專利名稱：等離子體顯示器及其驅(qū)動(dòng)方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種等離子體顯示器及其驅(qū)動(dòng)方法。
背景技術(shù)：
等離子體顯示面板(PDP)是平板顯示器，其使用由氣體放電產(chǎn)生的等 離子體來顯示字符或圖像。通常，PDP的一幀被分為多個(gè)子場(chǎng)以驅(qū)動(dòng)PDP。
期間對(duì)發(fā)光單元執(zhí)行維持放電操作，以便顯示圖像?；叶?grayscale)由用 于執(zhí)行顯示操作的子場(chǎng)權(quán)重的組合來表示。
PDP從一幀輸入的視頻信號(hào)中計(jì)算屏幕加載率(load ratio),并根據(jù)計(jì) 算的屏幕加載率計(jì)算自動(dòng)功率控制(APC)電平。此外，根據(jù)計(jì)算的APC 電平控制在尋址期和維持期的驅(qū)動(dòng)操作。APC電平與亮度及PDP中發(fā)光單 元區(qū)域成比例，并且和每個(gè)子場(chǎng)的放電特性無關(guān)。例如，具有低灰度的寬發(fā) 光區(qū)域的APC電平可以和具有高灰度的寬發(fā)光區(qū)域的APC電平一樣。在具 有低灰度的寬發(fā)光區(qū)域的單元中維持放電的數(shù)量少于在具有高灰度的小發(fā) 光區(qū)域的單元中維持放電的數(shù)量。因此，在具有低灰度的寬發(fā)光區(qū)域的單元 中的放電延遲可能增加，并且在具有高灰度的小發(fā)光區(qū)域的單元中的放電延 遲可能減少。因此，即使當(dāng)APC電平一樣時(shí)，各個(gè)子場(chǎng)中的放電特性也可 能不同。
如所述，當(dāng)在具有不同放電特性的幀中使用相同的驅(qū)動(dòng)方法時(shí)，由于放 電延遲可能產(chǎn)生不穩(wěn)定的放電，和/或亮度可能降低。
在這個(gè)背景技術(shù)部分中，以上公開的信息僅用于增加對(duì)本發(fā)明背景的理 解，因此它可能包括不構(gòu)成在本國(guó)為本領(lǐng)域普通技術(shù)人員所已知的現(xiàn)有技術(shù) 的信息。

發(fā)明內(nèi)容
因此本發(fā)明的實(shí)施例是針對(duì)等離子體顯示器及驅(qū)動(dòng)方法，其充分解決了
由于相關(guān)技術(shù)的局限和不足引起的一個(gè)或多個(gè)問題。
因此本發(fā)明的實(shí)施例的一個(gè)特征是提供等離子體顯示器及驅(qū)動(dòng)方法，其 通過考慮屏幕的放電特性來穩(wěn)定地產(chǎn)生放電。
因此本發(fā)明的實(shí)施例的另 一個(gè)特征是提供等離子體顯示及驅(qū)動(dòng)方法，其 通過考慮屏幕的放電特性來改善亮度。
通過提供一種等離子體顯示器，可以實(shí)現(xiàn)以上及其它特征和優(yōu)勢(shì)中的至
少一個(gè)，該等離子體顯示器包括多個(gè)放電單元；控制器，其被配置為將一 幀分為多個(gè)子場(chǎng)，每個(gè)子場(chǎng)具有權(quán)重值，并將多個(gè)子場(chǎng)中第一子場(chǎng)的尋址期 建立為長(zhǎng)于多個(gè)子場(chǎng)中第二子場(chǎng)的尋址期，第二子場(chǎng)具有比第一子場(chǎng)的子場(chǎng) 加載率更少的子場(chǎng)加載率、以及比第一子場(chǎng)的權(quán)重值更高的權(quán)重值；以及驅(qū) 動(dòng)器，其被配置為在所建立的尋址期期間從多個(gè)放電單元中選擇發(fā)光單元。
驅(qū)動(dòng)器可以被配置為在尋址期期間將尋址脈沖施加到發(fā)光單元，第一子 場(chǎng)的尋址脈沖的寬度長(zhǎng)于第二子場(chǎng)的尋址脈沖的寬度?？刂破骺梢员慌渲脼?將由所建立的尋址期產(chǎn)生的差分配到維持期或復(fù)位期，其中，驅(qū)動(dòng)器被配置 為在維持期期間將維持脈沖施加到發(fā)光單元，并在復(fù)位期期間初始化多個(gè)放 電單元中的至少一個(gè)放電單元。
多個(gè)放電單元包括多個(gè)第一放電單元和多個(gè)第二放電單元，并且控制器 被配置為將尋址期分為關(guān)于多個(gè)第一和第二放電單元的第一和第二尋址期， 在第一和第二尋址期之間建立一個(gè)維持期以作為第一維持期，在第二尋址期
之后建立另一個(gè)維持期以作為第二維持期，并將第一子場(chǎng)中的第一維持期建 立為長(zhǎng)于第二子場(chǎng)中的第一維持期。
驅(qū)動(dòng)器被配置為在第一維持期期間將一個(gè)維持脈沖施加到多個(gè)放電單元。
子場(chǎng)加載率根據(jù)所有放電單元的數(shù)量與相應(yīng)子場(chǎng)中發(fā)光單元的數(shù)量的 比率來計(jì)算。
通過提供一種等離子體顯示器的驅(qū)動(dòng)方法，可以實(shí)現(xiàn)以上及其它特征和 優(yōu)勢(shì)中的至少一個(gè)，該等離子體顯示器包括多個(gè)放電單元，并且一幀被分為 多個(gè)子場(chǎng)，每個(gè)子場(chǎng)具有權(quán)重值，并且每個(gè)子場(chǎng)包括尋址期和維持期，該驅(qū) 動(dòng)方法包括根據(jù)在幀期間輸入的視頻信號(hào)來計(jì)算每個(gè)子場(chǎng)的子場(chǎng)加載率；
將多個(gè)子場(chǎng)中第一子場(chǎng)中的尋址期建立為長(zhǎng)于第二子場(chǎng)中的尋址期，第一子 場(chǎng)具有第一子場(chǎng)加載率和第一權(quán)重值，第二子場(chǎng)具有少于第一子場(chǎng)加載率的
第二子場(chǎng)加載率和高于第一權(quán)重值的第二權(quán)重值；以及在所建立的尋址期期 間，從多個(gè)放電單元中選擇發(fā)光單元。
子場(chǎng)加載率根據(jù)所有放電單元的數(shù)量與相應(yīng)子場(chǎng)中發(fā)光單元的數(shù)量的 比率來計(jì)算。
驅(qū)動(dòng)方法還包括將由所建立的尋址期產(chǎn)生的差分配到維持期或復(fù)位 期；在維持期期間對(duì)發(fā)光單元進(jìn)行與相應(yīng)子場(chǎng)的權(quán)重值相對(duì)應(yīng)的次數(shù)的維持 放電；以及在復(fù)位期期間初始化多個(gè)放電單元中的至少一個(gè)放電單元。
選擇發(fā)光單元可以包括將尋址脈沖施加到發(fā)光單元，其中，第一子場(chǎng)的 尋址脈沖的寬度長(zhǎng)于第二子場(chǎng)的尋址脈沖的寬度。
驅(qū)動(dòng)方法還包括將尋址期分為關(guān)于多個(gè)放電單元中的多個(gè)第一和第二 放電單元的第一和第二尋址期；在第一和第二尋址期之間，建立一個(gè)維持期 以作為第一維持期，并在第二尋址期之后建立另一個(gè)維持期以作為第二維持 期；以及將第 一子場(chǎng)中第一維持期建立為長(zhǎng)于第二子場(chǎng)中的第一維持期。
在第一維持期期間將一個(gè)維持脈沖施加到多個(gè)放電單元。


通過參考附圖描述其詳細(xì)示例性實(shí)施例，上述及其它特征和優(yōu)點(diǎn)將對(duì)本 領(lǐng)域普通技術(shù)人員來說變得更加清楚，其中
圖1說明了根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)示例性實(shí)施例的等離子體顯示器的示意
圖2說明了根據(jù)本發(fā)明的第 一 示例性實(shí)施例的子場(chǎng)配置的視圖3說明了根據(jù)本發(fā)明的第一示例性實(shí)施例的等離子體顯示器的驅(qū)動(dòng)
波形；
圖4說明了根據(jù)本發(fā)明的 一 個(gè)示例性實(shí)施例的控制器的框圖5說明了根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)示例性實(shí)施例的控制器操作的流程圖6說明了根據(jù)本發(fā)明的第二示例性實(shí)施例的子場(chǎng)配置的視圖7說明了根據(jù)本發(fā)明的第二示例性實(shí)施例的等離子體顯示器的驅(qū)動(dòng)波形。
具體實(shí)施例方式
在以下的詳細(xì)說明中，通過

，僅示出和描述了本發(fā)明的特定示
例性實(shí)施例。如本領(lǐng)域技術(shù)人員所理解，在不偏離本發(fā)明的精神或范圍的前 提下，所描述的實(shí)施例可以以各種不同方式4務(wù)改。因此，附圖和說明書將被 認(rèn)為本質(zhì)上是描述性的而不是限制性的。在整篇說明書中，類似的附圖標(biāo)號(hào) 指示類似的元件。
在整篇說明書及所附權(quán)利要求書中，當(dāng)描述一個(gè)元件"耦接"到另一元 件時(shí)，該元件可以"直接耦接"到另一元件，或通過第三元件"電耦接，，到 另一元件。
現(xiàn)在將描述根據(jù)本發(fā)明的 一 個(gè)示例性實(shí)施例的等離子體顯示器及其驅(qū)
動(dòng)方法。
圖1說明了根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)示例性實(shí)施例的等離子體顯示器的示意 性視圖。如圖l所示，根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)示例性實(shí)施例的等離子體顯示器可
以包括等離子體顯示面板(PDP) 100、控制器200、尋址電極控制器300、 維持電極驅(qū)動(dòng)器400和掃描電極驅(qū)動(dòng)器500。
PDP 100可以包括在列方向上延伸的多個(gè)尋址電才及Al到Am (以下稱 之為"A電極，，)、成對(duì)地在行方向上延伸的多個(gè)維持和掃描電極(以下稱之 為"X電極，，和"Y電極")XI到Xn和Yl到Y(jié)n。通常，X電極XI到Xn 可以分別和Y電極Yl到Y(jié)n對(duì)應(yīng)。Y電極Yl到Y(jié)n和X電極XI到Xn可 以與A電極Al到Am交叉。在A電極Al到Am與X電極XI到Xn和Y 電極Yl到Y(jié)n的相交區(qū)域的放電空間構(gòu)成放電單元110。
控制器200可以接收外部視頻信號(hào)，并可以輸出A電極驅(qū)動(dòng)控制信號(hào)、 X電極驅(qū)動(dòng)控制信號(hào)和Y電極驅(qū)動(dòng)控制信號(hào)。此外，控制器200可以將一幀 分為多個(gè)子場(chǎng)，每個(gè)子場(chǎng)具有權(quán)重值。每個(gè)子場(chǎng)可以包括復(fù)位期、尋址期和 維持期。此外，控制器200可以根據(jù)輸入視頻信號(hào)來計(jì)算每個(gè)子場(chǎng)的子場(chǎng)加 載率，即逐子場(chǎng)地計(jì)算子場(chǎng)加載率(subfield by subfield),并根據(jù)計(jì)算的每
個(gè)子場(chǎng)的子場(chǎng)加載率和每個(gè)子場(chǎng)的權(quán)重值來建立尋址期和維持期。
尋址電極驅(qū)動(dòng)器300可以根據(jù)從控制器200收到的A電極驅(qū)動(dòng)控制信 號(hào)，將顯示數(shù)據(jù)信號(hào)施加到A電極Al-Am。維持電極驅(qū)動(dòng)器400可以根據(jù) 從控制器200收到的X電極驅(qū)動(dòng)控制信號(hào)，將驅(qū)動(dòng)電壓施加到X電極Xl-Xn。 掃描電極驅(qū)動(dòng)器500可以根據(jù)從控制器200收到的Y電極驅(qū)動(dòng)控制信號(hào)，將 驅(qū)動(dòng)電壓施加到Y(jié)電極Yl-Yn。
參考圖2和圖3，現(xiàn)在將描述根據(jù)本發(fā)明的第一示例性實(shí)施例的等離子
體顯示器及其驅(qū)動(dòng)方法。
圖2說明了根據(jù)本發(fā)明的第一示例性實(shí)施例的子場(chǎng)配置，而圖3說明了 根據(jù)本發(fā)明的第一示例性實(shí)施例的等離子體顯示器的驅(qū)動(dòng)波形。在圖3中， 為了更好理解和易于描述，僅示出了圖2中多個(gè)子場(chǎng)SF1到SF8中的第一子 場(chǎng)SF1。此外，在第一子場(chǎng)SF1的維持期期間將維持放電例示為產(chǎn)生了三次。 此外，僅示出了一個(gè)X電極、 一個(gè)Y電極和一個(gè)A電極。
如圖2所示，控制器200可以將一幀分為分別具有權(quán)重值的多個(gè)子場(chǎng) SF1到SF8,并將各個(gè)子場(chǎng)SF1到SF8中的時(shí)間分配給復(fù)位期Rl到R8、尋 址期Al到A8和維持期Sl到S8。各個(gè)子場(chǎng)SF1到SF8的權(quán)重值可以由相 應(yīng)子場(chǎng)的維持期Sl到S8中的維持放電的數(shù)量來確定。
多個(gè)放電單元中的至少一個(gè)放電單元可以在復(fù)位期Rl到R8中被初始 化，且發(fā)光單元和不發(fā)光單元可以在尋址期Al到A8中被選擇。在維持期 Sl到S8，發(fā)光單元被維持放電。
為執(zhí)行復(fù)位、尋址和維持期的操作，如圖3所示，尋址電極驅(qū)動(dòng)器300 和維持電極驅(qū)動(dòng)器400可以在復(fù)位期Rl期間分別將參考電壓(例如，圖3 中的OV電壓)施力卩到A電極和X電極，且在參考電壓被施加到A電極和X 電極時(shí)，掃描電極驅(qū)動(dòng)器500可以逐漸增加Y電極的電壓，例如，從Vs電 壓到Vset電壓。隨后，維持電極驅(qū)動(dòng)器400可以將Vb電壓施加到X電極， 且在Vb電壓施加到X電極時(shí)，掃描電極驅(qū)動(dòng)器500可以逐漸降低Y電極的 電壓，例如，從Vs電壓到Vnf電壓。因此，當(dāng)Y電極上的電壓提高時(shí)，由 于在Y電極和X電極之間產(chǎn)生了弱復(fù)位放電，在放電單元上形成壁電荷； 當(dāng)Y電極上的電壓降低時(shí)，由于在Y電極和X電極之間產(chǎn)生了弱復(fù)位放電， 在放電單元上形成的壁電荷被消除，且放電單元被初始化為不發(fā)光單元。
在尋址期Al期間，掃描電極驅(qū)動(dòng)器500可以將具有VscL電壓的掃描 脈沖施加到Y(jié)電極。在這種情況下，尋址電極驅(qū)動(dòng)器300可以將Va電壓施 加到A電極，該Va電壓經(jīng)過多個(gè)放電單元中由被施力。VscL電壓的Y電極 所定義的發(fā)光單元，且X電極可以維持在Vb電壓。因此，在被施加VscL 電壓的Y電極和被施加Va電壓的A電極之間產(chǎn)生了尋址放電。在第一示例 性實(shí)施例中，盡管其中產(chǎn)生尋址放電(單元)的單元被選為發(fā)光單元，本發(fā)明不限于此，例如，其中產(chǎn)生尋址放電的單元可以被選為不發(fā)光單元。此外， 掃描電極驅(qū)動(dòng)器500可以將大于VscL電壓的VscH電壓施加到未被施加
VscL電壓的Y電極，且尋址電極驅(qū)動(dòng)器300可以將參考電壓施加到不發(fā)光 單元的A電極。
在維持期Sl期間，掃描電極驅(qū)動(dòng)器500可以根據(jù)第一子場(chǎng)SF1的權(quán)重 值，將具有高電平電壓(例如，圖3中的Vs電壓)和低電平電壓(例如， 圖3中的0V電壓)的維持脈沖施加到Y(jié)電極。此外，維持電極驅(qū)動(dòng)器400 可以將維持脈沖施加到X電極和Y電極。施力。到X電極的維持脈沖和施加 到Y(jié)電極的維持脈沖可以具有相反的相位。Y電極和X電極之間的電壓差 可以在Vs電壓和-Vs電壓之間交替。于是，在發(fā)光單元中可以產(chǎn)生預(yù)定次 數(shù)的維持放電。
此外，圖3所示的相同驅(qū)動(dòng)波形可以施加到其余子場(chǎng)SF2到SF8中的 復(fù)位期R2到R8、尋址期A2到A8和維持期S2到S8。但是，根據(jù)每個(gè)子 場(chǎng)的權(quán)重值，在維持期中施加到Y(jié)電極和X電4及的維持脈沖的數(shù)量可以不同。
參考圖4和圖5，現(xiàn)在將說明由控制器200根據(jù)子場(chǎng)加載率和權(quán)重值建 立尋址期和維持期的方法。圖4說明了根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)示例性實(shí)施例的控 制器的框圖，而圖5說明了根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)示例性實(shí)施例的控制器200操 作的流程圖。
如圖4所示，控制器200可以包括屏幕加載率計(jì)算單元210、子場(chǎng)產(chǎn)生 器220、維持放電控制器230、子場(chǎng)加載率計(jì)算單元240和期間(period)建 立單元250。在圖4所示的控制器中，為清楚起見，省略了與根據(jù)一個(gè)示例 性實(shí)施例的控制器200的描述無關(guān)的部分。
如圖4和圖5所示，在操作S510中，屏幕加載率計(jì)算單元210可以根 據(jù)一幀期間輸入的視頻信號(hào)，計(jì)算相應(yīng)幀的屏幕加載率。例如，屏幕加載率 計(jì)算單元210可以從一幀期間的視頻信號(hào)的平均信號(hào)電平(ASL)來計(jì)算屏 幕加載率，如公式1所示。
<formula>formula see original document page 9</formula>
這里，Rn、 G。和Bn分別表示R、 G和B圖像數(shù)據(jù)的灰度電平，V表示 一幀，而3N表示在一幀期間輸入的R、 G和B圖像數(shù)據(jù)的數(shù)量。
在操作S520中，子場(chǎng)產(chǎn)生器220可以將多個(gè)視頻信號(hào)轉(zhuǎn)換為多個(gè)子場(chǎng)數(shù)據(jù)。
在步驟S530中，維持放電控制器230可以;f艮據(jù)計(jì)算的屏幕加載率，建 立分配給一幀的維持脈沖的總數(shù)。此外，每個(gè)子場(chǎng)的維持脈沖可以根據(jù)每個(gè) 子場(chǎng)的權(quán)重值來分配。在這種情況下，維持脈沖的總數(shù)可以通過執(zhí)行對(duì)應(yīng)于 屏幕加載率的數(shù)據(jù)的邏輯操作來計(jì)算，并可以存儲(chǔ)在查詢表中。即，當(dāng)屏幕 加載率提高時(shí)，由于發(fā)光單元的數(shù)量增加，維持脈沖的總數(shù)減少。因此，可 以避免增加功率消耗。
在步驟S540中，子場(chǎng)加載率計(jì)算單元240可以使用轉(zhuǎn)換的子場(chǎng)數(shù)據(jù)來 計(jì)算每個(gè)子場(chǎng)中的子場(chǎng)載入率，例如，放電單元數(shù)量和發(fā)光單元數(shù)量的比率。
在步驟S550中，期間建立單元250可以根據(jù)計(jì)算的每個(gè)子場(chǎng)的子場(chǎng)加 載率和每個(gè)子場(chǎng)的權(quán)重值來建立每個(gè)子場(chǎng)的尋址期和維持期。
更具體地說，在具有低權(quán)重值的子場(chǎng)(以下稱為"低灰度子場(chǎng)")中， 由于維持放電較少，低灰度子場(chǎng)的單元中的放電延遲可能增加。于是，在尋 址操作被執(zhí)行前，即在前一維持期的最后一個(gè)維持脈沖和當(dāng)前尋址操作之間 的尋址等待時(shí)間期間，會(huì)流失更多的壁電荷。但是，在具有高權(quán)重值的子場(chǎng) (以下稱為"高灰度子場(chǎng)")中，由于有更多的維持放電，低灰度子場(chǎng)的單 元中的放電延遲可能會(huì)減少。從而，在尋址等待時(shí)間期間會(huì)流失較少的壁電 荷。
因此，當(dāng)多個(gè)子場(chǎng)中包括具有較高(higher)子場(chǎng)加載率的低灰度子場(chǎng) 和具有較低(lower)子場(chǎng)加載率的高灰度子場(chǎng)^皮在時(shí)，期間建立單元250 可以將在具有較高子場(chǎng)加載率的低灰度子場(chǎng)中的尋址期建立為長(zhǎng)于在具有 較低子場(chǎng)加載率的高灰度子場(chǎng)中的尋址期。當(dāng)尋址期增加時(shí)，在尋址期中掃 描和尋址脈沖的寬度可以增加。因此，在具有高放電延遲的低灰度子場(chǎng)中， 可以使用掃描和尋址脈沖增加的寬度來產(chǎn)生尋址放電。由于這些增加的寬度 可以通過尋址放電增加在各個(gè)電極上形成的壁電荷，因而可以穩(wěn)定產(chǎn)生放 電。
當(dāng)在具有較低子場(chǎng)加載率的高灰度子場(chǎng)中的尋址期被縮短時(shí)，期間建立 單元250可以將由縮短的期間產(chǎn)生的差(difference)分配給維持期。即，在 具有較低子場(chǎng)加載率的高灰度子場(chǎng)中，通過減少的尋址期，維持期可以被建 立為更長(zhǎng)。當(dāng)維持期增加時(shí)，維持脈沖的寬度可以增加，且在維持放電后， 增加的壁電荷可以在各個(gè)電極上形成。因此，隨后的維持放電可以強(qiáng)烈產(chǎn)生， 且亮度被改善。替代地或額外地，期間建立單元250可以將由縮短的期間產(chǎn)
生的部分或全部差分配給復(fù)位期。
參考圖6和圖7,現(xiàn)在將描述根據(jù)本發(fā)明的第二示例性實(shí)施例的驅(qū)動(dòng)方法。
圖6說明了根據(jù)本發(fā)明的第二示例性實(shí)施例的子場(chǎng)配置，而圖7說明了 根據(jù)本發(fā)明的第二示例性實(shí)施例的等離子體顯示器的驅(qū)動(dòng)波形。在圖7中， 為了更好理解和方便描述，僅說明了圖6所示的多個(gè)子場(chǎng)SF1到SF8中的第 一子場(chǎng)。
如圖6所示，控制器200可以將多個(gè)X電極Xl-Xn和多個(gè)Y電極Yl-Yn 分為多個(gè)組。如圖6所示，多個(gè)X電極X1-Xn和Y電極Yl-Yn可以被分為 第一組Gl，該第一組Gl具有PDP 100的多個(gè)行電極Xl-Xn/2和Yl-Yn/2， 及第二組G2 ，該第二組G2具有位于PDP 100較低部分的行電極X(n/2)+1 -Xn 和Y(n/2)+l-Yn,但本發(fā)明不限于此。例如，可以以多種方式劃分行電極， 例如，分為奇數(shù)編號(hào)的行電極和偶數(shù)編號(hào)的行電極。
控制器200可以建立對(duì)應(yīng)于組Gl和G2的第一和第二尋址期A1廣A8, 和Al2—A82。此外，控制器200可以第一和第二尋址期之間建立第一維持期 Sl廣S8p并在第二尋址期Al2-A82之后建立第二維持期Sh-S82。第一和第二 維持期S1廣SM口 Sl2-S82的長(zhǎng)度的總和可以與圖2所示的各個(gè)維持期Sl-S8 的長(zhǎng)度一樣，且第一和第二尋址期Al,-A8!和八12-八82的長(zhǎng)度的總和可以與 圖2所示的各個(gè)尋址期Al-A8的長(zhǎng)度一樣。例如，Sl!加Sl、可以等于Sl, 且A1，加八12可以等于Al。
多個(gè)放電單元中的至少一個(gè)可以在復(fù)位期Rl-R8中^皮初始化。在第一 組Gl的放電單元中要設(shè)置為發(fā)光單元的放電單元可以在第一尋址期 Al,-A8,中放電以形成壁電荷，且第一組Gl的發(fā)光單元可以在第一維持期 Sl,-S8,中維持放電。第一維持期Sl,-S8,可以被設(shè)置為產(chǎn)生最小數(shù)量的維持 放電(例如， 一次或二次)。隨后，在第二組G2的放電單元中要設(shè)置為發(fā)光 單元的放電單元可以在第二尋址期AlrA82中方文電以形成壁電荷。第二組G2 的發(fā)光單元可以在第二維持期Sl2-S82中維持放電，而第一組G1的發(fā)光單元 可以被設(shè)置為不產(chǎn)生維持放電，從而第一和第二組Gl和G2的維持放電的 數(shù)量可以一樣。
如圖7所示，為了執(zhí)行第一和第二尋址期及第一和第二維持期的操作， 當(dāng)維持電極驅(qū)動(dòng)器400在尋址期Al,將Vb電壓施加到第一和第二組Gl和
G2的X電極時(shí)，掃描電極驅(qū)動(dòng)器500可以將具有VscL電壓的掃描脈沖施 加到第一組Gl的Y電極。VscH電壓可以施加到第一組Gl中未凈皮施加掃描 脈沖的其余Y電極。雖然沒有說明，尋址電4l驅(qū)動(dòng)器300可以將尋址電壓 Va施加到多個(gè)放電單元中的發(fā)光單元的A電極，該發(fā)光單元由被施加VscL 電壓的Y電極構(gòu)成，并將參考電壓施加到未^皮施加尋址電壓的A電極。隨 后，在第一維持期sii中，維持電極驅(qū)動(dòng)器400可以將低電平電壓施加到第 一和第二組Gl和G2的X電極，且掃描電極驅(qū)動(dòng)器500可以將高電平電壓 施加到第一和第二組Gl和G2的Y電極。因此，可以在第一組Gl的發(fā)光 單元中產(chǎn)生維持放電。
隨后，在第二尋址期Al2,當(dāng)維持電極驅(qū)動(dòng)器400將Vb電壓施加到第 一和第二組Gl和G2的X電極時(shí)，掃描電極驅(qū)動(dòng)器500可以將具有VscL 電壓的掃描脈沖施加到第二組G2的Y電極。VscH電壓可以施加到第二組 G2中未被施加掃描脈沖的其余Y電極。雖然沒有說明，尋址電極驅(qū)動(dòng)器300 可以將尋址電壓Va施加到多個(gè)放電單元中的發(fā)光單元的A電極，該發(fā)光單 元由被施力。VscL電壓的Y電極構(gòu)成，并將參考電壓施加到未被施加尋址電 壓的A電極。在第二維持期Sh的Sl^期間中，維持電極驅(qū)動(dòng)器400可以將 低電平電壓施加到第一和第二組Gl和G2的X電極，且掃描電極驅(qū)動(dòng)器500 可以將高電平電壓施加到第一和第二組Gl和G2的Y電極。在第二維持期 Sl2的Sl22期間中，維持電極驅(qū)動(dòng)器400可以將高電平電壓施加到第一和第 二組Gl和G2的X電極，而掃描電極驅(qū)動(dòng)器500可以將第一組Gl的Y電 極的電壓維持在高電平電壓，以便在第一組G1的發(fā)光單元中產(chǎn)生維持放電， 且可以將低電平電壓施加到第二組G2的Y電極。因此，在第二組G2的發(fā)
光單元中可以產(chǎn)生維持放電。因此，在第二維持期Sh的Sl22期間中，第二
組G2的發(fā)光單元中的維持放電的數(shù)量變得和在第一維持期Sl,中第一組Gl 的發(fā)光單元中的維持放電的數(shù)量一樣。
建立第 一和第二尋址期Al廣A8,和Al2-A82及第 一和第二維持期S1廣S8, 和SlrS82的方法，可以和本發(fā)明的第一示例性實(shí)施例的方法一樣。
此外，控制器200可以根據(jù)每個(gè)子場(chǎng)的子場(chǎng)加載率和每個(gè)子場(chǎng)的權(quán)重值 建立第一維持期Sh。即，在具有較高子場(chǎng)加載率的低灰度子場(chǎng)中的第一和 第二尋址期及第一維持期可以被設(shè)置為長(zhǎng)于在具有較低子場(chǎng)加載率的高灰 度子場(chǎng)中的第一和第二尋址期及第一維持期。當(dāng)?shù)谝痪S持期Sl,曾加時(shí)，即
使壁電荷在尋址等待時(shí)間期間流失，在第一維持期Sl,也可以充分產(chǎn)生維持 放電，且可以在發(fā)光單元中充分形成壁電荷。
這里公開的本發(fā)明的示例性實(shí)施例，盡管使用了特殊的術(shù)語，其在通用 和描述性的意義中被使用和解釋，且不用于限制的目的。因此，本領(lǐng)域的普 通技術(shù)人員可以理解，在不偏離如以下權(quán)利要求書所列出的本發(fā)明的精神和 范圍內(nèi)，可以對(duì)形式和細(xì)節(jié)進(jìn)行各種修改。
權(quán)利要求
1.一種等離子體顯示器，包括多個(gè)放電單元；控制器，其被配置為將一幀分為多個(gè)子場(chǎng)，每個(gè)子場(chǎng)具有權(quán)重值，并將所述多個(gè)子場(chǎng)中第一子場(chǎng)的尋址期建立為長(zhǎng)于所述多個(gè)子場(chǎng)中第二子場(chǎng)的尋址期，所述第二子場(chǎng)具有比所述第一子場(chǎng)的子場(chǎng)的加載率更少的子場(chǎng)加載率、以及比所述第一子場(chǎng)的權(quán)重值更高的權(quán)重值；以及驅(qū)動(dòng)器，其被配置為在所建立的尋址期期間從所述多個(gè)放電單元中選擇發(fā)光單元。
2. 如權(quán)利要求1所述的等離子體顯示器，其中，所述驅(qū)動(dòng)器被配置為 在尋址期期間將尋址脈沖施加到發(fā)光單元，其中，所述多個(gè)子場(chǎng)中第一子場(chǎng) 的尋址脈沖的寬度長(zhǎng)于所述第二子場(chǎng)的尋址脈沖的寬度。
3. 如權(quán)利要求2所述的等離子體顯示器，其中，所述控制器被配置為 將由所建立的尋址期產(chǎn)生的差分配到維持期或復(fù)位期，其中，所述驅(qū)動(dòng)器被 配置為在維持期期間將維持脈沖施加到發(fā)光單元，并在復(fù)位期期間初始化所 述多個(gè)放電單元中的至少一個(gè)放電單元。
4. 如權(quán)利要求1所述的等離子體顯示器，其中，所述多個(gè)放電單元包 括多個(gè)第一放電單元和多個(gè)第二放電單元，且所述控制器被配置為將尋址期 分為關(guān)于多個(gè)第一和第二放電單元的第一和第二尋址期，在所述第一和第二 尋址期之間建立一個(gè)維持期以作為第一維持期，在第二尋址期之后建立另一 個(gè)維持期以作為第二維持期，并將所述第 一子場(chǎng)中的第 一維持期建立為長(zhǎng)于 所述第二子場(chǎng)中的第 一 維持期。
5. 如權(quán)利要求4所述的等離子體顯示器，其中，所述驅(qū)動(dòng)器被配置為 在所述第一維持期期間將一個(gè)維持脈沖施加到所述多個(gè)放電單元。
6. 如權(quán)利要求1所述的等離子體顯示器，其中，所述子場(chǎng)加載率根據(jù) 所有放電單元的數(shù)量與相應(yīng)子場(chǎng)中的發(fā)光單元的數(shù)量的比率來計(jì)算。
7. —種等離子體顯示器的驅(qū)動(dòng)方法，該等離子體顯示器包括多個(gè)放電 單元及分，并且一幀被分為多個(gè)子場(chǎng)，每個(gè)子場(chǎng)具有權(quán)重值，并且每個(gè)子場(chǎng) 包括尋址期和維持期，該驅(qū)動(dòng)方法包括根據(jù)在所述幀期間輸入的視頻信號(hào)來計(jì)算每個(gè)子場(chǎng)的子場(chǎng)加載率；將所述多個(gè)子場(chǎng)中第 一子場(chǎng)中的尋址期建立為長(zhǎng)于第二子場(chǎng)中的尋址 期，所述第一子場(chǎng)具有第一子場(chǎng)加載率和第一權(quán)重值，所述第二子場(chǎng)具有少 于所述第一子場(chǎng)加載率的第二子場(chǎng)加載率和高于所述第一權(quán)重值的第二權(quán)重4直；以及在所建立的尋址期期間，從所述多個(gè)放電單元中選^^發(fā)光單元。
8. 如權(quán)利要求7所述的驅(qū)動(dòng)方法，其中，所述子場(chǎng)加栽率根據(jù)所有放 電單元的數(shù)量與相應(yīng)子場(chǎng)中的發(fā)光單元的數(shù)量的比率來計(jì)算。
9. 如權(quán)利要求8所述的驅(qū)動(dòng)方法，還包括將由所建立的尋址期產(chǎn)生的差分配到維持期或復(fù)位期；的維持放電；以及在復(fù)位期期間初始化所述多個(gè)放電單元中的至少一個(gè)放電單元。
10. 如權(quán)利要求9所述的驅(qū)動(dòng)方法，其中，選擇發(fā)光單元包括將尋址脈 沖施加到發(fā)光單元，其中，所述第一子場(chǎng)的尋址脈沖的寬度長(zhǎng)于第二子場(chǎng)的 尋址脈沖的寬度。
11. 如權(quán)利要求9所述的驅(qū)動(dòng)方法，還包括將所述尋址期分為關(guān)于所述多個(gè)放電單元中的多個(gè)第一和第二放電單 元的第一和第二尋址期；在所述第一和第二尋址期之間，建立一個(gè)維持期以作為第一維持期，并 且在所述第二尋址期之后建立另一個(gè)維持期以作為第二維持期；以及將所述第一子場(chǎng)中的第一維持期建立為長(zhǎng)于所述第二子場(chǎng)中的第一維 持期。
12. 如權(quán)利要求11所述的驅(qū)動(dòng)方法，其中，在所述第一維持期期間將 一個(gè)維持脈沖施加到所述多個(gè)放電單元。
全文摘要
本發(fā)明涉及等離子體顯示器及其驅(qū)動(dòng)方法。等離子體顯示器包括控制器和驅(qū)動(dòng)器?？刂破鲗⒁粠譃槎鄠€(gè)子場(chǎng)，每個(gè)子場(chǎng)具有權(quán)重值，并將多個(gè)子場(chǎng)中第一子場(chǎng)的尋址期建立為長(zhǎng)于多個(gè)子場(chǎng)中第二子場(chǎng)的尋址期，第二子場(chǎng)具有比第一子場(chǎng)的子場(chǎng)加載率更少的子場(chǎng)加載率、以及比第一子場(chǎng)的權(quán)重值更高的權(quán)重值。驅(qū)動(dòng)器在建立的尋址期期間在多個(gè)放電單元中選擇發(fā)光單元。
文檔編號(hào)G09G3/20GK101364373SQ20081012981
公開日2009年2月11日 申請(qǐng)日期2008年8月7日 優(yōu)先權(quán)日2007年8月9日
發(fā)明者鄭成俊 申請(qǐng)人:三星Sdi株式會(huì)社