專(zhuān)利名稱(chēng)：顯示設(shè)備和電子裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及顯示設(shè)備和電子裝置，并且更具體地涉及其中每個(gè)并入電光 元件的像素以矩陣形式布置的平板顯示設(shè)備、和具有該平板顯示設(shè)備的電子 裝置。
背景技術(shù)：
在圖像顯示設(shè)備的領(lǐng)域中，具有其每個(gè)并入電光元件、以矩陣形式布置 的像素(像素電路)的平板顯示設(shè)備正快速變得流行。在平板顯示設(shè)備中，
使用有機(jī)EL (電致發(fā)光)元件的有機(jī)EL顯示設(shè)備的開(kāi)發(fā)和商業(yè)化已經(jīng)以穩(wěn) 定的速度進(jìn)展。有機(jī)EL元件是其發(fā)光亮度根據(jù)流過(guò)該元件的電流改變的一 類(lèi)電流驅(qū)動(dòng)的電光元件。該類(lèi)元件依賴有機(jī)薄膜在被施加電場(chǎng)時(shí)發(fā)光的現(xiàn)象。
有機(jī)EL顯示設(shè)備具有以下特征。即，功耗低，因?yàn)橛袡C(jī)EL元件能夠由 IOV或更少的電壓驅(qū)動(dòng)。此外，有機(jī)EL元件是自發(fā)光的。因此，與被設(shè)計(jì)來(lái) 通過(guò)對(duì)包含液晶單元的每個(gè)像素控制來(lái)自光源(背光)的光強(qiáng)來(lái)顯示圖像的 液晶顯示設(shè)備相比，有機(jī)EL顯示設(shè)備提供更高的圖像可視性。此外，有機(jī) EL顯示設(shè)備不需要發(fā)光部件(如液晶顯示設(shè)備所需要的背光)，因此使得更 容易減少重量和厚度。此外，有機(jī)EL元件響應(yīng)速度非?？欤虼蠹s幾p秒。 這提供了沒(méi)有余像的運(yùn)動(dòng)圖像。
與液晶顯示設(shè)備一樣，有機(jī)EL顯示設(shè)備可以是筒單(無(wú)源)矩陣或有 源矩陣驅(qū)動(dòng)。然而，應(yīng)該注意，簡(jiǎn)單矩陣顯示設(shè)備雖然在構(gòu)造上簡(jiǎn)單，但是 具有一些問(wèn)題。這些問(wèn)題包括難以實(shí)現(xiàn)大的高清晰度顯示設(shè)備，因?yàn)殡姽庠?件的發(fā)光時(shí)段隨掃描線的數(shù)量(即，像素?cái)?shù)量)的增加而減少。
為此，近年來(lái)，有源矩陣顯示設(shè)備的開(kāi)發(fā)已經(jīng)快速進(jìn)行。這樣的顯示設(shè) 備利用在與電光元件相同的像素電路中提供的如絕緣柵極場(chǎng)效應(yīng)晶體管(典 型地，薄膜晶體管或TFT)的有源元件，控制流過(guò)電光元件的電流。在有源 矩陣顯示設(shè)備中，電光元件在幀間隔上維持發(fā)光。結(jié)果，可以容易地實(shí)現(xiàn)大 的高清晰度顯示設(shè)備。
順帶提及，有機(jī)EL元件的I-V特性(電流-電壓特性)典型地已知為隨 時(shí)間劣化(所謂的隨時(shí)間的劣化)。在使用N溝道TFT作為適于對(duì)有機(jī)EL 元件進(jìn)行電流驅(qū)動(dòng)的晶體管(以下稱(chēng)為"驅(qū)動(dòng)晶體管")的像素電路中，有機(jī) EL元件連接到驅(qū)動(dòng)晶體管的源極。因此，如果有機(jī)EL元件的I-V特性隨時(shí) 間劣化，則驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極-源極電壓Vgs改變，因此改變相同元件的發(fā)光 亮度。
這將在下面更具體地描述。驅(qū)動(dòng)晶體管的源極電勢(shì)由驅(qū)動(dòng)晶體管和有機(jī) EL元件之間的操作點(diǎn)確定。如果有機(jī)EL元件的I-V特性劣化，則驅(qū)動(dòng)晶體 管和有機(jī)EL元件之間的操作點(diǎn)將改變。結(jié)果，施加到驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極的 相同電壓改變驅(qū)動(dòng)晶體管的源極電勢(shì)。這改變驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極-源極電壓 Vgs,因此改變流過(guò)驅(qū)動(dòng)晶體管的電流水平。因此，流過(guò)有機(jī)EL元件的電流 水平也改變。結(jié)果，有機(jī)EL元件的發(fā)光亮度改變。
另一方面，在使用多晶硅TFT的像素電路中，驅(qū)動(dòng)晶體管的閾值電壓 Vth隨時(shí)間改變，并且除了 I-V特性隨時(shí)間劣化外，由于制造工藝變化(晶體 管具有不同的特性)，因此閾值電壓Vth從一個(gè)像素到另 一像素是不同的。
如果驅(qū)動(dòng)晶體管的閾值電壓Vth從一個(gè)像素到另一像素不同，則流過(guò)驅(qū) 動(dòng)晶體管的電流水平從一個(gè)像素到另一像素變化。因此，施加到驅(qū)動(dòng)晶體管 的柵極的相同電壓導(dǎo)致各像素之間的發(fā)光亮度的差別，因此損害屏幕一致性。
因此，在每個(gè)像素中提供補(bǔ)償和校正功能，以確保對(duì)有機(jī)EL元件的I-V 特性隨時(shí)間的劣化以及驅(qū)動(dòng)晶體管的閾值電壓Vth隨時(shí)間的變化免疫，因此 維持有機(jī)EL元件的發(fā)光亮度恒定(例如，參見(jiàn)日本專(zhuān)利未審公開(kāi)No. 2005-345722 )。補(bǔ)償功能通過(guò)各像素之間的晶體管補(bǔ)償有機(jī)EL元件的特性的 變化。
如上所述，每個(gè)像素具有補(bǔ)償和校正功能，以便補(bǔ)償自舉動(dòng)作。校正功
并且校正驅(qū)動(dòng)晶體管的閾值電壓Vth的變化。這確保對(duì)有才幾EL元件的I-V特 性隨時(shí)間的劣化以及驅(qū)動(dòng)晶體管的閾值電壓Vth隨時(shí)間的變化的免疫，因此 維持有機(jī)EL元件的發(fā)光亮度恒定。
發(fā)明內(nèi)容
在曰本專(zhuān)利未審公開(kāi)No. 2005-345722中描述的現(xiàn)有技術(shù)中，逐個(gè)像素行
經(jīng)由信號(hào)線提供的視頻信號(hào)由寫(xiě)入晶體管(采樣晶體管)采樣，并且被寫(xiě)到 驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極電極。然后，連接到驅(qū)動(dòng)晶體管的漏極的開(kāi)關(guān)晶體管導(dǎo)通。 這導(dǎo)致電流流過(guò)驅(qū)動(dòng)晶體管，因此實(shí)現(xiàn)自舉動(dòng)作。
更具體地，隨著電流流過(guò)驅(qū)動(dòng)晶體管，驅(qū)動(dòng)晶體管的源極電勢(shì)增加。此 時(shí)，因?yàn)閷?xiě)入晶體管未導(dǎo)通，所以驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極電極浮置。結(jié)果，因?yàn)?連接在驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極和源極電極之間的保持電容的動(dòng)作，所以柵極電勢(shì) 隨源極電勢(shì)增加而增加。這是自舉動(dòng)作。
在該自舉動(dòng)作中，驅(qū)動(dòng)晶體管的源極電勢(shì)Vs的增量AVs和相同晶體管 的柵極電勢(shì)Vg的增量A Vg理想地為彼此相等。也就是說(shuō)，自舉增益Gbst(= AVg/AVs),即，源極電勢(shì)Vs的增量AVs和柵極電勢(shì)Vg的增量AVg是一 (unity )。
然而，在存在耦合到棚-極電極的寄生電容的情況下，電荷在寄生和保持 電容之間共享。這減少了自舉增益Gbst，使得柵極電勢(shì)Vg的增量AVg小于 源極電勢(shì)Vs的增量AVs (其細(xì)節(jié)將在下面描述)。
即，驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極-源極電勢(shì)差比自舉動(dòng)作開(kāi)始前更小。這使得不可 能確保作為流過(guò)有機(jī)EL元件的驅(qū)動(dòng)電流所需的電流，即，適于由寫(xiě)入晶體 管寫(xiě)入的視頻信號(hào)電壓的電流。結(jié)果，由電流確定的像素的發(fā)光亮度減小， 因此導(dǎo)致由于不均勻的亮度造成的劣化的圖像質(zhì)量。
有鑒于此，期望提供一種顯示設(shè)備和具有該顯示設(shè)備的電子裝置，其能 最小化作為抑制正常自舉動(dòng)作的貢獻(xiàn)者的寄生電容，以便抑制由寄生電容導(dǎo) 致的發(fā)光亮度的減小。
根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的顯示設(shè)備包括像素陣列部分、寫(xiě)入掃描線和 校正掃描線。像素陣列部分包括以矩陣形式排列的像素。每個(gè)像素包括
電光元件；被適配來(lái)寫(xiě)入視頻信號(hào)的寫(xiě)入晶體管；以及^f皮適配來(lái)保持由寫(xiě)入 晶體管寫(xiě)入的視頻信號(hào)的保持電容。每個(gè)像素還包括被適配來(lái)基于由保持電
容保持的視頻信號(hào)驅(qū)動(dòng)電光元件的驅(qū)動(dòng)晶體管。每個(gè)像素還包括被適配來(lái)選 擇性地將基準(zhǔn)電勢(shì)寫(xiě)到驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極電極的開(kāi)關(guān)晶體管，該基準(zhǔn)電勢(shì)用 作視頻信號(hào)的基準(zhǔn)。對(duì)像素陣列部分的每個(gè)像素行布置寫(xiě)入掃描線。該寫(xiě)入 掃描線傳送要施加到寫(xiě)入晶體管的柵極電極的寫(xiě)入信號(hào)。對(duì)像素陣列部分的 每個(gè)像素行布置校正掃描線。該校正掃描線傳送要施加到開(kāi)關(guān)晶體管的柵極 電極的校正掃描信號(hào)。提供寫(xiě)入掃描線，以便不與連接到驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極
電極的布線圖形(wiring pattern)相交。
在如上所述配置的顯示設(shè)備以及具有該顯示設(shè)備的電子裝置中，寫(xiě)入掃 描線，并且優(yōu)選地寫(xiě)入掃描線和發(fā)光控制掃描線都不與連接到驅(qū)動(dòng)晶體管的 柵極電極的布線圖形相交。這防止了寄生電容耦合到驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極電極。 或者，這最小化了耦合到驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極電極的寄生電容。結(jié)果，可使得 在自舉動(dòng)作期間的自舉增益Gbst為一或接近一。這使得可以確保作為驅(qū)動(dòng)電 流的電流流過(guò)有機(jī)EL元件，該電流適于由寫(xiě)入晶體管寫(xiě)入的視頻信號(hào)電壓。
圖1是圖示根據(jù)本發(fā)明的應(yīng)用示例的有機(jī)EL顯示設(shè)備的示意配置的系 統(tǒng)配置圖2是圖示像素(像素電路)的配置的具體示例的電路圖； 圖3是圖示像素的剖面結(jié)構(gòu)的示例的剖面圖4是用于描述根據(jù)本發(fā)明的應(yīng)用示例的有機(jī)EL顯示設(shè)備的基本電路 操作的時(shí)序波形圖5是圖示典型布局中的像素組件的排列的電路圖6是示意性圖示典型布局中的像素組件的平面圖形圖7是圖示根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的布局中的像素組件的排列的電路圖8是示意性圖示根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的布局中的像素組件的平面圖形
圖9是圖示應(yīng)用本發(fā)明的電視機(jī)的外觀的透視圖10A和10B是圖示應(yīng)用本發(fā)明的數(shù)字相機(jī)的外觀的透視圖，并且圖
IOA是從前面看的透視圖，而圖IOB是從后面看的透視圖11是圖示應(yīng)用本發(fā)明的膝上型個(gè)人計(jì)算機(jī)的外觀的透視圖12是圖示應(yīng)用本發(fā)明的攝像機(jī)的外觀的透視圖；以及
圖13A到13G是圖示應(yīng)用本發(fā)明的移動(dòng)電話的外部視圖，并且圖13A
是移動(dòng)電話處于打開(kāi)位置的前視圖，圖13B是其側(cè)—見(jiàn)圖，圖13C是其處于關(guān)
閉位置的前視圖，圖13D是其左視圖，圖13E是其右視圖，圖13F是其頂視
圖，而圖13G是其底^L圖。
具體實(shí)施例方式
本發(fā)明最小化作為抑制正常自舉動(dòng)作的貢獻(xiàn)者的寄生電容，因此抑制由 寄生電容導(dǎo)致的發(fā)光亮度的減少，并提供改善的圖像質(zhì)量。 下面將參照附圖描述本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例。 [系統(tǒng)配置]
圖1是圖示應(yīng)用本發(fā)明的有源矩陣顯示設(shè)備的示意配置的系統(tǒng)配置圖。
這里，將以有源矩陣有機(jī)EL顯示設(shè)備作為示例來(lái)進(jìn)行描述。有機(jī)EL顯示設(shè) 備使用有機(jī)EL元件(有機(jī)電致發(fā)光元件)作為每個(gè)像素(像素電路)的發(fā) 光元件，該有機(jī)EL元件是其發(fā)光亮度根據(jù)流過(guò)元件的電流改變的電流驅(qū)動(dòng) 的電光元件。
如圖1所示，根據(jù)本應(yīng)用示例的有機(jī)EL顯示設(shè)備10包括像素陣列部分 30和驅(qū)動(dòng)部分。像素陣列部分30具有以矩陣形式二維排列的像素20。驅(qū)動(dòng) 部分圍繞像素陣列部分30布置，并且被適配來(lái)驅(qū)動(dòng)像素20。寫(xiě)入掃描電路 40、發(fā)光驅(qū)動(dòng)掃描電路50、第一和第二校正掃描電路60和70以及水平驅(qū)動(dòng) 電路80在適配來(lái)驅(qū)動(dòng)像素20的驅(qū)動(dòng)部分中。
像素陣列部分30典型地在如玻璃襯底的透明絕緣襯底上形成，以提供平 板結(jié)構(gòu)。所述部分30具有對(duì)m行n列排列的像素的每個(gè)像素行布置的寫(xiě)入 掃描線31-1到31-m之一、發(fā)光控制掃描線32-1到32-m之一、第一校正掃 描線33-1到33-m之一、以及第二校正掃描線34-1到34-m之一。此外，所 述部分30具有對(duì)每個(gè)像素列布置的信號(hào)線(數(shù)據(jù)線)35-l到35-n之一。
像素陣列部分30的像素20還可用無(wú)定形硅TFT (薄膜晶體管)或低溫 多晶硅TFT形成。當(dāng)使用低溫多晶硅TFT時(shí)，寫(xiě)入掃描電路40、發(fā)光驅(qū)動(dòng) 掃描電3各50、第一和第二校正掃描電路60和70、以及水平驅(qū)動(dòng)電路80還可 在其上形成像素陣列部分30的顯示平板(襯底)上實(shí)現(xiàn)。
寫(xiě)入掃描電路40包括移位寄存器或其他組件。在將視頻信號(hào)寫(xiě)入到像素 陣列部分30的像素20期間，所述電路40順序?qū)?xiě)入信號(hào)WS1到WSm分 別提供到寫(xiě)入掃描線31-1到31-m,以便逐行連續(xù)掃描(漸進(jìn)掃描)像素陣列 部分30的像素20。
發(fā)光驅(qū)動(dòng)掃描電路50包括移位寄存器或其他組件。在驅(qū)動(dòng)像素20以發(fā) 光期間，所述電路50順序?qū)l(fā)光控制信號(hào)DS1到DSm分別提供到發(fā)光控制 掃描線32-1到32陽(yáng)m。
第一和第二校正掃描電路60和70包括移位寄存器或其他組件。在下面
將描述的校正操作期間，所述電路60在合適時(shí)，將第一校正掃描信號(hào)AZ11 到AZlm分別提供到第一校正掃描線33-1到33-m。所述電路70在合適時(shí)， 將第二校正掃描信號(hào)AZ21到AZ2m分別提供到第二校正掃描線34-1到 34畫(huà)m。
水平驅(qū)動(dòng)電路80與寫(xiě)入掃描電路40的掃描同步地，將適于亮度信息的 視頻信號(hào)電壓Vsig (以下可簡(jiǎn)稱(chēng)為"信號(hào)電壓Vsig，，)提供給信號(hào)線35-1到 35-n。水平驅(qū)動(dòng)電路80例如逐行(row)(逐行(line ))寫(xiě)入信號(hào)電壓Vsig。 (像素電路)
圖2是圖示像素(像素電路)20的配置的具體示例的電路圖。
如圖2所示，像素20包括例如有機(jī)EL元件21作為發(fā)光元件，該有機(jī) EL元件21是其發(fā)光亮度根據(jù)流過(guò)元件的電流改變的電流驅(qū)動(dòng)類(lèi)型的電光元 件。除了所述元件21外，像素20包括驅(qū)動(dòng)晶體管22、寫(xiě)入晶體管(采樣晶 體管)23、開(kāi)關(guān)晶體管24到26、保持電容27、和輔助電容28作為其組件。
在如上所述配置的像素20中，N溝道TFT用作驅(qū)動(dòng)晶體管22、寫(xiě)入晶 體管23和開(kāi)關(guān)晶體管25和26。 P溝道TFT用作開(kāi)關(guān)晶體管24。然而，應(yīng)當(dāng) 注意，這里給出的驅(qū)動(dòng)晶體管22、寫(xiě)入晶體管23和開(kāi)關(guān)晶體管24到26的 傳導(dǎo)類(lèi)型的組合僅是示例，并且本發(fā)明不限于該組合。
有機(jī)EL元件21使其陰極電極連接到源極電勢(shì)Vcat(在此情形下的接地 電勢(shì)GND )。驅(qū)動(dòng)晶體管22是適于對(duì)有機(jī)EL元件21進(jìn)行電流驅(qū)動(dòng)的有源元 件。驅(qū)動(dòng)晶體管22使其源極電極連接到有機(jī)EL元件21的陽(yáng)極電極，因此 形成源極跟隨器電路。
寫(xiě)入晶體管23使其漏極電極連接到信號(hào)線35 ( 35-1到35-n之一 )，其 源極電極連接到驅(qū)動(dòng)晶體管22的柵極電極，并且其柵極電極連接到掃描線 31 (31-1到31-m之一)。
開(kāi)關(guān)晶體管24使其源極電極連接到第二源極電勢(shì)Vccp (在此情形下的 正源極電勢(shì))，其漏極電極連接到驅(qū)動(dòng)晶體管22的漏極電極，并且其柵極電 極連接到發(fā)光控制掃描線32 ( 32-1到32-m之一 )。
開(kāi)關(guān)晶體管25使其漏極電極連接到寫(xiě)入晶體管23的另一電極(驅(qū)動(dòng)晶 體管22的柵極電極)，其源極電極連接到第三源極電勢(shì)Vofs，并且其柵極電 極連接到第一校正掃描線33 ( 33-1到33-m之一)。
開(kāi)關(guān)晶體管26使其漏極電極連接到驅(qū)動(dòng)晶體管22的源極電極和有機(jī)EL
元件21的陽(yáng)極電極之間的連接點(diǎn)Nll,其源極電極連接到第四源極電勢(shì)Vini (在此情形下的負(fù)源極電勢(shì))，并且其柵極電極連接到第二校正掃描線34 (34-1到34-m之一 )。
保持電容27使其一個(gè)電極連接到驅(qū)動(dòng)晶體管22的柵極電極和寫(xiě)入晶體 管23的漏極電極之間的連接點(diǎn)N12。所述電容27使其另一電極連接到驅(qū)動(dòng) 晶體管22的源極電極和有機(jī)EL元件21的陽(yáng)極電極之間的連接點(diǎn)Nll。
輔助電容28使其一個(gè)電極連接到驅(qū)動(dòng)晶體管22的源極電極和有機(jī)EL 元件21的陽(yáng)極電極之間的連接點(diǎn)Nll。所述電容28使其另一電極連接到如 源極電勢(shì)Vccp的固定電勢(shì)。提供所述電容28用于輔助目的，以補(bǔ)充有機(jī)EL 元件21的電容的缺少。因此，所述電容28作為像素20的組件不是必要的。
在其組件根據(jù)上述關(guān)系連接的像素20中，每個(gè)組件用作下面的功能。
即，寫(xiě)入晶體管23響應(yīng)于由寫(xiě)入掃描電路40經(jīng)由寫(xiě)入掃描線31給出的 寫(xiě)入掃描信號(hào)WS導(dǎo)通。當(dāng)所述晶體管23導(dǎo)通時(shí)，其采樣經(jīng)由信號(hào)線35提 供的輸入信號(hào)電壓Vsig，并且將所述電壓Vsig寫(xiě)入到像素20。由寫(xiě)入晶體 管23寫(xiě)入的輸入信號(hào)電壓Vsig施加到驅(qū)動(dòng)晶體管22的柵極電極，并且同時(shí) 由保持電容27保持。
當(dāng)開(kāi)關(guān)晶體管24導(dǎo)通時(shí)，驅(qū)動(dòng)晶體管22提供有來(lái)自第二源極電勢(shì)Vccp 的電流。結(jié)果，驅(qū)動(dòng)晶體管22將適于由保持電容27保持的輸入信號(hào)電壓Vsig 的電壓電平的驅(qū)動(dòng)電流提供給有機(jī)EL元件21,因此驅(qū)動(dòng)所述元件21 (電流 驅(qū)動(dòng))。
驅(qū)動(dòng)晶體管22被設(shè)計(jì)為在飽和區(qū)操作。因此，驅(qū)動(dòng)晶體管用作恒流源。 結(jié)果，由下面的公式(1 )給出的恒定的漏極-源極電流Ids從驅(qū)動(dòng)晶體管22 提供給有機(jī)EL元件21:
<formula>formula see original document page 10</formula>
這里，Vth是驅(qū)動(dòng)晶體管22的閾值電壓，p是構(gòu)成驅(qū)動(dòng)晶體管22的溝 道的半導(dǎo)體薄膜的遷移率(以下簡(jiǎn)稱(chēng)為"驅(qū)動(dòng)晶體管22的遷移率")，W是溝 道寬度，L是溝道長(zhǎng)度，Cox是每單位面積的柵極電容，并且Vgs是相對(duì)于 源極電勢(shì)施加到柵極的柵極-源極電壓。
開(kāi)關(guān)晶體管24響應(yīng)于由發(fā)光驅(qū)動(dòng)掃描電路50經(jīng)由發(fā)光驅(qū)動(dòng)掃描線32 給出的發(fā)光驅(qū)動(dòng)信號(hào)DS導(dǎo)通。當(dāng)所述晶體管24導(dǎo)通時(shí)，其將來(lái)自第二源極 電勢(shì)Vccp的電流提供到驅(qū)動(dòng)晶體管22。即，開(kāi)關(guān)晶體管24是適于控制到驅(qū)
動(dòng)晶體管22的電流的提供和中斷的發(fā)光控制晶體管，因此控制用于占空驅(qū)動(dòng) 的有機(jī)EL元件21的發(fā)光和不發(fā)光。
開(kāi)關(guān)晶體管25響應(yīng)于由第一校正掃描電路60經(jīng)由第一校正掃描線33 給出的第一校正掃描信號(hào)AZ1導(dǎo)通。當(dāng)所述晶體管25導(dǎo)通時(shí)，其在寫(xiě)入晶 體管23寫(xiě)入-見(jiàn)頻信號(hào)電壓Vsig之前，將驅(qū)動(dòng)晶體管22的柵極電勢(shì)Vg初始 化為第三源極電勢(shì)Vofs。這里，第三源極電勢(shì)Vofs被設(shè)置為用作視頻信號(hào)的 基準(zhǔn)的電勢(shì)(基準(zhǔn)電勢(shì))。
開(kāi)關(guān)晶體管26響應(yīng)于由第二校正掃描電路70經(jīng)由第二校正掃描線34 給出的第二校正掃描信號(hào)AZ2導(dǎo)通。當(dāng)所述晶體管26導(dǎo)通時(shí)，其在寫(xiě)入晶 體管23寫(xiě)入視頻信號(hào)電壓Vsig之前，將驅(qū)動(dòng)晶體管22的源極電勢(shì)Vs初始 化到第四源極電勢(shì)Vini。
作為保證像素20的適當(dāng)操作的條件，第四源極電勢(shì)Vini被設(shè)置為低于 通過(guò)從第三源極電勢(shì)Vofs減去驅(qū)動(dòng)晶體管22的閾值電壓Vth而獲得的電勢(shì)。 即，電平關(guān)系Vini<Vofs-Vth成立。
此外，通過(guò)將有機(jī)EL元件21的閾值電壓Vthel加到所述元件21的陰極 電勢(shì)Vcat (在此情形下的接地電勢(shì)GND )獲得的電平，被設(shè)置為高于通過(guò)從 第三源極電勢(shì)Vofs減去驅(qū)動(dòng)晶體管22的閾值電壓Vth獲得的電平。即，電 平關(guān)系Vcat+Vthel〉Vofs-Vth(〉Vini)成立。
在顯示時(shí)段期間，保持電容27不僅保持由寫(xiě)入晶體管23寫(xiě)入的視頻信 號(hào)電壓Vsig,而且保持驅(qū)動(dòng)晶體管22的柵極-源極電勢(shì)差。 (像素結(jié)構(gòu))
圖3是圖示像素20的剖面結(jié)構(gòu)的示例的剖視圖。如圖3所示，像素20 包括絕緣膜202、絕緣平面膜203和窗口絕緣膜204，其按此順序在玻璃襯底 201上接連形成。玻璃襯底201具有在其上形成的像素電路，每個(gè)像素電路 包括驅(qū)動(dòng)晶體管22、寫(xiě)入晶體管23和其他組件。像素20還包括在窗口絕緣 膜204的凹入部分204A設(shè)置的有機(jī)EL元件21 。
有機(jī)EL元件21包括由在窗口絕緣膜204的凹入部分204A的底部上形 成的金屬或其他物質(zhì)構(gòu)成的陽(yáng)極電極205。所述元件21還包括在陽(yáng)極電極205 上形成的有機(jī)層206 (電子傳輸層、發(fā)光層和空穴傳輸/注入層)。所述元件 21還包括在有機(jī)層206上對(duì)所有像素共同形成的陰極電極207。陰極電極207 由例如透明傳導(dǎo)膜構(gòu)成。
在有機(jī)EL元件21中，有機(jī)層206通過(guò)在陽(yáng)極電極205上以此順序接連 沉積空穴傳輸層2061、發(fā)光層2062、電子傳輸層2063和電子注入層(未示 出)而形成。然后，電流經(jīng)由陽(yáng)極電極205從圖2中示出的驅(qū)動(dòng)晶體管22流 到有機(jī)層206。這導(dǎo)致電子和空穴在有機(jī)層206的發(fā)光層2062中重組，因此 導(dǎo)致發(fā)光。
如圖3所示，有機(jī)EL元件21在其上形成有像素電路的玻璃村底201上 形成。所述元件21經(jīng)由絕緣膜202、絕緣平面膜203和窗口絕緣膜204逐像 素地形成。在其形成后，封裝襯底209經(jīng)由鈍化膜208用粘合劑210粘合， 并且有機(jī)EL元件21用封裝襯底209封裝，因此形成顯示面板。 (電路操作的描述)
接下來(lái)將參照?qǐng)D4中的時(shí)序波形圖給出根據(jù)本申請(qǐng)示例的有源矩陣有機(jī) EL顯示設(shè)備10的基本電路操作的描述，該有源矩陣有機(jī)EL顯示設(shè)備10具 有如上所述配置的像素20,該像素20以矩陣形式二維排列。
圖4圖示在某個(gè)行上的像素20的驅(qū)動(dòng)期間，在由寫(xiě)入掃描電路40給到 像素20的寫(xiě)入掃描信號(hào)WS ( WS1到WSm之一 )、由發(fā)光驅(qū)動(dòng)掃描電路50 給到像素20的發(fā)光驅(qū)動(dòng)信號(hào)DS (DS1到DSm之一 )、以及由第一和第二校 正掃描電路60和70給到像素20的第一和第二校正掃描信號(hào)AZ1 (AZ11到 AZlm之一 )和AZ2 ( AZ21到AZ2m之一 )之間的時(shí)序關(guān)系。圖4還示出驅(qū) 動(dòng)晶體管22的柵極電勢(shì)Vg和源極電勢(shì)Vs的改變。
這里，寫(xiě)入晶體管23和開(kāi)關(guān)晶體管25和26是N溝道晶體管。因此， 寫(xiě)入掃描信號(hào)WS以及第一和第二^f交正掃描信號(hào)AZ1和AZ2在高電平(在該 示例中的源;〖及電勢(shì)Vccp;以下稱(chēng)為"H"電平)有效；而在低電平(在該示 例中的源極電勢(shì)Vcat (GND);以下稱(chēng)為"L"電平)無(wú)效。此外，開(kāi)關(guān)晶體 管24是P溝道晶體管。因此，發(fā)光驅(qū)動(dòng)信號(hào)DS在"L，，電平有效，而在"H" 電平無(wú)歲丈。
在時(shí)間tl,發(fā)光驅(qū)動(dòng)信號(hào)DS從"L"改變到"H"電平，使得開(kāi)關(guān)晶體 管24不導(dǎo)通(截止)。在此情況下，在時(shí)間t2,第二校正掃描信號(hào)AZ2從"L" 改變到"H"電平，使得開(kāi)關(guān)晶體管26導(dǎo)通(接通)。
當(dāng)開(kāi)關(guān)晶體管26導(dǎo)通時(shí)，第四源極電勢(shì)Vini經(jīng)由開(kāi)關(guān)晶體管26施加到 驅(qū)動(dòng)晶體管22的源極電極。即，驅(qū)動(dòng)晶體管22的源極電勢(shì)Vs在視頻信號(hào)電 壓Vsig的寫(xiě)入之前被初始化為源極電勢(shì)Vini。
此時(shí)，電平關(guān)系Vini〈Vcat+Vthel如前所述成立。因此，有機(jī)EL元件21 反向偏置。結(jié)果，沒(méi)有電流流過(guò)有機(jī)EL元件21,導(dǎo)致其不發(fā)光。
接下來(lái)，在時(shí)間t3，第一校正掃描信號(hào)AZ1從"L"改變到"H"電平， 導(dǎo)致開(kāi)關(guān)晶體管25導(dǎo)通。因此，第三源極電勢(shì)Vofs經(jīng)由開(kāi)關(guān)晶體管25施加 到驅(qū)動(dòng)晶體管22的柵極電極。即，驅(qū)動(dòng)晶體管22的柵極電極Vg在視頻信 號(hào)電壓Vsig的寫(xiě)入之前被初始化到源極電勢(shì)Vofs。
此時(shí)，驅(qū)動(dòng)晶體管22的柵極-源極電壓Vgs取值Vofs-Vini。這里，如上 所述的電平關(guān)系Vofs-Vini>Vth滿足。
<閾值校正時(shí)段>
接下來(lái)，在時(shí)間t4，第二校正掃描信號(hào)AZ2從"H"改變到"L，，電平， 使得開(kāi)關(guān)晶體管26不導(dǎo)通。然后，在時(shí)間t5,發(fā)光驅(qū)動(dòng)信號(hào)DS從"H"改 變到"L"電平，使得開(kāi)關(guān)晶體管24導(dǎo)通。結(jié)果，適于驅(qū)動(dòng)晶體管22的柵極 -源極電壓Vgs的電流經(jīng)由開(kāi)關(guān)晶體管24從源極電勢(shì)Vccp流過(guò)所述晶體管 22。
此時(shí)，有機(jī)EL元件的陰極電勢(shì)Vcat高于驅(qū)動(dòng)晶體管22的源極電勢(shì)Vs。 因此，有機(jī)EL元件21被反向偏置。結(jié)果，來(lái)自驅(qū)動(dòng)晶體管22的電流按下 面的順序流動(dòng)，即，節(jié)點(diǎn)Nll、保持電容27、節(jié)點(diǎn)N12、開(kāi)關(guān)晶體管25、和 源極電勢(shì)Vofs。因此，適于該電流的電荷存儲(chǔ)在保持電容27中。
另一方面，當(dāng)保持電容27改變時(shí)，驅(qū)動(dòng)晶體管22的源極電勢(shì)Vs將隨 時(shí)間從源極電勢(shì)Vini逐漸上升。然后，在過(guò)去給定時(shí)間后，當(dāng)驅(qū)動(dòng)晶體管22 的柵極-源極電壓Vgs變得等于所述晶體管22的闞值電壓Vth時(shí)，所述晶體 管22將進(jìn)入截止。
當(dāng)驅(qū)動(dòng)晶體管22進(jìn)入截止時(shí)，電流停止流過(guò)所述晶體管22。結(jié)果，驅(qū) 動(dòng)晶體管22的柵極-源極電壓Vgs (即，閾值電壓Vth)由保持電容27保持 作為閾值校正電壓。
然后，在時(shí)間t6,發(fā)光驅(qū)動(dòng)信號(hào)DS從"L"改變到"H"電平，使得開(kāi) 關(guān)晶體管24不導(dǎo)通。從時(shí)間t5到時(shí)間t6的該時(shí)段是驅(qū)動(dòng)晶體管22的閾值電 壓Vth被檢測(cè)并由保持電容27保持的時(shí)間段。
這里，為方便起見(jiàn)，該給出的從t5到t6 (t5-t6)的時(shí)段將被稱(chēng)為閾值校 正時(shí)段。然后，在時(shí)間t7，第一校正掃描信號(hào)AZ1從"H"改變到"L，，電平， 使得開(kāi)關(guān)晶體管25不導(dǎo)通。
<信號(hào)寫(xiě)入時(shí)段>
接下來(lái)，在時(shí)間t8,寫(xiě)入掃描信號(hào)WS從"L"改變到"H"電平，使得 寫(xiě)入晶體管23導(dǎo)通，并導(dǎo)致所述晶體管23采樣視頻信號(hào)電壓Vsig并將該信 號(hào)寫(xiě)到像素。結(jié)果，驅(qū)動(dòng)晶體管22的柵極電勢(shì)Vg變得等于信號(hào)電壓Vsig。
所述電壓Vsig由保持電容27保持。此時(shí)，由于保持電容27和有機(jī)EL 元件21之間的電容耦合，因此驅(qū)動(dòng)晶體管22的源極電勢(shì)Vs相對(duì)于在寫(xiě)入晶 體管23采樣時(shí)的驅(qū)動(dòng)晶體管22的柵極電勢(shì)Vg的幅度上升。
這里，讓有機(jī)EL元件21的電容值用Coled表示，保持電容27的電容 值用Cs表示，輔助電容28的電容值用Csub表示，并且驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極電 勢(shì)Vg的增量用△ Vg表示，則驅(qū)動(dòng)晶體管的源極電勢(shì)Vs的增量△ Vs由下面 的公式(2)給出
△Vs = AVgx {Cs/(Coled + Cs + Csub)} …(2)
另一方面，由寫(xiě)入晶體管23通過(guò)采樣寫(xiě)入的輸入信號(hào)電壓Vsig由保持 電容27保持，使得所述電壓Vsig加到由所述電容27保持的閾值電壓Vth。
此時(shí)，假設(shè)視頻信號(hào)的寫(xiě)入增益(視頻信號(hào)電壓Vsig和由保持電容27 保持的電壓之間的比率)是一 (理想值)，則由保持電容27保持的電壓是 Vsig-Vofs+Vth。這里，為了更容易理解，假設(shè)Vofs=0V，則柵極-源極電壓 Vgs為Vsig+Vth。
如上所述，各像素之間的驅(qū)動(dòng)晶體管22的閾值電壓Vth的變化和所述電 壓Vth隨時(shí)間的改變，可通過(guò)預(yù)先在保持電容27中保持閾值電壓Vth來(lái)校正。 即，當(dāng)驅(qū)動(dòng)晶體管22由信號(hào)電壓Vsig驅(qū)動(dòng)時(shí)，驅(qū)動(dòng)晶體管22的閾值電壓 Vth和由保持電容27保持的閾值電壓Vth彼此抵消。換句話說(shuō)，閾值電壓 Vth被校正。
閾值電壓Vth的該校正操作允許即使存在各像素之間的所述電壓Vth的 變化或所述電壓Vth隨時(shí)間的改變的情況下，也抵消閾值電壓Vth對(duì)由驅(qū)動(dòng) 晶體管對(duì)有機(jī)EL元件21的驅(qū)動(dòng)的影響。結(jié)果，有機(jī)EL元件21的發(fā)光亮度 可維持恒定，而不受閾值電壓Vth的變化或其隨時(shí)間的改變的影響。
<遷移率校正時(shí)段>
然后，在時(shí)間t9,發(fā)光驅(qū)動(dòng)信號(hào)DS在寫(xiě)入晶體管23保持導(dǎo)通的情況下 從"H，，改變到"L"電平，因此使得開(kāi)關(guān)晶體管24導(dǎo)通。結(jié)果，開(kāi)始從源 極電勢(shì)Vccp提供電流到驅(qū)動(dòng)晶體管22。這里，通過(guò)設(shè)置Vofs-Vth<Vthd，將
有機(jī)EL元件21置為反向偏置。
當(dāng)反向偏置時(shí)，有機(jī)EL元件21展現(xiàn)簡(jiǎn)單電容特性而不是二極管特性。 因此，流過(guò)驅(qū)動(dòng)晶體管22的漏極-源極電流Ids被寫(xiě)入組合電容C,該組合電 容C是保持電容27的電容值Cs、輔助電容28的電容值Csub、和有機(jī)EL元 件21的電容組件的電容值Coled的和(=Cs+Csub+Coled )。該寫(xiě)入導(dǎo)致驅(qū)動(dòng) 晶體管22的源極電勢(shì)Vs上升。
驅(qū)動(dòng)晶體管22的源極電勢(shì)Vs的增量AVs起作用，使得其從由保持電容 27保持的驅(qū)動(dòng)晶體管22的柵極-源極電壓Vgs減去，換句話說(shuō)，使得保持電 容27中存儲(chǔ)的電荷放電。這意味著施加負(fù)反饋。即，驅(qū)動(dòng)晶體管22的源極 電勢(shì)Vs的增量AVs是負(fù)反饋的反饋量。此時(shí)，驅(qū)動(dòng)晶體管22的柵極-源極 電壓Vgs是Vsig-AVs+Vth。
如上所述，如果流過(guò)驅(qū)動(dòng)晶體管22的電流(漏極-源極電流Ids)負(fù)反饋 到所述晶體管22的柵極輸入(柵極-源極電勢(shì)差)，則可抵消在每個(gè)像素20 中所述晶體管22的漏極-源極電流Ids對(duì)遷移率y的依賴性。即，可校正各像 素之間所述晶體管22的遷移率M的變化。
在圖4中，在相同時(shí)間寫(xiě)入掃描信號(hào)WS有效("H"電平時(shí)段)和發(fā)光 驅(qū)動(dòng)信號(hào)DS有效("L，，電平時(shí)段)的時(shí)段T (時(shí)段t9-tl0 ),即寫(xiě)入晶體管 23和開(kāi)關(guān)晶體管24都導(dǎo)通的時(shí)段，被稱(chēng)為遷移率校正時(shí)段。
這里，考慮具有相對(duì)高的遷移率)i的驅(qū)動(dòng)晶體管和具有相對(duì)低的遷移率 JJ的另一驅(qū)動(dòng)晶體管。與具有低遷移率M的驅(qū)動(dòng)晶體管的源極電勢(shì)相比，具 有高遷移率H的驅(qū)動(dòng)晶體管的源極電勢(shì)Vs急劇地上升。此外，源極電勢(shì)Vs 上升得越高，驅(qū)動(dòng)晶體管22的柵極-源極電壓Vgs變得越小。結(jié)果，電流更 不可能流動(dòng)。
即，通過(guò)調(diào)整遷移率校正時(shí)段T,可以使得所述漏極-源極電流Ids流過(guò) 具有不同遷移率Hi的驅(qū)動(dòng)晶體管22。如果由遷移率校正時(shí)段T確定的、驅(qū)動(dòng) 晶體管22的柵極-源極電壓Vgs由保持電容27保持，并且如果適于^f冊(cè)極-源 極電壓Vgs的電流(漏極-源極電流Ids )從驅(qū)動(dòng)晶體管22流到有才幾EL元件 21,則所述元件21發(fā)光。
發(fā)光時(shí)段
在時(shí)間t10,寫(xiě)入掃描信號(hào)WS降到"L"電平，使得寫(xiě)入晶體管"不 導(dǎo)通。結(jié)果，遷移率校正時(shí)段T結(jié)束，并且發(fā)光時(shí)段開(kāi)始。在發(fā)光時(shí)段中，
驅(qū)動(dòng)晶體管22的源極電勢(shì)Vs上升到有機(jī)EL元件21的驅(qū)動(dòng)電壓。
另一方面，當(dāng)寫(xiě)入晶體管23停止導(dǎo)通時(shí)，驅(qū)動(dòng)晶體管22的柵極從信號(hào)
線35 ( 35-1到35-n之一)斷開(kāi)并保持浮置。因此，通過(guò)保持電容27的自舉
動(dòng)作，柵極電勢(shì)Vg將與源極電勢(shì)Vs—起上升。
然后，當(dāng)驅(qū)動(dòng)晶體管22的源極電勢(shì)Vs上升時(shí)，反向偏置從有機(jī)EL元
件21移除，使得所述元件21正向偏置。因此，由前述公式(1 )給出的恒定
漏極-源極電流Ids從驅(qū)動(dòng)晶體管22流到有機(jī)EL元件21，導(dǎo)致所述元件21
實(shí)際開(kāi)始發(fā)光。
此時(shí)漏杉L-源極電流Ids和相H及-源極電壓Vgs之間的關(guān)系通過(guò)用 Vsig-AVs+Vth代入公式(1 )中的Vgs,由下面的公式(3 )給出。 Ids, (Vgs-Vth)2
<formula>formula see original document page 16</formula> 。
如從公式(3)清楚的，驅(qū)動(dòng)晶體管22的閾值電壓Vth的項(xiàng)被抵消。從 驅(qū)動(dòng)晶體管22提供到有機(jī)EL元件21的漏極-源極電流Ids獨(dú)立于驅(qū)動(dòng)晶體 管22的閾值電壓Vth。
基本上，驅(qū)動(dòng)晶體管22的漏極-源極電流Ids由視頻信號(hào)電壓Vsig確定。 換句話說(shuō)，有機(jī)EL元件21以適于視頻信號(hào)電壓Vsig的亮度發(fā)光，而不受各 像素之間驅(qū)動(dòng)晶體管的閾值電壓Vth的變化或其隨時(shí)間的改變的影響。
如上所述，驅(qū)動(dòng)晶體管22的閾值電壓Vth在視頻信號(hào)電壓Vsig的寫(xiě)入 之前，由保持電容27預(yù)先保持。結(jié)果，驅(qū)動(dòng)晶體管22的闊值電壓Vth可被 抵消(校正)，使得恒定漏極-源極電流Ids流過(guò)有機(jī)EL元件21,而不受各像 素之間所述電壓Vth的變化或其隨時(shí)間的改變的影響。這提供了高質(zhì)量顯示 圖像(對(duì)驅(qū)動(dòng)晶體管22的Vth的變化的補(bǔ)償功能)。
此外，如從公式(3)清楚的，通過(guò)將漏極-源極電流Ids負(fù)反饋到驅(qū)動(dòng)晶 體管22的柵極輸入，視頻信號(hào)電壓Vsig用反饋量AVs校正。反饋量AVs 用于抵消公式(3)的系數(shù)部分中遷移率M的影響。
因此，漏極-源極電流Ids實(shí)際上僅依賴于視頻信號(hào)電壓Vsig。即，有機(jī) EL元件21以適于信號(hào)電壓Vsig的亮度發(fā)光，而不受各像素之間驅(qū)動(dòng)晶體管 22的閾值電壓Vth的變化和其隨時(shí)間的改變的影響，而不受各像素之間所述 晶體管22的遷移率y的變化和其隨時(shí)間的改變的影響。這提供沒(méi)有帶狀
(banding)或不均勻亮度的一致的圖像質(zhì)量。
在遷移率校正時(shí)段T (t9-tl0)中，漏極-源極電流Ids負(fù)反饋到驅(qū)動(dòng)晶體 管22的柵極輸入，使得信號(hào)電壓Vsig用反饋量厶Vs校正。結(jié)果，驅(qū)動(dòng)晶體 管22的漏極-源極電流Ids對(duì)遷移率ju的依賴性被抵消，因此允許僅依賴于信 號(hào)電壓Vsig的漏極-源極電流Ids流過(guò)有機(jī)EL元件21。這確保沒(méi)有由各像素 之間驅(qū)動(dòng)晶體管22的遷移率n的變化或其隨時(shí)間的改變?cè)斐傻膸罨虿痪?勻亮度的一致的顯示圖像質(zhì)量(對(duì)驅(qū)動(dòng)晶體管22的遷移率y的補(bǔ)償功能)。
這里，在具有以矩陣形式排列的像素20的有機(jī)EL顯示設(shè)備10中，該 像素的每個(gè)包含電流驅(qū)動(dòng)的電光元件(即，有機(jī)EL元件21),如果有機(jī)EL 元件21的發(fā)光時(shí)間長(zhǎng)，則所述元件21的I-V特性將改變。因此，有機(jī)EL元 件21的陽(yáng)極電極和驅(qū)動(dòng)晶體管22的源極電極之間的連接點(diǎn)Nil的電勢(shì)(驅(qū) 動(dòng)晶體管22的源極電勢(shì)Vs)也將改變。
相反，在如上所述配置的有源矩陣有機(jī)EL顯示設(shè)備10中，因?yàn)轵?qū)動(dòng)晶 體管22的柵極和源極電極之間連接的保持電容27的自舉動(dòng)作，所以驅(qū)動(dòng)晶 體管22的柵極-源極電壓Vgs維持恒定。因此，流過(guò)有機(jī)EL元件21的電流 保持不變。因此，即使所述元件21的I-V特性劣化，恒定漏極-源極電流Ids 也將繼續(xù)流過(guò)有機(jī)EL元件21 。這抑制了有機(jī)EL元件的發(fā)光亮度的變化(對(duì) 有機(jī)EL元件21的特性改變的補(bǔ)償功能)。
這里，將考慮構(gòu)成像素20的各組件的布局，各組件即為5個(gè)晶體管22 到26、保持和輔助電容27和28、寫(xiě)入掃描線31、發(fā)光控制掃描線32以及 第一和第二校正掃描線33和34。 (典型像素布局)
圖5是圖示在像素20的典型布局中的像素組件的排列的電路圖。圖6 示意性圖示其平面圖形。
考慮像素20的高效布局，如圖5和圖6中所示，將第一和第二校正掃描 線33和34分別布置在像素20之上和之下、將寫(xiě)入掃描線31和發(fā)光控制掃 描線32布置在掃描線33和34之間、并且將像素組件排列在掃描線31和32 之上和之下將是常見(jiàn)的。
更具體地，寫(xiě)入晶體管23和開(kāi)關(guān)晶體管25布置在第一校正掃描線33 和寫(xiě)入掃描線31之間的區(qū)域中。驅(qū)動(dòng)晶體管22、開(kāi)關(guān)晶體管26以及保持和
輔助電容27和28布置在發(fā)光控制掃描線32和第二校正掃描線34之間的區(qū) 域中。
該典型的布局基于這樣的思想最小化適配來(lái)電連接布線層的接觸部分 的數(shù)量，以便確保組件排列上的效率。應(yīng)當(dāng)注意，適配來(lái)傳送視頻信號(hào)電壓 Vsig的信號(hào)線35和分別適配來(lái)傳送源極電勢(shì)Vccp、Vofs和Vini的源極線36、 37和38沿像素列布置(在像素的列方向上)。
在圖6所示的平面圖形圖中，寫(xiě)入掃描線31、發(fā)光控制掃描線32、第一 和第二校正掃描線33和34、以及晶體管22到26的柵極電極布置在玻璃村 底201 (參見(jiàn)圖3)上，作為使用鉬(Mo)或其他材料的第一層。晶體管22 到26的半導(dǎo)體層被形成為使用多晶硅(PS)或其他材料的第二層。信號(hào)線 35和源極線36、 37和38布置為使用鋁(Al)或其他材料的第三層。
這些布線層之間的位置關(guān)系從圖3中所示的^f象素結(jié)構(gòu)中顯而易見(jiàn)。絕緣 膜介于第一和第二層之間，并且另一絕緣膜介于第二和第三層之間。如從圖 6清楚的，采用上述的典型布局使得可以將被適配來(lái)電連接布線層的接觸部 分的數(shù)量保持為大約12。
然而，應(yīng)當(dāng)注意，在上面的典型布局中，被適配來(lái)電連接驅(qū)動(dòng)晶體管22 的柵極電極、寫(xiě)入晶體管23的源極電極、以及開(kāi)關(guān)晶體管25的漏極電極的 布線圖形306,與寫(xiě)入掃描線31和發(fā)光控制掃描線32的布線圖形相交(圖5 和6中由虛線圍繞的區(qū)域)。
如上所述，因?yàn)榈津?qū)動(dòng)晶體管22的柵極電極的布線圖形306與寫(xiě)入掃描 線31和發(fā)光控制掃描線32的布線圖形相交，所以寄生電容經(jīng)由絕緣膜(其 對(duì)應(yīng)于圖3中的絕緣膜202)在交叉區(qū)域中形成。該寄生電容用作耦合到驅(qū) 動(dòng)晶體管22的柵極電極的寄生電容(Cp)(參見(jiàn)圖2)。
理想地，在上述自舉動(dòng)作中，驅(qū)動(dòng)晶體管的源極電勢(shì)Vs的增量AVs應(yīng) 當(dāng)?shù)扔谒鼍w管的柵極電勢(shì)Vg的增量AVg。即，自舉增益Gbst應(yīng)當(dāng)是一。 然而，耦合到驅(qū)動(dòng)晶體管22的柵極電極的寄生電容導(dǎo)致電荷在寄生電容和保 持電容27之間分布，因此減少自舉增益Gbst。
這里，讓耦合到驅(qū)動(dòng)晶體管22的柵極電極的寄生電容的電容值用Cp表 示，則自舉增益Gbst可通過(guò)下面的公式表示
Gbst = AVg / AVs = Cs / (Cs + Cp) ... (4)
如從公式(4)清楚的，耦合到驅(qū)動(dòng)晶體管22的柵極電極的寄生電容的電容 值Cp越大，自舉增益Gbst下降得越多。
如果自舉增益Gbst下降，則柵極電勢(shì)Vg的增量厶Vg變得小于源極電 勢(shì)Vs的增量AVs。結(jié)果，驅(qū)動(dòng)晶體管22的柵極-源極電勢(shì)差小于當(dāng)自舉動(dòng)作 開(kāi)始時(shí)的柵極-源極電勢(shì)差。這使得不可能確保作為驅(qū)動(dòng)電流的電流流過(guò)有機(jī) EL元件21，該電流適于由寫(xiě)入晶體管23寫(xiě)入的視頻信號(hào)電壓Vsig。結(jié)果， 有機(jī)EL元件21的發(fā)光亮度減小，因此導(dǎo)致由于不均勻的亮度而造成的劣化 的圖像質(zhì)量。
在上述實(shí)施例中，以其每個(gè)像素包含五個(gè)晶體管(即，驅(qū)動(dòng)晶體管22、 寫(xiě)入晶體管23、以及開(kāi)關(guān)晶體管24到26)的有機(jī)EL顯示設(shè)備為例進(jìn)行了 描述。然而，本發(fā)明不限于該應(yīng)用示例，而可應(yīng)用到通常至少具有驅(qū)動(dòng)晶體 管22、連接到驅(qū)動(dòng)晶體管22的柵極電極的寫(xiě)入晶體管23以及開(kāi)關(guān)晶體管25
的有機(jī)EL顯示設(shè)備。
此外，在上述實(shí)施例中，以本發(fā)明應(yīng)用到使用有機(jī)EL元件的有機(jī)EL顯 示設(shè)備的情形為例進(jìn)行了描述。然而，本發(fā)明不限于該應(yīng)用示例，而可應(yīng)用 到通常具有以矩陣形式排列的、其每個(gè)包含電光元件的像素的平板顯示設(shè)備。
根據(jù)上述本發(fā)明的顯示設(shè)備可應(yīng)用為跨越包括圖9到圖13中示出的那些 的所有領(lǐng)域的電子裝置(即，數(shù)字相機(jī)、膝上型個(gè)人計(jì)算機(jī)、如移動(dòng)電話的 移動(dòng)終端設(shè)備、和攝像機(jī))的顯示設(shè)備。這些裝置被設(shè)計(jì)來(lái)顯示饋送到電子 裝置或在電子裝置中生成的視頻信號(hào)的圖像或視頻。
如上所述，如果用作跨越所有領(lǐng)域的電子裝置的顯示設(shè)備，則根據(jù)本發(fā) 明的顯示設(shè)備最小化作為抑制正常自舉動(dòng)作的貢獻(xiàn)者的寄生電容，因此抑制 由寄生電容導(dǎo)致的發(fā)光亮度的減少。這提供了在任何類(lèi)型的電子裝置中的顯 示屏幕上的改善的圖像質(zhì)量。
應(yīng)當(dāng)注意，根據(jù)本發(fā)明的顯示設(shè)備包括具有封裝配置的標(biāo)準(zhǔn)組件形式。 這樣的顯示設(shè)備對(duì)應(yīng)于通過(guò)向像素陣列部分30附接由例如透明玻璃構(gòu)成的 相對(duì)部分形成的顯示模塊。除了如濾光片和保護(hù)膜的膜外，前述遮光膜可在 透明的相對(duì)部分上提供。還應(yīng)當(dāng)注意，在顯示模塊上可提供被適配來(lái)允許在 外部裝置和像素陣列部分之間交換信號(hào)或其他信息的電^各部分、FPC (柔性 印刷電路)或其他電路。
應(yīng)用本發(fā)明的電子裝置的具體示例將在下面描述。
圖9是圖示應(yīng)用本發(fā)明的電視機(jī)的透視圖。根據(jù)本應(yīng)用示例的電視機(jī)包 括視頻顯示屏幕部分101，該視頻顯示屏幕部分101由例如前面板102、濾光 玻璃103以及其他部分構(gòu)成。電視機(jī)通過(guò)使用根據(jù)本發(fā)明的顯示設(shè)備作為視 頻顯示屏幕部分101來(lái)制造。
圖IOA和10B是圖示應(yīng)用本發(fā)明的數(shù)字相機(jī)的透視圖。圖IOA是從前 面看的數(shù)字相機(jī)的透視圖，而圖IOB是從后面看的其透視圖。根據(jù)本應(yīng)用示 例的數(shù)字相機(jī)包括閃光部分111、顯示部分112、菜單開(kāi)關(guān)113、快門(mén)按鈕114 和其他部分。數(shù)字相機(jī)通過(guò)使用根據(jù)本發(fā)明的顯示設(shè)備作為顯示部分112來(lái) 制造。
圖11是圖示應(yīng)用本發(fā)明的膝上型個(gè)人計(jì)算機(jī)的透視圖。根據(jù)本應(yīng)用示例 的膝上型個(gè)人計(jì)算機(jī)在其主體121中包括適配來(lái)操縱文本或其他信息的輸入
的鍵盤(pán)122、適配來(lái)顯示圖像的顯示部分123以及其他部分。膝上型個(gè)人計(jì) 算機(jī)通過(guò)使用根據(jù)本發(fā)明的顯示設(shè)備作為顯示部分123來(lái)制造。
圖12是圖示應(yīng)用本發(fā)明的攝像機(jī)的透視圖。根據(jù)本應(yīng)用示例的攝像機(jī)包 括主體部分131、在朝前的側(cè)表面上提供的用于對(duì)凈皮攝體成像的鏡頭132、成 像開(kāi)始/停止開(kāi)關(guān)133、顯示部分134和其他部分。攝像機(jī)通過(guò)使用根據(jù)本發(fā) 明的顯示設(shè)備作為顯示部分134來(lái)制造。
圖13A到13G是圖示應(yīng)用本發(fā)明的如移動(dòng)電話的移動(dòng)終端設(shè)備的透視 圖。圖13A是移動(dòng)電話處于打開(kāi)位置的前一見(jiàn)圖。圖13B是其側(cè)視圖。圖13C 是移動(dòng)電話處于關(guān)閉位置的前視圖。圖13D是其左視圖。圖13E是其右視圖。 圖13F是其頂視圖。圖13G是其底視圖。根據(jù)本應(yīng)用示例的移動(dòng)電話包括上 殼體141、下殼體142、連接部分(該示例中的鉸鏈部分)143、顯示器144、 子顯示器145、畫(huà)面燈146、相才幾147和其4也部分。移動(dòng)電話通過(guò)^f吏用^f艮據(jù)本 發(fā)明的顯示設(shè)備作為顯示器144和子顯示器145來(lái)制造。
本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解，各種修改、組合、子組合和更改可依賴于設(shè) 計(jì)需求和其他因素發(fā)生，只要它們?cè)跈?quán)利要求或其等效物的范圍內(nèi)。
相關(guān)申請(qǐng)的交叉引用
本發(fā)明包含涉及于2007年8月15日向日本專(zhuān)利局提交的日本專(zhuān)利申請(qǐng) JP2007-211624的主題，該申請(qǐng)的全部?jī)?nèi)容在此通過(guò)引用并入。
權(quán)利要求
1. 一種顯示設(shè)備，包括:像素陣列部分，該像素陣列部分具有以矩陣形式排列的像素，每個(gè)像素包括:電光元件，被適配來(lái)寫(xiě)入視頻信號(hào)的寫(xiě)入晶體管，被適配來(lái)保持由寫(xiě)入晶體管寫(xiě)入的視頻信號(hào)的保持電容，被適配來(lái)基于由保持電容保持的視頻信號(hào)驅(qū)動(dòng)電光元件的驅(qū)動(dòng)晶體管，以及被適配來(lái)選擇性地將基準(zhǔn)電勢(shì)寫(xiě)到驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極電極的開(kāi)關(guān)晶體管，該基準(zhǔn)電勢(shì)用作視頻信號(hào)的基準(zhǔn)；對(duì)像素陣列部分的每個(gè)像素行布置的寫(xiě)入掃描線，其被適配來(lái)傳送要施加到寫(xiě)入晶體管的柵極電極的寫(xiě)入信號(hào)；以及對(duì)像素陣列部分的每個(gè)像素行布置的校正掃描線，其被適配來(lái)傳送要施加到開(kāi)關(guān)晶體管的柵極電極的校正掃描信號(hào)；其中寫(xiě)入掃描線的布線結(jié)構(gòu)不與連接到驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極電極的布線圖形相交。
2. 如權(quán)利要求1所述的顯示設(shè)備，其中 校正掃描線布置在像素的各組件所布置的區(qū)域的外側(cè)，以及寫(xiě)入掃描線布置在校正掃描線的更外側(cè)，并且經(jīng)由在不同于寫(xiě)入掃描線 的布線層的布線層上形成的布線圖形，電連接到寫(xiě)入晶體管的相f極電極。
3. 如權(quán)利要求2所述的顯示設(shè)備，其中像素還包括發(fā)光控制晶體管，其被適配來(lái)控制電光元件的發(fā)光和不發(fā)光； 被適配來(lái)傳送要施加到發(fā)光控制晶體管的柵極電極的發(fā)光驅(qū)動(dòng)信號(hào)的發(fā)光控制掃描線被布置在寫(xiě)入掃描線的相對(duì)側(cè)，具有像素的各組件布置在它們之間的區(qū)域，以及發(fā)光控制掃描線經(jīng)由不同于發(fā)光控制掃描線的布線層的布線層上形成的布線圖形，電連接到發(fā)光控制晶體管的柵極電極。
4. 一種電子裝置，包括 顯示設(shè)備，包括 像素陣列部分，該像素陣列部分具有以矩陣形式排列的像素，每個(gè)像素包括電光元件，被適配來(lái)寫(xiě)入視頻信號(hào)的寫(xiě)入晶體管， 被適配來(lái)保持由寫(xiě)入晶體管寫(xiě)入的視頻信號(hào)的保持電容， 被適配來(lái)基于由保持電容保持的視頻信號(hào)驅(qū)動(dòng)電光元件的驅(qū)動(dòng)晶體管，以及被適配來(lái)選擇性地將基準(zhǔn)電勢(shì)寫(xiě)到驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極電極的開(kāi)關(guān)晶體管，該基準(zhǔn)電勢(shì)用作視頻信號(hào)的基準(zhǔn)；對(duì)像素陣列部分的每個(gè)像素行布置的寫(xiě)入掃描線，其被適配來(lái)傳送要施加到寫(xiě)入晶體管的柵極電極的寫(xiě)入信號(hào)；以及對(duì)像素陣列部分的每個(gè)像素行布置的校正掃描線，其被適配來(lái)傳送要施加到開(kāi)關(guān)晶體管的柵極電極的校正掃描信號(hào)；其中寫(xiě)入掃描線的布線結(jié)構(gòu)不與連接到驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極電極的布線圖形相交。
全文摘要
本發(fā)明提供一種顯示設(shè)備和電子裝置。該顯示設(shè)備包括像素陣列部分，該像素陣列部分具有以矩陣形式排列的像素，每個(gè)像素包括電光元件；寫(xiě)入晶體管；保持電容；驅(qū)動(dòng)晶體管；以及開(kāi)關(guān)晶體管；對(duì)像素陣列部分的每個(gè)像素行布置并且被適配來(lái)傳送要施加到寫(xiě)入晶體管的柵極電極的寫(xiě)入信號(hào)的寫(xiě)入掃描線；以及校正掃描線，其中寫(xiě)入掃描線的布線結(jié)構(gòu)不與連接到驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極電極的布線圖形相交。
文檔編號(hào)G09G3/30GK101383125SQ20081021097
公開(kāi)日2009年3月11日 申請(qǐng)日期2008年8月15日 優(yōu)先權(quán)日2007年8月15日
發(fā)明者谷龜貴央 申請(qǐng)人:索尼株式會(huì)社