專(zhuān)利名稱：顯示裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及顯示裝置，特別涉及使用電流驅(qū)動(dòng)型發(fā)光元件的顯示裝置。
背景技術(shù)：
作為使用電流驅(qū)動(dòng)型發(fā)光元件的顯示裝置，已知使用有機(jī)電致發(fā)光(EL)元件的顯示裝置。使用該自發(fā)光的有機(jī)EL元件的有機(jī)EL顯示裝置不需要液晶顯示裝置所需的背光源(back light)，最適于裝置的薄型化。另外，由于視角也沒(méi)有限制，因此可以期待作為下一代顯示裝置而付諸實(shí)用。另外，用于有機(jī)EL顯示裝置的有機(jī)EL元件通過(guò)在其中流動(dòng)的電流值來(lái)控制各發(fā)光元件的輝度(brightness),這一點(diǎn)與液晶單元通過(guò)對(duì)其施加的電壓來(lái)控制不同。在有機(jī)EL顯示裝置中，通常，構(gòu)成像素的有機(jī)EL元件配置成矩陣狀。將如下裝置稱為無(wú)源矩陣型有機(jī)EL顯示裝置在多個(gè)行電極(掃描線)和多個(gè)列電極(數(shù)據(jù)線)的交點(diǎn)設(shè)置有機(jī)EL元件，在所選擇的行電極和多個(gè)列電極之間施加與數(shù)據(jù)信號(hào)相當(dāng)?shù)碾妷?，由此?qū)動(dòng)有機(jī)EL元件。另ー方面，在多條掃描線和多條數(shù)據(jù)線的交點(diǎn)設(shè)置開(kāi)關(guān)薄膜晶體管(TFT :ThinFilm Transistor ),將驅(qū)動(dòng)元件的柵極連接于該開(kāi)關(guān)TFT ,通過(guò)所選擇的掃描線使該開(kāi)關(guān)TFT導(dǎo)通，從信號(hào)線向驅(qū)動(dòng)元件輸入數(shù)據(jù)信號(hào)。將通過(guò)該驅(qū)動(dòng)元件驅(qū)動(dòng)有機(jī)EL元件的裝置稱為有源矩陣型有機(jī)EL顯示裝置。有源矩陣型有機(jī)EL顯示裝置，與僅在選擇了各行電極(掃描線)的期間使連接于所選擇的行電極的有機(jī)EL元件發(fā)光的無(wú)源矩陣型有機(jī)EL顯示裝置不同，能夠使有機(jī)EL元件發(fā)光直到下一次掃描(選擇)，因此即使掃描線條數(shù)增加也不會(huì)導(dǎo)致顯示器的輝度降低。因此，有源矩陣型有機(jī)EL顯示裝置能夠以低電壓進(jìn)行驅(qū)動(dòng)，能夠?qū)崿F(xiàn)低功耗化。專(zhuān)利文獻(xiàn)I公開(kāi)了有源矩陣型有機(jī)EL顯示裝置中的像素単元的電路結(jié)構(gòu)。圖15是表示專(zhuān)利文獻(xiàn)I所記載的顯示裝置具有的發(fā)光像素的電路結(jié)構(gòu)以及與其周邊電路的連接的圖。該圖所示的顯示裝置100包括呈矩陣狀配置有發(fā)光像素100A的像素陣列單元和驅(qū)動(dòng)該像素陣列單元的驅(qū)動(dòng)單元。該圖中，為了方便僅示出構(gòu)成像素陣列單元的一個(gè)發(fā)光像素100A。像素陣列單元具備按行配置的多條掃描線102、按列配置的多條數(shù)據(jù)線101、在兩者交叉的部分配置的行列狀的發(fā)光像素100A、以及按行配置的多條供電線110。另外，驅(qū)動(dòng)單元具備水平選擇器103、寫(xiě)掃描器104、以及功率驅(qū)動(dòng)掃描器105。寫(xiě)掃描器104在水平周期(IH)對(duì)掃描線102依次供給控制信號(hào)，以行為單位對(duì)發(fā)光像素進(jìn)行線順序掃描。功率驅(qū)動(dòng)掃描器105對(duì)應(yīng)于該線順序掃描向供電線110供給可變電源電壓。水平選擇器103對(duì)應(yīng)于該線順序掃描對(duì)成為圖像信號(hào)的數(shù)據(jù)電壓和基準(zhǔn)電壓進(jìn) 行切換并供給到列狀的數(shù)據(jù)線101。發(fā)光像素100A具備驅(qū)動(dòng)晶體管111、選擇晶體管112a及112b、有機(jī)EL元件113、以及電容器114。選擇晶體管112a及112b分別是構(gòu)成柵極組112的薄膜晶體管。在供電線110與基準(zhǔn)電位Vcat (例如接地電位)之間串聯(lián)連接有驅(qū)動(dòng)晶體管111和有機(jī)EL元件113。由此，有機(jī)EL元件113的陰極與基準(zhǔn)電位Vcat連接，陽(yáng)極與驅(qū)動(dòng)晶體管111的源極連接，驅(qū)動(dòng)晶體管111的漏極與供電線110連接。另外，驅(qū)動(dòng)晶體管111的柵極與電容器114的第一電極以及選擇晶體管112b的源電極和漏電極的另一方連接。而且，電容器114的第ニ電極與有機(jī)EL元件113的陽(yáng)極連接。另外，形成柵極組112的選擇晶體管112a的源電極和漏電極的另一方與選擇晶體管112b的源電極和漏電極的一方連接。另外，數(shù)據(jù)線101與選擇晶體管112a的源電極和漏電極的一方連接。選擇晶體管112a及112b的柵極分別與掃描線102連接。在上述結(jié)構(gòu)中，功率驅(qū)動(dòng)掃描器105在數(shù)據(jù)線101為閾值檢測(cè)用電壓的狀態(tài)下，將供電線110從第一電壓(高電壓)切換成第二電壓(低電壓)。寫(xiě)掃描器104同樣在數(shù)據(jù)線101為閾值檢測(cè)用電壓的狀態(tài)下，使掃描線102的電壓為高電平來(lái)使選擇晶體管112a及112b導(dǎo)通，對(duì)驅(qū)動(dòng)晶體管111的柵極施加閾值檢測(cè)用電壓。接著，功率驅(qū)動(dòng)掃描器105在數(shù)據(jù)線101的電壓從閾值檢測(cè)用電壓切換成數(shù)據(jù)電壓之前的修正期間，將供電線110的電壓從第二電壓切換成第一電壓，使電容器114保持與驅(qū)動(dòng)晶體管111的閾值電壓相當(dāng)?shù)碾妷?。接著，?xiě)掃描器104使選擇晶體管112a及112b的電壓為高電平，使電容器104保持?jǐn)?shù)據(jù)電壓。也就是說(shuō)，該數(shù)據(jù)電壓加在與之前保持的驅(qū)動(dòng)晶體管111的閾值電壓相當(dāng)?shù)碾妷荷隙鴮?xiě)入電容器114。并且，驅(qū)動(dòng)晶體管111從處于第一電壓的供電線110接受電流的供給，在有機(jī)EL元件113中流動(dòng)與上述保持電壓對(duì)應(yīng)的驅(qū)動(dòng)電流。如上所述，寫(xiě)掃描器104通過(guò)使柵極組112導(dǎo)通/截止(0N/0FF)來(lái)執(zhí)行數(shù)據(jù)電壓的寫(xiě)入以及保持。在此，如柵極組112這樣串聯(lián)連接兩個(gè)選擇晶體管而成的構(gòu)造被稱為雙柵極構(gòu)造。通過(guò)該雙柵極構(gòu)造，柵極組112的截止電阻翻倍，另外，即使在某一方的選擇晶體管發(fā)生了截止泄漏(off leak)的情況下，也可通過(guò)另一方的選擇晶體管使截止泄漏得以抑制，因此能夠使截止泄漏電流大致減半。專(zhuān)利文獻(xiàn)I中，可提供一種高畫(huà)質(zhì)的顯示裝置，其通過(guò)上述的雙柵極構(gòu)造，能向發(fā)光像素正確地寫(xiě)入輝度信息，不會(huì)在有機(jī)EL元件113的輝度產(chǎn)生不均。現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)專(zhuān)利文獻(xiàn)I :日本特開(kāi)2008-175945號(hào)公報(bào)

發(fā)明內(nèi)容
發(fā)明要解決的問(wèn)題然而，在專(zhuān)利文獻(xiàn)I所記載的顯示裝置中，雖然能夠通過(guò)由薄膜晶體管的串聯(lián)連接而構(gòu)成的柵極組112使截止泄漏電流減半，但難以成為完全截止?fàn)顟B(tài)。由此，存在如下問(wèn)題在由電容器114保持?jǐn)?shù)據(jù)電壓的保持工作時(shí)會(huì)向數(shù)據(jù)線101泄漏保持電荷，在顯示期間驅(qū)動(dòng)電流會(huì)改變。為了克服該問(wèn)題，以往考慮上述截止泄漏電流而預(yù)先增大電容器的保持電容來(lái)抑制該影響。但是，伴隨與顯示畫(huà)面的高精細(xì)化相伴的發(fā)光像素的微細(xì)化，難以確保占據(jù)像素電路大半的電容器的大小。
鑒于上述問(wèn)題，本發(fā)明的目的在于提供一種顯示裝置，其具有即使推進(jìn)發(fā)光像素的微細(xì)化也不會(huì)使保持電壓由于截止泄漏電流而發(fā)生經(jīng)時(shí)(歷時(shí))變動(dòng)的發(fā)光像素。用于解決問(wèn)題的手段
為了達(dá)到上述目的，本發(fā)明的ー個(gè)方式的顯示裝置，具備多條掃描線、多條數(shù)據(jù)線、在所述多條掃描線的各條與所述多條數(shù)據(jù)線的各條交叉的每個(gè)交叉部配置的多個(gè)發(fā)光像素、以及對(duì)所述多個(gè)發(fā)光像素供給電流的電源線，所述多個(gè)發(fā)光像素各自具備發(fā)光元件，其通過(guò)流動(dòng)與經(jīng)由所述多條數(shù)據(jù)線之一的數(shù)據(jù)線供給的數(shù)據(jù)電壓相應(yīng)的驅(qū)動(dòng)電流來(lái)發(fā)光；驅(qū)動(dòng)晶體管，其連接在所述電源線與所述發(fā)光元件之間，根據(jù)施加于柵電極的電壓將所述數(shù)據(jù)電壓轉(zhuǎn)換成所述驅(qū)動(dòng)電流；電容器，其一方的電極連接于所述驅(qū)動(dòng)晶體管的柵電扱，保持與所述數(shù)據(jù)電壓相應(yīng)的電壓；第I晶體管，其柵電極連接于所述多條掃描線之ー的掃描線，源電極和漏電極的一方連接于所述驅(qū)動(dòng)晶體管的柵電扱；第2晶體管，其柵電極連接于所述掃描線，源電極和漏電極的一方連接于所述第I晶體管的源電極和漏電極的另ー方，源電極和漏電極的另一方連接于所述數(shù)據(jù)線;以及第3晶體管，其柵電極連接于所述第I晶體管的所述源電極和所述漏電極的一方，源電極連接于所述第I晶體管的所述源電極和所述漏電極的另一方，漏電極連接于第I電位線。發(fā)明的效果 本發(fā)明的顯示裝置，能夠使從發(fā)光像素具有的保持電容元件向數(shù)據(jù)線的截止泄漏電流消失，使占據(jù)像素電路的大半面積的保持電容元件減小。由此,能夠維持顯示質(zhì)量同時(shí)實(shí)現(xiàn)發(fā)光像素的微細(xì)化。


圖I是表示本發(fā)明的實(shí)施方式I的顯示裝置具有的發(fā)光像素的電路結(jié)構(gòu)以及與其周邊電路的連接的圖。圖2A是表示本發(fā)明的實(shí)施方式I的發(fā)光像素的數(shù)據(jù)寫(xiě)入時(shí)的狀態(tài)的電路圖。圖2B是表示本發(fā)明的實(shí)施方式I的發(fā)光像素的顯示工作時(shí)的狀態(tài)的電路圖。圖3是表示本發(fā)明的實(shí)施方式I的變形例的顯示裝置具有的發(fā)光像素的電路結(jié)構(gòu)以及與其周邊電路的連接的圖。圖4A是表示本發(fā)明的實(shí)施方式I的變形例的發(fā)光像素的數(shù)據(jù)寫(xiě)入時(shí)的狀態(tài)的電路圖。圖4B是表示本發(fā)明的實(shí)施方式I的變形例的發(fā)光像素的顯示工作時(shí)的狀態(tài)的電路圖。圖5是本發(fā)明的實(shí)施方式I的發(fā)光像素的電路布局圖的一例。圖6是表示本發(fā)明的實(shí)施方式2的顯示裝置具有的發(fā)光像素的電路結(jié)構(gòu)以及與其周邊電路的連接的圖。圖7A是表示本發(fā)明的實(shí)施方式2的發(fā)光像素的數(shù)據(jù)寫(xiě)入時(shí)的狀態(tài)的電路圖。圖7B是表示本發(fā)明的實(shí)施方式2的發(fā)光像素的顯示工作時(shí)的第I狀態(tài)的電路圖。圖7C是表示本發(fā)明的實(shí)施方式2的發(fā)光像素的顯示工作時(shí)的第2狀態(tài)的電路圖。圖8是表示本發(fā)明的實(shí)施方式2的變形例的顯示裝置具有的發(fā)光像素的電路結(jié)構(gòu)以及與其周邊電路的連接的圖。圖9A是表示本發(fā)明的實(shí)施方式2的變形例的發(fā)光像素的數(shù)據(jù)寫(xiě)入時(shí)的狀態(tài)的電路圖。圖9B是表示本發(fā)明的實(shí)施方式2的變形例的發(fā)光像素的顯示工作時(shí)的第I狀態(tài)的電路圖。圖9C是表示本發(fā)明的實(shí)施方式2的變形例的發(fā)光像素的顯示工作時(shí)的第2狀態(tài)的電路圖。圖10是表示本發(fā)明的實(shí)施方式3的顯示裝置具有的發(fā)光像素的電路結(jié)構(gòu)以及與其周邊電路的連接的圖。圖IlA是表示本發(fā)明的實(shí)施方式3的發(fā)光像素的數(shù)據(jù)寫(xiě)入時(shí)的狀態(tài)的電路圖。圖IlB是表示本發(fā)明的實(shí)施方式3的發(fā)光像素的顯示工作時(shí)的狀態(tài)的電路圖。圖12是表示本發(fā)明的實(shí)施方式3的變形例的顯示裝置具有的發(fā)光像素的電路結(jié)構(gòu)以及與其周邊電路的連接的圖。圖13A是表示本發(fā)明的實(shí)施方式3的變形例的發(fā)光像素的數(shù)據(jù)寫(xiě)入時(shí)的狀態(tài)的電路圖。圖13B是表示本發(fā)明的實(shí)施方式3的變形例的發(fā)光像素的顯示工作時(shí)的狀態(tài)的電路圖。圖14是內(nèi)置有本發(fā)明的顯示裝置的薄型平板TV的外觀圖。圖15是表示專(zhuān)利文獻(xiàn)I所記載的顯示裝置具有的發(fā)光像素的電路結(jié)構(gòu)以及與其周邊電路的連接的圖。附圖標(biāo)號(hào)的說(shuō)明1、2、3、4、5、6、100 顯示裝置1A,2A,3A,4A,5A,6A, 100A 發(fā)光像素8數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)電路9掃描線驅(qū)動(dòng)電路11、101 數(shù)據(jù)線12、102 掃描線13、113 有機(jī) EL 元件14、24、111驅(qū)動(dòng)晶體管15、25、114 電容器16、17、26、27、52、62、112a、112b 選擇晶體管
、
16S源電極17D漏電極18、28保護(hù)電位用晶體管18G柵電極19,20 電源線29固定電位線31、41、51、61電壓變動(dòng)緩和用晶體管50G共用柵電極50SD共用電極103水平選擇器104寫(xiě)掃描器105功率驅(qū)動(dòng)掃描器
110供電線112柵極組
具體實(shí)施例方式為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明的ー個(gè)方式的顯示裝置一種顯示裝置，具備多條掃描線、多條數(shù)據(jù)線、在所述多條掃描線的各條與所述多條數(shù)據(jù)線的各條交叉的每個(gè)交叉部配置的多個(gè)發(fā)光像素、以及對(duì)所述多個(gè)發(fā)光像素供給電流的電源線，所述多個(gè)發(fā)光像素各自具備發(fā)光元件，其通過(guò)流動(dòng)與經(jīng)由所述多條數(shù)據(jù)線之一的數(shù)據(jù)線供給的數(shù)據(jù)電壓相應(yīng)的驅(qū)動(dòng)電流來(lái)發(fā)光；驅(qū)動(dòng)晶體管，其連接在所述電源線與所述發(fā)光元件之間，根據(jù)施加于柵電極的電壓將所述數(shù)據(jù)電壓轉(zhuǎn)換成所述驅(qū)動(dòng)電流；電容器，其一方的電極連接于所述驅(qū)動(dòng)晶體管的柵電極，保持與所述數(shù)據(jù)電壓相應(yīng)的電壓；第I晶體管，其柵電極連接于所述多條掃 描線之ー的掃描線，源電極和漏電極的一方連接于所述驅(qū)動(dòng)晶體管的柵電極;第2晶體管，其柵電極連接于所述掃描線，源電極和漏電極的一方連接于所述第I晶體管的源電極和漏電極的另一方，源電極和漏電極的另一方連接于所述數(shù)據(jù)線;以及第3晶體管，其柵電極連接于所述第I晶體管的所述源電極和所述漏電極的一方，源電極連接于所述第I晶體管的所述源電極和所述漏電極的另一方，漏電極連接于第I電位線。根據(jù)本方式，導(dǎo)入防止串聯(lián)連接的2個(gè)選擇晶體管即第I晶體管和第2晶體管的連接點(diǎn)的電位變動(dòng)的結(jié)構(gòu)。具體而言，配置作為保護(hù)電位用晶體管的第3晶體管，以使得即使在第I晶體管和第2晶體管發(fā)生了截止泄漏電流，上述連接點(diǎn)的電位也不會(huì)變動(dòng)。通過(guò)該結(jié)構(gòu)，相應(yīng)于由截止泄漏電流產(chǎn)生的第3晶體管的柵扱-源極間的電壓差，在第I電位線與上述連接點(diǎn)之間流動(dòng)電流。即，該電流為了將上述連接點(diǎn)的電位維持變動(dòng)前的電位而發(fā)揮作用。由此，在電壓保持狀態(tài)下電容器的電位維持不會(huì)變動(dòng)，能夠保持與正確的數(shù)據(jù)電壓相應(yīng)的電壓，能夠使發(fā)光元件以所希望的輝度來(lái)發(fā)光。另外，因?yàn)椴恍枰紤]由截止泄漏電流引起的電壓變動(dòng)將電容器的電極設(shè)計(jì)得較大，所以能夠減小電容器的電極面積，能夠?qū)崿F(xiàn)發(fā)光像素的微細(xì)化。另外，本發(fā)明的ー個(gè)方式的顯示裝置也可以，所述驅(qū)動(dòng)晶體管、所述第I晶體管、所述第2晶體管以及所述第3晶體管是N型晶體管，所述第I電位線是相對(duì)于基準(zhǔn)電位的電位被設(shè)定成所述電容器所保持的最大電壓以上的電位的所述電源線。根據(jù)本方式，在比寫(xiě)入電壓低的電壓被施加于數(shù)據(jù)線的情況下，即，在數(shù)據(jù)線的電壓比電容器的保持電壓低的情況下，電壓保持狀態(tài)下截止泄漏電流以電容器一第I晶體管—第2晶體管一數(shù)據(jù)線這樣的路徑產(chǎn)生。在該情況下，根據(jù)第3晶體管的柵扱-源極間電壓，電流以電源線一第3晶體管一上述連接點(diǎn)一第2晶體管一數(shù)據(jù)線這樣的路徑流動(dòng)，因此上述連接點(diǎn)的電位被維持為不會(huì)產(chǎn)生截止泄漏電流時(shí)的電位。另外，本發(fā)明的ー個(gè)方式的顯示裝置也可以，所述驅(qū)動(dòng)晶體管、所述第I晶體管、所述第2晶體管以及所述第3晶體管是P型晶體管，所述第I電位線是所述掃描線。根據(jù)本方式，在比寫(xiě)入電壓高的電壓被施加于數(shù)據(jù)線的情況下，S卩，在數(shù)據(jù)線的電壓比電容器的保持電壓高的情況下，電壓保持狀態(tài)下截止泄漏電流以數(shù)據(jù)線一第2晶體管—第I晶體管一電容器這樣的路徑產(chǎn)生。在該情況下，根據(jù)第3晶體管的柵扱-源極間電壓，電流以數(shù)據(jù)線一第2晶體管一上述連接點(diǎn)一第3晶體管一掃描線這樣的路徑流動(dòng)，因此上述連接點(diǎn)的電位被維持為不會(huì)產(chǎn)生截止泄漏電流時(shí)的電位。此時(shí)，成為條件的是使第I晶體管和第2晶體管為截止?fàn)顟B(tài)的掃描信號(hào)電壓被設(shè)定成所述電容器所保持的最小電壓以下的電壓值。另外，本發(fā)明的ー個(gè)方式的顯示裝置，優(yōu)選，還具備第4晶體管，所述第4晶體管的柵電極與漏電極連接，漏電極連接于所述第I晶體管的所述源電極和所述漏電極的另一方，源電極連接于第2電位線。根據(jù)本方式，除了對(duì)上述連接點(diǎn)導(dǎo)入保護(hù)電位，該連接點(diǎn)還經(jīng)由呈ニ極管連接的第4晶體管連接于第2電位線，以使其具有電壓變動(dòng)緩和功能。由此，在數(shù)據(jù)線的電壓高于 寫(xiě)入電壓的情況(晶體管都是N型的情況)下、或者數(shù)據(jù)線的電壓低于寫(xiě)入電壓的情況(晶體管都是P型的情況)下，通過(guò)在第2電位線與上述連接點(diǎn)之間流動(dòng)電流，該連接點(diǎn)的電位維持一定。即，通過(guò)第4晶體管的配置，不管數(shù)據(jù)線的電壓的大小如何，上述連接點(diǎn)的電位都維持一定，因此能夠在電壓保持狀態(tài)下使電容器的電位維持一定。另外，本發(fā)明的ー個(gè)方式的顯示裝置也可以，所述第4晶體管是N型晶體管，所述第2電位線是相對(duì)于基準(zhǔn)電位的電位被設(shè)定成所述電容器所保持的最小電壓以下的電位的第2電源線。根據(jù)本方式，在數(shù)據(jù)線的電壓高于寫(xiě)入電壓的情況下，電流以數(shù)據(jù)線一第2晶體管一上述連接點(diǎn)一第4晶體管一第2電位線這樣的路徑流動(dòng)。由此，該連接點(diǎn)的電位維持一定，因此能夠在電壓保持狀態(tài)下使電容器的電位維持一定。另外，本發(fā)明的ー個(gè)方式的顯示裝置也可以，所述第2電位線連接于所述發(fā)光元件的陽(yáng)電極。根據(jù)本方式，不必另行配置相對(duì)于基準(zhǔn)電位的電位被設(shè)定成電容器所保持的最小電壓以下的電位的電源，可以利用滿足上述電位條件的發(fā)光像素的陽(yáng)電扱。由此，可實(shí)現(xiàn)像素電路的簡(jiǎn)化。另外，本發(fā)明的ー個(gè)方式的顯示裝置也可以，所述第4晶體管是P型晶體管，所述第2電位線是相對(duì)于基準(zhǔn)電位的電位被設(shè)定成所述電容器所保持的最大電壓以上的電位的所述電源線。根據(jù)本方式，在數(shù)據(jù)線的電壓低于寫(xiě)入電壓的情況下，電流以電源線一第4晶體管一上述連接點(diǎn)一第2晶體管一數(shù)據(jù)線這樣的路徑流動(dòng)，由此，該連接點(diǎn)的電位維持一定。另外，本發(fā)明的ー個(gè)方式的顯示裝置，優(yōu)選，具備多條掃描線、多條數(shù)據(jù)線、在所述多條掃描線的各條與所述多條數(shù)據(jù)線的各條交叉的每個(gè)交叉部配置的多個(gè)發(fā)光像素、以及對(duì)所述多個(gè)發(fā)光像素供給電流的電源線，所述多個(gè)發(fā)光像素各自具備發(fā)光元件，其通過(guò)流動(dòng)與數(shù)據(jù)電壓相應(yīng)的驅(qū)動(dòng)電流來(lái)發(fā)光；驅(qū)動(dòng)晶體管，其連接在所述電源線與所述發(fā)光元件之間，根據(jù)施加于柵電極的電壓將所述數(shù)據(jù)電壓轉(zhuǎn)換成所述驅(qū)動(dòng)電流；電容器，其一方的電極連接于所述驅(qū)動(dòng)晶體管的柵電極，用于保持與所述數(shù)據(jù)電壓相應(yīng)的電壓；第I晶體管，其柵電極連接于所述多條掃描線之一的掃描線，源電極和漏電極的一方連接于所述驅(qū)動(dòng)晶體管的柵電極；第2晶體管，其柵電極連接于所述掃描線，源電極和漏電極的一方連接于所述第I晶體管的源電極和漏電極的另一方；第5晶體管，其柵電極連接于所述掃描線，源電極和漏電極的一方連接于所述第2晶體管的源電極和漏電極的另一方，源電極和漏電極的另一方連接于所述多條數(shù)據(jù)線之一的數(shù)據(jù)線;第3晶體管，其柵電極連接于所述第I開(kāi)關(guān)晶體管的所述源電極和所述漏電極的一方，源電極連接于所述第I開(kāi)關(guān)晶體管的所述源電極和所述漏電極的另一方，漏電極連接于第I電位線；以及第4晶體管，其柵電極與漏電極連接，漏電極連接于所述第2開(kāi)關(guān)晶體管的所述源電極和所述漏電極的另一方，源電極連接于第2電位線。根據(jù)本方式，導(dǎo)入防止串聯(lián)連接的2個(gè)選擇晶體管即第I晶體管和第2晶體管的第I連接點(diǎn)的電位變動(dòng)的結(jié)構(gòu)。具體而言，配置作為保護(hù)電位用晶體管的第3晶體管、作為電壓變動(dòng)緩和用晶體管的呈ニ極管連接的第4晶體管，以使得即使在第I晶體管和第2晶體管發(fā)生了截止泄漏電流，第I連接點(diǎn)的電位也不會(huì)變動(dòng)。由此，在電壓保持狀態(tài)下電容器的電位不會(huì)變動(dòng)，能夠保持與正確的數(shù)據(jù)電壓相應(yīng)的電壓，能夠使發(fā)光元件以所希望的輝度來(lái)發(fā)光。另外，因?yàn)椴恍枰紤]由截止泄漏電流引起的電壓變動(dòng)將電容器的電極設(shè)計(jì)得較大，所以能夠減小電容器的電極面積，能夠?qū)崿F(xiàn)發(fā)光像素的微細(xì)化。進(jìn)而，在被導(dǎo)入保護(hù)電位的第I連接點(diǎn)與經(jīng)由第4晶體管連接于第2電位線的第2連接點(diǎn)之間，介有第2晶體管，因此在第I電位線與第2電位線之間不會(huì)流動(dòng)貫通電流，能夠抑制功耗同時(shí)使第I連接點(diǎn)的電位維持一定。 另外，本發(fā)明的ー個(gè)方式的顯示裝置也可以，所述驅(qū)動(dòng)晶體管、所述第I晶體管、所述第2晶體管、所述第3晶體管、所述第4晶體管以及所述第5晶體管是N型晶體管，所述第I電位線是相對(duì)于基準(zhǔn)電位的電位被設(shè)定成所述電容器所保持的電壓的最大值以上的電位的所述電源線，所述第2電位線是相對(duì)于基準(zhǔn)電位的電位被設(shè)定成所述電容器所保持的最小電壓以下的電位的第2電源線。根據(jù)本方式，在電壓保持狀態(tài)下，根據(jù)第3晶體管的柵扱-源極間電壓，電流以電源線一第3晶體管一第I連接點(diǎn)一第2晶體管一第2連接點(diǎn)一第4晶體管一第2電位線這樣的路徑流動(dòng)，因此第I連接點(diǎn)的電位維持為不會(huì)產(chǎn)生截止泄漏電流時(shí)的電位。進(jìn)而，因?yàn)樵诒粚?dǎo)入保護(hù)電位的第I連接點(diǎn)與第2連接點(diǎn)之間介有第2晶體管，所以在第I電位線與第2電位線之間不會(huì)流動(dòng)貫通電流，能夠抑制功耗同時(shí)使第I連接點(diǎn)的電位維持一定。另外，本發(fā)明的ー個(gè)方式的顯示裝置也可以，所述驅(qū)動(dòng)晶體管、所述第I晶體管、所述第2晶體管、所述第3晶體管、所述第4晶體管以及所述第5晶體管是P型晶體管，所述第I電位線是所述掃描線，所述第2電位線是相對(duì)于基準(zhǔn)電位的電位被設(shè)定成所述電容器所保持的最大電壓以上的電位的所述電源線。根據(jù)本方式，在電壓保持狀態(tài)下，根據(jù)第3晶體管的柵扱-源極間電壓，電流以電源線一第4晶體管一第2連接點(diǎn)一第2晶體管一第I連接點(diǎn)一第3晶體管一掃描線這樣的路徑流動(dòng)，因此第I連接點(diǎn)的電位維持為不會(huì)產(chǎn)生截止泄漏電流時(shí)的電位。進(jìn)而，因?yàn)樵诒粚?dǎo)入保護(hù)電位的第I連接點(diǎn)與第2連接點(diǎn)之間介有第2晶體管，所以在第I電位線與第2電位線之間不會(huì)流動(dòng)貫通電流，能夠抑制功耗同時(shí)使該第I連接點(diǎn)的電位維持一定。(實(shí)施方式I)以下，參照附圖對(duì)本發(fā)明的實(shí)施方式I進(jìn)行說(shuō)明。圖I是表示本發(fā)明的實(shí)施方式I的顯示裝置具有的發(fā)光像素的電路結(jié)構(gòu)以及與其周邊電路的連接的一例的圖。該圖中的顯示裝置I具備發(fā)光像素1A、數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)電路8、掃描線驅(qū)動(dòng)電路9，數(shù)據(jù)線11、掃描線12、電源線19以及20。圖I中，為了方便而示出ー個(gè)發(fā)光像素1A，發(fā)光像素IA按掃描線12與數(shù)據(jù)線11交叉的每個(gè)交叉部配置成矩陣狀，構(gòu)成顯示単元。另外，數(shù)據(jù)線11按發(fā)光像素列配置，掃描線12按發(fā)光像素行配置。發(fā)光像素IA具備有機(jī)EL元件13、驅(qū)動(dòng)晶體管14、電容器15、選擇晶體管16及17、保護(hù)電位用晶體管18。掃描線驅(qū)動(dòng)電路9連接于多條掃描線12，是具有通過(guò)對(duì)掃描線12輸出掃描信號(hào)來(lái)以行為單位控制發(fā)光像素IA具有的選擇晶體管16及17的導(dǎo)通和非導(dǎo)通的功能的驅(qū)動(dòng)電路。數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)電路8連接于多條數(shù)據(jù)線，是具有將基于圖像信號(hào)的數(shù)據(jù)電壓向發(fā)光像素IA輸出的功能的驅(qū)動(dòng)電路。 數(shù)據(jù)線11連接于數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)電路8，并連接于屬于包括發(fā)光像素IA的像素列的各發(fā)光像素，具有對(duì)確定發(fā)光強(qiáng)度的數(shù)據(jù)電壓進(jìn)行供給的功能。掃描線12連接于掃描線驅(qū)動(dòng)電路9，并連接于屬于包括發(fā)光像素IA的像素行的各發(fā)光像素。由此，掃描線12具有對(duì)向?qū)儆诎l(fā)光像素IA的像素行的各發(fā)光像素寫(xiě)入上述數(shù)據(jù)電壓的定時(shí)進(jìn)行供給的功能。選擇晶體管16是第I晶體管，其柵電極連接于掃描線12，源電極以及漏電極的一方連接于驅(qū)動(dòng)晶體管14的柵電極，通過(guò)來(lái)自掃描線12的掃描信號(hào)，與選擇晶體管17同步地對(duì)數(shù)據(jù)線11和發(fā)光像素IA的導(dǎo)通以及非導(dǎo)通進(jìn)行切換。選擇晶體管16由N型薄膜晶體管(N型TFT)構(gòu)成。選擇晶體管17是第2晶體管，其柵電極連接于掃描線12，源電極以及漏電極的一方連接于選擇晶體管16的源電極以及漏電極的另一方，源電極以及漏電極的另一方連接于數(shù)據(jù)線11，通過(guò)來(lái)自掃描線12的掃描信號(hào)，與選擇晶體管16同步地對(duì)數(shù)據(jù)線11和發(fā)光像素IA的導(dǎo)通以及非導(dǎo)通進(jìn)行切換。選擇晶體管17由N型薄膜晶體管(N型TFT)構(gòu)成。以下，將選擇晶體管16的源電極以及漏電極的另一方、與選擇晶體管17的源電極以及漏電極的一方的連接點(diǎn)記為第I連接點(diǎn)。另外，將選擇晶體管16的源電極以及漏電極的一方、電容器15的第I電極、與驅(qū)動(dòng)晶體管14的柵電極的連接點(diǎn)記為電容器連接點(diǎn)。驅(qū)動(dòng)晶體管14的漏電極連接于作為正電源線的電源線19，源電極連接于有機(jī)EL元件13的陽(yáng)電扱。驅(qū)動(dòng)晶體管14將與在柵扱-源極間施加的數(shù)據(jù)電壓對(duì)應(yīng)的電壓轉(zhuǎn)換成與該數(shù)據(jù)電壓對(duì)應(yīng)的漏電流。而且，將該漏電流作為驅(qū)動(dòng)電流供給到有機(jī)EL元件13。驅(qū)動(dòng)晶體管14由N型薄膜晶體管(N型TFT)構(gòu)成。有機(jī)EL元件13是陰電極與被設(shè)定成基準(zhǔn)電位或接地電位的電源線20連接的發(fā)光元件，通過(guò)由驅(qū)動(dòng)晶體管14使上述驅(qū)動(dòng)電流流動(dòng)來(lái)發(fā)光。以下，將與上述基準(zhǔn)電位之間的電位差定義為各布線、電極以及連接點(diǎn)的電位。電容器15的一方的電極即第I電極連接于驅(qū)動(dòng)晶體管14的柵電極，第2電極連接于驅(qū)動(dòng)晶體管14的源電極，具有如下功能保持與數(shù)據(jù)電壓對(duì)應(yīng)的電壓，例如在選擇晶體管16以及17成為截止?fàn)顟B(tài)之后，穩(wěn)定地保持驅(qū)動(dòng)晶體管14的柵扱-源極間電壓，使從驅(qū)動(dòng)晶體管14向有機(jī)EL元件13供給的驅(qū)動(dòng)電流穩(wěn)定化。此外，在有源矩陣型的顯示裝置的情況下，因?yàn)橐S持I幀期間的發(fā)光狀態(tài)，因此需要將電容器15的保持電容確保得較大。因此，電容器15的對(duì)向電極占發(fā)光像素的占有面積變大。由此，為了實(shí)現(xiàn)與顯示畫(huà)面的高精細(xì)化相伴的發(fā)光像素的微細(xì)化，重要的是電容器15的電極面積的縮小化。保護(hù)電位用晶體管18是第3晶體管，其柵電極連接于選擇晶體管16的源電極以及漏電極的一方，源電極連接于選擇晶體管16的源電極以及漏電極的另一方，漏電極連接于電源線19連接。保護(hù)電位用晶體管18由N型薄膜晶體管(N型TFT)構(gòu)成。在此，電源線19被設(shè)定成電容器15所保持的最大電壓以上的電位。通過(guò)該連接，選擇晶體管16以及17處于截止?fàn)顟B(tài)，在保持電容器15的電壓的狀態(tài)下，保護(hù)電位用晶體管18，使與由于從選擇晶體管16的源電極以及漏電極的一方向另一方流動(dòng)的截止泄漏電流而產(chǎn)生的柵扱-源極間電壓(Ve-Vpi)對(duì)應(yīng)的電流以電源線19—保護(hù)電位用晶體管18 —第I連接點(diǎn)一選擇晶體管17 —數(shù)據(jù)線11這樣的路徑流動(dòng)。該電流為了將第I連接點(diǎn)的電位Vpi維持為截止泄漏電流產(chǎn)生前的電位而發(fā)揮作用。上述電流對(duì)應(yīng)于保護(hù)電位用晶體管18的柵扱-源極間電壓(Ve-Vpi)的大小而流動(dòng)。由此，在電容器15的電壓保持狀態(tài)下，電容器連接點(diǎn)的電位\沒(méi)有發(fā)生變動(dòng)，能夠保持與正確的數(shù)據(jù)電壓相應(yīng)的電壓，能夠使有機(jī)EL元件13以所希望的輝度發(fā)光。即，Vpi作為Ve的保護(hù)電位發(fā)揮功能。另外，由于不需要考慮由截止泄漏電流引起的電壓變動(dòng)而將電容器15的電極設(shè)計(jì)得較大，因此與以往相比 能夠減小電容器的電極面積，能夠?qū)崿F(xiàn)發(fā)光像素的微細(xì)化。此外，保護(hù)電位用晶體管18的漏電極也可以與不同于電源線19的第I電位線連接。在該情況下，第I電位線需要被設(shè)定成電容器15所保持的最大電壓以上的電位。此外，如本實(shí)施方式所示，通過(guò)使第I的電位線為電源線19，能夠削減固定電位線的條數(shù)，因此能夠簡(jiǎn)化電路結(jié)構(gòu)。另外，雖然在圖I中沒(méi)有記載，但電源線19以及20分別也與其他的發(fā)光像素連接并與電壓源連接。接著，使用像素電路的狀態(tài)轉(zhuǎn)變圖對(duì)保護(hù)電位用晶體管18的功能進(jìn)行說(shuō)明。圖2A是表示本發(fā)明的實(shí)施方式I的發(fā)光像素的數(shù)據(jù)寫(xiě)入時(shí)的狀態(tài)的電路圖。首先，在向發(fā)光像素IA寫(xiě)入數(shù)據(jù)時(shí)，通過(guò)掃描線驅(qū)動(dòng)電路9，掃描線12成為高電平，選擇晶體管16以及17成為導(dǎo)通狀態(tài)。由此，數(shù)據(jù)線11和電容器連接點(diǎn)成為導(dǎo)通狀態(tài)。此時(shí)，因?yàn)橥ㄟ^(guò)數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)電路8使數(shù)據(jù)線11成為數(shù)據(jù)電壓電平，所以在電容器15保持了與數(shù)據(jù)電壓對(duì)應(yīng)的電壓。例如，使數(shù)據(jù)電壓Vdata的范圍為O 10V，在圖2A的數(shù)據(jù)寫(xiě)入時(shí)，寫(xiě)入Vdata=IOV,成為Ve=10V。另外，此時(shí)，例如電源線19電壓被設(shè)定成10V。圖2B是表示本發(fā)明的實(shí)施方式I的發(fā)光像素的顯示工作時(shí)的狀態(tài)的電路圖。在該圖所示的顯示工作時(shí)，數(shù)據(jù)線11的電位假定為Vdata=0V。接著，在發(fā)光像素IA的顯示工作時(shí)，通過(guò)掃描線驅(qū)動(dòng)電路9，掃描線12成為低電平，選擇晶體管16以及17成為截止?fàn)顟B(tài)。此時(shí)，在選擇晶體管16以及17產(chǎn)生截止泄漏電流，該截止泄漏電流根據(jù)電容器連接點(diǎn)的電位(Ve=IOV)以及數(shù)據(jù)線11的電位(Vdata=OV)的大小關(guān)系，以電容器連接點(diǎn)一選擇晶體管16 —第I連接點(diǎn)一選擇晶體管17 —數(shù)據(jù)線11這樣的路徑流動(dòng)。在此，如果沒(méi)有配置保護(hù)電位用晶體管18，由于上述截止泄漏電流導(dǎo)致的電壓降，電容器連接點(diǎn)的電位\無(wú)法維持10V，經(jīng)時(shí)地從IOV下降。另ー方面，在本實(shí)施方式中，通過(guò)配置保護(hù)電位用晶體管18，第I連接點(diǎn)的電位Vpi的維持作用起效。首先，通過(guò)上述截止泄漏電流，在選擇晶體管16的源扱-漏極間開(kāi)始產(chǎn)生電位差。上述電位差也是保護(hù)電位用晶體管18的柵扱-源極間電壓。由此，在保護(hù)電位用晶體管18，與該柵扱-源極間電壓對(duì)應(yīng)的漏電流以電源線19 —保護(hù)電位用晶體管18 —第I連接點(diǎn)一選擇晶體管17 —數(shù)據(jù)線11這樣的路徑流動(dòng)。因?yàn)樯鲜雎╇娏鲗?duì)應(yīng)于保護(hù)電位用晶體管18的柵扱-源極間電壓(Ve-Vpi)的大小而流動(dòng)，所以第I連接點(diǎn)的電位Vpi恢復(fù)到上述截止泄漏電流開(kāi)始流動(dòng)前的電位即10V，初始電位得到了維持。此外，在上述的發(fā)光像素IA的顯示工作時(shí)，在穩(wěn)定狀態(tài)下，Vpi的電位成為一直比Vg的電位小在保護(hù)電位用晶體管18的柵扱-源極間產(chǎn)生的亞閾值電壓的量的值。由于該電位差是不依賴數(shù)據(jù)電壓的值，因此對(duì)作為Vpi的保護(hù)電位的功能以及Ve的初始電位的維持不會(huì)產(chǎn)生影響。根據(jù)上述的本實(shí)施方式，在比寫(xiě)入電壓低的電壓被施加于數(shù)據(jù)線的情況下，即、在數(shù)據(jù)線11的電壓低于電容器15的保持電壓的情況下，電壓保持狀態(tài)下截止泄漏電流以電容器15 —選擇晶體管16 —第I連接點(diǎn)一選擇晶體管17 —數(shù)據(jù)線11這樣的路徑產(chǎn)生。在該情況下，根據(jù)保護(hù)電位用晶體管18的柵扱-源極間電壓，電流以電源線19 —保護(hù)電位用晶體管18 —第I連接點(diǎn)一選擇晶體管17 —數(shù)據(jù)線11這樣的路徑流動(dòng)，因此第I連接點(diǎn)的電位Vpi維持為不會(huì)產(chǎn)生截止泄漏電流時(shí)的電位。由此，電容器連接點(diǎn)的電位Ve不會(huì)發(fā)生變動(dòng)，能夠保持與正確的數(shù)據(jù)電壓相應(yīng)的電壓，能夠使有機(jī)EL元件13以所希望的輝度來(lái)發(fā)光。另外，由于不需要考慮由截止泄漏電流引起的電壓變動(dòng)而將電容器15的電極設(shè)計(jì)得較大，因此與以往相比能夠減小電容器的電極面積，能夠?qū)崿F(xiàn)發(fā)光像素的微細(xì)化。另外，根據(jù)上述結(jié)構(gòu)，特別是在寫(xiě)入電壓大的情況下的顯示工作時(shí)奏效，例如，能夠防止顯示高輝度的發(fā)光像素的保持電壓的經(jīng)時(shí)變動(dòng)。圖3是表示本發(fā)明的實(shí)施方式I的變形例的顯示裝置具有的發(fā)光像素的電路結(jié)構(gòu)以及與其周邊電路的連接的圖。該圖中的顯示裝置2具備發(fā)光像素2A、數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)電路8、掃描線驅(qū)動(dòng)電路9、數(shù)據(jù)線11、掃描線12、電源線19以及20、固定電位線29。圖3中，為了方便而示出一個(gè)發(fā)光像素2A，發(fā)光像素2A按掃描線12與數(shù)據(jù)線11交叉的交叉部配置成矩陣狀，構(gòu)成顯示単元。另外，數(shù)據(jù)線11按發(fā)光像素列配置，掃描線12按發(fā)光像素行配置。發(fā)光像素2A具備有機(jī)EL元件13、驅(qū)動(dòng)晶體管24、電容器25、選擇晶體管26以及27、保護(hù)電位用晶體管28。圖3所示的顯示裝置2與圖I所示的顯示裝置I相比，作為結(jié)構(gòu)不同之處在于各晶體管由P型晶體管形成。以下，省略說(shuō)明與顯示裝置I相同之處，以不同之處為中心進(jìn)行說(shuō)明。選擇晶體管26是第I晶體管，其柵電極連接于掃描線12，源電極以及漏電極的一方連接于驅(qū)動(dòng)晶體管24的柵電極，通過(guò)來(lái)自掃描線12的掃描信號(hào)，與選擇晶體管27同步地對(duì)數(shù)據(jù)線11與發(fā)光像素2A的導(dǎo)通以及非導(dǎo)通進(jìn)行切換。選擇晶體管26由P型薄膜晶體管(P型TFT)構(gòu)成。選擇晶體管27是第2晶體管，其柵電極連接于掃描線12，源電極以及漏電極的一方連接于選擇晶體管26的源電極以及漏電極的另一方，源電極以及漏電極的另一方連接于數(shù)據(jù)線11，通過(guò)來(lái)自掃描線12的掃描信號(hào)，與選擇晶體管26同步地對(duì)數(shù)據(jù)線11與發(fā)光像素2A的導(dǎo)通以及非導(dǎo)通進(jìn)行切換。選擇晶體管27由P型薄膜晶體管(P型TFT)構(gòu)成。
以下，將選擇晶體管26的源電極以及漏電極的另一方、與選擇晶體管27的源電極以及漏電極的一方的連接點(diǎn)記為第I連接點(diǎn)。另外，將選擇晶體管26的源電極以及漏電極的一方、電容器25的第I電極、與驅(qū)動(dòng)晶體管24的柵電極的連接點(diǎn)記為電容器連接點(diǎn)。驅(qū)動(dòng)晶體管24的源電極連接于作為正電源線的電源線19，漏電極連接于有機(jī)EL元件13的陽(yáng)電扱。驅(qū)動(dòng)晶體管24將與在柵扱-源極間施加的數(shù)據(jù)電壓對(duì)應(yīng)的電壓轉(zhuǎn)換成與該數(shù)據(jù)電壓對(duì)應(yīng)的漏電流。并且，將該漏電流作為驅(qū)動(dòng)電流供給到有機(jī)EL元件13。驅(qū)動(dòng)晶體管24由P型薄膜晶體管(P型TFT)構(gòu)成。有機(jī)EL元件13是陰電極與被設(shè)定成基準(zhǔn)電位或接地電位的電源線20連接的發(fā)光元件，通過(guò)驅(qū)動(dòng)晶體管24使上述驅(qū)動(dòng)電流流動(dòng)來(lái)發(fā)光。以下，將與上述基準(zhǔn)電位之間的電位差定義為各布線、電極以及連接點(diǎn)的電位。電容器25的一方的電極即第I電極連接于驅(qū)動(dòng)晶體管24的柵電極，第2電極連接于驅(qū)動(dòng)晶體管24的源電極，具有如下功能保持與數(shù)據(jù)電壓相應(yīng)的電壓，例如，在選擇晶體管26以及27成為截止?fàn)顟B(tài)之后，使驅(qū)動(dòng)晶體管24的柵極-源極間電壓保持穩(wěn)定，使從驅(qū)動(dòng)晶體管24向有機(jī)EL元件13供給的驅(qū)動(dòng)電流穩(wěn)定化。保護(hù)電位用晶體管28的柵電極連接于選擇晶體管26的源電極以及漏電極的一方，源電極連接于選擇晶體管26的源電極以及漏電極的另一方，漏電極連接于固定電位線29。保護(hù)電位用晶體管28由P型薄膜晶體管(P型TFT)構(gòu)成。在此，固定電位線29被設(shè)定成電容器25所保持的最小電壓以下的電位。通過(guò)該連接，選擇晶體管26以及27處于截止?fàn)顟B(tài)，在保持電容器25的電壓的狀態(tài)下，保護(hù)電位用晶體管28，使與由于從選擇晶體管26的源電極以及漏電極的另一方向一方流入的截止泄漏電流而產(chǎn)生的柵扱-源極間電壓(Ve-Vpi)對(duì)應(yīng)的電流以數(shù)據(jù)線11 —選擇晶體管27 —第I連接點(diǎn)一保護(hù)電位用晶體管28 —固定電位線29這樣的路徑流動(dòng)。該電流為了將第I連接點(diǎn)的電位Vpi維持為截止泄漏電流產(chǎn)生前的電位而發(fā)揮作用。上述電流對(duì)應(yīng)于保護(hù)電位用晶體管28的柵扱-源極間電壓(Ve-Vpi)的大小而流動(dòng)。由此，在電容器25的電壓保持狀態(tài)下，電容器連接點(diǎn)的電位\不會(huì)發(fā)生變動(dòng)，能夠保持與正確的數(shù)據(jù)電壓相應(yīng)的電壓，能夠使有機(jī)EL元件13以所希望的輝度來(lái)發(fā)光。即，Vpi作為Ve的保護(hù)電位發(fā)揮功能。另外，由于沒(méi)有必要考慮由于截止泄漏電流引起的電壓變動(dòng)而將電容器25的電極設(shè)定得較大，因此與以往相比能夠減小電容器的電極面積，能夠?qū)崿F(xiàn)發(fā)光像素的微細(xì)化。此外，保護(hù)電位用晶體管28的漏電極也可以與不同于固定電位線29的掃描線12連接。在該情況下，成為條件的是在使選擇晶體管26以及27為截止?fàn)顟B(tài)的情況下的掃描線電位被設(shè)定成電容器25所保持的最小電壓以下的電位。通過(guò)上述結(jié)構(gòu)，通過(guò)使保護(hù)電位用晶體管28的連接目的地為掃描線12，能夠削減固定電位線的條數(shù)，因此能夠簡(jiǎn)化電路結(jié)構(gòu)。接著，使用像素電路的狀態(tài)轉(zhuǎn)變圖對(duì)保護(hù)電位用晶體管28的功能進(jìn)行說(shuō)明。圖4A是表示本發(fā)明的實(shí)施方式I的變形例的發(fā)光像素的數(shù)據(jù)寫(xiě)入時(shí)的狀態(tài)的電路圖。首先，在向發(fā)光像素2A寫(xiě)入數(shù)據(jù)時(shí)，通過(guò)掃描線驅(qū)動(dòng)電路9，掃描線12成為低電平，選擇晶體管26以及27成為導(dǎo)通狀態(tài)。由此，數(shù)據(jù)線11和電容器連接點(diǎn)成為導(dǎo)通狀態(tài)。此時(shí)，因?yàn)橥ㄟ^(guò)數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)電路8使數(shù)據(jù)線11成為數(shù)據(jù)電壓電平，所以在電容器25保持了與數(shù)據(jù)電壓對(duì)應(yīng)的電壓。例如，使數(shù)據(jù)電壓Vdata的范圍為O 10V，在圖4A的數(shù)據(jù)寫(xiě)入時(shí)，寫(xiě)入Vdata=OV,成為Ve=0V。另外，此時(shí)，例如，固定電位線29的電壓被設(shè)定成0V。 圖4B是表示本發(fā)明的實(shí)施方式I的變形例的發(fā)光像素的顯示工作時(shí)的狀態(tài)的電路圖。在該圖所示的顯示工作時(shí)，數(shù)據(jù)線11的電位假設(shè)為Vdata=10V。
接著，在發(fā)光像素2A的顯示工作時(shí)，通過(guò)掃描線驅(qū)動(dòng)電路9，掃描線12成為高電平，選擇晶體管26以及27成為截止?fàn)顟B(tài)。此時(shí)，在選擇晶體管26以及27產(chǎn)生截止泄漏電流，該截止泄漏電流根據(jù)電容器連接點(diǎn)的電位(Ve=OV)以及數(shù)據(jù)線11的電位(Vdata=IOV)的大小關(guān)系，以數(shù)據(jù)線11 —選擇晶體管27 —第I連接點(diǎn)一選擇晶體管26 —電容器連接點(diǎn)這樣的路徑流動(dòng)。在此，如果沒(méi)有配置保護(hù)電位用晶體管28，則由于上述截止泄漏電流導(dǎo)致的電壓上升，電容器連接點(diǎn)的電位\無(wú)法維持0V，經(jīng)時(shí)地從OV上升。與此相対，在本實(shí)施方式中，通過(guò)配置保護(hù)電位用晶體管28，第I連接點(diǎn)的電位Vp1的維持作用起效。首先，通過(guò)上述截止泄漏電流，在選擇晶體管26的源扱-漏極間開(kāi)始產(chǎn)生電位差。上述電位差也是保護(hù)電位用晶體管28的柵扱-源極間電壓。由此，在保護(hù)電位用晶體管28，與該柵扱-源極間電壓對(duì)應(yīng)的漏電流以數(shù)據(jù)線11 —選擇晶體管27 —第I連接點(diǎn)一保護(hù)電位用晶體管28 —固定電位線29這樣的路徑流動(dòng)。因?yàn)樯鲜雎╇娏鲗?duì)應(yīng)于保護(hù)電位用晶體管28的柵極-源極間電壓(Ve-Vpi)的大小而流動(dòng)，所以第I連接點(diǎn)的電位Vpi恢復(fù)為上述截止泄漏電流開(kāi)始流動(dòng)前的電位即0V，初始電位得到了維持。 此外，在上述的發(fā)光像素2A的顯示工作時(shí)，在穩(wěn)定狀態(tài)下，Vpi的電位成為一直比Ve的電位大在保護(hù)電位用晶體管28的柵扱-源極間產(chǎn)生的亞閾值電壓的量的值。由于該電位差是不依賴數(shù)據(jù)電壓的值，所以對(duì)作為Vpi的保護(hù)電位的功能以及Ve的初始電位的維持不會(huì)產(chǎn)生影響。根據(jù)上述的本實(shí)施方式，在比寫(xiě)入電壓高的電壓被施加于數(shù)據(jù)線11的情況下，即、在數(shù)據(jù)線11的電壓高于電容器25的保持電壓的情況下，電壓保持狀態(tài)下截止泄漏電流以數(shù)據(jù)線11 —選擇晶體管27 —第I連接點(diǎn)一選擇晶體管26 —電容器25這樣的路徑產(chǎn)生。在該情況下，根據(jù)保護(hù)電位用晶體管28的柵扱-源極間電壓，電流以數(shù)據(jù)線11 —選擇晶體管27 —第I連接點(diǎn)一保護(hù)電位用晶體管28 —固定電位線29這樣的路徑流動(dòng)，因此第I連接點(diǎn)的電位Vpi維持為不會(huì)產(chǎn)生截止泄漏電流時(shí)的電位。由此，電容器連接點(diǎn)的電位Ve不會(huì)發(fā)生變動(dòng)，能夠保持與正確的數(shù)據(jù)電壓相應(yīng)的電壓，能夠使有機(jī)EL元件13以所希望的輝度來(lái)發(fā)光。另外，由于不需要考慮由于截止泄漏電流引起的電壓變動(dòng)而將電容器25的電極設(shè)計(jì)得較大，因此與以往相比能夠減小電容器的電極面積，能夠?qū)崿F(xiàn)發(fā)光像素的微細(xì)化。另外，根據(jù)上述結(jié)構(gòu)，特別是在寫(xiě)入電壓小的情況下的顯示工作時(shí)奏效，例如，能夠防止顯示高輝度的發(fā)光像素的保持電壓的經(jīng)時(shí)變動(dòng)。圖5是本發(fā)明的實(shí)施方式I的發(fā)光像素的電路布局圖的一例。發(fā)光像素1A，通過(guò)在整個(gè)面形成有機(jī)EL元件13的驅(qū)動(dòng)電路層和形成有各晶體管以及電容器的驅(qū)動(dòng)電路層構(gòu)成2層構(gòu)造。在該圖中，示出了發(fā)光像素IA的驅(qū)動(dòng)電路層中，選擇晶體管16以及17、保護(hù)電位用晶體管18、以及它們的連接關(guān)系。選擇晶體管16及17以及保護(hù)電位用晶體管18為底柵型構(gòu)造。選擇晶體管16以及17的共用柵電極50G和保護(hù)電位用晶體管18的柵電極18G構(gòu)成下層。另外，選擇晶體管16的源電極16S、選擇晶體管17的漏電極17D、以及選擇晶體管16的漏電極以及選擇晶體管17的源電極的共用電極50SD構(gòu)成上層。另外，在上述上層以及下層之間，形成選擇晶體管16及17以及保護(hù)電位用晶體管18的半導(dǎo)體層。如圖5所示的布局圖，通過(guò)共用上述3個(gè)晶體管的各電極以及半導(dǎo)體層，能夠使上述3個(gè)晶體管的制造材料利用率和成本相同于I個(gè)晶體管的制造材料利用率和成本。(實(shí)施方式2)
在實(shí)施方式I中說(shuō)明的顯示裝置I中，在顯示工作時(shí)，在數(shù)據(jù)線11的電壓低于寫(xiě)入電壓的情況下，能夠?qū)㈦娙萜?5的電位Ve維持不減少。另外，在實(shí)施方式I的變形例中說(shuō)明的顯示裝置2中，在顯示工作時(shí)，在數(shù)據(jù)線11的電壓高于寫(xiě)入電壓的情況下，能夠使電容器25的電位Ve不上升而維持。然而，在實(shí)施方式I的顯示裝置I以及2中，分別在顯示工作時(shí)，在寫(xiě)入電壓與數(shù)據(jù)線11的電壓的關(guān)系相反的情況下，無(wú)法通過(guò)保護(hù)電位用晶體管18以及28確保電流流通的路徑，因此難以維持電容器 15以及25的電位Ve。本實(shí)施方式的顯示裝置，具有與上述的實(shí)施方式I的顯示裝置同樣效果，并且可解決該顯示裝置具有的上述問(wèn)題。以下，參照附圖對(duì)本發(fā)明的實(shí)施方式2進(jìn)行說(shuō)明。圖6是表示本發(fā)明的實(shí)施方式2的顯示裝置具有的發(fā)光像素的電路結(jié)構(gòu)以及與其周邊電路的連接的圖。該圖中的顯示裝置3具備發(fā)光像素3A、數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)電路8、掃描線驅(qū)動(dòng)電路9、數(shù)據(jù)線11、掃描線12、電源線19以及20。圖6中，為了方便而示出一個(gè)發(fā)光像素3A，發(fā)光像素3A按掃描線12與數(shù)據(jù)線11交叉的交叉部配置成矩陣狀，構(gòu)成顯示単元。另外，數(shù)據(jù)線11按發(fā)光像素列配置，掃描線12按發(fā)光像素行配置。發(fā)光像素3A具備有機(jī)EL元件13、驅(qū)動(dòng)晶體管14、電容器15、選擇晶體管16以及17、保護(hù)電位用晶體管18、電壓變動(dòng)緩和用晶體管31。圖6所示的顯示裝置3與圖I所示的顯示裝置I相比，作為結(jié)構(gòu)不同之處在于配置有電壓變動(dòng)緩和用晶體管31。以下，省略說(shuō)明與顯示裝置I相同之處，以不同之處為中心進(jìn)行說(shuō)明。電壓變動(dòng)緩和用晶體管31是第4晶體管，其柵電極與漏電極短路連接，漏電極連接于選擇晶體管16的源電極以及漏電極的另一方，源電極連接于有機(jī)EL元件13的陽(yáng)電扱。電壓變動(dòng)緩和用晶體管31由N型薄膜晶體管(η型TFT)構(gòu)成。通過(guò)上述連接關(guān)系，電壓變動(dòng)緩和用晶體管31呈ニ極管連接，因此從漏電極向源電極的方向流動(dòng)電流。由此，在電容器15的電壓保持狀態(tài)下，用于防止第I連接點(diǎn)的電位Vpi的變動(dòng)的電流，不僅以電源線19 —保護(hù)電位用晶體管18 —第I連接點(diǎn)一選擇晶體管17 —數(shù)據(jù)線11這樣的路徑，也能夠以數(shù)據(jù)線11 —選擇晶體管17 —第I連接點(diǎn)一電壓變動(dòng)緩和用晶體管31 —有機(jī)EL元件13的陽(yáng)電極這樣的路徑流動(dòng)。通過(guò)該電流流通的路徑，不管數(shù)據(jù)線11的電壓的大小如何，都能夠使第I連接點(diǎn)的電位維持一定。接著，使用像素電路的狀態(tài)轉(zhuǎn)變圖對(duì)電壓變動(dòng)緩和用晶體管31的功能進(jìn)行說(shuō)明。圖7A是表示本發(fā)明的實(shí)施方式2的發(fā)光像素的數(shù)據(jù)寫(xiě)入時(shí)的狀態(tài)的電路圖。首先，在向發(fā)光像素3A寫(xiě)入數(shù)據(jù)時(shí)，通過(guò)掃描線驅(qū)動(dòng)電路9，掃描線12成為高電平，選擇晶體管16以及17成為導(dǎo)通狀態(tài)。由此，數(shù)據(jù)線11和電容器連接點(diǎn)成為導(dǎo)通狀態(tài)。此時(shí)，因?yàn)橥ㄟ^(guò)數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)電路8使數(shù)據(jù)線11成為數(shù)據(jù)電壓電平，所以在電容器15保持了與數(shù)據(jù)電壓對(duì)應(yīng)的電壓。例如，使數(shù)據(jù)電壓Vdata的范圍為O 10V，在圖7A的數(shù)據(jù)寫(xiě)入時(shí)，寫(xiě)入Vdata=5V，成為Ve=5V。另外，此時(shí)，例如，電源線19的電壓被設(shè)定成10V。圖7B是表示本發(fā)明的實(shí)施方式2的發(fā)光像素的顯示工作時(shí)的第I狀態(tài)的電路圖。在該圖所示的顯示工作時(shí)，示出了數(shù)據(jù)線11的電位高于寫(xiě)入電壓的狀態(tài)。在此，假定數(shù)據(jù)線11的電壓Vdata= IOV。在發(fā)光像素3A的顯示工作時(shí)，通過(guò)掃描線驅(qū)動(dòng)電路9，掃描線12成為低電平，選擇晶體管16以及17成為截止?fàn)顟B(tài)。此時(shí)，在選擇晶體管16以及17產(chǎn)生截止泄漏電流。在此，若假定如實(shí)施方式I的顯示裝置I所示沒(méi)有配置電壓變動(dòng)緩和用晶體管31的情況，則該截止泄漏電流根據(jù)電容器連接點(diǎn)的電位(Ve=5V)以及數(shù)據(jù)線11的電位(Vdata=IOV)的大小關(guān)系，以數(shù)據(jù)線11 —選擇晶體管17 —第I連接點(diǎn)一選擇晶體管16 —電容器15連接點(diǎn)這樣的路徑流動(dòng)。即，如果沒(méi)有配置電壓變動(dòng)緩和用晶體管31，則無(wú)法確保上述截止泄漏電流的排出目的地，電容器連接點(diǎn)的電位\無(wú)法維持5V，經(jīng)時(shí)地從5V上升。與此相対，在本實(shí)施方式中，通過(guò)配置電壓變動(dòng)緩和用晶體管31，上述截止泄漏電流以數(shù)據(jù)線11 —選擇晶體管17 —第I連接點(diǎn)一電壓變動(dòng)緩和用晶體管31 —有機(jī)EL元件13的陽(yáng)電極這樣的路徑流動(dòng)。即，來(lái)自數(shù)據(jù)線11的流入電流作為電壓變動(dòng)緩和用晶體管31的順?lè)较螂娏鞫?jīng)由電壓變動(dòng)緩和用晶體管31排出。由此，電容器連接點(diǎn)的電位Ve不會(huì)發(fā)生變動(dòng)，能夠保持與正確的數(shù)據(jù)電壓相應(yīng)的電壓，能夠使有機(jī)EL元件13以所希望的輝度來(lái)發(fā)光。另外，由于不需要考慮由截止泄漏電流引起的電壓變動(dòng)而將電容器15的電極設(shè)計(jì)得較大，因此與以往相比能夠減小電容器的電極面積，能夠?qū)崿F(xiàn)發(fā)光像素的微細(xì)化。圖7C是表示本發(fā)明的實(shí)施方式2的發(fā)光像素的顯示工作時(shí)的第2狀態(tài)的電路圖。在該圖所示的顯示工作時(shí)，示出了數(shù)據(jù)線11的電位低于寫(xiě)入電壓的狀態(tài)。在此，假定數(shù)據(jù)線11的電壓Vdata=0V。在發(fā)光像素3A的顯示工作時(shí)，通過(guò)掃描線驅(qū)動(dòng)電路9，掃描線12成為低電平，選擇晶體管16以及17成為截止?fàn)顟B(tài)。此時(shí)，在選擇晶體管16以及17產(chǎn)生截止泄漏電流，該截止泄漏電流根據(jù)電容器連接點(diǎn)的電位(\=5V)以及數(shù)據(jù)線11的電位(Vdata=OV)的大小關(guān)系，以電容器15的第I電極一選擇晶體管16 —第I連接點(diǎn)一選擇晶體管17 —數(shù)據(jù)線11這樣的路徑流動(dòng)。在此，與實(shí)施方式I的顯示裝置I同樣地，通過(guò)配置保護(hù)電位用晶體管18，第I連接點(diǎn)的電位Vp1的維持作用起效。通過(guò)該保護(hù)電位用晶體管18的漏電流，第I連接點(diǎn)的電位Vpi恢復(fù)到上述截止泄漏電流開(kāi)始流動(dòng)前的電位即5V，初始電位得到了維持。S卩，向數(shù)據(jù)線11的流出電流經(jīng)由保護(hù)電位用晶體管18補(bǔ)充。另外，保護(hù)電位用晶體管18的漏電流也能夠向電壓變動(dòng)緩和用晶體管31分流。根據(jù)上述的本實(shí)施方式，在顯示工作時(shí)的數(shù)據(jù)線電壓的全部范圍中，第I連接點(diǎn)的電位維持為不會(huì)產(chǎn)生截止泄漏電流時(shí)的電位。由此，電容器連接點(diǎn)的電位Ve不會(huì)發(fā)生變動(dòng)，能夠保持與正確的數(shù)據(jù)電壓相應(yīng)的電壓，能夠使有機(jī)EL元件13以所希望的輝度來(lái)發(fā)光。另外，由于不需要考慮由截止泄漏電流引起的電壓變動(dòng)而將電容器15的電極設(shè)計(jì)得較大，因此與以往相比能夠減小電容器的電極面積，能夠?qū)崿F(xiàn)發(fā)光像素的微細(xì)化。此外，在本實(shí)施方式中，將電壓變動(dòng)緩和用晶體管31的連接目的地設(shè)為了有機(jī)EL元件13的陽(yáng)電極，但該連接目的地也可以被設(shè)定成電容器15所保持的最小電壓以下的電位的第2電源線或第2固定電位線。此外，如本實(shí)施方式所示，由于沒(méi)有使用第2固定電位線，所以能夠削減固定電位線的條數(shù)，因此能夠簡(jiǎn)化電路結(jié)構(gòu)。圖8是表示本發(fā)明的實(shí)施方式2的變形例的顯示裝置具有的發(fā)光像素的電路結(jié)構(gòu)以及與其周邊電路的連接的圖。該圖中的顯示裝置4具備發(fā)光像素4A、數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)電路8、掃描線驅(qū)動(dòng)電路9、數(shù)據(jù)線11、掃描線12、電源線19以及20、固定電位線29。圖8中，為、了方便而示出一個(gè)發(fā)光像素4A，發(fā)光像素4A按掃描線12與數(shù)據(jù)線11交叉的交叉部配置成矩陣狀，構(gòu)成顯示単元。另外，數(shù)據(jù)線11按發(fā)光像素列配置，掃描線12按發(fā)光像素行配置。發(fā)光像素4A具備有機(jī)EL元件13、驅(qū)動(dòng)晶體管24、電容器25、選擇晶體管26以及27、保護(hù)電位用晶體管28、電壓變動(dòng)緩和用晶體管41。圖8所示的顯示裝置4與圖3所示的顯示裝置2相比，作為結(jié)構(gòu)不同之處在于配置有電壓變動(dòng)緩和用晶體管41。以下，省略說(shuō)明與顯示裝置2相同之處，以不同之處為中心進(jìn)行說(shuō)明。電壓變動(dòng)緩和用晶體 管41是第4晶體管，其柵電極與漏電極短路連接，漏電極連接于選擇晶體管26的源電極以及漏電極的另一方，源電極連接于電源線19。電壓變動(dòng)緩和用晶體管41由P型薄膜晶體管(P型TFT)構(gòu)成。通過(guò)上述連接關(guān)系，電壓變動(dòng)緩和用晶體管41呈ニ極管連接，因此從源電極向漏電極的方向流動(dòng)電流。由此，在電容器25的電壓保持狀態(tài)下，用于防止第I連接點(diǎn)的電位Vpi的變動(dòng)的電流，不僅以數(shù)據(jù)線11 —選擇晶體管27 —第I連接點(diǎn)一保護(hù)電位用晶體管28 —固定電位線29這樣的路徑流動(dòng)，還能夠以電源線19 —電壓變動(dòng)緩和用晶體管41 —第I連接點(diǎn)一選擇晶體管27 —數(shù)據(jù)線11這樣的路徑流動(dòng)。通過(guò)該電流流通的路徑，不管數(shù)據(jù)線11的電壓的大小如何，都能夠使上述連接點(diǎn)的電位維持一定。接著，使用像素電路的狀態(tài)轉(zhuǎn)變圖對(duì)電壓變動(dòng)緩和用晶體管41的功能進(jìn)行說(shuō)明。圖9A是表示本發(fā)明的實(shí)施方式2的變形例的發(fā)光像素的數(shù)據(jù)寫(xiě)入時(shí)的狀態(tài)的電路圖。首先，在向發(fā)光像素4A寫(xiě)入數(shù)據(jù)時(shí)，通過(guò)掃描線驅(qū)動(dòng)電路9，掃描線12成為低電平，選擇晶體管26以及27成為導(dǎo)通狀態(tài)。由此，數(shù)據(jù)線11和電容器連接點(diǎn)成為導(dǎo)通狀態(tài)。此時(shí)，因?yàn)橥ㄟ^(guò)數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)電路8使數(shù)據(jù)線11成為數(shù)據(jù)電壓電平，所以在電容器25保持了與數(shù)據(jù)電壓對(duì)應(yīng)的電壓。例如，使數(shù)據(jù)電壓Vdata的范圍為O 10V，在圖9A的數(shù)據(jù)寫(xiě)入時(shí)，寫(xiě)入Vdata=5V，成為Ve=5V。另外，此時(shí)，例如電源線19的電壓被設(shè)定成10V，固定電位線29的電壓被設(shè)定成OV。圖9B是表示本發(fā)明的實(shí)施方式2的變形例的發(fā)光像素的顯示工作時(shí)的第I狀態(tài)的電路圖。在該圖所示的顯示工作時(shí)，示出了數(shù)據(jù)線11的電位低于寫(xiě)入電壓的狀態(tài)。在此，假定數(shù)據(jù)線11的電壓Vdata=0V。在發(fā)光像素4A的顯示工作時(shí)，通過(guò)掃描線驅(qū)動(dòng)電路9，掃描線12成為高電平，選擇晶體管26以及27成為截止?fàn)顟B(tài)。此時(shí)，在選擇晶體管26以及27產(chǎn)生截止泄漏電流。在此，若假定如實(shí)施方式I的變形例的顯示裝置2所示沒(méi)有配置電壓變動(dòng)緩和用晶體管41的情況，則該截止泄漏電流根據(jù)電容器連接點(diǎn)的電位(\=5V)以及數(shù)據(jù)線11的電位(Vdata=OV)的大小關(guān)系，以電容器連接點(diǎn)一選擇晶體管26 —第I連接點(diǎn)一選擇晶體管27 —數(shù)據(jù)線11這樣的路徑流動(dòng)。即，如果沒(méi)有配置電壓變動(dòng)緩和用晶體管41，則上述截止泄漏電流向數(shù)據(jù)線11排出，電容器連接點(diǎn)的電位\無(wú)法維持5V，經(jīng)時(shí)地從5V下降。與此相對(duì)，在本實(shí)施方式中，通過(guò)配置電壓變動(dòng)緩和用晶體管41，電流以電源線19 —電壓變動(dòng)緩和用晶體管41 —第I連接點(diǎn)一選擇晶體管27 —數(shù)據(jù)線11這樣的路徑流動(dòng)，因此第I連接點(diǎn)的電位Vp1的維持作用起效。通過(guò)經(jīng)由該電壓變動(dòng)緩和用晶體管41的電流，第I連接點(diǎn)的電位Vpi恢復(fù)到上述截止泄漏電流開(kāi)始流動(dòng)前的電位即5V，初始電位得到了維持。即，作為截止泄漏電流的向數(shù)據(jù)線11的流出電流，由電壓變動(dòng)緩和用晶體管41的順?lè)较螂娏鱽?lái)補(bǔ)充。由此，電容器連接點(diǎn)的電位Ve不會(huì)發(fā)生變動(dòng)，能夠保持與正確的數(shù)據(jù)電壓相應(yīng)的電壓，能夠使有機(jī)EL元件13以所希望的輝度來(lái)發(fā)光。另外，由于不需要考慮由截止泄漏電流引起的電壓變動(dòng)而將電容器25的電極設(shè)計(jì)得較大，因此與以往相比能夠減小電容器的電極面積，能夠?qū)崿F(xiàn)發(fā)光像素的微細(xì)化。圖9C是表示本發(fā)明的實(shí)施方式2的變形例的發(fā)光像素的顯示工作時(shí)的第2狀態(tài)的電路圖。在該圖所示的顯示工作時(shí)，示出了數(shù)據(jù)線11的電位高于寫(xiě)入電壓的狀態(tài)。在此，假定數(shù)據(jù)線11的電壓Vdata=10V。
在發(fā)光像素4A的顯示工作時(shí)，通過(guò)掃描線驅(qū)動(dòng)電路9，掃描線12成為高電平，選 擇晶體管26以及27成為截止?fàn)顟B(tài)。此時(shí)，在選擇晶體管26以及27產(chǎn)生了截止泄漏電流。該截止泄漏電流根據(jù)電容器連接點(diǎn)的電位(Ve=5V)以及數(shù)據(jù)線11的電位(Vdata=IOV)的大小關(guān)系，以數(shù)據(jù)線11 —選擇晶體管27 —第I連接點(diǎn)一選擇晶體管26 —電容器連接點(diǎn)這樣的路徑流動(dòng)。在此，與實(shí)施方式I的顯示裝置2同樣地，通過(guò)配置保護(hù)電位用晶體管28，第I連接點(diǎn)的電位Vpi的維持作用起效。通過(guò)該保護(hù)電位用晶體管28的漏電流，第I連接點(diǎn)的電位Vpi恢復(fù)到上述截止泄漏電流開(kāi)始流動(dòng)前的電位即5V，初始電位得到了維持。S卩，來(lái)自數(shù)據(jù)線11的流入電流經(jīng)由保護(hù)電位用晶體管28排出。由此，電容器連接點(diǎn)的電位Ve不會(huì)發(fā)生變動(dòng)，能夠保持與正確的數(shù)據(jù)電壓相應(yīng)的電壓，能夠使有機(jī)EL元件13以所希望的輝度來(lái)發(fā)光。另外，由于不需要考慮由截止泄漏電流引起的電壓變動(dòng)而將電容器25的電極設(shè)計(jì)得較大，因此與以往相比能夠減小電容器的電極面積，能夠?qū)崿F(xiàn)發(fā)光像素的微細(xì)化。此外，在本實(shí)施方式中，將電壓變動(dòng)緩和用晶體管41的連接目的地設(shè)為電源線19，但該連接目的地也可以被設(shè)定成電容器25所保持的最大電壓以上的電位的固定電位線。此外，如本實(shí)施方式所示，由于沒(méi)有另行使用固定電位線，所以能夠削減固定電位線的條數(shù)，因此能夠簡(jiǎn)化電路結(jié)構(gòu)。(實(shí)施方式3)在實(shí)施方式2中說(shuō)明的顯示裝置3中，在顯示工作吋，貫通電流會(huì)一直以電源線19 —保護(hù)電位用晶體管18 —第I連接點(diǎn)一電壓變動(dòng)緩和用晶體管31 —有機(jī)EL元件13的陽(yáng)電極這樣的路徑流動(dòng)。另外，在實(shí)施方式2中說(shuō)明的顯示裝置4中，在顯示工作吋，貫通電流會(huì)一直以電源線19 —電壓變動(dòng)緩和用晶體管41 —第I連接點(diǎn)一保護(hù)電位用晶體管28 —固定電位線29這樣的路徑流動(dòng)。上述貫通電流會(huì)使功耗增加。本實(shí)施方式的顯示裝置具有與上述的實(shí)施方式2的顯示裝置同樣的效果，并且可解決該顯示裝置具有的上述問(wèn)題。以下，參照附圖對(duì)本發(fā)明的實(shí)施方式進(jìn)行說(shuō)明。圖10是表示本發(fā)明的實(shí)施方式3的顯示裝置具有的發(fā)光像素的電路結(jié)構(gòu)以及與其周邊電路的連接的圖。該圖中的顯示裝置5具備發(fā)光像素5A、數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)電路8、掃描線驅(qū)動(dòng)電路9、數(shù)據(jù)線11、掃描線12、電源線19以及20。圖10中，為了方便而示出ー個(gè)發(fā)光像素5A，發(fā)光像素5A按掃描線12與數(shù)據(jù)線11交叉的交叉部配置成矩陣狀，構(gòu)成顯示單元。另外，數(shù)據(jù)線11按發(fā)光像素列配置，掃描線12按發(fā)光像素行配置。
發(fā)光像素5A具備有機(jī)EL元件13、驅(qū)動(dòng)晶體管14、電容器15、選擇晶體管16、17以及52、保護(hù)電位用晶體管18、電壓變動(dòng)緩和用晶體管51。圖10所示的顯示裝置5與圖6所示的顯示裝置3相比，作為結(jié)構(gòu)不同之處在于增加了選擇晶體管52、以及電壓變動(dòng)緩和用晶體管51的連接點(diǎn)。以下，省略說(shuō)明與顯示裝置3相同之處，以不同之處為中心進(jìn)行說(shuō)明選擇晶體管52是第5晶體管，其柵電極連接于掃描線12，源電極以及漏電極的一方連接于選擇晶體管17的源電極以及漏電極的另一方，源電極以及漏電極的另一方連接于數(shù)據(jù)線11，通過(guò)來(lái)自掃描線12的掃描信號(hào)，與選擇晶體管16以及17同步地對(duì)數(shù)據(jù)線11與發(fā)光像素5A的導(dǎo)通以及非導(dǎo)通進(jìn)行切換。選擇晶體管52由N型薄膜晶體管(η型TFT)構(gòu)成。以下，將選擇晶體管17的源電極以及漏電極的另一方、與選擇晶體管52的源電極以及漏電極的一方的連接點(diǎn)記為第2連接點(diǎn)。電壓變動(dòng)緩和用晶體管51是第4晶體管，其柵電極與漏電極短路連接，漏電極連接于選擇晶體管17的源電極以及漏電極的另一方，源電極連接于有機(jī)EL元件13的陽(yáng)電扱。電壓變動(dòng)緩和用晶體管51由N型薄膜晶體管(η型TFT)構(gòu)成。通過(guò)上述連接關(guān)系，電壓變動(dòng)緩和用晶體管51呈ニ極管連接，因此從漏電極向源電極的方向流動(dòng)電流。由此，在電容器15的電壓保持狀態(tài)下，用于防止第I連接點(diǎn)的電位Vpi的變動(dòng)的電流，能夠以電源線19 —保護(hù)電位用晶體管18 —第I連接點(diǎn)一選擇晶體管17 —第2連接點(diǎn)—電壓變動(dòng)緩和用晶體管51 —有機(jī)EL元件13的陽(yáng)電極這樣的路徑流動(dòng)。通過(guò)該電流流通的路徑，顯示工作中的第2連接點(diǎn)的電位Vp2被固定為有機(jī)EL元件13的陽(yáng)電極的電位。通過(guò)該工作和保護(hù)電位用晶體管18的工作，選擇晶體管17的源扱-漏極間電壓成為一定。由此，不管數(shù)據(jù)線11的電壓的大小如何，都能夠使第I連接點(diǎn)的電位Vpi維持一定。接著，使用像素電路的狀態(tài)轉(zhuǎn)變圖對(duì)發(fā)光像素5A的保持電壓穩(wěn)定功能進(jìn)行說(shuō)明。圖IlA是表示本發(fā)明的實(shí)施方式3的發(fā)光像素的數(shù)據(jù)寫(xiě)入時(shí)的狀態(tài)的電路圖。首先，在向發(fā)光像素5A寫(xiě)入數(shù)據(jù)時(shí)，通過(guò)掃描線驅(qū)動(dòng)電路9，掃描線12成為高電平，選擇晶體管16、17以及52成為導(dǎo)通狀態(tài)。由此，數(shù)據(jù)線11和電容器連接點(diǎn)成為導(dǎo)通狀態(tài)。此時(shí)，因?yàn)橥ㄟ^(guò)數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)電路8使數(shù)據(jù)線11成為數(shù)據(jù)電壓電平，所以在電容器15保持了與數(shù)據(jù)電壓對(duì)應(yīng)的電壓。例如，使數(shù)據(jù)電壓Vdata的范圍為O 10V，在圖IlA的數(shù)據(jù)寫(xiě)入時(shí)，寫(xiě)入Vdata= (5+a )V，成為Ve=5V。另外，此時(shí)，例如電源線19的電壓被設(shè)定成10V，有機(jī)EL元件13的陽(yáng)電極的電位為0V。在此，設(shè)為Vdata= (5+α ) V是因?yàn)樵跀?shù)據(jù)寫(xiě)入時(shí)，除了從數(shù)據(jù)線11向電容器連接點(diǎn)的電流流通以外，還形成數(shù)據(jù)線11 —選擇晶體管52 —電壓變動(dòng)緩和用晶體管51 —有機(jī)EL元件13的陽(yáng)電極這樣的電流流通，因此考慮由于該電流流通引起的數(shù)據(jù)電壓的電壓降。此外，由于電壓變動(dòng)緩和用晶體管51被設(shè)定成導(dǎo)通電阻高，因此通過(guò)電壓變動(dòng)緩和用晶體管51的電流比流向電容器15的電流小。根據(jù)該電流流通的大小關(guān)系，α被設(shè)定成例如O. 5左右。圖IlB是表示本發(fā)明的實(shí)施方式3的發(fā)光像素的顯示工作時(shí)的狀態(tài)的電路圖。在該圖所示的顯示工作時(shí)，示出了不依賴數(shù)據(jù)線11電壓和寫(xiě)入電壓的大小關(guān)系的電路狀態(tài)。在發(fā)光像素5Α的顯示工作時(shí)，通過(guò)掃描線驅(qū)動(dòng)電路9，掃描線12成為低電平，選擇晶體管16、17以及52成為截止?fàn)顟B(tài)。此時(shí)，在選擇晶體管16、17以及52可能會(huì)產(chǎn)生截止泄漏電流。
在本實(shí)施方式的發(fā)光像素5A中，電壓變動(dòng)緩和用晶體管51與第2連接點(diǎn)以及有機(jī)EL元件13的陽(yáng)電極連接，由此，第2連接點(diǎn)成為有機(jī)EL元件13的陽(yáng)電極的電位即0V。在該狀態(tài)下，如果將第2連接點(diǎn)視為與圖2B所示的發(fā)光像素IA的數(shù)據(jù)線11等效，則發(fā)光像素5A的顯示工作時(shí)的電路狀態(tài)成為與實(shí)施方式I的發(fā)光像素IA的顯示工作時(shí)的圖2B所示的電路狀態(tài)相同。首先，通過(guò)上述截止泄漏電流，在選擇晶體管16的源扱-漏極間開(kāi)始產(chǎn)生電位差。接著，因?yàn)樯鲜鲭娢徊钜彩潜Ｗo(hù)電位用晶體管18的柵扱-源極間電壓，所以在保護(hù)電位用晶體管18，與該柵扱-源極間電壓對(duì)應(yīng)的漏電流，以電源線19 —保護(hù)電位用晶體管18 —第I連接點(diǎn)一選擇晶體管17 —第2連接點(diǎn)一電壓變動(dòng)緩和用晶體管51 —有機(jī)EL元件13的陽(yáng)電極這樣的路徑流動(dòng)。通過(guò)該保護(hù)電位用晶體管18的漏電流，第I連接點(diǎn)的電位Vpi恢復(fù)到上述截止泄漏電流開(kāi)始流動(dòng)前的電位即5V,初始電位得到了維持。根據(jù)上述的本實(shí)施方式，不管數(shù)據(jù)線電壓和寫(xiě)入電壓的大小關(guān)系如何，第I連接 點(diǎn)的電位Vpi都維持為不會(huì)產(chǎn)生截止泄漏電流時(shí)的電位。由此，電容器15的電位Ve不會(huì)變動(dòng)，能夠保持與正確的數(shù)據(jù)電壓相應(yīng)的電壓，能夠使有機(jī)EL元件13以所希望的輝度來(lái)發(fā)光。另外，由于不需要考慮由截止泄漏電流引起的電壓變動(dòng)而將電容器15的電極設(shè)計(jì)得較大，因此與以往相比能夠減小電容器的電極面積，能夠?qū)崿F(xiàn)發(fā)光像素的微細(xì)化。進(jìn)而，因?yàn)楸Ｗo(hù)電位用晶體管18和電壓變動(dòng)緩和用晶體管51經(jīng)由選擇晶體管17連接，所以在上述的從電源線19到有機(jī)EL元件13的陽(yáng)電極的電流流通的路徑中，介有選擇晶體管17的截止?fàn)顟B(tài)下的源扱-漏極電阻，上述電流流通不會(huì)成為實(shí)施方式2的顯示裝置3中產(chǎn)生的大貫通電流，可實(shí)現(xiàn)功耗的減低。此外，在本實(shí)施方式中，將電壓變動(dòng)緩和用晶體管51的連接目的地設(shè)為了有機(jī)EL元件13的陽(yáng)電極，但該連接目的地也可以被設(shè)定成電容器15所保持的最小電壓以下的電位的第2電源線或第2固定電位線。此外，如本實(shí)施方式所示，由于沒(méi)有使用第2固定電位線，所以能夠削減固定電位線的條數(shù)，因此能夠簡(jiǎn)化電路結(jié)構(gòu)。圖12是表示本發(fā)明的實(shí)施方式3的變形例的顯示裝置具有的發(fā)光像素的電路結(jié)構(gòu)以及與其周邊電路的連接的圖。該圖中的顯示裝置6具備發(fā)光像素6A、數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)電路8、掃描線驅(qū)動(dòng)電路9、數(shù)據(jù)線11、掃描線12、電源線19以及20、固定電位線29。圖12中，為了方便而示出一個(gè)發(fā)光像素6A，發(fā)光像素6A按掃描線12與數(shù)據(jù)線11交叉的交叉部配置成矩陣狀，構(gòu)成顯示単元。另外，數(shù)據(jù)線11按發(fā)光像素列配置，掃描線12按發(fā)光像素行配置。發(fā)光像素6A具備有機(jī)EL元件13、驅(qū)動(dòng)晶體管24、電容器25、選擇晶體管26、27以及62、保護(hù)電位用晶體管28、電壓變動(dòng)緩和用晶體管61。圖12所示的顯示裝置6與圖8所示的顯示裝置4相比，作為結(jié)構(gòu)不同之處在于添加了選擇晶體管62、以及電壓變動(dòng)緩和用晶體管61的連接點(diǎn)。以下，省略說(shuō)明與顯示裝置4相同之處，以不同之處為中心進(jìn)行說(shuō)明。選擇晶體管62是第5晶體管，其柵電極連接于掃描線12，源電極以及漏電極的一方連接于選擇晶體管27的源電極以及漏電極的另一方，源電極以及漏電極的另一方連接于數(shù)據(jù)線11，通過(guò)來(lái)自掃描線12的掃描信號(hào)，與選擇晶體管26以及27同步地對(duì)數(shù)據(jù)線11與發(fā)光像素6A的導(dǎo)通以及非導(dǎo)通進(jìn)行切換。選擇晶體管62由P型薄膜晶體管(P型TFT)構(gòu)成。電壓變動(dòng)緩和用晶體管61是第4晶體管，其柵電極與漏電極短路連接，漏電極連接于選擇晶體管27的源電極以及漏電極的另一方，源電極連接于電源線19。電壓變動(dòng)緩和用晶體管61由P型薄膜晶體管(P型TFT)構(gòu)成。通過(guò)上述連接關(guān)系，電壓變動(dòng)緩和用晶體管61呈ニ極管連接，因此從源電極向漏電極的方向流動(dòng)電流。由此，在電容器25的電壓保持狀態(tài)下，用于防止第I連接點(diǎn)的電位Vpi的變動(dòng)的電流，能夠以電源線19 —電壓變動(dòng)緩和用晶體管61 —第2連接點(diǎn)一選擇晶體管27 —第I連接點(diǎn)一保護(hù)電位用晶體管28 —固定電位線29這樣的路徑流動(dòng)。通過(guò)該電流流通的路徑，顯示工作中的第2連接點(diǎn)的電位Vp2被固定為電源線19的電位。通過(guò)該工作和保護(hù)電位用晶體管28的工作，選擇晶體管27的源扱-漏極間電壓成為一定。由此，不管數(shù)據(jù)線11的電壓的大小如何，都能夠使第I連接點(diǎn)的電位Vpi維持一定。接著，使用像素電路的狀態(tài)轉(zhuǎn)變圖對(duì)發(fā)光像素6A的保持電壓穩(wěn)定功能進(jìn)行說(shuō)明。圖13A是表示本發(fā)明的實(shí)施方式3的變形例的發(fā)光像素的數(shù)據(jù)寫(xiě)入時(shí)的狀態(tài)的電路圖。首先，在向發(fā)光像素6A寫(xiě)入數(shù)據(jù)時(shí)，通過(guò)掃描線驅(qū)動(dòng)電路9，掃描線12成為低電 平，選擇晶體管26、27以及62成為導(dǎo)通狀態(tài)。由此，數(shù)據(jù)線11和電容器連接點(diǎn)成為導(dǎo)通狀態(tài)。此時(shí)，因?yàn)橥ㄟ^(guò)數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)電路8使數(shù)據(jù)線11成為數(shù)據(jù)電壓電平，所以在電容器25保持了與數(shù)據(jù)電壓對(duì)應(yīng)的電壓。例如，使數(shù)據(jù)電壓Vdata的范圍為O -10V，在圖13A的數(shù)據(jù)寫(xiě)入時(shí)，寫(xiě)入Vdata= (-5-a )V，成為Ve=-5V。另外，此時(shí)，例如電源線19的電壓被設(shè)定成10V，固定電位線29的電位為-10V。在此，設(shè)為Vdata= (_5_ α ) V是因?yàn)樵跀?shù)據(jù)寫(xiě)入時(shí)，除了從數(shù)據(jù)線11向電容器連接點(diǎn)的電流流通以外，還形成電源線19—電壓變動(dòng)緩和用晶體管61—選擇晶體管27這樣的電流流通，因此考慮由于該電流流通引起的數(shù)據(jù)電壓的電壓上升。此外，由于電壓變動(dòng)緩和用晶體管61被設(shè)定成導(dǎo)通電阻高，因此通過(guò)電壓變動(dòng)緩和用晶體管61的電流比向電容器連接點(diǎn)的電流小。根據(jù)該電流流通的大小關(guān)系，α被設(shè)定成例如O. 5左右。圖13Β是表示本發(fā)明的實(shí)施方式3的變形例的發(fā)光像素的顯示工作時(shí)的狀態(tài)的電路圖。在該圖所示的顯示工作時(shí)，示出了不依賴數(shù)據(jù)線11電壓和寫(xiě)入電壓的大小關(guān)系的電路狀態(tài)。在發(fā)光像素6Α的顯示工作時(shí)，通過(guò)掃描線驅(qū)動(dòng)電路9，掃描線12成為高電平，選擇晶體管26、27以及62成為截止?fàn)顟B(tài)。此時(shí)，在選擇晶體管26、27以及62可能會(huì)產(chǎn)生截止泄漏電流。在本實(shí)施方式的發(fā)光像素6Α中，電壓變動(dòng)緩和用晶體管61與第2連接點(diǎn)以及電源線19連接，由此第2連接點(diǎn)成為電源線19的電位即IOV。在該狀態(tài)下，如果將第2連接點(diǎn)視為與圖4Β所示的發(fā)光像素2Α的數(shù)據(jù)線11等效，則發(fā)光像素6Α的顯示工作時(shí)的電路狀態(tài)成為與實(shí)施方式I的發(fā)光像素2Α的顯示工作時(shí)的電路狀態(tài)相同。首先，通過(guò)上述截止泄漏電流，在選擇晶體管26的源扱-漏極間開(kāi)始產(chǎn)生電位差。接著，因?yàn)樯鲜鲭娢徊钜彩潜Ｗo(hù)電位用晶體管28的柵扱-源極間電壓，所以在保護(hù)電位用晶體管28，與該柵極-源極間電壓對(duì)應(yīng)的漏電流以電源線19 —電壓變動(dòng)緩和用晶體管61 —第2連接點(diǎn)一選擇晶體管27 —第I連接點(diǎn)一保護(hù)電位用晶體管28 —固定電位線29這樣的路徑流動(dòng)。通過(guò)該保護(hù)電位用晶體管28的漏電流，第I連接點(diǎn)的電位Vpi恢復(fù)到上述截止泄漏電流開(kāi)始流動(dòng)前的電位即-5V，初始電位得到了維持。
根據(jù)上述的本實(shí)施方式，不管數(shù)據(jù)線電壓和寫(xiě)入電壓的大小關(guān)系如何，第I連接點(diǎn)的電位Vp1都會(huì)維持為不會(huì)產(chǎn)生截止泄漏電流時(shí)的電位。由此，電容器連接點(diǎn)的電位Ve不會(huì)發(fā)生變動(dòng)，能夠保持與正確的數(shù)據(jù)電壓相應(yīng)的電壓，能夠使有機(jī)EL元件13以所希望的輝度來(lái)發(fā)光。另外，由于不必考慮由截止泄漏電流引起的電壓變動(dòng)而將電容器25的電極設(shè)計(jì)得較大，因此與以往相比能夠減小電容器的電極面積，能夠?qū)崿F(xiàn)發(fā)光像素的微細(xì)化。進(jìn)而，因?yàn)楸Ｗo(hù)電位用晶體管28和電壓變動(dòng)緩和用晶體管61經(jīng)由選擇晶體管27連接，所以在上述的從電源線19到固定電位線29的電流流通的路徑中，介有選擇晶體管27的截止?fàn)顟B(tài)下的源扱-漏極電阻。由此，上述電流流通不會(huì)成為如實(shí)施方式2的顯示裝置4中產(chǎn)生的大貫通電流，可實(shí)現(xiàn)功耗的減低。此外，在本實(shí)施方式中，將電壓變動(dòng)緩和用晶體管61的連接目的地設(shè)為了電源線19，但該連接目的地也可以被設(shè)定成電容器25所保持的最大電壓以上的電位的固定電位線。此外，如本實(shí)施方式所示，由于沒(méi)有另行使用固定電位線，所以能夠削減固定電位線的條數(shù)，因此能夠簡(jiǎn)化電路結(jié)構(gòu)。 以上，對(duì)實(shí)施方式I 3進(jìn)行了說(shuō)明，但本發(fā)明的顯示裝置并不限定于上述的實(shí)施方式。組合實(shí)施方式I 3中的任意的構(gòu)成要素而實(shí)現(xiàn)的其他的實(shí)施方式、對(duì)實(shí)施方式I 3在不脫離本發(fā)明的主g的范圍內(nèi)實(shí)施本領(lǐng)域的技術(shù)人員能夠想到的各種變形而得到的變形例、內(nèi)置了本發(fā)明的顯示裝置的各種設(shè)備也包含在本發(fā)明中。另外，本發(fā)明的顯示裝置具有的像素電路并不限定于作為實(shí)施方式I 3以及它們的變形例而舉出的像素電路。除了上述的像素電路以外，例如，具有在電源線19與電源線20之間插入用于控制發(fā)光期間的開(kāi)關(guān)晶體管得到的發(fā)光像素等的顯示裝置也包含在本發(fā)明中。另外，例如，本發(fā)明的顯示裝置可內(nèi)置在圖14所示的薄型平板TV中。通過(guò)內(nèi)置本發(fā)明的顯示裝置，可實(shí)現(xiàn)能夠顯示反映圖像信號(hào)的高精度圖像的薄型平板TV。產(chǎn)業(yè)上的可利用性本發(fā)明特別在通過(guò)由像素信號(hào)電流控制像素的發(fā)光強(qiáng)度來(lái)使輝度變動(dòng)的有源型的有機(jī)EL平板顯示器等中有用。
權(quán)利要求
1.一種顯示裝置，具備多條掃描線、多條數(shù)據(jù)線、在所述多條掃描線的各條與所述多條數(shù)據(jù)線的各條交叉的每個(gè)交叉部配置的多個(gè)發(fā)光像素、以及對(duì)所述多個(gè)發(fā)光像素供給電流的電源線， 所述多個(gè)發(fā)光像素各自具備 發(fā)光元件，其通過(guò)流動(dòng)與經(jīng)由所述多條數(shù)據(jù)線之一的數(shù)據(jù)線供給的數(shù)據(jù)電壓相應(yīng)的驅(qū)動(dòng)電流來(lái)發(fā)光； 驅(qū)動(dòng)晶體管，其連接在所述電源線與所述發(fā)光元件之間，根據(jù)施加于柵電極的電壓將所述數(shù)據(jù)電壓轉(zhuǎn)換成所述驅(qū)動(dòng)電流； 電容器，其一方的電極連接于所述驅(qū)動(dòng)晶體管的柵電極，保持與所述數(shù)據(jù)電壓相應(yīng)的電壓； 第I晶體管，其柵電極連接于所述多條掃描線之一的掃描線，源電極和漏電極的一方連接于所述驅(qū)動(dòng)晶體管的柵電極； 第2晶體管，其柵電極連接于所述掃描線，源電極和漏電極的一方連接于所述第I晶體管的源電極和漏電極的另一方，源電極和漏電極的另一方連接于所述數(shù)據(jù)線；以及 第3晶體管，其柵電極連接于所述第I晶體管的所述源電極和所述漏電極的一方，源電極連接于所述第I晶體管的所述源電極和所述漏電極的另一方，漏電極連接于第I電位線。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的顯示裝置， 所述驅(qū)動(dòng)晶體管、所述第I晶體管、所述第2晶體管以及所述第3晶體管是N型晶體管，所述第I電位線是相對(duì)于基準(zhǔn)電位的電位被設(shè)定成所述電容器所保持的最大電壓以上的電位的所述電源線。
3.根據(jù)權(quán)利要求I所述的顯示裝置， 所述驅(qū)動(dòng)晶體管、所述第I晶體管、所述第2晶體管以及所述第3晶體管是P型晶體管， 所述第I電位線是所述掃描線。
4.根據(jù)權(quán)利要求I所述的顯示裝置， 所述顯示裝置還具備第4晶體管，所述第4晶體管的柵電極與漏電極連接，漏電極連接于所述第I晶體管的所述源電極和所述漏電極的另一方，源電極連接于第2電位線。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的顯示裝置， 所述第4晶體管是N型晶體管， 所述第2電位線是相對(duì)于基準(zhǔn)電位的電位被設(shè)定成所述電容器所保持的最小電壓以下的電位的第2電源線。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的顯示裝置， 所述第2電位線連接于所述發(fā)光元件的陽(yáng)電扱。
7.根據(jù)權(quán)利要求4所述的顯示裝置， 所述第4晶體管是P型晶體管， 所述第2電位線是相對(duì)于基準(zhǔn)電位的電位被設(shè)定成所述電容器所保持的最大電壓以上的電位的所述電源線。
8.—種顯示裝置，具備多條掃描線、多條數(shù)據(jù)線、在所述多條掃描線的各條與所述多條數(shù)據(jù)線的各條交叉的每個(gè)交叉部配置的多個(gè)發(fā)光像素、以及對(duì)所述多個(gè)發(fā)光像素供給電流的電源線，所述多個(gè)發(fā)光像素各自具備 發(fā)光元件，其通過(guò)流動(dòng)與數(shù)據(jù)電壓相應(yīng)的驅(qū)動(dòng)電流來(lái)發(fā)光； 驅(qū)動(dòng)晶體管，其連接在所述電源線與所述發(fā)光元件之間，根據(jù)施加于柵電極的電壓將所述數(shù)據(jù)電壓轉(zhuǎn)換成所述驅(qū)動(dòng)電流； 電容器，其一方的電極連接于所述驅(qū)動(dòng)晶體管的柵電極，用于保持與所述數(shù)據(jù)電壓相應(yīng)的電壓； 第I晶體管，其柵電極連接于所述多條掃描線之一的掃描線，源電極和漏電極的一方連接于所述驅(qū)動(dòng)晶體管的柵電極； 第2晶體管，其柵電極連接于所述掃描線，源電極和漏電極的一方連接于所述第I晶體管的源電極和漏電極的另一方； 第5晶體管，其柵電極連接于所述掃描線，源電極和漏電極的一方連接于所述第2晶體管的源電極和漏電極的另一方，源電極和漏電極的另一方連接于所述多條數(shù)據(jù)線之一的數(shù)據(jù)線； 第3晶體管，其柵電極連接于所述第I開(kāi)關(guān)晶體管的所述源電極和所述漏電極的一方，源電極連接于所述第I開(kāi)關(guān)晶體管的所述源電極和所述漏電極的另一方，漏電極連接于第I電位線；以及 第4晶體管，其柵電極與漏電極連接，漏電極連接于所述第2開(kāi)關(guān)晶體管的所述源電極和所述漏電極的另一方，源電極連接于第2電位線。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的顯示裝置， 所述驅(qū)動(dòng)晶體管、所述第I晶體管、所述第2晶體管、所述第3晶體管、所述第4晶體管以及所述第5晶體管是N型晶體管， 所述第I電位線是相對(duì)于基準(zhǔn)電位的電位被設(shè)定成所述電容器所保持的電壓的最大值以上的電位的所述電源線， 所述第2電位線是相對(duì)于基準(zhǔn)電位的電位被設(shè)定成所述電容器所保持的最小電壓以下的電位的第2電源線。
10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的顯示裝置， 所述驅(qū)動(dòng)晶體管、所述第I晶體管、所述第2晶體管、所述第3晶體管、所述第4晶體管以及所述第5晶體管是P型晶體管， 所述第I電位線是所述掃描線， 所述第2電位線是相對(duì)于基準(zhǔn)電位的電位被設(shè)定成所述電容器所保持的最大電壓以上的電位的所述電源線。
全文摘要
一種顯示裝置(1)，具備掃描線(12)、數(shù)據(jù)線(11)、矩陣狀的發(fā)光像素(1A)以及電源線(19)，發(fā)光像素(1A)具備有機(jī)EL元件(13)；驅(qū)動(dòng)晶體管(14)，其將在柵極施加的數(shù)據(jù)電壓轉(zhuǎn)換成驅(qū)動(dòng)電流；電容器(15)，其保持與數(shù)據(jù)電壓相應(yīng)的電壓；選擇晶體管(16)，其柵極連接于掃描線(12)，源極連接于驅(qū)動(dòng)晶體管(14)的柵極；選擇晶體管(17)，其柵極連接于掃描線(12)，源極連接于選擇晶體管(16)的漏極，漏極連接于數(shù)據(jù)線(11)；以及保護(hù)電位用晶體管(18)，其柵極連接于選擇晶體管(16)的源極，源極連接于選擇晶體管(16)的漏極，漏極連接于電源線(19)。
文檔編號(hào)G09G3/20GK102652332SQ20108005633
公開(kāi)日2012年8月29日 申請(qǐng)日期2010年10月28日 優(yōu)先權(quán)日2010年10月28日
發(fā)明者田鹿健一, 白水博 申請(qǐng)人:松下電器產(chǎn)業(yè)株式會(huì)社