專利名稱：像素選擇控制方法、驅(qū)動(dòng)電路、顯示裝置以及電子設(shè)備的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
一般地說，本發(fā)明涉及像素選擇控制方法、驅(qū)動(dòng)電路、顯示裝置以及電子食品。更 具體地說，本發(fā)明涉及采用每一個(gè)都包括電光器件和二維地布置以形成矩陣的像素的平板 顯示裝置，涉及驅(qū)動(dòng)顯示裝置的方法和涉及每一個(gè)含有顯示裝置的電子裝置。
背景技術(shù)：
現(xiàn)有顯示裝置采用每一個(gè)都包括電光器件和二維地布置以形成矩陣的像素。顯示 裝置含有通過激活與沿著像素矩陣的像素行布置的像素連接的掃描線，選擇沿著像素行布 置的像素的行掃描部分。也就是說，行掃描部分以行為單位選擇像素。通常，行掃描部分采 用移位寄存器或解碼器和也稱為電平移位電路的電平轉(zhuǎn)換電路。電平移位電路是將移位寄 存器或解碼器輸出的掃描信號(hào)的幅度改變成驅(qū)動(dòng)電光器件所需的幅度的電路。電平移位電 路是為矩陣的每個(gè)像素行或每條掃描線提供的。然而，對(duì)于如上所述為每條掃描線提供的電平移位電路，一個(gè)電平移位電路生成 的掃描信號(hào)的定時(shí)不同于另一個(gè)電平移位電路生成的掃描信號(hào)的定時(shí)。這種不同電平移位 電路生成的掃描信號(hào)之間的定時(shí)差異是由采用在不同電平移位電路中的相同電路器件的 特性變化造成的。這種不同電平移位電路生成的掃描信號(hào)之間的定時(shí)差異對(duì)顯示裝置顯示 的圖像造成多種不良影響。為了解決如上所述現(xiàn)有顯示裝置產(chǎn)生的問題，將規(guī)定每個(gè)掃描信號(hào)的上升和下降 定時(shí)的公用使能信號(hào)提供給掃描信號(hào)。在這樣的配置中，讓使能信號(hào)和掃描信號(hào)經(jīng)受邏輯 處理，以便消除不同電平移位電路生成的掃描信號(hào)之間的定時(shí)變化。有關(guān)細(xì)節(jié)，建議讀者參 考像已
公開日本專利第2008-286963號(hào)那樣的文獻(xiàn)。圖30是示出采用在現(xiàn)有顯示裝置中的行掃描部分300的典型配置的方塊圖。如 圖30所示，采用在現(xiàn)有顯示裝置中的行掃描部分300含有電平移位電路301，302和303、移 位寄存器部分304、第一邏輯電路部分305、電平移位電路部分306、第二邏輯電路部分307 和緩沖器部分308。為了使圖30簡(jiǎn)單些，行掃描部分300的典型配置被顯示成包括為從第 一像素行開始的四個(gè)像素行提供的部分。在顯示在圖30中的典型配置中，移位信號(hào)依次從移位寄存器部分304的單元電路 輸出。在如下描述中，每個(gè)移位信號(hào)也被稱為參考信號(hào)。每個(gè)單元電路也被稱為S/R(移位 寄存器)或傳送寄存器。移位寄存器部分304通過第一邏輯電路部分305和電平移位電路 部分306將移位信號(hào)供應(yīng)給第二邏輯電路部分307。電平移位電路部分306將每個(gè)移位信號(hào) 的幅度改變成驅(qū)動(dòng)未顯示在圖30中的電光器件所需的幅度。電平移位電路部分306將具有 驅(qū)動(dòng)電光器件所需的幅度的每個(gè)信號(hào)供應(yīng)給采用在第二邏輯電路部分307中的AND(“與”) 門307-1到307-4每一個(gè)的特定輸入節(jié)點(diǎn)。AND門307-1到307_4每一個(gè)的其它輸入節(jié)點(diǎn)與公用傳輸線SP連接，公用傳輸線 SP被配備成用作所有像素行的公用線。公用傳輸線SP用于供應(yīng)其電平被電平移位電路303 改變了的垂直使能信號(hào)VEN。AND門307-1到307-4每一個(gè)都生成代表移位信號(hào)和垂直使能信號(hào)VEN的邏輯積的掃描信號(hào)。也就是說，第二邏輯電路部分307依次生成具有由垂直 使能信號(hào)VEN決定的上升和下降定時(shí)的掃描信號(hào)。第二邏輯電路部分307通過緩沖器部分 308將掃描信號(hào)供應(yīng)給它們各自像素行的它們各自行掃描線。應(yīng)該注意到，在圖30中未示 出行掃描線。

發(fā)明內(nèi)容
在具有上述配置的行掃描部分300中，供應(yīng)給電平移位電路303的原始垂直使能 信號(hào)VEN是在作為水平掃描時(shí)段的IH內(nèi)上升和下降一次的脈沖信號(hào)。也就是說，垂直使能 信號(hào)VEN在IH中隨著上升和下降定時(shí)上升和下降一次。因此，電平移位電路303生成的垂 直使能信號(hào)VEN在IH內(nèi)對(duì)公用傳輸線SL充電和使公用傳輸線SL放電一次。包括在AND門307-1到307-4每一個(gè)的電容器Ctr與公用傳輸線SL連接。因此， 通過將掃描線的數(shù)量乘以晶體管的電容器Ctr的電容可以求出公用傳輸線SL承擔(dān)的總負(fù) 載的電容。晶體管的電容器Ctr是在晶體管的柵極與晶體管的溝道區(qū)之間形成的電容器。在每個(gè)I-H時(shí)段內(nèi)在充電/放電過程中消耗的功率通過表達(dá)式CV2Xf表示，其中 記號(hào)C表示經(jīng)歷充電/放電過程的電容器的電容，記號(hào)V表示充電/放電電壓，而記號(hào)f表 示充電/放電頻率。通過將電容C設(shè)置在與公用傳輸線SL連接的電容器Ctr的電容上，可 以求出公用傳輸線SL的功耗。垂直分辨率越高，即，掃描線的數(shù)量越大，公用傳輸線SL承 擔(dān)的總負(fù)載的電容就越大。因此，對(duì)于較高垂直分辨率，作為對(duì)公用傳輸線SL充電和使公 用傳輸線SL放電的操作的由垂直使能信號(hào)VEN引起的操作的功耗較大。這里將行掃描部分作為一個(gè)例子來描述。然而，應(yīng)該注意到，這些問題決不會(huì)局限 于行掃描部分引起的問題。也就是說，在所謂的逐點(diǎn)顯示裝置中，在配備成用作分別選擇屬 于行掃描部分選擇的像素行的每個(gè)像素的部分的列掃描部分中也引起該問題。逐點(diǎn)顯示裝 置是將信號(hào)分別寫入屬于行掃描部分選擇的像素行的每個(gè)像素中的裝置。為了解決上述問題，本發(fā)明的發(fā)明人新創(chuàng)了能夠降低掃描部分的功耗的顯示裝 置，該掃描部分具有規(guī)定掃描信號(hào)的上升和下降定時(shí)的使能信號(hào)被配備成用作所有掃描信 號(hào)公用的使能信號(hào)的配置。本發(fā)明的發(fā)明人還新創(chuàng)了驅(qū)動(dòng)顯示裝置的驅(qū)動(dòng)方法和每一個(gè)采 用顯示裝置的電子裝置。為了達(dá)到解決上述問題的本發(fā)明實(shí)施例的目的，這里描述幾種技術(shù)。一些實(shí)施例涉及控制像素選擇的方法。該方法包括接收與像素排相關(guān)聯(lián)的參考信 號(hào)和使能信號(hào)。參考信號(hào)具有第一邏輯電平或第二邏輯電平。只有當(dāng)參考信號(hào)具有第一邏 輯電平時(shí)才使用參考信號(hào)和使能信號(hào)進(jìn)行邏輯運(yùn)算。根據(jù)邏輯運(yùn)算的結(jié)果將掃描信號(hào)提供 給該像素排。一些實(shí)施例涉及控制像素選擇的驅(qū)動(dòng)電路。該驅(qū)動(dòng)電路包括配置成接收與像素排 相關(guān)聯(lián)的參考信號(hào)的邏輯電路。參考信號(hào)具有第一邏輯電平或第二邏輯電平。該驅(qū)動(dòng)電路 還包括配置成接收參考信號(hào)和使能信號(hào)，并當(dāng)參考信號(hào)處在第一邏輯電平時(shí)將使能信號(hào)提 供給所述邏輯電路的開關(guān)電路。一些實(shí)施例涉及包括多個(gè)像素的顯示裝置。每個(gè)像素包括發(fā)光元件。該顯示裝置 還包括驅(qū)動(dòng)電路，該驅(qū)動(dòng)電路包含配置成接收與像素排相關(guān)聯(lián)的參考信號(hào)的邏輯電路。參 考信號(hào)具有第一邏輯電平或第二邏輯電平。該驅(qū)動(dòng)電路還包括配置成接收參考信號(hào)和使能信號(hào)，并當(dāng)參考信號(hào)處在第一邏輯電平時(shí)將使能信號(hào)提供給所述邏輯電路的開關(guān)電路。一些實(shí)施例涉及包括顯示裝置的電子設(shè)備，該顯示裝置包括多個(gè)像素。每個(gè)像素 包括發(fā)光元件。該顯示裝置還包括驅(qū)動(dòng)電路，該驅(qū)動(dòng)電路包含配置成接收與像素排相關(guān)聯(lián) 的參考信號(hào)的邏輯電路。參考信號(hào)具有第一邏輯電平或第二邏輯電平。該驅(qū)動(dòng)電路還包括 配置成接收參考信號(hào)和使能信號(hào)，并當(dāng)參考信號(hào)處在第一邏輯電平時(shí)將使能信號(hào)提供給所 述邏輯電路的開關(guān)電路。在該顯示裝置中，正是在用于生成要供應(yīng)給它們各自邏輯電路的任何特定一個(gè)參 考信號(hào)的時(shí)間段內(nèi)，在為特定參考信號(hào)提供的邏輯電路上形成來作為接收使能信號(hào)的輸入 節(jié)點(diǎn)的輸入節(jié)點(diǎn)與公用傳輸線電連接。如上所述用作掃描信號(hào)的參考的參考信號(hào)是如后面詳細(xì)所述從中生成掃描信號(hào) 的參考信號(hào)。從上面的描述中可明顯看出，每個(gè)邏輯電路含有作為接收使能信號(hào)的輸入節(jié)點(diǎn)的 使能信號(hào)接收輸入節(jié)點(diǎn)。正是在用于生成要供應(yīng)給特定邏輯電路的任何特定參考信號(hào)的時(shí) 間段內(nèi)，特定邏輯電路的使能信號(hào)接收輸入節(jié)點(diǎn)與公用傳輸線電連接。因此，與邏輯電路接 收的參考信號(hào)同步地將使能信號(hào)供應(yīng)給邏輯電路。在用于生成特定參考信號(hào)的時(shí)間段內(nèi)， 接收特定參考信號(hào)的邏輯電路是含有與公用傳輸線電連接的使能信號(hào)接收輸入節(jié)點(diǎn)的邏 輯電路。因此，與每個(gè)邏輯電路的使能信號(hào)接收輸入節(jié)點(diǎn)與公用傳輸線電連接的配置相比， 公用傳輸線承擔(dān)的總負(fù)載的電容減小到幾分之一。更具體地說，公用傳輸線承擔(dān)的總負(fù)載 的電容是每個(gè)邏輯電路的使能信號(hào)接收輸入節(jié)點(diǎn)與公用傳輸線電連接的配置中公用傳輸 線承擔(dān)的總負(fù)載的電容的1/m倍，其中記號(hào)m表示掃描線的數(shù)量。公用傳輸線承擔(dān)的總負(fù) 載的電容包括組成與公用傳輸線電連接的每個(gè)邏輯電路的晶體管的電容。其結(jié)果是，可以 減小在對(duì)公用傳輸線充電和從公用傳輸線放電的過程中消耗的功率。也就是說，因此可以 降低掃描部分的功耗。依照本發(fā)明，在配置成提供規(guī)定掃描信號(hào)的上升和下降定時(shí)的使能信號(hào)用作所有 參考信號(hào)公用的使能信號(hào)的掃描部分中，可以減小發(fā)送使能信號(hào)的公用傳輸線承擔(dān)的總負(fù) 載的電容。因此，可以降低掃描部分的功耗。這個(gè)總結(jié)通過例示來展示，并無意限制本發(fā)明。應(yīng)該懂得，前面的構(gòu)思和下面更詳細(xì)討論的其它構(gòu)思的所有組合被設(shè)想為這里公 開的發(fā)明主題的一部分。尤其，出現(xiàn)在本公開中要求保護(hù)的主題的所有組合被設(shè)想為這里 公開的發(fā)明主題的一部分。


圖1是示出應(yīng)用了本發(fā)明實(shí)施例的有源矩陣有機(jī)EL(場(chǎng)致發(fā)光)顯示裝置的大致 配置的方塊圖；圖2是示出采用在按照本發(fā)明實(shí)施例的有機(jī)EL顯示裝置中的像素(或像素電路) 的配置的電路圖；圖3是示出像素電路的典型結(jié)構(gòu)的截面的截面圖；圖4是說明按照本發(fā)明實(shí)施例的有機(jī)EL顯示裝置進(jìn)行的基本電路操作時(shí)所參照 的時(shí)序/波形圖5A到5D是說明按照本發(fā)明實(shí)施例的有機(jī)EL顯示裝置進(jìn)行的基本電路操作時(shí) 所參照的多個(gè)第一電路圖；圖6A到6D是說明按照本發(fā)明實(shí)施例的有機(jī)EL顯示裝置進(jìn)行的基本電路操作時(shí) 所參照的多個(gè)第二電路圖；圖7是示出每一條都代表伏安特性的曲線作為用于說明閾電壓Vth隨晶體管而異 的曲線的特性圖，該伏安特性表達(dá)在器件驅(qū)動(dòng)晶體管的漏極與源極之間流動(dòng)的漏極-源極 電流Ids與施加在器件驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極與源極之間的柵極_源極電壓Vgs之間的關(guān)系；圖8是示出每一條都代表伏安特性的曲線作為用于說明遷移率μ隨晶體管而異 的曲線的特性圖，該伏安特性表達(dá)在器件驅(qū)動(dòng)晶體管的漏極與源極之間流動(dòng)的漏極-源極 電流Ids與施加在器件驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極與源極之間的柵極_源極電壓Vgs之間的關(guān)系；圖9A到9C是針對(duì)多種情況每一個(gè)示出視頻信號(hào)電壓Vsig與在器件驅(qū)動(dòng)晶體管 的漏極與源極之間流動(dòng)的漏極_源極電流Ids之間的關(guān)系的多個(gè)示圖；圖10是示出按照第一實(shí)施例的寫掃描電路的典型配置的方塊圖；圖11是示出每一個(gè)具有第一電壓系統(tǒng)I的幅度的垂直開始脈沖VST、具有第一電 壓系統(tǒng)I的幅度的垂直時(shí)鐘信號(hào)VCK、具有第一電壓系統(tǒng)I的幅度的垂直使能信號(hào)VEN、每 一個(gè)具有第二電壓系統(tǒng)II的幅度的移位信號(hào)SROUT(I)到SR OUT(4)和每一個(gè)具有第三電 壓系統(tǒng)III的幅度的寫掃描信號(hào)WS(I)到WS(4)的定時(shí)之間的關(guān)系的時(shí)序/波形圖；圖12是示出將幅度從第一電壓系統(tǒng)I的幅度改變成第二電壓系統(tǒng)II的幅度的第 一典型電平移位電路的電路圖；圖13是示出顯示在圖12的電路圖中的第一典型電平移位電路中輸入信號(hào)IN和 反相輸入信號(hào)xIN以及輸出信號(hào)OUT和反相輸出信號(hào)xOUT的波形的時(shí)序/波形圖；圖14是示出將幅度從第一電壓系統(tǒng)I的幅度改變成第二電壓系統(tǒng)II的幅度的第 二典型電平移位電路的電路圖；圖15是示出顯示在圖14的電路圖中的第二典型電平移位電路中輸入信號(hào)IN和 反相輸入信號(hào)xIN以及輸出信號(hào)OUT和反相輸出信號(hào)xOUT的波形的時(shí)序/波形圖；圖16是示出將參考信號(hào)的幅度從第二電壓系統(tǒng)II的幅度改變成第三電壓系統(tǒng) III的幅度的典型電平移位電路的電路圖；圖17是示出顯示在圖16的電路圖中的典型電平移位電路中輸入信號(hào)IN和反相 輸入信號(hào)xIN以及輸出信號(hào)OUT和反相輸出信號(hào)xOUT的波形的時(shí)序/波形圖；圖18是示出用作采用在第二邏輯部分中的2-輸入邏輯積電路的每個(gè)輸入AND門 的符號(hào)的示圖；圖19是示出也稱為2-輸入AND電路的2_輸入AND門的真值表的示圖；圖20是示出2-輸入AND門的典型具體配置的電路圖；圖21是示出晶體管的截面結(jié)構(gòu)的截面圖；圖22是示出按照第二實(shí)施例的寫掃描電路的典型配置的方塊圖；圖23是示出按照第三實(shí)施例的寫掃描電路的典型配置的方塊圖；圖24是示出像素的另一種配置的電路圖；圖25是示出應(yīng)用了本發(fā)明實(shí)施例的電視機(jī)的外觀的斜視圖的示圖；圖26A是示出從數(shù)字照相機(jī)前側(cè)的位置看過去數(shù)字照相機(jī)的外觀的斜視圖的示
9圖，而圖26B是示出從數(shù)字照相機(jī)后側(cè)的位置看過去數(shù)字照相機(jī)的外觀的斜視圖的示圖；圖27是示出應(yīng)用了本發(fā)明實(shí)施例的筆記本式個(gè)人計(jì)算機(jī)的外觀的斜視圖的示 圖；圖28是示出應(yīng)用了本發(fā)明實(shí)施例的攝像機(jī)的外觀的斜視圖的示圖；圖29A是示出在已經(jīng)打開的狀態(tài)下蜂窩式電話的前視圖的示圖，圖29B是示出在 已經(jīng)打開的狀態(tài)下蜂窩式電話的側(cè)面的示圖，圖29C是示出在已經(jīng)閉合的狀態(tài)下蜂窩式電 話的前視圖的示圖，圖29D是示出在已經(jīng)閉合的狀態(tài)下蜂窩式電話的左側(cè)的示圖，圖29E是 示出在已經(jīng)閉合的狀態(tài)下蜂窩式電話的右側(cè)的示圖，圖29F是示出在已經(jīng)閉合的狀態(tài)下蜂 窩式電話的頂視圖的示圖，而圖29G是示出在已經(jīng)閉合的狀態(tài)下蜂窩式電話的底視圖的示 圖；和圖30是示出現(xiàn)有行掃描電路的典型配置的方塊圖。
具體實(shí)施例方式接著，參照附圖，如下的描述將說明每一個(gè)都實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例的細(xì)節(jié)。應(yīng) 該注意到，這些實(shí)施例是在按如下排列的章節(jié)中說明的。1 按照本發(fā)明的有機(jī)EL顯示裝置2 實(shí)施例的特征2-1 第一實(shí)施例(用作開關(guān)器件的Nch MOS晶體管)2-2 第二實(shí)施例(用作開關(guān)器件的Nch和Pch CMOS晶體管)2-3 第三實(shí)施例(用作開關(guān)器件的Pch MOS晶體管)3 變型形式4:典型應(yīng)用(電子裝置)1 按照本發(fā)明的有機(jī)EL顯示裝置系統(tǒng)配置圖1是示出應(yīng)用了本發(fā)明實(shí)施例的有源矩陣型顯示裝置的大致配置的方塊圖。有源矩陣顯示裝置是利用有源器件的裝置，每個(gè)有源器件用于控制流過配備在與 有源器件相同的像素中的電光器件的電流。有源器件的典型例子是絕緣柵場(chǎng)致導(dǎo)電晶體管 (insulated-gate field electric transistor)。絕緣柵場(chǎng)致導(dǎo)電晶體管通常是 TFT (薄 膜晶體管)。作為一個(gè)例子，采用在有源矩陣型顯示裝置中的每個(gè)像素電路含有以由流過電光 器件的驅(qū)動(dòng)電流的量值決定的亮度發(fā)光的用作電光器件的電流驅(qū)動(dòng)發(fā)光器件。這樣電光器 件的典型例子是有機(jī)EL器件。采用每一個(gè)含有用作發(fā)光器件的有機(jī)EL器件的像素電路的 顯示裝置被稱為下面解釋成典型有源矩陣型的顯示裝置的有源矩陣型有機(jī)EL顯示裝置。如圖1所示，用作有源矩陣型顯示裝置的典型例子的有機(jī)EL顯示裝置10采用像 素矩陣部分30和作為每個(gè)用于驅(qū)動(dòng)采用在像素矩陣部分30中的多個(gè)像素電路(PXLC) 20 的驅(qū)動(dòng)部分、配備在圍繞像素矩陣部分30的位置上的驅(qū)動(dòng)部分。在像素矩陣部分30中，每 一個(gè)都包括發(fā)光器件的像素電路20 二維排列成像素矩陣。驅(qū)動(dòng)部分采用寫掃描電路40、電源掃描電路50和信號(hào)輸出電路60。驅(qū)動(dòng)部分是 驅(qū)動(dòng)像素矩陣部分30的像素電路20的部分。寫掃描電路40和電源掃描電路50每一個(gè)都是以像素行為單位選擇像素電路20的行掃描部分。在顯示彩色顯示器的有源矩陣有機(jī)EL顯示裝置10的情況下，每個(gè)像素電路20包 括每一個(gè)都起像素電路20作用的多個(gè)子像素電路。更具體地說，在顯示彩色顯示器的有源 矩陣有機(jī)EL顯示裝置10中，每個(gè)像素電路20包括三個(gè)子像素電路，即，發(fā)紅光(也就是說， R顏色的光)的子像素電路、發(fā)綠光(也就是說，G顏色的光)的子像素電路和發(fā)藍(lán)光(也 就是說，B顏色的光)的子像素電路。然而，每一個(gè)都起像素電路作用的子像素電路的組合決不會(huì)局限于三原色，即，R、 G和B顏色的子像素電路的上述組合。例如，可以將另一種顏色的子像素電路或甚至多種 其它顏色的多個(gè)子像素電路加入三原色的子像素電路中以便起像素電路的作用。更具體地 說，例如，可以將生成提高亮度的白(W)光的子像素電路加入三原色的子像素電路中以便 起像素電路的作用。作為另一個(gè)例子，可以將每個(gè)用于生成補(bǔ)色光的子像素電路加入三原 色的子像素電路中以便起具有增大了的顏色再現(xiàn)范圍的像素電路的作用。對(duì)于像素矩陣部分30中排列成m行和η列的像素電路20的m行/n列矩陣，配備 了掃描線31-1到31-m和電源線32-1到32_m，在圖1中被定位在行方向或水平方向上。行 方向是像素電路20沿其排列的每個(gè)矩陣行的方向。更具體地說，掃描線31-1到31-m每一 條和電源線32-1到32-m每一條都是為像素電路20的矩陣的m個(gè)行之一配備的。另外，像 素矩陣部分30中的像素電路20的m行/n列矩陣還配有每一條都沿著圖1中的列方向或 垂直方向的信號(hào)線33-1到33-n。列方向是像素電路20沿其排列的每個(gè)矩陣列的方向。更 具體地說，信號(hào)線33-1到33-n每一條都是為像素電路20的矩陣的η個(gè)列之一配備的。掃描線31-1到31-m中的任何特定一條與作為與配備了特定掃描線31的行相關(guān) 聯(lián)的輸出端采用在寫掃描電路40中的輸出端連接。同樣，電源線32-1到32-m中的任何特 定一條與作為與配備了特定電源線32的行相關(guān)聯(lián)的輸出端采用在電源掃描電路50中的輸 出端連接。另一方面，信號(hào)線33-1到33-n中的任何特定一條與作為與配備了特定信號(hào)線 33的列相關(guān)聯(lián)的輸出端采用在信號(hào)輸出電路60中的輸出端連接。像素矩陣部分30通常形成在像玻璃襯底那樣的透明絕緣襯底上。因此，有源矩陣 有機(jī)EL顯示裝置10可以被構(gòu)造成具有平面結(jié)構(gòu)。每一個(gè)都起配置成驅(qū)動(dòng)包括在像素矩陣 部分30中的像素電路20的驅(qū)動(dòng)部分作用的寫掃描電路40、電源掃描電路50和信號(hào)輸出電 路60每一個(gè)都包括可以由非晶硅TFT(薄膜晶體管)或低溫硅TFT組成。如果使用低溫硅 TFT，如圖1所示的寫掃描電路40、電源掃描電路50和信號(hào)輸出電路60每一個(gè)也可以形成 在組成像素矩陣部分30的顯示面板70 (或襯底)上。寫掃描電路40包括與時(shí)鐘脈沖信號(hào)Ck同步地依次移位(傳播)開始脈沖sp的 移位寄存器。在將視頻信號(hào)寫入采用在像素矩陣部分30中的像素電路20中的操作中，寫 掃描電路40依次將開始脈沖sp作為寫脈沖(或掃描信號(hào))WSl到WSm之一供應(yīng)給掃描線 31-1到31-m之一。因此，供應(yīng)給掃描線31-1到31_m的寫脈沖用于在使配備在相同行上的 像素電路20進(jìn)入能夠同時(shí)接收視頻信號(hào)的狀態(tài)的所述逐線依次掃描操作中，以行為單位 依次掃描采用在像素矩陣部分30中的像素電路20。寫掃描電路40是按照本發(fā)明實(shí)施例的 掃描部分之一。也就是說，本發(fā)明的實(shí)施例具有寫掃描電路40的具體配置的特征。寫掃描 電路40的具體配置的細(xì)節(jié)將在后面描述。同樣，電源掃描電路50也包括與時(shí)鐘脈沖信號(hào)ck同步地依次移位(傳播)開始脈沖sp的移位寄存器。與寫掃描電路40進(jìn)行的逐線依次掃描操作，也就是說，通過開始脈 沖sp確定的定時(shí)同步，電源掃描電路50將電源線電位DSl到DSm分別供應(yīng)給電源線32_1 到32-m。如后所述，電源線電位DSl到DSm每一個(gè)都從第一電源電位Vccp切換到低于第一 電源電位Vccp的第二電源電位Vini或反過來，以便以行為單位控制像素電路20的發(fā)光狀 態(tài)和不發(fā)光狀態(tài)，并且以便以行為單位將驅(qū)動(dòng)電流供應(yīng)給每一個(gè)作為發(fā)光器件采用在像素 電路20中的有機(jī)EL器件。信號(hào)輸出電路60是有選擇地輸出信號(hào)電壓Vsig或參考電位Vofs的部分。信號(hào) 電壓Vsig是代表亮度信息的視頻信號(hào)的電壓。視頻信號(hào)是未顯示在任何圖中的信號(hào)供應(yīng) 源生成的信號(hào)。在如下的描述中，將代表亮度信息的視頻信號(hào)的電壓簡(jiǎn)稱為信號(hào)電壓Vsig。 參考電位Vofs是用作信號(hào)電壓Vsig的參考的電位。通常，參考電位Vofs是與視頻信號(hào)的 黑色電平相對(duì)應(yīng)的電位。信號(hào)輸出電路60適當(dāng)?shù)剡x擇從未顯示在圖1中的信號(hào)源接收的代表亮度信息的 視頻信號(hào)的電壓Vsig或參考電位Vofs，并通常通過信號(hào)線33-1到33-n以行為單位將所選 那個(gè)寫入采用在像素矩陣部分30中的像素電路20中。也就是說，信號(hào)輸出電路60采用在 能夠以行為單位接收視頻信號(hào)電壓Vsig的狀態(tài)下將視頻信號(hào)電壓Vsig寫入像素電路20 中的逐線依次寫操作的驅(qū)動(dòng)方法。這是因?yàn)槭瓜袼仉娐?0進(jìn)入如前所述能夠以行為單位 接收視頻信號(hào)電壓Vsig的狀態(tài)。像素電路圖2是示出像素電路20的具體典型配置的示圖。如圖2所示，像素電路20包括用作電光器件(例如，電流驅(qū)動(dòng)發(fā)光器件)的有機(jī) EL器件21，該器件依照流過該器件的電流的量值改變由此生成的光的亮度。像素電路2還 含有驅(qū)動(dòng)有機(jī)EL器件21的驅(qū)動(dòng)電路。有機(jī)EL器件21的陰極與所有像素電路20共享的 公用電源線34連接。公用電源線34也稱為所謂的β線。如上所述，除了有機(jī)EL器件21之外，像素電路20還含有由包括上述的器件驅(qū)動(dòng) 晶體管22、信號(hào)寫晶體管23和信號(hào)存儲(chǔ)電容器24的驅(qū)動(dòng)部件組成的驅(qū)動(dòng)電路。在像素電 路20的典型配置中，器件驅(qū)動(dòng)晶體管22和信號(hào)寫晶體管23每一個(gè)都是N溝道TFT。然而， 器件驅(qū)動(dòng)晶體管22和信號(hào)寫晶體管23的導(dǎo)電類型決不會(huì)局限于N溝道導(dǎo)電類型。也就是 說，器件驅(qū)動(dòng)晶體管22和信號(hào)寫晶體管23的導(dǎo)電類型每一種都可以是另一種導(dǎo)電類型或 可以是相互不同的導(dǎo)電類型。應(yīng)該注意到，如果將N溝道TFT用作器件驅(qū)動(dòng)晶體管22和信號(hào)寫晶體管23每一 個(gè)，則可以采用非晶硅(a-Si)工藝來制造像素電路20。通過采用非晶硅(a-Si)工藝來制 造像素電路20，可以降低在其上形成TFT的襯底的成本，因此，降低有源矩陣EL顯示裝置 10本身的成本。另外，如果器件驅(qū)動(dòng)晶體管22和信號(hào)寫晶體管23具有相同導(dǎo)電類型，則可 以使用相同的工藝來形成器件驅(qū)動(dòng)晶體管22和信號(hào)寫晶體管23。因此，相同導(dǎo)電類型的器 件驅(qū)動(dòng)晶體管22和信號(hào)寫晶體管23有助于降低成本。器件驅(qū)動(dòng)晶體管22的電極之一(即，源極或漏極)與有機(jī)EL器件21的陽極連 接，而器件驅(qū)動(dòng)晶體管22的另一個(gè)電極(即，漏極或源極)與電源線32，S卩，電源線32-1到 32-m之一連接。信號(hào)寫晶體管23的柵極與掃描線31，即，掃描線31-1到31_m之一連接。信號(hào)寫晶體管23的電極之一(即，源極或漏極)與信號(hào)線33，即，信號(hào)線33-1到33_n之一連接， 而信號(hào)寫晶體管23的另一個(gè)電極(即，漏極或源極)與器件驅(qū)動(dòng)晶體管22的柵極連接。在器件驅(qū)動(dòng)晶體管22和信號(hào)寫晶體管23中，電極之一是與晶體管的源極或漏極 區(qū)連接的金屬線，而另一個(gè)電極是與晶體管的漏極或源極區(qū)連接的金屬線。另外，依照出 現(xiàn)在電極之一上的電位與出現(xiàn)在另一個(gè)電極上的電位之間的關(guān)系，電極之一變成源極或漏 極，而另一個(gè)電極變成漏極或源極。信號(hào)存儲(chǔ)電容器24的一端與器件驅(qū)動(dòng)晶體管22的柵極連接，而信號(hào)存儲(chǔ)電容器 24的另一端與器件驅(qū)動(dòng)晶體管22的電極之一和有機(jī)EL器件21的陽極連接。應(yīng)該注意到，驅(qū)動(dòng)有機(jī)EL器件21的驅(qū)動(dòng)電路的配置決不會(huì)局限于如上所述采用 器件驅(qū)動(dòng)晶體管22、信號(hào)寫晶體管23和信號(hào)存儲(chǔ)電容器24的配置。例如，如果有必要，驅(qū) 動(dòng)電路可以包括具有對(duì)有機(jī)EL器件21補(bǔ)償有機(jī)EL器件21的電容不足的電容的補(bǔ)充電容 器。補(bǔ)充電容器的一端與有機(jī)EL器件21的陽極連接，而補(bǔ)充電容器的另一端與有機(jī)EL器 件21的陰極連接。如上所述，有機(jī)EL器件21的陰極與設(shè)置在固定電位上的公用電源線34 連接。在具有上述配置的像素電路20中，通過寫掃描電路40經(jīng)由掃描線31，即，掃描線 31-1到31-m之一將高電平掃描信號(hào)WS施加于信號(hào)寫晶體管23的柵極，使信號(hào)寫晶體管 23進(jìn)入導(dǎo)電狀態(tài)。在信號(hào)寫晶體管23的這種導(dǎo)電狀態(tài)下，信號(hào)寫晶體管23將信號(hào)輸出電 路60經(jīng)由信號(hào)線33 (即，信號(hào)線33-1到33-n之一)供應(yīng)的視頻信號(hào)電壓Vsig取樣成具 有代表亮度信息的量值的電壓，或取樣也由信號(hào)輸出電路60經(jīng)由信號(hào)線33供應(yīng)的參考電 位Vof s，并將取樣視頻信號(hào)電壓Vsig或取樣參考電位Vofs寫入采用在像素電路20中的信 號(hào)存儲(chǔ)電容器24中。將取樣視頻信號(hào)電壓Vsig或取樣參考電位Vofs施加于器件驅(qū)動(dòng)晶 體管22的柵極并保存在信號(hào)存儲(chǔ)電容器24中。對(duì)于作為電位DS維持在電源線32 (即，電源線32-1到32-m之一)上的第一電源 電位Vccp，器件驅(qū)動(dòng)晶體管22的特定一個(gè)電極變成漏極，而器件驅(qū)動(dòng)晶體管22的另一個(gè)電 極變成源極。在以這種方式起作用的器件驅(qū)動(dòng)晶體管22的電極中，器件驅(qū)動(dòng)晶體管22工 作在飽和區(qū)中，并且讓從電源線32接收的電流流入有機(jī)EL器件21中，作為將有機(jī)EL器件 21驅(qū)動(dòng)到發(fā)光狀態(tài)的驅(qū)動(dòng)電流。更具體地說，器件驅(qū)動(dòng)晶體管22工作在飽和區(qū)中，將量值 基于存儲(chǔ)在信號(hào)存儲(chǔ)電容器24中的視頻信號(hào)電壓Vsig的量值的用作發(fā)光電流的驅(qū)動(dòng)電流 供應(yīng)給有機(jī)EL器件21。因此，有機(jī)EL器件21在發(fā)光狀態(tài)下發(fā)出具有基于驅(qū)動(dòng)電流的量值 的亮度的光。當(dāng)作為電位DS維持在電源線32 (即，電源線32-1到32-m之一)上的第一電源電 位Vccp被改變成第二電源電位Vini時(shí)，器件驅(qū)動(dòng)晶體管22起開關(guān)晶體管的作用。當(dāng)起開 關(guān)晶體管作用時(shí)，器件驅(qū)動(dòng)晶體管22的特定電極變成電源，而器件驅(qū)動(dòng)晶體管22的另一個(gè) 電極變成漏極。作為這樣的開關(guān)晶體管，器件驅(qū)動(dòng)晶體管22停止將驅(qū)動(dòng)電流供應(yīng)給有機(jī)EL 器件21的操作，使有機(jī)EL器件21進(jìn)入不發(fā)光狀態(tài)。也就是說，器件驅(qū)動(dòng)晶體管22也具有 控制有機(jī)EL器件21的發(fā)光狀態(tài)與不發(fā)光狀態(tài)之間的轉(zhuǎn)變的晶體管的功能。器件驅(qū)動(dòng)晶體管22進(jìn)行開關(guān)操作，以便將有機(jī)EL器件21的不發(fā)光時(shí)段設(shè)置成不 發(fā)光狀態(tài)的時(shí)段，并控制定義成有機(jī)EL器件21的發(fā)光時(shí)段與有機(jī)EL器件21的不發(fā)光時(shí) 段之比的忙閑度。通過進(jìn)行這樣的控制，可以減小起因于像素電路在整個(gè)幀中生成的光的由殘像引起的模糊量。因此，尤其可以使運(yùn)動(dòng)圖像的質(zhì)量更優(yōu)良。第一電源電位Vccp或第二電源電位Vini由電源掃描電路50有選擇地生成，并維 持在電源線32上。第一電源電位Vccp是將驅(qū)動(dòng)有機(jī)EL器件21的驅(qū)動(dòng)電流提供給器件驅(qū) 動(dòng)晶體管22以發(fā)光的電源電位。另一方面，第二電源電位Vini是施加于有機(jī)EL器件21， 以便使有機(jī)EL器件21進(jìn)入不發(fā)光狀態(tài)的用作反向偏壓的電源電位。第二電源電位Vini 必須低于參考電位Vofs。例如，第二電源電位Vini低于(Vofs-Vth)，其中參考記號(hào)Vth表 示采用在像素電路20中的器件驅(qū)動(dòng)晶體管22的閾電壓。最好將第二電源電位Vini設(shè)置 在充分低于(Vofs-Vth)的電位上。像素結(jié)構(gòu)圖3是示出像素電路20的典型結(jié)構(gòu)的截面的截面圖。如圖3所示，像素電路20 的結(jié)構(gòu)包括在上面形成包括器件驅(qū)動(dòng)晶體管220的驅(qū)動(dòng)部件的玻璃襯底202。另外，像素 電路20的結(jié)構(gòu)還包括絕緣膜202、絕緣平坦膜203和窗口絕緣膜204，它們按本句列舉絕緣 膜202、絕緣平坦膜203和窗口絕緣膜204的次序依次形成在玻璃襯底201上。在這種結(jié)構(gòu) 中，將有機(jī)EL器件21配備在窗口絕緣膜204的凹部204A中。圖3僅示出了作為配置元件 的驅(qū)動(dòng)電路的器件驅(qū)動(dòng)晶體管22，省略了驅(qū)動(dòng)電路的其它驅(qū)動(dòng)部件。有機(jī)EL器件21具有包括陽極205、有機(jī)層206和陰極207的配置。陽極205通常 是形成在窗口絕緣膜204的凹部204A的底面上的金屬。有機(jī)層206是形成在陽極205上 的電子傳輸層、發(fā)光層和空穴傳輸/注入層。放置在有機(jī)層206上，陰極207通常是作為所 有像素電路20的公用膜形成的透明導(dǎo)電膜。包括在有機(jī)EL器件21中的有機(jī)層206是在陽極205上依次堆疊空穴傳輸層/空 穴注入層2061、發(fā)光層2062、電子傳輸層2063和電子注入層形成的。應(yīng)該注意到，在圖3 中未示出電子注入層。在如圖2所示器件驅(qū)動(dòng)晶體管22驅(qū)動(dòng)有機(jī)EL器件21，通過讓電流 流過有機(jī)EL器件21引起發(fā)光所進(jìn)行的操作中，電流通過陽極205從器件驅(qū)動(dòng)晶體管22流 到有機(jī)層206。隨著電流流到有機(jī)層206，空穴和電子在發(fā)光層2062中彼此重新組合在一 起引起發(fā)光。器件驅(qū)動(dòng)晶體管22形成具有包括柵極221、半導(dǎo)體層222、源極/漏極區(qū)223、漏極 /源極區(qū)224和溝道形成區(qū)225的配置。在這種配置中，源極/漏極區(qū)223形成在半導(dǎo)體層 22的一側(cè)上，而漏極/源極區(qū)224形成在半導(dǎo)體層22的另一側(cè)上，溝道形成區(qū)225面對(duì)半 導(dǎo)體層222的柵極221。源極/漏極區(qū)223通過接觸孔與有機(jī)EL器件21的陽極205電連接。如圖3所示，對(duì)于每個(gè)像素電路20，都在玻璃襯底201上形成有機(jī)EL器件21，在有 機(jī)EL器件21與上面形成包括器件驅(qū)動(dòng)晶體管22的驅(qū)動(dòng)部件的玻璃襯底201之間夾著絕 緣膜202、絕緣平坦膜203和窗口絕緣膜204。在以這種方式形成了有機(jī)EL器件21之后， 在有機(jī)EL器件21上形成并用密封襯底209覆蓋鈍化膜208，在密封襯底209與鈍化膜208 之間夾著粘合劑210。這樣，有機(jī)EL器件21被密封襯底209密封，形成顯示面板70。電路操作隨后，參照作為基礎(chǔ)的圖4的時(shí)序/波形圖以及圖5和6的電路圖，如下的描述將 說明有機(jī)EL顯示裝置10進(jìn)行的基本電路操作。應(yīng)該注意到，在圖5和6的電路操作說明 圖中，信號(hào)寫晶體管23被顯示成代表開關(guān)的符號(hào)，以便使示圖簡(jiǎn)單些。另外，電容器25顯示在圖5和6的電路操作說明圖的每一個(gè)中，用作有機(jī)EL器件21的等效電容器。圖4的時(shí)序/波形圖示出了出現(xiàn)在掃描線31上的電位(寫掃描信號(hào))WS、出現(xiàn)在 電源線32上的電位(電源電位)DS、出現(xiàn)在信號(hào)線33上的電位(Vsig/Vofs)、出現(xiàn)在器件 驅(qū)動(dòng)晶體管22的柵極上的柵極電位Vg和出現(xiàn)在器件驅(qū)動(dòng)晶體管22的源極上的電位Vs的變化。前幀的發(fā)光時(shí)段在圖4的時(shí)序/波形圖中，時(shí)間til之前的時(shí)段是正好在當(dāng)前幀(或當(dāng)前場(chǎng))之 前的幀(或場(chǎng))中有機(jī)EL器件21的發(fā)光時(shí)段。在發(fā)光時(shí)段中，出現(xiàn)在電源線32上的電位 DS是下文也稱為高電位的第一電源電位Vccp，信號(hào)寫晶體管23處在非導(dǎo)電狀態(tài)下。對(duì)于維持在電源線32上和施加于器件驅(qū)動(dòng)晶體管22的第一電源電位Vccp，器件 驅(qū)動(dòng)晶體管22被設(shè)置成工作在飽和區(qū)中。因此，在該發(fā)光時(shí)段中，如圖5A所示，基于施加 在器件驅(qū)動(dòng)晶體管22的柵極與源極之間的柵極-源極電壓Vgs的驅(qū)動(dòng)電流(即，發(fā)光電流 或在器件驅(qū)動(dòng)晶體管22的漏極和源極之間流動(dòng)的漏極-源極電流Ids)通過器件驅(qū)動(dòng)晶體 管22從電源線32流到有機(jī)EL器件21。其結(jié)果是，有機(jī)EL器件22發(fā)出亮度與驅(qū)動(dòng)電流 Ids的量值成正比的光。閾電壓補(bǔ)償準(zhǔn)備時(shí)段然后，在時(shí)間tll，到達(dá)逐線依次掃描操作的新幀(稱為上述的當(dāng)前幀)。如圖5B 所示，出現(xiàn)在電源線32上電位DS從高電位Vccp改變成第二電源電位Vini，以便開始閾電 壓補(bǔ)償準(zhǔn)備時(shí)段。第二電源電位Vini下文也稱為低電位，通常，低電位Vini充分低于比 Vofs低的(Vofs-Vth)，其中參考記號(hào)Vth表示器件驅(qū)動(dòng)晶體管22的閾電壓，而參考記號(hào) Vofs表示出現(xiàn)在信號(hào)線33上的上述參考電位Vofs。讓我們假設(shè)低電位Vini滿足關(guān)系Vini < (Vthel+Vcath)，其中參考記號(hào)Vthel表 示有機(jī)EL器件21的閾電壓，而參考記號(hào)Vcath表示出現(xiàn)在電源線34上的電位。在這種情 況下，由于出現(xiàn)在器件驅(qū)動(dòng)晶體管22的源極上的源極電位Vs大約等于低電位Vini，使有機(jī) EL器件21進(jìn)入反向偏置狀態(tài)，終止發(fā)光。然后，在以后的時(shí)間tl2，如圖5C所示，出現(xiàn)在掃描線31上的電位WS從低電平改 變成高電平，使信號(hào)寫晶體管23進(jìn)入導(dǎo)電狀態(tài)，開始閾電壓補(bǔ)償開始時(shí)段。在這種情況下， 信號(hào)輸出電路60使信號(hào)線33保持在參考電位Vofs上，并且通過信號(hào)寫晶體管23將參考 電位Vofs施加于器件驅(qū)動(dòng)晶體管22的柵極作為柵極電位Vg。如上所述，充分低于參考電 位Vofs的低電位Vini那時(shí)正施加于器件驅(qū)動(dòng)晶體管22的源極作為源極電位Vs。因此，那時(shí)，施加在器件驅(qū)動(dòng)晶體管22的柵極與源極之間的柵極_源極電壓Vgs 等于電位差(Vofs-Vini)。如果電位差(Vofs-Vini)未大于器件驅(qū)動(dòng)晶體管22的閾電壓， 可以不進(jìn)行如后所述的閾電壓補(bǔ)償處理。因此，有必要將低電位Vini和參考電位Vofs設(shè) 置在滿足電位關(guān)系(Vofs-Vini) > Vth的電平上。將出現(xiàn)在器件驅(qū)動(dòng)晶體管22的柵極上的電位Vg固定(設(shè)置)在參考電位Vofs 上并將出現(xiàn)在器件驅(qū)動(dòng)晶體管22的源極上的電位Vs固定(設(shè)置)在低電位Vini上的初 始化處理是為如后所述的閾電壓補(bǔ)償處理作準(zhǔn)備的處理。在如下的描述中，將為閾電壓補(bǔ) 償處理作準(zhǔn)備的處理稱為閾電壓補(bǔ)償準(zhǔn)備處理。在這種處理中，參考電位Vofs是出現(xiàn)在器 件驅(qū)動(dòng)晶體管22的柵極上的電位Vg的初始化電位，而低電位Vini是出現(xiàn)在器件驅(qū)動(dòng)晶體管22的源極上的電位Vs的初始化電位。閾電壓補(bǔ)償時(shí)段然后，當(dāng)如圖5D所示，在以后的時(shí)間113出現(xiàn)在電源線32上的電位DS從低電位 Vini改變成高電位Vccp時(shí)，在按原樣保持出現(xiàn)在器件驅(qū)動(dòng)晶體管22的柵極上的電位Vg的 狀態(tài)下，開始閾電壓補(bǔ)償時(shí)段。也就是說，出現(xiàn)在器件驅(qū)動(dòng)晶體管22的源極上的電位Vs開 始向作為從柵極電位Vg中減去器件驅(qū)動(dòng)晶體管22的閾電壓Vth的結(jié)果獲得的電位上升。為了簡(jiǎn)便起見，將用作如上所述出現(xiàn)在器件驅(qū)動(dòng)晶體管22的柵極上的電位Vg的 初始化電位的參考電位Vofs取作參考電位，并將使電位Vs升高到作為從柵極電位Vg中減 去器件驅(qū)動(dòng)晶體管22的閾電壓Vth的結(jié)果獲得的電位的處理稱為閾電壓補(bǔ)償處理。隨著 閾電壓補(bǔ)償處理繼續(xù)下去，在適當(dāng)?shù)臅r(shí)候，使施加在器件驅(qū)動(dòng)晶體管22的柵極與源極之間 的電壓Vgs收斂到器件驅(qū)動(dòng)晶體管22的閾電壓Vth，使與閾電壓Vth相對(duì)應(yīng)的電壓存儲(chǔ)在 信號(hào)存儲(chǔ)電容器24中。應(yīng)該注意到，為了讓整個(gè)驅(qū)動(dòng)電流在正在進(jìn)行閾電壓補(bǔ)償處理的閾電壓補(bǔ)償時(shí)段 內(nèi)流到信號(hào)存儲(chǔ)電容器24而不是部分流到有機(jī)EL器件21，事先將公用電源線34設(shè)置在電 位Vcath上，以便使有機(jī)EL器件21進(jìn)入切斷狀態(tài)。然后，在與閾電壓補(bǔ)償時(shí)段的結(jié)束一致的以后時(shí)間tl4，如圖6A所示，將出現(xiàn)在掃 描線31上的電位WS改變成低電平，以便使信號(hào)寫晶體管23進(jìn)入非導(dǎo)電狀態(tài)。在信號(hào)寫晶 體管23的這種非導(dǎo)電狀態(tài)下，器件驅(qū)動(dòng)晶體管22的柵極與信號(hào)線33電斷開，進(jìn)入浮置狀 態(tài)。然而，由于出現(xiàn)器件驅(qū)動(dòng)晶體管22的柵極與源極之間的電壓Vgs等于器件驅(qū)動(dòng)晶體管 22的閾電壓Vth，使器件驅(qū)動(dòng)晶體管22進(jìn)入切斷狀態(tài)。因此，漏極-源極電流Ids未流過 器件驅(qū)動(dòng)晶體管22。信號(hào)寫和遷移率補(bǔ)償時(shí)段然后，在以后的時(shí)間tl5，如圖6B所示，出現(xiàn)在信號(hào)線33上的電位從參考電位 Vofs改變成視頻信號(hào)電壓Vsig。隨后，在與信號(hào)寫和遷移率補(bǔ)償時(shí)段的開始一致的以后時(shí) 間tl6，如圖6C所示，通過將出現(xiàn)在掃描線31上的電位WS設(shè)置在高電平上，使信號(hào)寫晶體 管23進(jìn)入導(dǎo)電狀態(tài)。在這種狀態(tài)下，信號(hào)寫晶體管23取樣視頻信號(hào)電壓Vsig，并將取樣的 視頻信號(hào)電壓Vsig存儲(chǔ)到像素電路20中。作為信號(hào)寫晶體管23將取樣的視頻信號(hào)電壓Vsig存儲(chǔ)到像素電路20中所進(jìn)行 的操作的結(jié)果，出現(xiàn)在器件驅(qū)動(dòng)晶體管22的柵極上的電位Vg變成等于視頻信號(hào)電壓Vsig。 在利用視頻信號(hào)電壓Vsig驅(qū)動(dòng)器件驅(qū)動(dòng)晶體管22的操作中，器件驅(qū)動(dòng)晶體管22的閾電壓 Vth和作為與閾電壓Vth相對(duì)應(yīng)的電壓存儲(chǔ)在信號(hào)存儲(chǔ)電容器24中的電壓在所謂的閾電壓 補(bǔ)償處理中相互抵消，閾電壓補(bǔ)償處理的原理將在后面詳細(xì)描述。那時(shí)，有機(jī)EL器件21最初處在切斷狀態(tài)(或高阻抗?fàn)顟B(tài))下。因此，從電源線32 流到受視頻信號(hào)電壓Vsig驅(qū)動(dòng)的器件驅(qū)動(dòng)晶體管22的漏極-源極電流Ids實(shí)際上去往與 有機(jī)EL器件21并聯(lián)的前述等效電容器25，而不是進(jìn)入有機(jī)EL器件21本身。其結(jié)果是，等 效電容器25的充電過程開始。在對(duì)等效電容器25充電的同時(shí)，出現(xiàn)在器件驅(qū)動(dòng)晶體管22的源極上的電位Vs隨 著時(shí)間的流逝而上升。由于在器件驅(qū)動(dòng)晶體管22的漏極與源極之間流動(dòng)的漏極_源極電 流Ids已經(jīng)補(bǔ)償了 Vth(閾電壓)隨像素的變化，所以漏極-源極電流Ids僅依照器件驅(qū)動(dòng)晶體管22的遷移率μ隨像素而變。驅(qū)動(dòng)晶體管22的遷移率μ是組成驅(qū)動(dòng)晶體管22的 溝道的半導(dǎo)體薄膜的遷移率P。讓我們假設(shè)寫入增益具有1的理想值。寫入增益被定義成如上所述在器件驅(qū)動(dòng)晶 體管22的柵極與源極之間觀察到和作為與器件驅(qū)動(dòng)晶體管22的閾電壓Vth相對(duì)應(yīng)的電壓 存儲(chǔ)在信號(hào)存儲(chǔ)電容器24中的電壓Vgs與視頻信號(hào)電壓Vsig之比。隨著出現(xiàn)在器件驅(qū)動(dòng) 晶體管22的源極上的電位Vs達(dá)到(Vofs-Vth+AV)的電位，在器件驅(qū)動(dòng)晶體管22的柵極 與源極之間觀察到的電壓Vgs變成等于(Vsig-Vofs+Vth-AV)的電位，其中參考記號(hào)Δ V 表示源極電位Vs的增量。也就是說，進(jìn)行負(fù)反饋操作，以便從作為(Vsig-Vofs+Vth)的電壓存儲(chǔ)在信號(hào)存 儲(chǔ)電容器24中的電壓中減去出現(xiàn)在器件驅(qū)動(dòng)晶體管22的源極上的電位Vs的增量AV，或 換句話說，進(jìn)行負(fù)反饋操作，以便從信號(hào)存儲(chǔ)電容器24中放出一些電荷。在負(fù)反饋操作中， 出現(xiàn)在器件驅(qū)動(dòng)晶體管22的源極上的電位Vs的增量ΔΥ用作負(fù)反饋量。如上所述，通過使在器件驅(qū)動(dòng)晶體管22的漏極與源極之間流動(dòng)的漏極-源極電流 Ids負(fù)反饋到器件驅(qū)動(dòng)晶體管22的柵極輸入端，也就是說，通過使在器件驅(qū)動(dòng)晶體管22的 漏極與源極之間流動(dòng)的漏極_源極電流Ids負(fù)反饋到出現(xiàn)在器件驅(qū)動(dòng)晶體管22的柵極與 源極之間的電壓Vgs，可以消除漏極-源極電流Ids對(duì)器件驅(qū)動(dòng)晶體管22的遷移率μ的依 賴性。也就是說，在取樣視頻信號(hào)電壓Vsig和將取樣的視頻信號(hào)電壓Vsig存儲(chǔ)到像素電 路20中的操作中，同時(shí)也進(jìn)行遷移率補(bǔ)償處理，以便對(duì)在器件驅(qū)動(dòng)晶體管22的漏極與源極 之間流動(dòng)的漏極-源極電流Ids補(bǔ)償遷移率(μ)隨像素的變化。更具體地說，要存儲(chǔ)在器件驅(qū)動(dòng)晶體管22的柵極中的視頻信號(hào)電壓Vsig的幅度 Vin( = Vsig-Vofs)越大，在器件驅(qū)動(dòng)晶體管22的漏極與源極之間流動(dòng)的漏極-源極電流 Ids就越大，因此，用作負(fù)反饋操作的負(fù)反饋量(或補(bǔ)償量)的增量AV的絕對(duì)值就越大。 因此，可以依照有機(jī)EL器件21發(fā)出的光的亮度的水平進(jìn)行遷移率補(bǔ)償處理。對(duì)于視頻信號(hào)電壓Vsig的固定幅度Vin，器件驅(qū)動(dòng)晶體管22的遷移率μ越大，用 作負(fù)反饋操作的負(fù)反饋量(或補(bǔ)償量)的增量△ V的絕對(duì)值就越大。因此，可以對(duì)在器件 驅(qū)動(dòng)晶體管22的漏極與源極之間流動(dòng)的漏極-源極電流Ids補(bǔ)償遷移率(μ )隨像素的變 化。遷移率補(bǔ)償處理的原理將在后面詳細(xì)描述。發(fā)光時(shí)段然后，在與信號(hào)寫和遷移率補(bǔ)償時(shí)段的結(jié)束或發(fā)光時(shí)段的開始一致的以后時(shí)間 tl7，如圖6D所示，將出現(xiàn)在掃描線31上的電位WS改變成低電平，以便使信號(hào)寫晶體管23 進(jìn)入非導(dǎo)電狀態(tài)。對(duì)于處在低電平上的電位WS，器件驅(qū)動(dòng)晶體管22的柵極與信號(hào)線33電 斷開，進(jìn)入浮置狀態(tài)。對(duì)于處在浮置狀態(tài)的器件驅(qū)動(dòng)晶體管22的柵極和對(duì)于與信號(hào)存儲(chǔ)電容器24連接 的器件驅(qū)動(dòng)晶體管22的柵極以及源極，當(dāng)出現(xiàn)在器件驅(qū)動(dòng)晶體管22的源極上的電位Vs依 照存儲(chǔ)在信號(hào)存儲(chǔ)電容器24是的電荷量而變時(shí)，出現(xiàn)在器件驅(qū)動(dòng)晶體管22的柵極上的電 位Vg也以與電位Vs的變化聯(lián)動(dòng)的方式而變。出現(xiàn)在器件驅(qū)動(dòng)晶體管22的柵極上的電位 Vg也以與出現(xiàn)在器件驅(qū)動(dòng)晶體管22的源極上的電位Vs的變化聯(lián)動(dòng)的方式而變的操作被稱 為基于信號(hào)存儲(chǔ)電容器24提供的耦聯(lián)效應(yīng)的自舉操作。在使器件驅(qū)動(dòng)晶體管22的柵極進(jìn)入浮置狀態(tài)的時(shí)間，在器件驅(qū)動(dòng)晶體管22的漏極與源極之間流動(dòng)的漏極_源極電流Ids開始流到有機(jī)EL器件21。因此，出現(xiàn)在有機(jī)EL 器件21的陽極上的電位依照漏極_源極電流Ids的增大而上升。隨著出現(xiàn)在有機(jī)EL器件21的陽極上的電位超過(Vthel+Vcath)的電位，驅(qū)動(dòng)電 流(或發(fā)光電流)開始流過有機(jī)EL器件21，使有機(jī)EL器件21發(fā)光。出現(xiàn)在有機(jī)EL器件 21的陽極上的電位的增量正是出現(xiàn)在器件驅(qū)動(dòng)晶體管22的源極上的電位Vs的增量。當(dāng)出 現(xiàn)在器件驅(qū)動(dòng)晶體管22的源極上的電位Vs升高時(shí)，在基于信號(hào)存儲(chǔ)電容器24提供的耦聯(lián) 效應(yīng)的自舉操作中，出現(xiàn)在器件驅(qū)動(dòng)晶體管22的柵極上的電位Vg也以與出現(xiàn)在器件驅(qū)動(dòng) 晶體管22的源極上的電位Vs的變化聯(lián)動(dòng)的方式升高。讓我們假定自舉操作的自舉增益具有1的理想值。自舉操作的自舉增益被定義成 出現(xiàn)在器件驅(qū)動(dòng)晶體管22的柵極上的電位Vg的增量與出現(xiàn)在器件驅(qū)動(dòng)晶體管22的源極 上的電位Vs的增量之比。對(duì)于假定具有1的理想值的自舉操作的自舉增益，出現(xiàn)在器件驅(qū) 動(dòng)晶體管22的柵極上的電位Vg的增量等于出現(xiàn)在器件驅(qū)動(dòng)晶體管22的源極上的電位Vs 的增量。因此，在發(fā)光時(shí)段內(nèi)，施加在器件驅(qū)動(dòng)晶體管22的柵極與源極之間的柵極-源極 電壓Vgs保持在(Vsig-Vofs+Vth-AV)的固定電平上。然后，在后面的時(shí)間tl8，將維持在 信號(hào)線33上的視頻信號(hào)電壓Vsig改變成參考電位Vofs。在上述一系列操作中，在稱為IH的一個(gè)水平掃描時(shí)段內(nèi)進(jìn)行了包括閾電壓補(bǔ)償 準(zhǔn)備處理、閾電壓補(bǔ)償處理、將視頻信號(hào)電壓Vsig存儲(chǔ)到信號(hào)存儲(chǔ)電容器24中的信號(hào)寫操 作和遷移率補(bǔ)償處理的各種處理。將視頻信號(hào)電壓Vsig存儲(chǔ)到信號(hào)存儲(chǔ)電容器24中的信 號(hào)寫操作和遷移率補(bǔ)償處理在時(shí)間tl6與tl7之間的時(shí)段內(nèi)同時(shí)進(jìn)行。正如上面示范的那樣，將一次性進(jìn)行閾值補(bǔ)償處理的驅(qū)動(dòng)方法用作一個(gè)例子。然 而，應(yīng)該注意到，這種驅(qū)動(dòng)方法正是典型驅(qū)動(dòng)方法。也就是說，驅(qū)動(dòng)方法決不會(huì)局限于一次 性進(jìn)行閾值補(bǔ)償處理的驅(qū)動(dòng)方法。例如，可以采用進(jìn)行所謂分離閾補(bǔ)償處理的驅(qū)動(dòng)方法。分 離閾補(bǔ)償處理是在與遷移率補(bǔ)償處理和信號(hào)寫處理一起進(jìn)行閾補(bǔ)償處理的I-H時(shí)段帶頭 的多個(gè)水平掃描時(shí)段上多次重復(fù)進(jìn)行的閾補(bǔ)償處理。也就是說，除了在I-H時(shí)段中進(jìn)行的 閾補(bǔ)償處理之外，分離閾補(bǔ)償處理還包括在I-H時(shí)段帶頭的多個(gè)水平掃描時(shí)段上多次重復(fù) 進(jìn)行的閾補(bǔ)償處理。通過采用進(jìn)行分離閾補(bǔ)償處理的驅(qū)動(dòng)方法，可以高度可靠地進(jìn)行閾補(bǔ)償處理。這 是因?yàn)?，即使由于高清晰度顯示所需的像素?cái)?shù)量較大，分配給每個(gè)分閾補(bǔ)償時(shí)段的時(shí)間變 得較短，也可以保證足夠長(zhǎng)的時(shí)間段作為延續(xù)多個(gè)分閾補(bǔ)償時(shí)段的連續(xù)總閾補(bǔ)償時(shí)段。閾電壓補(bǔ)償處理的原理如下的描述將說明為了對(duì)在器件驅(qū)動(dòng)晶體管22的漏極與源極之間流動(dòng)的漏 極_源極電流Ids補(bǔ)償器件驅(qū)動(dòng)晶體管22的閾電壓Vth隨像素的變化，在前面參照?qǐng)D4的 時(shí)序/波形圖所述的時(shí)間tl3與tl4之間的閾電壓補(bǔ)償時(shí)段內(nèi)進(jìn)行的閾電壓補(bǔ)償處理的原 理。如上所述，器件驅(qū)動(dòng)晶體管22被設(shè)計(jì)成在時(shí)間tl3與tl4之間的閾電壓補(bǔ)償時(shí)段內(nèi)工 作在將第一電源電位Vccp維持在電源線32上并施加于器件驅(qū)動(dòng)晶體管22的飽和區(qū)中。因 此，器件驅(qū)動(dòng)晶體管22起恒流源的作用。其結(jié)果是，器件驅(qū)動(dòng)晶體管22將由方程(1)給出 的恒定漏極_源極電流Ids (也稱為驅(qū)動(dòng)電流或發(fā)光電流)供應(yīng)給有機(jī)EL器件21。Ids = (1/2) · μ (ff/L) Cox (Vgs-Vth)2 ... (1)在上面的方程中，參考記號(hào)W表示器件驅(qū)動(dòng)晶體管22的溝道的寬度，參考記號(hào)L
18表示溝道的長(zhǎng)度，而參考記號(hào)Cox表示單位面積的柵極電容。圖7是示出每一條都代表伏安特性的曲線的特性圖，該伏安特性表達(dá)在器件驅(qū)動(dòng) 晶體管22的漏極與源極之間流動(dòng)的漏極-源極電流Ids與施加在器件驅(qū)動(dòng)晶體管22的柵 極與源極之間的柵極_源極電壓Vgs之間的關(guān)系。圖7的特性圖中的實(shí)線代表含有具有閾電壓Vthl的器件驅(qū)動(dòng)晶體管22的像素電 路A的特性，而同一特性圖中的虛線代表含有具有不同于閾電壓Vthl的閾電壓Vth2的器 件驅(qū)動(dòng)晶體管22的像素電路B的特性。從圖7的特性圖中可明顯看出，對(duì)于水平軸所代表 的柵極-源極電壓Vgs的相同量值，在采用在像素電路A中的器件驅(qū)動(dòng)晶體管22的漏極與 源極之間流動(dòng)的漏極-源極電流Ids是Idsl，而在采用在像素電路B中的器件驅(qū)動(dòng)晶體管 22的漏極與源極之間流動(dòng)的漏極-源極電流Ids是不同于漏極-源極電流Idsl的Ids2， 除非進(jìn)行閾電壓補(bǔ)償處理，對(duì)在器件驅(qū)動(dòng)晶體管22的漏極與源極之間流動(dòng)的漏極_源極電 流Ids補(bǔ)償Vth隨像素的變化，其中參考記號(hào)Vth表示器件驅(qū)動(dòng)晶體管22的閾電壓。在顯示在圖7的特性圖中的例子中，采用在像素電路B中的器件驅(qū)動(dòng)晶體管22的 閾電壓Vth2大于采用在像素電路A中的器件驅(qū)動(dòng)晶體管22的閾電壓Vthl，也就是說，Vth2 > Vthl。在這種情況下，對(duì)于水平軸所代表的柵極-源極電壓Vgs的相同量值，在采用在像 素電路A中的器件驅(qū)動(dòng)晶體管22的漏極與源極之間流動(dòng)的漏極-源極電流Ids是Idsl，而 在采用在像素電路B中的器件驅(qū)動(dòng)晶體管22的漏極與源極之間流動(dòng)的漏極-源極電流Ids 是小于漏極_源極電流Idsl的Ids2，也就是說，Ids2 < Idsl。也就是說，即使對(duì)于水平軸 所代表的柵極_源極電壓Vgs的相同量值，如果器件驅(qū)動(dòng)晶體管22的閾電壓Vth隨像素而 變，在器件驅(qū)動(dòng)晶體管22的漏極與源極之間流動(dòng)的漏極-源極電流Ids也隨像素而變。另一方面，在具有上述配置的像素電路20中，發(fā)光時(shí)施加在器件驅(qū)動(dòng)晶體管22的 柵極與源極之間的柵極_源極電壓Vgs等于如前所述的(Vsig-Vofs+Vth- Δ V)。通過將表 達(dá)式(Vsig-Vofs+Vth-ΔV)代入方程(1)中用作Vgs項(xiàng)的替代項(xiàng)，漏極-源極電流Ids可 以通過方程(2)表達(dá)如下Ids = (1/2) · μ (W/L) Cox(Vsig-Vofs-AV)2 · · · (2)也就是說，代表器件驅(qū)動(dòng)晶體管22的閾電壓的Vth項(xiàng)從方程(2)右側(cè)的表達(dá)式中 消失了。換句話說，從器件驅(qū)動(dòng)晶體管22流到有機(jī)EL器件21的漏極-源極電流不再依賴 于器件驅(qū)動(dòng)晶體管22的閾電壓Vth。其結(jié)果是，即使器件驅(qū)動(dòng)晶體管22的閾電壓Vth由 于制造器件驅(qū)動(dòng)晶體管22的工藝不同或由于隨時(shí)間惡化而隨像素而變，倘若將水平軸所 代表的相同柵極-源極電壓Vgs施加于采用在像素電路中的器件驅(qū)動(dòng)晶體管22的柵極，漏 極-源極電流Ids也不會(huì)隨像素而變。因此，如果將代表相同視頻信號(hào)電壓Vsig的相同柵 極_源極電壓Vgs施加于采用在每一個(gè)包括有機(jī)EL器件21之一的像素電路20中的器件 驅(qū)動(dòng)晶體管22的柵極，可以使每個(gè)有機(jī)EL器件21發(fā)出的光的亮度保持在相同值上。遷移率補(bǔ)償處理的原理如下的描述將說明為了對(duì)在器件驅(qū)動(dòng)晶體管22的漏極與源極之間流動(dòng)的漏 極_源極電流Ids補(bǔ)償器件驅(qū)動(dòng)晶體管22的遷移率隨像素的變化而進(jìn)行的遷移率補(bǔ)償處 理的原理。圖8也是示出每一條都代表伏安特性的曲線的特性圖，該伏安特性表達(dá)在器件 驅(qū)動(dòng)晶體管22的漏極與源極之間流動(dòng)的漏極-源極電流Ids與施加在器件驅(qū)動(dòng)晶體管22 的柵極與源極之間的柵極-源極電壓Vgs之間的關(guān)系。圖8的特性圖中的實(shí)線代表含有具有相對(duì)較大遷移率μ的器件驅(qū)動(dòng)晶體管22的像素電路A的特性，而同一特性圖中的虛 線代表含有具有相對(duì)較小遷移率μ的器件驅(qū)動(dòng)晶體管22的像素電路B的特性，即使采用 在像素電路B中的器件驅(qū)動(dòng)晶體管22具有等于采用在像素電路A中的器件驅(qū)動(dòng)晶體管22 的閾電壓Vth的閾電壓Vth。從圖8中可明顯看出，對(duì)于水平軸所代表的柵極-源極電壓 Vgs的相同量值，在采用在像素電路A中的器件驅(qū)動(dòng)晶體管22的漏極與源極之間流動(dòng)的漏 極-源極電流Ids是Idsl'，而在采用在像素電路B中的器件驅(qū)動(dòng)晶體管22的漏極與源 極之間流動(dòng)的漏極-源極電流Ids是不同于漏極-源極電流Idsl'的Ids2'，除非進(jìn)行遷 移率補(bǔ)償處理，對(duì)在器件驅(qū)動(dòng)晶體管22的漏極與源極之間流動(dòng)的漏極-源極電流Ids補(bǔ)償 遷移率隨像素的變化。如果將多晶硅薄膜晶體管等采用在像素電路20中作為器件驅(qū)動(dòng)晶 體管22，像像素電路A和B之間遷移率μ的差異那樣遷移率μ隨像素的變化可能不可避 免ο對(duì)于像素電路A和B之間遷移率μ的現(xiàn)有差異，即使將代表相同視頻信號(hào)電壓 Vsig的相同柵極-源極電壓Vgs施加于采用在采用了具有相對(duì)較大遷移率μ的器件驅(qū)動(dòng) 晶體管22的像素電路A和采用了具有相對(duì)較小遷移率μ的器件驅(qū)動(dòng)晶體管22的像素電 路B中的器件驅(qū)動(dòng)晶體管22的柵極，在采用在像素電路A中的器件驅(qū)動(dòng)晶體管22的漏極與 源極之間流動(dòng)的漏極-源極電流Ids是Idsl'，而在采用在像素電路B中的器件驅(qū)動(dòng)晶體 管22的漏極與源極之間流動(dòng)的漏極-源極電流Ids是非常不同于漏極-源極電流Idsl' 的Ids2'，除非進(jìn)行遷移率補(bǔ)償處理，對(duì)在器件驅(qū)動(dòng)晶體管22的漏極與源極之間流動(dòng)的漏 極-源極電流Ids補(bǔ)償像素電路A和B之間遷移率μ的差異。如果作為器件驅(qū)動(dòng)晶體管 22之間的漏極-源極電流Ids的差異，這樣的大Ids差是由μ隨像素的變化引起的，其中 參考記號(hào)μ表示器件驅(qū)動(dòng)晶體管22的遷移率，那么，屏幕的一致性就喪失了。從前面作為表達(dá)器件驅(qū)動(dòng)晶體管22的特性的方程給出的方程(1)中可明顯看出， 器件驅(qū)動(dòng)晶體管22的遷移率μ越大，在器件驅(qū)動(dòng)晶體管22的漏極與源極之間流動(dòng)的漏 極_源極電流Ids就越大。由于負(fù)反饋操作的反饋量△ V與在器件驅(qū)動(dòng)晶體管22的漏極 與源極之間流動(dòng)的漏極-源極電流Ids成正比，所以器件驅(qū)動(dòng)晶體管22的遷移率μ越大， 負(fù)反饋操作的反饋量△ V就越大。如圖8所示，采用具有相對(duì)較大遷移率μ的器件驅(qū)動(dòng)晶 體管22的像素電路A的反饋量AVl大于采用具有相對(duì)較小遷移率μ的器件驅(qū)動(dòng)晶體管 22的像素電路B的反饋量AV2。遷移率補(bǔ)償處理是通過使在器件驅(qū)動(dòng)晶體管22的漏極與源極之間流動(dòng)的漏 極_源極電流Ids負(fù)反饋到Vsig側(cè)進(jìn)行的，其中參考記號(hào)Vsig表示視頻信號(hào)的電壓。在 這種負(fù)反饋操作中，器件驅(qū)動(dòng)晶體管22的遷移率μ越大，進(jìn)行負(fù)反饋操作的程度就越高。 其結(jié)果是，可以消除μ隨像素的變化，其中參考記號(hào)μ表示器件驅(qū)動(dòng)晶體管22的遷移率。更具體地說，如果將補(bǔ)償量AVl取作對(duì)采用具有相對(duì)較大遷移率μ的器件驅(qū)動(dòng) 晶體管22的像素電路A進(jìn)行的遷移率補(bǔ)償處理的負(fù)反饋操作中的反饋量Δ VI，則在采用在 像素電路A中的器件驅(qū)動(dòng)晶體管22的漏極與源極之間流動(dòng)的漏極-源極電流Ids從Idsl ‘ 極大地減小到Idsl。另一方面，如果將小于補(bǔ)償量AVl的補(bǔ)償量AV2取作對(duì)采用具有相 對(duì)較小遷移率μ的器件驅(qū)動(dòng)晶體管22的像素電路B進(jìn)行的遷移率補(bǔ)償處理的負(fù)反饋操作 中的反饋量Δ V2,則與像素電路A相比，在采用在像素電路B中的器件驅(qū)動(dòng)晶體管22的漏 極與源極之間流動(dòng)的漏極_源極電流Ids從Ids2'稍微減小到幾乎等于漏極-源極電流Idsl的Ids2。其結(jié)果是，由于代表在采用在像素電路A中的器件驅(qū)動(dòng)晶體管22的漏極與 源極之間流動(dòng)的漏極-源極電流Ids的Idsl幾乎等于代表在采用在像素電路B中的器件 驅(qū)動(dòng)晶體管22的漏極與源極之間流動(dòng)的漏極-源極電流Ids的Ids2，所以可以對(duì)在器件驅(qū) 動(dòng)晶體管22的漏極與源極之間流動(dòng)的漏極_源極電流Ids補(bǔ)償器件驅(qū)動(dòng)晶體管22的遷移 率隨像素的變化。將上面所述的內(nèi)容總結(jié)如下。在作為對(duì)采用具有相對(duì)較大遷移率μ的器件驅(qū)動(dòng) 晶體管22的像素電路A進(jìn)行的遷移率補(bǔ)償處理的負(fù)反饋操作中所取的反饋量Δ Vl與對(duì)采 用具有相對(duì)較小遷移率μ的器件驅(qū)動(dòng)晶體管22的像素電路A進(jìn)行的遷移率補(bǔ)償處理的負(fù) 反饋操作中所取的反饋量ΔΥ2相比較大。也就是說，器件驅(qū)動(dòng)晶體管22的遷移率μ越大， 對(duì)采用器件驅(qū)動(dòng)晶體管22的像素電路進(jìn)行的負(fù)反饋操作的反饋量Δ V就越大，因此，在器 件驅(qū)動(dòng)晶體管22的漏極與源極之間流動(dòng)的漏極-源極電流Ids的減量就越大。因此，通過使在器件驅(qū)動(dòng)晶體管22的漏極與源極之間流動(dòng)的漏極_源極電流Ids 負(fù)反饋到作為器件驅(qū)動(dòng)晶體管22的柵極側(cè)向其提供了視頻信號(hào)電壓Vsig的柵極側(cè)，可以 使流過作為具有不同遷移率值μ的器件驅(qū)動(dòng)晶體管22采用在像素電路中的器件驅(qū)動(dòng)晶體 管22的漏極-源極電流Ids的量值平均化。其結(jié)果是，可以對(duì)在器件驅(qū)動(dòng)晶體管22的漏 極與源極之間流動(dòng)的漏極_源極電流Ids補(bǔ)償器件驅(qū)動(dòng)晶體管22的遷移率隨像素的變化。 也就是說，使在器件驅(qū)動(dòng)晶體管22的漏極與源極之間流動(dòng)的漏極-源極電流Ids的量值負(fù) 反饋到器件驅(qū)動(dòng)晶體管22的柵極側(cè)的負(fù)反饋操作是遷移率補(bǔ)償處理。圖9A到9C是每一個(gè)示出視頻信號(hào)電壓Vsig (或取樣電位)與在采用在包括在如 圖2所示的有源矩陣有機(jī)EL顯示裝置10中的像素電路20中的器件驅(qū)動(dòng)晶體管22的漏極 與源極之間流動(dòng)的漏極-源極電流Ids之間的關(guān)系的多個(gè)示圖。這些示圖針對(duì)利用或不利 用閾電壓補(bǔ)償處理和利用或不利用遷移率補(bǔ)償處理進(jìn)行的多種驅(qū)動(dòng)方法示出了這樣的關(guān) 系。更具體地說，圖9A是分別針對(duì)既未經(jīng)過閾電壓補(bǔ)償處理也未經(jīng)過遷移率補(bǔ)償處 理的不同像素電路A和B，示出每一條都代表視頻信號(hào)電壓Vsig與在器件驅(qū)動(dòng)晶體管22的 漏極與源極之間流動(dòng)的漏極-源極電流Ids之間的關(guān)系的兩條曲線的示圖。圖9B是分別 針對(duì)經(jīng)過閾電壓補(bǔ)償處理但未經(jīng)過遷移率補(bǔ)償處理的不同像素電路A和B，示出每一條都 代表視頻信號(hào)電壓Vsig與在器件驅(qū)動(dòng)晶體管22的漏極與源極之間流動(dòng)的漏極-源極電流 Ids之間的關(guān)系的兩條曲線的示圖。圖9C是分別針對(duì)既經(jīng)過閾電壓補(bǔ)償處理又經(jīng)過遷移率 補(bǔ)償處理的不同像素電路A和B，示出每一條都代表視頻信號(hào)電壓Vsig與在器件驅(qū)動(dòng)晶體 管22的漏極與源極之間流動(dòng)的漏極_源極電流Ids之間的關(guān)系的兩條曲線的示圖。如針對(duì)像素電路A和B既未經(jīng)過閾電壓補(bǔ)償處理也未經(jīng)過遷移率補(bǔ)償處理的情況 給出的圖9A的曲線所示，對(duì)于水平軸所代表的柵極-源極電壓Vgs的相同量值，作為不同 閾電壓Vth和不同遷移率值μ引起的差異，觀察到具有不同閾電壓Vth和不同遷移率值μ 的像素電路A和B之間的漏極-源極電流Ids的差異較大。另一方面，如針對(duì)像素電路A和B經(jīng)過閾電壓補(bǔ)償處理但未經(jīng)過遷移率補(bǔ)償處理 的情況給出的圖9B的曲線所示，對(duì)于水平軸所代表的柵極-源極電壓Vgs的相同量值，作 為不同閾電壓Vth和不同遷移率值μ引起的差異，觀察到具有不同閾電壓Vth和不同遷移 率值μ的像素電路A和B之間的漏極-源極電流Ids的差異較小。盡管該差異與如圖9A的曲線所示的情況的差異相比減小到一定程度，但仍然存在差異。如針對(duì)像素電路A和B既經(jīng)過閾電壓補(bǔ)償處理又經(jīng)過遷移率補(bǔ)償處理的情況給出 的圖9C的曲線所示，對(duì)于水平軸所代表的柵極-源極電壓Vgs的相同量值，作為不同閾電 壓Vth和不同遷移率值μ引起的差異，幾乎觀察不到具有不同閾電壓Vth和不同遷移率值 μ的像素電路A和B之間的漏極-源極電流Ids的差異。因此，每個(gè)灰度級(jí)都不存在有機(jī) EL器件21發(fā)出的光隨像素的變化。其結(jié)果是，可以顯示高質(zhì)量的圖像。另外，除了閾電壓和遷移率補(bǔ)償功能之外，包括在如圖2所示的有源矩陣有機(jī)EL 顯示裝置10中的像素電路20還具有如前所述基于信號(hào)存儲(chǔ)電容器20提供的耦聯(lián)效應(yīng)的 自舉操作功能，使像素電路20能夠呈現(xiàn)如下所述的效果。即使由于有機(jī)EL器件21的I-V特性在隨時(shí)間惡化過程中隨著時(shí)間的流逝而變 差，出現(xiàn)在器件驅(qū)動(dòng)晶體管22的源極上的電位Vs發(fā)生變化，基于信號(hào)存儲(chǔ)電容器20提供 的耦聯(lián)效應(yīng)的自舉操作也使施加在器件驅(qū)動(dòng)晶體管22的柵極與源極之間的柵極電壓Vgs 保持在固定電平上，致使流過有機(jī)EL器件21的驅(qū)動(dòng)電流在隨時(shí)間惡化過程中也不會(huì)隨著 時(shí)間的流逝而變化。因此，由于有機(jī)EL器件21發(fā)出的光的亮度在隨時(shí)間惡化過程中也不會(huì) 隨著時(shí)間的流逝而變化，所以即使I-V特性在隨時(shí)間惡化過程中隨著時(shí)間的流逝而變差， 也可以不會(huì)伴隨著有機(jī)EL器件21的I-V特性的隨時(shí)間惡化而變差地顯示圖像。2:實(shí)施例的特征在具有上述配置的有源矩陣型有機(jī)EL顯示裝置10中，寫掃描電路40和電源掃描 電路50每一個(gè)都起行掃描電路的作用。在行掃描電路的配置中，將規(guī)定每個(gè)掃描信號(hào)的上 升和下降定時(shí)的使能信號(hào)供應(yīng)給行掃描電路，作為在行掃描電路中生成，用作如后面詳細(xì) 所述要從中生成所有它們各自掃描信號(hào)的參考信號(hào)的所有參考信號(hào)公用的使能信號(hào)。行掃 描電路的配置包括電平移位電路部分，它含有每一個(gè)為傳播掃描信號(hào)的掃描線提供的多個(gè) 電平移位電路。采用在為多條掃描線提供的電平移位電路部分中的每個(gè)電平移位電路是將 上述參考信號(hào)從第一幅度改變成第二幅度的電路。在如圖10所示的典型配置中，寫掃描電 路40A是行掃描電路，而電平移位電路部分46是為多條掃描線提供的電平移位電路部分。行掃描電路還采用邏輯處理部分(下文也稱為邏輯電路部分)，它含有每一個(gè)為 掃描線之一提供的多個(gè)邏輯電路。在如圖10所示的配置中，第二邏輯電路部分48是邏輯 處理部分，而采用在第二邏輯電路部分48中的AND門48-1，48-2，48-3等每一個(gè)都是邏輯 電路。每個(gè)邏輯電路計(jì)算通過公用傳輸線供應(yīng)給邏輯電路的使能信號(hào)和作為掃描信號(hào)的參 考通過與邏輯電路連接的掃描線供應(yīng)給邏輯電路的參考信號(hào)的邏輯積，以便依照使能信號(hào) 設(shè)置掃描信號(hào)的上升和下降定時(shí)。掃描信號(hào)的參考是從中生成掃描信號(hào)的參考信號(hào)。另 外，定義邏輯處理部分的原因是在用于生成要供應(yīng)給采用在定義邏輯處理部分中的它們各 自邏輯電路的任何特定一個(gè)參考信號(hào)的時(shí)間段內(nèi)計(jì)算這樣的邏輯積，并且正是在該時(shí)間段 內(nèi)，在為特定參考信號(hào)提供的邏輯電路上形成，用作接收使能信號(hào)的輸入節(jié)點(diǎn)的輸入節(jié)點(diǎn) 與公用傳輸線電連接。從上面的描述中可明顯看出，每個(gè)邏輯電路都含有作為接收使能信號(hào)的輸入節(jié)點(diǎn) 的使能信號(hào)輸入節(jié)點(diǎn)。正是在用于生成要供應(yīng)給特定邏輯電路的任何特定參考信號(hào)的時(shí)間 段內(nèi)，特定邏輯電路的使能信號(hào)輸入節(jié)點(diǎn)與公用傳輸線電連接。因此，與邏輯電路接收的參 考信號(hào)同步地將使能信號(hào)供應(yīng)給邏輯電路。在用于生成特定參考信號(hào)的時(shí)間段內(nèi)，接收特定參考信號(hào)的邏輯電路是含有與公用傳輸線電連接的使能信號(hào)輸入節(jié)點(diǎn)的邏輯電路。因此，與每個(gè)邏輯電路的使能信號(hào)接收輸入節(jié)點(diǎn)與公用傳輸線電連接的配置相 比，公用傳輸線承擔(dān)的總負(fù)載的電容減小到幾分之一。公用傳輸線承擔(dān)的總負(fù)載的電容包 括組成與公用傳輸線電連接的每個(gè)邏輯電路的晶體管的電容。其結(jié)果是，可以減小在對(duì)公 用傳輸線充電和從公用傳輸線放電的過程中消耗的功率。也就是說，因此可以降低掃描部 分的功耗。在這個(gè)實(shí)施例的情況下，掃描線是沿著垂直方向布置的水平掃描線。如下的描述將說明每一個(gè)具體實(shí)現(xiàn)行掃描電路的一些優(yōu)選實(shí)施例。如下所述的每 個(gè)實(shí)施例將實(shí)現(xiàn)起行掃描部分作用的寫掃描電路40。更具體地說，如下所述的實(shí)施例是分 別實(shí)現(xiàn)寫掃描電路40A，40B和40C的第一、第二和第三實(shí)施例。也就是說，寫掃描電路40A， 40B和40C是分別按照第一、第二和第三實(shí)施例的寫掃描電路40。應(yīng)該注意到，電源掃描電 路50也是按照該實(shí)施例的行掃描電路的典型具體實(shí)現(xiàn)。電源掃描電路50可以設(shè)計(jì)成具有 與寫掃描電路40相同的配置。2-1 第一實(shí)施例圖10是示出按照第一實(shí)施例的寫掃描電路40A的典型配置的方塊圖。如圖10所 示，按照第一實(shí)施例的寫掃描電路40A采用電平轉(zhuǎn)換電路41，42和43、移位寄存器部分44、 第一邏輯電路部分45、電平移位電路部分46、開關(guān)部分47、第二邏輯電路部分和緩沖器部 分49。在如下的描述中，電平轉(zhuǎn)換電路41，42和43也可以分別稱為L(zhǎng)/S(電平移位)電路 41，42和43。為了使圖10簡(jiǎn)單些，寫掃描電路40A的典型配置被顯示成包括為從第一像素 行開始的四個(gè)像素行提供的部分。按照第一實(shí)施例的寫掃描電路40A接收垂直開始脈沖VST、垂直時(shí)鐘信號(hào)VCK和垂 直使能信號(hào)VEN。垂直開始脈沖VST、垂直時(shí)鐘信號(hào)VCK和垂直使能信號(hào)VEN每一個(gè)都具有 典型高電平為3V和典型低電平為OV的幅度。應(yīng)該注意到，垂直開始脈沖VST和垂直時(shí)鐘 信號(hào)VCK對(duì)應(yīng)于顯示在圖1中的開始脈沖sp和時(shí)鐘脈沖信號(hào)ck。在如下的描述中，將垂 直開始脈沖VST、垂直時(shí)鐘信號(hào)VCK和垂直使能信號(hào)VEN每一個(gè)的幅度稱為第一電壓系統(tǒng)I 的幅度，即，典型高電平為3V和典型低電平為OV的幅度。另外，在如下的描述中，將幅度的 高電平稱為H電平，而將幅度的低電平稱為L(zhǎng)電平。在圖10中，電平移位電路41，42和43將垂直開始脈沖VST、垂直時(shí)鐘信號(hào)VCK和 垂直使能信號(hào)VEN的幅度分別改變成典型H電平為IOV和典型L電平為OV的幅度。如果 寫掃描電路40具體由多晶硅組成和實(shí)現(xiàn)在顯示面板70上，H電平為IOV和L電平為OV的 幅度適用于驅(qū)動(dòng)由多晶硅組成的寫掃描電路40的操作。另外，H電平為IOV和L電平為OV 的幅度小于適用于驅(qū)動(dòng)有機(jī)EL器件21的操作的信號(hào)的幅度。在如下的描述中，將具有IOV 的H電平和OV的L電平和小于適用于驅(qū)動(dòng)有機(jī)EL器件21的操作的信號(hào)的幅度的幅度稱 為第二電壓系統(tǒng)II的幅度。另一方面，將適用于驅(qū)動(dòng)有機(jī)EL器件21的操作的信號(hào)的幅度 稱為第三電壓系統(tǒng)III。移位寄存器部分44被配置成采用依照級(jí)聯(lián)技術(shù)相互連線的S/R(移位寄存 器)44-1到44-4。每一個(gè)用作單元電路的移位寄存器44-1到44_4分別與像素矩陣部分 30的掃描線31-1到31-4相關(guān)聯(lián)。移位寄存器部分44與從電平移位電路42接收的垂直時(shí) 鐘信號(hào)VCK同步地依次移位從電平移位電路41接收的垂直開始脈沖VST。因此，移位寄存器44-1到44-4分別依次生成移位信號(hào)SR OUT(I)到SROUT (4)。
23沿著時(shí)間軸依次生成的移位信號(hào)SR OUT(I)到SR OUT (4)是每個(gè)用于以像素行為單位選擇 采用在像素矩陣部分30中的像素電路20的掃描信號(hào)的原始參考。也就是說，每一個(gè)沿著 時(shí)間軸生成用作如下所述的參考信號(hào)的原點(diǎn)的移位信號(hào)SR OUT(I)到SR OUT(4)用于生成 它們各自的掃描信號(hào)。順便說一下，每一個(gè)用于以像素行為單位選擇采用在像素矩陣部分 30中的像素電路20的掃描信號(hào)是如圖1所示的寫掃描信號(hào)WSl到WSm。第一邏輯電路部分45被配置成采用分別與像素矩陣部分30的掃描線31-1到 31-4相關(guān)聯(lián)的邏輯電路45-1到45-4。邏輯電路45_1到45_4工作在第二電壓系統(tǒng)II中。 邏輯電路45-1到45-4對(duì)分別從采用在移位寄存器部分44中的移位寄存器44-1到44-4接 收的移位信號(hào)SR OUT(I)到SR OUT (4)進(jìn)行事先確定的邏輯處理。邏輯電路45_1到45_4 每一個(gè)都將移位轉(zhuǎn)換前參考信號(hào)輸出到電平移位電路部分46。應(yīng)該注意到，可能存在特定掃描信號(hào)的波形隨緊靠該特定掃描信號(hào)輸出到掃描線 的另一個(gè)掃描信號(hào)而變的情況。在另一種情況下，采用交織技術(shù)將奇數(shù)場(chǎng)和偶數(shù)場(chǎng)中的掃 描信號(hào)的波形相互交織。為了對(duì)付這樣的情況，采用在第一邏輯電路部分45中的邏輯電路 45-1到45-4分別對(duì)分別從采用在移位寄存器部分44中的移位寄存器44_1到44_4接收的 移位信號(hào)SR OUT(I)到SROUT(4)進(jìn)行復(fù)雜邏輯處理。電平移位電路部分46被配置成采用分別與像素矩陣部分30的掃描線31-1到 31-4相關(guān)聯(lián)的電平移位電路46-1到46-4。電平移位電路46_1到46_4將分別由采用在第 一邏輯電路部分45中的邏輯電路45-1到45-4生成的電平移位前參考信號(hào)的幅度從第二 電壓系統(tǒng)II的幅度改變成適用于驅(qū)動(dòng)有機(jī)EL器件21的操作的幅度。適用于驅(qū)動(dòng)有機(jī)EL 器件21的操作的幅度具有15V的典型H電平和OV的典型L電平。在如下的描述中，如上 所述，將適用于驅(qū)動(dòng)有機(jī)EL器件21的操作的幅度稱為第三電壓系統(tǒng)III的幅度。電平移 位電路46-1到46-4每一個(gè)都將電平移位后參考信號(hào)輸出到開關(guān)部分47。在如下的描述 中，為了簡(jiǎn)化描述起見，電平移位后參考信號(hào)也被簡(jiǎn)稱為參考信號(hào)。開關(guān)部分47被配置成采用分別與像素矩陣部分30的掃描線31-1到31_4相關(guān) 聯(lián)的開關(guān)器件47-1到47-4。開關(guān)器件47-1到47_4每一個(gè)都通常是NchMOS晶體管。Nch MOS晶體管47-1到47-4每一個(gè)都分別配備在公用傳輸線SL與采用在第二邏輯電路部分 48中的邏輯電路48-1到48-4之一的特定輸入節(jié)點(diǎn)之間。采用在第二邏輯電路部分48中 的邏輯電路48-1到48-4的任何特定一個(gè)的特定輸入節(jié)點(diǎn)是在邏輯電路48-1到48_4的特 定一個(gè)上形成，用作通過公用傳輸線SL接收供應(yīng)給邏輯電路48-1到48-4的特定一個(gè)的垂 直使能信號(hào)VEN的輸入節(jié)點(diǎn)的輸入節(jié)點(diǎn)。公用傳輸線SL用于以第二電壓系統(tǒng)II的幅度供應(yīng)電平移位電路43生成的垂直 使能信號(hào)VEN，作為采用在電平移位電路部分46中的電平移位電路46-1到64_4輸出的參 考信號(hào)公用的或采用在開關(guān)部分47中的Nch MOS晶體管47-1到47-4公用的使能信號(hào)。將 采用在電平移位電路部分46中的電平移位電路46-1到64-4輸出的參考信號(hào)分別供應(yīng)給 采用在第二邏輯電路部分48中的邏輯電路48-1到48-4的其它輸入節(jié)點(diǎn)和分別供應(yīng)給采 用在開關(guān)部分47中的Nch MOS晶體管47-1到47_4的柵極，以便當(dāng)參考信號(hào)被設(shè)置在H電 平上時(shí)，使接收參考信號(hào)的Nch MOS晶體管47-1，47-2，47-3和47-4進(jìn)入接通狀態(tài)。在這 樣的配置中，正是在用于生成要從采用在電平移位電路部分46中的電平移位電路46-1到 64-4分別供應(yīng)給采用在第二邏輯電路部分48中的邏輯電路48-1到48_4的任何特定一個(gè)參考信號(hào)的時(shí)間段內(nèi)，在為特定參考信號(hào)提供的邏輯電路48-1，48-2，48-3或48-4每一個(gè) 上形成，用作接收垂直使能信號(hào)VEN的輸入節(jié)點(diǎn)的輸入節(jié)點(diǎn)分別通過采用在開關(guān)部分47中 的NchMOS晶體管47-1，47-2，47-3或47_4與公用傳輸線SL電連接。應(yīng)該注意到，生成的 要從采用在電平移位電路部分46中的電平移位電路46-1到64-4分別供應(yīng)給采用在第二 邏輯電路部分48中的邏輯電路48-1到48-4的參考信號(hào)是最初從如前所述分別由采用在 移位寄存器部分44中的S/R(移位寄存器)44-1到44-4輸出的移位信號(hào)SR OUT(I)到SR OUT (4)中生成的信號(hào)。第二邏輯電路部分48被配置成采用分別與像素矩陣部分30的掃描線31-1到 31-4相關(guān)聯(lián)的上述邏輯電路48-1到48-4。邏輯電路48_1到48_4每一個(gè)都通常是含有兩 個(gè)輸入節(jié)點(diǎn)的AND門。如上所述，采用在第二邏輯電路部分48中的2-輸入AND門48_1到 48-4每一個(gè)的另一輸入節(jié)點(diǎn)用于接收分別由采用在電平移位電路部分46中的電平移位電 路46-1到64-4生成的參考信號(hào)。參考信號(hào)是從最初分別由采用在移位寄存器部分44中 的S/R(移位寄存器)44-1到44-4輸出的移位信號(hào)SR OUT(I)到SR OUT(4)之一中導(dǎo)出的。 另一方面，也如上所述，2-輸入AND門48-1到48-4每一個(gè)的特定輸入節(jié)點(diǎn)用于分別通過已 經(jīng)通過參考信號(hào)有選擇地接通的Nch MOS晶體管47-1，47-2，47-3或47-4接收電平移位電 路43供應(yīng)的垂直使能信號(hào)VEN。然后，2-輸入AND門48_1到48_4每一個(gè)都分別計(jì)算分別由采用在移位寄存器部 分44中的S/R(移位寄存器)44-1到44-4輸出的移位信號(hào)SR OUT(I)到SR OUT (4)之一 與垂直使能信號(hào)VEN的邏輯積，以便生成利用垂直使能信號(hào)VEN的上升和下降定時(shí)改變了 其電平的輸出信號(hào)。2-輸入AND門48-1到48-4分別通過采用在緩沖器部分49中的緩沖 器49-1到49-4將輸出信號(hào)供應(yīng)給像素矩陣部分30的掃描線31_1到31_4。由2-輸入AND 門48-1到48-4分別通過采用在緩沖器部分49中的緩沖器49_1到49_4分別供應(yīng)給像素 矩陣部分30的掃描線31-1到31-4的輸出信號(hào)分別稱為寫掃描信號(hào)WS(I)到WS (4)。圖11是示出每一個(gè)具有第一電壓系統(tǒng)I的幅度的垂直開始脈沖VST、具有第一電 壓系統(tǒng)I的幅度的垂直時(shí)鐘信號(hào)VCK、具有第一電壓系統(tǒng)I的幅度的垂直使能信號(hào)VEN、每 一個(gè)具有第二電壓系統(tǒng)II的幅度的移位信號(hào)SROUT(I)到SR OUT(4)和每一個(gè)具有第三電 壓系統(tǒng)III的幅度的寫掃描信號(hào)WS(I)到WS(4)的定時(shí)之間的關(guān)系的時(shí)序/波形圖。從圖 11的時(shí)序/波形圖中可明顯看出，垂直使能信號(hào)VEN是在IH內(nèi)上升和下降一次的脈沖信 號(hào)，其中記號(hào)IH表示水平掃描時(shí)段。垂直使能信號(hào)VEN上升的定時(shí)被稱為上升定時(shí)。另一 方面，垂直使能信號(hào)VEN下降的定時(shí)被稱為下降定時(shí)。如前所述，垂直使能信號(hào)VEN的上升 和下降定時(shí)規(guī)定寫掃描信號(hào)WS(I)到WS(4)的上升和下降定時(shí)。從電壓系統(tǒng)I到電壓系統(tǒng)II的第一典型電平移位電路圖12是示出將幅度從第一電壓系統(tǒng)I的幅度改變成第二電壓系統(tǒng)II的幅度的電 平移位電路41，42和43的第一典型例子的電路圖。電平移位電路41，42和43的第一典型例子是所謂電流鏡型的電平移位電路。如 圖所示，所謂電流鏡型的典型電平移位電路采用Pch MOS晶體管Qll和Q12。Pch MOS晶體 管Qll和Q12的源極與正側(cè)電源VDDII連接，正側(cè)電源VDDII用于產(chǎn)生電平對(duì)應(yīng)于第二電 壓系統(tǒng)II的H電平的功率。PchMOS晶體管Qll和Q12形成電流鏡電路。Pch MOS晶體管 Q12的柵極與PchMOS晶體管Q12的漏極和Pch MOS晶體管Qll的柵極連接。
Pch MOS晶體管Qll的漏極與Nch MOS晶體管Q13的漏極連接，而PchMOS晶體管 Q12的漏極與Nch MOS晶體管Q14的漏極連接。Nch MOS晶體管Q13和Q14的柵極與正側(cè) 電源VDDII連接。Nch MOS晶體管Q13的源極接收幅度等于第一電壓系統(tǒng)I的幅度的輸入 信號(hào)IN，而Nch MOS晶體管Q14的源極接收將輸入信號(hào)IN反相獲得的反相輸入信號(hào)xIN。應(yīng)該注意到，在一些配置中，Nch MOS晶體管Q14的源極接收具有恒定電平的參考 電壓REF而不是反相輸入信號(hào)xIN。在這樣的配置中，參考電壓REF的恒定電壓近似等于輸 入信號(hào)IN的H和L電平的平均值。電平移位電路41，42或43的第一典型例子分別接收垂直開始脈沖VST、垂直時(shí)鐘 信號(hào)VCK或垂直使能信號(hào)VEN作為輸入信號(hào)IN。如上所述，垂直開始脈沖VST、垂直時(shí)鐘信 號(hào)VCK和垂直使能信號(hào)VEN每一個(gè)都具有等于第一電壓系統(tǒng)I的幅度的幅度。依照輸入信 號(hào)IN和反相輸入信號(hào)xIN彼此互補(bǔ)地接通和斷開Nch MOS晶體管Q13和Q14，以便出現(xiàn)在 Nch MOS晶體管Q13和Q14的漏極上的電壓以等于第二電壓系統(tǒng)II的幅度的幅度變化。電平移位電路41，42或43的第一典型例子通過受用作電源的第二電壓系統(tǒng)II驅(qū) 動(dòng)而工作的緩沖器電路B11，將出現(xiàn)在Nch MOS晶體管Q13的漏極上的電壓作為輸出信號(hào) OUT輸出到分別在電平移位電路41，42或43外部的電路。這樣，電平移位電路41，42或43 的第一典型例子將作為幅度等于第一電壓系統(tǒng)I的幅度的輸入信號(hào)IN供應(yīng)給它的垂直開 始脈沖VST、時(shí)鐘信號(hào)VCK和垂直使能信號(hào)VEN分別轉(zhuǎn)換成幅度等于第二電壓系統(tǒng)II的幅 度的輸出信號(hào)OUT。圖13是示出第一典型電平移位電路中輸入信號(hào)IN和反相輸入信號(hào)xIN以及輸出 信號(hào)OUT和反相輸出信號(hào)XOUT的波形的時(shí)序/波形圖。反相輸出信號(hào)XOUT是將輸出信號(hào) OUT反相獲得的信號(hào)。顯示在圖13的時(shí)序/波形圖中的電壓VSSII是負(fù)側(cè)電源的電壓。負(fù) 側(cè)電源的電壓VSSII對(duì)應(yīng)于第二電壓系統(tǒng)II的L電平和顯示在圖12的電路圖中的第一典 型電平移位電路的GND (地)電平。從電壓系統(tǒng)I到電壓系統(tǒng)II的第二典型電平移位電路圖14是示出將幅度從第一電壓系統(tǒng)I的幅度改變成第二電壓系統(tǒng)II的幅度的電 平移位電路41，42和43的第二典型例子的電路圖。與電平移位電路41，42和43的第一典型例子非常相似，電平移位電路41，42和43 的第二典型例子也是所謂電流鏡型的電平移位電路。如圖所示，所謂電流鏡型的第二典型 電平移位電路采用Pch MOS晶體管Q21和Q22。PchMOS晶體管Q21和Q22的源極與正側(cè)電 源VDDII連接。Pch MOS晶體管Q21和Q22形成電流鏡電路。Pch MOS晶體管Q22的柵極 與Pch MOS晶體管Q12的漏極和Pch MOS晶體管Q21的柵極連接。Pch MOS晶體管Q21的漏極與Nch MOS晶體管Q23的漏極連接，而PchMOS晶體管 Q22的漏極與Nch MOS晶體管Q24的漏極連接。Nch MOS晶體管Q23和Q24的柵極分別通 過Pch MOS晶體管Q27和Q28與正側(cè)電源VDDII連接。Nch MOS晶體管Q23的源極接收幅 度等于第一電壓系統(tǒng)I的幅度的輸入信號(hào)IN，而Nch MOS晶體管Q24的源極接收將輸入信 號(hào)IN反相獲得的反相輸入信號(hào)xIN。電平移位電路41，42或43的第二典型例子通過受用 作電源的第二電壓系統(tǒng)II驅(qū)動(dòng)而工作的緩沖器電路B21，將出現(xiàn)在NchMOS晶體管Q23的漏 極上的電壓作為輸出信號(hào)OUT輸出到分別在電平移位電路41，42或43外部的電路。另外，電平移位電路41，42或43的第二典型例子還采用Pch MOS晶體管Q25，PchMOS晶體管Q25含有與地連接的源極和將反相輸入信號(hào)xIN提供給它的柵極。還有，電平 移位電路41，42或43的第二典型例子還采用PchMOS晶體管Q26，Pch MOS晶體管Q26含有 與地連接的源極和將輸入信號(hào)IN提供給它的柵極。Pch MOS晶體管Q25的漏極與Nch MOS 晶體管Q23的柵極連接，而Pch MOS晶體管Q26的漏極與Nch MOS晶體管Q24的柵極連接。 因此，Pch MOS晶體管Q25的漏極通過Pch MOS晶體管Q27與第二電壓系統(tǒng)II連接，而Pch MOS晶體管Q26的漏極通過Pch MOS晶體管Q28與第二電壓系統(tǒng)II連接。Pch MOS晶體管 Q27和Q28的柵極每一個(gè)都與地GND連接。Pch MOS晶體管Q25的漏極還與Nch MOS晶體管Q30的漏極連接，而Pch MOS晶體 管Q26的漏極與Nch MOS晶體管Q29的漏極連接。Nch MOS晶體管Q29的柵極與Pch MOS 晶體管Q25的漏極連接，而Nch MOS晶體管Q30的柵極與Pch MOS晶體管Q26的漏極連接。 Nch MOS晶體管Q29的源極接收輸入信號(hào)IN，而Nch MOS晶體管Q30的源極接收反相輸入 信號(hào)XlN0應(yīng)該注意到，在一些配置中，Nch MOS晶體管Q24的源極、Pch MOS晶體管Q25的 柵極和Nch MOS晶體管Q30的源極接收具有恒定電平的參考電壓REF而不是反相輸入信號(hào) XlN0在這樣的配置中，參考電壓REF的恒定電壓近似等于輸入信號(hào)IN的H和L電平的平 均值。電平移位電路41，42或43的第二典型例子通過接收和斷開Nch MOS晶體管Q23 和Q24，以足夠大反饋增益將作為幅度等于第一電壓系統(tǒng)I的幅度的輸入信號(hào)IN供應(yīng)給它 的垂直開始脈沖VST、時(shí)鐘信號(hào)VCK和垂直使能信號(hào)VEN分別轉(zhuǎn)換成幅度等于第二電壓系統(tǒng) II的幅度的輸出信號(hào)OUT。圖15是示出第二典型電平移位電路中輸入信號(hào)IN和反相輸入信號(hào)xIN以及輸出 信號(hào)OUT和反相輸出信號(hào)XOUT的波形的時(shí)序/波形圖。反相輸出信號(hào)XOUT是將輸出信號(hào) OUT反相獲得的信號(hào)。顯示在圖15中的電壓VSSII是負(fù)側(cè)電源的電壓。負(fù)側(cè)電源的電壓對(duì) 應(yīng)于第二電壓系統(tǒng)II的L電平和顯示在圖14中的第二典型電平移位電路的GND(地)電平。上面的描述說明了將幅度從第一電壓系統(tǒng)I的幅度改變成第二電壓系統(tǒng)II的幅 度的兩種典型電平移位電路，即，第一和第二典型電平移位電路41，42和43。然而，應(yīng)該注 意到，電平移位電路41，42和43決不會(huì)局限于這兩種典型電平移位電路。也就是說，可以 使用每一種具有不同于這兩種典型電平移位電路的配置的多種電平移位電路。從電壓系統(tǒng)II到電壓系統(tǒng)III的典型電平移位電路圖16是示出將參考信號(hào)的幅度從第二電壓系統(tǒng)II的幅度改變成第三電壓系統(tǒng)的 幅度的電平移位電路46-1到46-4的典型例子的電路圖。電平移位電路46-1到46-4的典型例子是所謂鎖存器型的電平移位電路。如圖所 示，所謂鎖存器型的典型電平移位電路采用Pch MOS晶體管Q31和Q32。Pch MOS晶體管 Q31和Q32的源極與正側(cè)電源VDDII連接，正側(cè)電源VDDII對(duì)應(yīng)于第二電壓系統(tǒng)II的H電 平。Pch MOS晶體管Q31的柵極接收幅度等于第二電壓系統(tǒng)II的幅度的輸入信號(hào)IN，而 Pch MOS晶體管Q32的柵極接收通過將輸入信號(hào)IN反相獲得的反相輸入信號(hào)xIN。Pch MOS晶體管Q31的漏極通過Nch MOS晶體管Q33與負(fù)側(cè)電源VSSIII連接，負(fù) 側(cè)電源VSSIII對(duì)應(yīng)于第三電壓系統(tǒng)III的L電平，而Pch MOS晶體管Q32的漏極通過Nch
27MOS晶體管Q34與負(fù)側(cè)電源VSSIII連接。NchMOS晶體管Q33的柵極與Nch MOS晶體管Q34 的漏極連接，而Nch MOS晶體管Q34的柵極與Nch MOS晶體管Q33的漏極連接。在這種配 置中，電平移位電路46-1到46-4每一個(gè)都通過依照每一個(gè)的幅度等于第二電壓系統(tǒng)II的 幅度的輸入信號(hào)IN和反相輸入信號(hào)xIN，互補(bǔ)地接通Pch MOS晶體管Q31和Q32，將出現(xiàn)在 Nch MOS晶體管Q33和Q34每一個(gè)的漏極上的電壓從第二電壓系統(tǒng)II的H電平改變成第三 電壓系統(tǒng)III的L電平或反過來。將出現(xiàn)在Nch MOS晶體管Q33的漏極上的電壓供應(yīng)給Nch MOS晶體管Q36的柵極 作為中間反相輸出信號(hào)xOUTl，而將出現(xiàn)在Nch MOS晶體管Q34的漏極上的電壓供應(yīng)給Nch MOS晶體管Q35的柵極作為中間輸出信號(hào)OUTl。Nch MOS晶體管Q35和Q36的源極與負(fù)側(cè) 電源VSSIII連接，負(fù)側(cè)電源VSSIII對(duì)應(yīng)于第三電壓系統(tǒng)III的L電平。Nch MOS晶體管 Q35的漏極通過Pch MOS晶體管Q37與正側(cè)電源VDDIII連接，正側(cè)電源VDDIII對(duì)應(yīng)于第三 電壓系統(tǒng)III的H電平，而Nch MOS晶體管Q36的漏極通過Pch MOS晶體管Q38與正側(cè)電 源VDDIII連接。Pch MOS晶體管Q37的柵極與Pch MOS晶體管Q38的漏極連接，而PchMOS晶體管 Q38的柵極與Pch MOS晶體管Q37的漏極連接。在這種配置中，電平移位電路46_1到46_4 每一個(gè)都依照中間反相輸出信號(hào)x0UT2和中間輸出信號(hào)0UT2，即，依照每一個(gè)的幅度等于 第二電壓系統(tǒng)II的幅度的輸入信號(hào)IN和反相輸入信號(hào)xIN，將出現(xiàn)在Nch MOS晶體管Q35 和Q36每一個(gè)的漏極上的電壓從第三電壓系統(tǒng)III的H電平改變成第三電壓系統(tǒng)III的L 電平或反過來。電平移位電路46-1到46-4每一個(gè)都分別輸出出現(xiàn)在Nch MOS晶體管Q35 和Q36每一個(gè)的漏極上的電壓作為最終反相輸入信號(hào)X0UT2和最終輸出信號(hào)0UT2。眾所周知，鎖存器型的典型電平移位電路具有小于電流鏡型的第一和第二電平移 位電路的功耗。尤其，將參考信號(hào)的幅度從第二電壓系統(tǒng)II的幅度改變成第三電壓系統(tǒng) III的幅度的鎖存器型的典型電平移位電路所代表的電平移位電路46-1到46-4每一個(gè)都 是為像素矩陣部分30的掃描線31-1到31-m之一提供的。因此，構(gòu)建寫掃描電路40A所需 的電平移位電路46-1到46-4的數(shù)量不可避免地很大。然而，通過使用構(gòu)建電平移位電路 46所需的電平移位電路46-1到46-4，寫掃描電路40A的功耗與采用電流鏡型的電平移位 電路46-1到46-4的寫掃描電路40相比變小。其結(jié)果是，采用含有鎖存器型的電平移位電 路46-1到46-4的寫掃描電路40A的有機(jī)EL顯示裝置10提供了使功耗顯著降低的優(yōu)點(diǎn)。圖17是示出如圖16所示的典型電平移位電路中輸入信號(hào)IN和反相輸入信號(hào) xIN、中間輸出信號(hào)OUTl和中間反相輸出信號(hào)xOUTl以及最終輸出信號(hào)0UT2和最終反相輸 出信號(hào)X0UT2的波形的時(shí)序/波形圖。第二邏輯電路部分的邏輯電路圖18是示出每一個(gè)用作采用在第二邏輯部分48中的2-輸入邏輯積電路的2_輸 入AND門48-1到48-4每一個(gè)的符號(hào)的示圖。2-輸入AND門48_1到48_4每一個(gè)都計(jì)算供 應(yīng)給它的2個(gè)輸入信號(hào)mi和IN2的邏輯積，輸出邏輯積作為輸出信號(hào)OUT。圖19是示出 每一個(gè)也稱為2-輸入AND電路的2-輸入AND門48_1到48_4的真值表的示圖。圖20是示出2-輸入AND門48_1到48_4每一個(gè)的典型具體配置的電路圖。如圖 20所示，2-輸入AND門48-1到48_4每一個(gè)都受與第三電壓系統(tǒng)III的H電平相對(duì)應(yīng)的 正側(cè)電源VDDIII和與第三電壓系統(tǒng)III的L電平相對(duì)應(yīng)的負(fù)側(cè)電源VSSIII驅(qū)動(dòng)而工作。2-輸入AND門48-1到48-4每一個(gè)都采用Pch MOS晶體管Q41以及Nch MOS晶體管Q42和 Q43。Pch MOS晶體管Q41、Nch MOS晶體管Q42和Nch MOS晶體管Q43相互串聯(lián)在正側(cè)電 源VDDIII與負(fù)側(cè)電源VSSIII之間。Pch MOS晶體管Q41和Pch MOS晶體管Q44與電平移 位電路42連接形成并聯(lián)電路。Nch MOS晶體管Q42和Q43的柵極分別用作AND門48_1到48_4每一個(gè)的兩個(gè)輸 入節(jié)點(diǎn)。Nch MOS晶體管Q42和Q43的柵極分別接收兩個(gè)輸入信號(hào)1附和IN2。AND門48_1 到48-4每一個(gè)的兩個(gè)輸入節(jié)點(diǎn)的特定一個(gè)用作接收垂直使能信號(hào)VEN的輸入節(jié)點(diǎn)。也就 是說，將垂直使能信號(hào)VEN供應(yīng)給AND門48-1到48_4每一個(gè)都作為輸入信號(hào)mi和IN2 之一。AND門48-1到48-4每一個(gè)的兩個(gè)輸入節(jié)點(diǎn)的另一個(gè)用作接收電平移位電路46輸出 的參考信號(hào)的輸入節(jié)點(diǎn)。用于接收垂直使能信號(hào)VEN的特定輸入節(jié)點(diǎn)被選為用作通過采用 在開關(guān)部分47中的Nch MOS晶體管與傳播垂直使能信號(hào)VEN的公用傳輸線SL連接的輸入 節(jié)點(diǎn)。通過反相器電路INV41將出現(xiàn)在Nch MOS晶體管Q42的漏極上的電壓輸出到緩沖器 部分49作為輸出信號(hào)OUT。按照第一實(shí)施例的寫掃描電路的效果按照第一實(shí)施例的寫掃描電路40A包括每一個(gè)為多條掃描線之一提供的電平移 位電路46-1到46-4。電平移位電路46-1到46_4將移位信號(hào)SR OUT(I)到SR OUT (4)的 幅度分別從第一幅度改變成第二幅度。在這個(gè)實(shí)施例的情況下，第一幅度是第二電壓系統(tǒng) II的幅度，而第二幅度是第三電壓系統(tǒng)III的幅度。如上所述，移位信號(hào)SR OUT(I)到SR OUT(4)每一個(gè)都是如圖10所示分別生成寫掃描信號(hào)WS(I)到WS(4)之一的原始參考信號(hào)。此外，如前所述，通過使用構(gòu)建電平移位電路部分46所需的鎖存器型電平移位電 路妨-丨到46-4，寫掃描電路40A的功耗與采用電流鏡型的電平移位電路46_1到46_4的 寫掃描電路40相比變小了。另一方面，尤其，如果寫掃描電路40由多晶硅制成，在電平移 位電路46-1到46-4之間，傳播延遲時(shí)間因采用在電平移位電路46-1到46_4中的電路元 件之間的特性變化而變化。對(duì)于這樣的延遲時(shí)間變化，在電平移位電路46-1到46-4之間， 分別通過邏輯電路45-1到45-4最終分別供應(yīng)給電平移位電路46-1到46_4的移位信號(hào) SROUT(I)到SR OUT(4)之間的定時(shí)關(guān)系也是變化的。如上所述，移位信號(hào)SR OUT(I)到SR OUT(4)是沿著時(shí)間軸分別生成寫掃描信號(hào) WS(I)到WS(4)的原始參考信號(hào)。因此，如果在電平移位電路46-1到46-4之間，分別通過 邏輯電路45-1到45-4分別供應(yīng)給電平移位電路46-1到46_4的移位信號(hào)SR OUT (1)到SR OUT(4)之間的定時(shí)關(guān)系是變化的，在像素矩陣部分30的掃描線31-1到31-4之間，寫掃描 信號(hào)WS(I)到(4)之間的定時(shí)關(guān)系也是變化的。像素矩陣部分30的掃描線31-1到31-4 之間的寫掃描信號(hào)WS(I)到(4)之間的變化定時(shí)關(guān)系對(duì)通過有機(jī)EL顯示裝置10顯示的圖 像造成多種不良影響。為了解決上述問題，按照第一實(shí)施例的寫掃描電路40A被配置成通過公用傳輸線 SL將垂直使能信號(hào)VEN供應(yīng)給第二邏輯電路部分48，作為用作分別生成寫掃描信號(hào)WS (1) 到WS(4)的參考信號(hào)的移位信號(hào)SR OUT(I)到SR0UT(4)公用的垂直使能信號(hào)。因此，寫掃 描信號(hào)WS(I)到WS(4)的上升和下降定時(shí)通過垂直使能信號(hào)VEN的上升和下降定時(shí)來規(guī) 定。其結(jié)果是，對(duì)于像按照第一實(shí)施例的寫掃描電路40A的情況那樣，電平移位電路46-1 到46-4每一個(gè)都是分別為像素矩陣部分30的掃描線31-1到34-4之一提供的配置，可以防止寫掃描信號(hào)WS(I)到WS(4)之間的定時(shí)關(guān)系因電平移位電路46-1到46-4之間的傳播 延遲時(shí)間變化而變化。從前面作為基本操作的描述參照?qǐng)D4的時(shí)序/波形圖給出的描述中可明顯看出， 按照本發(fā)明實(shí)施例的有機(jī)EL顯示裝置10具有閾補(bǔ)償功能和遷移率補(bǔ)償功能。如前所述， 閾補(bǔ)償功能是為了對(duì)像素電路20補(bǔ)償采用在像素電路20中的驅(qū)動(dòng)晶體管22的閾電壓Vth 的變化而執(zhí)行的功能，而遷移率補(bǔ)償功能是為了對(duì)像素電路20補(bǔ)償采用在像素電路20中 的驅(qū)動(dòng)晶體管22的遷移率μ的變化而執(zhí)行的功能。從圖4的時(shí)序/波形圖中可明顯看出，閾補(bǔ)償時(shí)段和遷移率補(bǔ)償時(shí)段每一個(gè)都由 采用在如圖1所示的有機(jī)EL顯示裝置10中的寫掃描電路40輸出的寫掃描信號(hào)WS的有效 時(shí)段的長(zhǎng)度，換句話說，由脈沖寬度決定。為了設(shè)置閾補(bǔ)償時(shí)段和遷移率補(bǔ)償時(shí)段，寫掃描 電路40在I-H時(shí)段中激活寫掃描信號(hào)WS兩次。另外，如果采用進(jìn)行所述分離閾補(bǔ)償處理 的驅(qū)動(dòng)方法，寫掃描電路40必須多次激活寫掃描信號(hào)WS。更具體地說，寫掃描電路40在與 遷移率補(bǔ)償處理和信號(hào)寫處理一起進(jìn)行閾補(bǔ)償處理的I-H時(shí)段內(nèi)必須激活寫掃描信號(hào)WS 一次，并且還必須在I-H時(shí)段帶頭的多個(gè)水平掃描時(shí)段上激活寫掃描信號(hào)WS —次或多次。如上所述，寫掃描電路40輸出的寫掃描信號(hào)WS是進(jìn)行信號(hào)寫處理并確定閾補(bǔ)償 時(shí)段和遷移率補(bǔ)償時(shí)段的信號(hào)。因此，可以防止寫掃描信號(hào)WS(I)到WS(4)之間的定時(shí)關(guān) 系因電平移位電路46-1到46-4之間的傳播延遲時(shí)間變化而變化。其結(jié)果是，由于可以高 度可靠地進(jìn)行閾補(bǔ)償處理和遷移率補(bǔ)償處理的每一種，所以可以提高有機(jī)EL顯示裝置10 顯示的圖像的質(zhì)量。尤其，如前所述，遷移率補(bǔ)償處理是通過升高出現(xiàn)在驅(qū)動(dòng)晶體管22的源極上的電 壓Vs進(jìn)行的。因此，如果遷移率補(bǔ)償時(shí)段隨驅(qū)動(dòng)晶體管22而變，出現(xiàn)在驅(qū)動(dòng)晶體管22的 源極上的電壓Vs的增量也隨像素電路20而變。例如，如果驅(qū)動(dòng)晶體管22的遷移率補(bǔ)償時(shí) 段變長(zhǎng)了，出現(xiàn)在驅(qū)動(dòng)晶體管22的源極上的電壓Vs的增量也變大。如果出現(xiàn)在驅(qū)動(dòng)晶體 管22的源極上的電壓Vs的增量也變大了，出現(xiàn)在驅(qū)動(dòng)晶體管22的柵極與源極之間的電壓 Vgs減小。因此，有機(jī)EL器件21發(fā)出的光的亮度隨著時(shí)間的流逝而降低。其結(jié)果是，有機(jī) EL顯示裝置10顯示的圖像的質(zhì)量變差了。顯示圖像質(zhì)量變差的典型例子是屏幕條紋和亮 度不勻。另一方面，在采用按照第一實(shí)施例的寫掃描電路40A的有機(jī)EL顯示裝置10的情 況下，遷移率補(bǔ)償時(shí)段的變化變小。這是因?yàn)?，如上所述，遷移率補(bǔ)償時(shí)段由具有垂直使能 信號(hào)VEN規(guī)定的上升和下降定時(shí)的寫掃描信號(hào)WS的波形的長(zhǎng)度高度可靠地決定。更具體 地說，遷移率補(bǔ)償時(shí)段由具有垂直使能信號(hào)VEN規(guī)定的上升和下降定時(shí)的寫掃描信號(hào)WS的 波形的脈沖寬度高度可靠地決定。因此，可以防止出現(xiàn)在驅(qū)動(dòng)晶體管22的源極上的電壓Vs 因像素電路20之間遷移率補(bǔ)償時(shí)段的變化而在像素電路20之間發(fā)生變化。于是，由于在 像素電路20之間流過有機(jī)EL器件21的電流的變化減小了，所以可以防止有機(jī)EL器件21 發(fā)出的光的亮度隨著時(shí)間的流逝在像素電路20之間發(fā)生變化和防止有機(jī)EL顯示裝置10 顯示的圖像的質(zhì)量變差。如上所述，顯示圖像質(zhì)量變差的典型例子是屏幕條紋和亮度不勻。順便說一下，從圖11的時(shí)序/波形圖中可明顯看出，垂直使能信號(hào)VEN是在IH內(nèi) 上升和下降一次的脈沖信號(hào)，其中記號(hào)H表示水平掃描時(shí)段。如前所述，垂直使能信號(hào)VEN 上升的定時(shí)被稱為上升定時(shí)。另一方面，垂直使能信號(hào)VEN下降的定時(shí)被稱為下降定時(shí)。因此，電平移位電路43生成的垂直使能信號(hào)VEN在IH內(nèi)對(duì)公用傳輸線SL充電和使公用傳輸 線SL放電一次。如圖10所示，公用傳輸線SL與采用在第二邏輯電路部分48中的AND門 48-1到48-4的電容器Ctr連接。電容器Ctr每一個(gè)都是采用在AND門48_1到48_4每一 個(gè)中的晶體管的電容器。在每一個(gè)顯示在圖20中的AND門48-1到48_4每一個(gè)中，采用在 AND門48-1到48-4每一個(gè)中的晶體管是Nch MOS晶體管Q42或Q43。如圖21所示，晶體管的電容器Ctr形成在晶體管的柵極絕緣膜402中。晶體管的 柵極絕緣膜402被晶體管的柵極401和晶體管的溝道區(qū)403夾住。如果公用傳輸線SL沒有 使用開關(guān)部分47地直接與用于像素矩陣部分30的它們各自掃描線31的所有AND門48_1 到48-4的電容器Ctr連接，公用傳輸線SL承擔(dān)的總負(fù)載的電容較大。因此，垂直使能信號(hào) VEN對(duì)公用傳輸線SL充電和使公用傳輸線SL放電的操作的功耗也較大。另一方面，在按照第一實(shí)施例的寫掃描信號(hào)40A的配置的情況下，將開關(guān)部分47 配備在公用傳輸線SL與第二邏輯電路部分48之間。詳細(xì)地說，將采用在開關(guān)部分47中的 Nch MOS晶體管47-1配備在公用傳輸線SL與在采用在第二邏輯電路部分48中的AND門 48-1上形成，用作接收垂直使能信號(hào)VEN的輸入節(jié)點(diǎn)的輸入節(jié)點(diǎn)之間。同樣，將采用在開關(guān) 部分47中的Nch MOS晶體管47-2配備在公用傳輸線SL與在采用在第二邏輯電路部分48 中的AND門48-2上形成，用作接收垂直使能信號(hào)VEN的輸入節(jié)點(diǎn)的輸入節(jié)點(diǎn)之間。同樣， 將采用在開關(guān)部分47中的Nch MOS晶體管47-3配備在公用傳輸線SL與在采用在第二邏 輯電路部分48中的AND門48-3上形成，用作接收垂直使能信號(hào)VEN的輸入節(jié)點(diǎn)的輸入節(jié) 點(diǎn)之間。同樣，將采用在開關(guān)部分47中的Nch MOS晶體管47-4配備在公用傳輸線SL與在 采用在第二邏輯電路部分48中的AND門48-4上形成，用作接收垂直使能信號(hào)VEN的輸入 節(jié)點(diǎn)的輸入節(jié)點(diǎn)之間。在為生成移位信號(hào)SR OUT(I)到SR OUT(4)而分配的時(shí)段內(nèi)分別使 每一個(gè)用作開關(guān)器件的Nch MOS晶體管47-1到47-4進(jìn)入接通狀態(tài)。隨著Nch MOS晶體管 47-1進(jìn)入接通狀態(tài)，公用傳輸線SL與在采用在第二邏輯電路部分48中的AND門48_1上形 成，用作接收垂直使能信號(hào)VEN的輸入節(jié)點(diǎn)的輸入節(jié)點(diǎn)電連接。同樣，隨著Nch MOS晶體管 47-2進(jìn)入接通狀態(tài)，公用傳輸線SL與在采用在第二邏輯電路部分48中的AND門48_2上形 成，用作接收垂直使能信號(hào)VEN的輸入節(jié)點(diǎn)的輸入節(jié)點(diǎn)電連接。同樣，隨著NchMOS晶體管 47-3進(jìn)入接通狀態(tài)，公用傳輸線SL與在采用在第二邏輯電路部分48中的AND門48_3上形 成，用作接收垂直使能信號(hào)VEN的輸入節(jié)點(diǎn)的輸入節(jié)點(diǎn)電連接。同樣，隨著Nch MOS晶體管 47-4進(jìn)入接通狀態(tài)，公用傳輸線SL與在采用在第二邏輯電路部分48中的AND門48_4上形 成，用作接收垂直使能信號(hào)VEN的輸入節(jié)點(diǎn)的輸入節(jié)點(diǎn)電連接。因此，正是在生成移位信號(hào)SR OUT(I)的時(shí)段內(nèi)，公用傳輸線SL與在采用在第二 邏輯電路部分48中的AND門48-1上形成，用作接收垂直使能信號(hào)VEN的輸入節(jié)點(diǎn)的輸入 節(jié)點(diǎn)電連接，以便將垂直使能信號(hào)VEN供應(yīng)給所選AND門48-1。同樣，正是在生成移位信號(hào) SR OUT(2)的時(shí)段內(nèi)，公用傳輸線SL與在采用在第二邏輯電路部分48中的AND門48_2上 形成，用作接收垂直使能信號(hào)VEN的輸入節(jié)點(diǎn)的輸入節(jié)點(diǎn)電連接，以便將垂直使能信號(hào)VEN 供應(yīng)給所選AND門48-2。同樣，正是在生成移位信號(hào)SR OUT (3)的時(shí)段內(nèi)，公用傳輸線SL 與在采用在第二邏輯電路部分48中的AND門48-3上形成，用作接收垂直使能信號(hào)VEN的 輸入節(jié)點(diǎn)的輸入節(jié)點(diǎn)電連接，以便將垂直使能信號(hào)VEN供應(yīng)給所選AND門48-3。同樣，正 是在生成移位信號(hào)SR OUT(4)的時(shí)段內(nèi)，公用傳輸線SL與在采用在第二邏輯電路部分48中的AND門48-4上形成，用作接收垂直使能信號(hào)VEN的輸入節(jié)點(diǎn)的輸入節(jié)點(diǎn)電連接，以便 將垂直使能信號(hào)VEN供應(yīng)給所選AND門48-4。在上述的每個(gè)時(shí)段內(nèi)，選擇采用在第二邏輯 電路部分48中的AND門48-1到48_4之一，并將公用傳輸線SL與在所選AND門上形成，用 作接收垂直使能信號(hào)VEN的輸入節(jié)點(diǎn)的輸入節(jié)點(diǎn)電連接。也就是說，在采用在第二邏輯電 路部分48中的AND門48-1到48_4的所選那一個(gè)中采用的晶體管的電容器Ctr分別通過 采用在開關(guān)部分47中的Nch MOS晶體管47-1到47_4的激活那一個(gè)與公用傳輸線SL電連 接。如前所述，在每個(gè)I-H時(shí)段內(nèi)在充電/放電過程中消耗的功率通過表達(dá)式CV2Xf 表示，其中記號(hào)c表示經(jīng)歷充電/放電過程的電容器的電容，記號(hào)ν表示充電/放電電壓， 而記號(hào)f表示充電/放電頻率。通過將電容C設(shè)置在包括與公用傳輸線SL連接的電容器 Ctr的電容的值上，可以求出公用傳輸線SL的功耗。由于如上所述，同時(shí)與公用傳輸線SL 連接的電容器Ctr的數(shù)量減少到1個(gè)，所以也可以降低寫掃描電路40A的功耗。更具體地 說，通過將電容c設(shè)置在line_C+(lXCtr)的和值上，可以求出寫掃描電路40A的功耗，其 中記號(hào)111^_(表示公用傳輸線SL的線電容，而記號(hào)Ctr表示與公用傳輸線SL連接的電容 器Ctr的電容。順便說一下，讓記號(hào)m表示作為采用在像素矩陣部分30中的掃描線31的 數(shù)量的行計(jì)數(shù)。在公用傳輸線SL與每一個(gè)包括在采用在第二邏輯電路部分48中的AND門 48-1到48-m之一中，用作接收垂直使能信號(hào)VEN的輸入節(jié)點(diǎn)的所有輸入節(jié)點(diǎn)電連接的配置 的情況下，通過將電容c設(shè)置在line_C+(mXCtr)的和值上，可以求出寫掃描電路40的功
^^ ο也就是說，與公用傳輸線SL與每一個(gè)包括在采用在第二邏輯電路部分48中的 AND門48-1到48-m之一中，用作接收垂直使能信號(hào)VEN的輸入節(jié)點(diǎn)的所有輸入節(jié)點(diǎn)電連 接的配置相比，采用在按照第一實(shí)施例的寫掃描電路40A中的公用傳輸線SL承擔(dān)的總負(fù) 載的電容可以減小到采用在該配置中的公用傳輸線SL承擔(dān)的總負(fù)載的電容的1/m，其中記 號(hào)m表示作為采用在像素矩陣部分30中的掃描線31的數(shù)量的行計(jì)數(shù)。其結(jié)果是，垂直使 能信號(hào)VEN對(duì)公用傳輸線SL充電和使公用傳輸線SL放電的操作的功耗，g卩，按照第一實(shí) 施例的寫掃描電路40A的功耗相對(duì)于(mXCtrXcv2Xf)可以減少{(m_l) XCtrXcv2Xf}， (mXCtrXCV2Xf)表達(dá)公用傳輸線SL與每一個(gè)包括在采用在第二邏輯電路部分48中的 AND門48-1到48-m之一中，用作接收垂直使能信號(hào)VEN的輸入節(jié)點(diǎn)的所有輸入節(jié)點(diǎn)電連接 的配置的功耗。2-2 第二實(shí)施例圖22是示出按照第二實(shí)施例的寫掃描電路40B的典型配置的方塊圖。在圖22中， 與采用在如圖10所示的典型配置中的它們各自對(duì)應(yīng)物相同的部件用與這些對(duì)應(yīng)物相同的 標(biāo)號(hào)表示，并不再說明這些相同部件，以避免重復(fù)描述。為了使圖22簡(jiǎn)單些，寫掃描電路 40B的典型配置被顯示成包括為從第一像素行開始的三個(gè)像素行提供的部分。通過將顯示在圖10中的配置與顯示在圖22中的配置相比較，顯而易見，按照第二 實(shí)施例的寫掃描電路40B與按照第一實(shí)施例的寫掃描電路40A之間的差異在于開關(guān)部分47 的配置。寫掃描電路40B的其余配置元件與寫掃描電路40A的其余配置元件相同。更具體地說，與寫掃描電路40A的方式相同，通過采用在寫掃描電路40B的開關(guān)部 分47中的開關(guān)器件51-1到51-3之一分別選擇采用在第二邏輯電路部分48中的AND門48-1到48-3之一，并且將公用傳輸線SL與在所選AND門上形成來作為接收垂直使能信號(hào) VEN的輸入節(jié)點(diǎn)的輸入節(jié)點(diǎn)電連接。然而，在寫掃描電路40B的配置的情況下，采用在開關(guān) 部分47中的開關(guān)器件51-1到51-3每一個(gè)都是一對(duì)Pch和Nch CMOS晶體管。因此，開關(guān) 部分47被配置成也分別采用反相器52-1到52-3來驅(qū)動(dòng)包括在開關(guān)器件51_1到51_3中 的Pch MOS晶體管。通過將反相器52-1到52-3采用在按照第二實(shí)施例的寫掃描電路40B 的開關(guān)部分47中，寫掃描電路40B的開關(guān)部分47與按照第一實(shí)施例的寫掃描電路40A的 開關(guān)部分47相比，能夠高度可靠地工作。如上所述，作為寫掃描電路40B的開關(guān)器件51-1到51_3每一個(gè)，將一對(duì)Pch和 Nch CMOS晶體管用在寫掃描電路40B的開關(guān)部分47中，取代采用在寫掃描電路40A的開關(guān) 部分47中的每個(gè)Nch MOS晶體管，以便用作開關(guān)器件。不過，即使在按照第二實(shí)施例的寫 掃描電路40B的情況下，也可以呈現(xiàn)與按照第一實(shí)施例的寫掃描電路40A基本相同的效果。 然而，從器件計(jì)數(shù)的觀點(diǎn)來看，采用在寫掃描電路40A中的開關(guān)部分47比采用在寫掃描電 路40B中的開關(guān)部分47更有利。也就是說，由于采用在寫掃描電路40A的開關(guān)部分47中 的電路器件的數(shù)量少于采用在寫掃描電路40B的開關(guān)部分47中的電路器件的數(shù)量，可以使 寫掃描電路40A的電路配置比寫掃描電路40B的電路配置更簡(jiǎn)單。2-3:第三實(shí)施例圖23是示出按照第三實(shí)施例的寫掃描電路40C的典型配置的方塊圖。在圖23中， 與采用在如圖10所示的典型配置中的它們各自對(duì)應(yīng)物相同的部件用與這些對(duì)應(yīng)物相同的 標(biāo)號(hào)表示，并不再說明這些相同部件，以避免重復(fù)描述。為了使圖23簡(jiǎn)單些，寫掃描電路 40C的典型配置被顯示成包括為從第一像素行開始的三個(gè)像素行提供的部分。通過將圖10與圖23相比較，顯而易見，按照第三實(shí)施例的寫掃描電路40C與按照 第一實(shí)施例的寫掃描電路40A之間的差異在于開關(guān)部分47的配置。寫掃描電路40C的其 余配置元件與寫掃描電路40A的其余配置元件相同。更具體地說，與寫掃描電路40A的方 式相同，通過采用在寫掃描電路40C的開關(guān)部分47中的開關(guān)器件53-1到53-3之一分別選 擇采用在第二邏輯電路部分48中的AND門48-1到48_3之一，并且將公用傳輸線SL與在 所選AND門上形成來作為接收垂直使能信號(hào)VEN的輸入節(jié)點(diǎn)的輸入節(jié)點(diǎn)電連接。然而，在 寫掃描電路40C的配置的情況下，采用在開關(guān)部分47中的開關(guān)器件53-1到53-3每一個(gè)都 是Pch CMOS晶體管。因此，開關(guān)部分47被配置成也分別采用反相器54-1到54-3來驅(qū)動(dòng) Pch MOS晶體管53-1到53-3。通過將反相器54_1到54_3采用在按照第三實(shí)施例的寫掃 描電路40C的開關(guān)部分47中，寫掃描電路40C的開關(guān)部分47能夠以與按照第一實(shí)施例的 寫掃描電路40A的開關(guān)部分47相同的方式工作。如上所述，作為采用寫掃描電路40C中的開關(guān)器件53-1到53_3每一個(gè)，將Pch CMOS晶體管用在寫掃描電路40C的開關(guān)部分中，取代采用在寫掃描電路40A的開關(guān)部分47 中的每個(gè)Nch MOS晶體管，以便用作開關(guān)器件。不過，即使在按照第三實(shí)施例的寫掃描電路 40C的情況下，也可以呈現(xiàn)與按照第一實(shí)施例的寫掃描電路40A基本相同的效果。然而，從 器件計(jì)數(shù)的觀點(diǎn)來看，采用在寫掃描電路40A中的開關(guān)部分47比采用在在開關(guān)部分47中 也含有反相器54-1到54-3的寫掃描電路40C中的開關(guān)部分47更有利。也就是說，由于采 用在寫掃描電路40A的開關(guān)部分47中的電路器件的數(shù)量少于采用在寫掃描電路40C的開 關(guān)部分47中的電路器件的數(shù)量，可以使寫掃描電路40A的電路配置比寫掃描電路40C的電
33路配置更簡(jiǎn)單。應(yīng)該注意到，分別實(shí)現(xiàn)寫掃描電路40A、寫掃描電路40B和寫掃描電路40C的第一、 第二和第三實(shí)施例只不過是典型優(yōu)選實(shí)現(xiàn)。也就是說，上述的寫掃描電路40決不會(huì)局限于 這些實(shí)施例。例如，寫掃描電路40可以配置成采用解碼器來取代移位寄存器部分44，并且 將解碼器用于依次或隨機(jī)輸出寫掃描信號(hào)WS。3 變型形式在到此為止所述的實(shí)施例中，按照本發(fā)明的掃描部分是以像素行為單位選擇采用 在像素矩陣部分30中的像素電路20的行掃描部分。然而，本發(fā)明也可以應(yīng)用于以像素列 為單位選擇采用在像素矩陣部分30中的像素電路20的列掃描部分。在上述的有機(jī)EL顯示裝置10的情況下，信號(hào)輸出電路60采用針對(duì)每個(gè)像素行單 元將信號(hào)電壓Vsig寫入像素中的逐行依次寫驅(qū)動(dòng)技術(shù)。因此，有機(jī)EL顯示裝置10的配置 不需要列掃描部分。另一方面，如果顯示裝置采用將信號(hào)電壓Vsig寫入行掃描部分選擇和 掃描的像素行上的每個(gè)像素中的逐點(diǎn)依次寫驅(qū)動(dòng)技術(shù)，那么，有必要使顯示裝置配有以像 素列為單位選擇采用在像素矩陣部分30中的像素電路20的列掃描部分。在這種情況下， 本發(fā)明也可以應(yīng)用于列掃描部分。另外，上述的每個(gè)實(shí)施例具有驅(qū)動(dòng)有機(jī)EL器件21的電路基本上采用兩個(gè)晶體管， 即，驅(qū)動(dòng)晶體管22和寫晶體管23的像素配置。然而，本發(fā)明的范圍決不會(huì)局限于像這樣像 素配置那樣的應(yīng)用。作為一個(gè)例子，已知具有像顯示在圖24中的那個(gè)那樣的5-Tr電路配置作為基本 配置的像素電路20'。如圖24所示，除了驅(qū)動(dòng)晶體管22和寫晶體管23之外，5-Tr電路配 置還采用發(fā)光控制晶體管26以及開關(guān)晶體管27和28。有關(guān)這種電路配置的進(jìn)一步信息， 建議讀者參考已
公開日本專利第2005-345722號(hào)。在這種電路配置中，Pch MOS晶體管可 以用作發(fā)光控制晶體管26，而Nch MOS晶體管可以用作開關(guān)晶體管27和28每一個(gè)。然而， 導(dǎo)電類型相互不同的晶體管的任意組合也可以用作發(fā)光控制晶體管26以及開關(guān)晶體管27 和28。如圖24所示，發(fā)光控制晶體管26與驅(qū)動(dòng)晶體管22連接形成串聯(lián)電路。發(fā)光控制 晶體管26是有選擇地將高電位Vccp供應(yīng)給驅(qū)動(dòng)晶體管22，以便控制有機(jī)EL器件21進(jìn)入 發(fā)光或不發(fā)光狀態(tài)的晶體管。開關(guān)晶體管27是有選擇地將參考電位Vofs供應(yīng)給驅(qū)動(dòng)晶體 管22的柵極，以便將出現(xiàn)在驅(qū)動(dòng)晶體管22的柵極上的電壓Vg初始化在參考電位Vofs上 的晶體管。開關(guān)晶體管28是有選擇地將低電位Vini供應(yīng)給驅(qū)動(dòng)晶體管22的源極，以便將 出現(xiàn)在驅(qū)動(dòng)晶體管22的源極上的電壓Vs初始化在低電位Vini上的晶體管。作為像素電路20'的另一種配置，上面說明了 5-Tr電路配置。然而，也可以想像 出多種像素配置。例如，可以提供通過寫晶體管23將出現(xiàn)在信號(hào)線33上的參考電位Vofs 提供給像素的另一種典型像素配置。因此，可以從這種其它典型像素配置中去掉開關(guān)晶體 管27。如上所述，每個(gè)典型優(yōu)選實(shí)施例實(shí)現(xiàn)了采用每一個(gè)用作像素電路20的電光器件 的有機(jī)EL器件21的有機(jī)EL顯示裝置10。然而，本發(fā)明的范圍決不會(huì)局限于這樣的優(yōu)選實(shí) 施例。更具體地說，本發(fā)明可以應(yīng)用于采用電流驅(qū)動(dòng)型的電光器件(每一個(gè)也稱為發(fā)光器 件)的任何顯示裝置，只要每個(gè)電光器件以依照流過電光器件的電流的量值而變的亮度發(fā)光即可。電光器件(每一個(gè)也稱為發(fā)光器件)的典型例子是無機(jī)EL器件、LED (發(fā)光二極 管)器件和半導(dǎo)體激光器件。4 應(yīng)用例子作為用在所有領(lǐng)域中的設(shè)備，上述按照本發(fā)明實(shí)施例的顯示裝置通常采用在顯示 在圖25到29的示圖中的多種電子設(shè)備。電子設(shè)備的典型例子是數(shù)字照相機(jī)、筆記本式個(gè) 人計(jì)算機(jī)、像蜂窩式電話那樣的便攜式終端(移動(dòng)裝置)和攝像機(jī)。在這些電子設(shè)備的每 一種中，顯示裝置用于將供應(yīng)給它或在其中生成的視頻信號(hào)顯示成圖像或視頻。如上所述，通過將按照本發(fā)明實(shí)施例的顯示裝置用作所有領(lǐng)域中的多種電子裝置 的顯示裝置，可以提高每種電子裝置顯示的圖像的質(zhì)量。另外，也可以降低電子裝置的功 耗。也就是說，從對(duì)實(shí)施例的描述中明顯看出，按照本發(fā)明實(shí)施例的顯示裝置能夠防止掃描 信號(hào)的上升和下降定時(shí)在多條掃描線之間發(fā)生變化。因此，可以提高按照本發(fā)明實(shí)施例的 顯示裝置顯示的圖像的質(zhì)量，并且降低采用在顯示裝置中的掃描部分的功耗。其結(jié)果是，也 可以降低采用該顯示裝置的電子裝置的功耗。按照本發(fā)明實(shí)施例的顯示裝置包括構(gòu)成密封配置的模塊化形狀的裝置。例如，按 照本發(fā)明實(shí)施例的顯示裝置被設(shè)計(jì)成像素矩陣部分30被實(shí)現(xiàn)成將模塊附在由像透明玻璃 那樣的材料制成的面狀單元上形成的顯示模塊的配置。在透明面狀單元上，除了前述的屏 蔽膜之外，還可以形成像濾色器和保護(hù)膜那樣的部件。應(yīng)該注意到，用作像素矩陣部分30 的顯示模塊可以包括像向像素矩陣部分30供應(yīng)從外部源接收的信號(hào)的電路、向外部目的 地供應(yīng)從像素矩陣部分30接收的信號(hào)和FPC (柔性印刷電路板)那樣的部件。如下的描述將說明應(yīng)用了本發(fā)明實(shí)施例的電子設(shè)備的具體實(shí)現(xiàn)。圖25是示出應(yīng)用了本發(fā)明實(shí)施例的電視機(jī)的外觀的斜視圖的示圖。用作應(yīng)用了 本發(fā)明實(shí)施例的電子設(shè)備的典型實(shí)現(xiàn)的電視機(jī)采用了前面板102和通常是濾色玻璃板103 的視頻顯示屏部分101。該電視機(jī)是通過將本發(fā)明實(shí)施例提供的顯示裝置作為視頻顯示屏 部分101采用在電視機(jī)中構(gòu)成的。圖26A和26B是每一個(gè)示出應(yīng)用了本發(fā)明實(shí)施例的數(shù)字照相機(jī)的外觀的斜視圖的 多個(gè)示圖。更具體地說，圖26A是示出從數(shù)字照相機(jī)前側(cè)的位置看過去數(shù)字照相機(jī)的外觀 的斜視圖的示圖，而圖26B是示出從數(shù)字照相機(jī)后側(cè)的位置看過去數(shù)字照相機(jī)的外觀的斜 視圖的示圖。用作應(yīng)用了本發(fā)明實(shí)施例的電子設(shè)備的典型實(shí)現(xiàn)的數(shù)字照相機(jī)采用了發(fā)出閃 光的發(fā)光部分111、顯示部分112、菜單式開關(guān)113和快門按鈕114。該數(shù)字照相機(jī)是通過將 本發(fā)明實(shí)施例提供的顯示裝置作為顯示部分112采用在數(shù)字照相機(jī)中構(gòu)成的。圖27是示出應(yīng)用了本發(fā)明實(shí)施例的筆記本式個(gè)人計(jì)算機(jī)的外觀的斜視圖的示 圖。用作應(yīng)用了本發(fā)明實(shí)施例的電子設(shè)備的典型實(shí)現(xiàn)的筆記本式個(gè)人計(jì)算機(jī)采用了包括用 戶為輸入字符而操作的鍵盤122的主體121和顯示圖像的顯示部分123。該筆記本式個(gè)人 計(jì)算機(jī)是通過將本發(fā)明實(shí)施例提供的顯示裝置作為顯示部分123采用在筆記本式個(gè)人計(jì) 算機(jī)中構(gòu)成的。圖28是示出應(yīng)用了本發(fā)明實(shí)施例的攝像機(jī)的外觀的斜視圖的示圖。用作應(yīng)用了 本發(fā)明實(shí)施例的電子設(shè)備的典型實(shí)現(xiàn)的攝像機(jī)采用了主體131、攝影透鏡132、開始/停止 開關(guān)133和顯示部分134。配備在攝像機(jī)的前面，沿著向前方向取向的攝影透鏡132是拍攝 攝影對(duì)象的畫面的透鏡。開始/停止開關(guān)133是用戶開始或停止攝影操作而操作的開關(guān)。該攝像機(jī)是通過將本發(fā)明實(shí)施例提供的顯示裝置作為顯示部分134采用在數(shù)字照相機(jī)中 構(gòu)成的。圖29A到29G是每一個(gè)示出應(yīng)用了本發(fā)明實(shí)施例的像蜂窩式電話那樣的便攜式終 端的外觀的多個(gè)示圖。更具體地說，圖29A是示出在已經(jīng)打開的狀態(tài)下蜂窩式電話的前視 圖的示圖。圖29B是示出在已經(jīng)打開的狀態(tài)下蜂窩式電話的側(cè)面的示圖。圖29C是示出在 已經(jīng)閉合的狀態(tài)下蜂窩式電話的前視圖的示圖。圖29D是示出在已經(jīng)閉合的狀態(tài)下蜂窩式 電話的左側(cè)的示圖。圖29E是示出在已經(jīng)閉合的狀態(tài)下蜂窩式電話的右側(cè)的示圖。圖29F 是示出在已經(jīng)閉合的狀態(tài)下蜂窩式電話的頂視圖的示圖。圖29G是示出在已經(jīng)閉合的狀態(tài) 下蜂窩式電話的底視圖的示圖。用作應(yīng)用了本發(fā)明實(shí)施例的電子設(shè)備的典型實(shí)現(xiàn)的蜂窩式 電話采用了上殼141、下殼142、本身是鉸鏈的鏈接部分143、顯示部分144、顯示分部145、畫 面燈146和攝像頭147。該蜂窩式電話是通過將本發(fā)明實(shí)施例提供的顯示裝置作為顯示部 分144和/或顯示分部145采用在蜂窩式電話中構(gòu)成的。本申請(qǐng)包含與公開在2009年6月4日向日本專利局提交的日本優(yōu)先權(quán)專利申請(qǐng) JP 2009-134786中的主題有關(guān)的主題，特此通過引用并入其全部?jī)?nèi)容。本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員應(yīng)該明白，視設(shè)計(jì)要求和其它因素而定，可以作出各種各 樣的修改、組合、分組合和變更，它們都在所附權(quán)利要求書或其等效物的范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求
一種控制像素選擇的方法，所述方法包含接收與像素排相關(guān)聯(lián)的參考信號(hào)，所述參考信號(hào)具有第一邏輯電平或第二邏輯電平；接收使能信號(hào)；只有當(dāng)所述參考信號(hào)具有所述第一邏輯電平時(shí)才使用所述參考信號(hào)和所述使能信號(hào)進(jìn)行邏輯運(yùn)算；和根據(jù)所述邏輯運(yùn)算的結(jié)果將掃描信號(hào)提供給所述像素排。
2.如權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述像素排是一行像素。
3 如權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述像素排是一列像素。
4.如權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述使能信號(hào)是控制將所述掃描信號(hào)提供給所述 像素排的定時(shí)的垂直使能信號(hào)。
5.如權(quán)利要求1所述的方法，其中，當(dāng)所述參考信號(hào)具有所述第二邏輯電平時(shí)不使用 使能信號(hào)進(jìn)行所述邏輯運(yùn)算。
6.如權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述邏輯運(yùn)算是邏輯AND運(yùn)算。
7.如權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述掃描信號(hào)是激活將圖像信號(hào)寫入像素中的寫 掃描信號(hào)。
8.如權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述參考信號(hào)是第一參考信號(hào)，所述像素排是第一 像素排，所述邏輯運(yùn)算是第一邏輯運(yùn)算，所述掃描信號(hào)是第一掃描信號(hào)，并且所述方法進(jìn)一 步包含接收與第二像素排相關(guān)聯(lián)的第二參考信號(hào)，所述第二參考信號(hào)具有第一邏輯電平或第 二邏輯電平；只有當(dāng)所述第二參考信號(hào)具有所述第一邏輯電平時(shí)才使用所述第二參考信號(hào)和所述 使能信號(hào)進(jìn)行第二邏輯運(yùn)算；和根據(jù)所述第二邏輯運(yùn)算的結(jié)果將第二掃描信號(hào)提供給所述第二像素排。
9.如權(quán)利要求8所述的方法，其中，所述第一參考信號(hào)和所述第二參考信號(hào)在不同時(shí) 間具有高邏輯電平，以便相繼選擇所述第一和第二像素排。
10.一種控制像素選擇的驅(qū)動(dòng)電路，所述驅(qū)動(dòng)電路包含邏輯電路，配置成接收與像素排相關(guān)聯(lián)的參考信號(hào)，所述參考信號(hào)具有第一邏輯電平 或第二邏輯電平；和開關(guān)電路，配置成接收所述參考信號(hào)和使能信號(hào)，并當(dāng)所述參考信號(hào)處在所述第一邏 輯電平時(shí)，將所述使能信號(hào)提供給所述邏輯電路。
11.如權(quán)利要求10所述的驅(qū)動(dòng)電路，其中，所述邏輯電路包含為所述像素排生成掃描 信號(hào)的AND門。
12.如權(quán)利要求10所述的驅(qū)動(dòng)電路，其中，所述開關(guān)電路包含晶體管，所述晶體管含有 耦聯(lián)成接收所述參考信號(hào)的柵極端、耦聯(lián)成接收所述使能信號(hào)的第二端和與所述邏輯電路 耦聯(lián)的第三端。
13.如權(quán)利要求12所述的驅(qū)動(dòng)電路，其中，所述開關(guān)電路進(jìn)一步包含將所述參考信號(hào) 提供給所述晶體管的所述柵極端的反相器。
14.如權(quán)利要求12所述的驅(qū)動(dòng)電路，其中，所述晶體管是第一晶體管，并且其中，所述 開關(guān)電路進(jìn)一步包含與所述第一晶體管并聯(lián)的第二晶體管，其中，所述第一晶體管是P-型晶體管而所述第二晶體管是η-型晶體管，其中，所述開關(guān)電路進(jìn)一步包含將所述參考信號(hào) 提供給所述第一晶體管的所述柵極端的反相器。
15.如權(quán)利要求10所述的驅(qū)動(dòng)電路，其中，所述邏輯電路是第一邏輯電路，所述參考信 號(hào)是第一參考信號(hào)，所述像素排是第一像素排，所述開關(guān)電路是第一開關(guān)電路，并且所述驅(qū) 動(dòng)電路進(jìn)一步包含第二邏輯電路，配置成接收與第二像素排相關(guān)聯(lián)的第二參考信號(hào)，所述第二參考信號(hào) 具有第一邏輯電平或第二邏輯電平；和第二開關(guān)電路，配置成接收所述第二參考信號(hào)和所述使能信號(hào)，并當(dāng)所述第二參考信 號(hào)處在所述第一邏輯電平時(shí)，將所述使能信號(hào)提供給所述第二邏輯電路。
16.如權(quán)利要求15所述的驅(qū)動(dòng)電路，進(jìn)一步包含移位寄存器，配置成控制所述第一和 第二參考信號(hào)的邏輯電平。
17.如權(quán)利要求15所述的驅(qū)動(dòng)電路，進(jìn)一步包含電平移位器，配置成接收來自所述移 位寄存器的信號(hào)，并增大所述第一參考信號(hào)的電壓范圍。
18.如權(quán)利要求15所述的驅(qū)動(dòng)電路，進(jìn)一步包含緩沖器，配置成接收來自所述第一邏 輯電路的掃描信號(hào)，并將所述掃描信號(hào)提供給所述第一像素排。
19.一種顯示裝置，包含多個(gè)像素，其中每個(gè)像素都包含發(fā)光元件；和驅(qū)動(dòng)電路，配置成控制像素的選擇，所述驅(qū)動(dòng)電路包含邏輯電路，配置成接收與像素排相關(guān)聯(lián)的參考信號(hào)，所述參考信號(hào)具有第一邏輯電平 或第二邏輯電平；和開關(guān)電路，配置成接收所述參考信號(hào)和使能信號(hào)，并當(dāng)所述參考信號(hào)處在所述第一邏 輯電平時(shí)，將所述使能信號(hào)提供給所述邏輯電路。
20.如權(quán)利要求19所述的顯示裝置，其中，所述發(fā)光元件是有機(jī)EL器件。
21.如權(quán)利要求19所述的顯示裝置，其中，所述邏輯電路包含為所述像素排生成掃描 信號(hào)的AND門。
22.如權(quán)利要求19所述的顯示裝置，其中，所述開關(guān)電路包含晶體管，所述晶體管含有 耦聯(lián)成接收所述參考信號(hào)的柵極端、耦聯(lián)成接收所述使能信號(hào)的第二端和與所述邏輯電路 耦聯(lián)的第三端。
23.如權(quán)利要求22所述的顯示裝置，其中，所述開關(guān)電路進(jìn)一步包含將所述參考信號(hào) 提供給所述晶體管的所述柵極端的反相器。
24.如權(quán)利要求22所述的顯示裝置，其中，所述晶體管是第一晶體管，并且其中，所述 開關(guān)電路進(jìn)一步包含與所述第一晶體管并聯(lián)的第二晶體管，其中，所述第一晶體管是P-型 晶體管而所述第二晶體管是η-型晶體管，其中，所述開關(guān)電路進(jìn)一步包含將所述參考信號(hào) 提供給所述第一晶體管的所述柵極端的反相器。
25.如權(quán)利要求19所述的顯示裝置，其中，所述邏輯電路是第一邏輯電路，所述參考信 號(hào)是第一參考信號(hào)，所述像素排是第一像素排，所述開關(guān)電路是第一開關(guān)電路，并且所述驅(qū) 動(dòng)電路進(jìn)一步包含第二邏輯電路，配置成接收與第二像素排相關(guān)聯(lián)的第二參考信號(hào)，所述第二參考信號(hào) 具有第一邏輯電平或第二邏輯電平；和第二開關(guān)電路，配置成接收所述第二參考信號(hào)和所述使能信號(hào)，并當(dāng)所述第二參考信 號(hào)處在所述第一邏輯電平時(shí)，將所述使能信號(hào)提供給所述第二邏輯電路。
26.如權(quán)利要求25所述的驅(qū)動(dòng)電路，進(jìn)一步包含移位寄存器，配置成控制所述第一和 第二參考信號(hào)的邏輯電平。
27.如權(quán)利要求25所述的驅(qū)動(dòng)電路，進(jìn)一步包含電平移位器，配置成接收來自所述移 位寄存器的信號(hào)，并增大所述第一參考信號(hào)的電壓范圍。
28.如權(quán)利要求25所述的驅(qū)動(dòng)電路，進(jìn)一步包含緩沖器，配置成接收來自所述第一邏 輯電路的掃描信號(hào)，并將所述掃描信號(hào)提供給所述第一像素排。
29.一種電子設(shè)備，包含包含多個(gè)像素的顯示裝置，其中每個(gè)像素都包含發(fā)光元件；和驅(qū)動(dòng)電路，配置成控制像素的選擇，所述驅(qū)動(dòng)電路包含邏輯電路，配置成接收與像素排相關(guān)聯(lián)的參考信號(hào)，所述參考信號(hào)具有第一邏輯電平 或第二邏輯電平；和開關(guān)電路，配置成接收所述參考信號(hào)和使能信號(hào)，并當(dāng)所述參考信號(hào)處在所述第一邏 輯電平時(shí)，將所述使能信號(hào)提供給所述邏輯電路。
30.如權(quán)利要求29所述的電子設(shè)備，其中，所述電子設(shè)備包含電視機(jī)、數(shù)字照相機(jī)、計(jì) 算機(jī)、攝像機(jī)和移動(dòng)裝置中的至少一種。
31.如權(quán)利要求29所述的電子設(shè)備，其中，所述邏輯電路包含為所述像素排生成掃描 信號(hào)的AND門。
32.如權(quán)利要求29所述的電子設(shè)備，其中，所述開關(guān)電路包含晶體管，所述晶體管含有 耦聯(lián)成接收所述參考信號(hào)的柵極端、耦聯(lián)成接收所述使能信號(hào)的第二端和與所述邏輯電路 耦聯(lián)的第三端。
33.如權(quán)利要求32所述的電子設(shè)備，其中，所述開關(guān)電路進(jìn)一步包含將所述參考信號(hào) 提供給所述晶體管的所述柵極端的反相器。
34.如權(quán)利要求32所述的電子設(shè)備，其中，所述晶體管是第一晶體管，并且其中，所述 開關(guān)電路進(jìn)一步包含與所述第一晶體管并聯(lián)的第二晶體管，其中，所述第一晶體管是P-型 晶體管而所述第二晶體管是η-型晶體管，其中，所述開關(guān)電路進(jìn)一步包含將所述參考信號(hào) 提供給所述第一晶體管的所述柵極端的反相器。
35.如權(quán)利要求29所述的電子設(shè)備，其中，所述邏輯電路是第一邏輯電路，所述參考信 號(hào)是第一參考信號(hào)，所述像素排是第一像素排，所述開關(guān)電路是第一開關(guān)電路，并且所述驅(qū) 動(dòng)電路進(jìn)一步包含第二邏輯電路，配置成接收與第二像素排相關(guān)聯(lián)的第二參考信號(hào)，所述第二參考信號(hào) 具有第一邏輯電平或第二邏輯電平；和第二開關(guān)電路，配置成接收所述第二參考信號(hào)和所述使能信號(hào)，并當(dāng)所述第二參考信 號(hào)處在所述第一邏輯電平時(shí)，將所述使能信號(hào)提供給所述第二邏輯電路。
36.如權(quán)利要求35所述的電子設(shè)備，進(jìn)一步包含移位寄存器，配置成控制所述第一和 第二參考信號(hào)的邏輯電平。
37.如權(quán)利要求35所述的電子設(shè)備，進(jìn)一步包含電平移位器，配置成接收來自所述移 位寄存器的信號(hào)，并增大所述第一參考信號(hào)的電壓范圍。4
38.如權(quán)利要求35所述的電子設(shè)備，進(jìn)一步包含緩沖器，配置成接收來自所述第一邏 輯電路的掃描信號(hào)，并將所述掃描信號(hào)提供給所述第一像素排。
全文摘要
本發(fā)明公開了像素選擇控制方法、驅(qū)動(dòng)電路、顯示裝置和電子設(shè)備。該驅(qū)動(dòng)電路包括配置成接收與像素排相關(guān)聯(lián)的參考信號(hào)的邏輯電路。參考信號(hào)具有第一邏輯電平或第二邏輯電平。該驅(qū)動(dòng)電路還包括配置成接收參考信號(hào)和使能信號(hào)，并當(dāng)參考信號(hào)處在第一邏輯電平時(shí)將使能信號(hào)提供給所述邏輯電路的開關(guān)電路?？梢蕴峁┌ㄔ擈?qū)動(dòng)電路的顯示裝置。
文檔編號(hào)G09G3/20GK101908310SQ20101019436
公開日2010年12月8日 申請(qǐng)日期2010年5月28日 優(yōu)先權(quán)日2009年6月4日
發(fā)明者富田昌嗣, 尾本啟介 申請(qǐng)人:索尼公司