專利名稱：金屬網(wǎng)板型等離子體顯示平板用改進(jìn)型驅(qū)動(dòng)電路的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及一種金屬網(wǎng)板型等離子體顯示平板，尤其是一種金屬網(wǎng) 板型等離子體顯示平板掃描電極驅(qū)動(dòng)電路，具體地說(shuō)是一種金屬網(wǎng)板型等離 子體顯示平板用改進(jìn)型驅(qū)動(dòng)電路。
技術(shù)背景目前，等離子體顯示平板作為一項(xiàng)具體的平板顯示器件，同樣具有輕、 薄、屏幕大、視角寬、惰性小等優(yōu)點(diǎn)，在大屏幕顯示領(lǐng)域具有廣闊的發(fā)展前 景。目前正在開發(fā)的金屬網(wǎng)板型等離子體顯示平板一種對(duì)向放電型交流等離 子體顯示平板，它與傳統(tǒng)表面放電型交流等離子體顯示平板相比，具有制造 工藝簡(jiǎn)單、更容易實(shí)現(xiàn)高分辨率、以及制造成本和驅(qū)動(dòng)成本低等優(yōu)點(diǎn)，具有 更強(qiáng)的市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力。正是由于這種金屬網(wǎng)板型等離子體顯示平板在結(jié)構(gòu)上與 傳統(tǒng)表面放電型交流等離子體顯示平板相比具有較大差別，因此急需設(shè)計(jì)一 種全新的顯示平板驅(qū)動(dòng)電路，以滿足金屬網(wǎng)板型等離子體顯示平板驅(qū)動(dòng)要求， 并且要滿足高性能和低成本的要求，從驅(qū)動(dòng)的角度來(lái)體現(xiàn)技術(shù)先進(jìn)性，提高 市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力。 發(fā)明內(nèi)容本實(shí)用新型的目的是針對(duì)金屬網(wǎng)板型等離子體顯示平板急需高性能、低 成本驅(qū)動(dòng)電路的問(wèn)題，設(shè)計(jì)一種結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，成本低，易于實(shí)現(xiàn)的金屬網(wǎng)板型 等離子體顯示平板用改進(jìn)型驅(qū)動(dòng)電路。本實(shí)用新型的技術(shù)方案是一種金屬網(wǎng)板型等離子體顯示平板用改進(jìn)型驅(qū)動(dòng)電路，其特征是它主要 由正電壓能量恢復(fù)模塊l、正電壓維持模塊2、正向復(fù)位模塊3、負(fù)電壓能量 恢復(fù)模塊4、負(fù)電壓維持模塊5、隔離續(xù)流模塊6、負(fù)向復(fù)位模塊7、尋址模
塊8所組成，它們所需的驅(qū)動(dòng)輸入信號(hào)XEPH、 XEPL、 XSPH、 XPRH、 XPRL、站NH、 XENL、 XSNL、 XSWP、 XS顆、XVG1、 XVG2、 XAD1及XAD2由數(shù)字控制信號(hào)發(fā)生器 IO提供，其中正電壓維持模塊2、正向復(fù)位模塊3、負(fù)電壓維持模塊5、負(fù)向 復(fù)位模塊7及尋址模塊8所需的高壓信號(hào)VPS、 VPP、 VNS、 VNG、 VNA由直流 高壓電源模塊9提供，正向復(fù)位模塊3的輸出端與正電壓維持模塊2的一個(gè) 信號(hào)輸入端相連，正電壓維持模塊2的輸出端與正電壓能量恢復(fù)模塊1的輸 出端一起與隔離續(xù)流模塊6的輸入端相連，負(fù)電壓能量恢復(fù)模塊4的輸出端 與負(fù)電壓維持模塊5的輸入端相連，負(fù)電壓維持模塊5的輸出端接隔離續(xù)流 模塊6的另一個(gè)輸入端，隔離續(xù)流模塊6的一個(gè)輸出端直接與尋址模塊8的 一個(gè)輸入端相連，隔離續(xù)流模塊6的另一個(gè)輸出端通過(guò)負(fù)向復(fù)位模塊7與尋 址模塊8的另一輸入端相連，尋址模塊8的輸入與掃描驅(qū)動(dòng)芯片IC1的對(duì)應(yīng) 輸入端相連，掃描驅(qū)動(dòng)芯片IC1的輸出與金屬網(wǎng)板型等離子體顯示平板對(duì)應(yīng) 的掃描維持電極相連。 其中-所述的正電壓能量恢復(fù)模塊1由電容C1、場(chǎng)效應(yīng)管Q1、場(chǎng)效應(yīng)管Q2、 二 極管Dl、 二極管D2和電感Ll所組成，正電壓能量恢復(fù)模塊1的輸入從場(chǎng)效 應(yīng)管Q1和場(chǎng)效應(yīng)管Q2的柵極引出接數(shù)字控制信號(hào)發(fā)生器10的數(shù)字開關(guān)信號(hào) 輸出端XEPH和XEPL，它的輸出通過(guò)電感L1的一端引出接正電壓維持模塊2。所述的正電壓維持模塊2由二極管D3、 D12、場(chǎng)效應(yīng)管Q3組成，正電壓 維持模塊2的輸入從場(chǎng)效應(yīng)管Q3的柵極引接數(shù)字控制信號(hào)發(fā)生器10的數(shù)字 開關(guān)信號(hào)輸出端XSPH，其輸出從場(chǎng)效應(yīng)管Q3的源極和二極管D12的正極的連 接點(diǎn)接正電壓能量恢復(fù)模塊1中的電感Ll的一端，同時(shí)接隔離續(xù)流模塊6， 正電壓維持模塊2的電源引出端從場(chǎng)效應(yīng)管Q3的漏極引出接正向復(fù)位模塊3， 它的高壓信號(hào)VPS的輸入端從二極管D3的正極引出接直流高壓電源模塊9對(duì) 應(yīng)輸出端。所述的正向復(fù)位模塊3由電容C3、場(chǎng)效應(yīng)管Q5、場(chǎng)效應(yīng)管Q6和可變電 阻VR1組成，它的輸入從場(chǎng)效應(yīng)管Q5的柵極引出通過(guò)可變電阻VR1及場(chǎng)效應(yīng) 管Q6的柵極引出分別接對(duì)應(yīng)的數(shù)字控制信號(hào)發(fā)生器10的數(shù)字開關(guān)信號(hào)輸出 端XPRH、 XPRL,它的輸出從電容C3的一端引出接正電壓維持模塊2的電源引 出端即場(chǎng)效應(yīng)管Q3的漏極；正向復(fù)位模塊3的高壓信號(hào)VPP的輸入端從場(chǎng)效 應(yīng)管Q5的漏極引出接直流高壓電源模塊9的對(duì)應(yīng)輸出端。所述的負(fù)電壓能量恢復(fù)模塊4由電容C2、場(chǎng)效應(yīng)管Qll、場(chǎng)效應(yīng)管Q12、 二極管D6、 二極管D7和電感L2組成，它的輸入通過(guò)場(chǎng)效應(yīng)管Qll、 Q12的柵 極引出接數(shù)字控制信號(hào)發(fā)生器10的數(shù)字開關(guān)信號(hào)輸出端XENH和XENL端，它 的輸出通過(guò)電感L2的一端與負(fù)電壓維持模塊5相連。所述的負(fù)電壓維持模塊5由場(chǎng)效應(yīng)管Q14和二極管DIO、 Dll組成它的輸 入從場(chǎng)效應(yīng)管Q14的柵極引出接數(shù)字控制信號(hào)發(fā)生器10的數(shù)字開關(guān)信號(hào)端 XSNL，其輸出從場(chǎng)效應(yīng)管Q14的漏極和二極管Dll的正極的連接點(diǎn)引出接負(fù) 電壓能量恢復(fù)模塊4中的電感L2以及隔離續(xù)流模塊6;負(fù)電壓維持模塊5的 高壓信號(hào)VNS的輸入端從二極管D10的負(fù)極引出接直流高壓電源模塊9的對(duì) 應(yīng)輸出端。所述的隔離續(xù)流模塊6由場(chǎng)效應(yīng)管Q8、場(chǎng)效應(yīng)管Q15、 二極管D4和二極 管D5組成，它的輸入分別從場(chǎng)效應(yīng)管Q8、 Q15的柵極引出分別接對(duì)應(yīng)的數(shù)字 控制信號(hào)發(fā)生器10的數(shù)字開關(guān)信號(hào)輸出端XSWP、 XSWL，其輸出從場(chǎng)效應(yīng)管 Q8的漏極和場(chǎng)效應(yīng)管Q15的源極引出分別接正電壓能量恢復(fù)模塊1的輸出即 Ll的一端及負(fù)電壓能量恢復(fù)模塊4的輸出即L2的一端，它的另一路輸出從場(chǎng) 效應(yīng)管Q8的源極和場(chǎng)效應(yīng)管Q15的漏極引出分別接尋址模塊8和負(fù)向復(fù)位模 塊7。所述的負(fù)向復(fù)位電路7由場(chǎng)效應(yīng)管Q10和可變電阻VR2組成。 它的輸入從場(chǎng)效應(yīng)管Q10的柵極經(jīng)可變電阻VR2接數(shù)字控制信號(hào)發(fā)生器10的 數(shù)字開關(guān)信號(hào)輸出端XVG1，其輸出從場(chǎng)效應(yīng)管Q10的源極引出接尋址模塊8， 負(fù)向復(fù)位電路7的高壓信號(hào)VNG從場(chǎng)效應(yīng)管Q10的源極引出接直流高壓電源 模塊9的對(duì)應(yīng)輸出端。所述的尋址模塊8由場(chǎng)效應(yīng)管Q9、場(chǎng)效應(yīng)管Q16、場(chǎng)效應(yīng)管Q17、 二極管 D8和二極管D9組成，它的輸入端從場(chǎng)效應(yīng)管Q9、 Q16、 Q17的柵極引出接數(shù) 字控制信號(hào)發(fā)生器10的數(shù)字開關(guān)信號(hào)輸出端XVG2、 XAD1、 XAD2，其輸出從場(chǎng)
效應(yīng)管Q9、 Q16、 Q17的漏極引出掃描驅(qū)動(dòng)芯片IC1的對(duì)應(yīng)輸入端；尋址模塊 8的高壓信號(hào)輸入端VNA、 VNG分別從場(chǎng)效應(yīng)管Q16與場(chǎng)效應(yīng)管Q17的源極的 連接點(diǎn)以及場(chǎng)效應(yīng)管Q9的源極引出接直流高壓電源模塊9的對(duì)應(yīng)輸出端。 本實(shí)用新型具有以下優(yōu)點(diǎn)本實(shí)用新型的電路與已有的驅(qū)動(dòng)電路相比，通過(guò)替換和減少電路元器件 數(shù)量和減少控制，降低了驅(qū)動(dòng)電路的成本。在具體實(shí)施過(guò)程中只需通過(guò)合理 選擇關(guān)鍵電子元器件的類型和數(shù)目，就可以驅(qū)動(dòng)任何解析度和屏幕大小尺寸 的金屬網(wǎng)板型等離子體顯示平板，同樣本實(shí)用新型的驅(qū)動(dòng)電路也適用于其它 對(duì)向放電型交流等離子體顯示平板。本實(shí)用新型的電路除了能夠很好的產(chǎn)生 金屬網(wǎng)板型等離子體顯示平板所需基本驅(qū)動(dòng)波形，還具有以下兩項(xiàng)顯著的特點(diǎn)(1) 通過(guò)改變電路結(jié)構(gòu)，采取功能復(fù)用方式，簡(jiǎn)化了設(shè)計(jì)，降低了設(shè)計(jì)難度；(2) 電路簡(jiǎn)化，減少了電路器件，降低了電路成本。它通過(guò)對(duì)正電壓維 持電路模塊與負(fù)電壓維持電路模塊的簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)，將原來(lái)多路(一般需要4路) 的MOSFET電路模塊改為單個(gè)二極管結(jié)構(gòu)，減少了控制，不僅簡(jiǎn)化了設(shè)計(jì)，而 且降低了電路成本，使得維持大功率驅(qū)動(dòng)部分的電路成本大約降為原來(lái)的一 半。


圖1是本實(shí)用新型所涉及的金屬網(wǎng)板等離子體顯示平板的顯示驅(qū)動(dòng)系統(tǒng) 結(jié)構(gòu)示意圖。圖2是本實(shí)用新型所涉及的金屬網(wǎng)板等離子體顯示平板所需要的基本驅(qū) 動(dòng)波形示意圖。圖3是本實(shí)用新型的金屬網(wǎng)板等離子體顯示平板掃描電極驅(qū)動(dòng)電路原理 框圖。圖4是與圖3所示的框圖相配的一個(gè)電原理圖。圖5是利用本實(shí)用新型的驅(qū)動(dòng)電路驅(qū)動(dòng)形成的維持期驅(qū)動(dòng)波形示意圖。
具體實(shí)施方式
下面結(jié)構(gòu)附圖和實(shí)施例對(duì)本實(shí)用新型作進(jìn)一步的說(shuō)明。如圖3、 4所示。一種金屬網(wǎng)板型等離子體顯示平板用改進(jìn)型驅(qū)動(dòng)電路，它主要由正電壓 能量恢復(fù)模塊l、正電壓維持模塊2、正向復(fù)位模塊3、負(fù)電壓能量恢復(fù)模塊 4、負(fù)電壓維持模塊5、隔離續(xù)流模塊6、負(fù)向復(fù)位模塊7、尋址模塊8所組成, 如圖3所示，它們所需的驅(qū)動(dòng)輸入信號(hào)XEPH、 XEPL、 XSPH、 XPRH、 XPRL、 XENH、 XENL、 XSNL、 XSWP、 XS麗、XVG1、 XVG2、 XAD1及XAD2由數(shù)字控制信號(hào)發(fā)生器 IO提供，其中正電壓維持模塊2、正向復(fù)位模塊3、負(fù)電壓維持模塊5、負(fù)向 復(fù)位模塊7及尋址模塊8所需的高壓信號(hào)VPS、 VPP、 VNS、 VNG、 VNA由直流 高壓電源模塊9提供，正向復(fù)位模塊3的輸出端與正電壓維持模塊2的一個(gè) 信號(hào)輸入端相連，正電壓維持模塊2的輸出端與正電壓能量恢復(fù)模塊1的輸 出端一起與隔離續(xù)流模塊6的輸入端相連，負(fù)電壓能量恢復(fù)模塊4的輸出端 與負(fù)電壓維持模塊5的輸入端相連，負(fù)電壓維持模塊5的輸出端接隔離續(xù)流 模塊6的另一個(gè)輸入端，隔離續(xù)流模塊6的一個(gè)輸出端直接與尋址模塊8的 一個(gè)輸入端相連，隔離續(xù)流模塊6的另一個(gè)輸出端通過(guò)負(fù)向復(fù)位模塊7與尋 址模塊8的另一輸入端相連，尋址模塊8的輸入與掃描驅(qū)動(dòng)芯片IC1的對(duì)應(yīng) 輸入端相連，掃描驅(qū)動(dòng)芯片IC1的輸出與金屬網(wǎng)板型等離子體顯示平板對(duì)應(yīng) 的掃描維持電極相連。具體實(shí)施時(shí)的驅(qū)動(dòng)電路圖如圖4所示。其中正電壓能量恢復(fù)模塊1由 電容C1、場(chǎng)效應(yīng)管Q1、場(chǎng)效應(yīng)管Q2、 二極管D1、 二極管D2和電感L1所組 成，正電壓能量恢復(fù)模塊1的輸入從場(chǎng)效應(yīng)管Ql和場(chǎng)效應(yīng)管Q2的柵極引出 接數(shù)字控制信號(hào)發(fā)生器IO(使用FPGA電路板編程推動(dòng)IR2113S等芯片形成) 的數(shù)字開關(guān)信號(hào)輸出端XEffl和XEPL，它的輸出通過(guò)電感Ll的一端引出接正 電壓維持模塊2。正電壓維持模塊2由二極管D3、 D12、場(chǎng)效應(yīng)管Q3組成， 正電壓維持模塊2的輸入從場(chǎng)效應(yīng)管Q3的柵極引接數(shù)字控制信號(hào)發(fā)生器10 的數(shù)字開關(guān)信號(hào)輸出端XSPH，其輸出從場(chǎng)效應(yīng)管Q3的源極和二極管D12的正 極的連接點(diǎn)接正電壓能量恢復(fù)模塊l中的電感L1的一端，同時(shí)接隔離續(xù)流模 塊6，正電壓維持模塊2的電源引出端從場(chǎng)效應(yīng)管Q3的漏極引出接正向復(fù)位模塊3，它的高壓信號(hào)VPS的輸入端從二極管D3的正極引出接直流高壓電源 模塊9對(duì)應(yīng)輸出端。正向復(fù)位模塊3由電容C3、場(chǎng)效應(yīng)管Q5、場(chǎng)效應(yīng)管Q6 和可變電阻VR1組成，它的輸入從場(chǎng)效應(yīng)管Q5的柵極引出通過(guò)可變電阻VR1 及場(chǎng)效應(yīng)管Q6的柵極引出分別接對(duì)應(yīng)的數(shù)字控制信號(hào)發(fā)生器10的數(shù)字開關(guān) 信號(hào)輸出端XPRH、 XPRL，它的輸出從電容C3的一端引出接正電壓維持模塊2 的電源引出端即場(chǎng)效應(yīng)管Q3的漏極；正向復(fù)位模塊3的高壓信號(hào)VPP的輸入 端從場(chǎng)效應(yīng)管Q5的漏極引出接直流高壓電源模塊9的對(duì)應(yīng)輸出端。負(fù)電壓能 量恢復(fù)模塊4由電容C2、場(chǎng)效應(yīng)管Qll、場(chǎng)效應(yīng)管Q12、 二極管D6、 二極管 D7和電感L2組成，它的輸入通過(guò)場(chǎng)效應(yīng)管Qll、 Q12的柵極引出接數(shù)字控制 信號(hào)發(fā)生器10的數(shù)字開關(guān)信號(hào)輸出端XENH和XENL端，它的輸出通過(guò)電感L2 的一端與負(fù)電壓維持模塊5相連。負(fù)電壓維持模塊5由場(chǎng)效應(yīng)管Q14和二極 管DIO、 D11組成它的輸入從場(chǎng)效應(yīng)管Q14的柵極引出接數(shù)字控制信號(hào)發(fā)生器 10的數(shù)字開關(guān)信號(hào)端XSNL，其輸出從場(chǎng)效應(yīng)管Q14的漏極和二極管Dll的正 極的連接點(diǎn)引出接負(fù)電壓能量恢復(fù)模塊4中的電感L2以及隔離續(xù)流模塊6; 負(fù)電壓維持模塊5的高壓信號(hào)VNS的輸入端從二極管D10的負(fù)極引出接直流 高壓電源模塊9的對(duì)應(yīng)輸出端。隔離續(xù)流模塊6由場(chǎng)效應(yīng)管Q8、場(chǎng)效應(yīng)管Q15、 二極管D4和二極管D5組成，它的輸入分別從場(chǎng)效應(yīng)管Q8、 Q15的柵極引出 分別接對(duì)應(yīng)的數(shù)字控制信號(hào)發(fā)生器10的數(shù)字開關(guān)信號(hào)輸出端XSWP、 XSWL,其 輸出從場(chǎng)效應(yīng)管Q8的漏極和場(chǎng)效應(yīng)管Q15的源極引出分別接正電壓能量恢復(fù) 模塊1的輸出即Ll的一端及負(fù)電壓能量恢復(fù)模塊4的輸出即L2的一端，它 的另一路輸出從場(chǎng)效應(yīng)管Q8的源極和場(chǎng)效應(yīng)管Q15的漏極引出分別接尋址模 塊8和負(fù)向復(fù)位模塊7。負(fù)向復(fù)位電路7由場(chǎng)效應(yīng)管Q10和可變電阻VR2組成。 它的輸入從場(chǎng)效應(yīng)管Q10的柵極經(jīng)可變電阻VR2接數(shù)字控制信號(hào)發(fā)生器10的 數(shù)字開關(guān)信號(hào)輸出端XVG1，其輸出從場(chǎng)效應(yīng)管QIO的源極引出接尋址模塊8， 負(fù)向復(fù)位電路7的高壓信號(hào)VNG從場(chǎng)效應(yīng)管Q10的源極引出接直流高壓電源 模塊9的對(duì)應(yīng)輸出端。尋址模塊8由場(chǎng)效應(yīng)管Q9、場(chǎng)效應(yīng)管Q16、場(chǎng)效應(yīng)管 Q17、 二極管D8和二極管D9組成，它的輸入端從場(chǎng)效應(yīng)管Q9、 Q16、 Q17的 柵極引出接數(shù)字控制信號(hào)發(fā)生器10的數(shù)字開關(guān)信號(hào)輸出端XVG2、XAD1、XAD2，
其輸出從場(chǎng)效應(yīng)管Q9、 Q16、 Q17的漏極引出掃描驅(qū)動(dòng)芯片IC1的對(duì)應(yīng)輸入端; 尋址模塊8的高壓信號(hào)輸入端VNA、 VNG分別從場(chǎng)效應(yīng)管Q16與場(chǎng)效應(yīng)管Q17 的源極的連接點(diǎn)以及場(chǎng)效應(yīng)管Q9的源極引出接直流高壓電源模塊9的對(duì)應(yīng)輸 出端。詳述如下本實(shí)用新型的驅(qū)動(dòng)金屬網(wǎng)板型等離子體顯示平板的驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)框圖如圖1 所示，金屬網(wǎng)板型等離子體顯示平板上引出了一系列金屬電極，根據(jù)功能不同分成兩類數(shù)據(jù)電極與掃描維持電極，兩類電極的數(shù)目與金屬網(wǎng)板型等離 子體顯示平板的解析度相關(guān)。在對(duì)金屬網(wǎng)板型等離子體顯示平板實(shí)施驅(qū)動(dòng)時(shí)， 需要將數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)芯片、掃描驅(qū)動(dòng)芯片與相應(yīng)的數(shù)據(jù)電極和掃描電極相連，金 屬網(wǎng)板型等離子體顯示平板驅(qū)動(dòng)電路通過(guò)給掃描驅(qū)動(dòng)芯片提供掃描驅(qū)動(dòng)芯片電源端(XVDD)和參考地端(XVSS)提供金屬網(wǎng)板型等離子體顯示平板所需 的基本驅(qū)動(dòng)波形，達(dá)到驅(qū)動(dòng)金屬網(wǎng)板型等離子體顯示平板的目的。有效驅(qū)動(dòng) 金屬網(wǎng)板型等離子體顯示平板所需的基本驅(qū)動(dòng)波形如圖2所示，根據(jù)金屬網(wǎng) 板型等離子體顯示平板顯示原理的需要，驅(qū)動(dòng)金屬網(wǎng)板型等離子體顯示平板 時(shí)所需要的驅(qū)動(dòng)波形主要由圖2所示的四部分(WP1、 WP2、 WP3、 WP4)進(jìn)行 合理組合而形成，根據(jù)波形相應(yīng)特征和功能，WP1波形被稱為復(fù)位波形，其時(shí) 長(zhǎng)可為300us—500us， WP2波形被稱為尋址波形，其時(shí)長(zhǎng)可為500us—2ms， WP3波形被稱為維持波形，其時(shí)長(zhǎng)可為5us—5ras, WP4波形被稱為擦除波形， 其時(shí)長(zhǎng)可為20us—300us。本技術(shù)方案發(fā)明的一種改進(jìn)型金屬網(wǎng)板型等離子體 顯示平板驅(qū)動(dòng)電路的方案框圖如圖3所示，能夠很好得產(chǎn)生掃描維持電極所 需要的上述四部分的基本驅(qū)動(dòng)波形，并提供較大的負(fù)載電流，滿足系統(tǒng)驅(qū)動(dòng) 的要求。驅(qū)動(dòng)電路原理圖如圖4所示，是圖3框圖的具體實(shí)施方案，驅(qū)動(dòng)電 路方案中主要由一系列金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)、快恢復(fù)二級(jí)管、 電容和電感組成，其中IC1表示掃描驅(qū)動(dòng)芯片(比如ST公司的STV7617芯片)， 實(shí)際金屬網(wǎng)板型等離子體顯示平板顯示系統(tǒng)中根據(jù)解析度的要求需要較多掃 描驅(qū)動(dòng)芯片，這里僅提供一個(gè)框圖作方案原理說(shuō)明，在實(shí)際驅(qū)動(dòng)過(guò)程中金屬 網(wǎng)板型等離子體顯示平板可以看成一個(gè)容性負(fù)載，這里用Cp加以表示，IC2
表示數(shù)據(jù)芯片(比如ST公司的STV7630芯片)，實(shí)際金屬網(wǎng)板型等離子體顯 示平板顯示系統(tǒng)中根據(jù)解析度的要求需要較多數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)芯片，這里也僅提供 一個(gè)框圖作方案原理說(shuō)明。圖l、圖2、圖3、圖4中其他技術(shù)方案相關(guān)詳細(xì) 信息將在下面描述整個(gè)驅(qū)動(dòng)方法詳細(xì)操作流程中同時(shí)加以描述。如圖1所示，將掃描驅(qū)動(dòng)芯片的輸出與金屬網(wǎng)板型等離子體顯示平板掃 描維持電極一一對(duì)應(yīng)相連接。數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)芯片的輸出與數(shù)據(jù)電極一一對(duì)應(yīng)相連 接，數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)芯片的電源端VA連接直流穩(wěn)壓電源，根據(jù)金屬網(wǎng)板型等離子體 顯示平板驅(qū)動(dòng)要求選擇合適電壓幅度，參考地直接與系統(tǒng)地相連；掃描驅(qū)動(dòng) 芯片的電源端XVDD和參考地端XVSS均與金屬網(wǎng)板型等離子體顯示平板驅(qū)動(dòng) 電路相連接。圖2所示的是驅(qū)動(dòng)金屬網(wǎng)板型等離子體顯示平板所需基本驅(qū)動(dòng) 波形，上述的基本驅(qū)動(dòng)波形由數(shù)據(jù)電極和掃描維持電極輸出，數(shù)據(jù)電極輸出 波形可以直接由數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)芯片產(chǎn)生，不需要驅(qū)動(dòng)電路，掃描維持電極輸出的 波形由掃描驅(qū)動(dòng)芯片輸出端輸出，但是需要本設(shè)計(jì)方案中的金屬網(wǎng)板型等離 子體顯示平板驅(qū)動(dòng)電路與掃描驅(qū)動(dòng)芯片相連接，由金屬網(wǎng)板型等離子體顯示 平板驅(qū)動(dòng)電路提供所需驅(qū)動(dòng)波形，圖2中的標(biāo)示VPS、 VNS、 VPP、 VNG、 VNA、 VA都是與圖4中所提供的直流高壓電源相互一一對(duì)應(yīng)的電壓標(biāo)示，具體電壓 幅值由金屬網(wǎng)板型等離子體顯示平板驅(qū)動(dòng)要求決定。圖3是為了產(chǎn)生圖2所示四種基本驅(qū)動(dòng)波形而發(fā)明的金屬網(wǎng)板型等離子 體顯示平板驅(qū)動(dòng)電路框圖，該驅(qū)動(dòng)電路方案按功能劃分可以分為正電壓能量 恢復(fù)模塊、正電壓維持模塊、正向復(fù)位模塊、負(fù)電壓能量恢復(fù)模塊、負(fù)電壓 維持模塊、隔離續(xù)流模塊、負(fù)向復(fù)位模塊、尋址模塊、直流高壓電源模塊以 及數(shù)字控制信號(hào)發(fā)生器。正電壓能量恢復(fù)模塊與正電壓維持模塊協(xié)調(diào)工作， 在功能上產(chǎn)生驅(qū)動(dòng)顯示平板所需要的正電壓維持脈沖(圖2中WP3的高電平 脈沖)，并提供有效負(fù)載電流，而降低無(wú)效電流在電路上的損耗；同樣負(fù)電壓 能量恢復(fù)模塊與負(fù)電壓維持模塊協(xié)調(diào)工作，產(chǎn)生驅(qū)動(dòng)顯示平板所需要的負(fù)電 壓維持脈沖(圖2中WP3的低電平脈沖)；正向復(fù)位模塊與負(fù)向復(fù)位模塊單獨(dú) 或協(xié)同工作，產(chǎn)生驅(qū)動(dòng)顯示屏所需要的負(fù)向擦除波形(圖2中WP4)或復(fù)位波 形(圖2中WP1);尋址模塊產(chǎn)生驅(qū)動(dòng)顯示屏所需要的尋址波形(圖2中的WP2);
隔離續(xù)流模塊主要起到隔離正負(fù)電壓電路和銜接電路模塊的作用。結(jié)合圖4具體驅(qū)動(dòng)電路原理圖，正電壓能量恢復(fù)模塊由C1、 Ql、 Q2、 Dl、 D2和Ll所組成，正電壓維持模塊由D3、 Q3和D12組成，正向復(fù)位模塊由C3、 Q5、 Q6和VR1組成，負(fù)電壓能量恢復(fù)模塊由C2、 Qll、 Q12、 D6、 D7和L2組 成，負(fù)電壓維持模塊由Dll、 Q14和D10組成，隔離續(xù)流模塊由Q8、 Q15、 D4 和D5組成，負(fù)向復(fù)位電路由Q10和VR2組成，尋址模塊由Q9、 Q16、 Q17、 D8 和D9組成；上述正電壓能量恢復(fù)模塊通過(guò)電感Ll的一端輸出與正電壓維持 模塊一輸出端(即MOSFET Q3的源極與二極管D12陽(yáng)極連接處)以及隔離續(xù) 流模塊一輸出端(即Q8漏極與D4陰極連接處)相連，正向復(fù)位模塊通過(guò)電 容C3的一端與正電壓維持模塊另一輸出端(即Q3的漏極與D3陰極連接處) 相連，負(fù)電壓能量恢復(fù)模塊通過(guò)電感L2的一端輸出與負(fù)電壓維持模塊輸出(即 Q14的漏極與Dll的陽(yáng)極連接處)以及隔離續(xù)流模塊一輸出端(即Q15源極與 D5的陽(yáng)極連接處)相連，負(fù)向復(fù)位模塊輸出端(即Q10的漏極)與隔離續(xù)流 模塊的一輸出端(即Q15漏極與D4陽(yáng)極連接處)、部分尋址模塊電路(由D8、 D9、 Q16、 Q17組成)的輸出端(即D8陰極與D9陽(yáng)極連接處)相互連接以及 掃描驅(qū)動(dòng)芯片的電源輸入端(即XVDD)相連，其余的尋址模塊電路(Q9)的 輸出端(即Q9漏極)與隔離續(xù)流模塊的一輸出端(即Q8源極與D5陰極連接 處)以及掃描驅(qū)動(dòng)芯片的參考地輸入端(即XVSS)相連。上述所提及的模塊之間的連接都是模塊的輸出端的連接，各模塊的輸入 端是圖4中所標(biāo)注的XEPH、 XEPL、 XSPH、 XPRH、 XPRL、 XSWP、 XENH、 XENL、 XSNL、 XS麗、XVG1、 XVG2、 XAD1以及XAD2這14個(gè)控制信號(hào)，這些控制信號(hào) 都是由數(shù)字控制信號(hào)發(fā)生器所產(chǎn)生，由數(shù)字信號(hào)發(fā)生器輸出與其他電路模塊 一一相連，直流高壓電源模塊提供圖4中所標(biāo)注的VPS、 VPP、 VNS、 VNG、 VNA 這5組高壓。在進(jìn)行技術(shù)方案操作流程描述之前由兩點(diǎn)說(shuō)明 一是對(duì)于圖4所示的電 容Cl的一端連接的電壓VGC1大小可以有兩種選擇，VGC1可以等于VPS,也 可以等于系統(tǒng)接地GND,兩種選擇帶來(lái)的操作流程有所差別，但是工作原理與 產(chǎn)生的效果是相同的，這里方便起見選擇VGC1等于GND，同樣對(duì)于圖4所示
的電容C2的一端連接的電壓VGC2大小可以有兩種選擇，VGC2可以等于.VNS， 也可以等于系統(tǒng)接地GND，兩種選擇帶來(lái)的操作流程有所差別，但是工作原理 與產(chǎn)生的效果是相同的，這里方便起見選擇VGC2等于GND; 二是在圖4所示 的電路穩(wěn)定工作的時(shí)候，可以測(cè)出電容Cl的另一端VCC1的電壓大小等于 VPS/2,電容C2的另一端VCC2的電壓大小等于VNS/2。通過(guò)控制圖4所示的金屬網(wǎng)板型等離子體顯示平板驅(qū)動(dòng)電路，可以產(chǎn)生 圖2所示的驅(qū)動(dòng)金屬網(wǎng)板型等離子體顯示平板所需要的基本驅(qū)動(dòng)波形，下面 將按照四種基本驅(qū)動(dòng)波形情況分別詳細(xì)描述通過(guò)有效控制圖4所示的金屬網(wǎng) 板型等離子體顯示平板驅(qū)動(dòng)電路產(chǎn)生圖2所示的驅(qū)動(dòng)金屬網(wǎng)板型等離子體顯 示平板所需要的四種基本驅(qū)動(dòng)波形。由于在產(chǎn)生基本驅(qū)動(dòng)波形WP1、 WP2、 WP4時(shí)的控制流程需要基本驅(qū)動(dòng)波 形WP3的部分控制流程，所以首先描述產(chǎn)生波形WP3的控制流程。圖5為WP3 的基本波形放大圖，Tl、 T2、 T3、 T4、 T5、 T6、 T7、 T8為波形相應(yīng)的時(shí)間段 (可分別為400ns、 2us、 400ns、 400ns、 400ns、 2us、 400ns、 400ns)，在輸 出WP3的基本驅(qū)動(dòng)波形時(shí)候數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)芯片輸出GND使得數(shù)據(jù)電極接地。整個(gè) 控制過(guò)程是一個(gè)能量回收利用的過(guò)程，被稱為能量恢復(fù)。能量恢復(fù)的方法不 僅可以使得關(guān)鍵MOSFET Q3、 Q8、 Q14、 Q15在接近軟開關(guān)條件下工作，而且 能夠節(jié)省大部分由金屬網(wǎng)板型等離子體顯示平板電容Cp所導(dǎo)致的位移電流在 電路上所消耗的功耗。發(fā)生基本驅(qū)動(dòng)波形WP3的控制流程如下在Tl之前，MOSFET中的Q8、 Q15處于打開導(dǎo)通狀態(tài)，其余所有MOSFET都處于關(guān)閉截至狀態(tài)，這時(shí)所有掃 描驅(qū)動(dòng)芯片參考地端XVSS、電源端XVDD通過(guò)二級(jí)管Dl 1和D12電壓鉗位作用， 電壓基本保持系統(tǒng)接地GND，所有掃描驅(qū)動(dòng)芯片輸出為GND;進(jìn)入Tl時(shí)期， 首先關(guān)閉Q8、 Q15，然后打開Ql，電容Cl上存儲(chǔ)的能量通過(guò)電流流向路徑 C1-Q1-Dl-Ll-Q8-XVSS-Cp給Cp進(jìn)行充電，在Tl結(jié)束的時(shí)候，掃描芯片輸出 端電壓可以很接近VPS， Tl的時(shí)間長(zhǎng)度主要由Ll和Cp的大小所決定；進(jìn)入 T2時(shí)期，關(guān)閉Q1，打開Q3， VPS通過(guò)VPS-D3-Q3-Q8-XVSS-Cp給Cp提供VPS 電源，用以提供金屬網(wǎng)板型等離子體顯示平板內(nèi)部單元放電所需的能量，T2
的時(shí)間長(zhǎng)度可以根據(jù)金屬網(wǎng)板型等離子體顯示平板的具體情況以及維持頻率要求靈活選擇；進(jìn)入T3時(shí)期，關(guān)閉Q3，然后打開Q2， Cp上由原先Tl時(shí)期充 電所得的能量反過(guò)來(lái)通過(guò)電流流向路徑Cp-XVDD-D4-LI-D2-Q2-Cl進(jìn)行放電， 將能量回收到Cl中，在T3結(jié)束的時(shí)候，掃描芯片輸出端電壓可以很接近GND， T3的時(shí)間長(zhǎng)度主要由Ll和Cp的大小所決定， 一般大小取與Tl基本相等；進(jìn) 入T4時(shí)期，關(guān)閉Q2、 Q8，然后打開Q15，掃描驅(qū)動(dòng)芯片的電源端XVDD通過(guò) 二級(jí)管Dll、參考地端XVSS通過(guò)掃描驅(qū)動(dòng)芯片寄生二極管和Dll與GND相連， 使掃描芯片輸出保持為GND， T4時(shí)期的時(shí)間大小可以根據(jù)維持頻率的需要任 意選??；進(jìn)入T5時(shí)期，打開Q12，屏電容Cp與儲(chǔ)能電容C2存在VNS/2的電 壓，Cp通過(guò)電流流向路徑Cp-XVDD-Q15-L2-D7-Q12-C2對(duì)C2進(jìn)行充電，將能 量回收到C2中，在T5結(jié)束的時(shí)候，掃描芯片輸出端電壓可以很接近VNS, T5 的時(shí)間長(zhǎng)度主要由L2和Cp的大小所決定，在設(shè)計(jì)具體電路時(shí)一般讓電路工 作在對(duì)稱狀態(tài)，取L2等于L1，這樣T5大小與T1、 T3基本相等；進(jìn)入T6時(shí) 期，關(guān)閉Q12，打開Q14，電源VNS通過(guò)VNS-D10-Q14-Q15-XVDD-Cp給Cp提 供VNS電源，用以提供金屬網(wǎng)板型等離子體顯示平板內(nèi)部單元放電所需的能 量，此時(shí)由于二極管D5和掃描驅(qū)動(dòng)芯片內(nèi)部寄生二極管的作用，XVSS也保持 為VNS, T6的時(shí)間長(zhǎng)度可以根據(jù)金屬網(wǎng)板型等離子體顯示平板的具體情況以 及維持頻率要求靈活選擇,這里考慮驅(qū)動(dòng)波形的對(duì)稱性一般對(duì)稱取T6等于T2; 進(jìn)入T7時(shí)期，首先關(guān)閉Q14，然后打開Qll,電容C2上存儲(chǔ)的能量通過(guò)電流 流向路徑C2-Qll-D6-L2-D5-XVSS-Cp給Cp進(jìn)行充電，在T7結(jié)束的時(shí)候，掃 描芯片輸出端電壓可以很接近GND， T7的時(shí)間長(zhǎng)度主要由L2和Cp的大小所 決定，這里同樣對(duì)稱選取T7的時(shí)間與T5基本相等；進(jìn)入T8時(shí)期，關(guān)閉Qll、 Q15，然后打開Q8，掃描驅(qū)動(dòng)芯片的電源端XVDD通過(guò)二級(jí)管D4和D12、參考 地端XVSS通過(guò)D12與GND相連，使掃描芯片輸出保持為GND， T8時(shí)期的時(shí)間 大小可以根據(jù)維持頻率的需要任意選取，這里對(duì)稱選取T8等于T4。上面所闡 述的是單個(gè)維持波形發(fā)生的詳細(xì)流程，在實(shí)際對(duì)金屬網(wǎng)板型等離子體顯示平 板進(jìn)行驅(qū)動(dòng)的時(shí)候根據(jù)實(shí)際情況需要若干重復(fù)的維持脈沖波形，這些重復(fù)的 維持脈沖波形的發(fā)生與上面所闡述的單個(gè)維持波形發(fā)生情況是相同的，此外，
根據(jù)金屬網(wǎng)板型等離子體顯示平板進(jìn)行驅(qū)動(dòng)不同需求，需要選擇合適的.T2、 T4、 T6、 T8的時(shí)間長(zhǎng)度，發(fā)生出不同頻率的維持脈沖波形進(jìn)行波形組合。發(fā)生基本驅(qū)動(dòng)波形WP1的控制流程如下首先與上述的WP3進(jìn)入Tl之前 以及Tl的控制流程相同，驅(qū)動(dòng)波形由GND上升到VPS，接著關(guān)閉Q6,打開Q5， 由于M0SFET Q5柵極串聯(lián)可調(diào)電阻VR1的作用，在Q5的源極輸出由GND到VPP 電壓三角斜坡波形，三角斜坡波形通過(guò)C3電容耦合作用，在VPS電壓上疊加, 通過(guò)C3-Q3-Q8-XVSS-Cp的電流途徑，在掃描電極輸出端產(chǎn)生圖2中WP1區(qū)所 示的VPS到VPS+VPP的疊加三角波形，滿足金屬網(wǎng)板型等離子體顯示平板的 正電壓強(qiáng)制復(fù)位點(diǎn)火的要求，整個(gè)三角上升斜坡的時(shí)間長(zhǎng)度由金屬網(wǎng)板型等 離子體顯示平板的特性來(lái)決定，然后通過(guò)調(diào)整VR1的大小，可以得到合適斜 率的三角斜坡波形；波形達(dá)到VPS+VPP以后，接著關(guān)閉Q5，打開Q6，通過(guò)C3 電容耦合作用將輸出波形從VPS+VPP回復(fù)到VPS，然后先關(guān)閉Q8、 Q3,再打 開Q15、 QIO，掃描電極輸出端驅(qū)動(dòng)波形沿著Cp-XVDD-Q10-VNG以三角斜坡波 形方式由VPS下降到VNG，電壓VNG的絕對(duì)值大小可以任意選擇調(diào)整，在圖2 中取VNG等于VNS，下降的三角斜坡的時(shí)間長(zhǎng)度由金屬網(wǎng)板型等離子體顯示平 板的特性決定，通過(guò)調(diào)整Q10的柵極可調(diào)電阻VR2的值，可以改變波形斜率， 滿足驅(qū)動(dòng)要求。發(fā)生基本驅(qū)動(dòng)波形WP2的控制流程如下首先由發(fā)生基本驅(qū)動(dòng)波形WP1 結(jié)束狀態(tài)時(shí)可知驅(qū)動(dòng)波形處于VNG電位，先打開Q9，關(guān)閉Q15、 QIO，然后打 開Q16、 Q17，這時(shí)候XVSS處于VNG電位，XVDD處于VNA電位，實(shí)際驅(qū)動(dòng)中， VNA絕對(duì)值大小小于VNG， VNG與VNA的絕對(duì)值大小之差由金屬網(wǎng)板型等離子 體顯示平板的特性和掃描芯片的耐電壓特性所決定，這樣在VNG確定下來(lái)的 時(shí)候可以選擇合適的VNA，在WP2時(shí)期中，在需要對(duì)某一掃描電極進(jìn)行尋址點(diǎn) 火的時(shí)候，通過(guò)控制掃描芯片輸出相應(yīng)掃描電極為XVSS，其余掃描電極為 XVDD，在需要尋址點(diǎn)火的掃描電極輸出為XVSS的時(shí)候，控制相應(yīng)尋址芯片的 輸出讓相應(yīng)尋址電極的輸出為電源VA，這樣可以完成金屬網(wǎng)板型等離子體顯 示平板上相應(yīng)像素點(diǎn)的尋址點(diǎn)火，尋址點(diǎn)火的脈寬寬度主要由金屬網(wǎng)板型等 離子體顯示平板的特性所決定。在整個(gè)WP2時(shí)期，可以通過(guò)對(duì)所有掃描電極
如上所述的方法依次輸出XVSS，配合尋址電極上的VA尋址脈沖，完成對(duì)整個(gè) 金屬網(wǎng)板型等離子體顯示平板中所有像素的尋址點(diǎn)火的操作。尋址結(jié)束的時(shí) 候，先關(guān)閉Q9，再打開Q15，然XVSS等于XVDD等于VNA，接著關(guān)閉Q16、 Q17; 然后控制方法同WP3中的T7時(shí)期，打開Qll，電容C2上存儲(chǔ)的能量通過(guò)電流 流向路徑C2-Q11-D6-L2-D5-XVSS-Cp給Cp進(jìn)行充電，在過(guò)了 T7時(shí)間段，掃 描芯片輸出端電壓可以很接近GND;最后WP2中控制流程完全與WP3中的T8 時(shí)間段的控制方法，使得掃描電極輸出為GND。發(fā)生基本驅(qū)動(dòng)波形WP4的控制流程與WP1后半段時(shí)期類似。首先M0SFET 中的Q8、 Q15處于打開導(dǎo)通狀態(tài)，其余所有MOSFET都處于關(guān)閉截至狀態(tài)，這 時(shí)所有掃描驅(qū)動(dòng)芯片參考地端XVSS、電源端XVDD通過(guò)二極管與系統(tǒng)接地GND 相連，所有掃描驅(qū)動(dòng)芯片輸出為GND;接著關(guān)閉Q8，打開QIO，掃描電極輸出 端驅(qū)動(dòng)波形沿著Cp-XVDD-Q10-VNG以三角斜坡波形方式由GND下降到VNG;波 形由VNG回復(fù)到GND的控制過(guò)程，首先關(guān)閉Q10，接下來(lái)的控制流程與WP3中 的T7、 T8時(shí)期完全相同。如上所述，驅(qū)動(dòng)金屬網(wǎng)板型等離子體顯示平板所需的基本波形WP1、 WP2、 WP3、 WP4都可以通過(guò)有效控制驅(qū)動(dòng)電路而產(chǎn)生，實(shí)際驅(qū)動(dòng)中，對(duì)于上述的基 本波形采取適當(dāng)?shù)慕M合方式，然后重復(fù)發(fā)生上述組合方式的波形形式，滿足 對(duì)金屬網(wǎng)板型等離子體顯示平板驅(qū)動(dòng)要求。本實(shí)用新型用于產(chǎn)生14個(gè)控制信號(hào)XEPH、 XEPL、 XSPH、 XPRH、 XPRL、 XENH、 XENL、 XSNL、 XSWP、 XSWN、 XVG1、 XVG2、 XAD1及XAD2的數(shù)字控制信號(hào)發(fā)生器 10與現(xiàn)有平板電視所用的數(shù)字控制信號(hào)發(fā)生器相同，用以產(chǎn)生5個(gè)高壓信號(hào) VPS、 VPP、 VNS、 VNG、 VNA的直流高壓電源模塊9也與現(xiàn)有技術(shù)相同。
權(quán)利要求1、一種金屬網(wǎng)板型等離子體顯示平板用改進(jìn)型驅(qū)動(dòng)電路，其特征是它主要由正電壓能量恢復(fù)模塊(1)、正電壓維持模塊(2)、正向復(fù)位模塊(3)、負(fù)電壓能量恢復(fù)模塊(4)、負(fù)電壓維持模塊(5)、隔離續(xù)流模塊(6)、負(fù)向復(fù)位模塊(7)、尋址模塊(8)所組成，它們所需的驅(qū)動(dòng)輸入信號(hào)XEPH、XEPL、XSPH、XPRH、XPRL、XENH、XENL、XSNL、XSWP、XSWN、XVG1、XVG2、XAD1及XAD2由數(shù)字控制信號(hào)發(fā)生器(10)提供，其中正電壓維持模塊(2)、正向復(fù)位模塊(3)、負(fù)電壓維持模塊(5)、負(fù)向復(fù)位模塊(7)及尋址模塊(8)所需的高壓信號(hào)VPS、VPP、VNS、VNG、VNA由直流高壓電源模塊(9)提供，正向復(fù)位模塊(3)的輸出端與正電壓維持模塊(2)的一個(gè)信號(hào)輸入端相連，正電壓維持模塊(2)的輸出端與正電壓能量恢復(fù)模塊(1)的輸出端一起與隔離續(xù)流模塊(6)的輸入端相連，負(fù)電壓能量恢復(fù)模塊(4)的輸出端與負(fù)電壓維持模塊(5)的輸入端相連，負(fù)電壓維持模塊(5)的輸出端接隔離續(xù)流模塊(6)的另一個(gè)輸入端，隔離續(xù)流模塊(6)的一個(gè)輸出端直接與尋址模塊(8)的一個(gè)輸入端相連，隔離續(xù)流模塊(6)的另一個(gè)輸出端通過(guò)負(fù)向復(fù)位模塊(7)與尋址模塊(8)的另一輸入端相連，尋址模塊(8)的輸入與掃描驅(qū)動(dòng)芯片IC1的對(duì)應(yīng)輸入端相連，掃描驅(qū)動(dòng)芯片IC1的輸出與金屬網(wǎng)板型等離子體顯示平板對(duì)應(yīng)的掃描維持電極相連。
2、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的金屬網(wǎng)板型等離子體顯示平板用改進(jìn)型驅(qū)動(dòng)電路， 其特征所述的正電壓能量恢復(fù)模塊(1)由電容Cl、場(chǎng)效應(yīng)管Ql、場(chǎng)效應(yīng)管 Q2、 二極管D1、 二極管D2和電感L1所組成，正電壓能量恢復(fù)模塊(1)的輸 入從場(chǎng)效應(yīng)管Ql和場(chǎng)效應(yīng)管Q2的柵極引出接數(shù)字控制信號(hào)發(fā)生器(10)的 數(shù)字開關(guān)信號(hào)輸出端XEPH和XEPL，它的輸出通過(guò)電感Ll的一端引出接正電 壓維持模塊(2)。
3、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的金屬網(wǎng)板型等離子體顯示平板用改進(jìn)型驅(qū)動(dòng)電路， 其特征所述的正電壓維持模塊(2)由二極管D3、 D12、場(chǎng)效應(yīng)管Q3組成，正 電壓維持模塊(2)的輸入從場(chǎng)效應(yīng)管Q3的柵極引接數(shù)字控制信號(hào)發(fā)生器(IO)的數(shù)字開關(guān)信號(hào)輸出端XSPH,其輸出從場(chǎng)效應(yīng)管Q3的源極和二極管D12的正 極的連接點(diǎn)接正電壓能量恢復(fù)模塊(1)中的電感Ll的一端，同時(shí)接隔離續(xù) 流模塊(6)，正電壓維持模塊(2)的電源引出端從場(chǎng)效應(yīng)管Q3的漏極引出 接正向復(fù)位模塊(3)，它的高壓信號(hào)VPS的輸入端從二極管D3的正極引出接 直流高壓電源模塊(9)對(duì)應(yīng)輸出端。
4、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的金屬網(wǎng)板型等離子體顯示平板用改進(jìn)型驅(qū)動(dòng)電路， 其特征是所述的正向復(fù)位模塊(3)由電容C3、場(chǎng)效應(yīng)管Q5、場(chǎng)效應(yīng)管Q6和 可變電阻VR1組成，它的輸入從場(chǎng)效應(yīng)管Q5的柵極引出通過(guò)可變電阻VR1及 場(chǎng)效應(yīng)管Q6的柵極引出分別接對(duì)應(yīng)的數(shù)字控制信號(hào)發(fā)生器(10)的數(shù)字開關(guān) 信號(hào)輸出端XPRH、XPRL，它的輸出從電容C3的一端引出接正電壓維持模塊(2) 的電源引出端即場(chǎng)效應(yīng)管Q3的漏極；正向復(fù)位模塊(3)的高壓信號(hào)VPP的 輸入端從場(chǎng)效應(yīng)管Q5的漏極引出接直流高壓電源模塊(9)的對(duì)應(yīng)輸出端。。
5、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的金屬網(wǎng)板型等離子體顯示平板用改進(jìn)型驅(qū)動(dòng)電路， 其特征是所述的負(fù)電壓能量恢復(fù)模塊(4)由電容C2、場(chǎng)效應(yīng)管Qll、場(chǎng)效應(yīng) 管Q12、 二極管D6、 二極管D7和電感L2組成，它的輸入通過(guò)場(chǎng)效應(yīng)管Qll、 Q12的柵極引出接數(shù)字控制信號(hào)發(fā)生器(10)的數(shù)字開關(guān)信號(hào)輸出端XENH和 XENL端，它的輸出通過(guò)電感L2的一端與負(fù)電壓維持模塊(5)相連。
6、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的金屬網(wǎng)板型等離子體顯示平板用改進(jìn)型驅(qū)動(dòng)電路， 其特征是所述的負(fù)電壓維持模塊(5)由場(chǎng)效應(yīng)管Q14和二極管DIO、 Dll組 成它的輸入從場(chǎng)效應(yīng)管Q14的柵極引出接數(shù)字控制信號(hào)發(fā)生器(10)的數(shù)字 開關(guān)信號(hào)端XSNL，其輸出從場(chǎng)效應(yīng)管Q14的漏極和二極管Dll的正極的連接 點(diǎn)引出接負(fù)電壓能量恢復(fù)模塊(4)中的電感L2以及隔離續(xù)流模塊(6);負(fù) 電壓維持模塊(5)的高壓信號(hào)VNS的輸入端從二極管D10的負(fù)極引出接直流 高壓電源模塊(9)的對(duì)應(yīng)輸出端。
7、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的金屬網(wǎng)板型等離子體顯示平板用改進(jìn)型驅(qū)動(dòng)電路， 其特征是所述的隔離續(xù)流模塊(6)由場(chǎng)效應(yīng)管Q8、場(chǎng)效應(yīng)管Q15、 二極管D4 和二極管D5組成，它的輸入分別從場(chǎng)效應(yīng)管Q8、 Q15的柵極引出分別接對(duì)應(yīng) 的數(shù)字控制信號(hào)發(fā)生器(10)的數(shù)字開關(guān)信號(hào)輸出端XSWP、 XSWL,其輸出從 場(chǎng)效應(yīng)管Q8的漏極和場(chǎng)效應(yīng)管Q15的源極引出分別接正電壓能量恢復(fù)模塊 (1)的輸出即Ll的一端及負(fù)電壓能量恢復(fù)模塊(4)的輸出即L2的一端， 它的另一路輸出從場(chǎng)效應(yīng)管Q8的源極和場(chǎng)效應(yīng)管Q15的漏極引出分別接尋址 模塊(8)和負(fù)向復(fù)位模塊(7)。
8、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的金屬網(wǎng)板型等離子體顯示平板用改進(jìn)型驅(qū)動(dòng)電路， 其特征是所述的負(fù)向復(fù)位電路(7)由場(chǎng)效應(yīng)管Q10和可變電阻VR2組成。 它的輸入從場(chǎng)效應(yīng)管QIO的柵極經(jīng)可變電阻VR2接數(shù)字控制信號(hào)發(fā)生器(10) 的數(shù)字開關(guān)信號(hào)輸出端XVG1，其輸出從場(chǎng)效應(yīng)管Q10的源極引出接尋址模塊(8)，負(fù)向復(fù)位電路(7)的高壓信號(hào)VNG從場(chǎng)效應(yīng)管Q10的源極引出接直流 高壓電源模塊(9)的對(duì)應(yīng)輸出端。
9、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的金屬網(wǎng)板型等離子體顯示平板用改進(jìn)型驅(qū)動(dòng)電路， 其特征是所述的尋址模塊(8)由場(chǎng)效應(yīng)管Q9、場(chǎng)效應(yīng)管Q16、場(chǎng)效應(yīng)管Q17、 二極管D8和二極管D9組成，它的輸入端從場(chǎng)效應(yīng)管Q9、 Q16、 Q17的柵極引 出接數(shù)字控制信號(hào)發(fā)生器(10)的數(shù)字開關(guān)信號(hào)輸出端XVG2、 XAD1、 XAD2， 其輸出從場(chǎng)效應(yīng)管Q9、 Q16、 Q17的漏極引出掃描驅(qū)動(dòng)芯片IC1的對(duì)應(yīng)輸入端; 尋址模塊(8)的高壓信號(hào)輸入端VNA、 VNG分別從場(chǎng)效應(yīng)管Q16與場(chǎng)效應(yīng)管 Q17的源極的連接點(diǎn)以及場(chǎng)效應(yīng)管Q9的源極引出接直流高壓電源模塊(9)的 對(duì)應(yīng)輸出端。
專利摘要本實(shí)用新型針對(duì)金屬網(wǎng)板型等離子體顯示平板急需高性能、低成本驅(qū)動(dòng)電路的問(wèn)題，公開了一種結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，成本低，易于實(shí)現(xiàn)的金屬網(wǎng)板型等離子體顯示平板用改進(jìn)型驅(qū)動(dòng)電路，它主要由正電壓能量恢復(fù)模塊(1)、正電壓維持模塊(2)、正向復(fù)位模塊(3)、負(fù)電壓能量恢復(fù)模塊(4)、負(fù)電壓維持模塊(5)、隔離續(xù)流模塊(6)、負(fù)向復(fù)位模塊(7)、尋址模塊(8)所組成，它具有電路簡(jiǎn)單，電路器件少，電路成本低的優(yōu)點(diǎn)。
文檔編號(hào)G09G3/28GK201035941SQ20072003601
公開日2008年3月12日 申請(qǐng)日期2007年4月26日 優(yōu)先權(quán)日2007年4月26日
發(fā)明者忠 吳, 雄 張, 朱立鋒, 湯勇明, 王保平 申請(qǐng)人:南京華顯高科有限公司