專利名稱：電致發(fā)光顯示面板、電子設(shè)備和電致發(fā)光顯示面板驅(qū)動(dòng)方法
技術(shù)領(lǐng)域：
在該專利說(shuō)明書(shū)中描述的本發(fā)明涉及采用有源矩陣驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)驅(qū)動(dòng)/控制 的有機(jī)EL (電致發(fā)光)顯示面板，并涉及用于驅(qū)動(dòng)該有機(jī)EL顯示面板的驅(qū) 動(dòng)技術(shù)。注意到，在該專利說(shuō)明書(shū)中描述的本發(fā)明具有三個(gè)模式，即，有機(jī) EL顯示面板、采用該有機(jī)EL顯示面板的電子i殳備和用于驅(qū)動(dòng)該有機(jī)EL顯 示面纟反的方法。
背景技術(shù)：
圖1是示出采用有源矩陣驅(qū)動(dòng)方法驅(qū)動(dòng)/控制的有機(jī)EL顯示面板1的總 體電路框圖。如圖1的電路框圖所示，有機(jī)EL顯示面板1采用像素陣列部 分3、信號(hào)寫(xiě)入控制線驅(qū)動(dòng)部分5和水平選擇器7。注意到，像素陣列部分3 包括像素電路9,每個(gè)像素電路9位于信號(hào)線DTL和寫(xiě)入控制線WSL的交 叉處。
順便提及，在每個(gè)像素電路9中采用的有機(jī)EL裝置是根據(jù)流到其的電 流發(fā)光的發(fā)光裝置。由此，有機(jī)EL顯示面板1采用通過(guò)流過(guò)有機(jī)EL裝置的 電流的調(diào)整控制像素的灰度(gradation)的方法。圖2是示出由信號(hào)線DTL 連接到水平選擇器7和由寫(xiě)入控制線WSL連接到信號(hào)寫(xiě)入控制線驅(qū)動(dòng)部分5 的像素電路9的最簡(jiǎn)單的電路配置的框圖。如圖2的框圖所示，除了有機(jī)EL 裝置OLED之外，像素電路9還包括采樣晶體管Tl、驅(qū)動(dòng)晶體管T2和信號(hào) 保持電容器Cs。
注意到，采樣晶體管Tl是用于控制將對(duì)應(yīng)于像素電路9的灰度值的信 號(hào)電位Vsig存儲(chǔ)在信號(hào)保持電容器Cs中的操作的TFT (薄膜晶體管)。另一 方面，驅(qū)動(dòng)晶體管T2是用于基于驅(qū)動(dòng)晶體管T2的柵極-源極電壓Vgs將驅(qū)動(dòng)電流Ids供給到有機(jī)EL裝置OLED的薄膜晶體管，且驅(qū)動(dòng)晶體管T2的柵極 -源極電壓Vgs由在信號(hào)保持電容器Cs中存儲(chǔ)的信號(hào)電位Vsig確定。驅(qū)動(dòng)電 流Ids是在驅(qū)動(dòng)晶體管T2的漏極和源極之間流動(dòng)的電流，而柵極-源極電壓 Vgs是在驅(qū)動(dòng)晶體管T2的柵極和源極之間出現(xiàn)的電壓。在圖2中的框圖中所 示的像素電路9的情況下，采樣晶體管Tl是N溝道型的薄膜晶體管，而驅(qū) 動(dòng)晶體管T2是P溝道型的薄膜晶體管。
在如圖2的框圖所示的像素電路9的情況下，驅(qū)動(dòng)晶體管T2的源極通 過(guò)在本專利說(shuō)明書(shū)中也被稱為電源線的電流供給線連接到固定的電源電位 Vcc。驅(qū)動(dòng)晶體管T2典型地在飽和區(qū)域中工作。就是說(shuō)，驅(qū)動(dòng)晶體管T2用 作恒流源，其用于將具有由信號(hào)電位Vsig確定的量值(magnitude)的驅(qū)動(dòng)電 流Ids供給到有機(jī)EL裝置OLED。該驅(qū)動(dòng)電流Ids由下面等式表示
Ids=k . n ( Vgs-Vth) 2/2
在上述等式中，參考符號(hào)M表示在驅(qū)動(dòng)晶體管T2中多數(shù)載流子的遷移 率(mobility),而參考符號(hào)Vth表示驅(qū)動(dòng)晶體管T2的閾值電壓。另一方面， 參考符號(hào)k表示由表達(dá)式(W/L ) Cox表示的系數(shù)，其中參考符號(hào)W表示驅(qū) 動(dòng)晶體管T2的溝道寬度，參考符號(hào)L表示驅(qū)動(dòng)晶體管T2的溝道長(zhǎng)度，且參 考符號(hào)Cox表示驅(qū)動(dòng)晶體管T2的每單位面積柵極電容。
注意到，已知在具有圖2的框圖所示的配置的像素電路9中采用的驅(qū)動(dòng) 晶體管T2展現(xiàn)出由于老化過(guò)程而改變的漏極-電壓特性，其根據(jù)如圖3的曲 線圖所示的作為I-V特性的改變而改變，該I-V特性表示在上述提到的驅(qū)動(dòng) 電流Ids和在有機(jī)EL裝置OLED的陽(yáng)極和陰極之間施加的電壓的關(guān)系，該關(guān) 系作為由于老化過(guò)程而隨著時(shí)間的經(jīng)過(guò)改變的關(guān)系。因?yàn)轵?qū)動(dòng)晶體管T2的柵 極-源極電壓Vgs由信號(hào)保持電容器Cs保持在固定電平，但是，供給到有機(jī) EL裝置OLED的驅(qū)動(dòng)電流Ids的量值不改變，所以這允許將由有機(jī)EL裝置 OLED發(fā)出的光的亮度保持在恒定值。
板顯示器的文件的文件如下所列日本專利特平開(kāi)Nos. 2003-255856、 2003-271095、 2004-133240、 2004-029791和2004-093682。
發(fā)明內(nèi)容
順便提及，取決于用于創(chuàng)建像素電路9的薄膜處理的類型，像素電路9在某些情況下可不采用如圖2的框圖所示的典型電路配置。就是說(shuō)，在流行 的薄膜處理中，在某些情況下可能不創(chuàng)建P溝道型的薄膜晶體管。在這種情
況下，代替地使用N溝道型薄膜晶體管作為驅(qū)動(dòng)晶體管T2。
圖4是示出像素電路9的典型電路配置的框圖，該像素電路9由信號(hào)線 DTL連接到水平選擇器7，并由寫(xiě)入控制線WSL連接到信號(hào)寫(xiě)入控制線驅(qū)動(dòng) 部分5，以用作將兩個(gè)N溝道型薄膜晶體管分別用作采樣晶體管T1和驅(qū)動(dòng)晶 體管T2的的像素電路9。在該電流配置的情況下，驅(qū)動(dòng)晶體管T2的源極連 接到有機(jī)EL裝置OLED的陽(yáng)極。但是，如圖4的框圖所示的像素電路9引 起驅(qū)動(dòng)晶體管T2的柵極-源極電壓Vgs隨著時(shí)間的經(jīng)過(guò)而變化的問(wèn)題，該驅(qū) 動(dòng)晶體管T2的柵極-源極電壓Vgs的變化是由于有機(jī)EL裝置OLED由于如 圖3的曲線圖所示的老化過(guò)程而隨著時(shí)間的經(jīng)過(guò)而展現(xiàn)出的改變的緣故。這 些柵極-源極電壓Vgs的改變使得驅(qū)動(dòng)電流Ids的量值發(fā)生變化，使得由有機(jī) EL裝置OLED展現(xiàn)出的光的亮度也不期望地變化。
另外，在每個(gè)像素電路9中采用的驅(qū)動(dòng)晶體管T2的閾值電壓和遷移率 也隨像素而變化。驅(qū)動(dòng)晶體管T2的閾值電壓和遷移率隨像素的變化
(variation )表示為流到有機(jī)EL裝置的驅(qū)動(dòng)電流Ids的量值的變化，且流到 有機(jī)EL裝置的驅(qū)動(dòng)電流Ids的量值的變化表示為由有機(jī)EL裝置OLED展現(xiàn) 的光的亮度的值隨像素的變化。
因此，如果采用如圖4的框圖所示的典型配置的像素電路9,需要建立 用于驅(qū)動(dòng)像素電路9的方法以用作獨(dú)立于由有機(jī)EL裝置OLED展現(xiàn)出的作 為隨著時(shí)間的經(jīng)過(guò)的變化的特性變化而給出穩(wěn)定的發(fā)光特性的驅(qū)動(dòng)方法。
為了解決上述問(wèn)題，本發(fā)明的發(fā)明者創(chuàng)新了一種有機(jī)EL顯示面板，其 采用(a)像素電路，每個(gè)像素電路至少包括用于從固定電壓電源線取出
(drawing)驅(qū)動(dòng)電流并將驅(qū)動(dòng)電流供給到有機(jī)EL裝置的驅(qū)動(dòng)晶體管，連接 在驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極和源極之間的信號(hào)保持電容器，用于控制將信號(hào)電位存 儲(chǔ)到信號(hào)保持電容器和有機(jī)EL裝置中的操作的采樣晶體管；(b)作為對(duì)于 所有像素電路公共或?qū)τ诙鄠€(gè)上述像素電路公共的線而連接的電容器控制 線；(c )連接在有機(jī)EL裝置的陽(yáng)極和每個(gè)像素電路中的電容器控制線之間的 耦合電容器；和(d)用于在一個(gè)場(chǎng)時(shí)間段期間，至少一次將在電容器控制線 上出現(xiàn)的電位從低電平升高到高電平，并在從電位的上升沿開(kāi)始經(jīng)過(guò)預(yù)先確 定的時(shí)間之后將電位從高電平降低回到低電平的脈沖電壓源。
6順便提及，需要以這樣的方式驅(qū)動(dòng)脈沖電壓，即，當(dāng)將用于補(bǔ)償驅(qū)動(dòng)晶 體管的閾值電壓的變化效應(yīng)的參考電位施加到像素電路的任意一個(gè)時(shí)，脈沖 電壓源將在電容器控制線上出現(xiàn)的電位從低電平升高到高電平，并在從將參 考電位施加到像素電路的結(jié)束開(kāi)始經(jīng)過(guò)預(yù)先確定的時(shí)間之后將電位從高電平 降低回到低電平。
另外，還需要以這樣的方式驅(qū)動(dòng)脈沖電壓源，即，脈沖電壓源將在電容 器控制線上出現(xiàn)的電位從低電平升高到高電平，并對(duì)于每個(gè)水平掃描時(shí)間段
將電位從高電平降低回到低電平。順便提及，需要釆用N溝道型的薄膜晶體 管作為驅(qū)動(dòng)晶體管。
另外，本發(fā)明的發(fā)明者還創(chuàng)新了多種電子設(shè)備，每個(gè)電子設(shè)備都采用具 有上述面板結(jié)構(gòu)的有機(jī)EL顯示面板。每個(gè)創(chuàng)新的電子設(shè)備采用有機(jī)EL顯示 面板，用于控制整個(gè)有機(jī)EL顯示系統(tǒng)的系統(tǒng)控制部分和用于接收進(jìn)入到系 統(tǒng)控制部分的操作輸入的操作輸入部分。
在由本發(fā)明的發(fā)明者創(chuàng)新的發(fā)明中，在一個(gè)場(chǎng)時(shí)間段期間，至少一次將 在電容器控制線出現(xiàn)的電位從低電平升高到高電平，并在從電位的上升沿開(kāi) 始經(jīng)過(guò)預(yù)先確定的時(shí)間之后從高電平降低回到低電平，以關(guān)于在有機(jī)EL裝 置的陽(yáng)極上出現(xiàn)的電位和在驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極上出現(xiàn)的電位執(zhí)行耦合驅(qū)動(dòng)操 作。
通過(guò)采用該驅(qū)動(dòng)方法，使用具有兩個(gè)電平的電位，可以將在有機(jī)EL裝 置的陽(yáng)極上出現(xiàn)的電位和在驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極上出現(xiàn)的電位中的每一個(gè)控制 到合適的驅(qū)動(dòng)電位，而不驅(qū)動(dòng)用于將驅(qū)動(dòng)電流供給到有機(jī)EL裝置的電流供 給線。因此，與其中對(duì)于每個(gè)水平線供給電流供給線的電位作為具有兩個(gè)電 平的電位的配置相比，能夠把將要管理的操作時(shí)序的數(shù)目減少到等于作為將 1除以上述水平線的數(shù)目的結(jié)果獲得的商的小數(shù)，這是因?yàn)樵趧?chuàng)新的有機(jī)EL 顯示面板中采用的電容器控制線CNTL是對(duì)所有水平線公共的線。
結(jié)果，能夠由所有水平線共享由電流供給線傳送的驅(qū)動(dòng)信號(hào)，作為對(duì)所 有水平線公共的驅(qū)動(dòng)信號(hào)或?qū)Χ鄠€(gè)水平線公共的驅(qū)動(dòng)信號(hào)。通過(guò)以這種方式 共享驅(qū)動(dòng)信號(hào)，能夠使得驅(qū)動(dòng)部分的電路配置更簡(jiǎn)單，且也能減小電路的尺 寸。以這種方式，能夠減少制造有機(jī)EL顯示面板的成本。
圖1是示出通過(guò)采用有源矩陣驅(qū)動(dòng)方法驅(qū)動(dòng)/控制的有機(jī)EL顯示面板的
功能電路框圖2是示出由信號(hào)線連接到水平選擇器且由寫(xiě)入控制線連接到信號(hào)寫(xiě)入 控制線驅(qū)動(dòng)部分的像素電路的最簡(jiǎn)單的電路配置的電路框圖3是示出隨著有機(jī)EL裝置的I-V特性的改變而由老化引起的改變的 曲線圖4是示出像素電路的典型電路配置的電路框圖，該像素電路由信號(hào)線 連接到水平選擇器且由寫(xiě)入控制線連接到信號(hào)寫(xiě)入控制線驅(qū)動(dòng)部分，以用作 采用N溝道型薄膜晶體管用作采樣晶體管和驅(qū)動(dòng)晶體管的像素電路；
圖5是示出了有機(jī)EL顯示面板的典型外部配置的簡(jiǎn)圖6是示出根據(jù)第一實(shí)施例的有機(jī)EL顯示面板的典型系統(tǒng)配置的框圖7是示出根據(jù)第一實(shí)施例在有機(jī)EL顯示面板中每個(gè)都用作像素陣列 部分中的子像素電路的像素電路、和每個(gè)都用作驅(qū)動(dòng)電路的信號(hào)寫(xiě)入控制線 驅(qū)動(dòng)部分、電流供給線驅(qū)動(dòng)部分以及水平選擇器之間的布線連接的電路框圖8是示出在根據(jù)第一實(shí)施例的像素電路和信號(hào)寫(xiě)入控制線驅(qū)動(dòng)部分、 電流供給線驅(qū)動(dòng)部分以及水平選擇器之間的布線連接的電路框圖，其集中在 像素電路的內(nèi)部配置上；
圖9A到圖9E是示出根據(jù)第一實(shí)施例的關(guān)于驅(qū)動(dòng)像素電路的操作的信號(hào) 的多個(gè)時(shí)序圖表的時(shí)序圖10是將要在根據(jù)第一實(shí)施例的像素電路的工作狀態(tài)的描述中參考的 示例性電^各圖11是將要在根據(jù)第一實(shí)施例的像素電路的另一工作狀態(tài)的描述中參 考的示例性電路圖12是將要在根據(jù)第一實(shí)施例的像素電路的再一工作狀態(tài)的描述中參 考的示例性電路圖13是將要在根據(jù)第一實(shí)施例的像素電路的又一工作狀態(tài)的描述中參 考的示例性電路圖14是示出表示驅(qū)動(dòng)晶體管的源極電位隨著時(shí)間的經(jīng)過(guò)的改變的曲線 的曲線圖15是將要在根據(jù)第一實(shí)施例的像素電路的又一工作狀態(tài)的描述中參 考的示例性電路圖；圖16是示出表示驅(qū)動(dòng)晶體管的源極電位對(duì)于不同遷移率值隨著時(shí)間的
經(jīng)過(guò)的改變的曲線的曲線圖17是將要在根據(jù)第一實(shí)施例的像素電路的又一工作狀態(tài)的描述中參 考的示例性電路圖18是示出根據(jù)第二實(shí)施例的有機(jī)EL顯示面板的典型系統(tǒng)配置的電路
框圖19是示出根據(jù)第二實(shí)施例在有機(jī)EL顯示面板中每個(gè)都用作像素陣列 部分中的子像素電路的像素電路、和每個(gè)都用作驅(qū)動(dòng)電路的信號(hào)寫(xiě)入控制線 驅(qū)動(dòng)部分、脈沖電壓源以及水平選擇器之間的布線連接的電路框圖20是示出在根據(jù)第二實(shí)施例的像素電路和信號(hào)寫(xiě)入控制線驅(qū)動(dòng)部分、 脈沖電壓源以及水平選擇器之間的布線連接的電路框圖，其集中在像素電路 的內(nèi)部配置上；
圖21A到圖21E是示出根據(jù)第二實(shí)施例的關(guān)于驅(qū)動(dòng)像素電路的操作的信 號(hào)的多個(gè)時(shí)序圖表的時(shí)序圖22是將要在根據(jù)第二實(shí)施例的像素電路的工作狀態(tài)的描述中參考的 示例性電^^圖23是將要在根據(jù)第二實(shí)施例的像素電路的另一工作狀態(tài)的描述中參 考的示例性電路圖24是將要在根據(jù)第二實(shí)施例的像素電路的再一工作狀態(tài)的描述中參 考的示例性電路圖25是將要在根據(jù)第二實(shí)施例的像素電路的又一工作狀態(tài)的描述中參 考的示例性電路圖26是，要在根據(jù)第二實(shí)施例的像素電路的又一工作狀態(tài)的描述中參 考的示例性電路圖27是將要在根據(jù)第二實(shí)施例的像素電路的又一工作狀態(tài)的描述中參 考的示例性電路圖28是將要在根據(jù)第二實(shí)施例的像素電路的又一工作狀態(tài)的描述中參 考的示例性電路圖29是示出表示驅(qū)動(dòng)晶體管的源極電位隨著時(shí)間的經(jīng)過(guò)的改變的曲線 的曲線圖30是將要在根據(jù)第二實(shí)施例的像素電路的又一工作狀態(tài)的描述中參考的示例性電路圖31是示出表示驅(qū)動(dòng)晶體管的源極電位對(duì)于不同遷移率值隨著時(shí)間的 經(jīng)過(guò)的改變的曲線的曲線圖32是將要在根據(jù)第二實(shí)施例的像素電路的又一工作狀態(tài)的描述中參 考的示例性電路圖33A到圖33E是示出根據(jù)第二實(shí)施例的典型的驅(qū)動(dòng)操作的多個(gè)時(shí)序圖 表的時(shí)序圖，在所述典型驅(qū)動(dòng)操作中，通過(guò)將閾值電壓補(bǔ)償處理分布到多個(gè) 閾值電壓補(bǔ)償過(guò)程中來(lái)執(zhí)行閾值電壓補(bǔ)償處理，向每個(gè)閾值電壓補(bǔ)償過(guò)程分 配相同的多個(gè)水平掃描時(shí)間段之一；
圖34是示出根據(jù)第三實(shí)施例的有機(jī)EL顯示面板的典型系統(tǒng)配置的電路
框圖35是示出根據(jù)第三實(shí)施例在有機(jī)EL顯示面板中每個(gè)都用作像素陣列 部分中的子像素電路的像素電路、和每個(gè)都用作驅(qū)動(dòng)電路的脈沖電壓源、信 號(hào)寫(xiě)入控制線驅(qū)動(dòng)部分、偏移信號(hào)線驅(qū)動(dòng)部分以及水平選擇器之間的布線連 接的電路框圖36是示出在根據(jù)第三實(shí)施例的像素電路和脈沖電壓源、信號(hào)寫(xiě)入控制 線驅(qū)動(dòng)部分、偏移信號(hào)線驅(qū)動(dòng)部分以及水平選擇器之間的布線連接的電路框 圖，其集中在像素電路的內(nèi)部配置上；
圖37A到圖37E是示出根據(jù)第三實(shí)施例的關(guān)于驅(qū)動(dòng)像素電路的操作的信 號(hào)的多個(gè)時(shí)序圖表的時(shí)序圖38是將要在根據(jù)第三實(shí)施例的像素電路的工作狀態(tài)的描述中參考的 示例性電路圖39是將要在根據(jù)第三實(shí)施例的像素電路的另一工作狀態(tài)的描述中參 考的示例性電路圖40是將要在根據(jù)第三實(shí)施例的像素電路的再一工作狀態(tài)的描述中參 考的示例性電路圖41是將要在根據(jù)第三實(shí)施例的像素電路的又一工作狀態(tài)的描述中參 考的示例性電路圖42是將要在根據(jù)第三實(shí)施例的像素電路的又一工作狀態(tài)的描述中參 考的示例性電路圖43是將要在根據(jù)第三實(shí)施例的像素電路的又一工作狀態(tài)的描述中參考的示例性電路圖44是將要在根據(jù)第三實(shí)施例的像素電路的又一工作狀態(tài)的描述中參 考的示例性電路圖45是將要在根據(jù)第三實(shí)施例的像素電路的又一工作狀態(tài)的描述中參 考的示例性電路圖； —
圖46是將要在根據(jù)第三實(shí)施例的像素電路的又一工作狀態(tài)的描述中參 考的示例性電路圖47是示出根據(jù)第四實(shí)施例的有機(jī)EL顯示面板的典型系統(tǒng)配置的電路
框圖48是示出根據(jù)第四實(shí)施例在有機(jī)EL顯示面板中每個(gè)都用作像素陣列 部分中的子像素電路的像素電路、和每個(gè)都用作驅(qū)動(dòng)電路的信號(hào)寫(xiě)入控制線 驅(qū)動(dòng)部分、水平選擇器、脈沖電壓源以及驅(qū)動(dòng)電流控制線驅(qū)動(dòng)部分之間的布 線連接的電路框圖； -
圖49是示出在根據(jù)第四實(shí)施例的像素電路和信號(hào)寫(xiě)入控制線驅(qū)動(dòng)部分、 水平選擇器、脈沖電壓源以及驅(qū)動(dòng)電流控制線驅(qū)動(dòng)部分之間的布線連接的電 路框圖，其集中在像素電路的內(nèi)部配置上；
圖50A到圖50F是示出根據(jù)第四實(shí)施例的關(guān)于驅(qū)動(dòng)像素電路的操作的信 號(hào)的多個(gè)時(shí)序圖表的時(shí)序圖51是將要在根據(jù)第四實(shí)施例的像素電路的工作狀態(tài)的描述中參考的 示例性電^^圖52是將要在根據(jù)第四實(shí)施例的像素電路的另一工作狀態(tài)的描述中參 考的示例性電路圖53是將要在根據(jù)第四實(shí)施例的像素電路的再一工作狀態(tài)的描述中參 考的示例性電路圖54是將要在根據(jù)第四實(shí)施例的像素電路的又一工作狀態(tài)的描述中參 考的示例性電路圖55是將要在根據(jù)第四實(shí)施例的像素電路的又一工作狀態(tài)的描述中參 考的示例性電路圖56是將要在根據(jù)第四實(shí)施例的像素電路的又一工作狀態(tài)的描述中參 考的示例性電路圖57是將要在根據(jù)第四實(shí)施例的像素電路的又一工作狀態(tài)的描述中參考的示例性電路圖58是將要在根據(jù)第四實(shí)施例的像素電路的又一工作狀態(tài)的描述中參
考的示例性電路圖59是將要在根據(jù)第四實(shí)施例的像素電路的又一工作狀態(tài)的描述中參
考的示例性電路圖60是示出電子設(shè)備的典型概念配置的框圖； 圖61是示出用作典型電子設(shè)備的TV接收器的外觀的視圖； 圖62A和圖62B是每個(gè)都示出數(shù)字照相機(jī)的外觀的多個(gè)視圖； 圖63是示出數(shù)字照相機(jī)的外觀的視圖64A和圖64B是每個(gè)示出蜂窩電話的外觀的多個(gè)視圖；以及 圖65是示出筆記本計(jì)算機(jī)的外觀的視圖。
具體實(shí)施例方式
下面描述解釋其中將本發(fā)明的實(shí)施例應(yīng)用于有源矩陣驅(qū)動(dòng)類型的有機(jī) EL顯示面板的情況。注意到，可以假定在本專利說(shuō)明書(shū)的附圖中沒(méi)有示出的 任意部分或在本專利說(shuō)明書(shū)中沒(méi)有描述的任意部分是在現(xiàn)有技術(shù)領(lǐng)域中已知 的部分或根據(jù)已知技術(shù)的部分。另外，在下面說(shuō)明中解釋的每個(gè)實(shí)施例是本 發(fā)明的實(shí)施例的典型實(shí)現(xiàn)，且因此，本發(fā)明的實(shí)施例不限于在下面說(shuō)明中解 釋的實(shí)施例。
(A):外部配置
注意到，在本專利說(shuō)明書(shū)中描述的有機(jī)EL顯示面板不僅是通過(guò)以相同 的半導(dǎo)體處理在相同基底上創(chuàng)建像素陣列部分和用于驅(qū)動(dòng)像素陣列部分的每 個(gè)驅(qū)動(dòng)電路而獲得的顯示面板，還可以是通過(guò)實(shí)現(xiàn)每個(gè)典型地作為專用IC在 其上創(chuàng)建像素陣列部分的基底上制造的驅(qū)動(dòng)電路獲得的有機(jī)EL顯示面板。
圖5是示出有機(jī)EL顯示面板11的典型外部配置的簡(jiǎn)圖。如圖5的簡(jiǎn)圖 所示，有機(jī)EL顯示面板11具有通過(guò)將正面部分15附到在支撐基底13中包 括的區(qū)域上以用作在其中創(chuàng)建像素陣列部分的區(qū)域而構(gòu)造的結(jié)構(gòu)。
支撐基底13由諸如玻璃、塑料或其它物質(zhì)之類的材料制成。該支撐基底 13具有通過(guò)將有機(jī)EL層或保護(hù)膜層壓在支撐基底13的表面上建造的結(jié)構(gòu)。 以相同的方式，正面部分15由諸如玻璃、塑料或其它物質(zhì)之類的材料制成。 注意到，有機(jī)EL顯示面板11也包括FPC (柔性印刷電路)17，其典型地用于從外部源供給信號(hào)給支撐基底13,并從支撐基底13向外部目的地輸出信 號(hào)等。
(B)第一實(shí)施例 (B-l)系統(tǒng)配置
下面的說(shuō)明解釋了能夠避免驅(qū)動(dòng)晶體管T2隨像素的特性變化的效應(yīng)， 和具有組成每個(gè)像素電路9的更少元件的有機(jī)EL顯示面板11的典型系統(tǒng)配置。
圖6是示出有機(jī)EL顯示面板11的典型系統(tǒng)配置的框圖。在圖6的框圖 中所示的有機(jī)EL顯示面板11采用像素陣列部分21、信號(hào)寫(xiě)入控制線驅(qū)動(dòng)部 分23、電流供給線驅(qū)動(dòng)部分25、水平選擇器27和時(shí)序發(fā)生器29。具體地說(shuō)， 信號(hào)寫(xiě)入控制線驅(qū)動(dòng)部分23、電流供給線驅(qū)動(dòng)部分25和水平選擇器27每一 都用作像素陣列部分21的驅(qū)動(dòng)電路。
像素陣列部分21具有包括每個(gè)位于信號(hào)線DTL和寫(xiě)入控制線WSL的交 叉處的子像素電路的矩陣結(jié)構(gòu)。順便提及，子像素電路是一個(gè)像素的像素結(jié) 構(gòu)的最小單位。例如，配置用作白色單元的一個(gè)像素以包括三個(gè)不同的子像 素電路，即，R (紅色)、G (綠色)和B (藍(lán)色)子像素電路。
圖7是示出在每個(gè)用作像素陣列部分21中的子像素電路的像素電路31 和每個(gè)用作驅(qū)動(dòng)電路的信號(hào)寫(xiě)入控制線驅(qū)動(dòng)部分23、電流供給線驅(qū)動(dòng)部分25 以及水平選擇器27之間的布線連接的框圖。圖8是示出在像素電路31和信 號(hào)寫(xiě)入控制線驅(qū)動(dòng)部分23、電流供給線驅(qū)動(dòng)部分25以及水平選擇器27之間 的布線連接的框圖，其集中于(focusing on)像素電路31的內(nèi)部配置。如圖 8的框圖所示，像素電路31采用采樣晶體管Tl、驅(qū)動(dòng)晶體管T2、信號(hào)保持 電容器Cs和有機(jī)EL裝置OLED。釆樣晶體管Tl和驅(qū)動(dòng)晶體管T2每一都是 N溝道型的薄膜晶體管。
也在該電路配置的情況下，信號(hào)寫(xiě)入控制線驅(qū)動(dòng)部分23控制將采樣晶體 管T1置于通過(guò)寫(xiě)入控制線WSL被導(dǎo)通(turn on)或關(guān)斷(turn off)的狀態(tài) 的操作。將采樣晶體管Tl置于導(dǎo)通或關(guān)斷的狀態(tài)以便控制將在信號(hào)線DTL 上出現(xiàn)的電位存儲(chǔ)在信號(hào)保持電容器Cs中的操作。順便提及，配置信號(hào)寫(xiě)入 控制線驅(qū)動(dòng)部分23以采用具有與垂直分辨率顆粒度一樣多的輸出級(jí)的移位 寄存器。
電流供給線驅(qū)動(dòng)部分25將出現(xiàn)在電流供給線DSL上的電位設(shè)置在如后面所述的預(yù)先確定的兩個(gè)電平Vcc和Vss之一。電流供給線DSL連接到驅(qū)動(dòng)
晶體管T2的主電極中的特定一個(gè)，以便控制由像素電路31與其它驅(qū)動(dòng)電路 (即，信號(hào)寫(xiě)入控制線驅(qū)動(dòng)部分23和水平選擇器27)合作地執(zhí)行的操作。 驅(qū)動(dòng)晶體管T2的主電極是驅(qū)動(dòng)晶體管T2的源極和漏極。由像素電路31執(zhí) 行的操作不僅包括驅(qū)動(dòng)有機(jī)EL裝置OLED發(fā)光或不發(fā)光的操作，還包括補(bǔ) 償像素電路31隨像素的特性變化的操作。在第一實(shí)施例的情況下，補(bǔ)償像素 電路31隨像素的特性變化的操作包括補(bǔ)償驅(qū)動(dòng)晶體管T2的閾值電壓和遷移 率以便擺脫由閾值電壓和遷移率的變化引起的 一 致劣化(uniformity deterioration)的4喿4乍。
水平選擇器27維護(hù)(assert)在信號(hào)線DTL上表示像素?cái)?shù)據(jù)Din的信號(hào) 電位Vsig或用以補(bǔ)償驅(qū)動(dòng)晶體管T2的閾值電壓隨像素變化的效應(yīng)的參考電 位Vofs。在下面的描述中，參考電位Vofs也被稱為偏移電位Vofs。注意到， 配置水平選擇器27以包括具有與水平分辨率顆粒度一樣多的輸出級(jí)的移位 寄存器。水平選擇器27還對(duì)于每個(gè)輸出級(jí)采用鎖存電路、D/A轉(zhuǎn)換電路、緩 沖電路和選擇器。
時(shí)序發(fā)生器29是用于產(chǎn)生驅(qū)動(dòng)寫(xiě)入控制線WSL、電流供給線DSL和信 號(hào)線DTL所需的時(shí)序脈沖的電路裝置。 (B-2):典型驅(qū)動(dòng)操作
圖9是示出與驅(qū)動(dòng)在如圖8的框圖所示的典型配置中包括的像素電路31 的操作相關(guān)的信號(hào)的多個(gè)時(shí)序圖表(timing chart)的時(shí)序圖。順便提及，在 圖9的時(shí)序圖中，參考號(hào)Vcc表示在電流供給線DSL上維護(hù)以用作發(fā)光電位 的高電平電位，而參考符號(hào)Vss表示在電流供給線DSL上維護(hù)以用作非發(fā)光 電位的低電平電位。如先前所述，電流供給線驅(qū)動(dòng)部分25將在電流供給線 DSL上出現(xiàn)的電位設(shè)置在兩個(gè)電平Vcc和Vss之一。
首先，通過(guò)參考圖10的電路圖解釋發(fā)光狀態(tài)下的像素電路31的操作。 在該發(fā)光狀態(tài)中，采樣晶體管Tl處于被關(guān)斷的狀態(tài)。另一方面，驅(qū)動(dòng)晶體管 T2在飽和區(qū)域中工作，在如圖9的時(shí)序圖所示的時(shí)間段tl中將由柵極-源極 電壓Vgs確定的驅(qū)動(dòng)電流Ids供給到有機(jī)EL裝置OLED。
之后，解釋處于非發(fā)光狀態(tài)的像素電路31。在圖9的時(shí)序圖中所示的時(shí) 間段t2中，通過(guò)將在電流供給線DSL上出現(xiàn)的電位從高電平電位Vcc改變 為低電平電位Vss,將像素電路31的狀態(tài)從發(fā)光狀態(tài)切換到非發(fā)光狀態(tài)。在
14該情況下，如果低電平電位Vss小于Vthel和Vcath之和(或Vss < (Vthel+Vcath )),則有機(jī)EL裝置OLED停止發(fā)光，這里參考符號(hào)Vthel表 示有機(jī)EL裝置OLED的閾值電壓，而參考符號(hào)Vcath表示在有機(jī)EL裝置 OLED的陰極上出現(xiàn)的電位。
注意到，驅(qū)動(dòng)晶體管T2的源極電位Vs等于在電流供給線DSL上出現(xiàn) 的電位。就是說(shuō)，將有機(jī)EL裝置OLED的陽(yáng)極充電到低電平電位Vss。圖 11是示出像素電路31的工作狀態(tài)的電路圖。如在圖11的電路圖中的虛線箭 頭所示，將在信號(hào)保持電容器Cs中累積的電荷放電到電流供給線DSL。
稍后，在圖9的時(shí)序圖中所示的時(shí)間段t3,通過(guò)設(shè)置在用于補(bǔ)償驅(qū)動(dòng)晶 體管T2的閾值電壓隨像素變化的效應(yīng)的偏移電位Vofs的信號(hào)線DTL的電位， 當(dāng)在寫(xiě)入控制線WSL上出現(xiàn)的電位改變?yōu)楦唠娖綍r(shí)，將采樣晶體管Tl置于 被導(dǎo)通的狀態(tài)，將驅(qū)動(dòng)晶體管T2的柵極電位Vg改變?yōu)槠齐娢籚ofs。
圖12是示出在該情況下像素電路31的工作狀態(tài)的電路圖。在那時(shí)，驅(qū) 動(dòng)晶體管T2的柵極-源極電壓Vgs被設(shè)置在電位差(Vofs-Vss)。該電位差 (Vofs-Vss)被設(shè)置在大于驅(qū)動(dòng)晶體管T2的閾值電壓Vth的值。這是因?yàn)椋?如果不滿足關(guān)系式(Vofs-Vss) >Vth,則可能不能執(zhí)行補(bǔ)償驅(qū)動(dòng)晶體管T2 的閾值電壓隨像素變化的效應(yīng)的操作。
之后，在圖9的時(shí)序圖中所示的時(shí)間段t4中，在電流供給線DSL上出 現(xiàn)的電位從低電平電位Vss改變回高電平電位Vcc。圖13是示出在該狀態(tài)下 像素電路31的工作狀態(tài)的電路圖。注意到，在圖13的電路圖中，將有機(jī)EL 裝置OLED顯示為其等效電路。
詳細(xì)地說(shuō)，將有機(jī)EL裝置OLED顯示為由二極管和寄生電容器Cel組 成的等效電路。在該情況下，假定有機(jī)EL裝置OLED的漏電流小于流過(guò)驅(qū) 動(dòng)晶體管T2的驅(qū)動(dòng)電流Ids,只要滿足關(guān)系Vel《(Vcat+Vthel )，流過(guò)驅(qū)動(dòng) 晶體管T2的驅(qū)動(dòng)電流Ids就用于對(duì)信號(hào)保持電容器Cs和寄生電容器Cel進(jìn) 行充電。在該關(guān)系中，參考符號(hào)Vel表示在有機(jī)EL裝置OLED的陽(yáng)極上出 現(xiàn)的電位，參考符號(hào)Vthel表示有機(jī)EL裝置OLED的閾值電壓Vthel,而參 考符號(hào)Vcath表示在有機(jī)EL裝置OLED的陰極上出現(xiàn)的電位。在有機(jī)EL裝 置OLED的陽(yáng)極上出現(xiàn)的電位Vel是驅(qū)動(dòng)晶體管T2的源^1電位Vs。
結(jié)果，在有機(jī)EL裝置OLED的陽(yáng)極上出現(xiàn)的電位Vel隨著時(shí)間的經(jīng)過(guò) 而上升，如圖14的曲線圖所示。就是說(shuō)，在將驅(qū)動(dòng)晶體管T2的柵極電位按照原樣地固定在偏移電位Vofs的狀態(tài)中，驅(qū)動(dòng)晶體管T2的源極電位Vs開(kāi)始 上升。該操作是補(bǔ)償驅(qū)動(dòng)晶體管T2的閾值電壓隨像素變化的效應(yīng)的操作。
隨時(shí)間的適當(dāng)推移(In due course of time )，驅(qū)動(dòng)晶體管T2的柵極-源極 電壓Vgs達(dá)到驅(qū)動(dòng)晶體管T2的閾值電壓Vth。在那時(shí)，滿足關(guān)系Vel= (Vofs-Vth)《(Vcat十Vthel )。當(dāng)補(bǔ)償驅(qū)動(dòng)晶體管T2的閾值電壓隨像素變化 的效應(yīng)的操作結(jié)束時(shí)，在圖9的時(shí)序圖中所示的時(shí)間段t5，再次控制采樣晶 體管Tl以進(jìn)入被關(guān)斷的狀態(tài)。
之后，在將信號(hào)線DTL改變到信號(hào)電位Vsig所需的時(shí)序之后，在圖9 的時(shí)序圖中所示的時(shí)間段t6中，再次控制采樣晶體管Tl以進(jìn)入被導(dǎo)通的狀 態(tài)。圖15是示出在該情況下像素電路31的工作狀態(tài)的電路圖。順便提及， 信號(hào)電位Vsig是表示像素電路31的灰度值的電位。
在那時(shí)，驅(qū)動(dòng)晶體管T2的柵極電位Vg改變?yōu)樾盘?hào)電位Vsig。另 一方面， 驅(qū)動(dòng)晶體管T2的源極電位Vs由于從電流供給線DSL流到信號(hào)保持電容器 Cs的電流的緣故而隨著時(shí)間的經(jīng)過(guò)而上升。
在那時(shí)，如果驅(qū)動(dòng)晶體管T2的源極電位Vs不超過(guò)有機(jī)EL裝置OLED 的閾值電壓Vthel和有機(jī)EL裝置OLED的陰極電壓Vcat之和，就是說(shuō)，如 果有機(jī)EL裝置OLED的漏電流遠(yuǎn)小于流過(guò)驅(qū)動(dòng)晶體管T2的驅(qū)動(dòng)電流Ids, 則流過(guò)驅(qū)動(dòng)晶體管T2的驅(qū)動(dòng)電流Ids用于對(duì)信號(hào)保持電容器Cs和寄生電容 器Cel充電。
注意到，因?yàn)檠a(bǔ)償驅(qū)動(dòng)晶體管T2的閾值電壓隨像素變化的效應(yīng)的操作 結(jié)束，所以流過(guò)驅(qū)動(dòng)晶體管T2的驅(qū)動(dòng)電流Ids具有反映驅(qū)動(dòng)晶體管T2的遷 移率U的量值。具體地說(shuō)，驅(qū)動(dòng)晶體管T2的遷移率ju越大，流過(guò)驅(qū)動(dòng)晶體管 T2的驅(qū)動(dòng)電流Ids越大，因此，如圖16的曲線圖中的實(shí)線曲線所示的，源^L 電位Vs上升的速度越快。相反，驅(qū)動(dòng)晶體管T2的遷移率ju越小，流過(guò)驅(qū)動(dòng) 晶體管T2的驅(qū)動(dòng)電流Ids越小，因此，如圖16的曲線圖中的虛線曲線所示， 源極電位Vs上升的速度越低。
結(jié)果，對(duì)于驅(qū)動(dòng)晶體管T2的遷移率y隨像素的變化補(bǔ)償由信號(hào)保持電 容器Cs保持的電壓。就是說(shuō)，驅(qū)動(dòng)晶體管T2的柵極-源極電壓Vgs改變?yōu)樽?為.補(bǔ)償驅(qū)動(dòng)晶體管T2的遷移率)i隨像素變化的效應(yīng)的結(jié)果獲得的電壓。
最后，在圖9的時(shí)序圖中所示的時(shí)間段t7中，控制采樣晶體管T1以進(jìn) 入被關(guān)斷的狀態(tài)，以便終止在信號(hào)保持電容器Cs中存儲(chǔ)信號(hào)電位Vsig的操作，有機(jī)EL裝置OLED開(kāi)始發(fā)光的操作。圖17是示出在該情況下像素電路 31的工作狀態(tài)的電路圖。注意到，將驅(qū)動(dòng)晶體管T2的柵極-源極電壓Vgs保 持在固定量值。因此，在該狀態(tài)下，驅(qū)動(dòng)晶體管T2將恒定驅(qū)動(dòng)電流Ids，輸出 到有機(jī)EL裝置OLED。
因此，在有機(jī)EL裝置OLED的陽(yáng)極上出現(xiàn)的陽(yáng)極電位Vel上升到電位 電平Vx，這使得驅(qū)動(dòng)電流Ids，流到有機(jī)EL裝置OLED。結(jié)果，有機(jī)EL裝置 OLED開(kāi)始發(fā)光。
順便提及，也在根據(jù)該第一實(shí)施例的像素電路的情況下，隨著發(fā)光時(shí)間 段的長(zhǎng)度增加，就是說(shuō)，隨著時(shí)間流逝，有機(jī)EL裝置OLED的I-V特性如 先前參考圖3的曲線圖所述地改變。
因此，驅(qū)動(dòng)晶體管T2的源極電位Vs也改變。因?yàn)轵?qū)動(dòng)晶體管T2的源 極電位Vs由信號(hào)保持電容器Cs保持在固定電平，但是，供給到有機(jī)EL裝 置OLED的驅(qū)動(dòng)電流Ids的量值不改變，所以這允許由有才幾EL裝置OLED 發(fā)出的光的亮度保持在恒定值。因此，通過(guò)利用根據(jù)第一實(shí)施例的像素電路 31和采用用于驅(qū)動(dòng)像素電路31的驅(qū)動(dòng)方法，而不考慮由有機(jī)EL裝置OLED 的I-V特性隨著時(shí)間的經(jīng)過(guò)展現(xiàn)出的改變，可以允許由信號(hào)電位Vsig確定的 驅(qū)動(dòng)電流Ids典型地繼續(xù)流到有機(jī)EL裝置OLED。結(jié)果，可以將由有機(jī)EL 裝置OLED發(fā)出的光的亮度持續(xù)地維持在僅由信號(hào)電位Vsig確定的值，而不 受有機(jī)EL裝置OLED的I-V特性隨著時(shí)間的經(jīng)過(guò)展現(xiàn)出的改變的影響。 (B-3):結(jié)論
如上所述，通過(guò)利用根據(jù)第 一實(shí)施例的像素電路31和采用用于驅(qū)動(dòng)像素 電路31的驅(qū)動(dòng)方法，即使采用N溝道型的薄膜晶體管以用作像素電路31的 驅(qū)動(dòng)晶體管T2,可以實(shí)現(xiàn)不具有隨像素的光亮度變化的有機(jī)EL顯示面板。 另外，在像素電路31中采用的所有晶體管每個(gè)都能被創(chuàng)建為N溝道型的薄 膜晶體管，使得非晶硅族(amorphous silicon family )的處理能夠用作制造有 機(jī)EL顯示面板的處理。
(C):第二實(shí)施例
(C-1):系統(tǒng)配置
第二實(shí)施例實(shí)現(xiàn)能夠以相對(duì)低的成本制造的有機(jī)EL顯示面板的結(jié)構(gòu)， 并實(shí)現(xiàn)用于驅(qū)動(dòng)在該有機(jī)EL顯示面板中采用的有機(jī)EL裝置的方法。
圖18是示出有機(jī)EL顯示面板11的典型系統(tǒng)配置的框圖。在該典型系
17統(tǒng)配置中采用作為與在圖6的框圖中示出的系統(tǒng)配置中包括的相應(yīng)對(duì)應(yīng)物相 同的元件的元件由與對(duì)應(yīng)物相同的附圖標(biāo)記表示。圖18的框圖示出的有機(jī)
EL顯示面板11采用像素陣列部分41、信號(hào)寫(xiě)入控制線驅(qū)動(dòng)部分43、脈沖電 壓源45、水平選擇器27和時(shí)序發(fā)生器47。具體來(lái)說(shuō)，信號(hào)寫(xiě)入控制線驅(qū)動(dòng) 部分43、脈沖電壓源45和水平選擇器27中每個(gè)都用作像素陣列部分41的 驅(qū)動(dòng)電3各。
像素陣列部分41也采用有源矩陣驅(qū)動(dòng)方法。由此，該像素陣列部分41 也具有包括每個(gè)都位于信號(hào)線DTL和寫(xiě)入控制線WSL的交叉處的子像素電 路的矩陣結(jié)構(gòu)。然而，在第二實(shí)施例的情況下，在用于供給驅(qū)動(dòng)電流Ids的 電源供給線上維護(hù)的電源電位是固定的高電平電位Vcc。由此，將能夠通過(guò) 其他線路控制驅(qū)動(dòng)晶體管T2的柵極電位Vg和有機(jī)EL裝置OLED的陽(yáng)極電 位Vel的機(jī)制新添加到像素電路51的配置。
圖19是示出每個(gè)用作像素陣列部分41中的子像素電路的像素電路51 和每個(gè)用作驅(qū)動(dòng)電路的信號(hào)寫(xiě)入控制線驅(qū)動(dòng)部分43、脈沖電壓源45以及水 平選擇器27之間的布線連接的框圖。圖20是示出像素電路51和信號(hào)寫(xiě)入控 制線驅(qū)動(dòng)部分43、脈沖電壓源45以及水平選擇器27之間的布線連接的框圖， 其集中在像素電路51的內(nèi)部配置。如圖20的框圖所示，像素電路51采用采 樣晶體管Tl、驅(qū)動(dòng)晶體管T2、信號(hào)存儲(chǔ)電容器'Cs、耦合電容器Cc和有機(jī) EL裝置OLED。采樣晶體管Tl和驅(qū)動(dòng)晶體管T2每個(gè)都是N溝道型的薄膜 晶體管。
如圖20的框圖所示，采樣晶體管T1、驅(qū)動(dòng)晶體管T2、信號(hào)存儲(chǔ)電容器 Cs和有機(jī)EL裝置OLED以與第 一實(shí)施例相同的方式彼此連接。耦合電容器 Cc是在像素電路51中采用的新的元件。耦合電容器Cc的特定電極連接到驅(qū) 動(dòng)晶體管T2的源極。如之前所述的，驅(qū)動(dòng)晶體管T2的源極連接到有機(jī)EL 裝置OLED的陽(yáng)極。耦合電容器Cc的其他電極連接到作為對(duì)全部像素電路 51公共的線路的電容器控制線CNTL。
在該實(shí)施例的情況下，電容器控制線CNTL沿著水平線延伸。然而，電 容器控制線CNTL還可以沿著以垂直于水平線的方向定向的像素列延伸。在 任意一種情況下，全部電容器控制線CNTL在一端處的接合點(diǎn)彼此連接以形 成電連接到脈沖電壓源45的輸出端的單一線^^。
也在第二電路配置的情況下，信號(hào)寫(xiě)入控制線驅(qū)動(dòng)部分43通過(guò)寫(xiě)入控制線WSL控制將采樣晶體管Tl置于被導(dǎo)通或者關(guān)斷的狀態(tài)。將采樣晶體管Tl
置于被導(dǎo)通或者關(guān)斷的狀態(tài)以便控制將在信號(hào)線DTL上出現(xiàn)的電位存儲(chǔ)到信 號(hào)存儲(chǔ)電容器Cs中。順便提及，信號(hào)寫(xiě)入控制線驅(qū)動(dòng)部分43被配置以采用 具有和垂直分辨率顆粒度一樣多的輸出級(jí)的移位寄存器。
脈沖電壓源45是用于將電連接到每一個(gè)像素電路51的電容器控制線 CNTL設(shè)置在兩個(gè)預(yù)定電位電平，即，高電平電位Vdd和低電平電位Vini的 電路裝置。脈沖電壓源45時(shí)間段性地產(chǎn)生脈沖信號(hào)，即，每個(gè)水平掃描時(shí)間 段產(chǎn)生一個(gè)脈沖。脈沖信號(hào)的高和低電平分別是高電平電位Vdd和低電平電 位Vini。
詳細(xì)地說(shuō)，在第二實(shí)施例的情況下，脈沖電壓源45在水平掃描時(shí)間段的 開(kāi)始時(shí)產(chǎn)生脈沖，并對(duì)于固定時(shí)間段保持在高電平電位Vdd的脈沖的高電平 電位。隨后，脈沖電壓源45降低脈沖低電平電位Vini并在水平掃描時(shí)間段 的剩余時(shí)間期間維持在低電平電位Vini的低電平電位。只要電源已接通，脈 沖電壓源45就重復(fù)地^丸行該操作。
注意到，通過(guò)考慮執(zhí)行將在后面描述的閾值電壓補(bǔ)償準(zhǔn)備處理需要的時(shí) 間長(zhǎng)度來(lái)確定脈沖的寬度。脈沖的寬度是其間脈沖的電位維持在高電平電位 Vdd的時(shí)間段的長(zhǎng)度。
在第二實(shí)施例的情況下，在電容器控制線CNTL上出現(xiàn)的電位的改變(該 改變作為對(duì)全部像素電路51公共的改變)由全部像素電路51共享。由此， 在電容器控制線CNTL上出現(xiàn)的電位的改變也將分別在驅(qū)動(dòng)晶體管T2的柵 極和源極上出現(xiàn)的柵極電位Vg和源極電位Vs升高或降低由耦合效應(yīng)的量確 定的電平差。
順便提及，如果驅(qū)動(dòng)晶體管T2的柵極處于由采樣晶體管Tl的關(guān)斷狀態(tài) 或者采樣晶體管Tl的開(kāi)路狀態(tài)(opened state)所引起的浮置狀態(tài)(floating state),驅(qū)動(dòng)晶體管T2的柵極電位Vg以與驅(qū)動(dòng)晶體管T2的源極電位Vs的 改變聯(lián)鎖(interlock)的方式變化，同時(shí)將驅(qū)動(dòng)晶體管T2的柵極-源極電壓 Vgs維持在恒定量值。
另一方面，如果驅(qū)動(dòng)晶體管T2的柵極處于由采樣晶體管Tl的導(dǎo)通狀態(tài) 或者采樣晶體管Tl的閉路狀態(tài)保持的固定狀態(tài)，則僅驅(qū)動(dòng)晶體管T2的源極 電位Vs以與在電容器控制線CNTL上出現(xiàn)的電位的改變聯(lián)鎖的方式變化。 結(jié)果，驅(qū)動(dòng)晶體管T2的柵極-源極電壓Vgs從在電容器控制線CNTL上出現(xiàn)
19的電位的改變之前建立的電平變化為在改變之后存在的電平。
在第二實(shí)施例的情況下，通過(guò)如上所述與由其他驅(qū)動(dòng)電路執(zhí)行的操作合
作地，將電連接到每一個(gè)像素電路51的電容器控制線CNTL設(shè)置在兩個(gè)預(yù)定 電位電平，即高電平電位Vdd和低電平電位Vini，以控制在其他線路上出現(xiàn) 的電位，可以正確地執(zhí)行閾值電壓補(bǔ)償準(zhǔn)備過(guò)程、閾值電壓補(bǔ)償過(guò)程、將信 號(hào)電位Vsig存儲(chǔ)到信號(hào)存儲(chǔ)電容器Cs中的操作和遷移率補(bǔ)償過(guò)程。通過(guò)正 確地執(zhí)行閾值電壓補(bǔ)償過(guò)程和遷移率補(bǔ)償過(guò)程，可以以與第一實(shí)施例同樣的 方式補(bǔ)償驅(qū)動(dòng)晶體管T2驅(qū)動(dòng)晶體管T2隨像素的特性變化，并擺脫由表示閾 值電壓和遷移率的變化的特性變化所^ I起一致劣化。
水平選擇器27維護(hù)在信號(hào)線DTL上表示像素?cái)?shù)據(jù)Din的信號(hào)電位Vsig 或者用于補(bǔ)償驅(qū)動(dòng)晶體管T2的閾值電壓隨像素的變化的效應(yīng)的參考電壓 Vofs。在該專利說(shuō)明書(shū)中，參考電壓Vofs也被稱為偏移電位Vofs。注意到， 水平選擇器27被配置以包括與水平分辨率顆粒度一樣多的輸出級(jí)的移位寄 存器。該水平選擇器27也對(duì)于每一個(gè)輸出級(jí)采用鎖存電路、D/A轉(zhuǎn)換電路、 緩沖電路和選擇器。
選擇器執(zhí)行對(duì)于選擇信號(hào)電位Vsig或者偏移電位Vofs作為待應(yīng)用于與 選擇器相關(guān)的輸出級(jí)的信號(hào)線DTL的電位的操作。時(shí)序發(fā)生器47是用于產(chǎn) 生驅(qū)動(dòng)寫(xiě)入控制線WSL、電容器控制線CNTL和信號(hào)線DTL所需的時(shí)序脈 沖的電路裝置。
(C-2):典型驅(qū)動(dòng)操作
圖21是示出與驅(qū)動(dòng)包括在圖20的框圖示出的典型配置中的像素電路51 的操作相關(guān)的信號(hào)的多個(gè)時(shí)序圖表的時(shí)序圖。順便提及，在圖21的時(shí)序圖中， 參考符號(hào)Vdd表示應(yīng)用于電容器控制線CNTL的兩個(gè)電源供給電位的高電平 電位，而參考符號(hào)Vini表示兩個(gè)電源供給電位的低電平電位。
首先，通過(guò)參考圖22的電路圖解釋處于發(fā)光狀態(tài)的像素電路51的操作。 在那時(shí)，采樣晶體管Tl處于被關(guān)斷的狀態(tài)。由此，驅(qū)動(dòng)晶體管T2的柵極處 于浮置的狀態(tài)。
結(jié)果，每次在電容器控制線CNTL上出現(xiàn)的電位在水平掃描時(shí)間段內(nèi)以 時(shí)間段的操作上升到高水平，在圖21的時(shí)序圖中示出的時(shí)間段tl期間將正 向耦合波形引入到由圖21的時(shí)序圖的時(shí)序圖表D示出的信號(hào)中以表示驅(qū)動(dòng) 晶體管T2的柵極電位Vg,并被引入到由圖21的時(shí)序圖的時(shí)序圖表E示出的信號(hào)中以表示驅(qū)動(dòng)晶體管T2的源極電位Vs。另一方面，每次在電容器控制
線CNTL上出現(xiàn)的電位在水平掃描時(shí)間段內(nèi)以時(shí)間段的操作下降到低電平， 在圖21的時(shí)序圖表中示出的時(shí)間段tl期間將負(fù)向耦合波形引入到由圖21的 時(shí)序圖的時(shí)序圖表D示出的信號(hào)中以表示驅(qū)動(dòng)晶體管T2的柵極電位Vg，并 被引入到由圖21的時(shí)序圖的時(shí)序圖表E示出的信號(hào)中以表示驅(qū)動(dòng)晶體管T2 的源極電位Vs。
注意到，因?yàn)轵?qū)動(dòng)晶體管T2的柵極處于浮置的狀態(tài)，驅(qū)動(dòng)晶體管T2的 柵極-源極電壓Vgs按照原樣地維持在固定量值，而不論引入的耦合波形是什 么。由此，繼續(xù)由處于飽和區(qū)域的驅(qū)動(dòng)晶體管T2執(zhí)行的操作。結(jié)果，有機(jī) EL裝置OLED在完整的一個(gè)水平掃描時(shí)間段中維持以根據(jù)由驅(qū)動(dòng)晶體管T2 的柵極-源極電壓Vgs確定的驅(qū)動(dòng)電流Ids的亮度發(fā)光的發(fā)光狀態(tài)。
之后，解釋非發(fā)光狀態(tài)中的操作。在圖21的時(shí)序圖示出的時(shí)間段t2中， 當(dāng)在寫(xiě)入控制線WSL上出現(xiàn)的電位被設(shè)置在高水平而在電容器控制線CNTL 上出現(xiàn)的電位被保持在高電平電位Vdd且在信號(hào)線DTL上出現(xiàn)的電位被保持 在偏移電位Vofs時(shí)開(kāi)始非發(fā)光狀態(tài)。圖23是示出在該時(shí)間點(diǎn)的像素電路51 的工作狀態(tài)的電路圖。
在那時(shí)，控制由圖21的時(shí)序圖的時(shí)序圖表D示出以表示驅(qū)動(dòng)晶體管T2 的柵極電位Vg的信號(hào)以接近偏移電位Vofs。
另一方面，將由圖21的時(shí)序圖的時(shí)序圖表E示出以表示驅(qū)動(dòng)晶體管T2 的源極電位Vs的信號(hào)降低對(duì)應(yīng)于由信號(hào)存儲(chǔ)電容器Cs產(chǎn)生的耦合效應(yīng)的量 的微量(dr叩)。結(jié)果，如果驅(qū)動(dòng)晶體管T2的一冊(cè)極-源極電壓Vgs變得小于驅(qū) 動(dòng)晶體管T2的閾值電壓Vth，則有機(jī)EL裝置OLED使得從發(fā)光狀態(tài)轉(zhuǎn)換到 非發(fā)光狀態(tài)。
在那時(shí)，如果驅(qū)動(dòng)晶體管T2的源極電位Vs等于或者小于有機(jī)EL裝置 OLED的閾值電壓Vthel和陰極電壓Vcat之和，則沒(méi)有泄露電流流過(guò)有機(jī)EL 裝置OLED,以使得轉(zhuǎn)換之后的電壓維持原樣。注意到，如之前所述的，驅(qū) 動(dòng)晶體管T2的源極電位Vs是在有機(jī)EL裝置OLED的陽(yáng)極上出現(xiàn)陽(yáng)極電位 Vel。
另一方面，如果驅(qū)動(dòng)晶體管T2的源極電位Vs等于或者大于有機(jī)EL裝 置OLED的閾值電壓Vthel和陰極電壓Vcat之和，則將電荷通過(guò)有機(jī)EL裝 置OLED從信號(hào)存儲(chǔ)電容器Cs放電。結(jié)果，驅(qū)動(dòng)晶體管T2的源極電位Vs變得等于有機(jī)EL裝置OLED的闞值電壓Vthel和陰極電壓Vcat之和(也就 是說(shuō)，Vthel+Vcat)。
圖23是示出像素電路51的作為其中驅(qū)動(dòng)晶體管T2的源極電位Vs變得 等于(Vthel+Vcat)的狀態(tài)的工作狀態(tài)的電路圖。注意到，能夠?qū)⑵齐娢?Vofs設(shè)置為任意電平，只要該電平不超過(guò)有機(jī)EL裝置OLED的陰極電壓 Vcat 、閾值電壓Vthel和驅(qū)動(dòng)晶體管T2的闊值電壓Vth之和。
當(dāng)完成在信號(hào)存儲(chǔ)電容器Cs中存儲(chǔ)偏移電位Vofs的操作時(shí)，在圖21的 時(shí)序圖中示出的時(shí)間段t3中，控制采樣晶體管Tl進(jìn)入被關(guān)斷的狀態(tài)。當(dāng)采 樣晶體管Tl進(jìn)入被關(guān)斷的狀態(tài)時(shí)，驅(qū)動(dòng)晶體管T2的柵極被置于浮置的狀態(tài)。
稍后，控制在電容器控制線CNTL上出現(xiàn)的電位以從高電平電位Vdd改 變?yōu)榈碗娖诫娢籚ini。圖24是示出在該時(shí)間點(diǎn)的像素電路51的工作狀態(tài)的 電路圖。
在那時(shí)，由以下給出的等式表示耦合成分AV1疊加在分別在驅(qū)動(dòng)晶體管 T2的柵極和源極上出現(xiàn)的柵極電位Vg和源極電位Vs的每一個(gè)上。 △Vl={Cc/ (Cc+Cel) } (Vdd-Vini)
順便提及，在上述等式中，參考符號(hào)Cc表示耦合電容器Cc的電容，而 參考符號(hào)Cel表示有機(jī)EL裝置OLED的寄生電容器的電容。
注意到，在當(dāng)開(kāi)始閾值電壓補(bǔ)償準(zhǔn)備過(guò)程時(shí)結(jié)束的時(shí)間段期間，每次在 電容器控制線CNTL上出現(xiàn)的電位從高電平電位Vdd改變?yōu)榈碗娖诫娢籚ini, 和從低電平電位Vini改變?yōu)楦唠娖诫娢籚dd,將耦合成分A VI疊加在分別在 驅(qū)動(dòng)晶體管T2的柵極和源極上出現(xiàn)的柵極電位Vg和源極電位Vs的每一個(gè)上。
當(dāng)然，當(dāng)在電容器控制線CNTL上出現(xiàn)的電位從高電平電位Vdd改變?yōu)?低電平電位Vini時(shí)，在分別在驅(qū)動(dòng)晶體管T2的柵極和源極上出現(xiàn)的柵極電 位Vg和源極電位Vs的每一個(gè)上疊加負(fù)向耦合成分AVl。另一方面，當(dāng)在電 容器控制線CNTL上出現(xiàn)的電位從低電平電位Vini改變?yōu)楦唠娖诫娢籚dd 時(shí)，在柵極電位Vg和源極電位Vs的每一個(gè)上疊加正向耦合成分AV1。
隨著時(shí)間的適當(dāng)推移，在圖21的時(shí)序圖示出的時(shí)間段t4和t5中，開(kāi)始 閾值電壓補(bǔ)償準(zhǔn)備過(guò)程的時(shí)間段。詳細(xì)地說(shuō)，在圖21的時(shí)序圖示出的時(shí)間段 t4中，在將在電容器控制線CNTL上出現(xiàn)的電位設(shè)置在低電平電位Vini和將 在信號(hào)線DTL上出現(xiàn)的電位設(shè)置在偏移電位Vofs的狀態(tài)下，通過(guò)將采樣晶體管Tl置于被導(dǎo)通的狀態(tài)來(lái)開(kāi)始閾值電壓補(bǔ)償準(zhǔn)備過(guò)程。圖25是示出在該 時(shí)間點(diǎn)的像素電路51的工作狀態(tài)的電路圖。
通過(guò)在該時(shí)間點(diǎn)被置于導(dǎo)通狀態(tài)的采樣晶體管Tl,對(duì)偏移電位Vofs進(jìn) 行采樣，使得分別在驅(qū)動(dòng)晶體管T2的柵極和源極上出現(xiàn)的4冊(cè)極電位Vg和源 極電位Vs改變。詳細(xì)地i兌，驅(qū)動(dòng)晶體管T2的柵極電位Vg改變?yōu)槠齐娢?Vofs，而驅(qū)動(dòng)晶體管T2的源極電位Vs從(Vcat+Vthel-AVl )改變?yōu)?(Vcat+Vthel-AVl+AV2)。表示源極電位Vs的變化的項(xiàng)AV2由以下等式表 示
AV2= {(Cs+Cgs) / ( Cs+Cgs+Cc+Cel) }'AVl=g'AVl
此外，在閾值電壓補(bǔ)償準(zhǔn)備過(guò)程的時(shí)間段期間，通過(guò)被置于導(dǎo)通狀態(tài)的 采樣晶體管Tl,控制在電容器控制線CNTL上出現(xiàn)的電位從低電平電位Vini 改變?yōu)楦唠娖诫娢籚dd以引起如上所述在驅(qū)動(dòng)晶體管T2的源極電位Vs上疊 加的正向耦合成分AV3。伴隨正向耦合成分AV3的疊加，驅(qū)動(dòng)晶體管T2的 源極電位Vs改變。詳細(xì)地說(shuō)，驅(qū)動(dòng)晶體管T2的源極電位Vs從(Vcat+Vthel-(l-g) .AVl上升到(Vcat+Vthel— ( 1-g ) .AV1+AV3 )。
表示源極電位Vs的改變的正向耦合成分AV3由以下等式表示
AV3={Cc/ (Cs+Cgs+Cc+Cel「 ( Vdd-Vini))
當(dāng)在驅(qū)動(dòng)晶體管T2的源極電位Vs上疊加正向耦合成分AV3時(shí)結(jié)束閾 值電壓補(bǔ)償準(zhǔn)備過(guò)程。在圖21的時(shí)序圖示出的時(shí)間段t5中，作為將正向耦 合成分AV3疊加在驅(qū)動(dòng)晶體管T2的源極電位Vs上的結(jié)果，控制驅(qū)動(dòng)晶體管 T2的柵極-源極電壓Vgs進(jìn)入反向偏壓狀態(tài)。圖26是示出在該時(shí)間點(diǎn)像素電 路51的工作狀態(tài)的電路圖。
隨后，當(dāng)閾值電壓補(bǔ)償準(zhǔn)備過(guò)程結(jié)束時(shí)，通過(guò)將采樣晶體管Tl置于被 關(guān)斷的狀態(tài)，控制在電容器控制線CNTL上出現(xiàn)的電位從高電平電位Vdd改 變?yōu)榈碗娖诫娢籚ini。就是說(shuō)，通過(guò)被置于浮置狀態(tài)的驅(qū)動(dòng)晶體管T2的柵極， 驅(qū)動(dòng)在電容器控制線CNTL上出現(xiàn)的電位以產(chǎn)生負(fù)向耦合成分AV1。在此時(shí) 產(chǎn)生的負(fù)向耦合成分AV1與在圖21的時(shí)序圖中示出的時(shí)間段t3的情況中的 相同。
由此，在以按照原樣將驅(qū)動(dòng)晶體管T2的柵極-源極電壓Vgs維持在耦合 驅(qū)動(dòng)操作之前出現(xiàn)的電壓的狀態(tài)下，分別在驅(qū)動(dòng)晶體管T2的柵極和源極上出 現(xiàn)的柵極電位Vg和源極電位Vs每個(gè)都在負(fù)向上改變負(fù)向耦合成分A VI。圖
2327是示出在該時(shí)間點(diǎn)的像素電路51的工作狀態(tài)的電路圖。
稍后，在圖21的時(shí)序圖中示出的時(shí)間段t7中開(kāi)始閾值電壓補(bǔ)償過(guò)程。 在出現(xiàn)在電容器控制線CNTL上的電位處于低電平電位Vini且在信號(hào)線DTL 上出現(xiàn)的電位處于偏移電位Vofs的時(shí)間點(diǎn)，通過(guò)控制采樣晶體管Tl進(jìn)入被 關(guān)斷的狀態(tài)而開(kāi)始該閾值電壓補(bǔ)償過(guò)程。當(dāng)然，在那時(shí)，也控制驅(qū)動(dòng)晶體管 T2的4冊(cè)極電位Vg改變?yōu)槠齐娢籚ofs。
同時(shí)，驅(qū)動(dòng)晶體管T2的源極電位Vs正好在閾值電壓補(bǔ)償過(guò)程之前改變 為通過(guò)將g.AVl的耦合成分疊加在驅(qū)動(dòng)晶體管T2的源極上出現(xiàn)的電位而獲 得的電位。圖28是示出在該時(shí)間點(diǎn)的像素電路51的工作狀態(tài)的電路圖。如 圖28的電路圖所示，驅(qū)動(dòng)晶體管T2的源極電位Vs改變?yōu)閂cat+Vthel-(2-2g) 'AV1+AV3。
結(jié)果，驅(qū)動(dòng)晶體管T2的柵極-源極電壓Vgs由以下等式表示
Vgs=Vofs-Vcat-Vthel+2 ( 1-g ) .AVI-AV3
如果該柵極-源極電壓Vgs大于驅(qū)動(dòng)晶體管T2的閾值電壓Vth,則開(kāi)始 閾值電壓補(bǔ)償過(guò)程。換句話說(shuō)，希望柵極-源極電壓Vgs具有大于驅(qū)動(dòng)晶體管 T2的閾值電壓Vth的量值。
如果柵極-源極電壓Vgs大于驅(qū)動(dòng)晶體管T2的閾值電壓Vth，如圖28的 電路圖中的虛線箭頭所示，則電流從電流供給線(其用作電源供給線)以向 著信號(hào)存儲(chǔ)電容器Cs的方向流動(dòng)。
注意到，有機(jī)EL裝置OLED能夠由二極管和電容器構(gòu)成的等效電路表 示。由此，如果滿足關(guān)系Ve1《(Vcat+Vthel)，即，如果有機(jī)EL裝置OLED 的漏電流小于流過(guò)驅(qū)動(dòng)晶體管T2的驅(qū)動(dòng)電流Ids,則流過(guò)驅(qū)動(dòng)晶體管T2的驅(qū) 動(dòng)電流用于對(duì)信號(hào)存儲(chǔ)電容器Cs充電。
在那時(shí)，在經(jīng)過(guò)預(yù)先確定的時(shí)間之后，有機(jī)EL裝置OLED的陽(yáng)極電位 Vel開(kāi)始隨著時(shí)間的經(jīng)過(guò)而逐漸上升，如圖29的曲線圖所示，驅(qū)動(dòng)晶體管T2 的柵極-源極電壓Vgs變得等于驅(qū)動(dòng)晶體管T2的闞值電壓Vth。稍后，控制 采樣晶體管Tl進(jìn)入被關(guān)斷的狀態(tài)以便結(jié)束閾值電壓補(bǔ)償過(guò)程。
在那時(shí)，有機(jī)EL裝置OLED的陽(yáng)極電位Vel能夠由以下等式表示
Vel=Vofs—Vth《Vcat+Vthel
稍后，在將信號(hào)線DTL設(shè)置在信號(hào)電位Vsig的時(shí)間點(diǎn)，在圖21的時(shí)序 圖中示出的時(shí)間段t8中，控制采樣晶體管Tl再次進(jìn)入被導(dǎo)通的狀態(tài)。圖30是示出在該時(shí)間點(diǎn)的像素電路51的工作狀態(tài)的電路圖。
應(yīng)用于像素電路51的信號(hào)電位Vsig是表示像素電路51的灰度值的電 壓。通過(guò)將采樣晶體管T1置于被導(dǎo)通的狀態(tài)，通過(guò)采樣晶體管Tl控制驅(qū)動(dòng) 晶體管T2的柵極電位Vg以達(dá)到等于信號(hào)電位Vsig的電位。同時(shí)，驅(qū)動(dòng)晶 體管T2的源極電位Vs由于從電源供給線流動(dòng)的驅(qū)動(dòng)電流Ids的緣故而隨著 時(shí)間的經(jīng)過(guò)上升。
在那時(shí)，如果驅(qū)動(dòng)晶體管T2的源極電位Vs不大于有機(jī)EL裝置OLED 的閾值電壓Vthel和陰極電壓Vcat之和，即，如果有機(jī)EL裝置OLED的漏 電流小于流過(guò)驅(qū)動(dòng)晶體管T2的驅(qū)動(dòng)電流Ids,則流過(guò)驅(qū)動(dòng)晶體管T2的驅(qū)動(dòng)電 流Ids用于對(duì)信號(hào)存儲(chǔ)電容器Cs充電。
注意到，因?yàn)樵谀菚r(shí)已經(jīng)完成驅(qū)動(dòng)晶體管T2的閾值電壓補(bǔ)償過(guò)程，所 以流過(guò)驅(qū)動(dòng)晶體管T2的驅(qū)動(dòng)電流Ids具有反映驅(qū)動(dòng)晶體管T2的遷移率m的 量值。就是說(shuō)，驅(qū)動(dòng)晶體管T2的遷移率m越大，流過(guò)驅(qū)動(dòng)晶體管T2的驅(qū)動(dòng) 電流Ids越大，因此，如圖31的曲線圖中的實(shí)線曲線所示源極電位Vs上升 的速度越高。相對(duì)地，驅(qū)動(dòng)晶體管T2的遷移率M越小，流過(guò)驅(qū)動(dòng)晶體管T2 的驅(qū)動(dòng)電流Ids越小，因此，如圖31的曲線圖中的虛線曲線所示的源極電位 Vs上升的速度越低。
由此，驅(qū)動(dòng)晶體管T2的柵極-源極電壓Vgs降低到反映驅(qū)動(dòng)晶體管T2 的遷移率m的量值。結(jié)果，對(duì)于驅(qū)動(dòng)晶體管T2的遷移率(j隨像素的變化補(bǔ)償 由信號(hào)存儲(chǔ)電容器Cs保持的電壓。就是說(shuō)，驅(qū)動(dòng)晶體管T2的柵極-源極電壓 Vgs改變?yōu)樽鳛檠a(bǔ)償驅(qū)動(dòng)晶體管T2在經(jīng)過(guò)預(yù)先確定的時(shí)間之后觀察到的變化 (其作為驅(qū)動(dòng)晶體管T2的遷移率y隨像素的變化)效應(yīng)的結(jié)果而獲得的電 壓。
最后，在圖21的時(shí)序圖中示出的時(shí)間段t9中，當(dāng)控制采樣晶體管T1進(jìn) 入被關(guān)斷的狀態(tài)以便終止在信號(hào)存儲(chǔ)電容器Cs中存儲(chǔ)信號(hào)電位Vsig的操作 時(shí)，有機(jī)EL裝置OLED開(kāi)始發(fā)光操作。就是說(shuō)，開(kāi)始新的發(fā)光時(shí)間段。
在那時(shí)，驅(qū)動(dòng)晶體管T2的柵極-源極電壓Vgs，具有固定的量值。由此， 驅(qū)動(dòng)晶體管T2向有機(jī)EL裝置OLED供給恒定驅(qū)動(dòng)電流Ids，。
注意到，在有機(jī)EL裝置OLED的陽(yáng)極上出現(xiàn)的陽(yáng)極電位Vel上升到電 位電平Vx，這使得驅(qū)動(dòng)電流Ids，流到有機(jī)EL裝置OLED。結(jié)果，有機(jī)EL裝 置OLED開(kāi)始發(fā)光。圖32是示出在該時(shí)間點(diǎn)的像素電路51的工作狀態(tài)的電
25路圖。
注意到，在從在起始時(shí)間執(zhí)行的發(fā)光處理開(kāi)始經(jīng)過(guò)預(yù)先確定的時(shí)間之后，
每次在電容器控制線CNTL上出現(xiàn)的電位改變，將耦合成分AV疊加在驅(qū)動(dòng) 晶體管T2的源極上出現(xiàn)的電位上。然而，因?yàn)轵?qū)動(dòng)晶體管T2的柵極在發(fā)光 時(shí)間段期間處于浮置的狀態(tài)，所以維持在發(fā)光的開(kāi)始出現(xiàn)的柵極-源極電壓 Vgs，。結(jié)果，不顧像素電路51時(shí)間段性地經(jīng)受耦合驅(qū)動(dòng)操作的事實(shí)，保持根 據(jù)信號(hào)電位Vsig的發(fā)光狀態(tài)。
注意到，也在根據(jù)第二實(shí)施例的像素電路51的情況下，當(dāng)發(fā)光時(shí)間段的 長(zhǎng)度增加時(shí)，即，隨著時(shí)間的流逝，難以防止有才幾EL裝置OLED的I-V特 性由于老化處理而改變，如圖3的曲線圖所示。由此，在圖32的電路圖中示 出的點(diǎn)B處出現(xiàn)的電位也改變。然而，因?yàn)轵?qū)動(dòng)晶體管T2的柵極-源極電壓 Vgs維持在恒定量值，所以流到有機(jī)EL裝置OLED的驅(qū)動(dòng)電流Ids的量值不 改變。
如上所述，不考慮由于老化處理而隨著時(shí)間的經(jīng)過(guò)由有機(jī)EL裝置OLED 的I-V特性展現(xiàn)的改變，可以允許由信號(hào)電位Vsig確定的驅(qū)動(dòng)電流Ids典型 地持續(xù)流到有機(jī)EL裝置OLED。以這種方式，能夠?qū)⒂捎袡C(jī)EL裝置OLED 發(fā)出的光的亮度持續(xù)地維持在僅由信號(hào)電位Vsig確定的值，而不受由有機(jī) EL裝置OLED的I-V特性隨著時(shí)間的經(jīng)過(guò)而展現(xiàn)出的改變的影響。 (C-3):結(jié)論
通過(guò)采用根據(jù)第二實(shí)施例的驅(qū)動(dòng)方法，即使將電流供給線(其用作電源 供給線)保持在恒定電位，能夠以和第一實(shí)施例相同的工作狀態(tài)驅(qū)動(dòng)和控制 每一個(gè)像素電路51。
例如，通過(guò)在將高電平電位Vdd應(yīng)用于作為對(duì)全部像素電路51公共的 線路的電容器控制線CNTL的狀態(tài)下，將用作光熄滅電位的偏移電位Vofs存 儲(chǔ)在信號(hào)存儲(chǔ)電容器Cs中，能夠以控制操作驅(qū)動(dòng)像素電路51來(lái)進(jìn)行從發(fā)光 狀態(tài)到光熄滅狀態(tài)(或者非發(fā)光狀態(tài))的轉(zhuǎn)變。
另外，通過(guò)將在電容器控制線CNTL上出現(xiàn)的電位從低電平電位Vini 上升到高電平電位Vdd，同時(shí)例如執(zhí)行將偏移電位Vofs存儲(chǔ)到信號(hào)存儲(chǔ)電容 器Cs中的操作，可以關(guān)于像素電路51執(zhí)行閾值電壓補(bǔ)償準(zhǔn)備過(guò)程。
除此之外(On top of that),通過(guò)在例如將低電平電位Vini應(yīng)用于電容器 控制線CNTL的狀態(tài)下將偏移電位Vofs或者信號(hào)電位Vsig存儲(chǔ)到信號(hào)存儲(chǔ)電容器Cs中，可以執(zhí)行閾值電壓補(bǔ)償過(guò)程和/或遷移率補(bǔ)償過(guò)程。
結(jié)果，像素電路51能夠被配置以采用電流供給線作為對(duì)全部像素電路 5 1公共的固定電壓電源供給線。由此可以消除在第 一 實(shí)施例中采用為具有包 括多個(gè)輸出級(jí)的移位寄存器的配置的必要驅(qū)動(dòng)部分的電流供給線驅(qū)動(dòng)部分
25。另外，能夠由脈沖電壓源45驅(qū)動(dòng)新添加的電容器控制線CNTL以產(chǎn)生對(duì) 全部像素電路51公共的單一控制脈沖。
就是說(shuō)，相比第一實(shí)施例的電路面積，能夠使得用于布置驅(qū)動(dòng)部分的電 路面積的尺寸變小。具體來(lái)說(shuō)，在大面板尺寸和/或高顯示分辨率的情況下， 減少電路面積尺寸的效果很大。電路面積尺寸的減少效果提供了更高的布置 自由度，且更期待高度布置自由的效果。另外，同時(shí)還可以期待減少有機(jī)EL 顯示面板的制造成本的效果。
當(dāng)然，能夠以與第一實(shí)施例同樣的方式執(zhí)行閾值電壓補(bǔ)償過(guò)程和遷移率 補(bǔ)償過(guò)程。由此，可以獲得具有不示出不均勻性的一致質(zhì)量的畫(huà)面顯示。 (C-4):閾值電壓補(bǔ)償處理的分布執(zhí)行
根據(jù)到目前為止給出的說(shuō)明書(shū)，在一個(gè)水平掃描時(shí)間段中完成閾值電壓 補(bǔ)償過(guò)程。就是說(shuō)，在一個(gè)水平掃描時(shí)間段內(nèi)僅執(zhí)行閾值電壓補(bǔ)償過(guò)程一次。 然而，隨著更精細(xì)地制造有機(jī)EL裝置和/或以更高速執(zhí)行驅(qū)動(dòng)操作， 一個(gè)水 平掃描時(shí)間段的長(zhǎng)度變得更小。
多個(gè)閾值電壓補(bǔ)償過(guò)程。圖33是示出用于典型驅(qū)動(dòng)操作的多個(gè)時(shí)序圖表的時(shí) 序圖，在該典型驅(qū)動(dòng)操作中，通過(guò)將閾值電壓補(bǔ)償過(guò)程分布到多個(gè)閾值電壓 補(bǔ)償過(guò)程中執(zhí)行閾值電壓補(bǔ)償過(guò)程，其中將多個(gè)閾值電壓補(bǔ)償過(guò)程中的每一 個(gè)分配給相同的多個(gè)水平掃描時(shí)間段中的一個(gè)。圖33A到圖33E所示的時(shí)序 圖表分別對(duì)應(yīng)于圖21A到圖21E所示的時(shí)序圖表。
首先，以下說(shuō)明解釋從閾值電壓補(bǔ)償過(guò)程中止的時(shí)間點(diǎn)開(kāi)始的操作。在 時(shí)間段t8沖，在信號(hào)線DTL上維護(hù)表示像素電路51的灰度值的信號(hào)電位 Vsig。由此，在該時(shí)間段期間，控制采樣晶體管Tl以進(jìn)入被關(guān)斷的狀態(tài)。在 該狀態(tài)下，驅(qū)動(dòng)晶體管T2的柵極處于浮置的狀態(tài)。
在閾值電壓補(bǔ)償過(guò)程中止的時(shí)間點(diǎn)，驅(qū)動(dòng)晶體管T2的柵極-源極電壓Vgs 大于驅(qū)動(dòng)晶體管T2的閾值電壓Vth。由此，也隨著閾值電壓補(bǔ)償過(guò)程中止， 驅(qū)動(dòng)晶體管T2維持其被導(dǎo)通的狀態(tài)。在該狀態(tài)下，從電流供給線流動(dòng)的驅(qū)動(dòng)
27電流Ids用于對(duì)信號(hào)存儲(chǔ)電容器Cs和寄生電容器Cd充電。結(jié)果，驅(qū)動(dòng)晶體 管T2的源極電位Vs上升。伴隨源極電位Vs的電平增加，在所謂的自舉操 作中，根據(jù)由信號(hào)存儲(chǔ)電容器Cs供給的.自舉效果，驅(qū)動(dòng)晶體管T2的柵極電 位Vg也上升。
隨著時(shí)間的適當(dāng)推移，當(dāng)結(jié)束將信號(hào)電位Vsig應(yīng)用到信號(hào)線DTL時(shí)， 在時(shí)間段t9中控制采樣晶體管Tl再次進(jìn)入被導(dǎo)通的狀態(tài)以便恢復(fù)中止的閾 值電壓補(bǔ)償過(guò)程。在那時(shí)，控制驅(qū)動(dòng)晶體管T2的柵極電位Vg使得向下轉(zhuǎn)換 為偏移電位Vofs。以與由驅(qū)動(dòng)晶體管T2的柵極電位Vg進(jìn)行的向下過(guò)渡聯(lián)鎖 的方式，控制驅(qū)動(dòng)晶體管T2的源極電位Vs也進(jìn)行向下過(guò)渡。
在驅(qū)動(dòng)晶體管T2的柵極電位Vg以這種方式固定在偏移電位Vofs的狀 態(tài)下，在時(shí)間段t10中經(jīng)過(guò)預(yù)先確定的時(shí)間之后，執(zhí)行控制以將在電容器控 制線CNTL上出現(xiàn)的電位從低電平電位Vini改變?yōu)楦唠娖诫娢籚dd并將在電 容器控制線CNTL上出現(xiàn)的電位從高電平電位Vdd改變回到低電平電位Vini。
結(jié)果，當(dāng)在時(shí)間段U0中執(zhí)行閾值電壓補(bǔ)償過(guò)程時(shí)，以正向耦合成分和 負(fù)向耦合成分互相抵消的方式將正向耦合成分和負(fù)向耦合成分疊加在驅(qū)動(dòng)晶 體管T2的源極電位Vs上。
正向耦合成分和負(fù)向耦合成分互相抵消的事實(shí)意味著在閾值電壓補(bǔ)償過(guò) 程的恢復(fù)之后執(zhí)行的操作不受在電容器控制線CNTL上出現(xiàn)的電位的改變的 影響。
然而，希望在其上疊加正向耦合成分的源極電位Vs禁止有機(jī)EL裝置 OLED執(zhí)行導(dǎo)通操作(on operation )。就是說(shuō)，希望驅(qū)動(dòng)晶體管T2的源極電 位Vs滿足以下關(guān)系Vs< ( Vthel+Vcat )。
如上所述，即使通過(guò)將閾值電壓補(bǔ)償過(guò)程劃分為待在不同的時(shí)間執(zhí)行的 多個(gè)閾值電壓補(bǔ)償過(guò)程而執(zhí)行閾值電壓補(bǔ)償過(guò)程，根據(jù)第二實(shí)施例的有機(jī)EL 顯示面板的結(jié)構(gòu)和用于驅(qū)動(dòng)有機(jī)EL顯示面板的方法有效地工作。 (D):第三實(shí)施例 (D-l):系統(tǒng)配置
以下描述的第三實(shí)施例實(shí)現(xiàn)采用像素電路71的有機(jī)EL顯示面板11的 另一典型的系統(tǒng)配置，并實(shí)現(xiàn)為第三實(shí)施例供給的驅(qū)動(dòng)技術(shù)，每一個(gè)像素電 路71具有不同于分別在之前解釋的第一和第二實(shí)施例中采用的每一個(gè)像素 電路31和51的配置的配置。以下說(shuō)明書(shū)著重于在第三實(shí)施例和先前解釋的第二實(shí)施例之間的像素電 路和驅(qū)動(dòng)方法的差異。就是說(shuō)，僅解釋在第三和第二實(shí)施例之間的像素電路 和驅(qū)動(dòng)方法的差異。
圖34是示出根據(jù)第三實(shí)施例的有機(jī)EL顯示面板11的典型系統(tǒng)配置的 框圖。由與相應(yīng)物相同的附圖標(biāo)記表示在該典型系統(tǒng)配置中采用為與包括在
圖18的框圖示出的系統(tǒng)配置中的相應(yīng)相應(yīng)物相同的元件的元件。
圖34的框圖示出的有機(jī)EL顯示面板11采用像素陣列部分61、信號(hào)寫(xiě) 入控制線驅(qū)動(dòng)部分63、脈沖電壓源45、水平選擇器67、偏移信號(hào)線驅(qū)動(dòng)部 分65和時(shí)序發(fā)生器69。具體來(lái)說(shuō)，信號(hào)寫(xiě)入控制線驅(qū)動(dòng)部分63、脈沖電壓 源45、水平選擇器67和偏移信號(hào)線驅(qū)動(dòng)部分65中的每一個(gè)用作像素陣列部 分61的驅(qū)動(dòng)電3各。
像素陣列部分61上的像素電路71的布置與第二實(shí)施例中的布置相同。 就是說(shuō)，該像素陣列部分61也具有包括每個(gè)位于信號(hào)線DTL和寫(xiě)入控制線 WSL的交叉處的子像素電路的矩陣結(jié)構(gòu)。然而，在第三實(shí)施例的情況下，信 號(hào)線DTL用作用于特別向像素電路71供給信號(hào)電位Vsig的線路。另外，由 新供給的偏移信號(hào)線驅(qū)動(dòng)部分65驅(qū)動(dòng)的新添加的偏移信號(hào)線OFSL用作用于 特別向像素電路71供給偏移電位Vofs的線路。
圖35是示出每個(gè)用作像素陣列部分61中的子像素電路的像素電路71 和每個(gè)用作驅(qū)動(dòng)電路的信號(hào)寫(xiě)入控制線驅(qū)動(dòng)部分63、脈沖電壓源45,偏移信 號(hào)線驅(qū)動(dòng)部分65以及水平選擇器67之間的布線連接的框圖。圖36是示出像 素電路71和信號(hào)寫(xiě)入控制線驅(qū)動(dòng)部分63、脈沖電壓源45、偏移信號(hào)線驅(qū)動(dòng) 部分65以及水平選擇器67之間的布線連接的框圖，其集中在像素電路71的 內(nèi)部配置71。如圖36的框圖所示，像素電路71采用第一采樣晶體管T1、驅(qū) 動(dòng)晶體管T2、第二采樣晶體管T3、信號(hào)存儲(chǔ)電容器Cs、耦合電容器Cc和有 機(jī)EL裝置OLED。第一采樣晶體管T1、驅(qū)動(dòng)晶體管T2和第二采樣晶體管 T3中每個(gè)都是N溝道型的薄膜晶體管。
在第三實(shí)施例的情況下，信號(hào)寫(xiě)入控制線驅(qū)動(dòng)部分63通過(guò)寫(xiě)入控制線 WSL控制將第一采樣晶體管Tl置于被導(dǎo)通或者關(guān)斷的狀態(tài)的操作。將第一 采樣晶體管Tl置于被導(dǎo)通或者關(guān)斷的狀態(tài)以便控制將在信號(hào)線DTL上出現(xiàn) 的信號(hào)電位Vsig存儲(chǔ)到信號(hào)存儲(chǔ)電容器Cs中的操作。
另 一方面，偏移信號(hào)線驅(qū)動(dòng)部分65通過(guò)偏移信號(hào)線OFSL控制將第二采樣晶體管T3置于被導(dǎo)通或者關(guān)斷的狀態(tài)的操作。將第二采樣晶體管T3置于
被導(dǎo)通或者關(guān)斷的狀態(tài)以便控制將偏移電位Vofs存儲(chǔ)到信號(hào)存儲(chǔ)電容器Cs
中的操作。
注意到，偏移信號(hào)線驅(qū)動(dòng)部分65的基本結(jié)構(gòu)與信號(hào)寫(xiě)入控制線驅(qū)動(dòng)部分 63的基本結(jié)構(gòu)相同。就是說(shuō)，偏移信號(hào)線驅(qū)動(dòng)部分65被配置以采用具有和 垂直分辨率顆粒度一樣多的輸出級(jí)的移位寄存器。
水平選擇器67是用于通過(guò)信號(hào)線DTL將表示像素?cái)?shù)據(jù)Din的信號(hào)電位 Vsig施加到像素電路71的驅(qū)動(dòng)電路。
水平選擇器67被配置以包括具有與水平分辨率顆粒度一樣多的輸出級(jí) 的移位寄存器。水平選擇器67也采用用于鎖存像素?cái)?shù)據(jù)Din的鎖存電路、 D/A轉(zhuǎn)換電路、緩沖電路。第三和第二實(shí)施例之間的差異之一是在第三實(shí)施 例中采用的水平選擇器67僅維護(hù)在信號(hào)線DTL上的信號(hào)電位Vsig，而在第 二實(shí)施例中采用的水平選擇器27維護(hù)信號(hào)線DTL上的信號(hào)電位Vsig或者偏 移電位Vofs。
時(shí)序發(fā)生器69是用于產(chǎn)生驅(qū)動(dòng)寫(xiě)入控制線WSL、電容器控制線CNTL、 偏移信號(hào)線OFSL和信號(hào)線DTL所需的時(shí)序脈沖的部分。 (D-2):典型驅(qū)動(dòng)操作
圖37是示出與驅(qū)動(dòng)包括在圖36的框圖示出的典型配置中的像素電路71 的操作相關(guān)的信號(hào)的多個(gè)時(shí)序圖表的時(shí)序圖。順便提及，也在圖37的時(shí)序圖 中，參考符號(hào)Vdd表示應(yīng)用于電容器控制線CNTL的兩個(gè)電源供給電位的高 電平電位，而參考符號(hào)Vini表示兩個(gè)電源供給電位的低電平電位。
更具體地說(shuō)，圖37A是示出表示在電容器控制線CNTL上出現(xiàn)的電位的 時(shí)序圖表的波形的圖。圖37B是示出表示在偏移信號(hào)線OFSL上出現(xiàn)的電位 的時(shí)序圖表的波形的圖。圖37C是示出表示在寫(xiě)入控制線WSL上出現(xiàn)的電 位的時(shí)序圖表的波形的圖。圖37D是示出表示驅(qū)動(dòng)晶體管T2的柵極電位Vg 的時(shí)序圖表的波形的圖。圖37E是示出表示驅(qū)動(dòng)晶體管T2的源極電位Vs的 時(shí)序圖表的波形的圖。
首先，通過(guò)參考圖38的電路圖解釋處于發(fā)光狀態(tài)的像素電路71的操作。 在那時(shí)，第一采樣晶體管Tl和第二采樣晶體管T3的每一個(gè)處于被關(guān)斷的狀態(tài)。
由此，驅(qū)動(dòng)晶體管T2的柵極作為置于浮置的狀態(tài)的電極工作。結(jié)果，每次在電容器控制線CNTL上出現(xiàn)的電位在水平掃描時(shí)間段內(nèi)以時(shí)間段的操
作上升到高電平，在圖37的時(shí)序圖中示出的時(shí)間段tl期間將正向耦合波形 引入到由圖37的時(shí)序圖的時(shí)序圖表D示出的信號(hào)中以表示驅(qū)動(dòng)晶體管T2的 柵極電位Vg,并被引入到由圖37的時(shí)序圖的時(shí)序圖表E示出的信號(hào)中以表 示驅(qū)動(dòng)晶體管T2的源極電位Vs。另一方面，每次在電容器控制線CNTL上 出現(xiàn)的電位在水平掃描時(shí)間段內(nèi)以時(shí)間段的操作下降到低電平，在圖37的時(shí) 序圖表中示出的時(shí)間段tl期間將負(fù)向耦合波形引入到由圖37的時(shí)序圖的時(shí) 序圖表D示出的信號(hào)中以表示驅(qū)動(dòng)晶體管T2的柵極電位Vg，并被引入到由 圖37的時(shí)序圖的時(shí)序圖表E示出的信號(hào)中以表示驅(qū)動(dòng)晶體管T2的源極電位 Vs。
注意到，因?yàn)轵?qū)動(dòng)晶體管T2的柵極作為置于浮置的狀態(tài)的電極工作， 驅(qū)動(dòng)晶體管T2的柵極-源極電壓Vgs按照原樣地維持在固定量值，而不論引 入的耦合波形是什么。由此，繼續(xù)由處于飽和區(qū)域的驅(qū)動(dòng)晶體管T2執(zhí)行的操 作。結(jié)果，有機(jī)EL裝置OLED在完整的一個(gè)水平掃描時(shí)間段中維持以根據(jù) 由驅(qū)動(dòng)晶體管T2的柵極-源極電壓Vgs確定的驅(qū)動(dòng)電流Ids的亮度發(fā)光的發(fā) 光狀態(tài)。
之后，解釋非發(fā)光狀態(tài)中的操作。在圖37的時(shí)序圖示出的時(shí)間段t2中， 當(dāng)在寫(xiě)入控制線WSL上出現(xiàn)的電位被設(shè)置在高電平而在電容器控制線CNTL 上出現(xiàn)的電位被保持在高電平電位Vdd且第二采樣晶體管T3處于導(dǎo)通狀態(tài) 時(shí)開(kāi)始非發(fā)光狀態(tài)。圖39是示出在該時(shí)間點(diǎn)的像素電路71的工作狀態(tài)的電路圖。
在那時(shí)，已經(jīng)控制第一采樣晶體管Tl進(jìn)入被關(guān)斷的狀態(tài)。由此，造成 轉(zhuǎn)換由圖37的時(shí)序圖的時(shí)序圖表D示出以表示驅(qū)動(dòng)晶體管T2的柵極電位 Vg的信號(hào)以接近偏移電位Vofs。
當(dāng)使得由圖37的時(shí)序圖的時(shí)序圖表D示出以表示驅(qū)動(dòng)晶體管T2的柵極 電位Vg的信號(hào)轉(zhuǎn)換到接近偏移電位Vofs時(shí)，由圖37的時(shí)序圖的時(shí)序圖表E 示出以表示驅(qū)動(dòng)晶體管T2的源極電位Vs的信號(hào)也由于由信號(hào)存儲(chǔ)電容器Cs 供給的耦合效應(yīng)而下降。
結(jié)果，如果驅(qū)動(dòng)晶體管T2的柵極-源極電壓Vgs等于或者小于驅(qū)動(dòng)晶體 管T2的閾值電壓Vth，則有機(jī)EL裝置OLED進(jìn)入不發(fā)光的狀態(tài)。在那時(shí)， 如果驅(qū)動(dòng)晶體管T2的源極電位Vs等于或者小于有機(jī)EL裝置OLED的閾值電壓Vthel和陰極電壓Vcat之和，則保持柵極-源極電壓Vgs。如之前所述的， 驅(qū)動(dòng)晶體管T2的源極電位Vs是在有機(jī)EL裝置OLED的陽(yáng)極上出現(xiàn)的電壓。
另一方面，如果驅(qū)動(dòng)晶體管T2的源極電位Vs等于或者大于有機(jī)EL裝 置OLED的閾值電壓Vthel和陰極電壓Vcat之和，則繼續(xù)通過(guò)有機(jī)EL裝置 OLED的方式從信號(hào)存儲(chǔ)電容器Cs將電荷電氣放電的過(guò)程。結(jié)果，驅(qū)動(dòng)晶體 管T2的源極電位Vs變得等于有機(jī)EL裝置OLED的閾值電壓Vthel和陰極 電壓Vcat之和(Vthel+Vcat )。
圖39是示出其中驅(qū)動(dòng)晶體管T2的源極電位Vs變得等于閾值電壓Vthel 和陰極電壓Vcat之和(Vthel十Vcat)的像素電路71的工作狀態(tài)的電路圖。注 意到，偏移電位Vofs不大于有機(jī)EL裝置OLED的閾值電壓Vthel、有機(jī)EL 裝置OLED的陰極電壓Vcat和驅(qū)動(dòng)晶體管T2的閾值電壓Vth之和。
當(dāng)完成在信號(hào)存儲(chǔ)電容器Cs中存儲(chǔ)偏移電位Vofs的操作時(shí)，在圖37的 時(shí)序圖中的時(shí)間段t3中，控制第二采樣晶體管T3再次進(jìn)入被關(guān)斷的狀態(tài)。 通過(guò)將第二采樣晶體管T3置于被關(guān)斷的狀態(tài)時(shí)，驅(qū)動(dòng)晶體管T2的柵極被置 于浮置的狀態(tài)。
稍后，控制在電容器控制線CNTL上出現(xiàn)的電位以從高電平電位Vdd改 變?yōu)榈碗娖诫娢籚ini。在那時(shí)，在分別在驅(qū)動(dòng)晶體管T2的柵極和源極上出現(xiàn) 的柵極電位Vg和源極電位Vs的每一個(gè)上疊加負(fù)向耦合成分△ V1 。圖40是 示出在該時(shí)間點(diǎn)的像素電路71的工作狀態(tài)的電路圖。
隨著時(shí)間的適當(dāng)推移，在圖37的時(shí)序圖示出的時(shí)間段t4和t5中，開(kāi)始 閾值電壓#卜償準(zhǔn)備過(guò)程的時(shí)間段。詳細(xì)地說(shuō)，在圖37的時(shí)序圖中示出的時(shí)間 段t4中，以將在電容器控制線CNTL上出現(xiàn)的電位設(shè)置在低電平電位Vini 的狀態(tài)，通過(guò)將第二采樣晶體管T3置于被導(dǎo)通的狀態(tài)而開(kāi)始閾值電壓補(bǔ)償準(zhǔn) 備過(guò)程。圖41是示出在該時(shí)間點(diǎn)的像素電路71的工作狀態(tài)的電路圖。
在這種情況下，在圖37的時(shí)序圖中示出的時(shí)間段t5中，控制在電容器 控制線CNTL上出現(xiàn)的電位以從低電平電位Vini改變回高電平電位Vdd。圖 42是示出在該時(shí)間點(diǎn)的像素電路71的工作狀態(tài)的電路圖。
結(jié)果，在將驅(qū)動(dòng)晶體管T2的柵極電位Vg固定在偏移電位Vofs的狀態(tài) 下，驅(qū)動(dòng)晶體管T2的源極電位Vs經(jīng)受耦合驅(qū)動(dòng)操作。由此，控制驅(qū)動(dòng)晶體 管T2的柵極-源極電壓Vgs進(jìn)入反向偏壓狀態(tài)。
當(dāng)閾值電壓補(bǔ)償準(zhǔn)備過(guò)程結(jié)束時(shí)，控制第二采樣晶體管T3以進(jìn)入被關(guān)
32斷的狀態(tài)，這再次將驅(qū)動(dòng)晶體管T2的柵極置于浮置的狀態(tài)。在該狀態(tài)下，在
圖37的時(shí)序圖中示出的時(shí)間段t6中，控制在電容器控制線CNTL上出現(xiàn)的 電位以從高電平電位Vdd改變到低電平電位Vini。就是說(shuō)，通過(guò)置于浮置狀 態(tài)的驅(qū)動(dòng)晶體管T2的柵極，在電容器控制線CNTL上出現(xiàn)的電位經(jīng)受以負(fù) 向執(zhí)行的耦合驅(qū)動(dòng)操作。圖43是示出在該時(shí)間點(diǎn)的像素電路71的工作狀態(tài) 的電^各圖。
稍后，在圖37的時(shí)序圖中示出的時(shí)間段t7中，開(kāi)始閾值電壓補(bǔ)償過(guò)程。 詳細(xì)地說(shuō)，在將在電容器控制線CNTL上出現(xiàn)的電位設(shè)置在低電平電位Vini 的狀態(tài)下，通過(guò)將第二采樣晶體管T3置于被導(dǎo)通的狀態(tài)而開(kāi)始閾值電壓補(bǔ)償 過(guò)程。圖44是示出在該時(shí)間點(diǎn)的像素電路71的工作狀態(tài)的電路圖。在該工 作狀態(tài)下，驅(qū)動(dòng)晶體管T2的柵極-源極電壓Vgs大于驅(qū)動(dòng)晶體管T2的閾值電 壓Vth。
由此，將驅(qū)動(dòng)晶體管T2置于被導(dǎo)通和操作的狀態(tài)。如圖44的電路圖中 的虛線箭頭所示，在該狀態(tài)下，驅(qū)動(dòng)電流Ids從電流供給線流到信號(hào)存儲(chǔ)電 容器Cs。驅(qū)動(dòng)電流Ids的一部分也用于對(duì)有機(jī)EL裝置OLED的寄生電容器 Cel充電。由此，有機(jī)EL裝置OLED的陽(yáng)極電位Vel隨著時(shí)間的經(jīng)過(guò)而上升。 然而，滿足關(guān)系Vel《(Vcat+Vthel )。由此，有機(jī)EL裝置OLED絕不發(fā)光。 隨著時(shí)間的適當(dāng)推移，驅(qū)動(dòng)晶體管T2的柵極-源極電壓Vgs變得等于驅(qū)動(dòng)晶 體管T2的閾值電壓Vth。在那時(shí)，將驅(qū)動(dòng)晶體管T2自動(dòng)地置于被關(guān)斷的狀 態(tài)，切斷驅(qū)動(dòng)電流Ids的流動(dòng)。
當(dāng)如上所述結(jié)束閾值電壓補(bǔ)償過(guò)程時(shí)，在圖37的時(shí)序圖中示出的時(shí)間段 t8中，控制第一采樣晶體管Tl再次進(jìn)入被導(dǎo)通的狀態(tài)，開(kāi)始將來(lái)自信號(hào)線 DTL的信號(hào)電位Vsig存儲(chǔ)到信號(hào)存儲(chǔ)電容器Cs中的操作。然后，同時(shí)執(zhí)行 將來(lái)自信號(hào)線DTL的信號(hào)電位Vsig存儲(chǔ)到信號(hào)存儲(chǔ)電容器Cs中的操作和遷 移率補(bǔ)償過(guò)程。圖45是示出在該時(shí)間點(diǎn)的像素電路71的工作狀態(tài)的電路圖。
最后，在圖37的時(shí)序圖中示出的時(shí)間段t9中，當(dāng)控制第一采樣晶體管 Tl進(jìn)入被關(guān)斷的狀態(tài)以便終止在信號(hào)存儲(chǔ)電容器Cs中存儲(chǔ)信號(hào)電位Vsig的 操作時(shí)，有機(jī)EL裝置OLED開(kāi)始發(fā)光操作。就是說(shuō)，開(kāi)始新的發(fā)光時(shí)間段。 圖46是示出在該時(shí)間點(diǎn)的像素電路71的工作狀態(tài)的電路圖。 (D-3):結(jié)論
如上所述，即使通過(guò)導(dǎo)通和關(guān)斷用作第一采樣晶體管T1的薄膜晶體管，將信號(hào)電位Vsig從信號(hào)線DTL存儲(chǔ)在信號(hào)存儲(chǔ)電容器Cs中，也可以產(chǎn)生和 第二實(shí)施例相同的效果，這里，與用作第二采樣晶體管T3的薄膜晶體管分開(kāi) 地供給第一采樣晶體管Tl,通過(guò)該第二采樣晶體管T3,將由偏移信號(hào)線OFSL 傳送的偏移電位Vofs存儲(chǔ)在信號(hào)存儲(chǔ)電容器Cs中。
(E):第四實(shí)施例
(E-l):系統(tǒng)配置
第四實(shí)施例是第二實(shí)施例的典型實(shí)現(xiàn)。更具體的說(shuō)，第四實(shí)施例包括用 于控制用于向像素電路91供給驅(qū)動(dòng)電流的新的薄膜晶體管T3的新的驅(qū)動(dòng)電 路83。
圖47是示出有機(jī)EL顯示面板11的典型系統(tǒng)配置的框圖。在該典型系 統(tǒng)配置中采用為與在圖18的框圖中示出的系統(tǒng)配置中包括的相應(yīng)對(duì)應(yīng)物等 同的元件的元件由與對(duì)應(yīng)物相同的附圖標(biāo)記表示。圖47的框圖中示出的有機(jī) EL顯示面板11采用像素陣列部分81、信號(hào)寫(xiě)入控制線驅(qū)動(dòng)部分23、脈沖電 壓源45、驅(qū)動(dòng)電流控制線驅(qū)動(dòng)部分83、水平選擇器27和時(shí)序發(fā)生器85。
像素陣列部分81中像素電路91的布置等同于第二實(shí)施例中的布置。由 此，該像素陣列部分81也具有包括每個(gè)都位于信號(hào)線DTL和寫(xiě)入控制線WSL 的交叉處的子像素電路的矩陣結(jié)構(gòu)。也在第四實(shí)施例的情況下，基于分時(shí)地 由信號(hào)電位Vsig和偏移電位Vofs共享信號(hào)線DTL。
圖48是示出每個(gè)用作像素陣列部分81中的子像素電路的像素電路91 和每個(gè)用作驅(qū)動(dòng)電路的驅(qū)動(dòng)電流控制線驅(qū)動(dòng)部分83、脈沖電壓源45、信號(hào)寫(xiě) 入控制線驅(qū)動(dòng)部分23以及水平選擇器27之間的布線連接的框圖。圖49是示 出像素電路91和驅(qū)動(dòng)電流控制線驅(qū)動(dòng)部分83、脈沖電壓源45、信號(hào)寫(xiě)入控 制線驅(qū)動(dòng)部分23以及水平選擇器27之間的布線連接的框圖，其集中在像素 電路91的內(nèi)部配置。如圖49的框圖所示，像素電路91采用采樣晶體管Tl、 驅(qū)動(dòng)晶體管T2、驅(qū)動(dòng)電流控制晶體管T3、信號(hào)存儲(chǔ)電容器Cs、耦合電容器 Cc和有機(jī)EL裝置OLED。采樣晶體管Tl、驅(qū)動(dòng)晶體管T2和驅(qū)動(dòng)電流控制 晶體管T3中每個(gè)都是N溝道型的薄膜晶體管。
該驅(qū)動(dòng)電流控制晶體管T3串聯(lián)連接在電流供給線和驅(qū)動(dòng)晶體管T2之 間。通過(guò)將驅(qū)動(dòng)電流控制晶體管T3置于被導(dǎo)通或者關(guān)斷的狀態(tài)來(lái)控制通過(guò)驅(qū) 動(dòng)晶體管T2的方式向有機(jī)EL裝置OLED供給驅(qū)動(dòng)電流Ids的操作。
由驅(qū)動(dòng)電流控制線驅(qū)動(dòng)部分83通過(guò)驅(qū)動(dòng)電流控制線ISL控制將驅(qū)動(dòng)電流
34控制晶體管T3置于被導(dǎo)通或者關(guān)斷的狀態(tài)的操作。注意到，能夠?qū)Ⅱ?qū)動(dòng)電流
控制線驅(qū)動(dòng)部分83布置為與信號(hào)寫(xiě)入控制線驅(qū)動(dòng)部分23相同的配置。
時(shí)序發(fā)生器85是用于產(chǎn)生驅(qū)動(dòng)寫(xiě)入控制線WSL、驅(qū)動(dòng)電流控制線ISL、 電容器控制線CNTL和信號(hào)線DTL所需的時(shí)序脈沖的部分。 (E-2):典型驅(qū)動(dòng)操作
圖50是示出與驅(qū)動(dòng)包括在圖49的框圖示出的典型配置中的像素電路91 的操作相關(guān)的信號(hào)的多個(gè)時(shí)序圖表的時(shí)序圖。順便^_及，也在圖50的時(shí)序圖 中，參考符號(hào)Vdd表示應(yīng)用于電容器控制線CNTL的兩個(gè)電源供給電位的高 電平電位，而參考符號(hào)Vini表示兩個(gè)電源供給電位的低電平電位。
更具體地說(shuō)，圖50A是示出表示在電容器控制線CNTL上出現(xiàn)的電位的 時(shí)序圖表的波形的圖。圖50B是示出表示在驅(qū)動(dòng)電流控制線ISL上出現(xiàn)的電 位的時(shí)序圖表的波形的圖。圖50C是示出表示在信號(hào)線DTL上出現(xiàn)的電位的 時(shí)序圖表的波形的圖。圖50D是示出表示在寫(xiě)入控制線WSL上出現(xiàn)的電位 的時(shí)序圖表的波形的圖。圖50E是示出表示驅(qū)動(dòng)晶體管T2的柵極電位Vg的 時(shí)序圖表的波形的圖。圖50F是示出表示驅(qū)動(dòng)晶體管T2的源極電位Vs的時(shí) 序圖表的波形的圖。
首先，通過(guò)參考圖51的電路圖解釋處于發(fā)光狀態(tài)下的像素電路91的操 作。在那時(shí)，采樣晶體管T1處于被關(guān)斷狀態(tài)但是驅(qū)動(dòng)電流控制晶體管T3處 于被導(dǎo)通的狀態(tài)。
由此，驅(qū)動(dòng)晶體管T2的柵極作為置于浮置的狀態(tài)的電極工作。然而， 驅(qū)動(dòng)晶體管T2在被電連接到電流供給線的狀態(tài)下工作。
結(jié)果，每次在電容器控制線CNTL上出現(xiàn)的電位在水平掃描時(shí)間段內(nèi)以 時(shí)間段的操作上升到高電平，在圖50的時(shí)序圖中示出的時(shí)間段tl期間將正 向耦合波形引入到由圖50的時(shí)序圖的時(shí)序圖表E示出的信號(hào)中以表示驅(qū)動(dòng)晶 體管T2的柵極電位Vg,并被引入到由圖50的時(shí)序圖的時(shí)序圖表F示出的信 號(hào)中以表示驅(qū)動(dòng)晶體管T2的源極電位Vs。另一方面，每次在電容器控制線 CNTL上出現(xiàn)的電位在水平掃描時(shí)間段內(nèi)以時(shí)間段的操作下降到低電平，在 圖50的時(shí)序圖表中示出的時(shí)間段tl期間將負(fù)向耦合波形31入到由圖50的時(shí) 序圖的時(shí)序圖表E示出的信號(hào)中以表示驅(qū)動(dòng)晶體管T2的柵極電位Vg，并被 引入到由圖50的時(shí)序圖的時(shí)序圖表F示出的信號(hào)中以表示驅(qū)動(dòng)晶體管T2的 源才及電位Vs。
35注意到，因?yàn)轵?qū)動(dòng)晶體管T2的柵極作為置于浮置的狀態(tài)的電極工作，
所以驅(qū)動(dòng)晶體管T2的柵極-源極電壓Vgs按照原樣維持在固定量值，而不論 引入的耦合波形是什么。由此，繼續(xù)由處于飽和區(qū)域的驅(qū)動(dòng)晶體管T2執(zhí)行的 操作。結(jié)果，有機(jī)EL裝置OLED在完整的一個(gè)水平掃描時(shí)間段中維持以根 據(jù)由驅(qū)動(dòng)晶體管T2的柵極-源極電壓Vgs確定的驅(qū)動(dòng)電流Ids的亮度發(fā)光的 發(fā)光狀態(tài)。
之后，解釋非發(fā)光狀態(tài)中的操作。在圖50的時(shí)序圖中示出的時(shí)間段t2 中，當(dāng)控制驅(qū)動(dòng)電流控制晶體管T3進(jìn)入被關(guān)斷的狀態(tài)時(shí)開(kāi)始非發(fā)光狀態(tài)。圖 52是示出在該時(shí)間點(diǎn)的像素電路91的工作狀態(tài)的電路圖。在那時(shí)，驅(qū)動(dòng)晶 體管T2的源^L電位Vs向著光熄滅的電位下降。伴隨驅(qū)動(dòng)晶體管T2的源極 電位Vs的下降，驅(qū)動(dòng)晶體管T2的柵極電位Vg也以同樣的方式降低。
然而，在第四實(shí)施例的情況下，通過(guò)將采樣晶體管T1置于導(dǎo)通的狀態(tài)， 能夠控制驅(qū)動(dòng)晶體管T2的柵極電位Vg以改變?yōu)槿鐖D50E的時(shí)序圖表所示的 偏移電位Vofs。注意到，驅(qū)動(dòng)晶體管T2的源極電位Vs變得等于(Vthel+Vcat )， 如圖50F的時(shí)序圖表所示。
圖52是示出像素電路51的工作狀態(tài)的電路圖。在該工作狀態(tài)下，驅(qū)動(dòng) 晶體管T2的源極電位Vs變得等于(Vthel+Vcat )。注意到，偏移電位Vofs 不大于有機(jī)EL裝置OLED的闞值電壓Vthel、有機(jī)EL裝置OLED的陰極電 壓Vcat和驅(qū)動(dòng)晶體管T2的閾值電壓Vth之和。
當(dāng)完成在信號(hào)存儲(chǔ)電容器Cs中存儲(chǔ)偏移電位Vofs的操作時(shí)，在圖50的 時(shí)序圖中的時(shí)間段t3中，控制采樣晶體管Tl再次進(jìn)入被關(guān)斷的狀態(tài)。通過(guò) 將采樣晶體管Tl置于被關(guān)斷的狀態(tài)時(shí)，驅(qū)動(dòng)晶體管T2的柵極被置于浮置的 狀態(tài)。
稍后，控制在電容器控制線CNTL上出現(xiàn)的電位以從高電平電位Vdd改 變?yōu)榈碗娖诫娢籚ini。在那時(shí)，將負(fù)向耦合成分AV1疊加在分別在驅(qū)動(dòng)晶體 管T2的柵極和源極上出現(xiàn)的柵極電位Vg和源極電位Vs的每一個(gè)上。圖53 是示出在該時(shí)間點(diǎn)的像素電路91的工作狀態(tài)的電路圖。
隨著時(shí)間的適當(dāng)?shù)耐埔?，在圖50的時(shí)序圖示出的時(shí)間段t4和t5中，開(kāi) 始閾值電壓補(bǔ)償準(zhǔn)備過(guò)程的時(shí)間段。詳細(xì)地說(shuō)，在圖50的時(shí)序圖中示出的時(shí) 間段t4中，在將在電容器控制線CNTL上出現(xiàn)的電位設(shè)置在低電平電位Vini 的狀態(tài)下，通過(guò)將驅(qū)動(dòng)電流控制晶體管T3和采樣晶體管T1同時(shí)置于被導(dǎo)通的狀態(tài)而開(kāi)始閾值電壓補(bǔ)償準(zhǔn)備過(guò)程。圖54是示出在該時(shí)間點(diǎn)的像素電路 91的工作狀態(tài)的電路圖。
注意到，在該時(shí)間點(diǎn)，控制驅(qū)動(dòng)晶體管T2的柵極-源極電壓Vgs以進(jìn)入 反向偏壓狀態(tài)。由此，即使控制驅(qū)動(dòng)電流控制晶體管T3進(jìn)入被導(dǎo)通的狀態(tài)， 驅(qū)動(dòng)電流Ids也不流到有機(jī)EL裝置OLED。由此，有機(jī)EL裝置OLED按照 原樣保持處于非發(fā)光狀態(tài)中。
在這種情況下，在圖50的時(shí)序圖中示出的時(shí)間段t5中，控制在電容器 控制線CNTL上出現(xiàn)的電位以從低電平電位Vini改變回高電平電位Vdd。圖 55是示出在該時(shí)間點(diǎn)的像素電路91的工作狀態(tài)的電路圖。
結(jié)果，在將驅(qū)動(dòng)晶體管T2的柵極電位Vg固定在偏移電位Vofs的狀態(tài) 中，驅(qū)動(dòng)晶體管T2的源極電位Vs經(jīng)受耦合驅(qū)動(dòng)操作。由此，控制驅(qū)動(dòng)晶體 管T2的柵極-源極電壓Vgs進(jìn)入反向偏壓狀態(tài)。
當(dāng)閾值電壓補(bǔ)償準(zhǔn)備過(guò)程結(jié)束時(shí)，控制采樣晶體管Tl進(jìn)入被關(guān)斷的狀 態(tài)，這再次將驅(qū)動(dòng)晶體管T2的柵極置于浮置的狀態(tài)。在該狀態(tài)下，在圖50 的時(shí)序圖中示出的時(shí)間段t6中，控制在電容器控制線CNTL上出現(xiàn)的電位以 從高電平電位Vdd改變到低電平電位Vini。就是說(shuō)，通過(guò)置于浮置狀態(tài)的驅(qū) 動(dòng)晶體管T2的柵極，在電容器控制線CNTL上出現(xiàn)的電位經(jīng)受以負(fù)向執(zhí)行 的耦合驅(qū)動(dòng)操作。圖56是示出在該時(shí)間點(diǎn)的像素電路91的工作狀態(tài)的電路 圖。
稍后，在圖50的時(shí)序圖中示出的時(shí)間段t7中，開(kāi)始閾值電壓補(bǔ)償過(guò)程。 詳細(xì)地說(shuō)，在將在電容器控制線CNTL上出現(xiàn)的電位設(shè)置在低電平電位Vini 的狀態(tài)下，通過(guò)將采樣晶體管Tl置于被導(dǎo)通的狀態(tài)而開(kāi)始閾值電壓補(bǔ)償過(guò) 程。圖57是示出在該時(shí)間點(diǎn)的像素電路91的工作狀態(tài)的電路圖。在該工作 狀態(tài)下，驅(qū)動(dòng)晶體管T2的柵極-源極電壓Vgs大于驅(qū)動(dòng)晶體管T2的閾值電壓 Vth。
由此，將驅(qū)動(dòng)晶體管T2置于被導(dǎo)通和操作的狀態(tài)。如圖57的電路圖所 示，在該狀態(tài)下，驅(qū)動(dòng)電流Ids從電流供給線流到信號(hào)存儲(chǔ)電容器Cs。驅(qū)動(dòng) 電流Ids的一部分也用于對(duì)有機(jī)EL裝置OLED的寄生電容器Cel充電。由此， 有機(jī)EL裝置OLED的陽(yáng)極電位Vel隨著時(shí)間的經(jīng)過(guò)而上升。然而，滿足關(guān) 系Vel《(Vcat+Vthel )。由此，有機(jī)EL裝置OLED絕不發(fā)光。在適當(dāng)?shù)臅r(shí)候， 驅(qū)動(dòng)晶體管T2的柵極-源極電壓Vgs變得等于驅(qū)動(dòng)晶體管T2的閾值電壓Vth。在那時(shí)，將驅(qū)動(dòng)晶體管T2自動(dòng)地置于被關(guān)斷的狀態(tài)，切斷驅(qū)動(dòng)電流Ids的流動(dòng)。
當(dāng)如上所述結(jié)束閾值電壓補(bǔ)償過(guò)程時(shí)，在圖50的時(shí)序圖中示出的時(shí)間段 t8中，控制采樣晶體管Tl再次進(jìn)入被導(dǎo)通的狀態(tài)，開(kāi)始將來(lái)自信號(hào)線DTL 的信號(hào)電位Vsig存儲(chǔ)到信號(hào)存儲(chǔ)電容器Cs中的操作。然后，同時(shí)執(zhí)行將來(lái) 自信號(hào)線DTL的信號(hào)電位Vsig存儲(chǔ)到信號(hào)存儲(chǔ)電容器Cs中的操作和遷移率 補(bǔ)償過(guò)程。圖58是示出在該時(shí)間點(diǎn)的像素電路71的工作狀態(tài)的電路圖。
最后，在圖50的時(shí)序圖中示出的時(shí)間段t9中，當(dāng)控制采樣晶體管T1進(jìn) 入被關(guān)斷的狀態(tài)以便終止在信號(hào)存儲(chǔ)電容器Cs中存儲(chǔ)信號(hào)電位Vsig的操作 時(shí)，有機(jī)EL裝置OLED開(kāi)始發(fā)光操作。就是說(shuō)，開(kāi)始新的發(fā)光時(shí)間段。圖 59是示出在該時(shí)間點(diǎn)的像素電路71的工作狀態(tài)的電路圖。
(E-3):結(jié)論
如上所述，也在其中通過(guò)將驅(qū)動(dòng)電流控制晶體管T3置于被導(dǎo)通的狀態(tài) 執(zhí)行從信號(hào)線DTL向有機(jī)EL裝置OLED供給驅(qū)動(dòng)電流Ids的操作而通過(guò)將 驅(qū)動(dòng)電流控制晶體管T3置于被關(guān)斷的狀態(tài)執(zhí)行停止驅(qū)動(dòng)電流供給操作的操 作的有機(jī)EL顯示面板的情況下，可以產(chǎn)生和第二實(shí)施例相同的效果。注意 到，在包括驅(qū)動(dòng)電流控制晶體管T3的配置中，在發(fā)光時(shí)間段期間，能夠彼此 獨(dú)立地控制通過(guò)驅(qū)動(dòng)電流控制晶體管T3和驅(qū)動(dòng)晶體管T2的方式向有機(jī)EL 裝置OLED供給驅(qū)動(dòng)電流Ids的操作和停止該驅(qū)動(dòng)電流供給#:作的操作。如 果執(zhí)行這些功能，則能夠?qū)⒃?幀時(shí)間段中發(fā)光時(shí)間段的長(zhǎng)度控制為任意值， 以使得該功能能夠用于增強(qiáng)活動(dòng)圖像的響應(yīng)性的努力。
(F):其他實(shí)施例
(F-l):布線結(jié)構(gòu)
在到目前為止描述的實(shí)施例的情況下，將每一個(gè)電容器控制線CNTL的 一端創(chuàng)建為由脈沖電壓源45驅(qū)動(dòng)的作為對(duì)全部像素電路公共的布線模式的 布線模式。
然而，也可以供給其中將多個(gè)電容器控制線CNTL中每一個(gè)的一端創(chuàng)建 為對(duì)相同的多個(gè)矩陣行公共的布線模式且對(duì)相同的多個(gè)行公共的每個(gè)布線模 式由脈沖電壓源45驅(qū)動(dòng)的配置。
(F-2):典型產(chǎn)品
(a):電子設(shè)備
38如之前所述，有機(jī)EL顯示面板用作本發(fā)明的實(shí)施例的典型應(yīng)用。然而，
也使得到目前為止描述的有機(jī)EL顯示面板在市場(chǎng)上以由多種電子設(shè)備101
實(shí)現(xiàn)的商品的形式可用。
圖60是示出電子設(shè)備101的典型概念配置的框圖。如圖60的框圖所示， 電子設(shè)備101包括有機(jī)EL面板103、系統(tǒng)控制部分105和操作輸入部分107。 由系統(tǒng)控制部分105執(zhí)行的處理根據(jù)由電子設(shè)備101形成的商品而變化。操 作輸入部分107是用于接收由用戶輸入到系統(tǒng)控制部分105的操作輸入的裝 置。該操作輸入部分107涉及諸如機(jī)械和圖形界面的接口。機(jī)械接口包括開(kāi) 關(guān)和按鈕。
注意到，電子設(shè)備101絕不限于屬于專用領(lǐng)域的設(shè)備。就是說(shuō)，電子設(shè) 備IOI能夠是任何設(shè)備，只要該設(shè)備具有在顯示部分上顯示畫(huà)面和/或視頻的 功能。能夠內(nèi)部地產(chǎn)生該畫(huà)面和/或視頻或者從外部源接收。
圖61是示出用作典型電子設(shè)備101的電視接收機(jī)111的外觀的視圖。電 視接收機(jī)111的外殼正面是包括前面板113和濾光玻璃板115的顯示屏117。 該顯示屏117對(duì)應(yīng)于由早先描述的實(shí)施例的任何一個(gè)實(shí)現(xiàn)的有機(jī)EL顯示面 板。
能夠假定的另一典型電子設(shè)備101是數(shù)字照相機(jī)121。圖62是每一個(gè)示 出了數(shù)字照相機(jī)121的外觀的多個(gè)視圖。更具體地說(shuō)，圖62A是示出了數(shù)字 照相機(jī)121的外觀的正面?zhèn)?或拍攝對(duì)象側(cè))的視圖，而圖62B是示出了數(shù) 字照相機(jī)121的外觀的背面?zhèn)?或拍攝者側(cè))的視圖。
如圖62的視圖所示，數(shù)字照相機(jī)121采用保護(hù)殼123、拍攝鏡頭部分125、 顯示屏127、控制開(kāi)關(guān)129和快門(mén)按鈕131。該快門(mén)按鈕131對(duì)應(yīng)于由早先描 述的實(shí)施例的任何一個(gè)實(shí)現(xiàn)的有機(jī)EL顯示面板。
能夠假定的另外的典型電子設(shè)備101是攝像機(jī)141。圖63是示出攝像機(jī) 141的外觀的視圖。
如圖63的視圖所示，攝像機(jī)141采用主單元143、攝影透鏡145、開(kāi)始/ 停止開(kāi)關(guān)147和顯示屏149。該顯示屏149對(duì)應(yīng)于由早先描述的實(shí)施例的任 何一個(gè)實(shí)現(xiàn)的有才幾EL顯示面板。
能夠有i定的又一典型電子設(shè)備101是蜂窩電話151。圖64是每一個(gè)示出 蜂窩電話151的外觀的多個(gè)視圖。圖64的視圖示出的蜂窩電話151是折疊型 的蜂窩電話。更具體地說(shuō)，圖64A是每一個(gè)示出蜂窩電話151的外觀的多個(gè)視圖。蜂窩電話151置于被打開(kāi)的狀態(tài)下，而圖64B是每一個(gè)示出蜂窩電話 151的多個(gè)視圖，蜂窩電話151置于關(guān)閉的狀態(tài)下。
如圖64的視圖所示，蜂窩電話151采用上側(cè)外殼153、下側(cè)外殼155、 鏈接部分157、顯示屏159、輔助顯示屏161、畫(huà)面燈163和拍攝鏡頭165。 在蜂窩電話151的情況下，鏈接部分157是鉸鏈。顯示屏159和輔助顯示屏 161的每一個(gè)對(duì)應(yīng)于由早先描述的實(shí)施例的任何一個(gè)實(shí)現(xiàn)的有機(jī)EL顯示面 板。
能夠假定的又一典型電子設(shè)備101是筆記本計(jì)算機(jī)171。圖65是示出了 筆記本計(jì)算機(jī)171的外觀的視圖。如圖65的視圖所示，筆記本計(jì)算機(jī)171采 用下外殼173、上外殼175、鍵盤(pán)177和顯示屏179。顯示屏179對(duì)應(yīng)于由早 先描述的實(shí)施例的任何一個(gè)實(shí)現(xiàn)的有機(jī)EL顯示面板。
又一典型電子設(shè)備101包括音頻再現(xiàn)設(shè)備、游戲機(jī)、電子書(shū)和電子詞典。 (F-3):其他典型顯示設(shè)備
上述每一個(gè)實(shí)施例實(shí)現(xiàn)有機(jī)EL顯示面板。然而，根據(jù)該實(shí)施例的驅(qū)動(dòng) 技術(shù)還可以應(yīng)用于其他EL顯示設(shè)備。例如，該驅(qū)動(dòng)技術(shù)能夠應(yīng)用于包括在 其屏幕上排列以形成矩陣的LED (發(fā)光二極管)的顯示設(shè)備，或者包括在其 屏幕上排列以形成矩陣的發(fā)光裝置的顯示設(shè)備。該發(fā)光裝置具有不同于LED 的結(jié)構(gòu)。該驅(qū)動(dòng)技術(shù)還可以應(yīng)用于無(wú)機(jī)EL顯示面板。 (F-4):其它
在不背離本發(fā)明的精神和范圍的情況下可以以各種方式修改上述實(shí)施 例。還可以基于本發(fā)明的公開(kāi)創(chuàng)建或者結(jié)合各種修改和應(yīng)用。
本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)該理解根據(jù)布置要求及其他因數(shù)可發(fā)生各種修改，組 合，子組合和變更，只要它們?cè)谒降臋?quán)利要求或者其等效物的范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求
1. 一種電致發(fā)光顯示面板，其采用有源矩陣驅(qū)動(dòng)方法且包括像素電路，每個(gè)像素電路至少包括驅(qū)動(dòng)晶體管，用于從固定電壓電源線取出驅(qū)動(dòng)電流并將驅(qū)動(dòng)電流供給到有機(jī)電致發(fā)光裝置，信號(hào)保持電容器，連接在所述驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極和源極之間，和采樣晶體管，用于控制將信號(hào)電位存儲(chǔ)到所述信號(hào)保持電容器和所述有機(jī)電致發(fā)光裝置中的操作；電容器控制線，作為對(duì)于所有所述像素電路公共或?qū)τ诙鄠€(gè)所述像素電路公共的線而連接；耦合電容器，連接在所述有機(jī)電致發(fā)光裝置的陽(yáng)極和每個(gè)所述像素電路中的所述電容器控制線之間；和脈沖電壓源，用于在一個(gè)場(chǎng)時(shí)間段期間至少一次將在所述電容器控制線上出現(xiàn)的電位從低電平升高到高電平，并在從所述電位的上升沿開(kāi)始經(jīng)過(guò)預(yù)先確定的時(shí)間之后將所述電位從所述高電平降低回到所述低電平。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的電致發(fā)光顯示面板，其中，當(dāng)將用于補(bǔ)償所述 驅(qū)動(dòng)晶體管的閾值電壓的變化效應(yīng)的參考電位施加到所述像素電路的任意一 個(gè)時(shí)，所述脈沖電壓源將在所述電容器控制線上出現(xiàn)的所述電位從低電平升 高到高電平，并在從將所述參考電位施加到所述像素電路的施加結(jié)束開(kāi)始經(jīng) 過(guò)預(yù)先確定的時(shí)間之后將所述電位從所述高電平降低回到所述低電平。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的電致發(fā)光顯示面板，其中，所述脈沖電壓源對(duì) 于每個(gè)水平掃描時(shí)間段時(shí)間段性地將在所述電容器控制線上出現(xiàn)的所述電位 從低電平升高到高電平，并將所述電位從所述高電平降低回到所述低電平。
4. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的電致發(fā)光顯示面板，其中，采用N溝道型的 薄膜晶體管作為所述驅(qū)動(dòng)晶體管。
5. —種電子設(shè)備，包括 電致發(fā)光顯示面板；系統(tǒng)控制部分，配置以控制所述整個(gè)電子設(shè)備；和操作輸入部分，配置以接收進(jìn)入到所述系統(tǒng)控制部分的操作輸入，其中所述電致發(fā)光顯示面板采用有源矩陣驅(qū)動(dòng)方法并包括像素電路，每個(gè)像素電路至少包括驅(qū)動(dòng)晶體管，用于從固定電壓電源線取出驅(qū)動(dòng)電流并將驅(qū)動(dòng)電流供 給到有機(jī)電致發(fā)光裝置，信號(hào)保持電容器，連接在所述驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極和源極之間，和 采樣晶體管，用于控制將信號(hào)電位存儲(chǔ)到所述信號(hào)保持電容器和所述有機(jī)電致發(fā)光裝置中的操作；電容器控制線，作為對(duì)于所有所述像素電路公共或?qū)τ诙鄠€(gè)所述像素電路公共的線而連接；耦合電容器，連接在所述有機(jī)電致發(fā)光裝置的陽(yáng)極和每個(gè)所述像素 電路中的所述電容器控制線之間；和脈沖電壓源，用于在一個(gè)場(chǎng)時(shí)間段期間至少 一次將在所述電容器控 制線上出現(xiàn)的電位從低電平升高到高電平，并在從所述電位的上升沿開(kāi)始經(jīng) 過(guò)預(yù)先確定的時(shí)間之后將所述電位從所述高電平降低回到所述低電平。
6. —種驅(qū)動(dòng)電致發(fā)光顯示面板的方法，所述電致發(fā)光顯示面板采用有源 矩陣驅(qū)動(dòng)方法且包括提供驅(qū)動(dòng)晶體管，用于從固定電壓電源線取出驅(qū)動(dòng)電流并將驅(qū)動(dòng)電流供 給到有機(jī)電致發(fā)光裝置，將信號(hào)保持電容器連接在所述驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極和源極之間，和提供采樣晶體管，用于控制將信號(hào)電位存儲(chǔ)到所述信號(hào)保持電容器和所 述有機(jī)電致發(fā)光裝置中的操作；連接電容器控制線作為對(duì)于所有所述像素電路公共或?qū)τ诙鄠€(gè)所述像素 電路公共的線；和將耦合電容器連接在所述有機(jī)電致發(fā)光裝置的陽(yáng)極和每個(gè)所述像素電路 中的所述電容器控制線之間；由此在一個(gè)場(chǎng)時(shí)間段期間至少一次將在所述電容器控制線上出現(xiàn)的電位 從低電平升高到高電平，并在從所述電位的上升沿開(kāi)始經(jīng)過(guò)預(yù)先確定的時(shí)間 之后將所述電位從所述高電平降低回到所述低電平。
全文摘要
本發(fā)明供給了電致發(fā)光顯示面板，包括該電致發(fā)光顯示面板的電子設(shè)備和驅(qū)動(dòng)該電致發(fā)光顯示面板的方法。所述電致發(fā)光顯示面板采用有源矩陣驅(qū)動(dòng)方法且包括像素電路、電容器控制線、耦合電容器和脈沖電壓源。
文檔編號(hào)G09G3/20GK101520985SQ20091000463
公開(kāi)日2009年9月2日 申請(qǐng)日期2009年3月2日 優(yōu)先權(quán)日2008年2月28日
發(fā)明者內(nèi)野勝秀, 山本哲郎 申請(qǐng)人:索尼株式會(huì)社