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      具有電壓補(bǔ)償機(jī)制的模擬緩沖器的制作方法

      文檔序號:2535236閱讀:219來源:國知局
      專利名稱:具有電壓補(bǔ)償機(jī)制的模擬緩沖器的制作方法
      技術(shù)領(lǐng)域
      本發(fā)明涉及一種模擬緩沖器,尤其涉及一種具有電壓補(bǔ)償機(jī)制的模擬緩 沖器。
      背景技術(shù)
      液晶顯示裝置(Liquid Crystal Display; LCD)是目前廣泛使用的一種平 面顯示器,其具有外型輕薄、省電以及無輻射等特征。液晶顯示裝置的工作 原理是利用改變液晶層兩端的電壓差來改變液晶層內(nèi)的液晶分子的排列狀 態(tài),以改變液晶層的透光性,再配合背光模塊所提供的光源來顯示影像。一 般而言,液晶顯示裝置包含多個像素單元、多條數(shù)據(jù)線及源極驅(qū)動裝置,源 極驅(qū)動裝置包含多個源極驅(qū)動電路。每一源極驅(qū)動電路耦合于相對應(yīng)的數(shù)據(jù) 線,用以對所輸入的數(shù)字影像數(shù)據(jù)信號執(zhí)行取樣閂鎖處理、位準(zhǔn)移位處理、 數(shù)字至模擬轉(zhuǎn)換處理及模擬信號輸出緩沖處理,并將所產(chǎn)生的模擬信號輸出 至對應(yīng)數(shù)據(jù)線,進(jìn)而執(zhí)行像素單元的數(shù)據(jù)信號寫入操作。由上述可知,用以執(zhí)行模擬信號輸出緩沖處理的模擬緩沖器,就是源極 驅(qū)動電路產(chǎn)生模擬輸出信號以執(zhí)行像素電壓寫入操作的關(guān)鍵性元件,所以若 模擬緩沖器可以提供高驅(qū)動電流以執(zhí)行快速精準(zhǔn)的像素電壓寫入操作,則液 晶顯示裝置就可產(chǎn)生高畫質(zhì)輸出,因此模擬緩沖器的性能直接影響到液晶顯 示裝置的顯示品質(zhì)。另一方面,由于每一源極驅(qū)動電路均要設(shè)置模擬緩沖器, 即源極驅(qū)動裝置要設(shè)置相當(dāng)多的模擬緩沖器,所以若能在不降低模擬信號輸 出緩沖處理的性能前提下,簡化模擬緩沖器的設(shè)計(jì)復(fù)雜度或簡化其控制電路 復(fù)雜度,則可大幅降低源極驅(qū)動裝置所需的裝置布局面積,如此不但可設(shè)計(jì) 更輕薄的液晶顯示裝置,也可顯著降低成本。圖1為用于液晶顯示裝置的傳統(tǒng)模擬緩沖器的電路示意圖。如圖所示, 模擬緩沖器IOO包含N溝道金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管111、 P溝道金屬氧化 物半導(dǎo)體晶體管112、多個電容121-124、多個開關(guān)131-142、以及兩個電流源181與182。模擬緩沖器100用以將輸入電壓Vin緩沖至輸出電壓Vout, 進(jìn)而執(zhí)行像素電容Cpixel的像素電壓寫入操作。然而上述傳統(tǒng)模擬緩沖器需 要相當(dāng)多的控制信號來控制開關(guān)元件的導(dǎo)通截止?fàn)顟B(tài),電流源也需要額外的 電流控制信號,所以傳統(tǒng)模擬緩沖器的電路操作實(shí)質(zhì)上需要復(fù)雜的控制電路 以產(chǎn)生所需的復(fù)雜控制信號。因此,對于追求輕薄液晶顯示裝置的設(shè)計(jì)而言, 傳統(tǒng)模擬緩沖器無法滿足需求。發(fā)明內(nèi)容依據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例,其公開一種具有電壓補(bǔ)償機(jī)制的模擬緩沖器,包 含第一晶體管、第二晶體管、第一電容、第二電容、第一開關(guān)、第二開關(guān)、 第三開關(guān)、第四開關(guān)、第五開關(guān)及第六開關(guān)。第一晶體管包含漏極、源極及柵極,其中漏極用以接收第一供應(yīng)電壓, 輸出電壓經(jīng)由第一晶體管的源極而輸出。第二晶體管包含漏極、源極及柵極, 其中漏極用以接收第二供應(yīng)電壓,源極耦合于第一晶體管的源極。第一電容 包含第一端及第二端,其中第一端耦合于第一晶體管的柵極。第二電容包含 第一端及第二端,其中第一端耦合于第二晶體管的柵極。第一開關(guān)包含第一 端及第二端,其中第一端耦合于第一電容的第二端,第二端耦合于第一晶體 管的源極。第二開關(guān)包含第一端及第二端,其中第一端耦合于第二電容的第 二端,第二端耦合于第二晶體管的源極。第三開關(guān)包含第一端及第二端,其 中第一端用以接收第一參考電壓,第二端耦合于第一電容的第一端。第四開 關(guān)包含第一端及第二端,其中第一端用以接收第二參考電壓,第二端耦合于 第二電容的第一端。第五開關(guān)包含第一端及第二端,其中第一端用以接收輸 入電壓,第二端耦合于第一電容的第二端。第六開關(guān)包含第一端及第二端, 其中第一端用以接收輸入電壓,第二端耦合于第二電容的第二端。此模擬緩 沖器根據(jù)第一參考電壓及第二參考電壓以執(zhí)行輸出電壓的電壓補(bǔ)償。上述模擬緩沖器還可包含參考電壓產(chǎn)生器,用以產(chǎn)生該第一參考電壓及該第二參考電壓,該參考電壓產(chǎn)生器包含第一電流源,包含第一端及第二 端,其中該第一端用以接收第三供應(yīng)電壓;第二電流源,包含第一端及第二 端,其中該第一端用以接收第四供應(yīng)電壓;第一補(bǔ)償二極管,包含正極端及 負(fù)極端,其中該正極端耦合于該第一電流源的第二端,該正極端用以輸出該第一參考電壓;以及第二補(bǔ)償二極管,包含正極端及負(fù)極端,其中該正極端 耦合于該第一補(bǔ)償二極管的負(fù)極端,該負(fù)極端耦合于該第二電流源的第二端, 該負(fù)極端用以輸出該第二參考電壓。上述模擬緩沖器還可包含參考電壓產(chǎn)生器,用以產(chǎn)生該第一參考電壓及 該第二參考電壓,該參考電壓產(chǎn)生器包含第一電流源,包含第一端及第二 端,其中該第一端用以接收第三供應(yīng)電壓;第二電流源,包含第一端及第二 端,其中該第一端用以接收第四供應(yīng)電壓;N溝道金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管, 包含漏極、源極及柵極,其中該漏極耦合于該第一電流源的第二端,該柵極耦合于該漏極,該漏極用以輸出該第一參考電壓;以及P溝道金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管,包含漏極、源極及柵極,其中該漏極耦合于該第二電流源的第二端,該柵極耦合于該漏極,該源極耦合于該N溝道金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管的源極,該漏極用以輸出該第二參考電壓。上述模擬緩沖器中,該第一晶體管可為N溝道金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管, 該第二晶體管可為P溝道金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管。上述模擬緩沖器還可包含第七開關(guān),包含第一端及第二端,其中該第一端耦合于該第一晶體管的柵極,該第二端耦合于該第一晶體管的源極;第 八開關(guān),包含第一端及第二端,其中該第一端耦合于該第二晶體管的柵極, 該第二端耦合于該第二晶體管的源極;第九開關(guān),包含第一端及第二端,其 中該第一端耦合于該第一電容的第一端,該第二端耦合于該第一晶體管的柵 極;以及第十開關(guān),包含第一端及第二端,其中該第一端耦合于該第二電容 的第一端,該第二端耦合于該第二晶體管的柵極;其中該第一開關(guān)至該第四 開關(guān)的導(dǎo)通截止?fàn)顟B(tài)受控于第一控制信號,該第五開關(guān)及該第六開關(guān)的導(dǎo)通 截止?fàn)顟B(tài)受控于第二控制信號,該第九開關(guān)及該第十開關(guān)的導(dǎo)通截止?fàn)顟B(tài)受 控于第一使能控制信號,該第七開關(guān)及該第八開關(guān)的導(dǎo)通截止?fàn)顟B(tài)受控于第 二使能控制信號。依據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例,還公開一種具有電壓補(bǔ)償機(jī)制的模擬緩沖器,包 含第一晶體管、第二晶體管、第一電容、第二電容、第一開關(guān)、第二開關(guān)、 第三開關(guān)、第四開關(guān)、第五開關(guān)、第六開關(guān)、第三電容、第四電容、第七開 關(guān)、第八開關(guān)、第九開關(guān)及第十開關(guān)。第一晶體管包含漏極、源極及柵極,其中漏極用以接收第一供應(yīng)電壓,輸出電壓經(jīng)由第一晶體管的源極而輸出。第二晶體管包含漏極、源極及柵極, 其中漏極用以接收第二供應(yīng)電壓,源極耦合于第一晶體管的源極。第一電容 包含第一端及第二端,其中第一端耦合于第一晶體管的柵極。第二電容包含 第一端及第二端,其中第一端耦合于第二晶體管的柵極。第一開關(guān)包含第一 端及第二端,其中第一端耦合于第一電容的第二端,第二端耦合于第一晶體 管的源極。第二開關(guān)包含第一端及第二端,其中第一端耦合于第二電容的第 二端,第二端耦合于第二晶體管的源極。第三開關(guān)包含第一端及第二端,其 中第一端用以接收第一參考電壓,第二端耦合于第一電容的第一端。第四開 關(guān)包含第一端及第二端,其中第一端用以接收第二參考電壓,第二端耦合于 第二電容的第一端。第五開關(guān)包含第一端及第二端,其中第一端用以接收輸 入電壓,第二端耦合于第一電容的第二端。第六開關(guān)包含第一端及第二端, 其中第一端用以接收輸入電壓,第二端耦合于第二電容的第二端。第三電容 包含第一端及第二端,其中第一端耦合于第一晶體管的柵極。第四電容包含 第一端及第二端,其中第一端耦合于第二晶體管的柵極。第七開關(guān)包含第一 端及第二端,其中第一端耦合于第五開關(guān)的第一端,第二端耦合于第三電容 的第二端。第八開關(guān)包含第一端及第二端,其中第一端耦合于第六開關(guān)的第 一端,第二端耦合于第四電容的第二端。第九開關(guān)包含第一端及第二端,其 中第一端耦合于第三電容的第二端,第二端耦合于第一晶體管的源極。第十 開關(guān)包含第一端及第二端,其中第一端耦合于第四電容的第二端,第二端耦 合于第二晶體管的源極。此模擬緩沖器根據(jù)第一參考電壓及第二參考電壓以 執(zhí)行輸出電壓的電壓補(bǔ)償。依據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例,還公開一種具有電壓補(bǔ)償機(jī)制的模擬緩沖器,包 含第一晶體管、第二晶體管、第三晶體管、第四晶體管、第一電容、第二電 容、第一開關(guān)、第二開關(guān)、第三開關(guān)、第四開關(guān)、第五開關(guān)、第六開關(guān)、第 七開關(guān)、第八開關(guān)、第九開關(guān)及第十開關(guān)。第一晶體管包含漏極、源極及柵極,其中漏極用以接收第一供應(yīng)電壓, 輸出電壓經(jīng)由第一晶體管的源極而輸出。第二晶體管包含漏極、源極及柵極, 其中漏極用以接收第二供應(yīng)電壓,源極耦合于第一晶體管的源極。第一電容 包含第一端及第二端,其中第一端耦合于第一晶體管的柵極。第二電容包含 第一端及第二端,其中第一端耦合于第二晶體管的柵極。第一開關(guān)包含第一端及第二端,其中第一端耦合于第一電容的第二端,第二端耦合于第一晶體 管的源極。第二開關(guān)包含第一端及第二端,其中第一端耦合于第二電容的第 二端,第二端耦合于第二晶體管的源極。第三開關(guān)包含第一端及第二端,其 中第一端用以接收第一參考電壓,第二端耦合于第一電容的第一端。第四開 關(guān)包含第一端及第二端,其中第一端用以接收第二參考電壓,第二端耦合于 第二電容的第一端。第五開關(guān)包含第一端及第二端,其中第一端用以接收輸 入電壓,第二端耦合于第一電容的第二端。第六開關(guān)包含第一端及第二端, 其中第一端用以接收輸入電壓,第二端耦合于第二電容的第二端。第三晶體 管包含漏極、源極及柵極,其中漏極用以接收第三供應(yīng)電壓,源極耦合于第 一晶體管的源極。第四晶體管包含漏極、源極及柵極,其中漏極用以接收第 四供應(yīng)電壓,源極耦合于第二晶體管的源極。第七開關(guān)包含第一端及第二端, 其中第一端耦合于第三晶體管的柵極,第二端耦合于第三晶體管的源極。第 八開關(guān)包含第一端及第二端,其中第一端耦合于第四晶體管的柵極,第二端 耦合于第四晶體管的源極。第九開關(guān)包含第一端及第二端,其中第一端耦合 于第一晶體管的柵極,第二端耦合于第三晶體管的柵極。第十開關(guān)包含第一 端及第二端,其中第一端耦合于第二晶體管的柵極,第二端耦合于第四晶體 管的柵極。此模擬緩沖器根據(jù)第一參考電壓及第二參考電壓以執(zhí)行輸出電壓 的電壓補(bǔ)償。上述模擬緩沖器還可包含參考電壓產(chǎn)生器,用以產(chǎn)生該第一參考電壓及 該第二參考電壓,該參考電壓產(chǎn)生器包含第一電流源,包含第一端及第二 端,其中該第一端用以接收第三供應(yīng)電壓;第二電流源,包含第一端及第二端,其中該第一端用以接收第四供應(yīng)電壓;第一補(bǔ)償二極管,包含正極端及負(fù)極端,其中該正極端耦合于該第一電流源的第二端,該正極端用以輸出該第一參考電壓;以及第二補(bǔ)償二極管,包含正極端及負(fù)極端,其中該正極端 耦合于該第一補(bǔ)償二極管的負(fù)極端,該負(fù)極端耦合于該第二電流源的第二端, 該負(fù)極端用以輸出該第二參考電壓。上述模擬緩沖器還可包含參考電壓產(chǎn)生器,用以產(chǎn)生該第一參考電壓及 該第二參考電壓,該參考電壓產(chǎn)生器包含第一電流源,包含第一端及第二 端,其中該第一端用以接收第三供應(yīng)電壓;第二電流源,包含第一端及第二 端,其中該第一端用以接收第四供應(yīng)電壓;N溝道金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管,包含漏極、源極及柵極,其中該漏極耦合于該第一電流源的第二端,該柵極 耦合于該漏極,該漏極用以輸出該第一參考電壓;以及P溝道金屬氧化物半 導(dǎo)體晶體管,包含漏極、源極及柵極,其中該漏極耦合于該第二電流源的第 二端,該柵極耦合于該漏極,該源極耦合于該N溝道金屬氧化物半導(dǎo)體晶體 管的源極,該漏極用以輸出該第二參考電壓。上述模擬緩沖器中,該第一晶體管可為N溝道金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管,該第二晶體管可為p溝道金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管。上述模擬緩沖器還可包含第十一開關(guān),包含第一端及第二端,其中該第一端耦合于該第一電容的第二端,該第二端耦合于該第二電容的第二端;其中該第一開關(guān)至該第四開關(guān)的導(dǎo)通截止?fàn)顟B(tài)受控于第一控制信號,該第五 開關(guān)、該第六開關(guān)、該第九開關(guān)及該第十開關(guān)的導(dǎo)通截止?fàn)顟B(tài)受控于第二控 制信號,該第七開關(guān)、該第八開關(guān)及該第十一開關(guān)的導(dǎo)通截止?fàn)顟B(tài)受控于第 三控制信號。上述模擬緩沖器還可包含第十一開關(guān),包含第一端及第二端,其中該第一端耦合于該第一晶體管的柵極,該第二端耦合于該第一晶體管的源極;第十二開關(guān),包含第一端及第二端,其中該第一端耦合于該第二晶體管的柵極,該第二端耦合于該第二晶體管的源極;第十三開關(guān),包含第一端及第二 端,其中該第一端耦合于該第一電容的第一端,該第二端耦合于該第一晶體 管的柵極;以及第十四開關(guān),包含第一端及第二端,其中該第一端耦合于該 第二電容的第一端,該第二端耦合于該第二晶體管的柵極;其中該第一開關(guān) 至該第四開關(guān)的導(dǎo)通截止?fàn)顟B(tài)受控于第一控制信號,該第五開關(guān)、該第六開 關(guān)、該第九開關(guān)及該第十開關(guān)的導(dǎo)通截止?fàn)顟B(tài)受控于第二控制信號,該第七 開關(guān)及該第八幵關(guān)的導(dǎo)通截止?fàn)顟B(tài)受控于第三控制信號,該第十三開關(guān)及該 第十四開關(guān)的導(dǎo)通截止?fàn)顟B(tài)受控于第一使能控制信號,該第十一開關(guān)及該第 十二開關(guān)的導(dǎo)通截止?fàn)顟B(tài)受控于第二使能控制信號。上述模擬緩沖器還可包含第十五開關(guān),包含第一端及第二端,其中該 第一端耦合于該第一電容的第二端,該第二端耦合于該第二電容的第二端; 其中該第十五開關(guān)的導(dǎo)通截止?fàn)顟B(tài)受控于該第三控制信號。依據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例,還公開一種具有電壓補(bǔ)償機(jī)制的模擬緩沖器,包 含第一晶體管,包含漏極、源極及柵極,其中該漏極用以接收第一供應(yīng)電壓,該源極用以輸出輸出電壓;第二晶體管,包含漏極、源極及柵極,其中該漏極用以接收第二供應(yīng)電壓,該源極耦合于該第一晶體管的源極;第一電 容,包含第一端及第二端,其中該第一端耦合于該第一晶體管的柵極;第二 電容,包含第一端及第二端,其中該第一端耦合于該第二晶體管的柵極;第 一開關(guān),包含第一端及第二端,其中該第一端耦合于該第一電容的第二端, 該第二端耦合于該第一晶體管的源極;第二開關(guān),包含第一端及第二端,其 中該第一端耦合于該第二電容的第二端,該第二端耦合于該第二晶體管的源 極;第三開關(guān),包含第一端及第二端,其中該第一端用以接收第一參考電壓, 該第二端耦合于該第一電容的第一端;第四開關(guān),包含第一端及第二端,其 中該第一端用以接收第二參考電壓,該第二端耦合于該第二電容的第一端; 第五開關(guān),包含第一端及第二端,其中該第一端用以接收輸入電壓,該第二 端耦合于該第一電容的第二端;第六開關(guān),包含第一端及第二端,其中該第 一端用以接收該輸入電壓,該第二端耦合于該第二電容的第二端;第三晶體 管,包含漏極、源極及柵極,其中該漏極用以接收第三供應(yīng)電壓,該源極耦 合于該第一晶體管的源極;第四晶體管,包含漏極、源極及柵極,其中該漏 極用以接收第四供應(yīng)電壓,該源極耦合于該第二晶體管的源極;第七開關(guān), 包含第一端及第二端,其中該第一端耦合于該第三晶體管的柵極,該第二端 耦合于該第三晶體管的源極;第八開關(guān),包含第一端及第二端,其中該第一 端耦合于該第四晶體管的柵極,該第二端耦合于該第四晶體管的源極;第九 開關(guān),包含第一端及第二端,其中該第一端耦合于該第一晶體管的柵極,該 第二端耦合于該第三晶體管的柵極;以及第十開關(guān),包含第一端及第二端, 其中該第一端耦合于該第二晶體管的柵極,該第二端耦合于該第四晶體管的 柵極;其中該模擬緩沖器根據(jù)該第一參考電壓及該第二參考電壓以執(zhí)行該輸 出電壓的電壓補(bǔ)償。上述模擬緩沖器還可包含參考電壓產(chǎn)生器,用以產(chǎn)生該第一參考電壓及 該第二參考電壓,該參考電壓產(chǎn)生器包含第一電流源,包含第一端及第二 端,其中該第一端用以接收第五供應(yīng)電壓;第二電流源,包含第一端及第二 端,其中該第一端用以接收第六供應(yīng)電壓;第一補(bǔ)償二極管,包含正極端及 負(fù)極端,其中該正極端耦合于該第一電流源的第二端,用以輸出該第一參考 電壓;以及第二補(bǔ)償二極管,包含正極端及負(fù)極端,其中該正極端耦合于該第一補(bǔ)償二極管的負(fù)極端,該負(fù)極端耦合于該第二電流源的第二端,用以輸 出該第二參考電壓。上述模擬緩沖器還可包含參考電壓產(chǎn)生器,用以產(chǎn)生該第一參考電壓及 該第二參考電壓,該參考電壓產(chǎn)生器包含第一電流源,包含第一端及第二 端,其中該第一端用以接收第五供應(yīng)電壓;第二電流源,包含第一端及第二 端,其中該第一端用以接收第六供應(yīng)電壓;N溝道金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管,包含漏極、源極及柵極,其中該漏極耦合于該第一電流源的第二端,該柵極耦合于該漏極,該漏極用以輸出該第一參考電壓;以及P溝道金屬氧化物半 導(dǎo)體晶體管,包含漏極、源極及柵極,其中該漏極耦合于該第二電流源的第 二端,該柵極耦合于該漏極,該源極耦合于該N溝道金屬氧化物半導(dǎo)體晶體 管的源極,該漏極用以輸出該第二參考電壓。上述模擬緩沖器中,該第一晶體管及該第三晶體管可為N溝道金屬氧化 物半導(dǎo)體晶體管,該第二晶體管及該第四晶體管可為P溝道金屬氧化物半導(dǎo) 體晶體管。上述模擬緩沖器還可包含第十一開關(guān),包含第一端及第二端,其中該第一端耦合于該第一晶體管的柵極,該第二端耦合于該第一晶體管的源極; 第十二開關(guān),包含第一端及第二端,其中該第一端耦合于該第二晶體管的柵 極,該第二端耦合于該第二晶體管的源極;第十三開關(guān),包含第一端及第二 端,其中該第一端耦合于該第一電容的第一端,該第二端耦合于該第一晶體 管的柵極;以及第十四開關(guān),包含第一端及第二端,其中該第一端耦合于該 第二電容的第一端,該第二端耦合于該第二晶體管的柵極;其中該第一開關(guān) 至該第四開關(guān)的導(dǎo)通截止?fàn)顟B(tài)受控于第一控制信號,該第五開關(guān)及該第六開 關(guān)的導(dǎo)通截止?fàn)顟B(tài)受控于第二控制信號,該第十三開關(guān)及該第十四開關(guān)的導(dǎo) 通截止?fàn)顟B(tài)受控于第一使能控制信號,該第十一開關(guān)及該第十二開關(guān)的導(dǎo)通 截止?fàn)顟B(tài)受控于第二使能控制信號,該第九開關(guān)及該第十幵關(guān)的導(dǎo)通截止?fàn)?態(tài)受控于第三使能控制信號,該第七開關(guān)及該第八開關(guān)的導(dǎo)通截止?fàn)顟B(tài)受控 于第四使能控制信號。依據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例,還公開一種具有電壓補(bǔ)償機(jī)制的模擬緩沖器,包 含第一晶體管、第二晶體管、第三晶體管、第四晶體管、第一電容、第二電 容、第一開關(guān)、第二開關(guān)、第三開關(guān)、第四開關(guān)、第五開關(guān)、第六開關(guān)、第三電容、第四電容、第七開關(guān)、第八開關(guān)、第九開關(guān)、第十開關(guān)、第十一開 關(guān)、第十二開關(guān)、第十三開關(guān)及第十四開關(guān)。第一晶體管包含漏極、源極及柵極,其中漏極用以接收第一供應(yīng)電壓,輸出電壓經(jīng)由第一晶體管的源極而輸出。第二晶體管包含漏極、源極及柵極, 其中漏極用以接收第二供應(yīng)電壓,源極耦合于第一晶體管的源極。第一電容 包含第一端及第二端,其中第一端耦合于第一晶體管的柵極。第二電容包含 第一端及第二端,其中第一端耦合于第二晶體管的柵極。第一開關(guān)包含第一 端及第二端,其中第一端耦合于第一電容的第二端,第二端耦合于第一晶體 管的源極。第二開關(guān)包含第一端及第二端,其中第一端耦合于第二電容的第 二端,第二端耦合于第二晶體管的源極。第三開關(guān)包含第一端及第二端,其 中第一端用以接收第一參考電壓,第二端耦合于第一電容的第一端。第四開 關(guān)包含第一端及第二端,其中第一端用以接收第二參考電壓,第二端耦合于 第二電容的第一端。第五開關(guān)包含第一端及第二端,其中第一端用以接收輸 入電壓,第二端耦合于第一電容的第二端。第六開關(guān)包含第一端及第二端, 其中第一端用以接收輸入電壓,第二端耦合于第二電容的第二端。第三電容 包含第一端及第二端,其中第一端耦合于第一晶體管的柵極。第四電容包含 第一端及第二端,其中第一端耦合于第二晶體管的柵極。第七開關(guān)包含第一 端及第二端,其中第一端耦合于第五開關(guān)的第一端,第二端耦合于第三電容 的第二端。第八開關(guān)包含第一端及第二端,其中第一端耦合于第六開關(guān)的第 一端,第二端耦合于第四電容的第二端。第九開關(guān)包含第一端及第二端,其 中第一端耦合于第三電容的第二端,第二端耦合于第一晶體管的源極。第十 開關(guān)包含第一端及第二端,其中第一端耦合于第四電容的第二端,第二端耦 合于第二晶體管的源極。第三晶體管包含漏極、源極及柵極,其中漏極用以 接收第三供應(yīng)電壓,源極耦合于第一晶體管的源極。第四晶體管包含漏極、 源極及柵極,其中漏極用以接收第四供應(yīng)電壓,源極耦合于第二晶體管的源 極。第十一開關(guān),包含第一端及第二端,其中第一端耦合于第三晶體管的柵 極,第二端耦合于第三晶體管的源極。第十二開關(guān),包含第一端及第二端, 其中第一端耦合于第四晶體管的柵極,第二端耦合于第四晶體管的源極。第 十三開關(guān)包含第一端及第二端,其中第一端耦合于第一晶體管的柵極,第二 端耦合于第三晶體管的柵極。第十四開關(guān)包含第一端及第二端,其中第一端耦合于第二晶體管的柵極,第二端耦合于第四晶體管的柵極。此模擬緩沖器 根據(jù)第一參考電壓及第二參考電壓以執(zhí)行輸出電壓的電壓補(bǔ)償。上述模擬緩沖器還可包含參考電壓產(chǎn)生器,用以產(chǎn)生該第一參考電壓及 該第二參考電壓,該參考電壓產(chǎn)生器包含第一電流源,包含第一端及第二 端,其中該第一端用以接收第五供應(yīng)電壓;第二電流源,包含第一端及第二端,其中該第一端用以接收第六供應(yīng)電壓;第一補(bǔ)償二極管,包含正極端及負(fù)極端,其中該正極端耦合于該第一電流源的第二端,用以輸出該第一參考電壓;以及第二補(bǔ)償二極管,包含正極端及負(fù)極端,其中該正極端耦合于該第一補(bǔ)償二極管的負(fù)極端,該負(fù)極端耦合于該第二電流源的第二端,用以輸 出該第二參考電壓。上述模擬緩沖器還可包含參考電壓產(chǎn)生器,用以產(chǎn)生該第一參考電壓及該第二參考電壓,該參考電壓產(chǎn)生器包含第一電流源,包含第一端及第二 端,其中該第一端用以接收第五供應(yīng)電壓;第二電流源,包含第一端及第二 端,其中該第一端用以接收第六供應(yīng)電壓;N溝道金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管, 包含漏極、源極及柵極,其中該漏極耦合于該第一電流源的第二端,該柵極 耦合于該漏極,該漏極用以輸出該第一參考電壓;以及P溝道金屬氧化物半 導(dǎo)體晶體管,包含漏極、源極及柵極,其中該漏極耦合于該第二龜流源的第 二端,該柵極耦合于該漏極,該源極耦合于該N溝道金屬氧化物半導(dǎo)體晶體 管的源極,該漏極用以輸出該第二參考電壓。上述模擬緩沖器中,該第一晶體管及該第三晶體管可為N溝道金屬氧化 物半導(dǎo)體晶體管,該第二晶體管及該第四晶體管可為P溝道金屬氧化物半導(dǎo) 體晶體管。上述模擬緩沖器還可包含第十五開關(guān),包含第一端及第二端,其中該 第一端耦合于該第一電容的第二端,該第二端耦合于該第二電容的第二端; 其中該第一開關(guān)至該第四開關(guān)的導(dǎo)通截止?fàn)顟B(tài)受控于第一控制信號,該第五 開關(guān)、該第六開關(guān)、第九開關(guān)及第十開關(guān)的導(dǎo)通截止?fàn)顟B(tài)受控于第二控制信 號,第七開關(guān)、第八開關(guān)及第十五開關(guān)的導(dǎo)通截止?fàn)顟B(tài)受控于第三控制信號, 該第十三開關(guān)及該第十四開關(guān)的導(dǎo)通截止?fàn)顟B(tài)受控于第三使能控制信號,該 第十一開關(guān)及該第十二開關(guān)的導(dǎo)通截止?fàn)顟B(tài)受控于第四使能控制信號。上述模擬緩沖器還可包含第十五開關(guān),包含第一端及第二端,其中該第一端耦合于該第一晶體管的柵極,該第二端耦合于該第一晶體管的源極; 第十六開關(guān),包含第一端及第二端,其中該第一端耦合于該第二晶體管的柵 極,該第二端耦合于該第二晶體管的源極;第十七開關(guān),包含第一端及第二端,其中該第一端耦合于該第一電容的第一端,該第二端耦合于該第一晶體管的柵極;以及第十八開關(guān),包含第一端及第二端,其中該第一端耦合于該 第二電容的第一端,該第二端耦合于該第二晶體管的柵極;其中該第一開關(guān) 至該第四開關(guān)的導(dǎo)通截止?fàn)顟B(tài)受控于第一控制信號,該第五開關(guān)、該第六開 關(guān)、第九開關(guān)及第十開關(guān)的導(dǎo)通截止?fàn)顟B(tài)受控于第二控制信號,第七開關(guān)及 第八開關(guān)的導(dǎo)通截止?fàn)顟B(tài)受控于第三控制信號,該第十七開關(guān)及該第十八開 關(guān)的導(dǎo)通截止?fàn)顟B(tài)受控于第一使能控制信號,該第十五開關(guān)及該第十六開關(guān) 的導(dǎo)通截止?fàn)顟B(tài)受控于第二使能控制信號,該第十三開關(guān)及該第十四開關(guān)的 導(dǎo)通截止?fàn)顟B(tài)受控于第三使能控制信號,該第十一開關(guān)及該第十二開關(guān)的導(dǎo) 通截止?fàn)顟B(tài)受控于第四使能控制信號。上述模擬緩沖器還可包含第十九開關(guān),包含第一端及第二端,其中該 第一端耦合于該第一電容的第二端,該第二端耦合于該第二電容的第二端; 其中該第十九開關(guān)的導(dǎo)通截止?fàn)顟B(tài)受控于該第三控制信號。本發(fā)明能夠減少模擬緩沖器的功率損耗,提供更精準(zhǔn)的輸出電壓,并使 得模擬緩沖器的電路工作于更高速的信號電壓處理。


      圖1為用于液晶顯示裝置的傳統(tǒng)模擬緩沖器的電路示意圖。圖2為本發(fā)明第一實(shí)施例的具有電壓補(bǔ)償機(jī)制的模擬緩沖器電路示意圖。圖3顯示參考電壓產(chǎn)生器的第一實(shí)施例電路示意圖。圖4顯示參考電壓產(chǎn)生器的第二實(shí)施例電路示意圖。圖5為圖2的模擬緩沖器的工作相關(guān)信號時序圖,其中橫軸為時間軸。圖6為本發(fā)明第二實(shí)施例的具有電壓補(bǔ)償機(jī)制的模擬緩沖器電路示意圖。圖7為圖6的模擬緩沖器的工作相關(guān)信號時序圖,其中橫軸為時間軸。 圖8為本發(fā)明第三實(shí)施例的具有電壓補(bǔ)償機(jī)制的模擬緩沖器電路示意圖。圖9為圖8的模擬緩沖器的工作相關(guān)信號時序圖,其中橫軸為時間軸。 圖10為本發(fā)明第四實(shí)施例的具有電壓補(bǔ)償機(jī)制的模擬緩沖器電路示意圖。圖11為圖10的模擬緩沖器的工作相關(guān)信號時序圖,其中橫軸為時間軸。其中,附圖標(biāo)記說明如下100、 200、500、 600、 700模擬緩沖器111N溝道金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管112P溝道金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管121-124電容131-142開關(guān)181、 182電流源211、 431、511、 611、 711第一晶體管212、 432、512、 612、 712第二晶體管221、 521、621、 721第一電容222、 522、622、 722~1電^*231、 531、631、 731第一開關(guān)232、 532、632、 732第二開關(guān)233、 533、633、 733第三開關(guān)234、 534、634、 734第四開關(guān)235、 535、635、 735第五開關(guān)236、 536、636、 736第六開關(guān)237、 537、637、 737第七開關(guān)238、 538、638、 738第八開關(guān)239、 539、639、 739第九開關(guān)240、 540、640、 740第十開關(guān)290、 300、400、 590、 690、 790參考電壓產(chǎn)生器311、 411第一電流源312、 412第二電流源331第一補(bǔ)償二極管332 第二補(bǔ)償二極管523、 723 第三電容524、 724 第四電容541、 641、 741 第H""—開關(guān)542、 642、 742 第十二開關(guān)543、 643、 743 第十三開關(guān)544、 644、 744 第十四開關(guān)545、 745 第十五開關(guān)746 第十六開關(guān)747 第十七開關(guān)748 第十八開關(guān)749 第十九開關(guān)Ea 第一使能控制信號 Eab 第二使能控制信號 II、 12 電流 Pl 第一控制信號 P2 第二控制信號 P3 第三控制信號 Ql 第三使能控制信號 Qlb 第四使能控制信號TlO、 Tn、 Ti2、 Ti3、 丁20、 丁21、 T22、 丁23 時間V0、 V,、 V2 電壓AV0、 AVi、 AV2、 AV02、八Vu、 AV12、 AV21、誤差電壓 AV22Vbl 第一參考電壓 Vb2 第二參考電壓 Vddl 第一供應(yīng)電壓 Vdd2 第三供應(yīng)電壓 Vdd3 第五供應(yīng)電壓 Vin 輸入電壓Vout 輸出電壓Vssl 第二供應(yīng)電壓Vss2 第四供應(yīng)電壓Vss3 第六供應(yīng)電壓具體實(shí)施方式
      為讓本發(fā)明更顯而易懂,下文依本發(fā)明的具有電壓補(bǔ)償機(jī)制的模擬緩沖 器,特舉實(shí)施例配合附圖作詳細(xì)說明,但所提供的實(shí)施例并不用以限制本發(fā) 明所涵蓋的范圍。圖2為本發(fā)明第一實(shí)施例的具有電壓補(bǔ)償機(jī)制的模擬緩沖器電路示意 圖。如圖2所示,模擬緩沖器200包含第一晶體管211、第二晶體管212、第 一電容221、第二電容222、第一開關(guān)231、第二開關(guān)232、第三開關(guān)233、. 第四開關(guān)234、第五開關(guān)235、第六開關(guān)236、第七開關(guān)237、第八開關(guān)238、 第九開關(guān)239、第十開關(guān)240、及參考電壓產(chǎn)生器2卯。參考電壓產(chǎn)生器290 由第三供應(yīng)電壓Vdd2及第四供應(yīng)電壓Vss2供應(yīng)電源,用以產(chǎn)生第一參考電 壓Vbl及第二參考電壓Vb2。第一晶體管211包含漏極、源極及柵極,其中漏極用以接收第一供應(yīng)電 壓Vddl,輸出電壓Vout經(jīng)由第一晶體管211的源極而輸出。第二晶體管212 包含漏極、源極及柵極,其中漏極用以接收第二供應(yīng)電壓Vssl,源極耦合于 第一晶體管211的源極。第一晶體管211可為N溝道金屬氧化物半導(dǎo)體晶體 管(N-channel Metal-Oxide-Semiconductor Transistor),第二晶體管212可為 P溝道金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管(P-channd MOS Transistor)。在模擬緩沖 器200的電路工作中,第一晶體管211及第二晶體管212操作于共集極組態(tài) (Common-drain Configuration)的AB類源極跟隨模式,用以降低功率損耗。第七開關(guān)237包含第一端及第二端,分別耦合于第一晶體管211的柵極 及源極。第八開關(guān)238包含第一端及第二端,分別耦合于第二晶體管的柵極 及源極。第九開關(guān)239包含第一端及第二端,其中第二端耦合于第一晶體管 211的柵極,第十開關(guān)240包含第一端及第二端,其中第二端耦合于第二晶 體管212的柵極。第三開關(guān)233包含第一端及第二端,其中第一端耦合于參 考電壓產(chǎn)生器290以接收第一參考電壓Vbl,第二端耦合于第九開關(guān)239的第一端。第四開關(guān)234包含第一端及第二端,其中第一端耦合于參考電壓產(chǎn)生器290以接收第二參考電壓Vb2,第二端耦合于第十開關(guān)240的第一端。第一電容221包含第一端及第二端,其中第一端耦合于第三開關(guān)233的 第二端。第二電容222包含第一端及第二端,其中第一端耦合于第四開關(guān)234 的第二端。第五開關(guān)235包含第一端及第二端,其中第一端用以接收輸入電 壓Vin,第二端耦合于第一電容221的第二端。第六開關(guān)236包含第一端及 第二端,其中第一端用以接收輸入電壓Vin,第二端耦合于第二電容222的 第二端。第一開關(guān)231包含第一端及第二端,其中第一端耦合于第一電容221 的第二端,第二端耦合于第一晶體管211的源極。第二開關(guān)232包含第一端 及第二端,其中第一端耦合于第二電容222的第二端,第二端耦合于第二晶 體管212的源極。在一個實(shí)施例中,圖2的參考電壓產(chǎn)生器290的內(nèi)部電路結(jié)構(gòu)為圖3所 示的參考電壓產(chǎn)生器300。請參考圖3,圖3為顯示參考電壓產(chǎn)生器的第一實(shí) 施例電路示意圖。如圖3所示,參考電壓產(chǎn)生器300包含第一電流源311、 第二電流源312、第一補(bǔ)償二極管331、及第二補(bǔ)償二極管332。第一電流源 3U包含第一端及第二端,其中第一端用以接收第三供應(yīng)電壓Vdd2,第二端 用以提供電流Il。第二電流源312包含第一端及第二端,其中第一端用以接 收第四供應(yīng)電源Vss2,第二端用以提供電流I2。第一補(bǔ)償二極管331包含正 極端及負(fù)極端,其中正極端耦合于第一電流源311的第二端。第二補(bǔ)償二極 管332包含正極端及負(fù)極端,其中正極端耦合于第一補(bǔ)償二極管331的負(fù)極 端,負(fù)極端耦合于第二電流源312的第二端。第一參考電壓Vbl經(jīng)由第一補(bǔ) 償二極管331的正極端而輸出,第二參考電壓Vb2經(jīng)由第二補(bǔ)償二極管332 的負(fù)極端而輸出。在另一實(shí)施例中,圖2的參考電壓產(chǎn)生器2卯的內(nèi)部電路結(jié)構(gòu)為圖4所 示的參考電壓產(chǎn)生器400。請參考圖4,圖4為顯示參考電壓產(chǎn)生器的第二實(shí) 施例電路示意圖。如圖4所示,參考電壓產(chǎn)生器400包含第一電流源411、 第二電流源412、第一晶體管431、及第二晶體管432。第一電流源411包含 第一端及第二端,其中第一端用以接收第三供應(yīng)電壓Vdd2,第二端用以提供 電流Il。第二電流源412包含第一端及第二端,其中第一端用以接收第四供 應(yīng)電源Vss2,第二端用以提供電流I2。第一晶體管431包含漏極、源極及柵極,其中漏極耦合于第一電流源411的第二端,柵極耦合于漏極。第二晶體管432包含漏極、源極及柵極,其中漏極耦合于第二電流源412的第二端, 柵極耦合于漏極,源極耦合于第一晶體管431的源極。第一參考電壓Vbl經(jīng) 由第一晶體管431的漏極而輸出,第二參考電壓Vb2經(jīng)由第二晶體管432的 漏極而輸出。第一晶體管431可為N溝道金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管,第二晶 體管432可為P溝道金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管。圖5為圖2的模擬緩沖器的工作相關(guān)信號時序圖,其中橫軸為時間軸。 在圖5中,由上往下的信號分別為輸入電壓Vin、第一控制信號P1、第二控 制信號P2、第一使能控制信號Ea、第二使能控制信號Eab及輸出電壓Vout。 第一控制信號Pl用以控制第一開關(guān)231至第四開關(guān)234的導(dǎo)通截止?fàn)顟B(tài)。 第二控制信號P2用以控制第五開關(guān)235及第六開關(guān)236的導(dǎo)通截止?fàn)顟B(tài)。 第一使能控制信號Ea用以控制第九開關(guān)239及第十開關(guān)240的導(dǎo)通截止?fàn)?態(tài)。第二使能控制信號Eab用以控制第七開關(guān)237及第八開關(guān)238的導(dǎo)通截 止?fàn)顟B(tài)。在以下有關(guān)工作信號時序圖的敘述中,使能的高電平控制信號用以 切換對應(yīng)開關(guān)至導(dǎo)通短路狀態(tài),禁能的低電平控制信號用以切換對應(yīng)開關(guān)至 截止開路狀態(tài)。模擬緩沖器200的工作原理說明如下。在時間T1Q內(nèi),第一控制信號Pl及第一使能控制信號Ea為使能的高電 平控制信號,且第二控制信號P2及第二使能控制信號Eab為禁能的低電平 控制信號,輸出電壓Vout從前階段的電壓Vo士AVo調(diào)整為預(yù)設(shè)啟始電壓 Vpreset,同時第一電容221的電容電壓被充電至第一晶體管211導(dǎo)通時的柵 源極電壓,而第二電容222的電容電壓則被充電至第二晶體管212導(dǎo)通時的 柵源極電壓。在時間Tu內(nèi),第二控制信號P2及第一使能控制信號Ea為使 能的高電平控制信號,且第一控制信號P1及第二使能控制信號Eab為禁能 的低電平控制信號,此時輸入電壓Vin的電壓V,配合第一電容221及第二電 容222的電容電壓,將輸出電壓Vout從預(yù)設(shè)啟始電壓Vpreset調(diào)整為電壓 V,土AVp由于第一晶體管211及第二晶體管212導(dǎo)通時的柵源極電壓已被 第一電容221及第二電容222的電容電壓所補(bǔ)償,所以可將正負(fù)誤差A(yù)V,降 低至可容許的微小偏移范圍內(nèi)。在時間T,2內(nèi),第二使能控制信號Eab為使 能的高電平控制信號,且第一控制信號P1、第二控制信號P2及第一使能控 制信號Ea為禁能的低電平控制信號,此時第一晶體管211及第二晶體管212均在截止?fàn)顟B(tài), 一方面使輸出電壓Vout保持在電壓V,士AV,,另一方面可節(jié) 省因第一晶體管211及第二晶體管212導(dǎo)通所導(dǎo)致的功率消耗。在時間T2Q內(nèi),第一控制信號Pl及第一使能控制信號Ea為使能的高電 平控制信號,且第二控制信號P2及第二使能控制信號Eab為禁能的低電平 控制信號,輸出電壓Vout又被調(diào)整為預(yù)設(shè)啟始電壓Vpreset,同時第一電容 221及第二電容222的電容電壓分別被充電至第一晶體管211及第二晶體管 212導(dǎo)通時的柵源極電壓。在時間丁21內(nèi),第二控制信號P2及第一使能控制 信號Ea為使能的高電平控制信號,且第一控制信號P1及第二使能控制信號 Eab為禁能的低電平控制信號,此時輸入電壓Vin的電壓V2配合第一電容 221及第二電容222的電容電壓,將輸出電壓Vout從預(yù)設(shè)啟始電壓Vpreset 調(diào)整為電壓V2±AV2,同理由于第一晶體管211及第二晶體管212導(dǎo)通時的 柵源極電壓已被第一電容221及第二電容222的電容電壓所補(bǔ)償,所以可將正負(fù)誤差A(yù)V2降低至可容許的微小偏移范圍內(nèi)。在時間T22內(nèi),第二使能控制信號Eab為使能的高電平控制信號,且第一控制信號Pl、第二控制信號 P2及第一使能控制信號Ea為禁能的低電平控制信號,此時第一晶體管211 及第二晶體管212均在截止?fàn)顟B(tài), 一方面使輸出電壓Vout保持在電壓V2± AV2,另一方面可節(jié)省因第一晶體管211及第二晶體管212導(dǎo)通所導(dǎo)致的功 率消耗。由上述可知,第七開關(guān)237至第十開關(guān)240的元件工作性能,在控制第 一晶體管211及第二晶體管212的導(dǎo)通截止?fàn)顟B(tài)以節(jié)省功率消耗,所以如果 模擬緩沖器200的設(shè)計(jì)重點(diǎn)不在節(jié)省功率消耗,則在另一實(shí)施例中,可省略 第七開關(guān)237至第十開關(guān)240以節(jié)省成本,即在模擬緩沖器200的設(shè)計(jì)中, 將第七開關(guān)237及第八開關(guān)238取代為開路,及將第九開關(guān)239及第十開關(guān) 240取代為短路,以下其余實(shí)施例同理類推。請注意,雖然本文所述控制信 號均以高電平電壓為使能信號,且低電平電壓為禁能信號,但在另一實(shí)施例 中,可以低電平電壓為使能信號,且高電平電壓為禁能信號,但模擬緩沖器 仍具有相同的工作性能。圖6為本發(fā)明第二實(shí)施例的具有電壓補(bǔ)償機(jī)制的模擬緩沖器電路示意 圖。如圖6所示,模擬緩沖器500包含第一晶體管511、第二晶體管512、第 一電容521、第二電容522、第三電容523、第四電容524、第一開關(guān)531、第二開關(guān)532、第三開關(guān)533、第四開關(guān)534、第五開關(guān)535、第六開關(guān)536、 第七開關(guān)537、第八開關(guān)538、第九開關(guān)539、第十開關(guān)540、第十一開關(guān)541、 第十二開關(guān)542、第十三開關(guān)543、第十四開關(guān)544、第十五開關(guān)545、及參 考電壓產(chǎn)生器590。參考電壓產(chǎn)生器590由第三供應(yīng)電壓Vdd2及第四供應(yīng)電 壓Vss2供應(yīng)電源,用以產(chǎn)生第一參考電壓Vbl及第二參考電壓Vb2。第一晶體管511包含漏極、源極及柵極,其中漏極用以接收第一供應(yīng)電 壓Vddl,輸出電壓Vout經(jīng)由第一晶體管511的源極而輸出。第二晶體管512 包含漏極、源極及柵極,其中漏極用以接收第二供應(yīng)電壓Vssl,源極耦合于 第一晶體管511的源極。第一晶體管511可為N溝道金屬氧化物半導(dǎo)體晶體 管,第二晶體管512可為P溝道金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管。在模擬緩沖器500 的電路工作中,第一晶體管511及第二晶體管512操作于共集極組態(tài)的AB 類源極跟隨模式,用以降低功率損耗。第十一開關(guān)541包含第一端及第二端,分別耦合于第一晶體管511的柵 極及源極。第十二開關(guān)542包含第一端及第二端,分別耦合于第二晶體管512 的柵極及源極。第十三開關(guān)543包含第一端及第二端,其中第二端耦合于第 一晶體管511的柵極。第十四開關(guān)544包含第一端及第二端,其中第二端耦 合于第二晶體管512的柵極。第三電容523包含第一端及第二端,其中第一 端耦合于第十三開關(guān)543的第一端。第四電容524包含第一端及第二端,其 中第一端耦合于第十四開關(guān)544的第一端。第九開關(guān)539包含第一端及第二 端,其中第一端耦合于第三電容523的第二端,第二端耦合于第一晶體管511 的源極。第十開關(guān)540包含第一端及第二端,其中第一端耦合于第四電容524 的第二端,第二端耦合于第二晶體管512的源極。第七開關(guān)537包含第一端及第二端,其中第一端用以接收輸入電壓Vin, 第二端耦合于第三電容523的第二端,第八開關(guān)538包含第一端及第二端, 其中第一端用以接收輸入電壓Vin,第二端耦合于第四電容524的第二端。 第三開關(guān)533包含第一端及第二端,其中第一端耦合于參考電壓產(chǎn)生器590 以接收第一參考電壓Vbl,第二端耦合于第十三開關(guān)543的第一端。第四開 關(guān)534包含第一端及第二端,其中第一端耦合于參考電壓產(chǎn)生器590以接收 第二參考電壓Vb2,第二端耦合于第十四開關(guān)544的第一端。第一電容521包含第一端及第二端,其中第一端耦合于第三開關(guān)533的第二端。第二電容522包含第一端及第二端,其中第一端耦合于第四開關(guān)534 的第二端。第五開關(guān)535包含第一端及第二端,其中第一端用以接收輸入電 壓Vin,第二端耦合于第一電容521的第二端。第六開關(guān)536包含第一端及 第二端,其中第一端用以接收輸入電壓Vin,第二端耦合于第二電容522的 第二端。第一開關(guān)531包含第一端及第二端,其中第一端耦合于第一電容521 的第二端,第二端耦合于第一晶體管511的源極。第二開關(guān)532包含第一端 及第二端,其中第一端耦合于第二電容522的第二端,第二端耦合于第二晶 體管512的源極。第十五開關(guān)545包含第一端及第二端,其中第一端耦合于 第一電容521的第二端,第二端耦合于第二電容522的第二端。在一個實(shí)施例中,圖6的參考電壓產(chǎn)生器590的內(nèi)部電路結(jié)構(gòu)為圖3所 示的參考電壓產(chǎn)生器300。在另一實(shí)施例中,圖6的參考電壓產(chǎn)生器5卯的 內(nèi)部電路結(jié)構(gòu)為圖4所示的參考電壓產(chǎn)生器400。圖7為圖6的模擬緩沖器的工作相關(guān)信號時序圖,其中橫軸為時間軸。 在圖7中,由上往下的信號分別為輸入電壓Vin、第一控制信號P1、第二控 制信號P2、第三控制信號P3、第一使能控制信號Ea、第二使能控制信號Eab 及輸出電壓Vout。第一控制信號Pl用以控制第一開關(guān)531至第四開關(guān)534 的導(dǎo)通截止?fàn)顟B(tài)。第二控制信號P2用以控制第五開關(guān)535、第六開關(guān)536、 第九開關(guān)539及第十開關(guān)540的導(dǎo)通截止?fàn)顟B(tài)。第三控制信號P3用以控制 第七開關(guān)537、第八開關(guān)538及第十五開關(guān)545的導(dǎo)通截止?fàn)顟B(tài)。第一使能 控制信號Ea用以控制第十三開關(guān)543及第十四開關(guān)544的導(dǎo)通截止?fàn)顟B(tài)。 第二使能控制信號Eab用以控制第十一開關(guān)541及第十二開關(guān)542的導(dǎo)通截 止?fàn)顟B(tài)。模擬緩沖器500的工作原理說明如下。在時間Tw內(nèi),第一控制信號Pl及第一使能控制信號Ea為使能的高電 平控制信號,且第二控制信號P2、第三控制信號P3及第二使能控制信號Eab 為禁能的低電平控制信號,輸出電壓Vout從前階段的電壓Vo士八Vo2調(diào)整為 預(yù)設(shè)啟始電壓Vpreset,同時第一電容521及第二電容522的電容電壓分別被 充電至第一晶體管511及第二晶體管512導(dǎo)通時的第一柵源極電壓及第二柵 源極電壓。在時間Tu內(nèi),第二控制信號P2及第一使能控制信號Ea為使能 的高電平控制信號,且第一控制信號P1、第三控制信號P3及第二使能控制 信號Eab為禁能的低電平控制信號,此時輸入電壓Vin的電壓Vi配合第一電容521及第二電容522的電容電壓,將輸出電壓Vout從預(yù)設(shè)啟始電壓 Vpreset調(diào)整為電壓V,士AVu,由于此時第一晶體管511及第二晶體管512 導(dǎo)通時的第三柵源極電壓及第四柵源極電壓己被第一電容521及第二電容 522的電容電壓(第一柵源極電壓及第二柵源極電壓)所補(bǔ)償,所以可將正 負(fù)誤差電壓降低至AVu,但第三柵源極電壓及第四柵源極電壓并沒有完全被 補(bǔ)償,所以利用第三電容523及第四電容524充電至第三柵源極電壓及第四 柵源極電壓以作后續(xù)補(bǔ)償。在時間T12內(nèi),第三控制信號P3及第一使能控制 信號Ea為使能的高電平控制信號,且第一控制信號Pl、第二控制信號P2 及第二使能控制信號Eab為禁能的低電平控制信號,此時第十五開關(guān)545在 導(dǎo)通短路狀態(tài),使第三電容523及第四電容524的電容電壓可保持在第三柵 源極電壓及第四柵源極電壓以作精確的電壓補(bǔ)償,因此輸入電壓Vin的電壓 Vp就配合第三電容523及第四電容524的電容電壓,將輸出電壓Vout從電 壓V,士AVu調(diào)整為電壓V!士AV^,即利用第三電容523及第四電容524的 第三柵源極電壓及第四柵源極電壓作進(jìn)一步的柵源極電壓補(bǔ)償,將正負(fù)誤差 電壓從AV 降低至AV12,用以提供更精準(zhǔn)的輸出電壓Vout。在時間Tn內(nèi),第二使能控制信號Eab為使能的高電平控制信號,且第 一控制信號P、第二控制信號P2、第三控制信號P3及第一使能控制信號 Ea為禁能的低電平控制信號,此時第一晶體管511及第二晶體管512均在截 止?fàn)顟B(tài), 一方面使輸出電壓Vout保持在電壓V,土AV,2,另一方面可節(jié)省因 第一晶體管511及第二晶體管512導(dǎo)通所導(dǎo)致的功率消耗。模擬緩沖器500在時間丁2()至?xí)r間T23的電路工作狀況類同于上述有關(guān)時間T^至?xí)r間1\3的電路工作狀況,所以不再贅述。圖8為本發(fā)明第三實(shí)施例的具有電壓補(bǔ)償機(jī)制的模擬緩沖器電路示意 圖。如圖8所示,模擬緩沖器600包含第一晶體管611、第二晶體管612、第 三晶體管613、第四晶體管614、第一電容621、第二電容622、第一開關(guān)631、 第二開關(guān)632、第三開關(guān)633、第四開關(guān)634、第五開關(guān)635、第六開關(guān)636、 第七開關(guān)637、第八開關(guān)638、第九開關(guān)639、第十開關(guān)640、第十一開關(guān)641、 第十二開關(guān)642、第十三開關(guān)643、第十四開關(guān)644、及參考電壓產(chǎn)生器690。 參考電壓產(chǎn)生器690由第三供應(yīng)電壓Vdd2及第四供應(yīng)電壓Vss2供應(yīng)電源, 用以產(chǎn)生第一參考電壓Vbl及第二參考電壓Vb2。第一晶體管611包含漏極、源極及柵極,其中漏極用以接收第一供應(yīng)電壓Vddl ,輸出電壓Vout經(jīng)由第一晶體管611的源極而輸出。第二晶體管612 包含漏極、源極及柵極,其中漏極用以接收第二供應(yīng)電壓Vssl,源極耦合于 第一晶體管611的源極。第三晶體管613包含漏極、源極及柵極,其中漏極 用以接收第五供應(yīng)電壓Vdd3,源極耦合于第一晶體管611的源極。第四晶體 管614包含漏極、源極及柵極,其中漏極用以接收第六供應(yīng)電壓Vss3,源極 耦合于第二晶體管612的源極。在一電路工作實(shí)施例中,第五供應(yīng)電壓Vdd3 大于第一供應(yīng)電壓Vddl,而第六供應(yīng)電壓Vss3則小于第二供應(yīng)電壓Vssl, 用以在利用第三晶體管613及第四晶體管614輔助電容電壓充電操作時,提 供更快速的電壓調(diào)整性能。第一晶體管611及第三晶體管613可為N溝道金 屬氧化物半導(dǎo)體晶體管,第二晶體管612及第四晶體管614可為P溝道金屬 氧化物半導(dǎo)體晶體管。在模擬緩沖器600的電路工作中,第一晶體管611、 第二晶體管612、第三晶體管613及第四晶體管614操作于共集極組態(tài)的AB 類源極跟隨模式,用以降低功率損耗。第七開關(guān)637包含第一端及第二端,分別耦合于第三晶體管613的柵極 及源極。第八開關(guān)638包含第一端及第二端,分別耦合于第四晶體管614的 柵極及源極。第九開關(guān)639包含第一端及第二端,分別耦合于第一晶體管611 的柵極及第三晶體管613的柵極。第十開關(guān)640包含第一端及第二端,分別 耦合于第二晶體管612的柵極及第四晶體管614的柵極。第十一開關(guān)641包 含第一端及第二端,分別耦合于第一晶體管611的柵極及源極。第十二開關(guān) 642包含第一端及第二端,分別耦合于第二晶體管612的柵極及源極。第十三開關(guān)643包含第一端及第二端,其中第二端耦合于第一晶體管611 的柵極。第十四開關(guān)644包含第一端及第二端,其中第二端耦合于第二晶體 管612的柵極。第三開關(guān)633包含第一端及第二端,其中第一端耦于參考電 壓產(chǎn)生器690以接收第一參考電壓Vbl,第二端耦合于第十三開關(guān)643的第 一端。第四開關(guān)634包含第一端及第二端,其中第一端耦合于參考電壓產(chǎn)生 器690以接收第二參考電壓Vb2,第二端耦合于第十四開關(guān)644的第一端。第一電容621包含第一端及第二端,其中第一端耦合于第三開關(guān)633的 第二端。第二電容622包含第一端及第二端,其中第一端耦合于第四開關(guān)634 的第二端。第五開關(guān)635包含第一端及第二端,其中第一端用以接收輸入電壓Vin,第二端耦合于第一電容621的第二端。第六開關(guān)636包含第一端及 第二端,其中第一端用以接收輸入電壓Vin,第二端耦合于第二電容622的 第二端。第一開關(guān)631包含第一端及第二端,其中第一端耦合于第一電容621 的第二端,第二端耦合于第一晶體管611的源極。第二開關(guān)632包含第一端 及第二端,其中第一端耦合于第二電容622的第二端,第二端耦合于第二晶 體管612的源極。在一個實(shí)施例中,圖8的參考電壓產(chǎn)生器690的內(nèi)部電路結(jié)構(gòu)為圖3所 示的參考電壓產(chǎn)生器300。在另一實(shí)施例中,圖8的參考電壓產(chǎn)生器690的 內(nèi)部電路結(jié)構(gòu)為圖4所示的參考電壓產(chǎn)生器400。圖9為圖8的模擬緩沖器的工作相關(guān)信號時序圖,其中橫軸為時間軸。 在圖9中,由上往下的信號分別為輸入電壓Vin、第一控制信號P1、第二控 制信號P2、第一使能控制信號Ea、第二使能控制信號Eab、第三使能控制信 號Q1、第四使能控制信號Qlb及輸出電壓Vout。第一控制信號P1用以控制 第一開關(guān)631至第四開關(guān)634的導(dǎo)通截止?fàn)顟B(tài)。第二控制信號P2用以控制 第五開關(guān)635及第六開關(guān)636的導(dǎo)通截止?fàn)顟B(tài)。第一使能控制信號Ea用以 控制第十三開關(guān)643及第十四開關(guān)644的導(dǎo)通截止?fàn)顟B(tài)。第二使能控制信號 Eab用以控制第十一開關(guān)641及第十二開關(guān)642的導(dǎo)通截止?fàn)顟B(tài)。第三使能 控制信號Ql用以控制第九開關(guān)639及第十開關(guān)640的導(dǎo)通截止?fàn)顟B(tài)。第四 使能控制信號Qlb用以控制第七開關(guān)637及第八開關(guān)638的導(dǎo)通截止?fàn)顟B(tài)。 模擬緩沖器600的工作原理說明如下。在時間T1Q內(nèi),第一控制信號Pl、第一使能控制信號Ea及第三使能控 制信號Q1為使能的高電平控制信號,且第二控制信號P2、第二使能控制信 號Eab及第四使能控制信號Qlb為禁能的低電平控制信號,輸出電壓Vmit 從前階段的電壓Vo土AVo調(diào)整為預(yù)設(shè)啟始電壓Vpreset,同時第一電容621 的電容電壓被充電至第一晶體管611及第三晶體管613導(dǎo)通時的柵源極電壓, 而第二電容622的電容電壓則被充電至第二晶體管612及第四晶體管614導(dǎo) 通時的柵源極電壓。因?yàn)殡娙蓦妷赫{(diào)整及充電路徑可經(jīng)由第一晶體管611至 第四晶體管614執(zhí)行,所以可快速完成,即可大幅縮短時間Tu)以使電路工 作于更高速的信號電壓處理。在時間Tn內(nèi),第二控制信號P2、第一使能控制信號Ea及第四使能控制信號Qlb為使能的高電平控制信號,且第一控制信號P1、第二使能控制 信號Eab及第三使能控制信號Ql為禁能的低電平控制信號,此時輸入電壓 Vin的電壓V'配合第一電容621及第二電容622的電容電壓,將輸出電壓 Vout從預(yù)設(shè)啟始電壓Vpreset調(diào)整為電壓V!士AVp由于第一晶體管611至 第四晶體管614導(dǎo)通時的柵源極電壓已被第一電容621及第二電容622的電 容電壓所補(bǔ)償,所以可將正負(fù)誤差A(yù)VJ牽低至可容許的微小偏移范圍內(nèi)。在 時間T12內(nèi),第二使能控制信號Eab及第四使能控制信號Qlb為使能的高電 平控制信號,且第一控制信號P1、第二控制信號P2、第一使能控制信號Ea 及第三使能控制信號Ql為禁能的低電平控制信號,此時第一晶體管611至 第四晶體管614均在截止?fàn)顟B(tài),使輸出電壓Vout保持在電壓Vi士AVp并可 節(jié)省因第一晶體管611至第四晶體管614導(dǎo)通所導(dǎo)致的功率消耗。模擬緩沖 器600在時間丁2()至?xí)r間T22的電路工作狀況類同于上述有關(guān)時間Tu)至?xí)r間 T,2的電路工作狀況,所以不再贅述。在模擬緩沖器600的另一電路工作實(shí)施例中,在時間Tu內(nèi),可令第二 控制信號P2、第一使能控制信號Ea及第三使能控制信號Ql為使能的高電 平控制信號,且第一控制信號P1、第二使能控制信號Eab及第四使能控制信 號Qlb為禁能的低電平控制信號,此時第一晶體管611至第四晶體管614均 在導(dǎo)通狀態(tài),用以使輸出電壓Vout可快速地從預(yù)設(shè)啟始電壓Vpreset調(diào)整為 電壓V,土AVp即可大幅縮短時間T 以使電路工作于更高速的信號電壓處 理。圖10為本發(fā)明第四實(shí)施例的具有電壓補(bǔ)償機(jī)制的模擬緩沖器電路示意 圖。如圖10所示,模擬緩沖器700包含第一晶體管711、第二晶體管712、 第三晶體管713、第四晶體管714、第一電容721、第二電容722、第三電容 723、第四電容724、第一開關(guān)731、第二開關(guān)732、第三開關(guān)733、第四開關(guān) 734、第五開關(guān)735、第六開關(guān)736、第七開關(guān)737、第八開關(guān)738、第九開關(guān) 739、第十開關(guān)740、第十一開關(guān)741、第十二開關(guān)742、第十三開關(guān)743、第 十四開關(guān)744、第十五幵關(guān)745、第十六開關(guān)746、第十七開關(guān)747、第十八 開關(guān)74S、第十九開關(guān)749、及參考電壓產(chǎn)生器790。參考電壓產(chǎn)生器790由 第三供應(yīng)電壓Vdd2及第四供應(yīng)電壓Vss2供應(yīng)電源,用以產(chǎn)生第一參考電壓 Vbl及第二參考電壓Vb2。第一晶體管711包含漏極、源極及柵極,其中漏極用以接收第一供應(yīng)電壓Vddl,輸出電壓Vout經(jīng)由第一晶體管711的源極而輸出。第二晶體管712 包含漏極、源極及柵極,其中漏極用以接收第二供應(yīng)電壓Vssl,源極耦合于 第一晶體管711的源極。第三晶體管713包含漏極、源極及柵極,其中漏極 用以接收第五供應(yīng)電壓Vdd3,源極耦合于第一晶體管711的源極。第四晶體 管714包含漏極、源極及柵極,其中漏極用以接收第六供應(yīng)電壓Vss3,源極 耦合于第二晶體管712的源極。同理,在一電路工作實(shí)施例中,第五供應(yīng)電 壓Vdd3大于第一供應(yīng)電壓Vddl,而第六供應(yīng)電壓Vss3則小于第二供應(yīng)電 壓Vssl ,用以在利用第三晶體管713及第四晶體管714輔助電容電壓充電操 作時,提供更快速的電壓調(diào)整性能。第一晶體管711及第三晶體管713可為 N溝道金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管,第二晶體管712及第四晶體管714可為P 溝道金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管。在模擬緩沖器700的電路工作中,第一晶體 管711、第二晶體管712、第三晶體管713及第四晶體管714操作于共集極組 態(tài)的AB類源極跟隨模式,用以降低功率損耗。第十一開關(guān)741包含第一端及第二端,分別耦合于第三晶體管713的柵 極及源極。第十二開關(guān)742包含第一端及第二端,分別耦合于第四晶體管714 的柵極及源極。第十三開關(guān)743包含第一端及第二端,分別耦合于第一晶體 管711的柵極及第三晶體管713的柵極。第十四開關(guān)744包含第一端及第二 端,分別耦合于第二晶體管712的柵極及第四晶體管714的柵極。第十五開 關(guān)745包含第一端及第二端,分別耦合于第一晶體管711的柵極及源極。第 十六開關(guān)746包含第一端及第二端,分別耦合于第二晶體管712的柵極及源 極。第十七開關(guān)747包含第一端及第二端,其中第二端耦合于第一晶體管711 的柵極。第十八開關(guān)748包含第一端及第二端,其中第二端耦合于第二晶體 管712的柵極。第三電容723包含第一端及第二端,其中第一端耦合于第十 七開關(guān)747的第一端。第四電容724包含第一端及第二端,其中第一端耦合 于第十八開關(guān)748的第一端。第九開關(guān)739包含第一端及第二端,其中第一 端耦合于第三電容723的第二端,第二端耦合于第一晶體管711的源極。第 十開關(guān)740包含第一端及第二端,其中第一端耦合于第四電容724的第二端, 第二端耦合于第二晶體管712的源極。第七開關(guān)737包含第一端及第二端,其中第一端用以接收輸入電壓Vin,第二端耦合于第三電容723的第二端。 第八開關(guān)738包含第一端及第二端,其中第一端用以接收輸入電壓Vin,第 二端耦合于第四電容724的第二端。第一電容721包含第一端及第二端,其中第一端耦合于第十七開關(guān)747 的第一端。第二電容包含第一端及第二端,其中第一端耦合于第十八開關(guān)748 的第一端。第三開關(guān)733包含第一端及第二端,其中第一端耦合于參考電壓 產(chǎn)生器790以接收第一參考電壓Vbl,第二端耦合于第一電容721的第一端。 第四開關(guān)734包含第一端及第二端,其中第一端耦合于參考電壓產(chǎn)生器790 以接收第二參考電壓Vb2,第二端耦合于第二電容722的第一端。第五開關(guān) 735包含第一端及第二端,其中第一端用以接收輸入電壓Vin,第二端耦合于 第一電容721的第二端。第六開關(guān)736包含第一端及第二端,其中第一端用 以接收輸入電壓Vin,第二端耦合于第二電容722的第二端。第一開關(guān)731 包含第一端及第二端,其中第一端耦合于第一電容721的第二端,第二端耦 合于第一晶體管711的源極。第二開關(guān)732包含第一端及第二端,其中第一 端耦合于第二電容722的第二端,第二端耦合于第二晶體管712的源極。第 十九開關(guān)749包含第一端及第二端,其中第一端耦合于第一電容721的第二 端,第二端耦合于第二電容722的第二端。在一個實(shí)施例中,圖10的參考電壓產(chǎn)生器790的內(nèi)部電路結(jié)構(gòu)為圖3 所示的參考電壓產(chǎn)生器300。在另一實(shí)施例中,圖10的參考電壓產(chǎn)生器790 的內(nèi)部電路結(jié)構(gòu)為圖4所示的參考電壓產(chǎn)生器400。圖11為圖10的模擬緩沖器的工作相關(guān)信號時序圖,其中橫軸為時間軸。 在圖11中,由上往下的信號分別為輸入電壓Vin、第一控制信號P1、第二 控制信號P2、第三控制信號P3、第一使能控制信號Ea、第二使能控制信號 Eab、第三使能控制信號Q1、第四使能控制信號Qlb及輸出電壓Vout。第一 控制信號Pl用以控制第一開關(guān)731至第四開關(guān)734的導(dǎo)通截止?fàn)顟B(tài)。第二 控制信號P2用以控制第五開關(guān)735、第六開關(guān)736、第九開關(guān)739及第十開 關(guān)740的導(dǎo)通截止?fàn)顟B(tài)。第三控制信號P3用以控制第七開關(guān)737、第八開關(guān) 738及第十九開關(guān)749的導(dǎo)通截止?fàn)顟B(tài)。第一使能控制信號Ea用以控制第十 七開關(guān)747及第十八開關(guān)748的導(dǎo)通截止?fàn)顟B(tài)。第二使能控制信號Eab用以 控制第十五開關(guān)745及第十六開關(guān)746的導(dǎo)通截止?fàn)顟B(tài)。第三使能控制信號Ql用以控制第十三開關(guān)743及第十四開關(guān)744的導(dǎo)通截止?fàn)顟B(tài)。第四使能控 制信號Qlb用以控制第十一開關(guān)741及第十二開關(guān)742的導(dǎo)通截止?fàn)顟B(tài)。模 擬緩沖器700的工作原理說明如下。在時間T,。內(nèi),第一控制信號Pl、第一使能控制信號Ea及第三使能控 制信號Ql為使能的高電平控制信號,且第二控制信號P2、第三控制信號P3、 第二使能控制信號Eab及第四使能控制信號Qlb為禁能的低電平控制信號, 輸出電壓Vout從前階段的電壓Vo士AVo2調(diào)整為預(yù)設(shè)啟始電壓Vpreset,同時 第一電容721的電容電壓被充電至第一晶體管711及第三晶體管713導(dǎo)通時 的第一柵源極電壓,而第二電容722的電容電壓則被充電至第二晶體管712 及第四晶體管714導(dǎo)通時的第二柵源極電壓。因?yàn)殡娙蓦妷赫{(diào)整及充電路徑 可經(jīng)由第一晶體管711至第四晶體管714執(zhí)行,所以可快速完成,即可大幅 縮短時間T1Q以使電路工作于更高速的信號電壓處理。在時間T 內(nèi),第二控制信號P2、第一使能控制信號Ea及第四使能控 制信號Qlb為使能的高電平控制信號,且第一控制信號Pl、第三控制信號 P3、第二使能控制信號Eab及第三使能控制信號Ql為禁能的低電平控制信 號,此時輸入電壓Vin的龜壓V,配合第一電容721及第二電容722的電容電 壓,將輸出電壓Vout從預(yù)設(shè)啟始電壓Vpreset調(diào)整為電壓V,士AVn,由于此 時第一晶體管711及第三晶體管713導(dǎo)通時的第三柵源極電壓已被第一電容 721的電容電壓(第一柵源極電壓)所補(bǔ)償,且第二晶體管712及第四晶體 管714導(dǎo)通時的第四柵源極電壓己被第二電容722的電容電壓(第二柵源極 電壓)所補(bǔ)償,所以可將正負(fù)誤差電壓降低至AVu,但第三柵源極電壓及第 四柵源極電壓并沒有完全被補(bǔ)償,所以利用第三電容723及第四電容724充 電至第三柵源極電壓及第四柵源極電壓以作后續(xù)補(bǔ)償。在時間T,2內(nèi),第三 控制信號P3、第一使能控制信號Ea及第四使能控制信號Qlb為使能的高電 平控制信號,且第一控制信號P1、第二控制信號P2、第二使能控制信號Eab 及第三使能控制信號Ql為禁能的低電平控制信號,此時第十九開關(guān)749在 導(dǎo)通短路狀態(tài),使第三電容723及第四電容724的電容電壓可保持在第三柵 源極電壓及第四柵源極電壓以作精確的電壓補(bǔ)償,因此輸入電壓Vin的電壓 Vp就配合第三電容723及第四電容724的電容電壓,將輸出電壓Vout從電 壓Vi士AVn調(diào)整為電壓Vt±AV12,即利用第三電容723及第四電容724的第三柵源極電壓及第四柵源極電壓作進(jìn)一步的柵源極電壓補(bǔ)償,將正負(fù)誤差電壓從AV 降低至AV12,用以提供更精準(zhǔn)的輸出電壓Vout。在時間T13內(nèi),第二使能控制信號Eab及第四使能控制信號Qlb為使能 的高電平控制信號,且第一控制信號P1、第二控制信號P2、第三控制信號 P3、第一使能控制信號Ea及第三使能控制信號Ql為禁能的低電平控制信號, 此時第一晶體管711至第四晶體管714均在截止?fàn)顟B(tài), 一方面使輸出電壓 Voiit保持在電壓Vi土AV^另一方面可節(jié)省因第一晶體管711至第四晶體 管714導(dǎo)通所導(dǎo)致的功率消耗。模擬緩沖器700在時間T加至?xí)r間T23的電路 工作狀況類同于上述有關(guān)時間丁1()至?xí)r間T13的電路工作狀況,所以不再贅述。 在模擬緩沖器700的另一電路工作實(shí)施例中,在時間Tu內(nèi),可令第二 控制信號P2、第一使能控制信號Ea及第三使能控制信號Ql為使能的高電 平控制信號,且第一控制信號P1、第三控制信號P3、第二使能控制信號Eab 及第四使能控制信號Qlb為禁能的低電平控制信號,此時第一晶體管711至 第四晶體管714均在導(dǎo)通狀態(tài),用以使輸出電壓Vout可快速地從預(yù)設(shè)啟始電 壓Vpreset調(diào)整為電壓V1±AV11,即可大幅縮短時間Tu以使電路工作于更 高速的信號電壓處理。同理,在時間丁12內(nèi),可令第三控制信號P3、第一使能控制信號Ea及 第三使能控制信號Q1為使能的高電平控制信號,且第一控制信號P1、第二 控制信號P2、第二使能控制信號Eab及第四使能控制信號Qlb為禁能的低 電平控制信號,此時第一晶體管711至第四晶體管714均在導(dǎo)通狀態(tài),用以 使輸出電壓Vout可快速地從電壓V,士AVu調(diào)整為電壓V,±AV12,以加速信 號電壓處理性能。不過由于電壓Vi士AVu與電壓Vi士AV。之間只有微量壓 差,所以加速信號電壓處理的性能提升相當(dāng)有限,而第三晶體管713及第四 晶體管714導(dǎo)通所導(dǎo)致的功率損耗卻較為顯著,因此在電路工作較佳實(shí)施例 中,第三晶體管713及第四晶體管714在時間T,2內(nèi)控制在截止?fàn)顟B(tài)以節(jié)省 功率損耗。雖然本發(fā)明已以實(shí)施例公開如上,然其并非用以限定本發(fā)明,任何具有 本發(fā)明所屬技術(shù)領(lǐng)域之通常知識者,在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi),當(dāng)可 作各種更動與潤飾,因此本發(fā)明的保護(hù)范圍當(dāng)視后附的申請專利范圍所界定 者為準(zhǔn)。
      權(quán)利要求
      1. 一種具有電壓補(bǔ)償機(jī)制的模擬緩沖器,包含第一晶體管,包含漏極、源極及柵極,其中該漏極用以接收第一供應(yīng)電壓,該源極用以輸出輸出電壓;第二晶體管,包含漏極、源極及柵極,其中該漏極用以接收第二供應(yīng)電壓,該源極耦合于該第一晶體管的源極;第一電容,包含第一端及第二端,其中該第一端耦合于該第一晶體管的柵極;第二電容,包含第一端及第二端,其中該第一端耦合于該第二晶體管的柵極;第一開關(guān),包含第一端及第二端,其中該第一端耦合于該第一電容的第二端,該第二端耦合于該第一晶體管的源極;第二開關(guān),包含第一端及第二端,其中該第一端耦合于該第二電容的第二端,該第二端耦合于該第二晶體管的源極;第三開關(guān),包含第一端及第二端,其中該第一端用以接收第一參考電壓,該第二端耦合于該第一電容的第一端;第四開關(guān),包含第一端及第二端,其中該第一端用以接收第二參考電壓,該第二端耦合于該第二電容的第一端;第五開關(guān),包含第一端及第二端,其中該第一端用以接收輸入電壓,該第二端耦合于該第一電容的第二端;以及第六開關(guān),包含第一端及第二端,其中該第一端用以接收該輸入電壓,該第二端耦合于該第二電容的第二端;其中該模擬緩沖器根據(jù)該第一參考電壓及該第二參考電壓以執(zhí)行該輸出電壓的電壓補(bǔ)償。
      2. 如權(quán)利要求1所述的模擬緩沖器,還包含參考電壓產(chǎn)生器,用以產(chǎn)生 該第一參考電壓及該第二參考電壓,該參考電壓產(chǎn)生器包含第一電流源,包含第一端及第二端,其中該第一端用以接收第三供應(yīng)電壓;第二電流源,包含第一端及第二端,其中該第一端用以接收第四供應(yīng)電壓; 第一補(bǔ)償二極管,包含正極端及負(fù)極端,其中該正極端耦合于該第一電 流源的第二端,該正極端用以輸出該第一參考電壓;以及第二補(bǔ)償二極管,包含正極端及負(fù)極端,其中該正極端耦合于該第一補(bǔ) 償二極管的負(fù)極端,該負(fù)極端耦合于該第二電流源的第二端,該負(fù)極端用以 輸出該第二參考電壓。
      3. 如權(quán)利要求1所述的模擬緩沖器,還包含參考電壓產(chǎn)生器,用以產(chǎn)生 該第一參考電壓及該第二參考電壓,該參考電壓產(chǎn)生器包含第一電流源,包含第一端及第二端,其中該第一端用以接收第三供應(yīng)電壓;第二電流源,包含第一端及第二端,其中該第一端用以接收第四供應(yīng)電壓;N溝道金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管,包含漏極、源極及柵極,其中該漏極 耦合于該第一電流源的第二端,該柵極耦合于該漏極,該漏極用以輸出該第 一參考電壓;以及P溝道金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管,包含漏極、源極及柵極,其中該漏極 耦合于該第二電流源的第二端,該柵極耦合于該漏極,該源極耦合于該N溝 道金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管的源極,該漏極用以輸出該第二參考電壓。
      4. 如權(quán)利要求1所述的模擬緩沖器,其中該第一晶體管為N溝道金屬氧 化物半導(dǎo)體晶體管,該第二晶體管為P溝道金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管。
      5. 如權(quán)利要求1所述的模擬緩沖器,還包含第七開關(guān),包含第一端及第二端,其中該第一端耦合于該第一晶體管的 柵極,該第二端耦合于該第一晶體管的源極;第八開關(guān),包含第一端及第二端,其中該第一端耦合于該第二晶體管的 柵極,該第二端耦合于該第二晶體管的源極;第九開關(guān),包含第一端及第二端,其中該第一端耦合于該第一電容的第 一端,該第二端耦合于該第一晶體管的柵極;以及第十開關(guān),包含第一端及第二端,其中該第一端耦合于該第二電容的第 一端,該第二端耦合于該第二晶體管的柵極;其中該第一開關(guān)至該第四開關(guān)的導(dǎo)通截止?fàn)顟B(tài)受控于第一控制信號,該第五開關(guān)及該第六開關(guān)的導(dǎo)通截止?fàn)顟B(tài)受控于第二控制信號,該第九開關(guān)及 該第十開關(guān)的導(dǎo)通截止?fàn)顟B(tài)受控于第一使能控制信號,該第七開關(guān)及該第八 開關(guān)的導(dǎo)通截止?fàn)顟B(tài)受控于第二使能控制信號。
      6. —種具有電壓補(bǔ)償機(jī)制的模擬緩沖器,包含第一晶體管,包含漏極、源極及柵極,其中該漏極用以接收第一供應(yīng)電 壓,該源極用以輸出輸出電壓;第二晶體管,包含漏極、源極及柵極,其中該漏極用以接收第二供應(yīng)電壓,該源極耦合于該第一晶體管的源極;第一電容,包含第一端及第二端,其中該第一端耦合于該第一晶體管的 柵極;第二電容,包含第一端及第二端,其中該第一端耦合于該第二晶體管的 柵極;第一開關(guān),包含第一端及第二端,其中該第一端耦合于該第一電容的第 二端,該第二端耦合于該第一晶體管的源極;第二開關(guān),包含第一端及第二端,其中該第一端耦合于該第二電容的第 二端,該第二端耦合于該第二晶體管的源極;第三開關(guān),包含第一端及第二端,其中該第一端用以接收第一參考電壓, 該第二端耦合于該第一電容的第一端;第四開關(guān),包含第一端及第二端,其中該第一端用以接收第二參考電壓, 該第二端耦合于該第二電容的第一端;第五開關(guān),包含第一端及第二端,其中該第一端用以接收輸入電壓,該 第二端耦合于該第一電容的第二端;第六開關(guān),包含第一端及第二端,其中該第一端用以接收該輸入電壓, 該第二端耦合于該第二電容的第二端;第三電容,包含第一端及第二端,其中該第一端耦合于該第一晶體管的 柵極;第四電容,包含第一端及第二端,其中該第一端耦合于該第二晶體管的 柵極;第七開關(guān),包含第一端及第二端,其中該第一端耦合于該第五開關(guān)的第 一端,該第二端耦合于該第三電容的第二端;第八開關(guān),包含第一端及第二端,其中該第一端耦合于該第六開關(guān)的第 一端,該第二端耦合于該第四電容的第二端;第九開關(guān),包含第一端及第二端,其中該第一端耦合于該第三電容的第二端,該第二端耦合于該第一晶體管的源極;以及第十開關(guān),包含第一端及第二端,其中該第一端耦合于該第四電容的第 二端,該第二端耦合于該第二晶體管的源極;其中該模擬緩沖器根據(jù)該第一參考電壓及該第二參考電壓以執(zhí)行該輸出 電壓的電壓補(bǔ)償。
      7. 如權(quán)利要求6所述的模擬緩沖器,還包含參考電壓產(chǎn)生器,用以產(chǎn)生 該第一參考電壓及該第二參考電壓,該參考電壓產(chǎn)生器包含第一電流源,包含第一端及第二端,其中該第一端用以接收第三供應(yīng)電壓;第二電流源,包含第一端及第二端,其中該第一端用以接收第四供應(yīng)電壓;第一補(bǔ)償二極管,包含正極端及負(fù)極端,其中該正極端耦合于該第一電 流源的第二端,該正極端用以輸出該第一參考電壓;以及第二補(bǔ)償二極管,包含正極端及負(fù)極端,其中該正極端耦合于該第一補(bǔ) 償二極管的負(fù)極端,該負(fù)極端耦合于該第二電流源的第二端,該負(fù)極端用以 輸出該第二參考電壓。
      8. 如權(quán)利要求6所述的模擬緩沖器,還包含參考電壓產(chǎn)生器,用以產(chǎn)生 該第一參考電壓及該第二參考電壓,該參考電壓產(chǎn)生器包含第一電流源,包含第一端及第二端,其中該第一端用以接收第三供應(yīng)電壓;第二電流源,包含第一端及第二端,其中該第一端用以接收第四供應(yīng)電壓;N溝道金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管,包含漏極、源極及柵極,其中該漏極 耦合于該第一電流源的第二端,該柵極耦合于該漏極,該漏極用以輸出該第 一參考電壓;以及P溝道金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管,包含漏極、源極及柵極,其中該漏極 耦合于該第二電流源的第二端,該柵極耦合于該漏極,該源極耦合于該N溝道金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管的源極,該漏極用以輸出該第二參考電壓。
      9. 如權(quán)利要求6所述的模擬緩沖器,其中該第一晶體管為N溝道金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管,該第二晶體管為p溝道金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管。
      10. 如權(quán)利要求6所述的模擬緩沖器,還包含第十一開關(guān),包含第一端及第二端,其中該第一端耦合于該第一電容的第二端,該第二端耦合于該第二電容的第二端;其中該第一開關(guān)至該第四開關(guān)的導(dǎo)通截止?fàn)顟B(tài)受控于第一控制信號,該 第五開關(guān)、該第六開關(guān)、該第九開關(guān)及該第十開關(guān)的導(dǎo)通截止?fàn)顟B(tài)受控于第 二控制信號,該第七開關(guān)、該第八開關(guān)及該第十一開關(guān)的導(dǎo)通截止?fàn)顟B(tài)受控 于第三控制信號。
      11. 如權(quán)利要求6所述的模擬緩沖器,還包含第十一開關(guān),包含第一端及第二端,其中該第一端耦合于該第一晶體管的柵極,該第二端耦合于該第一晶體管的源極;第十二開關(guān),包含第一端及第二端,其中該第一端耦合于該第二晶體管 的柵極,該第二端耦合于該第二晶體管的源極;第十三開關(guān),包含第一端及第二端,其中該第一端耦合于該第一電容的 第一端,該第二端耦合于該第一晶體管的柵極;以及第十四開關(guān),包含第一端及第二端,其中該第一端耦合于該第二電容的 第一端,該第二端耦合于該第二晶體管的柵極;其中該第一開關(guān)至該第四開關(guān)的導(dǎo)通截止?fàn)顟B(tài)受控于第一控制信號,該 第五開關(guān)、該第六開關(guān)、該第九開關(guān)及該第十開關(guān)的導(dǎo)通截止?fàn)顟B(tài)受控于第 二控制信號,該第七開關(guān)及該第八開關(guān)的導(dǎo)通截止?fàn)顟B(tài)受控于第三控制信號, 該第十三開關(guān)及該第十四開關(guān)的導(dǎo)通截止?fàn)顟B(tài)受控于第一使能控制信號,該 第十一開關(guān)及該第十二開關(guān)的導(dǎo)通截止?fàn)顟B(tài)受控于第二使能控制信號。
      12. 如權(quán)利要求ll所述的模擬緩沖器,還包含第十五開關(guān),包含第一端及第二端,其中該第一端耦合于該第一電容的 第二端,該第二端耦合于該第二電容的第二端;其中該第十五開關(guān)的導(dǎo)通截止?fàn)顟B(tài)受控于該第三控制信號。
      13. —種具有電壓補(bǔ)償機(jī)制的模擬緩沖器,包含第一晶體管,包含漏極、源極及柵極,其中該漏極用以接收第一供應(yīng)電壓,該源極用以輸出輸出電壓;第二晶體管,包含漏極、源極及柵極,其中該漏極用以接收第二供應(yīng)電 壓,該源極耦合于該第一晶體管的源極;第一電容,包含第一端及第二端,其中該第一端耦合于該第一晶體管的柵極;第二電容,包含第一端及第二端,其中該第一端耦合于該第二晶體管的 柵極;第一開關(guān),包含第一端及第二端,其中該第一端耦合于該第一電容的第 二端,該第二端耦合于該第一晶體管的源極;第二開關(guān),包含第一端及第二端,其中該第一端耦合于該第二電容的第 二端,該第二端耦合于該第二晶體管的源極;第三開關(guān),包含第一端及第二端,其中該第一端用以接收第一參考電壓, 該第二端耦合于該第一電容的第一端;第四開關(guān),包含第一端及第二端,其中該第一端用以接收第二參考電壓, 該第二端耦合于該第二電容的第一端;第五開關(guān),包含第一端及第二端,其中該第一端用以接收輸入電壓,該 第二端耦合于該第一電容的第二端;第六開關(guān),包含第一端及第二端,其中該第一端用以接收該輸入電壓, 該第二端耦合于該第二電容的第二端;第三晶體管,包含漏極、源極及柵極,其中該漏極用以接收第三供應(yīng)電 壓,該源極耦合于該第一晶體管的源極;第四晶體管,包含漏極、源極及柵極,其中該漏極用以接收第四供應(yīng)電 壓,該源極耦合于該第二晶體管的源極;第七開關(guān),包含第一端及第二端,其中該第一端耦合于該第三晶體管的 柵極,該第二端耦合于該第三晶體管的源極;第八開關(guān),包含第一端及第二端,其中該第一端耦合于該第四晶體管的 柵極,該第二端耦合于該第四晶體管的源極;第九開關(guān),包含第一端及第二端,其中該第一端耦合于該第一晶體管的 柵極,該第二端耦合于該第三晶體管的柵極;以及第十開關(guān),包含第一端及第二端,其中該第一端耦合于該第二晶體管的柵極,該第二端耦合于該第四晶體管的柵極;其中該模擬緩沖器根據(jù)該第一參考電壓及該第二參考電壓以執(zhí)行該輸出 電壓的電壓補(bǔ)償。
      14. 如權(quán)利要求13所述的模擬緩沖器,還包含參考電壓產(chǎn)生器,用以產(chǎn) 生該第一參考電壓及該第二參考電壓,該參考電壓產(chǎn)生器包含第一電流源,包含第一端及第二端,其中該第一端用以接收第五供應(yīng)電壓;第二電流源,包含第一端及第二端,其中該第一端用以接收第六供應(yīng)電壓,-第一補(bǔ)償二極管,包含正極端及負(fù)極端,其中該正極端耦合于該第一電流源的第二端,用以輸出該第一參考電壓;以及第二補(bǔ)償二極管,包含正極端及負(fù)極端,其中該正極端耦合于該第一補(bǔ) 償二極管的負(fù)極端,該負(fù)極端耦合于該第二電流源的第二端,用以輸出該第 二參考電壓。
      15. 如權(quán)利要求13所述的模擬緩沖器,還包含參考電壓產(chǎn)生器,用以產(chǎn) 生該第一參考電壓及該第二參考電壓,該參考電壓產(chǎn)生器包含第一電流源,包含第一端及第二端,其中該第一端用以接收第五供應(yīng)電壓;第二電流源,包含第一端及第二端,其中該第一端用以接收第六供應(yīng)電壓;N溝道金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管,包含漏極、源極及柵極,其中該漏極 耦合于該第一電流源的第二端,該柵極耦合于該漏極,該漏極用以輸出該第 一參考電壓;以及P溝道金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管,包含漏極、源極及柵極,其中該漏極 耦合于該第二電流源的第二端,該柵極耦合于該漏極,該源極耦合于該N溝 道金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管的源極,該漏極用以輸出該第二參考電壓。
      16. 如權(quán)利要求13所述的模擬緩沖器,其中該第一晶體管及該第三晶體 管為N溝道金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管,該第二晶體管及該第四晶體管為P溝 道金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管。
      17. 如權(quán)利要求13所述的模擬緩沖器,還包含第十一開關(guān),包含第一端及第二端,其中該第一端耦合于該第一晶體管 的柵極,該第二端耦合于該第一晶體管的源極;第十二開關(guān),包含第一端及第二端,其中該第一端耦合于該第二晶體管的柵極,該第二端耦合于該第二晶體管的源極;第十三開關(guān),包含第一端及第二端,其中該第一端耦合于該第一電容的第一端,該第二端耦合于該第一晶體管的柵極;以及第十四開關(guān),包含第一端及第二端,其中該第一端耦合于該第二電容的 第一端,該第二端耦合于該第二晶體管的柵極;其中該第一開關(guān)至該第四開關(guān)的導(dǎo)通截止?fàn)顟B(tài)受控于第一控制信號,該 第五開關(guān)及該第六開關(guān)的導(dǎo)通截止?fàn)顟B(tài)受控于第二控制信號,該第十三開關(guān) 及該第十四開關(guān)的導(dǎo)通截止?fàn)顟B(tài)受控于第一使能控制信號,該第十一開關(guān)及 該第十二開關(guān)的導(dǎo)通截止?fàn)顟B(tài)受控于第二使能控制信號,該第九開關(guān)及該第 十開關(guān)的導(dǎo)通截止?fàn)顟B(tài)受控于第三使能控制信號,該第七開關(guān)及該第八開關(guān) 的導(dǎo)通截止?fàn)顟B(tài)受控于第四使能控制信號。
      18. —種具有電壓補(bǔ)償機(jī)制的模擬緩沖器,包含第一晶體管,包含漏極、源極及柵極,其中該漏極用以接收第一供應(yīng)電 壓,該源極用以輸出輸出電壓;第二晶體管,包含漏極、源極及柵極,其中該漏極用以接收第二供應(yīng)電 壓,該源極耦合于該第一晶體管的源極;第一電容,包含第一端及第二端,其中該第一端耦合于該第一晶體管的 柵極;第二電容,包含第一端及第二端,其中該第一端耦合于該第二晶體管的 柵極;第一開關(guān),包含第一端及第二端,其中該第一端耦合于該第一電容的第 二端,該第二端耦合于該第一晶體管的源極;第二開關(guān),包含第一端及第二端,其中該第一端耦合于該第二電容的第 二端,該第二端耦合于該第二晶體管的源極;第三開關(guān),包含第一端及第二端,其中該第一端用以接收第一參考電壓, 該第二端耦合于該第一電容的第一端;第四開關(guān),包含第一端及第二端,其中該第一端用以接收第二參考電壓,該第二端耦合于該第二電容的第一端;第五開關(guān),包含第一端及第二端,其中該第一端用以接收輸入電壓,該第二端耦合于該第一電容的第二端;第六開關(guān),包含第一端及第二端,其中該第一端用以接收該輸入電壓,該第二端耦合于該第二電容的第二端;第三電容,包含第一端及第二端,其中該第一端耦合于該第一晶體管的 柵極;第四電容,包含第一端及第二端,其中該第一端耦合于該第二晶體管的 柵極;第七開關(guān),包含第一端及第二端,其中該第一端耦合于該第五開關(guān)的第 一端,該第二端耦合于該第三電容的第二端;第八開關(guān),包含第一端及第二端,其中該第一端耦合于該第六開關(guān)的第 一端,該第二端耦合于該第四電容的第二端;第九開關(guān),包含第一端及第二端,其中該第一端耦合于該第三電容的第 二端,該第二端耦合于該第一晶體管的源極;第十開關(guān),包含第一端及第二端,其中該第一端耦合于該第四電容的第 二端,該第二端耦合于該第二晶體管的源極;第三晶體管,包含漏極、源極及柵極,其中該漏極用以接收第三供應(yīng)電 壓,該源極耦合于該第一晶體管的源極;第四晶體管,包含漏極、源極及柵極,其中該漏極用以接收第四供應(yīng)電 壓,該源極耦合于該第二晶體管的源極;第十一開關(guān),包含第一端及第二端,其中該第一端耦合于該第三晶體管 的柵極,該第二端耦合于該第三晶體管的源極;第十二開關(guān),包含第一端及第二端,其中該第一端耦合于該第四晶體管 的柵極,該第二端耦合于該第四晶體管的源極;第十三開關(guān),包含第一端及第二端,其中該第一端耦合于該第一晶體管 的柵極,該第二端耦合于該第三晶體管的柵極;以及第十四開關(guān),包含第一端及第二端,其中該第一端耦合于該第二晶體管 的柵極,該第二端耦合于該第四晶體管的柵極;其中該模擬緩沖器根據(jù)該第一參考電壓及該第二參考電壓以執(zhí)行該輸出電壓的電壓補(bǔ)償。
      19. 如權(quán)利要求18所述的模擬緩沖器,還包含參考電壓產(chǎn)生器,用以產(chǎn) 生該第一參考電壓及該第二參考電壓,該參考電壓產(chǎn)生器包含第一電流源,包含第一端及第二端,其中該第一端用以接收第五供應(yīng)電壓;第二電流源,包含第一端及第二端,其中該第一端用以接收第六供應(yīng)電壓;第一補(bǔ)償二極管,包含正極端及負(fù)極端,其中該正極端耦合于該第一電 流源的第二端,用以輸出該第一參考電壓;以及第二補(bǔ)償二極管,包含正極端及負(fù)極端,其中該正極端耦合于該第一補(bǔ) 償二極管的負(fù)極端,該負(fù)極端耦合于該第二電流源的第二端,用以輸出該第 二參考電壓。
      20. 如權(quán)利要求18所述的模擬緩沖器,還包含參考電壓產(chǎn)生器,用以產(chǎn) 生該第一參考電壓及該第二參考電壓,該參考電壓產(chǎn)生器包含第一電流源,包含第一端及第二端,其中該第一端用以接收第五供應(yīng)電壓;第二電流源,包含第一端及第二端,其中該第一端用以接收第六供應(yīng)電壓;N溝道金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管,包含漏極、源極及柵極,其中該漏極 耦合于該第一電流源的第二端,該柵極耦合于該漏極,該漏極用以輸出該第 一參考電壓;以及P溝道金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管,包含漏極、源極及柵極,其中該漏極 耦合于該第二電流源的第二端,該柵極耦合于該漏極,該源極耦合于該N溝道金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管的源極,該漏極用以tr出該第二參考電壓。
      21. 如權(quán)利要求18所述的模擬緩沖器,其中該第一晶體管及該第三晶體 管為N溝道金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管,該第二晶體管及該第四晶體管為P溝 道金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管。
      22. 如權(quán)利要求18所述的模擬緩沖器,還包含第十五開關(guān),包含第一端及第二端,其中該第一端耦合于該第一電容的 第二端,該第二端耦合于該第二電容的第二端;其中該第一開關(guān)至該第四開關(guān)的導(dǎo)通截止?fàn)顟B(tài)受控于第一控制信號,該 第五開關(guān)、該第六開關(guān)、第九開關(guān)及第十開關(guān)的導(dǎo)通截止?fàn)顟B(tài)受控于第二控 制信號,第七開關(guān)、第八開關(guān)及第十五開關(guān)的導(dǎo)通截止?fàn)顟B(tài)受控于第三控制 信號,該第十三開關(guān)及該第十四開關(guān)的導(dǎo)通截止?fàn)顟B(tài)受控于第三使能控制信 號,該第十一開關(guān)及該第十二開關(guān)的導(dǎo)通截止?fàn)顟B(tài)受控于第四使能控制信號。
      23. 如權(quán)利要求18所述的模擬緩沖器,還包含第十五開關(guān),包含第一端及第二端,其中該第一端耦合于該第一晶體管 的柵極,該第二端耦合于該第一晶體管的源極;第十六開關(guān),包含第一端及第二端,其中該第一端耦合于該第二晶體管的柵極,該第二端耦合于該第二晶體管的源極;第十七開關(guān),包含第一端及第二端,其中該第一端耦合于該第一電容的 第一端,該第二端耦合于該第一晶體管的柵極;以及第十八開關(guān),包含第一端及第二端,其中該第一端耦合于該第二電容的 第一端,該第二端耦合于該第二晶體管的柵極;其中該第一開關(guān)至該第四開關(guān)的導(dǎo)通截止?fàn)顟B(tài)受控于第一控制信號,該 第五開關(guān)、該第六開關(guān)、第九開關(guān)及第十開關(guān)的導(dǎo)通截止?fàn)顟B(tài)受控于第二控 制信號,第七開關(guān)及第八開關(guān)的導(dǎo)通截止?fàn)顟B(tài)受控于第三控制信號,該第十 七開關(guān)及該第十八開關(guān)的導(dǎo)通截止?fàn)顟B(tài)受控于第一使能控制信號,該第十五 開關(guān)及該第十六開關(guān)的導(dǎo)通截止?fàn)顟B(tài)受控于第二使能控制信號,該第十三開 關(guān)及該第十四開關(guān)的導(dǎo)通截止?fàn)顟B(tài)受控于第三使能控制信號,該第十一開關(guān) 及該第十二開關(guān)的導(dǎo)通截止?fàn)顟B(tài)受控于第四使能控制信號。
      24. 如權(quán)利要求23所述的模擬緩沖器,還包含第十九開關(guān),包含第一端及第二端,其中該第一端耦合于該第一電容的 第二端,該第二端耦合于該第二電容的第二端;其中該第十九開關(guān)的導(dǎo)通截止?fàn)顟B(tài)受控于該第三控制信號。
      全文摘要
      一種可用于液晶顯示裝置的源極驅(qū)動電路的具有電壓補(bǔ)償機(jī)制的模擬緩沖器,此種模擬緩沖器包含參考電壓產(chǎn)生器、多個電容、多個開關(guān)及多個晶體管。通過參考電壓產(chǎn)生器所提供的參考電壓,每一個電容可儲存相對應(yīng)導(dǎo)通晶體管的柵源極電壓,用以執(zhí)行柵源極電壓補(bǔ)償操作。每一個開關(guān)根據(jù)對應(yīng)控制信號控制其導(dǎo)通截止?fàn)顟B(tài),進(jìn)而控制柵源極電壓補(bǔ)償操作。所以本發(fā)明模擬緩沖器具有補(bǔ)償導(dǎo)通晶體管柵源極電壓的功能,用以將輸出電壓相對于輸入電壓的誤差降低至可容許的微小偏移量。此外,本發(fā)明能減少模擬緩沖器的功率損耗,提供更精準(zhǔn)的輸出電壓,并使得模擬緩沖器的電路工作于更高速的信號電壓處理。
      文檔編號G09G3/36GK101267203SQ20081009623
      公開日2008年9月17日 申請日期2008年5月6日 優(yōu)先權(quán)日2008年5月6日
      發(fā)明者白承丘, 陳忠君 申請人:友達(dá)光電股份有限公司
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