專利名稱：電致發(fā)光顯示面板、其驅(qū)動方法和電子裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及EL(電致發(fā)光)顯示面板、電子裝置和驅(qū)動EL顯示面板的方法，并且更具體地涉及通過使用有源矩陣驅(qū)動系統(tǒng)驅(qū)動和控制的EL顯示面板、電子裝置和驅(qū)動EL顯示面板的方法。
背景技術(shù)：
圖1顯示了有源矩陣驅(qū)動型有機EL顯示面板的配置的基本電路塊。如圖1所示，有機EL顯示面板1包括像素陣列部分3、信號寫入控制線驅(qū)動部分5以及操作為用于驅(qū)動該像素陣列部分3的驅(qū)動電路的水平選擇器7。應(yīng)該注意，在像素陣列部分3中，像素電路9布置在信號線DTL和寫入控制線WSL之間的每個交叉點。
當(dāng)前，有機EL元件是電流發(fā)光元件。為此，對有機EL顯示面板采用通過控制流過分別對應(yīng)于各像素的各有機EL元件的電流量來控制灰度級的驅(qū)動系統(tǒng)。
圖2顯示這種像素電路9的最簡單的電路配置之一。該像素電路9包括薄膜晶體管T1和T2以及保持電容器Cs。此后，薄膜晶體管T1被稱為“采樣晶體管T1”，而薄膜晶體管T2被稱為“驅(qū)動晶體管T2”。
采樣晶體管T1是N溝道薄膜晶體管，用于控制將對應(yīng)于相應(yīng)的一個像素的灰度級的信號電勢Vsig寫入到保持電容器Cs的操作。此外，驅(qū)動晶體管T2是P溝道薄膜晶體管，用于基于取決于保持在保持電容器Cs中的信號電勢Vsig確定的柵極-源極電壓Vgs，提供驅(qū)動電流Ids到有機EL元件OLED。
在圖2中示出的電路配置的情況下，驅(qū)動晶體管T2的源極電極連接到固定地施加電源電勢Vcc的電源線，因而驅(qū)動晶體管T2經(jīng)常工作在飽和區(qū)域。也就是說，驅(qū)動晶體管T2運行為用于提供具有對應(yīng)于信號電勢Vsig的大小的驅(qū)動電流Ids到有機EL元件OLED的恒流源。在此情況下，驅(qū)動電流Ids由以下等式(1)表示 Ids＝k·μ·(Vgs-Vth)2/2...(1) 其中μ是驅(qū)動晶體管T2的多數(shù)載流子的遷移率，Vth是驅(qū)動晶體管T2的閾值電壓，而k是由(W/L)·Cox給出的系數(shù)，其中W是溝道寬度，L是溝道長度，而Cox是每單元面積的柵極電容。
應(yīng)該注意，在具有該配置的像素電路的情況下，已知存在這樣的特性，其中驅(qū)動晶體管T2的漏極電壓隨著圖3所示的有機EL元件的I-V特性隨時間的改變而改變。然而，因為柵極-源極電壓Vgs保持恒定，所以提供到有機EL元件的電流量不改變。結(jié)果，發(fā)光亮度可以保持恒定。
采用有源矩陣驅(qū)動系統(tǒng)的有機EL顯示面板設(shè)備例如在日本專利公開No.2003-255856、2003-271095、2004-133240、2004-029791和2004-093682中描述。
發(fā)明內(nèi)容
現(xiàn)在，取決于在一些情況下薄膜工藝的種類，不能采用圖2中所示的電路配置。也就是說，在電流薄膜工藝中，在一些情況下不能采用P溝道薄膜晶體管。在這種情況下，驅(qū)動晶體管T2必須用N溝道薄膜晶體管替代。
圖4示出了這種像素電路的配置。在此情況下，驅(qū)動晶體管T12的源極電極連接到有機EL元件OLED的陽極端子。然而，在該像素電路11的情況下，遇到的問題是柵極-源極電壓Vgs隨著有機EL元件OLED的I-V特性隨時間的改變而改變。柵極-源極電壓Vgs的這種改變導(dǎo)致驅(qū)動電流量改變，從而改變發(fā)光亮度。
此外，包括每個像素電路11的驅(qū)動晶體管T2的閾值和遷移率每個像素都不同。像素間驅(qū)動晶體管T2的閾值或遷移率的差別以驅(qū)動電流值的分散的形式出現(xiàn)，從而使得發(fā)光亮度對于每個像素而改變。
因而，圖5顯示了有機EL面板1的像素電路21和用于驅(qū)動該像素電路21的驅(qū)動電路之間的連接關(guān)系，該像素電路21采用了適于避免包括N溝道薄膜晶體管的驅(qū)動晶體管的特性的分散的電路配置。
該像素電路21包括N溝道薄膜晶體管T21、T22、T23、T24和T2以及保持電容器Cs。
應(yīng)該注意，薄膜晶體管T21(此后稱為“第一采樣晶體管T21”)運行為用于控制寫入信號電勢Vsig到保持電容器Cs的操作的開關(guān)。薄膜晶體管T22(此后稱為“第二采樣晶體管T22”)運行為用于控制寫入偏置信號電勢Vofs到薄膜晶體管T25的柵極電極的操作的開關(guān)。
薄膜晶體管T23(此后稱為“第一切換晶體管T23”)運行為用于控制提供電源電勢Vcc到薄膜晶體管T25的操作的開關(guān)。薄膜晶體管T24(此后稱為“第二采樣晶體管T24”)運行為用于控制提供初始化電勢Vss到薄膜晶體管T25的操作的開關(guān)。
薄膜晶體管T25(此后稱為“驅(qū)動晶體管T25”)運行為用于提供驅(qū)動電流到處于導(dǎo)通操作階段的有機EL元件OLED的恒流源。
信號寫入控制線驅(qū)動部分23、偏置信號線驅(qū)動部分25、電源饋送控制開關(guān)驅(qū)動部分27、初始化控制開關(guān)驅(qū)動部分29和水平選擇器31用來驅(qū)動像素電路21。
信號寫入控制線驅(qū)動部分23是用于控制導(dǎo)通/截止第一采樣晶體管T21的操作的驅(qū)動電路。
偏置信號線驅(qū)動部分25是用于控制導(dǎo)通/截止第二采樣晶體管T22的操作的驅(qū)動電路。
電源饋送控制開關(guān)驅(qū)動部分27是用于控制導(dǎo)通/截止第一切換晶體管T23的操作的驅(qū)動電路。
初始化控制開關(guān)驅(qū)動部分29是用于控制導(dǎo)通/截止第二切換晶體管T24的操作的驅(qū)動電路。
水平選擇器31是用于施加對應(yīng)于像素數(shù)據(jù)Din的信號電勢Vsig到每條信號線DTL的驅(qū)動電路。
圖6A到6G是解釋使用這些驅(qū)動電路23、25、27、29和31的像素電路的操作的時序圖。
首先，圖7顯示處于發(fā)光狀態(tài)的像素電路21中的工作狀態(tài)。此時，只有第一切換晶體管T23保持為導(dǎo)通狀態(tài)(圖6A到6G中的t1)。另一方面，驅(qū)動晶體管T25工作在飽和區(qū)域，并且提供具有取決于柵極-源極電壓Vgs的大小的驅(qū)動電流Ids到有機EL元件OLED。
接下來，將描述處于不發(fā)光狀態(tài)的像素電路21中的工作狀態(tài)?？刂频谝磺袚Q晶體管T23以便被截止，從而開始不發(fā)光狀態(tài)(圖6A到6G中的t2)。也就是說，控制所有的薄膜晶體管T21到T24以便被截止，從而開始不發(fā)光狀態(tài)。通過執(zhí)行該操作，切斷提供到有機EL元件OLED的驅(qū)動電流Ids，使得有機EL元件OLED的陽極電勢Vel(驅(qū)動晶體管T25的源極電勢Vs)減小。
在當(dāng)?shù)竭_對應(yīng)于有機EL元件OLED的閾值電壓Vthel和陰極電勢Vcat的和的電勢時的時間點，停止有機EL元件OLED的陽極電勢Vel的減小。順便提及，因為驅(qū)動晶體管T25的柵極電極是自由端，所以驅(qū)動晶體管T25的柵極電勢Vg也連同有機EL元件OLED的陽極電勢Vel的減小而減小。
此后，第二采樣晶體管T22和第二切換晶體管T24每個從截止?fàn)顟B(tài)切換到導(dǎo)通狀態(tài)，從而開始閾值校正準(zhǔn)備操作(圖6A到6G中的t3)。
圖8顯示了在此時間點像素電路21中的連接狀態(tài)。在此情況下，控制驅(qū)動晶體管T25的柵極電勢Vg，以便變得等于偏置信號電勢Vofs，并且控制驅(qū)動晶體管T25的源極電勢Vs，以便變得等于初始化電勢Vss。也就是說，控制驅(qū)動晶體管T25的柵極-源極電壓Vgs，以便變得等于電壓(Vofs-Vss)。設(shè)置該電壓(Vofs-Vss)處于大于閾值電壓Vth的值。因此，使得具有對應(yīng)于電壓(Vofs-Vss)的大小的驅(qū)動電流Ids’從電源線(處于Vcc)流入初始化電勢線(處于Vss)。
然而，當(dāng)使得驅(qū)動電流Ids’流入有機EL元件OLED時，該有機EL元件OLED發(fā)射具有與信號電勢Vsig無關(guān)的亮度的光。為了處理該情況，設(shè)置偏置信號電勢Vofs和初始化電勢Vss，使得保持有機EL元件OLED的不發(fā)光狀態(tài)。
也就是說，設(shè)置初始化電勢Vss，使得有機EL元件OLED的陽極電勢Vel變得小于有機EL元件OLED的閾值電壓Vthel和陰極電勢Vcat的和。應(yīng)該注意，可以首先控制第二采樣晶體管T22和第二切換晶體管T24的任何一個，以便被導(dǎo)通。
接下來，僅控制第二切換晶體管T24，以便被截止，并且隨后控制第一切換晶體管T23，以便其在第二采樣晶體管T22保持控制在導(dǎo)通狀態(tài)的同時被導(dǎo)通(圖6A到6G中的t4)。圖9顯示在此時間點的像素電路21中的工作狀態(tài)。要注意，在圖9中，有機EL元件OLED以具有二極管和電容器的等價電路的形式顯示。
在此情況下，只要維持(Vel≤Vcat+Vthel)的關(guān)系(有機EL元件OLED的漏電流的大小顯著小于流過驅(qū)動晶體管T25的電流的大小)，流過驅(qū)動晶體管T25的電流就用來用電流(electricity)充電保持電容器Cs和有機EL元件OLED的寄生電容Cel。
執(zhí)行該充電操作導(dǎo)致有機EL元件OLED的陽極電勢Vel隨著時間上升。圖10顯示了在該充電操作期間、驅(qū)動晶體管T25的源極電勢Vs隨著時間的改變。
應(yīng)該注意，驅(qū)動晶體管T25的源極電勢Vs的上升在當(dāng)驅(qū)動晶體管T25的柵極-源極電壓Vgs到達驅(qū)動晶體管T25的閾值電壓Vth時的時間點結(jié)束。此時，陽極電勢Vel滿足Vel＝Vofs-Vth≤Vcat+Vthel的關(guān)系。該操作是用于驅(qū)動晶體管T25的閾值校正操作。此后，首先控制第一切換晶體管T23，以便被截止，并且隨后控制第二采樣晶體管T22，以便被截止。
以第一切換晶體管T23和第二采樣晶體管T22的順序執(zhí)行截止控制，從而使得可能抑制驅(qū)動晶體管T25的柵極電勢Vg的改變。
接下來，僅控制第一采樣晶體管T21，以便被導(dǎo)通，從而開始也用作信號寫入操作的遷移率校正操作(圖6A到6G中的t5)。圖11顯示在此時間點的像素電路21中的工作狀態(tài)。此時，驅(qū)動晶體管T25的柵極-源極電壓Vgs由表達式(2)表示 Vgs＝{Cel/(Cel+Cs+Ctr)}·(Vsig-Vofs)+Vth...(2) 這里Cel是有機EL元件OLED的寄生電容，Ctr是驅(qū)動晶體管T25的寄生電容，而Cs是保持電容器Cs的電容。
在此情況下，寄生電容Cel大于寄生電容Cs和Ctr的每一個。因此，柵極-源極電壓Vgs近似由(Vsig+Vth)給出。
在此狀態(tài)下，控制第一切換晶體管T23，以便被導(dǎo)通(圖6A到6G中的t6)。在此情況下，只要驅(qū)動晶體管T25的源極電勢Vs不超過有機EL元件OLED的閾值電壓Vthel和陰極電勢Vcat的和(有機EL元件的漏電流的大小顯著小于流過驅(qū)動晶體管T25的電流的大小)，流過驅(qū)動晶體管T25的電流就用來用電流充電保持電容器Cs和有機EL元件OLED的寄生電容Cel的每一個。
圖12顯示在此時間點像素電路21中的工作狀態(tài)。應(yīng)該注意，在此時間點，用于驅(qū)動晶體管T25的閾值校正操作已經(jīng)完成。為此，流過驅(qū)動晶體管T25的電流具有反映遷移率μ的值。
具體地，流過具有大遷移率μ的驅(qū)動晶體管T25的電流量變大，因而驅(qū)動晶體管T25的源極電勢快速上升。
另一方面，流過具有小遷移率μ的驅(qū)動晶體管T25的電流量變小，因而驅(qū)動晶體管T25的源極電勢緩慢上升。
圖13顯示驅(qū)動晶體管T25的源極電壓Vs與時間之間的關(guān)系。根據(jù)該結(jié)果，因為遷移率μ反映在柵極-源極電壓Vgs中，所以驅(qū)動晶體管T25的柵極-源極電壓Vgs變小。因而，在預(yù)定的時間段過去后，驅(qū)動晶體管T25的柵極-源極電壓Vgs收斂為通過完美校正遷移率μ而獲得的柵極-源極電壓Vgs。
在完成也用作信號寫入操作的遷移率校正操作后，控制第一采樣晶體管T21，以便被截止。并且控制驅(qū)動晶體管T25的柵極電極為自由端。隨著該操作，使得用于驅(qū)動晶體管T25的驅(qū)動電流Ids’流入有機EL元件OLED，使得有機EL元件OLED開始用對應(yīng)于驅(qū)動電流的值的亮度發(fā)光。應(yīng)該注意，驅(qū)動晶體管T25的源極電勢Vs上升到對應(yīng)于流過有機EL元件OLED的驅(qū)動電流的值的電壓Vx(圖6A到6G中的t7)。
圖14顯示在此時間點像素電路21中的工作狀態(tài)。
應(yīng)該注意，同樣在這里陳述的像素電路21的情況下，有機EL元件OLED的I-V特性本身隨著發(fā)光時間段變長而改變。也就是說，電壓Vx也改變。
然而，在該電路配置的情況下，因為驅(qū)動晶體管T25的柵極-源極電壓Vgs保持恒定，所以流過有機EL元件OLED的電流值不變。
也就是說，即使當(dāng)有機EL元件OLED的I-V特性隨時間的變化而改變時，恒定的電流Ids’通常也繼續(xù)流過驅(qū)動晶體管T25。結(jié)果，有機EL元件OLED的亮度可以保持恒定。
實際上，圖5中示出的驅(qū)動電路21有效地對抗有機EL元件OLED的特性變化而運行。
然而，出于其它原因，存在亮度由于時間變化而改變的可能性。這種改變是構(gòu)成像素電路21的薄膜晶體管T21到T25的每個閾值電壓的改變。
圖15A顯示當(dāng)正偏壓連續(xù)地施加到薄膜晶體管的柵極電極時、薄膜晶體管的閾值電壓具有的一般偏壓特性的改變。此外，圖15B顯示當(dāng)負偏壓連續(xù)地施加到薄膜晶體管的柵極電極時、薄膜晶體管的閾值電壓具有的一般偏壓特性的改變。
如圖15A所示，在薄膜晶體管中識別出其中薄膜晶體管的閾值電壓Vth在連續(xù)施加正偏壓的階段中在正方向移動的特性。另一方面，如圖15B所示，在薄膜晶體管中識別出其中薄膜晶體管的閾值電壓Vth在連續(xù)施加負偏壓的階段中在負方向移動的特性。
在圖5中示出的電路配置的情況下，在一幀中，正偏壓和負偏壓交替施加到薄膜晶體管T21到T24的每一個。因此，薄膜晶體管T21到T24的閾值電壓Vth的每一個的變化不大。
然而，在通常向其施加正偏壓的狀態(tài)下，只驅(qū)動驅(qū)動晶體管T25。結(jié)果，在正方向只有驅(qū)動晶體管T25的閾值電壓Vth改變大。具體地，當(dāng)在驅(qū)動晶體管T25的形成中使用無定形硅工藝時，驅(qū)動晶體管T25的閾值電壓Vth的變化量容易隨著時間的流逝而變得非常大。
另一方面，在圖5所示的像素電路21的情況下，在對驅(qū)動晶體管T25的閾值校正操作之前，驅(qū)動晶體管T25的柵極-源極電壓Vgs需要被控制為變得等于或大于閾值電壓Vth。
這是因為當(dāng)柵極-源極電壓Vgs等于或小于閾值電壓Vth時，使得只有漏電流作為通過驅(qū)動晶體管T25的電流流動，因而驅(qū)動晶體管T25的柵極-源極電壓Vgs幾乎不從電壓(Vofs-Vss)改變。然而，當(dāng)閾值電壓Vth以此方式變化大時，擔(dān)心不能實現(xiàn)閾值校正的前提條件。結(jié)果，不可能正常地執(zhí)行對驅(qū)動晶體管T25的閾值校正操作。
為了處理這種情況，期望驅(qū)動系統(tǒng)的應(yīng)用使得如圖16A到16G中的時間段t2所示，在不發(fā)光時段的開始階段施加負偏壓到驅(qū)動晶體管T25，從而盡可能地減少閾值電壓的改變。應(yīng)該注意，在圖16A到16G中所示的時序圖的情況下，對于該時間段t2，控制第二采樣晶體管T22以便被導(dǎo)通，并且控制驅(qū)動晶體管T25的柵極電勢Vg以便變得等于偏置電勢Vofs，從而執(zhí)行上述驅(qū)動系統(tǒng)中的操作。
然而，使用在圖16A到16G中所示的時序圖中示出的驅(qū)動系統(tǒng)，在黑顯示的階段以及在白顯示階段，反向偏壓的值通常固定在相同的值。也就是說，在白顯示的階段在負方向中的閾值電壓Vth的改變量等于在黑顯示的階段在負方向中的閾值電壓Vth的改變量。另一方面，在白顯示的階段在正方向中的閾值電壓Vth的改變量不同于在黑顯示的階段在正方向中的閾值電壓Vth的改變量。為此，即使在圖5所示的像素電路21的情況下，也存在原則上不能避免隨著時間的流逝老化(burn-in)的產(chǎn)生的問題。
有鑒于此，因此希望提供其中像素電路的特性存在較少劣化的EL顯示面板、包括該EL顯示面板的電子裝置、以及驅(qū)動該EL顯示設(shè)備的方法。
為了獲得上述期望，根據(jù)本發(fā)明的實施例，提供一種具有對應(yīng)于有源矩陣驅(qū)動系統(tǒng)的像素結(jié)構(gòu)的EL顯示面板，包括反向偏壓電勢生成部分，被配置來生成其中反映相應(yīng)的一個像素的灰度值的反向偏壓電勢；以及電壓施加部分，被配置來施加所述反向偏壓電勢到驅(qū)動晶體管的柵極電極，所述驅(qū)動晶體管組成適于用于不發(fā)光時間段的工作的像素電路。
這里，對應(yīng)于高亮度的反向偏壓電壓優(yōu)選地設(shè)置為大于對應(yīng)于低亮度的反向偏壓電壓的電壓。原因是因為在正方向的閾值電壓的移動量隨著亮度變大而變大，因而為了抵消這種情況，需要使得在負方向的閾值電壓的移動量更大。
應(yīng)該注意，反向偏壓電勢的施加可以通過專用線執(zhí)行，或可以通過共享施加信號電勢的信號線執(zhí)行。在此情況下，當(dāng)反向偏壓電勢的施加通過共享所述信號線執(zhí)行時，反向偏壓電勢和所述信號電勢不得不以時分方式提供到所述信號線。
此外，當(dāng)發(fā)光時間段在一個幀時間段占據(jù)的長度的占空(duty)可切換時，反向偏壓電勢改變的寬度優(yōu)選地設(shè)置為與發(fā)光時間段的占空成反比。也就是說，當(dāng)發(fā)光時間段的占空長時(不發(fā)光時間段短)，優(yōu)選地使得反向偏壓電勢改變的寬度大，而發(fā)光時間段的占空短時(不發(fā)光時間段長)，優(yōu)選地使得反向偏壓電勢改變的寬度小。通過執(zhí)行這種控制操作，可能相互平衡在正方向的閾值電壓Vth的改變量和在正負方向的閾值電壓Vth的改變量。
根據(jù)本發(fā)明的另一實施例，提供一種電子裝置，包括具有對應(yīng)于有源矩陣驅(qū)動系統(tǒng)的像素結(jié)構(gòu)的EL顯示面板；反向偏壓電勢生成部分，被配置來生成其中反映相應(yīng)的一個像素的灰度值的反向偏壓電勢；以及電壓施加部分，被配置來施加所述反向偏壓電勢到驅(qū)動晶體管的柵極電極，所述驅(qū)動晶體管組成適于用于不發(fā)光時間段的操作的像素電路；系統(tǒng)控制部分，被配置來控制整個系統(tǒng)的操作；以及操縱輸入部分，被配置來接收到系統(tǒng)控制部分的操縱輸入。
根據(jù)本發(fā)明的另一實施例，提供一種驅(qū)動具有對應(yīng)于有源矩陣驅(qū)動系統(tǒng)的像素結(jié)構(gòu)的EL顯示面板的方法，所述方法包括以下步驟生成其中反映相應(yīng)的一個像素的灰度值的反向偏壓電勢；并且施加所述反向偏壓電勢到驅(qū)動晶體管的柵極電極，所述驅(qū)動晶體管組成適于用于不發(fā)光時間段的操作的像素電路。
根據(jù)本發(fā)明，設(shè)置了其中反映相應(yīng)的一個像素的灰度值的反向電勢(根據(jù)結(jié)果為反向偏壓電壓)。因而，可以進行該設(shè)置，使得在正方向上一個幀內(nèi)的閾值電壓的改變量可以與在負方向上一個幀內(nèi)的閾值電壓的改變量抵消。也就是說，可以執(zhí)行該控制，使得在驅(qū)動晶體管中不出現(xiàn)隨時間的改變，或在驅(qū)動晶體管中出現(xiàn)的隨時間的改變非常小。結(jié)果，可能實現(xiàn)其中幾乎不出現(xiàn)由于像素的亮度而導(dǎo)致的非均勻性的EL顯示面板。
圖1是說明在現(xiàn)有技術(shù)中的有機EL面板的配置的功能塊的方塊圖； 圖2是分塊說明現(xiàn)有技術(shù)中的像素電路和驅(qū)動電路之間的連接關(guān)系的電路圖； 圖3是說明現(xiàn)有技術(shù)中的有機EL元件的I-V特性隨時間的改變的圖形表示； 圖4是分塊說明現(xiàn)有技術(shù)中的像素電路和驅(qū)動電路之間的另一連接關(guān)系的電路圖； 圖5是分塊說明現(xiàn)有技術(shù)中的像素電路和驅(qū)動電路之間的另一連接關(guān)系的電路圖； 圖6A到6G是顯示現(xiàn)有技術(shù)中圖5中示出的像素電路的驅(qū)動操作的時序圖； 圖7到9是說明圖5中示出的像素電路的操作狀態(tài)的電路圖； 圖10是說明驅(qū)動晶體管的源極電勢隨時間的改變的圖形表示； 圖11和12是說明圖5中示出的像素電路的操作狀態(tài)的電路圖； 圖13是說明由于遷移率的差別導(dǎo)致的、驅(qū)動晶體管的源極電壓隨時間的改變的差別的圖形表示； 圖14是說明圖5中示出的像素電路的操作狀態(tài)的電路圖； 圖15A和15B分別是說明在正偏壓的施加階段中驅(qū)動晶體管的閾值電壓隨時間改變的現(xiàn)象的圖形表示，以及說明在負偏壓的施加階段中驅(qū)動晶體管的閾值電壓隨時間改變的現(xiàn)象的圖形表示； 圖16A到16G是說明施加固定的反向偏壓電壓的驅(qū)動方法的時序圖； 圖17是顯示有機EL顯示面板的外觀的結(jié)構(gòu)的視圖； 圖18是顯示根據(jù)本發(fā)明的第一實施例的有機EL顯示面板的系統(tǒng)配置的方塊圖； 圖19是說明圖18所示的有機EL顯示面板中的像素電路和每個驅(qū)動電路之間的連接關(guān)系的方塊圖； 圖20是分塊顯示本發(fā)明的第一實施例中的像素電路的配置的電路圖； 圖21是顯示本發(fā)明的第一實施例的有機EL顯示面板中的水平選擇器的配置的方塊圖； 圖22A到22C每一個分別是顯示根據(jù)信號電勢生成的反向偏壓電勢和反向偏壓電壓的大小之間的關(guān)系的圖； 圖23A到23G是顯示用于驅(qū)動圖20所示的像素電路的操作的時序圖； 圖24和25是說明圖20所示的像素電路中的操作狀態(tài)的電路圖； 圖26A到26C每一個分別是顯示對應(yīng)于一幀時間段內(nèi)的發(fā)光時間段的長度的占空的反向偏壓電勢的設(shè)置的圖； 圖27到31是說明圖20所示的像素電路中的操作狀態(tài)的電路圖； 圖32是顯示根據(jù)本發(fā)明的第二實施例的有機EL顯示面板的配置的方塊圖； 圖33是顯示圖32所示的有機EL顯示面板中的像素電路和每個驅(qū)動電路之間的連接關(guān)系的方塊圖； 圖34是分塊顯示本發(fā)明的第二實施例中的像素電路的配置的電路圖； 圖35是顯示本發(fā)明的第二實施例的有機EL顯示面板中的水平選擇器的配置的方塊圖； 圖36A到36E是顯示用于驅(qū)動圖34所示的像素電路的操作的時序圖； 圖37到47是說明圖34所示的像素電路中的操作狀態(tài)的電路圖； 圖48是顯示根據(jù)本發(fā)明的第三實施例的有機EL顯示面板的配置的方塊圖； 圖49是顯示圖48所示的有機EL顯示面板中的像素電路和每個驅(qū)動電路之間的連接關(guān)系的方塊圖； 圖50是分塊顯示本發(fā)明的第三實施例中的像素電路的配置的電路圖； 圖51是顯示本發(fā)明的第三實施例的有機EL顯示面板中的水平選擇器的配置的方塊圖； 圖52A到52E是顯示用于驅(qū)動圖50所示的像素電路的操作的時序圖； 圖53到58是說明圖50所示的像素電路中的操作狀態(tài)的電路圖； 圖59A到60B分別是說明當(dāng)以兩個階段執(zhí)行遷移率校正時的效果的圖形表示； 圖61是說明圖50所示的像素電路中的操作狀態(tài)的電路圖； 圖62是分塊顯示本發(fā)明的另一實施例的有機EL顯示面板中的像素電路的配置的電路圖； 圖63是顯示本發(fā)明的另一實施例的有機EL顯示面板中的水平選擇器的配置的方塊圖； 圖64是顯示根據(jù)本發(fā)明的另一實施例的有機EL顯示面板中的水平選擇器的配置的方塊圖； 圖65A和65B分別是說明對應(yīng)于第二實施例的、當(dāng)以兩個階段執(zhí)行遷移率校正時的驅(qū)動操作的圖形表示； 圖66A和66B分別是說明對應(yīng)于該描述的、當(dāng)以兩個階段執(zhí)行遷移率校正時的驅(qū)動操作的圖形表示； 圖67是顯示電子裝置的概念配置的方塊圖； 圖68是顯示電子裝置的產(chǎn)品的示例的透視圖； 圖69A和69B分別是顯示當(dāng)從前端觀看時的電子裝置的產(chǎn)品的另一示例的透視圖，以及顯示當(dāng)從后端觀看時的電子裝置的產(chǎn)品的另一示例的透視圖； 圖70是顯示電子裝置的產(chǎn)品的另一示例的透視圖； 圖71A到71G分別是處于打開狀態(tài)的電子裝置的產(chǎn)品的另一示例的正視圖、其處于打開狀態(tài)的側(cè)視圖、其處于關(guān)閉狀態(tài)的正視圖、其處于關(guān)閉狀態(tài)的左視圖、其處于關(guān)閉狀態(tài)的右視圖、其處于關(guān)閉狀態(tài)的頂視圖、以及其處于關(guān)閉狀態(tài)的仰視圖；以及 圖72是顯示電子裝置的產(chǎn)品的另一示例的透視圖。
具體實施例方式 下文中，將給出關(guān)于其中本發(fā)明的各實施例應(yīng)用于有源矩陣驅(qū)動型有機EL顯示面板的情況的描述。
應(yīng)該注意，公知或已知的技術(shù)被應(yīng)用到在本說明書中沒有具體說明或描述的部分。此外，下面將描述的各實施例僅僅是本發(fā)明的說明，因而本發(fā)明絕不限于此。
(A)外觀的結(jié)構(gòu) 注意到，在本說明書中，不但通過利用相同的半導(dǎo)體工藝在同一基底上形成像素陣列部分和驅(qū)動電路的顯示面板、而且在其上形成有像素陣列部分的基底上安裝例如制造為專用定向IC的驅(qū)動電路的面板的每一個都稱為有機EL顯示面板。
圖17顯示了有機EL顯示面板的外觀的結(jié)構(gòu)。
有機EL顯示面板41具有這種結(jié)構(gòu)，其中背面部分45粘貼到支撐基底43的像素陣列部分的形成區(qū)域。
支撐基底43由玻璃、塑料或任何其它合適的基底制成，并且具有有機EL層、保護膜等層壓在支撐基底43的表面上的結(jié)構(gòu)。玻璃、塑料或任何其它合適的透明體用作用于背面部分45的基底。應(yīng)該注意，柔性印刷電路(FPC)板47布置在有機EL面板41中，通過該柔性印刷電路板47從外部將信號等輸入支撐基底43/將信號等從支撐基底43輸出到外部。
(B)第一實施例 (B-1)系統(tǒng)配置 下文中將詳細描述有機EL顯示面板41的第一實施例，其中可以使得反向電壓根據(jù)信號電勢Vsig可變。
圖18顯示第一實施例的有機EL顯示面板41的系統(tǒng)配置。圖18中示出的有機EL顯示面板41包括像素陣列部分51；用作像素陣列部分51的驅(qū)動電路的信號寫入控制線驅(qū)動部分53、偏置信號線驅(qū)動部分55、電源饋送控制開關(guān)驅(qū)動部分57、初始化控制開關(guān)驅(qū)動部分59和水平選擇器61；以及時序發(fā)生器63。
像素陣列部分51具有矩陣結(jié)構(gòu)，其中各子像素分別布置在各信號線DTL和各寫入控制線WSL之間的交叉位置。在此連接中，子像素是構(gòu)成一個像素的像素結(jié)構(gòu)的最小單元。例如，作為寫入單元的一個像素包括由不同有機EL材料制成的、分別對應(yīng)于三原色R(紅色)、G(綠色)和B(藍色)的三個子像素。
圖19顯示了分別對應(yīng)于各子像素的像素電路71和驅(qū)動電路53、55、57、59和61的每個之間的連接關(guān)系。此外，圖20顯示了在第一實施例的有機EL顯示面板41中的像素電路71的內(nèi)部配置。應(yīng)該注意，像素電路71與圖5中所示的像素電路21相同，因為像素電路71包括五個N溝道薄膜晶體管T21、T22、T23、T24和T25、保持電容器Cs、以及有機EL元件OLED。
信號寫入控制線驅(qū)動部分53是通過其控制N溝道薄膜晶體管T21(下文中稱為“第一采樣晶體管T21”)以便導(dǎo)通/截止的驅(qū)動電路。當(dāng)控制第一采樣晶體管T21以便導(dǎo)通時，相應(yīng)的一個信號線DTL的信號電勢(在本說明書中也稱為“信號線電勢”)被施加到驅(qū)動晶體管T25的柵極電極。
偏置信號線驅(qū)動部分55是通過其控制N溝道薄膜晶體管T22(下文中稱為“第二采樣晶體管T22”)以便導(dǎo)通/截止的驅(qū)動電路。當(dāng)控制第二采樣晶體管T22以便導(dǎo)通時，偏置電勢Vofs被施加到驅(qū)動晶體管T25的柵極電極。
電源饋送控制開關(guān)驅(qū)動部分57是通過其控制N溝道薄膜晶體管T23(下文中稱為“第一切換晶體管T23”)以便導(dǎo)通/截止的驅(qū)動電路。當(dāng)控制第一切換晶體管T23以便導(dǎo)通時，高驅(qū)動電勢(也就是說，電源電勢Vcc)被施加到驅(qū)動晶體管T25的漏極電極。
初始化控制開關(guān)驅(qū)動部分59是通過其控制N溝道薄膜晶體管T24(下文中稱為“第二切換晶體管T24”)以便導(dǎo)通/截止的驅(qū)動電路。當(dāng)控制第二切換晶體管T24以便導(dǎo)通時，低驅(qū)動電勢(也就是說，初始化電勢Vss)被施加到驅(qū)動晶體管T25的源極電極。
這些驅(qū)動部分53、55、57和59的每個包括具有其數(shù)目對應(yīng)于垂直分辨率的輸出級的移位寄存器。因而，驅(qū)動部分53、55、57和59的每個根據(jù)從時序發(fā)生器63提供到其的時序信號，輸出需要的驅(qū)動脈沖到相應(yīng)的一個控制線。
水平選擇器61是驅(qū)動電路，通過其以時分方式將對應(yīng)于像素數(shù)據(jù)Din的信號電勢Vsig或?qū)?yīng)于該信號電勢Vsig的反向偏壓電勢Vini施加到信號線DTL。
時序發(fā)生器63生成驅(qū)動寫入控制線WSL、信號線DTL、電源饋送控制線VSSL和初始化控制線RSL所需的時序脈沖。
(B-2)水平選擇器的配置 圖21顯示了作為第一實施例的有機EL顯示設(shè)備中的關(guān)鍵設(shè)備的水平選擇器61的電路配置。
水平選擇器61包括可編程邏輯設(shè)備81、存儲器83、移位寄存器91和101、鎖存器電路93和103、D/A轉(zhuǎn)換電路95和105、緩沖器電路91和107、以及選擇器111。
在這些構(gòu)成元件中，處于反向偏壓電勢系統(tǒng)(Vini系統(tǒng))中的可編程邏輯設(shè)備81、移位寄存器101、鎖存器103、D/A轉(zhuǎn)換電路105和緩沖器電路107對應(yīng)于權(quán)利要求所述的“反向偏壓電勢生成部分”。此外，選擇器111對應(yīng)于權(quán)利要求所述的“電壓施加部分”。
可編程邏輯設(shè)備81是用于生成對應(yīng)于反向偏壓電勢Vini的像素數(shù)據(jù)Din’(灰度值)的電路設(shè)備。
在第一實施例的情況下，當(dāng)不發(fā)光時間段在多個水平掃描時間段上延伸時使用存儲器83。因此，當(dāng)對于一個水平掃描時間段執(zhí)行從截止操作到用于不發(fā)光時間段的各種校正操作的全部操作時，也希望在水平選擇器61中不安裝存儲器83。
可編程邏輯設(shè)備81在通過從存儲器83讀出像素數(shù)據(jù)Din來調(diào)整用于施加反向偏壓電勢Vini的時序、和用于施加信號電勢Vsig的時序之間的時間差的同時操作。
這里，可編程邏輯設(shè)備81直接將從存儲器83的相應(yīng)區(qū)域讀出的像素數(shù)據(jù)Din輸出到信號電勢系統(tǒng)(Vsig系統(tǒng))。另一方面，可編程邏輯設(shè)備81將基于從存儲器83的相應(yīng)區(qū)域讀出的像素數(shù)據(jù)Din生成的像素數(shù)據(jù)Din’(灰度值)輸出到反向偏壓電勢系統(tǒng)(Vini系統(tǒng))。
然而，希望如此生成的反向偏壓電勢Vini等于或小于有機EL元件OLED的陰極電勢Vcat、閾值電壓Vthel和驅(qū)動晶體管T25的閾值電壓Vth的總和(Vcat+Vthel+Vth)。該希望是出于停止有機EL元件OLED的發(fā)光的目的。
此外，對于生成的反向偏壓電勢Vini希望反向偏壓電壓隨著亮度的變高而變大。也就是說，希望反向偏壓電勢Vini隨著有機EL元件OLED的發(fā)光亮度變高而變小。圖22A到22C的每個是顯示信號電勢Vsig和與其對應(yīng)的反向偏壓電勢Vini之間的對應(yīng)關(guān)系的圖。
圖22A顯示對應(yīng)于黑顯示(信號電勢Vsig的最小值)的反向偏壓電勢Vini的生成的示例。圖22B顯示對于中間亮度顯示(信號電勢Vsig的中間值)的反向偏壓電勢Vini的生成的示例。此外，圖22C顯示對應(yīng)于白顯示(信號電勢Vsig的最大值)的反向偏壓電勢Vini的生成的示例。
在第一實施例的情況下，根據(jù)表達式(3)，可編程邏輯設(shè)備81生成對應(yīng)于反向偏壓電勢Vini的像素數(shù)據(jù)Din’ Din’＝Dthel+Dcat-(αDin+β)...(3) 其中Dthel是對應(yīng)于有機EL元件OLED的閾值電壓Vthel的數(shù)值，Dcat是對應(yīng)于陰極電勢Vcat的數(shù)值，而α和β分別是系數(shù)。在此情況下，分別為系數(shù)α和β預(yù)先設(shè)置滿足α>0和β≥0的關(guān)系的值。
可編程邏輯設(shè)備81通過將輸入或讀出的像素數(shù)據(jù)Din替換到表達式(3)，分別計算對應(yīng)于信號電勢Vsig的反向偏壓電勢Vini的像素數(shù)據(jù)Din’。
結(jié)果，施加到相應(yīng)的一個信號線DTL的反向偏壓電勢Vini滿足表達式(4) Vini＝Vthel+Vcat-(αVsig+β)(α>和β≥0)...(4) 當(dāng)然，反向偏壓電勢Vini滿足上面的條件，因為其小于電勢(Vcat+Vthel+Vth)。此外，反向偏壓電勢Vini也滿足隨著信號電勢Vsig變大反向偏壓電勢Vini變小的條件。
移位寄存器91和101分別是用于給出輸出像素數(shù)據(jù)Din和Din’的時序的電路設(shè)備。
鎖存器電路93和103分別是用于保持像素數(shù)據(jù)Din和Din’、以用于調(diào)整像素數(shù)據(jù)Din和Din’的輸出時序的存儲設(shè)備。
D/A轉(zhuǎn)換電路95和105是用于將輸入到其的數(shù)字信號轉(zhuǎn)換為模擬信號的電路設(shè)備。順便提及，負壓電源用于Vini系統(tǒng)的D/A轉(zhuǎn)換電路105。
緩沖器電路97和107分別是用于將來自D/A轉(zhuǎn)換電路95和105的模擬信號轉(zhuǎn)換為每個具有適于驅(qū)動像素電路的信號水平的模擬信號的電路設(shè)備。
選擇器111是用于以時間順序的方式、在一個水平掃描時間段內(nèi)輸出反向偏壓電勢Vini和信號電勢Vsig的電路設(shè)備。
(B-3)驅(qū)動操作 圖23A到23G是顯示用于驅(qū)動圖20所示的像素電路的操作的時序圖。
首先，圖24顯示處于發(fā)光狀態(tài)的像素電路71內(nèi)的操作狀態(tài)。此時，只有第一切換晶體管T23保持處于導(dǎo)通狀態(tài)(圖23A到23G中的t1)。另一方面，驅(qū)動晶體管T25工作在飽和區(qū)域，并且將具有取決于驅(qū)動晶體管T25的柵極-源極電壓Vgs的大小的驅(qū)動電流Ids提供到有機EL元件OLED。
接下來，將描述處于不發(fā)光狀態(tài)的像素電路71的操作狀態(tài)。在第一切換晶體管T23保持處于導(dǎo)通狀態(tài)的同時，重新控制第一采樣晶體管T21以便被導(dǎo)通，從而開始不發(fā)光狀態(tài)(圖23A到23G中的t2)。此時，施加反向偏壓電勢Vini到相應(yīng)的一個信號線DTL。
通過執(zhí)行該操作，控制驅(qū)動晶體管T25的柵極電勢Vg以便變?yōu)榉聪蚱珘弘妱軻ini。圖25顯示了在此時間點像素電路71內(nèi)的操作狀態(tài)。
此時，驅(qū)動晶體管T25的源極電勢Vs通過保持電容器Cs的耦合操作降低。在源極電勢Vs的這種改變期間，驅(qū)動晶體管T25的柵極-源極電壓Vgs變得等于或低于閾值電壓Vth。結(jié)果，有機EL元件OLED的操作狀態(tài)從發(fā)光狀態(tài)切換到不發(fā)光狀態(tài)。
應(yīng)該注意，當(dāng)耦合操作完成后驅(qū)動晶體管T25的源極電勢Vs(有機EL元件OLED的陽極電勢Vel)等于或小于有機EL元件OLED的閾值電壓Vthel和陰極電勢Vcat的和時，驅(qū)動晶體管T25的源極電勢Vs保持原樣 另一方面，當(dāng)耦合操作完成后驅(qū)動晶體管T25的源極電勢Vs等于或大于有機EL元件OLED的閾值電壓Vthel和陰極電勢Vcat的和時，由于聚集在有機EL元件OLED中的電荷的放電，驅(qū)動晶體管T25的源極電勢Vs收斂于電勢(Vthel+Vcat)。圖25顯示了其中當(dāng)耦合操作完成后驅(qū)動晶體管T25的源極電勢Vs收斂于電勢(Vthel+Vcat)時的狀態(tài)。
也就是說，施加電源電勢Vcc到驅(qū)動晶體管T25的漏極電極，施加反向偏壓電勢Vini到驅(qū)動晶體管T25的柵極電極，并且施加電勢(Vthel+Vcat)到驅(qū)動晶體管T25的源極電極。如此生成的狀態(tài)意味著施加反向電壓到驅(qū)動晶體管T25。
此外，如前所述，隨后寫入到像素電路71的信號電勢Vsig的大小反映在這里所述的反向電勢Vini中。也就是說，當(dāng)隨后寫入到像素電路71的信號電勢Vsig是黑顯示電勢時，反向偏壓電壓相應(yīng)地變小，而當(dāng)信號電勢Vsig是白顯示電勢時，反向偏壓電壓相應(yīng)地變大。
結(jié)果，在正方向上對發(fā)光時間段引起的閾值電壓Vth的變化量可以用反向偏壓電壓校正，該反向偏壓電壓在同一幀內(nèi)對不發(fā)光時間段施加到驅(qū)動晶體管T25的柵極電極。
應(yīng)該注意，在像素電路71的情況下，可以使得一幀時間段內(nèi)的發(fā)光時間的占空根據(jù)對第一切換晶體管T23的導(dǎo)通/截止控制可變。此外，假設(shè)即使當(dāng)對這種發(fā)光時間段的長度的可變控制不是主動地執(zhí)行時，一幀時間段內(nèi)的發(fā)光時間的占空也取決于顯示系統(tǒng)而不同。
當(dāng)然，當(dāng)一幀時間段內(nèi)的發(fā)光時間的占空大時，在正方向上的閾值電壓Vth的改變量相應(yīng)地增加。因此，在此情況下，優(yōu)選的是減小反向偏壓電勢Vini，從而施加更大的反向偏壓電壓到驅(qū)動晶體管T25的柵極電極。
另一方面，當(dāng)發(fā)光時間的占空小時，閾值電壓Vth的改變量相應(yīng)地減小。因此，在此情況下，優(yōu)選的是增加反向偏壓電勢Vini，從而施加更小的反向偏壓電壓到驅(qū)動晶體管T25的柵極電極。對應(yīng)于發(fā)光時間的占空的反向偏壓電勢Vini之間的設(shè)置關(guān)系分別在圖26A到26C中示例。在這些圖的每一個中，實線指示當(dāng)發(fā)光時間段短時反向電勢Vini的生成的示例。此外，虛線指示當(dāng)發(fā)光時間段長時反向電勢Vini的生成的示例。
此后，控制第一采樣晶體管T21和第一切換晶體管T23的每一個，以便被截止，并且第二采樣晶體管T22和第二切換晶體管T24的每個的狀態(tài)從截止?fàn)顟B(tài)切換到導(dǎo)通狀態(tài)。通過執(zhí)行該操作，開始閾值校正準(zhǔn)備操作(圖23A到23G中的t3)。
圖27顯示在此時間點像素電路71內(nèi)的連接狀態(tài)。在此情況下，控制驅(qū)動晶體管T25的柵極電勢Vg和源極電勢Vs，以便變得分別等于偏置電勢Vofs和初始化電勢Vss。也就是說，控制驅(qū)動晶體管T25的柵極-源極電勢Vgs，以便變得等于電壓(Vofs-Vss)。設(shè)置該電壓(Vofs-Vss)為大于閾值電壓Vth的值。結(jié)果，使得具有對應(yīng)于電壓(Vofs-Vss)的大小的驅(qū)動電流Ids’從電源電勢線(處于Vcc)流入初始化電勢線(處于Vss)。
然而，當(dāng)使得驅(qū)動電流Ids’流過有機EL元件OLED時，該有機EL元件OLED發(fā)射具有與信號電勢Vsig無關(guān)的亮度的光。為了處理該情況，為了保持有機EL元件OLED處于不發(fā)光狀態(tài)的目的，設(shè)置偏置電勢Vofs和初始化電勢Vss兩者。
也就是說，設(shè)置有機EL元件OLED的陽極電勢Vel，以便變得小于有機EL元件OLED的閾值電壓Vthel和陰極電勢Vcat的和。應(yīng)該注意，可以首先控制第二采樣晶體管T22和第二切換晶體管T24的任何一個以便被導(dǎo)通。
接下來，僅控制第二切換晶體管T24，以便在第二采樣晶體管T22保持處于導(dǎo)通狀態(tài)的同時被截止(圖23A到23G中的t4)。圖28顯示了在此時間點像素電路71內(nèi)的操作狀態(tài)。應(yīng)該注意，在圖28中，有機EL元件OLED以具有二極管和電容器的等價電路的形式顯示。
在此情況下，只要維持(Vel≤Vcat+Vthel)的關(guān)系(有機EL元件OLED的漏電流顯著小于流過驅(qū)動晶體管T25的電流)，流過驅(qū)動晶體管T25的電流就被用來用電流充電保持電容器Cs和有機EL元件OLED的寄生電容Cel。
通過執(zhí)行該充電操作，陽極電勢Vel隨著時間上升。
應(yīng)該注意，驅(qū)動晶體管T25的源極電勢Vs的上升在當(dāng)驅(qū)動晶體管T25的柵極-源極電壓Vgs到達驅(qū)動晶體管T25的閾值電壓Vth時的時間點結(jié)束。此時，陽極電勢Vel滿足Vel＝Vofs-Vth≤Vcat+Vthel的關(guān)系。該操作是對驅(qū)動晶體管T25的閾值校正操作。此后，首先控制第一切換晶體管T23，以便被截止，并且隨后控制第二采樣晶體管T22，以便被截止。
以此順序執(zhí)行第一切換晶體管T23和第二采樣晶體管T22的截止控制，從而使得可能抑制驅(qū)動晶體管T25的柵極電勢Vg的改變。
接下來，僅重新控制第一采樣晶體管T21，以便被導(dǎo)通，從而開始也用作信號寫入操作的遷移率校正操作(圖23A到23G中的t5)。圖29顯示在此時間點像素電路71內(nèi)的操作狀態(tài)。此時，驅(qū)動晶體管T25的柵極-源極電壓Vgs由表達式(5)表示 Vgs＝{Cel/(Cel+Cs+Ctr)}·(Vsig-Vofs)+Vth...(5) 其中Cel是有機EL元件OLED的寄生電容，Ctr是驅(qū)動晶體管T25的寄生電容，而Cs是保持電容器Cs的電容。
在此情況下，寄生電容Cel大于寄生電容Cs和Ctr的每個。因此，柵極-源極電壓Vgs近似地由(Vsig+Vth)給出。
在此狀態(tài)下，重新控制第一切換晶體管T23，以便被導(dǎo)通(圖23A到23G中的t6)。同樣在此情況下，只要驅(qū)動晶體管T25的源極電勢Vs沒有超過有機EL元件OLED的閾值電壓Vthel和陰極電勢Vcat的和(有機EL元件OLED的漏電流的大小顯著小于流過驅(qū)動晶體管T25的電流的大小)，流過驅(qū)動晶體管T25的電流就用來用電流充電保持電容器Cs和有機EL元件OLED的寄生電容Cel的每一個。
圖30顯示在此時間點像素電路71內(nèi)的操作狀態(tài)。應(yīng)該注意，在此時間點，對驅(qū)動晶體管T25的閾值校正操作已經(jīng)完成。為此，流過驅(qū)動晶體管T25的電流具有其中反映遷移率μ的值。
具體地，流過具有大遷移率μ的驅(qū)動晶體管T25的電流量變大，因而驅(qū)動晶體管T25的源極電勢Vs快速地上升。
另一方面，流過具有小遷移率μ的驅(qū)動晶體管T25的電流量變小，因而驅(qū)動晶體管T25的源極電勢Vs緩慢地上升。
結(jié)果，因為遷移率μ反映在其中，所以驅(qū)動晶體管T25的柵極-源極電壓Vgs降低。因而，在給定時間流逝后，驅(qū)動晶體管T25的柵極-源極電壓Vgs收斂于通過完美地校正遷移率μ而獲得的柵極-源極電壓Vgs。
在也用作信號寫入操作的遷移率校正操作完成后，控制第一采樣晶體管T21，以便被截止，并且控制驅(qū)動晶體管T25的柵極電極作為自由端。隨著該操作，使得驅(qū)動晶體管T25的驅(qū)動電流Ids’流入有機EL元件OLED，使得有機EL元件OLED開始用對應(yīng)于驅(qū)動電流的值的亮度發(fā)光。應(yīng)該注意，驅(qū)動晶體管T25的源極電勢Vs上升到對應(yīng)于流過有機EL元件OLED的驅(qū)動電流的值的電壓Vx(圖23A到23G中的t7)。
圖31顯示在此時間點像素電路71內(nèi)的操作狀態(tài)。
應(yīng)該注意，同樣，在此陳述的像素電路71的情況下，有機EL元件OLED的I-V特性本身隨著發(fā)光時間段變長而改變。也就是說，電壓Vx也改變。
然而，在此電路配置的情況下，因為驅(qū)動晶體管T25的柵極-源極電壓Vgs保持恒定，所以流過有機EL元件OLED的電流值不改變。
也就是說，即使當(dāng)有機EL元件OLED的I-V特性隨時間改變而改變時，恒定的電流Ids’通常也繼續(xù)流過驅(qū)動晶體管T25。結(jié)果，有機EL元件OLED的亮度可以保持恒定。
(B-4)結(jié)論 如上所述，根據(jù)信號電勢Vsig的大小設(shè)置反向偏壓電壓，這導(dǎo)致一幀時間段內(nèi)在正方向上的閾值電壓Vth的改變量、以及一幀時間段內(nèi)在負方向上的閾值電壓Vth的改變量可以相互均衡(equalize)。
結(jié)果，可能減小在驅(qū)動晶體管T25的閾值電壓Vth中生成的改變，并且可能減小各像素的閾值電壓Vth的分散。這意味著可能有效地抑制在各像素之間出現(xiàn)亮度差別的現(xiàn)象(老化現(xiàn)象)。結(jié)果，可能實現(xiàn)即使當(dāng)使用時間變長時、也幾乎不出現(xiàn)亮度的不均勻的有機EL顯示面板。
此外，在該驅(qū)動系統(tǒng)的情況下，在閾值校正準(zhǔn)備之前，不必使得驅(qū)動晶體管T25的源極電勢Vs上升。為此，該驅(qū)動系統(tǒng)在有機EL顯示面板的成本節(jié)約上也是有效的。
此外，在該驅(qū)動系統(tǒng)的情況下，將具有大的閾值電壓Vth改變量的無定形硅系統(tǒng)工藝應(yīng)用到有機EL顯示面板的制造是有利的。
(C)第二實施例 (C-1)系統(tǒng)配置 在第二實施例中，現(xiàn)在將給出關(guān)于有機EL顯示面板的描述，其中像素電路包括兩個N溝道薄膜晶體管、保持電容器Cs和有機EL顯示元件OLED。
圖32顯示有機EL顯示面板41的系統(tǒng)配置。圖32所示的有機EL顯示面板41包括像素陣列部分121、操作為用于像素陣列部分121的驅(qū)動電路的信號寫入控制線驅(qū)動部分123、電流供應(yīng)線驅(qū)動部分125和水平選擇器127、以及時序發(fā)生器129。
第二實施例的像素陣列部分121也具有矩陣結(jié)構(gòu)，其中子像素布置在各信號線DTL和各寫入控制線WSL之間的每個交叉位置。然而，第二實施例不同于第一實施例在于構(gòu)成子像素(像素電路)的N溝道薄膜晶體管的數(shù)量是兩個。
圖33顯示分別對應(yīng)于各子像素的像素電路131和驅(qū)動電路123、125和127的每個之間的連接關(guān)系。此外，圖34顯示第二實施例的有機EL顯示面板41中的像素電路131的內(nèi)部配置。像素電路131包括兩個N溝道薄膜晶體管T31和T32、保持電容器Cs和有機EL元件OLED。
這些構(gòu)成元件中，薄膜晶體管T31(下文中稱為“采樣晶體管T31”)操作為用于控制將對應(yīng)的一個信號線DTL的電勢(第二實施例中的信號顯示Vsig、反向偏壓電勢Vini或偏置信號電勢Vofs)寫入到薄膜晶體管T32的柵極電極的操作的開關(guān)。
薄膜晶體管T32(下文中稱為“驅(qū)動晶體管T32”)操作為用于在其導(dǎo)通狀態(tài)階段提供驅(qū)動電流量到有機EL元件OLED的恒流源。
在第二實施例的情況下，信號寫入控制線驅(qū)動部分123、電流供應(yīng)線驅(qū)動部分125和水平選擇器127用來驅(qū)動像素電路131。
信號寫入控制線驅(qū)動部分123是通過其控制采樣晶體管T31以便被導(dǎo)通/截止的驅(qū)動電路。當(dāng)控制采樣晶體管T31以便被導(dǎo)通時，對應(yīng)的一個信號線DTL的電勢被施加到驅(qū)動晶體管T32的柵極電極。
電流供應(yīng)線驅(qū)動部分125是通過其用兩種高電勢Vcc和低電勢Vss驅(qū)動對應(yīng)的一個電流供應(yīng)線DSL的驅(qū)動電路。在第二實施例的情況下，在一幀時間段內(nèi)至少設(shè)置一次低電勢時間段。
這些驅(qū)動電路123和125的每個包括具有其數(shù)目對應(yīng)于垂直分辨率的輸出級的移位寄存器。因而，驅(qū)動電路123和125的每個根據(jù)從時序發(fā)生器129提供到其的時序信號，輸出需要的驅(qū)動脈沖到對應(yīng)的一個控制線。
水平選擇器127是驅(qū)動電路，在一個水平掃描時間段作為一個時段的情況下，通過水平選擇器127將對應(yīng)于像素數(shù)據(jù)Din的信號電勢Vsig、對應(yīng)于信號電勢Vsig的反向偏壓電勢Vini、以及偏置信號電勢Vofs的任一個輸出到對應(yīng)的一個信號線DTL。盡管輸出信號電勢Vsig、反向偏壓電勢Vini和偏置信號電勢Vofs的順序是任意設(shè)置的，但是在第二實施例中，以反向偏壓電勢Vini、偏置信號電勢Vofs和信號電勢Vsig的順序輸出。
時序發(fā)生器129是用于生成驅(qū)動寫入控制線WSL和電流供應(yīng)線DSL所需的時序脈沖的電路設(shè)備。
(C-2)水平選擇器的配置 圖35顯示了作為第二實施例的有機EL顯示面板41中的關(guān)鍵設(shè)備的水平選擇器127的電路配置。水平選擇器127在基本配置上與之前在第一實施例中描述的水平選擇器61相同。因此，在圖35中，對應(yīng)于圖21所示的各部分的那些部分分別用相同的參考標(biāo)號表示。
水平選擇器127包括可編程邏輯設(shè)備81、存儲器83、移位寄存器91和101、鎖存器電路93和103、D/A轉(zhuǎn)換電路95和105、緩沖器電路97和107、以及選擇器141。
在這些構(gòu)成部分中，水平選擇器127中新穎的構(gòu)成部分只是選擇器141。第二實施例中的選擇器141不同于第一實施例中的選擇器111在于對于一個水平掃描時間段，反向偏壓電勢Vini、偏置信號電勢Vofs和信號電勢Vsig以時序方式在之前設(shè)置的時序處輸出。應(yīng)該注意，偏置信號電勢Vofs是從外部電壓源提供的固定電壓。
(C-3)驅(qū)動操作 圖36A到36E是顯示圖34所示的像素電路131的驅(qū)動操作的時序圖。關(guān)于這一點，施加到對應(yīng)的一個電流供應(yīng)線DSL的兩種電源電勢的高電勢(發(fā)光電勢)用參考標(biāo)號Vcc表示，而其低電勢(不發(fā)光電勢)用參考標(biāo)號Vss表示。
注意到，圖36A顯示了提供到對應(yīng)的一個寫入控制線WSL的驅(qū)動脈沖的波形。這里，圖36A到36E顯示其中對于多個水平掃描時間段、分開執(zhí)行閾值校正準(zhǔn)備操作或閾值校正操作的示例。圖36B顯示了施加到對應(yīng)的一個電流供應(yīng)線DSL的驅(qū)動脈沖的波形。圖36C顯示施加到對應(yīng)的一個信號線DTL的電勢的波形。圖36D顯示驅(qū)動晶體管T32的柵極電勢Vg的波形。此外，圖36E顯示驅(qū)動晶體管T32的源極電勢Vs的波形。
首先，圖37顯示處于發(fā)光狀態(tài)的像素電路131內(nèi)的操作狀態(tài)。此時，電流供應(yīng)線DSL保持在高電勢Vcc，并且控制采樣晶體管T31以便保持在截止?fàn)顟B(tài)(圖36A到36E中的t1)。
當(dāng)然，在發(fā)光階段中的驅(qū)動晶體管T32工作在飽和區(qū)域。因此，取決于柵極-源極電壓Vgs確定的電流Ids從驅(qū)動晶體管T32提供到有機EL元件OLED。
接下來，將描述處于不發(fā)光狀態(tài)的像素電路131的操作狀態(tài)。在電流供應(yīng)線DSL保持處于高電勢Vcc的同時，重新控制采樣晶體管T21以便被導(dǎo)通，從而開始不發(fā)光時間段(圖36A到36E中的t2)。此時，施加反向偏壓電勢Vini到信號線DTL。
通過執(zhí)行該操作，控制驅(qū)動晶體管T32的柵極電勢Vg以便變?yōu)榈扔诜聪蚱珘弘妱軻ini。圖38顯示了在此時間點像素電路131內(nèi)的操作狀態(tài)。
此時，驅(qū)動晶體管T32的源極電勢Vs通過保持電容器Cs的耦合操作降低。在驅(qū)動晶體管T32的源極電勢Vs的這種改變期間，驅(qū)動晶體管T32的柵極-源極電壓Vgs變得等于或小于閾值電壓Vth，這導(dǎo)致有機EL元件OLED的狀態(tài)從發(fā)光狀態(tài)切換到不發(fā)光狀態(tài)。
同樣在像素電路131的情況下，當(dāng)在耦合操作完成后驅(qū)動晶體管T32的源極電勢Vs(有機EL元件OLED的陽極電勢Vel)等于或小于有機EL元件OLED的閾值電壓Vthel和陰極電勢Vcat的和時，驅(qū)動晶體管T32的源極電勢Vs保持原樣。
另一方面，當(dāng)耦合操作完成后驅(qū)動晶體管T32的源極電勢Vs等于或大于有機EL元件OLED的閾值電壓Vthel和陰極電勢Vcat的和時，由于聚集在有機EL元件OLED中的電荷的放電，驅(qū)動晶體管T32的源極電勢Vs收斂于電勢(Vthel+Vcat)。圖38顯示了其中驅(qū)動晶體管T32的源極電勢Vs收斂于電勢(Vthel+Vcat)時的狀態(tài)。
也就是說，控制驅(qū)動晶體管T32以便設(shè)置在施加反向偏壓電壓的狀態(tài)。當(dāng)然，以這種方式控制這里所述的反向電壓，使得隨后將寫入到驅(qū)動晶體管T32的柵極電極的信號電勢Vsig的大小反映在反向電壓中。例如，當(dāng)隨后將寫入到驅(qū)動晶體管T32的柵極電極的信號電勢Vsig是黑顯示電勢時，相應(yīng)控制反向電壓以便因此具有小的值，而當(dāng)隨后將寫入到驅(qū)動晶體管T32的柵極電極的信號電勢Vsig是白顯示電勢時，相應(yīng)控制反向電壓以便具有大于反向偏壓電勢的值。
結(jié)果，同樣在第二實施例的像素電路131的情況下，在正方向上對發(fā)光時間段引起的閾值電壓Vth的變化量可以用反向偏壓電壓校正，該反向偏壓電壓在同一幀內(nèi)對不發(fā)光時間段施加到驅(qū)動晶體管T32的柵極。
當(dāng)然，同樣在此情況下，優(yōu)選地、最佳地考慮到發(fā)光時間在一幀時間段中占據(jù)的占空等設(shè)置反向偏壓電壓的大小。
應(yīng)該注意，在反向偏壓電勢Vini寫入到驅(qū)動晶體管T32的柵極電極后，如圖39所示，在信號線DTL的另一電勢寫入到驅(qū)動晶體管T32的柵極電極之前，控制采樣晶體管T31以便被截止(圖36A到36E中的t3)。結(jié)果，維持驅(qū)動晶體管T32的反向偏壓狀態(tài)。
在該反向偏壓狀態(tài)流逝給定時間段后，控制電流供應(yīng)線DSL的電源電勢，以便從高電勢Vcc切換到低電勢Vss。圖40顯示了在此時間點像素電路131中的操作狀態(tài)。
為了正常執(zhí)行之后將執(zhí)行的閾值校正操作的目的，設(shè)置這里所述的低電勢Vss為滿足(Vofs-Vss)>Vth的關(guān)系的電勢。通過施加低電勢Vss，電流供應(yīng)線DSL的電勢變得等于驅(qū)動晶體管T32的源極電勢Vs。結(jié)果，有機EL元件OLED的陽極電勢降低。
接下來，控制采樣晶體管T31以便在信號線DTL的電勢設(shè)置為偏置信號電勢Vofs的時序?qū)?圖36A到36E中的t5)。應(yīng)該注意，電流供應(yīng)線DSL保持在低電勢Vss。圖41顯示了在此時間點像素電路131內(nèi)的操作狀態(tài)。
在此時，控制驅(qū)動晶體管T32的柵極電勢Vg，以便設(shè)置為偏置信號電勢Vofs。該操作是閾值校正準(zhǔn)備操作。應(yīng)該注意，為了避免柵極電勢Vg的改變的目的，如圖42所示，對于信號線DTL的電勢設(shè)置為不同于偏置信號電勢Vofs的信號電勢Vsig或反向偏壓電勢Vini的每個時間段，控制采樣晶體管T31以便被截止。
不久以后，執(zhí)行閾值校正操作的時序?qū)砼R。對于施加偏置信號電勢Vofs到信號線DTL的時間段，控制采樣晶體管T31以便被導(dǎo)通，并且控制電流供應(yīng)線DSL以便設(shè)置為高電勢Vcc，從而執(zhí)行閾值校正操作(圖36A到36E中的t6)。圖43顯示了在此時間點像素電路131中的操作狀態(tài)。
在驅(qū)動晶體管T32保持處于導(dǎo)通狀態(tài)的同時施加高電勢Vcc到電流供應(yīng)線DSL，從而開始對驅(qū)動晶體管T32的閾值校正操作。隨著該操作，在控制驅(qū)動晶體管T32的柵極電勢Vg以便設(shè)置為偏置信號電勢Vofs的同時，只有源極電勢Vs開始上升。
應(yīng)該注意，在第二實施例的情況下，對于一個水平掃描時間段，三個不同的電勢(也就是說，反向偏壓電勢Vini、偏置信號電勢Vofs和信號電勢Vsig)分別出現(xiàn)在信號線DTL中。因此，當(dāng)提供偏置信號電勢Vofs的時間段結(jié)束時，連續(xù)地控制采樣晶體管T31以便被再次截止直到下次提供偏置信號電勢Vofs的時序(圖36A到36E中的t7)。圖44顯示了在此時間點像素電路131中的操作狀態(tài)。
應(yīng)該注意，對于此時間段，驅(qū)動晶體管T32的柵極電極用作自由端。因此，通過在源極電勢Vs的上升后執(zhí)行自舉操作，柵極電勢Vg也隨著源極電勢Vs的上升而上升。
不久以后，當(dāng)提供偏置信號電勢Vofs到信號線DTL的時序來臨時，控制采樣晶體管T31以便被再次導(dǎo)通。通過執(zhí)行該導(dǎo)通操作，使得驅(qū)動晶體管T32的柵極電勢Vg降低到偏置信號電勢Vofs。在此情況下，使得驅(qū)動晶體管T32的源極電勢Vs降低對應(yīng)于保持電容器Cs的耦合量的電勢，并且重新開始從被降低后的狀態(tài)上升(圖36A到36E中的t8)。
當(dāng)在重新開始上升后的閾值校正操作中，驅(qū)動晶體管T32的柵極-源極電壓Vgs變得等于閾值電壓Vth，驅(qū)動晶體管T32當(dāng)然自動執(zhí)行截止(cut-off)操作。然而，在圖36A到36E所示的驅(qū)動操作的情況下，即使在第二輪的閾值校正操作結(jié)束后，閾值校正操作也沒有完成。因而，在提供偏置信號電勢Vofs的時間段結(jié)束后，連續(xù)地控制采樣晶體管T31以便被再次截止直到下次提供偏置信號電勢Vofs到驅(qū)動晶體管T32的柵極電極的時序(圖36A到36E中的t9)。
此外，對于第三輪的閾值校正操作的時間段完成閾值校正操作，并且驅(qū)動晶體管T32自動執(zhí)行截止操作(圖36A到36E中的t10)。圖45顯示了在此時間點像素電路131中的操作狀態(tài)。應(yīng)該注意，驅(qū)動晶體管T32的源極電勢Vs滿足(Vs＝Vofs-Vth≤Vcat+Vthel)的關(guān)系。因此，不能控制有機EL元件OLED以便被導(dǎo)通操作，因而此時不發(fā)光。
緊接此后或跨過圖36A到36E所示的時間段t11后，施加信號顯示Vsig到驅(qū)動晶體管T32的柵極電極(圖36A到36E中的t12)。圖46顯示了在此時間點像素電路131中的操作狀態(tài)。
如前所述，信號電勢Vsig是對應(yīng)于對應(yīng)的一個像素的灰度的電壓。此時，控制驅(qū)動晶體管T32的柵極電勢Vg，使得變得等于通過采樣晶體管T31的信號顯示Vsig。此外，由于從電流供應(yīng)線DSL流到驅(qū)動晶體管T32的電流，驅(qū)動晶體管T32的源極電勢Vs隨著時間上升。
此時驅(qū)動晶體管T25的柵極-源極電壓Vgs由表達式(6)給出 Vgs＝{Cel/(Cel+Cs+Ctr)}·(Vsig-Vofs)+Vth...(6) 同樣如之前在第一實施例中所述，有機EL元件OLED的寄生電容Cel大于保持電容器Cs的電容和驅(qū)動晶體管T32的寄生電容Ctr的每一個。因此，驅(qū)動晶體管T32的柵極-源極電壓Vgs近似地收斂于電壓(Vsig+Vth)。
該操作是也用于寫入信號電勢Vsig的操作的遷移率校正操作。如之前在第一實施例中所述，這里所述的柵極-源極電壓Vgs具有其中反映驅(qū)動晶體管T32的遷移率μ的值。
在也用作寫入操作的遷移率校正操作完成后，控制采樣晶體管T31以便被截止，從而開始新的發(fā)光時間段(圖36A到36E中的t13)。在此情況下，使得用于驅(qū)動晶體管T32的驅(qū)動電流Ids’流入有機EL元件OLED，從而開始對應(yīng)于有機EL元件OLED中的驅(qū)動電流Ids’的值的發(fā)光。圖47顯示了在此時間點像素電路131中的操作狀態(tài)。
(C-4)結(jié)論 如上所述，即使在每個像素電路包括兩個N溝道薄膜晶體管的情況下，類似于第一實施例的情況，也可能實現(xiàn)這種驅(qū)動技術(shù)，使用該驅(qū)動技術(shù)在驅(qū)動晶體管T32中幾乎不出現(xiàn)驅(qū)動晶體管T32的閾值電壓Vth隨時間的改變。
當(dāng)然，同樣在這里所述的像素電路的情況下，可以執(zhí)行閾值校正操作和遷移率校正操作。因此，可能有效地抑制由于驅(qū)動晶體管T32的特性的分散導(dǎo)致的畫面非均勻性的出現(xiàn)。
(D)第三實施例 (D-1)系統(tǒng)配置 在第三實施例中，現(xiàn)在將給出關(guān)于這種方法的描述，使用該方法可以進一步增強對于具有第二實施例中所述的像素電路131的有機EL顯示面板41的遷移率校正操作的精度。
圖48顯示了有機EL顯示面板41的系統(tǒng)配置。應(yīng)該注意，在圖48中，對應(yīng)于圖32中的那些部分的部分分別用相同的參考標(biāo)號表示。
圖48所示的有機EL顯示面板41包括像素陣列部分121、操作為用于像素陣列部分121的驅(qū)動電路的信號寫入控制線驅(qū)動部分153、電流供應(yīng)線驅(qū)動部分155和水平選擇器157、以及時序發(fā)生器129。
第三實施例的有機EL顯示面板41中的像素陣列部分121具有與圖32所示的第二實施例的有機EL顯示面板41中的像素陣列部分121的配置相同的配置。也就是說，像素電路131包括采樣晶體管T31、驅(qū)動晶體管T32、保持電容器Cs和有機EL元件OLED。
圖49顯示其每一個對應(yīng)于子像素的像素電路131和驅(qū)動電路153、155和157之間的連接關(guān)系。此外，圖50顯示了提供到第三實施例的有機EL顯示面板41中的像素電路131的、對應(yīng)的一個信號線DTL的電勢之間的關(guān)系。
信號寫入控制線驅(qū)動部分153是通過其控制采樣晶體管T31以便被導(dǎo)通/截止的驅(qū)動電路。當(dāng)控制采樣晶體管T31以便被導(dǎo)通時，對應(yīng)的一個信號線DTL的電勢被施加到驅(qū)動晶體管T32的柵極電極。
電流供應(yīng)線驅(qū)動部分155是通過其用兩種高電勢Vcc和低電勢Vss驅(qū)動對應(yīng)的一個電流供應(yīng)線的驅(qū)動電路。在第三實施例的情況下，在一幀時間段內(nèi)至少設(shè)置一次低電勢時間段。
這些驅(qū)動電路153和155的每個包括具有其數(shù)目對應(yīng)于垂直分辨率的輸出級的移位寄存器。因而，驅(qū)動電路153和155的每個根據(jù)從時序發(fā)生器159提供到其的時序信號，輸出需要的驅(qū)動脈沖到對應(yīng)的一個控制線。
水平選擇器157是驅(qū)動電路，在一個水平掃描時間段作為一個時段的情況下，通過水平選擇器157將對應(yīng)于像素數(shù)據(jù)Din的信號電勢Vsig、其中反映了信號電勢Vsig的反向偏壓電勢Vini、第一偏置信號電勢Vofs1和第二偏置信號電勢Vofs2的任一個輸出到對應(yīng)的一個信號線DTL。
應(yīng)該注意，第一偏置信號電勢Vofs1對應(yīng)于第二實施例的偏置信號電勢Vofs。在第三實施例的情況下，第二偏置信號電勢Vofs2以信號電勢Vsig和第一偏置信號電勢Vofs1之間的中間電勢的形式給出。水平選擇器157根據(jù)對應(yīng)于信號電勢Vsig的像素數(shù)據(jù)Din生成第二偏置信號電勢Vofs2。
盡管輸出信號電勢Vsig、反向偏壓電勢Vini、第一偏置信號電勢Vofs1和第二偏置信號電勢Vofs2的順序在第三實施例中是任意設(shè)置的，但是以反向偏壓電勢Vini、第一偏置信號電勢Vofs1、第二偏置信號電勢Vofs2和信號電勢Vsig的順序從水平選擇器156輸出所述反向偏壓電勢Vini、第一偏置信號電勢Vofs1、第二偏置信號電勢Vofs2和信號電勢Vsig。
時序發(fā)生器159是用于生成驅(qū)動寫入控制線WSL和電流供應(yīng)線DSL所需的時序脈沖的電路設(shè)備。
(D-2)水平選擇器的配置 圖51顯示了作為第三實施例的有機EL顯示面板41中的關(guān)鍵設(shè)備的水平選擇器157的電路配置。應(yīng)該注意，水平選擇器157在基本配置上與之前在第二實施例中描述的水平選擇器127相同。因此，在圖51中，對應(yīng)于圖35所示的各部分的那些部分分別用相同的參考標(biāo)號表示。
水平選擇器157包括可編程邏輯設(shè)備81、存儲器83、移位寄存器91和101、鎖存器電路93和103、D/A轉(zhuǎn)換電路95和105、緩沖器電路97和107、以及選擇器161。
在這些構(gòu)成元件中，水平選擇器157中新穎的構(gòu)成部分只是選擇器161。第三實施例中的選擇器161不同于第二實施例中的選擇器141在于對于一個水平掃描時間段，反向偏壓電勢Vini、第一偏置信號電勢Vofs1、第二偏置信號電勢Vofs2和信號電勢Vsig以時序方式在之前設(shè)置的時序處輸出。
應(yīng)該注意，第一偏置信號電勢Vofs1對應(yīng)于第二實施例中的偏置電勢Vofs。另一方面，以信號電勢Vsig的最大電勢和第一偏置信號電勢Vofs1之間的中間灰度電勢的形式給出第二偏置信號電勢Vofs2。在第三實施例中，第二偏置信號電勢Vofs2以(Vsig-Vofs1)/2的形式調(diào)整。
(D-3)驅(qū)動操作 圖52A到52E是顯示第三實施例的有機EL顯示面板41中的像素電路131的驅(qū)動操作的時序圖。
首先，圖53顯示處于發(fā)光狀態(tài)的像素電路131內(nèi)的操作狀態(tài)。此時，電流供應(yīng)線DSL的電勢設(shè)置在高電勢Vcc，因而采樣晶體管T31保持在截止?fàn)顟B(tài)(圖52A到52E中的t1)。
此時，設(shè)置驅(qū)動晶體管T32以便工作在飽和區(qū)域。為此，流過有機EL元件OLED的電流Ids得到對應(yīng)于驅(qū)動晶體管T32的柵極-源極電壓Vgs的值。
接下來，將描述處于不發(fā)光時間段的操作狀態(tài)。在施加反向偏壓電勢Vini到信號線DTL的同時，控制采樣晶體管T31以便被導(dǎo)通，從而開始不發(fā)光時間段(圖52A到52E中的t2)。圖54顯示在此時間點像素電路131內(nèi)的操作狀態(tài)。
此時，驅(qū)動晶體管T32的源極電勢Vs通過保持電容器Cs的耦合操作降低。應(yīng)該注意，在驅(qū)動晶體管T32的柵極-源極電壓Vgs變得等于或小于其閾值電壓Vth時的時間點，有機EL元件OLED截止。
關(guān)于這一點，當(dāng)在耦合操作完成后驅(qū)動晶體管T32的源極電勢Vs(有機EL元件OLED的陽極電勢Vel)等于或小于有機EL元件OLED的閾值電壓Vthel和陰極電勢Vcat的和時，驅(qū)動晶體管T32的源極電勢Vs保持原樣。
另一方面，當(dāng)耦合操作完成后驅(qū)動晶體管T32的源極電勢Vs大于有機EL元件OLED的閾值電壓Vthel和陰極電勢Vcat的和時，由于聚集在有機EL元件OLED中的電荷的放電，驅(qū)動晶體管T32的源極電勢Vs收斂于電勢(Vthel+Vcat)。圖54顯示了其中驅(qū)動晶體管T32的源極電勢Vs收斂于電勢(Vthel+Vcat)時的狀態(tài)。
關(guān)于這一點，施加高電勢Vcc到驅(qū)動晶體管T32的漏極電極，并且施加反向偏壓電勢Vini到驅(qū)動晶體管T32的柵極電極。也就是說，施加反向偏壓電壓到驅(qū)動晶體管T32。應(yīng)該注意，因為如前所述，在信號寫入操作的階段中，反向偏壓電勢Vini反映在信號電勢Vsig中，所以反向偏壓電勢Vini操作以便抵消由施加信號電勢Vsig造成的閾值電壓Vth的改變。
之后，控制采樣晶體管T31以便在信號線DTL的電勢的切換之前被截止(圖52A到52E中的t3)。應(yīng)該注意，施加反向偏壓電壓的狀態(tài)繼續(xù)。
在該反向偏壓狀態(tài)過去給定時間段后，控制電流供應(yīng)線DSL的電源電勢，以便從高電勢Vcc切換到低電勢Vss(圖52A到52E中的t4)。圖55顯示在此時間點像素電路131內(nèi)的操作狀態(tài)。
此時，反向偏壓電勢Vini和電流供應(yīng)線DSL的電勢(低電勢Vss)之間的電勢差變得等于驅(qū)動晶體管T32的柵極-源極電壓Vgs。
這里，當(dāng)反向偏壓電勢Vini小于電勢(Vss+Vth)時，驅(qū)動晶體管T32保持在截止?fàn)顟B(tài)。
在第三實施例中，假設(shè)反向偏壓電勢Vini小于電勢(Vss+Vth)。然而，不必假設(shè)反向偏壓電勢Vini小于電勢(Vss+Vth)。
接下來，控制采樣晶體管T31以便在信號線DTL的電勢設(shè)置為第一偏置信號電勢Vofs1的時序?qū)?圖36A到36E中的t5)。通過執(zhí)行該控制，驅(qū)動晶體管T32的柵極電勢Vg轉(zhuǎn)變?yōu)榈谝黄眯盘栯妱軻ofs1。
圖56顯示在此時間點像素電路131內(nèi)的操作狀態(tài)。
此時，驅(qū)動晶體管T32的柵極-源極電壓Vgs由(Vofs1-Vss)給出。
設(shè)置在此時間點的柵極-源極電壓Vgs為大于驅(qū)動晶體管T32的閾值電壓Vth的值，以便確保閾值校正操作的執(zhí)行。
不久以后，執(zhí)行閾值校正操作的時序?qū)砼R。對于施加第一偏置信號電勢Vofs1到信號線DTL的時間段，控制采樣晶體管T31以便被導(dǎo)通，并且控制電流供應(yīng)線DSL以便設(shè)置為高電勢，從而執(zhí)行閾值校正操作(圖52A到52E中的t7)。圖57顯示了在此時間點像素電路131中的操作狀態(tài)。
在驅(qū)動晶體管T32保持處于導(dǎo)通狀態(tài)的同時施加高電勢Vcc到電流供應(yīng)線DSL，從而開始對驅(qū)動晶體管T32的閾值校正操作。隨著該操作，在控制驅(qū)動晶體管T32的柵極電勢Vg以便設(shè)置為第一偏置信號電勢Vofs1的同時，只有源極電勢Vs開始上升。
此時，只要驅(qū)動晶體管T32的源極電勢Vs(有機EL元件OLED的陽極電勢Vel)等于或小于電勢(Vcat+Vthel)(只要有機EL元件OLED的漏電流顯著小于流過驅(qū)動晶體管T32的電流)，流過驅(qū)動晶體管T32的電流就用來用電流充電保持電容器Cs和有機EL元件OLED的寄生電容Cel。
驅(qū)動晶體管T32的源極電勢Vs開始隨著時間上升。
給定的時間過去后，控制采樣晶體管T31以便被截止。然而，在此時間點的驅(qū)動晶體管T32的柵極-源極電壓Vgs大于驅(qū)動晶體管T32的閾值電壓Vth。因此，使得從電流供應(yīng)線DSL流入像素電路131的電流流動以便用電流來充電保持電容器Cs。
隨著該操作，驅(qū)動晶體管T32的柵極電勢Vg連同其源極電勢Vs上升。應(yīng)該注意，因為施加反向偏壓電壓到有機EL元件OLED，所以有機EL元件OLED不發(fā)光。
不久以后，當(dāng)提供第一偏置信號電勢Vofs1到信號線DTL的時序來臨時，控制采樣晶體管T31以便被再次導(dǎo)通。通過執(zhí)行該導(dǎo)通操作，使得驅(qū)動晶體管T32的柵極電勢Vg降低到第一偏置信號電勢Vofs1。
通過重復(fù)地執(zhí)行該操作，驅(qū)動晶體管T32的柵極-源極電壓Vgs收斂于驅(qū)動晶體管T32的閾值電壓Vth(圖52A到52E中的t9和t11)。
應(yīng)該注意，在此時間點，驅(qū)動晶體管T32的源極電勢Vg滿足等于或小于電勢(Vcat+Vthel)的值。
在完成閾值校正操作后，控制采樣晶體管T31以便被截止一次。
此后，在當(dāng)設(shè)置信號線DTL的電勢為第二偏置信號電勢Vofs2時的時間點，控制采樣晶體管T31以便被再次導(dǎo)通(圖52A到52E中的t13)。即使在信號線DTL的電勢從第二偏置信號電勢Vofs2切換到信號電勢Vsig后(圖52A到52E中的t14)，采樣晶體管T31的導(dǎo)通狀態(tài)也繼續(xù)。圖58顯示了在此時間點像素電路131中的操作狀態(tài)。
對于該時間段t14，驅(qū)動晶體管T32的柵極電勢Vg從第二偏置信號電勢Vofs2改變?yōu)樾盘栯妱軻sig。在此情況下，因為繼續(xù)從電流供應(yīng)線DSL提供電流到驅(qū)動晶體管T32，所以驅(qū)動晶體管T32的源極電勢Vs隨著時間上升。
當(dāng)然，當(dāng)驅(qū)動晶體管T32的源極電勢Vs不超過電勢(Vcat+Vthel)時(有機EL元件OLED的漏電流顯著小于流過驅(qū)動晶體管T32的電流)，流過驅(qū)動晶體管T32的電流就用來用電流充電保持電容器Cs和有機EL元件OLED的寄生電容Cel。
此時，因為對于驅(qū)動晶體管T32的閾值校正操作已經(jīng)完成，所以流過驅(qū)動晶體管T32的電流具有其中反映遷移率μ的值。
現(xiàn)在，在這種遷移率校正系統(tǒng)的情況下，通常，在中間灰度顯示階段中的遷移率校正時間長于在白顯示階段中的遷移率校正時間。具體地，在第二實施例中的驅(qū)動系統(tǒng)的情況下，其中通過施加信號電勢Vsig到驅(qū)動晶體管T32的柵極電極來執(zhí)行遷移率校正，在白顯示階段中的遷移率校正時間和在中間灰度顯示階段中的遷移率校正時間之間的時間差大。結(jié)果，關(guān)于白顯示像素的遷移率校正和關(guān)于中間灰度像素的遷移率校正不能在同一寫入時間段內(nèi)完成。
然而，如在第三實施例的情況下，在輸入信號電勢Vsig到驅(qū)動晶體管T32的柵極電極之前輸入第二偏置信號電勢Vofs2，這導(dǎo)致可以使得白顯示階段中的遷移率校正時間和中間灰度顯示階段中的遷移率校正時間的每一個都恒定。
下文中，將給出關(guān)于該操作的具體描述。圖59A和59B顯示了在白顯示階段中的遷移率校正時間，而圖60A和60B顯示了在中間灰度顯示階段中的遷移率校正時間(接近黑顯示的示例)。
應(yīng)該注意，圖59A和59B分別顯示了對應(yīng)于第二實施例的遷移率校正操作，而圖60A和60B分別顯示了對應(yīng)于第三實施例的遷移率校正操作。在這些圖中，對應(yīng)于第二實施例的遷移率校正時間由t1指示，而對應(yīng)于第三實施例的遷移率校正時間由t1’指示。
首先，讓我們考慮白顯示階段。如圖59A和59B所示，可以使得在使用第二偏置信號電勢Vofs2的情況下比不使用第二偏置信號電勢Vofs2的情況下遷移率校正所需的時間長。
另一方面，讓我們考慮中間灰度顯示階段。如圖60A和60B所示，可以使得在使用第二偏置信號電勢Vofs2的情況下比不使用第二偏置信號電勢Vofs2的情況下遷移率校正所需的時間短。
也就是說，可以使得其校正時間本來足夠短的白顯示階段中的校正時間長，而使得其校正時間本來足夠長的中間灰度顯示階段中的校正時間短。這意味著可以將白顯示階段中的遷移率校正所需的時間和中間灰度顯示階段中的遷移率校正所需的時間統(tǒng)一為近似恒定，而不管顯示灰度。
此外，在上述操作完成后，當(dāng)控制采樣晶體管T31以便被截止從而完成寫入操作時，使得驅(qū)動電流流過有機EL元件OLED，從而開始發(fā)光時間段(圖52A到52E中的t15)。圖61顯示了在此時間點像素電路131中的操作狀態(tài)。
應(yīng)該注意，驅(qū)動晶體管T32的柵極-源極電壓Vgs是恒定的。因此，驅(qū)動晶體管T32使得恒定電流Ids’流過有機EL元件OLED。
應(yīng)該注意，在使得恒定電流Ids’流過有機EL元件OLED時，有機EL元件OLED的陽極電勢Vel繼續(xù)上升到電壓Vx。
(D-4)結(jié)論 如上所述，在第三實施例中所述的有機EL顯示面板的情況下，除了第二實施例的效果外，還可實現(xiàn)以下效果。
也就是說，可以將白顯示階段中的遷移率校正所需的時間和中間灰度顯示階段中的遷移率校正所需的時間統(tǒng)一為近似恒定，而不管顯示灰度。換句話說，可以統(tǒng)一對于全部像素電路的遷移率校正操作。這意味著各像素中的遷移率μ可以在預(yù)定時間段內(nèi)恰好成比例地校正。結(jié)果，即使當(dāng)進行有機EL顯示面板的高清晰度和高速操作時，也可能實現(xiàn)在顯示圖像中幾乎不出現(xiàn)非均勻性或條紋的驅(qū)動技術(shù)。
(E)其它實施例 (E-1)其它像素電路 在上述第一到第三實施例中，已經(jīng)給出關(guān)于其中像素電路包括五個N溝道薄膜晶體管的情況(第一實施例)和其中像素電路包括兩個N溝道薄膜晶體管的情況(第二和第三實施例)的描述。
然而，像素電路的配置絕不限于此。例如，如圖62所示，本發(fā)明也能應(yīng)用于其中像素電路171包括三個N溝道薄膜晶體管的情況。應(yīng)該注意，在圖62中，對應(yīng)于圖20和34的每一個中的那些部分的部分分別用相同的參考標(biāo)號表示。
像素電路171是第一實施例中的像素電路71和第二實施例中的像素電路131之間的中間類型。此外，像素電路171的特征是由專用的薄膜晶體管T33控制施加偏置信號電勢Vofs到驅(qū)動晶體管T32的柵極電極。也就是說，第二實施例的特征在于通過對應(yīng)的一個信號線DTL施加的偏置信號電勢Vofs獨立地施加到驅(qū)動晶體管T32的柵極電極，如在第一實施例的情況下。應(yīng)該注意，施加偏置信號電勢Vofs的時序等與第二實施例中的時序等類似。
(E-2)生成反向偏壓電勢的方法 在第一實施例中，已經(jīng)給出了根據(jù)基本預(yù)先設(shè)置的表達式(3)生成具有對應(yīng)于像素數(shù)據(jù)Din(信號電勢Vsig)的大小的像素數(shù)據(jù)Din’的情況的描述。
然而，其中可以使得發(fā)光時間段在一幀時間段中占據(jù)的占空根據(jù)顯示內(nèi)容或周圍亮度可變的有機EL顯示面板采用一種機制，該機制用于基于可變的占空信息適應(yīng)性地切換應(yīng)用于反向偏壓電勢Vini的生成的關(guān)系表達式或表。
圖63顯示了對應(yīng)于該機制的水平選擇器181的配置。應(yīng)該注意，在圖63中，對應(yīng)于圖21中的那些部分的部分分別用相同的參考標(biāo)號表示。此外，圖63顯示了其中反向偏壓電勢生成特性切換部分185安裝在可編程邏輯設(shè)備183中的配置。在此情況下，全部所需的是反向偏壓電勢生成特性切換部分185根據(jù)從外面提供的占空信息(給出一個參考時間段內(nèi)的發(fā)光時間段的占空的信息)，執(zhí)行用于將關(guān)系表達式(例如，系數(shù)的改變)或參考表切換到另一個的處理。
(E-3)第二偏置信號電勢Vofs2的生成 在上述第三實施例中，已經(jīng)給出了關(guān)于其中給出第二偏置信號電勢Vofs2為固定值的情況的描述。然而，第二偏置信號電勢Vofs2還可以以具有對應(yīng)于像素數(shù)據(jù)Din(信號電勢Vsig)的大小的像素數(shù)據(jù)Din”的形式生成。
圖64顯示了對應(yīng)于該機制的水平選擇器191的配置。應(yīng)該注意，在圖64中，對應(yīng)于圖21中的那些部分的部分分別用相同的參考標(biāo)號表示。圖64中所示的水平選擇器191的新穎的構(gòu)成部分是可編程邏輯設(shè)備193、第二偏置信號電勢Vofs2系統(tǒng)的電路部分(移位寄存器201、鎖存器電路203、D/A電路205和緩沖器電路207)和選擇器211。
在這些構(gòu)成部分中，新添加生成信號電勢Vsig和第一偏置信號電勢Vofs1之間的中間電勢的功能到可編程邏輯設(shè)備193。例如，基于從存儲器83讀出的像素數(shù)據(jù)Din生成對應(yīng)于(Vsig-Vofs1)/2的電勢的像素數(shù)據(jù)Din”。
圖65A和65B分別顯示了對應(yīng)于該設(shè)備系統(tǒng)的電勢的改變，也就是說，在白顯示階段中的遷移率校正操作。此外，圖66A和66B分別顯示了對應(yīng)于該設(shè)備系統(tǒng)的電勢的改變，也就是說，在中間灰度顯示階段中的閾值校正操作(接近黑顯示的示例)。
在圖65A和65B和圖66A和66B中，圖65A和66A顯示對應(yīng)于第二實施例的遷移率校正操作，而圖65B和66B顯示對應(yīng)于該描述的遷移率校正操作。關(guān)于這一點，對應(yīng)于第二實施例的遷移率校正時間段由t1指示，而對應(yīng)于該描述的遷移率校正時間段由t1’指示。
同樣在該驅(qū)動系統(tǒng)的情況下，在白顯示階段中的遷移率校正時間可以通過使用第二偏置信號電勢Vofs2來擴展。此外，在中間灰度顯示階段中的遷移率校正時間也可以通過使用第二偏置信號電勢Vofs2來擴展。然而，在中間灰度階段中的遷移率校正時間的擴展小于在灰度值大(信號電勢Vsig大)的情況下的遷移率校正時間的擴展。
因此，采用該驅(qū)動系統(tǒng)可以壓縮在白顯示階段中的遷移率校正時間和在中間灰度階段中的遷移率校正時間之間的差。當(dāng)該時間差足夠小時，統(tǒng)一在白顯示階段中的遷移率校正所需的時間和在中間灰度顯示階段中的遷移率校正所需的時間的效果可以比第二實施例的情況進一步增強。結(jié)果，通過抑制由于遷移率校正的過度和不足所產(chǎn)生的圖像質(zhì)量的劣化，可以增強可視化的圖像質(zhì)量。
(E-4)反向偏壓電勢Vini的其它應(yīng)用 在上述第一到第三實施例的每一個中，已經(jīng)給出了關(guān)于其中通過對應(yīng)的一個信號線DTL施加反向偏壓電勢Vini到驅(qū)動晶體管T25或T32的柵極電極的情況的描述，水平選擇器驅(qū)動和控制所述對應(yīng)的一個信號線DTL。
然而，還可以通過另一布線施加反向電勢Vini到驅(qū)動晶體管的柵極電極。此外，在此情況下，反向偏壓電勢生成部分當(dāng)然可以布置在水平選擇器外。
(E-5)產(chǎn)品示例 (a)電子裝置 目前已經(jīng)依據(jù)有機EL顯示面板的第一到第三實施例描述了本發(fā)明。然而，上述有機EL顯示面板也以安裝到各種電子裝置的產(chǎn)品形式的形式分布。下文中，將描述安裝有機EL顯示面板到各種電子裝置的示例。
圖67顯示了電子裝置221的概念性配置的示例。電子裝置221包括上述有機EL顯示面板223、系統(tǒng)控制部分225和操縱輸入部分227。在系統(tǒng)控制部分225中執(zhí)行的處理內(nèi)容取決于電子裝置221的產(chǎn)品形式而不同。此外，操縱輸入部分227是用于接收到系統(tǒng)控制部分225的操縱輸入的設(shè)備。如開關(guān)或按鈕的機械接口、圖形接口等用作操縱輸入部分227。
應(yīng)該注意，電子裝置221絕不限于特定領(lǐng)域中的裝置，只要電子裝置221加載有在其上顯示在裝置內(nèi)生成的、或從外面輸入到其的圖像或視頻畫面數(shù)據(jù)的功能。
圖68顯示了其中另一電子裝置是電視機的情況下的外觀的示例。包括前面板233、濾光玻璃235等的顯示屏237布置在電視接收機231的機殼的前表面。顯示屏237部分對應(yīng)于在第一到第三實施例的任一個中描述的有機EL顯示面板。
此外，例如假設(shè)數(shù)字相機為這種電子裝置221。圖69A和69B顯示了數(shù)字相機241的外觀的示例。這里，圖69A是在數(shù)字相機241的前表面端(在被攝體端)的外觀的示例。此外，圖69B是在數(shù)字相機241的后表面端(在拍攝者端)的外觀的示例。
數(shù)字相機241包括保護蓋243、圖像捕獲透鏡245、顯示屏247、控制開關(guān)249和快門按鈕251。在這些構(gòu)成元件中，顯示屏247部分對應(yīng)于在第一到第三實施例的任一個中描述的有機EL顯示面板。
此外，例如假設(shè)攝像機為這種電子裝置221。圖70顯示了攝像機261的外觀的示例。
攝像機261包括圖像捕獲透鏡265、用于圖像捕獲的開始/停止按鈕267和顯示屏269。這里，物體的圖像通過提供在主體263的第一表面端上的圖像捕獲透鏡265捕獲。在這些構(gòu)成元件中，顯示屏269部分對應(yīng)于在第一到第三實施例的任一個中描述的有機EL顯示面板。
此外，例如假設(shè)移動終端設(shè)備為這種電子裝置221。圖71A到71G顯示作為移動終端設(shè)備的移動電話的外觀的示例。在圖71A到71G中所示的移動電話是折疊型的。這里，圖71A和71B顯示了在機殼打開的狀態(tài)下的外觀的示例，而圖71C和71G顯示了在機殼折疊的狀態(tài)下的外觀的示例。
移動電話271包括上機殼273、下機殼275、連接部分(該示例中的鉸鏈部分)277、顯示屏279、副顯示屏281、畫面燈283和圖像捕獲透鏡285。在這些構(gòu)成元件中，顯示屏279部分和副顯示屏281的每一個對應(yīng)于在第一到第三實施例的任一個中描述的有機EL顯示面板。
此外，例如假設(shè)計算機為這種電子裝置221。圖72顯示筆記本大小的個人計算機291的外觀的示例。
筆記本大小的個人計算機291包括下機殼293、上機殼285、鍵盤297和顯示屏299。在這些構(gòu)成元件中，顯示屏299部分對應(yīng)于在第一到第三實施例的任一個中描述的有機EL顯示面板。
此外，假設(shè)音頻再現(xiàn)器、游戲機、電子書、電子詞典等為這種電子裝置221。
(E-6)其它顯示設(shè)備的示例 在上述第一到第三實施例的每一個中，已經(jīng)給出了關(guān)于本發(fā)明應(yīng)用于有機EL顯示面板的情況的描述。
然而，上述驅(qū)動技術(shù)也可以應(yīng)用與其它EL顯示設(shè)備。例如，上述驅(qū)動技術(shù)也可以應(yīng)用于其中布置有LED(發(fā)光二極管)的顯示設(shè)備，或其中每一個具有任何其它合適的二極管結(jié)構(gòu)的發(fā)光元件布置在屏幕上的顯示設(shè)備。例如，上述驅(qū)動技術(shù)也可以應(yīng)用于無機EL顯示面板。
(E-7)其它 可以在本發(fā)明的精神的范圍內(nèi)，對上述第一到第三實施例進行各種改變。此外，也可以進行基于本說明書中的描述而創(chuàng)建或相互結(jié)合的各種改變和應(yīng)用示例。
相關(guān)申請的交叉引用
本發(fā)明包含涉及于2008年2月28日向日本專利局提交的日本專利申請JP 2008-047180的主題，在此通過引用并入其全部內(nèi)容。
權(quán)利要求
1.一種具有對應(yīng)于有源矩陣驅(qū)動系統(tǒng)的像素結(jié)構(gòu)的電致發(fā)光EL顯示面板，包括
反向偏壓電勢生成部分，被配置來生成其中反映相應(yīng)的一個像素的灰度值的反向偏壓電勢；以及
電壓施加部分，被配置來施加所述反向偏壓電勢到驅(qū)動晶體管的柵極電極，所述驅(qū)動晶體管組成適于用于不發(fā)光時間段的操作的像素電路。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的EL顯示面板，其中所述反向偏壓電勢生成部分生成所述反向偏壓電勢，使得對應(yīng)于高亮度的反向偏壓電壓大于對應(yīng)于低亮度的反向偏壓電壓。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的EL顯示面板，其中所述電壓施加部分以時分方式施加反向偏壓電勢或信號電勢到信號線。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的EL顯示面板，其中當(dāng)在一幀時間段中發(fā)光時間段占據(jù)的長度的占空可切換時，所述反向偏壓電勢生成部分設(shè)置反向偏壓電勢的改變的寬度，使得反向偏壓電勢的改變的寬度與發(fā)光時間段的占空成反比。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的EL顯示面板，其中所述反向偏壓電壓由下式給出
Vini＝Vthel+Vcat-(αVsig+β)(α>0和β≥0)
其中Vini是所述反向偏壓電勢，Vthel是EL發(fā)光元件的閾值電勢，Vcat是所述EL發(fā)光元件的陰極電勢，而Vsig是信號電勢。
6.一種電子裝置，包括
具有對應(yīng)于有源矩陣驅(qū)動系統(tǒng)的像素結(jié)構(gòu)的EL顯示面板，被配置來生成其中反映相應(yīng)的一個像素的灰度值的反向偏壓電勢的反向偏壓電勢生成部分，以及被配置來施加所述反向偏壓電勢到驅(qū)動晶體管的柵極電極的電壓施加部分，所述驅(qū)動晶體管組成適于用于不發(fā)光時間段的操作的像素電路；
系統(tǒng)控制部分，被配置來控制整個系統(tǒng)的操作；以及
操縱輸入部分，被配置來接收到所述系統(tǒng)控制部分的操縱輸入。
7.一種驅(qū)動具有對應(yīng)于有源矩陣驅(qū)動系統(tǒng)的像素結(jié)構(gòu)的EL顯示面板的方法，所述方法包括以下步驟
生成其中反映相應(yīng)的一個像素的灰度值的反向偏壓電勢；以及
施加所述反向偏壓電勢到驅(qū)動晶體管的柵極電極，所述驅(qū)動晶體管組成適于用于不發(fā)光時間段的操作的像素電路。
8.一種具有對應(yīng)于有源矩陣驅(qū)動系統(tǒng)的像素結(jié)構(gòu)的EL顯示面板，包括
反向偏壓電勢生成裝置，被配置來生成其中反映相應(yīng)的一個像素的灰度值的反向偏壓電勢；以及
電壓施加裝置，被配置來施加所述反向偏壓電勢到驅(qū)動晶體管的柵極電極，所述驅(qū)動晶體管組成適于用于不發(fā)光時間段的操作的像素電路。
全文摘要
這里公開了一種具有對應(yīng)于有源矩陣驅(qū)動系統(tǒng)的像素結(jié)構(gòu)的電致發(fā)光顯示面板，包括反向偏壓電勢生成部分，被配置來生成其中反映相應(yīng)的一個像素的灰度值的反向偏壓電勢；以及電壓施加部分，被配置來施加所述反向偏壓電勢到驅(qū)動晶體管的柵極電極，所述驅(qū)動晶體管組成適于用于不發(fā)光時間段的操作的像素電路。
文檔編號G09G3/20GK101520986SQ200910004639
公開日2009年9月2日 申請日期2009年3月2日 優(yōu)先權(quán)日2008年2月28日
發(fā)明者山本哲郎, 內(nèi)野勝秀 申請人:索尼株式會社