專利名稱：有機(jī)發(fā)光二極管顯示器、像素電路及數(shù)據(jù)電流寫入方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明是有關(guān)于有機(jī)發(fā)光二極管顯示技術(shù)領(lǐng)域，且特別是有關(guān)于一種有機(jī)發(fā)光二
極管顯示器及其像素電路與數(shù)據(jù)電流寫入方法。
背景技術(shù)：
按，對于有機(jī)發(fā)光二極管顯示器，采用低溫多晶硅(LTPS)制程所遭遇的問題是會 造成各個晶體管間的閾值電壓不一致，導(dǎo)致驅(qū)動有機(jī)發(fā)光二極管的晶體管流過的電流存在 差異，進(jìn)而造成顯示器的亮度不均；而采用非晶硅薄膜制程所遇到的問題則是驅(qū)動有機(jī)發(fā) 光二極管的晶體管的閾值電壓在長時間使用下會改變。另外，有機(jī)發(fā)光二極管本身存在老 化問題，發(fā)光效率會隨時間下降。 為改善上述各因素所造成的亮度影響，美國公開專利申請第2008/0136338A1號 有提出一種改良的主動式矩陣有機(jī)發(fā)光二極管顯示器，其所揭露的內(nèi)容在此作為參考。參 見圖1，此主動式矩陣有機(jī)發(fā)光二極管顯示器包括控制電路21、數(shù)據(jù)線22、電流線24以及多 個像素23?？刂齐娐?1包括電源/感測模塊(source/sensing module) 211及數(shù)據(jù)調(diào)整模 塊(dat即rogramming module) 213。 其中，電源/感測模塊211包括放大器Ampl、P型晶體管Msense及Msource、開關(guān) 晶體管MS1以及電容CS1 ;放大器Ampl的輸出端電性耦接至晶體管Msense的柵極并透過 開關(guān)晶體管MS1電性耦接至Msource的柵極，非反相輸入端電性耦接至定電壓Vcol，反相 輸入端電性耦接至節(jié)點(diǎn)nc，節(jié)點(diǎn)nc上的電壓除了在調(diào)整期間存在小變動之外保持為定電 壓Vcol。當(dāng)開關(guān)晶體管MS1導(dǎo)通，晶體管Msense及Msource的柵極電壓建立以響應(yīng)電流 線24抽取的電流；當(dāng)電流線24開始抽取更多電流，節(jié)點(diǎn)nc及相應(yīng)的放大器Ampl的反相輸 入端上的電壓改變；為了響應(yīng)任何的節(jié)點(diǎn)nc上電壓改變，放大器Ampl調(diào)節(jié)晶體管Msense 及Msource的柵極電壓以調(diào)節(jié)流過晶體管Msense及Msource的電流，而放大器Ampl的輸 出端上的電壓變化改變晶體管Msense及Msource的柵極電壓直至流過晶體管Msense及 Msource的電流與抽取電流相匹配。另，電容CS1電性耦接于晶體管Msource的柵極與漏極 之間，以致于當(dāng)開關(guān)晶體管MS1截止時晶體管Msource的柵極電壓保持不變。
數(shù)據(jù)調(diào)整模塊213電性耦接至電源/感測模塊211，其包括放大器Amp2、開關(guān)晶體 管MS2以及電容CS2 ;放大器Amp2的輸出端電性耦接至數(shù)據(jù)線22，非反相輸入端電性耦接 至電容CS2并透過開關(guān)晶體管MS2電性耦接至晶體管Msense的柵極，反相輸入端電性耦接 至晶體管Msense的柵極；在一采樣期間，開關(guān)晶體管MS2導(dǎo)通以采樣晶體管Msense的柵極 電壓并存儲至電容CS2。 多個像素23分別配置為二晶體管一電容(2T1C)的電路結(jié)構(gòu)且具體包括N型驅(qū)動 晶體管M21、開關(guān)晶體管M22、有機(jī)發(fā)光二極管232以及儲存電容Cs ;驅(qū)動晶體管M21的柵 極透過開關(guān)晶體管M22電性耦接至數(shù)據(jù)線22，其源極電性耦接至發(fā)光二極管232的正極，其 漏極電性耦接至電流線24 ;儲存電容Cs電性耦接于驅(qū)動晶體管M21的柵極與源極之間。
在一調(diào)整期間，單一像素被選定且被選定像素的開關(guān)晶體管M22導(dǎo)通，電源/感測
5模塊211、數(shù)據(jù)調(diào)整模塊213及選定像素23的驅(qū)動晶體管M21透過耦接至節(jié)點(diǎn)nc的電流線 24以及數(shù)據(jù)線22形成回饋回路；當(dāng)數(shù)據(jù)電流Idata注入節(jié)點(diǎn)nc時，利用電源/感測模塊 211中的晶體管Msense去感測節(jié)點(diǎn)nc上的電壓變化，再透過數(shù)據(jù)調(diào)整模塊213中的放大 器Amp2的輸出端提供特定數(shù)據(jù)電壓至驅(qū)動晶體管M21的柵極直至驅(qū)動晶體管M21從電流 線24抽取的電流與注入的數(shù)據(jù)電流Idata相匹配，以使被選定像素的像素電流得到補(bǔ)償。
惟，對于上述的主動式矩陣有機(jī)發(fā)光二極管顯示器，由于電流線24同時作電流感 測及電源電壓提供之用，在調(diào)整期間雖然只有單一像素被選定以進(jìn)行像素電流補(bǔ)償，但其 它像素的驅(qū)動晶體管皆仍繼續(xù)流過電流，所以整條電流線上的電流極大，對于單一欲補(bǔ)償 像素相對來說電流極小，無法確保欲流過的電流為補(bǔ)償電流還是雜訊造成的電流影響。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的之一就是在提供一種主動式矩陣有機(jī)發(fā)光二極管顯示器，以增加欲 補(bǔ)償像素的電流補(bǔ)償準(zhǔn)確度。 本發(fā)明的再一目的是提供一種像素電路，適用于主動式矩陣有機(jī)發(fā)光二極管顯示 器，以增加欲補(bǔ)償像素的電流補(bǔ)償準(zhǔn)確度。 本發(fā)明的又一目的是提供一種數(shù)據(jù)電流寫入方法，適于執(zhí)行于主動式矩陣有機(jī)發(fā) 光二極管顯示器，以增加欲補(bǔ)償像素的電流補(bǔ)償準(zhǔn)確度。 本發(fā)明一實(shí)施例提出的一種主動式矩陣有機(jī)發(fā)光二極管，其包括數(shù)據(jù)線、電流感 測線、電源線以及電性耦接至數(shù)據(jù)線、電流感測線及電源線的多個像素。其中，在數(shù)據(jù)電流 寫入上述像素中的選定像素的過程中，選定像素從電流感測線抽取電流，數(shù)據(jù)線依據(jù)從電 流感測線的抽取電流提供特定數(shù)據(jù)電壓至選定像素直至從電流感測線的抽取電流與數(shù)據(jù) 電流相匹配，且上述像素中其余的未選定像素則從電源線抽取電流而發(fā)光。
在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的選定像素包括驅(qū)動晶體管、第一開關(guān)晶體管、第 二開關(guān)晶體管、第三開關(guān)晶體管、儲存電容以及有機(jī)發(fā)光二極管。其中，第一開關(guān)晶體管的 第一源/漏極電性耦接至驅(qū)動晶體管的柵極，第一開關(guān)晶體管的第二源/漏極電性耦接至 數(shù)據(jù)線；第二開關(guān)晶體管的第一源/漏極電性耦接至驅(qū)動晶體管的第二源/漏極，第二開關(guān) 晶體管的第二源/漏極電性耦接至電源線；第三開關(guān)晶體管的第一源/漏極電性耦接至驅(qū) 動晶體管的第二源/漏極，第三開關(guān)晶體管的第二源/漏極電性耦接至電流感測線；有機(jī)發(fā) 光二極管的正極電性耦接至驅(qū)動晶體管的第一源/漏極，有機(jī)發(fā)光二極管的負(fù)極電性耦接 至預(yù)設(shè)電位。再者，在數(shù)據(jù)電流寫入選定像素的過程中，第一開關(guān)晶體管導(dǎo)通以致于特定數(shù) 據(jù)電壓存儲于儲存電容并控制驅(qū)動晶體管的導(dǎo)通狀況，第二開關(guān)晶體管處于截止?fàn)顟B(tài)，第 三開關(guān)晶體管導(dǎo)通，有機(jī)發(fā)光二極管透過驅(qū)動晶體管及第三開關(guān)晶體管從電流感測線抽取 電流。另外，第二開關(guān)晶體管與第三開關(guān)晶體管的柵極控制信號互為反相。進(jìn)一步地，選定 像素更包括補(bǔ)償電容，電性耦接至驅(qū)動晶體管的第二源/漏極與有機(jī)發(fā)光二極管的負(fù)極之 間。 本發(fā)明再一實(shí)施例提出的一種像素電路，適用于主動式矩陣有機(jī)發(fā)光二極管，主 動式矩陣有機(jī)發(fā)光二極管包括數(shù)據(jù)線、電流感測線及電源線；像素電路包括驅(qū)動晶體管、 第一開關(guān)晶體管、第二開關(guān)晶體管、第三開關(guān)晶體管、儲存電容及有機(jī)發(fā)光二極管。其中，第 一開關(guān)晶體管的第一源/漏極電性耦接至驅(qū)動晶體管的柵極，第一開關(guān)晶體管的第二源/漏極電性耦接至數(shù)據(jù)線；第二開關(guān)晶體管的第一源/漏極電性耦接至驅(qū)動晶體管的第二源 /漏極，第二開關(guān)晶體管的第二源/漏極電性耦接至電源線；第三開關(guān)晶體管的第一源/漏 極電性耦接至驅(qū)動晶體管的第二源/漏極，第三開關(guān)晶體管的第二源/漏極電性耦接至電 流感測線；儲存電容依據(jù)驅(qū)動晶體管的種類而電性耦接于驅(qū)動晶體管的柵極與第一源/漏 極和第二源/漏極中的相應(yīng)者之間；有機(jī)發(fā)光二極管的正極電性耦接至驅(qū)動晶體管的第一 源/漏極，有機(jī)發(fā)光二極管的負(fù)極電性耦接至預(yù)設(shè)電位。再者，在主動式矩陣有機(jī)發(fā)光二極 管顯示器的工作過程中，第二開關(guān)晶體管與第三開關(guān)晶體管的導(dǎo)通/截止?fàn)顟B(tài)決定有機(jī)發(fā) 光二極管從電流感測線與電源線中的何者抽取電流。另外，第二開關(guān)晶體管與第三開關(guān)晶 體管的柵極控制信號互為反相。進(jìn)一步地，像素電路更包括補(bǔ)償電容，電性耦接至驅(qū)動晶體 管的第二源/漏極與有機(jī)發(fā)光二極管的負(fù)極之間。 本發(fā)明又一實(shí)施例提出的一種數(shù)據(jù)電流寫入方法，適于執(zhí)行于主動式矩陣有機(jī)發(fā)
光二極管，主動式矩陣有機(jī)發(fā)光二極管包括數(shù)據(jù)線、電流感測線、電源線以及電性耦接至數(shù)
據(jù)線、電流感測線及電源線的多個像素；數(shù)據(jù)電流寫入方法包括步驟在數(shù)據(jù)電流寫入過
程中，致能上述像素中的選定像素從電流感測線抽取電流；以及當(dāng)數(shù)據(jù)電流寫入完畢后，將
選定像素切換至從電源線抽取電流。進(jìn)一步地，數(shù)據(jù)電流寫入方法更可包括步驟在數(shù)據(jù)電
流寫入過程中，上述像素中其余的未選定像素從電源線抽取電流而發(fā)光。 本發(fā)明上述實(shí)施例利用分開設(shè)置的電流感測線與電源線分別作電流感測與電源
電壓提供之用，使得在對某一選定像素進(jìn)行數(shù)據(jù)電流寫入以補(bǔ)償其像素電流時，允許選定
像素從電流感測線抽取電流而其余處于發(fā)光狀態(tài)的未選定像素則從電源線抽取電流，從而
可讓欲補(bǔ)償?shù)碾娏髦涣鬟^選定像素，避免其余未選定的發(fā)光像素影響到補(bǔ)償準(zhǔn)確度；因此，
本發(fā)明實(shí)施例可有效增加欲補(bǔ)償像素的電流補(bǔ)償準(zhǔn)確度。另外，藉由于像素電路中增設(shè)補(bǔ)
償電容，可有效補(bǔ)償內(nèi)阻電壓降(IR drop)造成的影響。 為讓本發(fā)明的上述和其他目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能更明顯易懂，下文特舉較佳實(shí)施例， 并配合所附圖式，作詳細(xì)說明如下。


圖1為現(xiàn)有的主動式矩陣有機(jī)發(fā)光二極管顯示器的局部電路圖。圖2為本發(fā)明實(shí)施例的一種主動式矩陣有機(jī)發(fā)光二極管顯示器的局部電路圖。圖3為本發(fā)明實(shí)施例的另一種主動式矩陣有機(jī)發(fā)光二極管顯示器的局部電路圖。主要元件符號說明20 :主動式矩陣有機(jī)發(fā)光二極管顯示器21 :控制電路211 :電源/感測模塊213 :數(shù)據(jù)調(diào)整模塊22 :數(shù)據(jù)線23 :像素232 :有機(jī)發(fā)光二極管24 :電流線Vdd :電源電壓
Vcol :定電壓Msense、 Msource :晶體管MS1、MS2 :開關(guān)晶體管CS1、CS2 :電容Ampl、Amp2 :放大器nc :節(jié)點(diǎn)I data :數(shù)據(jù)電流M21 :驅(qū)動晶體管M22 :開關(guān)晶體管Cs :儲存電容10 :主動式矩陣有機(jī)發(fā)光二極管顯示器11 :控制電路12 :數(shù)據(jù)線14 :電流感測線16 :電源線17 :有機(jī)發(fā)光二極管Vdata:特定數(shù)據(jù)電壓P1、P2、P3 :像素Mil :驅(qū)動晶體管M12、M13、M14 :開關(guān)晶體管Cb :補(bǔ)償電容
具體實(shí)施例方式
為使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚明白，下面結(jié)合說明書附圖對本發(fā) 明實(shí)施例進(jìn)行進(jìn)一步詳細(xì)說明。在此，本發(fā)明的示意性實(shí)施例及其說明用于解釋本發(fā)明，但 并不作為對本發(fā)明的限定。 參考圖2，其示出相關(guān)于本發(fā)明實(shí)施例的一種主動式矩陣有機(jī)發(fā)光二極管顯示器 的局部電路圖。圖2中僅示出一列像素中的多個像素以作為舉例，但并非用來限制本發(fā)明； 本領(lǐng)域技術(shù)人員可以理解的是，主動式矩陣有機(jī)發(fā)光二極管顯示器通常包括大量呈矩陣方 式(例如，行列方式)排列的像素。 如圖2所示，主動式矩陣有機(jī)發(fā)光二極管顯示器IO包括控制電路11、數(shù)據(jù)線12、 電流感測線14、電源線16以及多個像素P1， P2及P3。像素P1， P2及P3均電性耦接至數(shù) 據(jù)線12、電流感測線14及電源線16 ;數(shù)據(jù)線12及電流感測線14電性耦接至控制電路11。 其中，控制電路ll的具體電路可與圖1中的控制電路21相同，其可同樣包括電源/感測模 塊211及數(shù)據(jù)調(diào)整模塊213 ;相應(yīng)地，數(shù)據(jù)線12及電流感測線14與控制電路11的電連接 關(guān)系可與圖1中數(shù)據(jù)線22及電流線24與控制電路21的電連接關(guān)系相同；因此，控制電路 ll可依據(jù)內(nèi)部感測到的電壓變化(例如，圖1中節(jié)點(diǎn)nc上的電壓變化)對選定像素的像素 電流進(jìn)行補(bǔ)償。 像素P1， P2及P3配置為四晶體管一電容(4T1C)的電路結(jié)構(gòu)且包括驅(qū)動晶體管
8M11、開關(guān)晶體管M12， M13及M14、以及有機(jī)發(fā)光二極管17。更具體地，開關(guān)晶體管M12的 漏極電性耦接至數(shù)據(jù)線12，開關(guān)晶體管M12的源極電性耦接至驅(qū)動晶體管Mll的柵極；開 關(guān)晶體管M13的漏極電性耦接至電源線16，開關(guān)晶體管M13的源極電性耦接至驅(qū)動晶體管 Mil的漏極；開關(guān)晶體管M14的漏極電性耦接至電流感測線14，開關(guān)晶體管M14的源極電性 耦接至驅(qū)動晶體管Mll的漏極；驅(qū)動晶體管Mll的源極電性耦接至有機(jī)發(fā)光二極管17的正 極，有機(jī)發(fā)光二極管17的負(fù)極電性耦接至預(yù)設(shè)電位例如，接地電位。儲存電容Cs系依據(jù)驅(qū) 動晶體管Mll的種類而電性耦接于驅(qū)動晶體管Mll的柵極與源極和漏極中的相應(yīng)者之間， 例如圖2中的驅(qū)動晶體管Mll為P型晶體管，則儲存電容Cs電性耦接于驅(qū)動晶體管Mll的 柵極與漏極之間。 在主動式矩陣有機(jī)發(fā)光二極管顯示器10處于工作狀態(tài)下，在數(shù)據(jù)電流Idata寫入 某一選定像素(例如像素P1)以對選定像素進(jìn)行電流補(bǔ)償?shù)倪^程中，選定像素P1被致能從 電流感測線14抽取電流，控制電路11檢測電流感測線14上的抽取電流并依據(jù)從電流感測 線14上的抽取電流變化產(chǎn)生特定數(shù)據(jù)電壓Vdata至數(shù)據(jù)線12并由數(shù)據(jù)線12提供至選定 像素P1直至從電流感測線14的抽取電流與數(shù)據(jù)電流Idata相匹配，其余未選定像素P2及 P3則從電源線16抽取電流而發(fā)光，進(jìn)而完成對選定像素Pl的像素電流的補(bǔ)償。當(dāng)數(shù)據(jù)電 流Idata寫入完畢后，選定像素Pl將被切換至從電源線16抽取電流而發(fā)光。
更具體地，在數(shù)據(jù)電流Idata寫入選定像素Pl的過程中，選定像素P1的開關(guān)晶體 管M12導(dǎo)通以致于控制電路ll產(chǎn)生并由數(shù)據(jù)線12提供的特定數(shù)據(jù)電壓Vdata透過開關(guān)晶 體管M12存儲于儲存電容Cs并控制驅(qū)動晶體管Mll的導(dǎo)通狀況(亦即，流過驅(qū)動晶體管M11 的電流大小系隨著特定數(shù)據(jù)電壓Vdata的改變而改變)，選定像素Pl的開關(guān)晶體管M13處 于截止?fàn)顟B(tài)且開關(guān)晶體管M14導(dǎo)通，從而選定像素P1的有機(jī)發(fā)光二極管17透過驅(qū)動晶體 管Mil及開關(guān)晶體管M14從電流感測線14抽取電流；而對于未選定像素P2及P3，開關(guān)晶 體管M12及M14處于截止?fàn)顟B(tài)且開關(guān)晶體管M13導(dǎo)通，從而未選定像素P2及P2的有機(jī)發(fā) 光二極管17透過驅(qū)動晶體管Mil及開關(guān)晶體管M13從電源線16抽取電流而發(fā)光。
由上可知，開關(guān)晶體管M14與M13的導(dǎo)通/截止?fàn)顟B(tài)決定有機(jī)發(fā)光二極管17從電 流感測線14與電源線16中的何者抽取電流，開關(guān)晶體管M13與M14的柵極控制信號互為 反相。另，開關(guān)晶體管M12可透過行掃描線(圖中未繪示)來控制其導(dǎo)通/截止?fàn)顟B(tài)。
另外，因?yàn)橛袡C(jī)發(fā)光二極管17為電流驅(qū)動元件，由電源線16提供電源電壓的情況 下會因電源線16上流有電流，加上整條電源線16上的雜散電阻效應(yīng)，內(nèi)阻(IR， internal resistance)會造成電源電壓Vdd的下降，導(dǎo)致驅(qū)動晶體管Mil的柵極-源極間電壓(Vgs) 與預(yù)期有所差異，在大尺寸顯示面板其內(nèi)阻電壓降(IR drop，亦稱電源電壓降)尤為嚴(yán)重。
為有效補(bǔ)償內(nèi)阻電壓降造成的影響，參見圖3，本發(fā)明實(shí)施例的主動式矩陣有機(jī)發(fā) 光二極管顯示器10的各個像素Pl， P2及P3還可進(jìn)一步包括補(bǔ)償電容Cb，補(bǔ)償電容Cb電 性耦接于驅(qū)動晶體管Mll的漏極與有機(jī)發(fā)光二極管17的負(fù)極之間。在此，像素P1， P2及 P3配置為4T2C電路結(jié)構(gòu)，透過增設(shè)補(bǔ)償電容Cb來記憶內(nèi)阻電壓降造成的電源線16上的電 壓差異，在數(shù)據(jù)電流Idata寫入過程中，藉由控制電路ll內(nèi)部感測到的電壓變化(相關(guān)于 從電流感測線14抽取的電流大小變化)及內(nèi)部的補(bǔ)償效應(yīng)，調(diào)整特定數(shù)據(jù)電壓Vdata的大 小，達(dá)到補(bǔ)償內(nèi)阻電壓降的效果。 綜上所述，本發(fā)明上述實(shí)施例利用分開設(shè)置的電流感測線與電源線分別作電流感測與電源電壓提供之用，使得在對某一選定像素進(jìn)行數(shù)據(jù)電流寫入以補(bǔ)償其像素電流時， 允許選定像素從電流感測線抽取電流而其余處于發(fā)光狀態(tài)的未選定像素則從電源線抽取 電流，從而可讓欲補(bǔ)償?shù)碾娏髦涣鬟^選定像素，避免其余未選定的發(fā)光像素影響到補(bǔ)償準(zhǔn) 確度；因此，本發(fā)明實(shí)施例可有效增加欲補(bǔ)償像素的電流補(bǔ)償準(zhǔn)確度。另外，透過于各個像 素電路中增設(shè)補(bǔ)償電容，可有效補(bǔ)償內(nèi)阻電壓降造成的影響。 此外，任何熟習(xí)此技藝者還可對本發(fā)明實(shí)施例提出的主動式矩陣有機(jī)發(fā)光二極管
顯示器做適當(dāng)變更，例如適當(dāng)變更控制電路的電路結(jié)構(gòu)、各個像素的電路結(jié)構(gòu)、各個晶體管
的種類(P型或N型)、將各個晶體管的源極與漏極的電連接關(guān)系互換等等。 雖然本發(fā)明已以較佳實(shí)施例揭露如上，然其并非用以限定本發(fā)明，任何熟習(xí)此技
藝者，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，當(dāng)可作些許的更動與潤飾，因此本發(fā)明的保護(hù)范圍
當(dāng)視權(quán)利要求所界定者為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
一種主動式矩陣有機(jī)發(fā)光二極管顯示器，其特征在于，所述的主動式矩陣有機(jī)發(fā)光二極管顯示器包括一數(shù)據(jù)線；一電流感測線；一電源線；以及多個像素，電性耦接至所述的數(shù)據(jù)線、所述的電流感測線及所述的電源線；其中，在一數(shù)據(jù)電流寫入所述像素中之一選定像素的過程中，所述的選定像素從所述的電流感測線抽取電流，所述的數(shù)據(jù)線依據(jù)從所述的電流感測線的所述的抽取電流提供特定數(shù)據(jù)電壓至所述的選定像素直至從所述的電流感測線的所述的抽取電流與所述的數(shù)據(jù)電流相匹配，且所述的像素中其余的未選定像素則所述的電源線抽取電流而發(fā)光。
2. 如權(quán)利要求1所述的主動式矩陣有機(jī)發(fā)光二極管顯示器，其特征在于，所述的選定 像素包括一驅(qū)動晶體管；一第一開關(guān)晶體管，所述的第一開關(guān)晶體管的第一源/漏極電性耦接至所述的驅(qū)動晶 體管的柵極，所述的第一開關(guān)晶體管的第二源/漏極電性耦接至所述的數(shù)據(jù)線；一第二開關(guān)晶體管，所述的第二開關(guān)晶體管的第一源/漏極電性耦接至所述的驅(qū)動晶 體管的第二源/漏極，所述的第二開關(guān)晶體管的第二源/漏極電性耦接至所述的電源線；一第三開關(guān)晶體管，所述的第三開關(guān)晶體管的第一源/漏極電性耦接至所述的驅(qū)動晶 體管的所述的第二源/漏極，所述的第三開關(guān)晶體管的第二源/漏極電性耦接至所述的電 流感測線；一儲存電容；以及一有機(jī)發(fā)光二極管，所述的有機(jī)發(fā)光二極管的正極電性耦接至所述的驅(qū)動晶體管的第 一源/漏極，所述的有機(jī)發(fā)光二極管的負(fù)極電性耦接至一預(yù)設(shè)電位；其中，在所述的數(shù)據(jù)電流寫入所述的選定像素的過程中，所述的第一開關(guān)晶體管導(dǎo)通 以致于所述的特定數(shù)據(jù)電壓存儲于所述的儲存電容并控制所述的驅(qū)動晶體管的導(dǎo)通狀況， 所述的第二開關(guān)晶體管處于截止?fàn)顟B(tài)，所述的第三開關(guān)晶體管導(dǎo)通，所述的有機(jī)發(fā)光二極 管透過所述的驅(qū)動晶體管及所述的第三開關(guān)晶體管從所述的電流感測線抽取電流。
3. 如權(quán)利要求2所述的主動式矩陣有機(jī)發(fā)光二極管顯示器，其特征在于，所述的選定 像素還包括一補(bǔ)償電容，所述的補(bǔ)償電容電性耦接至所述的驅(qū)動晶體管的所述的第二源/ 漏極與所述的有機(jī)發(fā)光二極管的所述的負(fù)極之間。
4. 如權(quán)利要求2所述的主動式矩陣有機(jī)發(fā)光二極管顯示器，其特征在于，所述的第二 開關(guān)晶體管與所述的第三開關(guān)晶體管的柵極控制信號互為反相。
5. —種像素電路，適用于一主動式矩陣有機(jī)發(fā)光二極管顯示器，所述的主動式矩陣有 機(jī)發(fā)光二極管顯示器包括一數(shù)據(jù)線、 一 電流感測線及一 電源線，其特征在于，所述的像素電 路包括一驅(qū)動晶體管；一第一開關(guān)晶體管，所述的第一開關(guān)晶體管的第一源/漏極電性耦接至所述的驅(qū)動晶 體管的柵極，所述的第一開關(guān)晶體管的第二源/漏極電性耦接至所述的數(shù)據(jù)線；一第二開關(guān)晶體管，所述的第二開關(guān)晶體管的第一源/漏極電性耦接至所述的驅(qū)動晶體管的第二源/漏極，所述的第二開關(guān)晶體管的第二源/漏極電性耦接至所述的電源線；一第三開關(guān)晶體管，所述的第三開關(guān)晶體管的第一源/漏極電性耦接至所述的驅(qū)動晶 體管的所述的第二源/漏極，所述的第三開關(guān)晶體管的第二源/漏極電性耦接至所述的電 流感測線；一儲存電容，所述的儲存電容依據(jù)所述的驅(qū)動晶體管的種類而電性耦接于所述的驅(qū)動 晶體管的所述的柵極與所述的第一源/漏極和所述的第二源/漏極中之一相應(yīng)者之間；以 及一有機(jī)發(fā)光二極管，所述的有機(jī)發(fā)光二極管的正極電性耦接至所述的驅(qū)動晶體管的第 一源/漏極，所述的有機(jī)發(fā)光二極管的負(fù)極電性耦接至一預(yù)設(shè)電位；在所述的主動式矩陣有機(jī)發(fā)光二極管顯示器的工作過程中，所述的第二開關(guān)晶體管與 所述的第三開關(guān)晶體管的導(dǎo)通/截止?fàn)顟B(tài)決定所述的有機(jī)發(fā)光二極管從所述的電流感測 線與所述的電源線中的何者抽取電流。
6. 如權(quán)利要求5所述的像素電路，其特征在于，所述的像素電路還包括一補(bǔ)償電容，所 述的補(bǔ)償電容電性耦接至所述的驅(qū)動晶體管的所述的第二源/漏極與所述的有機(jī)發(fā)光二 極管的所述的負(fù)極之間。
7. 如權(quán)利要求5所述的像素電路，其特征在于，所述的第二開關(guān)晶體管與所述的第三 開關(guān)晶體管的柵極控制信號互為反相。
8. —種數(shù)據(jù)電流寫入方法，執(zhí)行于一主動式矩陣有機(jī)發(fā)光二極管顯示器，所述的主動 式矩陣有機(jī)發(fā)光二極管顯示器包括一數(shù)據(jù)線、一電流感測線、一電源線及多個像素，所述的 像素電性耦接至所述的數(shù)據(jù)線、所述的電流感測線及所述的電源線；其特征在于，所述的數(shù) 據(jù)電流寫入方法包括步驟在一數(shù)據(jù)電流寫入過程中，致能所述的像素中之一選定像素從所述的電流感測線抽取 電流；以及當(dāng)所述的數(shù)據(jù)電流寫入完畢后，將所述的選定像素切換至從所述的電源線抽取電流。
9. 如權(quán)利要求8所述的數(shù)據(jù)電流寫入方法，其特征在于，所述的數(shù)據(jù)電流寫入方法還 包括步驟在所述的數(shù)據(jù)電流寫入過程中，所述的像素中其余的未選定像素從所述的電源 線抽取電流。
10. 如權(quán)利要求8所述的數(shù)據(jù)電流寫入方法，其特征在于，所述的選定像素包括一驅(qū) 動晶體管、一第一開關(guān)晶體管、一第二開關(guān)晶體管、一第三開關(guān)晶體管、一儲存電容及一有 機(jī)發(fā)光二極管，所述的數(shù)據(jù)電流寫入方法包括步驟使所述的驅(qū)動晶體管的柵極電性耦接至所述的第一開關(guān)晶體管的第一源/漏極，所述 的驅(qū)動晶體管的第一源/漏極電性耦接至所述的有機(jī)發(fā)光二極管的正極，所述的驅(qū)動晶體 管的第二源/漏極電性耦接至所述的第二開關(guān)晶體管與所述的第三開關(guān)晶體管的第一源/ 漏極；使所述的第一開關(guān)晶體管、所述的第二開關(guān)晶體管及所述的第三開關(guān)晶體管的第二源 /漏極分別電性耦接至所述的數(shù)據(jù)線、所述的電源線及所述的電流感測線； 使所述的有機(jī)發(fā)光二極管的負(fù)極電性耦接至一預(yù)設(shè)電位；使所述的儲存電容依據(jù)所述的驅(qū)動晶體管的種類而電性耦接于所述的驅(qū)動晶體管的 所述的柵極與所述的第一源/漏極和所述的第二源/漏極中之一相應(yīng)者之間；以及在所述的數(shù)據(jù)電流寫入過程中，致能所述的選定像素從所述的電流感測線抽取電流的 步驟包括導(dǎo)通所述的第一開關(guān)晶體管及所述的第三開關(guān)晶體管并截止所述的第二開關(guān)晶 體管，以及所述的數(shù)據(jù)線依據(jù)從所述的電流感測線的所述的抽取電流提供特定數(shù)據(jù)電壓至所述的選定像素的所述的驅(qū)動晶體管的柵極直至從所述的電流感測線的所述的抽取電流 與所述的數(shù)據(jù)電流相匹配。
11.如權(quán)利要求8所述的數(shù)據(jù)電流寫入方法，其特征在于，所述的選定像素包括一驅(qū) 動晶體管、一第一開關(guān)晶體管、一第二開關(guān)晶體管、一第三開關(guān)晶體管、一儲存電容、一有機(jī) 發(fā)光二極管及一補(bǔ)償電容，所述的數(shù)據(jù)電流寫入方法包括步驟使所述的驅(qū)動晶體管的柵極電性耦接至所述的第一開關(guān)晶體管的第一源/漏極，所述 的驅(qū)動晶體管的第一源/漏極電性耦接至所述的有機(jī)發(fā)光二極管的正極，所述的驅(qū)動晶體 管的第二源/漏極電性耦接至所述的第二開關(guān)晶體管與所述的第三開關(guān)晶體管的第一源/ 漏極；使所述的第一開關(guān)晶體管、所述的第二開關(guān)晶體管及所述的第三開關(guān)晶體管的第二源 /漏極分別電性耦接至所述的數(shù)據(jù)線、所述的電源線及所述的電流感測線； 使所述的有機(jī)發(fā)光二極管的負(fù)極電性耦接至一預(yù)設(shè)電位；使所述的儲存電容依據(jù)所述的驅(qū)動晶體管的種類而選擇性地電性耦接于所述的驅(qū)動 晶體管的所述的柵極與所述的第一源/漏極和所述的第二源/漏極中之一相應(yīng)者之間；使所述的補(bǔ)償電容電性耦接于所述的驅(qū)動晶體管的所述的第二源/漏極與所述的有 機(jī)發(fā)光二極管的所述的負(fù)極之間；以及在所述的數(shù)據(jù)電流寫入過程中，致能所述的選定像素從所述的電流感測線抽取電流的 步驟包括導(dǎo)通所述的第一開關(guān)晶體管及所述的第三開關(guān)晶體管并截止所述的第二開關(guān)晶 體管，以及所述的數(shù)據(jù)線依據(jù)從所述的電流感測線的所述的抽取電流提供特定數(shù)據(jù)電壓至所述的選定像素的所述的驅(qū)動晶體管的柵極直至從所述的電流感測線的所述的抽取電流 與所述的數(shù)據(jù)電流相匹配。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種有機(jī)發(fā)光二極管顯示器、像素電路及數(shù)據(jù)電流寫入方法，所述有機(jī)發(fā)光二極管顯示器包括數(shù)據(jù)線、電流感測線、電源線以及電性耦接至數(shù)據(jù)線、電流感測線及電源線的多個像素。其中，在數(shù)據(jù)電流寫入上述像素中的選定像素的過程中，選定像素從電流感測線抽取電流，數(shù)據(jù)線依據(jù)從電流感測線的抽取電流提供特定數(shù)據(jù)電壓至選定像素直至從電流感測線的抽取電流與數(shù)據(jù)電流相匹配，且上述像素中其余的未選定像素則從電源線抽取電流。本發(fā)明還提供適用于上述主動式矩陣有機(jī)發(fā)光二極管顯示器的像素電路及數(shù)據(jù)電流寫入方法。
文檔編號G09G3/32GK101697268SQ200910176678
公開日2010年4月21日 申請日期2009年9月24日 優(yōu)先權(quán)日2009年9月24日
發(fā)明者張立勛, 李佳佑, 蔡子健 申請人:友達(dá)光電股份有限公司;