專利名稱：發(fā)光裝置、其制造方法、電光學裝置和電子儀器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明提供在適用于電致發(fā)光(Electroluminescence,下面稱為"EL")顯示器等 的發(fā)光裝置的構(gòu)造和其制造方法中光利用率極為良好的發(fā)光裝置。
背景技術(shù)：
目前，通過采用有機EL的顯示體，特別是薄膜晶體管(TFT)構(gòu)成的電路驅(qū)動有 機EL層的顯示體是已知的。例如，下田氏等論文(T. Shimoda， H. 0hshima， S. Miyashita， M. Kimura， T. 0zawa， I. Yudasaka， S. Kanbe， H. Kobayashi ， R. H. Friend, J. H. Burroughes and C. R. Towns :Proc. 18thlnt. Display Research Conf. ，Asia Dispaly98， (1998)p. 217)中公 開了在每個象素上形成在玻璃基板上利用低溫聚硅(poly-Si)薄膜晶體管(TFT)的驅(qū)動電 路，進一步依次經(jīng)過配線形成工序、透明電極形成工序、圍堰(bank)層形成工序、空穴注入 層形成工序、有機EL層形成工序、陰極形成工序等，形成有機EL顯示體。
在

圖16和圖17中表示通過上述現(xiàn)有技術(shù)制造的顯示體的構(gòu)成。圖17是通過已 知技術(shù)制造的有機EL顯示體的平面圖，圖16是圖17中表示的平面圖上B-B截斷面(彎曲 截面)上的截面圖。如圖16所示，在玻璃基板1上，依次層壓薄膜晶體管2、配線層3、透明 電極4、圍堰層5、空穴注入層6、有機EL層7和陰極8。 這里，陰極8由不透光的金屬制成，因此，來自有機EL層7的光從形成驅(qū)動電路的 玻璃基板l側(cè)向外透出。即，相對于有機EL層7的驅(qū)動電路側(cè)的面形成顯示面。在這種顯 示體中，由于驅(qū)動電路形成區(qū)域不透光，因此，數(shù)值孔徑降低。即，如圖17所示，無法避開薄 膜晶體管2其配線(電容器2、配線3和9)形成的區(qū)域形成有機EL層。在要求圖像區(qū)域 內(nèi)內(nèi)置存儲等各種電路并提高顯示體的性能和附加值的情況下，或者在要實現(xiàn)高精細的顯 示體的情況下，由于不透光電路部分的面積相對增大，因此，存在其數(shù)值孔徑明顯降低的問 題。 要解決這個問題，必須形成在射出光一側(cè)不存在驅(qū)動電路等的構(gòu)造，S卩，形成陰極 使用透明電極材料或者陰極在驅(qū)動電路側(cè)的構(gòu)造。 但是，陰極使用透明材料是困難的。這是因為有電極材料必須選擇相對于有機EL 層使用的有機EL材料功函數(shù)接近的限制。例如，陽極使用的電極材料必須選擇相對于有機 EL材料的H0M0水平功函數(shù)接近的，陰極使用的電極材料相對于有機EL材料的LUM0水平功 函數(shù)接近。但是，對于用于陰極的、與有機EL材料的LUMO水平接近的透明電極材料，目前 沒有合適的。還考慮將陰極膜厚變得極薄，但是薄的電極層在耐久性和電流容量方面存在 缺點，在可靠性上不優(yōu)選。 另一方面，在將陰極設(shè)置在驅(qū)動電路側(cè)的構(gòu)造時，到目前為止，都需要在形成陰極 之后形成有機EL層，在其上形成空穴注入層。這時，由于需要先于空穴注入層形成有機EL層，因此，有可能在有機EL層上產(chǎn)生膜厚不均勻器和發(fā)光光量不均。而且，由于陰極使用的 材料是鈣等容易氧化的材料，因此，必須形成密閉陰極的構(gòu)造。由此可見，使來自有機EL層 的光從相對于驅(qū)動電路的相反側(cè)射出是困難的。
發(fā)明概要 本發(fā)明基于上述要求，目的在于提供相對于EL層在驅(qū)動電路側(cè)具備陰極層的發(fā) 光裝置。 本發(fā)明的發(fā)光裝置具有第一基體，其具備在第一基板上形成的晶體管；和第二 基體，其配置在具有透光性的第二基板上，并具備包括陰極、陽極和配置在上述陰極與上述 陽極之間的發(fā)光層的有機EL層；該發(fā)光裝置通過貼合上述第一基體與上述第二基體從而 使上述晶體管與上述陰極電連接而構(gòu)成，該發(fā)光裝置還具備第一絕緣膜，其覆蓋上述晶體 管；第一電極，其通過在上述第一絕緣膜上形成的第一貫通孔與上述晶體管連接；第二絕 緣膜，其覆蓋上述第一電極；和第二電極，其通過在上述第二絕緣膜上形成的第二貫通孔與 上述第一電極連接；通過上述第二電極與上述陰極連接而上述陰極與上述晶體管電連接。
根據(jù)上述構(gòu)成，由于陰極層與驅(qū)動電路電連接，因此，陰極層相對于EL層存在于 驅(qū)動電路側(cè)，而且，由于在陰極層上設(shè)置了防止氧化的機構(gòu)，因此可以防止陰極損傷。這樣， 由于陽極層具有透光性，從發(fā)光層射出的光通過陽極層射出。發(fā)光效率對位于陰極層下層 的驅(qū)動電路的規(guī)模和配置沒有影響，因此，能夠提高發(fā)光裝置的數(shù)值孔徑。
在本發(fā)明中，所謂"透光性"是包括光基本100%透過的透明狀態(tài)之外，還包括即使 光一定程度的衰減也滿足實用目的程度的透光狀態(tài)。 而且，"EL(電致發(fā)光)層"一般是指，其發(fā)光性物質(zhì)不用說是有機或者無機(Zn:S
等)，利用通過施加電界從陽極注入的空穴和從陰極注入的電子再結(jié)合時通過再結(jié)合能發(fā)
光的電致發(fā)光現(xiàn)像，形成發(fā)光的發(fā)光材料的層。作為"發(fā)光層"的層構(gòu)造，具備由發(fā)光性物質(zhì)
形成的EL層之外，空穴注入(輸送)層和電子注入(輸送)層的任意一個或者二者。具體
的，作為層構(gòu)造，除了陰極/發(fā)光層/陽極之外，可以使用陰極/發(fā)光層/空穴注入層/陽
極、陰極/電子注入層/發(fā)光層/陽極或者陰極/電子注入層/發(fā)光層/空穴注入層/陽
極等層構(gòu)造。特別是，如果陽極使用透明電極材料，優(yōu)選具備空穴注入層。 所謂"驅(qū)動電路"是指能夠供給驅(qū)動具備電流驅(qū)動型EL層的發(fā)光基板的電流來構(gòu)
成的電路，例如，含有薄膜晶體管來構(gòu)成。在發(fā)光裝置是活性陣列型等電光學裝置時，是指
與各象素有關(guān)的電路元件的集合體。"發(fā)光裝置"只要具有發(fā)光的功能就足夠了，不一定要求象素顯示功能。例如，有包 括照明裝置和公告裝置等的概念。 在本發(fā)明中，發(fā)光層從與基板平面大致垂直的方向看，與驅(qū)動電路的一部分或者 全部重疊。根據(jù)本發(fā)明的構(gòu)成，由于從發(fā)光層出來的光從陽極層側(cè)射出，因此，從發(fā)光層看， 在陰極層的下層側(cè)重復，即使存在驅(qū)動電路，也不遮擋射出的光。由于發(fā)光效率對驅(qū)動電路 的規(guī)模和配置不產(chǎn)生影響，因此，可以提高發(fā)光裝置的數(shù)值孔徑。 例如，防止陰極層氧化的機構(gòu)是將密封陰極層的粘結(jié)劑填充在發(fā)光基板和上述驅(qū) 動電路基板之間來構(gòu)成的。通過填充粘結(jié)劑，可以阻斷造成陰極層氧化的氧。而且，粘結(jié)劑 的粘結(jié)力可以將發(fā)光基板和驅(qū)動電路基板更加堅固地貼合。如果使用粘結(jié)劑，由于絕緣性能也高，因此，對電特性沒有不利影響。 這里，防止陰極層氧化的機構(gòu)是將防止陰極層氧化的惰性氣體充入發(fā)光基板和上 述驅(qū)動電路基板之間構(gòu)成的。如果填充惰性氣體，就可以防止造成陰極層氧化的氧對陰極 層產(chǎn)生作用。由于必須充入惰性氣體來阻斷空氣，因此，優(yōu)選在發(fā)光裝置的基板端面等上設(shè) 置密封惰性氣體的構(gòu)造。 例如，發(fā)光層具備至少在陽極層側(cè)形成的空穴注入層和在上述空穴注入層上形成 的上述EL層。在使用空穴注入層時，操作時可以更有效地將來自陽極層的空穴供給到EL層 側(cè)，提高發(fā)光效率。在制造工序，在從陽極層側(cè)層壓時，由于在形成空穴注入層之后形成EL 層，因此由于空穴注入層的存在可以平坦地并且以均勻器的厚度形成EL層。這與發(fā)光量的 均勻器化和防止電流集中在一部分上造成耐久性的降低有關(guān)。 例如，陰極層覆蓋發(fā)光層，并且，具備防止在基板端露出端部的露出防止構(gòu)造。如 果具備這樣的構(gòu)成，除了可以有效地在EL層注入電子，還能夠防止陰極層與空氣等接觸而 被氧化。 所謂"露出防止構(gòu)造"是指防止陰極層與氧直接接觸的構(gòu)造，例如，是指對陰極層 進行圖案形成，形成在連接后用粘結(jié)劑或惰性氣體包圍露出部分的構(gòu)成。而且還包括在陰 極層上進一步層壓其他層來防止氧化的構(gòu)造。 在此例如，驅(qū)動電路基板具備供給輸出并與陰極層連接的電極。如果具備電極，容
易與陰極層連接，而且，能夠推測形成這樣陰極的驅(qū)動電路基板適用于該發(fā)明。 例如，電極和陰極層通過導電性材料電連接。導電性材料降低電極和陰極層的接
觸阻抗，而且，可以防止發(fā)生不必要的電連接等預期的短路等。"導電性材料"是指提高導電性并用于電極間連接的材料，例如，可以利用異向性 導電性糊和異向性導電性膜。 本發(fā)明是具備上述發(fā)光裝置的電光學裝置，也是電子儀器。"電光學裝置"是指具備向上述發(fā)光裝置供給電源等的設(shè)備，并形成能夠獨立起到
發(fā)光作用的構(gòu)成的裝置，能形成電子儀器的部件，例如照明板、顯示體等元件。"電子儀器"
通常是指具備上述發(fā)光裝置并可形成處理的對象的裝置，其構(gòu)成沒有限定，例如稱為個人
電腦、數(shù)字像機、液晶電視、取景器型或者監(jiān)視器直視型磁帶錄像機、汽車駕駛導向裝置、尋
呼機、電子筆記本、臺式電子計算機、文字處理機、工作臺、電視電話、POS終端、帶觸摸屏的
裝置、便攜電話、head mount顯示器、后型或者前型投影機，以及帶有顯示功能的傳真機等。 本發(fā)明的發(fā)光裝置的制造方法具有，形成在具有透光性的陽極層和陰極層之間
夾持含有EL層的發(fā)光層構(gòu)成的發(fā)光基板的工序，形成具備用于驅(qū)動發(fā)光層的驅(qū)動電路的
驅(qū)動電路基板的工序，與發(fā)光基板中的陰極層電連接驅(qū)動電路基板的驅(qū)動電路的輸出的工
序，和密封發(fā)光基板和驅(qū)動電路基板之間以可以防止陰極層的氧化的工序。 采用上述工序，由于陰極層與驅(qū)動電路電連接，因此可以制造陰極層相對于EL層
存在于驅(qū)動電路側(cè)的發(fā)光裝置。而且，在陰極層設(shè)置防止氧化的機構(gòu)，因此，可以防止陰極
的損傷。這樣，由于陽極層具備透光性，從發(fā)光層射出的光通過陽極層射出。由于發(fā)光效率
對在陰極層下層的驅(qū)動電路的規(guī)模和配置沒有影響，因此，可以提高發(fā)光裝置的數(shù)值孔徑。 例如，在形成驅(qū)動電路基板的工序中，在連接發(fā)光基板和驅(qū)動電路基板時，從與基
板平面大致垂直的方向看，驅(qū)動電路基板上的驅(qū)動電路的一部分或者全部在與發(fā)光基板上
5的發(fā)光層重疊的位置形成。根據(jù)本發(fā)明，由于來自發(fā)光層的光從陽極層側(cè)射出，因此，即使 從發(fā)光層看，即使在陰極層的下層側(cè)重復存在驅(qū)動電路，也不遮擋射出的光。因此，不考慮 發(fā)光效率的降低，根據(jù)情況，可以隨意設(shè)置驅(qū)動電路或者設(shè)計電路構(gòu)成。 例如，在密封工序，在發(fā)光基板和驅(qū)動電路基板之間填充密封陰極層的粘結(jié)劑。通 過填充粘結(jié)劑，可以阻擋造成陰極層氧化的氧。而且，由于粘結(jié)劑的粘結(jié)力，可以將發(fā)光基 板和驅(qū)動電路基板更堅固地貼合。采用粘結(jié)劑，由于絕緣性也高，因此對電特性沒有不利影 響。 例如，在密封工序，在發(fā)光基板和驅(qū)動電路基板之間放入防止陰極層氧化的惰性 氣體。如果填充惰性氣體，可以防止造成陰極層氧化的氧對陰極層發(fā)生作用。由于必須放 入惰性氣體阻擋空氣，因此，優(yōu)選將發(fā)光裝置的基板端面等設(shè)計成密封惰性氣體的構(gòu)造。
例如，在形成發(fā)光基板的工序中，作為發(fā)光層，至少具備在陽極層側(cè)形成空穴注入 層的工序，和在空穴注入層上形成EL層的工序。根據(jù)該工序，由于在形成空穴注入層之后 形成EL層，因此，由于空穴注入層的存在，能夠形成平坦并且厚度均勻器的EL層。這與發(fā) 光量的均勻器化和防止在一部分上集中電流造成耐久性的降低有關(guān)。而且，由于使用空穴 注入層，可以在操作時提高向EL層側(cè)更有效供給來自陽極層的空穴的發(fā)光效率。
例如，在形成發(fā)光基板的工序中，使陰極層形成覆蓋EL層并且防止端部露出基板 端的露出防止形狀。如果形成這樣的形狀，除了可以有效地將電子注入到EL層之外，還可 以防止陰極層與空氣等接觸發(fā)生氧化。 例如，在形成驅(qū)動電路基板的工序中，從驅(qū)動電路供給輸出，形成與陰極層連接的 電極。如果形成電極，容易與陰極層連接，而且可以推測形成上述電極的驅(qū)動電路基板使用 該制造方法。 在連接發(fā)光基板和驅(qū)動電路基板的工序中，將電極和陰極層采用導電性材料電連 接。采用導電性材料，降低了電極和陰極層的接觸電阻，可以防止發(fā)生不必要的電連接等預 期的短路等。 本發(fā)明的發(fā)光裝置(有機EL顯示體)是在顯示部分使用有機EL元件的顯示體， 分別準備上述有機EL元件的驅(qū)動電路制成的驅(qū)動電路基板和上述有機EL元件制成的EL 基板，將它們貼合構(gòu)成。 由此，與驅(qū)動電路相對的EL元件側(cè)面形成顯示面，在圖像區(qū)域內(nèi)內(nèi)置以存儲為主 的各種電路，提高顯示體的性能和附加值，實現(xiàn)高精細的顯示體。 在上述發(fā)光裝置中，在上述驅(qū)動電路基板和EL基板貼合側(cè)的薄膜上，分別形成連 接用電極，可以連接該電極彼此。 在上述發(fā)光裝置中，上述EL基板的連接用電極可以與EL的陰極或者陽極連接。 在上述發(fā)光裝置中，作為顯示體的表面可以形成上述EL基板側(cè)。 在上述發(fā)光裝置中，上述EL基板可以包括有透明材料構(gòu)成的共同的陽極層和在
其上與各象素對應(yīng)形成的整個輸送層、發(fā)光層、陰極圖案。 在上述發(fā)光裝置中，上述驅(qū)動電路基板上的驅(qū)動電路可以由在玻璃基板上形成的 薄膜晶體管構(gòu)成。 在上述發(fā)光裝置中，上述驅(qū)動電路基板上的驅(qū)動電路可以由柔性基板上形成的薄 膜晶體管構(gòu)成。
在上述發(fā)光裝置中，上述驅(qū)動電路基板可以轉(zhuǎn)印在其他基板上形成的薄膜晶體管 構(gòu)成的驅(qū)動電路來形成。 在上述發(fā)光裝置中，上述驅(qū)動電路基板可以每個象素或者每多個象素轉(zhuǎn)印在其他 基板上形成的薄膜晶體管構(gòu)成的驅(qū)動電路來形成。 在上述發(fā)光裝置中，上述驅(qū)動電路基板可以將在其他基板上形成的薄膜晶體管構(gòu)
成的驅(qū)動電路轉(zhuǎn)印到其他柔性基板上來形成。如果是這樣的構(gòu)成，采用轉(zhuǎn)印技術(shù)，每個象素 都轉(zhuǎn)印驅(qū)動電路，可以不浪費半導體材料來制造顯示體。 在上述發(fā)光裝置中，上述EL基板可以在玻璃基板上形成。
在上述發(fā)光裝置中，上述EL基板可以在柔性基板上形成。 另外，在上述發(fā)光裝置中，上述驅(qū)動電路基板和EL基板的貼合可以通過在兩者之 間加入異向性導電性糊或者異向性導電性膜來完成。 在上述發(fā)光裝置中，上述EL基板在基板表面上在各象素上層壓共同的透明電極 層，同時，在透明電極層的上面，在與上述各象素對應(yīng)的位置層壓包括有機EL層的發(fā)光層 和陰極層。 本發(fā)明發(fā)光裝置的制造方法是貼合有機EL元件驅(qū)動電路制作的驅(qū)動電路基板和 上述有機EL元件制造的EL基板。 根據(jù)該制造方法，可以制造大型顯示體和制造柔性顯示體。 在上述發(fā)光裝置的制造方法中，在貼合上述驅(qū)動電路基板和EL基板側(cè)的表面上， 分別形成連接用的電極，也可以將這些電極彼此連接。 在上述發(fā)光裝置的制造方法中，將上述EL基板的連接用電極連接在EL的陰極或 者陰極上。 在上述制造方法中，特征在于顯示體的表面是上述EL基板側(cè)。 在上述發(fā)光裝置的制造方法中，上述EL基板包括由透明材料構(gòu)成的共同陽極層，
和在其上與各象素對應(yīng)形成的整體輸送層、發(fā)光層、陰極圖案。 在上述發(fā)光裝置的制造方法中，在上述驅(qū)動電路基板中，驅(qū)動電路可以由在玻璃 基板上形成的薄膜晶體管構(gòu)成。 在上述發(fā)光裝置的制造方法中，上述驅(qū)動電路可以由在柔性基板上形成的薄膜晶 體管構(gòu)成。 在上述發(fā)光裝置的制造方法中，上述驅(qū)動電路基板可以轉(zhuǎn)印由在其他基板上形成 的薄膜晶體管構(gòu)成的驅(qū)動電路形成。 在上述發(fā)光裝置的制造方法中，上述驅(qū)動電路基板可以在每個象素或者每多個象 素轉(zhuǎn)印由在其他基板上形成的薄膜晶體管構(gòu)成的驅(qū)動電路來形成。 上述驅(qū)動電路基板可以將由在其他基板上形成的薄膜晶體管構(gòu)成的驅(qū)動電路轉(zhuǎn) 印在柔性基板上形成。 上述EL基板可以在玻璃基板上形成。
上述EL基板也可以在柔性基板上形成。 可以通過在兩者之間夾持異向性導電性糊或者異向性導電性膜來進行上述驅(qū)動 電路基板和EL基板的貼合。所謂異向性導電性糊和異向性導電性膜是已經(jīng)公知的，是可作 為粘結(jié)劑使用的糊狀物和膜，在作為粘結(jié)劑薄薄地插入兩個部件之間時，在膜厚方向上具有低電阻，而在沿著膜面的方向具有高電阻。 上述EL基板在基板表面上在各象素上層壓共同的透明電極層，同時在該透明電 極層的上面，在與上述各象素對應(yīng)的位置上層壓包括有機EL層的發(fā)光層和陰極層。
附圖的簡單說明 圖1是一例本發(fā)明發(fā)光裝置的第1實施方案的發(fā)光裝置的截面圖(圖2中的A-A 截面圖) 圖2是第1實施方案的發(fā)光裝置的平面圖。 圖3是貼合工序前的驅(qū)動電路基板的截面圖。 圖4是貼合工序前的發(fā)光基板的截面圖。 圖5是貼合工序后的發(fā)光裝置的截面圖。 圖6是本發(fā)明第1實施方案的電光學裝置的電路圖。 圖7是表示第1實施方案的發(fā)光裝置的制造方法的制造工序圖。 圖8是表示一例本發(fā)明發(fā)光裝置的第2實施方案的發(fā)光裝置中的貼合工序前的發(fā)
光基板的截面圖。 圖9是第2實施方案的發(fā)光裝置中貼合工序前的驅(qū)動電路基板的截面圖。
圖10是貼合工序后的發(fā)光裝置的截面圖。 圖11是一例本發(fā)明發(fā)光裝置的第3實施方案的發(fā)光裝置中的貼合工序前的發(fā)光 基板的截面圖。 圖12是在第3實施方案發(fā)光裝置中的驅(qū)動電路基板上轉(zhuǎn)印之前由薄膜晶體管構(gòu) 成的驅(qū)動電路的截面圖。 圖13是表示一例本發(fā)明電子儀器的個人電腦構(gòu)成的斜視圖。 圖14是表示一例本發(fā)明電子儀器的便攜電話構(gòu)成的斜視圖。 圖15是表示一例本發(fā)明電子儀器的數(shù)字照相機的背面?zhèn)葮?gòu)成的斜視圖。 圖16是表示現(xiàn)有有機EL顯示體構(gòu)成的截面圖。 圖17是表示現(xiàn)有有機EL顯示體構(gòu)成的平面圖。 實施發(fā)明的方案 下面參照附圖對本發(fā)明的實施方案進行說明。 [oose](第1實施方案)
〈發(fā)光裝置的構(gòu)造> 在圖1中，表示本發(fā)明第1實施方案的發(fā)光裝置1000的截面圖。圖2中表示該第 1實施方案發(fā)光裝置1000的平面圖。圖1是圖2平面圖中A-A截斷面中的截面圖。
第1實施方案的發(fā)光裝置1000是圖象顯示所使用的有機EL顯示體，具有驅(qū)動電 路基板100側(cè)的構(gòu)造和發(fā)光(EL)基板300側(cè)的構(gòu)造。 如圖11所示，驅(qū)動電路基板100的層構(gòu)造從下層側(cè)開始具備基板10、半導體薄膜 11 (源極112、漏極113、通道114)、柵絕緣膜12、柵電極層13、第1保護薄膜14、配線層16、 第2保護薄膜17、圖像電極層19的各層構(gòu)成。 另一方面，發(fā)光基板300的層構(gòu)成從上層側(cè)(從圖面上開始制造時形成下層側(cè)) 開始層壓透明基板30、透明電極層31、用圍堰處32隔開的象素形成區(qū)域內(nèi)層壓空穴注入層 33、有機EL層34和陰極層36構(gòu)成。通過空穴注入層33和有機EL層34形成發(fā)光層35。
更具體地，如圖2平面圖所示，設(shè)置驅(qū)動電路和圖像區(qū)域。在圖6中，表示與該裝 置對應(yīng)的發(fā)光裝置1000的電路圖。如參照圖2和圖6判斷的那樣，該發(fā)光裝置在供給電源 的電源線(supply line) 161和供給寫入信息的信號線(signal line) 163、和供給掃描信號 的掃描線(scan line) 193和保持容量(storage c即acitor) C連接的容量線(capacitor line) 192交叉的區(qū)域設(shè)置各象素區(qū)域。 半導體薄膜11是在與驅(qū)動用薄膜晶體管(driving TFT)T1有關(guān)的薄膜110和開 關(guān)用薄膜晶體管(switchingTFT)T2有關(guān)的薄膜111上形成圖案。柵電極層13在與薄膜晶 體管Tl有關(guān)的柵電極131和薄膜晶體管T2有關(guān)的柵電極132上形成圖案。而且，配線層 16在電源線161、漏電極162、信號線163和容量電極164上形成圖案。象素電極層19在象 素電極191、容量線192和掃描線193上形成圖案。 構(gòu)成驅(qū)動用薄膜晶體管Tl的半導體薄膜110的源極112通過貫通孔151與電源 線161連接。薄膜晶體管T1的漏電極113通過貫通孔152與漏電極162連接。漏電極162 通過貫通孔181與象素電極191連接。另一方面，薄膜晶體管Tl的柵電極131通過貫通孔 154與保持容量C連接，并通過貫通孔155與構(gòu)成開關(guān)用薄膜晶體管T2的半導體薄膜11的 源極112連接。保持容量C在其與容量線192之間積累電荷，以確定用于相對于保持在該 保持容量C的兩端的電壓驅(qū)動發(fā)光層35的電流。進而薄膜晶體管T2的漏極113通過貫通 孔153與信號線163連接。薄膜晶體管T2的柵電極132通過貫通孔156與掃描線193連 接。 由圖1和圖6可知，根據(jù)上述構(gòu)成，在驅(qū)動電路基板100中，每次掃描計時掃描線 193處于打開狀態(tài)，開關(guān)用薄膜晶體管T2導通，供給到信號線163的電壓積累在保持電容 C。接著，為了使與該電壓對應(yīng)的電流流過驅(qū)動用薄膜晶體管T1，該電流從有機EL元件的陽 極側(cè)(cathode)即陽極層31流入發(fā)光層35即空穴注入層33和有機EL層34，以與該電流 量對應(yīng)的光量發(fā)光。也就是說，有機EL元件以與在信號線163中指定的電壓對應(yīng)的光量發(fā) 光。 特別是在本發(fā)明中，從發(fā)光層35發(fā)出的光通過具有透光性的陽極層31從基板30 射出，不射到陰極層36側(cè)。為此，從發(fā)光層35看，在陰極層36的背后即使設(shè)置不透光的部 件，即，即使存在驅(qū)動電路，也沒有影響。因此，在本實施方案中，如圖2的平面圖所示，在平 面圖上，在發(fā)光層35上可以一部分或者全部重復地配置薄膜晶體管Tl或者T2、保持容量 C、配線層161 164、191 193。
〈驅(qū)動電路的制造方法> 下面，參照圖7的制造工序流程圖，說明本發(fā)光裝置的制造方法。如圖7所示，該 制造方法由形成驅(qū)動電路基板100的工序(S10 S17)、形成發(fā)光基板300的工序(S20 24)和制造采用兩基板的發(fā)光裝置1000的工序(S30、S31)構(gòu)成。 該驅(qū)動電路基板的形成和發(fā)光基板的形成可以在例如不同的工廠分別獨立的進 行，也可以在同一制造現(xiàn)場按順序進行(例如形成驅(qū)動電路基板，接著形成發(fā)光基板?；蛘?反之)。而且，制造發(fā)光裝置1000的工序可以在與驅(qū)動電路基板形成和發(fā)光基板形成相同 的場所進行，也可以在不同的場所進行。這里，為了方便，從形成驅(qū)動電路基板開始順序說 明。 在驅(qū)動電路基板100的制造中，可以使用公知的各種制造技術(shù)。下面舉出一例進行說明。首先，在構(gòu)成驅(qū)動電路基板100的基臺的基板10上形成半導體薄膜11(110、111) (S10)。在本發(fā)明中，在驅(qū)動電路基板側(cè)不需要使用具有透光性的材料，因此，可以根據(jù)耐久 性、機械強度選擇基板材料。例如基板10可以使用金屬等導電性物質(zhì)、硅.碳化物或者氧 化鋁、氮化鋁等陶瓷材料、熔融石英或者玻璃等透明或者不透明絕緣性物質(zhì)、硅晶片等半導 體物質(zhì)以及將其加工的LSI基板等。 在使用本申請人開發(fā)的轉(zhuǎn)印技術(shù)(例如特開平10-125931號公報或特開平 11-26733號公報)將預先在玻璃基板等上通過其他方法形成的半導體裝置轉(zhuǎn)印在柔性基 板上面制造驅(qū)動電路基板時，基板10成為柔性基板。詳細情況在第2實施方案中描述。
作為半導體薄膜11的材料，可以使用硅或鍺、硅.鍺或者硅.碳化物、鍺.碳化物 等。半導體薄膜11通過APCVD法或者LPCVD法、PECVD法等CVD法，或者濺射法等或者蒸 鍍法等PVD法形成。為了提高半導體薄膜11的性能，可以使用激元激光等高輸出激光將半 導體薄膜多晶化。該半導體薄膜11在各薄膜晶體管形狀用上用光刻法等通過光刻法形成 圖案后，用干式蝕刻等進行蝕刻形成。 接著，形成柵絕緣膜12(S11)。柵絕緣膜12通過ECR等離子體CVD法、平行平板 RF放電等離子體CVD等公知的方法沉積Si02，形成給定的厚度。 接著，形成柵電極層13(131、132) (S12)。首先，在柵絕緣膜12上通過PVD法或者 CVD法等沉積構(gòu)成柵電極的金屬薄膜。柵電極的材質(zhì)應(yīng)為電阻低，對熱工藝穩(wěn)定的，例如鉭、 鎢、鉻等高熔點金屬是合適的。而且，通過離子摻雜形成源、漏極時，為了防止氫的溝道效 應(yīng)，該柵電極的膜厚必須為700nm左右。柵電極層13形成后，使用公知的光刻法和蝕刻法， 在柵電極131U32的形狀上形成圖案。 接著，在半導體薄膜11上進行雜質(zhì)導入，形成源12、漏極113、溝道114各區(qū)域 (S13)。通過該雜質(zhì)導入，柵電極131、132形成離子注入的掩模，因此，溝道形成只在柵電極 下形成的自整合構(gòu)造。例如，薄膜晶體管為n型MOS晶體管時，溝道114中摻雜硼鎵、銦等 P型雜質(zhì)，源極112和漏極113中導入磷、砷、銻等n型雜質(zhì)。 接著，形成第1保護薄膜14以覆蓋柵電極(S14)。第1保護薄膜14的形成與柵絕 緣膜的形成同樣進行。 接著，形成配線層16(161 164) (S15)。在此之前，將用于將該配線層16與半導 體薄膜11和柵電極13電連接的貫通孔15(151 155)向柵絕緣膜12和第1保護薄膜14 開孔。因此，利用PVD法或CVD法等公知的技術(shù)，用鋁等金屬形成配線層16，以各配線的形 態(tài)形成圖案，形成電源線161、漏電極162、信號線163和容量電極164。
接著，在與第1保護薄膜14同樣形成第2保護薄膜16之后(S16)，在配線層 19(191 193)上打開用于電連接下層的漏電極162和掃描線193的貫通孔18 (181、 182)。 這樣，利用PVD和CVD等公知的技術(shù)形成第2配線層19，用象素電極191和容量線192、掃 描線193的形狀形成圖案(S27)。各配線層19和象素電極層19是層壓具有導電性的金屬 材料，例如鋁鋰(Al-Li)至0. 1微米 1. 0微米的程度而形成。通過以上各工序形成驅(qū)動 電路基板100。在圖3中，表示這樣制造的驅(qū)動電路基板100的層構(gòu)造。圖3是圖2的平面圖中 彎曲的截面B-B中截斷時的截面圖。
〈發(fā)光基板的制造方法〉
接著，參照圖7的制造工序流程圖說明發(fā)光基板300的制造方法。在發(fā)光基板300 的制造中，可以使用公知的各種制造技術(shù)。下面舉出一例。 首先，在透明基板30上形成透明電極層31 (S20)。在本發(fā)明中，為了使來自發(fā)光層 的光透過該基板30射出，使基板30具有透光性是基本的，另外，還要考慮耐久性、機械強度 等選擇材料。例如，可以使用熔融石英或者玻璃等透明或者不透明絕緣性物質(zhì)。透明電極 層31是有導電性并且透光性的材料，由各自的操作常數(shù)相對于EL層34使用的有機EL材 料的HOMO水平接近的、例如IT0、透明導電膜等形成。透明電極層31在各象素配置的發(fā)光 層35的整個區(qū)域共同形成，以形成各象素區(qū)域的共同電極。形成方法通過公知的涂覆用濺 射法等調(diào)整到0. 05微米 0. 2微米程度的厚度。 接著，在透明電極層31上形成圍堰層32。該圍堰層具有起到在各象素中分離發(fā)光 層35和陰極層36的隔開部件的作用。圍堰層32的材料由絕緣無機化合物或者絕緣有機 化合物構(gòu)成，可以利用例如氧化硅、氮化硅、無定形硅、聚硅、聚酰胺或者氟化合物等。例如， 圍堰層32調(diào)整其親和性，以使相對于用于形成空穴注入層33和EL層34等的薄膜材料液 的接觸角為30度以下。調(diào)整圍堰層32的厚度，使其比空穴注入層33和EL層34形成后的 厚度的合計厚度，并且低于進一步將陰極層36形成后的厚度合計在內(nèi)的厚度。圍堰層32 通過公知的濺射法、CVD法、各種涂覆法(旋涂、噴涂、輥涂、壓鑄模涂覆、浸涂)等成膜后， 用光刻法等殘留貯存區(qū)域并除去該化合物來形成。 接著，形成空穴注入層33 (S22)。作為空穴注入層33的材料，使用具有空穴注入功 能或者形成電子障壁功能的有機物或者無機物。例如可以使用特開平10-163967號和特開 平8-248276號中記載的。 在形成該空穴注入層33或下面工序的EL層34時，可以使用公知的各種方法，但 是，優(yōu)選使用噴墨法。因此，為了在被圍堰層32包圍的凹部形成這些層，依次填充薄膜材料 液，形成薄膜層。這是因為如果使用噴墨方式，可以以任意的量在任意位置填充流動體，可 以用家庭用打印機中使用的小型裝置填充。例如，從噴墨頭將薄膜材料液填充在圍堰層32 之間的凹部，加熱，除去溶劑成分。作為噴墨方式，可以是壓電噴墨方式，也可以是通過由熱 產(chǎn)生的氣泡發(fā)生造成的噴出的方法，也可以是靜電加壓方式。在沒有通過加熱的流體變質(zhì) 方面優(yōu)選壓電噴墨方式。 在空穴注入層33形成后，采用同樣的方法形成EL層34(S23)。使用通過通入電流 發(fā)光的材料。這種材料根據(jù)發(fā)光的顏色使用例如特開平10-163967號和特開平8-248276號 種記載的。具體地，作為紅色EL層的材料，使用氰基聚亞苯基乙烯撐前體、2-1，3'，4' -二 羥基苯基-3，5，7-三羥基-l-苯基聚鋰全氯乙烯酯、PVK中摻雜DCMl的材料。作為綠色的 EL層材料，使用聚亞苯基乙烯撐前體、2， 3， 6， 7-四氫-11-氧基-IH， 5H， 11H- (1)苯基吡喃 [6， 7， 8-i j]-喹嗪-10-羧酸、PVK中摻雜quartamin6的等。作為藍色的EL層的材料，使用 鋁羥基喹啉配位體、吡唑啉二聚物、2， 3， 6， 7-四氫-9-甲基-11-氧基-IH， 5H， 11H-(1)苯基 吡喃[6，7，8-ij]-喹嗪、胱酰胺衍生物、PVK中摻雜1，1，4，4-三苯基-1，3-丁二烯的。EL 層34層壓到可得到足夠光量的厚度，例如0. 05微米 0. 2微米來構(gòu)成。
根據(jù)需要可以采用同樣的方法在EL層上形成電子注入層。這是為了將從陰極層 注入的電子以更好的效率傳輸?shù)桨l(fā)光層。作為電子注入層的材料，可以使用例如記載在特 開平10-163967號和特開平8-248276號、特開昭59-194393號中記載的。具體地，可以使
11用硝基取代的芴衍生物、蒽醌二甲烷衍生物、二苯基奎烷衍生物、硫吡喃二噁烷衍生物、萘 北等雜環(huán)四羧酸酐、碳化二亞胺、亞芴基甲烷(fluo-renylidene methan)衍生物、蒽醌二甲 烷、蒽酮衍生物、氧二唑衍生物、喹噁啉衍生物等。其厚度為充分獲得電子輸送功能的程度。
接著，形成陰極層36 (S24)。在本發(fā)明中，由于不必考慮光在陰極層上的透過率，因 此，只要相對于發(fā)光層使用的有機EL材料的LUMO水平操作常數(shù)接近就可以。例如，作為陰 極層的材料，可以舉出鈣、鈉、鈉_鉀合金、鎂、鋰、鎂/銅混合物、鎂/銀混合物、鎂、鋁混合 物、鎂/銦混合物、鋁/氧化鋁混合物、銦、鋰/鋁混合物、和其他稀土類金屬。陰極層的形 成采用公知技術(shù)濺射法或者蒸鍍法等。陰極層形成后，使用光刻法或者蝕刻法分離成每個 象素區(qū)域。這時，如圖1或者圖4所示，優(yōu)選以覆蓋圍堰層32的邊緣的方式來形成。這是 因為能夠在發(fā)光層35上無間隙地接觸。 在圖4中表示這樣形成的發(fā)光基板300的層構(gòu)造。在圖4中，圖2平面圖中的彎 曲截面B-B中截斷時的截面圖。如圖4所示，在透明基板30的整個表面上，形成透明電極 層31的膜，在該透明電極層31的上面，在被絕緣物質(zhì)構(gòu)成的圍堰層32彼此分離的象素形 成區(qū)域中從透明電極層31開始，層壓空穴注入層33、 EL層34和陰極層36，由空穴注入層 33和有機EL層34構(gòu)成發(fā)光層35。
〈連接工序S30〉 下面將圖3表示的驅(qū)動電路基板100和圖4所示的發(fā)光基板300朝向形成象素電 極191 一側(cè)和形成陰極層36 —側(cè)同時貼合。為了使象素電極191和陰極層36電連接，進 行驅(qū)動電路基板100和發(fā)光基板300的位置調(diào)整。這時，為了確保驅(qū)動電路基板100中的 象素電極191和發(fā)光基板300中的陰極層36之間的導電性，優(yōu)選使用各向異性導電性糊或 者各向異性導電性膜。通過使用這樣的導電性材料，可以避免預期的短路等。根據(jù)本實施 方案，由于象素電極191和陰極層36各自相對突出，因此，只要正確進行位置調(diào)整，就可以 壓制兩電極確保導電。 圖5中表示如上所述貼合驅(qū)動電路基板100和發(fā)光基板300的狀態(tài)的發(fā)光裝置 1000整體的截面圖。圖5是圖2平面圖中彎曲截面B-B中截斷時的截面圖。
〈密封工序S31〉 下面根據(jù)需要在電連接的驅(qū)動電路基板100和發(fā)光基板300之間填充沒有導電性 并且對陰極材料不活潑的填充材料20并密封在基板之間。 作為上述材料20，例如，各種粘結(jié)劑是合適的。作為粘結(jié)劑，可以舉出反應(yīng)性固化 型粘結(jié)劑、熱固化型粘結(jié)劑、厭氧固化型粘結(jié)劑等各種固化型粘結(jié)劑。作為上述粘結(jié)劑的組 成，例如可以使用環(huán)氧乙烷類、丙烯酸酯類、硅酮類等。粘結(jié)劑例如可以通過涂覆法來形成。 由于光不透過陰極層和驅(qū)動電路基板，因此優(yōu)選用光以外的能量固化的粘結(jié)劑。例如，在驅(qū) 動電路基板100的象素電極191之外的區(qū)域涂覆適量的粘結(jié)劑，確保象素電極191和發(fā)光 基板300的陰極層36的電連接，同時接合整個發(fā)光基板300，然后，通過與固化型粘結(jié)劑的 特性有關(guān)的固化方法，固化上述固化型粘結(jié)劑。 通過填充粘結(jié)劑，可以阻斷造成陰極層氧化的氧。而且，由于粘結(jié)劑的粘接力，能 夠更堅固地貼合發(fā)光基板和驅(qū)動電路基板。如果使用粘結(jié)劑，絕緣性能高，因此，對電特性 沒有不利影響。 另夕卜，可以不使用粘結(jié)齊U，在驅(qū)動電路基板100和發(fā)光基板300之間填充惰性氣體并密封。作為惰性氣體，例如可以使用氦、氬等。但是，由于氧對陰極層不發(fā)生作用為好，因 此，可以提高驅(qū)動電路基板和發(fā)光基板之間的真空度。在使用氣體或者真空的情況下，為了 提高兩基板之間的氣密性，必須形成密封基板端部的構(gòu)造。如果填充惰性氣體或者形成真 空，可以防止造成陰極層氧化的氧對陰極層發(fā)生作用。 如圖5所示，在通過上述制造工序制造的發(fā)光裝置1000中，如果操作驅(qū)動電路使 電流從陰極層36流入發(fā)光層35，發(fā)光層35能以與電流量相應(yīng)的光量發(fā)光。這時，陰極層 36中沒有透光性，但陽極層形成透明電極層31，因此，從發(fā)光層35發(fā)出的光通過透明電極 層31和基板30照射到外部。
〈實施方案的優(yōu)點〉 如此，根據(jù)第1實施方案，由于在其他工序制造驅(qū)動電路基板100和發(fā)光基板300， 提高有效利用率。根據(jù)情況，由于可以進行在其他工廠或者不同的企業(yè)分別制造驅(qū)動電路 基板100和發(fā)光基板300，并最終將二者貼合的制造方法，因此，在降低制造成本方面極為 有利。 另外，根據(jù)第1實施方案，從發(fā)光層35發(fā)出的光通過透明電極層31和基板30照 射到外部。也就是說，基板30整個作為顯示面，發(fā)光層35的基板30側(cè)上作入了遮光的配 線等，因此，能夠極大地提高作為發(fā)光裝置的數(shù)值孔徑。 另一方面，對于驅(qū)動電路基板100側(cè)的構(gòu)造，為了不影響數(shù)值孔徑，可以在整個象 素區(qū)域配置電路。因此，在象素區(qū)域內(nèi)內(nèi)置以存儲為主的各種電路，可以提高顯示體的性能 和附加值。由于有機EL是電流驅(qū)動元件，因此，伴隨著顯示體尺寸或者精細度的增大，驅(qū)動 電路也增大。這時，必須擴大配線寬度，對于這個問題，為了能夠自由地確保配線區(qū)域，可相 應(yīng)進行。而且，不需要驅(qū)動電路基板的構(gòu)成材料是透明的。 而且，發(fā)光裝置1000的各象素的間距根據(jù)作入發(fā)光基板30中的發(fā)光層35之間的 間距來確定，確定驅(qū)動電路基板100和EL基板30貼合時的位置的精度要對象素接近沒有 什么影響。因此，即使采用本實施方案這樣的貼合的制造方法，發(fā)光裝置1000的象素間距 的精度也不會降低。 這樣，根據(jù)本實施方案的制造方法，可以極為有效地制造發(fā)光裝置。
(第2實施方案) 下面根據(jù)附圖對本發(fā)明第2實施方案進行說明。圖8到圖10是表示本發(fā)明第2 實施方案的圖。圖8表示貼合前驅(qū)動電路基板600的截面圖，圖9表示貼合前發(fā)光(EL)基 板700的截面圖，圖10是通過將二者貼合制造的有機EL顯示體即發(fā)光裝置800的截面圖。
在本實施方案的發(fā)光裝置800中，對于具體的各層構(gòu)成(材料)，由于與上述第l 實施方案類似，因此，主要說明不同之處。 如圖8所示，在驅(qū)動電路基板600中，在由合成樹脂等絕緣物質(zhì)構(gòu)成的基材60的 表面上，對應(yīng)于后面制造的發(fā)光裝置800的象素位置，形成掃描線和信號線等配線61。進 而配線61的表面用保護薄膜62覆蓋。在該保護波62上打開用于露出配線61的一部分的 貫通孔63，以通過該貫通孔63與配線61的一部分導通的方式形成配線64和象素電極65。 特別是在本實施方案中，具有基材60由合成樹脂等構(gòu)成的特征。 對于保護薄膜62的制膜方法、貫通孔63的開口方法、配線61、64、象素電極65的 圖案形成方法等，可認為與上述第1實施方案同樣。即，可以使用公知的制膜方法和光刻工序。 進而由薄膜晶體管等構(gòu)成的驅(qū)動電路66配置在每個象素或者每多個象素上，并 且配線64和象素電極65連接。因此，驅(qū)動電路與驅(qū)動電路基板600的掃描線和信號線等 61和象素電極65連接。 對于上述各層的材料和制造方法，由于認為與上述第1實施方案相同(圖7 : S10 S17)，省略說明。 另一方面，如圖9所示，在發(fā)光基板700中，在由合成樹脂等構(gòu)成的基材70的整個 表面上，形成透明電極層71的膜。進而在該透明電極層71的上面，在被由絕緣物質(zhì)構(gòu)成的 圍堰層72相互分離的象素形成區(qū)域上從透明電極層71側(cè)開始，層壓空穴注入層73、有機 EL層74和陰極層76。發(fā)光層75由空穴注入層73和有機EL層74構(gòu)成。特別是在本實施 方案中，具有基材70由合成樹脂構(gòu)成的這一點上也有特征。 形成其他透明電極層71、空穴注入層73、有EL層74、陰極層76的材料和制造方 法，認為與上述第1實施方案同樣(圖7 :S20 S24)，省略說明。 如圖10所示，本實施方案的發(fā)光裝置800是使形成象素電極65 —側(cè)和形成陰極 層76 —側(cè)朝向內(nèi)側(cè)貼合圖8所示的驅(qū)動電路基板600和圖9所示的發(fā)光基板700而構(gòu)成。 因此，為了使象素電極65和陰極層76電連接，需要進行驅(qū)動電路基板600和發(fā)光基板700 的位置調(diào)整。對于貼合兩基板的工序，與上述第1實施方案(圖7 :S30)同樣。而且，與上 述第1實施方案同樣，根據(jù)需要，使用填充粘結(jié)劑、封入惰性氣體或者形成真空的工序(圖
7 :S31)。 這里，代替發(fā)光基板700，可以使用如圖11所示構(gòu)造的發(fā)光基板900。在該發(fā)光基 板900中，在由合成樹脂等構(gòu)成的基材90的整個表面上形成透明電極層91的膜，對基材90 進行蝕刻。這里剩余的基板部分起到圍堰層92的作用。在被圍堰層92相互分離的象素形 成區(qū)域，從透明電極層91 一側(cè)開始，層壓空穴注入層93、有機EL層和陰極層96，由空穴注 入層93和有機EL層94構(gòu)成發(fā)光層95。對于各層的材料和構(gòu)成，可以認為與上述第1實施 方案同樣。即使在該變形例中，基材90也由合成樹脂等材料構(gòu)成。 對于驅(qū)動電路基板600，例如如圖12所示，可以通過轉(zhuǎn)印技術(shù)將在玻璃等透明基 板200的表面上形成的各驅(qū)動電路66轉(zhuǎn)印到驅(qū)動電路基板600上來制造。S卩，在使用該制 造方法時，如圖12所示，在預先形成轉(zhuǎn)印成原基板的玻璃等透明基板200上沉積非晶態(tài)硅 等形成的剝離層201，在其上形成由多個被轉(zhuǎn)印體的薄膜晶體管構(gòu)成的驅(qū)動電路66。調(diào)整 該透明基板200和驅(qū)動電路基板600，對驅(qū)動電路66的每個區(qū)域與透明基板200的應(yīng)該轉(zhuǎn) 印的薄膜晶體管對應(yīng)的一部分上賦予能量(從內(nèi)側(cè)照射光)，將該薄膜晶體管轉(zhuǎn)印到剛轉(zhuǎn) 印的驅(qū)動電路基板600上。 根據(jù)第2實施方案，除了具有與上述第1實施方案同樣的效果之外，特別是具有在 驅(qū)動電路基板600中的基材60和發(fā)光基板700中的基材70都使用合成樹脂等方面的特 征。這種合成樹脂制的塑料膜加溫時的膨脹率大，在目前的方法中就認為，形成有機EL層 時的掩模調(diào)整困難，因此無法使用。但是，在本發(fā)明中，發(fā)光裝置800的各象素的間距取決 于作入基板70中的發(fā)光層75的間距，驅(qū)動電路基板600的基材60和發(fā)光基板700的基材 70的貼合時的位置確定精度對象素間距沒有什么影響。即，基于所謂進行兩個基板上微小 間距位置調(diào)整，不必使用熱膨脹率低重量大的玻璃等基板。正如本實施方案那樣，可以用合成樹脂等構(gòu)成基板，以便能夠自由選擇廉價的基板材料。 這樣，根據(jù)本實施方案的制造方法，能夠極為有效地制造發(fā)光裝置800，結(jié)果就能 夠制造大型的柔性顯示體。 根據(jù)本發(fā)明的第2實施方案，由于能夠在驅(qū)動電路基板600上，將隔間隔配置的多 個薄膜晶體管66整體層壓在透明基板200上來制造，因此，相對減少了用于制造薄膜晶體 管的材料使用量，大幅度提高面積效率，可以更有效地廉價地制造多個薄膜晶體管等的電 路和元件分散配置的驅(qū)動電路基板。 根據(jù)第2實施方案，在轉(zhuǎn)印在透明基板200上集中制造的多個薄膜晶體管之前，選
擇、排除可以容易地進行，其結(jié)果是能夠提高產(chǎn)品的生產(chǎn)效率。(第3實施方案) 本發(fā)明的第3實施方案，對幾個具備上述EL元件驅(qū)動電路和以能夠活性陣列驅(qū)動 的方式構(gòu)成由該驅(qū)動電路驅(qū)動的發(fā)光裝置的電光學裝置即有機EL顯示屏的電子儀器的例 子進行說明?！雌湟灰苿有陀嬎銠C〉 首先，對將第3實施方案的有機EL顯示屏用于移動型的個人計算機的例子進行說 明。圖13是表示個人計算機構(gòu)成的立體圖。在圖13中，個人計算機1100由具備鍵盤1102 的主體部分1104和顯示部件1106構(gòu)成。顯示部件1106具有有機EL顯示屏1101。
〈其二便攜電話〉 接著對于將有機EL顯示屏用于便攜電話的顯示部分的例子進行說明。圖14是表 述該便攜電話構(gòu)成的立體圖。在圖14中，便攜電話1200除了多個操作鍵1202之外，還具 備聽筒1204、話筒1206以及上述有機EL顯示屏1201。
〈其三數(shù)字像機〉 對將有機EL顯示屏用于取景器的數(shù)字攝像機進行說明。圖15是表述數(shù)字攝像機 構(gòu)成的斜視圖，對與外部機器的連接進行了簡單說明。 通常的照相機是通過被拍攝體的光像來對底片進行感光的，與此不同，數(shù)字攝像 機1300是用CCD (Charge Coupled Device)等的拍攝元件進行光電轉(zhuǎn)化產(chǎn)生拍攝信號。這 里，構(gòu)成是數(shù)字攝像機1300中的機殼1302的背面設(shè)置上述有機EL顯示屏1301，根據(jù)用CDD 拍攝的信號，進行顯示。因此，有機EL顯示屏1301起到顯示被拍攝體的取景器的作用。而 且，機殼1302的觀察側(cè)(圖15中的里面)上設(shè)置包括光學透鏡和CDD等的受光元件1304。
這里，拍攝者確認在有機EL顯示屏1301上顯示的被寫體像，按下拍攝鍵1306，這 時CDD的拍攝信號被傳輸并存儲在動力機板1308的存儲器中。而且，在該數(shù)字攝像機1300 中，在機殼1302的側(cè)面，設(shè)置影像信號輸出端子1312和數(shù)據(jù)通信用的輸出端子1314。這 樣，如圖15所示，根據(jù)需要，上述影像信號輸出端子1312連接電視監(jiān)視器1430，后者的數(shù)據(jù) 通信用輸入端子1314連接個人計算機1440。進而，通過給定操作，在電路基板1308的存儲 器中存儲的拍攝信號輸出到電視監(jiān)視器1430或者個人計算機1440中。
作為電子儀器，除了圖13的個人計算機、圖14的便攜電話和圖15的數(shù)字攝像機 之外，還可舉出液晶電視、探視型、監(jiān)控直視型影像錄像機、汽車駕駛導向裝置、尋呼機、電 子筆記本、臺式電子計算機、文字處理機、工作臺、電視電話、POS終端、具備觸摸屏的設(shè)備 等。這樣，不用說作為這些各種電子儀器的顯示部分可以使用上述顯示裝置。
(工業(yè)上的可利用性) 正如以上所說明的，根據(jù)本發(fā)明，通過貼合配置驅(qū)動電路的驅(qū)動電路基板和形成 發(fā)光層等的發(fā)光基板可以制造發(fā)光裝置，因此，具有能夠極為有效地制造發(fā)光裝置的效果。
特別是，根據(jù)本發(fā)明，能夠制造大型的柔性顯示體。
權(quán)利要求
一種發(fā)光裝置，具有第一基體，其具備在第一基板上形成的晶體管；和第二基體，其配置在具有透光性的第二基板上，并具備包括陰極、陽極和配置在上述陰極與上述陽極之間的發(fā)光層的有機EL層；該發(fā)光裝置通過貼合上述第一基體與上述第二基體從而使上述晶體管與上述陰極電連接而構(gòu)成，該發(fā)光裝置還具備第一絕緣膜，其覆蓋上述晶體管；第一電極，其通過在上述第一絕緣膜上形成的第一貫通孔與上述晶體管連接；第二絕緣膜，其覆蓋上述第一電極；和第二電極，其通過在上述第二絕緣膜上形成的第二貫通孔與上述第一電極連接；通過上述第二電極與上述陰極連接而上述陰極與上述晶體管電連接。
2. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的發(fā)光裝置，其特征在于，從上述發(fā)光層射出的光通過具有透光性的上述陽極和上述第二基板而射出。
3. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的發(fā)光裝置，其特征在于，在上述第二電極與上述陰極未連接的上述第一基體與上述第二基體之間的至少一部 分上具有用于防止上述陰極的氧化的密封單元。
4. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的發(fā)光裝置，其特征在于，上述密封單元是至少配置在上述第二絕緣膜與上述陰極之間的粘結(jié)劑。
5. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的發(fā)光裝置，其特征在于，上述密封單元是至少封入到上述第二絕緣膜與上述陰極之間的間隙中的惰性氣體。
6. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的發(fā)光裝置，其特征在于，上述有機EL層具備至少在上述陽極側(cè)形成的空穴注入層和在上述空穴注入層上形成 的上述發(fā)光層。
7. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的發(fā)光裝置，其特征在于， 上述發(fā)光層配置在上述第二基板上配置的多個圍堰之間。
8. 根據(jù)權(quán)利要求7所述的發(fā)光裝置，其特征在于， 上述陰極形成為從上述發(fā)光層覆蓋至上述圍堰的端部。
9. 一種電光學裝置，具備權(quán)利要求1到8的任意一項記載的發(fā)光裝置。
10. —種電子儀器，具備權(quán)利要求1到8的任意一項記載的發(fā)光裝置。
全文摘要
本發(fā)明提供一種發(fā)光裝置。有效制造有機EL顯示體。將形成由薄膜晶體管11構(gòu)成的驅(qū)動電路的驅(qū)動電路基板(100)和層壓透明電極層31、由絕緣物質(zhì)構(gòu)成的圍堰層32、空穴注入層33、有機EL層34和陰極層36的發(fā)光基板(300)貼合，制造發(fā)光裝置(1000)。
文檔編號G09F9/33GK101728422SQ200910253830
公開日2010年6月9日 申請日期2002年12月18日 優(yōu)先權(quán)日2001年12月18日
發(fā)明者下田達也, 井上聰, 宮下悟 申請人:精工愛普生株式會社