專利名稱：像素驅動電路、像素顯示單元和顯示電路的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉 及驅動電路技術領域，具體是一種像素驅動電路、像素顯示單元和顯示電路。
背景技術：
中國專利文獻CN102110407A公開了一種像素驅動電路、放電方法、數(shù)據(jù)寫入方法及驅動顯示方法，具體公開了一種驅動電路，參見圖I所示，包括數(shù)據(jù)線、掃描線、用于連接電源極的電源線、用于連接接地極的地線以及OLED(有機發(fā)光二極管，全稱為OrganicLight-Emitting Diode)器件,還包括電容充電場效應晶體管、發(fā)光驅動場效應晶體管以及數(shù)據(jù)存儲電容。該專利文獻通過使用三個薄膜晶體管和一個電容的結構，相對于現(xiàn)有四個薄膜晶體管和一個電容結構的驅動電路，減少了電源負載、降低功耗。對主動有機發(fā)光顯示器(AMOLED)而言，發(fā)光器件OLED的亮度是由驅動TFT產(chǎn)生的電流的大小來決定，因此發(fā)光器件OLED的暗態(tài)取決于驅動管TFT的最小電流。而驅動管的最小電流受其柵極電壓的控制，所以控制柵極電壓的穩(wěn)定變得非常重要。由于漏電流的影響，在一幀周期內(nèi)柵極的電壓變化非常大，使得驅動管有微小的電流通過，嚴重降低了AMOLED的對比度。本發(fā)明中，TFT為Thin film Transistor,薄膜晶體管。

發(fā)明內(nèi)容
為此，本發(fā)明所要解決的是現(xiàn)有像素驅動電路中在一幀周期內(nèi)驅動管有微小電流通過造成的AMOLED的對比度比較低的技術問題，提供一種可有效減小驅動管通過的微小電流的像素驅動電路、像素顯示單元和顯示電路。為解決上述技術問題，本發(fā)明采用的技術方案如下一種像素驅動電路，包括第一掃描線，與數(shù)據(jù)傳輸場效應晶體管T4的柵極、稱合電容C2的負極和米樣控制場效應晶體管T3的柵極相連，耦合電容C2的正極與保持電容Cl的正極相連；所述采樣控制場效應晶體管T3采樣控制驅動場效應晶體管Tl的閾值電壓Vth ；第二掃描線，與基準電壓傳輸場效應晶體管T5的柵極和發(fā)光控制場效應晶體管T2的柵極相連；數(shù)據(jù)線，與數(shù)據(jù)傳輸場效應晶體管T4的源極或漏極相連，所述數(shù)據(jù)傳輸場效應晶體管T4的漏極或源極、所述保持電容Cl的負極和所述基準電壓傳輸場效應晶體管T5的漏極或源極相連；所述傳輸場效應晶體管T4控制傳輸所述數(shù)據(jù)線上的數(shù)據(jù)；所述基準電壓傳輸場效應晶體管T5的源極或漏極與基準電壓輸入線VREF相連，所述基準電壓傳輸場效應晶體管T5控制傳輸所述基準電壓輸入線VREF上的基準電壓；驅動場效應晶體管Tl，其柵極、保持電容Cl的正極和采樣控制場效應晶體管T 3的漏極或源極相連；所述驅動場效應晶體管Tl的源極或漏極、采樣控制場效應晶體管T3的源極或漏極和所述發(fā)光控制場效應晶體管T2的漏極或源極相連，所述驅動場效應晶體管Tl漏極或源極構成所述像素驅動電路的第一連接端；所述發(fā)光控制場效應晶體管T2源極或漏極構成所述像素驅動電路的第二連接端。所述保持電容Cl為TFT電容，其中TFT電容指將TFT的源極和漏極短接在一起形成的電容。所述耦合電容C2為TFT電容。所述場效應晶體管均為TFT。 所述TFT均為P型薄膜場效應晶體管。同時，提供一種像素顯示單元，使用上述的像素驅動電路，還包括一個直流電致發(fā)光器件和一個電源；其中，所述像素驅動電路的第一連接端與電源的正極相連；所述像素驅動電路的第二連接端與所述對應直流電致發(fā)光器件的正極相連，所述直流電致發(fā)光器件的負極接地。所述直流電致發(fā)光器件包括OLED、LED和電阻式燈泡中的任意一種。還提供一種顯示電路，包括上述的像素顯示單元。本發(fā)明的上述技術方案相比現(xiàn)有技術具有以下優(yōu)點本發(fā)明的像素驅動電路通過設置耦合電容，可有效增加驅動場效應晶體管Tl的柵極的電壓，進而降低流過驅動場效應晶體管Tl的電流，使得暗態(tài)時流過直流電致發(fā)光器件的電流減小，亮度降低，提高對比度。保持電容Cl為TFT電容或者耦合電容C2為TFT電容，因為TFT電容體積小，更方便集成。將場效應晶體管均為TFT，使得本發(fā)明的像素驅動電路場效應晶體管類型同一，方便加工制造。


為了使本發(fā)明的內(nèi)容更容易被清楚的理解，下面根據(jù)本發(fā)明的具體實施例并結合附圖，對本發(fā)明作進一步詳細的說明，其中圖I為本發(fā)明一個實施例的像素驅動單元電路圖；圖2為圖I所示像素驅動電路的工作時序圖；圖3為包括如圖I所示像素驅動單元的顯示電路圖。
具體實施例方式參見圖I所示，作為本發(fā)明一個實施例的像素驅動單元電路圖，包括像素驅動電路、OLED和給OLED提供電能的直流主電路電源；其中，像素驅動電路進一步包括，第一掃描線，與數(shù)據(jù)傳輸場效應晶體管T4的柵極、耦合電容C2的負極和采樣控制場效應晶體管T3的柵極相連，耦合電容C2的正極與保持電容Cl的正極相連；所述采樣控制場效應晶體管T3采樣控制驅動場效應晶體管Tl的閾值電壓Vth ；C2和Cl的比值沒有特別的限定，根據(jù)實際要求不同，典型地C2/C1=0. 05 0. 3 ;第二掃描線，與基準電壓傳輸場效應晶體管T5的柵極和發(fā)光控制場效應晶體管T2的柵極相連；數(shù)據(jù)線，與數(shù)據(jù)傳輸場效應晶體管T4的源極相連，所述數(shù)據(jù)傳輸場效應晶體管T4的漏極、所述保持電容Cl的負極和所述基準電壓傳輸場效應晶體管T5的漏極相連；所述傳輸場效應晶體管T4控制傳輸所述數(shù)據(jù)線上的數(shù)據(jù)；所述基準電壓傳輸場效應晶體管T5的源極與基準電壓輸入線VREF相連，所述基準電壓傳輸場效應晶體管T5控制傳輸所述基準電壓輸入線VREF上的基準電壓；驅動場效應晶體管Tl，其柵極、保持電容Cl的正極和采樣控制場效應晶體管T3的漏極相連，Tl柵極電壓標記為VTl ;所述驅動場效應晶體管Tl的源極、采樣控制場效應晶體管T3的源極和所述發(fā)光控制場效應晶體管T2的漏極相連，所述驅動場效應晶體管Tl漏極構成所述像素驅動電路的第一連接端，所述第一段與電源的正極相連；所述發(fā)光控制場效應晶體管T2源極構成所述像素驅動電路的第二連接端，所述第二連接端與OLED的正極相連，OLED的負極接地。本實施例中，所述場效應晶體管均為P型薄膜場效應晶體管，即P型TFT。下面結合本實施例驅動電路工作時序圖，參見圖2所示,將本實施例的驅動電路的工作過程詳述如下準備階段，如圖上tl段所示，SO和Vdata均為高電平，SI由原來的低電平變?yōu)楦唠娖?，此時，所述像素驅動電路中的柵極掃描線SO和掃描線SI連接的TFT管T2、TFT管T3、TFT管T4和TFT管T5管均關斷，無法傳送電壓，但是由于漏電流的影響，電容Cl通過所述TFT管T5放電，進而導致電容Cl的電壓降低，使得驅動TFT管Tl柵極的電壓將會降低。采樣階段，如圖上t2段所示，SO由原來的高電平變?yōu)榈碗娖?，SI和Vdata均為高電平，此時，TFT管T2和TFT管T5保持關斷，TFT管T3和TFT管T4管導通，電容Cl的一端電壓是Vdata，Cl的另一端與驅動TFT管Tl的柵極相連接，直到完成充電；由于電容C2的另一端與掃描線SO相連接，在掃描線SO變?yōu)榈碗娖綍r，電容C2對外放電，電容C2電壓降低，充電完成時驅動TFT管Tl柵極電壓是VDD+Vth，其中，Vth是負值。OLED發(fā)光階段，如圖上t3段所示，SO由低電平變?yōu)楦唠娖剑琒I由高電平變?yōu)榈碗娖?此時,TFT管Tl和TFT管T5管導通，TFT管T4和TFT管T5的共用端電壓變?yōu)閂REF，由于電容Cl的耦合作用，驅動TFT管Tl柵極電壓同步移動(VREF-Vdata)。在此基礎上，電容C2受到SO上升的影響，使得驅動TFT管Tl柵極電壓(即圖2中VTl所示電壓)升高，暗態(tài)時候流過驅動TFT管Tl的電流減少，進而使得OLED的亮度降低，對比度提高。作為上述實施例的一個變形，上述像素驅動電路中的TFT電容Cl和TFT電容C2均可用其他電容取代，出于集成電路的考慮，體積越小的電容越適合替代上述TFT電容用于本實施例的像素驅動電路中。作為本發(fā)明的其他實施例，作為受控開關原件的TFT管T2、TFT管T3、TFT管T4和TFT管T5均可為現(xiàn)有技術中的除薄膜晶體管之外的其他受控開關原件代替，比如，NTFT，MOS管等，MOS為metal—oxid一semiconductor縮寫，電容的正負兩端連接方式?jīng)]有特殊的限定，中文為金屬氧化物半導體場效應晶體管。同樣能實現(xiàn)本發(fā)明的目的，屬于本發(fā)明的保護范圍。參見圖3所示，為使用上述實施例中的像素顯示單元的顯示電路圖，該顯示電路中的每一個像素顯示均通過上述像素顯示單元實現(xiàn)，實際應用中可以由M (M>1, M為整數(shù))行和N (N>1，M為整數(shù))列組成，圖3僅是示意圖。本發(fā)明中的像素驅動電路可用于驅動任何直流電致發(fā)光器件，比如LED和電阻式、燈泡中的任意一種，不限于OLED，其中的LED為發(fā)光二極管，英文全稱為Light EmittingDiode。顯然，上述實施例僅僅是為清楚地說明所作的舉 例，而并非對實施方式的限定。對于所屬領域的普通技術人員來說，在上述說明的基礎上還可以做出其它不同形式的變化或變動。這里無需也無法對所有的實施方式予以窮舉。而由此所引伸出的顯而易見的變化或變動仍處于本發(fā)明創(chuàng)造的保護范圍之中。
權利要求
1.一種像素驅動電路，其特征在于，還包括 第一掃描線，與數(shù)據(jù)傳輸場效應晶體管T4的柵極、稱合電容C2的負極和米樣控制場效應晶體管T3的柵極相連，耦合電容C2的正極與保持電容Cl的正極相連；所述采樣控制場效應晶體管T3采樣控制驅動場效應晶體管Tl的閾值電壓Vth ； 第二掃描線，與基準電壓傳輸場效應晶體管T5的柵極和發(fā)光控制場效應晶體管T2的柵極相連； 數(shù)據(jù)線，與數(shù)據(jù)傳輸場效應晶體管T4的源極或漏極相連，所述數(shù)據(jù)傳輸場效應晶體管T4的漏極或源極、所述保持電容Cl的負極和所述基準電壓傳輸場效應晶體管T5的漏極或源極相連；所述傳輸場效應晶體管T4控制傳輸所述數(shù)據(jù)線上的數(shù)據(jù)；所述基準電壓傳輸場效應晶體管T5的源極或漏極與基準電壓輸入線VREF相連，所述基準電壓傳輸場效應晶體管T5控制傳輸所述基準電壓輸入線VREF上的基準電壓； 驅動場效應晶體管Tl，其柵極、保持電容Cl的正極和采樣控制場效應晶體管T3的漏極或源極相連；所述驅動場效應晶體管Tl的源極或漏極、采樣控制場效應晶體管T3的源極或漏極和所述發(fā)光控制場效應晶體管T2的漏極或源極相連，所述驅動場效應晶體管Tl漏極或源極構成所述像素驅動電路的第一連接端；所述發(fā)光控制場效應晶體管T2源極或漏極構成所述像素驅動電路的第二連接端。
2.根據(jù)權利要求I所述的像素驅動電路，其特征在于所述保持電容Cl為TFT電容。
3.根據(jù)權利要求2所述的像素驅動電路，其特征在于所述耦合電容C2為TFT電容，其中TFT電容指將TFT的源極和漏極短接在一起形成的電容。
4.根據(jù)權利要求3所述的像素驅動電路，其特征在于所述場效應晶體管均為TFT。
5.根據(jù)權利要求5所述的像素驅動電路，其特征在于所述TFT均為P型TFT。
6.一種像素顯示單元，其特征在于使用如權利要求1-5任一所述的像素驅動電路，還包括一個直流電致發(fā)光器件和一個電源；其中，所述像素驅動電路的第一連接端與電源的正極相連；所述像素驅動電路的第二連接端與所述對應直流電致發(fā)光器件的正極相連，所述直流電致發(fā)光器件的負極接地。
7.根據(jù)權利要求6所述的像素顯示單元，其特征在于所述直流電致發(fā)光器件包括OLED、LED和電阻式燈泡中的任意一種。
8.一種顯示電路，其特征在于包括如權利要求6或I所述的像素顯示單元。
全文摘要
本發(fā)明公開一種像素驅動電路、像素顯示單元和顯示電路；其中像素驅動電路包括第一掃描線，與T4的柵極、電容C2的負極和T 3的柵極相連，電容C2的正極與電容C1的正極相連；第二掃描線，與T5的柵極和T2的柵極相連；數(shù)據(jù)線，與T4的源極或漏極相連，T4的漏極或源極、電容C1的負極和T5的漏極或源極相連；T5的源極或漏極與VREF相連；T1的柵極、電容C1的正極和T3的漏極或源極相連；T1的源極或漏極、T3的源極或漏極和T2的漏極或源極相連，T1漏極或源極構成像素驅動電路的第一連接端；T2源極或漏極構成像素驅動電路的第二連接端。通過設置電容C2，有效增加T1柵極的電壓，降低流過驅動T1的電流，使得暗態(tài)時流過直流電致發(fā)光器件的電流減小，提高對比度。
文檔編號G09G3/32GK102737581SQ20121022209
公開日2012年10月17日 申請日期2012年6月29日 優(yōu)先權日2012年5月31日
發(fā)明者永井肇, 胡思明, 邱勇, 高孝裕, 黃秀頎 申請人:昆山工研院新型平板顯示技術中心有限公司