專利名稱：等離子顯示裝置及其驅(qū)動(dòng)方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明為等離子顯示(PlasmaDisplay)裝置及其驅(qū)動(dòng)方法相關(guān)發(fā)明，更具體 地說，是通過降低維持放電引起的自我消除放電，改善畫質(zhì)及確保驅(qū)動(dòng)防震， 從而提高驅(qū)動(dòng)效率的等離子顯示裝置及其驅(qū)動(dòng)方法相關(guān)發(fā)明。
背景技術(shù)：
通常，等離子顯示板由形成在上部基板與下部基板之間的障壁組成一個(gè)單 位串，各串內(nèi)充入了氖(Ne)，氦(He)或，氖及氦的混合氣體(Ne+He)等主放電氣 體和少量氙的惰性氣體.通過高頻電壓放電時(shí)，惰性氣體產(chǎn)生真空紫外線 (VacuumUltravioletrays)，使形成在障壁之間的熒光體發(fā)光，從而顯現(xiàn)圖像。 因這種等離子顯示板可具有輕薄的結(jié)構(gòu)，因此作為第二代顯示裝置備受關(guān)注。
等離子放電的3極面放電結(jié)構(gòu)即驅(qū)動(dòng)電路簡單，因此被廣泛應(yīng)用。3極面放 電有對置放電和面放電，為了引起各個(gè)放電積累壁電荷，向電極施加高的電壓。 但是由于等離子放電及串的特性，會(huì)發(fā)生多余的放電，或不發(fā)生必要的放電的 誤放電。
尤其是，提供高畫質(zhì)的等離子顯示裝置中，為了告訴驅(qū)動(dòng)，降低障壁高度， 因此開始等離子放電的鄰接電壓會(huì)降低，因此誤放電發(fā)生的更多。

發(fā)明內(nèi)容
發(fā)明目的本發(fā)明的目的在于，提供通過補(bǔ)充由于維持放電引起的自我消 除放電而減少的空間電荷，防止誤放電，確保維持驅(qū)動(dòng)限度的等離子顯示裝置 及其方法。
技術(shù)方案解決上述技術(shù)課題的本發(fā)明的等離子顯示裝置的驅(qū)動(dòng)方法包括 在維持區(qū)間內(nèi)向第1電極及第2電極交替施加維持電壓的階段，及向上述第1 電極及上述第2電極當(dāng)中的至少一個(gè)電極施加維持電壓，經(jīng)過規(guī)定期間之后向 尋址電極施加規(guī)定電壓的階段。
實(shí)現(xiàn)上述目的的本發(fā)明的等離子顯示裝置包括在維持區(qū)間內(nèi)被交替施加 維持電壓，引起維持放電的第1電極及第2電極，與上述第1電極及上述第2 電極當(dāng)中的任一個(gè)引起尋址放電的尋址電極，及施加上述維持電壓，在施加維 持電壓之后經(jīng)過規(guī)定期間之后，向上述尋址電極施加規(guī)定電壓的驅(qū)動(dòng)控制部。
有益效果根據(jù)本發(fā)明，補(bǔ)充由于自我消除放電減少的壁電荷，降低誤放 電，降低消耗電力，及降低電路散熱。


圖1為顯示本發(fā)明的等離子顯示板一實(shí)例的斜視圖。
圖2為顯示本發(fā)明的等離子顯示板的電極配置的一實(shí)例的截面圖。
圖3為顯示將一個(gè)幀(frame)分為多個(gè)子字段(subfield)時(shí)分驅(qū)動(dòng)基板的方 法一實(shí)例的時(shí)序圖。
圖4為顯示針對圖3的被分割的一個(gè)子字段，驅(qū)動(dòng)等離子顯示板的驅(qū)動(dòng)信 號的一實(shí)例的時(shí)序圖。
圖5為驅(qū)動(dòng)等離子顯示板的驅(qū)動(dòng)裝置組成的一實(shí)例的圖片。
圖6為本發(fā)明一實(shí)例的驅(qū)動(dòng)信號的時(shí)序圖。
圖7為自我消除放電相關(guān)時(shí)序圖。
圖8為圖7相應(yīng)的放電串的內(nèi)部模式圖。
圖9為圖6相應(yīng)的放電串的內(nèi)部模式圖。
具體實(shí)施例方式
以下，參照附加的圖片具體介紹本發(fā)明的等離子顯示裝置。圖l為顯示本 發(fā)明的等離子顯示板一實(shí)例的斜視圖。
如圖1所示，等離子顯示板包括形成在上部基板10上的作為維持電極對的 掃描電極11及維持電極12和，形成在下部基板20上的尋址電極22。
上述維持電極對11， 12包括由銦錫氧化物(Indium-Tin-Oxide; ITO)組成 的透明電極lla， 12a和總線電極llb， 12b。上述總線電極llb， 12b可以采用 銀(Ag)，鉻(Cr)等的金屬或鉻/銅/鉻(Cr/Cu/Cr)的層積型或鉻/鋁/鉻(Cr/Al/Cr) 的層積型形成的總線電極llb， 12b。此時(shí)，總線電極llb， 12b形成在透明電極 lla， 12a上，起到減少電阻較高的透明電極lla， 12a引起的電壓下降的作用。
同時(shí)，本發(fā)明的一實(shí)例中，維持電極對ll， 12不僅可以采取層壓透明電極 lla， 12a和總線電極llb， 12b的結(jié)構(gòu)，也可以沒有透明電極lla， 12a只由總 線電極llb， 12b組成。這種結(jié)構(gòu)不使用透明電極lla， 12a，因此具有可以降低 基板制造單價(jià)的優(yōu)點(diǎn)。用于這種結(jié)構(gòu)的總線電極llb， 12b除了以上列舉的材料 之外也可以采用感光性材料等多種材料。
掃描電極ll及維持電極12的透明電極lla， 12a和總線電極llb， llc之 間排列了具有吸收上部基板10的外部產(chǎn)生的外部光線，降低反射的遮光作用 的功能和提高上部基板10的色飽和度(Purity)及對比度的功能的黑色矩陣 (BlackMatrix， BM)15。
本發(fā)明的一實(shí)例的黑色矩陣15形成在上部基板10上，可以由形成在與障壁21重疊位置的第1黑色矩陣15和，形成在透明電極lla， 12a和總線電極llb， 12b之間的第2黑色矩陣llc， 12c組成。在此，第1黑色矩陣15和被稱為黑色 層或黑色電極層的第2黑色矩陣llc， 12c可以在形成過程中同時(shí)形成后物理連 接，也可以不同時(shí)形成，不進(jìn)行物理連接。
而且，通過物理連接形成時(shí)，第1黑色矩陣15和第2黑色矩陣llc， 12c 由相同材質(zhì)形成，物性分解形成時(shí)可以由不同材質(zhì)形成。
并排形成掃描電極11和維持電極12的上部基板IO層壓了上部電介質(zhì)層13 和保護(hù)膜14。上部電介質(zhì)層13上積累通過放電產(chǎn)生的荷電粒子，可以實(shí)行保護(hù) 維持電極對ll， 12的功能。保護(hù)膜14保護(hù)上部電介質(zhì)層13，防止其受到氣體 放電時(shí)產(chǎn)生的荷電粒子的濺射的影響，提高2次電子的釋放效率。保護(hù)膜14使 用高2次電子的釋放系數(shù)高的材質(zhì)，例如氧化鎂(MgO)。
而且，尋址電極22與掃描電極11及維持電極12交叉形成。而且，形成尋 址電極22的下部基板20上形成下部電介質(zhì)層23和障壁21。而且，下部電介質(zhì) 層23和障壁21表面上形成熒光體層23。
而且，熒光體層23通過氣體放電時(shí)產(chǎn)生的紫外線而發(fā)光，產(chǎn)生紅色(R)， 綠色(G)或藍(lán)色中的任一個(gè)可見光。此時(shí)，在上部/下部基板10, 20和障壁21 之間的放電空間內(nèi)注入引起放電的He+Xe， Ne+Xe及He+Ne+Xe等惰性混合氣體。
同時(shí)，本發(fā)明的一實(shí)例中顯示了介紹了R， G及B放電串分別排列到相同線
上的情況，但是也可以采用其他形狀排列。例如，也可以采用R， G及B放電串
以三角形排列的三角(Delta)型排列。而且，放電串的形狀不僅可以采用四角形，
也可以采用五角形、六角形等多種多角形狀。
各個(gè)放電串的寬度可以相同，紅色、綠色、藍(lán)色放電串當(dāng)中至少一個(gè)寬度 與可以與其他放電串不同。
障壁21物理劃分放電串，防止放電生成的紫外線和可見光泄漏到鄰接的放 電串上?？梢耘渲脳l形(StripeType)、井形(WellType)、三角形(DeltaType)、 蜂窩形、及在條形障壁中衍生的魚骨形(Fishborn)的障壁。實(shí)例中，縱向障壁 21a和橫向障壁21b可以以封閉形劃分放電串。
本發(fā)明的一實(shí)例不僅可以采用圖1所示的障壁21結(jié)構(gòu)，也可以采用多種形 狀的障壁21結(jié)構(gòu)。例如，可以采用縱向障壁21a和橫向障壁21b高度不同的差 等型障壁結(jié)構(gòu)，縱向障壁21a或橫向障壁21b當(dāng)中至少一個(gè)障壁上形成可以作 為排氣通道的頻道(Channel)的頻道型障壁結(jié)構(gòu)，縱向障壁21a或橫向障壁21b 當(dāng)中的至少一個(gè)以上的障壁上形成槽(Hollow)的槽型障壁結(jié)構(gòu)。在此，若是差等型障壁結(jié)構(gòu)，則最好橫向障壁21b高度更高，若是頻道型 障壁結(jié)構(gòu)或槽形障壁結(jié)構(gòu)，則最好形成橫向障壁縱向障壁頻道或槽。
而且只顯示了障壁21形成在下部基板20上的例子，但是障壁21也可以配 置在上部基板10。
圖2為顯示本發(fā)明的等離子顯示板的電極配置的一實(shí)例的截面圖，如圖2 所示，組成等離子顯示板的多個(gè)放電串最好以矩陣形式配置。多個(gè)放電串分別 設(shè)在掃描電極線Yl至Ym、維持電極線Zl至Zm及尋址電極線XI至Xn的交叉部 上。掃描電極線Yl至Ym可以依次或同時(shí)驅(qū)動(dòng)，維持電極線Zl至Zm可以同時(shí) 驅(qū)動(dòng)。尋址電極線XI至Xn可以分為奇數(shù)線和偶數(shù)線驅(qū)動(dòng)或依次驅(qū)動(dòng)。
圖2所示的電極配置不過是本發(fā)明的等離子顯示板的電極配置的一實(shí)例.因 此，本發(fā)明并不限于圖2所示的等離子顯示板的電極配置及驅(qū)動(dòng)方式。例如， 也可以采用上述掃描電極線Yl至Ym當(dāng)中2個(gè)掃描電極線同時(shí)被掃描的雙掃描 (dualscan)方式。而且，上述尋址電極線XI至Xn也可以在基板的中心部分分 割為上下部分進(jìn)行驅(qū)動(dòng)。
圖3為顯示將一個(gè)幀(frame)分為多個(gè)子字段(subfield)時(shí)分驅(qū)動(dòng)基板的方 法一實(shí)例的時(shí)序圖。單位幀為實(shí)現(xiàn)時(shí)分色調(diào)顯示，可以分為一定個(gè)數(shù)例如8個(gè) 子字段SF1， ...， SF8。而且，各子字段SF1， ...， SF8分為重置區(qū)間(圖中未 顯示)和，尋址區(qū)間A1， ...， A8及，維持區(qū)間S1， ...， S8。
在此，根據(jù)本發(fā)明的一實(shí)例，可以在多個(gè)子字段當(dāng)中的至少一個(gè)字段省略 重置區(qū)間。例如，重置區(qū)間只在最初的子字段或，只在最初的子字段和整個(gè)子 字段當(dāng)中的中間部分的子字段中。
各尋址區(qū)間A1， ...， A8中，向?qū)ぶ冯姌OX施加顯示數(shù)據(jù)信號，依次施加 各掃描電極Y相應(yīng)的掃描脈沖。
各維持區(qū)間S1， ...， S8中，向掃描電極Y和維持電極Z交互施加維持脈 沖，在尋址區(qū)間A1， ...， A8形成壁電荷的各放電串中引起維持放電。
等離子顯示板的亮度與單位幀中所占的維持放電區(qū)間S1， ...， S8內(nèi)的維 持放電脈沖個(gè)數(shù)成比例。形成1個(gè)圖像的一個(gè)幀以8個(gè)子字段和256色調(diào)體現(xiàn) 時(shí)，各子字段中可以依次按照l， 2， 4， 8， 16， 32， 64， 128比率分配不同的 維持脈沖個(gè)數(shù)。若要得到133色調(diào)的亮度，則在子字段l區(qū)間，子字段3區(qū)間 及子字段8區(qū)間內(nèi)尋找各串后維持放電即可。
分配到各子字段的維持放電數(shù)可以根據(jù)APC(AutomaticPowerControl)階段 的子字段加權(quán)值可變設(shè)定。即，圖3中舉例介紹了將一個(gè)幀分為8個(gè)子字段的例子，但是可以根據(jù)設(shè)計(jì)規(guī)格靈活變更形成一個(gè)幀的子字段的數(shù)量。例如，可 以將一個(gè)幀分為12或16子字段等8個(gè)以上子字段，驅(qū)動(dòng)等離子顯示板。
而且，分配到各子字段的維持放電數(shù)可以考慮Y特征或基板特性，進(jìn)行多 種變更。例如，可以將分配到子字段4的色調(diào)度從8降到6，將分配到子字段6 的色調(diào)度從32提高到34。
圖4為顯示針對圖3的被分割的一個(gè)子字段，驅(qū)動(dòng)等離子顯示板的驅(qū)動(dòng)信 號的一實(shí)例的時(shí)序圖。
上述子字段包括在掃描電極上形成正極性壁電荷，在維持電極上形成負(fù)極 性壁電荷的預(yù)重置(prereset)區(qū)間，利用預(yù)重置區(qū)間內(nèi)形成的壁電荷分布，初 始化全畫面的放電串的重置(reset)區(qū)間，選擇放電串的尋址(address)區(qū)間及 維持被選放電串的放電的維持(sustain)區(qū)間。
重置區(qū)間由創(chuàng)建(setup)區(qū)間及記憶(setdown)區(qū)間組成。在上述創(chuàng)建區(qū)間 內(nèi)向所有掃描電極同時(shí)施加上斜波(Ramp-up)，所有放電串內(nèi)將產(chǎn)生微細(xì)放電， 由此生成壁電荷。在上述記憶區(qū)間中，向所有掃描電極同時(shí)施加從低于上述上 斜波(Ramp-up)的峰值電壓的陽極性電壓開始下降的下斜波(Ramp-down)而在所 有放電串發(fā)生消除放電，由此消除通過創(chuàng)建放電生成的壁電荷及空間電荷中的 多余電荷。
尋址區(qū)間向掃描電極依次施加具有負(fù)極性的掃描信號(scan)，與此同時(shí)向 上述尋址電極施加正極性的數(shù)據(jù)信號(data)。通過上述掃描信號(scan)和數(shù)據(jù) 信號(data)之間的電壓差和上述重置區(qū)間內(nèi)生成的壁電壓產(chǎn)生尋址放電，由此 選擇放電串。
同時(shí)，奄、上述記憶區(qū)間和尋址區(qū)間內(nèi)向維持電極施加保持維持電壓的信號。
維持區(qū)間向掃描電極和維持電極交替施加維持脈沖，在掃描電極和維持電 極之間以面放電形式發(fā)生維持放電。
維持區(qū)間內(nèi)，可向?qū)ぶ冯姌O施加一定的窄寬脈沖或規(guī)定電壓。能夠防止尋 址電極中由于維持脈沖而誘發(fā)的自我消除放電，同時(shí)補(bǔ)充被消除的壁電荷。
發(fā)生上述維持放電之后，可以在維持區(qū)間之后再包括，通過弱的放電，消 除殘留在尋址區(qū)間內(nèi)被選的啟動(dòng)串(ONcell)的掃描電極或維持電極中的壁電荷 的消除區(qū)間。
上述消除區(qū)間可以包含在所有多個(gè)子字段或其中一部分子字段中，最好在 維持區(qū)間內(nèi)，向沒有施加最后一個(gè)維持脈沖的電極施加引起上述弱放電的消除 信號。上述消除信號可以采用逐漸增加的斜形(ramp)信號，低電壓寬脈沖 (low-voltagewidepulse)，高電壓窄脈沖(high-voltagenarrowpulse)，按幾何 級數(shù)增力口的信號(exponentialsignal)或half-sinusoidalpulse等。
而且，為了引發(fā)上述弱的放電，可以依次向掃描電極或維持電極施加多個(gè) 脈沖。
圖4所示的驅(qū)動(dòng)波形是驅(qū)動(dòng)本發(fā)明的等離子顯示板的信號的一實(shí)例，本發(fā) 明并不限于上述圖4所示的波形。例如，可以省略上述預(yù)重置區(qū)間，可以根據(jù) 需要變更圖4所示的各驅(qū)動(dòng)信號的極性及電壓電平，在結(jié)束上述維持放電后向 維持電極施加消除壁電荷的消除信號。而且，也可以采用只向掃描電極Y和維 持Z電極當(dāng)中的任一個(gè)施加上述維持信號而引起維持放電的單獨(dú)維持 (singlesustain)驅(qū)動(dòng)。
圖5為驅(qū)動(dòng)等離子顯示板的驅(qū)動(dòng)裝置組成的一實(shí)例的圖片。
參照圖5，散熱幀30設(shè)在基板背面支撐基板的同時(shí)，吸收基板發(fā)生的熱量 后釋放。而且，散熱幀30背面設(shè)置向基板施加驅(qū)動(dòng)信號的印刷電路基板。
印刷電路基板40包括向基板的尋址電極提供驅(qū)動(dòng)信號的尋址驅(qū)動(dòng)部50，向 基板的掃描電極提供驅(qū)動(dòng)信號的掃描驅(qū)動(dòng)部60，向基板的維持電極提供驅(qū)動(dòng)信 號的維持驅(qū)動(dòng)部70，控制上述驅(qū)動(dòng)電路的驅(qū)動(dòng)控制部80及向各個(gè)驅(qū)動(dòng)電路提供 電源的電源元件PSU 90。
尋址驅(qū)動(dòng)部50向形成在基板的尋址電極提供驅(qū)動(dòng)信號，在形成在基板的多 個(gè)放電串當(dāng)中只選擇被放電的放電串。
尋址驅(qū)動(dòng)部50根據(jù)單掃描方式或雙掃描方式，設(shè)在基板的上側(cè)和下側(cè)當(dāng)中 的任一側(cè)或同時(shí)設(shè)在兩側(cè)。
尋址驅(qū)動(dòng)部50設(shè)置控制向上述尋址電極施加的電流的數(shù)據(jù)IC(圖中未顯 示)，上述數(shù)據(jù)IC中發(fā)生控制所施加的電路的轉(zhuǎn)換，會(huì)發(fā)生大量熱量。因此， 尋址驅(qū)動(dòng)部50中為了解決上述控制過程中產(chǎn)生的熱量，可設(shè)置散熱器(圖中未 顯示)。
如圖5所示，掃描驅(qū)動(dòng)部60可包括與驅(qū)動(dòng)控制部80連接的掃描維持板62 及連接掃描維持板62和基板的掃描驅(qū)動(dòng)板64。
掃描驅(qū)動(dòng)板64可分為上側(cè)和下側(cè)2個(gè)部分設(shè)置，如圖5所示，也可以設(shè)置 為一個(gè)或多個(gè)。
掃描驅(qū)動(dòng)板64設(shè)置向基板的掃描電極提供驅(qū)動(dòng)信號的掃描IC 65，掃描IC 65可向上述掃描電極連續(xù)施加重置，掃描及維持信號。維持驅(qū)動(dòng)部70向基板的維持電極提供驅(qū)動(dòng)信號。
驅(qū)動(dòng)控制部80，利用存儲(chǔ)器存儲(chǔ)的信號處理信息，對輸入的影像信號進(jìn)行 指定的信號處理，轉(zhuǎn)換為將要提供到尋址電極的數(shù)據(jù)，根據(jù)掃描順序排列上述 轉(zhuǎn)換之后的數(shù)據(jù)。而且，驅(qū)動(dòng)控制部80可向?qū)ぶ夫?qū)動(dòng)部50，掃描驅(qū)動(dòng)部60及 維持驅(qū)動(dòng)部70提供時(shí)間控制(timingcontrol)信號，從而控制上述驅(qū)動(dòng)電路的 驅(qū)動(dòng)信號供應(yīng)時(shí)點(diǎn)。
圖6為本發(fā)明一實(shí)例的驅(qū)動(dòng)信號的時(shí)序圖，圖7為自我消除放電相關(guān)時(shí)序 圖，圖8為圖7相應(yīng)的放電串的內(nèi)部模式圖，圖9為圖6相應(yīng)的放電串的內(nèi)部 模式圖。
參照圖6，在驅(qū)動(dòng)控制部80向掃描電極Y施加維持電壓Vsus，經(jīng)過規(guī)定期 間tc之后，向?qū)ぶ冯姌OX施加規(guī)定電壓Vx。
發(fā)生維持放電的串中發(fā)生自我消除放電，因此壁電荷會(huì)減少，需要高的維 持電壓Vsus。通過向?qū)ぶ冯姌OX施加規(guī)定電壓Vx,降低自我消除放電，補(bǔ)充所 減少的壁電荷。
圖7顯示了，不向維持區(qū)間當(dāng)中的尋址電極X施加規(guī)定電壓Vx時(shí)，由于向 掃描電極Y施加的維持電壓Vsus而誘發(fā)的尋址電極V的電壓。由于電介質(zhì)成分 或電感成分，掃描電極Y的電壓按照所定的上升期間，上述到維持電壓Vsus。 因此，尋址電極X中誘發(fā)上升及下降的電壓。掃描電極Y的電壓上升到維持電 壓Vsus之后，由于已誘發(fā)的電壓，尋址電極X會(huì)出現(xiàn)不穩(wěn)定的電壓波形110。 由于這個(gè)不穩(wěn)定電壓波形110，會(huì)發(fā)生自我消除放電。這種不穩(wěn)定的電壓波形 IIO能夠降低，向?qū)ぶ冯姌OX施加規(guī)定電壓Vx時(shí)，由于不穩(wěn)定電壓波形110引 起的自我消除放電。
參照圖8，向掃描電極Y施加維持電壓Vsus時(shí)，在掃描電極Y和維持電極 Z之間發(fā)生面放電120。除了由于維持電壓Vsus引起的面放電120之外，由于 圖7的尋址電極X的不穩(wěn)定電壓波形110，在尋址電極X和維持電極Z之間發(fā)生 消除放電130。由于這種消除放電130，壁電荷會(huì)減少，因此在進(jìn)行下一個(gè)維持 放電時(shí)需要更多的壁電荷。這一點(diǎn)會(huì)導(dǎo)致消耗電力的增加及電路發(fā)熱。
參照圖9，則為了補(bǔ)充由于消除放電130變得不足的壁電荷，通過向?qū)ぶ冯?極X施加規(guī)定電壓Vx補(bǔ)充壁電荷140。由于被補(bǔ)充的壁電荷，進(jìn)行下一個(gè)維持 放電時(shí)形成穩(wěn)定的放電。為了通過尋址電極X補(bǔ)充由于消除放電130被消除的 壁電荷，需要施加與維持電壓Vsus相同極性的電壓。向?qū)ぶ冯姌OX施加的規(guī)定 電壓Vx過高時(shí)，會(huì)產(chǎn)生對置放電，因此規(guī)定電壓Vx最好比維持電壓Vsus更低。參照圖7，在開始施加維持電壓Vsus之后，需要經(jīng)過規(guī)定期間才會(huì)發(fā)生不 穩(wěn)定的電壓波形110。因此，參照圖6，則最好施加維持電壓Vsus之后經(jīng)過規(guī) 定期間tc之后，向?qū)ぶ冯姌OX施加規(guī)定電壓Vx。施加到尋址電極X的規(guī)定電壓 Vx補(bǔ)充壁電荷，由于施加與維持電壓Vsus相同極性的電壓，因此能夠防止不穩(wěn) 定的電壓波形110引起的自我消除放電。規(guī)定期間tc可根據(jù)等離子顯示板結(jié)構(gòu) 變化，但是在0.5 //s以上時(shí)能夠防止不穩(wěn)定的電壓波形110引起的自我消除放 電，最好為不穩(wěn)定的電壓波形110的影響最少的2.5 /"S以下?；?yàn)榱搜a(bǔ)充壁電 荷，在施加維持電壓Vsus的期間內(nèi)，持續(xù)維持規(guī)定電壓。
保持向?qū)ぶ冯姌OX施加的規(guī)定電壓Vx的時(shí)間tw，在保持維持電壓Vsus的 期間內(nèi)進(jìn)行施加，最好為1.5 /ws至3 //s。保持引起自我消除放電的不穩(wěn)定電壓 波形110的時(shí)間為1.5/"s至3/"s，因此與其對應(yīng)，向?qū)ぶ冯姌OX施加規(guī)定電壓 Vx。而且，為了繼續(xù)向放電串提供壁電荷，可在保持維持電壓Vsus的期間內(nèi)進(jìn) 行施加。
上述本發(fā)明也可在計(jì)算機(jī)能夠讀取的記錄介質(zhì)上，采用計(jì)算機(jī)可讀取的代 碼體現(xiàn)。計(jì)算機(jī)能夠讀取的記錄介質(zhì)包括存儲(chǔ)可通過計(jì)算機(jī)系統(tǒng)讀取的數(shù)據(jù)的 所有種類的記錄裝置。計(jì)算機(jī)可讀取的記錄介質(zhì)的例有，ROM, RAM, CD-R0M， 碎帶，軟盤，光數(shù)據(jù)存儲(chǔ)裝置等，而且也包括通過傳輸網(wǎng)絡(luò)(例如通過互聯(lián)網(wǎng)的 傳輸)的形式。而且，計(jì)算機(jī)可讀取的記錄介質(zhì)分散在通過網(wǎng)絡(luò)連接的計(jì)算機(jī)系 統(tǒng)中，通過分散方式存儲(chǔ)及實(shí)行計(jì)算機(jī)能夠讀取的代碼。而且，本發(fā)明所屬技 術(shù)領(lǐng)域的工程師可輕松推論體現(xiàn)本發(fā)明的功能性(functional)程序，代碼及代 碼段。
以上顯示和介紹了本發(fā)明的最佳實(shí)例，但是本發(fā)明并不限于上述實(shí)例，顯 然在不脫離要求范圍要求的本發(fā)明要旨的條件下，只要是在本發(fā)明所述領(lǐng)域具 有基礎(chǔ)知識(shí)的人員，就可以進(jìn)行各種變形，這種變更也不脫離本發(fā)明技術(shù)思想 或預(yù)測范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求
1、一種等離子顯示裝置的驅(qū)動(dòng)方法，其特征在于，在維持區(qū)間內(nèi)向第1電極及第2電極交替施加維持電壓的階段；及向上述第1電極及上述第2電極當(dāng)中的至少一個(gè)電極施加維持電壓，經(jīng)過規(guī)定期間之后向?qū)ぶ冯姌O施加規(guī)定電壓的階段。
2、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子顯示裝置的驅(qū)動(dòng)方法，其特征在于，上述規(guī)定電壓與上述維持電壓相同極性。
3、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子顯示裝置的驅(qū)動(dòng)方法，其特征在于，上述 規(guī)定電壓為比上述維持電壓更小的電壓。
4、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子顯示裝置的驅(qū)動(dòng)方法，其特征在于，上述 規(guī)定期間為0.5//s至2.5/zs。
5、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子顯示裝置的驅(qū)動(dòng)方法，其特征在于，保持 上述規(guī)定電壓的時(shí)間為1. 5 /ws至3 //s。
6、 一種等離子顯示裝置，其特征在于，包括在維持區(qū)間內(nèi)被交替施加維 持電壓，引起維持放電的第1電極及第2電極；與上述第1電極及上述第2電 極當(dāng)中的任一個(gè)引起尋址放電的尋址電極；及施加上述維持電壓，在施加維持電壓之后經(jīng)過規(guī)定期間之后，向上述尋址電極施加規(guī)定電壓的驅(qū)動(dòng)控制部。
7、 根據(jù)權(quán)利要求6所述的等離子顯示裝置的驅(qū)動(dòng)方法，其特征在于，上述規(guī)定電壓與上述維持電壓相同極性。
8、 根據(jù)權(quán)利要求6^所述的等離子顯示裝置的驅(qū)動(dòng)方法，其特征在于，上述 規(guī)定電壓為比上述維持電壓更小。
9、 根據(jù)權(quán)利要求6所述的等離子顯示裝置的驅(qū)動(dòng)方法，其特征在于，上述 規(guī)定期間為0.5/"s至2.5/fi。
10、 根據(jù)權(quán)利要求6所述的等離子顯示裝置的驅(qū)動(dòng)方法，其特征在于，保 持上述規(guī)定電壓的時(shí)間為1. 5 //s至3 /(/s。
全文摘要
本發(fā)明為等離子顯示裝置及其驅(qū)動(dòng)方法相關(guān)發(fā)明。本等離子顯示裝置包括維持區(qū)間內(nèi)交替施加維持電壓引起維持放電的第1電極及第2電極，與上述第1電極及上述第2電極當(dāng)中的任一個(gè)引起尋址放電的尋址電極，及施加上述維持電壓，施加維持電壓之后經(jīng)過規(guī)定期間之后，向上述尋址電極施加規(guī)定電壓的驅(qū)動(dòng)控制部。由此，通過補(bǔ)償由于依賴于維持放電的自我消除放電而減少的空間電荷，防止誤放電，確保維持驅(qū)動(dòng)限度。
文檔編號G09G3/28GK101409038SQ20081018300
公開日2009年4月15日 申請日期2008年11月30日 優(yōu)先權(quán)日2008年1月17日
發(fā)明者金鐘欣 申請人:樂金電子(南京)等離子有限公司