專利名稱:負升壓充電泵電路、lcd驅(qū)動ic、液晶顯示裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域:
本發(fā)明涉及對輸入電壓負升壓來生成所期望的輸出電壓的負升壓充電泵電路、和具備該負升壓充電泵電路的LCD驅(qū)動IC以及液晶顯示裝置。
背景技術(shù):
以往公知有一種充電泵電路,其通過利用由電荷傳輸用晶體管和電荷傳輸用電容器構(gòu)成的多級升壓單元,對輸入電壓正升壓或負升壓,來生成所期望的輸出電壓。
在上述的現(xiàn)有充電泵電路中,一般采用場效應(yīng)晶體管作為電荷傳輸用晶體管,其溝道類型遍布整級統(tǒng)一為N溝道型或P溝道型的任意一種。
另外,作為與本申請發(fā)明相關(guān)聯(lián)的現(xiàn)有技術(shù)的一個例子,在專利文獻1(特開平8-103070號公報)中公開提出了一種充電泵電路,其中,將多級升壓單元中構(gòu)成前級側(cè)升壓單元的晶體管的基板電位、和構(gòu)成后級側(cè)升壓單元的晶體管的基板電位設(shè)定為相互不同的電位。
而且,作為與本申請發(fā)明相關(guān)聯(lián)的現(xiàn)有技術(shù)的另外一個例子,在專利文獻2(特開2003-197793號公報(特別是第七圖))中公開提出了一種充電泵電路,其中,四個電荷傳輸用晶體管中前級側(cè)被設(shè)定為N溝道型,后級側(cè)被設(shè)定為P溝道型,并且,按照各晶體管的漏極與基板成為同電位的方式進行連接。
的確,根據(jù)上述現(xiàn)有的充電泵電路,與采用了開關(guān)調(diào)節(jié)器(斬波型調(diào)節(jié)器)的情況不同,不需要高次諧波噪聲的屏蔽(shield)和外帶線圈,能夠生成所期望的升壓電壓。
但是,在如上所述貫穿整級將電荷傳輸用晶體管統(tǒng)一為N溝道型或P溝道型的現(xiàn)有結(jié)構(gòu)中,基于下述的理由,在構(gòu)成負升壓充電泵電路之際,將導(dǎo)致其升壓級數(shù)會自動產(chǎn)生上限,有可能無法生成所期望的輸出電壓。
即,在將電荷傳輸用晶體管全部設(shè)為N溝道型的現(xiàn)有結(jié)構(gòu)中,如果僅由單阱式的工藝形成各晶體管,則無法獨立分離各自的背柵電位,必然使所有晶體管的背柵電位成為系統(tǒng)的最低電位(負極性的輸出電位),因此,越是前級側(cè)的晶體管,其源極電位與背柵電位越偏離,而且越是前級側(cè)的晶體管,越具有基于背柵效果而難以遷移為導(dǎo)通狀態(tài)的傾向。因此,在上述現(xiàn)有的充電泵電路中,從防患起動不良于未然的觀點出發(fā),不能夠?qū)ζ渖龎簡卧^度地增級。
另一方面,在電荷傳輸用晶體管全部設(shè)為P溝道型的現(xiàn)有結(jié)構(gòu)中,由于作為各晶體管的柵極電位施加了系統(tǒng)的最低電位(負極性的輸出電位),所以,越靠近后級側(cè)的晶體管,其柵極/源極間電位越減少,并且,越是后級側(cè)的晶體管,越具有其電流驅(qū)動能力匱乏的傾向。因此,在上述現(xiàn)有的充電泵電路中,從維持所期望的電流驅(qū)動能力的觀點出發(fā),不能夠?qū)ζ渖龎簡卧^度地增級。另外,也可以考慮越是后級側(cè)的晶體管越擴大尺寸,來維持所期望的電流驅(qū)動能力的結(jié)構(gòu),但是由于若從芯片面積方面考慮,則該結(jié)構(gòu)的效率非常低,所以,不能夠成為現(xiàn)實的解決方案。
另外,專利文獻1的現(xiàn)有技術(shù)通過將前級側(cè)的晶體管和后級側(cè)的晶體管電分離,并賦予不同的電位作為各晶體管的背柵電位,來謀求上述課題的解決,由于伴隨工藝的繁雜化,所以,是與本申請發(fā)明本質(zhì)不同的發(fā)明。
而且,在專利文獻2的現(xiàn)有技術(shù)中,如該文獻中的圖7及其說明那樣,按照晶體管M1~M4的柵極/基板間電壓Vgb與柵極/漏極間電壓Vgd成為相同值的方式,選擇電平移動電路S1~S4的電源及GND側(cè)輸入的電壓,這將使電路變得復(fù)雜。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明鑒于上述的問題點,其目的在于提供一種不會招致工藝的復(fù)雜化和芯片尺寸的增大,能夠避免升壓單元的增級所伴隨的起動不良和電流驅(qū)動能力降低的負升壓充電泵電路、和具備該負升壓充電泵電路的LCD驅(qū)動IC以及液晶顯示裝置。
為了實現(xiàn)上述目的,本發(fā)明的負升壓充電泵電路通過利用由電荷傳輸用晶體管和電荷傳輸用電容器構(gòu)成的多級升壓單元對輸入電壓進行負升壓,生成所期望的輸出電壓,其中,在所述電荷傳輸用晶體管中,前級側(cè)是P溝道型場效應(yīng)晶體管,后級側(cè)是N溝道型場效應(yīng)晶體管。
參照附圖,可以從下述優(yōu)選實施方式的具體描述中明確本發(fā)明的其他特征、要素、步驟、優(yōu)點和特性等。
圖1是表示本發(fā)明的移動電話終端的一個實施方式的框圖。
圖2是表示掃描信號及數(shù)據(jù)信號的一個例子的時序圖。
圖3是表示電源電路部31的一個結(jié)構(gòu)例的電路框圖。
圖4是表示緩沖器BUF2的一個結(jié)構(gòu)例的電路圖。
具體實施例方式
下面,對在移動電話終端中搭載的液晶顯示裝置的電源電路部(DC/DC轉(zhuǎn)換器)應(yīng)用了本發(fā)明的情況進行舉例說明。
圖1是表示本發(fā)明的移動電話終端的一個實施方式的框圖。如該圖所示,本實施方式的移動電話終端具有作為終端電源的直流電源10、作為終端顯示機構(gòu)的液晶顯示面板20(下面稱作LCD“Liquid Crystal Display”面板20)、和進行LCD面板20的驅(qū)動控制的LCD驅(qū)動IC30。另外,雖然在該圖中沒有明示,但本實施方式的移動電話終端除了上述構(gòu)成要素之外,當然還具有收發(fā)電路部、揚聲器部、麥克部、顯示部、操作部、存儲器部等,作為實現(xiàn)其本質(zhì)功能(通信功能等)的機構(gòu)。
直流電源10是向終端各部供給電力的機構(gòu),可以是鋰離子電池等二次電池,也可以是從商用交流電壓生成直流電壓的AC/DC轉(zhuǎn)換器。
LCD面板20構(gòu)成為在水平方向和垂直方向分別遍布掃描線X1~Xm和數(shù)據(jù)線Y1~Yn,根據(jù)各自對應(yīng)的有源元件(在本實施方式中為薄膜二級管23)的導(dǎo)通/截止,對按兩信號線的交差點而設(shè)置的像素21的液晶單元22進行驅(qū)動(TFD“Thin Film Diode”型有源矩陣方式)。
另外,為了使附圖的說明簡單化,本實施方式中舉例說明了一個像素21具有一個液晶單元22和一個薄膜二級管23(即單色構(gòu)成)的情況,但本發(fā)明的構(gòu)成不限定于此,在進行RGB三種顏色的彩色顯示時,只要按RGB各種顏色由三個液晶單元和三個薄膜二級管構(gòu)成一個像素即可。
而且,本實施方式舉例說明了當串聯(lián)連接像素21的液晶單元22和薄膜二級管23時,將液晶單元22連接于數(shù)據(jù)線Y1~Yn一側(cè),將薄膜二級管23連接于掃描線X1~Xm一側(cè)的構(gòu)成,但本發(fā)明的構(gòu)成不限定于此,也可以使二者的連接關(guān)系相反。
并且,本實施方式舉例說明了采用薄膜二級管作為有源元件的TFD型有源矩陣方式,但本發(fā)明的構(gòu)成不限定于此,也可以是采用薄膜晶體管作為有源元件的TFT“Thin Film Transistor”型有源矩陣方式。
LCD驅(qū)動IC30具有電源電路部31、掃描線驅(qū)動部(公用驅(qū)動器;COM驅(qū)動器)32、數(shù)據(jù)線驅(qū)動部(節(jié)段(segment)驅(qū)動器;SEG驅(qū)動器)33而構(gòu)成。
電源電路部31從直流電源10接收電源電壓Vin的供給而動作,是除了基準電壓VSS之外,根據(jù)電源電壓Vin生成各種內(nèi)部電壓(VH、VL、VD),并提供給IC各部(掃描線驅(qū)動部32與數(shù)據(jù)線驅(qū)動部33等)的機構(gòu)。
另外,內(nèi)部電壓VH、VL被設(shè)定為根據(jù)周圍溫度會變動的可變電壓(例如內(nèi)部電壓VH為+5[V]~+22.5[V]、內(nèi)部電壓VL為-18.5[V]~-1[V])。另一方面,內(nèi)部電壓VD被設(shè)定為不依賴于周圍溫度的、根據(jù)帶隙補償電壓而生成的恒定電壓(例如+4[V])。而且,基準電壓VSS被設(shè)定為接地電壓(0[V])。
掃描線驅(qū)動部32以及數(shù)據(jù)線驅(qū)動部33是根據(jù)來自IC外部的影像信號和定時控制信號(都未圖示),分別生成LCD面板20的掃描信號以及數(shù)據(jù)信號,并介由掃描線X1~Xm和數(shù)據(jù)線Y1~Yn將各信號提供給LCD面板20的機構(gòu)。
另外,介由掃描線X1~Xm提供給LCD面板20的掃描信號如圖2所示,被設(shè)定為下述的驅(qū)動方式,即在被分配于一幀期間中的各掃描線的選擇期間,按每一幀交替施加正極性的第一選擇電壓(內(nèi)部電壓VH)和負極性的第二選擇電壓(內(nèi)部電壓VL)的任意一個,在除此之外的非選擇期間,按每一幀交替施加第一非選擇電壓(內(nèi)部電壓VD)和第二非選擇電壓(基準電壓VSS)的任意一個(即,四值電平驅(qū)動方式)。通過采用這樣的驅(qū)動方式,與在任意的幀期間都總是施加同極性的選擇電壓的情況相比,能夠降低畫質(zhì)的劣化。
另一方面,介由數(shù)據(jù)線Y1~Yn提供給LCD面板20的數(shù)據(jù)信號如圖2所示,被設(shè)定為施加了內(nèi)部電壓VD與基準電壓VSS任意一方的二值信號,被設(shè)定為通過對在各掃描線的選擇期間中占據(jù)的導(dǎo)通占空比進行控制,進行各像素的灰度控制的驅(qū)動方式。
這樣,在掃描信號的生成之際,掃描線驅(qū)動部32除了基準電壓VSS之外還需要三個值的內(nèi)部電壓(VH、VL、VD),在數(shù)據(jù)信號的生成之際,數(shù)據(jù)線驅(qū)動部33需要基準電壓VSS和內(nèi)部電壓VD。
因此,作為生成內(nèi)部電壓VL所必要的負極性電壓的機構(gòu),本實施方式的電源電路部31具有通過利用電源電壓Vin進行負升壓,來生成所期望的輸出電壓Vout的負升壓充電泵電路。
圖3是表示電源電路部31(尤其是負升壓充電泵電路)的一個結(jié)構(gòu)例的電路框圖。
如該圖所示,本實施方式的負升壓充電泵電路具有第1~第m(≥2)的電荷傳輸用晶體管(P1、P2、P3、…、Nm)、輸出用晶體管No、第1~第m電荷傳輸用電容器C1~Cm、輸出用電容器Co、緩沖器BUF1~BUF4、反相器INV1~INV2。
第1~第m電荷傳輸用晶體管(P1、P2、P3、…、Nm)以圖示的順序與接地端串聯(lián)連接。輸出用晶體管No串聯(lián)連接在第m電荷傳輸用晶體管Nm和輸出電壓引出端T1之間。
另外,在上述的多極晶體管中,第1~第(m-1)電荷傳輸用晶體管(P1、P2、P3、…、P(m-1)(未圖示))被設(shè)定為P溝道型場效應(yīng)晶體管,第m電荷傳輸用晶體管Nm以及輸出用晶體管No被設(shè)定為N溝道型場效應(yīng)晶體管。
而且,鑒于制造工藝的簡單化,第m電荷傳輸用晶體管Nm以及輸出用晶體管No都以僅利用了N型單阱的工藝形成在P型半導(dǎo)體基板上。因此,各自的背柵都與系統(tǒng)的最低電位點,即輸出電壓引出端T1連接。另一方面,對于第1~第(m-1)電荷傳輸用晶體管(P1、P2、P3、…、P(m-1))而言,為了將其導(dǎo)通電阻抑制為最小限度,將各自的背柵與自身的源極連接。
第1~第m電荷傳輸用電容器(C1~Cm),一端與上述各開關(guān)之間的連接節(jié)點連接。輸出用電容器Co,一端與輸出電壓引出端T1連接,另一端接地。
緩沖器BUF1~BUF3以及反相器INV1構(gòu)成柵極信號生成機構(gòu),該機構(gòu)生成和施加于時鐘信號施加端T2的時鐘信號CLK同步,并在電源電壓Vin和輸出電壓電平(Vout)之間被脈沖驅(qū)動的柵極信號G1、以及使其邏輯反轉(zhuǎn)(反転)的反轉(zhuǎn)柵極信號G2,對第1~第m電荷傳輸用晶體管(P1、P2、P3、…、Nm)以及輸出用晶體管No進行柵極信號G1以及所述反轉(zhuǎn)柵極信號G2的供給,以使各自鄰接的第1~第m電荷傳輸用晶體管(P1、P2、P3、…、Nm)以及輸出用晶體管No之間成為相互不同的導(dǎo)通截止狀態(tài)。緩沖器BUF1~BUF3(特別是緩沖器BUF2)作為使時鐘信號CLK的振幅電平移動至所期望的振幅電平來生成柵極信號G1的機構(gòu)而發(fā)揮功能,反相器INV1作為使柵極信號G1的邏輯反轉(zhuǎn)來生成反轉(zhuǎn)柵極信號G2的機構(gòu)而發(fā)揮功能。
圖4是表示緩沖器BUF2的一個例子的電路圖。
如該圖所示,緩沖器BUF2具有反相器A1~A2、N溝道型場效應(yīng)晶體管A3~A4、P溝道型場效應(yīng)晶體管A5~A6。
反相器A1的輸入端相當于緩沖器BUF2的輸入端。反相器A1的輸出端與反相器A2的輸入端連接,另一方面,也與晶體管A4的柵極連接。反相器A2的輸出端與晶體管A3的柵極連接。另外,反相器A1~A2被電源電壓Vin驅(qū)動。
晶體管A3~A4的源極都與接地端連接。晶體管A3的漏極與晶體管A5的漏極連接,另一方面,也與晶體管A6的柵極連接。晶體管A4的漏極與晶體管A6的漏極連接,另一方面,也與晶體管A5的柵極連接。另外,晶體管A4的漏極相當于緩沖器BUF2的輸出端。晶體管A5~A6的源極都與輸出電壓Vout的施加端連接。
此外,緩沖器BUF2的構(gòu)成還可以采用除了上述之外的各種構(gòu)成。
緩沖器BUF4以及反相器INV2構(gòu)成端子電壓生成機構(gòu),該機構(gòu)生成與前述的時鐘信號CLK同步,在電源電壓電平(Vin)與接地電壓電平(GND)之間被脈沖驅(qū)動的端子電壓S1、以及使其邏輯反轉(zhuǎn)的反轉(zhuǎn)端子電壓S2,對第1~第m電荷傳輸用電容器(C1~Cm)的各其他端進行端子電壓S1以及反轉(zhuǎn)端子電壓S2的供給,以使各自鄰接的第1~第m電荷傳輸用電容器(C1~Cm)之間成為相互不同的電壓電平。即,反相器INV2作為使端子電壓S1的邏輯反轉(zhuǎn)來生成反轉(zhuǎn)端子電壓S2的機構(gòu)而發(fā)揮功能。
另外,在緩沖器BUF1~BUF4以及反相器INV1~INV2的正電極端附加的空白三角標記,表示被施加了電源電壓Vin;黑色三角標記表示被施加了輸出電壓Vout。
接著,對由上述結(jié)構(gòu)構(gòu)成的負升壓充電泵電路的動作進行說明。
首先,當對初級升壓單元進行觀察時,如果時鐘信號CLK被設(shè)為高電平,則由于柵極信號G1成為高電平,反轉(zhuǎn)柵極信號G2成為低電平,所以,晶體管P1被導(dǎo)通,晶體管P2被截止。而且此時,端子電壓S1成為高電平,反轉(zhuǎn)端子電壓S2成為低電平。結(jié)果,電容器C1的一端(A點)被施加接地電壓,另一端(B點)被施加高電平的端子電壓S1(Vin)。因此,電容器C1以將A點作為低電位點,將B點作為高電位點的方式,被充電至兩端電位差為電源電壓Vin。
如果在電容器C1的充電結(jié)束之后,時鐘信號CLK遷移為低電平,則這次由于柵極信號G1成為低電平,反轉(zhuǎn)柵極信號G2成為高電平,所以,晶體管P1被截止,晶體管P2被導(dǎo)通。而且此時,端子電壓S1成為低電平,反轉(zhuǎn)端子電壓S2成為高電平。結(jié)果,B點從電源電壓Vin被下拉為接地電壓GND。這里,由于在電容器C1的兩端之間基于先前的充電施加了與電源電壓Vin近似相等的電位差,所以,如果B點的電位被下拉至接地電壓GND,則A點的電位也隨之被下拉至-Vin(接地電壓GND-充電電壓Vin)。
另一方面,當對下一級的升壓單元進行觀察時,構(gòu)成對電容器C2的一端(C點)經(jīng)由晶體管P2施加A點電位(-Vin),對另一端(D點)施加高電平的反轉(zhuǎn)端子電壓S2(Vin)的形式。因此,電容器C2以將C點作為低電位點,將D點作為高電位點的形式,被充電至其兩端電位差大致成為電源電壓Vin的2倍。
對于以后的升壓單元而言,也反復(fù)進行與上述同樣的開關(guān)控制以及充放電控制,最終,第m級的電容器Cm中蓄積的電荷移動到輸出電容器Co。結(jié)果,將電源電壓Vin負升壓了m倍的負升壓電壓(-m×Vin)作為輸出電壓Vout而輸出。
如上所述,本實施方式的負升壓充電泵電路通過利用m級的升壓單元對電源電壓Vin進行負升壓,生成所期望的輸出電壓Vout,其中,被多級串聯(lián)連接的電荷傳輸用晶體管以及輸出用晶體管中,將前級側(cè)設(shè)為P溝道型場效應(yīng)晶體管(P1、P2、P3、…),將后級側(cè)設(shè)為N溝道型場效應(yīng)晶體管(Nm、No)。
即,在本實施方式的負升壓充電泵電路中,由于采用了當柵極電壓被設(shè)為高電平時成為導(dǎo)通狀態(tài)的N溝道型場效應(yīng)晶體管作為后級側(cè)晶體管(Nm、No),所以,與遍及整級設(shè)定為P溝道型的現(xiàn)有結(jié)構(gòu)不同,在其導(dǎo)通時也能夠得到足夠的柵極/源極間電壓,而不對后級側(cè)的晶體管尺寸做任何擴大,并且能夠維持其電流驅(qū)動能力。
另外,在本實施方式的負升壓充電泵電路中,由于僅將第m電荷傳輸用晶體管Nm和輸出晶體管No置換為N溝道型場效應(yīng)晶體管,所以,即使在僅通過單阱式的工藝形成這些N溝道型場效應(yīng)晶體管時,其源極電位和背柵電位也不會怎么偏離,與整級成為N溝道型的現(xiàn)有結(jié)構(gòu)不同,可以降低因背柵級效果引起的充電泵電路的起動不良。
這樣,如果是本實施方式的負升壓充電泵電路,則不會導(dǎo)致工藝的復(fù)雜化和芯片尺寸的增大,能夠避免升壓單元的增級而伴隨的起動不良和電流驅(qū)動能力降低于未然。
另外,在上述實施方式中,對于在移動電話終端所搭載的液晶顯示裝置的電源電路部應(yīng)用了本發(fā)明的情況進行了舉例說明,但本發(fā)明的應(yīng)用對象不限定于此,還能夠廣泛應(yīng)用于對輸入電壓進行負升壓來生成所期望的輸出電壓的負升壓充電泵電路整體。
而且,本發(fā)明能夠廣泛應(yīng)用于升壓級數(shù)m為2級以上的負升壓充電泵電路,實際上當應(yīng)用于升壓級數(shù)m為5級以上的負升壓充電泵電路等時,升壓級數(shù)m越大,越會發(fā)揮其效果。
并且,本發(fā)明的結(jié)構(gòu)除了上述實施方式之外,還能夠在不脫離發(fā)明主旨的范圍內(nèi)施加各種變更。
例如,如果能夠?qū)艠O信號生成機構(gòu)和端子電壓生成機構(gòu),進行與上述同樣的開關(guān)控制以及充放電控制,則除了上述實施方式之外,還能夠采用各種結(jié)構(gòu)。
此外,在上述實施方式中僅對負升壓的情況進行了表示,但在正升壓的情況下對NMOS和PMOS進行替換,可以得到同樣的效果。
而且,如果升壓級數(shù)m為奇數(shù),則如圖3所示,只要對第m級的電荷傳輸用晶體管Nm施加與對奇數(shù)級的電荷傳輸用晶體管(P1、P3、…)施加的反轉(zhuǎn)柵極信號G2相反邏輯的柵極信號G1,對輸出用晶體管No施加與對偶數(shù)級的電荷傳輸用晶體管(P2、…)施加的柵極信號G1相反邏輯的反轉(zhuǎn)柵極信號G2即可。另一方面,如果升壓級數(shù)m為偶數(shù),則只要對第m級的電荷傳輸用晶體管Nm施加與對偶數(shù)級的電荷傳輸用晶體管(P2、…)施加的柵極信號G1相反邏輯的反轉(zhuǎn)柵極信號G2,對輸出用晶體管No施加與對奇數(shù)級的電荷傳輸用晶體管(P1、P3、…)施加的反轉(zhuǎn)柵極信號G2反邏輯的柵極信號G1即可??傊槍艠O信號G1和反轉(zhuǎn)柵極信號G2而言,如果按照各自相鄰的第1~第m電荷傳輸用晶體管以及輸出用晶體管之間成為相互不同的導(dǎo)通截止狀態(tài)的方式,對第1~第m電荷傳輸用晶體管以及輸出用晶體管進行施加,則可以按照任意的邏輯進行施加。
另外,如果對本發(fā)明的效果進行闡述,則根據(jù)本發(fā)明,能夠提供一種不會招致工藝的復(fù)雜化和芯片尺寸的增大,能夠避免升壓單元的增級所伴隨的起動不良和電流驅(qū)動能力降低的負升壓充電泵電路,并且,還能夠提供具備該負升壓充電泵電路的LCD驅(qū)動IC以及液晶顯示裝置。
此外,如果對本發(fā)明的工業(yè)上可利用性進行闡述,則本發(fā)明在對負升壓充電泵電路的升壓級數(shù)進行多極化上是有用的技術(shù)。
通過優(yōu)選實施方式對本發(fā)明進行了描述,在不脫離本發(fā)明的宗旨和范圍的情況下,可以對該公開的發(fā)明進行一些變形,或者再設(shè)想許多與上述不同的實施方式,這對于本領(lǐng)域的技術(shù)人員來說是顯而易見的。附加的權(quán)利要求覆蓋了本發(fā)明的所有變形的技術(shù)方案。
權(quán)利要求
1.一種負升壓充電泵電路,具有由電荷傳輸用晶體管和電荷傳輸用電容器構(gòu)成的多級升壓單元,其中,所述負升壓充電泵電路通過利用所述多級升壓單元對輸入電壓進行負升壓,生成所期望的輸出電壓,在所述電荷傳輸用晶體管中,前級側(cè)是P溝道型場效應(yīng)晶體管,后級側(cè)是N溝道型場效應(yīng)晶體管。
2.一種LCD驅(qū)動IC,具有生成液晶顯示面板的負極性驅(qū)動電壓的負升壓充電泵電路,其中,所述負升壓充電泵電路具有由電荷傳輸用晶體管和電荷傳輸用電容器構(gòu)成的多級升壓單元,所述負升壓充電泵電路通過利用所述多級升壓單元對輸入電壓進行負升壓,生成所期望的輸出電壓,在所述電荷傳輸用晶體管中,前級側(cè)是P溝道型場效應(yīng)晶體管,后級側(cè)是N溝道型場效應(yīng)晶體管。
3.、一種液晶顯示裝置,具有液晶顯示面板、和進行所述液晶顯示面板的驅(qū)動控制的LCD驅(qū)動IC,其中,所述LCD驅(qū)動IC具有生成所述液晶顯示面板的負極性驅(qū)動電壓的負升壓充電泵電路,所述負升壓充電泵電路具有由電荷傳輸用晶體管和電荷傳輸用電容器構(gòu)成的多級升壓單元,所述負升壓充電泵電路通過利用所述多級升壓單元對輸入電壓進行負升壓,生成所期望的輸出電壓,在所述電荷傳輸用晶體管中,前級側(cè)是P溝道型場效應(yīng)晶體管,后級側(cè)是N溝道型場效應(yīng)晶體管。
4.一種負升壓充電泵電路,具有與接地端串聯(lián)連接的第1~第m電荷傳輸用晶體管,其中m≥2;串聯(lián)連接在第m電荷傳輸用晶體管與輸出電壓引出端之間的輸出用晶體管;一端與各晶體管之間的連接節(jié)點連接的第1~第m電荷傳輸用電容器;一端與所述輸出電壓引出端連接,另一端接地的輸出用電容器;柵極信號生成部,其生成與規(guī)定的時鐘信號同步,在電源電壓電平與輸出電壓電平之間被脈沖驅(qū)動的柵極信號、以及使其邏輯反轉(zhuǎn)的反轉(zhuǎn)柵極信號,對第1~第m電荷傳輸用晶體管以及所述輸出用晶體管進行所述柵極信號以及所述反轉(zhuǎn)柵極信號的供給,以使各個鄰接的第1~第m電荷傳輸用晶體管以及所述輸出用晶體管之間成為相互不同的導(dǎo)通截止狀態(tài);和端子電壓生成部,其生成與所述時鐘信號同步,在電源電壓電平與接地電壓電平之間被脈沖驅(qū)動的端子電壓、以及使其邏輯反轉(zhuǎn)的反轉(zhuǎn)端子電壓,對第1~第m電荷傳輸用電容器的各其他端進行所述端子電壓以及所述反轉(zhuǎn)端子電壓的供給,以使各個鄰接的第1~第m電荷傳輸用電容器之間成為相互不同的電壓電平,其中,所述負升壓充電泵電路通過對所述輸入電壓進行負升壓,生成所期望的輸出電壓,第1~第(m-1)電荷傳輸用晶體管是P溝道型場效應(yīng)晶體管,第m電荷傳輸用晶體管以及所述輸出用晶體管是N溝道型場效應(yīng)晶體管。
5.一種LCD驅(qū)動IC,具有生成液晶顯示面板的負極性驅(qū)動電壓的負升壓充電泵電路,其中,所述負升壓充電泵電路具有與接地端串聯(lián)連接的第1~第m電荷傳輸用晶體管,其中m≥2;串聯(lián)連接在第m電荷傳輸用晶體管與輸出電壓引出端之間的輸出用晶體管;一端與各晶體管之間的連接節(jié)點連接的第1~第m電荷傳輸用電容器;一端與所述輸出電壓引出端連接,另一端接地的輸出用電容器;柵極信號生成部,其生成與規(guī)定的時鐘信號同步,在電源電壓電平與輸出電壓電平之間被脈沖驅(qū)動的柵極信號、以及使其邏輯反轉(zhuǎn)的反轉(zhuǎn)柵極信號,對第1~第m電荷傳輸用晶體管以及所述輸出用晶體管進行所述柵極信號以及所述反轉(zhuǎn)柵極信號的供給,以使各個鄰接的第1~第m電荷傳輸用晶體管以及所述輸出用晶體管之間成為相互不同的導(dǎo)通截止狀態(tài);和端子電壓生成部,其生成與所述時鐘信號同步,在電源電壓電平與接地電壓電平之間被脈沖驅(qū)動的端子電壓、以及使其邏輯反轉(zhuǎn)的反轉(zhuǎn)端子電壓,對第1~第m電荷傳輸用電容器的各其他端進行所述端子電壓以及所述反轉(zhuǎn)端子電壓的供給,以使各個鄰接的第1~第m電荷傳輸用電容器之間成為相互不同的電壓電平,其中,所述負升壓充電泵電路通過對所述輸入電壓進行負升壓,生成所期望的輸出電壓,第1~第(m-1)電荷傳輸用晶體管是P溝道型場效應(yīng)晶體管,第m電荷傳輸用晶體管以及所述輸出用晶體管是N溝道型場效應(yīng)晶體管。
6.一種液晶顯示裝置,具有液晶顯示面板、和進行所述液晶顯示面板的驅(qū)動控制的LCD驅(qū)動IC,其中,所述LCD驅(qū)動IC具有生成所述液晶顯示面板的負極性驅(qū)動電壓的負升壓充電泵電路,所述負升壓充電泵電路具有與接地端串聯(lián)連接的第1~第m電荷傳輸用晶體管,其中m≥2;串聯(lián)連接在第m電荷傳輸用晶體管與輸出電壓引出端之間的輸出用晶體管;一端與各晶體管之間的連接節(jié)點連接的第1~第m電荷傳輸用電容器;一端與所述輸出電壓引出端連接,另一端接地的輸出用電容器;柵極信號生成部,其生成與規(guī)定的時鐘信號同步,在電源電壓電平與輸出電壓電平之間被脈沖驅(qū)動的柵極信號、以及使其邏輯反轉(zhuǎn)的反轉(zhuǎn)柵極信號,對第1~第m電荷傳輸用晶體管以及所述輸出用晶體管進行所述柵極信號以及所述反轉(zhuǎn)柵極信號的供給,以使各個鄰接的第1~第m電荷傳輸用晶體管以及所述輸出用晶體管之間成為相互不同的導(dǎo)通截止狀態(tài);和端子電壓生成部,其生成與所述時鐘信號同步,在電源電壓電平與接地電壓電平之間被脈沖驅(qū)動的端子電壓、以及使其邏輯反轉(zhuǎn)的反轉(zhuǎn)端子電壓,對第1~第m電荷傳輸用電容器的各其他端進行所述端子電壓以及所述反轉(zhuǎn)端子電壓的供給,以使各個鄰接的第1~第m電荷傳輸用電容器之間成為相互不同的電壓電平,其中,所述負升壓充電泵電路通過對所述輸入電壓進行負升壓,生成所期望的輸出電壓,第1~第(m-1)電荷傳輸用晶體管是P溝道型場效應(yīng)晶體管,第m電荷傳輸用晶體管以及所述輸出用晶體管是N溝道型場效應(yīng)晶體管。
全文摘要
在本發(fā)明的負升壓充電泵電路中,串聯(lián)連接為多級的電荷傳輸用晶體管和輸出用晶體管中,前級側(cè)被設(shè)定為P溝道型場效應(yīng)晶體管,后級側(cè)被設(shè)定為N溝道型場效應(yīng)晶體管。通過這樣的構(gòu)成,不會招致工藝的復(fù)雜化和芯片尺寸的增大,能夠避免升壓單元的增級所伴隨的起動不良和電流驅(qū)動能力的降低。
文檔編號G09G3/36GK101043179SQ20071008782
公開日2007年9月26日 申請日期2007年3月19日 優(yōu)先權(quán)日2006年3月20日
發(fā)明者田口治生, 故島秀數(shù) 申請人:羅姆股份有限公司