專利名稱：顯示裝置和顯示裝置的制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及顯示裝置和顯示裝置的制造方法，特別涉及對可動快門的位置進(jìn)行電控制來顯示圖像的顯示裝置的結(jié)構(gòu)及其制造方法。
背景技術(shù)：
近年來，人們提出了一種對可動快門的位置進(jìn)行電控制來顯示圖像的顯示器(以下稱為可動快門方式的顯示器)。可動快門方式的顯示器例如在專利文獻(xiàn)I (日本特開2008-197668號公報)中已有公開。
以往提出的可動快門方式的顯示器的像素中，可動快門配置在一對電極之間，通過施加在一對電極上的電壓，對可動快門的位置進(jìn)行電控制以顯示圖像。例如,在一對電極中一個電極的電壓是GND電壓,一對電極中另一個電極的電壓是Vdd電壓的情況下,可動快門向一對電極中另一個電極一側(cè)移動,在一對電極中一個電極的電壓是Vdd電壓,一對電極中另一個電極的電壓是GND電壓的情況下，可動快門向一對電極中一個電極一側(cè)高速移動。這樣，例如在可動快門向一對電極中另一個電極一側(cè)移動的情況下，背光源的光透過，像素成為發(fā)光狀態(tài)，在可動快門向一對電極中一個電極一側(cè)移動的情況下，背光源的光不透過，像素成為不發(fā)光狀態(tài)。由此，能夠像液晶顯示面板、等離子體顯示面板一樣顯示圖像。以往提出的可動快門方式的顯示器中，因為需要對可動快門輸入電信號，所以可動快門包含摻雜有雜質(zhì)的非晶硅膜(以下稱為n+a-Si膜)。在可動快門包含n+a-Si膜的情況下，殘余應(yīng)力強的n+a-Si膜導(dǎo)致可動快門的可動部變形而不再能夠驅(qū)動，所以可動快門需要對于拉伸應(yīng)力和壓縮應(yīng)力都為低殘余應(yīng)力的n+a-Si 膜。此外，壓縮應(yīng)力(MPa)為“O”附近的n+a-Si膜，是表面電阻值(Sheet Resistance,表面電阻率)為低電阻的情況與表面電阻值為高電阻的情況同時存在的不穩(wěn)定的膜。另外，可動快門也起到從基板一側(cè)傳遞電信號的接觸層的作用，但當(dāng)接觸層由表面電阻值為高電阻的n+a-Si膜構(gòu)成時，為了使可動部動作而需要高電壓，所以該接觸層優(yōu)選表面電阻值為低電阻的n+a-Si膜。本發(fā)明是為了解決上述現(xiàn)有技術(shù)的問題點的而提出的，本發(fā)明的目的在于提供一種在可動快門方式的顯示器中，能夠通過減小殘余內(nèi)部應(yīng)力，來使用低殘余應(yīng)力的穩(wěn)定的非晶硅膜形成可動快門的技術(shù)。本發(fā)明的上述以及其他目的和新的特征，將通過說明書的記載和附圖進(jìn)行說明。

發(fā)明內(nèi)容
本申請公開的發(fā)明中，對代表性的例子的概要進(jìn)行簡單說明，如下上述。本發(fā)明提供一種顯示裝置，具有包括第一基板和第二基板的顯示面板，上述顯示面板具有多個像素，上述各像素具有包含非晶硅的可動快門，和驅(qū)動上述可動快門的驅(qū)動電路，上述可動快門的上述非晶硅由至少2個非晶硅膜構(gòu)成，當(dāng)令上述至少2個非晶硅膜中彼此鄰接的2個非晶硅膜為第一非晶硅膜和層疊在上述第一非晶硅膜上的第二非晶硅膜時，上述第一非晶硅膜與上述第二非晶硅膜的特性值不同。此外，本發(fā)明的顯示裝置中，上述可動快門形成在上述第二基板上，上述可動快門的上述非晶硅，由從上述第二基板一側(cè)起的上述第一非晶硅膜和層疊在上述第一非晶硅膜上的上述第二非晶硅膜這2個非晶硅膜構(gòu)成，上述第一非晶硅膜的折射率比上述第二非晶硅膜的折射率高。
此外，本發(fā)明的顯示裝置中，上述可動快門形成在上述第二基板上，上述可動快門的上述非晶硅，由從上述第二基板一側(cè)起的上述第一非晶硅膜和層疊在上述第一非晶硅膜上的上述第二非晶硅膜這2個非晶硅膜構(gòu)成，上述第一非晶硅膜的折射率比上述第二非晶硅膜的折射率低。此外，本發(fā)明的顯示裝置中，上述可動快門形成在上述第二基板上，上述可動快門的上述非晶硅，由從上述第二基板一側(cè)起的上述第一非晶硅膜和層疊在上述第一非晶硅膜上層疊的上述第二非晶硅膜這2個非晶硅膜構(gòu)成，上述第一非晶硅膜的表面電阻值比上述第二非晶娃膜的表面電阻值低。此外，本發(fā)明的顯示裝置中，上述可動快門形成在上述第二基板上，上述可動快門的上述非晶硅，由從上述第二基板一側(cè)起的上述第一非晶硅膜和層疊在上述第一非晶硅膜上層疊的上述第二非晶硅膜這2個非晶硅膜構(gòu)成，上述第一非晶硅膜的表面電阻值比上述第二非晶硅膜的表面電阻值高。此外，本發(fā)明的顯示裝置中，上述可動快門形成在上述第二基板上，上述可動快門的上述非晶硅，由從上述第二基板一側(cè)起的上述第一非晶硅膜、層疊在上述第一非晶硅膜上的上述第二非晶硅膜和層疊在上述第二非晶硅膜上的第三非晶硅膜這3個非晶硅膜構(gòu)成，上述第一和第三非晶硅膜的折射率比上述第二非晶硅膜的折射率高。此外，本發(fā)明的顯示裝置中，上述可動快門形成在上述第二基板上，上述可動快門的上述非晶硅，由從上述第二基板一側(cè)起的上述第一非晶硅膜、層疊在上述第一非晶硅膜上的上述第二非晶硅膜和層疊在上述第二非晶硅膜上的第三非晶硅膜這3個非晶硅膜構(gòu)成，上述第一和第三非晶硅膜的折射率比上述第二非晶硅膜的折射率低。此外，本發(fā)明的顯示裝置中，上述可動快門形成在上述第二基板上，上述可動快門的上述非晶硅，由從上述第二基板一側(cè)起的上述第一非晶硅膜、層疊在上述第一非晶硅膜上的上述第二非晶硅膜和層疊在上述第二非晶硅膜上的第三非晶硅膜這3個非晶硅膜構(gòu)成，上述第一和第三非晶硅膜的表面電阻值比上述第二非晶硅膜的表面電阻值低。此外，本發(fā)明的顯示裝置中，上述可動快門形成在上述第二基板上，上述可動快門的上述非晶硅，由從上述第二基板一側(cè)起的上述第一非晶硅膜、層疊在上述第一非晶硅膜上的上述第二非晶硅膜和層疊在上述第二非晶硅膜上的第三非晶硅膜這3個非晶硅膜構(gòu)成，上述第一和第三非晶硅膜的表面電阻值比上述第二非晶硅膜的表面電阻值高。此外，本發(fā)明的顯示裝置中，上述可動快門具有形成在與上述第一基板相對的一側(cè)的面上的金屬層。此外，本發(fā)明的顯示裝置中，上述可動快門包括遮蔽部；與上述遮蔽部連接的彈簧部；和與上述彈簧部連接的錨固部，上述錨固部固定在上述第二基板上，支承上述遮蔽部和上述彈簧部。本發(fā)明還提供一種顯示裝置的制造方法，上述顯示裝置具有包括第一基板和第二基板的顯示面板，上述顯示面板具有多個像素，上述各像素具有包含非晶硅的可動快門，和驅(qū)動上述可動快門的驅(qū)動電路，上述顯示裝置的制造方法包括在上述第一基板上形成規(guī)定形狀的第一抗蝕劑膜的工序I ;在上述工序I中形成的第一抗蝕劑膜上，形成至少2個非晶硅膜的工序2 ;在上述至少2個非晶硅膜上形成規(guī)定形狀的第二抗蝕劑膜的工序3 ;以上述第二抗蝕劑膜為掩模，對上述至少2個非晶硅膜進(jìn)行蝕刻的工序4 ;和除去上述工序I中形成的上述第一抗蝕劑膜的工序5，在上述工序2中形成的上述至少2個非晶硅膜中，當(dāng)令彼此鄰接的2個非晶硅膜為第一非晶硅膜和層疊在上述第一非晶硅膜上的第二非晶硅膜時，上述第一非晶硅膜與上述第二非晶硅膜在不同的成膜生成條件下形成。此外，本發(fā)明的顯示裝置的制造方法中，上述工序2包括在上述工序I中形成的上述第一抗蝕劑膜上形成上述第一非晶硅膜的工序21 ;在與上述工序21不同的成膜生成條件下形成上述第二非晶硅膜的工序22 ;和在與上述工序22不同的成膜生成條件下形成 第三非晶硅膜的工序23。此外，本發(fā)明的顯示裝置的制造方法中，還包括在上述工序2中形成的非晶硅膜上形成金屬膜的工序，上述工序3中，在形成于上述非晶硅膜上的上述金屬膜上形成第二抗蝕劑膜，上述工序4，是以上述第二抗蝕劑膜為掩模，對上述工序2中形成的上述非晶硅膜和上述金屬膜進(jìn)行蝕刻的工序。


圖I是表示作為本發(fā)明的前提的顯示裝置的顯示面板的概要結(jié)構(gòu)的圖。圖2是用于說明作為本發(fā)明的前提的顯示裝置的顯示原理的圖。圖3是用于說明作為本發(fā)明的前提的顯示裝置的一例的截面結(jié)構(gòu)的示意圖。圖4是用于說明作為本發(fā)明的前提的顯示裝置的其他例子的截面結(jié)構(gòu)的示意圖。圖5是用于說明圖4所示的可動快門的一例的立體圖。圖6是圖5所示的可動快門的俯視圖。圖7A是用于說明本發(fā)明的實施例的可動快門的俯視圖。圖7B是用于說明本發(fā)明的實施例的可動快門的側(cè)視圖。圖8是用于說明本發(fā)明的實施例的可動快門中所包含的非晶硅膜的結(jié)構(gòu)的截面圖。圖9是用于說明作為本發(fā)明的前提的顯示裝置的可動快門的問題點的圖。圖10是表示非晶硅膜的膜應(yīng)力(MPa)與表面電阻值的關(guān)系的曲線圖。圖11是用于說明本發(fā)明的實施例的可動快門的制造方法的圖。圖12是用于說明本發(fā)明的實施例的可動快門的制造方法的圖。圖13是用于說明本發(fā)明的實施例的可動快門的制造方法的圖。
具體實施例方式以下參照附圖詳細(xì)說明本發(fā)明的實施例。
其中，在用于說明實施例的所有附圖中，對于具有相同功能的部分標(biāo)注相同的附圖標(biāo)記，省略其重復(fù)說明。此外，以下實施例并不限定本發(fā)明的權(quán)利要求的解釋。以下說明中，當(dāng)記載元件或?qū)游挥谄渌驅(qū)又吧稀睍r，不僅包括位于其它元件或?qū)拥恼戏?緊挨著)，還包括中間存在其它層或其它元件的情況。[作為本發(fā)明的前提的顯示裝置]圖I是表示作為本發(fā)明的前提的顯示裝置的顯示面板的概要結(jié)構(gòu)的圖。圖I中，100是顯示面板，顯示面板100具有掃描線驅(qū)動電路104和影像線驅(qū)動電路102。對于顯示面板100經(jīng)由撓性基板103從外部輸入顯示數(shù)據(jù)、顯示控制信號。圖I中，101是顯示區(qū)域，在顯示區(qū)域101中，配置有從掃描線驅(qū)動電路104供給選擇掃描信號的多個掃描線(gl、g2、g3、……)，和從影像線驅(qū)動電路供給數(shù)據(jù)電壓的多個影像線(dl、d2、d3、......)。與液晶顯示面板等同樣地，在掃描線(gl、g2、g3、......)與影像線(dl、d2、d3、......)
交叉的位置上配置有像素。其中，掃描線驅(qū)動電路104和影像線驅(qū)動電路102可以由安裝在基板上的半導(dǎo)體芯片中搭載的電路構(gòu)成，或者，掃描線驅(qū)動電路104和影像線驅(qū)動電路102也可以由形成在基板上的、半導(dǎo)體層包括多晶硅層的薄膜晶體管構(gòu)成。圖2是用于說明作為本發(fā)明的前提的顯示裝置的顯示原理的圖。如圖2所示，在第一基板200的顯示區(qū)域101中，形成有多個開口 201，由可動快門202控制各開口的開閉。其中，圖2中所有開口為打開的狀態(tài)，如果可動快門202覆蓋對應(yīng)的開口 201，則成為關(guān)閉狀態(tài)。例如，在可動快門202打開對應(yīng)的開口 201的狀態(tài)下，背光源的光透過，像素成為發(fā)光狀態(tài)，在可動快門202覆蓋對應(yīng)的開口 201的狀態(tài)下，背光源的光不透過，像素成為不發(fā)光狀態(tài)。由此顯示圖像。圖3是用于說明作為本發(fā)明的前提的顯示裝置的一例的截面結(jié)構(gòu)的示意圖，圖4是用于說明作為本發(fā)明的前提的顯示裝置的其他例子的截面結(jié)構(gòu)的示意圖。圖3、圖4中，111是第一基板(對置基板)，113是第二基板(MEMS基板)。在第一基板111上，除了開口 201外，形成有遮光膜112。此外，如圖3所示，在第一基板111 一側(cè)配置有背光源(BL)。在第二基板113上，設(shè)置有TFT電路形成部114。在該TFT電路形成部114中，形成有未圖示的鎖存電路等。其中，TFT電路形成部114的各晶體管由半導(dǎo)體層包括多晶硅層的薄膜晶體管形成。在TFT電路形成部114上，配置有可動快門118。對該可動快門118，經(jīng)由接觸部117供給規(guī)定的電壓。圖3中，在TFT電路形成部114上設(shè)置有電極116。對于電極116，經(jīng)由接觸部115供給從未圖示的鎖存電路輸出的2個輸出電壓中的一個輸出電壓。圖3中，通過在可動快門118與電極116之間施加電場，而使可動快門118向電極116 —側(cè)移動。圖4中，在TFT電路形成部114上設(shè)置有電極116和電極122。對于電極116，經(jīng)由接觸部115供給從未圖不的鎖存電路輸出的2個輸出電壓中的一個輸出電壓，對于電極122，經(jīng)由接觸部121供給從未圖示的鎖存電路輸出的2個輸出電壓中的另一個輸出電壓。
圖4中，通過對可動快門118與電極116之間施加電場，而使可動快門118向電極116 —側(cè)移動，同樣地，通過在可動快門118與電極122之間施加電場，而使可動快門118向電極122 —側(cè)移動。其中，圖3、圖4中119是密封部件，120是配置在密封部件119與TFT電路形成部114之間的接觸部。此外，圖3、圖4中僅表示了 I個像素的結(jié)構(gòu)。圖5是用于說明圖4所示的可動快門118的一例的立體圖，圖6是圖5所示的可動快門的俯視圖。圖5、圖6中，211是可動快門的遮蔽部，212是可動快門的開口部，213是第一彈簧,214是第二彈簧，215、216是錨固部。錨固部215是用于將可動快門的遮蔽部211和第一彈簧213固定在第二基板113上的單元，兼用作從TFT電路形成部114對可動快門的遮蔽部211和第一彈簧213供電的部件。此處，通過第一彈簧213使可動快門的遮蔽部211和可動快門的開口部212配置成 懸浮在空中的狀態(tài)。此外,第一彈簧213對應(yīng)于電極116和電極122。錨固部216是用于將第二彈簧214固定在第二基板113上的單元，兼用作從TFT電路形成部114對第二彈簧214供電的部件。通過在第一彈簧213與第二彈簧214之間施加電場，使第一彈簧213向第二彈簧214 一側(cè)移動，由此可動快門的遮蔽部211和可動快門的開口部212移動。圖5、圖6所示的可動快門中，通過利用可動快門的遮蔽部211覆蓋形成在第一基板111上的開口 201,使像素成為非點亮狀態(tài)。作為本發(fā)明的前提的可動快門方式的顯示器中，需要對可動快門輸入電信號，所以可動快門包含摻雜有雜質(zhì)的非晶硅膜(以下稱為n+a-Si膜)。[實施例]圖7是用于說明本發(fā)明的實施例的可動快門的圖，該圖(a)是俯視圖，圖(b)是側(cè)視圖。本申請實施例的可動快門118與圖5所示的可動快門118的不同之處在于，設(shè)置了錨固部222和連接部220、221。本實施例中，通過從TFT電路形成部114對錨固部215、222中的某一個供電，能夠?qū)蓜涌扉T118供電。 本實施例中，可動快門雖然也包含摻雜了雜質(zhì)的n+a-Si膜，但本實施例中，可動快門中所包含的n+a-Si膜特征在于，由至少2個非晶硅膜層疊構(gòu)成，令彼此鄰接的2個非晶娃膜為第一非晶娃膜A和層疊在第一非晶娃膜A上的第二非晶娃膜B,第一非晶娃膜A與第二非晶硅膜B的特性值不同。例如，如圖8 (a)所示，本實施例中，可動快門包括由表面電阻值為低電阻的n+a-Si膜10和表面電阻值為高電阻的n+a-Si膜11這2個n+a-Si膜層疊而成的結(jié)構(gòu)。此夕卜，圖8中13是構(gòu)成反射膜的金屬膜。由于表面電阻值為低電阻的n+a-Si膜是致密的、壓縮應(yīng)力強的膜，所以在例如可動快門由表面電阻值為低電阻的n+a-Si膜構(gòu)成的情況下，最壞的情況下如圖9所示，存在可動快門變形，可動快門的移動部與TFT電路形成部114接觸，導(dǎo)致快門不再能夠驅(qū)動的可倉泛。此外，如圖10所示，壓縮應(yīng)力(MPa)為“O”附近的n+a_Si膜，是表面電阻值為低電阻的情況和表面電阻值為高電阻的情況同時存在而不穩(wěn)定的膜。對此，本實施例中，如圖8 (a)所不,將表面電阻值為低電阻的n+a-Si膜10和表面電阻值為高電阻的n+a-Si膜11層疊構(gòu)成可動快門。如圖10所示，表面電阻值為低電阻的n+a-Si膜10是壓縮應(yīng)力強的膜，表面電阻值為高電阻的n+a-Si膜11是拉伸應(yīng)力強的膜。因此，通過控制n+a-Si膜10的膜厚和n+a-Si膜11的膜厚，能夠使n+a-Si膜整體的膜應(yīng)力(MPa)成為“O”附近的值。進(jìn)而，n+a-Si膜整體的表面電阻值由表面電阻值為低電阻的n+a-Si膜10決定，所以本實施例中，能夠分別獨立地控制n+a-Si膜整體的表面電阻值和膜應(yīng)力(MPa)，所以能夠擴大成膜條件的窗口。
其中，圖10是表示n+a-Si膜的膜應(yīng)力(MPa)與表面電阻值(Ω/ □)的關(guān)系的曲線圖。特別是，通過使表面電阻值為低電阻的n+a-Si膜10為下層，能夠使錨固部(215、222)的與TFT電路形成部114接觸的一側(cè)的表面電阻值為低電阻，所以能夠降低為了使可動快門動作而對錨固部(215、222)輸入的電壓。另外，上述說明中，表面電阻值不足IOM(Ω / □)則為低電阻，IOM ( Ω/ □)以上則為高電阻。另外，由于表面電阻值為低電阻的n+a-Si膜10是致密的膜，而表面電阻值為高電阻的n+a-Si膜11是不那么致密的膜，所以n+a-Si膜10與n+a-Si膜11的折射率不同。即，表面電阻值為低電阻的n+a-Si膜10是致密的膜，所以其折射率比表面電阻值為高電阻的n+a-Si膜11的折射率高。圖11至圖13是用于說明本實施例的可動快門的制造工序的圖。以下用圖11至圖13說明本實施例的可動快門的制造方法。首先，在第二基板113上形成TFT電路形成部114 (圖11 (a))。接著，在TFT電路形成部114上使用光刻技術(shù)形成錨固部抗蝕劑膜31和可動快門用抗蝕劑膜32 (圖11 (b))。接著，在錨固部抗蝕劑膜31和可動快門用抗蝕劑膜32上，利用CVD法形成第一n+a-Si膜33 (圖11 (C))。該工序中，形成表面電阻值為低電阻、壓縮應(yīng)力強的n+a-Si膜。接著，在第一 n+a-Si膜33上，改變生成條件，利用CVD法形成第二 n+a-Si膜34(圖11 (d))。該工序中，形成表面電阻值為高電阻、拉伸應(yīng)力強的n+a-Si膜。此處,第一 n+a-Si膜33和第二 η+a-Si膜34通過改變成膜生成條件而在同一處理室內(nèi)連續(xù)進(jìn)行成膜。例如，第一 n+a-Si膜33和第二 n+a-Si膜34按照以下表I所示的成膜生成條件生成。[表 I]
項目單位第一 n+a-Si膜第二 n+a-Si膜
SiH4ml/min4050
權(quán)利要求
1.一種顯示裝置，其特征在于 具有包括第一基板和第二基板的顯示面板， 所述顯示面板具有多個像素， 所述各像素具有包含非晶硅的可動快門，和驅(qū)動所述可動快門的驅(qū)動電路， 所述可動快門的所述非晶硅由至少2個非晶硅膜構(gòu)成，當(dāng)令所述至少2個非晶硅膜中彼此鄰接的2個非晶硅膜為第一非晶硅膜和層疊在所述第一非晶硅膜上的第二非晶硅膜時，所述第一非晶硅膜與所述第二非晶硅膜的特性值不同。
2.如權(quán)利要求I所述的顯示裝置，其特征在于 所述可動快門形成在所述第二基板上， 所述可動快門的所述非晶硅，由從所述第二基板一側(cè)起的所述第一非晶硅膜和層疊在所述第一非晶硅膜上的所述第二非晶硅膜這2個非晶硅膜構(gòu)成， 所述第一非晶硅膜的折射率比所述第二非晶硅膜的折射率高。
3.如權(quán)利要求I所述的顯示裝置，其特征在于 所述可動快門形成在所述第二基板上， 所述可動快門的所述非晶硅，由從所述第二基板一側(cè)起的所述第一非晶硅膜和層疊在所述第一非晶硅膜上的所述第二非晶硅膜這2個非晶硅膜構(gòu)成， 所述第一非晶硅膜的折射率比所述第二非晶硅膜的折射率低。
4.如權(quán)利要求I所述的顯示裝置，其特征在于 所述可動快門形成在所述第二基板上， 所述可動快門的所述非晶硅，由從所述第二基板一側(cè)起的所述第一非晶硅膜和層疊在所述第一非晶硅膜上層疊的所述第二非晶硅膜這2個非晶硅膜構(gòu)成， 所述第一非晶硅膜的表面電阻值比所述第二非晶硅膜的表面電阻值低。
5.如權(quán)利要求I所述的顯示裝置，其特征在于 所述可動快門形成在所述第二基板上， 所述可動快門的所述非晶硅，由從所述第二基板一側(cè)起的所述第一非晶硅膜和層疊在所述第一非晶硅膜上層疊的所述第二非晶硅膜這2個非晶硅膜構(gòu)成， 所述第一非晶硅膜的表面電阻值比所述第二非晶硅膜的表面電阻值高。
6.如權(quán)利要求I所述的顯示裝置，其特征在于 所述可動快門形成在所述第二基板上， 所述可動快門的所述非晶硅，由從所述第二基板一側(cè)起的所述第一非晶硅膜、層疊在所述第一非晶硅膜上的所述第二非晶硅膜和層疊在所述第二非晶硅膜上的第三非晶硅膜這3個非晶硅膜構(gòu)成， 所述第一和第三非晶硅膜的折射率比所述第二非晶硅膜的折射率高。
7.如權(quán)利要求I所述的顯示裝置，其特征在于 所述可動快門形成在所述第二基板上， 所述可動快門的所述非晶硅，由從所述第二基板一側(cè)起的所述第一非晶硅膜、層疊在所述第一非晶硅膜上的所述第二非晶硅膜和層疊在所述第二非晶硅膜上的第三非晶硅膜這3個非晶硅膜構(gòu)成， 所述第一和第三非晶硅膜的折射率比所述第二非晶硅膜的折射率低。
8.如權(quán)利要求I所述的顯示裝置，其特征在于 所述可動快門形成在所述第二基板上， 所述可動快門的所述非晶硅，由從所述第二基板一側(cè)起的所述第一非晶硅膜、層疊在所述第一非晶硅膜上的所述第二非晶硅膜和層疊在所述第二非晶硅膜上的第三非晶硅膜這3個非晶硅膜構(gòu)成， 所述第一和第三非晶硅膜的表面電阻值比所述第二非晶硅膜的表面電阻值低。
9.如權(quán)利要求I所述的顯示裝置，其特征在于 所述可動快門形成在所述第二基板上， 所述可動快門的所述非晶硅，由從所述第二基板一側(cè)起的所述第一非晶硅膜、層疊在所述第一非晶硅膜上的所述第二非晶硅膜和層疊在所述第二非晶硅膜上的第三非晶硅膜這3個非晶硅膜構(gòu)成， 所述第一和第三非晶硅膜的表面電阻值比所述第二非晶硅膜的表面電阻值高。
10.如權(quán)利要求I所述的顯示裝置，其特征在于 所述可動快門具有形成在與所述第一基板相對的一側(cè)的面上的金屬層。
11.如權(quán)利要求I所述的顯示裝置，其特征在于 所述可動快門包括 遮蔽部； 與所述遮蔽部連接的彈簧部；和 與所述彈簧部連接的錨固部， 所述錨固部固定在所述第二基板上，支承所述遮蔽部和所述彈簧部。
12.—種顯示裝置的制造方法，其特征在于 所述顯示裝置中， 具有包括第一基板和第二基板的顯示面板， 所述顯示面板具有多個像素， 所述各像素具有包含非晶硅的可動快門，和驅(qū)動所述可動快門的驅(qū)動電路， 所述顯示裝置的制造方法包括 在所述第一基板上形成規(guī)定形狀的第一抗蝕劑膜的工序I ; 在所述工序I中形成的第一抗蝕劑膜上，形成至少2個非晶硅膜的工序2 ； 在所述至少2個非晶硅膜上形成規(guī)定形狀的第二抗蝕劑膜的工序3 ； 以所述第二抗蝕劑膜為掩模，對所述至少2個非晶硅膜進(jìn)行蝕刻的工序4 ;和 除去所述工序I中形成的所述第一抗蝕劑膜的工序5， 在所述工序2中形成的所述至少2個非晶硅膜中，當(dāng)令彼此鄰接的2個非晶硅膜為第一非晶硅膜和層疊在所述第一非晶硅膜上的第二非晶硅膜時，所述第一非晶硅膜與所述第二非晶硅膜在不同的成膜生成條件下形成。
13.如權(quán)利要求12所述的顯示裝置的制造方法，其特征在于 所述工序2包括 在所述工序I中形成的所述第一抗蝕劑膜上形成所述第一非晶硅膜的工序21 ； 在與所述工序21不同的成膜生成條件下形成所述第二非晶硅膜的工序22 ;和 在與所述工序22不同的成膜生成條件下形成第三非晶硅膜的工序23。
14.如權(quán)利要求12所述的顯示裝置的制造方法，其特征在于，還包括 在所述工序2中形成的非晶硅膜上形成金屬膜的工序， 所述工序3中，在形成于所述非晶硅膜上的所述金屬膜上形成第二抗蝕劑膜， 所述工序4，是以所述第二抗蝕劑膜為掩模，對所述工序2中形成的所述非晶硅膜和所述金屬膜進(jìn)行蝕刻的工序。
全文摘要
本發(fā)明提供一種顯示裝置和顯示裝置的制造方法。在可動快門方式的顯示器中，使用低殘留應(yīng)力的穩(wěn)定的非晶硅膜形成可動快門。顯示裝置中，具有包括第一基板和第二基板的顯示面板，上述顯示面板具有多個像素，上述各像素具有包含非晶硅的可動快門，和驅(qū)動上述可動快門的驅(qū)動電路，上述可動快門的上述非晶硅由至少2個非晶硅膜構(gòu)成，當(dāng)令上述至少2個非晶硅膜中彼此鄰接的2個非晶硅膜為第一非晶硅膜和層疊在上述第一非晶硅膜上的第二非晶硅膜時，上述第一非晶硅膜與上述第二非晶硅膜的特性值不同。
文檔編號G09G3/34GK102809812SQ20121017844
公開日2012年12月5日 申請日期2012年6月1日 優(yōu)先權(quán)日2011年6月2日
發(fā)明者新田秀和, 大倉理, 海東拓生, 松本克巳 申請人:株式會社日立顯示器