專利名稱：一種帶可調(diào)輸入電阻的lvds接收電路的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明屬于集成電路技術(shù)領(lǐng)域，尤其是涉及一種帶可調(diào)輸入電阻的LVDS接收電 路。
背景技術(shù)：
隨著微處理器速度的不斷提高，在一些大的系統(tǒng)中比如無線通信網(wǎng)絡(luò)系統(tǒng)中對(duì)數(shù) 據(jù)轉(zhuǎn)換芯片的數(shù)據(jù)傳輸能力要求在不斷提高。同時(shí)隨著CMOS工藝的發(fā)展，使得芯片內(nèi)部的 工作的頻率越來越高，因此需要實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)在芯片與芯片或與外部數(shù)據(jù)源之間的高速傳輸。 通過采用LVDS格式的信號(hào)能夠有效地進(jìn)行高速的數(shù)據(jù)傳輸，但是由于芯片內(nèi)部處理的只 能是CMOS形式的信號(hào)數(shù)據(jù)格式，所以需要采用LVDS接口電路來實(shí)現(xiàn)兩者之間的格式轉(zhuǎn)換。
進(jìn)行數(shù)據(jù)傳輸可以選擇的數(shù)據(jù)傳輸方式有基本的CMOS信號(hào)傳輸方式、 ECL(Emitter Couple Logic)傳輸方式、LVDS信號(hào)傳輸方式。它們的特點(diǎn)分別是CM0S信 號(hào)傳輸所需要的管腳少，即一路信號(hào)只需要一個(gè)管腳，同時(shí)其不需要相對(duì)應(yīng)的編碼和解碼 的電路，使用起來方便。但是COMS信號(hào)的對(duì)電路的干擾大，尤其是在高頻的情況下。ECL 傳輸方式需要的管腳小，該數(shù)據(jù)傳輸方式速度快，驅(qū)動(dòng)能力強(qiáng)、且噪聲小。但是缺點(diǎn)是功耗 大和需要負(fù)電源。LVDS的傳輸方式需要相應(yīng)的解碼和譯碼電路，而且傳輸一路信號(hào)需要兩 個(gè)管腳，但是它有著高的傳輸能力、低噪聲、低功耗、集成能力強(qiáng)的優(yōu)點(diǎn)，因此非常適用于高 頻、高速的傳輸環(huán)境下。該方法提出了一種新的用于LVDS信號(hào)接收電路結(jié)構(gòu)，而且實(shí)現(xiàn)也 相對(duì)比較簡(jiǎn)單。 傳統(tǒng)的LVDS接收電路存在的問題是內(nèi)部為固定且不可調(diào)的100 Q輸入電阻，這 樣存在的問題是當(dāng)芯片在使用時(shí)不能根據(jù)外部條件進(jìn)行相應(yīng)的調(diào)節(jié)，如當(dāng)要考慮PCB走線 電阻，尤其是在高速的情況下，這種輸入的阻抗匹配功能顯得尤為重要。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于克服現(xiàn)有技術(shù)的上述不足，提供一種帶可調(diào)輸入電阻的LVDS 接收電路，可以對(duì)接收電路的輸入阻抗進(jìn)行一定范圍的手動(dòng)或者自動(dòng)調(diào)節(jié)，能在高頻的情 況下實(shí)現(xiàn)阻抗匹配，減少信號(hào)的反射、增大電路的應(yīng)用范圍。
本發(fā)明的上述目的是通過如下技術(shù)方案予以實(shí)現(xiàn)的 —種帶可調(diào)輸入電阻的LVDS接收電路，由ESD保護(hù)模塊、可調(diào)匹配電阻模塊和信 號(hào)轉(zhuǎn)換模塊組成，其中ESD保護(hù)模塊由二極管Dl、 D2、 D3、 D4、 D5、 D6和電阻Rl、 R2、 R3、 R4 組成，二極管Dl的正端接地，負(fù)端接信號(hào)I_in+的輸入端，二極管D4的正端接地，負(fù)端接信 號(hào)I」n_的輸入端，二極管D2的正端接信號(hào)I」n+的輸入端，負(fù)端接電源VDD， 二極管D5的 正端接信號(hào)I」n_的輸入端，負(fù)端接電源VDD，電阻Rl的一端接電源VDD，另一端接信號(hào)I_ in+的輸入端，電阻R3的一端接電源VDD，另一端接信號(hào)I_in_的輸入端，電阻R2的一端接 信號(hào)I」n+的輸入端，另一端接二極管D3的正端和信號(hào)轉(zhuǎn)換模塊的一個(gè)輸入端，二極管D3 的負(fù)端接電源VDD，電阻R4的一端接信號(hào)I_in_的輸入端，另一端接二極管D6的正端和信
3號(hào)轉(zhuǎn)換模塊的另一個(gè)輸入端，二極管D6的負(fù)端接電源VDD ;可調(diào)匹配電阻模塊的兩個(gè)輸出端分別接輸入信號(hào)I_in+與I_in_的輸入端，并且可調(diào)匹配電阻模塊由n個(gè)并聯(lián)電路組成，其中前n-l個(gè)并聯(lián)電路中每個(gè)并聯(lián)電路包括兩個(gè)電阻和連接在兩個(gè)電阻之間的一個(gè)開關(guān)，第n個(gè)并聯(lián)電路僅包括一個(gè)初始電阻RO，輸入外部控制信號(hào)的n-1個(gè)輸入控制端分別控制所述前n-1個(gè)并聯(lián)電路中的n-1個(gè)開關(guān)，
n為正整數(shù)。 在上述帶可調(diào)輸入電阻的LVDS接收電路中，可調(diào)匹配電阻模塊每個(gè)并聯(lián)電路中的開關(guān)為NMOS開關(guān)或PMOS開關(guān)中的一個(gè)。 在上述帶可調(diào)輸入電阻的LVDS接收電路中，可調(diào)匹配電阻模塊每個(gè)并聯(lián)電路中
的開關(guān)由NMOS開關(guān)和PMOS開關(guān)共同組成，NMOS開關(guān)和PM0S開關(guān)同時(shí)導(dǎo)通或關(guān)斷，所述n-l
個(gè)輸入控制端中的每一個(gè)控制端分為兩路， 一路與所述NMOS開關(guān)直接連接，另外一路經(jīng)反
向器后與所述PMOS開關(guān)連接，其中NMOS開關(guān)與PMOS開關(guān)的位置可以互換。在上述帶可調(diào)輸入電阻的LVDS接收電路中，二極管Dl與D4構(gòu)成對(duì)地的保護(hù)，二
極管D2、 D3、 D5、 D6和電阻Rl、 R2、 R3、 R4起到限流保護(hù)和對(duì)電源的ESD保護(hù)。 在上述帶可調(diào)輸入電阻的LVDS接收電路中，可調(diào)匹配電阻模塊前n-l個(gè)并聯(lián)電路
中每一個(gè)并聯(lián)電路的兩個(gè)電阻的阻值相等，設(shè)第一路電阻為R，則第二路、第三路......第
n-1路中電阻的阻值依次為2R、4R......2n—力， n為正整數(shù)。 本發(fā)明與現(xiàn)有技術(shù)相比的有益效果是 (1)本發(fā)明LVDS接收電路中由于采用可調(diào)匹配電阻模塊，可以通過向各個(gè)輸入控制端輸入控制信號(hào)，選擇不同的輸入電阻產(chǎn)生合適的電壓提供給下一級(jí)恢復(fù)比較器，由于輸入電阻可調(diào)，通過選擇不同的電阻，可以使接收電路在不同的輸入電流下正常工作，在高頻情況下實(shí)現(xiàn)阻抗匹配，減少信號(hào)的反射，同時(shí)也可以更好地實(shí)現(xiàn)阻抗匹配并為下一級(jí)比較器提供適當(dāng)?shù)碾妷阂员闫涓玫倪M(jìn)行數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換； (2)本發(fā)明LVDS接收電路由于加入可調(diào)匹配電阻模塊，可以對(duì)接收電路的輸入阻抗進(jìn)行一定范圍的手動(dòng)或者自動(dòng)調(diào)節(jié)，這樣能允許不同范圍的輸入信號(hào)，增大電路的應(yīng)用范圍、減少接收電路對(duì)輸入信號(hào)的硬性要求，同時(shí)也適合重復(fù)利用，減少對(duì)LVDS接收電路的反復(fù)設(shè)計(jì)。 (3)本發(fā)明LVDS接收電路的整個(gè)電路為對(duì)稱結(jié)構(gòu)，能夠在后期的版圖設(shè)計(jì)和布局時(shí)充分利用對(duì)稱性來減少失調(diào)誤差，使整個(gè)電路模塊可以當(dāng)成一個(gè)獨(dú)立功能單元應(yīng)用于各種大的系統(tǒng)設(shè)計(jì)。


圖1為本發(fā)明帶可調(diào)輸入電阻的LVDS接收電路的結(jié)構(gòu)示意圖。 圖2為本發(fā)明LVDS接收電路中可調(diào)匹配電阻模塊結(jié)構(gòu)示意圖； 圖3為本發(fā)明LVDS接收電路中可調(diào)匹配電阻模塊的具體電路結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)圖； 圖4為本發(fā)明當(dāng)控制信號(hào)C2^C。 = 000時(shí)可調(diào)匹配電阻模塊等效電路圖； 圖5為本發(fā)明當(dāng)控制信號(hào)= 001時(shí)可調(diào)匹配電阻模塊等效電路圖； 圖6為本發(fā)明當(dāng)控制信號(hào)= 010時(shí)可調(diào)匹配電阻模塊等效電路4
圖7為本發(fā)明當(dāng)控制信號(hào) 圖8為本發(fā)明當(dāng)控制信號(hào)GQC。 圖9為本發(fā)明當(dāng)控制信號(hào)GQC。 圖10為本發(fā)明當(dāng)控制信號(hào) 圖11為本發(fā)明當(dāng)控制信號(hào)
=011時(shí)可調(diào)匹配電阻模塊等效電路圖； =100時(shí)可調(diào)匹配電阻模塊等效電路圖； =101時(shí)可調(diào)匹配電阻模塊等效電路圖； =110時(shí)可調(diào)匹配電阻模塊等效電路圖； =111時(shí)可調(diào)匹配電阻模塊等效電路圖。
具體實(shí)施例方式
下面結(jié)合附圖和具體實(shí)施方式
對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步詳細(xì)的描述 如圖1所示為本發(fā)明帶可調(diào)輸入電阻的LVDS接收電路的結(jié)構(gòu)示意圖，由圖可知可
調(diào)輸入電阻的LVDS接收電路包括二極管和電阻組成的ESD保護(hù)模塊、由選擇開關(guān)和電阻組
成的可調(diào)匹配電阻模塊和由比較器組成的信號(hào)轉(zhuǎn)換模塊，其中輸入的電流信號(hào)Ijn+和I_
in-首先經(jīng)過ESD保護(hù)模塊，然后通可調(diào)匹配電阻模塊轉(zhuǎn)換成相應(yīng)的電壓信號(hào)傳送給下級(jí)
信號(hào)轉(zhuǎn)換模塊。 其中ESD保護(hù)模塊由二極管D1、D2、D3、D4、D5、D6和電阻R1、R2、R3、R4組成，二極 管D1的正端接地，負(fù)端接信號(hào)I_in+的輸入端，二極管D4的正端接地，負(fù)端接信號(hào)I_in_的 輸入端，二極管D2的正端接信號(hào)I_in+的輸入端，負(fù)端接電源VDD，二極管D5的正端接信 號(hào)I」n-的輸入端，負(fù)端接電源VDD ;電阻R1的一端接電源VDD，另一端接信號(hào)I_in+的輸 入端，電阻R3的一端接電源VDD，另一端接信號(hào)I_in_的輸入端，電阻R2的一端接信號(hào)1_ in+的輸入端，另一端接二極管D3的正端和信號(hào)轉(zhuǎn)換模塊的一個(gè)輸入端，二極管D3的負(fù)端 接電源VDD，電阻R4的一端接信號(hào)I_in_的輸入端，另一端接二極管D6的正端和信號(hào)轉(zhuǎn)換 模塊的另一個(gè)輸入端，二極管D6的負(fù)端接電源VDD。 二極管Dl與D4構(gòu)成對(duì)地的保護(hù)，二極管D2、D3、D5、D6和電阻R1、R2、R3、R4起到 限流保護(hù)和對(duì)電源的ESD保護(hù)。 可調(diào)匹配電阻模塊的兩個(gè)輸出端分別接輸入信號(hào)1」n+與I_in_的輸入端，并且 可調(diào)匹配電阻模塊由n個(gè)并聯(lián)電路組成，其中前n-l個(gè)并聯(lián)電路中每個(gè)并聯(lián)電路包括兩個(gè) 電阻和連接在兩個(gè)電阻之間的一個(gè)開關(guān)，開關(guān)可以為NMOS開關(guān)或PMOS開關(guān)中的一個(gè)，第 n個(gè)并聯(lián)電路僅包括一個(gè)初始電阻RO，電阻RO的取值可以任意設(shè)定，接收外部控制信號(hào)的 n-l個(gè)輸入控制端分別控制前n-l個(gè)并聯(lián)電路中的n-l個(gè)開關(guān)，如圖2所示為本發(fā)明LVDS接
收電路中可調(diào)匹配電阻模塊結(jié)構(gòu)示意圖，控制信號(hào)由輸入信號(hào)C^^。......組成，n個(gè)并聯(lián)
電路中第一路包括電阻R5、 R6及兩個(gè)電阻之間的開關(guān)，第二路包括電阻R7、 R8及兩個(gè)電阻
之間的開關(guān)，第三路包括電阻R9、 R10及兩個(gè)電阻之間的開關(guān)......前n-l個(gè)并聯(lián)電路中
每一個(gè)并聯(lián)電路的兩個(gè)電阻的阻值相等，若設(shè)第一路電阻為R，則第二路、第三路......第
n-l路中電阻的阻值依次為2R、4R......2n—t 前n-l個(gè)并聯(lián)電路中每個(gè)并聯(lián)電路中連接在兩個(gè)電阻之間的開關(guān)也可以由NMOS 開關(guān)和PMOS開關(guān)共同組成，NMOS開關(guān)和PMOS開關(guān)同時(shí)導(dǎo)通或關(guān)斷，此時(shí)，n-l個(gè)輸入控制 端中的每一個(gè)控制端分為兩路， 一路與NMOS開關(guān)直接連接，另外一路經(jīng)反向器后與PMOS開 關(guān)連接，其中NMOS開關(guān)與PMOS開關(guān)的位置可以互換，反相器的一端接地，一端接電源VDD， 如圖3為本發(fā)明LVDS接收電路中可調(diào)匹配電阻模塊的具體電路結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)圖，圖中PM0S1的 控制信號(hào)由控制端C。經(jīng)第一反向器后產(chǎn)生，NM0S1的控制信號(hào)由控制端C。直接產(chǎn)生，NM0S1與PM0S1的兩端分別為電阻R5與R6 ;PM0S2的控制信號(hào)由控制端Q經(jīng)第二反向器后產(chǎn)生， NM0S2的控制信號(hào)由控制端Q直接產(chǎn)生，NM0S2與PM0S2的兩端分別為電阻R7與R8 ;PM0S3 的控制信號(hào)由控制端C2經(jīng)第三反向器后產(chǎn)生，NM0S3的控制信號(hào)由控制端C2直接產(chǎn)生， NM0S3與PM0S3的兩端分別為電阻R9與R10...... 當(dāng)可調(diào)匹配電阻模塊的控制信號(hào)為三路GQC。值從000變化至111時(shí)一共可以選 擇8種不同的電阻接入電路，分別如圖(4) 圖(11)所示。 如圖4是當(dāng)控制信號(hào)GQC。 = 000時(shí)可調(diào)電阻模塊接入電路的電阻值，在這種情 況下，控制位C。 = 0，開關(guān)管NM0S1和PM0S1閉合，電阻R5、R6(阻值均為R)接入電路，控制 位& = 0，開關(guān)管NM0S2和PM0S2閉合，電阻R7、 R8 (阻值均為2R)接入電路，控制位C2 = 0，開關(guān)管NM0S3和PM0S3閉合，電阻R9、R10 (阻值均為4R)接入電路，可調(diào)電阻模塊取得的 電阻值為(R5+R6) 〃 (R7+R8) 〃 (R9+R10) 〃R0。 如圖5是當(dāng)控制信號(hào)GQC。 = 001時(shí)可調(diào)電阻模塊接入電路的電阻值，在這種情 況下，控制位C。二 1，開關(guān)管NM0S1和PM0S2斷開，電阻R5、R6(阻值均為R)斷開，控制位Q =0，開關(guān)管NM0S2和PM0S2閉合，電阻R7、 R8(阻值均為2R)接入電路，控制位(:2 = O，開 關(guān)管NM0S3和PM0S3閉合，電阻R9、R10 (阻值均為4R)接入電路，可調(diào)電阻模塊取得的電阻 值為(R7+R8) 〃 (R9+R10) 〃R0。 如圖6是當(dāng)控制信號(hào)GQC。 = 010時(shí)可調(diào)電阻模塊接入電路的電阻值，在這種情 況下，控制位C。 = 0，開關(guān)管NM0S1和PM0S1閉合，電阻R5、R6(阻值均為R)接入電路，控制 位Q = 1，開關(guān)管NM0S2和PM0S2斷開，電阻R7、 R8 (阻值均為2R)斷開，控制位C2 = 0，開 關(guān)管NM0S3和PM0S3閉合，電阻R9、R10 (阻值均為4R)接入電路，可調(diào)電阻模塊取得的電阻 值為(R5+R6) 〃 (R9+R10) 〃R0。 如圖7是當(dāng)控制信號(hào)GQC。 = 011時(shí)可調(diào)電阻模塊接入電路的電阻值，在這種情 況下，控制位C。 = l，開關(guān)管NMOSl和PMOSl斷開，電阻R5、 R6(阻值均為R)斷開，控制位 Q = 1，開關(guān)管NM0S2和PM0S2斷開，電阻R7、 R8 (阻值均為2R)斷開，控制位C2 = 0，開關(guān) 管NM0S3和PM0S3閉合，電阻R9、R10 (阻值均為4R)接入電路，可調(diào)電阻模塊取得的電阻值 為(R9+R10)〃R0。 如圖8是當(dāng)控制信號(hào)GQC。 = 100時(shí)可調(diào)電阻模塊接入電路的電阻值，在這種情 況下，控制位C。 = 0，開關(guān)管NM0S1和PM0S1閉合，電阻R5、R6(阻值均為R)接入電路，控制 位Q = 0，開關(guān)管NM0S2和PM0S2閉合，電阻R7、 R8 (阻值均為2R)接入電路，控制位C2 = 1，開關(guān)管NM0S3和PM0S3斷開，電阻R9、R10 (阻值均為4R)斷開，可調(diào)電阻模塊取得的電阻 值為(R5+R6) 〃 (R7+R8) 〃R0。 如圖9是當(dāng)控制信號(hào)GQC。 = 101時(shí)可調(diào)電阻模塊接入電路的電阻值，在這種情 況下，控制位C。二 1，開關(guān)管NM0S1和PM0S1斷開，電阻R5、R6(阻值均為R)斷開，控制位Q =0，開關(guān)管NM0S2和PM0S2閉合，電阻R7、R8(阻值均為2R)接入電路，控制位(:2 = l，開關(guān) 管NM0S3和PM0S3斷開，電阻R9、 RIO(阻值均為4R)斷開，可調(diào)電阻模塊取得的電阻值為 (R7+R8)〃 (R9+R10)〃R0。 如圖10是當(dāng)控制信號(hào)GQC。 = 110時(shí)可調(diào)電阻模塊接入電路的電阻值，在這種情 況下，控制位C。 = 0，開關(guān)管NM0S1和PM0S1閉合，電阻R5、 R6(阻值均為R)接入電路，控 制位& = 1，開關(guān)管NM0S2和PM0S2斷開，電阻R7、R8(阻值均為2R)斷開，控制位(:2 = 1，開關(guān)管NM0S3和PM0S3斷開，電阻R9、R10 (阻值均為4R)斷開，可調(diào)電阻模塊取得的電阻值 為(R5+R6)〃R0。 如圖11是當(dāng)控制信號(hào)GQC。 =111時(shí)可調(diào)電阻模塊接入電路的電阻值，在這種情 況下，控制位C。二 1，開關(guān)管NM0S1和PM0S1斷開，電阻R5、R6(阻值均為R)斷開，控制位Q =1，開關(guān)管NM0S2和PM0S2斷開，電阻R7、 R8(阻值均為2R)斷開，控制位(:2 = l，開關(guān)管 NM0S3和PM0S3斷開，電阻R9、R10(阻值均為4R)斷開，可調(diào)電阻模塊取得的電阻值為R0。
電流信號(hào)流過可調(diào)匹配電阻模塊，產(chǎn)生適當(dāng)?shù)碾妷核徒o下一級(jí)信號(hào)轉(zhuǎn)換模塊，從 而完成由LVDS信號(hào)向CMOS信號(hào)的轉(zhuǎn)換過程。 本發(fā)明中可調(diào)匹配電阻模塊的并聯(lián)電路的每一路中電阻也可以為兩個(gè)以上，電阻 的阻值也可以不相等。 以上所述，僅為本發(fā)明最佳的具體實(shí)施方式
，但本發(fā)明的保護(hù)范圍并不局限于此， 任何熟悉本技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員在本發(fā)明揭露的技術(shù)范圍內(nèi)，可輕易想到的變化或替換， 都應(yīng)涵蓋在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。 本發(fā)明說明書中未作詳細(xì)描述的內(nèi)容屬于本領(lǐng)域?qū)I(yè)技術(shù)人員的公知技術(shù)。
權(quán)利要求
一種帶可調(diào)輸入電阻的LVDS接收電路，其特征在于由ESD保護(hù)模塊、可調(diào)匹配電阻模塊和信號(hào)轉(zhuǎn)換模塊組成，其中ESD保護(hù)模塊由二極管D1、D2、D3、D4、D5、D6和電阻R1、R2、R3、R4組成，二極管D1的正端接地，負(fù)端接信號(hào)I_in+的輸入端，二極管D4的正端接地，負(fù)端接信號(hào)I_in-的輸入端，二極管D2的正端接信號(hào)I_in+的輸入端，負(fù)端接電源VDD，二極管D5的正端接信號(hào)I_in-的輸入端，負(fù)端接電源VDD，電阻R1的一端接電源VDD，另一端接信號(hào)I_in+的輸入端，電阻R3的一端接電源VDD，另一端接信號(hào)I_in-的輸入端，電阻R2的一端接信號(hào)I_in+的輸入端，另一端接二極管D3的正端和信號(hào)轉(zhuǎn)換模塊的一個(gè)輸入端，二極管D3的負(fù)端接電源VDD，電阻R4的一端接信號(hào)I_in-的輸入端，另一端接二極管D6的正端和信號(hào)轉(zhuǎn)換模塊的另一個(gè)輸入端，二極管D6的負(fù)端接電源VDD；可調(diào)匹配電阻模塊的兩個(gè)輸出端分別接輸入信號(hào)I_in+與I_in-的輸入端，并且可調(diào)匹配電阻模塊由n個(gè)并聯(lián)電路組成，其中前n-1個(gè)并聯(lián)電路中每個(gè)并聯(lián)電路包括兩個(gè)電阻和連接在兩個(gè)電阻之間的一個(gè)開關(guān)，第n個(gè)并聯(lián)電路僅包括一個(gè)初始電阻R0，接收外部控制信號(hào)的n-1個(gè)輸入控制端分別控制所述前n-1個(gè)并聯(lián)電路中的n-1個(gè)開關(guān)；信號(hào)轉(zhuǎn)換模塊由比較器組成，n為正整數(shù)。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種帶可調(diào)輸入電阻的LVDS接收電路，其特征在于所述可 調(diào)匹配電阻模塊每個(gè)并聯(lián)電路中的開關(guān)為NM0S開關(guān)或PM0S開關(guān)中的一個(gè)。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種帶可調(diào)輸入電阻的LVDS接收電路，其特征在于所述 可調(diào)匹配電阻模塊每個(gè)并聯(lián)電路中的開關(guān)由NM0S開關(guān)和PM0S開關(guān)共同組成，NMOS開關(guān)和 PMOS開關(guān)同時(shí)導(dǎo)通或關(guān)斷，所述n-l個(gè)輸入控制端中的每一個(gè)控制端分為兩路，一路與所 述NM0S開關(guān)直接連接，另外一路經(jīng)反向器后與所述PM0S開關(guān)連接，其中NM0S開關(guān)與PM0S 開關(guān)的位置可以互換。
4. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種帶可調(diào)輸入電阻的LVDS接收電路，其特征在于所述二 極管Dl與D4構(gòu)成對(duì)地的保護(hù)，二極管D2、D3、D5、D6和電阻R1、R2、R3、R4起到限流保護(hù)和 對(duì)電源的ESD保護(hù)。
5. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種帶可調(diào)輸入電阻的LVDS接收電路，其特征在于所述可 調(diào)匹配電阻模塊前n-l個(gè)并聯(lián)電路中每一個(gè)并聯(lián)電路的兩個(gè)電阻的阻值相等，設(shè)第一路電 阻為R，則第二路、第三路......第n-l路中電阻的阻值依次為2R、4R......2n—力。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種帶可調(diào)輸入電阻的LVDS接收電路，在標(biāo)準(zhǔn)的LVDS信號(hào)輸入下，LVDS接收電路設(shè)置了ESD保護(hù)模塊、可調(diào)匹配電阻模塊和信號(hào)轉(zhuǎn)換模塊，可調(diào)匹配電阻模塊在一定的輸入電流下，通過接收不同的控制信號(hào)選擇不同的輸入電阻產(chǎn)生合適的電壓提供給下一級(jí)恢復(fù)比較器，由于輸入電阻可調(diào)技術(shù)，通過選擇不同的電阻，可以使該接收器在不同的輸入電流下正常工作。這種技術(shù)既能擴(kuò)大LVDS接收器的應(yīng)用場(chǎng)合，又能在高速信號(hào)輸入的情況實(shí)現(xiàn)阻抗匹配的功能，整個(gè)電路在結(jié)構(gòu)上呈對(duì)稱結(jié)構(gòu)，方便了后端版圖的設(shè)計(jì)工作，整個(gè)電路可以當(dāng)成一個(gè)獨(dú)立的功能模塊應(yīng)用于各種系統(tǒng)中。
文檔編號(hào)G09G5/00GK101751902SQ20091024309
公開日2010年6月23日 申請(qǐng)日期2009年12月24日 優(yōu)先權(quán)日2009年12月24日
發(fā)明者劉福海, 周亮, 孔瀛, 張鐵良, 王宗民, 管海濤, 趙耀華 申請(qǐng)人:北京時(shí)代民芯科技有限公司;中國(guó)航天時(shí)代電子公司第七七二研究所