǎng)效應(yīng)管Q3的源極、Q4的漏極的連接點(diǎn)引出與正向復(fù)位模塊3的輸出端、正電壓能量恢復(fù)模塊1的輸出端即電感L1的一端一起與隔離續(xù)流模塊6的一個(gè)輸入端相連。正電壓維持模塊2的高壓信號(hào)VPS的輸入端從二極管D3的陽(yáng)極引出接直流高壓電源模塊11對(duì)應(yīng)輸出端。正向復(fù)位模塊3由場(chǎng)效應(yīng)管Q5、Q6、Q7和可變電阻VR1、VR2、VR3組成,正向復(fù)位模塊3的輸入從場(chǎng)效應(yīng)管Q5、Q6、Q7對(duì)應(yīng)的柵極引出接邏輯控制電路a的數(shù)字開(kāi)關(guān)信號(hào)輸出端XPRH、XPRH1、XPRH2,正向復(fù)位模塊3的輸出從場(chǎng)效應(yīng)管Q6的源極、Q7的源極、可變電阻VR1的一端的連接點(diǎn)引出與正電壓能量恢復(fù)模塊1的輸出端即電感L1的一端、正電壓維持模塊2的輸出端一起與隔離續(xù)流模塊6的一個(gè)輸入端相連。正向復(fù)位模塊3的高壓信號(hào)VPP的輸入端從場(chǎng)效應(yīng)管Q5的漏極引出接直流高壓電源模塊11的對(duì)應(yīng)輸出端。負(fù)電壓能量恢復(fù)模塊4由電容C2、場(chǎng)效應(yīng)管Q8、Q9、二極管D4、D5和電感L2組成,它的輸入通過(guò)場(chǎng)效應(yīng)管Q8、Q9對(duì)應(yīng)的柵極引出接邏輯控制電路a的數(shù)字開(kāi)關(guān)信號(hào)輸出端XENH、XENL,它的輸出通過(guò)電感L2的一端引出并且與負(fù)電壓維持模塊5的輸出端、隔離續(xù)流模塊6的一個(gè)輸入端連在一起。負(fù)電壓維持模塊5由場(chǎng)效應(yīng)管Q10、Q11和二極管D6組成,它的輸入從場(chǎng)效應(yīng)管Q10、Q11對(duì)應(yīng)的柵極引出接邏輯控制電路a的數(shù)字開(kāi)關(guān)信號(hào)端XSNH、XSNL,它的輸出從場(chǎng)效應(yīng)管Q10的源極、Q11的漏極的連接點(diǎn)引出并且與負(fù)電壓能量恢復(fù)模塊4的輸出端(即電感L2的一端、隔離續(xù)流模塊6的一個(gè)輸入端連在一起;負(fù)電壓維持模塊5的高壓信號(hào)VNS的輸入端從二極管D6的陰極引出接直流高壓電源模塊11的對(duì)應(yīng)輸出端。隔離續(xù)流模塊6由場(chǎng)效應(yīng)管Q12、Q13,二極管D7、D8組成,它的控制輸入分別從場(chǎng)效應(yīng)管Q12、Q13對(duì)應(yīng)的柵極引出接對(duì)應(yīng)的邏輯控制電路a的數(shù)字開(kāi)關(guān)信號(hào)輸出端XSWP、XSWN,它的另外兩路輸入端分別從場(chǎng)效應(yīng)管Q12的漏極和場(chǎng)效應(yīng)管Q13的源極引出并且分別接正電壓能量恢復(fù)模塊1的輸出即L1的一端和負(fù)電壓能量恢復(fù)模塊4的輸出即L2的一端,它的另兩個(gè)輸出端從場(chǎng)效應(yīng)管Q12的源極和場(chǎng)效應(yīng)管Q13的漏極引出分別接尋址模塊8和負(fù)向復(fù)位模塊7。負(fù)向復(fù)位電路7由場(chǎng)效應(yīng)管Q14、Q15、Q16、Q17、二極管D12和可變電阻VR4、VR5、VR6、VR7組成。它的輸入從場(chǎng)效應(yīng)管Q14、Q15、Q16、Q17對(duì)應(yīng)的柵極引出接邏輯控制電路a的數(shù)字開(kāi)關(guān)信號(hào)輸出端XVG2、XVG21、XVG22、XVG23,其輸出從二極管D12的陽(yáng)極引出與隔離續(xù)流模塊6的一個(gè)輸出端、行芯片模塊9的一個(gè)輸入端、尋址模塊8的一個(gè)輸出端相連,負(fù)向復(fù)位電路7的高壓信號(hào)VNP從場(chǎng)效應(yīng)管Q15、Q16、Q17的源極連接點(diǎn)引出接直流高壓電源模塊11的對(duì)應(yīng)輸出端。尋址模塊8由場(chǎng)效應(yīng)管Q18、Q19、Q20和二極管D9、D10、D11組成,它的輸入端從場(chǎng)效應(yīng)管Q18、Q19、Q20對(duì)應(yīng)的柵極引出接邏輯控制電路a的數(shù)字開(kāi)關(guān)信號(hào)輸出端XAD1、XAD2、XVG1,它的一個(gè)輸出從二極管D9的陰極、D10的陽(yáng)極的連接點(diǎn)引出與隔離續(xù)流模塊6的一個(gè)輸出端、負(fù)向復(fù)位電路7的輸出端、行芯片模塊9的一個(gè)輸入端相連,它的另一個(gè)輸出端從D11的陽(yáng)極引出與隔離續(xù)流模塊6的另一個(gè)輸出端、行芯片模塊9的一個(gè)輸入端連在一起;尋址模塊8的高壓信號(hào)輸入端VNA、VER分別從場(chǎng)效應(yīng)管Q18、Q19的源極的連接點(diǎn)以及場(chǎng)效應(yīng)管Q20的源極引出接直流高壓電源模塊11的對(duì)應(yīng)輸出端。行芯片模塊9由行芯片IC1組成,它的一個(gè)輸入端與隔離續(xù)流模塊6的一個(gè)輸出端、尋址模塊8的一個(gè)輸出端連在一起,另外一個(gè)輸入端與隔離續(xù)流模塊6的另一個(gè)輸出端、負(fù)向復(fù)位電路7的輸出端、尋址模塊8的另一個(gè)輸出端連在一起;行芯片模塊9的控制信號(hào)由邏輯控制電路a的數(shù)字開(kāi)關(guān)信號(hào)輸出端XSTB、XBLK、XCLK、XSI、XHIZ提供;行芯片模塊9的輸出端接金屬網(wǎng)板型等離子體顯示平板的行掃描電極。數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)模塊10由場(chǎng)效應(yīng)管Q21、Q22、二極管D13、列芯片IC2組成,它的輸入從場(chǎng)效應(yīng)管Q21、Q22對(duì)應(yīng)的柵極引出接邏輯控制電路a的數(shù)字開(kāi)關(guān)信號(hào)輸出端COH、COL,它的輸出端接金屬網(wǎng)板型等離子體顯示平板的列數(shù)據(jù)電極;列芯片IC2的控制信號(hào)接邏輯控制電路a的數(shù)字開(kāi)關(guān)信號(hào)輸出端CCLK、CSTB、CPOC及CBLK。數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)模塊10的高壓信號(hào)VA的輸入端從二極管D13的正極引出接直流高壓電源模塊11對(duì)應(yīng)輸出端。
詳述如下本發(fā)明的驅(qū)動(dòng)金屬網(wǎng)板型等離子體顯示平板的多功能驅(qū)動(dòng)電路裝置框圖如圖1、圖3、圖4所示,金屬網(wǎng)板型等離子體顯示平板上引出了一系列金屬電極,根據(jù)功能不同分成兩類(lèi)列數(shù)據(jù)電極與行掃描電極,兩類(lèi)電極的數(shù)目與金屬網(wǎng)板型等離子體顯示平板的解析度相關(guān)。在對(duì)金屬網(wǎng)板型等離子體顯示平板實(shí)施驅(qū)動(dòng)時(shí),需要將數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)模塊10的輸出端、行芯片模塊9的輸出端分別與小屏相應(yīng)的列數(shù)據(jù)電極和行掃描電極相連,金屬網(wǎng)板型等離子體顯示平板多功能驅(qū)動(dòng)電路裝置通過(guò)給小屏數(shù)據(jù)電極和掃描電極施加驅(qū)動(dòng)波形,達(dá)到驅(qū)動(dòng)金屬網(wǎng)板型等離子體顯示平板進(jìn)行圖形圖像顯示的目的。
金屬網(wǎng)板型等離子體顯示平板多功能驅(qū)動(dòng)電路裝置產(chǎn)生如圖2所示驅(qū)動(dòng)波形,驅(qū)動(dòng)波形主要由圖2所示的四部分(T1、T2、T3、T4)進(jìn)行合理組合而形成,根據(jù)波形相應(yīng)特征和功能,T1波形被稱(chēng)為復(fù)位波形,其時(shí)長(zhǎng)可為300us-500us,T2波形被稱(chēng)為尋址波形,其時(shí)長(zhǎng)為100us-250us,T3波形被稱(chēng)為維持波形,其時(shí)長(zhǎng)可為10us-2ms,T4波形被稱(chēng)為預(yù)復(fù)位波形,其時(shí)長(zhǎng)可為50us-150us。本技術(shù)方案發(fā)明可以提供較大的負(fù)載電流,滿(mǎn)足驅(qū)動(dòng)4寸、6寸、8寸金屬網(wǎng)板型等離子體顯示平板的能力。驅(qū)動(dòng)電路原理圖如圖5所示,是圖4框圖的具體實(shí)施方案,驅(qū)動(dòng)電路方案中主要由一系列金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET、快恢復(fù)二級(jí)極管、電容和電感組成,其中IC1表示掃描驅(qū)動(dòng)芯片(比如ST公司的STV7693芯片),IC2表示數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)芯片(比如ST公司的STV7630芯片)。實(shí)際金屬網(wǎng)板型等離子體顯示平板可以看成一個(gè)容性負(fù)載,這里用Cp加以表示(即圖5中的Cp)。
如圖1所示,將邏輯控制電路a的兩個(gè)輸出端與高壓波形產(chǎn)生電路b的兩個(gè)輸入端相連接,高壓波形產(chǎn)生電路b的兩個(gè)輸出端分別接金屬網(wǎng)板型等離子體顯示平板的行掃描電極與列數(shù)據(jù)電極。圖2所示的是金屬網(wǎng)板型等離子體顯示平板多功能驅(qū)動(dòng)電路裝置產(chǎn)生的基本驅(qū)動(dòng)波形,上述的基本驅(qū)動(dòng)波形輸出到金屬網(wǎng)板型等離子體顯示平板的行掃描電極和列數(shù)據(jù)電極,輸出到列數(shù)據(jù)電極的波形可以直接由數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)芯片產(chǎn)生,不需要驅(qū)動(dòng)電路,也可以由數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)模塊的內(nèi)部驅(qū)動(dòng)電路產(chǎn)生,輸出到行掃描電極的波形由掃描驅(qū)動(dòng)芯片輸出端輸出,圖2中的標(biāo)示VPS、VNS、VPP、VNP、VNA、VER、VA都是與圖4、圖5、圖6中所提供的直流高壓電源相互一一對(duì)應(yīng)的電壓標(biāo)示,具體電壓幅值由金屬網(wǎng)板型等離子體顯示平板驅(qū)動(dòng)要求決定,其中最高電壓與最低電壓的差值小于800V,為該電路裝置的最高工作電壓范圍。
圖3是多功能驅(qū)動(dòng)電路裝置低壓邏輯控制電路a的原理框圖,該電路由可編程邏輯芯片(EP2C8T144C8)與驅(qū)動(dòng)芯片74HC541組成,它的兩個(gè)輸出端輸出兩組數(shù)字開(kāi)關(guān)信號(hào)R1、G1、B1、R2、G2、B2、COH、COL、CCLK、CSTB、CPOC、CBLK和XEPH、XEPL、XSPH、XSPL、XPRH、XPRH1、XPRH2、XENH、XENL、XSNH、XSNL、XSWP、XSWN、XVG2、XVG21、XVG22、XVG23、XVG1、XAD1、XAD2、XSTB、XBLK、XCLK、XSI、XHIZ,這兩組數(shù)字開(kāi)關(guān)信號(hào)控制高壓波形產(chǎn)生電路b產(chǎn)生合適的波形來(lái)驅(qū)動(dòng)金屬網(wǎng)板型等離子體顯示平板顯示圖像。
圖4是金屬網(wǎng)板型等離子體顯示平板多功能驅(qū)動(dòng)電路裝置的的高壓波形產(chǎn)生電路b的電路框圖,該電路方案按功能劃分可以分為正電壓能量恢復(fù)模塊1、正電壓維持模塊2、正向復(fù)位模塊3、負(fù)電壓能量恢復(fù)模塊4、負(fù)電壓維持模塊5、隔離續(xù)流模塊6、負(fù)向復(fù)位模塊7、尋址模塊8、行芯片模塊9、數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)模塊10、電源模塊11。正電壓能量恢復(fù)模塊與正電壓維持模塊協(xié)調(diào)工作,在功能上產(chǎn)生驅(qū)動(dòng)顯示平板所需要的正電壓維持脈沖(圖2中T3的正電平脈沖),并提供較大的負(fù)載電流,降低無(wú)效電流在電路上的損耗;同樣負(fù)電壓能量恢復(fù)模塊與負(fù)電壓維持模塊協(xié)調(diào)工作,產(chǎn)生驅(qū)動(dòng)顯示平板所需要的負(fù)電壓維持脈沖(圖2中T3的負(fù)電平脈沖);正向復(fù)位模塊與負(fù)向復(fù)位模塊單獨(dú)或協(xié)同工作,產(chǎn)生驅(qū)動(dòng)顯示屏所需要復(fù)位波形(圖2中T1)和預(yù)復(fù)位波形(圖2中T4);尋址模塊產(chǎn)生驅(qū)動(dòng)顯示屏所需要的尋址波形(圖2中的T2);隔離續(xù)流模塊主要起到隔離正負(fù)電壓電路和銜接電路模塊的作用;行芯片模塊將以上模塊產(chǎn)生的組合波形移位輸出到金屬網(wǎng)板型等離子體顯示平板的行掃描電極上;數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)模塊將列數(shù)據(jù)波形輸出到金屬網(wǎng)板型等離子體顯示平板的列數(shù)據(jù)電極上;電源模塊為高壓波形產(chǎn)生電路提供直流高壓電源VPS、VNS、VPP、VNP、VNA、VER、VA。
結(jié)合圖5具體驅(qū)動(dòng)電路原理圖,正電壓能量恢復(fù)模塊由C1、Q1、Q2、D1、D2和L1所組成,正電壓維持模塊由D3、Q3和Q4組成,正向復(fù)位模塊由Q5、Q6、Q7和VR1、VR2、VR3組成,負(fù)電壓能量恢復(fù)模塊由C2、Q8、Q9、D4、D5和L2組成,負(fù)電壓維持模塊由D6、Q10、Q11組成,隔離續(xù)流模塊由Q12、Q13、D7和D8組成,負(fù)向復(fù)位電路由Q14、Q15、Q16、Q17、VR4、VR5、VR6、VR7和D12組成,尋址模塊由Q18、Q19、Q20、D9、D10、D11組成,數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)模塊由D13、Q21、Q22、IC2組成,行芯片模塊由IC1組成;上述正電壓能量恢復(fù)模塊通過(guò)電感L1的一端輸出與正電壓維持模塊輸出端(即MOSFET Q3的源極與MOSFET Q4漏極連接點(diǎn))、正向復(fù)位模塊輸出端(即MOSFET Q6的源極與MOSFET Q7源極連接點(diǎn))以及隔離續(xù)流模塊的一個(gè)輸入端(即Q12漏極與D8陰極連接點(diǎn))相連,負(fù)電壓能量恢復(fù)模塊通過(guò)電感L2的一端輸出與負(fù)電壓維持模塊輸出(即Q10的源極與Q11的漏極連接點(diǎn))以及隔離續(xù)流模塊一個(gè)輸入端(即Q13源極與D7的陽(yáng)極連接點(diǎn))相連,負(fù)向復(fù)位模塊輸出端(即D12的陽(yáng)極)與隔離續(xù)流模塊的一輸出端(即Q13漏極與D8陽(yáng)極連接點(diǎn))、尋址模塊電路的一個(gè)輸出端(即D9陰極與D10陽(yáng)極連接點(diǎn))相互連接與行芯片模塊的一個(gè)輸入端相連,尋址模塊電路的另一輸出端(即D11陽(yáng)極)與隔離續(xù)流模塊的一個(gè)輸出端(即Q12源極與D7陰極連接點(diǎn))與行芯片模塊的另一輸入端相連;數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)模塊的輸出為列芯片IC2的輸出或者Q21源極與Q22漏極的連接點(diǎn)。
圖5中上述所提及的模塊的控制輸入端是圖1中所標(biāo)注的R1、G1、B1、R2、G2、B2、COH、COL、CCLK、CSTB、CPOC、CBLK和XEPH、XEPL、XSPH、XSPL、XPRH、XPRH1、XPRH2、XENH、XENL、XSNH、XSNL、XSWP、XSWN、XVG2、XVG21、XVG22、XVG23、XVG1、XAD1、XAD2、XSTB、XBLK、XCLK、XSI、XHIZ這37個(gè)控制信號(hào),這些控制信號(hào)都是由邏輯控制電路a)產(chǎn)生,直流高壓電源模塊11提供圖2、圖6中所標(biāo)注的VPS、VPP、VNS、VNP、VNA、VER、VA這7組高壓。
通過(guò)執(zhí)行用戶(hù)程序,圖3所示的邏輯控制電路a控制圖5所示的高壓波形產(chǎn)生電路b,可以產(chǎn)生圖2所示的驅(qū)動(dòng)金屬網(wǎng)板型等離子體顯示平板所需要的基本驅(qū)動(dòng)波形,也可以產(chǎn)生圖6所示的選擇性擦除尋址波形。下面將按照驅(qū)動(dòng)波形的四個(gè)階段(T1、T2、T3、T4)分別詳細(xì)描述通過(guò)有效控制高壓波形產(chǎn)生電路b產(chǎn)生圖2所示的驅(qū)動(dòng)金屬網(wǎng)板型等離子體顯示平板所需要的四個(gè)波形階段。
發(fā)生基本驅(qū)動(dòng)波形T3的控制流程如下在T3之前,MOSFET中的Q4、Q10、Q12、Q13處于打開(kāi)導(dǎo)通狀態(tài),其余所有MOSFET都處于關(guān)閉截至狀態(tài),這時(shí)行驅(qū)動(dòng)芯片地端、電源端保持系統(tǒng)接地GND,所有掃描驅(qū)動(dòng)芯片輸出為GND;進(jìn)入T3之前100ns,首先關(guān)閉Q4、Q13,進(jìn)入T3時(shí)打開(kāi)Q1,電容C1上存儲(chǔ)的能量通過(guò)電流流向路徑C1-Q1-D1-L1-Q12-IC1-Cp給Cp進(jìn)行充電,充電過(guò)程(該過(guò)程時(shí)間長(zhǎng)度由L1和Cp的大小所決定),稱(chēng)為正向能量恢復(fù)上升時(shí)間)結(jié)束時(shí),掃描芯片輸出端電壓可以很接近VPS,此時(shí)關(guān)閉Q1,打開(kāi)Q3,VPS通過(guò)VPS-D3-Q3-Q12-IC1-Cp給Cp提供VPS電源,用以提供金屬網(wǎng)板型等離子體顯示平板內(nèi)部單元放電所需的能量,Q3打開(kāi)的時(shí)間長(zhǎng)度(稱(chēng)為正向維持時(shí)間)可以根據(jù)金屬網(wǎng)板型等離子體顯示平板的具體情況以及維持頻率要求靈活選擇;正向維持時(shí)間結(jié)束時(shí)關(guān)閉Q3,然后打開(kāi)Q2,Cp上由原先充電所得的能量反過(guò)來(lái)通過(guò)電流流向路徑Cp-IC1-D8-L1-D2-Q2-C1進(jìn)行放電,將能量回收到C1中,放電結(jié)束的時(shí)候,掃描芯片輸出端電壓可以很接近GND,該放電時(shí)間長(zhǎng)度(正向能量恢復(fù)下降時(shí)間)主要由L1和Cp的大小所決定,一般大小取與正向能量恢復(fù)上升時(shí)間基本相等,正向能量恢復(fù)下降時(shí)間結(jié)束后,關(guān)閉Q2,然后打開(kāi)Q4,Q13,使掃描芯片IC1輸出到Cp上的電壓鉗位在GND,此時(shí)只有Q4、Q10、Q12、Q13四個(gè)MOSFET處于打開(kāi)狀態(tài),其余MOSFET都處于關(guān)閉狀態(tài),以上整個(gè)過(guò)程構(gòu)成T3期的一個(gè)正向維持脈沖;200ns之后,首先關(guān)閉Q12、Q10,然后打開(kāi)Q9,Cp通過(guò)電流流向路徑Cp-IC1-Q13-L2-D5-Q9-C2對(duì)C2進(jìn)行充電,將能量回收到C2中,該過(guò)程(稱(chēng)為負(fù)向能量恢復(fù)下降時(shí)間,主要由L2和Cp的大小所決定)結(jié)束的時(shí)候,掃描芯片輸出端電壓可以很接近VNS,此時(shí)關(guān)閉Q9,打開(kāi)Q11,電源VNS通過(guò)VNS-D6-Q11-Q13-IC1-Cp給Cp提供VNS電源,用以提供金屬網(wǎng)板型等離子體顯示平板內(nèi)部單元放電所需的能量,Q11打開(kāi)的時(shí)間長(zhǎng)度(稱(chēng)為負(fù)向維持時(shí)間)可以根據(jù)金屬網(wǎng)板型等離子體顯示平板的具體情況以及維持頻率要求靈活選擇,這里考慮驅(qū)動(dòng)波形的對(duì)稱(chēng)性一般取負(fù)向維持時(shí)間等于正向維持時(shí)間,負(fù)向維持時(shí)間結(jié)束時(shí)首先關(guān)閉Q11,然后打開(kāi)Q8,電容C2上存儲(chǔ)的能量通過(guò)電流流向路徑C2-Q8-D4-L2-D7-IC1-Cp給Cp進(jìn)行充電,該過(guò)程(稱(chēng)為負(fù)向能量恢復(fù)上升時(shí)間)時(shí)間長(zhǎng)度主要由L2和Cp的大小所決定,考慮波形的對(duì)稱(chēng)性,取L1=L2,這樣正向能量恢復(fù)上升時(shí)間、正向能量恢復(fù)下降時(shí)間、負(fù)向能量恢復(fù)下降時(shí)間、負(fù)向能量恢復(fù)上升時(shí)間基本相等;負(fù)向能量恢復(fù)上升時(shí)間結(jié)束時(shí),關(guān)閉Q8,然后打開(kāi)Q10、Q12,使掃描芯片IC1輸出到Cp上的電壓鉗位在GND,此時(shí)只有Q4、Q10、Q12、Q13四個(gè)MOSFET處于打開(kāi)狀態(tài),其余MOSFET都處于關(guān)閉狀態(tài),以上整個(gè)過(guò)程構(gòu)成T3期的一個(gè)負(fù)向維持脈沖;需要說(shuō)明的是,由于IC1的電源和地之間的寄生二極管的存在,使得在整個(gè)T3時(shí)期,IC1的電源和地電壓基本相等,T3過(guò)程對(duì)Cp的充、放電電流都是從IC1內(nèi)部寄生二極管流過(guò)的。一個(gè)正向維持脈沖和一個(gè)負(fù)向維持脈沖組成一個(gè)維持脈沖組,多個(gè)維持脈沖組組成一個(gè)維持期,即T3。
發(fā)生基本驅(qū)動(dòng)波形T1的控制流程如下進(jìn)入T1之前,只有Q4、Q10、Q12、Q13四個(gè)MOSFET處于打開(kāi)狀態(tài),其余MOSFET都處于關(guān)閉狀態(tài),使得行驅(qū)動(dòng)芯片地端、電源端保持系統(tǒng)接地GND,所有掃描驅(qū)動(dòng)芯片輸出為GND,首先關(guān)閉Q4、Q13,然后打開(kāi)Q6、Q7,完成復(fù)位斜波上升的準(zhǔn)備工作,然后打開(kāi)Q5,此時(shí)進(jìn)入T1的第一段上升斜波,由于電阻VR1、VR2、VR3并聯(lián)電阻很小,第一段上升斜波的斜率很陡,第一段上升斜波結(jié)束時(shí),關(guān)閉Q7,進(jìn)入T1的第二段上升斜波,由于電阻VR1、VR2的并聯(lián)電阻比VR1、VR2、VR3的并聯(lián)電阻大,第二段上升斜波斜率比第一段上升斜波的斜率小,第二段上升斜波結(jié)束時(shí),關(guān)閉Q5,進(jìn)入T1的第三段上升斜波,由于電阻VR1比VR1、VR2的并聯(lián)電阻大,第三段上升斜波斜率比第二段上升斜波的斜率更小,三段斜波上升結(jié)束后,掃描芯片輸出端電壓可以很接近VPP,以上過(guò)程構(gòu)成T1期的斜波上升期;之后,關(guān)閉Q5、Q12,然后打開(kāi)Q4、Q15、Q16,Q17進(jìn)行T3期斜波下降的準(zhǔn)備工作,然后打開(kāi)Q14,進(jìn)入第一段下降斜波,由于電阻VR4、VR5、VR6、VR7并聯(lián)電阻很小,第一段下降斜波的斜率很陡,第一段下降斜波結(jié)束時(shí),關(guān)閉Q17,進(jìn)入第二段下降斜波,由于電阻VR4、VR5、VR6并聯(lián)電阻比VR4、VR5、VR6、VR7并聯(lián)電阻小,第二段下降斜波斜率比第一段下降斜波斜率小,第二段下降斜波結(jié)束時(shí),關(guān)閉Q16,進(jìn)入第三段下降斜波斜,由于電阻VR4、VR5比VR4、VR5、VR6并聯(lián)電阻小,第三段下降斜波斜率比第二段下降斜波斜率更小,第三段下降斜波結(jié)束時(shí),關(guān)閉Q15,進(jìn)入第四段下降斜波斜,由于電阻VR4比VR4、VR5并聯(lián)電阻小,第四段下降斜波斜率比第三段下降斜波斜率更小,以上過(guò)程構(gòu)成T1期的斜波下降期;斜波上升期和斜波下降期組成整個(gè)T1復(fù)位期。在T1結(jié)束時(shí),掃描芯片輸出端電壓達(dá)到VNP時(shí),關(guān)閉Q14。
發(fā)生基本驅(qū)動(dòng)波形T2的控制流程如下首先由發(fā)生基本驅(qū)動(dòng)波形T1結(jié)束狀態(tài)時(shí)可知驅(qū)動(dòng)波形處于VNP電位,只有Q4、Q11打開(kāi)。打開(kāi)Q18、Q19、Q20,這時(shí)候行芯片IC1的電源端接VNA電位,地端接VNP電位,VNA-VNP的電壓差構(gòu)成行芯片的工作電壓,該電壓由芯片的耐電壓特性所決定,實(shí)際驅(qū)動(dòng)中,VNA大于VNP,這樣在VNP確定下來(lái)的時(shí)候可以選擇合適的VNA,行芯片施加工作電壓后,在行芯片控制信號(hào)XSTB、XBLK、XCLK、XSI、XHIZ控制下,行芯片移位輸出尋址脈沖到行掃描電極上,相應(yīng)列數(shù)據(jù)電極的輸出電壓幅度為VA的數(shù)據(jù),這樣可以完成金屬網(wǎng)板型等離子體顯示平板上相應(yīng)像素點(diǎn)的尋址點(diǎn)火,尋址點(diǎn)火的脈寬寬度主要由金屬網(wǎng)板型等離子體顯示平板的特性所決定。尋址結(jié)束的時(shí)候,先關(guān)閉Q10、Q20,再打開(kāi)Q13,使得行芯片電源、地端都連接電壓VNA,接著關(guān)閉Q18、Q19,然后打開(kāi)Q10、Q12,使得掃描電極輸出鉗位到GND。
發(fā)生基本驅(qū)動(dòng)波形T4的控制流程如下T4之前,只有Q4、Q10、Q12、Q13四個(gè)MOSFET處于打開(kāi)狀態(tài),先關(guān)閉Q12、Q13,打開(kāi)Q15,進(jìn)行T4開(kāi)始的準(zhǔn)備工作,然后打開(kāi)Q14,進(jìn)入斜波下降階段,斜波下降一段時(shí)間后,關(guān)閉Q14,該下降時(shí)間必須通過(guò)實(shí)驗(yàn)精確給出,使得電壓正好下降到VNS附近是關(guān)閉Q14,形成沒(méi)有完全下降到VNP的下降斜波。當(dāng)電壓下降到VNS后關(guān)閉Q14,再關(guān)閉Q15,然后打開(kāi)Q12、Q13,使得掃描電極輸出鉗位到GND。
圖2中驅(qū)動(dòng)金屬網(wǎng)板型等離子體顯示平板所需的基本波形T1、T2、T3、T4都可以通過(guò)有效控制高壓波形產(chǎn)生電路b而產(chǎn)生,構(gòu)成本發(fā)明的實(shí)施例1。
圖6所示的驅(qū)動(dòng)金屬網(wǎng)板型等離子體顯示平板選擇性擦除尋址波形也可以通過(guò)改變電源連接和控制驅(qū)動(dòng)電路,使得圖2中尋址期上移而產(chǎn)生,此時(shí)需要將VNP、VNA接到GND,這構(gòu)成本發(fā)明的實(shí)施例2。
對(duì)于圖5所示的電源VNP可以等于系統(tǒng)的最低電壓(小于VNS),也可以等于VNS,還可以等于GND,不同的電源接法可以產(chǎn)生不同波形,但控制流程有所差別,在實(shí)施例1中選擇VNP等于系統(tǒng)的最低電壓(小于VNS),在實(shí)施例2中選擇VNP等于GND,當(dāng)VNP等于VNS時(shí),構(gòu)成本發(fā)明的實(shí)施例3。
在以上實(shí)施例中,VNA電壓是變化的,只要滿(mǎn)足VNA-VER的電壓差不變,該電壓差就是行芯片的工作電壓。
權(quán)利要求
1.一種金屬網(wǎng)板型等離子體顯示平板測(cè)試用多功能驅(qū)動(dòng)電路,其特征是它主要由邏輯控制電路(a)、高壓波形產(chǎn)生電路(b)組成,邏輯控制電路(a)的兩個(gè)輸出端分別接到高壓波形產(chǎn)生電路(b)的兩個(gè)輸入端,高壓波形產(chǎn)生電路(b)的兩個(gè)輸出端分別接金屬網(wǎng)板型等離子體顯示平板的行掃描電極和列數(shù)據(jù)電極;所述的邏輯控制電路(a)由可編程邏輯芯片組成,它的兩個(gè)輸出端經(jīng)過(guò)驅(qū)動(dòng)芯片驅(qū)動(dòng)后分別輸出兩組數(shù)字開(kāi)關(guān)信號(hào)R1、G1、B1、R2、G2、B2、COH、COL、CCLK、CSTB、CPOC、CBLK和XEPH、XEPL、XSPH、XSPL、XPRH、XPRH1、XPRH2、XENH、XENL、XSNH、XSNL、XSWP、XSWN、XVG2、XVG21、XVG22、XVG23、XVG1、XAD1、XAD2、XSTB、XBLK、XCLK、XSI、XHIZ,這兩組數(shù)字開(kāi)關(guān)信號(hào)控制高壓波形產(chǎn)生電路(b)分別產(chǎn)生合適的列數(shù)據(jù)波形和行掃描波形來(lái)驅(qū)動(dòng)金屬網(wǎng)板型等離子體顯示平板進(jìn)行圖像顯示;所述的高壓波形產(chǎn)生電路(b)由正電壓能量恢復(fù)模塊(1)、正電壓維持模塊(2)、正向復(fù)位模塊(3)、負(fù)電壓能量恢復(fù)模塊(4)、負(fù)電壓維持模塊(5)、隔離續(xù)流模塊(6)、負(fù)向復(fù)位模塊(7)、尋址模塊(8)、行芯片模塊(9)、數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)模塊(10)、電源模塊(11)所組成,它們所需的輸入控制信號(hào)XEPH、XEPL、XSPH、XSPL、XPRH、XPRH1、XPRH2、XENH、XENL、XSNH、XSNL、XSWP、XSWN、XVG2、XVG21、XVG22、XVG23、XVG1、XAD1、XAD2、XSTB、XBLK、XCLK、XSI、XHIZ、COH、COL、CCLK、CSTB、CPOC及CBLK由邏輯控制電路(a)提供,其中正電壓維持模塊(2)、正向復(fù)位模塊(3)、負(fù)電壓維持模塊(5)、負(fù)向復(fù)位模塊(7)、尋址模塊(8)、數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)模塊(10)所需的高壓信號(hào)VPS、VPP、VNS、VNP、VNA、VER、VA由直流高壓電源模塊(11)提供,正向復(fù)位模塊(3)的輸出端、正電壓維持模塊(2)的輸出端、正電壓能量恢復(fù)模塊(1)的輸出端一起與隔離續(xù)流模塊(6)的一個(gè)輸入端相連,負(fù)電壓能量恢復(fù)模塊(4)的輸出端、負(fù)電壓維持模塊(5)的輸出端一起與隔離續(xù)流模塊(6)的另一個(gè)輸入端相連,隔離續(xù)流模塊(6)的一個(gè)輸出端與尋址模塊(8)的一個(gè)輸出端一起與行芯片模塊(9)的一個(gè)輸入端相連,隔離續(xù)流模塊(6)的另一個(gè)輸出端、尋址模塊(8)的另一個(gè)輸出端及負(fù)向復(fù)位模塊(7)輸出端一起與行芯片模塊(9)的另一個(gè)輸入端相連,行芯片模塊(9)的輸出端與金屬網(wǎng)板型等離子體顯示平板對(duì)應(yīng)的行掃描電極相連,數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)模塊(10)的輸出端與金屬網(wǎng)板型等離子體顯示平板對(duì)應(yīng)的列數(shù)據(jù)電極相連。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的金屬網(wǎng)板型等離子體顯示平板測(cè)試用多功能驅(qū)動(dòng)電路,其特征是所述的數(shù)字開(kāi)關(guān)信號(hào)R1、G1、B1、R2、G2、B2、COH、COL、CCLK、CSTB、CPOC、CBLK是數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)模塊(10)的輸入控制信號(hào),XEPH、XEPL是正電壓能量恢復(fù)模塊(1)的輸入控制信號(hào),XSPH、XSPL是正電壓維持模塊(2)的輸入控制信號(hào),XPRH、XPRH1、XPRH2是正向復(fù)位模塊(3)的輸入控制信號(hào),XENH、XENL是負(fù)電壓能量恢復(fù)模塊(4)的輸入控制信號(hào),XSNH、XSNL是負(fù)電壓維持模塊(5)的輸入控制信號(hào),XSWP、XSWN是隔離續(xù)流模塊(6)的輸入控制信號(hào),XVG2、XVG21、XVG22、XVG23是負(fù)向復(fù)位模塊(7)的輸入控制信號(hào),XVG1、XAD1、XAD2是尋址模塊(8)的輸入控制信號(hào),XSTB、XBLK、XCLK、XSI、XHIZ是行芯片模塊(9)的輸入控制信號(hào)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的金屬網(wǎng)板型等離子體顯示平板測(cè)試用多功能驅(qū)動(dòng)電路,其特征是所述的正電壓能量恢復(fù)模塊(1)由電容C1、場(chǎng)效應(yīng)管Q1、場(chǎng)效應(yīng)管Q2、二極管D1、二極管D2和電感L1所組成,正電壓能量恢復(fù)模塊(1)的輸入從場(chǎng)效應(yīng)管Q1、Q2對(duì)應(yīng)的柵極引出接邏輯控制電路(a)的數(shù)字開(kāi)關(guān)信號(hào)輸出端XEPH和XEPL,正電壓能量恢復(fù)模塊(1)的輸出通過(guò)電感L1的一端引出與正向復(fù)位模塊(3)的輸出端、正電壓維持模塊(2)的輸出端一起與隔離續(xù)流模塊(6)的一個(gè)輸入端相連。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的金屬網(wǎng)板型等離子體顯示平板測(cè)試用多功能驅(qū)動(dòng)電路,其特征是所述的正電壓維持模塊(2)由二極管D3、場(chǎng)效應(yīng)管Q3、Q4組成,正電壓維持模塊(2)的輸入從場(chǎng)效應(yīng)管Q3、Q4對(duì)應(yīng)的柵極引出接邏輯控制電路(a)的數(shù)字開(kāi)關(guān)信號(hào)輸出端XSPH、XSPL,正電壓維持模塊(2)的輸出從場(chǎng)效應(yīng)管Q3的源極、Q4的漏極的連接點(diǎn)引出與正向復(fù)位模塊(3)的輸出端、正電壓能量恢復(fù)模塊(1)的輸出端即電感L1的一端一起與隔離續(xù)流模塊(6)的一個(gè)輸入端相連,正電壓維持模塊(2)的高壓信號(hào)VPS的輸入端從二極管D3的陽(yáng)極引出接直流高壓電源模塊(11)對(duì)應(yīng)輸出端;所述的正向復(fù)位模塊(3)由場(chǎng)效應(yīng)管Q5、Q6、Q7和可變電阻VR1、VR2、VR3組成,正向復(fù)位模塊(3)的輸入從場(chǎng)效應(yīng)管Q5、Q6、Q7對(duì)應(yīng)的柵極引出接邏輯控制電路(a)的數(shù)字開(kāi)關(guān)信號(hào)輸出端XPRH、XPRH1、XPRH2,正向復(fù)位模塊(3)的輸出從場(chǎng)效應(yīng)管Q6的源極、Q7的源極、可變電阻VR1的一端的連接點(diǎn)引出與正電壓能量恢復(fù)模塊(1)的輸出端即L1的一端、正電壓維持模塊(2)的輸出端一起與隔離續(xù)流模塊(6)的一個(gè)輸入端相連,正向復(fù)位模塊(3)的高壓信號(hào)VPP的輸入端從場(chǎng)效應(yīng)管Q5的漏極引出接直流高壓電源模塊(11)的對(duì)應(yīng)輸出端。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的金屬網(wǎng)板型等離子體顯示平板測(cè)試用多功能驅(qū)動(dòng)電路,其特征是所述的負(fù)電壓能量恢復(fù)模塊(4)由電容C2、場(chǎng)效應(yīng)管Q8、Q9、二極管D4、D5和電感L2組成,它的輸入通過(guò)場(chǎng)效應(yīng)管Q8、Q9對(duì)應(yīng)的柵極引出接邏輯控制電路(a)的數(shù)字開(kāi)關(guān)信號(hào)輸出端XENH、XENL,它的輸出通過(guò)電感L2的一端引出并且與負(fù)電壓維持模塊(5)的輸出端、隔離續(xù)流模塊(6)的一個(gè)輸入端連在一起;所述的負(fù)電壓維持模塊(5)由場(chǎng)效應(yīng)管Q10、Q11和二極管D6組成,它的輸入從場(chǎng)效應(yīng)管Q10、Q11對(duì)應(yīng)的柵極引出接邏輯控制電路(a)的數(shù)字開(kāi)關(guān)信號(hào)端XSNH、XSNL,它的輸出從場(chǎng)效應(yīng)管Q10的源極、Q11的漏極的連接點(diǎn)引出并且與負(fù)電壓能量恢復(fù)模塊(4)的輸出端即電感L2的一端、隔離續(xù)流模塊(6)的一個(gè)輸入端連在一起;負(fù)電壓維持模塊(5)的高壓信號(hào)VNS的輸入端從二極管D6的陰極引出接直流高壓電源模塊(11)的對(duì)應(yīng)輸出端。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的金屬網(wǎng)板型等離子體顯示平板多功能驅(qū)動(dòng)電路裝置,其特征是所述的隔離續(xù)流模塊(6)由場(chǎng)效應(yīng)管Q12、Q13,二極管D7、D8組成,它的控制輸入分別從場(chǎng)效應(yīng)管Q12、Q13對(duì)應(yīng)的柵極引出接對(duì)應(yīng)的邏輯控制電路(a)的數(shù)字開(kāi)關(guān)信號(hào)輸出端XSWP、XSWN,它的另外兩路輸入端分別從場(chǎng)效應(yīng)管Q12的漏極和場(chǎng)效應(yīng)管Q13的源極引出并且分別接正電壓能量恢復(fù)模塊(1)的輸出(即L1的一端)和負(fù)電壓能量恢復(fù)模塊(4)的輸出(即L2的一端),它的另兩個(gè)輸出端從場(chǎng)效應(yīng)管Q12的源極和場(chǎng)效應(yīng)管Q13的漏極引出分別接尋址模塊(8)和負(fù)向復(fù)位模塊(7)。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的金屬網(wǎng)板型等離子體顯示平板測(cè)試用多功能驅(qū)動(dòng)電路,其特征是所述的負(fù)向復(fù)位電路(7)由場(chǎng)效應(yīng)管Q14、Q15、Q16、Q17、二極管D12和可變電阻VR4、VR5、VR6、VR7組成;它的輸入從場(chǎng)效應(yīng)管Q14、Q15、Q16、Q17對(duì)應(yīng)的柵極引出接邏輯控制電路(a)的數(shù)字開(kāi)關(guān)信號(hào)輸出端XVG2、XVG21、XVG22、XVG23,其輸出從二極管D12的陽(yáng)極引出與隔離續(xù)流模塊(6)的一個(gè)輸出端、行芯片模塊(9)的一個(gè)輸入端、尋址模塊(8)的一個(gè)輸出端相連;負(fù)向復(fù)位電路(7)的高壓信號(hào)VNP從場(chǎng)效應(yīng)管Q15、Q16、Q17的源極連接點(diǎn)引出接直流高壓電源模塊(11)的對(duì)應(yīng)輸出端。8、根據(jù)權(quán)利要求1所述的金屬網(wǎng)板型等離子體顯示平板測(cè)試用多功能驅(qū)動(dòng)電路,其特征是所述的尋址模塊(8)由場(chǎng)效應(yīng)管Q18、Q19、Q20和二極管D9、D1O、D11組成,它的輸入端從場(chǎng)效應(yīng)管Q18、Q19、Q20對(duì)應(yīng)的柵極引出接邏輯控制電路(a)的數(shù)字開(kāi)關(guān)信號(hào)輸出端XAD1、XAD2、XVG1,它的一個(gè)輸出從二極管D9的陰極、D1O的陽(yáng)極的連接點(diǎn)引出與隔離續(xù)流模塊(6)的一個(gè)輸出端、負(fù)向復(fù)位電路(7)的輸出端、行芯片模塊(9)的一個(gè)輸入端相連,它的另一個(gè)輸出端從D11的陽(yáng)極引出與隔離續(xù)流模塊(6)的另一個(gè)輸出端、行芯片模塊(9)的一個(gè)輸入端連在一起;尋址模塊(8)的高壓信號(hào)輸入端VNA、VER分別從場(chǎng)效應(yīng)管Q18、Q19的源極的連接點(diǎn)以及場(chǎng)效應(yīng)管Q20的源極引出接直流高壓電源模塊(11)的對(duì)應(yīng)輸出端。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的金屬網(wǎng)板型等離子體顯示平板測(cè)試用多功能驅(qū)動(dòng)電路,其特征是所述的行芯片模塊(9)由行芯片IC1組成,它的一個(gè)輸入端與隔離續(xù)流模塊(6)的一個(gè)輸出端、尋址模塊(8)的一個(gè)輸出端連在一起,另外一個(gè)輸入端與隔離續(xù)流模塊(6)的另一個(gè)輸出端、負(fù)向復(fù)位電路(7)的輸出端、尋址模塊(8)的另一個(gè)輸出端連在一起;行芯片模塊(9)的控制信號(hào)由邏輯控制電路(a)的數(shù)字開(kāi)關(guān)信號(hào)輸出端XSTB、XBLK、XCLK、XSI、XHIZ提供;行芯片模塊(9)的輸出端接金屬網(wǎng)板型等離子體顯示平板的行掃描電極。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的金屬網(wǎng)板型等離子體顯示平板測(cè)試用多功能驅(qū)動(dòng)電路,其特征是所述的數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)模塊(10)由場(chǎng)效應(yīng)管Q21、Q22、二極管D13、列芯片IC2組成,它的輸入從場(chǎng)效應(yīng)管Q21、Q22對(duì)應(yīng)的柵極引出接邏輯控制電路(a)的數(shù)字開(kāi)關(guān)信號(hào)輸出端COH、COL,它的輸出端接金屬網(wǎng)板型等離子體顯示平板的列數(shù)據(jù)電極;列芯片IC2的輸入控制信號(hào)接邏輯控制電路(a)的數(shù)字開(kāi)關(guān)信號(hào)輸出端CCLK、CSTB、CPOC及CBLK;數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)模塊(10)的高壓信號(hào)VA的輸入端從二極管D13的正極引出接直流高壓電源模塊(11)對(duì)應(yīng)輸出端。
全文摘要
一種金屬網(wǎng)板型等離子體顯示平板檢測(cè)測(cè)試用多功能驅(qū)動(dòng)電路,屬于顯示器技術(shù)領(lǐng)域,它由邏輯控制電路(a)、高壓波形產(chǎn)生電路(b)組成,邏輯控制電路(a)由可編程邏輯芯片和驅(qū)動(dòng)芯片74HC541組成,高壓波形產(chǎn)生電路(b)由正電壓能量恢復(fù)模塊(1)、正電壓維持模塊(2)、正向復(fù)位模塊(3)、負(fù)電壓能量恢復(fù)模塊(4)、負(fù)電壓維持模塊(5)、隔離續(xù)流模塊(6)、負(fù)向復(fù)位模塊(7)、尋址模塊(8)、行芯片模塊(9)、數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)模塊(10)、電源模塊(11)所組成。該電路裝置通過(guò)產(chǎn)生合適的列數(shù)據(jù)波形和行掃描波形來(lái)驅(qū)動(dòng)金屬網(wǎng)板型等離子體顯示平板進(jìn)行圖像顯示。
文檔編號(hào)G09G3/20GK101089931SQ200710025119
公開(kāi)日2007年12月19日 申請(qǐng)日期2007年7月13日 優(yōu)先權(quán)日2007年7月13日
發(fā)明者夏興隆, 吳忠, 張 雄, 湯勇明, 朱立鋒, 王保平 申請(qǐng)人:南京華顯高科有限公司