專利名稱：一種核徑跡防偽膜的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型屬于防偽技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種核徑跡防偽膜。
背景技術(shù)：
現(xiàn)有的防偽材料，如激光防偽膜、紋理防偽材料、油墨防偽材料等存在防偽力度不 高或查驗(yàn)不方便的問題。本實(shí)用新型是為解決這一問題而設(shè)計(jì)的。

實(shí)用新型內(nèi)容本實(shí)用新型是針對(duì)現(xiàn)有的防偽材料，如激光防偽膜、紋理防偽材料、油墨防偽材 料等存在防偽力度不高或查驗(yàn)不方便的問題而提供一種核徑跡防偽膜，其特征在于，該核 徑跡防偽膜的結(jié)構(gòu)為在膜上有圖案區(qū)和非圖案區(qū)，同時(shí)在非圖案區(qū)部分的膜的一面有一膠層。
所述圖案區(qū)由核徑跡微孔構(gòu)成。所述膠層為熱熔膠、壓敏膠或多混樹脂。本實(shí)用新型的有益效果是提供一種技術(shù)和設(shè)備均可控的高端防偽材料，具有防偽 力度高或查驗(yàn)方便的特點(diǎn)。

圖1為核徑跡防偽膜結(jié)構(gòu)示意圖。圖2為圖1的剖面圖。
具體實(shí)施方式
本實(shí)用新型提供一種核徑跡防偽膜，如圖1所示，核徑跡防偽膜的結(jié)構(gòu)為在膜上 乳白色的圖案區(qū)1是由大量核徑跡微孔4構(gòu)成，而非圖案區(qū)2是透明的，是由大量納米級(jí)重 離子輻射損傷潛徑跡組成，同時(shí)在膜上非圖案區(qū)2部分一面上有一膠層3 (如圖2所示)其 中膠層3為熱熔膠、壓敏膠或多混樹脂。所述核徑跡微孔為重離子輻照潛徑跡的蝕刻微孔 4，孔徑在0. 1微米至20微米之間。所述防偽膜材料為絕緣材料，如聚酯PET、聚碳酸酯PC、 聚丙烯、聚乙烯、聚偏氟乙烯PVDF、聚酰亞胺Kappton等。所述膠層3所用的材料為抗蝕刻(強(qiáng)堿如Na0H、K0H)材料，本實(shí)用新型具有防偽力度高、識(shí)別簡(jiǎn)便等特點(diǎn)。
權(quán)利要求1.一種核徑跡防偽膜，其特征在于，該核徑跡防偽膜的結(jié)構(gòu)為在膜上有圖案區(qū)和非圖 案區(qū)，同時(shí)只在非圖案區(qū)部分的膜的一面有一膠層。
2.如權(quán)利要求1所述一種核徑跡防偽膜，其特征在于所述圖案區(qū)由核徑跡微孔構(gòu)成。
3.如權(quán)利要求2所述一種核徑跡防偽膜，其特征在于所述核徑跡微孔孔徑在0.1微米 至20微米之間。
4.如權(quán)利要求1所述一種核徑跡防偽膜，其特征在于所述防偽膜材料為絕緣材料為聚 酯PET、聚碳酸酯PC、聚丙烯、聚乙烯、聚偏氟乙烯PVDF或聚酰亞胺Kappton。
5.如權(quán)利要求1所述一種核徑跡防偽膜，其特征在于所述膠層為熱熔膠、壓敏膠或多 混樹脂。
專利摘要本實(shí)用新型公開了屬于防偽技術(shù)領(lǐng)域的一種核徑跡防偽膜。該核徑跡防偽膜的結(jié)構(gòu)為在膜上有微孔圖案區(qū)和非圖案區(qū)，同時(shí)在非圖案區(qū)部分的膜的一面有一膠層，具有防偽力度高或查驗(yàn)方便的特點(diǎn)。
文檔編號(hào)G09F3/02GK201886696SQ20102056284
公開日2011年6月29日 申請(qǐng)日期2010年10月9日 優(yōu)先權(quán)日2010年10月9日
發(fā)明者徐世平, 王建晨, 王玉蘭, 陳靖 申請(qǐng)人:清華大學(xué)