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      等離子顯示裝置的制作方法

      文檔序號:2539700閱讀:174來源:國知局
      專利名稱:等離子顯示裝置的制作方法
      技術(shù)領(lǐng)域
      本發(fā)明為等離子顯示裝置相關(guān)發(fā)明。
      技術(shù)背景等離子顯示裝置包括等離子顯示板。等離子顯示板包括形成在由障壁劃分的放電串(Cell)內(nèi)的熒光體層,同時形成多個 電極(Electrode)。向等離子顯示板的電極提供驅(qū)動信號,則放電串內(nèi)通過提供的驅(qū)動信號產(chǎn)生放電。 其中,放電串內(nèi)通過驅(qū)動信號而產(chǎn)生放電時,充入放電串內(nèi)的放電氣體釋放真空紫外線 (VacuumUltravioletrays),通過這種真空紫外線,在等離子顯示板的畫面上顯示影像。 發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明為防止發(fā)生誤放電,提高對比度(Contrast)特性及驅(qū)動效率的等離子顯示裝置 相關(guān)發(fā)明。本發(fā)明的等離子顯示裝置包括等離子顯示板和驅(qū)動部;等離子顯示板包括配置互相 并排的掃描電極和維持電極的前面基板和;與前面基板對置配置的后面基板;及配置在 前面基板和后面基板之間,包含熒光體材質(zhì)和添加物材質(zhì)的熒光體層;驅(qū)動部在幀 (Frame)的多個子字段(Sub-Fidd)當(dāng)中至少一個子字段的重置期間內(nèi),向掃描電極提供包 括電壓逐漸上升的上斜信號和電壓逐漸下降的下斜信號的第1重置信號,在其余子字段 當(dāng)中至少一個子字段的重置期間內(nèi),向掃描電極提供不包括電壓逐漸上升的上斜信號的 第2重置信號。而且,將第1重置信號提供的子字段稱為第1子字段,將第2重置信號提供的子字段 稱為第2子字段時,第1子字段的色調(diào)加權(quán)值可以比第2子字段的色調(diào)加權(quán)值更小。 而且,添加物材質(zhì)可以是氧化鎂材質(zhì)、氧化鋅材質(zhì)、氧化硅材質(zhì)、氧化鈦材質(zhì)、氧化釔材 質(zhì)、氧化鋁材質(zhì)、氧化鑭材質(zhì)、氧化銪材質(zhì)、氧化鈷材質(zhì)、氧化鐵材質(zhì)或CNT (CarbonNanoTube)材質(zhì)當(dāng)中至少一個。而且,添加物材質(zhì)的顆粒當(dāng)中的至少一個配置在熒光體層表面上。 而且,可以在熒光體層和后面基板之間再配置下部電介質(zhì)層,添加物材質(zhì)的顆粒當(dāng)中 的至少一個可以配置在熒光體層和下部電介質(zhì)層之間。而且,添加物材質(zhì)的含量對熒光體層的體積的比率為2~40%。 而且,添加物材質(zhì)的含量對熒光體層的體積的比率為6~27%。而且,熒光體層包括釋放紅光的第1熒光體層、釋放藍(lán)色光的第2熒光體層及釋放綠色光的第3熒光體層,同時第l熒光體層,第2熒光體層或第3熒光體層當(dāng)中的至少 一個可以省略添加物材質(zhì)。而且,本發(fā)明另一實例的等離子顯示裝置包括等離子顯示板和驅(qū)動部;等離子顯示板 包括配置掃描電極的前面基板;與前面基板對置配置的后面基板;及配置在前面基板和 后面基板之間,包括熒光體材質(zhì)和添加物材質(zhì)的熒光體層;驅(qū)動部在幀(Frame)的多個子 字段(Sub-Fidd)當(dāng)中至少一個子字段的重置期間內(nèi),向掃描電極提供最大電壓為第1電 壓的第l重置信號,其余子字段中至少一個子字段的重置期間內(nèi),向掃描電極提供最大 電壓為與第1電壓不同的第2電壓的第2重置信號。有益效果本發(fā)明的等離子顯示裝置防止發(fā)生誤放電,提高對比度特性及驅(qū)動效率, 具有改善影像畫質(zhì)的效果。


      圖1為介紹本發(fā)明一實例的等離子顯示裝置的組成的圖片。 圖2為介紹等離子顯示板結(jié)構(gòu)的圖片。圖3為介紹本發(fā)明的一實例的等離子顯示裝置中,體現(xiàn)影像色調(diào)的幀(Frame)的圖片。 圖4為介紹本發(fā)明一實例的等離子顯示裝置操作一例的圖片。 圖5為介紹第1重置信號及第2重置信號的圖片。圖6為介紹第1子字段的重置期間長度和,第2子字段的重置期間長度的圖片。 圖7為介紹第1重置信號和第2重置信號的另一實例的圖片。 圖8為介紹熒光體層的圖片。圖9為包含添加物材質(zhì)的顆粒的熒光體層的制造方法的一例的圖片。圖10至圖11為進(jìn)一步具體介紹添加物材質(zhì)的效果的圖片。圖12為介紹添加物材質(zhì)的含量的圖片。圖13為介紹添加物材質(zhì)顆粒的粒度的圖片。圖14為介紹熒光體層的另一結(jié)構(gòu)一例的圖片。圖15為介紹熒光體層的制造方法又一例的圖片。圖16為介紹選擇性使用添加物材質(zhì)的方法的圖片。圖17a顯示了熒光體組成物中,隨著粘合劑含量變化的碳含量的數(shù)據(jù)。圖17a所示的數(shù) 據(jù)為,圖17a至圖17b為介紹熒光體組成物的碳含量及其亮度特性的圖片。 圖18a至圖18b為介紹熒光體組成物中粘合劑和熒光體粉末比率的圖片。
      具體實施例方式以下,參照附加的圖片,具體介紹本發(fā)明的等離子顯示裝置的實例。圖1為介紹本發(fā)明一實例的等離子顯示裝置的組成的圖片。分析圖1,本發(fā)明一實例的等離子顯示裝置包括等離子顯示板100和驅(qū)動部110。 等離子顯示板100包括互相并排的掃描電極(Yl Yn)和維持電極(Zl Zn),同時與掃描電 極及維持電極交叉的尋址電極(Xl Xm)。驅(qū)動部110向等離子顯示板100的掃描電極,向維持電極或?qū)ぶ冯姌O當(dāng)中的至少一 個提供驅(qū)動信號,以此能夠在等離子顯示板100畫面顯示影像。其中,圖1中,顯示了驅(qū)動部110由一個板(Board)形式的例子,本發(fā)明中驅(qū)動部110 可以根據(jù)形成在等離子顯示板100的電極,分為多個板形式。例如,驅(qū)動部110可以分 為驅(qū)動等離子顯示板100的掃描電極的第1驅(qū)動部(圖中沒有顯示)、和驅(qū)動維持電極的 第2驅(qū)動部和、驅(qū)動尋址電極的第3驅(qū)動部(圖中沒有顯示)。圖2為介紹等離子顯示板結(jié)構(gòu)的圖片。分析圖2,則等離子顯示板100可以包括形成互相并排的掃描電極(202, Y)和維持 電極(203, Z)的前面基板201,和形成與掃描電極(202, Y)及維持電極(203, Z)交叉的尋 址電極(213, X)的后面基板211??梢栽谛纬蓲呙桦姌O(202, Y)和維持電極(203, Z)的前面基板201上部,形成限制 掃描電極(202, Y)及維持電極(203, Z)的放電電流,同時使掃描電極(202, Y)和維持電 極(203, Z)之間絕緣的上部電介質(zhì)層204??梢栽谏喜侩娊橘|(zhì)層204的前面基板201上形成易化放電條件的保護(hù)層205。這種 保護(hù)層205可以包含二次電子釋放系數(shù)高的材料,例如氧化鎂(MgO)材質(zhì)。而且,后面基板211上配置電極,例如尋址電極(2B, X),可以在這種配置尋址電 極(213, X)的后面基板211上形成覆蓋尋址電極(213, X),并使尋址電極(213, X)絕緣 的下部電介質(zhì)層215。下部電介質(zhì)層215的上部可以形成劃分放電空間即放電串的條形(StripeType),井形 (WellType),三角形(DeltaType),蜂窩形等障壁212。由此,可以在前面基板201和后面 基板211之間形成釋放紅色(Red:R)光的第1放電串,釋放藍(lán)色(Blue:B)光的第2放電串 及釋放綠色(Blue:B)光的第3放電串。而且,除了第1, 2, 3放電串之外,可以再配置釋放白色(White:W)或黃色(Yellow:Y) 的第4放電串。同時,第l, 2, 3放電串的寬度可以實際相同,也可以將第l放電串,第2放電串 及第3放電串當(dāng)中的一個以上的放電串的寬度設(shè)為與其他放電串寬度不同。例如,可以設(shè)為釋放紅色(R)光的第1放電串的寬度最小,使釋放綠色(G)光的第3 放電串及釋放藍(lán)色(B)光的第1放電串寬度大于釋放紅色(R)光的第1放電串的寬度。則可以提高所顯現(xiàn)的影像的色溫特性。第2放電串的寬度可以與第3放電串的寬度實際相 同或不同。而且,不僅可以采用圖2所示的障壁212結(jié)構(gòu),也可以采用多種形狀的障壁結(jié)構(gòu)。 例如,障壁212包括第1障壁212b和第2障壁212a。在此可以采用,第1障壁212b 高度與第2障壁212a高度互不相同的差分型障壁結(jié)構(gòu)。在第l障壁212a或第2障壁212b 當(dāng)中至少任一個以上障壁形成可作為排氣通道的頻道(Channel)的頻道型障壁結(jié)構(gòu),第1 障壁212b或第2障壁212a當(dāng)中至少任一個以上障壁形成槽(Hollow)的槽形障壁結(jié)構(gòu)。其中,如果采用差分型障壁則第1障壁212b的高度可以比第2障壁212a的高度更 低。同時,如果采用頻道型障壁結(jié)構(gòu),則可以在第1障壁212b上形成頻道或槽。而且,圖示和介紹了第l, 2, 3放電串分別在同一個線上的例子,但是也可以采用 其他方式排列。比如第l, 2, 3放電串以三角形排列的三角洲(Delta)型的排列。放電串 的形狀也同樣,不僅可以采取四角形,也可以采取五角形,六角形等多種多角形狀。而且,在此圖2中只顯示了障壁212形成在后面基板211上的例子,障壁212形成 在前面基板201或后面基板211當(dāng)中的至少一個上。在此,由障壁212劃分的放電串內(nèi)最好充入指定的放電氣體。同時,可以在由障壁112劃分的放電串內(nèi)形成尋址放電時釋放顯示圖像的可見光的 熒光體層214。例如,可以形成釋放紅光的第1熒光體層,釋放藍(lán)色光的第2熒光體層 及釋放綠色光的第3熒光體層。而且,除了第l, 2, 3熒光體之外,還可以再形成釋放白色(White:W)及/或黃色 (Yellow:Y)光的第4熒光體層。而且,第l, 2, 3熒光體層的厚度可以與其他熒光體層不同。例如,第2熒光體層 或第3熒光體層的厚度可以比第1熒光體層厚度更厚。在此,第2熒光體層的厚度可以 與第3熒光體層的厚度實際相同或不同。以上以上介紹中只顯示了編號204的上部電介質(zhì)層及編號215的下部電介質(zhì)層分別 為一個層(Layer)的例子,但是這種電介質(zhì)層及下部電介質(zhì)層當(dāng)中可以至少一個是由多個 層組成。同時,為了防止編號212的障壁引起的外光反射,可以在障壁212的上部增設(shè)可以 吸收外光的黑色層(圖中未顯示)。而且,也可以在與障壁212對應(yīng)的前面基板201上的特定位置增設(shè)黑色層(圖中未顯示)。而且,形成在后面基板211上的尋址電極213的寬或厚度可以是一定值,但是放電 串內(nèi)的寬或厚度可以與放電串外部的寬或厚度不同。例如,放電串內(nèi)部的寬或厚度大于放電串外部的寬或厚度。圖3為介紹本發(fā)明的一實例的等離子顯示裝置中,體現(xiàn)影像色調(diào)的幀(Frame)的圖片。 首先分析圖3,則在本發(fā)明一實例的等離子顯示裝置中,體現(xiàn)影像的色調(diào)(GrayLevel)的 影像幀分為發(fā)光次數(shù)不同的子字段。同時,雖然圖中未顯示,多個子字段當(dāng)中一個以上的子字段可以再分為初始化所有 放電串的重置期間(ResetPeriod),選擇將要放電的放電串的尋址期間(AddressPeriod)及根 據(jù)放電次數(shù)體現(xiàn)色調(diào)的維持期間(SustainPeriod)。例如,如圖3所示,在以256色調(diào)顯示圖像時一個影像幀分為8個子字段(SF1至SF8), 8個子字段(SF1至SF8)再分別分為重置期間,尋址期間及維持期間。同時,可以通過調(diào)節(jié)提供給維持期間的維持信號個數(shù),設(shè)定相應(yīng)子字段的色調(diào)加權(quán) 值。B卩,可以利用維持期間為各個子字段設(shè)定一定的色調(diào)加權(quán)值。例如,可以采用將第 1子字段的色調(diào)加權(quán)值設(shè)為2Q,將第2子字段的色調(diào)加權(quán)值設(shè)為2i的方法,決定各子字 段的色調(diào)加權(quán)值,從而使各個子字段的色調(diào)加權(quán)值以2n(但是,n=0, 1, 2, 3, 4, 5, 6, 7)的比率增加。如此,可以在各個子字段中根據(jù)色調(diào)加權(quán)值調(diào)節(jié)在各個子字段的維持期 間供應(yīng)的維持信號的個數(shù),從而體現(xiàn)多樣的影像色調(diào)。本發(fā)明的一實例的等離子顯示裝置為了顯示1秒的影像,比如為顯示1秒的影像, 采用多個影像幀。例如,為顯示l秒的影像,采用60個幀。此時, 一個幀的長度可以 是1/60秒,即16.67ms。其中,圖3只顯示和介紹了一個影像幀分為8個子字段的例子,但是可以與其不同, 可以多樣變更組成一個幀的子字段的個數(shù)。例如,可以由第l子字段到第12子字段為 止的12個子字段組成一個幀,也可以由IO個子字段組成一個幀。而且,在圖3所示的一個影像幀內(nèi)各個子字段是按照色調(diào)加權(quán)值大小增加的順序排 列,但是也可以與其不同,按照色調(diào)加權(quán)值減少的順序排列,各個子字段也可以與色調(diào) 加權(quán)值無關(guān)地排列。圖4為介紹本發(fā)明一實例的等離子顯示裝置操作一例的圖片。 本發(fā)明一實例的等離子顯示裝置的驅(qū)動波形在各子字段(Sub-Fidd)中,包括重置期間,尋 址期間及維持期間。在此,等離子顯示裝置的驅(qū)動部在幀(Frame)的多個子字段(Sub-Field)當(dāng)中至少一個 子字段的重置期間內(nèi),向掃描電極提供包括電壓逐漸上升的上斜信號(RU)和電壓逐漸下 降的下斜信號(RD)的第1重置信號(RS1),在其余子字段當(dāng)中至少一個子字段的重置期 間內(nèi),向掃描電極提供不包括電壓逐漸上升的上斜信號的第2重置信號(RS1)。在此,圖4中將提供第1重置信號(RS1)的子字段稱為第1子字段,將提供第2重置信號(RS2)的子字段稱為第2子字段。即,第1子字段和第2子字段沒有依照配置子字段的時間順序,將提供第1重置信號 (RS1)的任意子字段稱為第1子字段,將提供第2重置信號(RS2)的任意子字段稱為第2 子字段。同時,第1重置信號(RS1)提供的第1子字段的色調(diào)加權(quán)值,最好比第2重置信號(RS2) 所提供的第2子字段的色調(diào)加權(quán)值更小。第1重置信號(RS1)起到初始化所有放電串的作用,第2重置信號(RS2)只對之前子 字段中選擇的放電串進(jìn)行初始化,因此第1重置信號(RS1)的最大電壓即第3電壓(V3), 最好比第2重置信號的最大電壓即第12電壓(V12)更大。繼續(xù)分析圖4,則第l子字段(Sub-Fieldl)中進(jìn)行初始化的重置期間內(nèi),可以向掃描 電極(Y)提供第1重置信號(RS1)。第1重置信號可以包括上斜信號(RU)和下斜信號(RD)。 如果向掃描電極提供上斜信號,則放電串內(nèi)通過上斜信號發(fā)生弱的暗放電 (DarkDischarge),即創(chuàng)建放電。通過此創(chuàng)建放電,放電串內(nèi)將積累某一程度的壁電荷 (WallCharge)。如果向掃描電極提供下斜信號,則放電串內(nèi)發(fā)生微弱的消除放電(EraseDischarge), 即記憶放電。通過此記憶放電,將在放電串內(nèi)均勻殘留可以穩(wěn)定發(fā)生尋址放電的壁電荷。 重置期間內(nèi),向掃描電極提供上斜信號的期間內(nèi),可以向?qū)ぶ冯姌O(X)提供尋址偏置信 號(X-bias)。貝U,向掃描電極提供上斜信號的期間內(nèi),減少掃描電極和尋址電極之間的 電壓差異,由此可以防止創(chuàng)建放電過度引向?qū)ぶ冯姌O方向。則可以抑制熒光體層劣化, 抑制殘像的發(fā)生。而且,向掃描電極提供下斜信號的期間內(nèi),可以向維持電極(Z)提供維持偏置信號 (Vzb)。貝IJ,可以穩(wěn)定發(fā)生放電。在重置期間之后的尋址期間,可以向掃描電極提供比下斜信號的最低電壓更高的掃 描偏置信號(Vsc)。同時,可以在尋址期間向掃描電極提供從掃描偏置信號開始下降的掃描信號。 同時,至少一個子字段的尋址期間內(nèi)向掃描電極提供的掃描信號(Scan)的脈沖寬度 可以與其他子字段中的掃描信號脈沖寬度不同。例如,在時間上位于后位的子字段中的 掃描信號寬度可以比在前面的子字段中的掃描信號寬度更小。而且,子字段排列順序的 掃描信號寬度減少可以采用2.6/^(微秒),2.3/"s, 2.1 As, 1.9//s等漸進(jìn)的方式,或采用 2.6/ (微秒),2.3/ws, 2.3/"s, 2.1......1.9//s, 1.9/"s等方式。如此,向掃描電極提供掃描信號時,可以與掃描信號對應(yīng),向?qū)ぶ冯姌O(X)提供數(shù)據(jù) 信號(Data)。提供掃描信號和數(shù)據(jù)信號,則掃描信號的電壓與數(shù)據(jù)信號的數(shù)據(jù)電壓之差將與,重 置期間內(nèi)生成的壁電荷引起的壁電壓相加,由此在供應(yīng)數(shù)據(jù)信號的放電串內(nèi)產(chǎn)生尋址放 電。在此,在尋址期間內(nèi),為了防止維持電極的干涉引起尋址放電的不穩(wěn)定,可以向維 持電極(Z提供維持偏置信號(Vzb)。維持偏置信號(Vzb)的電壓大小,可以比在尋址期間之后的維持期間內(nèi),向掃描電極 或維持電極當(dāng)中的至少一個提供的維持信號(SUS)的電壓大小(A Vs)更小。尋址期間之后的維持期間內(nèi),可以向掃描電極或維持電極當(dāng)中的至少一個提供維持 信號。例如,可以向掃描電極和維持電極交替施加維持信號。若提供這樣的維持信號,則通過尋址放電被選的放電串在隨著放電串內(nèi)壁電壓和維 持信號的維持電壓(Vs)相加而提供維持信號時,在掃描電極和維持電極之間產(chǎn)生維持放 電即顯示放電。同時,至少一個子字段中,向維持期間提供多個維持信號,多個維持信號當(dāng)中至少 一個維持信號的脈沖寬度與其他維持信號的脈沖寬度不同。例如,多個維持信號當(dāng)中, 最早提供的維持信號的脈沖寬度大于其他維持信號的脈沖寬度。貝U,可以進(jìn)一步穩(wěn)定維 持放電。以下,第2子字段中重置期間內(nèi)向掃描電極提供第2重置信號(RS2)。 第2重置信號(RS2)與第1子字段的第1重置信號(RS1)相比,省略了上斜信號。 即,第1子字段內(nèi)提供第1重置信號(RS1),已經(jīng)穩(wěn)定化壁電荷分布,因此即使第2 重置信號(RS2)的電壓大小相對小,也能穩(wěn)定進(jìn)行重置。通過附加的圖5,進(jìn)一步具體介紹第1重置信號(RS1)和第2重置信號(RS2)。 圖5為介紹第1重置信號及第2重置信號的圖片。首先分析第1重置信號(RS1),則第1重置信號(RS1)包括從第1電壓(V1)開始急劇 上升到第2電壓(V2)之后,從第2電壓(V2)逐漸上升到第3電壓(V3)為止的上斜信號 (RU)。如此,如圖4介紹,發(fā)生重置放電即弱的暗放電。而且,提供第1重置信號(RS1)的第1子字段的重置期間內(nèi)需要初始化所有串的狀 態(tài),因此第3電壓(V3)可以是能夠在所有串中發(fā)生放電的高電壓。同時,通常第3電壓(V3),可以是在維持期間內(nèi),向掃描電極提供的電壓即比維持 電壓(SUS)更高的電壓。之后,包括從第3電壓(V3)急劇下降到第4電壓(V4)之后,從第4電壓(V4)逐漸下降 到第5電壓(V5)為止的下斜信號(RD),此時發(fā)生微弱的消除放電。之后,第2重置信號(RS2)與第1重置信號(RS1)不同,從第11電壓(V11)急劇上升到 第12電壓(V12)之后,沒有提供上斜信號(RU),只包括一定期間維持第12電壓(V12)的 過程中,從第12電壓(V12)急劇下降到第13電壓(V13)之后,從第12電壓(V13)逐漸下 降到第14電壓(V14)為止的下斜信號(RD)。則提供第1重置信號(RS1)的第1子字段內(nèi),只在被選擇而進(jìn)行維持放電后的放電 串發(fā)生微弱的暗放電,沒有被選擇的放電串上則不發(fā)生放電。即,如果是在第1子字段中 選擇的串,則在掃描電極上形成(-)的壁電荷,在維持電極上(+)的壁電荷,因此如第2 重置信號(RS、2)所示,只通過提供下斜信號(RD),就能發(fā)生消除放電。因此,結(jié)束第2子字段的重置期間之后的壁電荷狀態(tài),可以與結(jié)束第l子字段的重 置期間之后的壁電荷狀態(tài)實際相同。而且,第l子字段中沒有被選擇的串,不會發(fā)生維持放電,直接維持第l子字段的重 置期間的壁電荷,因此與第2重置信號(RS2)—樣,只提供下斜信號(RD),不能在提供 上斜信號(RU)時發(fā)生暗放電。在此,第1重置信號(RS1)的最大電壓,最好比第2重置信號(RS2)的最大電壓更大。 這是因為,如上所述第1重置信號(RS1)需要初始化所有放電串,第2重置信號(RS2)只 對之前子字段中被選的放電串進(jìn)行初始化,因此第1重置信號(RS1)的最大電壓即第3 電壓(V3),需要比第2重置信號的最大電壓即第12電壓(V12)更高的電壓。如此,多個子字段當(dāng)中至少任一個子字段提供第1重置信號(RS1),其余子字段當(dāng)中 至少一個子字段即第2子字段提供第2重置信號(RS2),由此可以提高驅(qū)動效率。而且,隨著減少發(fā)生暗放電的次數(shù)減少,可以提高對比度特性。以下,圖6為介紹第1子字段的重置期間長度和,第2子字段的重置期間長度的圖片。分析圖6,第1子字段的重置期間長度和第2子字段的重置期間長度可以不同。例如,提供第2重置信號(RS2)的第2子字段的重置期間,要比提供第1重置信號(RS1) 的第1子字段的重置期間更短。第2重置信號(RS2)與第1重置信號(RS1)不同,可以省略電壓逐漸上升的信號,因 此第2子字段的重置期間要比第1子字段的重置期間更短。而且,與第2重置信號(RS2)相比,提供更高的電壓的信號的第1重置信號(RS1),為 了在較高的電壓下,確保驅(qū)動穩(wěn)定性,需要更長的時間。如此,通過采用相對比第1重置信號更短的第2重置信號,縮短了重置期間長度, 由此可以提高驅(qū)動性能。以下,圖7為介紹第1重置信號和第2重置信號的另一實例的圖片。如圖7所示,第1重置信號(RS1)和第2重置信號(RS2)不限于圖4至圖6,也可以變 更為其他形式。例如,第l重置信號(a)中,可以提供從第2電壓(V2)逐漸上升到第3電壓(V3)為止 的上斜信號(RU),在第3電壓(V3)中插入維持一定時間電壓的平坦期間。同時,可以在第2電壓(V4)或第4電壓(V4)中插入這種平坦期間。第2重置信號(b)也可以提供電壓從第11電壓(V11)上升至第12電壓(V12),從第12 電壓(V12)逐漸下降至第14電壓(V14)的下斜信號(RD)。如此,如上介紹,第1重置信號包括上斜信號(RU)和下斜信號(RD),第2重置信號 不包括上斜信號(RU),則除了圖7所示的實例之外,還可以變更為多種形式。圖8為介紹熒光體層的圖片。分析圖8,熒光體層(214)包括熒光體材質(zhì)的顆粒(1000)和添加物材質(zhì)的顆粒(1010)。 添加物材質(zhì)的顆粒(IOIO),可以在掃描電極和尋址電極之間或維持電極和尋址電極之間提高放電應(yīng)答特性。對其進(jìn)一步具體介紹如下。向掃描電極提供掃描信號,向?qū)ぶ冯姌O提供數(shù)據(jù)信號時,電荷會積累在熒光體材質(zhì)的顆粒(1000)表面上。在此,如果熒光體層(214)不包括添加物材質(zhì),則熒光體層的高度不均勻,或熒光體 材質(zhì)顆粒分布不均勻,則向掃描電極提供掃描信號,向?qū)ぶ冯姌O提供數(shù)據(jù)信號時,電荷 會集中到熒光體層(214)的指定部分。則,在電荷集中的指定部分會發(fā)生相對強(qiáng)烈的放電。而且,各個放電串當(dāng)中,電荷集中的部分會不同,由此放電會不均,會不穩(wěn)定。此時,觀眾的視覺中可以見到斑點等噪聲,會惡化影像畫質(zhì)。相反,與本發(fā)明一樣,熒光體層包含氧化鎂等添加物材質(zhì)時,添加物材質(zhì)的顆粒起 到放電的催化作用,在較低的電壓下,也能夠在掃描電極和尋址電極之間穩(wěn)定發(fā)生放電。 因此,在電荷集中的部分中由于較高的電壓而發(fā)生強(qiáng)烈放電之前,在配置氧化物材質(zhì)顆 粒的部分,在較低的電壓下先發(fā)生放電,可以均勻化各個放電串的放電特性。這是因為 氧化物材質(zhì)的電性特性當(dāng)中,2次電子釋放系數(shù)較高。對于添加物材質(zhì)材質(zhì),除了提高掃描電極和尋址電極之間或維持電極和尋址電極之 間的放電應(yīng)答特性之外,沒有特別限制。例如,添加物材質(zhì)為氧化鎂材質(zhì),氧化鋅材質(zhì), 氧化硅材質(zhì),氧化鈦材質(zhì),氧化釔材質(zhì),氧化鋁材質(zhì),氧化鑭材質(zhì),氧化銪材質(zhì),氧化 鈷材質(zhì),氧化鐵材質(zhì)或CNT(CarbonNanoTube)材質(zhì)當(dāng)中的至少一個。而且,在熒光體層214表面上,熒光體材質(zhì)的顆粒1000當(dāng)中的至少一個外露在放電 串的中心方向上。例如,添加物材質(zhì)的顆粒1010可以在熒光體層214表面,配置在熒 光體材質(zhì)的顆粒1000之間,由此至少一個的熒光體材質(zhì)的顆粒1000外露。如此,添加物材質(zhì)的顆粒1010配置在熒光體材質(zhì)的顆粒1000之間時,可以提高掃描電極和尋址電極之間或維持電極和尋址電極之間的放電應(yīng)答特性,同時可以最小化被添加物材質(zhì)的顆粒1010遮擋的熒光體材質(zhì)的顆粒1000表面積,從而防止亮度的過度降低。雖然圖中沒有顯示,如果添加物材質(zhì)的顆粒1010均勻涂敷(Coating)在熒光體層214 表面,形成了添加物材質(zhì)層,則添加物材質(zhì)層會遮擋大部分熒光體材質(zhì)的顆粒1000的 表面,因此亮度會過度降低。圖9為包含添加物材質(zhì)的顆粒的熒光體層的制造方法的一例的圖片。如圖9所示,首先制造添加物材質(zhì)的粉末S1600。例如,分析氧化鎂的一例,則通 過加熱鎂,氣象氧化鎂蒸汽,制造氧化鎂材質(zhì)粉末。之后,將制造的添加物材質(zhì)的粉末與溶劑(Solvent)混合SlllO。例如,將氧化鎂材質(zhì) 的粉末與甲醇混合,制造添加物膏(Paste)或添加物泥膏(Slurry)。在此,為了調(diào)整膏或泥 膏粘度,可以再添加粘合劑(Binder)。之后,將與溶劑混合的添加物材質(zhì)涂敷到熒光體層上部S1120。此時,可以調(diào)整與 溶劑混合的添加物物質(zhì)的粘度,使添加物材質(zhì)的顆粒順利配置在熒光體材質(zhì)的顆粒之 間。之后進(jìn)行干燥或燒成工序S1130。貝lj,與添加物材質(zhì)混合的溶劑蒸發(fā),而形成圖2 所示的熒光體層。圖10至圖11為進(jìn)一步具體介紹添加物材質(zhì)的效果的圖片。圖10顯示了比較例,實例l,實例2,實例3的放電開始電壓(FiringVoltage)和,所 顯現(xiàn)的影像的亮度,明室對比度(明室CR)的數(shù)據(jù)。在此,明室對比度是,在周圍較亮的 明室,在畫面顯示45%窗口圖形的影像,測量了對比度,放電開始電壓為掃描電極和尋 址電極之間的放電開始電壓。比較例為熒光體層不包括添加物材質(zhì)的例子。實例1為熒光體層為添加物材質(zhì),包含在熒光體層的體積比率為3%的氧化鎂。 實例2為熒光體層為添加物材質(zhì),包含在熒光體層的體積比率為9%的氧化鎂。 實例3熒光體層為添加物材質(zhì),包含在熒光體層的體積比率為12%的氧化鎂。 分析比較例,放電開始電壓為135V,此時體現(xiàn)的影像的亮度為170[cd/m2]。 相反,分析實例l, 2, 3,則放電開始電壓為127V以上129V以下,此時所顯現(xiàn)的 影像的亮度為176[cd/n^以上178[cd/m勺以下,與比較例相比,放電開始電壓更低,所 體現(xiàn)的影像的亮度更高。這是因為,作為添加物材質(zhì)的氧化鎂(MgO)材質(zhì)的顆粒起到放 電催化劑作用,由此降低掃描電極和尋址電極之間降低放電開始電壓,通過放電開始電壓降低,從而加強(qiáng)由于相同電壓而發(fā)生的放電強(qiáng)度,由此進(jìn)一步增加所體現(xiàn)的影像亮度。而且,分析比較例和實例l, 2, 3的25%窗口圖形的明室對比度,則比較例中,明室對比度為55:1,相反實例l, 2, 3的明室對比度為58:1以上61:1以下,可以得知與比較例相比,進(jìn)一步提高了對比度特性。這是因為,實例l, 2, 3與比較例相比,在較低的電壓下發(fā)生均勻的放電,由此重置期間中發(fā)生的光量會較少。分析圖ll,則(a)顯示了實例l, 2, 3的例子,(b)顯示了比較例的例子。分析(b),則熒光體層中沒有包含氧化鎂(MgO)材質(zhì)的比較例中,發(fā)生較高的電壓,由此急劇發(fā)生瞬間強(qiáng)烈的放電,此時發(fā)生的光量也可能會急劇增加。因此,可能會惡化對比度特性。相反,分析(a),則熒光體層中包含氧化鎂(MgO)材質(zhì)時,能夠在較低的電壓發(fā)生放 電,由此在重置期間內(nèi)持續(xù)發(fā)生弱的放電。因此,此時發(fā)生的光量也較少,因此提高了 對比度特性。圖12為介紹添加物材質(zhì)的含量的圖片。圖12中顯示了,采用氧化鎂(MgO)作為添加物材質(zhì),將氧化鎂材質(zhì)的體積(A)和熒 光體層的體積(B)的比率(A/B,單位c/。)從0%改變到50%的同時,測量尋址放電的放電遲 延時間的數(shù)據(jù)。尋址放電遲延特性是指,在尋址期間內(nèi)向掃描電極提供掃描信號,向?qū)ぶ冯姌O提供 數(shù)據(jù)信號的時點到,在掃描電極和尋址電極之間發(fā)生尋址放電的時點為止的時間之差。 分析圖12,可以得知氧化鎂材質(zhì)的含量對熒光體層的體積比率為0%時,放電遲延時間約 為0.8 /"s。相反,氧化鎂材質(zhì)的含量對熒光體層的體積的比率為2%時,改善了放電遲延時間, 是0.75/zs,得到了改善。g卩,改善了尋址抖動(Jitter)特性。這是因為氧化鎂材質(zhì)的顆粒提 高掃描電極和尋址電極之間的放電應(yīng)答特性。而且,可以得知氧化鎂材質(zhì)的含量對熒光體層的體積比率為5%時,放電遲延時間 約為0.72/"s, 6。/。時放電遲延時間約為0.63/"s。而且,可以得知氧化鎂材質(zhì)的含量對熒光體層的體積的比率為10%以上50%之間時, 放電遲延時間約從0.55 //s減少到0.24 //s為止。分析以上的圖11的數(shù)據(jù)時,氧化鎂材質(zhì)的含量越是增加,放電遲延時間越會減少, 改善抖動特性,但其改善程度會逐漸降低。而且,氧化鎂材質(zhì)含量對熒光體層的體積的 比率為40%以上時,放電遲延時間的改善程度很微小。相反,氧化鎂材質(zhì)含量過多時,氧化鎂材質(zhì)顆粒會過度遮擋熒光體材質(zhì)的顆粒表面,由此會降低亮度。因此,為了減少放電遲延時間,防止亮度的過度降低,最好氧化鎂材質(zhì)含量對熒光 體層的體積對比率為2%以上40%以下,最好為6%以上27%以下。圖13為介紹添加物材質(zhì)顆粒的粒度的圖片。 在此,假設(shè)添加物材質(zhì)的顆粒的粒度為R1,熒光體材質(zhì)的顆粒的粒度設(shè)為R2。圖13中作為添加物材質(zhì)使用氧化鎂,而且所使用的氧化鎂材質(zhì)的含量對熒光體層的 體積的比率為16%的狀態(tài)下,改變氧化鎂材質(zhì)顆粒的粒度(R1)的同時觀察亮度,判斷了 工序難易度。在此, 表示很好,o表示較好,X表示不良。 '分析亮度時,周圍黑暗的暗室中在表面上表示指定圖形的影像時,多位觀察人員感 官性評價了影像亮度。分析圖13,氧化鎂材質(zhì)的顆粒的粒度(R1)為熒光體材質(zhì)的顆粒粒度(R2)的0.001倍 以上0.25倍以下時,與熒光體材質(zhì)的顆粒的粒度(R2)相比,氧化鎂材質(zhì)的顆粒的粒度(R1) 充分小,氧化鎂材質(zhì)的顆粒可以充分位于熒光體材質(zhì)的顆粒之間,因此可以充分確保熒 光體材質(zhì)的顆粒的可見光排放路徑。因此,亮度很好(O))。而且,氧化鎂材質(zhì)的顆粒的粒度(R1)為熒光體材質(zhì)的顆粒的粒度(R2)的0.275倍以上 l.O倍以下時,亮度較好(o)。相反,氧化鎂材質(zhì)的顆粒的粒度(R1)超過熒光體材質(zhì)的顆粒的粒度(R2)的1.0倍時, 與熒光體材質(zhì)的顆粒的粒度(R2)相比,氧化鎂材質(zhì)的顆粒的粒度(R1)大,氧化鎂材質(zhì)的 顆粒會遮斷熒光體材質(zhì)的顆粒的可見光排放路徑,因此亮度不良。而且,氧化鎂材質(zhì)的顆粒粒度(R1)為熒光體材質(zhì)的顆粒的粒度(R2)的0.001倍以上 0.003倍以下時,氧化鎂材質(zhì)的顆粒的粒度(R1)過小,因此可以得知處理氧化鎂材質(zhì)的 顆粒的工序的難易度不良。而且,氧化鎂材質(zhì)的顆粒的大小(R1),比熒光體材質(zhì)的顆粒 (R2)大小(R2)過小,因此氧化鎂材質(zhì)的顆粒不在熒光體層表面,大部分流入熒光體顆粒 之間空間,位于熒光體層內(nèi)部,因此掃描電極和尋址電極之間或維持電極和尋址電極之 間穩(wěn)定發(fā)生放電的效果微小。相反,氧化鎂材質(zhì)的顆粒的粒度(R1)為熒光體材質(zhì)的顆粒的粒度(R2)的0.005倍以上 0.03倍以下及0.4倍以上1.0倍以下時,氧化鎂材質(zhì)的顆粒大小(R1)適當(dāng),工序難易度 較好。而且,氧化鎂材質(zhì)的顆粒的粒度(R1)為熒光體材質(zhì)的顆粒的粒度(R2)的0.05倍以上 0.3倍以下時,氧化鎂材質(zhì)的顆粒的粒度(R1)最佳,工序難易度很好。同時,此時大部 分的氧化鎂顆粒在熒光體層表面,可以配置在熒光體材質(zhì)的顆粒之間,因此具有可以在 掃描電極和尋址電極之間或維持電極和尋址電極之間穩(wěn)定發(fā)生放電的效果??紤]以上數(shù)據(jù)時,氧化鎂材質(zhì)的顆粒的粒度(R1)最好為熒光體材質(zhì)顆粒(R2)的0.005 倍以上l倍以下時,最好為0.05倍以上0.25倍以下。例如,氧化鎂材質(zhì)的顆粒大小為 20nm以上3000nm以下。、同時,以上只介紹了氧化鎂材質(zhì)的顆粒粒度(R1)與熒光體材質(zhì)的顆粒粒度(R2)相比, 較小的例子。但是熒光體材質(zhì)的顆粒粒度(R2)比目前變小時,氧化鎂材質(zhì)顆粒粒度(R1) 會比熒光體材質(zhì)的顆粒粒度(R2)更大。而且,氧化鎂材質(zhì)的顆粒具有一種方向性,也可以具有兩種以上的互不相同的方向 性。例如,也可以使用200方向性的氧化鎂材質(zhì),或同時使用200,220,111方向性的氧 化鎂材質(zhì)。這種氧化鎂材質(zhì)的方向性,可以根據(jù)放電氣體的性質(zhì)、熒光體材質(zhì)的種類、驅(qū)動信 號的電壓大小等條件進(jìn)行多種變更。圖14為介紹熒光體層的另一結(jié)構(gòu)一例的圖片。 而且,圖15為介紹熒光體層的制造方法又一例的圖片。首先分析圖14,熒光體層214中添加物材質(zhì)的顆粒1010可以分別配置在,熒光體層214表面、熒光體層214內(nèi)部、熒光體層214和下部電介質(zhì)層215的之間。如果添加物材質(zhì)的顆粒1010配置在熒光體層214表面、熒光體層214內(nèi)部、熒光體層214和下部電介質(zhì)層215的之間,則可以進(jìn)一步提高掃描電極和尋址電極之間或維持電極和尋址電極之間的放電應(yīng)答特性。以下,圖15顯示了具有圖14所示結(jié)構(gòu)的熒光體層214的制造方法一例。分析圖15,首先制造添加物材質(zhì)的粉末S1600。之后,混合制造的添加物材質(zhì)的粉末和熒光體材質(zhì)的顆粒S1610。之后,混合氧化物材質(zhì)的粉末和熒光體材質(zhì)的顆粒溶劑S1620。之后,將與溶劑混合的氧化物材質(zhì)和熒光體材質(zhì),涂敷在放電串內(nèi)S1630。此時,也可以采用滴膠(Dispensing)法。之后,進(jìn)行干燥或燒成工序S1640。則溶劑蒸發(fā),可以形成圖15所示結(jié)構(gòu)的熒光體層。圖16為介紹選擇性使用添加物材質(zhì)的方法的圖片。分析圖16,則熒光體層包括釋放紅光的第1熒光體層214R,釋放藍(lán)色光的第2熒 光體層214B及釋放綠色光的第3熒光體層214G,同時第1熒光體層214R,第2熒光體 層214B或第3熒光體層214G當(dāng)中的至少一個熒光體層中可以省略添加物材質(zhì)。例如,如(a)所示,,第1熒光體層214R中包括紅色熒光體材質(zhì)的顆粒1700,但是不 包括添加物材質(zhì);如(b)所示,藍(lán)色熒光體層214B包含藍(lán)色熒光體材質(zhì)的顆粒1710和添加物材質(zhì)的顆粒1010。此時,可以增加藍(lán)色熒光體層214B中發(fā)生的光量,由此可以提高色溫特性。而且,(b)中的第2熒光體材質(zhì)的顆粒1710大小,可以比(a)中第1熒光體材質(zhì)的顆 粒1700的大小更大。此時,(b)的第2熒光體層214B,與(a)的第1熒光體層214R相比, 放電不穩(wěn)定的可能性相對高。因此,此時最好使第2熒光體層214B包括添加物材質(zhì)的 顆粒IOIO,穩(wěn)定化第2熒光體層214B中的放電。同時,制造熒光體層時,熒光體層的碳(Carbon)含量,隨著與熒光體材質(zhì)粉末及添 加物材質(zhì)的粉末混合的粘合劑(Binder)及溶劑的含量變化,基板特性會隨著這種碳含量 變化。對其分析如下。例如,假設(shè)混合熒光體材質(zhì)粉末、添加物材質(zhì)粉末、粘合劑及溶 劑形成膏狀熒光體組成物,將熒光體組成物涂敷在放電串之后,將涂敷的熒光體組成物 燒成后形成熒光體層的例子。此時,燒成時粘合劑蒸發(fā)的同時,在熒光體層殘留碳成分。這種殘留在熒光體層的 碳成分,可能會惡化等離子顯示板的亮度特性,因此含在熒光體組成物的粘合劑的量較 少為有利。相反,熒光體組成物中粘合劑含量過少時,由于熒光體組成物粘度過低,因此會出 現(xiàn)熒光體層的成型難的問題。而且,熒光體組成物中溶劑含量過少時,熒光體組成物的粘度會過低??紤]其,則最好含在熒光體組成物的粘合劑及溶劑的含量,在不惡化熒光體組成物 的粘度特性的同時,進(jìn)行調(diào)整,以便可以在燒成后提高亮度特性。圖17a至圖17b為介紹熒光體組成物的碳含量及其亮度特性的圖片。圖17a顯示了熒光體組成物中,隨著粘合劑含量變化的碳含量的數(shù)據(jù)。圖17a所示 的數(shù)據(jù)為,在混合熒光體材質(zhì)粉末,溶劑及粘合劑,形成熒光體組成物之后,燃燒熒光 體組成物之后,分析所燃燒的熒光體組成物的殘存物質(zhì),測量碳含量的數(shù)據(jù)。而且,所 有類型都包含7%的氧化鎂材質(zhì)。A, B, C, D類型采用的熒光體粉末為YVP04:Eu材質(zhì),E, F, G, H類型采用的 熒光體粉末為(Y, Gd)BO:Eu材質(zhì)。分析圖17a,則A類型熒光體組成物混合了44.5重量份數(shù)的熒光體粉末、35.5重量 份數(shù)的溶劑、20重量份數(shù)的粘合劑,這種A類型的碳含量約為1883ppm(PartsPerMillon)。B類型熒光體組成物混合了44.5重量份數(shù)的熒光體粉末、41.5重量份數(shù)的溶劑、14 重量份數(shù)的粘合劑,這種B類型的碳含量約為1080ppm。C類型熒光體組成物混合了44.5重量份數(shù)的熒光體粉末、45.5重量份數(shù)的溶劑、10 重量份數(shù)的粘合劑,這種B類型的碳含量約為640ppm。0類型熒光體組成物混合了44.5重量份數(shù)的熒光體粉末、51.5重量份數(shù)的溶劑、4 重量份數(shù)的粘合劑,這種D類型的碳含量約為155ppm。E類型熒光體組成物混合了31.5重量份數(shù)的熒光體粉末、49.5重量份數(shù)的溶劑、19 重量份數(shù)的粘合劑,這種E類型的碳含量約為2370ppm。F類型熒光體組成物混合了31.5重量份數(shù)的熒光體粉末、56.5重量份數(shù)的溶劑、12 重量份數(shù)的粘合劑,這種F類型的碳含量約為1825ppm。0類型熒光體組成物混合了31.5重量份數(shù)的熒光體粉末、61.5重量份數(shù)的溶劑、7 重量份數(shù)的粘合劑,這種G類型的碳含量約為722ppm。H類型熒光體組成物混合了31.5重量份數(shù)的熒光體粉末、63重量份數(shù)的溶劑、5.5 重量份數(shù)的粘合劑,這種這種H類型的碳含量約為207ppm。分析以上的圖17a的數(shù)據(jù),則熒光體組成物的碳含量會隨粘合劑的含量變化。圖17b顯示了隨碳含量變化的影像亮度的數(shù)據(jù)。圖17b所示的數(shù)據(jù)為,采用圖17a 所示的A H類型的熒光體組成物,分別制造A H類型的等離子顯示板,操作所制造的 等離子顯示板的同時測量了亮度的數(shù)據(jù)。測量亮度時,分別測量啟動(Turn-on)所有放電串的全白(FuU-White, F/W)時的亮度 和,畫面上顯示25。/。窗口(Window)圖形的影像的亮度。亮度單位為[cd/m2]。分析圖17b,如果是A類型,則向掃描電極和維持電極之間施加192V的驅(qū)動電壓, 全白狀態(tài)下測量發(fā)生的光的亮度,則亮度約為120[cd/m2], 25%窗口圖形發(fā)生的光的亮 度約為319[cd/m2]。而且,如果是B類型,則全白亮度約為126[cd/m^,25n/。窗口圖形亮度約為327[cd/m2]。 如果是C類型,則全白亮度約為133[cd/m2], 25n/。窗口圖形亮度約為343[cd/m2]。 如果是D類型,則全白亮度約為149[cd/m2], 25。/。窗口圖形亮度約為377[cd/m2〗。 如果是E類型,則全白亮度約為117[cd/m2], 25y。窗口圖形亮度約為304[cd/m2]。 如果是F類型,則全白亮度約為121[cd/m2], 25c/。窗口圖形亮度約為322[cd/m2]。 如果是G類型,則全白亮度約為132[cd/m2], 25。/。窗口圖形亮度約為338[cd/m2〗。 如果是H類型時,則全白亮度約為148[cd/m2], 25。/。窗口圖形亮度約為373[cd/m2]。 分析以上的圖17a至圖17b的數(shù)據(jù),熒光體組成物中碳含量較多時,包含采用其熒光體組成物制造的熒光體層的等離子顯示板顯現(xiàn)的影像亮度會降低;相反碳含量較少時,可以提高所顯現(xiàn)的影像亮度。如此,分析碳含量越多所體現(xiàn)的影像亮度越是降低的理由如下。 進(jìn)行熒光體組成物的燒成工序時,含在熒光體組成物的粘合劑燃燒的同時,排放到包含在粘合劑的碳成分中,碳可能會混合到充入基板內(nèi)部的放電氣體中。這種碳會與氧結(jié)合,生成一氧化碳(CO)或二氧化碳(C02)等的不純氣體。這種,由于碳而生成的不純氣體會妨礙放電氣體釋放紫外線,由此減少照射到熒光體層上的紫外線的量,因此會減 少影像亮度。而且,進(jìn)行熒光體組成物的燒成工序時,含在熒光體組成物的粘合劑燃燒的同時, 包含在粘合劑的碳成分會殘留到熒光體層表面。則,部分熒光體層表面會被碳成分遮擋, 由此影像的亮度會降低。圖18a至圖18b為介紹熒光體組成物中粘合劑和熒光體粉末比率的圖片。圖18a顯示了,熒光體粉末采用(Ba, Sr, Eu)MgAhoOn材質(zhì),粘合劑采用丙烯樹脂 材質(zhì),溶劑采用乙二醇形成熒光體組成物,將此粘合劑和熒光體粉末的比率(B/P)從1。/。 改變到25%為止的同時,測量熒光體組成物的碳含量的數(shù)據(jù)。分析圖18a, B/P為P/。時,即粘合劑含量為熒光體粉末的含量的1%時,熒光體組 成物的碳含量約為70ppm。B/P為3Q/。時,熒光體組成物的碳含量約為91ppm。B/P為5%時,熒光體組成物的碳含量約為107ppm。B/P為10%時,熒光體組成物的碳含量約為139ppm。B/P為15M時,約為196ppm; B/P為17M時,約為282ppm; B/P為20%時,約為 440ppm; B/P為25n/。時,約為895ppm。圖18b顯示了,利用圖18a所示的熒光體組成物制造等離子顯示板,操作所制造的 基板的同時測量所體現(xiàn)的影像亮度的數(shù)據(jù)。在此,亮度為打開所有放電串的全白圖形的亮度,其單位為[cd/m2]。分析圖18b,則B/P為lQ/。時,即粘合劑含量為熒光體粉末的含量的1%時,體現(xiàn)的 影像亮度約為152[cd/m2]。B/P為3%時,所體現(xiàn)的影像亮度約為150[cd/m2〗。B/P為5%時,所體現(xiàn)的影像的亮度約為149[cd/m2]。B/P為10M時,所體現(xiàn)的影像的亮度約為150[cd/m2]。B/P為15%時,約為144[cd/m2]; B/P為17%時,約為142[cd/m2]; B/P為20%時, 約為137[cd/m2]; B/P為25。/。時,約為124[cd/m2]。如以上的圖18a至18b的數(shù)據(jù)所示,粘合劑含量為熒光體粉末含量的17%以下時, 熒光體組成物的碳含量約為300ppm以下,充分低,由此制造的等離子顯示板體現(xiàn)的影 像的亮度約為140[cd/m^以上,充分高。而且,粘合劑含量為熒光體粉末含量的17%以上20%以下時,熒光體組成物的碳含 量約為450ppm以下,相對低,由此制造的等離子顯示板中所體現(xiàn)的影像亮度約為135[cd/m2]以上,相對高。相反,粘合劑含量為熒光體粉末含量的25%以上時,熒光體組成物的碳含量約為 800ppm以上,含量過高,由此制造的等離子顯示板所顯現(xiàn)的影像亮度約為125[cd/m2] 以下,過低。根據(jù)以上的數(shù)據(jù),分析熒光體組成物的碳含量為500ppm以下時體現(xiàn)的影像的亮度 特性時,更為有利。同時,熒光體組成物中粘合劑的含量過少時,熒光體組成物的粘度過低,因此可能 會不利于熒光體層形成工序。因此,降低碳含量,因此為了在提高所制造的等離子顯示板的亮度的同時,充分維 持熒光體組成物的粘度,最好熒光體組成物中粘合劑的含量為熒光體粉末的含量的3% 以上20%以下,最好為5%以上17%以下。由此,可以理解,上述本發(fā)明的技術(shù)組成是本發(fā)明所屬技術(shù)領(lǐng)域的行內(nèi)人士不對本 發(fā)明的技術(shù)思想或必要特點進(jìn)行變更,就可以以其他具體形式實施。因此,應(yīng)理解以上所記述的實例是在各方面的例示,并不是為限制。比上述詳細(xì)介 紹,更能顯示本發(fā)明的范圍的是權(quán)利要求的范圍,應(yīng)解釋為從權(quán)利要求的意義及范圍且 其等價觀念導(dǎo)出的所有變更或變更形式都包括在本發(fā)明的范圍。
      權(quán)利要求
      1、一種等離子顯示裝置,其特征在于它包括等離子顯示板和驅(qū)動部;上述等離子顯示板包括配置掃描電極的前面基板,和與前面基板對置配置的后面基板,及配置在上述前面基板和后面基板之間,包含熒光體材質(zhì)和添加物材質(zhì)的熒光體層;上述驅(qū)動部在幀的多個子字段當(dāng)中至少一個子字段的重置期間內(nèi),向上述掃描電極提供包括電壓逐漸上升的上斜信號和電壓逐漸下降的下斜信號的第1重置信號,在其余子字段當(dāng)中至少一個子字段的重置期間內(nèi),向上述掃描電極提供不包括電壓逐漸上升的上斜信號的第2重置信號。
      2、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子顯示裝置,其特征在于將上述第1重置信號提供 的子字段稱為第1子字段,將上述第2重置信號提供的子字段稱為第2子字段時,上述 第1子字段的色調(diào)加權(quán)值比上述第2子字段的色調(diào)加權(quán)值更小。
      3、根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子顯示裝置,其特征在于上述添加物材質(zhì)是氧化鎂 材質(zhì)、氧化鋅材質(zhì)、氧化硅材質(zhì)、氧化鈦材質(zhì)、氧化釔材質(zhì)、氧化鋁材質(zhì)、氧化鑭材質(zhì)、 氧化銪材質(zhì)、氧化鈷材質(zhì)、氧化鐵材質(zhì)或CNT材質(zhì)當(dāng)中至少一個。
      4、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子顯示裝置,其特征在于上述添加物材質(zhì)的顆粒當(dāng) 中的至少一個配置在熒光體層表面上。
      5、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子顯示裝置,其特征在于在上述熒光體層和上述后 面基板之間再配置下部電介質(zhì)層,上述添加物材質(zhì)的顆粒當(dāng)中的至少一個可以配置在上 述熒光體層和上述下部電介質(zhì)層之間。
      6、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子顯示裝置,其特征在于上述添加物材質(zhì)的含量對 熒光體層的體積的比率為2~40%。
      7、 根據(jù)權(quán)利要求6所述的等離子顯示裝置,其特征在于上述添加物材質(zhì)的含量對 熒光體層的體積的比率為6~27%。
      8、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子顯示裝置,其特征在于上述熒光體層包括釋放紅 光的第1熒光體層、釋放藍(lán)色光的第2熒光體層及釋放綠色光的第3熒光體層,同時上 述第1熒光體層,第2熒光體層或第3熒光體層當(dāng)中的至少一個可以省略添加物材質(zhì)。
      9、 一種等離子顯示裝置,其特征在于它包括等離子顯示板和驅(qū)動部;上述等離子 顯示板包括配置掃描電極的前面基板,與上述前面基板對置配置的后面基板,及配置在 上述前面基板和后面基板之間,包括熒光體材質(zhì)和添加物材質(zhì)的熒光體層;上述驅(qū)動部 在幀的多個子字段當(dāng)中至少一個子字段的重置期間內(nèi),向上述掃描電極提供最大電壓為 第1電壓的第1重置信號,其余子字段中至少一個子字段的重置期間內(nèi),向上述掃描電 極提供最大電壓為與第1電壓不同的第2電壓的第2重置信號。
      全文摘要
      本發(fā)明為等離子顯示裝置相關(guān)發(fā)明。本發(fā)明的等離子顯示裝置包括等離子顯示板和驅(qū)動部;等離子顯示板包括配置互相并排的掃描電極和維持電極的前面基板;和與前面基板對置配置的后面基板;及配置在前面基板和后面基板之間,包含熒光體材質(zhì)和添加物材質(zhì)的熒光體層;驅(qū)動部在幀的多個子字段當(dāng)中至少一個子字段的重置期間內(nèi),向掃描電極提供包括電壓逐漸上升的上斜信號和電壓逐漸下降的下斜信號的第1重置信號,在其余子字段當(dāng)中至少一個子字段的重置期間內(nèi),向掃描電極提供不包括電壓逐漸上升的上斜信號的第2重置信號。本發(fā)明的等離子顯示裝置防止發(fā)生誤放電,提高對比度特性及驅(qū)動效率,具有改善影像畫質(zhì)的效果。
      文檔編號G09G3/28GK101334951SQ20081012967
      公開日2008年12月31日 申請日期2008年8月5日 優(yōu)先權(quán)日2007年11月5日
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