專利名稱：顯示器和電子單元的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及具有發(fā)光器件的顯示器和設(shè)置有該顯示器的電子單元。
背景技術(shù)：
近年來，AR (增強現(xiàn)實)技術(shù)已被積極地研究。AR技術(shù)的特征是呈現(xiàn)合成的虛擬物體以作為對于真實環(huán)境(其一部分)的附加信息(電子信息)。AR技術(shù)與虛擬現(xiàn)實成對比。在AR技術(shù)中，關(guān)于真實環(huán)境中的具體物體的說明或相關(guān)信息，接近于作為用于說明或獲得相關(guān)信息的目標(biāo)的實際物體來包括并呈現(xiàn)。因此，作為實現(xiàn)AR技術(shù)所用的技術(shù)，獲得關(guān)于真實環(huán)境(諸如用戶觀察物體的位置)的信息的技術(shù)，被認(rèn)為是重要的基礎(chǔ)技術(shù)。 與此同時，近年來，具有較大的顯示器、被稱為智能電話或平板的電子單元已經(jīng)商業(yè)化。通過在這樣的電子單元上安裝的攝像器件(照相機)的拍攝，在顯示器上顯示真實環(huán)境的圖像，并且在顯示器的屏幕上疊加和顯示虛擬物體。因而通過這些電子單元容易地實現(xiàn)AR。在AR中增強現(xiàn)實(呈現(xiàn))的技術(shù)的示例之一，是其后表面?zhèn)瓤梢曈X識別的顯示器(各像素具有透光區(qū)域)(所謂的透明顯示器)。在該透明顯示器中，能夠通過該顯示器、而不是如上所述通過攝像器件拍攝的圖像來可視地識別實際的真實環(huán)境。由此，能夠通過在顯示器上顯示關(guān)于真實環(huán)境的電子信息，從而以更高的臨場感實現(xiàn)AR。這樣的透明顯示器的示例之一是使用以下透明材料(光透射材料)作為半導(dǎo)體材料和配線材料的有機電致發(fā)光(EL)顯示器(例如，參見Doo-Hee Cho等人的“Al andSn-doped Zinc Indium Oxide Thin film Transistors for AMOLED Back-Plane”，SID2009proceedings,p. 280-283)。在該有機EL顯示器中，例如，氧化物半導(dǎo)體(例如，添加了鋁(Al)和錫(Sn)的Zn (鋅)-In (銦)-O (氧))用作薄膜晶體管(TFT)中的半導(dǎo)體材料。作為配線材料，使用了 ITO (氧化銦錫)。

發(fā)明內(nèi)容
這里，在如上所述將這樣的透明顯示器用作用于AR的顯示器時，需要改善可視性從而進(jìn)一步地增強臨場感。期望提供能夠增強可視性的顯示器和電子單元。根據(jù)本發(fā)明的實施方式，提供了一種顯示器，包括多個像素，其每個都包括發(fā)光器件，并且在其至少一部分中具有透光區(qū)域；以及一個或多個透射率控制器件，能夠控制入射光的透射率。根據(jù)本發(fā)明的實施方式，提供了一種包括顯示器的電子單元，該顯示器包括多個像素，其每個都包括發(fā)光器件，并且在其至少一部分中具有透光區(qū)域；一個或多個透射率控制器件，能夠控制入射光的透射率。在根據(jù)本發(fā)明的上述的實施方式的顯示器和電子單元中，設(shè)置了能夠控制入射光的透射率的透射率控制器件。因此，實現(xiàn)了對光透射率的控制，使其適合于具有透光區(qū)域的像素中的發(fā)光器件中的發(fā)光狀態(tài)(在發(fā)光的時候或在非發(fā)光的時候)。根據(jù)本發(fā)明的上述的實施方式的顯示器和電子單元，設(shè)置了能夠控制入射光的透射率的透射率控制器件。因此，實現(xiàn)了對光透射率的控制，使其適合于具有透光區(qū)域的像素中的發(fā)光器件的發(fā)光狀態(tài)。因此，增強了具有各自具有透光區(qū)域的像素的顯示器的可視性。應(yīng)當(dāng)理解，前面的一般說明和以下的詳細(xì)說明是示范性的，其目的是對所要求的技術(shù)提供進(jìn)一步的解釋。


包括附圖以提供對本發(fā)明的進(jìn)一步的理解，附圖被結(jié)合進(jìn)來且構(gòu)造該說明書的一部分。這些附圖示出了實施方式，并且能夠與說明書一起用來解釋本技術(shù)的原理。圖I是示出了根據(jù)本發(fā)明的第一實施方式的顯示器的示例的框圖?！?br> 圖2是示出了圖I中示出的各像素中的子像素構(gòu)造示例的示意圖。圖3是示出了圖2中示出的各子像素的內(nèi)部構(gòu)造示例的電路圖。圖4A和圖4B是分別示出了圖3中示出的子像素的平面構(gòu)造示例的示圖，圖4C是示出了比較例I的示圖。圖5是示出了圖I中示出的顯示板的截面構(gòu)造示例的示意圖。圖6是示出了根據(jù)比較例2的顯示板的截面構(gòu)造示例的示意圖。圖7A和圖7B分別是示意性地示出了根據(jù)比較例2的像素中發(fā)光時的可視識別狀態(tài)以及非發(fā)光時的可視識別狀態(tài)的平面圖。圖8A和圖8B是用于說明圖5中示出的透射率控制器件的光透射狀態(tài)和光吸收狀態(tài)的示意圖。圖9A到圖9D是示意性地示出了在第一實施方式的像素中發(fā)光時和非發(fā)光時可視識別狀態(tài)的平面圖，其中，圖9A示出了發(fā)光時的光透射狀態(tài)，圖9B示出了非發(fā)光時的光透射狀態(tài)，圖9C示出了非發(fā)光時的光吸收狀態(tài)，并且圖9D示出了發(fā)光時的光吸收狀態(tài)。圖10是示出了根據(jù)第二實施方式的顯示板的截面構(gòu)造示例的示意圖。圖IlA和圖IlB分別是用于說明圖10中示出的透射率控制器件的光透射狀態(tài)和光反射狀態(tài)的示意圖。圖12A到圖12D是示意性地示出了第二實施方式的像素中發(fā)光時和非發(fā)光時的可視識別狀態(tài)的平面圖，其中，圖12A示出了發(fā)光時的光透射狀態(tài)，圖12B示出了非發(fā)光時的光透射狀態(tài)，圖12C示出了非發(fā)光時的光反射狀態(tài)，并且圖12D示出了發(fā)光時的光反射狀態(tài)。圖13是示出了根據(jù)第三實施方式的顯示板的截面構(gòu)造示例的示意圖。圖14是用于說明圖13中示出的透射率控制器件的光吸收狀態(tài)的示意性截面圖。圖15是用于說明圖13中示出的透射率控制器件的光透射狀態(tài)的示意性截面圖。圖16A和圖16B分別是示出了分別根據(jù)變形例I和變形例2的各子像素的內(nèi)部構(gòu)造示例連同透射率控制器件的電路圖。圖17A和圖17B分別是示出了分別根據(jù)變形例I和變形例2的顯示板中透明區(qū)域和非透明區(qū)域的配置示例的示意圖。圖18A和圖18B分別是示出了分別根據(jù)變形例3和變形例4的各像素中的子像素構(gòu)造示例的示意圖。圖19A到圖19D是示意性地示出了變形例3的像素中發(fā)光時和非發(fā)光時的可視識別狀態(tài)的平面圖，其中，圖19A示出了發(fā)光時的光透射狀態(tài)，圖19B示出了非發(fā)光時的光透射狀態(tài)，圖19C示出了非發(fā)光時的光吸收或光反射狀態(tài)，并且圖12D示出了發(fā)光時的光吸收或光反射狀態(tài)。圖20是示出了包括各實施方式和變形例中的顯示器的模塊的示意性構(gòu)造的平面圖。圖21是示出了各實施方式和變形例中的顯示器的應(yīng)用例I的外觀的透視圖。圖22A和圖22B分別是示出了從前面觀察時的應(yīng)用例2的外觀以及從后面觀察時的其外觀的透視圖。
圖23是示出了應(yīng)用例3的外觀的透視圖。圖24是示出了應(yīng)用例4的外觀的透視圖。圖25A到圖25G分別是應(yīng)用例5的示圖，即，打開狀態(tài)的正視圖、打開狀態(tài)的側(cè)視圖、關(guān)閉狀態(tài)的前視圖、左側(cè)視圖、右側(cè)視圖、頂視圖以及底視圖。
具體實施例方式本發(fā)明的實施方式將參考附圖詳細(xì)地描述如下。應(yīng)注意，將以下列順序給出描述。I.第一實施方式(使用執(zhí)行光透射和光吸收的電致變色器件的示例)2.第二實施方式(使用執(zhí)行光透射和光反射的電致變色器件的示例)3.第三實施方式(使用電潤濕器件的示例)4.第一至第三實施方式共用的變形例變形例I (為每個水平線設(shè)置透射率控制器件的示例)變形例2 (為每個子像素(像素)設(shè)置透射率控制器件的示例)變形例3和4 (透射率控制器件與各子像素并排設(shè)置的示例)5.模塊和應(yīng)用例6.其他變形例[第一實施方式][顯示器I的構(gòu)造]圖I是示出了根據(jù)本發(fā)明的第一實施方式的顯示器(顯示器I)的示意性構(gòu)造的框圖。該顯示器I包括顯示板10 (顯示部)和驅(qū)動電路20 (驅(qū)動部)。在顯示器I中，如后面將要描述的，像素的至少一部分是透光區(qū)域(透明區(qū)域)，從而允許后表面?zhèn)鹊目梢曌R別(顯示器用作所謂的透明顯示器)。(顯示板10)顯示板10包括多個像素11以矩陣方式配置的像素陣列部13，并且通過基于從外部輸入的圖像信號20A和同步信號20B執(zhí)行有源矩陣驅(qū)動來顯示圖像。如后面所述，各像素11被配置為包括與多種(在這里為3)顏色相對應(yīng)的多個子像素(即用于各顏色的子像素)。像素陣列部13包括按行配置的多個掃描線WSL、按列配置的多個信號線DTL、以及沿著掃描線WSL按行配置的多個電力線DSL。各掃描線WSL、信號線DTL以及電力線DSL的一端連接到后面將描述的驅(qū)動電路20。此外，按行和列配置(以矩陣方式配置)的各像素11被設(shè)置為與各掃描線WSL和各信號線DTL的交叉點一致。應(yīng)注意，在圖I中，與將要在后面描述的多種顏色相對應(yīng)的多個信號線DTLr、DTLg和DTLb (即用于各顏色的信號線)被簡化和表不為信號線DTL中的每一個。此外，在像素陣列部13的幾乎整個表面上，設(shè)置了能夠控制入射光的透射率(光透射率)的透射率控制器件15。換言之，這里設(shè)置了在像素陣列部13內(nèi)所有像素11所共用的唯一的透射率控制器件15。更具體地，透射率控制器件15的分辨率低于像素11的分辨率(B卩，對每多個像素11 (在這里，為所有像素11)設(shè)置透射率控制器件15)。此外，在本實施方式中，透射率控制器件15被設(shè)置(像層一樣配置)為面向各像素11 (后面將描述的各有機EL器件12)。這里，透射率控制器件15能夠在入射光的透射操作和入射光的吸收操作之間切換操作。具體地，在后面將描述的有機EL器件12的發(fā)光和非發(fā)光(消光extinction) 的各自時候，使得透射率控制器件15在透射操作和吸收操作之間切換操作。在這里，透射率控制器件15是后面將描述的電致變色(EC)器件。圖2以平面圖示意性地示出了各像素11的內(nèi)部構(gòu)造(子像素構(gòu)造)的示例。各像素11被配置為包括紅色(R)、綠色(G)和藍(lán)色(B)的三色的子像素IlRUlG和11B。換言之，各像素11具有包括與R、G和B三種顏色相對應(yīng)的三個子像素IlRUlG和IlB的子像素構(gòu)造。在這里,在各像素11中，三個子像素I IR、IIG和IlB沿著水平線方向(H線方向)配置成一行。然而，各像素11的子像素IlRUlG和IlB的配置方式不局限于該示例，并且可以是其他配置方式。應(yīng)注意，雖然未在圖2中示出，信號線DTLr、掃描線WSL以及電力線DSL連接到子像素11R。類似地，信號線DTLb、掃描線WSL以及電力線DSL連接到子像素11B。此外，信號線DTLg、掃描線WSL以及電力線DSL連接到子像素11G。換言之，與各自的顏色相對應(yīng)的信號線DTLr、DTLg和DTLb分別連接到子像素I IR、IIG和11B，而掃描線WSL和電力線DSL中的每一個作為共用線連接到子像素IlRUlG和11B。圖3示出了各子像素IlRUlG和IlB的內(nèi)部構(gòu)造(電路構(gòu)造)的示例。在各子像素I IR、IIG和IIB中，設(shè)置了有機EL器件12 (發(fā)光器件)和像素電路14。像素電路14使用寫入晶體管Trl (用于采樣)、驅(qū)動晶體管Tr2以及保持電容元件Cs構(gòu)成。換言之，該像素電路14具有所謂“2TrlC”的電路構(gòu)造。這里，例如，寫入晶體管Trl和驅(qū)動晶體管Tr2均由η溝道MOS (金屬氧化物半導(dǎo)體)型的TFT (薄膜晶體管)形成。應(yīng)注意，TFT的類型沒有特別限制，例如，可以是反向交錯結(jié)構(gòu)(所謂底柵類型)，或交錯結(jié)構(gòu)(所謂頂柵類型)。在像素電路14的寫入晶體管Trl中，柵極連接到掃描線WSL，漏極連接到信號線DTL (DTLr,DTLg和DTLb)，并且源極連接到驅(qū)動晶體管Tr2的柵極和保持電容元件Cs的第一端。驅(qū)動晶體管Tr2中，漏極連接到電力線DSL，并且源極連接到保持電容元件Cs的第二端和有機EL器件12的陽極。例如，有機EL器件12的陰極被設(shè)定為沿著水平線方向延伸的配線上的固定電位VSS (例如地電位)。在這里，在本實施方式的各子像素IlRUlG以及IlB中，其中至少一部分是透光區(qū)域(圖4B中虛線表示的區(qū)域)，例如，如圖4A和4B所示。具體地，如后面將詳細(xì)描述的，在各子像素IlRUlG和IlB內(nèi)的像素電路14中，驅(qū)動器件(寫入晶體管Trl、驅(qū)動晶體管Tr2以及保持電容元件Cs)的半導(dǎo)體層和電極層以及配線層中的每一個的至少一部分使用光透射材料(透明材料)構(gòu)成。例如，這使得子像素IlRUlG和IlB表現(xiàn)出大約77%的較高開口率。相反，例如，根據(jù)圖4C中示出的比較例I (現(xiàn)有技術(shù)的示例，在如上所述那樣的驅(qū)動器件中，作為非透明材料的硅(Si)用于半導(dǎo)體層，并且非透明金屬用于電極層和配線層)的各子像素101RU01G和IOlB具有大約36%的低的開口率。換言之，與僅使用非透明材料構(gòu)成的子像素10 IR、10IG和10IB相比，在其至少一部分中使用透明材料構(gòu)成的子像素I IR、11G、和IlB中實現(xiàn)了更高的開口率，并且允許后表面?zhèn)鹊目梢曌R別。圖5示意性地示出了顯示板10的截面構(gòu)造示例。顯示板10按從顯示器I的正面(表面)側(cè)到背面(后表面)側(cè)的順序包括TFT基板4、像素間絕緣膜51、有機層52、電極層53、平坦化膜54和透射率控制器件15。TFT基板4按從顯示器I的正面?zhèn)鹊奖趁鎮(zhèn)鹊捻樞虬ɑ?1、電極層421和柵電極422與配線層423A、金屬層423B、柵絕緣體43、氧化物半導(dǎo)體層44、保護(hù)層46、電極層451與配線層452、電極層471與金屬層472以及保護(hù)層48。通過形成包括上述驅(qū)動器件(寫入晶體管Trl、驅(qū)動晶體管Tr2以及保持電容元件Cs)的元件,構(gòu)成TFT基板4。
基板41具有光學(xué)透明性，并且例如由玻璃材料或樹脂材料制成。應(yīng)注意，在該基板41上，可以預(yù)先設(shè)置例如由氧化硅(SiO2)或氮化硅(SiN)制成的緩沖層，以防止來自基板41的污染物進(jìn)入到驅(qū)動器件。電極層421是保持電容元件Cs的第一電極。這里，柵電極422是寫入晶體管Trl的柵電極。配線層423A形成像素電路14中的配線等。電極層421、柵電極422以及配線層423A均在基板41上形成，并且例如由光透射材料形成，諸如包括ITO、IZO (氧化銦鋅)和AZO (氧化鋁鋅)的透明氧化物半導(dǎo)體以及透明碳。例如，均由這樣的材料制成的電極層421、柵電極422以及配線層423A通過濺射形成。金屬層423B被形成為電連接在配線層423A上，并且例如被設(shè)置為包括信號線DTL的整個配線的低電阻(配線電阻)。對于金屬層423B，例如，可以使用包括配線層423A側(cè)上的金屬層(鑰(Mo)、鈦(Ti)、錳(Mn)等)以及其上的金屬層(鋁(Al)、銅(Cu)等)的分層結(jié)構(gòu)。柵絕緣體43被設(shè)置為覆蓋電極層421、柵電極422、配線層423A以及金屬層423B，并且例如由PECVD (等離子增強化學(xué)氣相沉積)形成的SiO2制成。然而作為其代替，例如，可以使用Si3N4、氧化鋁(Al2O3)以及用它們制成的層壓膜中的任一種。氧化物半導(dǎo)體層44例如由諸如In、Ga (鎵)、Zn和Sn元素的復(fù)合氧化物制成，并且使用例如DC派射、RF派射等形成。尤其是，考慮到沉積(sedimentation)率,期望使用DC濺射。保護(hù)層46設(shè)置在氧化物半導(dǎo)體層44中包括寫入晶體管Trl等的溝道區(qū)上，并且用作溝道保護(hù)膜。該保護(hù)層46例如由PECVD形成的SiO等制成。電極層451形成包括保持電容元件Cs中的第二電極、寫入晶體管Trl中的源/漏電極以及有機EL器件12中的陽極電極(像素電極)的電極。配線層452形成像素電路14中的配線等。電極層451和配線層452也例如由光透射材料(諸如上述透明氧化物半導(dǎo)體和透明碳)制成。在電極層451的寫入晶體管Trl的源/漏區(qū)上設(shè)置電極層471，并且在配線層452上設(shè)置金屬層472。電極層471和金屬層472中的每一個均被設(shè)置為源/漏電極和配線的低電阻，并且例如由Al或Cu制成。
保護(hù)層48被設(shè)置為覆蓋保持電容元件Cs、寫入晶體管Trl、配線等，并且用作所謂鈍化膜。例如，保護(hù)層48由具有較高的氣體遮蔽(gas barrier)性質(zhì)的材料制成,諸如通過濺射或ALD (原子層沉積)形成的Al2O3、通過濺射或PECVD形成的SiO2和Si3N4以及用它們制成的層壓膜。像素間絕緣膜51被設(shè)置為將子像素IlRUlG和IlB的有機EL器件12彼此隔離，并且由諸如聚酰亞胺和丙烯酸樹脂的有機絕緣材料制成。像素間絕緣膜51可以使用旋涂法、狹縫涂布方法、壓模涂布方法等形成。有機層52具有這樣的構(gòu)造，其中，例如，層壓了發(fā)光層、空穴注入層、空穴傳輸層、電子注入層以及電子傳輸層(它們都未示出)。電極層53形成有機EL器件12中的陰極電極(共用電極)，并且被設(shè)置為從上面覆蓋有機層52和像素間絕緣膜51。該電極層53也例如由光透射材料(諸如上述透明氧化物 半導(dǎo)體和透明碳)或由薄的金屬層制成的光透射材料制成。應(yīng)注意，該電極層53、有機層52和電極層451形成有機EL器件12。平坦化膜54被設(shè)置為從上面覆蓋電極層53，并且例如由類似于像素間絕緣膜51的材料(諸如聚酰亞胺和丙烯酸樹脂的有機絕緣材料)制成。透射率控制器件15按從顯示器I的正面?zhèn)鹊奖趁鎮(zhèn)鹊捻樞虬ㄍ该麟姌O151C、EC材料層152C、介電膜153、EC材料層152A以及透明電極151A。通過具有這樣的分層結(jié)構(gòu)形成由電致變色(EC)器件構(gòu)造的透射率控制器件15。各透明電極151C和151A用作驅(qū)動電致變色器件的電極(陰極電極和陽極電極)，并且例如由光透射材料(諸如上述透明氧化物半導(dǎo)體和透明碳)制成。應(yīng)注意，例如，各透明電極151C和151A形成彼此正交的梳狀。EC材料層152C由諸如氧化鎢(WO3)、氧化釩(V2O5)和氧化鑰(MoO3)的陰極電致變色材料(EC材料)制成，并且可以使用電子束蒸鍍技術(shù)、濺射等形成。EC材料層152A由諸如氧化鎳(NiO)、氧化銥(IrO)和氧化鈷(CoO)的陽極EC材料制成，并且可以使用電子束蒸鍍技術(shù)、濺射等形成。介電膜153例如由諸如包括作為金屬氧化物的氧化鉭(Ta2O5)的介電體以及多孔聚合物的材料制成。(驅(qū)動電路20)圖I中示出的驅(qū)動電路20驅(qū)動像素陣列部13 (顯示板10)(即執(zhí)行顯示器驅(qū)動)。具體地，驅(qū)動電路20通過順序地選擇像素陣列部13中的多個像素11，并且基于圖像信號20A將圖像信號電壓寫入所選的像素11中的各子像素IlRUlG和IlB中，而執(zhí)行對多個像素11的顯示驅(qū)動。換言之，驅(qū)動電路20基于圖像信號20A對各子像素I IR、IIG和IlB執(zhí)行顯示驅(qū)動。驅(qū)動電路20也具有驅(qū)動透射率控制器件15的功能。驅(qū)動電路20包括圖像信號處理電路21、定時發(fā)生電路22、掃描線驅(qū)動電路23、信號線驅(qū)動電路24、電力線驅(qū)動電路25以及控制器件驅(qū)動電路26。圖像信號處理電路21對從外部輸入的數(shù)字形式的圖像信號20A執(zhí)行預(yù)定的圖像信號處理，并在這樣的圖像信號處理之后輸出圖像信號21A至信號線驅(qū)動電路24。該預(yù)定的圖像信號處理的示例包括伽馬校正處理以及超速傳動(overdrive)處理。定時發(fā)生電路22基于從外部輸入的同步信號20B產(chǎn)生并輸出控制信號22A,從而控制掃描線驅(qū)動電路23、信號線驅(qū)動電路24、電力線驅(qū)動電路25以及控制器件驅(qū)動電路26
一起操作。掃描線驅(qū)動電路23通過根據(jù)(同步于)控制信號22A順序地施加選擇脈沖到多個掃描線WSL，順序地選擇多個像素11。具體地，通過選擇性地輸出用于施加以將寫入晶體管Trl設(shè)定為導(dǎo)通狀態(tài)的電壓Von，或用于施加以將寫入晶體管Trl設(shè)定為截止?fàn)顟B(tài)的電壓Voff，掃描線驅(qū)動電路23產(chǎn)生選擇脈沖。這里，電壓Von是大于等于寫入晶體管Trl的導(dǎo)通電壓的值(恒定值)，電壓Voff是小于寫入晶體管Trl的導(dǎo)通電壓的值(恒定值)。信號線驅(qū)動電路24根據(jù)(同步于)控制信號22k產(chǎn)生與從圖像信號處理電路21輸入的圖像信號相對應(yīng)的模擬圖像信號21A，并且施加產(chǎn)生的信號到各信號線DTL (DTLr、DTLg和DTLb)。具體地，信號線驅(qū)動電路24將基于圖像信號21A的各種顏色的模擬圖像信號電壓分別地施加于各信號線DTLr、DTLg和DTLb。以這種方式，對掃描線驅(qū)動電路23所選擇的像素11中的各子像素IlRUlG和IlB執(zhí)行圖像信號寫入。應(yīng)注意，圖像信號寫入表 示對于保持電容元件Cs的圖像信號電壓的編程，以及在驅(qū)動晶體管Tr2的柵極和源極之間預(yù)定電壓的施加。電力線驅(qū)動電路25根據(jù)(同步于)控制信號22A順序地將控制脈沖施加于多個電力線DSL，從而控制各像素11中的各子像素I IR、IIG和IlB中的有機EL器件12的發(fā)光(照明)操作和非發(fā)光(消光)操作。更具體地，電力線驅(qū)動電路25調(diào)節(jié)控制脈沖的寬度(脈沖寬度)，從而控制在各像素11中的各子像素IlRUlG和IlB中發(fā)光期間以及非發(fā)光期間(消光期間)各自的長度(即執(zhí)行PWM (脈沖寬度調(diào)制)控制)。控制器件驅(qū)動電路26執(zhí)行后面將描述的在透射率控制器件15中的透明電極151A和151C之間施加驅(qū)動電壓(驅(qū)動電壓Vdl等)的驅(qū)動操作，從而控制透射率控制器件15的操作(即執(zhí)行入射光的透射操作和入射光的吸收操作之間的切換控制)。[顯示器I的功能和效果](I.基本操作)在該顯示器I中，如圖I到圖3所示，驅(qū)動電路20基于圖像信號20A和同步信號20B，對顯示板10 (像素陣列部13)中的各像素11 (各子像素IlRUlG和11B)執(zhí)行顯示驅(qū)動。因此，如圖5所示，驅(qū)動電流反饋到各子像素I IR、IIG和IIB中的有機EL器件12，在有機層52中的發(fā)光層中發(fā)生空穴電子復(fù)合，從而引起發(fā)光。然后，在各子像素IlRUlG和IlB中，來自有機層52 (發(fā)光層)的發(fā)射光Loutl作為顯不光向著正面?zhèn)?基板41側(cè))輸出，并且發(fā)射光Lout2向著背面?zhèn)?透射率控制器件15側(cè))輸出。以這種方式，在顯示板10上執(zhí)行基于圖像信號20A的圖像顯示。這里，如圖3所示，在各子像素IlRUlG和IlB中執(zhí)行圖像信號的寫入操作。首先，在電壓信號線DTL是圖像信號電壓并且電力線DSL的電壓是電壓VH (“H (高)”狀態(tài)下)的期間內(nèi)，掃描線驅(qū)動電路23將掃描線WSL的電壓從電壓Voff提高到電壓Von。這使得寫入晶體管Trl進(jìn)入導(dǎo)通(ON)狀態(tài)，從而，驅(qū)動晶體管Tr2的柵電位Vg增加到與信號線DTL此時的電壓相對應(yīng)的圖像信號電壓。因此，圖像信號電壓被寫入到保持電容元件Cs并且被保持。這里，在該階段，有機EL器件12的陽極電壓，仍然小于有機EL器件12種的閾值電壓Vel和陰極電壓Vca (=VSS)的總和的電壓值(Vel+Vca)，有機EL器件12處于截止?fàn)顟B(tài)。，在該階段，電流尚未在有機EL器件12的陽極和陰極之間流動(即有機EL器件12不發(fā)光)。因此，從驅(qū)動晶體管Tr2供應(yīng)的電流Id流動到在有機EL器件12的陽極和陰極之間并聯(lián)地存在的器件電容(未示出)，從而該器件電容被充電。接下來，在信號線DTL的電壓和電力線DSL的電壓分別維持在圖像信號電壓和電壓VH (“H”狀態(tài))的期間內(nèi)，掃描線驅(qū)動電路23將掃描線WSL的電壓從電壓Von降低到電壓Voff。這使得寫入晶體管Trl進(jìn)入截止(OFF)狀態(tài)，因此，驅(qū)動晶體管Tr2的柵極進(jìn)入浮置狀態(tài)。然后，在驅(qū)動晶體管Tr2的柵極和源極之間的電壓Vgs保持恒定的狀態(tài)下，電流Id在驅(qū)動晶體管Tr2的漏極和源極之間流動。因此，驅(qū)動晶體管Tr2的源極電位Vs上升，驅(qū)動晶體管Tr2的柵電位Vg也由于通過保持電容元件Cs的電容耦合而上升。這導(dǎo)致有機EL器件12的陽極電壓變得大于有機EL器件12中的閾值電壓Vel和陰極電壓Vca的總和的電壓值(Vel+Vca)。因此，與保持電容元件Cs保持的圖像信號電壓、即驅(qū)動晶體管Tr2的柵極和源極之間的電壓Vgs相對應(yīng)的電流Id在有機EL器件12的陽極和陰極之間流動，從而有機EL器件12以所期望的強度發(fā)光。 接下來，經(jīng)過預(yù)定的時間之后，驅(qū)動電路20終止有機EL器件12的發(fā)光期間。具體地，電力線驅(qū)動電路25將電力線DSL的電壓從電壓VH降低到電壓VL (即將電壓從“H”狀態(tài)轉(zhuǎn)換到“L (低)”狀態(tài))。然后，驅(qū)動晶體管Tr2的源極電位Vs下降。這使得有機EL器件12的陽極電壓變得比作為有機EL器件12的閾值電壓Vel和陰極電壓Vca的總和的電壓值(Vel+Vca)小，并且電流Id停止在陽極和陰極之間流動。因此，有機EL器件12隨后熄滅(轉(zhuǎn)換至消光期間)。以這種方式，根據(jù)施加于電力線DSL的控制脈沖的寬度(這里，“H”狀態(tài)的期間的長度)，控制各像素11中的各子像素IlRUlG和IlB的發(fā)光期間的長度。應(yīng)注意，然后，驅(qū)動電路20對每個幀期間(一個垂直期間，或一個V期間)執(zhí)行顯示驅(qū)動以周期地重復(fù)發(fā)光操作和消光操作。同時，例如，驅(qū)動電路20對每個水平期間(IH期間)，通過各施加于電力線DSL的控制脈沖和施加于掃描線WSL的選擇脈沖執(zhí)行沿行方向的掃描。這樣，在顯示器I中執(zhí)行顯示操作(驅(qū)動電路20的顯示驅(qū)動)。(2.透射率控制器件15的功能)接下來，將在與比較例(比較例2)進(jìn)行比較的同時，詳細(xì)描述本實施方式的顯示器I中的特征部分之一的透射率控制器件15的功能。(比較例2)首先，與本實施方式不同，在根據(jù)圖6中示出的比較例2的顯示板(顯示板200)中不設(shè)置透射率控制器件15。具體地，作為透射率控制器件15的代替，在顯示板200的平坦化膜54上設(shè)置了密封基板202 (覆蓋玻璃)。因此，在該比較例2中，在像素201中各子像素IlRUlG和IlB (有機EL器件12)發(fā)光時(圖7A)和非發(fā)光時(圖7B)，例如，可視識別狀態(tài)變成為如圖7A和圖7B所分別示出的。，首先，在圖7A中示出的發(fā)光時，發(fā)射光(發(fā)射光Loutl和Lout2)從各子像素IlRUlG和IlB輸出到表面?zhèn)?用戶側(cè))和后表面?zhèn)?。另一方面，在圖7B中不出的非發(fā)光時,沒有發(fā)射光從各子像素IlRUlG和IlB輸出，因此，例如，各子像素IlRUlG和IlB處于外部光透射狀態(tài)。這里，因為各子像素IlRUlG和IlB通常處于光透射狀態(tài)，比較例2的缺點在于可視性降低。具體地，例如，在普通顯示器的應(yīng)用中，因為外部光(來自后表面?zhèn)鹊耐干涔?的存在使得黑色顯示器狀態(tài)不可用，所以即使在圖7B示出的非發(fā)光時，可視性的改善也被抑制。此外，在AR的應(yīng)用中，例如，在有大量的光(外部光)的戶外應(yīng)用中，在圖7A中示出的發(fā)光時的可視性也大大地降低。(本實施方式的功能)，如圖I和圖5所示，在本實施方式的顯示板10中設(shè)置了能夠控制入射光的透射率的透射率控制器件15。如下面將要詳細(xì)描述的，這實現(xiàn)了適于具有透光區(qū)域的像素11中的有機EL器件12中的發(fā)光狀態(tài)(發(fā)光時或非發(fā)光時)的光透射率的控制。首先，如圖8A所示，在該透射率控制器件15中，當(dāng)在透明電極151A和151C之間不施加驅(qū)動電壓Vdl時，各EC材料層152A和152C表現(xiàn)出光學(xué)透明性。，透射率控制器件15總體上表現(xiàn)出光學(xué)透明性，并且使得包括從有機EL器件12輸出到背面?zhèn)鹊陌l(fā)射光Lout2和外部光的光能夠從其中通過(處于透明(光透射)狀態(tài))。另一方面，如圖8B所示，當(dāng)在透明電極151A和151C之間施加驅(qū)動電壓Vdl時，各·EC材料層152A和152C被著色并且不表現(xiàn)光學(xué)透明性。，透射率控制器件15總體上不表現(xiàn)出光學(xué)透明性，并且使得包括發(fā)射光Lout2和外部光的光不能從其中通過(處于著色(光吸收)狀態(tài))。以這種方式，使得透射率控制器件15能夠根據(jù)驅(qū)動電壓Vdl的施加的存在與否在入射光(包括發(fā)射光Lout2和外部光的光)的透射操作和入射光的吸收操作之間切換操作。這樣，在本實施方式中，在有機EL器件12的發(fā)光和非發(fā)光的各個時候，執(zhí)行如上所述的透射操作和吸收操作之間的切換控制。因此，在本實施方式中，在各像素11中的各子像素11R、IlG和IlB (有機EL器件12)發(fā)光和非發(fā)光的各個時候，例如，各自的可視識別狀態(tài)根據(jù)透射率控制器件15中的光透射狀態(tài)和光吸收狀態(tài)的組合而成為圖9A到圖9D中示出的那樣。具體地，首先，如圖9A所示，當(dāng)在有機EL器件12發(fā)光時透射率控制器件15處于光透射狀態(tài)時，可視識別狀態(tài)處于類似于比較例2中圖7A的狀態(tài)。，各子像素IlRUlG和IlB的發(fā)射光(發(fā)射光Loutl和Lout2)輸出到顯示器I的表面?zhèn)群秃蟊砻鎮(zhèn)?。此外，如圖9B所示，當(dāng)在有機EL器件12非發(fā)光時透射率控制器件15處于光透射狀態(tài)時，可視識別狀態(tài)處于類似于比較例2中圖7B的狀態(tài)。，例如，因為沒有發(fā)射光從各子像素I IR、IIG和IlB輸出，因此實現(xiàn)了外部光透射狀態(tài)。另一方面，如圖9C所示，當(dāng)在有機EL器件12非發(fā)光時透射率控制器件15處于光吸收狀態(tài)時，可視識別狀態(tài)成為如下。即，雖然如圖9B中的狀態(tài)那樣沒有從各子像素11R、IlG和IlB輸出發(fā)射光，但是因為透射率控制器件15處于光吸收狀態(tài)，所以使得包括外部光的光不能從其中通過。因此，如圖9C所示，實現(xiàn)了黑色顯示狀態(tài)，并且例如與圖7B和圖9B中各狀態(tài)相比，在普通顯示器的應(yīng)用中可視性得以改善。此外，如圖9D所示，當(dāng)在有機EL器件12發(fā)光時透射率控制器件15處于光吸收狀態(tài)時，可視識別狀態(tài)成為如下。S卩，雖然如圖9A中的狀態(tài)那樣，各子像素11R、11G和IlB的發(fā)射光輸出到表面?zhèn)群秃蟊砻鎮(zhèn)?，但是因為透射率控制器?5處于光吸收狀態(tài)，所以使得包括發(fā)射光Lout2和外部光的光不能從其中通過(背面?zhèn)茸兒?。因此，如圖9D所示，例如，與圖7A和圖9A中的各狀態(tài)相比，即使在外部光在用于AR的應(yīng)用中強烈的情況下可視性也得以改善。
在本實施方式中，如上所述設(shè)置了能夠控制入射光的透射率的透射率控制器件15。這樣，控制光透射率以適于在具有透光區(qū)域的像素11中的有機EL器件12中的發(fā)光狀態(tài)。因此，具有分別具有透光區(qū)域的像素11的顯示器I中的可視性得以增強(例如，增強了顯示信息的可視性，而確保了后表面?zhèn)鹊目梢曅?。因此，例如，在該顯示器I用作用于AR的顯示器時，臨場感得以改善。此外，因為透射率控制器件15被設(shè)置為像素陣列部13中的所有像素11所共用的僅一個器件，所以簡化了顯示板10和控制器件驅(qū)動電路26 (用于驅(qū)動的配線等)的構(gòu)造。接下來，將描述本發(fā)明的其他實施方式(第二實施方式和第三實施方式)。應(yīng)注意，將對與第一實施方式中相同的元件提供以與第一實施方式中同樣的符號，并且將適當(dāng)?shù)厥÷云涿枋?。[第二實施方式]
[顯示板IOA的構(gòu)造]圖10示意性地示出了根據(jù)第二實施方式的顯示板(顯示板10A)的截面構(gòu)造示例。通過設(shè)置透射率控制器件15A以代替第一實施方式的顯示板10的透射率控制器件15，其他的則類似于第一實施方式的構(gòu)造，從而構(gòu)造了本實施方式的顯示板10A。透射率控制器件15A按從顯示器I的正面?zhèn)鹊奖趁鎮(zhèn)鹊捻樞虬ㄍ该麟姌O151C、EC材料層152C、介電膜153、緩沖層154、催化(catalytic)層155以及調(diào)光鏡(dimmingmirror)層156。，該透射率控制器件15A具有這樣的構(gòu)造，其中，設(shè)置緩沖層154、催化層155以及調(diào)光鏡層156以替換透射率控制器件15中的EC材料層152A和透明電極151A。通過具有這樣的構(gòu)造，如后面將要描述的，本實施方式的透射率控制器件15A用作不同于透射率控制器件15的、能夠在入射光的透射操作和入射光的反射操作之間切換操作的電致變色器件。，在有機EL器件12發(fā)光和非發(fā)光的各個時候，該透射率控制器件15A能夠在透射操作和反射操作之間切換操作。在這里，緩沖層154例如由Al制成。催化層155例如由鈀(Pa)制成。調(diào)光鏡層156例如由鎂鎳(Mg-Ni)合金制成，并被用作透明電極151C的相對電極(陰極電極)。因此，調(diào)光鏡層156和透明電極151C各自形成為例如彼此正交的梳狀。[顯示板IOA的功能和效果]在該透射率控制器件15A中，如圖IlA所示，當(dāng)在透明電極151C和調(diào)光鏡層156之間通過控制器件驅(qū)動電路26施加驅(qū)動電壓Vd2時，調(diào)光鏡層156表現(xiàn)出光學(xué)透明性。，透射率控制器件15A總體上表現(xiàn)出光學(xué)透明性，并且使得包括從有機EL器件12向背面?zhèn)容敵龅陌l(fā)射光Lout2和外部光的光能夠從其中通過(透明(光透射)狀態(tài))。另一方面，如圖IlB所示，當(dāng)在透明電極151C和調(diào)光鏡層156之間不施加驅(qū)動電壓Vd2時，調(diào)光鏡層156表現(xiàn)出光反射性(不表現(xiàn)出光學(xué)透明性)。，透射率控制器件15A總體上表現(xiàn)出光反射性(不表現(xiàn)出光學(xué)透明性)，使得包括發(fā)射光Lout2和外部光的光被反射到顯示器I的正面?zhèn)?，從而阻止光從其中通過到后表面?zhèn)?鏡子(光反射)狀態(tài))。以這種方式，使得透射率控制器件15A能夠根據(jù)驅(qū)動電壓Vd2的施加的存在與否在入射光(包括發(fā)射光Lout2和外部光的光)的透射操作和入射光的反射操作之間切換操作。因此在本實施方式中，在有機EL器件12的各發(fā)光和非發(fā)光的各個時候,執(zhí)行透射操作和反射操作之間的切換控制。
在本實施方式中，在像素IlA中的各像素11R、11G和IlB (有機EL器件12)中的發(fā)光時和非發(fā)光時，各自的可視識別狀態(tài)根據(jù)上述透射率控制器件15A中的光透射狀態(tài)和光反射狀態(tài)的組合成為例如圖12A到圖12D中示出的那樣。具體地，首先，如圖12A所示，當(dāng)在有機EL器件12發(fā)光時透射率控制器件15A處于光透射狀態(tài)時，可視識別狀態(tài)類似于第一實施方式的圖9A的狀態(tài)。，各子像素I IR、IIG和IlB的發(fā)射光(發(fā)射光Loutl和Lout2)輸出到顯示器I的表面?zhèn)群秃蟊砻鎮(zhèn)?。此外，如圖12B所示，當(dāng)在有機EL器件12非發(fā)光時透射率控制器件15A處于光透射狀態(tài)時，可視識別狀態(tài)類似于圖9B中的狀態(tài)。，例如，因為沒有從各子像素I IR、IIG和IIB輸出發(fā)射光，所以實現(xiàn)了外部光透射狀態(tài)。另一方面，如圖12C所示，當(dāng)在有機EL器件12非發(fā)光時透射率控制器件15A處于光反射狀態(tài)時，可視識別狀態(tài)成為如下。即，雖然如圖12B中的狀態(tài)那樣發(fā)射光不從各子像素I IR、IIG和IIB輸出，但是因為透射率控制器件15A處于光反射狀態(tài)，所以使得包括外部光的光不能夠從其中通過。同時，因為透射率控制器件15A處于光反射狀態(tài)，所以來自正面?zhèn)鹊娜肷涔?外部光)被反射到正面?zhèn)取４送?，如圖12D所示，當(dāng)在有機EL器件12發(fā)光時透射率控制器件15A處于光反射狀態(tài)時，可視識別狀態(tài)成為如下。即，雖然如圖12A中的狀態(tài)那樣各子像素IlRUlG和IlB的發(fā)射光輸出到表面?zhèn)群秃蟊砻鎮(zhèn)?，但是因為透射率控制器?5A處于光反射狀態(tài)，所以朝向后表面?zhèn)鹊陌l(fā)射光Lout2被反射到正面?zhèn)?，從而?dǎo)致發(fā)射強度的增加。同時，雖然來自正面?zhèn)鹊耐獠抗獗环瓷?，但是因為增加了發(fā)射強度，所以可視性得以改善。因此，如圖12D所示，例如，與圖7A和圖12A的各情況相比，即使在外部光在用于AR的應(yīng)用中是強烈的情況下，可視性也得以改善。在本實施方式中，因為設(shè)置了透射率控制器件15A，所以如同在第一實施方式中那樣，在具有均具有透光區(qū)域的像素11的顯示器I中的可視性得以增強(例如，在黑暗的環(huán)境中實現(xiàn)了光反射狀態(tài)，從而包括朝向后表面?zhèn)鹊陌l(fā)射光Lout的光在前表面?zhèn)壬媳惶崛?，這就改善了可視性)。因此，例如，在該顯示器I用作用于AR的顯示器時，臨場感得以改善。 [第三實施方式][顯示板IOB的構(gòu)造]圖13示意性地示出了根據(jù)第三實施方式的顯示板(顯示板10B)的截面構(gòu)造示例。通過設(shè)置密封基板55和透射率控制器件16以代替第一實施方式的顯示板10的透射率控制器件15,其他的則類似于第一實施方式的構(gòu)造,而構(gòu)成了本實施方式的顯不板10B。透射率控制器件16按從顯示器I的正面?zhèn)鹊奖趁鎮(zhèn)鹊捻樞虬ㄍ该麟姌O161A、疏水絕緣膜162與隔壁(partition) 165、非極性液體163、極性液體164以及透明電極161B。通過具有這樣的構(gòu)造，如后面將要描述的，本實施方式的透射率控制器件16用作不同于透射率控制器件15和15A的、能夠在入射光的透射操作和入射光的吸收操作之間切換操作的電潤濕器件。，在有機EL器件12發(fā)光和非發(fā)光的各個時候,該透射率控制器件16能夠在透射操作和吸收操作之間切換操作。透明電極161A和161B各自用作電潤濕器件的驅(qū)動電極，并且例如由光透射材料(諸如上述透明氧化物半導(dǎo)體和透明碳)制成。應(yīng)注意，透明電極161A和161B各自形成例如彼此正交的梳狀。
隔壁165是被設(shè)置為將各子像素I IR、IIG和IlB中的疏水絕緣膜162、非極性液體163以及極性液體164分離的壁部。165例如由諸如聚酰亞胺和丙烯酸樹脂的有機絕緣材料制成。疏水絕緣膜162由對極性液體164表現(xiàn)出疏水性(抗水性)(嚴(yán)格意義上，在沒有電場的情況下，對非極性液體163表現(xiàn)出親和性)的材料制成，并且在電絕緣方面具有優(yōu)越的性能。材料的具體示例包括氟類的聚合物聚偏二氟乙烯(PVdF)和聚四氟乙烯(PTFE)，以及硅樹脂。非極性液體163是幾乎不具有極性、表現(xiàn)出電絕緣的液體材料，并且表現(xiàn)出非透明性(不表現(xiàn)出光學(xué)透明性)。除諸如癸烷、十二烷、十六烷以及十一烷的烴類的材料之外，適合于非極性液體163的示例還包括著色油(硅油等)。極性液體164是具有極性的液體材料，并且表現(xiàn)出透明性(光學(xué)透明性)。適合于 極性液體164的示例包括水，以及溶解了諸如氯化鉀和氯化鈉的電解質(zhì)的溶液。這里，當(dāng)將電壓施加至極性液體164時，與非極性液體163相比，對疏水絕緣膜162 (隔壁165的內(nèi)表面)的可潤濕性(極性液體164與內(nèi)表面之間的接觸角)大大地改變。密封基板55是被設(shè)置為密封整個顯示板IOB的基板(覆蓋玻璃等)，并且由透明基板制成。[顯示板IOB的功能和效果]如圖14所示，在該透射率控制器件16中，當(dāng)在透明電極16IA和16IB之間不施加驅(qū)動電壓Vd3時，非極性液體163與極性液體164之間的界面是平坦的。，在各子像素I IR、IlG和IlB的全部上設(shè)置表現(xiàn)出非透明性的非極性液體163。因此，透射率控制器件16總體上不表現(xiàn)出光學(xué)透明性，使得包括發(fā)射光Lout2和外部光的光不能夠從其中通過(著色(光吸收)狀態(tài))。另一方面，如圖15所示，當(dāng)在透明電極161A和161B之間施加驅(qū)動電壓Vd3時，與如上所述的非極性液體163相比，極性液體164的可潤濕性大大地改變，并且非極性液體163與極性液體164之間的界面形成向背面?zhèn)韧蛊鸬男螤?。，僅僅在各子像素IlRUlG和IlB的一部分上設(shè)置表現(xiàn)出非透明性的非極性液體163(參見圖15中虛線表示的箭頭)。因此，透射率控制器件16總體上表現(xiàn)出光學(xué)透明性，并且包括發(fā)射光Lout2和外部光的光能夠從其中通過(透明(光透射)狀態(tài))。以這種方式，透射率控制器件16能夠根據(jù)驅(qū)動電壓Vd3的施加的存在與否在入射光(光包括發(fā)射光Lout2和外部光)的透射操作和入射光的吸收操作之間切換操作。因此在本實施方式中，在有機EL器件12的發(fā)光和非發(fā)光的各個時候，執(zhí)行透射操作和吸收操作之間的切換控制。因此，在本實施方式中，在像素11中的各子像素IlRUlG和IlB(有機EL器件12)發(fā)光時和非發(fā)光時，根據(jù)在上述透射率控制器件16中光透射狀態(tài)和光吸收狀態(tài)的組合,例如，各自的可視識別狀態(tài)成為類似于第一實施方式中圖9A到圖9D中示出的那樣。因此，在本實施方式中也獲得了與第一實施方式的類似功能所得到的類似效果。，具有均具有透光區(qū)域的像素的顯示器I中的可視性得以增強(例如，增強了顯示信息的可視性，同時確保了后表面?zhèn)鹊目梢曅?。因此，例如，在該顯示器I用作用于AR的顯示器時，臨場感得以改善。
此外，在本實施方式中，透射率控制器件16使用電潤濕器件構(gòu)成，因此響應(yīng)速度
變得較高。應(yīng)注意，雖然對于能夠在入射光的透射操作和入射光的吸收操作之間切換操作的電潤濕器件用作透射率控制器件16的情況描述了本實施方式，但是其并不局限于此?？蛇x地，例如，可以使用能夠在入射光的透射操作和入射光的反射操作之間切換操作的電潤濕器件作為透射率控制器件。[變形例]接下來，將描述為第一至第三實施方式所共用的變形例(變形例I到變形例4)。應(yīng)注意，將對各實施方式中相同的元件提供與各實施方式同樣的符號，并且適當(dāng)?shù)厥÷悦枋?。[變形例I]
圖16A示出了根據(jù)變形例I的各子像素(子像素I IR、IIG和11B)的內(nèi)部構(gòu)造示例(電路構(gòu)成示例)，以及透光率控制器件15 (或透光率控制器件15A或16)。在本變形例中，不同于各實施方式，透光率控制器件15設(shè)置為對于每多個像素11設(shè)置一個。這里，特別地，為每個水平線都設(shè)置透光率控制器件15。具體地，這里，在透射率控制器件15和有機EL器件12之間，形成其所共用的至少一個電極(這里，形成陰極電極的固定電位線VSS)。然而，在對每個水平線都設(shè)置透射率控制器件15時，透射率控制器件15和有機EL器件12之間的電極可以不設(shè)置為共用電極。應(yīng)注意，圖中的DL表示透射率控制器件15的驅(qū)動配線。在本變形例中，例如，如圖17A所示，根據(jù)在AR用途中的應(yīng)用，這樣的構(gòu)造使得在顯示板10、10A或IOB中形成了對于每個水平線的透明區(qū)域(透光區(qū)域)10-1和非透明區(qū)域(非透光區(qū)域)10-2。此外，使用陰極配線作為透射率控制器件15的電極減少了配線數(shù)，從而簡化驅(qū)動電路。應(yīng)注意，例如，可以對每個垂直線而不是每個水平線設(shè)置透射率控制器件15。[變形例2]圖16B示出了根據(jù)變形例2的各子像素(子像素I IR、IIG和11B)的內(nèi)部構(gòu)造示例(電路構(gòu)造示例)，以及透射率控制器件15。在本變形例中，不同于各實施方式和變形例1，對每個子像素(像素)都設(shè)置透射率控制器件15。 具體地，這里，在透射率控制器件15和有機EL器件12之間，形成其所共用的至少一個電極(這里，形成陰極電極的固定電位線VSS)。然而，在對每個子像素都設(shè)置透射率控制器件15時，透射率控制器件15和有機EL器件12之間的電極可以不設(shè)置為共用電極。此夕卜，這里，晶體管(選擇晶體管)Tr3和掃描線WSL2被設(shè)置為對各子像素11R、11G和IlB選擇性地驅(qū)動透射率控制器件15。此外，保持電容元件Cs2被設(shè)置為保持透射率控制器件15的兩端之間的電位。應(yīng)注意，圖16B中的VSS I和VSS2均是固定電位線。因此，例如如圖17B所示，在本變形例中，例如根據(jù)AR用途中的應(yīng)用，透明區(qū)域10-1和非透明區(qū)域10-2通過顯示板10、IOA或IOB中的子像素(像素)實現(xiàn)。具體地，例如，能夠顯示增強的字符輪廓區(qū)域。此外，通過使用陰極配線作為與透射率控制器件15共用的電極而減少了配線數(shù)，從而簡化了驅(qū)動電路。[變形例3和變形例4]圖18A和圖18B分別是示意性地示出了分別根據(jù)變形例3和變形例4的各像素(像素11-1和11-2)的內(nèi)部構(gòu)造(子像素構(gòu)造)示例的平面圖。在變形例3和變形例4各自的各像素11-1和11-2中，不同于實施方式的像素11和像素11A，透射率控制器件15與子像素I IR、IIG和IlB并排地設(shè)置。具體地，在圖18A中示出的變形例3的像素11-1中，在各像素11_1中，三個子像素I IR、IIG和IlB和透射率控制器件15被設(shè)置為矩陣(2X2行列狀)。在圖18B示出的變形例4的像素11-2中，三個子像素I IR、IIG和IIB和透射率控制器件15在各像素11-2中沿著水平線方向排列。應(yīng)注意，子像素IlRUlG和IlB和透射率控制器件15能夠共用部分電極，并且使用噴墨印刷、柔性版(f I exograph ic)印刷等形成。在這些變形例3和變形例4中，例如，如圖19A至圖19D示出的變形例3所表示的，上述的構(gòu)造使得能夠獲得在像素11-1和11-2的發(fā)光和非發(fā)光的各個時候的可視識別 狀態(tài)。，在像素11-1中的各子像素11R、11G和IlB (有機EL器件12)發(fā)光和非發(fā)光的各個時候，根據(jù)透射率控制器件15中光透射狀態(tài)和光吸收狀態(tài)(或光反射狀態(tài))的組合，實現(xiàn)了類似于實施方式中的那些可視識別狀態(tài)。因此，在變形例3和變形例4中也獲得了通過與實施方式類似的功能得到的類似效果。，在具有均具有透光區(qū)域的像素的顯示器I中的可視性得以增強。因此，例如，在該顯示器I用作用于AR的顯示器時，臨場感得以改善。[模塊和應(yīng)用例]參考圖20到圖25G，各實施方式和變形例中的顯示器I的應(yīng)用例將描述如下。各實施方式和變形例中的顯示器I可以應(yīng)用于所有領(lǐng)域的電子單元，其將外部輸入的圖像信號或內(nèi)部產(chǎn)生的圖像信號顯示為靜態(tài)或運動圖像。電子單元包括電視接收器、數(shù)碼相機、筆記本計算機、諸如移動電話的便攜式終端、視頻攝像機等。(模塊)例如，顯示器I作為圖20中示出的模塊被集成到諸如后面將描述的應(yīng)用例I到應(yīng)用例5的各種電子單元中。該模塊例如通過設(shè)置在基板31的一邊從密封基板32露出的區(qū)域210而形成。在該露出區(qū)域210中，外部連接端子(未示出)由驅(qū)動電路20的延伸配線形成。該外部連接端子可設(shè)置有柔性印刷電路(FPC) 220以用于信號的輸入和輸出。(應(yīng)用例I)圖21示出了應(yīng)用顯示器I的電視接收器的外觀。例如，該電視接收器具有包括前面板310和濾光玻璃320的圖像顯示屏幕部300。圖像顯示屏幕部300使用顯示器I構(gòu)成。(應(yīng)用例2)圖22A和圖22B分別示出了應(yīng)用顯示器I的數(shù)碼相機的外觀。例如，該數(shù)碼相機包括閃光發(fā)光部410、顯示部420、菜單開關(guān)430以及快門按鈕440。顯示部420使用顯示器I構(gòu)成。(應(yīng)用例3)圖23示出了應(yīng)用顯示器I的筆記本計算機的外觀。例如，該筆記本計算機包括主體部510、用于輸入字符等的鍵盤520、以及顯示圖像的顯示部530。顯示部530使用顯示器I構(gòu)成。(應(yīng)用例4)
圖24示出了應(yīng)用顯示器I的視頻攝像機的外觀。例如，該視頻攝像機包括主體部610、在主體610的正面上設(shè)置的用于拍攝目標(biāo)圖像的鏡頭620、拍攝開始/停止開關(guān)630以及顯示部640。顯示部640使用顯示器I構(gòu)成。(應(yīng)用例5)圖25A到圖25G示出了應(yīng)用顯示器I的移動電話的外觀。例如，該移動電話是這樣一個單元，其中上殼體710和下殼體720通過連接部(鉸接部)730連接，并且包括顯示器740、副顯示器750、圖片燈760和相機770。顯示器740或副顯示器750使用顯示器I構(gòu)成。雖然本發(fā)明的技術(shù)已經(jīng)參考實施方式、變形例和應(yīng)用例進(jìn)行了描述，但是其并不局限于這些實施方式、變形例和應(yīng)用例，并且可以進(jìn)行各種變形。例如，在實施方式、變形例和應(yīng)用例中，雖然已經(jīng)參考將電致變色器件或電潤濕器件用作透射率控制器件的示例的情況進(jìn)行了描述，但是其并不局限于此。透射率控制器件可以使用其他類型的器件構(gòu)成。此外，在實施方式、變形例和應(yīng)用例中，將有機EL器件用作`發(fā)光器件的示例，但是也可以使用除有機EL器件以外的發(fā)光器件(例如無機EL器件、LED(發(fā)光二極管)等)。此外，在實施方式、變形例和應(yīng)用例中，雖然已經(jīng)以所謂底發(fā)光類型的顯示板為例進(jìn)行了描述，但是其并不限于此。顯示板可以是所謂頂發(fā)光類型。此外，在實施方式、變形例和應(yīng)用例中，雖然已經(jīng)參考以透射率控制器件的兩個階段(透射或非透射)控制(在其之間切換)光透射率的情況進(jìn)行了描述，但是其并不限于此?？梢砸远鄠€階段控制(在其之間切換)光透射率。此外，在實施方式、變形例和應(yīng)用例中，已經(jīng)參考顯示器I為有源矩陣類型的情況進(jìn)行了描述。然而，被設(shè)置用于有源矩陣驅(qū)動的像素電路14的構(gòu)造并不局限于實施方式、變形例和應(yīng)用例所描述的。，像素電路14的構(gòu)造不局限于實施方式、變形例和應(yīng)用例的描述所用的“2TrlC”電路構(gòu)造。例如，根據(jù)需要，電容元件、晶體管等可以添加到像素電路14，或設(shè)置為替代。在該情況下，可以根據(jù)像素電路14的改變增加除掃描線驅(qū)動電路23、信號線驅(qū)動電路24以及電力線驅(qū)動電路25之外的所需的驅(qū)動電路。此外，在實施方式、變形例和應(yīng)用例中，已經(jīng)參考定時發(fā)生電路22控制掃描線驅(qū)動電路23、信號線驅(qū)動電路24、電力線驅(qū)動電路25以及控制器件驅(qū)動電路26中的驅(qū)動操作的情況進(jìn)行了描述。然而，可以通過其他電路控制這些電路的驅(qū)動操作。此外，掃描線驅(qū)動電路23、信號線驅(qū)動電路24、電力線驅(qū)動電路25以及控制器件驅(qū)動電路26的控制可以通過硬件(電路)或軟件(程序)執(zhí)行。此外，在實施方式、變形例和應(yīng)用例中，雖然已經(jīng)參考寫入晶體管Trl、驅(qū)動晶體管Tr2等均由η溝道晶體管(例如η溝道MOS類型的TFT)形成的情況進(jìn)行了描述，但是其并不限于此。，寫入晶體管Trl、驅(qū)動晶體管Tr2等均可以由p溝道晶體管(例如P溝道MOS類型的TFT)形成。本技術(shù)可以由如下構(gòu)成。(I) 一種顯不器,包括多個像素，每個都包括發(fā)光器件，并且在其至少一部分中具有透光區(qū)域；以及一個或多個透射率控制器件，能夠控制入射光的透射率。(2)根據(jù)(I)所述的顯示器，其中，透射率控制器件能夠進(jìn)行入射光的透射操作與入射光的吸收操作或反射操作之間的切換操作。(3)根據(jù)(2)所述的顯示器，其中，透射率控制器件能夠在發(fā)光器件發(fā)光時和非發(fā)光時的各個時候進(jìn)行透射操作與吸收操作或反射操作之間的切換操作。(4)根據(jù)(I )至(3)中的任一項所述的顯示器，其中，一個或多個透射率控制器件被設(shè)置為面向發(fā)光器件。( 5)根據(jù)(I )至(3)中的任一項所述的顯示器，其中，一個或多個透射率控制器件與發(fā)光器件并排地設(shè)置。(6)根據(jù)(I)至(5)中的任一項所述的顯示器，其中，對每多個像素設(shè)置透射率控制器件。(7)根據(jù)(6)所述的顯示器，其中，透射率控制器件被設(shè)置為被所有像素所共用。
(8)根據(jù)(6)所述的顯示器，其中，對每個水平線或每個垂直線設(shè)置透射率控制器件。(9)根據(jù)(I )至(5)中的任一項所述的顯示器，其中，對各像素設(shè)置透射率控制器件。( 10)根據(jù)(I)至(9)中的任一項所述的顯示器，其中，一個或多個電極在透射率控制器件和發(fā)光器件之間共用。( 11)根據(jù)(I)至(10 )中的任一項所述的顯示器，其中，透射率控制器件是電致變色器件或電潤濕器件。(12 )根據(jù)(I)至(11)中的任一項所述的顯示器，其中，像素各自包括像素電路，像素電路包括發(fā)光器件和驅(qū)動器件，以及在像素電路中，驅(qū)動器件的半導(dǎo)體層和電極層以及配線層的至少一部分被配置為使用光透射材料構(gòu)造。(13)根據(jù)(I)至(12)中的任一項所述的顯示器，其中，發(fā)光器件是有機EL器件。(14) 一種電子單元,包括顯示器,顯示器包括多個像素，每個都包括發(fā)光器件，并且在其至少一部分中具有透光區(qū)域；以及一個或多個透射率控制器件，能夠控制入射光的透射率。本發(fā)明包括于2011年6月21日向日本專利局提交的日本在先專利申請JP2011-136929中公開的相關(guān)主題，將其全部內(nèi)容被結(jié)合于此作為參考。本領(lǐng)域的技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解，根據(jù)設(shè)計要求和其他因素，可以進(jìn)行各種修改、組合、子組合和變形，均應(yīng)包含在所附權(quán)利要求或其等同物的范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種顯不器，包括 多個像素，每個都包括發(fā)光器件，并且在其至少一部分中具有透光區(qū)域；以及 一個或多個透射率控制器件，能夠控制入射光的透射率。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的顯示器，其中，所述透射率控制器件能夠進(jìn)行入射光的透射操作與入射光的吸收操作或反射操作之間的切換操作。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的顯示器，其中，所述透射率控制器件能夠在所述發(fā)光器件發(fā)光時和非發(fā)光時的各個時候進(jìn)行所述透射操作與所述吸收操作或所述反射操作之間的切
4.根據(jù)權(quán)利要求I所述的顯示器，其中，所述一個或多個透射率控制器件被設(shè)置為面
5.根據(jù)權(quán)利要求I所述的顯示器，其中，所述一個或多個透射率控制器件與所述發(fā)光器件并排地設(shè)置。
6.根據(jù)權(quán)利要求I所述的顯示器，其中，對每多個像素設(shè)置所述透射率控制器件。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的顯示器，其中，所述透射率控制器件被設(shè)置為被所有像素所共用。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的顯示器，其中，對每個水平線或每個垂直線設(shè)置所述透射率控制器件。
9.根據(jù)權(quán)利要求I所述的顯示器，其中，對各所述像素設(shè)置所述透射率控制器件。
10.根據(jù)權(quán)利要求I所述的顯示器，其中，一個或多個電極在所述透射率控制器件和所述發(fā)光器件之間共用。
11.根據(jù)權(quán)利要求I所述的顯示器，其中，所述透射率控制器件是電致變色器件或電潤濕器件。
12.根據(jù)權(quán)利要求I所述的顯示器，其中， 所述像素各自包括像素電路，所述像素電路包括所述發(fā)光器件和驅(qū)動器件，以及 在所述像素電路中，所述驅(qū)動器件的半導(dǎo)體層和電極層以及配線層的至少一部分被配置為使用光透射材料構(gòu)造。
13.根據(jù)權(quán)利要求I所述的顯示器，其中，所述發(fā)光器件是有機EL器件。
14.根據(jù)權(quán)利要求I所述的顯示器，其中，所述透射率控制器件的分辨率低于所述像素的分辨率。
15.一種電子單元，包括顯示器，所述顯示器包括 多個像素，每個都包括發(fā)光器件，并且在其至少一部分中具有透光區(qū)域；以及 一個或多個透射率控制器件，能夠控制入射光的透射率。
全文摘要
本發(fā)明提供了能夠增強可視性的顯示器和電子單元。該顯示器包括多個像素，每個都包括發(fā)光器件，并且在其至少一部分中具有透光區(qū)域；一個或多個透射率控制器件，能夠控制入射光的透射率。
文檔編號G09F9/00GK102842266SQ20121020009
公開日2012年12月26日 申請日期2012年6月14日 優(yōu)先權(quán)日2011年6月21日
發(fā)明者荒井俊明, 大島宜浩 申請人:索尼公司