專利名稱：液晶顯示裝置及其驅(qū)動方法以及包含其的電子裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體裝置、顯示裝置、液晶顯示裝置、用于驅(qū)動這些裝置的方法以及 用于制造這些裝置的方法。具體來說，本發(fā)明涉及包括在與像素部分相同的襯底上形成的 驅(qū)動器電路的半導(dǎo)體裝置、顯示裝置和液晶顯示裝置以及用于驅(qū)動這些裝置的方法。此外， 本發(fā)明還涉及包括該半導(dǎo)體裝置、顯示裝置或液晶顯示裝置的電子裝置。
背景技術(shù)：
近年來，隨著例如液晶電視等的大顯示裝置的增加，顯示裝置得到積極地發(fā)展。具 體來說，一種用于通過使用包括非單晶半導(dǎo)體的晶體管在與像素部分相同的襯底之上形成 例如柵極驅(qū)動器等驅(qū)動器電路的技術(shù)得到積極地發(fā)展，因為該技術(shù)在很大程度上有助于成 本的降低和可靠性的提高。在包括非單晶半導(dǎo)體的晶體管中，發(fā)生例如閾值電壓的變化或者遷移性降低等降 級。隨著晶體管的這種降級的進行，變得難以操作驅(qū)動器電路并且無法顯示圖像。專利文 獻1和2以及非專利文獻1分別公開一種移位寄存器，其中具有使來自觸發(fā)器(flip flop) 的輸出信號的電平成為L電平(L表示低)的功能的晶體管的降級(下文中又將這種晶體 管稱作下拉晶體管)可被抑制。在這些文獻中，使用兩個下拉晶體管。這兩個下拉晶體管 連接在觸發(fā)器的輸出端子與對其供應(yīng)VSS (又稱作負電源)的布線之間。此外，一個下拉晶 體管和另一個下拉晶體管交替導(dǎo)通(S卩，可以說，一個下拉晶體管和另一個下拉晶體管交 替進入導(dǎo)通狀態(tài))。相應(yīng)地，減小了下拉晶體管的每個導(dǎo)通的時間，使得可抑制下拉晶體管 特性的降級。[參考文獻][專利文獻][專利文獻1]日本公開專利申請No. 2005-050502[專利文獻2]日本公開專利申請No.2006-024350[非專利文獻][l]Yong Ho Jang ^A, “ Integrated Gate DriverCircuit Using a-Si TFT with Dual Pu 11-down Structure，，，Proceedings ofThe Ilth International Display Workshops 2004，pp.333-33
發(fā)明內(nèi)容
在常規(guī)技術(shù)所采用的結(jié)構(gòu)中，用于控制輸出信號以將其電平設(shè)置為高電平的晶體 管(下文中又稱作上拉晶體管)的柵極的電位高于正電源電壓或者一些情況下的高電平的 時鐘信號的電位。因此，在一些情況下將高電壓施加到上拉晶體管。備選地，在其它情況下， 將高電壓施加到與上拉晶體管的柵極連接的晶體管。備選地，在一些情況下，移位寄存器中 包含的晶體管的溝道寬度很大，以使移位寄存器甚至在晶體管降級時也進行操作。備選地， 在晶體管的溝道寬度很大的一些情況下，晶體管的柵極和源極或漏極可能短路。備選地，在一些情況下，當晶體管的溝道寬度很大時，移位寄存器中包含的晶體管的寄生電容增加。根據(jù)本發(fā)明的一個實施例，一個目的是抑制晶體管特性的降級。備選地，根據(jù)本發(fā) 明的一個實施例，一個目的是減小晶體管的溝道寬度。備選地，根據(jù)本發(fā)明的一個實施例， 一個目的是抑制上拉晶體管特性的降級或者減小上拉晶體管的溝道寬度。備選地，根據(jù)本 發(fā)明的一個實施例，一個目的是增加輸出信號的幅度。備選地，根據(jù)本發(fā)明的一個實施例， 一個目的是增加像素中包含的晶體管導(dǎo)通的時間。備選地，根據(jù)本發(fā)明的一個實施例，一個 目的是改進信號到像素的不充分寫入。備選地，根據(jù)本發(fā)明的一個實施例，一個目的是縮短 輸出信號的下降時間。備選地，根據(jù)本發(fā)明的一個實施例，一個目的是縮短輸出信號的上升 時間。備選地，根據(jù)本發(fā)明的一個實施例，一個目的是防止一行中的像素的視頻信號寫入不 同行的像素。備選地，根據(jù)本發(fā)明的一個實施例，一個目的是減少來自驅(qū)動器電路的輸出信 號的下降時間的變化。備選地，根據(jù)本發(fā)明的一個實施例，一個目的是使像素晶體管中的穿 通(feedthrough) —致。備選地，根據(jù)本發(fā)明的一個實施例，一個目的是減小串擾。備選地， 根據(jù)本發(fā)明的一個實施例，一個目的是減小布局面積。備選地，一個目的是減小顯示裝置的 幀的大小。備選地，根據(jù)本發(fā) 明的一個實施例，一個目的是實現(xiàn)顯示裝置的更高清晰度。備 選地，根據(jù)本發(fā)明的一個實施例，一個目的是提高產(chǎn)率。備選地，根據(jù)本發(fā)明的一個實施例， 一個目的是降低制造成本。備選地，根據(jù)本發(fā)明的一個實施例，一個目的是減小輸出信號的 失真。備選地，根據(jù)本發(fā)明的一個實施例，一個目的是減小輸出信號的延遲。備選地，根據(jù) 本發(fā)明的一個實施例，一個目的是降低功率消耗。備選地，根據(jù)本發(fā)明的一個實施例，一個 目的是降低外部電路的電流供應(yīng)能力。備選地，根據(jù)本發(fā)明的一個實施例，一個目的是減小 外部電路的大小或者包括外部電路的顯示裝置的大小。注意，這些目的的描述并不排除其 它目的的存在。此外，本發(fā)明的一個實施例不一定實現(xiàn)上述全部目的。本發(fā)明的一個實施例是液晶顯示裝置，其中包括驅(qū)動器電路，對其中輸入第一輸 入信號、第二輸入信號和第三輸入信號，并且從其中輸出輸出信號；以及像素，其中包括液 晶元件，并且施加到液晶元件的電壓按照輸出信號來設(shè)置。驅(qū)動器電路包括第一開關(guān)、第二 開關(guān)、第三開關(guān)和第四開關(guān)。第一開關(guān)和第二開關(guān)按照第三輸入信號來接通和切斷。第三 開關(guān)通過按照第一輸入信號而被接通或切斷來控制是否設(shè)置輸出信號的電位狀態(tài)，第一輸 入信號的輸入通過第一開關(guān)的接通和切斷來控制。第四開關(guān)通過按照第二輸入信號而被接 通或切斷來控制是否設(shè)置輸出信號的電位狀態(tài)，第二輸入信號的輸入通過第二開關(guān)的接通 和切斷來控制。本發(fā)明的一個實施例是液晶顯示裝置，其中包括驅(qū)動器電路，對其中輸入第一輸 入信號、第二輸入信號和第三輸入信號，并且從其中輸出輸出信號；以及像素，其中包括液 晶元件，并且施加到液晶元件的電壓按照輸出信號來設(shè)置。驅(qū)動器電路包括第一晶體管， 具有柵極、源極和漏極；第二晶體管，具有柵極、源極和漏極；第三晶體管，具有柵極、源極 和漏極；以及第四晶體管，具有柵極、源極和漏極。將第三輸入信號輸入到第一晶體管的柵 極，并且將第一輸入信號輸入到第一晶體管的源極和漏極其中之一。將第三輸入信號輸入 到第二晶體管的柵極，并且將第二輸入信號輸入到第二晶體管的源極和漏極其中之一。第 三晶體管的柵極電連接到第一晶體管的源極和漏極中的另一個，并且輸出信號的電位狀態(tài) 通過第三晶體管的導(dǎo)通和截止來控制。第四晶體管的柵極電連接到第二晶體管的源極和漏 極中的另一個，并且輸出信號的電位狀態(tài)通過第四晶體管的導(dǎo)通和截止來控制。
本發(fā)明的一個實施例是液晶顯示裝置，其中包括驅(qū)動器電路，對其中輸入第一 輸入信號、第二輸入信號、第三輸入信號和第四輸入信號，并且從其中輸出輸出信號；以及 像素，其中包括液晶元件，并且施加到液晶元件的電壓按照輸出信號來設(shè)置。驅(qū)動器電路 包括對其中輸入第一輸入信號的第一布線；第二布線，對其中輸入第二輸入信號；第三布 線，對其中輸入第三輸入信號；第四布線，對其中輸入第四輸入信號；第一晶體管，具有柵 極、源極和漏極；第二晶體管，具有柵極、源極和漏極；第三晶體管，具有柵極、源極和漏極； 第四晶體管，具有柵極、源極和漏極；以及第五布線。第一晶體管的柵極電連接到第三布線， 并且第一晶體管的源極和漏極其中之一電連接到第一布線。第二晶體管的柵極電連接到第 三布線，并且第二晶體管的源極和漏極其中之一電連接到第二布線。第三晶體管的柵極電 連接到第一晶體管的源極和漏極中的另一個，并且第三晶體管的源極和漏極其中之一電連 接到第四布線。第四晶體管的柵極電連接到第二晶體管的源極和漏極中的另一個，并且第 四晶體管的源極和漏極其中之一電連接到第四布線。第五布線電連接到第三晶體管的源極 和漏極中的另一個以及第四晶體管的源極和漏極中的另一個，并且施加到第五布線的電位 等于輸出信號的電位。本發(fā)明的一個實施例是液晶顯示裝置，其中包括驅(qū)動器電路，對其中輸入第一 輸入信號、第二輸入信號、第三輸入信號和第四輸入信號，并且從其中輸出輸出信號；以及 像素，其中包括液晶元件，并且施加到液晶元件的電壓按照輸出信號來設(shè)置。驅(qū)動器電路 包括 對其中輸入第一輸入信號的第一布線；第二布線，對其中輸入第二輸入信號；第三布 線，對其中輸入第三輸入信號；第四布線，對其中輸入第四輸入信號；第一晶體管，具有柵 極、源極和漏極；第二晶體管，具有柵極、源極和漏極；第三晶體管，具有柵極、源極和漏極； 第四晶體管，具有柵極、源極和漏極；以及第五布線。第一晶體管的源極和漏極其中之一以 及柵極電連接到第一布線。第二晶體管的源極和漏極其中之一以及柵極電連接到第二布 線。第三晶體管的柵極電連接到第一晶體管的源極和漏極中的另一個，并且第三晶體管的 源極和漏極其中之一電連接到第三布線。第四晶體管的柵極電連接到第二晶體管的源極和 漏極中的另一個，并且第四晶體管的源極和漏極其中之一電連接到第四布線。第五布線電 連接到第三晶體管的源極和漏極中的另一個以及第四晶體管的源極和漏極中的另一個，并 且施加到第五布線的電位等于輸出信號的電位。本發(fā)明的一個實施例是液晶顯示裝置，其中包括驅(qū)動器電路，對其中輸入第一輸 入信號和第二輸入信號，并且從其中輸出輸出信號；以及像素，其中包括液晶元件，并且施 加到液晶元件的電壓按照輸出信號來設(shè)置。驅(qū)動器電路包括對其中輸入第一輸入信號的 第一布線；第二布線，對其中輸入第二輸入信號；第一晶體管，具有柵極、源極和漏極；第二 晶體管，具有柵極、源極和漏極；第三晶體管，具有柵極、源極和漏極；第四晶體管，具有柵 極、源極和漏極；以及第三布線。第一晶體管的源極和漏極其中之一以及柵極電連接到第一 布線。第二晶體管的源極和漏極其中之一以及柵極電連接到第二布線。第三晶體管的源極 和漏極其中之一以及柵極電連接到第一晶體管的源極和漏極中的另一個。第四晶體管的源 極和漏極其中之一以及柵極電連接到第二晶體管的源極和漏極中的另一個。第三布線電連 接到第三晶體管的源極和漏極中的另一個以及第四晶體管的源極和漏極中的另一個，并且 施加到第三布線的電位等于輸出信號的電位。根據(jù)本發(fā)明的一個實施例，第三晶體管的溝道寬度可等于第四晶體管的溝道寬度。根據(jù)本發(fā)明的一個實施例，第一晶體管的溝道寬度可小于第三晶體管的溝道寬 度，并且第二晶體管的溝道寬度可小于第四晶體管的溝道寬度。本發(fā)明的一個實施例是液晶顯示裝置，其中包括驅(qū)動器電路，對其中輸入第一輸 入信號和第二輸入信號，并且從其中輸出輸出信號；以及像素，其中包括液晶元件，并且施 加到液晶元件的電壓按照輸出信號來設(shè)置。驅(qū)動器電路包括對其中輸入第一輸入信號的 第一布線；第二布線，對其中輸入第二輸入信號；第一晶體管，具有柵極、源極和漏極；第二 晶體管，具有柵極、源極和漏極；第一二極管，具有正電極和負電極；第二二極管，具有正電 極和負電極；以及第三布線。第一晶體管的源極和漏極其中之一以及柵極電連接到第一布 線。第二晶體管的源極和漏極其中之一以及柵極電連接到第二布線。第一二極管的正電極 電連接到第一晶體管的源極和漏極中的另一個。第二二極管的正電極電連接到第二晶體管 的源極和漏極中的另一個。第三布線電連接到第一二極管的負電極以及第二二極管的負電 極，并且施加到第三布線的電位等于輸出信號的電位。

根據(jù)本發(fā)明的一個實施例，第一晶體管的溝道寬度可等于第二晶體管的溝道寬度。本發(fā)明的一個實施例是電子裝置，其中至少包括上述任一個中公開的液晶顯示裝 置以及用于控制液晶顯示裝置的操作的操作開關(guān)。注意，各種開關(guān)可用作開關(guān)。開關(guān)的示例是電開關(guān)、機械開關(guān)等等。也就是說，對 于開關(guān)的種類沒有具體限制，只要它可控制電流的流動。開關(guān)的示例包括晶體管(例如雙極晶體管或MOS晶體管)、二極管(例如PN 二極 管、PIN 二極管、肖特基二極管、金屬-絕緣體-金屬(MIM) 二極管、金屬_絕緣體_半導(dǎo)體 (MIS) 二極管或者二極管接法的晶體管)或者組合這類元件的邏輯電路。作為機械開關(guān)的 示例，存在通過與數(shù)字微鏡裝置(DMD)相似的微機電系統(tǒng)(MEMS)技術(shù)所形成的開關(guān)。這種 開關(guān)包括可機械移動的電極，并且通過電極的移動而控制電連接或者非電連接。注意，通過使用η溝道和ρ溝道兩種晶體管，CMOS開關(guān)可用作開關(guān)。注意，顯示元件、作為具有顯示元件的裝置的顯示裝置、發(fā)光元件以及作為具有發(fā) 光元件的裝置的發(fā)光裝置可使用各種類型，并且可包括各種元件。例如，顯示元件、顯示裝 置、發(fā)光元件和發(fā)光裝置可包括顯示介質(zhì)，其中對比度、亮度、反射率、透射率等通過電磁動 作來改變，可使用例如EL (電致發(fā)光)元件(例如包括有機和無機材料的EL元件、有機EL 元件或無機EL元件)、LED (例如白LED、紅LED、綠LED或藍LED)、晶體管(例如發(fā)射與電流 對應(yīng)的光線的晶體管)、電子發(fā)射器、液晶元件、電子墨水、電泳元件、光柵光閥(GLV)、數(shù)字 微鏡裝置(DMD)或碳納米管。備選地，顯示裝置的示例可以是等離子體顯示器和壓電陶瓷 顯示器。注意，具有EL元件的顯示裝置的示例包括EL顯示器等等。具有電子發(fā)射器的顯示 裝置的示例包括場致發(fā)射顯示器(FED)、SED類型平板顯示器(SED 表面?zhèn)鲗?dǎo)電子發(fā)射顯示 器)等等。具有液晶元件的顯示裝置的示例包括液晶顯示器(例如透射式液晶顯示器、半透 半反射式液晶顯示器、反射式液晶顯示器、直視式液晶顯示器或者投影液晶顯示器)等等。 具有電子墨水或電泳元件的顯示裝置的示例包括電子紙。液晶顯示元件的一個示例是通過液晶的光學(xué)調(diào)制動作來控制光線的透射和不透 射的元件。這種元件可使用一對電極和液晶層來形成。注意，液晶的光學(xué)調(diào)制動作通過施加到液晶的電場(包括橫向電場、垂直電場和對角線電場)來控制。具體來說，下列液晶 可用于液晶元件向列型液晶、膽留型液晶、近晶型液晶、盤狀液晶、熱致型液晶、溶致液晶、 低分子量液晶、高分子量液晶、PDLC(聚合物分散型液晶)、鐵電液晶、反鐵電液晶、主鏈類 型液晶、側(cè)鏈類型聚合物液晶、等離子體尋址液晶(PALC)、香蕉形液晶。另外，可采用以下 模式TN(扭轉(zhuǎn)向列)模式、STN(超扭轉(zhuǎn)向列)模式、IPS (共面轉(zhuǎn)換)模式、FFS (邊緣場轉(zhuǎn) 換)模式、MVA(多區(qū)域垂直排列)模式、PVA(構(gòu)型垂直排列)模式、ASV(高級超視覺)模 式、ASM(軸向?qū)ΨQ排列微單元)模式、OCB(光學(xué)補償雙折射)模式、ECB(電可控雙折射) 模式、FLC(鐵電液晶)模式、AFLC(反鐵電液晶)模式、PDLC(聚合物分散型液晶)模式、 客-主型模式和藍相模式等。注意，本發(fā)明并不局限于此，而是可使用各種液晶元件。注意，可使用具有各種結(jié)構(gòu)的晶體管。因此，對于將要使用的晶體管的種類沒有限 制。例如，可使用包括以非晶硅、多晶硅、微晶(又稱作微晶體、納米晶體或半非晶)硅等等 為代表的非單晶半導(dǎo)體膜的薄膜晶體管(TFT)。作為晶體管的一個示例，可給出包括例如ZnO、a-InGaZnO、SiGe, GaAs, IZO(氧化 銦鋅)、ITO (氧化銦錫)、SnO, TiO或AlZnSnO (AZTO)等化合物半導(dǎo)體或氧化物半導(dǎo)體的晶 體管、通過薄化這種化合物半導(dǎo)體或氧化物半導(dǎo)體所得到的薄膜晶體管等等。 作為晶體管的一個示例，可給出通過使用噴墨方法或印刷方法所形成的晶體管寸。此外，作為晶體管的一個示例，可給出包括有機半導(dǎo)體或碳納米管的晶體管等。注意，可使用具有各種結(jié)構(gòu)的晶體管。例如，MOS晶體管、結(jié)型晶體管、雙極晶體管 等可用作晶體管。備選地，作為晶體管的一個示例，可使用具有兩個或更多柵電極的多柵結(jié)構(gòu)。作為晶體管的另一個示例，可使用具有其中柵電極在溝道之上或之下形成的結(jié)構(gòu) 的晶體管。備選地，作為晶體管的一個示例，可給出具有其中柵電極在溝道區(qū)之上形成的結(jié) 構(gòu)、其中柵電極在溝道區(qū)之下形成的結(jié)構(gòu)、交錯結(jié)構(gòu)、倒置交錯結(jié)構(gòu)、其中溝道區(qū)分為多個 區(qū)域的結(jié)構(gòu)或者其中溝道區(qū)并行或串行連接的結(jié)構(gòu)的晶體管。又備選地，作為晶體管的一個示例，可給出具有其中源電極或漏電極可與溝道區(qū) (或其中一部分)重疊的結(jié)構(gòu)的晶體管。又備選地，作為晶體管的一個示例，可應(yīng)用具有其中提供LDD區(qū)域的結(jié)構(gòu)的晶體管。此外，對于用于形成晶體管的襯底的種類沒有具體限制，并且晶體管可使用各種 襯底來形成。作為襯底的一個示例，可給出半導(dǎo)體襯底、單晶襯底(例如硅襯底)、SOI襯 底、玻璃襯底、石英襯底、塑料襯底、金屬襯底、不銹鋼襯底、包括不銹鋼箔的襯底、鎢襯底、 包括鎢箔的襯底、柔性襯底、貼合膜(attachment film)、包括纖維材料的紙張、基底材料膜 等等。作為玻璃襯底的一個示例，可給出鋇硼硅酸鹽玻璃襯底、鋁硼硅酸鹽玻璃襯底、堿石 灰玻璃襯底等等。對于柔性襯底，例如，可使用例如由聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚鄰苯 二甲酸乙二醇酯(PEN)和聚醚砜(PES)或丙烯酸所代表的塑料等柔性合成樹脂。貼合膜的 示例是使用聚丙烯、聚酯、乙烯基、聚氟乙烯、聚氯乙烯等形成的貼合膜?；啄さ氖纠鞘?用聚酯、聚酰胺、聚酰亞胺、無機氣相沉積膜、紙等形成的基底膜。具體來說，當晶體管使用半導(dǎo)體襯底、單晶襯底、SOI襯底等形成時，可形成具有特性、大小、形狀等的極少變化、高電 流供應(yīng)能力和小尺寸的晶體管。通過使用這類晶體管來形成電路，電路的功率消耗可降低， 或者電路可高度集成。注意，晶體管可使用一個襯底來形成，然后可將晶體管轉(zhuǎn)置到另一個襯底。除了其 上可形成晶體管的上述襯底之外，要將晶體管轉(zhuǎn)置到其上的襯底的示例是紙襯底、玻璃紙 (cellophane)襯底、石料襯底、木襯底、布襯底(包括天然纖維(例如絲綢、棉或大麻)、合 成纖維(例如尼龍、聚氨酯或聚酯)、再生纖維(例如醋酸酯(acetate)、銅胺(cupra)、人造 絲或再生聚酯)等)、皮革襯底、橡膠襯底等等。當使 用這種襯底時，可實現(xiàn)晶體管電特性的 改進或者晶體管的功耗的降低。此外，可實現(xiàn)可靠性的改進、耐熱性的改進、重量的減小或 者包括晶體管的裝置的厚度的減小。注意，實現(xiàn)預(yù)期功能所需的所有電路可使用一個襯底(例如玻璃襯底、塑料襯底、 單晶襯底或SOI襯底)來形成。這樣，成本可通過組成部件的數(shù)量的減少而降低，或者可靠 性可通過到電路組件的連接數(shù)量的減少而提高。另外，并非需要實現(xiàn)預(yù)定功能所需的所有電路都使用一個襯底來形成。也就是說， 實現(xiàn)預(yù)定功能所需的部分電路可使用一個襯底來形成，而實現(xiàn)預(yù)定功能所需的電路的另一 部分可使用另一個襯底來形成。例如，實現(xiàn)預(yù)定功能所需的部分電路可在玻璃襯底之上形 成，而實現(xiàn)預(yù)定功能所需的電路的另一部分可使用單晶襯底來形成。然后，提供有實現(xiàn)預(yù) 定功能所需的電路的另一部分的單晶襯底可通過COG(玻璃上芯片)連接到玻璃襯底，以 便為玻璃襯底提供設(shè)置有電路(又稱作IC芯片)的單晶襯底。備選地，IC芯片可通過使 用TAB (帶式自動接合)、COF (膜上芯片)、SMT (表面安裝技術(shù))、印刷襯底等連接到玻璃襯 底。當部分電路按照這種方式在形成像素部分的襯底之上形成時，成本可通過組成部件的 數(shù)量的減少而降低，或者可靠性可通過電路組件之間的連接數(shù)量的減少而提高。具體來說， 驅(qū)動電壓很高的部分中的電路、驅(qū)動頻率很高的部分中的電路等在許多情況下消耗大量功 率。因此，這種電路在與其上形成像素部分的襯底不同的襯底(例如單晶襯底)之上形成， 以便形成IC芯片。通過使用這種IC芯片，可防止功耗的增加。注意，晶體管可以是例如具有至少三個端子的元件柵極、漏極和源極。元件在漏 區(qū)與源區(qū)之間具有溝道區(qū)。電流可流經(jīng)漏區(qū)、溝道區(qū)和源區(qū)。在這里，由于源極和漏極可根 據(jù)晶體管的結(jié)構(gòu)、操作條件等進行改變，所以難以定義哪一個是源極或漏極。因此，在一些 情況下，用作源極或漏極的區(qū)域不稱作源極或漏極。作為一個示例，在一些情況下，源極和 漏極其中之一稱作第一端子、第一電極或第一區(qū)域，而源極和漏極中的另一個稱作第二端 子、第二電極或第二區(qū)域。另外，在一些情況下，柵極稱作第三端子或第三電極。注意，晶體管可以是包括至少三個端子的元件基極、發(fā)射極和集電極。同樣在那 種情況下，在一些情況下，發(fā)射極和集電極之一稱作第一端子、第一電極或第一區(qū)域，而發(fā) 射極和集電極中的另一個稱作第二端子、第二電極或第二區(qū)域。注意，在其中雙極晶體管用 作晶體管的情況下，柵極可改述為基極。注意，當明確描述A和B連接時，A和B電連接的情況、A和B功能連接的情況以及 A和B直接連接的情況包含在其中。在這里，A和B的每個是對象(例如裝置、元件、電路、 布線、電極、端子、導(dǎo)電膜或?qū)?。相應(yīng)地，另一個元件可設(shè)置在附圖和文本所示的連接中，而 并不局限于預(yù)定連接(例如附圖和文本所示的連接)。
例如，當A和B電連接時，實現(xiàn)A與B之間的電連接的一個或多個元件(例如開關(guān)、 晶體管、電容器、電感器、電阻器或二極管)可連接在A與B之間。例如，當A和B功能連接時，實現(xiàn)A與B之間的功能連接的一個或多個電路(例如， 諸如反相器、NAND電路或者NOR電路等邏輯電路；諸如DA轉(zhuǎn)換器電路、AD轉(zhuǎn)換器電路或伽 瑪修正電路等信號轉(zhuǎn)換器電路；諸如電源電路(例如升壓電路或降壓電路)或者用于改變 信號的電位電平的電平移位電路等電位電平轉(zhuǎn)換器電路；電壓源；電流源；開關(guān)電路；或者 例如可增加信號幅度、電流量等等的電路(例如運算放大器、差分放大器電路、源極跟隨器 電路或緩沖器電路)的放大器電路、信號生成電路、存儲器電路或控制電路等)可連接在A 與B之間。注意，例如，在將從A所輸出的信號傳送到B時，可以說，A和B功能連接(即使 另一個電路設(shè)置在A與B之間)。注意，當明確描述A和B電連接時，A和B電連接的情況(即，A和B與設(shè)置在它們 之間的另一個元件或者另一個電路連接的情況)、A和B功能連接的情況(S卩，A和B與設(shè) 置在它們之間的另一個電路功能連接的情況)以及A和B直接連接的情況(S卩，A和B之 間沒有另一個元件或者另一個電路而進行連接的情況)均包含在其中。也就是說，當明確 描述A和B電連接時，此描述與僅明確描述A和B連接的情況是相同的。 當明確描述B在A之上或上面形成時，并不一定表示B與A直接接觸而形成。此 描述包括A和B沒有相互直接接觸的情況、另一個對象插入A與B之間的情況。在這里，A 和B的每個是對象(例如裝置、元件、電路、布線、電極、端子、導(dǎo)電膜或?qū)?。相應(yīng)地，例如，當明確描述層B在層A上面(之上)形成時，它包括層B與層A直 接接觸而形成的情況以及另一個層(例如層C或?qū)覦)與層A直接接觸而形成而層B與層 C或D直接接觸而形成的情況。注意，另一個層(例如層C或?qū)覦)可以是單個層或者多個 層。類似地，當明確描述B在A之上形成時，并不一定表示B與A直接接觸而形成，以 及是另一個對象可插入A與B之間。相應(yīng)地，層B在層A之上形成的情況包括層B與層A 直接接觸而形成的情況以及另一個層(例如層C和層D)與層A直接接觸而形成而層B與 層C或D直接接觸而形成的情況。注意，另一個層(例如層C或?qū)覦)可以是單個層或者多個層。注意，當明確描述B在A之上、上面或上方形成時，B可在A對角線上方形成。注 意，當明確描述B在A之下或下面形成時，可以說情況也是如此。注意，明確的單數(shù)形式優(yōu)選地表示單數(shù)形式。但是，并不局限于此，這類單數(shù)形式 可包括復(fù)數(shù)形式。類似地，明確的復(fù)數(shù)形式優(yōu)選地表示復(fù)數(shù)形式。但是，并不局限于此，這 類復(fù)數(shù)形式可包括單數(shù)形式。注意，圖中層或區(qū)域的厚度有時為了簡潔起見而放大。因此，本發(fā)明的實施例不局 限于這類比例。注意，簡圖示意示出一個理想示例，但是本發(fā)明的實施例并不局限于圖中所示的 形狀或值。例如，可包括以下各項因制造技術(shù)或尺寸偏差而引起的形狀的變化；或者因噪 聲或者時序差而引起的信號、電壓或電流的變化。注意，在許多情況下使用技術(shù)術(shù)語，以便描述具體實施例等，而對術(shù)語沒有限制。 但是，本發(fā)明的一個實施例不應(yīng)當理解為受到技術(shù)術(shù)語限制。
注意，沒有定義的術(shù)語(包括用于科學(xué)技術(shù)的術(shù)語，例如技術(shù)術(shù)語和學(xué)術(shù)用語)可 用作具有與本領(lǐng)域的技術(shù)人員理解的一般含義等效的含義的術(shù)語。優(yōu)選的是，詞典等所定 義的術(shù)語可理解為與背景技術(shù)一致的含義。例如第一、第二和第三等術(shù)語用于分區(qū)各種元件、構(gòu)件、區(qū)域、層和范圍。因此，例 如第一、第二和第三等術(shù)語并不局限于元件、構(gòu)件、區(qū)域、層和范圍的數(shù)量。此外，例如，“第
一”可用“第二”、“第三”等取代。例如“之上”、“上方”、“之下”、“下方”、“橫向”、“右”、“左”、“傾斜”、“后”、“前”、“內(nèi)
部”、“外部”和“之中”等用于描述空間布置的術(shù)語往往用于參照簡圖簡要示出一個元件與 另一個元件之間或者某些特性與其它特性之間的關(guān)系。注意，本發(fā)明的實施例并不局限于 此，用于描述空間布置的這類術(shù)語可以不僅指明圖中所示的方向，而且還指明另一個方向。
例如，當明確描述“B在A之上”時，不一定表示B放置于A之上，而是可包括B放置在A之 下的情況，因為圖中的裝置可倒轉(zhuǎn)或旋轉(zhuǎn)180°。相應(yīng)地，除了通過“之上”所描述的方向之 外，“之上”還可以指“之下”所描述的方向。注意，本發(fā)明的實施例并不局限于此，除了由 “之上”和“之下”所描述的方向之外，“之上”還可以指由“橫向”、“右”、“左”、“傾斜”、“后”、 “前”、“內(nèi)部”、“外部”和“之中”所描述的其它方向，因為圖中的裝置可旋轉(zhuǎn)到各種方向。也 就是說，用于描述空間布置的術(shù)語可根據(jù)情形充分地理解。本發(fā)明的一個實施例包括連接第一布線和第二布線的第一開關(guān)以及連接第一布 線和第二布線的第二開關(guān)。在第一周期，第一開關(guān)接通，而第二開關(guān)切斷。在第二周期，第 一開關(guān)切斷，并且第二開關(guān)切斷。在第三周期，第一開關(guān)切斷，而第二開關(guān)接通。在第四周 期，第一開關(guān)切斷，并且第二開關(guān)切斷。本發(fā)明的一個實施例包括第一布線與第二布線之間的第一路徑和第二路徑。在第 一周期，通過第一路徑使第一布線和第二布線進行電接觸。在第二周期，第一布線和第二布 線切斷電連接。在第三周期，通過第二路徑，第一布線和第二布線電連接。在第四周期，第 一布線和第二布線切斷電連接。本發(fā)明的一個實施例包括第一晶體管和第二晶體管。第一晶體管的第一端子連接 到第一布線，第一晶體管的第二端子連接到第二布線，并且第一晶體管的柵極連接到第三 布線。第二晶體管的第一端子連接到第一布線，第二晶體管的第二端子連接到第二布線，并 且第二晶體管的柵極連接到第四布線。本發(fā)明的一個實施例包括第一晶體管和第二晶體管。在第一周期，第一晶體管導(dǎo) 通，而第二晶體管截止。在第二周期，第一晶體管截止，而第二晶體管導(dǎo)通。在第三周期，第 一晶體管截止，而第二晶體管導(dǎo)通。在第四周期，第一晶體管截止，而第二晶體管導(dǎo)通。本發(fā)明的一個實施例包括第一晶體管、第二晶體管和第三晶體管。第一晶體管的 第一端子連接到第一布線，第一晶體管的第二端子連接到第二布線，并且第一晶體管的柵 極連接到第三布線。第二晶體管的第一端子連接到第一布線，第二晶體管的第二端子連接 到第二布線，并且第二晶體管的柵極連接到第四布線。第三晶體管的第一端子連接到第五 布線，第三晶體管的第二端子連接到第二布線，并且第三晶體管的柵極連接到第六布線。根據(jù)本發(fā)明的一個實施例，可抑制晶體管特性的降級。備選地，根據(jù)本發(fā)明的一個 實施例，可減小晶體管的溝道寬度。具體來說，可實現(xiàn)上拉晶體管特性的降級的抑制或者上 拉晶體管的溝道寬度的減小。備選地，根據(jù)本發(fā)明的一個實施例，可減小布局面積。備選地，根據(jù)本發(fā)明的一個實施例，可減小顯示裝置的幀的大小。備選地，根據(jù)本發(fā)明的一個實 施例，可獲得高清晰度顯示裝置。備選地，根據(jù)本發(fā)明的一個實施例，可提高產(chǎn)量。備選地， 根據(jù)本發(fā)明的一個實施例，可降低制造成本。備選地，根據(jù)本發(fā)明的一個實施例，可降低功 耗。備選地，根據(jù)本發(fā)明的一個實施例，可降低外部電路的電流供應(yīng)能力。備選地，根據(jù)本 發(fā)明的一個實施例，可減小外部電路的大小或者包括外部電路的顯示裝置的大小。


圖1A、圖1C、圖IE和圖IG是實施例1中的半導(dǎo)體裝置的電路圖的示例，而圖1B、 圖ID和圖IF是示出實施例1中的半導(dǎo)體裝置的操作的示意圖的示例。圖2A是示出實施例1中的半導(dǎo)體裝置的操作的時序圖的示例，圖2B、圖2D和圖 2F是實施例1中的半導(dǎo)體裝置的電路圖的示例，而圖2C、圖2E和圖2G是示出實施例1中 的半導(dǎo)體裝置的操作的示意圖的示例。圖3是示出實施例1中的半導(dǎo)體裝置的操作的時序圖的示例。圖4A和圖4B是實施例2中的半導(dǎo)體裝置的電路圖的示例，而圖4C是示出實施例 2中的半導(dǎo)體裝置的操作的時序圖的示例。圖5A至圖5E是示出實施例2中的半導(dǎo)體裝置的操作的示意圖的示例，而圖5F是 實施例2中的半 導(dǎo)體裝置的電路圖的示例。圖6A至圖6E是示出實施例2中的半導(dǎo)體裝置的操作的示意圖的示例。圖7A和圖7B是示出實施例2中的半導(dǎo)體裝置的操作的時序圖的示例。圖8A至圖8F是實施例2中的半導(dǎo)體裝置的電路圖的示例。圖9A至圖9F是實施例2中的半導(dǎo)體裝置的電路圖的示例。圖IOA至圖IOH是示出實施例2中的半導(dǎo)體裝置的操作的示意圖的示例。圖IlA至圖IlF是實施例2中的半導(dǎo)體裝置的電路圖的示例。圖12A至圖12F是實施例2中的半導(dǎo)體裝置的電路圖的示例。圖13A是實施例2中的半導(dǎo)體裝置的電路圖的示例，而圖13B是示出實施例2中 的半導(dǎo)體裝置的操作的時序圖的示例。圖14是實施例3中的半導(dǎo)體裝置的電路圖的示例。圖15A和圖15B是實施例3中的半導(dǎo)體裝置的電路圖的示例。圖16A至圖16C是示出實施例3中的半導(dǎo)體裝置的操作的示意圖的示例。圖17A至圖17C是示出實施例3中的半導(dǎo)體裝置的操作的示意圖的示例。圖18A至圖18C是實施例3中的半導(dǎo)體裝置的電路圖的示例。圖19A至圖19C是實施例3中的半導(dǎo)體裝置的電路圖的示例。圖20A和圖20B是實施例3中的半導(dǎo)體裝置的電路圖的示例。圖21是實施例3中的半導(dǎo)體裝置的電路圖的示例。圖22A至圖22D是實施例3中的半導(dǎo)體裝置的電路圖的示例。圖23A至圖23D是實施例3中的半導(dǎo)體裝置的電路圖的示例。圖24A至圖24D是實施例3中的半導(dǎo)體裝置的電路圖的示例。圖25A和圖25B是實施例3中的半導(dǎo)體裝置的電路圖的示例。圖26是實施例4中的移位寄存器的電路圖的示例。
圖27是示出實施例4中的移位寄存器的操作的時序圖的示例。圖28A和圖28B是示出實施例4中的移位寄存器的操作的時序圖的示例。圖29是實施例4中的移位寄存器的電路圖的示例。圖30A和圖30B是實施例5中的顯示裝置的框圖的示例。圖31A至圖31E是實施例5中的顯示裝置的框圖的示例。圖32A是實施例6中的信號線驅(qū)動器電路的電路圖的示例，而圖32B是示出實施 例6中的信號驅(qū)動器電路的操作的時序圖的示例。圖33A是實施例7中的像素的電路圖的示例，而圖33B和圖33C是示出實施例7 中的像素的操作的時序圖的示例。圖34A至圖34C是實施例7中的像素的電路圖的示例。 圖35A是實施例8中的顯示裝置的截面圖的頂視圖的示例，而圖35B和圖35C是 實施例8中的顯示裝置的截面圖的示例。圖36A至圖36C是實施例9中的晶體管的截面圖的示例。圖37A至圖37E是示出實施例10中的晶體管的制造步驟的截面圖的示例。圖38是實施例11中的半導(dǎo)體裝置的布局視圖的示例。圖39A至圖39H是示出實施例12中的電子裝置的簡圖的示例。圖40A至圖40H是示出實施例12中的電子裝置的簡圖的示例。圖41是實施例3中的半導(dǎo)體裝置的電路圖的示例。圖42A和圖42B是分別示出實施例3中的半導(dǎo)體裝置的檢驗結(jié)果的簡圖。
具體實施例方式下面將參照附圖來描述實施例。但是，實施例可采用不同模式來實現(xiàn)。本領(lǐng)域的 技術(shù)人員易于理解，模式和細節(jié)可按照各種方式改變，而沒有背離本發(fā)明的精神和范圍。因 此，本發(fā)明不是要理解為局限于以下實施例的描述。注意，在以下所述的本發(fā)明的結(jié)構(gòu)中， 相同部分或者具有相似功能的部分由相同的參考標號來表示，并且不再重復(fù)對其進行描 述。注意，在一個實施例中所描述的內(nèi)容(或者其中一部分)可應(yīng)用于同一個實施例 中的另一個內(nèi)容和/或另一個實施例或其它實施例中所描述的內(nèi)容(或者其中一部分)、與 它們進行組合或者與它們互換。注意，在各實施例中，實施例中所述的內(nèi)容是參照各個附圖所述的內(nèi)容或者采用 本說明書中公開的段落所述的內(nèi)容。另外，通過將一個實施例中所述的簡圖(或者其中一部分)與簡圖的另一部分、同 一個實施例中所述的不同簡圖(或者其中一部分)和/或一個或多個不同實施例中所述的 簡圖(或者其中一部分)進行組合，可形成更多簡圖。注意，在一個實施例中所述的簡圖或文本中，取出簡圖或文本的一部分，并且可構(gòu) 成本發(fā)明的一個實施例。因此，在描述與某個部分相關(guān)的簡圖或文本的情況下，還把從簡圖 或文本的一部分所取出的上下文作為本發(fā)明的一個實施例進行公開，并且可構(gòu)成本發(fā)明的 一個實施例。因此，例如，在描述一個或多個有源元件(例如晶體管或二極管)、布線、無源 元件(例如電容器或電阻器)、導(dǎo)電層、絕緣層、半導(dǎo)體層、有機材料、無機材料、組件、襯底、模塊、裝置、固體、液體、氣體、操作方法、制造方法等等的簡圖(例如截面圖、平面圖、電路 圖、框圖、流程圖、過程圖、透視圖、立方圖、布局圖、時序圖、結(jié)構(gòu)圖、示意圖、圖表、列表、射 線圖、向量圖、相圖、波形圖、照片或者化學(xué)式)或文本中，取出簡圖或文本的一部分，并且 可構(gòu)成本發(fā)明的一個實施例。(實施例1)在這個實施例中，將描述半導(dǎo)體裝置的一個示例。這個實施例中的半導(dǎo)體裝置可 用于各種驅(qū)動器電路，例如移位寄存器、柵極驅(qū)動器或源極驅(qū)動器。注意，這個實施例中的 半導(dǎo)體裝置又可稱作驅(qū)動器電路或電路。首先，將參照圖IA來描述這個實施例的半導(dǎo)體裝置。圖IA中的半導(dǎo)體裝置包括 多個開關(guān)開關(guān)11_1和11_2。開關(guān)11_1和11_2連接布線111和布線112。但是，這個實 施例并不局限于這個示例。半導(dǎo)體裝置可包括三個或更多開關(guān)。接下來描述對每個布線輸入或者從每個布線輸出的信號、電壓等的一個示例。

作為一個示例，信號OUT從布線111輸出。例如，信號OUT可具有第一電位狀態(tài)和 第二電位狀態(tài)。例如，信號OUT是在許多情況下具有H電平(又稱作高電平)和L電平(又 稱作低電平)的兩種狀態(tài)的數(shù)字信號，并且可用作輸出信號。因此，布線111可用作信號線。 具體來說，布線111可設(shè)置成以便延伸到像素部分。此外，布線111可連接到像素。例如， 在液晶顯示裝置的情況下，可采用其中布線111連接到包括液晶元件的像素并且施加到液 晶元件的電壓按照布線111的電位來設(shè)置的結(jié)構(gòu)。備選地，布線111可連接到像素中包含 的晶體管(例如選擇晶體管或開關(guān)晶體管)的柵極。在這種情況下，信號OUT可用作選擇 信號、轉(zhuǎn)移信號、啟動信號、復(fù)位信號、柵極信號或者掃描信號。因此，布線111可用作柵極 信號線(柵極線)或掃描線。例如，將信號CKl輸入到布線112。例如，信號CKl可具有第一電位狀態(tài)和第二電 位狀態(tài)。例如，信號CKl是許多情況下在H電平與L電平之間反復(fù)切換的數(shù)字信號，并且可 用作時鐘信號。因此，布線112可用作信號線或時鐘信號線。但是，這個實施例并不局限于 這個示例。與以上所述不同，各種信號、電壓或電流可輸入到布線111或布線112。例如，將 電壓提供給布線111或布線112，使得布線111或布線112可用作電源線。例如，第一電位狀態(tài)、即L電平的信號的電位由Vl表示，而第二電位狀態(tài)、即H電 平的信號的電位由V2表示。此外，V2高于VI。注意，這個實施例并不局限于此，而是L電 平的信號的電位可低于或高于VI。備選地，H電平的信號的電位可低于或高于V2。例如， 雖然信號稱作H電平的信號，但是存在信號的電位低于V2的情況或者信號高于V2的情況， 這取決于電路配置。備選地，雖然信號稱作L電平的信號，但是存在信號的電位低于Vl的 情況或者信號高于Vl的情況，這取決于電路配置。注意，術(shù)語“近似地”表示值包括各種誤差，例如因噪聲引起的誤差、因過程變化引 起的誤差、因制造元件的步驟的變化引起的誤差和/或測量誤差。注意，一般來說，電壓表示兩個點電位之間的差(又稱作電位差)，而電位表示靜 電場中的單位電荷在一個點具有的靜電能(電位能量)。但是，在電子電路中，甚至在只有 一個點的情況下，一點的電位與用作參考(又稱作參考電位)的電位之間的差可用作值。另 夕卜，電壓的值和電位的值在電路圖中均由伏特(V)表示；因此，很難區(qū)分電壓和電位。因此， 在本申請的文檔(說明書和權(quán)利要求書的范圍)中，電壓有時按值來對待(甚至在考慮只有一點的情況下)，除非另加說明。注意，信號CKl可以是平衡信號或者不平衡信號。平衡信號是在一個循環(huán)中信號 處于H電平的周期和信號處于L電平的周期具有近似相同長度的信號。不平衡信號是在一 個循環(huán)中信號處于H電平的周期和信號處于L電平的周期具有不同長度的信號。注意，術(shù) 語“不同，，在這里并不包括術(shù)語“近似相同”的范圍。接下來描述開關(guān)11_1和11_2的功能。開關(guān)11_1和11_2具有控制布線111與布 線112之間的電子連續(xù)性狀態(tài)的功能。相應(yīng)地，如圖IB所示，在布線111與112之間存在 路徑21_1和21_2的多個路徑。備選地，開關(guān)11_1和11_2具有控制是否設(shè)置信號OUT的 電位狀態(tài)的功能。但是，這個實施例并不局限于這個示例。開關(guān)11_1和11_2可具有與以 上所述不同的各種功能。注意，術(shù)語“布線A(例如布線111)與布線B(例如布線112)之間的路徑”包括開 關(guān)連接布線A和布線B的情況。但是，這個實施例并不局限于此，而是與開關(guān)不同的各種 元件(例如晶體管、二極管、電阻器或電容器)或者各種電路(例如緩沖器電路、換流器電 路或移位寄存器)可連接布線A和B。相應(yīng)地，例如，諸如電阻器或晶體管等元件可與開關(guān) 11_1串聯(lián)或并聯(lián)。 接下來，將參照圖2A的時序圖來描述圖IA中的半導(dǎo)體裝置的操作。但是，這個實 施例并不局限于這個示例。圖IA中的半導(dǎo)體裝置可在各種定時來控制。圖2A中的時序圖示出信號CKl的波形、開關(guān)11_1的狀態(tài)(通或斷)的波形、開關(guān) 11_2的狀態(tài)(通或斷)的波形以及信號OUT的波形。圖2A的時序圖包括多個周期，并且各 周期具有多個子周期。例如，圖2A的時序圖包括多個周期(下文中，周期又稱作幀周期)Tl 和多個周期T2。周期Tl包括多個子周期(下文中，子周期又稱作一個柵極選擇周期)Al、 Bi、Cl、Dl和E1。周期T2包括多個子周期A2、B2、C2、D2和E2。但是，這個實施例并不局 限于這個示例。圖2A的時序圖可包括與周期Tl和周期T2不同的周期，或者可以消除周期 Tl和周期T2其中之一。此外，周期Tl可包括與周期Al至El不同的各種周期，或者可消除 周期A1至E1中的任一個。此外，周期T2可包括與周期A2至E2不同的各種周期，或者可 消除周期A2至E2中的任一個。注意，例如，圖IA中的半導(dǎo)體裝置備選地執(zhí)行周期Tl的操作和周期T2的操作。但 是，這個實施例并不局限于這個示例。圖IA中的半導(dǎo)體裝置可按照各種順序來執(zhí)行周期Tl 的操作和周期T2的操作。注意，例如，在周期Tl，圖IA的半導(dǎo)體裝置重復(fù)進行周期Dl的操作和周期El的操 作，直到開關(guān)11_1接通。然后，當開關(guān)11_1接通時，圖IA的半導(dǎo)體裝置依次執(zhí)行周期Al 的操作、周期Bl的操作和周期Cl的操作。此后，圖IA的半導(dǎo)體裝置重復(fù)進行周期Dl的操 作和周期El的操作，直到開關(guān)11_1再次接通。但是，這個實施例并不局限于這個示例。圖 IA中的半導(dǎo)體裝置可按照各種順序來執(zhí)行周期Al至El的操作。注意，例如，在周期T2，圖IA的半導(dǎo)體裝置重復(fù)進行周期D2的操作和周期E2的操 作，直到開關(guān)11_2接通。然后，當開關(guān)11_2接通時，圖IA的半導(dǎo)體裝置依次執(zhí)行周期A2 的操作、周期B2的操作和周期C2的操作。此后，圖IA的半導(dǎo)體裝置重復(fù)進行周期D2的操 作和周期E2的操作，直到開關(guān)11_2再次接通。但是，這個實施例并不局限于這個示例。圖 IA中的半導(dǎo)體裝置可按照各種順序來執(zhí)行周期A2至E2的操作。
描述周期Tl的操作。在周期Tl，開關(guān)11_1接通或切斷，而開關(guān)11_2切斷。如圖2D所示，在周期Tl的周期Al，開關(guān)11_1接通，而開關(guān)11_2切斷。因此，如圖 2E所示，路徑21_1處于導(dǎo)電，而路徑21_2沒有導(dǎo)電。然后，輸入到布線112的信號(例如 L電平的信號CKl)通過開關(guān)11_1提供給布線111。這樣，信號OUT進入L電平。如圖2D所示，在周期Tl的周期Bi，開關(guān)11_1保持為接通，而開關(guān)11_2保持為切 斷。因此，如圖2E所示，路徑21_1保持為導(dǎo)電，而路徑21_2保持為沒有導(dǎo)電。然后，輸入 到布線112的信號(例如H電平的信號CKl)通過開關(guān)11_1提供給布線111。這樣，信號 OUT進入H電平。如圖2B所示，在周期Tl的周期Cl，開關(guān)11_1切斷，并且開關(guān)11_2保持為切斷。 因此，如圖2C所示，使路徑21_1沒有導(dǎo)電，并且路徑21_2保持為沒有導(dǎo)電。然后，由于布 線111和布線112保持為沒有電連續(xù)性，所以沒有將輸入到布線112的信號(例如L電平 的信號CKl)提供給布線111。注意，在周期Tl的周期Cl，在許多情況下，開關(guān)11_1切斷時的定時跟隨在信號 CKl進入L電平時的定時之后。因此，在開關(guān)11_1切斷之前，在許多情況下，輸入到布線112 的信號(例如L電平的信號CKl)通過開關(guān)11_1提供給布線111。這樣，信號OUT進入L電 平。但 是，這個實施例并不局限于這個示例?？蓪電平的信號或電壓Vl提供給布線111。如圖2B所示，在周期Tl的周期Dl和周期E1，開關(guān)11_1和開關(guān)11_2保持為切斷。 因此，如圖2C所示，路徑21_1和路徑21_2保持為沒有導(dǎo)電。因此，由于布線111和布線112 沒有電連續(xù)性，所以沒有將輸入到布線112的信號提供給布線111。相應(yīng)地，信號OUT保持 在L電平。接下來描述周期T2的操作。在周期T2，開關(guān)11_1切斷，而開關(guān)11_2接通或切斷。如圖2F所示，在周期T2的周期A2，開關(guān)11_1切斷，而開關(guān)11_2接通。因此，如圖 2G所示，路徑21_1沒有導(dǎo)電，而路徑21_2處于導(dǎo)電。然后，輸入到布線112的信號(例如 L電平的信號CKl)通過開關(guān)11_2提供給布線111。這樣，信號OUT進入L電平。如圖2F所示，在周期T2的周期B2，開關(guān)11_1保持為切斷，而開關(guān)11_2保持為接 通。因此，如圖2G所示，路徑21_1保持為沒有導(dǎo)電，而路徑21_2保持為導(dǎo)電。然后，輸入 到布線112的信號(例如H電平的信號CKl)通過開關(guān)11_2提供給布線111。這樣，信號 OUT處于H電平。如圖2B所示，在周期T2的周期C2，開關(guān)11_1保持為切斷，并且開關(guān)11_2切斷。 因此，如圖2C所示，使路徑21_1保持為沒有導(dǎo)電，并且路徑21_2沒有導(dǎo)電。然后，由于布 線111和布線112沒有電連續(xù)性，所以沒有將輸入到布線112的信號(例如L電平的信號 CKl)提供給布線111。注意，在周期T2的周期C2，在許多情況下，開關(guān)11_2切斷時的定時跟隨在信號 CKl進入L電平時的定時之后。因此，在開關(guān)11_2切斷之前，在許多情況下，輸入到布線112 的信號(例如L電平的信號CKl)通過開關(guān)11_2提供給布線111。這樣，信號OUT進入L電 平。但是，這個實施例并不局限于這個示例?？蓪電平的信號或電壓Vl提供給布線111。如圖2B所示，在周期T2的周期D2和周期E2，開關(guān)11_1和開關(guān)11_2保持為切斷。 因此，如圖2C所示，路徑21_1和路徑21_2保持為沒有導(dǎo)電。因此，由于布線111和布線112 為沒有電連續(xù)性，所以沒有將輸入到布線112的信號提供給布線111。相應(yīng)地，信號OUT保持在L電平。通過這樣來切換其中各開關(guān)接通的周期，開關(guān)接通的次數(shù)或者開關(guān)接通的時間長 度可減小。相應(yīng)地，可抑制用作開關(guān)的元件、電路等的特性的降級。另外，通過抑制用作開關(guān)的元件、電路等的特性的降級，可獲得各種優(yōu)點。例如，在 布線111具有柵極信號線或掃描線的功能的情況下，或者在布線111連接到像素的情況下， 在許多情況下，像素中存儲的視頻信號受到信號OUT的波形不利影響。例如，在信號OUT的 電位沒有增加到V2的情況下，像素中包含的晶體管(例如選擇晶體管或開關(guān)晶體管)導(dǎo)通 的時間長度更短。因此，在許多情況下，對像素的視頻信號的寫入變?yōu)椴蛔悖⑶绎@示質(zhì)量 降低。備選地，在信號OUT的下降時間或上升時間更長的情況下，在許多情況下，將所選行 中的一個像素的視頻信號寫入另一行中的像素。因此，顯示質(zhì)量降低。備選地，在信號OUT 的上升時間改變的情況下，在許多情況下，對像素中存儲的視頻信號的穿通(feedthrough) 的作用變化。因此引起顯示不均勻。但是，在這個實施例的半導(dǎo)體裝置中，可抑制作為開關(guān)的元件、電路等的特性的降 級。因此，由于信號OUT的電位可增加到V2，所以像素中包含的晶體管導(dǎo)通的時間長度可 增加。因此，用于將視頻信號寫入像素的時間可得到充分保證，使得可實現(xiàn)顯示質(zhì)量的提 高。備選地，由于信號OUT的下降時間和上升時間可以縮短，所以可防止將所選行中的像素 的視頻信號寫入另一行中的像素。因此，可實現(xiàn)顯示質(zhì)量的提高。備選地，由于可抑 制信號 OUT的下降時間的變化，所以可抑制對像素中存儲的視頻信號的穿通的作用的變化。相應(yīng) 地，可抑制顯示不均勻。注意，在周期Tl，周期Bl可稱作選擇周期，而周期Al、周期Cl、周期Dl和周期El 的每個可稱作非選擇周期。類似地，在周期T2，周期B2可稱作選擇周期，而周期A2、周期 C2、周期D2和周期E2可稱作非選擇周期。注意，在周期Tl，開關(guān)11_1接通的周期(周期Al和周期A2)可稱作第一周期，而 開關(guān)11_1切斷的周期(周期Cl、周期Dl和周期El)可稱作第二周期。類似地，在周期T2， 周期A2和周期B2的每個可稱作第三周期，而周期C2、周期D2和周期E2的每個可稱作第四 周期。注意，周期Tl和周期T2各可稱作幀周期，而周期Al至El和周期A2至E2各可稱 作子周期或者一個柵極選擇周期。注意，周期或子周期可改述為步驟、過程或操作。注意，在周期Tl，周期Dl和周期El可設(shè)置成以便在周期Al之前按照這種順序重 復(fù)進行。類似地，在周期T2，周期D2和周期E2可設(shè)置成以便在周期A2之前按照這種順序 重復(fù)進行。在這種情況下，優(yōu)選的是，從周期Tl開始到周期Al開始的時間長度以及從周期 T2開始到周期A2開始的時間長度近似相同。但是，這個實施例并不局限于這個示例。注意，如圖IC所示，開關(guān)11_1和開關(guān)11_2可在同一個周期中接通。在那種情況 下，如圖ID所示，路徑21_1和路徑21_2在同一個周期中導(dǎo)電。因此，輸入到布線112的信 號通過開關(guān)11_1和開關(guān)11_2提供給布線111。但是，這個實施例并不局限于這個示例。注意，如圖IE所示，半導(dǎo)體裝置可包括多個開關(guān)11_1至11_N(N為2或更大的自 然數(shù))。開關(guān)11_1至11_N連接布線111和布線112。開關(guān)11_1至11_N具有與開關(guān)11_1 或者開關(guān)11_2相似的功能。因此，如圖IF所示，在布線111與布線112之間存在路徑21_1至 21_N。注意，在半導(dǎo)體裝置包括N個開關(guān)的情況下，可存在包括周期Tl至TN的多個周 期，如圖3所示。例如，在圖3的時序圖中，周期Tl至TN依次排列。但是，這個實施例并不 局限于這個示例。在這個實施例中，周期Tl至TN可按照各種順序排列。備選地，可消除周 期Tl至TN中的任一個。周期Tl至TN分別可包括多個子周期。例如，周期Ti(i是1至N 中的任一個)可包括多個子周期Ai至Ei。在周期Ai至Ei，分別如同周期Al至El或者分 別如同A2至E2中那樣，除開關(guān)11」外的開關(guān)11_1至11_N(例如，開關(guān)11_1至11」_1和 開關(guān)11」+1至11_N)為切斷。另外，開關(guān)11」在周期Ti的周期Ai和周期Bi接通，而開 關(guān)11」在周期Ti的周期Ci、周期Di和周期Ei切斷。注意，當N為大數(shù)目時，每個開關(guān)接通的次數(shù)或者每個開關(guān)接通的時間長度可減 小。但是，當N是太大的數(shù)目時，開關(guān)的數(shù)量過大增加，并且電路規(guī)模變得更大。因此，優(yōu)選 的是，N為6或更少。更優(yōu)選的是，N為4或更少。進一步優(yōu)選的是，N為3或2。但是，這 個實施例并不局限于這個示例。如圖IG所示，布線112可分為多個布線112A和112B。另外，開關(guān)11_1可連接布 線111和布線112A，而開關(guān)11_2可連接布線111和布線112B。布線112A和112B可連接 到與以上所述不同的各種布線或者各種元件。 注意，如圖IG所示，布線112可分為圖IE中的多個布線。(實施例2)在這個實施例中，描述半導(dǎo)體裝置的一個示例。這個實施例中的半導(dǎo)體裝置可包 括實施例1中所述的半導(dǎo)體裝置。具體來說，描述例如晶體管用作實施例1的半導(dǎo)體裝置 中包含的開關(guān)的情況下的結(jié)構(gòu)。但是，這個實施例并不局限于這個示例。各種元件、各種電 路等可用作開關(guān)。注意，省略實施例1中所述的內(nèi)容的描述。注意，這個實施例中所述的內(nèi) 容可適當?shù)嘏c實施例中所述的內(nèi)容組合。首先，將參照圖4A來描述這個實施例的半導(dǎo)體裝置。圖4中的半導(dǎo)體裝置包括電 路100。電路100具有與晶體管用作實施例1所述的結(jié)構(gòu)中的開關(guān)的情況相似的結(jié)構(gòu)。圖 4A示出晶體管101_1用作圖IA中的開關(guān)11_1并且晶體管101_2用作圖IA中的開關(guān)11_2 的情況下的結(jié)構(gòu)。因此，晶體管101_1具有與開關(guān)11_1相似的功能，并且晶體管101_2具 有與開關(guān)11_2相似的功能。注意，這個實施例并不局限于此，晶體管而是可用作實施例1 所述的結(jié)構(gòu)中的開關(guān)。此外，CMOS開關(guān)可用作開關(guān)。注意，晶體管101_1和晶體管101_2是η溝道晶體管。η溝道晶體管在η溝道晶體 管的柵極與源極之間的電位差(Vgs)超過閾值電壓(Vth)時導(dǎo)通。注意，這個實施例并不 局限于此，晶體管101_1和/或晶體管101_2可以是ρ溝道晶體管。ρ溝道晶體管在ρ溝道 晶體管的柵極與源極之間的電位差(Vgs)變成小于閾值電壓(Vth)時導(dǎo)通。接下來將描述圖4Α的半導(dǎo)體裝置的連接關(guān)系。晶體管101_1的第一端子連接到 布線112，而晶體管101_1的第二端子連接到布線111。晶體管101_2的第一端子連接到布 線112，而晶體管101_2的第二端子連接到布線111。注意，其中晶體管101_1的柵極和電路10相互連接的部分稱作節(jié)點nl，而晶體管 101_2的柵極和電路10的連接部分稱作節(jié)點π2。注意，節(jié)點nl和n2又可稱作布線。接下來描述晶體管101_1和晶體管101_2的功能。
晶體管101_1具有按照節(jié)點nl的電位來控制向布線111提供布線112的電位的 定時的功能。例如，在將電壓(例如電壓Vl或電壓V2)提供給布線112的情況下，晶體管 101_1具有按照節(jié)點nl的電位來控制向布線111提供被提供給布線112的電壓的定時的功 能。作為另一個示例，在將信號(例如信號CKl)輸入到布線112的情況下，晶體管101_1 具有按照節(jié)點nl的電位來控制向布線111提供輸入到布線112的信號的定時的功能。在 這種情況下，當信號CKl具有L電平時，晶體管101_1具有控制向布線111提供L電平的信 號CKl的定時的功能。備選地，晶體管101_1具有控制信號OUT進入L電平時的定時的功 能。備選地，當信號CKl具有H電平時，晶體管101_1具有控制向布線111提供H電平的信 號CKl的定時的功能。備選地，晶體管101_1具有控制信號OUT進入H電平時的定時的功 能。在那時，節(jié)點nl可處于浮動狀態(tài)。在那種情況下，晶體管101_1具有按照布線111的電 位的升高來升高節(jié)點nl的電位的功能。備選地，晶體管101_1具有執(zhí)行自舉(bootstrap) 操作的功能。備選地，晶體管101_1具有按照輸入到其柵極的信號通過導(dǎo)通或截止來控制 是否設(shè)置信號OUT的電位狀態(tài)的功能。晶體管101_2具有按照節(jié)點n2的電位來控制向布線111提供布線112的電位的 定時的功能。例如，在將電壓(例如電壓Vl或電壓V2)提供給布線112的情況下，晶體管 101_2具有按照節(jié)點n2的電位來控制向布線111提供被提供給布線112的電壓的定時的功 能。作為另一個示例，在將信號(例如信號CKl)輸入到布線112的情況下，晶體管101_2 具有按照節(jié)點η2的電位來控制向布線111提供輸入到布線112的信號的定時的功能。在 這種情況下，當信號CKl具有L電平時，晶體管101_2具有控制向布線111提供L電平的信 號CKl的定時的功能。備選地，晶體管101_2具有控制信號OUT進入L電平時的定時的功 能。 備選地，當信號CKl具有H電平時，晶體管101_2具有控制向布線111提供H電平的信 號CKl的定時的功能。備選地，晶體管101_2具有控制信號OUT進入H電平時的定時的功 能。在那時，節(jié)點n2可處于浮動狀態(tài)。在那種情況下，晶體管101_2具有按照布線111的電 位的升高來升高節(jié)點n2的電位的功能。備選地，晶體管101_2具有執(zhí)行自舉操作的功能。 備選地，晶體管101_2具有按照輸入到其柵極的信號通過導(dǎo)通或截止來控制是否設(shè)置信號 OUT的電位狀態(tài)的功能。如圖4B所示，這個實施例的半導(dǎo)體裝置可包括電路10。例如，電路10連接到布 線113、布線114、布線115_1、布線115_2、布線116、布線117、晶體管101_1的柵極、晶體管 101_2的柵極和/或布線111。但是，這個實施例并不局限于這個示例。電路10可連接到 另一個布線或另一個節(jié)點，這取決于電路10的配置。備選地，可接受的是，電路10沒有連 接到布線113、布線114、布線115_1、布線115_2、布線116、布線117、晶體管101_1的柵極、 晶體管101_2的柵極和/或布線111。在許多情況下，電路10包括一個或多個晶體管。在許多情況下，這些晶體管具有 與晶體管101_1和101_2相同的極性，并且是η溝道晶體管。但是，這個實施例并不局限于 這個示例。電路10可包括ρ溝道晶體管。備選地，電路10可包括η溝道晶體管和ρ溝道 晶體管。也就是說，電路10可以是CMOS電路。如同實施例1中那樣，信號OUT從布線111輸出。如同實施例1中那樣，將信號CKl 輸入到布線112。注意，在許多情況下，術(shù)語“信號CK2”表示信號CKl的反信號或者是與信 號CKl異相180°的信號。將電壓V2提供給布線113。電壓V2可用作電源電壓、參考電壓或者正電源電壓。因此，布線113可用作電源線。將信號SP輸入到布線114。信號SP可 用作啟動信號。因此，布線114可用作信號線。例如，在包含多個半導(dǎo)體裝置并且布線114 連接到不同級(例如前一級)的半導(dǎo)體的布線111的情況下，信號SP可用作選擇信號、轉(zhuǎn) 移信號、啟動信號、復(fù)位信號、柵極信號或掃描信號。在那種情況下，布線114可用作柵極信 號線或掃描線。將信號SELl輸入到布線115_1。信號SELl每一個某種周期(例如每一個 幀周期)反復(fù)進入H電平或L電平，并且可用作時鐘信號、選擇信號或控制信號。相應(yīng)地， 布線115_1可用作信號線。將信號SEL2輸入到布線115_2。在許多情況下，信號SEL2是信 號SELl的反信號或者是與信號SELl異相180°的信號。相應(yīng)地，布線115_2可用作信號 線。將信號RE輸入到布線116。信號RE可用作復(fù)位信號。相應(yīng)地，布線116可用作信號 線。具體來說，多個半導(dǎo)體裝置連接到布線116。在那種情況下，在布線116連接到不同級 (例如下一級)的半導(dǎo)體裝置的布線111的情況下，信號RE可用作選擇信號、轉(zhuǎn)移信號、啟 動信號、復(fù)位信號、柵極信號或掃描信號。在那種情況下，布線116可用作柵極信號線或掃 描線。將電壓Vl提供給布線117。電壓Vl可用作電源電壓、參考電壓、接地電壓或者負電 源電壓。因此，布線117可用作電源線。注意，這個實施例并不局限于此，而是可將各種信 號、電流或電壓提供給布線111、112、113、114、115_1、115_2、116和117。注意，信號CKl或信號CK2可以是平衡信號或者不平衡信號。類似地，信號SELl 或信號SEL2可以是平衡信號或者不平衡信號。

電路10具有按照電壓VI、信號CK2、信號SP、信號SEL1、信號SEL2、信號RE、節(jié)點 nl的電位、節(jié)點n2的電位和/或信號OUT來控制向節(jié)點nl、節(jié)點n2和/或布線111提供信 號、電壓等的定時的功能。備選地，電路10具有按照電壓VI、信號CK2、信號SP、信號SEL1、 信號SEL2、信號RE、節(jié)點nl的電位、節(jié)點n2的電位和/或信號OUT來控制節(jié)點nl的電位、 節(jié)點n2的電位和/或布線111的電位的功能。例如，電路10具有向節(jié)點nl和/或節(jié)點n2 提供電壓V2或H電平的信號的功能。備選地，電路10具有向節(jié)點nl、節(jié)點π2和/或布線 111提供電壓Vl或L電平的信號的功能。備選地，電路10具有停止向節(jié)點nl和/或節(jié)點 n2提供信號、電壓等的功能。備選地，電路10具有增加節(jié)點nl的電位和/或節(jié)點n2的電 位的功能。備選地，電路10具有降低或保持節(jié)點nl的電位、節(jié)點n2的電位和/或布線111 的電位的功能。備選地，電路10具有使節(jié)點nl和/或節(jié)點π2進入浮動狀態(tài)的功能。注意， 這個實施例并不局限于此，電路10而是可具有各種其它功能。另外，電路10不一定具有以 上所列出的全部功能。接下來描述這個實施例中的操作的一個示例。在這里，例如參照圖4C、圖5Α至圖 5Ε和圖6Α至圖6Ε的時序圖來描述圖4Β中的半導(dǎo)體裝置的操作。圖4C的時序圖示出信號 CK1、信號CK2、信號SP、信號RE、節(jié)點nl的電位(Val)、節(jié)點n2的電位(Va2)和信號OUT。 注意，省略與圖2A的時序圖共同的描述。注意，圖4B中的半導(dǎo)體裝置的操作的內(nèi)容可適用 于這個實施例中所述的內(nèi)容或者不同實施例中所述的內(nèi)容。首先，如圖5A所示，在周期Al，信號SP處于H電平，信號SELl處于H電平，而信 號SEL2處于L電平。相應(yīng)地，電路10向節(jié)點nl提供H電平的信號SP或電壓V2。然后，電 路10提高節(jié)點nl的電位。此后，晶體管101_1在節(jié)點nl的電位成為(Vl+Vthl01_l+Vx) (Vthl01_l表示晶體管101_1的閾值電壓)時導(dǎo)通。此時，Vx大于0。相應(yīng)地，布線112和 111具有通過晶體管101_1的電連續(xù)性，使得L電平的信號CKl通過晶體管101_1從布線112提供給布線111。因此，信號OUT進入L電平。此后，節(jié)點nl的電位進一步提高。然后， 當停止將電壓或信號從電路10提供給節(jié)點nl時，使電路10和節(jié)點nl沒有電連續(xù)性。因 此，節(jié)點nl進入浮動狀態(tài)，并且節(jié)點nl的電位保持為(Vl+Vthl01_l+Vx)。注意，在周期Al，電路10可向節(jié)點n2提供L電平的信號或電壓V2。注意，在周期Al，電路10可向布線111提供L電平的信號或電壓V2。隨后，如圖5Β所示，在周期Bl，信號SP處于L電平，信號SELl保持在H電平，而信 號SEL2保持在L電平。因此，信號10沒有向節(jié)點nl提供電壓、信號等。因此，節(jié)點nl保持 在浮動狀態(tài)，并且節(jié)點nl的電位保持為(Vl+Vthl01_l+Vx)。也就是說，由于晶體管101_1 保持為導(dǎo)通，所以布線112和布線111通過晶體管101_1保持電連續(xù)性。此時，信號CKl從 L電平增加到H電平，使得布線111的電位開始升高。由于節(jié)點nl保持在浮動狀態(tài) ，所以 節(jié)點nl的電位通過晶體管101_1的柵極與第二端子之間的寄生電容而增加。這是所謂的 自舉。這樣，由于節(jié)點nl的電位增加到(V2+Vthl01_l+Vx)，所以布線111的電位可增加到 V2。因此，信號OUT進入H電平。注意，在周期Bi，電路10可向節(jié)點n2提供L電平的信號或電壓V2。另外，可接受的是，在周期Bi，電路10沒有向布線111提供信號、電壓等。隨后，如圖5C所示，在周期Cl，信號RE處于H電平。因此，電路10向節(jié)點nl、節(jié) 點n2和/或布線111提供L電平的信號或電壓VI。然后，節(jié)點nl的電位、節(jié)點n2的電位 和/或布線111的電位變?yōu)榈扔赩I。因此，由于晶體管101_1和晶體管101_2截止，所以布 線112和布線111沒有電連續(xù)性。因此，信號OUT處于L電平。注意，在周期Cl，信號CKl下降到L電平時的定時可設(shè)置成比節(jié)點nl的電位下降 到L電平時的定時更早出現(xiàn)。然后，如圖5E所示，L電平的信號CKl可通過晶體管101_1從 布線112提供給布線111。在包含與晶體管101_1不同的晶體管的情況下，例如，在許多情 況下，晶體管101_1的溝道寬度比與晶體管101_1不同的晶體管要大。因此，布線111的電 位可迅速降低。也就是說，信號OUT的下降時間可縮短。因此，對于布線111的電位的降低， 以下三種情況會是可能的電路10向布線111提供L電平的信號或電壓Vl的情況；L電平 的信號CKl通過晶體管101_1從布線112提供給布線111的情況；以及電路10向布線111 提供L電平的信號或電壓Vl并且L電平的信號CKl通過晶體管101_1從布線112提供給 布線111的情況。隨后，如圖5D所示，在周期Dl和周期E1，電路10向節(jié)點nl、節(jié)點n2和/或布線 111提供電壓Vl或者L電平的信號。然后，節(jié)點nl的電位、節(jié)點Π2的電位和/或布線111 的電位保持在VI。因此，由于晶體管101_1和晶體管101_2保持為截止，所以布線112和布 線111保持為沒有電連續(xù)性。因此，信號OUT保持在L電平。隨后，如圖6A所示，在周期A2，信號SP處于H電平，信號SELl處于L電平，而信 號SEL2處于H電平。相應(yīng)地，電路10向節(jié)點n2提供H電平的信號SP或電壓V2。然后，電 路10提高節(jié)點η2的電位。此后，晶體管101_2在節(jié)點η2的電位成為(Vl+Vthl01_2+Vx) (Vthl01_2表示晶體管101_2的閾值電壓)時導(dǎo)通。此時，Vx大于0。相應(yīng)地，布線112和 111具有通過晶體管101_2的電連續(xù)性，使得L電平的信號CKl通過晶體管101_2從布線 112提供給布線111。因此，信號OUT進入L電平。此后，節(jié)點π2的電位進一步提高。然后， 當停止將電壓或信號從電路10提供給節(jié)點π2時，使電路10和節(jié)點n2沒有電連續(xù)性。因此，節(jié)點n2進入浮動狀態(tài)，并且節(jié)點π2的電位維持為(Vl+Vthl01_2+Vx)。注意，在周期A2，電路10可向節(jié)點nl提供L電平的信號或電壓V2。注意，在周期A2，電路10可向布線111提供L電平的信號或電壓V2。隨后，如圖6B所示，在周期B2，信號SP處于L電平，信號SELl保持在L電平，而 信號SEL2保持在H電平。因此，電路10仍然沒有向節(jié)點n2提供電壓、信號等。因此，節(jié)點 n2保持在浮動狀態(tài)，并且節(jié)點n2的電位保持為(Vl+Vthl01_2+Vx)。也就是說，由于晶體管 101_2保持為導(dǎo)通，所以布線112和布線111通過晶體管101_2保持電連續(xù)性。此時，信號 CKl從L電平增加到H電平，使得布線111的電位開始升高。由于節(jié)點n2保持在浮動狀態(tài)， 所以節(jié)點η2的電位通過晶體管101_2的柵極與第二端子之間的寄生電容而增加。這是所 謂的自舉。這樣，由于節(jié)點η2的電位增加到(V2+Vthl01_2+Vx)，所以布線111的電位可增 加到V2。因此，信號OUT進入H電平。注意，在周期B2，電路10可向節(jié)點nl提供L電平的信號或電壓V2。注意，可接受的是，在周期B2，電路10沒有向布線111提供信號、電壓等。 隨后，如圖6C所示，在周期C2，信號RE處于H電平。因此，電路10向節(jié)點nl、節(jié) 點n2和/或布線111提供L電平的信號或電壓V2。然后，節(jié)點nl的電位、節(jié)點n2的電位 和/或布線111的電位變?yōu)榈扔赩I。因此，由于晶體管101_1和晶體管101_2截止，所以布 線112和布線111沒有電連續(xù)性。因此，信號OUT進入L電平。注意，在周期C2，信號CKl下降到L電平時的定時可設(shè)置成比節(jié)點n2的電位降低 時的定時更早出現(xiàn)。然后，如圖6Ε所示，L電平的信號CKl可通過晶體管101_2從布線112 提供給布線111。在包含另一個晶體管的情況下，例如，在許多情況下，晶體管101_2的溝 道寬度比另一個晶體管要大。因此，布線111的電位可迅速降低。也就是說，信號OUT的下 降時間可縮短。因此，對于布線111的電位的降低，例如以下三種情況會是可能的電路10 向布線111提供L電平的信號或電壓Vl的情況；L電平的信號CKl通過晶體管101_2從布 線112提供給布線111的情況；以及電路10向布線111提供L電平的信號或電壓Vl并且 L電平的信號CKl通過晶體管101_2從布線112提供給布線111的情況。隨后，如圖6D所示，在周期D2和周期E2，電路10向節(jié)點nl、節(jié)點n2和/或布線 111提供電壓Vl或者L電平的信號。然后，節(jié)點nl的電位、節(jié)點Π2的電位和/或布線111 的電位保持在VI。因此，由于晶體管101_1和晶體管101_2保持為截止，所以布線112和布 線111保持為沒有電連續(xù)性。因此，信號OUT保持在L電平。這樣，由于晶體管101_2在周期Tl截止，并且晶體管101_1在周期T2截止，晶體 管101_1和晶體管101_2的每個導(dǎo)通的次數(shù)或者晶體管101_1和晶體管101_2導(dǎo)通的時間 長度被減小。因此，可抑制晶體管101_1和晶體管101_2的特性的降級。這樣，在這個實施例的半導(dǎo)體裝置中，可抑制晶體管特性的降級。另外，由于H電 平的信號OUT的電位可增加到V2，所以像素中包含的晶體管導(dǎo)通的時間長度可增加。因此， 用于將視頻信號寫入像素的時間可得到充分保證，使得可實現(xiàn)顯示質(zhì)量的提高。備選地，由 于信號OUT的下降時間和上升時間可以縮短，所以可防止將所選行中的像素的視頻信號寫 入另一行中的像素。因此，可實現(xiàn)顯示質(zhì)量的提高。備選地，由于可抑制信號OUT的下降時 間的變化，所述可抑制對像素中存儲的視頻信號的穿通的作用的變化。相應(yīng)地，可抑制顯示 不均勻。
另外，這個實施例的半導(dǎo)體裝置中的所有晶體管可以是η溝道晶體管，或者這個 實施例的半導(dǎo)體裝置中的所有晶體管可以是P溝道晶體管。相應(yīng)地，與使用CMOS電路的情 況相比，可以更有效地實現(xiàn)步驟數(shù)量的減少、產(chǎn)率的提高、可靠性的提高或者成本的降低。 特別地，當所有晶體管(包括像素部分中的那些晶體管等)為η溝道晶體管時，非單晶半導(dǎo) 體、微晶半導(dǎo)體、有機半導(dǎo)體、氧化物半導(dǎo)體等可用于晶體管的半導(dǎo)體層。但是，在許多情況 下，使用這種半導(dǎo)體所形成的晶體管易于降級。另一方面，可抑制這個實施例中的半導(dǎo)體裝 置的晶體管的降級。另外，不必增加晶體管的溝道寬度，使得半導(dǎo)體裝置甚至在晶體管特性降級時也 進行操作。相應(yīng)地，可減小晶體管的溝道寬度。這是因為在這個實施例的半導(dǎo)體裝置中可 抑制晶體管的降級。

注意，可接受的是，在周期Cl、周期D1、周期Ε1、周期Α2、周期Β2、周期C2、周期D2 和/或周期Ε2，電路10可向節(jié)點nl提供L電平的信號或電壓Vl或者沒有向節(jié)點nl提供 電壓、信號等。但是，這個實施例并不局限于這個示例。注意，可接受的是，在周期Al、周期Bi、周期Cl、周期D1、周期E1、周期C2、周期D2 和/或周期E2，電路10可向節(jié)點n2提供L電平的信號或電壓Vl或者沒有向節(jié)點π2提供 電壓、信號等。但是，這個實施例并不局限于這個示例。注意，可接受的是，在周期Al、周期Cl、周期D1、周期Ε1、周期Α2、周期C2、周期D2 和/或周期Ε2，電路10可向布線111提供L電平的信號或電壓Vl或者沒有向布線111提 供電壓、信號等。但是，這個實施例并不局限于這個示例。注意，信號CKl和信號CK2可以是不平衡信號。圖7Α示出例如在一個循環(huán)中信號 處于H電平的周期比信號處于L電平的周期要短的情況的時序圖。因此，在周期Cl或周期 C2，由于將L電平的信號CKl提供給布線111，所以信號OUT的下降時間可縮短。備選地，在 提供布線111以便延伸到像素部分的情況下，防止錯誤的視頻信號被寫入像素。但是，這個 實施例并不局限于這個示例。在一個循環(huán)中，信號處于H電平的周期可比信號處于L電平 的周期要長。注意，在這個實施例中，多相時鐘信號可用于半導(dǎo)體裝置。例如，在(n+1)相(η為 自然數(shù))時鐘信號的情況下，(n+1)相時鐘信號是它們的循環(huán)相差l/(ri+l)循環(huán)的(n+1)個 時鐘信號。備選地，可將多相時鐘信號的任何兩個輸入到相應(yīng)布線112和布線113。圖7B 示出將三相動時鐘信號輸入到半導(dǎo)體裝置的情況下的時序圖的一個示例。但是，這個實施 例并不局限于這個示例。注意，η變得越長，則時鐘頻率變得越低。因此可實現(xiàn)功耗的降低。但是，當η是 太大的數(shù)目時，信號的數(shù)量增加；因此，在一些情況下，布局面積變得更大或者外部電路的 規(guī)模變得更大。因此，優(yōu)選的是，η小于8。更優(yōu)選的是，η小于6。進一步優(yōu)選的是，η為4 或3。但是，這個實施例并不局限于這個示例。注意，由于晶體管101_1和晶體管101_2具有相似功能，所以優(yōu)選的是，晶體管 101_1的溝道寬度和晶體管101_2的溝道寬度可近似相同。通過以這種方式使這些晶體管 具有近似相同的大小，這些晶體管可具有近似相同的電流供應(yīng)能力。此外，這些晶體管的降 級的程度可近似相同。相應(yīng)地，當多個晶體管切換到使用時，信號OUT的波形可近似相同。 注意，這個實施例并不局限于此，而是晶體管101_1的溝道寬度可與晶體管101_2的溝道寬度不同。注意，術(shù)語“晶體管的溝道寬度”又可稱作晶體管的W/L(W是溝道寬度，L是溝道長 度)比。注意，晶體管101_1和晶體管101_2可在同一個周期中導(dǎo)通。例如，當晶體管101_1 和晶體管101_2在周期Bl或周期B2導(dǎo)通時，布線111的電位可比晶體管101_1和101_2 中只有一個晶體管導(dǎo)通的情況更迅速地增加。因此，信號OUT的下降時間可縮短。如圖8A所示，布線112可分為布線112A和112B的多個布線。然后，晶體管101_1 的第一端子可連接到布線112A，而晶體管101_2的第一端子可連接到布線112B。備選地， 布線112A和布線112B可連接到另一個布線、另一個節(jié)點等等。注意，如圖8A中那樣，布線112在圖4A和圖4B中可分為多個布線(例如布線112A 和 112B)。注意，如圖8B所示，電容器121_1可連接在晶體管101_1的柵極與第二端子之間。 電容器12 1_2可連接在晶體管101_2的柵極與第二端子之間。這樣，節(jié)點nl的電位或者節(jié) 點n2的電位在自舉操作中易于增加。因此，由于晶體管101_1的Vgs和晶體管101_2的Vgs 可增加，所以這些晶體管的溝道寬度可減小。備選地，信號OUT的下降時間或上升時間可縮 短。但是，這個實施例并不局限于這個示例?？上娙萜?21_1和電容器121_2其中之 一。備選地，電容器121_1或121_2可連接在晶體管101_1的柵極與第二端子之間(即，節(jié) 點nl或節(jié)點n2與布線112之間)。備選地，例如，MIS電容器可用作該電容器。注意，用于電容器121_1和電容器121_2的每個的一個電極的材料優(yōu)選地是例如 與用于晶體管101_1和晶體管101_2的每個的柵極相似的材料。用于電容器121_1和電容 器121_2的每個的另一個電極的材料優(yōu)選地是與用于晶體管101_1和晶體管101_2的每個 的源極和漏極相似的材料。因此可減小布局面積。備選地，電容值可增加。但是，這個實施 例并不局限于這個示例。作為用于電容器121_1和電容器121_2的每個的一個電極以及電 容器121_1和電容器121_2的每個的另一個電極的材料，可使用各種材料。注意，優(yōu)選的是，電容器121_1的電容值和電容器121_2的電容值可近似相同。備 選地，優(yōu)選的是，其中電容器121_1的一個電極與其另一個電極重疊的面積近似等于其中 電容器121_2的一個電極與其另一個電極重疊的面積。這樣，即使當晶體管切換到使用時， 晶體管101_1的Vgs和晶體管101_2的Vgs也可近似相同；因此，信號OUT的波形可近似相 同。但是，這個實施例并不局限于這個示例。電容器121_1的電容值和電容器121_2的電 容值可以相互不同。備選地，其中電容器121_1的一個電極與其另一個電極重疊的面積可 不同于其中電容器121_2的一個電極與其另一個電極重疊的面積。注意，如圖8B中那樣，電容器121_1在圖4A、圖4B和圖8A中可連接在晶體管 101_1的柵極與第二端子之間。備選地，電容器121_2可連接在晶體管101_2的柵極與第二 端子之間。注意，如圖8C所示，電路100可包括晶體管101_1至101_N的多個晶體管。晶體 管101_1至101_N的第一端子連接到布線112。晶體管101_1至101_N的第二端子連接到 布線111。另外，晶體管101_1至101_N的柵極分別稱作節(jié)點nl至nN。圖8C所示的結(jié)構(gòu) 對應(yīng)于晶體管用作實施例1的開關(guān)的情況下的結(jié)構(gòu)。因此，晶體管101_1至101_N分別具 有與開關(guān)11_1至11_N相似的功能。
注意，N越大，則每個晶體管導(dǎo)通的次數(shù)變得越小，或者每個晶體管導(dǎo)通的時間長 度變得更短；因此可抑制晶體管特性的降級。但是，如果N是太大的數(shù)目，則晶體管的數(shù)量 增加，并且電路規(guī)模變得更大。因此，優(yōu)選的是，N小于6。更優(yōu)選的是，N小于4。進一步優(yōu) 選的是，N為3或2。注意，如圖8C中那樣，電路100在圖4A、圖4B、圖8A和圖8B中可包括晶體管101_1 至101_N的多個晶體管。具體來說，在電路100包括圖8A中的晶體管101_1至101_N的多 個晶體管的情況下，布線112可分為N個布線。具體來說，在電路100包括圖8B中的晶體 管101_1至101_N的多個晶體管的情況下，電容器可連接在晶體管101_1至101_N的相應(yīng) 柵極與晶體管101_1至101_N的相應(yīng)第二端子之間。如圖8D所示，可用二極管101a_l替代晶體管101_1，二極管101a_l的一個端子 (下文中又稱作陽極)連接到節(jié)點nl，而其另一個端子(下文中又稱作陰極)連接到布線 111。類似地，可用二極管101a_2替代晶體管101_2，二極管101a_2的一個端子(又稱作陽 極)連接到節(jié)點n2，而其另一個端子(又稱作陰極)連接到布線111。但是，這個實施例并 不局限于這個示例。如圖8E所示，晶體管101_1的第一端子可連接到節(jié)點nl，使得可獲得 其中晶體管101_1為二極管接法的結(jié)構(gòu)。類似地，如果晶體管101_2的第一端子連接到節(jié) 點n2，則可獲得其中晶體管101_2為二極管接法的結(jié)構(gòu)。注意，如圖8D和圖8E中那樣，在圖4A和圖4B以及圖8A至圖8C中可采用二極管 替代晶體管。備選地，可采用其中晶體管為二極管接法的結(jié)構(gòu)。

注意，有可能得到如圖8F所示的兩個信號。為了實現(xiàn)這個，半導(dǎo)體裝置可包括電 路120。電路120包括晶體管122_1和122_2的多個晶體管。電路120具有與電路100相 似的功能。晶體管122_1和122_2分別具有與晶體管101_1和101_2相似的功能。晶體管 122_1的第一端子連接到布線112，晶體管122_1的第二端子連接到布線211，并且晶體管 122_1的柵極連接到節(jié)點nl。晶體管122_2的第一端子連接到布線112，晶體管122_2的第 二端子連接到布線211，并且晶體管122_2的柵極連接到節(jié)點π2。這樣，以相同的定時來控 制晶體管101_1和晶體管122_1，并且以相同的定時來控制晶體管101_2和晶體管122_2。 相應(yīng)地，從布線211輸出的信號以與信號OUT近似相同的定時進入H電平或L電平。注意，在從布線111輸出的信號用作柵極信號或選擇信號的情況下，從布線211輸 出的信號可用作轉(zhuǎn)移信號、復(fù)位信號、柵極信號等等。在這種情況下，布線111的負載在許 多情況下高于布線211的負載；因此，晶體管101_1的溝道寬度優(yōu)選地大于晶體管122_1。 類似地，晶體管102_2的溝道寬度優(yōu)選地大于晶體管122_2。但是，這個實施例并不局限于 這個示例。注意，如圖8F中那樣，當半導(dǎo)體裝置在圖4A和圖4B以及圖8A至圖8E中包括電 路120時，可得到兩個輸出信號。另外，電路120可包括晶體管122_1和122_2的多個晶體 管。具體來說，在電路100包括圖8C中的晶體管101_1至101_N的多個晶體管的情況下， 電路120可包括N個晶體管。接下來描述電路10的一個具體示例。首先參照圖9A來描述其中電路10包括電 路200的結(jié)構(gòu)。電路200是電路10的組成部分。電路200連接到布線114、布線115_1、布 線115_2、節(jié)點nl和/或節(jié)點n2。但是，這個實施例并不局限于這個示例。電路200可連 接到另一個布線或者另一個節(jié)點。
在許多情況下，電路200包括一個或多個晶體管。在許多情況下，這些晶體管具有 與晶體管101_1和101_2相同的極性，并且是η溝道晶體管。但是，這個實施例并不局限于 這個示例。電路200可包括ρ溝道晶體管。備選地，電路200可包括η溝道晶體管和ρ溝 道晶體管。也就是說，電路200可以是CMOS電路。電路200具有按照信號SP、信號SEL1、信號SEL2、節(jié)點nl的電位和/或節(jié)點n2的 電位來控制向節(jié)點nl和/或節(jié)點n2提供信號或電壓的定時的功能。因此，電路200具有 控制節(jié)點nl的電位和/或節(jié)點n2的電位的功能。例如，電路200具有向節(jié)點nl和/或節(jié) 點n2提供H電平的信號或電壓V2的功能。備選地，電路200具有向節(jié)點nl和/或節(jié)點n2 提供L電平的信號或電壓Vl的功能。備選地，電路200具有停止向節(jié)點nl和/或節(jié)點n2 提供信號、電壓等的功能。備選地，電路200具有增加節(jié)點nl的電位和/或節(jié)點n2的電位 的功能。備選地，電路200具有降低或維持節(jié)點nl的電位和/或節(jié)點π2的電位的功能。備 選地，電路200具有使節(jié)點nl和/或節(jié)點π2進入浮動狀態(tài)的功能。在這里，參照圖9Β來描述電路200的一個示例。電路200包括晶體管201_1和 201_2的多個晶體管。晶體管201_1的第一端子連接到布線115_1，晶體管201_1的第二端 子連接到晶體管101_1的柵極，并且晶體管201_1的柵極連接到布線114。晶體管201_2的 第一端子連接到布線115_2，晶體管201_2的第二端子連接到晶體管101_2的柵極，并且晶 體管201_2的柵極連接到布線114。注意，這個實施例并不局限于此，而是各種結(jié)構(gòu)可適用 于電路200。

晶體管201_1和晶體管201_2優(yōu)選地具有與晶體管101_1和晶體管101_2相同的 極性，并且是η溝道晶體管。但是，這個實施例并不局限于此。晶體管201_1和/或晶體管 201_2可以是ρ溝道晶體管。晶體管201_1具有按照布線114的電位來控制布線115_1和節(jié)點nl的電連續(xù)性 的功能。備選地，晶體管201_1具有按照布線114的電位向節(jié)點nl提供布線115_1的電位 的功能。備選地，晶體管201_1具有按照信號SP導(dǎo)通或截止的功能。備選地，晶體管201_1 具有控制是否將信號SELl輸入到晶體管101_1的功能。備選地，晶體管201_1具有通過導(dǎo) 通或截止來控制是否設(shè)置信號OUT的電位狀態(tài)的功能。晶體管201_2具有按照布線114的 電位來控制布線115_2和節(jié)點n2的電連續(xù)性的功能。備選地，晶體管201_2具有按照布線 114的電位向節(jié)點π2提供布線115_2的電位的功能。備選地，晶體管201_2具有按照信號 SP來導(dǎo)通或截止的功能。備選地，晶體管201_2具有控制是否將信號SEL2輸入到晶體管 101_2的功能。備選地，晶體管201_2具有通過導(dǎo)通或截止來控制是否設(shè)置信號OUT的電位 狀態(tài)的功能。描述圖9A中的半導(dǎo)體裝置的操作。在這里，例如，描述其中圖9B所示的電路配 置應(yīng)用于電路200的情況。在周期Al，如圖IOA所示，由于信號SP處于H電平，所以晶體 管201_1和晶體管201_2導(dǎo)通。因此，H電平的信號SELl通過晶體管201_1從布線115_1 提供給節(jié)點nl，而L電平的信號SEL2通過晶體管201_2從布線115_2提供給節(jié)點n2。這 樣，節(jié)點nl的電位開始增加，并且節(jié)點nl的電位變?yōu)榈扔赩2。此后，當節(jié)點nl的電位升 高到通過從布線114的電位(V2)中減去晶體管201_1的閾值電壓(Vth201_l)所得到的 值(V2-Vth201_l)時，晶體管201_1截止。因此，節(jié)點nl進入浮動狀態(tài)，同時電位維持為 (V2-Vth201_l)。
在周期Bl至E1，由于信號SP處于L電平，所以晶體管201_1和晶體管201_2截 止。相應(yīng)地，布線115_1和節(jié)點nl沒有電連續(xù)性，并且布線115_2和節(jié)點n2沒有電連續(xù)性。 注意，圖IOB示出在周期Bl的半導(dǎo)體裝置的示意圖，圖IOC示出在周期Cl的半導(dǎo)體裝置的 示意圖，而圖IOD示出在周期Dl和周期El的半導(dǎo)體的示意圖。隨后，在周期Α2，如圖IOE所示，由于信號SP處于H電平，所以晶體管201_1和晶 體管201_2導(dǎo)通。因此，L電平的信號SELl通過晶體管201_1從布線115_1提供給節(jié)點nl， 而H電平的信號SEL2通過晶體管201_2從布線115_2提供給節(jié)點n2。這樣，節(jié)點nl的電 位變?yōu)榈扔赩I，而節(jié)點n2的電位開始增加。此后，當節(jié)點π2的電位升高到通過從布線114 的電位(V2)中減去晶體管201_2的閾值電壓(Vth201_2)所得到的值(V2_Vth201_2)時， 晶體管201_2截止。因此，節(jié)點π2進入浮動狀態(tài)，同時其電位維持為(V2-Vth201_2)。在周期B2至E2，由于信號SP處于L電平，所以晶體管201_1和晶體管201_2截 止。相應(yīng)地，布線115_1和節(jié)點nl沒有電連續(xù)性，并且布線115_2和節(jié)點n2沒有電連續(xù)性。 注意，圖IOF示出在周期Β2的半導(dǎo)體裝置的示意圖，圖IOG示出在周期C2的半導(dǎo)體裝置的 示意圖，而圖IOH示出在周期D2和周期Ε2的半導(dǎo)體的示意圖。通過這樣形成電路10，電路100中的晶體管的任一個可選擇性地導(dǎo)通或截止。另 夕卜，甚至在其中使電路100中的晶體管截止的情況下，電路10也將電位施加到被截止的晶 體管的柵極。因此，可防止該晶體管的柵極進入浮動狀態(tài)。

注意，由于晶體管201_1和晶體管201_2具有相似功能，所以優(yōu)選的是，晶體管 201_1的溝道寬度和晶體管201_2的溝道寬度可近似相同。通過以這種方式使這些晶體管 具有近似相同的大小，這些晶體管可具有近似相同的電流供應(yīng)能力。此外，這些晶體管的降 級的程度可近似相同。相應(yīng)地，當晶體管切換到使用時，信號OUT的波形可近似相同，因為 節(jié)點nl的電位和節(jié)點n2的電位可近似相同。注意，這個實施例并不局限于此，而是晶體管 201_1的溝道寬度可與晶體管201_2的溝道寬度不同。注意，由于在許多情況下，晶體管201_1的負載(例如節(jié)點nl)低于晶體管101_1 的負載(例如布線111)，所以晶體管201_1的溝道寬度優(yōu)選地比晶體管101_1要小。類似 地，由于在許多情況下，晶體管201_2的負載(例如節(jié)點n2)低于晶體管101_2的負載(例 如布線111)，所以晶體管201_2的溝道寬度優(yōu)選地比晶體管101_2要小。但是，這個實施 例并不局限于這個示例。晶體管201_1的溝道寬度可比晶體管101_1要大。另外，晶體管 201_2的溝道寬度可比晶體管101_2要大。注意，如圖9C所示，在電路100如圖8C中那樣包括晶體管101_1至101_Ν的多個 晶體管的情況下，電路200可包括晶體管201_1至201_Ν的多個晶體管。晶體管201_1至 201_Ν的第一端子分別連接到布線115_1至115_Ν。晶體管201_1至201_Ν的第二端子分 別連接到節(jié)點nl至nN。晶體管201_1至201_N的柵極連接到布線114。如圖9D所示，布線114可分為布線114A和114B的多個布線。因此，布線114A和 114B可具有與布線114相似的功能。晶體管201_1的柵極連接到布線114A。晶體管201_2 的柵極連接到布線114B。在那種情況下，可將具有近似相同波形的信號輸入到布線114A和 114B。備選地，可將具有不同波形的信號輸入到布線114A和114B。如圖9D中那樣，布線114在圖9C中可分為多個布線。注意，如圖9E所示，晶體管201_1的第一端子和晶體管201_2的第一端子可連接到相同布線。在圖9E的一個示例中，晶體管201_1和201_2的第一端子連接到布線115_1。 但是，這個實施例并不局限于這個示例。晶體管201_1和201_2的第一端子可連接到與以 上所述不同的各種布線。例如，晶體管201_1和201_2的第一端子可連接到布線113或者 向其中輸入信號CK2的布線。注意，如圖9E中那樣，晶體管201_1和201_2的第一端子在圖9C和圖9D中可連 接到相同布線。具體來說，在圖9C的情況下，晶體管201_1和201_N的第一端子可連接到 相同布線。注意，如圖9F所示，晶體管201_1的第一端子連接到布線114，晶體管201_1的第 二端子可連接到節(jié)點nl，并且晶體管201_1的柵極可連接到布線115_1。晶體管201_2的 第一端子可連接到布線114，晶體管201_2的第二端子可連接到節(jié)點π2，并且晶體管201_2 的柵極可連接到布線115_2。在那種情況下，在周期Tl中當信號SELl處于H電平而信號 SEL2處于L電平時，晶體管201_1導(dǎo)通，而晶體管201_2截止。相應(yīng)地，在周期Al，由于H電 平的信號SP通過晶體管201_1從布線114提供給節(jié)點nl，所以節(jié)點nl的電位升高。另一 方面，在周期T2中當信號SELl處于L電平而信號SEL2處于H電平時，晶體管201_1截止， 而晶體管201_2導(dǎo)通。相應(yīng)地，在周期A2，由于H電平的信號SP通過晶體管201_2從布線 114提供給節(jié)點π2，所以節(jié)點n2的電位升高。

注意，如圖IlA所示，二極管接法的晶體管202_1可連接在晶體管201_1的第二端 子與節(jié)點nl之間。類似地，二極管接法的晶體管202_2可連接在晶體管201_2的第二端子 與節(jié)點n2之間。晶體管202_1的第一端子連接到晶體管201_1的第二端子，晶體管202_1 的第二端子連接到節(jié)點nl，并且晶體管202_1的柵極連接到晶體管201_1的第二端子。晶 體管202_2的第一端子連接到晶體管201_2的第二端子，晶體管202_2的第二端子連接到 節(jié)點π2，并且晶體管202_2的柵極連接到晶體管201_2的第二端子。晶體管201_1和晶體 管201_2可分別用作二極管。當晶體管201_1沒有導(dǎo)電(conduction)時，晶體管201_1具 有防止節(jié)點nl的電位的降低的功能。類似地，當晶體管201_2沒有導(dǎo)電時，晶體管201_2具 有防止節(jié)點n2的電位的降低的功能。但是，這個實施例并不局限于這個示例。各種元件或 電路可連接在晶體管201_1的第二端子與節(jié)點nl之間和/或晶體管201_2的第二端子與 節(jié)點n2之間。備選地，各種元件或電路可連接在晶體管201_1的第一端子與布線115_1之 間和/或晶體管201_2的第一端子與布線115_2之間。例如，如圖IlB所示，晶體管202_1 可連接在晶體管201_1的第一端子與布線115_1之間。備選地，晶體管202_2可連接在晶 體管201_2的第一端子與布線115_2之間。注意，如圖IlA和圖IlB中那樣，各種元件或電路可連接在圖9C至圖9F中的晶體 管201_1的第二端子與節(jié)點nl之間、在晶體管201_2的第二端子與節(jié)點n2之間、在晶體管 201_1的第一端子與布線115_1之間和/或在晶體管201_2的第一端子與布線115_2之間。 圖IlC示出其中二極管接法的晶體管202_1連接在圖9F中的晶體管201_1的第二端子與 節(jié)點nl之間并且二極管接法的晶體管202_2連接在晶體管201_2的第二端子與節(jié)點n2之 間的結(jié)構(gòu)的一個示例。圖IlD示出其中二極管接法的晶體管202_1連接在圖9F中的晶體 管201_1的第一端子與布線114之間并且二極管接法的晶體管202_2連接在晶體管201_2 的第一端子與布線114之間的結(jié)構(gòu)的一個示例。注意，如圖IlE所示，電路200可包括晶體管203_1和203_2的多個晶體管。晶體管203_1和晶體管203_2優(yōu)選地具有與晶體管201_1和晶體管201_2相同的極性，并且是 η溝道晶體管。但是，這個實施例并不局限于此。晶體管203_1和203_2可以是ρ溝道晶 體管。晶體管203_1的第一端子連接到布線117，晶體管203_1的第二端子連接到節(jié)點nl， 并且晶體管203_1的柵極連接到布線115_2。晶體管203_2的第一端子連接到布線117，晶 體管203_2的第二端子連接到節(jié)點π2，并且晶體管203_2的柵極連接到布線115_1。但是， 這個實施例并不局限于這個示例。例如，晶體管203_1的第二端子可連接到節(jié)點π2。備選 地，晶體管203_2的第二端子可連接到節(jié)點nl。注意，晶體管203_1具有通過按照信號SEL2控制布線117和節(jié)點nl的電連續(xù)性 的狀態(tài)來控制向節(jié)點nl提供電壓Vl的定時的功能，并且可用作開關(guān)。晶體管203_2具有 通過按照信號SELl控制布線117和節(jié)點n2的電連續(xù)性的狀態(tài)來控制向節(jié)點π2提供電壓 Vl的定時的功能，并且可用作開關(guān)。這樣，在周期Tl，電壓Vl通過晶體管203_2提供給節(jié) 點n2。因此，甚至當晶體管201_2截止時，也可固定節(jié)點η2的電位。類似地，在周期Τ2，電 壓Vl通過晶體管203_1提供給節(jié)點nl。因此，甚至當晶體管201_1截止時，也可固定節(jié)點 nl的電位。因此，可獲得具有高抗噪性的半導(dǎo)體裝置。如圖IlF所示，布線117可分為布線117A和117B的多個布線。晶體管203_1的 第一端子和203_2的第一端子可分別連接到布線117A和117B。布線117A和117B可連接 到各種布線、元件或節(jié)點。 注意，如圖12A所示，晶體管203_1的第二端子可連接到布線115_1。晶體管203_2 的第二端子可連接到節(jié)點115_2。這樣，H電平的信號在晶體管203_1截止的周期(例如周 期Tl)中輸入到晶體管203_1的第一端子。相應(yīng)地，將逆向偏壓(backward bias)施加到 晶體管203_1，以便可抑制降級。類似地，H電平的信號在晶體管203_2截止的周期(例如 周期T2)中輸入到晶體管203_2的第一端子。相應(yīng)地，將反偏壓(reverse bias)施加到晶 體管203_2，以便可抑制降級。注意，如圖12B所示，晶體管203_1和晶體管203_2可以是二極管接法的晶體管。 例如，晶體管203_1的第一端子連接到布線115_1，晶體管203_1的第二端子連接到節(jié)點 nl，并且晶體管203_1的柵極連接到節(jié)點nl。類似地，晶體管203_2的第一端子連接到布線 115_2，晶體管203_2的第二端子連接到節(jié)點π2，并且晶體管203_2的柵極連接到節(jié)點η2。 在那種情況下，在周期Tl，當信號SEL2處于L電平時，L電平的信號SEL2通過晶體管203_2 從布線115_2提供給節(jié)點π2。相應(yīng)地，節(jié)點η2的電位可固定為近似VI。另一方面，在周期 Τ2，當信號SELl處于L電平時，L電平的信號SELl通過晶體管203_1從布線115_1提供給 節(jié)點nl。相應(yīng)地，節(jié)點nl的電位可固定為近似VI。但是，這個實施例并不局限于此。例 如，晶體管203_1的柵極可連接到布線115_1。備選地，晶體管203_2的柵極可連接到布線 115_2。注意，如圖IlE和圖IlF以及圖12A和圖12B中那樣，電路200可包括圖9C至9F 和圖IlA至圖IlD中的晶體管203_1和203_2。例如，圖12C示出其中電路200包括圖9F 中的晶體管203_1和203_2的結(jié)構(gòu)。圖12D和圖12E示出其中電路200包括圖IlA中的晶 體管203_1和203_2的結(jié)構(gòu)。圖12F示出其中電路200包括圖IlD中的晶體管203_1和 203_2的結(jié)構(gòu)。注意，晶體管203_1的第二端子和晶體管203_2的第二端子可連接到各種布線或節(jié)點。例如，如圖12E所示，晶體管203_1的第二端子可連接到晶體管201_1的第二端子。 類似地，晶體管203_2的第二端子可連接到晶體管201_2的第二端子。備選地，如圖12F所 示，晶體管203_1的第二端子可連接到晶體管201_1的第一端子。類似地，晶體管203_2的 第二端子可連接到晶體管201_2的第一端子。注意，如圖5F所示，除了晶體管201_1和201_2之外，電路200還可包括晶體管 203_1和203_2的多個晶體管。晶體管203_1和晶體管203_2優(yōu)選地具有與晶體管201_1 和晶體管201_2相同的極性，并且是η溝道晶體管。但是，這個實施例并不局限于此。晶體 管203_1和203_2可以是ρ溝道晶體管。晶體管203_1的第一端子連接到布線114，晶體管 203_1的第二端子連接到節(jié)點nl，并且晶體管203_1的柵極連接到布線118。晶體管203_2 的第一端子連接到布線114，晶體管203_2的第二端子連接到節(jié)點π2，并且晶體管203_2的 柵極連接到布線118。將信號CK2輸入到布線118。相應(yīng)地，布線118可用作信號線或時鐘 信號線。注意，這個實施例并不局限于此，而是可將各種信號、電壓或電流輸入到布線118。 晶體管203_1具有按照布線118的電位來控制布線114和節(jié)點nl的電連續(xù)性的狀態(tài)的功 能。備選地，晶體管203_1具有按照布線118的電位向節(jié)點nl提供布線114的電位的功能。 晶體管203_2具有按照布線118的電位來控制布線114和節(jié)點n2的電連續(xù)性的狀態(tài)的功 能。此外，晶體管203_2具有按照布線118的電位向節(jié)點n2提供布線114的電位的功能。 但是，這個實施例并不局限于這個示例。晶體管203_1和203_2可具有與以上所述不同的 各種功能。

注意，晶體管203_1的第一端子和晶體管203_2的第一端子可連接到不同布線。注 意，晶體管203_1的柵極和晶體管203_2的柵極可連接到不同布線。注意，如圖5F中那樣，還可將具有與晶體管203_1和203_2相似功能的晶體管額 外地提供在圖9C至圖9F、圖IlA至圖IlF以及圖12Α至圖12F中。注意，如圖13Α所示，ρ溝道晶體管可用作晶體管101_1、101_2和晶體管201_1、 201_2。晶體管101ρ_1和101ρ_2對應(yīng)于晶體管101_1和101_2，并且是ρ溝道晶體管。晶 體管102ρ_1和102ρ_2對應(yīng)于晶體管102_1和102_2，并且是ρ溝道晶體管。另外要注意， 在晶體管為P溝道晶體管的情況下，將電壓Vl提供給布線113 ；將電壓V2提供給布線117 ； 以及與圖4Β的時序圖中那些相比，使信號CK1、信號SP、信號RE、節(jié)點nl的電位、節(jié)點n2的 電位和信號OUT反相，如圖13B所示。注意，如圖13A中那樣，ρ溝道晶體管可用作圖9C至圖9F、圖IlA至圖IlF和圖 12A至圖12F中的晶體管。(實施例3)在這個實施例中，描述與實施例2中所述的電路10不同的結(jié)構(gòu)的示例。注意，省 略實施例1和2中的內(nèi)容的描述。注意，這個實施例中所述的內(nèi)容可適當?shù)嘏c實施例1和 2中所述的內(nèi)容組合。首先參照圖14來描述與實施例2不同的電路10的一個具體實施例。除了電路 200之外，圖14中的電路10還包括電路300。電路300是電路10的組成部分。注意，電路 300的一部分也可用作電路200的一部分。電路200的一部分也可用作電路300的一部分。 電路300連接到布線113、布線116、布線117、節(jié)點111、節(jié)點112和/或布線111。但是，這個 實施例并不局限于這個示例。電路200可連接到各種布線或節(jié)點。
在許多情況下，電路300包括一個或多個晶體管。在許多情況下，這些晶體管具有 與晶體管101_1和101_2相同的極性，并且是η溝道晶體管。但是，這個實施例并不局限于 這個示例。電路300可包括ρ溝道晶體管。備選地，電路300可包括η溝道晶體管和ρ溝 道晶體管。也就是說，電路300可以是CMOS電路。電路300具有按照信號RE的下降時間、節(jié)點nl的電位、節(jié)點n2的電位和/或信 號OUT來控制向節(jié)點nl、節(jié)點n2和/或布線111提供信號或電壓的定時的功能。這樣，電 路200具有控制節(jié)點nl的電位、節(jié)點π2的電位和/或布線111的電位的功能。例如，電路 200具有向節(jié)點nl、節(jié)點π2和/或布線111提供L電平的信號或電壓Vl的功能。接下來參照圖15Α描述電路300的一個示例。在圖15Α的示例中，電路300包括 晶體管301_1和301_2的多個晶體管、晶體管302、晶體管303_1和303_2的多個晶體管、晶 體管304、電路310_1和310_2的多個電路以及電路320。注意，例如，晶體管301_1和301_2、晶體管302、晶體管303_1和303_2以及晶體 管304是η溝道晶體管。但是，這個實施例并不局限于這個示例。晶體管301_1和301_2、 晶體管302、晶體管303_1和303_2和/或晶體管304可以是ρ溝道晶體管。

注意，如圖15Β所示，例如，反相器電路可用作電路310_1、310_2和電路320。注 意，這個實施例并不局限于此，而是各種電路可用作電路310_1、310_2和電路320。接下來描述圖15Α中的電路300的連接關(guān)系。晶體管301_1的第一端子連接到布 線117，而晶體管301_1的第二端子連接到節(jié)點nl。晶體管301_2的第一端子連接到布線 117，而晶體管301_2的第二端子連接到節(jié)點π2。晶體管302的第一端子連接到布線117，而 晶體管302的第二端子連接到布線111。晶體管303_1的第一端子連接到布線117，晶體管 303_1的第二端子連接到節(jié)點nl，并且晶體管303_1的柵極連接到布線116。晶體管303_2 的第一端子連接到布線117，晶體管303_2的第二端子連接到節(jié)點π2，并且晶體管303_2的 柵極連接到布線116。晶體管304的第一端子連接到布線117，晶體管304的第二端子連接 到布線111，并且晶體管304的柵極連接到布線116。電路310_1連接到布線113、節(jié)點nl、 布線117和晶體管301_1的柵極。電路310_2連接到布線113、節(jié)點n2、布線117和晶體管 301_2的柵極。電路320連接到布線113、布線111、布線117和晶體管302的柵極。接下來描述電路310_1、310_2和電路320的功能。電路310_1具有通過按照節(jié)點 nl的電位控制晶體管301_1的柵極的電位來控制晶體管301_1的導(dǎo)電狀態(tài)的功能，并且可 用作控制電路。電路310_2具有通過按照節(jié)點π2的電位控制晶體管301_2的柵極的電位 來控制晶體管301_2的導(dǎo)電狀態(tài)的功能，并且可用作控制電路。電路320具有通過按照布 線111的電位控制晶體管302的柵極的電位來控制晶體管302的導(dǎo)電狀態(tài)的功能，并且可 用作控制電路。注意，這個實施例并不局限于此，而是電路310_1、310_2和電路320可具有 各種其它功能。接下來描述晶體管301_1和301_2、晶體管302、晶體管303_1和303_2以及晶體 管304的功能。晶體管301_1具有通過按照電路310_1的輸出信號控制布線117和節(jié)點nl 的電連續(xù)性的狀態(tài)來控制向節(jié)點nl提供電壓Vl的定時的功能，并且可用作開關(guān)。晶體管 301_2具有通過按照電路310_2的輸出信號控制布線117和節(jié)點n2的電連續(xù)性的狀態(tài)來控 制向節(jié)點η2提供電壓Vl的定時的功能，并且可用作開關(guān)。晶體管302具有通過按照電路 320的輸出信號控制布線117和布線111的電連續(xù)性的狀態(tài)來控制向布線111提供電壓Vl的定時的功能，并且可用作開關(guān)。晶體管303_1具有通過按照信號RE控制布線117和節(jié)點 nl的電連續(xù)性的狀態(tài)來控制向節(jié)點nl提供電壓Vl的定時的功能，并且可用作開關(guān)。晶體 管303_2具有通過按照信號RE控制布線117和節(jié)點n2的電連續(xù)性的狀態(tài)來控制向節(jié)點η2 提供電壓Vl的定時的功能，并且可用作開關(guān)。晶體管304具有通過按照信號RE控制布線 117和布線111的電連續(xù)性的狀態(tài)來控制向布線111提供電壓Vl的定時的功能，并且可用 作開關(guān)。但是，這個實施例并不局限于這個示例。晶體管301_1和301_2、晶體管302、晶體 管303_1和303_2以及晶體管304可具有與以上所述不同的各種功能。接下來描述圖15Α中的電路300的操作的一個示例。注意，圖15Α中的半導(dǎo)體裝 置的操作具有與圖4Α中的半導(dǎo)體裝置的操作有共同之處的一部分。因此，參照圖4C的時 序圖來描述圖15Α中的半導(dǎo)體裝置的操作。注意，省略與實施例1和實施例2中的半導(dǎo)體 裝置相同的操作的描述。首先，在周期Al，由于信號RE處于L電平，所以晶體管303_1、303_2和晶體管304 截止，如圖16Α所示。例如，來自電路310_1的輸出信號處于L電平，因為節(jié)點nl的電位變 為等于(V2+Vthl01_l+Vx)。相應(yīng)地，晶體管301_1截止。來自電路310_2的輸出信號處于 H電平，因為節(jié)點π2的電位近似為VI。相應(yīng)地，晶體管301_2導(dǎo)通。來自電路320的輸出 信號處于H電平，因為布線111的電位近似為VI。相應(yīng)地，晶體管302導(dǎo)通。因此，使布線 117和節(jié)點nl沒有電連續(xù)性，通過晶體管301_2使布線117和節(jié)點n2進入電連續(xù)性，以及 通過晶體管302使布線117和布線111進入電連續(xù)性。相應(yīng)地，電壓Vl通過晶體 管301_2 從布線117提供給節(jié)點n2。電壓Vl通過晶體管302從布線117提供給布線111。另一方面，如圖16Β所示，周期Α2與周期Al的不同之處在于，例如，來自電路 310_1的輸出信號處于H電平，因為節(jié)點nl的電位近似為VI，而來自電路310_2的輸出信 號處于L電平，因為節(jié)點π2的電位等于(V2+Vthl01_2+Vx)。相應(yīng)地，晶體管301_1導(dǎo)通，而 晶體管301_2截止。因此，通過晶體管301_1使布線117和節(jié)點nl進入電連續(xù)性，而使布 線117和節(jié)點n2沒有電連續(xù)性。相應(yīng)地，電壓Vl通過布線117提供給節(jié)點nl。然后，在周期Bi，由于信號RE保持在L電平，所以晶體管303_1、303_2和晶體管 304保持為截止，如圖16C所示。例如，來自電路310_1的輸出信號保持在L電平，因為節(jié)點 nl的電位保持為(V2+Vthl01_l+Vx)。相應(yīng)地，晶體管301_1保持為截止。來自電路310_2 的輸出信號保持在H電平，因為節(jié)點n2的電位保持在近似為VI。相應(yīng)地，晶體管301_2保 持為導(dǎo)通。來自電路320的輸出信號進入L電平，因為布線111的電位近似為V2。相應(yīng)地， 晶體管302截止。因此，布線117和節(jié)點nl保持為沒有電連續(xù)性，布線117和節(jié)點n2通過 晶體管301_2保持為電連續(xù)性，以及使布線117和布線111沒有電連續(xù)性。相應(yīng)地，電壓Vl 通過晶體管301_2從布線117提供給節(jié)點n2。另一方面，如圖17Α所示，周期Β2與周期Bl的不同之處在于，例如，來自電路 310_1的輸出信號保持在L電平，因為節(jié)點nl的電位保持在近似為VI，并且來自電路310_2 的輸出信號保持在L電平，因為節(jié)點n2的電位保持在近似為(V2+Vthl01_2+Vx)。相應(yīng)地， 晶體管301_1保持為導(dǎo)通，而晶體管301_2保持為截止。因此，布線117和節(jié)點nl通過晶 體管301_1保持為電連續(xù)性，而布線117和節(jié)點n2保持為沒有電連續(xù)性。相應(yīng)地，電壓Vl 通過布線117提供給節(jié)點nl。隨后，在周期Cl和C2，由于信號RE處于H電平，所以晶體管303_1、303_2和晶體管304導(dǎo)通，如圖17B所示。來自電路310_1的輸出信號處于H電平，因為節(jié)點nl的電位 近似為VI。相應(yīng)地，晶體管301_1導(dǎo)通。來自電路310_2的輸出信號處于H電平，因為節(jié)點 n2的電位近似為VI。相應(yīng)地，晶體管301_2導(dǎo)通。來自電路320的輸出信號處于H電平， 因為布線111的電位近似為VI。相應(yīng)地，晶體管302導(dǎo)通。因此，使布線117和節(jié)點nl通 過晶體管301_1和303_1進入電連續(xù)性，布線117和節(jié)點n2通過晶體管301_2和303_2進 入電連續(xù)性，并且布線117和布線111通過晶體管302和晶體管304進入電連續(xù)性。相應(yīng) 地，電壓Vl通過晶體管301_1和晶體管303_1從布線117提供給節(jié)點nl。電壓Vl通過晶 體管301_2和晶體管303_2從布線117提供給節(jié)點n2。電壓Vl通過晶體管302和304從 布線117提供給布線111。隨后，在周期D1、周期D2、周期El和周期Ε2，由于信號RE處于L電平，所以晶體管 303_1、303_2和晶體管304截止，如圖17C所示。來自電路310_1的輸出信號保持在H電平， 因為節(jié)點nl的電位保持在近似為VI。相應(yīng)地，晶體管301_1保持為導(dǎo)通。來自電路310_2 的輸出信號保持在H電平，因為節(jié)點n2的電位保持在近似為VI。相應(yīng)地，晶體管301_2保 持為導(dǎo)通。來自電路320的輸出信號保持在H電平，因為布線111的電位保持在近似為VI。 相應(yīng)地，晶體管302保持為導(dǎo)通。因此，布線117和節(jié)點nl通過晶體管301_1保持電連續(xù) 性，布線117和節(jié)點n2通過晶體管301_2保持電連續(xù)性，并且布線117和布線111通過晶 體管302保持電連續(xù)性。相應(yīng)地，電壓Vl通過晶體管301_1從布線117提供給節(jié)點nl。電 壓Vl通過晶體管301_2從布線117提供給節(jié)點n2。電壓Vl通過晶體管302從布線117提 供給布線111。

注意，由于晶體管301_1和301_2的功能彼此相似，所以優(yōu)選的是，晶體管301_1 和301_2的溝道寬度近似相同。類似地，由于晶體管303_1和303_2的功能彼此相似，所以 優(yōu)選的是，晶體管303_1和303_2的溝道寬度近似相同。但是，這個實施例并不局限于這個 示例。晶體管301_1和301_2可具有相互不同的溝道寬度。另外，晶體管303_1和303_2 可具有相互不同的溝道寬度。注意，晶體管301_1和301_2具有控制向節(jié)點nl和π2提供電壓Vl的定時的功能， 并且晶體管302具有控制向布線111提供電壓Vl的定時的功能。由于在許多情況下，節(jié)點 nl和節(jié)點π2的每個的負載低于布線111的負載，所以晶體管301_1和301_2的每個的溝 道寬度優(yōu)選地比晶體管302要小。由于類似的原因，晶體管303_1和303_2的每個的溝道 寬度優(yōu)選地比晶體管304要小。但是，這個實施例并不局限于這個示例。晶體管301_1和 301_2的每個的溝道寬度可比晶體管302要大或者近似相同。另外，晶體管303_1和303_2 的每個的溝道寬度可比晶體管304要大或者近似相同。注意，如圖18Α所示，布線117可如同實施例1和2中那樣分為布線117C至117Κ 的多個布線。布線117C、布線117D、布線117Ε、布線117F、布線117G、布線117Η、布線1171、 布線117J和布線117Κ可分別連接到晶體管303_1的第一端子、晶體管303_2的第一端子、 晶體管304的第一端子、電路310_1、晶體管301_1的第一端子、電路310_2、晶體管301_2 的第一端子、電路320和晶體管302的第一端子。布線117C至117Κ連接到諸如布線111、 布線112、布線113、布線114、布線115_1和115_2、布線116、布線118以及布線211等各種 布線或者諸如節(jié)點nl和節(jié)點n2等各種節(jié)點。但是，這個實施例并不局限于這個示例。布 線113可按照相似方式分為多個布線。
注意，如圖18B所示，晶體管301_1的第一端子、晶體管303_2的第一端子和晶體 管304的第一端子可連接到布線118。注意，如圖18C所示，可消除晶體管304。但是，這個實施例并不局限于這個示例。 可消除晶體管301_1和/或晶體管301_2。注意，如圖18C中那樣，在圖18A和圖18B中可消除晶體管303_1、晶體管303_2和 /或晶體管304。注意，如圖19A所示，可消除電路320和晶體管302。但是，這個實施例并不局限于 這個示例。可消除電路310_1和晶體管301_1，或者可消除電路310_1和晶體管301_2。注意，如圖19A中那樣，在圖18A至圖18C中，可消除電路310_1和晶體管301_1， 可消除晶體管310_1和晶體管301_2，或者可消除電路320和晶體管302。

注意，如圖19B所示，可用二極管301a_l替代晶體管301_1，二極管301a_l的一個 端子(又稱作陽極)連接到節(jié)點nl，而其另一個端子(又稱作陰極)連接到電路310_1的 輸出端子。另外，可用二極管301a_2替代晶體管301_2，二極管301a_2的一個端子(又稱 作陽極)連接到節(jié)點n2，而其另一個端子(又稱作陰極)連接到電路310_2的輸出端子。 另外，可用二極管302a替代晶體管302，二極管302a的一個端子(又稱作陽極)連接到 布線111，而其另一個端子(又稱作陰極)連接到電路320的輸出端子。另外，可用二極管 303a_l替代晶體管303_1，二極管303a_l的一個端子(又稱作陽極)連接到節(jié)點nl，而其 另一個端子(又稱作陰極)連接到布線116。另外，可用二極管303a_2替代晶體管303_2， 二極管303a_2的一個端子(又稱作陽極)連接到節(jié)點π2，而其另一個端子(又稱作陰極) 連接到布線116。另外，可用二極管304a替代晶體管304，二極管304a的一個端子(又稱 作陽極)連接到布線111，而其另一個端子(又稱作陰極)連接到布線116。但是，這個實 施例并不局限于這個示例。通過將晶體管的柵極連接到這些晶體管的相應(yīng)第二端子，這些 晶體管可為二極管接法的。備選地，通過將這些晶體管的柵極連接到這些晶體管的相應(yīng)第 一端子，這些晶體管可為二極管接法的。注意，如圖19B中那樣，在圖18A至圖18C和圖19A中，可用二極管替代晶體管 301_1、晶體管301_2、晶體管302、晶體管303_1、晶體管303_2和/或晶體管304。備選地， 這些晶體管可為二極管接法的。注意，如圖19C所示，晶體管301_1、301_2和晶體管302可共享用于控制晶體管 301_1、301_2和晶體管302的每個的導(dǎo)電狀態(tài)的電路。電路330具有通過按照節(jié)點nl或n2 的電位控制晶體管301_1、301_2和晶體管302的每個的柵極的電位來控制晶體管301_1、 301_2和晶體管302的每個的導(dǎo)電狀態(tài)的功能，并且可用作控制電路。在圖4C所示的周期 Al、周期Α2、周期Bl和周期Β2中，由于節(jié)點nl或節(jié)點η2的電位高于VI，所以來自電路330 的輸出信號處于L電平。相應(yīng)地，晶體管301_1、301_2和晶體管302截止。在周期Cl、周 期C2、周期D1、周期D2、周期El和周期Ε2中，由于節(jié)點nl或節(jié)點n2的電位近似為VI，所 以來自電路330的輸出信號處于H電平。相應(yīng)地，晶體管301_1、301_2和晶體管302導(dǎo)通。注意，如圖19C中那樣，在圖18Α至圖18C以及圖19Α和圖19Β中，晶體管301_1、 301_2和晶體管302可共享用于控制晶體管301_1、301_2和晶體管302的每個的導(dǎo)電狀態(tài) 的電路。注意，如圖20Α所示，在電路100如圖IOC中那樣包括晶體管101_1至101_Ν的多個晶體管的情況下，電路300可包括晶體管301_1至301_N的多個晶體管、晶體管303_1至 303_N的多個晶體管以及電路310_1至310_N的多個電路。晶體管301_1至301_N對應(yīng)于 晶體管301_1或晶體管301_2，并且具有與晶體管301_1或晶體管301_2相似的功能。晶體 管303_1至303_N對應(yīng)于晶體管303_1或晶體管303_2，并且具有與晶體管303_1或晶體 管303_2相似的功能。電路310_1至310_N對應(yīng)于電路310_1或電路310_2并且具有與其 相似的功能。晶體管301_1至第一端子連接到布線117。晶體管301_1至301_Ν 的第二端子分別連接到節(jié)點nl至nN。晶體管301_1至301_N的柵極連接到電路310_1至 310_N的相應(yīng)輸出端子。晶體管303_1至第一端子連接到布線117。晶體管303_1 至303_Ν的第二端子分別連接到節(jié)點nl至nN。晶體管303_1至303_N的柵極連接到布線 116。注意，如圖20A中那樣，在圖18A至18C和圖19A至19C中，電路300可包括晶體 管301_1至301_N的多個晶體管、晶體管303_1至303_N的多個晶體管和/或電路310_1 至310_N的多個電路。注意，在半導(dǎo)體裝置包括如圖8F中那樣的電路120的情況下，電路300可包括晶 體管342和晶體管344，如圖20B所示。晶體管342對應(yīng)于晶體管302，并且具有與晶體管 302相似的功能。晶體管344對應(yīng)于晶體管304，并且具有與晶體管304相似的功能。晶體 管342的第一端子連接到布線117，晶體管342的第二端子連接到布線211，并且晶體管342 的柵極連接到晶體管302的柵極。晶體管344的第一端子連接到布線117，晶體管344的第 二 端子連接到布線211，并且晶體管344的柵極連接到布線116。注意，如圖20B中那樣，在圖18A至18C、圖19A至19C和圖20A中，電路300可包
括晶體管342和/或晶體管344。注意，如圖21所示，ρ溝道晶體管可用作晶體管301_1和301_2、晶體管302、晶體 管303_1和303_2以及晶體管304。晶體管301p_l和301p_2、晶體管302p、晶體管303p_l 和303p_2以及晶體管304p分別對應(yīng)于晶體管301_1和301_2、晶體管302、晶體管303_1和 303_2以及晶體管304，并且是ρ溝道晶體管。注意，在晶體管為ρ溝道晶體管的情況下，與 晶體管為η溝道晶體管的情況相比，將電壓Vl提供給布線113，將電壓V2提供給布線117， 將來自電路310_1的輸出信號、來自電路310_2的輸出信號、來自電路320的輸出信號、節(jié) 點nl的電位、節(jié)點n2的電位和信號OUT反相。注意，如圖21中那樣，在圖18A至18C、圖19A至19C、圖20A和圖20B中，ρ溝道
晶體管可用作晶體管。接下來描述電路310_1、310_2和電路320的具體示例。首先，圖22Α示出電路310_1的一個示例。電路310_1包括晶體管311_1和晶體 管312_1。晶體管311_1的第一端子連接到布線113，晶體管311_1的第二端子連接到晶體 管301_1的柵極，并且晶體管311_1的柵極連接到布線113。晶體管312_1的第一端子連接 到布線117，晶體管312_1的第二端子連接到晶體管301_1的柵極，并且晶體管312_1的柵 極連接到節(jié)點nl。晶體管311_1和晶體管312_1是η溝道晶體管。但是，這個實施例并不 局限于這個示例。晶體管311_1和/或晶體管312_1可以是ρ溝道晶體管。晶體管311_1 具有在晶體管301_1的柵極的電位變?yōu)榈扔诨蚪茷閂l的情況下增加晶體管301_1的柵 極的電位的功能，并且可用作二極管。晶體管312_1具有通過按照節(jié)點nl的電位控制布線117和晶體管301_1的電連續(xù)性的狀態(tài)來控制向晶體管301_1的柵極提供電壓Vl的定時的 功能，并且可用作開關(guān)。描述圖22A中的電路310_1的操作。在周期Al和周期Bi，由于節(jié)點nl的電位 具有比晶體管312_1的閾值電壓更大的值，所以晶體管312_1導(dǎo)通。因此，通過將晶體管 312_1的溝道寬度設(shè)置成比晶體管311_1要大，晶體管301_1的柵極的電位近似為VI。例 如，晶體管301_1的柵極的電位的值小于布線117的電位(Vl)和晶體管301_1的閾值電壓 (Vth301_l)的總和。在周期A2、周期B2、周期Cl、周期C2、周期D1、周期D2、周期El和周 期E2，由于節(jié)點nl的電位近似為VI，所以晶體管312_1截止。因此，晶體管301_1的柵極 的電位的值等于通過從布線113的電位(V2)中減去晶體管311_1的閾值電壓(Vth311_l) 所得到的值(V2-Vth311_l)。注意，晶體管312_1的溝道寬度優(yōu)選地為晶體管311_1的溝道寬度的2倍或更多 倍。更優(yōu)選的是，晶體管312_1的溝道寬度為晶體管311_1的溝道寬度的4倍或更多倍。進 一步優(yōu)選的是，晶體管312_1的溝道寬度為晶體管311_1的溝道寬度的8倍或更多倍。但 是，這個實施例并不局限于這個示例。注意，晶體管311_1的柵極和第一端子可連接到各種布線。例如，晶體管311_1的 柵極和第一端子可連接到布線112或布線118。但是，這個實施例并不局限于這個示例。

注意，晶體管312_1的第一端子可連接到各種布線。例如，晶體管312_1的第一端 子可連接到布線115_2。但是，這個實施例并不局限于這個示例。注意，如圖22B所示，除了晶體管311_1和晶體管312_1之外，電路310_1還可包 括晶體管313_1和314_1。晶體管313_1的第一端子連接到布線113，晶體管313_1的第二 端子連接到晶體管301_1的柵極，并且晶體管313_1的柵極連接到晶體管311_1的第二端 子和晶體管312_1的第二端子。晶體管311_1和晶體管312_1是η溝道晶體管。但是，這 個實施例并不局限于這個示例。晶體管311_1和/或晶體管312_1可以是ρ溝道晶體管。 晶體管313_1具有控制向晶體管301_1提供被提供給布線113的電壓的定時的功能，并且 可用作自舉晶體管或開關(guān)。晶體管314_1的第一端子連接到布線117，晶體管314_1的第 二端子連接到晶體管313_1的第二端子，并且晶體管314_1的柵極連接到節(jié)點nl。晶體管 314_1具有通過按照節(jié)點nl的電位控制布線117和晶體管301_1的電連續(xù)性的狀態(tài)來控制 向晶體管301_1的柵極提供電壓Vl的定時的功能，并且可用作開關(guān)。注意，晶體管313_1的第一端子可連接到各種布線。例如，晶體管313_1的第一端 子可連接到布線112或布線118。但是，這個實施例并不局限于這個示例。注意，晶體管314_1的第一端子可連接到各種布線。例如，晶體管314_1的第一端 子可連接到布線115_2。但是，這個實施例并不局限于這個示例。注意，如圖22B中那樣，電容器315_1可連接在晶體管313_1的柵極與第二端子之 間，如圖22C所示。注意，如圖22D所示，電路300可包括晶體管316_1。晶體管316_1的第一端子連 接到布線117，晶體管316_1的第二端子連接到晶體管301_1的柵極，并且晶體管316_1的 柵極連接到布線114。晶體管316_1是η溝道晶體管。但是，這個實施例并不局限于這個示 例。晶體管316_1可以是ρ溝道晶體管。晶體管316_1具有通過按照信號SP控制布線117 和晶體管301_1的柵極的電連續(xù)性的狀態(tài)來控制向晶體管301_1提供電壓Vl的定時的功能。注意，如圖22D中那樣，在圖22B和圖22C中可額外提供晶體管316_1，其第一端子 連接到布線117、第二端子連接到晶體管301_1的柵極并且柵極連接到布線114。接下來，圖23A示出電路310_2的一個示例。電路310_2包括晶體管311_2和晶體 管312_2。晶體管311_2的第一端子連接到布線113，晶體管311_2的第二端子連接到晶體 管301_2的柵極，并且晶體管311_2的柵極連接到布線113。晶體管312_2的第一端子連接 至IJ布線117，晶體管312_2的第二端子連接到晶體管301_2的柵極，并且晶體管312_2的柵 極連接到節(jié)點n2。晶體管311_2和晶體管312_2是η溝道晶體管。但是，這個實施例并不 局限于這個示例。晶體管311_2和/或晶體管312_2可以是ρ溝道晶體管。晶體管311_2 具有在晶體管301_2的柵極的電位近似為Vl時增加晶體管301_2的柵極的電位的功能，并 且可用作二極管。晶體管312_2具有通過按照節(jié)點n2的電位控制布線117和晶體管301_2 的電連續(xù)性的狀態(tài)來控制向晶體管301_2的柵極提供電壓Vl的定時的功能，并且可用作開 關(guān)。描述圖23Α中的電路310_2的操作。在周期Al和周期Bi，由于節(jié)點η2的電位 具有比晶體管312_2的閾值電壓更大的值，所以晶體管312_2導(dǎo)通。因此，通過將晶體管 312_2的溝道寬度設(shè)置成比晶體管311_2要大，晶體管301_2的柵極的電位近似為VI。例 如，晶體管 301_2的柵極的電位的值小于布線117的電位(Vl)和晶體管301_2的閾值電壓 (Vth301_2)的總和。在周期A2、周期B2、周期Cl、周期C2、周期D1、周期D2、周期El和周 期E2，由于節(jié)點n2的電位近似為VI，所以晶體管312_2截止。因此，晶體管301_2的柵極 的電位的值等于通過從布線113的電位(V2)中減去晶體管311_2的閾值電壓(Vth311_2) 所得到的值(V2-Vth311_2)。注意，晶體管312_2的溝道寬度優(yōu)選地為晶體管311_2的溝道寬度的2倍或更多 倍。更優(yōu)選的是，晶體管312_2的溝道寬度為晶體管311_2的溝道寬度的4倍或更多倍。進 一步優(yōu)選的是，晶體管312_2的溝道寬度為晶體管311_2的溝道寬度的8倍或更多倍。但 是，這個實施例并不局限于這個示例。注意，晶體管311_2的柵極和第一端子可連接到各種布線。例如，晶體管311_2的 柵極和第一端子可連接到布線112或布線118。但是，這個實施例并不局限于這個示例。注意，晶體管312_2的第一端子可連接到各種布線。例如，晶體管312_2的第一端 子可連接到布線115_1。但是，這個實施例并不局限于這個示例。注意，如圖23B所示，除了晶體管311_2和晶體管312_2之外，電路310_2還可包 括晶體管313_2和314_2。晶體管313_2的第一端子連接到布線113，晶體管313_2的第二 端子連接到晶體管301_2的柵極，并且晶體管313_2的柵極連接到晶體管311_2的第二端 子和晶體管312_2的第二端子。晶體管311_2和晶體管312_2是η溝道晶體管。但是，這 個實施例并不局限于這個示例。晶體管311_2和/或晶體管312_2可以是ρ溝道晶體管。 晶體管313_2具有控制向晶體管301_2提供被提供給布線113的電壓的定時的功能，并且 可用作自舉晶體管或開關(guān)。晶體管314_2具有通過按照節(jié)點n2的電位控制布線117和晶 體管301_2的電連續(xù)性的狀態(tài)來控制向晶體管301_2的柵極提供電壓Vl的定時的功能，并 且可用作開關(guān)。注意，晶體管313_2的第一端子可連接到各種布線。例如，晶體管313_2的第一端子可連接到布線112或布線118。但是，這個實施例并不局限于這個示例。注意，晶體管314_2的第一端子可連接到各種布線。例如，晶體管314_2的第一端 子可連接到布線115_1。但是，這個實施例并不局限于這個示例。注意，在23C中，電容器315_2可連接在晶體管313_2的柵極與第二端子之間，如 圖23C所示。注意，如圖23D所示，電路300可包括晶體管316_2。晶體管316_2的第一端子連 接到布線117，晶體管316_2的第二端子連接到晶體管301_2的柵極，并且晶體管316_2的 柵極連接到布線114。晶體管316_2是η溝道晶體管。但是，這個實施例并不局限于這個示 例。晶體管316_2可以是ρ溝道晶體管。晶體管316_2具有通過按照信號SP控制布線117 和晶體管301_2的柵極的電連續(xù)性的狀態(tài)來控制向晶體管301_2提供電壓Vl的定時的功 能。注意，如圖23D中那樣，在圖23Β和圖23C中可額外提供晶體管316_2，其第一端子 連接到布 線117、第二端子連接到晶體管301_2的柵極并且柵極連接到布線114。接下來，圖24Α示出電路320的一個示例。電路320包括晶體管321和晶體管322。 晶體管321的第一端子連接到布線113，晶體管321的第二端子連接到晶體管302的柵極， 并且晶體管321的柵極連接到布線113。晶體管322的第一端子連接到布線117，晶體管 322的第二端子連接到晶體管302的柵極，并且晶體管322的柵極連接到布線111。晶體管 321和晶體管322是η溝道晶體管。但是，這個實施例并不局限于這個示例。晶體管321和 /或晶體管322可以是ρ溝道晶體管。晶體管321具有在晶體管302的柵極的電位變?yōu)榈?于近似Vl時增加晶體管302的柵極的電位的功能，并且可用作二極管。晶體管322具有通 過按照布線111的電位控制布線117和晶體管302的電連續(xù)性的狀態(tài)來控制向晶體管302 的柵極提供電壓Vl的定時的功能，并且可用作開關(guān)。描述圖24Α中的電路320的操作。在圖4C的周期Bl和周期Β2，由于布線111的 電位具有比晶體管322的閾值電壓更大的值，所以晶體管322導(dǎo)通。因此，通過將晶體管 322的溝道寬度設(shè)置成比晶體管321要大，晶體管302的柵極的電位近似為VI。例如，晶體 管302的柵極的電位的值小于布線117的電位(Vl)和晶體管302的閾值電壓(Vth302)的 總和。在周期Al、周期A2、周期Cl、周期C2、周期D1、周期D2、周期El和周期E2，由于布線 111的電位近似為VI，所以晶體管322截止。因此，晶體管302的柵極的電位的值等于通過 從布線113的電位(V2)中減去晶體管321的閾值電壓(Vth321)所得到的值(V2_Vth321)。注意，晶體管322的溝道寬度優(yōu)選地為晶體管321的溝道寬度的2倍或更多倍。更 優(yōu)選的是，晶體管322的溝道寬度為晶體管321的溝道寬度的4倍或更多倍。進一步優(yōu)選 的是，晶體管322的溝道寬度為晶體管321的溝道寬度的8倍或更多倍。但是，這個實施例 并不局限于這個示例。注意，晶體管321的柵極和第一端子可連接到各種布線。例如，晶體管321的柵極 和第一端子可連接到布線112或布線118。但是，這個實施例并不局限于這個示例。注意，晶體管322的第一端子可連接到各種布線。例如，晶體管322的第一端子可 連接到布線112。但是，這個實施例并不局限于這個示例。注意，如圖24B所示，除了晶體管321和晶體管322之外，電路320還可包括晶體 管323和324。晶體管323的第一端子連接到布線113，晶體管323的第二端子連接到晶體管302的柵極，并且晶體管323的柵極連接到晶體管321的第二端子和晶體管322的第二端 子。晶體管324的第一端子連接到晶體管323的第二端子，晶體管324的第二端子連接到 布線117，并且晶體管324的柵極連接到布線111。晶體管323和晶體管324是η溝道晶體 管。但是，這個實施例并不局限于這個示例。晶體管323和/或晶體管324可以是ρ溝道 晶體管。晶體管323具有控制向晶體管302提供被提供給布線113的電壓的定時的功能， 并且可用作自舉晶體管或開關(guān)。晶體管324具有通過按照布線111的電位控制布線117和 晶體管302的電連續(xù)性的狀態(tài)來控制向晶體管302的柵極提供電壓Vl的定時的功能，并且 可用作開關(guān)。注意，晶體管323的第一端子可連接到各種布線。例如，晶體管323的第一端子可 連接到布線112或布線118。但是，這個實施例并不局限于這個示例。注意，晶體管324的第一端子可連接到各種布線。例如，晶體管324的第一端子可 連接到布線118。注意，如圖24C所示，除了圖24Β所示的結(jié)構(gòu)之外，電容器325還可連接在晶體管 323的柵極與第二端子之間。

注意，如圖24D所示，電路320可包括晶體管326。晶體管326的第一端子連接到 布線117，晶體管326的第二端子連接到晶體管302的柵極，并且晶體管326的柵極連接到 布線114。晶體管326是η溝道晶體管。但是，這個實施例并不局限于這個示例。晶體管 326可以是ρ溝道晶體管。晶體管326具有通過按照信號SP控制布線117和晶體管302的 柵極的電連續(xù)性的狀態(tài)來控制向晶體管302提供電壓Vl的定時的功能。注意，如圖24D中那樣，在圖24Β和圖24C中可額外提供晶體管326，其第一端子連 接到布線117、第二端子連接到晶體管302的柵極并且柵極連接到布線114。接下來，圖25Α示出電路330的一個示例。電路330包括晶體管331、晶體管332 和晶體管333。晶體管331的第一端子連接到布線113，晶體管331的第二端子連接到晶體 管301_1的柵極、晶體管301_2的柵極和晶體管302的柵極，并且晶體管331的柵極連接到 布線113。晶體管332的第一端子連接到布線117，晶體管332的第二端子連接到晶體管 331的第二端子，并且晶體管332的柵極連接到節(jié)點nl。晶體管333的第一端子連接到布 線117，晶體管333的第二端子連接到晶體管331的第二端子，并且晶體管333的柵極連接 到節(jié)點n2。晶體管331、晶體管332和晶體管333是η溝道晶體管。但是，這個實施例并不 局限于這個示例。晶體管331、晶體管332和/或晶體管333可以是ρ溝道晶體管。描述圖25Α中的電路330的操作。在周期Al、周期Α2、周期Bl和周期Β2，由于節(jié) 點nl的電位或者n2的電位具有比晶體管332或333的閾值電壓更大的值，所以晶體管332 或333導(dǎo)通。此時，通過將晶體管332或333的溝道寬度設(shè)置成比晶體管331要大，晶體管 301_1、301_2和302的柵極的電位設(shè)置成近似為VI。在周期Cl、周期C2、周期Dl、周期D2、 周期El和周期Ε2，由于節(jié)點nl的電位和節(jié)點π2的電位近似為VI，所以晶體管332和晶體 管333截止。因此，晶體管301_1的柵極、晶體管301_2的柵極和晶體管302的柵極的每個 的電位的值等于通過從布線113的電位(V2)中減去晶體管331的閾值電壓(Vth331)所得 到的值(V2-Vth331+Vx)。此時，Vx大于0。注意，晶體管332或333的溝道寬度優(yōu)選地為晶體管331的溝道寬度的2倍或更 多倍。更優(yōu)選的是，晶體管332的溝道寬度為晶體管331的溝道寬度的4倍或更多倍。進一步優(yōu)選的是，晶體管332的溝道寬度為晶體管331的溝道寬度的8倍或更多倍。但是，這 個實施例并不局限于這個示例。注意，晶體管331的柵極和第一端子可連接到各種布線。例如，晶體管331的柵極 和第一端子可連接到布線112或布線118。但是，這個實施例并不局限于這個示例。注意，晶體管332的柵極和晶體管333的柵極可連接到各種布線。例如，晶體管 332的柵極可連接到布線114，而晶體管333的柵極可連接到布線111。但是，這個實施例并 不局限于這個示例。 注意，晶體管332的第一端子和晶體管333的第一端子可連接到不同布線。例如， 晶體管332的第一端子可連接到布線115_2，而晶體管333的第一端子可連接到不同布線 115_1。但是，這個實施例并不局限于這個示例。注意，如圖25B所示，除了晶體管331、晶體管332和晶體管333之外，電路330還 可包括晶體管334、晶體管335和晶體管336。晶體管334的第一端子連接到布線113，晶體 管334的第二端子連接到晶體管301_1的柵極、301_2的柵極和晶體管302的柵極，并且晶 體管334的柵極連接到晶體管331的第二端子。晶體管335的第一端子連接到布線117，晶 體管335的第二端子連接到晶體管334的第二端子，并且晶體管335的柵極連接到節(jié)點nl。 晶體管336的第一端子連接到布線117，晶體管336的第二端子連接到晶體管334的第二端 子，并且晶體管336的柵極連接到節(jié)點π2。晶體管334、晶體管335和晶體管336是η溝道 晶體管。但是，這個實施例并不局限于這個示例。晶體管334、晶體管335和晶體管336可 以是P溝道晶體管。注意，電容器可連接在晶體管334的柵極與第二端子之間。注意，晶體管334的第一端子可連接到各種布線。例如，晶體管334的第一端子可 連接到布線112或布線118。但是，這個實施例并不局限于這個示例。注意，晶體管335的柵極和晶體管336的柵極可連接到各種布線。例如，晶體管 335的柵極可連接到布線114，而晶體管336的柵極可連接到布線111。但是，這個實施例并 不局限于這個示例。注意，晶體管335的第一端子和晶體管336的第一端子可連接到不同布線。例如， 晶體管335的第一端子可連接到布線115_2，而晶體管336的第一端子可連接到不同布線 115_1。但是，這個實施例并不局限于這個示例。在這里，圖41示出其中適當組合實施例1至3中所述的內(nèi)容的情況下的半導(dǎo)體裝 置的一個示例。但是，這個實施例并不局限于這個示例。半導(dǎo)體裝置可具有通過組合實施 例1至3中所述的內(nèi)容的與以上所述不同的各種結(jié)構(gòu)。圖41中的半導(dǎo)體裝置包括電路100和電路10。電路10包括晶體管200和電路 300。電路300包括電路330。在圖41的半導(dǎo)體裝置中，圖4Α所示的結(jié)構(gòu)用于電路100，圖 IlE所示的結(jié)構(gòu)用于電路200，圖19所示的結(jié)構(gòu)用于電路300，并且圖25Β所示的結(jié)構(gòu)用于 電路330。此外還檢驗了圖41中的半導(dǎo)體裝置的操作。檢驗結(jié)果如圖42Α和圖42Β所示。 圖42Α和圖42Β是示出這個實施例中的半導(dǎo)體裝置的檢驗結(jié)果的簡圖。注意，檢驗使用 SPICE來執(zhí)行。另外，對于比較示例，還對具有一種電路配置的半導(dǎo)體裝置的操作執(zhí)行檢驗， 該半導(dǎo)體裝置中沒有提供晶體管101_2、晶體管201_2、晶體管203_1、晶體管203_2、晶體管301_2、晶體管303_2、晶體管333和晶體管336。此外，在以下條件下執(zhí)行檢驗Vdd為30V ； Vss為OV ；時鐘頻率為25kHz ( 一個循環(huán)是20 μ sec)；各晶體管的遷移率為lcm2/VS ；各晶體 管的閾值電壓為5V ；以及輸出電容為50pF。圖42A是用作比較示例的半導(dǎo)體裝置的檢驗結(jié)果的時序圖。如圖42A所示，在比較 示例的半導(dǎo)體裝置中，在周期Tl和周期T2 二者中，晶體管101_1按照節(jié)點nl的電位而導(dǎo) 通；布線112和布線111通過晶體管101_1進入電連續(xù)性；以及信號CKl通過晶體管101_1 從布線112提供給布線111。圖42B是圖41所示的半導(dǎo)體裝置的檢驗結(jié)果的時序圖。如圖42B所示，在圖41 所示的半導(dǎo)體裝置中，在周期Tl，晶體管101_1按照節(jié)點nl的電位而導(dǎo)通；布線112和布 線111通過晶體管101_1進入電連續(xù)性；信號CKl通過晶體管101_1從布線112提供給布 線111 ；以及在周期T2，晶體管101_1按照節(jié)點n2的電位而導(dǎo)通；布線112和布線111通過 晶體管101_1進入電連續(xù)性；信號CKl通過晶體管101_1從布線112提供給布線111。因 此，如圖42Α和圖42Β所示，可以看到，由于導(dǎo)通并且進行操作的晶體管在這個實施例的半 導(dǎo)體裝置的各周期是不同的，所以可減小每個晶體管導(dǎo)通的次數(shù)以及每個晶體管導(dǎo)通的時 間長度。(實施例4) 在這個實施例中，將描述移位寄存器的一個示例。這個實施例中的移位寄存器可 包括實施例1至3中的半導(dǎo)體裝置的任一個。注意，移位寄存器可稱作半導(dǎo)體裝置或柵極 驅(qū)動器。實施例1至3中所述的內(nèi)容不再重復(fù)。此外，實施例1至3中所述的內(nèi)容可適當 地與這個實施例中所述的內(nèi)容組合。首先參照圖26來描述移位寄存器的一個示例。移位寄存器500包括多個觸發(fā)器 (flip flop)501_l 至 501_N(N 為自然數(shù))。注意，觸發(fā)器501_1至501_N的每個對應(yīng)于實施例3中所述的半導(dǎo)體裝置的任一 個。作為一個示例，圖26示出圖4A中的半導(dǎo)體裝置用于觸發(fā)器501_1至501_N的每個的 情況。注意，這個實施例并不局限于此，而是實施例3中所述的其它半導(dǎo)體裝置或電路可用 于觸發(fā)器501_1至501_N。接下來描述移位寄存器的連接關(guān)系。移位寄存器500連接到布線511_1至511_N、 布線512、布線513、布線514、布線515_1、布線515_2、布線516、布線517和布線518。此 夕卜，在觸發(fā)器501」(i是2至N中的任一個)中，布線111、布線112、布線113、布線114、布 線115_1、布線115_2、布線116和布線117分別連接到布線511_i、布線512、布線514、布線 511_i-l、布線515_1、布線515_2、布線511」+1和布線516。注意，奇數(shù)級的觸發(fā)器中的布 線112和偶數(shù)級的觸發(fā)器中的布線112往往連接到不同部分。例如，在第i級的觸發(fā)器中 的布線112連接到布線512的情況下，第(i+Ι)觸發(fā)器或者第(i-Ι)級的觸發(fā)器中的布線 112連接到布線513。在觸發(fā)器501_1中，布線114往往連接到布線517。此外，在觸發(fā)器501_N中，布線 116往往連接到布線518。但是，這個實施例并不局限于此。接下來描述對每個布線輸入或者從每個布線輸出的信號或電壓的一個示例。作為 一個示例，信號G0UT_1至G0UT_N分別從布線511_1至511_N輸出。信號G0UT_1至G0UT_ N是分別來自觸發(fā)器501_1至501_N的輸出信號。此外，信號G0UT_1至G0UT_N對應(yīng)于信號OUT，并且可用作輸出信號、選擇信號、轉(zhuǎn)移信號、啟動信號、復(fù)位信號、柵極信號或者掃描信 號。將信號GCKl輸入到布線512。信號GCKl對應(yīng)于信號CK1，并且可用作時鐘信號。作為 一個示例，將信號GCK2輸入到布線513。信號GCK2對應(yīng)于信號CK2，并且可用作反相時鐘 信號。作為一個示例，將電壓V2提供給布線514。作為一個示例，將信號SELl和SEL2分別 輸入到布線515_1和515_2。例如，將電壓Vl提供給布線516。例如，將信號GSP輸入到布 線517。信號GSP對應(yīng)于信號SP，并且可用作啟動信號或者垂直同步信號。作為一個示例， 將信號GRE輸入到布線518。信號GRE對應(yīng)于信號RE，并且可用作復(fù)位信號。注意，這個實 施例并不局限于此，而是可將各種其它信號、電壓或電流輸入到這些布線。布線511_1至511_N可用作信號線、柵極信號線或掃描線。布線512和513可用 作信號線或時鐘信號線。布線514可用作電源線。布線515_1和515_2可用作信號線。布 線516可用作電源線或地線。布線517可用作信號線。布線518可用作信號線。注意，這 個實施例并不局限于此，這些布線而是可用作各種其它布線。注意，信號、電壓等從電路520輸入到布線512、布線513、布線514、布線515_1、布 線515_2、布線516、布線517和布線518。電路520具有通過向移位寄存器提供信號、電壓 等等來控制移位寄存器的功能，并且可用作控制電路、控制器等。作為一個示例，電路520包括電路521和電路522。電路521具有產(chǎn)生例如正電源 電壓、負 電源電壓、接地電壓或參考電壓等電源電壓的功能，并且可用作電源電路或調(diào)節(jié)器 (regulator)。電路522具有產(chǎn)生例如時鐘信號、反相時鐘信號、啟動信號、復(fù)位信號和/或 視頻信號等各種信號的功能，并且可用作定時發(fā)生器。注意，這個實施例并不局限于此，而 是除了電路521和522之外，電路520還可包括各種電路或元件。例如，電路520可包括振 蕩器、電平移位電路、反相器電路、緩沖器電路、DA轉(zhuǎn)換電路、AD轉(zhuǎn)換電路、運算放大器、移 位寄存器、查找表、線圈、晶體管、電容器、電阻器和/或分壓器(divider)。接下來，參照圖27的時序圖來描述圖26中的移位寄存器的操作。圖27是示出移 位寄存器的操作的時序圖的示例。圖27示出信號GSP、GRE、GCK1、GCK2、SEL1、SEL2、G0UT_1、 G0UT_i-l、G0UT_i、G0UT_i+l和G0UT_N的示例。注意,省略與實施例1至3中的半導(dǎo)體裝 置的任一個相同的操作的描述。描述第k(k為自然數(shù))幀中的觸發(fā)器501_i的操作。首先，信號GOUTj-I設(shè)置在 H電平。相應(yīng)地，觸發(fā)器501_i開始周期Al的操作，并且信號G0UT_i設(shè)置在L電平。此后， 將信號GCKl和信號GCK2反相。相應(yīng)地，觸發(fā)器501_i開始周期Bl的操作，并且信號G0UT_ i設(shè)置在H電平。將信號G0UT_i作為復(fù)位信號輸入到觸發(fā)器501_i-l并且作為啟動信號輸 入到觸發(fā)器501_i+l。因此，觸發(fā)器501_i-l開始周期Cl的操作，并且觸發(fā)器501_i+l開始 周期Al的操作。此后，再次將信號GCKl和信號GCK2反相。然后，觸發(fā)器501_i+l開始周 期Bl的操作，并且信號G0UT_i+l設(shè)置在H電平。將信號G0UT_i+l作為復(fù)位信號輸入到觸 發(fā)器501_i。因此，觸發(fā)器501_1開始周期Cl的操作，并且信號G0UT_i設(shè)置在L電平。此 后，每當將信號GCKl和信號GCK2反相時，觸發(fā)器501」均重復(fù)進行周期Dl的操作和周期 El的操作，直到信號G0UT_i-l被再次設(shè)置在H電平。描述第(k+Ι)幀中的觸發(fā)器501_i的操作。首先，信號GOUTj-I進入H電平。相 應(yīng)地，觸發(fā)器501」開始周期A2的操作，并且信號G0UT_i進入L電平。此后，使信號GCKl 和信號GCK2反相。相應(yīng)地，觸發(fā)器501_i開始周期B2的操作，并且信號G0UT_i進入H電平。將信號GOUT_i作為復(fù)位信號輸入到觸發(fā)器501_i-l并且作為啟動信號輸入到觸發(fā)器 501_i+l。因此，觸發(fā)器501_i-l開始周期C2的操作，并且觸發(fā)器501_i+l開始周期A2的 操作。此后，再次將信號GCKl和信號GCK2反相。然后，觸發(fā)器501_i+l開始周期Bl的操 作，并且信號GOUT_i+l進入H電平。將信號GOUT_i+l作為復(fù)位信號輸入到觸發(fā)器501_i。 因此，觸發(fā)器501_i開始周期C2的操作，并且信號GOUT_i進入L電平。此后，每當將信號 GCKl和信號GCK2反相時，觸發(fā)器501」均重復(fù)進行周期D2的操作和周期E2的操作，直到 信號GOUTj-I再次進入H電平。在觸發(fā)器501_1中，代替前一級的觸發(fā)器的輸出信號，信號GSP通過布線517從電 路520輸入。相應(yīng)地，當信號GSP設(shè)置在H電平時，觸發(fā)器501_1開始周期Al或A2的操作。在觸發(fā)器，代替下一級的觸發(fā)器的輸出信號，信號GRE通過布線518從電 路520輸入。相應(yīng)地，當信號GRE設(shè)置在H電平時，觸發(fā)器501_N開始周期Cl或C2的操作。這樣，通過使用實施例1至3中的半導(dǎo)體裝置的任一個，這個實施例中的移位寄存 器可獲得與該半導(dǎo)體裝置相似的優(yōu)點。注意，信號GCKl與信號GCK2之間的關(guān)系可以是不平衡的。例如，如圖28A的時序 圖所示 ，信號GCKl和GCK2處于H電平的周期可比這些信號處于L電平的周期要短。相應(yīng) 地，甚至當發(fā)生信號G0UT_1至G0UT_N的延遲、失真等時，可防止這些信號同時設(shè)置在H電 平的周期。因此，當這個實施例中的移位寄存器用于顯示裝置時，可防止一次選擇多個行。 注意，這個實施例并不局限于此，而是有可能使信號GCKl和/或信號GCK2處于H電平的周 期比信號GCKl和/或信號GCK2處于L電平的周期要長。注意，可將多相時鐘信號輸入到移位寄存器。例如，如圖28B的時序圖所示，可使 用M相時鐘信號(M為3或更大的自然數(shù))。在那種情況下，對于信號G0UT_1至G0UT_N，在 給定級該信號設(shè)置為H電平的周期可與在前一級和后一級該信號設(shè)置為H電平的周期重 疊。相應(yīng)地，當這個實施例用于顯示裝置時，同時可選擇多個行。因此，送往另一行中的像 素的視頻信號可用作預(yù)充電電壓。注意，在圖28B中，優(yōu)選的是M <8。更優(yōu)選的是，M <6。進一步優(yōu)選的是，M <4。 這是因為，當移位寄存器用于顯示裝置的掃描線驅(qū)動器電路時，如果M過大，則將多種視頻 信號寫入一像素。其原因還在于，由于將錯誤的視頻信號輸入到像素的周期變得更長，所以 顯示質(zhì)量有時降級。注意，如圖28B中那樣，多相時鐘信號可用于圖28A的時序圖中。注意，布線518和另一個布線(例如布線512、布線513、布線515_1、布線515_2、 布線516或布線517)可以一起成為一個布線，使得可消除布線518。在那種情況下，在觸發(fā) 器501_N中，優(yōu)選的是，布線116可連接到布線512、布線513、布線515_1、布線515_2、布線 516或布線517。備選地，通過采用另一種結(jié)構(gòu)，可消除布線518。在那種情況下，在觸發(fā)器 501_N中，可消除晶體管303_1、晶體管303_2和晶體管304。注意，如圖29所示，有可能得到多個輸出信號。作為圖29的一個示例，圖IOE中 的半導(dǎo)體裝置用于觸發(fā)器501_1至501_N的每個。此外，在觸發(fā)器501」(i是2至N中的 任一個)中，布線111、布線112、布線113、布線114、布線115_1、布線115_2、布線116和布 線117分別連接到布線511_i、布線512、布線514、布線518_i_l、布線515_1、布線515_2、 布線511」+1和布線516。相應(yīng)地，甚至當例如像素或柵極信號線等負載連接到布線511_1至511_N時，也不會使用于驅(qū)動下一級的觸發(fā)器的轉(zhuǎn)移信號失真或延遲。因此，可降低延遲 對移位寄存器的不利影響。注意，這個實施例并不局限于此，布線114而是可連接到布線 511_i-l。備選地，布線116可連接到布線517_i+l。(實施例5)在這個實施例中，描述顯示裝置的一個示例。首先參照圖30A來描述液晶顯示裝置的系統(tǒng)框的一個示例。液晶顯示裝置包括電 路5361、電路5362、電路5363_1、電路5363_2、包含像素的像素部分5364、電路5365和照明 裝置5366。從電路5362延伸的多個布線5371以及從電路5363_1和電路5363_2延伸的多 個布線5372設(shè)置在像素部分5364中。另外，包括例如液晶元件等顯示元件的像素5367以 矩陣形式設(shè)置在其中多個布線5371和多個布線5372彼此相交的相應(yīng)區(qū)域。電路5361具有響應(yīng)視頻信號5360而向電路5362、電路5363_1、電路5363_2和電 路5365提供信號、電壓、電流等的功能，并且可用作控制器、控制電路、定時發(fā)生器、電源電 路、調(diào)節(jié)器等等。在這個實施例中，例如，電路5361向電路5362提供信號線驅(qū)動器電路啟動 信號(SSP)、信號線驅(qū)動器電路時鐘信號(SCK)、反相信號線驅(qū)動器電路時鐘信號(SCKB)、 視頻信號數(shù)據(jù)(DATA)或鎖存信號(LAT)。備選地，例如，電路5361向電路5363_1和電路 5363_2提供掃描線驅(qū)動器電路啟動信號(GSP)、掃描線驅(qū)動器電路時鐘信號(GCK)或者反 相掃描線驅(qū)動器電路時鐘信號(GCKB)。備選地，電路5361向電路5365提供背光控制信號 (BLC)。注意，這個實施例并不局限于這個示例。電路5361可向電路5362、電路5363_1、電 路5363_2和電路5365提供各種信號、電壓、電流等等。電路5362具有響應(yīng)從電路5361所提供的信號(例如SSP、SCK、SCKB、DATA或LAT) 而向多個布線5371輸出視頻信號的功能，并且可用作信號線驅(qū)動器電路。電路5363_1和 電路5363_2各具有響應(yīng)從電路5361所提供的信號(例如GSP、GCK或GCKB)而向多個布線 5372輸出掃描信號的功能，并且可用作掃描線驅(qū)動器電路。電路5365具有通過響應(yīng)從電 路5361所提供的信號(BLC)而控制提供給照明裝置5366的電力的量、向照明裝置5366提 供電力的時間等等來控制照明裝置5366的亮度(或平均亮度)的功能，并且可用作電源電 路。注意，在將視頻信號輸入到多個布線5371的情況下，多個布線5371可用作信號 線、視頻信號線、源極信號線等等。在將掃描信號輸入到多個布線5372的情況下，多個布線 5372可用作信號線、掃描線、柵極信號線等等。注意，這個實施例的一個示例并不局限于這 個示例。注意，在同一個信號從電路5361輸入到電路5363_1和電路5363_2的情況下，在 許多情況下，從電路5363_1輸出到多個布線5372的掃描信號以及從電路5363_2輸出到多 個布線5372的掃描信號具有近似相同的定時。因此，可減小通過驅(qū)動該電路5363_1和電 路5363_2所引起的負載。相應(yīng)地，可使顯示裝置更大。備選地，顯示裝置可具有更高的清 晰度。備選地，由于可減小電路5363_1和電路5363_2中包含的晶體管的溝道寬度，所以可 獲得具有更窄幀的顯示裝置。注意，這個實施例并不局限于這個示例。電路5361可向電路 5363_1和電路5363_2提供不同的信號。注意，可消除電路5363_1和電路5363_2其中之一。注意，例如電容器線、電源線或掃描線等的布線可額外設(shè)置在像素部分5364中。然后，電路5361可向這種布線輸出信號、電壓等等。備選地，可額外提供與電路5363_1和 電路5363_2相似的電路。額外提供的電路可向額外提供的布線輸出例如掃描信號等信號。注意，像素5367可包括作為顯示元件的例如EL元件等發(fā)光元件。在這種情況下， 如圖30B所示，由于顯示元件可發(fā)光，所以可消除電路5365和照明裝置5366。另外，為了向 顯示元件提供電力，可用作電源線的多個布線5373可設(shè)置在像素部分5364中。電路5361 可向布線5373提供電源電壓(又稱作電壓ΑΝ0)。布線5373可按照彩色元件分開地連接到 像素或者連接到所有像素。注意，圖30B示出其中電路5361向電路5363_1和電路5363_2提供不同信號的 示例。電路5361向電路5363_1提供例如掃描線驅(qū)動器電路啟動信號(GSPl)、掃描線驅(qū)動 器電路時鐘信號(GCKl)或者反相掃描線驅(qū)動器電路時鐘信號(GCKBl)等信號。另外，電 路5361向電路5363_2提供例如掃描線驅(qū)動器電路啟動信號(GSP2)、掃描線驅(qū)動器電路時 鐘信號(GCK2)或者反相掃描線驅(qū)動器電路時鐘信號(GCKB2)等信號。在這種情況下，電路 5363_1可以僅掃描多個布線5372的奇數(shù)行中的布線，而電路5363_2可以僅掃描多個布線 5372的偶數(shù)行中的布線。因此，電路5363_1和電路5363_2的驅(qū)動頻率可降 低，使得功耗可 降低。備選地，可使其中可布置一級的觸發(fā)器的面積更大。因此，顯示裝置可具有更高的清 晰度。備選地，可使顯示裝置更大。注意，這個實施例并不局限于這個示例。如圖30A中那 樣，電路5361可向電路5363_1和電路5363_2提供同一個信號。注意，如圖30B中那樣，在圖30A中，電路5361可向電路5363_1和電路5363_2提 供不同的信號。至此，描述了顯示裝置的系統(tǒng)框的示例。接下來參照圖31A至圖31E來描述顯示裝置的結(jié)構(gòu)的示例。在圖31A中，具有向像素部分5364輸出信號的功能的電路(例如電路5362、電路 5363_1和電路5363_2)在與像素部分5364相同的襯底5380之上形成。另外，電路5361在 與像素部分5364不同的襯底之上形成。這樣，由于外部組件的數(shù)量減少，所以可實現(xiàn)成本 的降低。備選地，由于輸入到襯底5380的信號或電壓的數(shù)量減少，所以襯底5380與外部組 件之間的連接數(shù)量可減少。因此，可實現(xiàn)可靠性的提高或者產(chǎn)率的增加。注意，在其中電路在與像素部分5364不同的襯底之上形成的情況下，襯底可通過 TAB(帶式自動接合)安裝到FPC(柔性印刷電路)上。備選地，襯底可通過COG(玻璃上芯 片)安裝到與像素部分5364相同的襯底5380上。注意，在其中電路在與像素部分5364不同的襯底之上形成的情況下，使用單晶半 導(dǎo)體所形成的晶體管可在襯底上形成。因此，在襯底之上形成的電路的驅(qū)動頻率從大范圍 來設(shè)置。例如，通過增加驅(qū)動頻率，為像素部分5364所提供的像素的數(shù)量可增加(即，分辨 率可提高)。通過降低驅(qū)動電壓，功耗可降低。另外，由于在襯底之上形成的電路的驅(qū)動電 壓可以很高，所以具有高驅(qū)動電壓的顯示元件可用作顯示元件。此外，在襯底之上形成的電 路中，輸出信號的變化可減小。注意，在許多情況下，信號、電壓、電流等通過輸入端子5381從外部電路輸入。在圖31B中，電路5363_1和電路5363_2在與像素部分5364相同的襯底5380之 上形成，因為電路5363_1和電路5363_2的每個的驅(qū)動頻率在許多情況下低于電路5361或 電路5362的驅(qū)動頻率，并且在與像素部分中所形成的晶體管相同的步驟中形成的晶體管可用于電路5363_1和電路5363_2。另外，電路5361和電路5362在與像素部分5364不同 的襯底之上形成。這樣，由于在襯底5380之上形成的電路可使用具有低遷移率的晶體管來 形成，所以非晶半導(dǎo)體、微晶半導(dǎo)體、有機半導(dǎo)體、氧化物半導(dǎo)體等等可用于晶體管的半導(dǎo) 體層。相應(yīng)地，可實現(xiàn)顯示裝置的大小的增加、步驟數(shù)量的減少、成本的降低、產(chǎn)率的提高等寸。注意，如圖31C所示，電路5362的一部分(電路5362a)可在與像素部分5364相 同的襯底5380之上形成，而電路5362的另一部分(電路5362b)可在與像素部分5364不 同的襯底之上形成。在許多情況下，電路5362a包括可使用具有低遷移率的晶體管來形成 的電路(例如移位寄存器、選擇器或開關(guān))。另外，在許多情況下，電路5362b包括優(yōu)選地 使用具有高遷移率和極少特性變化的晶體管來形成的電路(例如移位寄存器、鎖存電路、 緩沖器電路、DA轉(zhuǎn)換器電路或者AD轉(zhuǎn)換器電路)。這樣，如圖31B中那樣，例如，非晶半導(dǎo) 體、微晶半導(dǎo)體、有機半導(dǎo)體、氧化物半導(dǎo)體等等可用于晶體管的半導(dǎo)體層。此外，可實現(xiàn)外 部組件的減少。在圖31D中，具有向像素部分5364輸出信號的功能的電路(例如電路5362、電路 5363_1和 電路5363_2)以及具有控制這些電路的功能的電路(例如電路5361)在與像素部 分5364不同的襯底之上形成。這樣，由于像素部分及其外圍電路可在不同襯底之上形成， 所以可實現(xiàn)產(chǎn)率的提高。注意，如31D中那樣，在圖31A至圖31C中，電路5363_1和電路5363_2可在與像 素部分5364不同的襯底之上形成。在圖31E中，電路5361的一部分(電路5361a)可在與像素部分5364相同的襯底 5380之上形成，而電路5361的另一部分(電路5361b)在與像素部分5364不同的襯底之上 形成。在許多情況下，電路5361a包括可使用具有低遷移率的晶體管來形成的電路(例如 開關(guān)、選擇器或電平移位器)。另外，在許多情況下，電路5361b包括優(yōu)選地使用具有高遷移 率和極小變化的晶體管來形成的電路(例如移位寄存器、定時發(fā)生器、振蕩器、調(diào)節(jié)器或者 模擬緩沖器)。注意，還在圖31A至圖31D中，電路5361a可在與像素部分5364相同的襯底之上 形成，而電路5361b可在與像素部分5364不同的襯底之上形成。在這里，作為電路5363_1和電路5363_2的每個，可使用實施例1至4中的半導(dǎo)體 裝置或移位寄存器。在那種情況下，由于電路5363_1、電路5363_2和像素部分在一個襯底 之上形成，因此，在該襯底之上形成的所有晶體管可以是η溝道晶體管，或者在該襯底之上 形成的所有晶體管可以是P溝道晶體管。相應(yīng)地，可實現(xiàn)步驟數(shù)量的減少、產(chǎn)率的提高、可 靠性的提高或者成本的降低。具體來說，如果所有晶體管都是η溝道晶體管，則非晶半導(dǎo) 體、微晶半導(dǎo)體、有機半導(dǎo)體、氧化物半導(dǎo)體等等可用于晶體管的半導(dǎo)體層。相應(yīng)地，可實現(xiàn) 顯示裝置的大小的增加、成本的降低、產(chǎn)率的提高等等。備選地，在實施例1至4的半導(dǎo)體裝置或移位寄存器中，晶體管的溝道寬度可減 小。相應(yīng)地，布局面積可減小，使得幀可減小。備選地，由于布局面積可減小，所以分辨率可 增加。備選地，在實施例1至4的半導(dǎo)體裝置或移位寄存器中，寄生電容可減小。因此功 耗可降低。備選地，外部電路的電流容量(currentcapability)可減小。備選地，可減小外部電路的大小或者包括外部電路的顯示裝置的大小。注意，在許多情況下，在其中非單晶半導(dǎo)體、微晶半導(dǎo)體、有機半導(dǎo)體、氧化物半導(dǎo) 體等等用作半導(dǎo)體層的晶體管中，引起例如閾值電壓的增加或者遷移率的減小等特性的降 級。但是，由于可抑制實施例1至4的半導(dǎo)體裝置或移位寄存器中的晶體管特性的降級，所 以可使顯示裝置的使用壽命更長。注意，作為電路5362的一部分，可使用實施例1至4中的半導(dǎo)體裝置或移位寄存 器。例如，電路5362a可包括實施例1至4中的半導(dǎo)體裝置或移位寄存器。(實施例6)在這個實施例中，將描述信號線驅(qū)動器電路的一個示例。注意，信號線驅(qū)動器電路 可稱作半導(dǎo)體裝置或信號生成電路。參照圖32A來描述信號線驅(qū)動器電路的一個示例。信號線驅(qū)動器電路包括電路 602_1至602_N(N為自然數(shù))的多個電路、電路600和電路601。電路602_1至602_N各包 括晶體管603_1至603_k(k為2或更大的自然數(shù))的多個晶體管。晶體管603_1至603_k 是η溝道晶體管。但是，這個實施例并不局限于此。例如，晶體管603_1和603_k可以是ρ 溝道晶體管或CMOS開關(guān)。將通過使用電路602_1作為示例來描述信號線驅(qū)動器電路的連接關(guān)系。晶體管 603_1至603_k的第一端子連接到布線605_1。晶體管603_1至603_k的第二端子分別連 接到布線Sl至Sk。晶體管603_1至603_k的柵極分別連接到布線604_1至604_k。例如， 晶體管603_1的第一端子連接到布線605_1，晶體管603_1的第二端子連接到布線Si，并且 晶體管603_1的柵極連接到布線604_1。電路600具有通過布線604_1至604_k向電路602_1至602_N提供信號的功能，并
且可用作移位寄存器、解碼器等等。該信號往往是數(shù)字信號，并且可用作選擇信號。此外， 布線604_1至604_k可用作信號線。電路601具有向電路602_1至602_N輸出信號的功能，并且可用作視頻信號生成 電路等等。例如，電路601通過布線605_1向電路602_1提供信號。同時，電路601通過布 線605_2向電路602_2提供信號。該信號往往是模擬信號，并且可用作視頻信號。此外，布 線605_1至605_N可用作信號線。電路602_1至602_N各具有選擇向其輸出來自電路601的輸出信號的布線的功 能，并且可用作選擇器電路。例如，電路602_1具有選擇布線Sl至Sk其中之一以便向布線 605_1輸出從電路601所輸出的信號的功能。晶體管603_1至603_k各具有按照來自電路600的輸出信號來控制布線605_1和 布線Sl至Sk的電連續(xù)性的狀態(tài)的功能，并且用作開關(guān)。接下來，參照圖32B的時序圖來描述圖32A中的信號線驅(qū)動器電路的操作。圖32B 示出輸入到布線604_1的信號614_1、輸入到布線604_2的信號614_2、輸入到布線604_k的 信號614_k、輸入到布線605_1的信號615_1以及輸入到布線605_2的信號615_2的示例。注意，信號線驅(qū)動器電路的一個操作周期對應(yīng)于顯示裝置中的一個柵極選擇周 期。一個柵極選擇周期是其中選擇屬于一行的像素并且可將視頻信號寫入該像素的周期。注意，一個柵極選擇周期分為周期TO和周期Tl至周期Tk。周期TO是用于同時將 預(yù)充電的電壓施加到屬于所選行的像素的周期，并且可用作預(yù)充電周期。周期Tl至Tk的每個是用于將視頻信號寫入屬于所選行的像素的周期，并且可用作寫入周期。為了簡潔起見，通過使用電路602_1的操作作為示例來描述信號線驅(qū)動器電路的 操作。首先，在周期TO，電路600向布線604_1至604_k輸出H電平的信號。相應(yīng)地，晶 體管603_1至603_k導(dǎo)通，由此使布線605_1和布線Sl至Sk進入電連續(xù)性。此時，電路 601向布線605_1施加預(yù)充電電壓Vp，使得預(yù)充電電壓Vp分別通過晶體管603_1至603_k 輸出到布線Sl至Sk。然后，將預(yù)充電電壓Vp寫入屬于所選行的像素，使得對屬于所選行的 像素預(yù)充電。隨后，在周期Tl，電路600向布線604_1輸出H電平的信號。相應(yīng)地，晶體管603_1 導(dǎo)通，由此使布線605_1和布線Sl進入電連續(xù)性。此外，使布線605_1和布線S2至Sk沒 有電連續(xù)性。此時，如果電路601向布線605_1輸出信號Data(Sl)，則信號Data(Sl)通過 晶體管603_1輸出到布線Si。這樣，將信號Data(Sl)寫入連接到布線Sl的像素中屬于所 選行的像素。

隨后，在周期T2，電路600向布線604_2輸出H電平的信號。相應(yīng)地，晶體管603_2 導(dǎo)通，由此使布線605_2和布線S2進入電連續(xù)性。此外，使布線605_1和布線Sl沒有電連 續(xù)性，并且布線605_1和布線S3至Sk保持為沒有電連續(xù)性。此時，如果電路601向布線 605_1輸出信號Data (S2)，則信號Data(S2)通過晶體管603_2輸出到布線S2。這樣，將信 號Data(S2)寫入連接到布線S2的像素中屬于所選行的像素。此后，電路600依次向布線604_1至604_k輸出H電平的信號，直到周期Tk結(jié)束， 使得電路600從周期T3至周期Tk依次向布線604_3至604_k輸出H電平的信號，如同周 期Tl和周期T2中那樣。因此，由于晶體管603_3至603_k依次導(dǎo)通，所以晶體管603_1至 603_k依次導(dǎo)通。相應(yīng)地，把從電路601輸出的信號依次輸出到布線Sl至Sk。這樣，信號 可依次寫入屬于所選行的像素。以上是對信號線驅(qū)動器電路的示例的描述。由于這個實施例中的信號線驅(qū)動器電 路包括用作選擇器的電路，所以信號的數(shù)量或者布線的數(shù)量可減少。備選地，由于預(yù)充電的 電壓在將視頻信號寫入像素(在周期TO期間)之前寫入像素，所以視頻信號的寫入時間可 縮短。相應(yīng)地，可實現(xiàn)顯示裝置的大小的增加和顯示裝置的更高分辨率。但是，這個實施例 并不局限于此，而是可消除周期T0，使得沒有對像素預(yù)充電。注意，如果k是過大的數(shù)目，則對像素的寫入時間縮短，由此在一些情況下，將視 頻信號寫入像素的操作在寫入時間中沒有完成。相應(yīng)地，優(yōu)選的是，6。更優(yōu)選的是， k彡3。進一步優(yōu)選的是，k = 2。具體來說，在像素的彩色元件分為η的情況下，有可能設(shè)置k = η。例如，在像素 的彩色元件分為紅色(R)、綠色(G)和藍色⑶的情況下，有可能設(shè)置k = 3。在那種情況 下，一個柵極選擇周期分為周期TO、周期Tl、周期T2和周期T3。在周期Tl、周期T2和周期 T3，可將視頻信號分別寫入紅色(R)像素、綠色(G)像素和藍色(B)像素。但是，這個實施 例并不局限于此，而是可適當?shù)卦O(shè)置周期Tl、周期T2和周期T3的順序。具體來說，在像素分為η個子像素(η為自然數(shù))的情況下，有可能設(shè)置k = η。例 如，在像素分為2個子像素的情況下，有可能設(shè)置k = 2。在那種情況下，一個柵極選擇周期 分為周期TO、周期Tl和周期T2。視頻信號可在周期Tl寫入兩個子像素其中之一，并且視頻信號可在周期T2寫入兩個子像素的另一個。注意，由于與電路601相比，在許多情況下，電路600和電路602_1至602_N的驅(qū)動 頻率很低，所以電路600和電路602_1至602_N可在與像素部分相同的襯底之上形成。相 應(yīng)地，在其上形成像素部分的襯底與外部電路之間的連接數(shù)量可減少；因此可實現(xiàn)產(chǎn)率的 提高、可靠性的提高等等。此外，如圖31A至31E所示，通過還在與像素部分相同的襯底之 上形成掃描線驅(qū)動器電路，在其上形成像素部分的襯底與外部電路之間的連接數(shù)量可進一 步減少。注意，實施例1至4中所述的半導(dǎo)體裝置或移位寄存器的任一個可用作電路600。 在那種情況下，電路600中的所有晶體管均可以是η溝道晶體管，或者電路600中的所有晶 體管均可以是ρ溝道晶體管。相應(yīng)地，可實現(xiàn)步驟數(shù)量的減少、產(chǎn)率的提高或者成本的降 低。注意，不僅電路600中包含的晶體管、而且電路602_1至602_Ν中的所有晶體管均 可以是η溝道晶體管。備選地，不僅電路600中包含的晶體管、而且電路602_1至
的所有晶體管均可以是P溝道晶體管。相應(yīng)地，當電路600和電路602_1至602_Ν在與像 素部分相同的襯底之上形成時，可實現(xiàn)步驟數(shù)量的減少、產(chǎn)率的提高或者成本的降低。具體 來說，通過僅使用η溝道晶體管作為電路600和602_1至602_Ν中的晶體管，例如非晶半導(dǎo) 體、微晶半導(dǎo)體、有機半導(dǎo)體、氧化物半導(dǎo)體等等可用于晶體管的半導(dǎo)體層。

(實施例7)在這個實施例中，將描述可應(yīng)用于液晶顯示裝置的像素的結(jié)構(gòu)和操作。圖33Α示出像素的一個示例。像素3020包括晶體管3021、液晶元件3022和電容器 3023。晶體管3021的第一端子連接到布線3031。晶體管3021的第二端子連接到液晶元件 3022的一個電極以及電容器3023的一個電極。晶體管3021的柵極連接到布線3032。液 晶元件3022的另一個電極連接到電極3034。電容器3023的另一個電極連接到布線3033。例如，可將視頻信號輸入到布線3031。例如，可將掃描信號、選擇信號或柵極信號 輸入到布線3032。例如，可將恒定電壓施加到布線3033。例如，可將恒定電壓施加到布線 3034。注意，這個實施例并不局限于這個示例?？赏ㄟ^向布線3031提供預(yù)充電電壓來縮短 視頻信號的寫入時間。備選地，施加到液晶元件3022的電壓可通過向布線3033輸入信號 來控制。備選地，幀反相驅(qū)動可通過向電極3034輸入信號來實現(xiàn)。注意，布線3031可用作信號線、視頻信號線或者源極信號線。布線3032可用作信 號線、掃描線或柵極信號線。布線3033可用作電源線或電容器線。電極3034可用作公共 電極或者相對電極。但是，這個實施例并不局限于這個示例。在向布線3031和布線3032 提供電壓的情況下，這些布線可用作電源線。備選地，在向布線3033輸入信號的情況下，布 線3033可用作信號線。晶體管3021具有通過控制布線3031和液晶元件3022的一個電極的電連續(xù)性的 狀態(tài)來控制向像素寫入視頻信號的定時的功能，并且可用作開關(guān)。電容器3023具有通過存 儲液晶元件3022的一個電極與布線3033之間的電位差來使施加到液晶元件3022的電壓 保持穩(wěn)定值的功能，并且用作存儲電容器(storage capacitor) 0注意，這個實施例并不局 限于這個示例。圖33B示出用于說明圖33A中的像素的操作的時序圖的示例。圖33B示出信號3042_j (j為自然數(shù))、信號3042J+1、信號3041」、信號3041_i+l和電壓3043。另外，圖 33B示出第k(k為自然數(shù))幀和第(k+Ι)幀。注意，信號3042_j、信號3042_j+l、信號3041_ i、信號3041」+1和電壓3043分別是輸入到第j行的布線3032的信號、輸入到第(j+Ι)行 的布線3032的信號、輸入到第i列的布線3031的信號、輸入到第(i+Ι)列的布線3031的 信號和提供給布線3033的電壓的示例。描述第j行和第i列的像素3020的操作。當信號3042_j設(shè)置在H電平時，晶體 管3021導(dǎo)通。相應(yīng)地，由于使第i列的布線3031和液晶元件3022的一個電極進入電連 續(xù)性，所以信號3041_j通過晶體管3021輸入到液晶元件3022的一個電極。然后，電容器 3023保持液晶元件3022的一個電極與布線3033之間的電位差。因此，此后，施加到顯示元 件3022的電壓是恒定的，直到信號3042_j再次設(shè)置在H電平。然后，液晶元件3022顯示 與所施加電壓對應(yīng)的灰度級。注意，圖33B示出其中正信號和負信號在每一個選擇周期交替輸入到布線3031的 情況的示例。正信號是電位高于參考值(例如電極3034的電位)的信號。負信號是電位 低于參考值(例如電極3034的電位)的信號。但是，這個實施例并不局限于這個示例，而 是可在一個幀周期將具有相同極性的信號輸入到布線3031。注意，圖33B示出其中信號3041」的極性和信號3041」+1的極性相互不同的情 況的示例。但是，這個實施例并不局限于這個示例。信號3041」的極性和信號3041」+1 的極性可以相同。 注意，圖33B示出信號3042_j處于H電平的周期以及信號3042_j+l處于H電平 的周期沒有相互重疊的情況的示例。但是，這個實施例并不局限于這個示例。如圖33C所 示，信號3042_j處于H電平的周期以及信號3042_j+l處于H電平的周期可相互重疊。在 那種情況下，相同極性的信號優(yōu)選地在一個幀周期提供給布線3031。這樣，可通過使用寫入 第j行的像素的信號3041_j，對第(j+Ι)行中的像素預(yù)充電。相應(yīng)地，視頻信號對像素的寫 入時間可縮短。因此，可獲得高清晰度顯示裝置。備選地，可使顯示裝置的顯示部分很大。 備選地，由于相同極性的信號在一個幀周期輸入到布線3031，所以功耗可降低。注意，通過組合圖34A的像素結(jié)構(gòu)和圖33C的時序圖，可實現(xiàn)點反轉(zhuǎn)驅(qū)動(dot inversion driving)。在圖34A的像素結(jié)構(gòu)中，像素3020 (i，j)連接到布線3031」。另一 方面，像素3020(i，j+l)連接到布線3031」+1。換言之，第i列中的像素備選地逐行連接到 布線3031」和布線3031」+1。這樣，由于正信號和負信號交替地逐行寫入第i列的像素， 所以可實現(xiàn)點反轉(zhuǎn)驅(qū)動。但是，這個實施例并不局限于這個示例。第i列中的每多行(例 如兩行或三行)的像素可交替連接到布線3031」和布線3031」+1。注意，子像素結(jié)構(gòu)可用作像素結(jié)構(gòu)。圖34B和圖34C各示出其中像素分為兩個子像 素的情況的結(jié)構(gòu)。圖34B示出稱作1S+2G的子像素結(jié)構(gòu)(例如其中一個信號線和兩個掃描 線用于一個子像素的結(jié)構(gòu))，而圖34C示出稱作2S+1G的子像素結(jié)構(gòu)(例如其中兩個信號線 和一個掃描線用于一個子像素的結(jié)構(gòu))。子像素3020A和子像素3020B對應(yīng)于像素3020。 晶體管3021A和晶體管3021B對應(yīng)于晶體管3021。液晶元件3022A和液晶元件3022B對應(yīng) 于液晶元件3022。電容器3023A和電容器3023B對應(yīng)于電容器3023。布線3031A和布線 3031B對應(yīng)于布線3031。布線3032A和布線3032B對應(yīng)于布線3032。在這里，通過組合這個實施例中的像素以及實施例1至6中所述的半導(dǎo)體裝置、移位寄存器、顯示裝置和信號線驅(qū)動器電路的任一個，可獲得各種優(yōu)點。例如，在子像素結(jié)構(gòu) 用于像素的情況下，驅(qū)動顯示裝置所需的信號的數(shù)量增加。因此，柵極信號線或源極信號線 的數(shù)量增加。因此，在一些情況下，其上形成像素部分的襯底與外部電路之間的連接數(shù)量極 大地增加。但是，即使柵極信號線的數(shù)量增加，掃描線驅(qū)動器電路也可在其上形成像素部分 的襯底之上形成，如實施例7中所述。相應(yīng)地，可使用具有子像素結(jié)構(gòu)的像素，而無需極大 地增加其上形成像素部分的襯底與外部電路之間的連接數(shù)量。備選地，即使源極信號線的 數(shù)量增加，實施例6中的信號線驅(qū)動器電路的使用也可減少源極信號線的數(shù)量。相應(yīng)地，可 使用具有子像素結(jié)構(gòu)的像素，而無需極大地增加其上形成像素部分的襯底與外部電路之間 的連接數(shù)量。備選地，在其中將信號輸入到電容器線的情況下，在一些情況下，其上形成像素部 分的襯底與外部電路之間的連接數(shù)量極大地增加。對于那種情況，可通過使用實施例1至5 中的半導(dǎo)體裝置和移位寄存器的任一個將信號提供給電容器線。另外，實施例1至5中的 半導(dǎo)體裝置或移位寄存器可在其上形成像素部分的襯底之上形成。相應(yīng)地，可將信號輸入 到電容器線，而無需極大地增加其上形成像素部分的襯底與外部電路之間的連接數(shù)量。備選地，在采用交流電驅(qū)動的情況下，用于將視頻信號寫入像素的時間很短。因 此，在一些情況下引起用于將視頻信號寫入像素的時間變短。類似地，在使用具有子像素結(jié) 構(gòu)的像素的情況下，用于將視頻信號寫入像素的時間很短。因此，在一些情況下引起用于將 視 頻信號寫入像素的時間變短。對于那種情況，可通過使用實施例6中的信號線驅(qū)動器電 路，將視頻信號寫入像素。在那種情況下，由于預(yù)充電的電壓在將視頻信號寫入像素之前被 寫入像素，所以視頻信號可在短時間內(nèi)寫入像素。備選地，當如圖28B所示選擇一行的周期 與選擇不同行的周期重疊時，該不同行的視頻信號可用作預(yù)充電的電壓。(實施例8)在這個實施例中，參照圖35A至圖35C來描述顯示裝置的示例。注意，在這里，作 為一個示例描述液晶顯示裝置。圖35A示出顯示裝置的頂視圖的一個示例。驅(qū)動器電路5392和像素部分5393在 襯底5391之上形成。驅(qū)動器電路5392的一個示例是掃描線驅(qū)動器電路、信號線驅(qū)動器電 路等等。例如，在液晶顯示裝置的情況下，像素部分5393包括像素，并且按照來自驅(qū)動器電 路5392的輸出信號而施加到液晶元件的電壓被設(shè)置到像素。圖35B示出沿圖35A的線條A-B截取的截面的示例。圖35B示出襯底5400、在襯底 5400之上形成的導(dǎo)電層5401、為了覆蓋導(dǎo)電層5401所形成的絕緣層5402、在導(dǎo)電層5401 和絕緣層5402之上形成的半導(dǎo)體層5403a、在半導(dǎo)體層5403a之上形成的半導(dǎo)體層5403b、 在半導(dǎo)體層5403b和絕緣層5402之上形成的導(dǎo)電層5404、在絕緣層5402和導(dǎo)電層5404之 上形成并且提供有開口部分的絕緣層5405、在絕緣層5405之上并且在絕緣層5405的開口 部分中所形成的導(dǎo)電層5406、設(shè)置在絕緣層5405和導(dǎo)電層5406之上的絕緣層5408、在絕 緣層5405之上形成的液晶層5407、在液晶層5407和絕緣層5408之上形成的導(dǎo)電層5409 以及設(shè)置在導(dǎo)電層5409之上的襯底5410。導(dǎo)電層5401可用作柵電極。絕緣層5402可用作柵絕緣膜。導(dǎo)電層5404可用作布 線、晶體管的電極、電容器的電極等等。絕緣層5405可用層間膜或平坦化膜。導(dǎo)電層5406 可用作布線、像素電極或反射電極。絕緣層5408可用作密封層。導(dǎo)電層5409可用作相對電極或公共電極。在這里，在一些情況下，寄生電容在驅(qū)動器電路5392與導(dǎo)電層5409之間生成。相 應(yīng)地，使來自驅(qū)動器電路5392的輸出信號或者各節(jié)點的電位失真或延遲，或者增加功耗。 但是，當如圖24B所示可用作密封層的絕緣層5408在驅(qū)動器電路5392之上形成時，驅(qū)動器 電路5392與導(dǎo)電層5409之間所生成的寄生電容可減小。這是因為密封層的介電常數(shù)往往 低于液晶層的介電常數(shù)。因此，來自驅(qū)動器電路5392的輸出信號或者各節(jié)點的電位的失真 或延遲可減小。備選地，驅(qū)動器電路5392的功耗可降低。注意，如圖35C所示，可用作密封層的絕緣層5408可在驅(qū)動器電路5392的一部 分之上形成。還在這種情況下，驅(qū)動器電路5392與導(dǎo)電層5409之間所生成寄生電容可減 小。因此，來自驅(qū)動器電路5392的輸出信號或者各節(jié)點的電位的失真或延遲可減小。注意， 這個實施例并不局限于此。有可能不在驅(qū)動器電路5392之上形成可用作密封層的絕緣層 5408。注意，顯示元件并不局限于液晶元件，而是可使用例如EL元件或電泳元件等各種 顯示元件。 如上所述，這個實施例描述顯示裝置的截面結(jié)構(gòu)的一個示例。這種結(jié)構(gòu)可與實施 例1至4中的半導(dǎo)體裝置或移位寄存器進行組合。例如，在非晶半導(dǎo)體、微晶半導(dǎo)體、有機 半導(dǎo)體、氧化物半導(dǎo)體等用于晶體管的半導(dǎo)體層的情況下，在許多情況下，晶體管的溝道寬 度增加。但是，通過如這個實施例中那樣減小驅(qū)動器電路的寄生電容，晶體管的溝道寬度可 減小。因此，布局面積可減小，使得顯示裝置的幀可減小。備選地，顯示裝置可具有更高的 清晰度。(實施例9)在這個實施例中，參照圖36A至圖36C來描述晶體管的結(jié)構(gòu)的示例。圖36A示出顯示裝置的結(jié)構(gòu)的示例或者頂柵晶體管的結(jié)構(gòu)的示例。圖36B示出顯 示裝置的結(jié)構(gòu)的示例或者底柵晶體管的結(jié)構(gòu)的示例。圖36C示出使用半導(dǎo)體襯底所形成的 晶體管的結(jié)構(gòu)的示例。圖36A的晶體管包括半導(dǎo)體層5262，它隔著絕緣層5261在襯底5260之上形成， 并且提供有區(qū)域5262a、區(qū)域5262b、區(qū)域5262c、區(qū)域5262d和區(qū)域5262e ；為了覆蓋半導(dǎo)體 層5262而形成的絕緣層5263 ；導(dǎo)電層5264，在半導(dǎo)體層5262和絕緣層5263之上形成；絕 緣層5265，它在絕緣層5263和導(dǎo)電層5264之上形成，并且提供有開口 ；以及導(dǎo)電層5266， 它在絕緣層5265之上并且在絕緣層5265中所形成的開口中形成。圖36B中的晶體管的一個示例包括導(dǎo)電層5301，在襯底5300之上形成；為了覆 蓋導(dǎo)電層5301而形成的絕緣層5302 ；半導(dǎo)體層5303a，在導(dǎo)電層5301和絕緣層5302之上 形成；半導(dǎo)體層5303b，在半導(dǎo)體層5303a之上形成；導(dǎo)電層5304，在半導(dǎo)體層5305b和絕 緣層5302之上形成；絕緣層5305，它在絕緣層5302和導(dǎo)電層5304之上形成并且提供有開 口 ；以及導(dǎo)電層5306，它在絕緣層5305之上并且在絕緣層5305中所形成的開口中形成。圖36C中的晶體管的一個示例包括半導(dǎo)體襯底5352，包括區(qū)域5353和區(qū)域 5355 ；絕緣層5356，在半導(dǎo)體襯底5352之上形成；絕緣層5354，在半導(dǎo)體襯底5352之上形 成；導(dǎo)電層5357，在絕緣層5356之上形成；絕緣層5358，它在絕緣層5354、絕緣層5356和 導(dǎo)電層5357之上形成，并且提供有開口 ；以及導(dǎo)電層5359，它在絕緣層5358之上并且在絕緣層5358中所形成的開口中形成。因此，晶體管在區(qū)域5350和區(qū)域5351的每個中形成。注意，在其中顯示裝置使用這個實施例中所示的晶體管來形成的情況下，如圖36A 所示，有可能形成絕緣層5267，它在導(dǎo)電層5266和絕緣層5265之上形成并且提供有開 口；導(dǎo)電層5268，它在絕緣層5267之上并且在絕緣層5267中所形成的開口中形成；絕緣層 5269，它在絕緣層5267和導(dǎo)電層5268之上形成，并且提供有開口 ；發(fā)光層5270，它在絕緣 層5269之上并且在絕緣層5269中所形成的開口中形成；以及導(dǎo)電層5271，在絕緣層5269 和發(fā)光層5270之上形成。注意，如圖36A所示，有可能形成液晶層5307，它在絕緣層5305和導(dǎo)電層5306之 上形成；以及導(dǎo)電層5308，它在液晶層5307之上形成。絕緣層5261可用作基底膜。絕緣層5354用作元件隔離層(例如場氧化物膜)。絕 緣層5263、絕緣層5302和絕緣層5356的每個可用作柵絕緣膜。導(dǎo)電層5264、導(dǎo)電層5301 和導(dǎo)電層5357的每個可用作柵電極。絕緣層5265、絕緣層5267、絕緣層5305和絕緣層5358 的每個可用作層間膜或平坦化膜。導(dǎo)電層5266、導(dǎo)電層5304和導(dǎo)電層5359的每個可用作 布線、晶體管的電極、電容器的電極等等。導(dǎo)電層5268和導(dǎo)電層5306的每個可用作像素電 極、反射電極等等。絕緣層5269可用作隔墻。導(dǎo)電層5271和導(dǎo)電層5308的每個可用作相 對電極、公共電極等等。例如，可使用襯底5260和襯底5300、玻璃襯底、石英襯底、半導(dǎo)體襯底(例如，諸如 硅襯底等單晶襯底)或單晶襯底、SOI襯底、塑料襯底、金屬襯底、不銹鋼襯底、包括不銹鋼 箔的襯底、鎢襯底、包括鎢箔的襯底、柔性襯底等等的每個。作為玻璃襯底，例如，可使用鋇 硼硅酸鹽玻璃襯底、鋁硼硅酸鹽玻璃襯底等等。對于柔性襯底，例如，可使用例如由聚對苯 二甲酸乙二醇酯(PET)、聚鄰苯二甲酸乙二醇酯(PEN)和聚醚砜(PES)或丙烯酸所代表的塑 料等柔性合成樹脂。備選地，可使用貼合膜(使用聚丙烯、聚酯、乙烯基、聚氟乙烯、聚氯乙 烯等等形成)、纖維材料紙、基底材料膜(使用聚酯、聚酰胺、聚酰亞胺、無機氣相沉積膜、紙 等形成)等等。作為半導(dǎo)體襯底5352，例如，可使用具有η型或ρ型導(dǎo)電性的單晶硅襯底。例如， 區(qū)域5353是其中將雜質(zhì)添加到半導(dǎo)體襯底5352的區(qū)域，并且用作阱區(qū)。例如，在半導(dǎo)體襯 底5352具有ρ型導(dǎo)電性的情況下，區(qū)域5353具有η型導(dǎo)電性，并且用作η阱。另一方面，在 半導(dǎo)體襯底5352具有η型導(dǎo)電性的情況下，區(qū)域5353具有ρ型導(dǎo)電性，并且用作ρ阱。例 如，區(qū)域5355是其中將雜質(zhì)添加到半導(dǎo)體襯底5352的區(qū)域，并且用作源區(qū)或漏區(qū)。注意， LDD區(qū)域可在半導(dǎo)體襯底5352中形成。對于絕緣層5261，例如，可使用包含氧或氮的絕緣膜，例如氧化硅(SiOx)、氮化硅 (SiNx)、氧氮化硅(SiOxNy) (χ > Y > 0)或者氮氧化硅(SiNxOy) (x > y > 0)或者其分層結(jié) 構(gòu)。在絕緣膜5261具有兩層結(jié)構(gòu)的情況的一個示例中，可形成氮化硅膜和氧化硅膜，分別 作為第一絕緣層和第二絕緣層。在絕緣層5261具有三層結(jié)構(gòu)的情況的一個示例中，可形成 氧化硅膜、氮化硅膜和氧化硅膜，分別作為第一絕緣層、第二絕緣層和第三絕緣層。對于半導(dǎo)體層5262、半導(dǎo)體層5303a和半導(dǎo)體層5303b的每個，例如，可使用非單 晶半導(dǎo)體(例如非晶硅、多晶硅或微晶硅)、單晶半導(dǎo)體、化合物半導(dǎo)體或氧化物半導(dǎo)體(例 如 ZnO、InGaZnO, SiGe、GaAs、IZO、ITO, SnO、ΑΖΤ0、有機半導(dǎo)體或碳納米管)等等。注意，例如，區(qū)域5262a是沒有將雜質(zhì)添加到半導(dǎo)體襯底5262的本征區(qū)，并且用作溝道區(qū)。但是，可將雜質(zhì)添加到區(qū)域5262a。添加到區(qū)域5262a的雜質(zhì)的濃度優(yōu)選地低于添 加到區(qū)域5262b、區(qū)域5262c、區(qū)域5262d或區(qū)域5262e的雜質(zhì)的濃度。區(qū)域5262b和區(qū)域 5262d的每個是以比區(qū)域5262c或區(qū)域5262e更低的濃度對其中添加雜質(zhì)的區(qū)域，并且用作 LDD區(qū)域。注意，可消除區(qū)域5262b和區(qū)域5262d。區(qū)域5262c和區(qū)域5262e的每個是以高 濃度對其中添加雜質(zhì)的區(qū)域，并且用作源區(qū)或漏區(qū)。注意，半導(dǎo)體層5303b是對其中添加作為雜質(zhì)元素的磷等的半導(dǎo)體層，并且具有η 型導(dǎo)電性。注意，在氧化物半導(dǎo)體或化合物半導(dǎo)體用于半導(dǎo)體層5303a的情況下，可消除半 導(dǎo)體層5303b。對于絕緣層5263、絕緣層5302和絕緣層5356的每個，例如，可使用包含氧或氮 的膜，例如氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNx)、氧氮化硅(SiOxNy) (x > y > 0)或者氮氧化硅 (SiNxOy) (x > y > 0)或者其分層結(jié)構(gòu)。作為導(dǎo)電層5264、導(dǎo)電層5266、導(dǎo)電層5268、導(dǎo)電層5271、導(dǎo)電層5301、導(dǎo)電層 5304、導(dǎo)電層5306、導(dǎo)電層5308、導(dǎo)電層5357和導(dǎo)電層5359的每個，可使用具有單層結(jié)構(gòu) 或分層結(jié)構(gòu)的導(dǎo)電膜等等。例如，對于導(dǎo)電膜，可使用包含從下列元素所組成的組中選取的 一種元素的單層膜或者包含從該組選取的一種或多種元素的化合物等鋁(Al)、鉭(Ta)、 鈦(Ti)、鉬(Mo)、鎢(W)、釹(Nd)、鉻(Cr)、鎳(Ni)、鉬(Pt)、金(A u)、銀(Ag)、銅(Cu)、錳 (Mn)、鈷(Co)、鈮(Nb)、硅(Si)、鐵(Fe)、鈀(Pd)、碳(C)、鈧(Sc)、鋅(Zn)、鎵(Ga)、銦(In)、 錫(Sn)、鋯(Zr)和鈰(Ce)。注意，單膜或化合物可包含磷(P)、硼(B)、砷(As)和/或氧 (0)。例如，該化合物是包含從上述多種元素所選取的一種或多種元素的合金(例如，合金 材料，諸如氧化銦錫(ITO)、氧化銦鋅(IZO)、包含氧化硅的氧化銦錫(ITSO)、氧化鋅(ZnO)、 氧化錫(SnO)、氧化鎘錫(CTO)、鋁釹(Al-Nd)、鋁鎢(Al-W)、鋁鋯(A1-&)、鋁鈦(Al-Ti)、鋁 鈰(Al-Ce)、鎂銀(Mg-Ag)、鉬鈮(Mo-Nb)、鉬鎢(Mo-W)或鉬鉭(Mo-Ta))；包含氮以及從上述 多種元素所選取的一種或多種元素的化合物(例如，包含氮化鈦、氮化鉭、氮化鉬等的氮化 物膜)；或者包含硅以及從上述多種元素所選取的一種或多種元素的化合物(例如包含硅 化鎢、硅化鈦、硅化鎳、硅化鋁或硅化鉬的硅化物膜)；等等。備選地，例如，可使用諸如碳納 米管、有機納米管、無機納米管或金屬納米管等納米管材料。對于絕緣層5265、絕緣層5267、絕緣層5269、絕緣層5305和絕緣層5358的每個， 例如可使用具有單層結(jié)構(gòu)或分層結(jié)構(gòu)的絕緣層等等。例如，作為絕緣層，可使用例如氧化 硅(SiOx)、氮化硅(SiNz)、氧氮化硅(SiOxNy) (x > y > 0)或氧化氮化硅(SiNxOy) (x > y > 0)等的包含氧或氮的膜；例如菱形碳(DLC)等包含碳的膜；例如硅氧烷樹脂、環(huán)氧樹脂、聚 酰亞胺、聚酰胺、聚乙烯苯酚、苯并環(huán)丁烯或丙烯酸等有機材料；等等。 對于發(fā)光層5270，例如可使用有機EL元件、無機EL元件等等。對于有機EL元件， 例如，可使用采用空穴注入材料所形成的空穴注入層、采用空穴傳輸材料所形成的空穴傳 輸層、采用發(fā)光材料所形成的發(fā)光層、采用電子傳輸材料所形成的電子傳輸層、采用電子注 入材料所形成的電子注入層或者其中混合這多種材料的層的單層結(jié)構(gòu)或分層結(jié)構(gòu)。
作為液晶層5307的示例或者可施加到液晶層5307的材料的示例，可使用下列液 晶向列型液晶、膽留型液晶、近晶型液晶、盤狀液晶、熱致型液晶、溶致液晶、低分子液晶、 高分子液晶、PDLC(聚合物分散型液晶)、鐵電液晶、反鐵電液晶、主鏈類型液晶、側(cè)鏈類型聚合物液晶、等離子體尋址液晶(PALC)或香蕉形液晶。作為可應(yīng)用于包括液晶層5307的液 晶元件的液晶模式的示例，可采用下列液晶模式TN(扭轉(zhuǎn)向列)模式、STN(超扭轉(zhuǎn)向列) 模式、IPS (共面轉(zhuǎn)換)模式、FFS (邊緣場轉(zhuǎn)換)模式、MVA(多區(qū)域垂直排列)模式、PVA(圖 案化垂直排列)模式、ASV (高級超視覺)模式、ASM(軸向?qū)ΨQ排列微單元)模式、OCB (光 學(xué)補償雙折射)模式、ECB(電可控雙折射)模式、FLC(鐵電液晶)模式、AFLC(反鐵電液 晶)模式、PDLC(聚合物分散型液晶)模式、主-從模式和藍相模式等。注意，用作取向膜的絕緣層、用作突出部分的絕緣層等等可在絕緣層5305和導(dǎo)電 層5306之上形成。注意，用作濾色件、黑矩陣或突出部分的絕緣層等可在導(dǎo)電層5308之上形成。用 作取向膜的絕緣層可在導(dǎo)電層5308之下形成。這個實施例中的晶體管可適用于實施例1至8。具體來說，在非晶半導(dǎo)體、微晶半 導(dǎo)體、有機半導(dǎo)體、氧化物半導(dǎo)體等用于圖36B的半導(dǎo)體層的情況下，在一些情況下，晶體 管降級。因此，如果這個實施例中的晶體管用于半導(dǎo)體裝置、移位寄存器或顯示裝置，則半 導(dǎo)體裝置、移位寄存器或顯示裝置的使用壽命變得更短。但是可抑制實施例1至8的半導(dǎo) 體裝置、移位寄存器或顯示裝置中的晶體管的降級。因此，通過將這個實施例中的晶體管應(yīng) 用于實施例1至8中的半導(dǎo)體裝置、移位寄存器或顯示裝置，可使其使用壽命更長。

(實施例10)在這個實施例中，描述晶體管和電容器的制造過程的一個示例。特別地，描述在氧 化物半導(dǎo)體用于半導(dǎo)體層的情況下的制造過程。參照圖37A至圖37C來描述晶體管和電容器的制造過程的一個示例。圖37A至圖 37C示出晶體管5441和電容器5442的制造過程的示例。晶體管5441是倒置交錯薄膜晶體 管的示例，其中布線隔著源電極或漏電極設(shè)置在氧化物半導(dǎo)體層之上。首先，第一導(dǎo)電層通過濺射在襯底5420的整個表面之上形成。隨后，使用通過采 用第一光掩模的光刻過程所形成的抗蝕劑掩模而有選擇地蝕刻第一導(dǎo)電層，從而形成導(dǎo)電 層5421和導(dǎo)電層5422。導(dǎo)電層5421可用作柵電極。導(dǎo)電層5422可用作電容器的電極之 一。注意，這個實施例并不局限于此，而是導(dǎo)電層5421和5422的每個可包括用作布線、柵 電極或者電容器的電極的部分。此后，去除抗蝕劑掩模。隨后，絕緣層5423通過等離子體增強CVD或濺射在整個表面之上形成。絕緣層 5423可用作柵絕緣層，并且被形成以便覆蓋導(dǎo)電層5421和5422。注意，絕緣層5423的厚 度通常為50至250nm。隨后，使用通過采用第二光掩模的光刻過程所形成的抗蝕劑掩模有選擇地蝕刻絕 緣層5423，從而形成到達導(dǎo)電層5421的接觸孔5424。然后，去除抗蝕劑掩模。注意，這個 實施例并不局限于此，而是可消除接觸孔5424。備選地，接觸孔5424可在形成氧化物半導(dǎo) 體層之后形成。到目前為止的步驟的截面圖對應(yīng)于圖37A。隨后，氧化物半導(dǎo)體層通過濺射在整個表面之上形成。注意，這個實施例并不局限 于此，而是有可能通過濺射來形成氧化物半導(dǎo)體層以及形成其上的緩沖器層(例如η+層)。 注意，氧化物半導(dǎo)體層的厚度通常為5至200nm。隨后，使用通過采用第三光掩模的光刻過程所形成的抗蝕劑掩模有選擇地蝕刻氧 化物半導(dǎo)體層。此后，去除抗蝕劑掩模。
隨后，第二導(dǎo)電層通過濺射在整個表面之上形成。隨后，使用通過采用第四光掩模 的光刻過程所形成的抗蝕劑掩模有選擇地蝕刻第二導(dǎo)電層，從而形成導(dǎo)電層5429、導(dǎo)電層 5430和導(dǎo)電層5431。導(dǎo)電層5429通過接觸孔5424連接到導(dǎo)電層5421。導(dǎo)電層5429和 5430可用作源電極和漏電極。導(dǎo)電層5431可用作電容器的電極中的另一個。注意，這個實 施例并不局限于此，而是導(dǎo)電層5429、5430和5431的每個可包括用作布線、源電極、漏電極 或者電容器的電極的部分。注意，如果熱處理(例如在200°C至600°C )在下一個步驟執(zhí)行，則第二導(dǎo)電層優(yōu) 選地具有足夠高的耐熱性，以便耐受熱處理。相應(yīng)地，對于第二導(dǎo)電層，優(yōu)選地結(jié)合使用Al 以及具有高耐熱性的導(dǎo)電材料(例如，諸如Ti、Ta、W、M0、Cr、Nd、Sc、&或Ce等元素；其中 組合這些元素的合金；或者包含這些元素的任一個的氮化物)。注意，這個實施例并不局限 于此，而是通過采用分層結(jié)構(gòu)，第二導(dǎo)電層可具有高耐熱性。例如，有可能在Al膜之上或之 下提供具有高耐熱性的例如Ti或Mo等導(dǎo)電材料。注意，在蝕刻第二導(dǎo)電層時，也蝕刻氧化物半導(dǎo)體層的一部分，從而形成氧化物半 導(dǎo)體層5425。通過這種蝕刻，在許多情況下，與導(dǎo)電層5421重疊的氧化物半導(dǎo)體層5425 的部分、或者其上沒有形成第二導(dǎo)電層的氧化物半導(dǎo)體層5425的部分經(jīng)過蝕刻以變薄。注 意，這個實施例并不局限于此，而是有可能不蝕刻氧化物半導(dǎo)體層5425。但是，在氧化物半 導(dǎo)體層5425之上形成η+層的情況下，通常蝕刻氧化物半導(dǎo)體層5425。然后，去除抗蝕劑掩 模。當這種蝕刻完成時，晶體管5441和電容器5442完成。到目前為止的步驟的截面圖對 應(yīng)于圖37Β。 隨后，熱處理在空氣氣氛或氮氣氛中以200至600°C執(zhí)行。通過這種熱處理，在氧 化物半導(dǎo)體層5425中發(fā)生原子級的重新排列。這樣，通過熱處理(包括光亮退火)，釋放抑 制截流子移動的應(yīng)變。注意，對于執(zhí)行熱處理的定時沒有具體限制，熱處理而是可在形成氧 化物半導(dǎo)體層之后的任何時間執(zhí)行。隨后，絕緣層5432在整個表面之上形成。絕緣層5432可具有單層結(jié)構(gòu)或者分層 結(jié)構(gòu)。例如，在有機絕緣層用作絕緣層5432的情況下，有機絕緣層以如下方式來形成作為 有機絕緣層的材料的成分被施加并且在空氣氣氛或者氮氣氛中經(jīng)過以200至600°C的熱處 理。通過這樣形成與氧化物半導(dǎo)體層5425接觸的有機絕緣層，可制造極為可靠的薄膜晶體 管。注意，在有機絕緣層用作絕緣層5432的情況下，氮化硅膜或氧化硅膜可設(shè)置在有機絕 緣層之下。圖37C示出一種模式，其中絕緣層5432使用非光敏樹脂來形成，使得絕緣層5432 的端部分在形成接觸孔的區(qū)域的截面中是有棱角的(angular)。但是，當絕緣層5432使 用光敏樹脂來形成時，絕緣層5432的端部分可在形成接觸孔的區(qū)域的截面中是弧形的 (curved)。因此，絕緣層5432與稍后形成的第三導(dǎo)電層或像素電極的覆蓋范圍增加。注意，代替該成分的應(yīng)用，而是可根據(jù)材料來使用下列方法浸漬涂敷、噴涂、噴墨 方法、印刷方法、涂層刀(doctor knife)、輥涂機、幕涂機、刮刀式涂層機等等。注意，在形成氧化物半導(dǎo)體層之后沒有執(zhí)行熱處理的情況下，作為有機絕緣層的 材料的成分的熱處理也可用于加熱氧化物半導(dǎo)體層5425。注意，絕緣層5432可形成厚度為200nm至5 μ m、優(yōu)選地為300nm至1 μ m。隨后，第三導(dǎo)電層在整個表面之上形成。然后，使用通過采用第五光掩模的光刻過程所形成的抗蝕劑掩模有選擇地蝕刻第三導(dǎo)電層，從而形成導(dǎo)電層5433和導(dǎo)電層5434。到 目前為止的步驟的截面圖對應(yīng)于圖37C。導(dǎo)電層5433和5434的每個可用作布線、像素電極、 反射電極、透光電極或者電容器的電極。具體來說，由于導(dǎo)電層5434連接到導(dǎo)電層5422， 所以導(dǎo)電層5434可用作電容器5442的電極。注意，這個實施例并不局限于此，而是導(dǎo)電層 5433和5434可具有將使用第一導(dǎo)電層所形成的導(dǎo)電層與使用第二導(dǎo)電層所形成的導(dǎo)電層 相互連接的功能。例如，通過將導(dǎo)電層5433和5434相互連接，導(dǎo)電層5422和導(dǎo)電層5430 可通過第三導(dǎo)電層(導(dǎo)電層5433和5434)相互連接。由于電容器5442具有其中導(dǎo)電層5431夾于導(dǎo)電層5422與5434之間的結(jié)構(gòu)，所 以電容器5 442的電容值可增加。注意，這個實施例并不局限于此，而是可消除導(dǎo)電層5422 和5434其中之一。注意，在通過濕式蝕刻去除抗蝕劑掩模之后，有可能在空氣氣氛或者氮氣氛中以 200°C至600°C來執(zhí)行熱處理。通過上述步驟，可制造晶體管5441和電容器5442。注意，如圖37D所示，絕緣層5435可在氧化物半導(dǎo)體層5425之上形成。絕緣層 5435具有防止氧化物半導(dǎo)體層5425在對第二導(dǎo)電層圖案化時被蝕刻，并且用作溝道阻擋 膜。相應(yīng)地，氧化物半導(dǎo)體層5425的厚度可減小，使得可實現(xiàn)晶體管的驅(qū)動電壓的減小、截 止狀態(tài)電流的減小、漏極電流的通/斷比的增加、亞閾值擺幅(S值)的改進等。絕緣層5435 可按照如下方式來形成氧化物半導(dǎo)體層和絕緣層在整個表面之上連續(xù)地形成，然后，使用 通過采用光掩模的光刻過程所形成的抗蝕劑掩模有選擇地對絕緣層圖案化。此后，第二導(dǎo) 電層在整個表面之上形成，并且在與第二導(dǎo)電層同時對氧化物半導(dǎo)體層圖案化。也就是說， 可使用相同的掩模(中間掩模)對氧化物半導(dǎo)體層和第二導(dǎo)電層圖案化。在那種情況下， 氧化物半導(dǎo)體層始終放置在第二導(dǎo)電層之下。這樣，可形成絕緣層5435，而無需步驟數(shù)量的 增加。氧化物半導(dǎo)體層往往在這種制造過程中在第二導(dǎo)電層之下形成。但是，這個實施例 并不局限于此。絕緣層5435可按照如下方式來形成在對氧化物半導(dǎo)體層圖案化之后，絕 緣層在整個表面之上形成并且圖案化。在圖37D，電容器5442具有一種結(jié)構(gòu)，其中絕緣層5423和氧化物半導(dǎo)體層5436夾 于導(dǎo)電層5422與5431之間。注意，可消除氧化物半導(dǎo)體層5436。此外，通過經(jīng)由對第三導(dǎo) 電層圖案化而形成的導(dǎo)電層5437來連接導(dǎo)電層5430和5431。例如，這種結(jié)構(gòu)可用于液晶 顯示裝置的像素。例如，晶體管5441可用于開關(guān)晶體管，并且電容器5442可用作存儲電容 器。此外，導(dǎo)電層5421、5422、5429和5437可分別用作柵極線、電容器線、源極線和像素電 極。但是，這個實施例并不局限于此。另外，如圖37D中那樣，在圖37C中，導(dǎo)電層5430和 導(dǎo)電層5431可通過第三導(dǎo)電層連接。注意，如圖37E所示，氧化物半導(dǎo)體層5425可在對第二導(dǎo)電層圖案化之后形成。相 應(yīng)地，在對第二導(dǎo)電層圖案化時，氧化物半導(dǎo)體層5425尚未形成，使得沒有蝕刻氧化物半 導(dǎo)體層5425。相應(yīng)地，氧化物半導(dǎo)體層5425的厚度可減小，使得可實現(xiàn)晶體管的驅(qū)動電壓 的減小、截止狀態(tài)電流的減小、漏極電流的通/斷比的增力卩、亞閾值擺幅(S值)的改進等。 注意，氧化物半導(dǎo)體層5425可按照如下方式來形成在對第二導(dǎo)電層圖案化之后，氧化物 半導(dǎo)體層5425在整個表面之上形成并且使用通過采用光掩模的光刻過程所形成的抗蝕劑 掩模有選擇地圖案化。
在圖37E，電容器5442具有一種結(jié)構(gòu)，其中絕緣層5423和5432夾于導(dǎo)電層5422 與通過對第三導(dǎo)電層圖案化而形成的導(dǎo)電層5439之間。此外，通過經(jīng)由對第三導(dǎo)電層圖案 化而形成的導(dǎo)電層5438來連接導(dǎo)電層5422和5430。此外，導(dǎo)電層5439連接到通過對第二 導(dǎo)電層圖案化而形成的導(dǎo)電層5440。另外，如圖37E中那樣，在圖37C和圖37D中，導(dǎo)電層 5430和5422可通過導(dǎo)電層5438連接。注意，可通過使氧化物半導(dǎo)體層(或溝道層)的厚度小于或等于晶體管截止的情 況下所形成的耗盡層的厚度，來獲得完全耗盡狀態(tài)。相應(yīng)地，截止狀態(tài)電路可減小。為了實 現(xiàn)這個方面，氧化物半導(dǎo)體層5425的厚度優(yōu)選地小于或等于20nm。更優(yōu)選的是，氧化物半 導(dǎo)體層5425的厚度小于或等于lOnm。進一步優(yōu)選的是，氧化物半導(dǎo)體層5425的厚度小于 或等于torn。注意，為了實現(xiàn)晶體管的操作電壓的減小、截止狀態(tài)電流的減小、漏極電流的通/ 斷比的增加、S值的改進等，氧化物半導(dǎo)體層的厚度優(yōu)選地是晶體管中包含的那些層的厚度 之中最小的。例如，氧化物半導(dǎo)體層的厚度優(yōu)選地比絕緣層5423要小。更優(yōu)選的是，氧化 物半導(dǎo)體層的厚度小于或等于絕緣層5423的厚度的1/2。進一步優(yōu)選的是，氧化物半導(dǎo)體 層的厚度小于或等于絕緣層5423的厚度的1/5。進一步優(yōu)選的是，氧化物半導(dǎo)體層的厚度 小于或等于絕緣層5423的厚度的1/10。注意，這個實施例并不局限于此，氧化物半導(dǎo)體層 的厚度而是可比絕緣層5423要大，以便提高可靠性。由于氧化物半導(dǎo)體層的厚 度特別是在 如圖37C中那樣蝕刻氧化物半導(dǎo)體層的情況下優(yōu)選地更大，所以有可能使氧化物半導(dǎo)體層 的厚度比絕緣層5423要大。注意，絕緣層5423的厚度優(yōu)選地比第一導(dǎo)電層要大，以便增加晶體管的耐受電 壓。更優(yōu)選的是，氧化物半導(dǎo)體層5423的厚度大于或等于絕緣層5423的厚度的5/4。更優(yōu) 選的是，氧化物半導(dǎo)體層5423的厚度大于或等于絕緣層5423的厚度的4/3。注意，這個實 施例并不局限于此，絕緣層5423的厚度而是可比第一導(dǎo)電層要小，以便增加晶體管的遷移率。注意，對于這個實施例中的襯底、絕緣層、導(dǎo)電層和半導(dǎo)體層，可使用其它實施例 中所述的材料或者與本說明書中所述材料相似的材料。當這個實施例中的晶體管用于實施例1至8的半導(dǎo)體裝置、移位寄存器或顯示裝 置的任一個時，顯示部分的大小可增加。備選地，顯示部分可具有更高的清晰度。(實施例11)在這個實施例中，將描述移位寄存器的布局圖(下文中又稱作頂視圖)。在這個 實施例中，作為一個示例，將描述實施例4中所述的移位寄存器的布局圖。注意，除了實施 例4中的移位寄存器之外，這個實施例中所述的內(nèi)容還可適用于實施例1至7中的半導(dǎo)體 裝置、移位寄存器或顯示裝置的任一個。注意，這個實施例中的布局圖是一個示例，而不是 限制這個實施例。參照圖38來描述這個實施例中的布局圖。圖38示出圖5A的布局圖的一個示例。 注意，圖38的右部的陰影圖案是賦予各陰影圖案的參考標號的組成元件的陰影圖案。圖38中所示的晶體管、布線等包括導(dǎo)電層701、半導(dǎo)體層702、導(dǎo)電層703、導(dǎo)電層 704和接觸孔705。注意這個實施例并不局限于此。額外可形成不同的導(dǎo)電層、絕緣膜或接 觸孔。例如，額外可提供將導(dǎo)電層701連接到導(dǎo)電層703的接觸孔。
導(dǎo)電層701可包括用作柵電極或布線的部分。半導(dǎo)體層702可包括用作晶體管的 半導(dǎo)體層的部分。導(dǎo)電層703可包括用作布線或者源電極或漏電極的部分。導(dǎo)電層704可 包括用作具有透光性質(zhì)的電極、像素電極或布線的部分。接觸孔705具有連接導(dǎo)電層701 和導(dǎo)電層704的功能或者連接導(dǎo)電層703和導(dǎo)電層704的功能。在這個實施例中，在晶體管101_1、晶體管101_2、晶體管201_1和晶體管202_2的 任一個中，其中用作第二端子的導(dǎo)電層703的部分和導(dǎo)電層701重疊的面積優(yōu)選地小于其 中用作第一端子的導(dǎo)電層703的部分和導(dǎo)電層701重疊的面積。這樣，由于可抑制第二端 子上的電場的集中，所以可抑制晶體管的降級或者晶體管的擊穿。但是，這個實施例并不局 限于這個示例。其中用作第二端子的導(dǎo)電層703的部分和導(dǎo)電層701重疊的面積可大于其 中用作第一端子的導(dǎo)電層703的部分和導(dǎo)電層701重疊的面積。注意，半導(dǎo)體層702可設(shè)置在導(dǎo)電層701和導(dǎo)電層703相互重疊的部分中。相應(yīng) 地，導(dǎo)電層701和導(dǎo)電層703之間的寄生電容可減小，由此可實現(xiàn)噪聲的降低。由于類似的 原因，半導(dǎo)體層702可設(shè)置在導(dǎo)電層703和導(dǎo)電層704相互重疊的部分中。注意，導(dǎo)電層704可在導(dǎo)電層701的一部分之上形成，并且可通過接觸孔705連接 到導(dǎo)電層701。相應(yīng)地，布線電阻可減小。備選地，導(dǎo)電層703和704可在導(dǎo)電層701的一 部分之上形成，使得導(dǎo)電層701可通過接觸孔705連接到導(dǎo)電層704，而導(dǎo)電層703可通過 不 同的接觸孔705連接到導(dǎo)電層704。相應(yīng)地，布線電阻可減小。注意，導(dǎo)電層704可在導(dǎo)電層703的一部分之上形成，使得導(dǎo)電層703可通過接觸 孔705連接到導(dǎo)電層704。相應(yīng)地，布線電阻可減小。注意，導(dǎo)電層701或?qū)щ妼?03可在導(dǎo)電層704的一部分之下形成，使得導(dǎo)電層 704可通過接觸孔705連接到導(dǎo)電層701或?qū)щ妼?03。相應(yīng)地，布線電阻可減小。注意，如以上所述，晶體管101_1的柵極與第二端子之間的寄生電容可高于晶體 管101_1的柵極與第一端子之間的寄生電容。如圖38所示，可用作晶體管101_1的第一端 子的導(dǎo)電層703的寬度稱作寬度731，而可用作晶體管101_1的第二端子的導(dǎo)電層703的寬 度稱作寬度732。寬度731可大于寬度732。這樣，晶體管101_1的柵極與第二端子之間的 寄生電容可高于晶體管101_2的柵極與第一端子之間的寄生電容。但是，這個實施例并不 局限于此。注意，如以上所述，晶體管101_2的柵極與第二端子之間的寄生電容可高于晶體 管101_2的柵極與第一端子之間的寄生電容。如圖38所示，可用作晶體管101_1的第一端 子的導(dǎo)電層703的寬度稱作寬度741，而可用作晶體管101_2的第二端子的導(dǎo)電層703的寬 度稱作寬度742。寬度741可大于寬度742。相應(yīng)地，晶體管101_2的柵極與第二端子之間 的寄生電容可高于晶體管101_2的柵極與第一端子之間的寄生電容。但是，這個實施例并 不局限于此。(實施例12)在這個實施例中，將描述電子裝置的示例。圖39A至圖39H和圖40A至圖40D示出電子裝置。這些電子裝置可包括殼體5000、 顯示部分5001、揚聲器5003、LED燈5004、操作按鍵5005 (包括控制顯示裝置的操作的電源 開關(guān)或操作開關(guān))、連接端子5006、傳感器5007 (具有測量力、位移、位置、速度、加速度、角 速度、旋轉(zhuǎn)頻率、距離、光、液體、磁、溫度、化學(xué)物質(zhì)、聲音、時間、硬度、電場、電流、電壓、電力、輻射、流率、濕度、梯度、振蕩、氣味或紅外線的功能)、話筒5008等等。圖39A示出移動計算機，它除了上述對象之外還可包括開關(guān)5009、紅外端口 5010 等等。圖39B示出提供有存儲介質(zhì)(例如DVD讀取裝置)的便攜圖像再現(xiàn)裝置，它除了上 述對象之外還可包括第二顯示部分5002、存儲介質(zhì)讀取部分5011等等。圖39C示出眼鏡式 顯示器，它除了上述對象之外還可包括第二顯示部分5002、支承部分5012、耳機5013等等。 圖39D示出便攜游戲機，它除了上述對象之外還可包括存儲介質(zhì)讀取部分5011等等。圖 39E示出投影儀，它除了上述對象之外還可包括光源5033、投影透鏡5034等等。圖39F示出 便攜游戲機，它除了上述對象之外還可包括第二顯示部分5002、存儲介質(zhì)讀取部分5011等 等。圖39G示出電視接收器，它除了上述對象之外還可包括調(diào)諧器、圖像處理部分等等。圖 39H示出便攜電視接收器，它除了上述對象之外還可包括能夠傳送和接收信號的加載裝置 (charger) 5017等等。圖40A示出顯示器，它除了上述對象之外還可包括支承底座5018等 等。圖40B示出相機，它除了上述對象之外還可包括外部連接端口 5019、快門按鈕5015、圖 像接收部分5016等等。圖40C示出計算機，它除了上述對象之外還可包括指針裝置5020、 外部連接端口 5019、讀卡器/寫入器5021等等。圖40D示出移動電話，它除了上述對象之 外還可包括天線5014、移動電話和移動終端的一段(Iseg數(shù)字電視廣播)部分接收服務(wù)的 調(diào)諧器等等。圖39A至圖39H和圖40A至40D所示的電子裝置可具有各種功能，例如在顯示部 分顯示各種信息(例如靜止圖像、運動圖像和文本圖像)的功能；觸摸屏功能；顯示日歷、 日期、時間等的功能；采用多個軟件(程序)來控制處理的功能；無線通信功能；連接到具 有無線通信功能的各種計算機網(wǎng)絡(luò)的功能；采用無線通信功能來傳送和接收許多數(shù)據(jù)的功 能；讀取存儲介質(zhì)中存儲的程序或數(shù)據(jù)并且在顯示部分顯示程序或數(shù)據(jù)的功能。此外，包括 多個顯示部分的電子裝置可具有主要在一個顯示部分顯示圖像信息而同時在另一個顯示 部分顯示文本信息的功能、顯示三維圖像的功能(通過在考慮視差的情況下顯示圖像在多 個顯示部分上)等等。此外，包括圖像接收部分的電子裝置可具有拍攝靜止圖像的功能、拍 攝運動圖像的功能、自動或手動校正拍攝圖像的功能、將拍攝圖像存儲在存儲介質(zhì)(外部 存儲介質(zhì)或者相機中結(jié)合的存儲介質(zhì))中的功能、在顯示部分顯示拍攝圖像的功能等等。 注意，可為圖39A至39H和圖40A至40D所示的電子裝置提供的功能并不局限于以上所述， 電子裝置而是可具有各種功能。這個實施例中所述的電子裝置各包括用于顯示某種信息的顯示部分。通過組合這 個實施例的電子裝置以及實施例1至9的半導(dǎo)體裝置、移位寄存器或顯示裝置，可實現(xiàn)可靠 性提高、產(chǎn)率的提高、成本的降低、顯示部分大小的增加、顯示部分清晰度的增加等等。接下來將描述半導(dǎo)體裝置的應(yīng)用。圖40E示出其中半導(dǎo)體裝置結(jié)合在建筑物結(jié)構(gòu)中的一個示例。圖40E示出殼體 5022、顯示部分5023、作為操作部分的遙控器5024、揚聲器5025等等。半導(dǎo)體裝置作為壁 掛式結(jié)合在建筑物結(jié)構(gòu)中，并且可被提供而無需大空間。圖40F示出其中半導(dǎo)體裝置結(jié)合在建筑物結(jié)構(gòu)中的另一個示例。顯示面板5026 結(jié)合在預(yù)制浴室間5027中，使得洗浴者可觀看顯示面板5026。注意，雖然這個實施例描述墻壁預(yù)制浴室間(作為建筑物結(jié)構(gòu)的示例而給出)，但 這個實施例并不局限于此。半導(dǎo)體裝置可設(shè)置在各種建筑物結(jié)構(gòu)中。
接下來描述其中半導(dǎo)體裝置結(jié)合在運動物體中的示例。圖40G示出其中半導(dǎo)體裝置結(jié)合在汽車中的一個示例。顯示面板5028結(jié)合在汽 車的車體5029中，并且可按需求顯示與汽車的運行相關(guān)的信息或者從汽車內(nèi)部或外部輸 入的信息。注意，顯示面板5028可具有導(dǎo)航功能。圖40H示出其中半導(dǎo)體裝置結(jié)合在客機中的一個示例。圖40H示出為客機座位上 方的天花板5030提供顯示面板5031時的使用模式。顯示面板5031通過鉸鏈部分5032結(jié) 合在天花板5030中 ，并且乘客可通過拉直鉸鏈部分5032來觀看顯示面板5031。顯示面板 5031具有通過乘客的操作來顯示信息的功能。注意，雖然在這個實施例中作為運動物體的示例示出汽車和飛機的主體，但這個 實施例并不局限于此。可為例如兩輪車輛、四輪車輛(包括汽車、公共汽車等等)、火車(包 括單軌、鐵路等等)和船只等的各種對象提供半導(dǎo)體裝置。本申請基于2009年3月26日向日本專利局提交的日本專利申請序號 2009-077200，通過引用將它們的完整內(nèi)容結(jié)合于此。
權(quán)利要求
一種液晶顯示裝置，包括驅(qū)動器電路，對其中輸入第一輸入信號、第二輸入信號和第三輸入信號，并且根據(jù)所述驅(qū)動器電路將輸出信號輸出；以及像素，其中包含液晶元件并且施加到所述液晶元件的電壓按照所述輸出信號來設(shè)置，其中，所述驅(qū)動器電路包括配置成按照所述第三輸入信號來接通和切斷的第一開關(guān)和第二開關(guān)；第三開關(guān)，其通過按照所述第一輸入信號接通和切斷所述第三開關(guān)，來控制是否設(shè)置所述輸出信號的電位狀態(tài)，其中所述第一輸入信號的輸入通過按照所述第三輸入信號接通和切斷所述第一開關(guān)來控制；以及第四開關(guān)，其通過按照所述第二輸入信號接通和切斷所述第四開關(guān)，來控制是否設(shè)置所述輸出信號的電位狀態(tài)，其中所述第二輸入信號的輸入通過按照所述第三輸入信號接通和切斷所述第二開關(guān)來控制。
2.一種電子裝置，其至少包括權(quán)利要求1中所公開的液晶顯示裝置和配置成控制所述 液晶顯示裝置的操作的操作開關(guān)。
3.一種液晶顯示裝置，包括驅(qū)動器電路，對其中輸入第一輸入信號、第二輸入信號和第三輸入信號，并且將輸出信 號從其中輸出；以及像素，其中包含液晶元件并且施加到所述液晶元件的電壓按照所述輸出信號來設(shè)置， 其中，所述驅(qū)動器電路包括第一晶體管，具有柵極、源極和漏極；第二晶體管，具有柵 極、源極和漏極；第三晶體管，具有柵極、源極和漏極；以及第四晶體管，具有柵極、源極和 漏極，其中將所述第三輸入信號輸入到所述第一晶體管的柵極，并且將所述第一輸入信號輸 入到所述第一晶體管的源極和漏極其中之一；其中，將所述第三輸入信號輸入到所述第二晶體管的柵極，并且將所述第二輸入信號 輸入到所述第二晶體管的源極和漏極其中之一；其中，所述第三晶體管的柵極電連接到所述第一晶體管的源極和漏極中的另一個； 其中，所述第四晶體管的柵極電連接到所述第二晶體管的源極和漏極中的另一個；以及其中，所述輸出信號的電位狀態(tài)通過所述第三晶體管和所述第四晶體管的導(dǎo)通和截止 來控制。
4.如權(quán)利要求3所述的液晶顯示裝置，其中，所述第三晶體管的溝道寬度等于所述第 四晶體管的溝道寬度。
5.如權(quán)利要求3所述的液晶顯示裝置，其中，所述第一晶體管的溝道寬度小于所述第三晶體管的溝道寬度，以及 所述第二晶體管的溝道寬度小于所述第四晶體管的溝道寬度。
6.如權(quán)利要求3所述的液晶顯示裝置，其中，所述第一晶體管的溝道寬度等于所述第 二晶體管的溝道寬度。
7.一種電子裝置，其至少包括權(quán)利要求3中所公開的液晶顯示裝置和配置成控制所述 液晶顯示裝置的操作的操作開關(guān)。
8.一種液晶顯示裝置，包括驅(qū)動器電路，對其中輸入第一輸入信號、第二輸入信號、第三輸入信號和第四輸入信 號，并且將輸出信號從其中輸出；以及像素，其中包含液晶元件并且施加到所述液晶元件的電壓按照所述輸出信號來設(shè)置，其中，所述驅(qū)動器電路包括將所述第一輸入信號輸入到其中的第一布線；將所述第二輸入信號輸入到其中的第二布線；將所述第三輸入信號輸入到其中的第三布線；將所述第四輸入信號輸入到其中的第四布線；具有柵極、源極和漏極的第一晶體管；具有柵極、源極和漏極的第二晶體管；具有柵極、源極和漏極的第三晶體管；具有柵極、源極和漏極的第四晶體管；以及第五布線；其中所述第一晶體管的柵極電連接到所述第三布線，并且所述第一晶體管的源極和漏 極其中之一電連接到所述第一布線；所述第二晶體管的柵極電連接到所述第三布線，并且所述第二晶體管的源極和漏極其 中之一電連接到所述第二布線；所述第三晶體管的柵極電連接到所述第一晶體管的源極和漏極中的另一個，并且所述 第三晶體管的源極和漏極其中之一電連接到所述第四布線；所述第四晶體管的柵極電連接到所述第二晶體管的源極和漏極中的另一個，并且所述 第四晶體管的源極和漏極其中之一電連接到所述第四布線；以及所述第五布線電連接到所述第三晶體管的源極和漏極中的另一個和所述第四晶體管 的源極和漏極中的另一個，并且施加到所述第五布線的電位等于所述輸出信號的電位。
9.如權(quán)利要求8所述的液晶顯示裝置，其中，所述第三晶體管的溝道寬度等于所述第 四晶體管的溝道寬度。
10.如權(quán)利要求8所述的液晶顯示裝置，其中，所述第一晶體管的溝道寬度小于所述第三晶體管的溝道寬度，以及 所述第二晶體管的溝道寬度小于所述第四晶體管的溝道寬度。
11.如權(quán)利要求8所述的液晶顯示裝置，其中，所述第一晶體管的溝道寬度等于所述第 二晶體管的溝道寬度。
12.一種電子裝置，其至少包括權(quán)利要求8中所公開的液晶顯示裝置和配置成控制所 述液晶顯示裝置的操作的操作開關(guān)。
13.一種液晶顯示裝置，包括驅(qū)動器電路，對其中輸入第一輸入信號、第二輸入信號、第三輸入信號和第四輸入信 號，并且將輸出信號從其中輸出；以及像素，其中包含液晶元件并且施加到所述液晶元件的電壓按照所述輸出信號來設(shè)置， 其中，所述驅(qū)動器電路包括 將所述第一輸入信號輸入到其中的第一布線；將所述第二輸入信號輸入到其中的第二布線； 將所述第三輸入信號輸入到其中的第三布線； 將所述第四輸入信號輸入到其中的第四布線； 具有柵極、源極和漏極的第一晶體管； 具有柵極、源極和漏極的第二晶體管； 具有柵極、源極和漏極的第三晶體管； 具有柵極、源極和漏極的第四晶體管；以及 第五布線；其中所述第一晶體管的源極和漏極其中之一以及柵極電連接到所述第一布線； 其中所述第二晶體管的源極和漏極其中之一以及柵極電連接到所述第二布線； 其中所述第三晶體管的柵極電連接到所述第一晶體管的源極和漏極中的另一個，并且 所述第三晶體管的源極和漏極其中之一電連接到所述第三布線；其中所述第四晶體管的柵極電連接到所述第二晶體管的源極和漏極中的另一個，并且 所述第四晶體管的源極和漏極其中之一電連接到所述第四布線；以及其中，所述第五布線電連接到所述第三晶體管的源極和漏極中的另一個和所述第四 晶體管的源極和漏極中的另一個，并且施加到所述第五布線的電位等于所述輸出信號的電 位。
14.如權(quán)利要求13所述的液晶顯示裝置，其中，所述第三晶體管的溝道寬度等于所述 第四晶體管的溝道寬度。
15.如權(quán)利要求13所述的液晶顯示裝置，其中，所述第一晶體管的溝道寬度小于所述第三晶體管的溝道寬度，以及 其中所述第二晶體管的溝道寬度小于所述第四晶體管的溝道寬度。
16.如權(quán)利要求13所述的液晶顯示裝置，其中，所述第一晶體管的溝道寬度等于所述 第二晶體管的溝道寬度。
17.一種電子裝置，其至少包括權(quán)利要求13中所公開的液晶顯示裝置和配置成控制所 述液晶顯示裝置的操作的操作開關(guān)。
18.一種液晶顯示裝置，包括驅(qū)動器電路，對其中輸入第一輸入信號和第二輸入信號，并且將輸出信號從其中輸出；以及像素，其中包含液晶元件并且施加到所述液晶元件的電壓按照所述輸出信號來設(shè)置， 其中，所述驅(qū)動器電路包括 將所述第一輸入信號輸入到其中的第一布線； 將所述第二輸入信號輸入到其中的第二布線； 具有柵極、源極和漏極的第一晶體管； 具有柵極、源極和漏極的第二晶體管； 具有柵極、源極和漏極的第三晶體管； 具有柵極、源極和漏極的第四晶體管；以及 第三布線，其中所述第一晶體管的源極和漏極其中之一以及柵極電連接到所述第一布線；其中所述第二晶體管的源極和漏極其中之一以及柵極電連接到所述第二布線； 其中所述第三晶體管的源極和漏極其中之一以及柵極電連接到所述第一晶體管的源 極和漏極中的另一個；其中所述第四晶體管的源極和漏極其中之一以及柵極電連接到所述第二晶體管的源 極和漏極中的另一個；以及其中所述第三布線電連接到所述第三晶體管的源極和漏極中的另一個和所述第四晶 體管的源極和漏極中的另一個，并且施加到所述第三布線的電位等于所述輸出信號的電 位。
19.如權(quán)利要求18所述的液晶顯示裝置，其中，所述第三晶體管的溝道寬度等于所述 第四晶體管的溝道寬度。
20.如權(quán)利要求18所述的液晶顯示裝置，其中，所述第一晶體管的溝道寬度小于所述第三晶體管的溝道寬度，以及 所述第二晶體管的溝道寬度小于所述第四晶體管的溝道寬度。
21.如權(quán)利要求18所述的液晶顯示裝置，其中，所述第一晶體管的溝道寬度等于所述 第二晶體管的溝道寬度。
22.一種電子裝置，其至少包括權(quán)利要求18中所公開的液晶顯示裝置和配置成控制所 述液晶顯示裝置的操作的操作開關(guān)。
23.一種液晶顯示裝置，包括驅(qū)動器電路，對其中輸入第一輸入信號和第二輸入信號，并且將輸出信號從其中輸出；以及像素，其中包含液晶元件并且施加到所述液晶元件的電壓按照所述輸出信號來設(shè)置， 其中，所述驅(qū)動器電路包括 將所述第一輸入信號輸入到其中的第一布線； 將所述第二輸入信號輸入到其中的第二布線； 具有柵極、源極和漏極的第一晶體管； 具有柵極、源極和漏極的第二晶體管； 具有陽極和陰極的第一二極管； 具有陽極和陰極的第二二極管；以及 第三布線，其中所述第一晶體管的源極和漏極其中之一以及柵極電連接到所述第一布線； 其中所述第二晶體管的源極和漏極其中之一以及柵極電連接到所述第二布線； 其中所述第一二極管的陽極電連接到所述第一晶體管的源極和漏極中的另一個； 其中所述第二二極管的陽極電連接到所述第二晶體管的源極和漏極中的另一個；以及 其中所述第三布線電連接到所述第一二極管的陰極和所述第二二極管的陰極，并且施 加到所述第三布線的電位等于所述輸出信號的電位。
24.如權(quán)利要求23所述的液晶顯示裝置，其中，所述第一晶體管的溝道寬度等于所述 第二晶體管的溝道寬度。
25.一種電子裝置，其至少包括權(quán)利要求23中所公開的液晶顯示裝置和配置成控制所 述液晶顯示裝置的操作的操作開關(guān)。
全文摘要
目的是抑制驅(qū)動器電路中的晶體管特性的降級。其中包含用于通過按照第一輸入信號而被接通和切斷來控制是否設(shè)置輸出信號的電位狀態(tài)的第一開關(guān)、以及用于通過按照第二輸入信號而被接通和切斷來控制是否設(shè)置輸出信號的電位狀態(tài)的第二開關(guān)。通過接通和切斷第一開關(guān)或第二開關(guān)，使第一布線和第二布線進入電連續(xù)性。
文檔編號G09G3/36GK101847388SQ20101015956
公開日2010年9月29日 申請日期2010年3月26日 優(yōu)先權(quán)日2009年3月26日
發(fā)明者木村肇, 梅崎敦司 申請人:株式會社半導(dǎo)體能源研究所