專利名稱：等離子體顯示器及其驅(qū)動(dòng)方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種等離子體顯示器及其驅(qū)動(dòng)方法。
背景技術(shù)：
等離子體顯示器是使用等離子體顯示面板(PDP)的顯示器，所述PDP 被配置為通過采用由氣體放電產(chǎn)生的等離子體來顯示字符和/或圖像。在 PDP中，以矩陣形式排列多個(gè)放電單元。
所述等離子體顯示器在時(shí)間幀期間被驅(qū)動(dòng)。 一幀被分為若干子場(chǎng)，每個(gè) 子場(chǎng)均具有相應(yīng)權(quán)重值。每個(gè)子場(chǎng)包括重置時(shí)段、尋址時(shí)段和維持時(shí)段。重 置時(shí)段為放電單元的狀態(tài)被重置以便穩(wěn)定地進(jìn)行尋址放電的時(shí)段。尋址時(shí)段 為從多個(gè)放電單元中選出待導(dǎo)通單元的時(shí)段。最后，維持時(shí)段為在待導(dǎo)通單 元上進(jìn)行維持放電以便實(shí)際上顯示圖像的時(shí)段。
通常，在重置時(shí)段后設(shè)置壁電荷狀態(tài)，以便穩(wěn)定地進(jìn)行尋址放電。進(jìn)一 步，在尋址時(shí)段中，掃描脈沖被順序地施加到所有掃描電極，并且尋址電壓 被施加到對(duì)應(yīng)于發(fā)光單元的尋址電極，從而選出發(fā)光單元。發(fā)光單元是被選 出用于在接下來的維持時(shí)段期間發(fā)光的單元，并在有些時(shí)候被稱為導(dǎo)通單元 (on-cell)。不過，在重置時(shí)段期間設(shè)置的壁電荷狀態(tài)隨著時(shí)間推移而喪失。 因此，在與較晚施加以掃描脈沖的掃描電極對(duì)應(yīng)的單元中，在重置時(shí)段后保 留的壁電荷狀態(tài)可在掃描脈沖到達(dá)這些電極之前喪失。在較晚時(shí)間選擇的放 電單元的情況中，壁電荷可能大量喪失。因此，在較晚時(shí)間選擇的單元中可 能發(fā)生低尋址放電。當(dāng)高溫或者存在大量引火粒子時(shí)，可能增大壁電荷的喪 失。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明實(shí)施例提供一種等離子體顯示器及其驅(qū)動(dòng)方法，據(jù)此可進(jìn)行穩(wěn)定 的尋址放電。
本發(fā)明的一個(gè)示例性實(shí)施例提供一種等離子體顯示器的驅(qū)動(dòng)方法。所述 等離子體顯示器包括多個(gè)第一電極、多個(gè)第二電極和沿著與所述第一和第二 電極交叉的方向形成的多個(gè)第三電極。在所述多個(gè)第一電極和所述多個(gè)第二 電極與所述多個(gè)第三電極相交處形成單元。所述多個(gè)第一電極被分為第一組 和第二組。所述第一組的電極彼此相鄰，所述第二組的電極彼此相鄰。所述 等離子體顯示器在時(shí)間幀期間被驅(qū)動(dòng)。每一幀被分為若干子場(chǎng)。每個(gè)子場(chǎng)包 括一尋址時(shí)段和隨后的維持時(shí)段。在所述尋址時(shí)段期間，選擇將要發(fā)光以形 成待顯示的圖像的發(fā)光單元。所選擇的發(fā)光單元在維持時(shí)段期間發(fā)光以形成 被顯示的圖像。至少一個(gè)尋址時(shí)段包括第一、第二和第三時(shí)段。所述方法包
括在所述第一時(shí)段期間，將掃描脈沖施加到所述第一組，以便對(duì)沿著所述 第一組形成的發(fā)光單元進(jìn)行尋址；在所述第二時(shí)段期間，將第一電壓施加到 所述第二電極，同時(shí)將高于所述第一電壓的第二電壓施加到所述第一電極； 并且在所述第三時(shí)段期間，將所述掃描脈沖施加到所述第二組，以便對(duì)沿著 所述第二組形成的發(fā)光單元進(jìn)行尋址。所述第一電壓和所述第二電壓之差小 于在所述維持時(shí)段期間施加到所述第一電極的電壓和施加到所述第二電極 的電壓之差。
本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例提供一種等離子體顯示器。該顯示器包括一等離子 體顯示面板，其包括多個(gè)掃描電極、多個(gè)維持電極和沿著與所述多個(gè)掃描電 極和維持電極交叉的方向形成的多個(gè)尋址電極。所述掃描電極包括第一掃描 電極和第二掃描電極，所述第一掃描電極為一組彼此相鄰的掃描電極，所述 第二掃描電極為另一組彼此相鄰的掃描電極。所述PDP具有在所述掃描電 極和所述維持電極與所述尋址電極相交處形成的多個(gè)單元。該顯示器還包括 驅(qū)動(dòng)器，該驅(qū)動(dòng)器在所述尋址時(shí)段的第一時(shí)段期間從沿所述第一掃描電極形 成的單元中選出發(fā)光單元，并在所述尋址時(shí)段的第二時(shí)段期間從沿所述第二
掃描電極形成的單元中選出發(fā)光單元。所述驅(qū)動(dòng)器在出現(xiàn)于所述第一時(shí)段之 后、所述第二時(shí)段之前的第三時(shí)段期間，將第一電壓施加到所述維持電極， 同時(shí)將高于所述第一電壓的第二電壓施加到所述掃描電極。所述第一電壓和 所述第二電壓之差小于在所述維持時(shí)段期間施加到所述多個(gè)掃描電極的電 壓和施加到所述多個(gè)維持電極的電壓之差。
本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例提供一種驅(qū)動(dòng)等離子體顯示器中的等離子體顯示 面板的方法。所述等離子體顯示器包括驅(qū)動(dòng)電極。所述驅(qū)動(dòng)電極包括掃描電 極、維持電極和沿著與所述掃描電極和所述維持電極交叉的方向形成的尋址 電極。所述等離子體顯示面板包括放電單元，所述放電單元形成于所述掃描 電極和所述維持電極與所述尋址電極相交處。所述等離子體顯示器在時(shí)間幀 期間被驅(qū)動(dòng)。每幀被分為多個(gè)子場(chǎng)。每個(gè)子場(chǎng)包括重置時(shí)段、隨后的尋址時(shí) 段和再隨后的維持時(shí)段。在所述重置時(shí)段期間壁電荷聚集在所述放電單元 處。發(fā)光單元在所述尋址時(shí)段期間被選出，并在所述維持時(shí)段期間發(fā)光以形 成正在由等離子體顯示面板顯示的圖像。所述等離子體顯示器進(jìn)一步包括連 接到所迷等離子體顯示面板以探測(cè)所述等離子體顯示面板溫度的的溫度探
測(cè)器。所述方法進(jìn)一步包括在每個(gè)尋址時(shí)段期間，將第一驅(qū)動(dòng)波形施加到 所述驅(qū)動(dòng)電極，以便對(duì)所述放電單元的第一子集進(jìn)行尋址；探測(cè)所述等離子 體顯示面板的溫度；判斷所述等離子體顯示面板的溫度是否高于基準(zhǔn)溫度。 如果確定所述等離子體顯示面板的溫度不高于所述基準(zhǔn)溫度，所述方法包 括將所述第一驅(qū)動(dòng)波形施加到所述驅(qū)動(dòng)電極，以便對(duì)所述放電單元的第二 子集進(jìn)行尋址。如果確定所述等離子體顯示面板的溫度高于所述基準(zhǔn)溫度， 所述方法包括將第二驅(qū)動(dòng)波形施加到所述驅(qū)動(dòng)電極。施加所述第二驅(qū)動(dòng)波 形基本恢復(fù)在所述放電單元的第一子集被尋址時(shí)從所述放電單元的第二子 集喪失的壁電荷。


圖1為根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施例的第一等離子體顯示器的方框圖。
圖2示出根據(jù)本發(fā)明第 一示例性實(shí)施例的等離子體顯示器驅(qū)動(dòng)波形。
圖3A、 3B和3C示出了使用根據(jù)本發(fā)明第一示例性實(shí)施例的驅(qū)動(dòng)波形 驅(qū)動(dòng)的等離子體顯示器在尋址時(shí)段期間的壁電荷狀態(tài)。
圖4示出根據(jù)本發(fā)明第二示例性實(shí)施例的等離子體顯示器驅(qū)動(dòng)波形。 圖5示出根據(jù)本發(fā)明第三示例性實(shí)施例的等離子體顯示器驅(qū)動(dòng)波形。 圖6為根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施例的第二等離子體顯示器的方框圖。 圖7為圖示圖6所示控制器的操作的流程圖。
具體實(shí)施例方式
在以下詳細(xì)描述中，術(shù)語"壁電荷"指的是在放電單元的壁(例如，介 電層)上靠近電極形成的電荷。雖然壁電荷實(shí)際上并不接觸電極，不過壁電 荷將被描述為"形成"或"聚集"在電極上。術(shù)語"壁電壓"指的是由壁電 荷在放電單元的壁上形成的電勢(shì)。
當(dāng)說明書中提及"電壓被保持，，時(shí)，不應(yīng)被理解成嚴(yán)格地表示電壓正好 保持在預(yù)定電壓。相反地，即使在兩個(gè)點(diǎn)之間的電壓降出現(xiàn)變化，在這種變 化處于設(shè)計(jì)約束條件所允許的范圍內(nèi)的情況下，或者在這種變化是由本領(lǐng)域 技術(shù)人員通常忽略的寄生分量引起的情況下，該電壓降也被表達(dá)為保持在預(yù) 定電壓。另外，諸如晶體管和二極管的半導(dǎo)體器件的門限電壓比放電電壓小 得多。因此可以認(rèn)為門限電壓接近OV。
圖1為根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施例的第一等離子體顯示器的方框圖。如圖 1所示，根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施例的第一等離子體顯示器包括PDP 100、控 制器200、尋址電極驅(qū)動(dòng)器300、掃描電極驅(qū)動(dòng)器400和維持電極驅(qū)動(dòng)器500。
PDP 100包括沿列方向延伸的多個(gè)尋址電極Al - Am,以及沿行方向延 伸的多個(gè)維持電極XI _Xn和掃描電4及Yl - Yn。所述多個(gè)掃描電極Yl -Yn以及維持電極XI - Xn配對(duì)布置。相鄰的掃描電極Yl - Yn和維持電極 XI - Xn以及與掃描電才及Yl - Yn和維持電才及XI - Xn交叉的尋址電極Al -Am形成放電單元。
應(yīng)注意的是，根據(jù)本發(fā)明各實(shí)施例的驅(qū)動(dòng)波形可施加于具有不同結(jié)構(gòu)的 面板，并且針對(duì)PDP IOO所給出的結(jié)構(gòu)僅為可使用本發(fā)明實(shí)施例的驅(qū)動(dòng)波形
進(jìn)行驅(qū)動(dòng)的面板的 一 個(gè)示例。
控制器200接收來自外部的視頻信號(hào)，并輸出尋址電極驅(qū)動(dòng)控制信號(hào)
310、維持電極驅(qū)動(dòng)控制信號(hào)510和掃描電極驅(qū)動(dòng)控制信號(hào)410。進(jìn)一步， 控制器200在一幀期間通過將該幀分成多個(gè)子場(chǎng)來驅(qū)動(dòng)PDP。每個(gè)子場(chǎng)包括 重置時(shí)段、尋址時(shí)段和維持時(shí)段。
尋址電極驅(qū)動(dòng)器300接收來自控制器200的尋址電極驅(qū)動(dòng)控制信號(hào)310， 并且向?qū)ぶ冯姌OAl - Am施加用于選擇待顯示放電單元的顯示數(shù)據(jù)信號(hào)。
掃描電極驅(qū)動(dòng)器400接收來自控制器200的掃描電極驅(qū)動(dòng)控制信號(hào)410, 并將驅(qū)動(dòng)電壓施加到掃描電極Yl - Yn。
維持電極驅(qū)動(dòng)器500接收來自控制器200的維持電極驅(qū)動(dòng)控制信號(hào)510， 并將驅(qū)動(dòng)電壓施加到維持電才及XI - Xn。
下文將參照?qǐng)D2以及圖3A、 3B、 3C來描述根據(jù)本發(fā)明第一示例性實(shí)施 例的用于驅(qū)動(dòng)等離子體顯示器的驅(qū)動(dòng)波形。
圖2示出了根據(jù)本發(fā)明第一示例性實(shí)施例的驅(qū)動(dòng)波形。圖3A-3C示出 了在驅(qū)動(dòng)等離子體顯示器的尋址時(shí)段期間的壁電荷狀態(tài)，所述等離子體顯示 器由本發(fā)明第 一示例性實(shí)施例的驅(qū)動(dòng)波形所驅(qū)動(dòng)。
如圖2所示，用于驅(qū)動(dòng)等離子體顯示器的每個(gè)子場(chǎng)包括重置時(shí)段、尋址 時(shí)段和維持時(shí)段。尋址時(shí)段包括第一時(shí)段、壁電荷補(bǔ)償時(shí)段和第二時(shí)段。
重置時(shí)段包括上升時(shí)段和下降時(shí)段。在重置時(shí)段的上升時(shí)段期間，掃描 電才及Yl - Yn的電壓乂人電壓Vrp逐漸升高至電壓Vset,同時(shí)尋址電才及Al _ Am和維持電極Xl - Xn維持在基準(zhǔn)電壓(圖2中的0V)。圖2示出了，在 上升時(shí)段期間，掃描電極Yl - Yn的電壓以斜坡狀升高。不過，除了斜坡狀， 也可以將不同形式的逐漸升高的波形施加于掃描電極Yl _ Yn。在掃描電極 Yl - Yn的電壓升高時(shí)，在掃描電極Yl - Yn和維持電極Xl -.Xn之間以及 在掃描電極Yl - Yn和尋址電極Al- Am之間產(chǎn)生微弱的放電。因此，在掃 描電極Y1-Yn上形成負(fù)(-)壁電荷，在維持電極X1-Xn以及尋址電極 Al-Am上形成正(+ )壁電荷。在這種情況下，如果掃描電極Y1-Yn的
電壓逐漸升高，則形成壁電荷，從而使得，由于在單元中產(chǎn)生所述微弱的放 電，外部施加的電壓和單元的壁電壓的總和保持在放電點(diǎn)火電壓(Vf)狀態(tài)。
進(jìn)一步，在重置時(shí)段，所有單元的狀態(tài)將被重置。因此，電壓Vset為高電 壓，從而在具有所有狀態(tài)的單元中產(chǎn)生放電。
在重置時(shí)段的下降時(shí)段期間，掃描電極Yl - Yn的電壓從電壓0V逐漸 降低到電壓Vnf，同時(shí)維持電極X1 -Xn保持在電壓Ve且尋址電極Al - Am 保持在基準(zhǔn)電壓OV。圖2示出了，掃描電極Yl - Yn的電壓以斜坡狀下降。 不過，除了下降斜坡之外，具有其它逐漸下降圖樣的波形也可施加于掃描電 極Y1-Yn。在掃描電極Yl - Yn的電壓下降時(shí)，由于在掃描電極Y1-Yn 和維持電極XI - Xn之間以及在掃描電極Yl - Yn和尋址電極Al - Am之間 產(chǎn)生的微弱放電，在上升時(shí)段期間形成于掃描電極Yl - Yn上的負(fù)(-)壁 電極以及形成于維持電極X1-Xn和尋址電極Al - Am上的正(+ )壁電荷 被除去。因此，掃描電極Y1-Yn的負(fù)(-)壁電荷減少。維持電極X1-Xn的正(+ )壁電荷被除去，并產(chǎn)生負(fù)(_ )壁電荷。尋址電極Al-Am 的正(+ )壁電荷也下降，從而使它們適于進(jìn)行尋址操作。相應(yīng)地，在重置 時(shí)段之后的壁電荷具有如圖3A所示的壁電荷狀態(tài)。該壁電荷狀態(tài)被設(shè)置為 使得能夠穩(wěn)定地進(jìn)行尋址放電。
在通常的等離子體顯示器的尋址時(shí)段期間，掃描脈沖被順序地施加到所 有掃描電極，尋址電壓被施加到對(duì)應(yīng)于發(fā)光單元的尋址電極，以便從等離子 體顯示面板的所有放電單元中選出發(fā)光單元。不過，在與較晚施加以掃描脈 沖的掃描電極相對(duì)應(yīng)的單元中，在重置時(shí)段后保留的壁電荷可能喪失。由于 在重置時(shí)段中設(shè)置的壁電荷狀態(tài)(圖3A)發(fā)生變化，并且由于電荷隨時(shí)間 推移而喪失，壁電荷狀態(tài)變成如圖3B所示的壁電荷狀態(tài)。由于壁電荷的喪 失可能發(fā)生低尋址放電。
例如，等離子體顯示器的等離子體顯示面板可包括n個(gè)掃描電極Yl -Yn。在尋址時(shí)段期間，掃描脈沖可用于對(duì)沿著各掃描電極布置的單元進(jìn)行 尋址。該掃描脈沖可以以順序的方式施加于所述n個(gè)掃描電極Yl - Yn。于
是，比其它掃描電極靠前的掃描電極先接收掃描脈沖，較為靠后的電極后接
收掃描脈沖。例如，前k個(gè)掃描電極Yl - Yk比后n - k個(gè)掃描電極Yk + 1 -Yn更早接收掃描脈沖。在重置時(shí)段之后保留在各單元的尋址電極上的壁 電荷，在尋址時(shí)段期間添加到向電極施加的電壓，乂人而在所述單元中產(chǎn)生尋 址放電。在重置時(shí)段后，保留在尋址電極上的壁電荷隨著時(shí)間推移而喪失。 當(dāng)順序的掃描脈沖到達(dá)掃描電極組Yl - Yn靠后的掃描電極Yk + 1 - Yn之 前，沿著這些電極布置的單元可能已經(jīng)喪失了在之前的重置時(shí)段獲得的壁電 荷。于是，在掃描脈沖到達(dá)這些單元對(duì)應(yīng)的掃描電極Yk+1 - Yn時(shí)，在這 些單元中的壁電荷狀態(tài)將不適合于產(chǎn)生尋址放電。本發(fā)明的實(shí)施例恢復(fù)了沿 著比之前的掃描電極Y1 - Yk更晚接收相應(yīng)掃描脈沖的那些掃描電極Yk+ 1 -Yn布置的單元的壁電荷，從而能夠在面板的所有單元中進(jìn)行穩(wěn)定的尋址 放電。
相應(yīng)地，在本發(fā)明的示例性實(shí)施例中，添加了一個(gè)時(shí)段，在該時(shí)4爻期間， 在尋址時(shí)段期間喪失的壁電荷得到補(bǔ)償，這樣，尋址時(shí)段就包括第一時(shí)段、 壁電荷補(bǔ)償時(shí)段和第二時(shí)段。
在第 一時(shí)段期間，當(dāng)電壓Ve施加到維持電極XI - Xn時(shí)，具有電壓VscL 的掃描脈沖被順序地施加到掃描電極Yl - Yk。此時(shí)，電壓Va施加到尋址 電極Al - Am的子集，該子集對(duì)應(yīng)于在接下來的維持時(shí)段被選中發(fā)光的放電 單元。這些放電單元從沿著正施加有電壓VscL的那些掃描電極Yl - Yk形 成的多個(gè)放電單元中選出。結(jié)果，在尋址電極Al - Am中正施加有電壓Va 的子集與正施加有電壓VscL的掃描電極Yl - Yk之間產(chǎn)生尋址放電。位于 這些電極交叉處的單元被尋址，以便接著進(jìn)行維持放電。在第一時(shí)段期間， 在正施加有電壓VscL的掃描電極Yl - Yk和正施加有電壓Ve的維持電極 XI-Xn之間也產(chǎn)生尋址放電。因此，在發(fā)生尋址;故電的單元中，在掃描電 極Y1-Yk上形成正(+ )壁電荷，在尋址電極Al - Am和維持電極Xl-Xn上形成負(fù)(-)壁電荷。電壓VscL可設(shè)置為小于或等于電壓Vnf。進(jìn)一 步，在電壓VscL未施加到掃描電極Yl - Yk時(shí)，高于電壓VscL的電壓VscH施加到這些電極，并且基準(zhǔn)電壓(圖2中的0V)施加到未選中的放電單元 的尋址電極Al - Am。
在壁電荷補(bǔ)償時(shí)段期間，當(dāng)尋址電極Al-Am保持在基準(zhǔn)電壓(圖2 中的0V )時(shí)，電壓Vrx施加到維持電極XI - Xn，電壓Vry施加到掃描電 極Y1-Yn。在這種情況下，電壓Vry高于電壓Vrx，電壓Vrx和電壓Vry 之差小于在維持時(shí)段中施加到維持電極Xl-Xn的電壓和施加到掃描電極 Yl - Yn的電壓之間的差。
在維持時(shí)段中施加到維持電極XI _ Xn的電壓和施加到掃描電才及Yl -Yn的電壓之差相當(dāng)于在被尋址單元中可產(chǎn)生放電的電壓。如果在壁電荷補(bǔ) 償時(shí)段期間施加到維持電極XI - Xn的電壓和施加到掃描電極Yl - Yn的電 壓之差大于或等于在維持時(shí)段期間這些電極之間的電壓之差，則在第一時(shí)段 中被尋址的單元可在到達(dá)維持時(shí)段之前產(chǎn)生放電。相應(yīng)地，電壓Vrx和電壓 Vry之差保持為小于在維持時(shí)段期間施加到維持電極XI - Xn的電壓和施加 到掃描電極Y1-Yn的電壓之差。進(jìn)一步，電壓Vry低于重置時(shí)段的電壓 Vset。為了保持已被尋址的單元的狀態(tài)，電壓Vry被保持為低于用于通過在 所有單元中產(chǎn)生放電來重置所有單元的狀態(tài)的電壓Vset。
在重置時(shí)段結(jié)束之后，單元中的壁電荷處于圖3A所示的狀態(tài)。在每個(gè) 單元中，正(+ )壁電荷聚集在尋址電極A1-Am上，負(fù)(-)壁電荷聚集 在維持電極X1 -Xn和掃描電極Yl-Yn上。然后，由于在第一時(shí)段期間壁 電荷之間的放電，圖3A的壁電荷狀態(tài)喪失。因此，在第一時(shí)段中未施加掃 描脈沖的放電單元，即沿掃描電極Yk+ 1 - Yn的單元，的壁電荷狀態(tài)改變 成如圖3B所示的狀態(tài)。圖3B示出了尋址電極Al - Am和掃描電4及Yk + 1 -Yn的壁電荷喪失這一狀態(tài)。這種壁電荷狀態(tài)可導(dǎo)致低尋址放電。因此， 在如圖3B所示的壁電荷喪失的狀態(tài)中，電壓Vrx施加到維持電極Xl - Xn， 電壓Vry施加到掃描電極Yl - Yn。電壓Vrx和電壓Vry之差處于一并不導(dǎo) 致被尋址單元產(chǎn)生放電的電平。相應(yīng)地，掃描電極Yl - Yk保持處于其被尋 址壁電荷狀態(tài)，負(fù)(-)壁電荷聚集在第一時(shí)段中未被尋址的掃描電極Yk+ 1-Yn上，正(+ )壁電荷聚集在沿掃描電極Yk+1 - Yn，即第一時(shí)段中 未被尋址的掃描電極，的單元處的尋址電極Al - Am上。如上文所述，在壁 電荷補(bǔ)償時(shí)段，負(fù)(_ )壁電荷聚集在維持電極XI -Xn以及掃描電極Yk + 1 - Yn上，正(+ )壁電荷聚集在尋址電極Al - Am上，從而補(bǔ)償了喪失 的壁電荷。圖3C示出了在壁電荷補(bǔ)償時(shí)段結(jié)束之后的壁電荷狀態(tài)。由圖3C 可以看出，在壁電荷補(bǔ)償時(shí)段之后，壁電荷的喪失已經(jīng)得到補(bǔ)償，并且壁電 荷回到圖3A所示的重置時(shí)段之后的壁電荷狀態(tài)。
然后，在第二時(shí)段期間，掃描脈沖施加到第一時(shí)段期間未施加掃描脈沖 的剩余電極Yk+ 1 - Yn,并且選出將要發(fā)光的放電單元。換言之，在電壓 Ve施加到維持電極XI - Xn時(shí)，具有電壓VscL的掃描脈沖順序地施加到剩 余電極Yk+l-Yn。在第二時(shí)段期間，掃描脈沖并未施加到第一時(shí)段中已施 加電壓VscL的k個(gè)電極Yl - Yk。在這種情況下，如果經(jīng)由將要發(fā)光的放 電單元的尋址電極Al-Am被施加以電壓Va，那么在正施加有電壓VscL 的掃描電極Yk+ 1 - Yn所形成的多個(gè)放電單元中，在施加有電壓Va的尋址 電極Al - Am和施加有電壓VscL的掃描電極Yk + 1 - Yn之間產(chǎn)生尋址放 電。在施加有電壓VscL的掃描電極Yk+ 1 - Yn和施加有電壓Ve的維持電 極XI - Xn之間也發(fā)生尋址放電。相應(yīng)地，在掃描電極Yk+ 1' - Yn上形成 正(+ )壁電荷，在尋址電極Al - Am和維持電極Xl-Xn上形成負(fù)(-) 壁電荷。進(jìn)一步，當(dāng)電壓VscL還未施加到掃描電極Yk+1 _ Yn時(shí)，高于電 壓VscL的電壓VscH施加到掃描電極Yk+ 1 - Yn。基準(zhǔn)電壓(圖2中的0V ) 施加到未被選擇的放電單元的尋址電極Al - Am。相應(yīng)地，即使是后被選擇 的放電單元也可以以較低的低尋址放電可能性得到選擇。
然后，在維持時(shí)段中，交替具有高電平電壓(圖2中的電壓Vs)和低 電平電壓(圖2中的電壓0V)的維持脈沖以相反的相位施加到掃描電極Yl -Yn和維持電極Xl - Xn。換言之，當(dāng)電壓Vs施加到掃描電極Yl - Yn時(shí)， 電壓OV施加到維持電極XI - Xn，當(dāng)電壓Vs施加到維持電極Xl - Xn時(shí)， 電壓OV施加到掃描電極Yl - Yn。因此，通過Vs和OV之間的電壓差與掃描電極Yl - Yn和維持電極XI _ Xn之間由于之前尋址放電所形成的電壓差 之和，在掃描電極Yl - Yn和維持電極Xl-Xn之間產(chǎn)生放電。隨后，將維 持脈沖施加到掃描電極Yl - Yn和維持電極XI - Xn這一過程被重復(fù)多次， 該次數(shù)對(duì)應(yīng)于相應(yīng)子場(chǎng)的權(quán)重值。
圖4示出了根據(jù)本發(fā)明第二示例性實(shí)施例的可用于驅(qū)動(dòng)等離子體顯示 器的驅(qū)動(dòng)波形。為避免贅述，將只描述根據(jù)本發(fā)明第二示例性實(shí)施例的驅(qū)動(dòng) 波形與根據(jù)第 一 示例性實(shí)施例的驅(qū)動(dòng)波形之間的差異。這兩種波形之間的差 異在于壁電荷補(bǔ)償時(shí)段期間。
如圖4所示，在壁電荷補(bǔ)償時(shí)段的第一部分期間，在尋址電極A1-Am 保持電壓OV時(shí)，電壓Vrx施加到維持電極XI - Xn,電壓Vry施加到掃描 電極Y1-Yn。隨后，在壁電荷補(bǔ)償時(shí)段的其余部分中，當(dāng)掃描電極A1-Am保持電壓OV時(shí)，電壓Ve施加到維持電極XI - Xn,掃描電極Y1-Yn 的電壓從電壓OV逐漸降低到電壓Vnf。如果壁電荷補(bǔ)償波形的下降部分類 似于上文所述重置時(shí)段的下降波形，則當(dāng)掃描電極Y1 - Yn的電壓從電壓OV 逐漸下降到電壓Vnf時(shí)，可以消除聚集在掃描電極Yl - Yn上的大量壁電荷。 結(jié)果，壁電荷的數(shù)量可以得到更為精確的控制。也就是說，在壁電荷補(bǔ)償時(shí) 段期間，通過像在重置時(shí)段的下降時(shí)段中那樣將掃描電極Yl - Yn的電壓從 電壓OV逐漸降低到電壓Vnf，可以獲得非常類似于重置時(shí)段的壁電荷狀態(tài)。
圖5示出了根據(jù)本發(fā)明第三示例性實(shí)施例的用于驅(qū)動(dòng)等離子體顯示器 的驅(qū)動(dòng)波形。在本發(fā)明第三示例性實(shí)施例中，在壁電荷補(bǔ)償時(shí)段的第一部分 期間，掃描電極Yl - Yn的電壓從電壓OV逐漸升高到電壓Vry，然后保持 在電壓Vry。
更具體地說，在壁電荷補(bǔ)償時(shí)段的第一部分期間，當(dāng)尋址電極Al-Am 處于電壓OV并且維持電極XI -Xn處于電壓Vrx時(shí)，掃描電極Yl - Yn的 電壓/人電壓OV逐漸升高到電壓Vry，然后保持在電壓Vry。隨后，當(dāng)尋址 電極Al _ Am保持電壓OV并且維持電極XI - Xn接收電壓Ve時(shí)，掃描電 極Yl - Yn的電壓從電壓OV逐漸降低到電壓Vnf。如果掃描電極的電壓并
非逐漸升高，而是跳變到電壓Vry，則由于電壓Vry與在第一時(shí)段期間施加 于掃描電極Yl _ Yn的電壓之間的巨大差異，可能形成強(qiáng)烈放電。為此，為 了使放電更為穩(wěn)定，掃描電極Yl-Yn的電壓從電壓0V逐漸升高到電壓 Vry。
如上文所述，掃描脈沖在尋址時(shí)段的第一時(shí)段期間施加到部分掃描電 極，并在尋址時(shí)段的第二時(shí)段期間施加到其余掃描電極。在所示的實(shí)施例中， 尋址時(shí)段的第一時(shí)段和第二時(shí)段被壁電荷補(bǔ)償時(shí)段隔開。不過，在本發(fā)明的 可替換實(shí)施例中，在尋址時(shí)段中可包含多于一個(gè)的壁電荷補(bǔ)償時(shí)段，在尋址 時(shí)段期間，可多次出現(xiàn)壁電荷補(bǔ)償時(shí)段。
等離子體顯示器的放電特性隨溫度而變化。當(dāng)溫度較高時(shí)，壁電荷之間 易于進(jìn)行放電，并且喪失較多壁電荷。相應(yīng)地，在下文將描述的示例性實(shí)施 例中，僅在高溫時(shí)添加壁電荷補(bǔ)償波形，以便在高溫下
進(jìn)行穩(wěn)定的尋址放電。
圖6是根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施例的第二等離子體顯示器的.方框圖。如圖 6所示，根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施例的第二等離子體顯示器包括PDP100、控 制器200、尋址電極驅(qū)動(dòng)器300、掃描電極驅(qū)動(dòng)器400、維持電極驅(qū)動(dòng)器500、 和溫度〗笨測(cè)器600。
除了圖6的等離子體顯示器中所包含的溫度探測(cè)器600之.外，圖6所示 的其余器件類似于圖1所示器件。相應(yīng)地，省略類似部件的描述。
溫度探測(cè)器600檢測(cè)PDP 100的溫度，將指示所探測(cè)溫度的信號(hào)610 發(fā)送到控制器200。在根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的第四示例性驅(qū)動(dòng)方法中，PDP的 溫度被探測(cè)，以便確定是否添加壁電荷補(bǔ)償時(shí)段。因此，針對(duì)該實(shí)施例，向 等離子體顯示器添加溫度探測(cè)器600。
圖7是圖示圖6所示控制器的操作的流程圖。在步驟S610中，控制器 200從溫度探測(cè)器600接收由溫度探測(cè)器600檢測(cè)的PDP 100的溫度；在步 驟S620中，確定所檢測(cè)溫度是否大于基準(zhǔn)溫度。
所述基準(zhǔn)溫度為在等離子體顯示器中可能喪失壁電荷的溫度。該基準(zhǔn)溫 度可由實(shí)驗(yàn)測(cè)得。在一些實(shí)施例中，基準(zhǔn)溫度可設(shè)置在大約25攝氏度。在其它實(shí)施例中，基準(zhǔn)溫度可設(shè)置為另一合適溫度。
在步驟S620中，如果PDP 100的檢測(cè)溫度被確定低于基準(zhǔn)溫度，則在 步驟S640中控制器200輸出通常的控制信號(hào)。輸出控制信號(hào)310、 410、 510 分別發(fā)送到尋址電極驅(qū)動(dòng)器300、掃描電極驅(qū)動(dòng)器400、維持電極驅(qū)動(dòng)器500。 不過，如果在步驟S620中PDP 100的4企測(cè)溫度^C確定高于基準(zhǔn)溫度，那么 在步驟S630中，控制器200輸出導(dǎo)致尋址時(shí)段中包含壁電荷補(bǔ)償時(shí)段的控 制信號(hào)。
相應(yīng)地，通過控制器的操作，僅在可能由于壁電荷喪失而發(fā)生低尋址放 電時(shí)添加壁電荷補(bǔ)償波形，從而使等離子體顯示器能夠得到更為有效的驅(qū)動(dòng)。
根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例，提供了 一種等離子體顯示器及其驅(qū)動(dòng)方 法，從而可以通過在尋址時(shí)段中包含壁電荷補(bǔ)償時(shí)段來進(jìn)行穩(wěn)定的尋址放電。
本發(fā)明的各實(shí)施例在尋址時(shí)段中包含至少一個(gè)壁電荷補(bǔ)償時(shí)段。在補(bǔ)償 時(shí)段期間，在波形上類似于重置波形的電壓施加到掃描電極和維持電極。施 加到掃描電極和維持電極的電壓補(bǔ)充了沿著靠后掃描電極的單元的壁電荷， 同時(shí)保持電極之間的電壓差足夠低以防止在沿著靠前掃描電極的被尋址單 元中產(chǎn)生維持放電。因?yàn)檩^高的溫度加速了單元中壁電荷的喪失，所以在一 個(gè)實(shí)施例中包含了溫度探測(cè)器，其在面板處檢測(cè)到溫度高于一基準(zhǔn)溫度時(shí)， 將信號(hào)發(fā)送至控制器以包含補(bǔ)償時(shí)段。
雖然本發(fā)明已經(jīng)接合當(dāng)前認(rèn)為是實(shí)用的示例性實(shí)施例進(jìn)行描述，不過可 以理解的是，本發(fā)明并不限于所公開的實(shí)施例，而是相反地，本發(fā)明意在涵 蓋包含在所附權(quán)利要求書及其等價(jià)替換的精神和范圍內(nèi)的各種改造和等價(jià) 配置。 '
權(quán)利要求
1、一種驅(qū)動(dòng)等離子體顯示器的方法，所述等離子體顯示器包括多個(gè)第一電極、多個(gè)第二電極、沿著與所述第一電極及所述第二電極交叉的方向形成的多個(gè)第三電極和在所述多個(gè)第一電極及所述多個(gè)第二電極與所述多個(gè)第三電極相交處形成的單元，所述多個(gè)第一電極被分為第一組和第二組，所述第一組第一電極彼此相鄰，所述第二組第一電極彼此相鄰，所述等離子體顯示器在時(shí)間幀期間被驅(qū)動(dòng)，每一幀被分為多個(gè)子場(chǎng)，每個(gè)子場(chǎng)包括一尋址時(shí)段和隨后的維持時(shí)段，在所述尋址時(shí)段期間被選擇的發(fā)光單元在所述維持時(shí)段期間發(fā)光以形成被顯示的圖像，至少一個(gè)尋址時(shí)段包括第一時(shí)段、第二時(shí)段和第三時(shí)段，所述方法包括在所述第一時(shí)段期間，將掃描脈沖施加到所述第一組，以便對(duì)沿著所述第一組形成的發(fā)光單元進(jìn)行尋址；在所述第二時(shí)段期間，將一第一電壓施加到所述多個(gè)第二電極，同時(shí)將一高于所述第一電壓的第二電壓施加到所述多個(gè)第一電極；和在所述第三時(shí)段期間，將所述掃描脈沖施加到所述第二組，以便對(duì)沿著所述第二組形成的發(fā)光單元進(jìn)行尋址，其中，所述第一電壓和所述第二電壓之差小于在所述維持時(shí)段期間施加到所述多個(gè)第一電極的電壓和施加到所述多個(gè)第二電極的電壓之差。
2、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，進(jìn)一步包括在所述第一時(shí)段和所述第三時(shí)段期間將一第三電壓施加到所述第三電 極，以便從所述等離子體顯示器的各單元中選出發(fā)光單元。 其中，所述第二電壓高于所述第三電壓，以及 所述第二電壓的極性與所述掃描脈沖的極性相反。
3、 根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其中，在至少一個(gè)尋址時(shí)段之前存在 一重置時(shí)段，所述至少一個(gè)尋址時(shí)段進(jìn)一步包括一出現(xiàn)于所述第二時(shí)段和所 述第三時(shí)段之間的第四時(shí)段，該方法進(jìn)一步包括在所述第四時(shí)段期間，將所述多個(gè)第一電極的電壓從一第五電壓逐漸降 低到一第六電壓，同時(shí)將一第四電壓施加到所述多個(gè)第二電極，其中，所述第六電壓等于在所述重置時(shí)段期間施加到所述多個(gè)第一電極的最終電壓。
4、 根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其中，所述第四電壓低于所述第一電 壓，所述第五電壓低于所述第二電壓。
5、 根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，其中，所述至少一個(gè)尋址時(shí)段進(jìn)一步 包括一出現(xiàn)于所述第一時(shí)段和所述第二時(shí)段之間的第五時(shí)段，所述方法進(jìn)一 步包括在所述第五時(shí)段期間，將所述多個(gè)第一電極的電壓從一第七電壓逐漸升 高到所述第二電壓。
6、 根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，其中，所述第七電壓低于所述第二電壓。
7、 根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其中，所述第五電壓和所述第七電壓 為i也電壓。
8、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述至少一個(gè)包括所述第一時(shí) 段、所述第二時(shí)段和所述第三時(shí)段的尋址時(shí)段僅出現(xiàn)在所述等離子體顯示器 的溫度高于一基準(zhǔn)溫度時(shí)。
9、 一種用于驅(qū)動(dòng)等離子體顯示器中的等離子體顯示面板的方法，所述 等離子體顯示器包括驅(qū)動(dòng)電極，所述驅(qū)動(dòng)電極包括掃描電極、維持電極和尋 址電極，所述尋址電極沿著與所述掃描電極和所述維持電極交叉的方向形 成，所述等離子體顯示面板包括在所述掃描電極和所述維持電杈與所述尋址 電極相交處形成的放電單元，所述等離子體顯示器在時(shí)間幀期間被驅(qū)動(dòng)，每 幀被分為若干子場(chǎng)，每個(gè)子場(chǎng)包括一重置時(shí)段、隨后的尋址時(shí)段和再隨后的 維持時(shí)段，在所述重置時(shí)段期間壁電荷聚集在所述放電單元處，發(fā)光單元在 所述尋址時(shí)段期間被選出，并在所述維持時(shí)段期間發(fā)光以形成iij等離子體顯 示面板顯示的圖像，所述等離子體顯示器進(jìn)一步包括一連接到所述等離子體顯示面板的溫度探測(cè)器，該溫度探測(cè)器用于探測(cè)所述等離子體顯示面板的溫度，所述方法進(jìn)一步包括在每個(gè)尋址時(shí)段期間，將第一驅(qū)動(dòng)波形施加到所述驅(qū)動(dòng)電極，以便對(duì)所述放電單元的第一子集 進(jìn)行尋址；探測(cè)所述等離子體顯示面板的溫度；判斷所述等離子體顯示面板的溫度是否高于一基準(zhǔn)溫度；如果確定所述等離子體顯示面板的溫度不高于所述基準(zhǔn)溫度，則將所述 第一驅(qū)動(dòng)波形施加到所述驅(qū)動(dòng)電極，以便對(duì)所述放電單元的第二子集進(jìn)行尋 址；和如果確定所述等離子體顯示面板的溫度高于所述基準(zhǔn)溫度，則將第二驅(qū) 動(dòng)波形施加到所述驅(qū)動(dòng)電極；其中，壁電荷在所述放電單元的第一子集被尋址時(shí)從所述放電單元的第 二子集喪失，以及所述第二驅(qū)動(dòng)波形基本恢復(fù)從所述放電單元的第二子集喪失的壁電荷。
10、 根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其中將第一驅(qū)動(dòng)波形施加到所述驅(qū)動(dòng)電極包括將第一尋址波形、第一 維持波形和第 一掃描波形分別施加到所述尋址電極、所述維持電極和所述掃 描電^L，以及將第二驅(qū)動(dòng)波形施加到所述驅(qū)動(dòng)電極包括將第二尋址波形、第二維持 波形和第二掃描波形分別施加到所述尋址電極、所述維持電極和所述掃描電極。
11、 根據(jù)權(quán)利要求IO所述的方法，其中所述第二掃描波形和所述第二維持波形分別包括第一恒定電壓和 第二恒定電壓，以及所述第一恒定電壓和所述第二恒定電壓之差小于在所述維持時(shí)段期間 施加到所述掃描電極和所述維持電極的電壓之差。
12、 根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，其中所述第 一掃描波形包括順序地施加到所述掃描電極的負(fù)掃描脈沖，以及所述第二掃描波形包括一 包含正值的上升電壓以及隨后的 一 包含負(fù)值 的下降電壓，所述第二掃描波形被施加到所述放電單元的第二子集的掃描電極。
13、 根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，其中，所述第一尋址波形為正值，所述第二尋址波形為地電壓，以及 所述第二維持波形比所述第一維持波形具有更大的正值。
14、 一種等離子體顯示器，包括等離子體顯示面板，其包括多個(gè)掃描電極、多個(gè)維持電極、沿著與所述 多個(gè)掃描電極和所述多個(gè)維持電極交叉的方向形成的多個(gè)尋址電極和在所 述掃描電極和所述維持電極與所述尋址電極相交處形成的多個(gè)單元，所述多 個(gè)掃描電極包括第 一掃描電極和第二掃描電極，所述第 一掃描電極彼此相 鄰，所述第二掃描電極彼此相鄰；和驅(qū)動(dòng)器，其用于在包括尋址時(shí)段和維持時(shí)段的時(shí)段期間驅(qū)動(dòng)所述等離子 體顯示面板，所述驅(qū)動(dòng)器在所述尋址時(shí)段的一第一時(shí)段期間從沿所述第一掃 描電極形成的單元中選出發(fā)光單元，并在所述尋址時(shí)段的一第二時(shí)段期間從 沿所述第二掃描電極形成的單元中選出發(fā)光單元，其中，在一出現(xiàn)于所述第一時(shí)段之后、所述第二時(shí)段之前的第三時(shí)段期 間，所述驅(qū)動(dòng)器將一第一電壓施加到所述多個(gè)維持電極，同時(shí)將一高于所述 第一電壓的第二電壓施加到所述多個(gè)掃描電極，以及所述第一電壓和所述第二電壓之差小于在所述維持時(shí)段期間施加到所 述多個(gè)掃描電極的電壓和施加到所述多個(gè)維持電極的電壓之差。
15、 根據(jù)權(quán)利要求14所述的等離子體顯示器，其中，在一 出現(xiàn)于所述第二時(shí)段和所述第三時(shí)段之間的第四時(shí)段期間， 所述驅(qū)動(dòng)器將施加到所述多個(gè)掃描電極的電壓從一第四電壓逐漸降低到一 第五電壓，同時(shí)將一第三電壓施加到所述多個(gè)維持電極，以及所述第五電壓為在驅(qū)動(dòng)所述等離子體顯示面板的重置時(shí)段期間施加到 所述多個(gè)掃描電極的最終電壓。
16、 根據(jù)權(quán)利要求15所述的等離子體顯示器， 其中，所述第三電壓低于所述第一電壓，以及 所述第四電壓低于所述第二電壓。
17、 根據(jù)權(quán)利要求16所述的等離子體顯示器，其中，在一出現(xiàn)于所述 第一時(shí)段和所述第三時(shí)段之間的第五時(shí)段期間，所述驅(qū)動(dòng)器將施加到所述多 個(gè)掃描電極的電壓從一第六電壓升高到所述第二電壓。
18、 根據(jù)權(quán)利要求17所述的等離子體顯示器， 其中，所述第六電壓低于所述第二電壓，以及 所述第四電壓和所述第六電壓為地電壓。
19、 根據(jù)權(quán)利要求18所述的等離子體顯示器，進(jìn)一步包括 溫度探測(cè)器，其用于檢測(cè)所述等離子體顯示面板的溫度，并且向所述驅(qū)動(dòng)器提供所述等離子體顯示面板的溫度，其中，僅在所述等離子體顯示器的溫度高于一基準(zhǔn)溫度時(shí)，所述尋址時(shí) 段才包含所述第三時(shí)段、所述第四時(shí)段和所述第五時(shí)段。
20、 根據(jù)權(quán)利要求14所述的等離子體顯示器，其中，所述多個(gè)掃描電 極由所述第一掃描電極和所述第二掃描電極構(gòu)成。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種等離子體顯示器及其驅(qū)動(dòng)方法。在出現(xiàn)于尋址時(shí)段的第一時(shí)段和第二時(shí)段之間的壁電荷補(bǔ)償時(shí)段的至少一部分期間，將高于第一電壓的第二電壓施加到第二電極，同時(shí)將第一電壓施加到第一電極。第一電壓和第二電壓之差小于在維持時(shí)段中施加到第一電極和第二電極的電壓之差。進(jìn)一步，僅在等離子體顯示器的溫度高于一基準(zhǔn)溫度時(shí)，才包括壁電荷補(bǔ)償時(shí)段。相應(yīng)地，高溫引起的壁電荷喪失可得到補(bǔ)償，并可進(jìn)行穩(wěn)定的尋址操作。
文檔編號(hào)G09G3/20GK101197105SQ200710195228
公開日2008年6月11日 申請(qǐng)日期2007年12月4日 優(yōu)先權(quán)日2006年12月6日
發(fā)明者李周烈 申請(qǐng)人:三星Sdi株式會(huì)社