專利名稱：控制裝置、顯示裝置及其控制方法
技術領域：
本發(fā)明涉及控制裝置、顯示裝置及顯示裝置的控制方法。
背景技術：
作為顯示圖像的顯示裝置，有采用微囊的電泳方式的顯示裝置。該顯示裝置為有源矩陣方式，在向行方向延伸的多條掃描線與向列方向延伸的多條數(shù)據(jù)線的各個交點設置有驅動微囊的驅動電路。對掃描線和數(shù)據(jù)線施加電壓后，在設置于驅動電路的電極與相對于該電極夾著微囊而對置的電極之間產(chǎn)生電位差。在夾著微囊而對置的電極間產(chǎn)生電位差后，相應于由于該電位差所產(chǎn)生的電場，微囊內(nèi)的白微粒和黑微粒移動。各微囊內(nèi)的白微粒和黑微粒的分布改變，導致光學的反射特性變化，從而進行圖像顯示。該電泳方式的顯示裝置中，以有源矩陣方式變更顯示時，有時圖像的改寫在多個幀進行。但是，圖像的改寫在多個幀進行時若整面開始了改寫，則到寫入結束為止的期間不能進行新寫入，因此，進行圖像的追記和/或刪除時，要在圖像的寫入暫時結束后，開始下一次的寫入，因此從操作性的觀點看存在花時間的問題。因而，為了解決這樣的問題，考慮以部分區(qū)域為單位進行管線處理來進行寫入的方式(參照專利文獻1)。根據(jù)專利文獻1公開的方式，使畫面上的相互不重疊的2個部分區(qū)域錯開定時而寫入圖像的場合，先開始寫入的部分區(qū)域的寫入即使未結束，也可以開始進行后開始寫入的部分區(qū)域的寫入，與不采用該方式的場合比較，顯示速度提高。專利文獻1特開2009-251615號公報但是，有源矩陣方式中，數(shù)據(jù)線由于寄生電容而起到電容器的功能，因此，每次選擇掃描線時，在使數(shù)據(jù)線的電壓變化的顯示的場合，消耗功率變大。從而，圖像改寫時，這樣的功率消耗大的掃描若持續(xù)，則有時消耗功率瞬間地超過電源電路的供給極限。另外，有源矩陣方式中，若分辨率提高，則流過電流的驅動電路增加，消耗功率變大。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明鑒于上述問題而提出，其目的之一是同時實現(xiàn)顯示裝置的顯著的顯示速度提高和消耗功率的峰值的降低。為了達成上述目的，本發(fā)明的顯示裝置的控制裝置的特征在于，上述顯示裝置中， 由與多行多列的像素的各個對應地設置有第ι電極的第1基板和設置有第2電極的第2基板夾持顯示元件，上述像素包括上述第1電極、上述顯示元件及上述第2電極，通過對上述顯示元件多次施加電壓的寫入工作將上述像素的顯示狀態(tài)從第1顯示狀態(tài)變更到第2顯示狀態(tài)，上述控制裝置具備依次選擇上述行的選擇部；從存儲器讀入在上述顯示裝置顯示的圖像的圖像數(shù)據(jù)的數(shù)據(jù)讀入部；特定部，基于表示上述數(shù)據(jù)讀入部讀入圖像數(shù)據(jù)前在上述顯示裝置顯示的預定的圖像的預定圖像數(shù)據(jù)和上述數(shù)據(jù)讀入部讀入了的圖像數(shù)據(jù)，特定上述選擇部選擇的行的像素中新變更顯示狀態(tài)的變更像素；邊界特定部，在上述選擇部選擇的行的像素中特定被施加不同于相鄰行的像素的電壓的像素，對該特定的像素和在與該特定的像素相鄰的行中被施加不同于該特定的像素的電壓的像素的邊界進行特定；邊界數(shù)存儲部，按上述行逐行地存儲由上述邊界特定部所特定的邊界的邊界數(shù)；判斷部，判斷上述邊界數(shù)存儲部所存儲的邊界數(shù)的合計是否在預定的閾值以上；以及更新部，在上述判斷部判斷為不足上述閾值的場合，當上述選擇部選擇的行的上述變更像素不在上述寫入工作中時，以使得成為上述圖像數(shù)據(jù)所確定的顯示狀態(tài)的方式，對上述變更像素開始上述寫入工作，當上述變更像素在上述寫入工作中時，在進行中的寫入工作結束后，以使得成為上述圖像數(shù)據(jù)所確定的顯示狀態(tài)的方式，對上述變更像素開始上述寫入工作，在上述判斷部判斷為是上述閾值以上的場合，直到上述判斷部判斷為不足上述閾值為止，對上述變更像素不開始上述寫入工作。根據(jù)該控制裝置，可同時實現(xiàn)顯示裝置的顯著的顯示速度提高和消耗功率的峰值的降低。另外，上述控制裝置中，也可以構成為上述多行多列的像素按預定的行數(shù)分為多個區(qū)域，上述判斷部判斷上述邊界數(shù)存儲部存儲的邊界數(shù)中的、與包括上述選擇部選擇的行的上述區(qū)域相關的邊界數(shù)的合計，是否在預定的閾值以上。根據(jù)該構成，按每個顯示區(qū)域控制像素的寫入工作的開始，因此即使是后選擇的行中，也可以開始像素的寫入工作。另外，上述控制裝置中，也可以構成為對于上述多次的電壓的施加，按照確定各次施加的電壓的表，對上述像素施加電壓。根據(jù)該構成，可以逐個像素地變更像素的灰度。另外，上述控制裝置中，可以構成為對于上述選擇部選擇的行的像素且為上述寫入工作進行中的像素，以施加與在相鄰行中對上述寫入工作進行中的像素施加的電壓相同的電壓的方式，控制電壓的施加時期。根據(jù)該構成，對于要施加電壓的像素，施加與對相鄰像素施加的電壓相同的電壓， 可抑制功率的消耗。另外，本發(fā)明的顯示裝置，由與多行多列的像素的各個對應地設置有第1電極的第1基板和設置有第2電極的第2基板夾持顯示元件，上述像素包括上述第1電極、上述顯示元件及上述第2電極，通過對上述顯示元件多次施加電壓的寫入工作將上述像素的顯示狀態(tài)從第1顯示狀態(tài)變更到第2顯示狀態(tài)，具備依次選擇上述行的選擇部；從存儲器讀入在上述顯示裝置顯示的圖像的圖像數(shù)據(jù)的數(shù)據(jù)讀入部；特定部，基于表示上述數(shù)據(jù)讀入部讀入圖像數(shù)據(jù)前在上述顯示裝置顯示的預定的圖像的預定圖像數(shù)據(jù)和上述數(shù)據(jù)讀入部讀入的圖像數(shù)據(jù)，特定上述選擇部選擇的行的像素中新變更顯示狀態(tài)的變更像素；邊界特定部，在上述選擇部選擇的行的像素中特定被施加不同于相鄰行的像素的電壓的像素，特定該特定的像素和在與該特定的像素相鄰的行中被施加不同于該特定的像素的電壓的像素的邊界；邊界數(shù)存儲部，按上述行逐行地存儲上述邊界特定部所特定的邊界的邊界數(shù)；判斷部，判斷上述邊界數(shù)存儲部所存儲的邊界數(shù)的合計是否在預定的閾值以上；以及更新部， 在上述判斷部判斷為不足上述閾值的場合，當上述選擇部選擇的行的上述變更像素不在上述寫入工作中時，以使得成為上述圖像數(shù)據(jù)所確定的顯示狀態(tài)的方式對上述變更像素開始上述寫入工作，當上述變更像素在上述寫入工作中時，在進行中的寫入工作結束后，以使得成為上述圖像數(shù)據(jù)所確定的顯示狀態(tài)的方式對上述變更像素開始上述寫入工作，在上述判斷部判斷為是上述閾值以上的場合，直到上述判斷部判斷為不足上述閾值為止，對上述變 更像素不開始上述寫入工作。根據(jù)該顯示裝置，可同時實現(xiàn)顯示裝置的顯著的顯示速度提高和消耗功率的峰值 的降低。另外，本發(fā)明的顯示裝置的控制方法中，上述顯示裝置中，由與多行多列的像素的 各個對應地設置有第1電極的第1基板和設置有第2電極的第2基板夾持顯示元件，上述 像素包括上述第1電極、上述顯示元件及上述第2電極，通過對上述顯示元件多次施加電 壓的寫入工作將上述像素的顯示狀態(tài)從第1顯示狀態(tài)變更到第2顯示狀態(tài)，上述控制方法 包括依次選擇上述行的選擇步驟；從存儲器讀入在上述顯示裝置顯示的圖像的圖像數(shù)據(jù) 的數(shù)據(jù)讀入步驟；特定步驟，基于表示上述數(shù)據(jù)讀入步驟讀入圖像數(shù)據(jù)前在上述顯示裝置 顯示的預定的圖像的預定圖像數(shù)據(jù)和上述數(shù)據(jù)讀入步驟讀入的圖像數(shù)據(jù)，特定上述選擇步 驟所選擇的行的像素中新變更顯示狀態(tài)的變更像素；邊界特定步驟，在上述選擇步驟所選 擇的行的像素中特定被施加不同于相鄰行的像素的電壓的像素，特定該特定的像素和在與 該特定的像素相鄰的行中被施加不同于該特定的像素的電壓的像素的邊界；邊界數(shù)存儲步 驟，按上述行逐行地存儲上述邊界特定步驟所特定的邊界的邊界數(shù)；判斷步驟，判斷上述邊 界數(shù)存儲步驟所存儲的邊界數(shù)的合計是否在預定的閾值以上；以及更新步驟，在上述判斷 步驟中判斷為不足上述閾值的場合，當上述選擇步驟所選擇的行的上述變更像素不在上述 寫入工作中時，以使得成為上述圖像數(shù)據(jù)所確定的顯示狀態(tài)的方式對上述變更像素開始上 述寫入工作，當上述變更像素在上述寫入工作中吋，在進行中的寫入工作結束后，以使得成 為上述圖像數(shù)據(jù)所確定的顯示狀態(tài)的方式對上述變更像素開始上述寫入工作，在上述判斷 步驟中判斷為是上述閾值以上的場合，直到在上述判斷步驟中判斷為不足上述閾值為止， 對上述變更像素不開始上述寫入工作。根據(jù)該方法，可同時實現(xiàn)顯示裝置的顯著的顯示速度提高和消耗功率的峰值的降 低。


圖1是顯示裝置100的硬件構成的框圖。
圖2是表示顯示部1的截面的圖。圖3是顯示部1的電路的構成的說明圖。圖4是顯示部1具備的像素驅動電路的構成的說明圖。圖5是控制器2實現(xiàn)的功能的構成的框圖。圖6是控制器2進行的處理的流程的流程圖。圖7是控制器2進行的處理的流程的流程圖。圖8是顯示裝置100的工作的說明圖。圖9是顯示裝置100的工作的說明圖。圖10是顯示裝置100的工作的說明圖。圖11是顯示裝置100的工作的說明圖。圖12是顯示裝置100的工作的說明圖。圖13是顯示裝置100的工作的說明圖。
圖14是顯示裝置100的工作的說明圖。圖15是顯示裝置100的工作的說明圖。圖16是顯示裝置100的工作的說明圖。圖17是顯示裝置100的工作的說明圖。圖18是顯示裝置100的工作的說明圖。圖19是顯示裝置100的工作的說明圖。圖20是顯示裝置100的工作的說明圖。圖21是顯示裝置100的工作的說明圖。圖22是顯示裝置100的工作的說明圖。圖23是顯示裝置100的工作的說明圖。圖M是顯示裝置100的工作的說明圖。圖25是顯示裝置100的工作的說明圖。圖沈是顯示裝置100的工作的說明圖。圖27是顯示裝置100的工作的說明圖。圖觀是顯示裝置100的工作的說明圖。圖四是顯示裝置100的工作的說明圖。圖30是顯示裝置100的工作的說明圖。圖31是顯示裝置100的工作的說明圖。圖32是顯示裝置100的工作的說明圖。圖33是顯示裝置100的工作的說明圖。圖34是顯示裝置100A的硬件構成的框圖。圖35是第2實施例的表TBl TB12的內(nèi)容的示圖。圖36是第2實施例的控制器2進行的處理的流程的流程圖。圖37是顯示裝置100A的工作的說明圖。圖38是顯示裝置100A的工作的說明圖。圖39是顯示裝置100A的工作的說明圖。圖40是顯示裝置100A的工作的說明圖。圖41是顯示裝置100A的工作的說明圖。圖42是顯示裝置100A的工作的說明圖。圖43是顯示裝置100A的工作的說明圖。圖44是顯示裝置100A的工作的說明圖。圖45是顯示裝置100A的工作的說明圖。圖46是顯示裝置100A的工作的說明圖。圖47是顯示裝置100A的工作的說明圖。圖48是顯示裝置100A的工作的說明圖。圖49是顯示裝置100A的工作的說明圖。圖50是顯示裝置100A的工作的說明圖。圖51是顯示裝置100A的工作的說明圖。圖52是顯示裝置100A的工作的說明圖。
圖53是顯示裝置100A的工作的說明圖。圖M是顯示裝置100A的工作的說明圖。圖55是顯示裝置100A的工作的說明圖。圖56是顯示裝置100A的工作的說明圖。圖57是本發(fā)明的顯示裝置的應用例的示圖。符號的說明1...顯示部，2...控制器，3...控制部，4. ..VRAM，5. ..RAM，6...寫入數(shù)據(jù)存
儲區(qū)域，6A...白寫入數(shù)據(jù)存儲區(qū)域，6B...黑寫入數(shù)據(jù)存儲區(qū)域，6C...表ID存儲區(qū)域， 6D...索引存儲區(qū)域，7...預定圖像數(shù)據(jù)存儲區(qū)域，8A...暫時存儲區(qū)域，8B...邊界數(shù)存儲區(qū)域，9...總線，10...第1基板，11...基板，Ila...粘接層，12...電路層，13a...像素電極，20...電泳層，21...微囊，22...粘結劑，30...第2基板，31...膜，32...透明電極層， 53...掃描線驅動電路，54...數(shù)據(jù)線驅動電路，55...顯示區(qū)域，61...晶體管，63...保持電容，64...掃描線，65...數(shù)據(jù)線，100...顯示裝置，201...選擇部，202...數(shù)據(jù)讀入部， 203...像素特定部，204...邊界特定部，205...判斷部，206...更新部，207...驅動部， 1000...電子書閱讀器，1001...框，1002···蓋，1003···操作部，1100...手表，TB...驅動表，TBl TB12...表，Xl )(m...數(shù)據(jù)信號，Yl Ym...掃描信號，Pij...像素，Aij...存儲區(qū)域，Bij...存儲區(qū)域，Cij...存儲區(qū)域，Dij...存儲區(qū)域，Eij...存儲區(qū)域，F(xiàn)ij...存儲區(qū)域，Gij...存儲區(qū)域
具體實施例方式第1實施例顯示裝置100的構成圖1是本發(fā)明的一實施例的顯示裝置100的硬件構成的框圖。顯示裝置100是電泳方式的顯示裝置，具備顯示部1、控制器2、控制部3、VRAM (Video RAM) 4及RAM (Random Access Memory) 5。顯示裝置100的各部分通過總線9連接。控制器2與顯示裝置100的控制裝置相當。另外，也可以將控制器2、控制部3合并的部分定義為顯示裝置100的控制裝置。或者，也可以將控制器2、控制部3、VRAM4、RAM5的整體定義為顯示裝置100的控制
直ο顯示部1具有具備存儲性的顯示元件，是即使不向顯示元件施加電壓也可維持已顯示的圖像的顯示器件。本實施例中，顯示部1具備具有電泳微粒的顯示元件，顯示黑白的圖像?？刂破?驅動顯示部1，向顯示部1輸出用于圖像顯示的各種信號。控制部3是具備 CPU (Central Processing Unit)、ROM (Read Only Memory)、RAM 等的微計算機，控制顯示裝置100的各部分。另外，控制部3訪問VRAM4，將各種數(shù)據(jù)寫入VRAM4。VRAM4是存儲表示在顯示部1顯示的圖像的圖像數(shù)據(jù)的存儲器。RAM5是存儲在用于顯示部1顯示圖像時所采用的數(shù)據(jù)的存儲器，設置有寫入數(shù)據(jù)存儲區(qū)域6、預定圖像數(shù)據(jù)存儲區(qū)域7、暫時存儲區(qū)域8A 及邊界數(shù)存儲區(qū)域8B。另外，在寫入數(shù)據(jù)存儲區(qū)域6，設有對于顯示部1的各像素存儲表示從黑到白變更顯示狀態(tài)的工作是否在進行中的數(shù)據(jù)(第1寫入數(shù)據(jù))的白寫入數(shù)據(jù)存儲區(qū)域6A和對于各像素存儲表示從白到黑變更顯示狀態(tài)的工作是否在進行中的數(shù)據(jù)(第2 寫入數(shù)據(jù))的黑寫入數(shù)據(jù)存儲區(qū)域6B。
顯示部1的構成圖2是顯示部1的截面的示圖。另外，圖3是顯示部1的電路的構成的說明圖，圖 4是顯示部1具備的像素驅動電路的構成的說明圖。顯示部1如圖2所示，大致由第1基板 10、電泳層20、第2基板30構成。第1基板10是在具有絕緣性及柔性的基板11上形成了電路層的基板?；?1在本實施例中由聚碳酸酯形成。另外，作為基板11，不限于聚碳酸酯，可以采用具有輕質(zhì)量性、柔性、彈性及絕緣性的樹脂材料。另外，基板11也可以由不具有柔性的玻璃形成。在基板11的表面設置有粘接層11a，在粘接層Ila的表面層疊有電路層12。電路層12具有在橫方向排列的多條掃描線64和與各掃描線保持電絕緣地設置的在縱方向排列的多條數(shù)據(jù)線65。另外，電路層12對應于掃描線64與數(shù)據(jù)線65的交叉處的各個，具有像素電極13a(第1電極)和包括TFT (ThinFilm Transistor)的像素驅動電路。電泳層20由粘結劑22和通過粘結劑22固定的多個微囊21構成，在像素電極13a 上形成。另外，在微囊21和像素電極13a之間，也可以設置由粘接劑形成的粘接層。作為粘結劑22，只要與微囊21的親和性良好且與電極的緊密附著性優(yōu)良，且具有絕緣性，則沒有特別限制。微囊21內(nèi)收置了分散介質(zhì)和電泳微粒。作為構成微囊21的材料，優(yōu)選采用阿拉伯樹膠·明膠系的化合物、尿烷系的化合物等具有柔軟性的材料。作為分散介質(zhì)21，能夠使用水、醇類溶劑(甲醇、乙醇、異丙醇、丁醇、辛醇、甲基溶纖劑等)、酯類(醋酸乙酯、醋酸丁酯等)、酮類(丙酮、甲乙酮、甲基異丁基酮等)、脂肪族烴(戊烷、己烷、辛烷等)、脂環(huán)式烴(環(huán)己烷、甲基環(huán)己烷等)、芳香族烴(苯、甲苯、具有長鏈烷基的苯類(二甲苯、己基苯、庚基苯、辛基苯、壬基苯、癸基苯、十一烷基苯、十二烷基苯、十三烷基苯、十四烷基苯等))、鹵代烴(二氯甲烷、氯仿、四氯化碳、1，2- 二氯乙烷等)、 羧酸鹽等的任一種，也可以使得分散介質(zhì)為其他的油類。這些物質(zhì)能夠單獨使用或混合使用來用作分散介質(zhì)，進而也可以配合表面活性劑等。電泳微粒是具有在分散介質(zhì)中通過電場而移動的性質(zhì)的微粒(高分子或者膠體)。本實施例中，在微囊21內(nèi)收置有白的電泳微粒和黑的電泳微粒。黑的電泳微粒例如是包括苯胺黑和/或炭黑等的黑色顏料的微粒，本實施例中帶正電。白的電泳微粒例如是包括二氧化鈦和/或氧化鋁等的白色顏料的微粒，本實施例中帶負電。第2基板30由膜31和在膜31的底面形成的透明電極層32 (第2電極)構成。膜 31起到電泳層20的密封及保護的作用，例如是聚對苯二甲酸乙二醇酯的膜。膜31透明且具有絕緣性。透明電極層32例如由氧化銦膜(ΙΤ0膜)等的透明導電膜構成。接著，說明顯示部1具備的電路?？刂破?輸出用于在顯示區(qū)域55顯示圖像的信號和/或用于驅動顯示部1的各種信號。在圖3所示的顯示區(qū)域55，設置有沿縱方向平行排列的多條數(shù)據(jù)線65和沿橫方向平行排列的多條掃描線64。另外，在顯示區(qū)域55，與數(shù)據(jù)線65和掃描線64的交叉處對應設置有像素驅動電路。圖4是像素驅動電路的構成的說明圖。另外，本實施例中，為了區(qū)別各掃描線64， 有時將圖3所示的掃描線從上到下按順序稱為第1、2、3、…、(m-l)、m行。同樣，為了區(qū)別各數(shù)據(jù)線65，有時將圖3所示的數(shù)據(jù)線從左到右按順序稱為第1、2、3、…、(n-l)、n列。圖4中，表示了與第1行的掃描線64和第1列的數(shù)據(jù)線65的交叉處對應的像素驅動電路。對于其他數(shù)據(jù)線65和掃描線64的交叉處也設置有相同的像素驅動電路，但是
10由于各像素驅動電路的構成相同，這里，代表性地說明與第1行的數(shù)據(jù)線和第1列的掃描線的交叉處對應的像素驅動電路，將其他像素驅動電路的說明省略。像素驅動電路中，晶體管61的柵與掃描線64連接，晶體管61的源與數(shù)據(jù)線連接。 另外，晶體管61的漏與像素電極13a連接。像素電極13a與透明電極層32對置，在像素電極13a和透明電極層32之間夾著電泳層20。位于該一個像素電極13a和透明電極層32之間的微囊21成為顯示部1中的一個像素。另外，像素驅動電路中，保持電容63與電泳層20 并聯(lián)。另外，透明電極層32的電位設為預定的電位Vcom。掃描線驅動電路53與顯示區(qū)域55的各掃描線64連接，向第1、2、…、m行的掃描線64供給掃描信號Y1、Y2、…、Ym。具體地說，掃描線驅動電路53按第1、2、…、m行的順序選擇掃描線64，將選擇的掃描線64的掃描信號的電壓設為選擇電壓VH (H電平)，將未選擇的掃描線的掃描信號的電壓設為非選擇電壓VL(L電平)。數(shù)據(jù)線驅動電路M與顯示區(qū)域的各數(shù)據(jù)線連接，向第1、2、…、η列的數(shù)據(jù)線65 供給數(shù)據(jù)信號XI、Χ2、···、&。對與電位成為選擇電壓VH的掃描線64連接的像素驅動電路，從數(shù)據(jù)線65供給數(shù)據(jù)信號。具體地說，掃描線64成為H電平后，柵與該掃描線64連接的晶體管61成為導通狀態(tài)，像素電極13a與數(shù)據(jù)線65連接。因而，掃描線64為H電平時， 向數(shù)據(jù)線65供給數(shù)據(jù)信號后，該數(shù)據(jù)信號經(jīng)由成為導通狀態(tài)的晶體管61向像素電極13a 施加。掃描線64成為L電平后，晶體管61成為截止狀態(tài)，但是，通過數(shù)據(jù)信號對像素電極 13a施加的電壓在保持電容63蓄積，相應于像素電極13a的電位及透明電極層32的電位的電位差(電壓)，電泳微粒移動。例如，相對于透明電極層32的電位Vcom，像素電極13a的電位為+15V的場合，帶負電的白的電泳微粒向像素電極13a側移動，帶正電的黑的電泳微粒向透明電極層32側移動，像素成為黑的顯示。另外，相對于透明電極層32的電位Vcom，像素電極13a的電位為-15V的場合，帶正電的黑的電泳微粒向像素電極13a側移動，帶負電的白的電泳微粒向透明電極層32側移動，像素成為白的顯示。另外，以下的說明中，將掃描線驅動電路53選擇第1行的掃描線后到第Y行的掃描線的選擇結束為止的期間稱為“幀期間”或簡稱為“幀”。各掃描線64在一幀中各被選擇一次，在一幀中向各像素驅動電路各供給一次數(shù)據(jù)信號。另外，本實施例中，各像素的顯示狀態(tài)從白(低濃度)向黑(高濃度)或從黑向白變化時，不是僅僅在1幀中驅動像素驅動電路而使顯示狀態(tài)變化，而是在多個幀中通過對像素施加電壓的寫入工作使顯示狀態(tài)變化。這是因為，顯示狀態(tài)從白向黑變化時，即使僅僅在1幀中向電泳微粒提供電位差，黑的電泳微粒不會完全移動到顯示側，顯示狀態(tài)不會成為完全黑。該情況對于顯示狀態(tài)從黑向白變化時的白的電泳微粒也同樣。因此，例如，像素的顯示狀態(tài)從白向黑變化的場合，用于使像素進行黑顯示的數(shù)據(jù)信號在多個幀中供給到像素驅動電路，像素的顯示狀態(tài)從黑向白變化的場合，用于使像素顯示白的數(shù)據(jù)信號在多個幀中被供給。本實施例中，可將1幀內(nèi)的某像素的像素電極13a設為相對于透明電極層32電位較高的正極，將相同幀內(nèi)的其他像素的像素電極13a設為相對于透明電極層32電位較低的負極。即，成為在1幀內(nèi)可選擇相對于透明電極層32為正極和負極的兩方的極的驅動(以下，稱為兩極驅動)。
控制器2的構成接著，說明控制器2的構成。圖5是控制器2中實現(xiàn)的功能的框圖?？刂破?中， 實現(xiàn)了選擇部201、數(shù)據(jù)讀入部202、像素特定部203、邊界特定部204、判斷部205、更新部 206及驅動部207。另外，這些各部分既可以由硬件實現(xiàn)，也可以在控制器2設置CPU、通過由該CPU執(zhí)行程序而實現(xiàn)各部分。選擇部201是按行為單位依次選擇多行多列配置的像素的模塊。數(shù)據(jù)讀入部202 是讀入VRAM中存儲的圖像數(shù)據(jù)的模塊。像素特定部203是比較數(shù)據(jù)讀入部202讀入的數(shù)據(jù)和在預定圖像數(shù)據(jù)存儲區(qū)域7存儲的數(shù)據(jù)，特定新變更顯示狀態(tài)的像素的模塊。邊界特定部204，是在選擇部201所選擇的行的像素中特定被施加不同于相鄰行的像素的電壓的像素，特定該特定的像素和與該特定的像素相鄰的行中被施加不同于該特定的像素的電壓的像素的邊界的模塊。判斷部205是判斷由邊界特定部204特定的邊界的數(shù)(邊界數(shù))是否在預定閾值以上的模塊。更新部206是控制像素的寫入工作的開始的模塊。驅動部207 是控制掃描線驅動電路53和數(shù)據(jù)線驅動電路M以對像素電極13a供給數(shù)據(jù)信號的模塊。實施例的工作接著，說明顯示裝置100的工作。另外，圖8以下，圖像A表示顯示部1中正在顯示的圖像。另外，像素Pij表示一個像素。這里，標記i表示矩陣狀配置的像素的行編號，j表示列編號，以下，特定像素進行說明的場合，例如將第1行1列的像素稱為像素P11。另外， 圖像A中，對于各像素，為了能容易理解灰度，將從黑到白的8級灰度用0到7的數(shù)字表示， 但是實際上不顯示該數(shù)字。另外，顯示部1中，像素存在于m條掃描線64和η條數(shù)據(jù)線65 的每個交叉處，但為了防止圖面繁雜，以下的說明中，以顯示部1由4行4列的像素Pll Ρ44構成的場合為例進行工作說明。另外，在圖示了圖像A的內(nèi)容的圖面中，也圖示了 VRAM4中與像素Pll Ρ44對應的存儲區(qū)域Aij的內(nèi)容、預定圖像數(shù)據(jù)存儲區(qū)域7中與像素Pll Ρ44對應的存儲區(qū)域 Bij的內(nèi)容、白寫入數(shù)據(jù)存儲區(qū)域6Α中與像素Pll Ρ44對應的存儲區(qū)域Cij的內(nèi)容及黑寫入數(shù)據(jù)存儲區(qū)域6Β中與像素Pll Ρ44對應的存儲區(qū)域Dij的內(nèi)容。另外，各存儲區(qū)域的標記i表示矩陣狀配置的存儲區(qū)域的行編號，j表示列編號。例如，特定像素和存儲區(qū)域進行說明的場合，例如第1行1列的存儲區(qū)域Aij稱為存儲區(qū)域All、第1行1列的像素稱為 P11。另外，圖示了圖像A的內(nèi)容的圖面中，也圖示了邊界數(shù)存儲區(qū)域8B的內(nèi)容。邊界數(shù)存儲區(qū)域8B中，與多行的像素的行間對應地設置存儲區(qū)域。另外，存儲區(qū)域Gi的標記i 表示存儲區(qū)域的行編號。本實施例中，對于像素的第i行的各列，特定被施加不同于第i_l行的電壓的像素，將特定的像素和第i-Ι行的像素的邊界的數(shù)的合計在存儲區(qū)域G i存儲。另外，對于像素的第i行的各列，特定被施加不同于第i+Ι行的電壓的像素，將特定的像素和第i+Ι行的像素的邊界的數(shù)的合計在存儲區(qū)域Gi+Ι存儲。另外，對于多行像素的最初的行(第1行)， 由于第i_l行不存在，因此將最初的行中對像素電極13a施加電壓的像素的數(shù)在Gl存儲。 另外，對于多行像素的最后的行(第4行)，由于第i+Ι行不存在，因此將最后的行中對像素電極13a施加電壓的像素的數(shù)在G5存儲。在VRAM4的存儲區(qū)域All A44存儲在顯示部1顯示的圖像的各像素的灰度，在預定圖像數(shù)據(jù)存儲區(qū)域7的存儲區(qū)域Bll B44，關于在顯示部1顯示的預定的圖像存儲各像素的灰度。在白寫入數(shù)據(jù)存儲區(qū)域6A的存儲區(qū)域Cll C44，將使像素Pll P44為白為止所必要的電壓的施加次數(shù)作為第1寫入數(shù)據(jù)存儲，在黑寫入數(shù)據(jù)存儲區(qū)域6B的存儲區(qū)域Dl 1 D44，將使像素Pl 1 P44為黑為止所必要的電壓的施加次數(shù)作為第2寫入數(shù)據(jù)存儲。另外，第1寫入數(shù)據(jù)及第2寫入數(shù)據(jù)若不為0則表示對像素的改寫工作在進行中，為0 則表示對像素的改寫工作結束?？刂破?在進行像素的驅動時進行圖6、7所示的處理。首先，控制器2將變量i、 j的值初始化為1 (步驟SA1、SA2)。接著控制器2選擇多行多列配置的像素中的第i行，進行更新與所選擇的第i行的像素相關的存儲區(qū)域的內(nèi)容的處理(步驟SA3)。S卩，這里控制器2的選擇部201起作用。步驟SA3中，控制器2首先將預定圖像數(shù)據(jù)存儲區(qū)域7的第i行的數(shù)據(jù)復制到暫時存儲區(qū)域8A (步驟SBl)。接著，控制器2選擇由變量i、j特定的像素Pij (步驟SB2)。 例如，變量i的值為1且變量j的值為1的場合，選擇像素P11。接著，控制器2判斷在選擇的像素Pij所對應的存儲區(qū)域Cij存儲的第1寫入數(shù)據(jù)和在存儲區(qū)域Dij存儲的第2寫入數(shù)據(jù)的兩方是否為0(步驟SB!3)?？刂破?在與選擇的像素Pij對應的存儲區(qū)域Cij的第 1寫入數(shù)據(jù)和存儲區(qū)域Dij的第2寫入數(shù)據(jù)的兩方為0的場合(步驟SB3中為“是”)，向步驟SB5轉變，在第1寫入數(shù)據(jù)和第2寫入數(shù)據(jù)的一方不是0的場合(步驟SB3中為“否”)， 向步驟SB4轉變。向步驟SB4轉變后，控制器2將存儲區(qū)域Cij中存儲的第1寫入數(shù)據(jù)或存儲區(qū)域Dij中存儲的第2寫入數(shù)據(jù)中的值為0以外的數(shù)據(jù)減1。另外，值成為0的第1寫入數(shù)據(jù)或第2寫入數(shù)據(jù)不減1。另一方面，控制器2向步驟SB5轉變后，讀入存儲區(qū)域Aij中存儲的數(shù)據(jù)(數(shù)據(jù)讀入部20 ，與存儲區(qū)域Bij中存儲的數(shù)據(jù)比較。這里，控制器2在兩者不同的場合(步驟 SB5中為“否”)，將像素Pij特定為新變更顯示狀態(tài)的像素(像素特定部20 ，更新所特定的像素Pij相關的數(shù)據(jù)。具體地說，控制器2 (更新部206)向寫入數(shù)據(jù)存儲區(qū)域6寫入將像素Pij的灰度變更為存儲區(qū)域Aij的灰度為止所必要的對像素的電壓施加次數(shù)(步驟 SB6)。另外，控制器2用存儲區(qū)域Aij中存儲的內(nèi)容覆寫存儲區(qū)域Bij的內(nèi)容(步驟SB7)。接著，控制器2判斷變量j的值是否與數(shù)據(jù)線的條數(shù)η相同(步驟SB8)。這里變量j的值若不與η相同(步驟SB8中為“否”)，則將變量j的值加1 (步驟SB9)，向步驟SB2 轉變。另一方面，控制器2在變量j的值為η的場合(步驟SB8中為“是”)，對于像素的第i行的各列，特定被施加不同于第i-ι行的電壓的像素，將特定的像素和第i-ι行的像素的邊界的數(shù)的合計在存儲區(qū)域Gi存儲。另外，對于像素的第i行的各列，特定被施加不同于第i+Ι行的電壓的像素，將特定的像素和第i+Ι行的像素的邊界的數(shù)的合計在存儲區(qū)域 Gi+Ι存儲(步驟SBlO (邊界特定部204))。接著，控制器2合計在邊界數(shù)存儲區(qū)域8B存儲的值，判斷合計值是否在預定閾值以上(步驟SBll (判斷部20 )。控制器2在合計值不足閾值的場合(步驟SBll中為 “否”)，向步驟SA4轉變。另一方面，控制器2 (更新部206)在合計值為閾值以上的場合(步驟SBll中為“是”)，改寫存儲區(qū)域的第i行的內(nèi)容(步驟SBU)。具體地說，對于預定圖像數(shù)據(jù)存儲區(qū)域7，用在暫時存儲區(qū)域8A存儲的內(nèi)容覆寫。另外，對于白寫入數(shù)據(jù)存儲區(qū)域
136A和黑寫入數(shù)據(jù)存儲區(qū)域6B，關于存儲有7的存儲區(qū)域將內(nèi)容改寫為0?？刂破?向步驟SA4轉變后，判斷變量i的值是否與掃描線的條數(shù)m相同。這里變量i的值若不是m(步驟SA4中為“否”)，則將變量i的值加1 (步驟SA5)，向步驟SA2轉變。變量i的值為m的場合(步驟SA4中為“是”)，控制器2控制掃描線驅動電路53和數(shù)據(jù)線驅動電路討，驅動像素驅動電路(步驟SA6 (驅動部207))。接著，參照圖面，說明向VRAM4寫入圖像數(shù)據(jù)后到圖像數(shù)據(jù)的圖像在顯示部1顯示為止的顯示部1中的顯示的變化、VRAM4的內(nèi)容的變化、RAM5的內(nèi)容的變化。顯示部1的顯示和VRAM4、寫入數(shù)據(jù)存儲區(qū)域6、預定圖像數(shù)據(jù)存儲區(qū)域7及邊界數(shù)存儲區(qū)域8B的狀態(tài)成為圖8的狀態(tài)時，若控制部3向VRAM4寫入圖像數(shù)據(jù)，則相應于圖像數(shù)據(jù)使VRAM4的狀態(tài)成為圖9所示的狀態(tài)。在圖9的狀態(tài)下，當在步驟SB2中選擇像素 Pll時，在步驟SB3判斷為“是”，在步驟SB5判斷為“否”。存儲區(qū)域Bll的內(nèi)容表示黑，存儲區(qū)域Al 1的內(nèi)容表示白，因此像素Pll從黑變更到白，在步驟SB6中向存儲區(qū)域Cl 1寫入 7，在步驟SB7中將存儲區(qū)域All的內(nèi)容寫入存儲區(qū)域B11。接著，選擇像素P12后，在步驟 SB3判斷為“是”，在步驟SB5判斷為“否”。從而，在步驟SB6向存儲區(qū)域C12寫入7，在步驟SB7中將存儲區(qū)域A12的內(nèi)容寫入存儲區(qū)域B12，成為圖10所示的狀態(tài)。然后，繼續(xù)進行處理，在步驟SB8判斷為“是”后，控制器2進行步驟SBlO的處理。 具體地說，首先，控制器2特定在白寫入數(shù)據(jù)存儲區(qū)域6A的第i行存儲有0以外的值的各存儲區(qū)域中的、在相鄰的第i-Ι行的存儲區(qū)域存儲有0的存儲區(qū)域，和在白寫入數(shù)據(jù)存儲區(qū)域6A的第i行存儲有0的各存儲區(qū)域中的、在相鄰的第i_l行的存儲區(qū)域存儲有0以外的值的存儲區(qū)域。然后，在所特定的存儲區(qū)域對應的像素中，特定與第i_l行的邊界。另外， 控制器2特定在白寫入數(shù)據(jù)存儲區(qū)域6A的第i行存儲有0以外的值的各存儲區(qū)域中的、 在相鄰的第i+Ι行的存儲區(qū)域存儲有0的存儲區(qū)域，和在白寫入數(shù)據(jù)存儲區(qū)域6A的第i行存儲有0的各存儲區(qū)域中的、在相鄰的第i+Ι行的存儲區(qū)域存儲有0以外的值的存儲區(qū)域。 然后，在所特定的存儲區(qū)域對應的像素中特定與第i+Ι行的邊界。另外，控制器2特定在黑寫入數(shù)據(jù)存儲區(qū)域6B的第i行存儲有0以外的值的各存儲區(qū)域中的、在相鄰的第i-Ι行的存儲區(qū)域存儲有0的存儲區(qū)域，和在黑寫入數(shù)據(jù)存儲區(qū)域6B的第i行存儲有0的各存儲區(qū)域中的、在相鄰的第i-Ι行的存儲區(qū)域存儲有0以外的值的存儲區(qū)域。然后，在所特定的存儲區(qū)域對應的像素中特定與第i_l行的邊界。另外，控制器2特定在黑寫入數(shù)據(jù)存儲區(qū)域6B的第i行存儲有0以外的值的各存儲區(qū)域中的、在相鄰的第i+Ι行的存儲區(qū)域存儲有0的存儲區(qū)域，和在黑寫入數(shù)據(jù)存儲區(qū)域6B的第i行存儲有0的各存儲區(qū)域中的、在相鄰的第i+Ι行的存儲區(qū)域存儲有0以外的值的存儲區(qū)域。然后，在所特定的存儲區(qū)域對應的像素中特定與第i+Ι行的邊界。如后述，在白寫入數(shù)據(jù)存儲區(qū)域6A中存儲有0以外的值的存儲區(qū)域所對應的像素中，以相對于透明電極層32的電位Vcom成為-15V的方式對像素電極13a施加電壓。這里， 在相鄰的第i_l行和/或第i+Ι行的存儲區(qū)域存儲有0的場合，該相鄰的存儲區(qū)域所對應的像素的像素電極13a中，被施加相對于透明電極層32的電位Vcom為-15V以外的電壓。 另外，在白寫入數(shù)據(jù)存儲區(qū)域6A中存儲有0的存儲區(qū)域所對應的像素中，以相對于透明電極層32的電位Vcom使電位差成為-15V以外的方式對像素電極13a施加電壓。這里，相鄰的第i_l行和/或第i+Ι行的存儲區(qū)域存儲有O以外的值的場合，在該相鄰的存儲區(qū)域所對應的像素中，以相對于透明電極層32的電位Vcom使像素電極13a的電位差成為-15V的電壓的方式施加電壓。另外，在黑寫入數(shù)據(jù)存儲區(qū)域6B中存儲有O以外的值的存儲區(qū)域所對應的像素中，以相對于透明電極層32的電位Vcom成為+15V的方式對像素電極13a施加電壓。這里，相鄰的第i_l行和/或第i+Ι行的存儲區(qū)域存儲有O的場合，在該相鄰的存儲區(qū)域所對應的像素中，施加相對于透明電極層32的電位Vcom為+15V以外的電壓。另外，在黑寫入數(shù)據(jù)存儲區(qū)域6B中存儲有O的存儲區(qū)域所對應的像素中，以相對于透明電極層32的電位 Vcom使電位差成為+15V以外的方式對像素電極13a施加電壓。這里，相鄰的第i_l行和/ 或第i+Ι行的存儲區(qū)域存儲有O以外的值的場合，在該相鄰的存儲區(qū)域所對應的像素中，以相對于透明電極層32的電位Vcom使像素電極13a的電位差成為+15V的電壓的方式施加電壓。S卩，在相對于在第i行存儲有O以外的值的存儲區(qū)域而在第i_l行和/或第i+1 行中在相鄰的存儲區(qū)域存儲有O的場合，和/或在相對于在第i行存儲有O的存儲區(qū)域而在第i-ι行和/或第i+ι行中在相鄰的存儲區(qū)域存儲有O以外的值的場合，在第i行的存儲區(qū)域所對應的像素中，被施加不同于對第i-Ι行和/或第i+Ι行施加電壓時的電壓。艮口， 第i行的像素中，與這些相鄰的像素的邊界可以稱作是消耗功率的部分。因此，若特定該消耗功率的邊界部分、對所特定的部分的數(shù)目進行計數(shù)，則可估計圖像的顯示中消耗的功率。例如，i = 1的場合，對于第1行，在各存儲區(qū)域的內(nèi)容更新結束的時刻，各存儲區(qū)域的內(nèi)容成為圖10所示的狀態(tài)。圖10中，存儲區(qū)域Cll、C12存儲了 7，因此，控制器2特定該存儲區(qū)域Cll、C12。這里，圖10的圖像A中，第1行的上側的陰影部分可以認為是消耗功率的部分。控制器2將該特定的部分的數(shù)目“2”在存儲區(qū)域Gl存儲。另外，若比較第 i行(第1行)和第i+Ι行(第2行)，則在圖10中在存儲區(qū)域Cll存儲了 7，在與存儲區(qū)域Cll相鄰的存儲區(qū)域C21存儲了 0，因此，控制器2特定該存儲區(qū)域C11。另外，在存儲區(qū)域C12存儲了 7，在與存儲區(qū)域C12相鄰的存儲區(qū)域C22存儲了 0，因此，控制器2特定該存儲區(qū)域C12。這里，圖10的圖像A的第1行和第2行間的陰影部分被特定為消耗功率的部分。控制器2將該特定的部分的數(shù)目“2”在存儲區(qū)域G2存儲。這里，邊界數(shù)存儲區(qū)域8B 的內(nèi)容如圖10所示，變更為在存儲區(qū)域Gl存儲2、在存儲區(qū)域G2存儲2的狀態(tài)。接著，控制器2判斷邊界數(shù)存儲區(qū)域8B存儲的值的合計是否在預定閾值以上(步驟SB11)。例如，邊界數(shù)存儲區(qū)域8B存儲的數(shù)的合計若在10以上，則消耗功率超出顯示裝置100的電源電路可供給的功率的供給量，在無法施加使像素的顯示狀態(tài)變化所需的電壓的場合，將閾值的數(shù)設定成10。這里，邊界數(shù)存儲區(qū)域8B存儲的值的合計值為4，因此，在步驟SBll判斷為“否”，向步驟SA4轉變。接著，進行步驟SA5的處理，i = 2，進行處理直到在步驟SB8判斷為“是”為止后， 存儲區(qū)域的內(nèi)容成為圖11所示的狀態(tài)。這里，進行步驟SBlO的處理后，在存儲區(qū)域C21、 C22存儲了 7，在存儲區(qū)域C31、C32存儲了 0，因此，控制器2特定該存儲區(qū)域C21、C22。這里，圖11的圖像A的第2行和第3行間的陰影部分被特定為消耗功率的部分?？刂破?將該特定的部分的數(shù)目“2”在存儲區(qū)域G3存儲。這里，邊界數(shù)存儲區(qū)域8B的內(nèi)容如圖11所示，變更為在存儲區(qū)域G 3存儲2的狀態(tài)。另外，第1行和第2行之間，沒有被特定的部分， 因此在存儲區(qū)域G2存儲O。
接著，控制器2進行步驟SBl 1的處理，但是，在此時刻，邊界數(shù)存儲區(qū)域8B存儲的值的合計值為4，因此在步驟SBll判斷為“否”，向步驟SA4轉變。接著，進行步驟SA5的處理，i = 3，進行處理直到在步驟SB8判斷為“是”為止后， 存儲區(qū)域的內(nèi)容成為圖12所示的狀態(tài)。這里，步驟SBlO的處理進行后，存儲區(qū)域的第2行和第3行之間，在存儲區(qū)域C21、C22存儲了 7，在存儲區(qū)域C31、C32存儲了 0，因此，控制器 2特定該存儲區(qū)域C31、C32。另外，存儲區(qū)域D33、D34存儲了 7，存儲區(qū)域D23、DM存儲了 0，因此，控制器2特定該存儲區(qū)域D33、D34。這里，圖12的圖像A的第2行和第3行間的陰影部分被特定為消耗功率的部分。控制器2將該特定的部分的數(shù)目“4”在存儲區(qū)域G3 存儲。另外，存儲區(qū)域的第3行和第4行之間，在存儲區(qū)域D33、D34存儲了 7，在存儲區(qū)域 D43、D44存儲了 0，因此，控制器2特定該存儲區(qū)域D33、D34。這里，圖12的圖像A的第3 行和第4行間的陰影部分被特定為消耗功率的部分?？刂破?將該特定的部分的數(shù)目“2” 在存儲區(qū)域G4存儲。這里，邊界數(shù)存儲區(qū)域8B的內(nèi)容如圖12所示，變更了存儲區(qū)域G3和存儲區(qū)域G4的內(nèi)容。接著，控制器2進行步驟SBl 1的處理，但是，在此時刻，邊界數(shù)存儲區(qū)域8B存儲的值的合計值為8，因此在步驟SBll判斷為“否”，向步驟SA4轉變。接著，進行步驟SA5的處理，i = 4，進行處理直到在步驟SB8判斷為“是”為止后， 存儲區(qū)域的內(nèi)容成為圖13所示的狀態(tài)。這里，步驟SBlO的處理進行后，存儲區(qū)域D43、D44 存儲了 7，因此，控制器2特定該存儲區(qū)域D43、D44。這里，圖13的圖像A中第4行的下側的陰影部分被特定為消耗功率的部分?？刂破?將該特定的部分的數(shù)目“2”在存儲區(qū)域G5 存儲。另外，第3行和第4行之間，沒有被特定的部分，因此，在存儲區(qū)域G4存儲0。這里， 邊界數(shù)存儲區(qū)域8B的內(nèi)容如圖13所示，變更了存儲區(qū)域G4和存儲區(qū)域G5的內(nèi)容。 接著，控制器2進行步驟SBl 1的處理，但是，在此時刻，邊界數(shù)存儲區(qū)域8B中存儲的值的合計值為8，因此在步驟SBll判斷為“否”，向步驟SA4轉變。然后，步驟SA6的處理進行后，在像素Pll對應的像素驅動電路(與第1行的掃描線64和第1列的數(shù)據(jù)線65的交叉處對應的像素驅動電路)中，存儲區(qū)域Cll的內(nèi)容為0 以外的值，因此，掃描線64被選擇時以使得像素電極13a的電位相對于透明電極層32的電位Vcom成為-15V的方式對數(shù)據(jù)線65施加電壓。另外，在像素P12、P21、P22對應的像素驅動電路中，存儲區(qū)域C12、C21、C22的內(nèi)容也為0以外的值，因此，掃描線64被選擇時以使得像素電極13a的電位相對于透明電極層32的電位Vcom成為-15V的方式對數(shù)據(jù)線65施加電壓。另外，與像素P33對應的像素驅動電路(與第3行的掃描線64和第3列的數(shù)據(jù)線 65的交叉處對應的像素驅動電路)中，存儲區(qū)域D33的內(nèi)容為0以外的值，因此，掃描線64 被選擇時以使得像素電極13a的電位相對于透明電極層32的電位Vcom成為+15V的方式對數(shù)據(jù)線65施加電壓。另外，與像素P34、P43、P44對應的像素驅動電路中，存儲區(qū)域D34、 D43、D44的內(nèi)容也為O以外的值，因此掃描線64被選擇時以使得像素電極13a的電位相對于透明電極層32的電位Vcom成為+15V的方式對數(shù)據(jù)線65施加電壓。另外，對于其他像素，白寫入數(shù)據(jù)存儲區(qū)域6A中對應的存儲區(qū)域的內(nèi)容為0，且黑寫入數(shù)據(jù)存儲區(qū)域6B中對應的存儲區(qū)域的內(nèi)容為0，因此，掃描線64被選擇時以使得像素電極13a的電位和透明電極層32的電位Vcom的差成為OV的方式對數(shù)據(jù)線65施加電壓。這樣，對數(shù)據(jù)線65施加電壓后，像素中白微粒和黑微粒移動，顯示部1的顯示成為圖14所示的狀態(tài)。步驟SA6的處理結束后，控制器2將處理的流程返回步驟SAl。然后，繼續(xù)處理，圖 14的狀態(tài)下，在步驟SB2中選擇像素Pll后，在步驟SB3判斷為“否”，從寫入存儲區(qū)域Cll 的值減1，存儲區(qū)域Cll的內(nèi)容成為6。接著，選擇像素P12后，在步驟SB3判斷為“否”，從寫入存儲區(qū)域C12的值減1，存儲區(qū)域C12的內(nèi)容成為6。然后，選擇直到像素P44為止后， 如圖15所示，存儲區(qū)域C11、C12、C21、C22的內(nèi)容成為6，存儲區(qū)域D33、D34、D43、D44的內(nèi)容成為6。圖16是剛從圖15所示的狀態(tài)進行了第2次的步驟SA6的處理后的狀態(tài)的示圖。 這里，如圖17所示，考慮改寫了 VRAM4的內(nèi)容的情況。從圖17的狀態(tài)進行處理直到i = 1 時在步驟SB8判斷為“是”后，各存儲區(qū)域的內(nèi)容成為圖18所示的狀態(tài)。這里，步驟SBlO的處理進行后，圖18的圖像A中陰影部分被特定為消耗功率的部分，存儲區(qū)域Gl、G2的內(nèi)容成為圖18所示的狀態(tài)不變。這里，邊界數(shù)存儲區(qū)域8B存儲的值的合計值為8，因此在步驟SBll中判斷為“否”， 向步驟SA4轉變。接著，i = 2，繼續(xù)處理，在步驟SB2中選擇像素P21后，在步驟SB3判斷為“否”，在步驟SB4，從寫入存儲區(qū)域C21的值減1，存儲區(qū)域C21的內(nèi)容成為4。另一方面， 步驟SB2中，選擇像素P23后，在步驟SB3判斷為“是”，在步驟SB5判斷為“否”。從而，在步驟SB6，向存儲區(qū)域D23寫入7，在步驟SB7，將存儲區(qū)域A23的內(nèi)容寫入存儲區(qū)域B23。這樣，VRAM4的內(nèi)容即使從白改寫為黑，對于向白的改寫進行中的像素，繼續(xù)進行向白的改寫， 對于改寫不在進行中的像素，在黑寫入數(shù)據(jù)存儲區(qū)域6B存儲第2寫入數(shù)據(jù)。然后，處理進行直到在步驟SB8判斷為“是”為止后，各存儲區(qū)域的內(nèi)容成為圖19所示的狀態(tài)。接著，控制器2進行步驟SBlO的處理。這里，存儲區(qū)域C21、C22中存儲了 4，存儲區(qū)域C31、C32中存儲了 0，因此，控制器2特定該存儲區(qū)域C21、C22。另外，存儲區(qū)域D23、 D24中存儲了 7，存儲區(qū)域C13、C14中存儲了 0，因此，控制器2特定該存儲區(qū)域C23、C24。 這里，圖19的圖像A中第1行和第2行間的陰影部分被特定為消耗功率的部分?？刂破? 將該特定的部分的數(shù)目“2”在存儲區(qū)域G2存儲。另外，圖19的圖像A的第2行和第3行間的陰影部分被特定為消耗功率的部分?？刂破?將該特定的部分的數(shù)目“2”在存儲區(qū)域 G3存儲。這里，邊界數(shù)存儲區(qū)域8B的內(nèi)容如圖19所示，變更了存儲區(qū)域G2和存儲區(qū)域G3 的內(nèi)容。這里，在此時刻，邊界數(shù)存儲區(qū)域8B中存儲的值的合計值為8，因此在步驟SBll判斷為“否”，向步驟SA4轉變。然后，從圖19的狀態(tài)進行處理直到i = 3時在步驟SB8判斷為“是”為止后，各存儲區(qū)域的內(nèi)容成為圖20所示的狀態(tài)。這里，步驟SBlO的處理進行后，圖20的圖像A中第2行和第3行間的陰影部分被特定為消耗功率的部分?？刂破?將該特定的部分的數(shù)目“2”在存儲區(qū)域G3存儲。另外， 圖20的圖像A中第3行和第4行間的陰影部分被特定為消耗功率的部分?？刂破?將該特定的部分的數(shù)目“2”在存儲區(qū)域G4存儲。這里，邊界數(shù)存儲區(qū)域8B的內(nèi)容如圖20所示， 變更了存儲區(qū)域G3和存儲區(qū)域G4的內(nèi)容。這里，邊界數(shù)存儲區(qū)域8B中存儲的值的合計成為10，因此，在步驟SBll判斷為 “是”。在步驟SBll判斷為“是”后，控制器2在存儲區(qū)域C31 C34及存儲區(qū)域D31 D34中存儲7的存儲區(qū)域存儲0。另外，將存儲區(qū)域B31 B34用暫時存儲區(qū)域中所存儲的內(nèi)容覆寫(步驟SB12)。從而，存儲區(qū)域的內(nèi)容成為圖21所示的狀態(tài)。即，第3行的像素中， 對于改寫進行中的像素(像素P33、P34)，繼續(xù)進行改寫。另外，對于要新改寫的像素P31、 P32，由于如果改寫開始則消耗功率的峰值超出電源電路可供給的功率的供給量，因此使改寫推遲。從圖21的狀態(tài)進行處理直到i = 4時在步驟SB8判斷為“是”為止后，存儲區(qū)域的內(nèi)容成為圖22所示的狀態(tài)。這里，步驟SBlO的處理進行后，存儲區(qū)域G4的內(nèi)容成為0。 然后，在步驟SBll判斷為“否”，向步驟SA4轉變。然后，步驟SA6的處理進行后，顯示部1的狀態(tài)成為圖23所示的狀態(tài)，對于改寫進行中的像素，繼續(xù)執(zhí)行進行中的改寫，對于未進行改寫的像素，新開始像素的改寫。另外，對于如果改寫開始則消耗功率的峰值超出電源電路可供給的功率的供給量的像素，推遲像素的改寫。進一步進行處理，對于先開始改寫的像素(像素P11、P12、P21、P22、P33、P34、P43、 P44)，使第1寫入數(shù)據(jù)和第2寫入數(shù)據(jù)的值成為1，步驟SA6的處理進行后，各存儲區(qū)域和顯示部1的顯示成為圖M所示的狀態(tài)。從圖M的狀態(tài)進行處理直到i = 1時在步驟SB8判斷為“是”后，存儲區(qū)域C11、 C12的內(nèi)容如圖25所示成為0。這里，步驟SBlO的處理進行后，圖25中圖像A的陰影部分被特定為消耗功率的部分?？刂破?將該特定的部分的數(shù)目“4”在存儲區(qū)域G2存儲。這里，邊界數(shù)存儲區(qū)域8B的內(nèi)容成為圖25所示。此時刻的邊界數(shù)存儲區(qū)域8B中存儲的值的合計值為8，因此在步驟SBll判斷為 “否”，向步驟SA4轉變。從圖25的狀態(tài)進行處理直到i = 2時在步驟SB8判斷為“是”為止后，如圖26所示，存儲區(qū)域C21、C22的內(nèi)容成為0。這里，步驟SBlO的處理進行后，圖沈的圖像A中陰影部分被特定為消耗功率的部分。這里，邊界數(shù)存儲區(qū)域8B的內(nèi)容成為圖沈所示。此時刻的邊界數(shù)存儲區(qū)域8B中存儲的值的合計值為4，因此在步驟SBll判斷為 “否”，向步驟SA4轉變。從圖沈的狀態(tài)進行處理直到i = 3時在步驟SB8判斷為“是”為止后，如圖27所示，存儲區(qū)域D31、D32的內(nèi)容成為7，存儲區(qū)域D33、D34的內(nèi)容成為0。這里，步驟SBlO的處理進行后，圖27中圖像A的陰影部分被特定為消耗功率的部分，存儲區(qū)域G3、G4的內(nèi)容成為圖27所示的狀態(tài)。這里，邊界數(shù)存儲區(qū)域8B中存儲的值的合計值為10以上，因此在步驟SBll判斷為“是”，進行步驟SB12的處理，使存儲區(qū)域的內(nèi)容成為圖觀所示的狀態(tài)。然后，向步驟SA4轉變，i = 4，繼續(xù)進行處理，進行處理直到在步驟SB8判斷為 “是”為止后，存儲區(qū)域D43、D44的內(nèi)容成為0。這里，步驟SBlO的處理進行后，存儲區(qū)域 C41 C44及存儲區(qū)域D41 D44的內(nèi)容為0，因此，與相鄰行之間，不特定被施加的電壓不同的部分，存儲區(qū)域G4、G5的內(nèi)容都成為0，各存儲區(qū)域的內(nèi)容成為圖四所示的狀態(tài)。然后，步驟SA6的處理進行后，顯示部1的狀態(tài)成為圖30所示的狀態(tài)。然后，向步驟SA4轉變，再次成為i = 2，進行處理直到在步驟SB8判斷為“是”為止后，存儲區(qū)域的內(nèi)容成為圖31所示的狀態(tài)。這里，步驟SBlO的處理進行后，圖31的圖像 A中陰影部分被特定為消耗功率的部分，存儲區(qū)域G2、G3的內(nèi)容成為圖31所示的狀態(tài)。
另外，從圖31的狀態(tài)進行處理直到i = 3時在步驟SB8判斷為“是”為止后，如圖 32所示，存儲區(qū)域D31、D32的內(nèi)容成為7。這里，步驟SBlO的處理進行后，圖32的圖像A中陰影部分被特定為消耗功率的部分，存儲區(qū)域G3、G4的內(nèi)容成為圖32所示的狀態(tài)。然后， 步驟SA6的處理進行后，成為圖33所示的狀態(tài)。這里，開始改寫被推遲了的像素的改寫。根據(jù)本實施例，先開始改寫的區(qū)域和新進行改寫的區(qū)域即使重疊，對于新開始改寫時改寫不在進行中的部分，由于改寫立即開始，因此使用戶感覺到顯示速度快。另外，在如果進行像素的改寫則消耗功率的峰值超出電源電路可供給的功率的供給量的場合，使像素的改寫推遲，改寫推遲了的像素在消耗功率的峰值不會超出電源電路可供給的功率的供給量后開始改寫，因此，可抑制像素的改寫時消耗功率的峰值。第2實施例接著，說明本發(fā)明的第2實施例的顯示裝置100A。圖34是顯示裝置100A的硬件構成的示圖。另外，以下的說明中，對與第1實施例的顯示裝置100構成相同的部分附上相同符號，將其說明省略。顯示裝置100A在變更像素的灰度時的工作不同于第1實施例。控制器2具有驅動表TB。另外，在RAM5設置有表ID存儲區(qū)域6C和索引存儲區(qū)域6D。圖35是驅動表TB的內(nèi)容的示圖。驅動表TB由通過表ID標識的12個表TBl TB12構成。本實施例中，像素取從黑到白的4級的灰度，各灰度用從0 (黑)按順序到3 (白) 為止的數(shù)字表示。表TBl TB12，在將像素從某灰度向其他灰度變更時被選擇，被選擇的表根據(jù)像素的變更前的灰度和變更后的灰度確定。另外，像素的灰度變更時，多次對像素電極 13a施加電壓，而各表存儲了表示將像素的灰度從某灰度向某灰度變更時各次中對像素電極13a施加的電壓的數(shù)據(jù)。表中存儲的1 8的數(shù)字是索引。另外，與各索引對應的“b”、 “w”、“n”這樣的數(shù)據(jù)表示各次中對像素電極13a施加的電壓。這里“b”表示施加使與透明電極層32的電位差成為+15V的正的電壓的情況，“W”表示施加使與透明電極層32的電位差成為-15V的負的電壓的情況。此外，“η”表示將像素電極13a和透明電極層32之間的電位差設為0的情況。接著，說明顯示裝置100A進行的處理的流程和顯示裝置100A的工作。另外，由與第2實施例的說明相關的圖面圖示了存儲區(qū)域的內(nèi)容的圖，除了 VRAM4和預定圖像數(shù)據(jù)存儲區(qū)域 的內(nèi)容外，還圖示了表ID存儲區(qū)域6C中像素Pll P44對應的存儲區(qū)域Eij的內(nèi)容及索引存儲區(qū)域6D中像素Pll P44對應的存儲區(qū)域Fij的內(nèi)容。存儲區(qū)域Ell E44存儲了像素的灰度變更時使用的表的表ID。例如，存儲1作為表ID的場合，表ID為1 的表TBl在像素的灰度變更時使用。另外，存儲區(qū)域Fll F44存儲了表示參照表中哪一索引的數(shù)字。本實施例的控制器2的步驟SA3的處理內(nèi)容不同于第1實施例。圖36是表示本實施例中的步驟SA3的處理內(nèi)容的流程圖。首先，步驟SCl 步驟SC2的處理是與第1實施例的步驟SBl 步驟SB2的處理相同的處理。接著，控制器2判斷與所選擇的像素Pij對應的存儲區(qū)域Fij中存儲的索引的值是否為0(步驟SC3)?？刂破?在這里存儲區(qū)域Fij 的內(nèi)容為0的場合(步驟SC3中為“是”)，向步驟SC5轉變，在為0以外的值的場合(步驟 SC3中為“否”)，向步驟SC4轉變。向步驟SC4轉變后，控制器2從存儲區(qū)域Fij的值減1。向步驟SC5轉變后，控制器2比較存儲區(qū)域Aij中存儲的數(shù)據(jù)和存儲區(qū)域Bi j中存儲的數(shù)據(jù)。這里，控制器2在兩者不同的場合(步驟SC5中為“否”)，從表TBl TB12中
19確定用于將像素的灰度從存儲區(qū)域Bij中存儲的灰度向存儲區(qū)域Aij中存儲的灰度變化的表(步驟SC6)。接著，控制器2向存儲區(qū)域Eij寫入在步驟SC6中所確定的表的表ID，在存儲區(qū)域Fij寫入8 (步驟SC7)。另外，控制器2用存儲區(qū)域Aij中存儲的內(nèi)容覆寫存儲區(qū)域Bij的內(nèi)容(步驟SC8)。接下來的步驟SC9、步驟SClO的處理是與第1實施例的步驟SB8、步驟SB9的處理相同的處理?？刂破?在步驟SCll中，對于像素的第i行的各列，特定被施加不同于第 i-1行的電壓的像素，將所特定的像素和第i_l行的像素的邊界的數(shù)的合計在存儲區(qū)域Gi 存儲。另外，對于像素的第i行的各列，特定被施加不同于第i+Ι行的電壓的像素，將所特定的像素和第i+Ι行的像素的邊界的數(shù)的合計在存儲區(qū)域Gi+Ι存儲。接著，控制器2合計在邊界數(shù)存儲區(qū)域8B存儲的值，判斷合計值是否在預定閾值以上(步驟SCU)。控制器2在合計值未滿閾值的場合(步驟SC12中為“否”)，向步驟SA4 轉變。另一方面，控制器2在合計值為閾值以上的場合(步驟SC12中為“是”)，改寫存儲區(qū)域的第i行的內(nèi)容(步驟SC13)。接著，參照圖面，說明驅動像素時的工作的一例。另外，以下的說明中，如圖37所示，假定向VRAM4寫入了圖像數(shù)據(jù)的狀態(tài)來進行說明。在圖37所示的狀態(tài)，進行步驟SA3的處理，當在步驟SC2中選擇像素Pll后，在步驟SC3判斷為“是”，在步驟SC5判斷為“否”。接著，步驟SC6中，存儲區(qū)域Bll的內(nèi)容為0 且存儲區(qū)域All的內(nèi)容為3，因此，作為變更像素Pll的灰度所使用的表，確定為將灰度從 0變更到3的表TB10。接著，將在步驟S6中確定的表的表ID寫入存儲區(qū)域E11，向存儲區(qū)域Fll寫入8(步驟SC7)，將存儲區(qū)域Bll的內(nèi)容用存儲區(qū)域All的內(nèi)容覆寫(步驟SC8)。 接著，當選擇像素P12后，在步驟SC3判斷為“是”，在步驟SC5判斷為“否”。然后，確定表 TB10,將表ID寫入存儲區(qū)域E12，向存儲區(qū)域F12寫入8 (步驟SC7)，將存儲區(qū)域B12的內(nèi)容用存儲區(qū)域A12的內(nèi)容覆寫(步驟SC8)。這里，存儲區(qū)域的內(nèi)容成為圖38所示的狀態(tài)。然后，繼續(xù)進行處理，在步驟SC9判斷為“是”后，控制器2進行步驟SCll的處理。 這里，控制器2對于第i行的像素，參照存儲區(qū)域Eij和存儲區(qū)域Fi j，特定對各像素施加的電壓。接著，控制器2對于第i-Ι行的像素，參照表ID存儲區(qū)域6C和索引存儲區(qū)域6D， 特定對各像素施加的電壓。另外，控制器2對于第i+Ι行的像素，參照表ID存儲區(qū)域6C和索引存儲區(qū)域6D，特定對各像素施加的電壓。接著，控制器2在第i行的像素中，特定被施加不同于第i-i行的電壓的像素，并在所特定的像素中特定與第i-i行的邊界。該特定的邊界部分如第1實施例所說明的那樣，是消耗功率的部分。此外，控制器2在第i行的像素中，特定被施加不同于第i+Ι行的電壓的像素，在所特定的像素中特定與第i+Ι行的邊界。 該特定的邊界部分，如第1實施例所說明的那樣，是消耗功率的部分。例如，圖38所示的狀態(tài)的場合，像素P11、P12中，對像素電極13a施加使其與透明電極層32的電位差為-15V的負的電壓，像素P21、P22中，對像素電極13a施加使其與透明電極層32的電位差為OV的電壓。像素Pll和像素P21中，對像素電極13a施加的電壓不同，像素P12和像素P22中，對像素電極13a施加的電壓不同，因此，控制器2特定該像素 Pll與P21的邊界部分及像素P12與像素P22的邊界部分(圖38的圖像Pij的第1行和第2行之間的陰影部分)為消耗功率的部分。另外，將圖38的顯示部的第1行之上的陰影部分特定為消耗功率的部分?？刂破?將特定的邊界部分的數(shù)在存儲區(qū)域Gi和存儲區(qū)域Gi+Ι存儲后，邊界數(shù)存儲區(qū)域8B的內(nèi)容成為圖38所示的狀態(tài)。接著，控制器2判斷邊界數(shù)存儲區(qū)域8B中存儲的值的合計是否在預定閾值以上 (步驟SC12)。這里，與第1實施例同樣，閾值為10的場合，此時刻的邊界數(shù)存儲區(qū)域8B中存儲的值的合計值為4，因此在步驟SC12判斷為“否”，向步驟SA4轉變。接著，進行步驟SA5的處理，i = 2，進行處理直到在步驟SC9判斷為“是”為止后， 各存儲區(qū)域的內(nèi)容成為圖39所示的狀態(tài)。這里，步驟SCll的處理進行后，特定圖39的顯示部的陰影部分為消耗功率的部分?？刂破?將該特定的部分的數(shù)目“2”在存儲區(qū)域G3 存儲。這里，邊界數(shù)存儲區(qū)域8B的內(nèi)容如圖39所示，變更為在存儲區(qū)域G3存儲有2的狀態(tài)。另外，第1行和第2行之間，沒有被特定的部分，因此在存儲區(qū)域G2存儲0。接著，進行步驟SA5的處理，i = 3，進行處理直到在步驟SC9判斷為“是”為止后， 各存儲區(qū)域的內(nèi)容成為圖40所示的狀態(tài)。這里，步驟SCll的處理進行后，特定圖40的顯示部中陰影部分為消耗功率的部分?？刂破?將該特定的部分的數(shù)在存儲區(qū)域G3、G4存儲。這里，邊界數(shù)存儲區(qū)域8B的內(nèi)容如圖40所示，成為在存儲區(qū)域G3存儲4、在存儲區(qū)域 G4存儲2的狀態(tài)。接著，控制器2進行步驟SC12的處理，而此時刻邊界數(shù)存儲區(qū)域8B中存儲的值的合計值為8，因此在步驟SC12判斷為“否”，向步驟SA4轉變。接著，進行步驟SA5的處理，i = 4，進行處理直到在步驟SC9判斷為“是”為止后， 各存儲區(qū)域的內(nèi)容成為圖41所示的狀態(tài)。這里，步驟SCll的處理進行后，特定圖41的顯示部中陰影部分為消耗功率的部分?？刂破?將該特定的部分的數(shù)在存儲區(qū)域G4、G5存儲。這里，邊界數(shù)存儲區(qū)域8B的內(nèi)容如圖41所示，成為在存儲區(qū)域G4存儲0、在存儲區(qū)域 G5存儲2的狀態(tài)。進一步進行處理后，進行步驟SA6的處理。這里，對于像素Pl 1，在存儲區(qū)域El 1存儲的表ID是10，在存儲區(qū)域Fl 1存儲的索引是8。對于像素P11，表TB10中索引的8對應的數(shù)據(jù)是 ”，因此，以使得像素電極13a的電位相對于透明電極層32成為-15V的方式驅動像素驅動電路。另外，對于像素P33，在存儲區(qū)域E33存儲的表ID是3，在存儲區(qū)域Fll 存儲的索引是8。對于像素P33，表TB3中索引的8對應的數(shù)據(jù)是“b”，因此，以使得像素電極13a的電位相對于透明電極層32成為+15V的方式驅動像素驅動電路。另外，對于索引成為0的存儲區(qū)域所對應的像素，使透明電極層32和像素電極13a的電位差為0V。圖42是剛從圖41所示的狀態(tài)進行了第2次的步驟SA6的處理后的狀態(tài)的示圖。 這里，如圖43所示，考慮改寫了 VRAM4的內(nèi)容的情況。從圖43的狀態(tài)進行處理直到i = 1時在步驟SC9判斷為“是”為止后，各存儲區(qū)域的內(nèi)容成為圖44所示的狀態(tài)。這里，步驟 SCll的處理進行后，特定圖44的顯示部中陰影部分為消耗功率的部分，存儲區(qū)域G1、G2的內(nèi)容成為圖44所示的狀態(tài)。這里，邊界數(shù)存儲區(qū)域8B中存儲的值的合計值為8，因此在步驟SC12判斷為“否”， 向步驟SA4轉變。接著，i = 2，繼續(xù)進行處理，在步驟SC2中選擇像素P21后，在步驟SC3 判斷為“否”，在步驟SC4從寫入存儲區(qū)域F21的值減1，存儲區(qū)域F21的內(nèi)容成為5。另一方面，步驟SC2中，選擇像素P23后，在步驟SC3判斷為“是”，在步驟SC5判斷為“否”。從而，在步驟SC7，向存儲區(qū)域F23寫入8，向存儲區(qū)域E23寫入3。另外，在步驟SC8，將存儲區(qū)域A23的內(nèi)容寫入存儲區(qū)域B23。這樣，VRAM4的內(nèi)容即使從白改寫到黑，對于向白的改寫正在進行中的像素，繼續(xù)進行向白的改寫，對于改寫不在進行中的像素，向對應的存儲區(qū)域Eij及存儲區(qū)域Fij新寫入數(shù)據(jù)。然后，進行處理直到在步驟SC9判斷為“是”為止后，使得各存儲區(qū)域的內(nèi)容成為圖45所示的狀態(tài)。這里，步驟SCll的處理進行后，特定圖45的顯示部中陰影部分為消耗功率的部分?？刂破?將該特定的部分的數(shù)在存儲區(qū)域G2、G3存儲。這里，邊界數(shù)存儲區(qū)域8B的內(nèi)容如圖45所示，變更了存儲區(qū)域G2和存儲區(qū)域G3的內(nèi)容。這里，在此時刻，邊界數(shù)存儲區(qū)域8B中存儲的值的合計值為8，因此在步驟SC12判斷為“否”，向步驟SA4轉變。然后，進行處理直到i = 3時在步驟SC9判斷為“是”為止后， 各存儲區(qū)域的內(nèi)容成為圖46所示的狀態(tài)。這里，步驟SCll的處理進行后，特定圖46的顯示部中陰影部分為消耗功率的部分?？刂破?將該特定的部分的數(shù)在存儲區(qū)域G3、G4存儲。 這里，邊界數(shù)存儲區(qū)域8B的內(nèi)容如圖46所示，變更了存儲區(qū)域G3和存儲區(qū)域G4的內(nèi)容。這里，邊界數(shù)存儲區(qū)域8B中存儲的值的合計為10，因此，在步驟SC12判斷為“是”。 在步驟SC12判斷為“是”后，控制器2在存儲區(qū)域F31 F34中，在存儲8的存儲區(qū)域存儲 0。另外，將存儲區(qū)域B31 B34用暫時存儲區(qū)域中存儲的內(nèi)容覆寫(步驟SC13)。從而， 存儲區(qū)域的內(nèi)容成為圖47所示的狀態(tài)。即，第3行的像素中，對于改寫正在進行中的像素 (像素P33、P34)，繼續(xù)進行改寫。另外，對于要新改寫的像素P31、P32，由于如果開始改寫則消耗功率的峰值超出電源電路可供給的功率的供給量，因此推遲改寫。從圖47的狀態(tài)進行處理直到i = 4時在步驟SC9判斷為“是”為止后，各存儲區(qū)域的內(nèi)容成為圖48所示的狀態(tài)。這里，步驟SCll的處理進行后，存儲區(qū)域G4的內(nèi)容成為 0。然后，在步驟SC12判斷為“否”，向步驟SA4轉變。然后，步驟SA6的處理進行后，對于在VRAM4中改寫了內(nèi)容的部分所對應的像素， 對于改寫正在進行中的像素繼續(xù)執(zhí)行進行中的改寫，對于未進行改寫的像素，新開始像素的改寫。另外，對于如果開始改寫則消耗功率的峰值超出電源電路可供給的功率的供給量的像素，不開始像素的改寫。進一步進行處理后，對于先開始改寫的像素(像素P11、P12、P21、P22、P33、P34、 P43、P44)，如圖49所示，存儲區(qū)域Fij的值成為1。從圖49的狀態(tài)進行處理直到i = 1時在步驟SC9判斷為“是”為止后，存儲區(qū)域F11、F12的內(nèi)容成為0。這里，步驟SCll的處理進行后，特定圖50中圖像A的陰影部分為消耗功率的部分。控制器2將該特定的部分的數(shù)目“4”在存儲區(qū)域G2存儲。這里，邊界數(shù)存儲區(qū)域8B的內(nèi)容如圖50所示，變更了存儲區(qū)域Gl和存儲區(qū)域G2的內(nèi)容。此時刻的邊界數(shù)存儲區(qū)域8B中存儲的值的合計值為8，因此在步驟SC12判斷為 “否”，向步驟SA4轉變。從圖50的狀態(tài)進行處理直到i = 2時在步驟SC9判斷為“是”為止后，如圖51所示，存儲區(qū)域F21、F22的內(nèi)容成為0。這里，步驟SCll的處理進行后，特定圖51的顯示部中陰影部分為消耗功率的部分。這里，邊界數(shù)存儲區(qū)域8B的內(nèi)容如圖51所示，變更了存儲區(qū)域G2和存儲區(qū)域G3的內(nèi)容。此時刻的邊界數(shù)存儲區(qū)域8B中存儲的值的合計值為4，因此在步驟SC12判斷為 “否”，向步驟SA4轉變。從圖51的狀態(tài)進行處理直到i = 3時在步驟SC9判斷為“是”為止后，如圖52所示，存儲區(qū)域F31、F32的內(nèi)容成為8，存儲區(qū)域F33、F34的內(nèi)容成為0。這里，步驟SCll的處理進行后，特定圖52中顯示部的陰影部分為消耗功率的部分，使存儲區(qū)域G3、G4的內(nèi)容成為圖52所示的狀態(tài)。這里邊界數(shù)存儲區(qū)域8B中存儲的值的合計值為10以上，因此在步驟SC12判斷為 “是”，進行步驟SC13的處理后，存儲區(qū)域的內(nèi)容成為圖53所示的狀態(tài)。然后，向步驟SA4轉變，接著i = 4，繼續(xù)進行處理。從圖53的狀態(tài)進行處理直到在步驟SC9判斷為“是”為止后，存儲區(qū)域F43、F44的內(nèi)容成為0。這里，步驟SCll的處理進行后，存儲區(qū)域C41 C44及存儲區(qū)域D41 D44的內(nèi)容為0，因此與相鄰行之間，不特定被施加的電壓不同的部分，存儲區(qū)域G4、G5的內(nèi)容都成為0，各存儲區(qū)域的內(nèi)容成為圖M 所示的狀態(tài)。然后，向步驟SA4轉變，再次使i = 2，進行處理直到在步驟SC9判斷為“是”為止后，存儲區(qū)域的內(nèi)容成為圖55所示的狀態(tài)。這里，步驟SCll的處理進行后，特定圖55中顯示部的陰影部分為消耗功率的部分，存儲區(qū)域G2、G3的內(nèi)容成為圖55所示的狀態(tài)。這里， 邊界數(shù)存儲區(qū)域8B中存儲的值的合計值不足10，因此在步驟SC12判斷為“否”。從圖55的狀態(tài)進行處理直到i = 3時在步驟SC9判斷為“是”為止后，如圖56所示，存儲區(qū)域F31、F32的內(nèi)容成為8。這里，步驟SCll的處理進行后，特定圖56的顯示部中陰影部分為消耗功率的部分，使存儲區(qū)域G3、G4的內(nèi)容成為圖56所示的狀態(tài)。這里，對于寫入推遲了的像素，在對應的存儲區(qū)域寫入表ID和索引，因此在步驟SA6中，對于寫入推遲了的像素，開始進行顯示狀態(tài)的變更。本實施例中，先開始改寫的區(qū)域和新進行改寫的區(qū)域即使重疊，對于新開始改寫時改寫不在進行中的部分，由于改寫立即開始，因此使用戶感覺到顯示速度快。另外，本實施例中，在如果進行像素的改寫則消耗功率的峰值超出電源電路可供給的功率的供給量的場合，使像素的改寫推遲，改寫被推遲了的像素在消耗功率的峰值不會超出電源電路可供給的功率的供給量后開始改寫，因此，可抑制像素的改寫時消耗功率的峰值。電子設備接著，說明采用上述實施例的顯示裝置的電子設備。圖57(a)是采用上述實施例的顯示裝置的電子書閱讀器的立體圖。該電子書閱讀器1000具備書本形狀的框1001 ；對該框1001可自由開閉地設置的蓋1002 ；操作部1003 ； 以及本發(fā)明的實施例的顯示裝置100。該電子書閱讀器1000中，電子書的內(nèi)容在顯示裝置 100顯示，通過操作操作部1003，對電子書進行翻頁。另外，圖57(b)是采用上述實施例的顯示裝置的手表1100的立體圖。該手表1100 具備本發(fā)明的實施例的顯示裝置100。該手表1100中，時刻、年月日在顯示裝置100顯示。另外，除此以外，作為可應用上述實施例的顯示裝置100的電子設備，還可舉出電子紙、電子記事本、電子計算器、便攜電話機等。變形例以上，說明了本發(fā)明的實施例，但是本發(fā)明不限于上述實施例，也能以其他各種形態(tài)實施。例如，也可以將上述的實施例變形如下地來實施本發(fā)明。另外，上述的實施例及以下的變形例也可以各自組合。變形例1上述實施例中，新開始像素的改寫后，按像素的每行判斷消耗功率的峰值是否超出電源電路可供給的功率的供給量，但是，在對某行進行判斷的時刻判斷為消耗功率的峰值超出電源電路可供給的功率的供給量的場合，也可以推遲該行以后的新像素的改寫。變形例2上述實施例中，以顯示部1的像素的配置為4行4列的場合為例進行了工作的說明，但是，像素的配置不限于該配置，例如，可設為400行640列等的配置，也可以將步驟 SBll和/或步驟SC12中的閾值設為10以外的值。另外，像素的配置為幾十行 幾百行的場合，也可以按預定的幾行 幾十行將顯示部1的像素分割為多個區(qū)域。另外，也可以對每個該分割的區(qū)域確定閾值，對各區(qū)域的每個進行上述第1實施例的圖6、7的處理或第2實施例的圖36的處理。顯示部1的像素不分割為多個區(qū)域的場合，對于行編號大的像素，使像素的改寫推遲的可能性高，存在開始改寫的定時推遲的可能性。另一方面，根據(jù)將顯示部1的像素分割為多個區(qū)域的構成，對于各區(qū)域中行編號小的像素開始改寫的可能性高，因此，可以使用戶看到畫面整體開始了改寫。變形例3上述第2實施例中，對于第i行中顯示狀態(tài)正在更新中的像素和相對于該像素而言在第i_l行中相鄰的像素中顯示狀態(tài)正在更新中的像素，基于表ID及索引，特定對像素電極13a施加的電壓，在第i行的像素和相對于該像素在第i_l行中相鄰的像素中對像素電極13a施加的電壓的電位差成為30V的場合，也可以直到施加的電壓與第i_l行的像素成為相同為止，對第i行的像素停止像素的顯示狀態(tài)的更新。另外，第2實施例中，逐幀計算消耗功率的邊界部分，但是也可以取而代之，基于表ID和索引，對全部的幀預先進行消耗功率的邊界的計算。該計算的結果為對于全部的幀而言若邊界數(shù)存儲區(qū)域8B中存儲的值的合計小于預定閾值，則全部的幀中，任一行的改寫都不推遲地執(zhí)行顯示工作即可。另外，上述計算的結果為任一幀中邊界數(shù)存儲區(qū)域8B中存儲的值的合計為預定閾值以上的場合，不開始顯示工作，將預定的行以下的改寫推遲到第2 幀以后，重新對全部的幀實施計算。反復進行該工作，在通過以預定的幀數(shù)推遲預定的行而使得對于全部的幀而言邊界數(shù)存儲區(qū)域8B中存儲的值的合計小于預定閾值的場合，開始顯示工作。這樣，不管表ID和索引如何分布，都可以避免在改寫工作的途中發(fā)生功率超過界限值的不佳狀況。另外，第2實施例中，對于相鄰行的相鄰像素，基于表ID存儲區(qū)域6C和索引存儲區(qū)域6D特定對各像素施加的電壓，根據(jù)該電壓的信息，特定消耗功率的邊界部分，但是也可以取而代之，對于相鄰行的相鄰像素，在表ID及索引的至少一方不同的場合，將這些相鄰像素的邊界看作消耗功率的邊界部分，進行處理。變形例4上述實施例中，設為黑的電泳微粒帶正電、白的電泳微粒帶負電的形態(tài)，但是，也可以設為黑的電泳微粒帶負電、白的電泳微粒帶正電的形態(tài)。另外，作為電泳微粒，采用白和黑的2種進行白黑的顯示，但是電泳微粒的色不限于白和黑，也可以是紅、藍和/或綠等其他色。另外，上述實施例中，顯示裝置100是電泳方式，但是不限于電泳方式。顯示裝置 100的顯示方式只要是在多個幀中通過對像素施加電壓而顯示圖像的方式，則也可以是采
24用例如膽留型液晶、電致變色體、電子粉粒體等的方式。另外，電泳層20不限于具有微囊21的構成，只要是在由分隔壁劃分的空間收置有分散介質(zhì)和電泳微粒的構成即可。另外，上述實施例中，控制器2和控制部3分別獨立，但是，控制器2實現(xiàn)的功能的一部分也可以由控制部3實現(xiàn)，另外，也可以將控制器2和控制部3在一個半導體芯片上匯總形成為控制部。
權利要求
1.一種控制裝置，其特征在于，該控制裝置是顯示裝置的控制裝置，該顯示裝置中，由與多行多列的像素的各個對應而設置有第1電極的第1基板和設置有第2電極的第2基板夾持顯示元件，上述像素包括上述第1電極、上述顯示元件及上述第2電極，通過向上述顯示元件多次施加電壓的寫入工作將上述像素的顯示狀態(tài)從第1顯示狀態(tài)向第2顯示狀態(tài)變更， 上述控制裝置具備 依次選擇上述行的選擇部；從存儲器讀入在上述顯示裝置顯示的圖像的圖像數(shù)據(jù)的數(shù)據(jù)讀入部； 特定部，其基于表示在通過上述數(shù)據(jù)讀入部讀入圖像數(shù)據(jù)前在上述顯示裝置顯示的預定的圖像的預定圖像數(shù)據(jù)和通過上述數(shù)據(jù)讀入部所讀入的圖像數(shù)據(jù)，特定通過上述選擇部所選擇的行的像素中新變更顯示狀態(tài)的變更像素；邊界特定部，其在通過上述選擇部所選擇的行的像素中特定被施加不同于相鄰的行的像素的電壓的像素，對該特定的像素和在與該特定的像素相鄰的行中被施加不同于該特定的像素的電壓的像素的邊界進行特定；邊界數(shù)存儲部，其按上述行逐行存儲通過上述邊界特定部所特定的邊界的邊界數(shù)； 判斷部，其判斷在上述邊界數(shù)存儲部中所存儲的邊界數(shù)的合計是否在預定的閾值以上；以及更新部，其在上述判斷部中判斷為不足上述閾值時，當通過上述選擇部所選擇的行的上述變更像素不在上述寫入工作中時，以使得成為上述圖像數(shù)據(jù)所確定的顯示狀態(tài)的方式對上述變更像素開始上述寫入工作，當上述變更像素在上述寫入工作中時，在進行中的寫入工作結束后，以使得成為上述圖像數(shù)據(jù)所確定的顯示狀態(tài)的方式對上述變更像素開始上述寫入工作；在上述判斷部中判斷為是上述閾值以上時，直到在上述判斷部中判斷為不足上述閾值為止，對上述變更像素不開始上述寫入工作。
2.如權利要求1所述的控制裝置，其特征在于， 上述多行多列的像素按預定的行數(shù)分為多個區(qū)域，上述判斷部判斷在上述邊界數(shù)存儲部中所存儲的邊界數(shù)中的、與包括通過上述選擇部所選擇的行的上述區(qū)域相關的邊界數(shù)的合計，是否在預定的閾值以上。
3.如權利要求1或2所述的控制裝置，其特征在于，關于上述多次的電壓的施加，按照確定各次施加的電壓的表，向上述像素施加電壓。
4.如權利要求3所述的控制裝置，其特征在于，對于通過上述選擇部所選擇的行的像素且上述寫入工作進行中的像素，以使得施加與在相鄰的行中對上述寫入工作進行中的像素所施加的電壓相同的電壓的方式，控制電壓的施加時期。
5.一種顯示裝置，其特征在于，由與多行多列的像素的各個對應而設置有第1電極的第1基板和設置有第2電極的第 2基板夾持顯示元件，上述像素包括上述第1電極、上述顯示元件及上述第2電極，通過向上述顯示元件多次施加電壓的寫入工作將上述像素的顯示狀態(tài)從第1顯示狀態(tài)向第2顯示狀態(tài)變更，上述顯示裝置具備依次選擇上述行的選擇部；從存儲器讀入在上述顯示裝置顯示的圖像的圖像數(shù)據(jù)的數(shù)據(jù)讀入部； 特定部，其基于表示在通過上述數(shù)據(jù)讀入部讀入圖像數(shù)據(jù)前在上述顯示裝置顯示的預定的圖像的預定圖像數(shù)據(jù)和通過上述數(shù)據(jù)讀入部所讀入的圖像數(shù)據(jù)，特定通過上述選擇部所選擇的行的像素中新變更顯示狀態(tài)的變更像素；邊界特定部，其在通過上述選擇部所選擇的行的像素中特定被施加不同于相鄰的行的像素的電壓的像素，對該特定的像素和在與該特定的像素相鄰的行中被施加不同于該特定的像素的電壓的像素的邊界進行特定；邊界數(shù)存儲部，其按上述行逐行存儲通過上述邊界特定部所特定的邊界的邊界數(shù)； 判斷部，其判斷在上述邊界數(shù)存儲部中所存儲的邊界數(shù)的合計是否在預定的閾值以上；以及更新部，其在上述判斷部中判斷為不足上述閾值時，當通過上述選擇部所選擇的行的上述變更像素不在上述寫入工作中時，以使得成為上述圖像數(shù)據(jù)所確定的顯示狀態(tài)的方式對上述變更像素開始上述寫入工作，當上述變更像素在上述寫入工作中時，在進行中的寫入工作結束后，以使得成為上述圖像數(shù)據(jù)所確定的顯示狀態(tài)的方式對上述變更像素開始上述寫入工作；在上述判斷部中判斷為是上述閾值以上時，直到在上述判斷部中判斷為不足上述閾值為止，對上述變更像素不開始上述寫入工作。
6. 一種顯示裝置的控制方法，其特征在于，該顯示裝置中，由與多行多列的像素的各個對應而設置有第1電極的第1基板和設置有第2電極的第2基板夾持顯示元件，上述像素包括上述第1電極、上述顯示元件及上述第 2電極，通過向上述顯示元件多次施加電壓的寫入工作將上述像素的顯示狀態(tài)從第1顯示狀態(tài)向第2顯示狀態(tài)變更， 上述控制方法包括 依次選擇上述行的選擇步驟；從存儲器讀入在上述顯示裝置顯示的圖像的圖像數(shù)據(jù)的數(shù)據(jù)讀入步驟； 特定步驟，其中，基于表示在通過上述數(shù)據(jù)讀入步驟讀入圖像數(shù)據(jù)前在上述顯示裝置顯示的預定的圖像的預定圖像數(shù)據(jù)和通過上述數(shù)據(jù)讀入步驟所讀入的圖像數(shù)據(jù)，特定通過上述選擇步驟所選擇的行的像素中新變更顯示狀態(tài)的變更像素；邊界特定步驟，其中，在通過上述選擇步驟所選擇的行的像素中特定被施加不同于相鄰的行的像素的電壓的像素，對該特定的像素和在與該特定的像素相鄰的行中被施加不同于該特定的像素的電壓的像素的邊界進行特定；邊界數(shù)存儲步驟，其中，按上述行逐行存儲通過上述邊界特定步驟所特定的邊界的邊界數(shù)；判斷步驟，其中，判斷在上述邊界數(shù)存儲步驟中所存儲的邊界數(shù)的合計是否在預定的閾值以上；以及更新步驟，其中，在上述判斷步驟中判斷為不足上述閾值時，當通過上述選擇步驟所選擇的行的上述變更像素不在上述寫入工作中時，以使得成為上述圖像數(shù)據(jù)所確定的顯示狀態(tài)的方式對上述變更像素開始上述寫入工作，當上述變更像素在上述寫入工作中時，在進行中的寫入工作結束后，以使得成為上述圖像數(shù)據(jù)所確定的顯示狀態(tài)的方式對上述變更像素開始上述寫入工作；在上述判斷步驟中判斷為是上述閾值以上時，直到在上述判斷步驟中判斷為不足上述閾值為止，對上述變更像素不開始上述寫入工作。
全文摘要
本發(fā)明涉及控制裝置、顯示裝置及其控制方法，顯示裝置通過對像素多次施加電壓的寫入工作來變更像素的灰度，顯示裝置在新變更像素的顯示狀態(tài)的場合，判斷變更顯示狀態(tài)的像素是否在寫入工作中，顯示裝置對不在寫入工作中的像素開始寫入工作，對寫入工作中的像素，在進行中的寫入工作結束后，對像素開始新的寫入工作，另外，顯示裝置在通過更新寫入工作中的像素及新開始寫入的像素所消耗的功率變大的場合，對要新開始寫入的像素，推遲寫入工作的開始。
文檔編號G09G3/20GK102402932SQ20111026538
公開日2012年4月4日 申請日期2011年9月8日 優(yōu)先權日2010年9月10日
發(fā)明者山田裕介 申請人:精工愛普生株式會社