專(zhuān)利名稱(chēng)：顯示設(shè)備和電子裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本公開(kāi)涉及顯示設(shè)備和電子裝置。
背景技術(shù)：
近年來(lái)，作為由液晶顯示器為代表的顯示設(shè)備，使用有機(jī)電致發(fā)光元件(下文中，簡(jiǎn)稱(chēng)為“有機(jī)EL元件”)的有機(jī)電致發(fā)光顯示設(shè)備(下文中，簡(jiǎn)稱(chēng)為“有機(jī)EL顯示設(shè)備”)正在吸引注意。有機(jī)EL顯示設(shè)備屬于自發(fā)光類(lèi)型，并且具有低功耗的特性?？紤]到有機(jī)EL顯示器具有對(duì)高分辨率和高速視頻信號(hào)的充分響應(yīng)性，并且對(duì)于實(shí)踐應(yīng)用和商業(yè)化的開(kāi)發(fā)正在緊密地進(jìn)行。有機(jī)EL顯示設(shè)備具有多個(gè)發(fā)光元件，每個(gè)元件包括發(fā)光單元ELP和用于驅(qū)動(dòng)該發(fā)光單元ELP的驅(qū)動(dòng)電路。例如，圖23A是發(fā)光元件的等效電路圖,該發(fā)光元件包括具有兩個(gè)晶體管和ー個(gè)電容單元的驅(qū)動(dòng)電路(例如，參見(jiàn)JP-A-2007-310311 )。驅(qū)動(dòng)電路具有包括源極/漏極區(qū)域、溝道形成區(qū)域和柵電極的驅(qū)動(dòng)晶體管Tltev,包括源極/漏極區(qū)域、溝道形成區(qū) 域和柵電極的視頻信號(hào)寫(xiě)入晶體管TSig，以及電容單元(^。參考數(shù)字Ca表示發(fā)光單元C1的寄生電容。在驅(qū)動(dòng)晶體管Tltev中，源扱/漏極區(qū)域的ー個(gè)區(qū)域連接到電流供應(yīng)線CSL，并且源極/漏極區(qū)域的另一區(qū)域連接到發(fā)光單元ELP，還連接到電容單元C1的一端以構(gòu)成第二節(jié)點(diǎn)ND2。驅(qū)動(dòng)晶體管Tltev的柵電極連接到視頻信號(hào)寫(xiě)入晶體管Tsig的源極/漏極區(qū)域的另一區(qū)域，并且還連接到電容單元C1的另一端以構(gòu)成第一節(jié)點(diǎn)NDltj在視頻信號(hào)寫(xiě)入晶體管Tsig中，源扱/漏極區(qū)域的ー個(gè)區(qū)域連接到數(shù)據(jù)線DTL，并且柵電極連接到掃描線SCL。電流供應(yīng)線CSL連接到電流供應(yīng)單元100，數(shù)據(jù)線DTL連接到視頻信號(hào)輸出電路102，并且掃描線SCL連接到掃描電路101。在發(fā)光單元ELP發(fā)光時(shí)(也就是說(shuō)，發(fā)光單元ELP發(fā)光之前和之后)，電流從電流供應(yīng)單元100通過(guò)電流供應(yīng)線CSL和驅(qū)動(dòng)晶體管Tltev流到發(fā)光單元ELP，并且發(fā)光單元ELP的陽(yáng)極電極(對(duì)應(yīng)于第二節(jié)點(diǎn)ND2)的電勢(shì)升高直到達(dá)到對(duì)應(yīng)于電流值的操作點(diǎn)。

發(fā)明內(nèi)容
另ー方面，當(dāng)在硅半導(dǎo)體基底中提供的p型阱內(nèi)形成具有n溝道驅(qū)動(dòng)晶體管!'tav的驅(qū)動(dòng)電路時(shí)，對(duì)于穩(wěn)定的操作，考慮其中P型阱處于固定電勢(shì)(例如，P型阱接地)的配置。換句話說(shuō)，當(dāng)將驅(qū)動(dòng)晶體管!'tav當(dāng)作四端晶體管時(shí)，考慮其中背柵極端接地的配置。然而，當(dāng)使用該配置吋，以下問(wèn)題可能出現(xiàn)。也就是說(shuō)，在使用該驅(qū)動(dòng)電路的發(fā)光元件ELP發(fā)光時(shí)，如上所述第二節(jié)點(diǎn)ND2的電勢(shì)升高。附帯地，由于p型阱的電勢(shì)中不存在變化，所以p型阱和驅(qū)動(dòng)晶體管Tltev的源極之間的電勢(shì)Vbs升高，并且驅(qū)動(dòng)晶體管Tltev中流過(guò)的電流Ids由于所謂背柵極效應(yīng)降低。結(jié)果，發(fā)光單元ELP的亮度變得比期望亮度低。因此，為了解決該現(xiàn)象，必需在背柵極效應(yīng)的前景中増大從視頻信號(hào)輸出電路102輸出的信號(hào)的值，導(dǎo)致了有機(jī)EL顯示設(shè)備的功耗增大的問(wèn)題。當(dāng)發(fā)光單元ELP劣化時(shí)，如圖23B的示意性視圖中所示，發(fā)光単元ELP的I-V特性劣化。因此，為了與劣化之前相同的電流在發(fā)光單元ELP中流過(guò)，必需進(jìn)ー步增大陽(yáng)極電極的電勢(shì)。附帶地，當(dāng)陽(yáng)極電極(對(duì)應(yīng)于第二節(jié)點(diǎn)ND2)的電勢(shì)進(jìn)ー步增大時(shí)，由于背柵極效應(yīng)與如上所述相同的問(wèn)題出現(xiàn)。因此期望提供ー種具有能夠抑制背柵極效應(yīng)的出現(xiàn)的配置或結(jié)構(gòu)的顯示設(shè)備，并且期望提供包括該顯示設(shè)備的電子裝置。本公開(kāi)的實(shí)施例指向包括多個(gè)發(fā)光元件的顯示設(shè)備，每個(gè)發(fā)光元件具有發(fā)光單元和用于驅(qū)動(dòng)該發(fā)光単元的驅(qū)動(dòng)電路。該驅(qū)動(dòng)電路至少包括(A)具有源極/漏極區(qū)域、溝道形成區(qū)域以及柵電極的驅(qū)動(dòng)晶體管，(B)具有源極/漏極區(qū)域、溝道形成區(qū)域以及柵電極的視頻信號(hào)寫(xiě)入晶體管，以及(C)電容單元。在驅(qū)動(dòng)晶體管中，(A-I)源扱/漏極區(qū)域的ー個(gè)區(qū)域連接到對(duì)應(yīng)的電流供應(yīng)線，(A-2)源扱/漏極區(qū)域的另一區(qū)域連接到發(fā)光單元并且連接到電容單元的一端，并且形成第二節(jié)點(diǎn)，以及(A-3)柵電極連接到視頻信號(hào)寫(xiě)入晶體管的源扱/漏極區(qū)域的另ー區(qū)域，并且連接到電容單元的另 一端，并且形成第一節(jié)點(diǎn)。在視頻信號(hào)寫(xiě)入晶體管中，(B-I)源扱/漏極區(qū)域的ー個(gè)區(qū)域連接到對(duì)應(yīng)的數(shù)據(jù)線，并且(B-2)柵電極連接到對(duì)應(yīng)的掃描線。驅(qū)動(dòng)晶體管形成在第一導(dǎo)電型硅半導(dǎo)體基底中的第二導(dǎo)電型第一阱內(nèi)形成的第一導(dǎo)電型第二阱中，視頻信號(hào)寫(xiě)入晶體管形成在第一導(dǎo)電型硅半導(dǎo)體基底中，并且驅(qū)動(dòng)晶體管的源扱/漏極區(qū)域的另ー區(qū)域和第ニ阱電連接在一起。本公開(kāi)的另一實(shí)施例指向包括根據(jù)本公開(kāi)的實(shí)施例的上述顯示設(shè)備的電子裝置。在根據(jù)本公開(kāi)實(shí)施例的顯示設(shè)備或根據(jù)本公開(kāi)的另一實(shí)施例的電子裝置的顯示設(shè)備中，驅(qū)動(dòng)晶體管的源扱/漏極區(qū)域的另ー區(qū)域和第二阱電連接在一起。由于該原因，當(dāng)驅(qū)動(dòng)晶體管的源扱/漏極區(qū)域的另ー區(qū)域的電勢(shì)升高或電壓增大時(shí)，第二阱的電勢(shì)也升高或電壓増大。因此，可能抑制背柵極效應(yīng)(也稱(chēng)為基底偏置效應(yīng))的出現(xiàn)，以取得驅(qū)動(dòng)電路的穩(wěn)定操作，并且抑制顯示設(shè)備或電子裝置的功耗的増大。


圖I是包括示例I的顯示設(shè)備或電子裝置的顯示設(shè)備中的驅(qū)動(dòng)電路的發(fā)光元件的示意性局部剖視圖。圖2A和2B分別是構(gòu)成示例I和2的顯示設(shè)備或電子裝置的顯示設(shè)備中的驅(qū)動(dòng)電路的驅(qū)動(dòng)晶體管和視頻信號(hào)寫(xiě)入晶體管的提取部分的示意性局部剖視圖。圖3是包括示例I的顯示設(shè)備或電子裝置的顯示設(shè)備中的驅(qū)動(dòng)電路的修改的發(fā)光元件的示意性局部剖視圖。圖4是構(gòu)成示例3的顯示設(shè)備或電子裝置的顯示設(shè)備的電路的概念圖。圖5是示例3的5Tr/lC驅(qū)動(dòng)電路的等效電路圖。圖6是示例3的5Tr/lC驅(qū)動(dòng)電路的示意性驅(qū)動(dòng)時(shí)序圖。圖7A-7D是示意性示出構(gòu)成示例3的5Tr/lC驅(qū)動(dòng)電路的姆個(gè)晶體管的通/斷狀態(tài)等的圖。圖8A-8E是在圖7D之后示意性示出構(gòu)成示例3的5Tr/lC驅(qū)動(dòng)電路的姆個(gè)晶體管的通/斷狀態(tài)等的圖。圖9是構(gòu)成示例4的顯示設(shè)備或電子裝置的顯示設(shè)備的電路的概念圖。
圖10是示例 4的4Tr/lC驅(qū)動(dòng)電路的等效電路圖。圖11是示例4的4Tr/lC驅(qū)動(dòng)電路的示意性驅(qū)動(dòng)時(shí)序圖。圖12A-12D是示意性示出構(gòu)成示例4的4Tr/lC驅(qū)動(dòng)電路的姆個(gè)晶體管的通/斷狀態(tài)等的圖。圖13A-13D是在圖12D之后示意性示出構(gòu)成示例4的4Tr/lC驅(qū)動(dòng)電路的每個(gè)晶體管的通/斷狀態(tài)等的圖。圖14是構(gòu)成示例5的顯示設(shè)備或電子裝置的顯示設(shè)備的電路的概念圖。圖15是示例5的3Tr/lC驅(qū)動(dòng)電路的等效電路圖。圖16是示例5的3Tr/lC驅(qū)動(dòng)電路的示意性驅(qū)動(dòng)時(shí)序圖。圖17A-17D是示意性示出構(gòu)成示例5的3Tr/lC驅(qū)動(dòng)電路的姆個(gè)晶體管的通/斷狀態(tài)等的圖。圖18A-18E是在圖17D之后示意性示出構(gòu)成示例5的3Tr/lC驅(qū)動(dòng)電路的每個(gè)晶體管的通/斷狀態(tài)等的圖。圖19是構(gòu)成示例I和6的顯示設(shè)備或電子裝置的顯示設(shè)備的電路的概念圖。圖20是示例I和6的2Tr/lC驅(qū)動(dòng)電路的等效電路圖。圖21是示例I和6的2Tr/lC驅(qū)動(dòng)電路的示意性驅(qū)動(dòng)時(shí)序圖。圖22A-22F是示意性示出構(gòu)成示例I和6的2Tr/lC驅(qū)動(dòng)電路的每個(gè)晶體管的通/斷狀態(tài)等的圖。圖23A是現(xiàn)有有機(jī)EL顯示設(shè)備的驅(qū)動(dòng)電路的電路圖，圖23B是示意性示出當(dāng)發(fā)光単元劣化時(shí)發(fā)光単元的I-V特性的劣化的圖。
具體實(shí)施例方式雖然以下將參考附圖與示例有關(guān)的描述本公開(kāi)，但是本公開(kāi)不限于示例，并且示例中的各種數(shù)值和材料用于圖示。將按以下順序提供描述。I.根據(jù)本公開(kāi)實(shí)施例的顯示設(shè)備和電子裝置的總體描述2.示例I (根據(jù)本公開(kāi)實(shí)施例的顯示設(shè)備和電子裝置)3.示例2 (示例I的修改)4.示例3 (示例I的另ー修改.5Tr/lC驅(qū)動(dòng)電路)5.示例4 (示例I的另ー修改.4Tr/lC驅(qū)動(dòng)電路)6.示例5 (示例I的另ー修改.3Tr/lC驅(qū)動(dòng)電路)7.示例6 (示例I的另ー修改.2Tr/lC驅(qū)動(dòng)電路)[根據(jù)本公開(kāi)實(shí)施例的顯示設(shè)備和電子裝置的總體描述]在根據(jù)本公開(kāi)實(shí)施例的顯示設(shè)備或電子裝置的顯示設(shè)備中，可以制造這樣的形式，其中在形成在第一導(dǎo)電型硅半導(dǎo)體基底中形成的第一導(dǎo)電型第三阱中形成視頻信號(hào)寫(xiě)入晶體管，并且第三阱在所有發(fā)光元件中處于相同電勢(shì)。在包括該形式的據(jù)本公開(kāi)實(shí)施例的顯示設(shè)備或電子裝置的顯示設(shè)備中，可以制造在每個(gè)發(fā)光元件中電隔離第一阱的形式。雖然p型用作第一導(dǎo)電型并且n型用作第二導(dǎo)電型，但是形式不限于此。第一導(dǎo)電型可以是n型并且第二導(dǎo)電型可以是p型。在根據(jù)本公開(kāi)實(shí)施例的顯示設(shè)備或電子裝置的顯示設(shè)備中，電流供應(yīng)線連接到電流供應(yīng)單元，數(shù)據(jù)線連接到視頻信號(hào)輸出電路，并且掃描線連接到掃描電路。電流供應(yīng)單元、視頻信號(hào)輸出電路和掃描電路通常包含在顯示設(shè)備中。例如，驅(qū)動(dòng)電路可以是具有兩個(gè)驅(qū)動(dòng)晶體管(驅(qū)動(dòng)晶體管和視頻"[目號(hào)與入晶體管)和一個(gè)電容単元的驅(qū)動(dòng)電路(稱(chēng)為“2Tr/lC”驅(qū)動(dòng)電路)的驅(qū)動(dòng)電路，具有兩個(gè)驅(qū)動(dòng)晶體管(驅(qū)動(dòng)晶體管、視頻信號(hào)寫(xiě)入晶體管和一個(gè)晶體管)和一個(gè)電容単元的驅(qū)動(dòng)電路(稱(chēng)為“3Tr/lC”驅(qū)動(dòng)電路)的驅(qū)動(dòng)電路，具有兩個(gè)驅(qū)動(dòng)晶體管(驅(qū)動(dòng)晶體管、視頻信號(hào)寫(xiě)入晶體管和兩個(gè)晶體管)和一個(gè)電容単元的驅(qū)動(dòng)電路(稱(chēng)為“4Tr/lC”驅(qū)動(dòng)電路)的驅(qū)動(dòng)電路，或者具有兩個(gè)驅(qū)動(dòng)晶體管(驅(qū)動(dòng)晶體管、視頻信號(hào)寫(xiě)入晶體管和三個(gè)晶體管)和一個(gè)電容単元的驅(qū)動(dòng)電路(稱(chēng)為“5Tr/lC”驅(qū)動(dòng)電路)的驅(qū)動(dòng)電路。具體地，發(fā)光單元可以具有有機(jī)電致發(fā)光發(fā)光單元(有機(jī)EL發(fā)光單元)。驅(qū)動(dòng)晶體管的源極/漏極區(qū)域的另一區(qū)域和第二阱電連接在一起。具體地，例如，第一導(dǎo)電型的連接區(qū)域提供在第二阱的表面區(qū)域中，驅(qū)動(dòng)晶體管的源極/漏極區(qū)域的連接和另一區(qū)域相互直接或通過(guò)導(dǎo)電材料層電連接在一起?？商娲?， 驅(qū)動(dòng)晶體管的源扱/漏極區(qū)域的連接區(qū)域和另一區(qū)域可以通過(guò)接觸孔、布線等電連接在一起。根據(jù)本公開(kāi)實(shí)施例的顯示設(shè)備或電子裝置的顯示設(shè)備可以具有其中執(zhí)行所謂單色顯示的配置或者這樣的配置，其中一個(gè)像素具有多個(gè)子像素，具體地，一個(gè)像素具有紅色發(fā)光子像素、綠色發(fā)光子像素和藍(lán)色發(fā)光子像素三個(gè)子像素。每個(gè)像素可以具有包括這些三種子像素和一種子像素或多種子像素的一組子像素(例如，一組子像素包括發(fā)射用于改進(jìn)亮度的白光的子像素，一組子像素包括發(fā)射用于擴(kuò)展色彩再現(xiàn)范圍的補(bǔ)色光的子像素，一組子像素包括發(fā)射用于擴(kuò)展色彩再現(xiàn)范圍的黃光的子像素，或者一組子像素包括發(fā)射用于擴(kuò)展色彩再現(xiàn)范圍的黃色和青色光的子像素)。根據(jù)本公開(kāi)實(shí)施例的顯示設(shè)備或電子裝置的顯示設(shè)備中，各種電路(諸如電流供應(yīng)單元、視頻信號(hào)輸出電路和掃描電路)、各種布線(諸如電流供應(yīng)線、數(shù)據(jù)線和掃描線)和發(fā)光單元的配置或結(jié)構(gòu)可以是已知的配置或結(jié)構(gòu)。具體地，例如，由有機(jī)EL發(fā)光單元構(gòu)成的發(fā)光單元可以具有例如陽(yáng)極電極、有機(jī)材料層(例如，具有其中空穴傳送層、發(fā)光層和電子傳送層層壓的結(jié)構(gòu))、陰極電極等。構(gòu)成驅(qū)動(dòng)電路的電容單元可以具有一個(gè)電極、另ー電極和插入這些電極之間的電介質(zhì)層(絕緣層)。構(gòu)成驅(qū)動(dòng)電路的晶體管和電容單元形成在硅半導(dǎo)體基底中，并且例如發(fā)光單元形成在通過(guò)絕緣夾層構(gòu)成驅(qū)動(dòng)電路的晶體管和電容單元之上。驅(qū)動(dòng)晶體管的源扱/漏極區(qū)域的另ー個(gè)例如通過(guò)接觸孔連接到發(fā)光單元的陽(yáng)極電扱。[示例 I]示例I涉及根據(jù)本公開(kāi)實(shí)施例的顯示設(shè)備和電子裝置，具體地涉及有機(jī)EL顯示設(shè)備和包括有機(jī)EL顯示設(shè)備的電子裝置。下文中，每個(gè)示例的顯示設(shè)備和電子裝置的顯示設(shè)備統(tǒng)一地簡(jiǎn)稱(chēng)為“示例的顯示設(shè)備”。圖I是包括示例I的顯示設(shè)備中的驅(qū)動(dòng)電路的發(fā)光元件的示意性局部剖視圖。圖2A是構(gòu)成驅(qū)動(dòng)電路的驅(qū)動(dòng)晶體管和視頻信號(hào)寫(xiě)入晶體管的提取部分的示意性局部剖視圖。圖20是包括示例I (其中驅(qū)動(dòng)電路是具有兩個(gè)晶體管Tltev和Tsig與一個(gè)電容単元C1的驅(qū)動(dòng)電路(2Tr/lC驅(qū)動(dòng)電路)的示例)的顯示設(shè)備中的驅(qū)動(dòng)電路的發(fā)光元件的等效電路圖。圖19是構(gòu)成顯示設(shè)備的電路的概念圖。在圖I的示意性局部剖視圖中，為了簡(jiǎn)化附圖，還包括沿不同的垂直虛擬平面得到的顯示設(shè)備的剖視圖。
示例I的顯示設(shè)備是具有多個(gè)發(fā)光元件I的顯示設(shè)備。姆個(gè)發(fā)光元件I包括發(fā)光単元(具體地，有機(jī)EL發(fā)光單元)ELP和用于驅(qū)動(dòng)發(fā)光單元ELP的驅(qū)動(dòng)電路。顯示設(shè)備具有按ニ維矩陣排列的NXM個(gè)像素。一個(gè)像素具有三個(gè)子像素(發(fā)射紅光的紅色發(fā)光子像素、發(fā)射綠光的綠色發(fā)光子像素和發(fā)射藍(lán)光的藍(lán)色發(fā)光子像素)。如圖19的電路的概念圖中所示,示例I的顯示設(shè)備包括(a)電流供應(yīng)單元100、(b)掃描電路101、(C)視頻信號(hào)輸出電路102、Cd)按ニ維矩陣排列的、在第一方向的N個(gè)發(fā)光兀件I和在不同于第一方向的第二方向(具體地，垂直于第一方向的方向)的M個(gè)發(fā)光元件I的總共NXM個(gè)發(fā)光元件I、(e)連接到電流供應(yīng)單元100并且在第一方向延伸的M個(gè)電流供應(yīng)線CSL、Cf)連接到掃描電路101并 且在第一方向延伸的M個(gè)掃描線SCL、以及(g)連接到視頻信號(hào)輸出電路102并且在第二方向延伸的N個(gè)數(shù)據(jù)線DTL。雖然在圖19中示出3X3個(gè)發(fā)光元件1，但是這僅僅用于圖示。電流供應(yīng)單元100或掃描電路101可以在掃描線SCL的一端排列，或者可以在兩端排列。驅(qū)動(dòng)電路至少包括(A)具有源極/漏極區(qū)域、溝道形成區(qū)域和柵電極的驅(qū)動(dòng)晶體管Ttav，(B)具有源極/漏極區(qū)域、溝道形成區(qū)域和柵電極的視頻信號(hào)寫(xiě)入晶體管Tsig,以及
(C)電容單元Q。具體地，驅(qū)動(dòng)晶體管Tltev和視頻信號(hào)寫(xiě)入晶體管Tsig是MOSFET。在驅(qū)動(dòng)晶體管Tltev中，(A-I)源極/漏極區(qū)域的ー個(gè)區(qū)域24連接到對(duì)應(yīng)的電流供應(yīng)線CSL、(A-2)源極/漏極區(qū)域的另一區(qū)域25連接到發(fā)光單元ELP以及連接到電容單元C1的一端，并且形成第二節(jié)點(diǎn)ND2,以及(A-3)柵電極21連接到視頻信號(hào)寫(xiě)入晶體管Tsig的源極/漏極區(qū)域的另一區(qū)域35，以及連接到電容單元C1的另一端，并且形成第一節(jié)點(diǎn)ND115在視頻信號(hào)寫(xiě)入晶體管Tsig中，(B-I)源極/漏極區(qū)域的ー個(gè)區(qū)域34連接到對(duì)應(yīng)的數(shù)據(jù)線DTL，以及(B-2)柵電極31連接到對(duì)應(yīng)的掃描線SCL。電容單元C1 (在圖I中由畫(huà)圈部分指示)具有一個(gè)電極41、另ー電極42、在這些電極41和42之間插入的電介質(zhì)層(絕緣層)43。在驅(qū)動(dòng)晶體管Itev中，源扱/漏極區(qū)域的ー個(gè)區(qū)域(在該示例中，具體地，在發(fā)光單元發(fā)光時(shí)用作漏極區(qū)域24的源扱/漏極區(qū)域。同樣應(yīng)用于以下描述)連接到電流供應(yīng)單元100。源扱/漏極區(qū)域的另ー個(gè)(在該示例中，具體地，在發(fā)光單元發(fā)光時(shí)用作源極區(qū)域25的源扱/漏極區(qū)域。同樣應(yīng)用于以下描述)連接到發(fā)光単元(有機(jī)EL發(fā)光單元)ELP的陽(yáng)極電極51，以及連接到電容單元C1的另ー電極42。柵電極連接到視頻信號(hào)寫(xiě)入晶體管Tsig的源扱/漏極區(qū)域的另ー區(qū)域(在該示例中，具體地，在視頻信號(hào)寫(xiě)入時(shí)用作源極區(qū)域35的源極/漏極區(qū)域。同樣應(yīng)用于以下描述)，以及連接到電容單元C1的一個(gè)電極41，并且形成第一節(jié)點(diǎn)ND115在視頻信號(hào)寫(xiě)入晶體管Tsig中，源扱/漏極區(qū)域的ー個(gè)區(qū)域(在該示例中，具體地，在視頻信號(hào)寫(xiě)入時(shí)用作漏極區(qū)域34的源極/漏極區(qū)域。同樣應(yīng)用于以下描述)連接到數(shù)據(jù)線DTL，并且柵電極31連接到掃描線SCL。注意參考標(biāo)號(hào)15表不隔離區(qū)域，參考標(biāo)號(hào)22和32表不柵極絕緣層，并且參考標(biāo)號(hào)23和33表示柵極側(cè)壁。驅(qū)動(dòng)晶體管Itev的漏極區(qū)域24通過(guò)接觸孔、接觸點(diǎn)70和電源供應(yīng)線CSL連接到電源供應(yīng)單元100。視頻信號(hào)寫(xiě)入晶體管Tsig的漏極區(qū)域34通過(guò)另ー接觸孔、另ー接觸點(diǎn)70和數(shù)據(jù)線DTL連接到視頻信號(hào)輸出電路102。視頻信號(hào)寫(xiě)入晶體管Tsig的柵電極31通過(guò)另ー接觸孔、另ー接觸點(diǎn)70和掃描線SCL連接到掃描電路101。電容單元C1的另ー電極42通過(guò)另ー接觸孔和另一接觸點(diǎn)70連接到發(fā)光單元ELP的陽(yáng)極電極51。提供接觸孔和接觸點(diǎn)70以便不與在第一方向延伸的掃描線SCL或電流供應(yīng)線CSL短路。圖I示出這樣的狀態(tài)。驅(qū)動(dòng)晶體管Tltev形成在第一導(dǎo)電型(p型)第二阱12內(nèi)，該第一導(dǎo)電型第二阱形成在第一導(dǎo)電型(在該示例中，具體地P型)硅半導(dǎo)體基底10中形成的第二導(dǎo)電型(在該示例中，具體地n型)第一阱11內(nèi)。視頻信號(hào)寫(xiě)入晶體管Tsig形成在第一導(dǎo)電型(p型)硅半導(dǎo)體基底10中形成的第一導(dǎo)電型(p型)第三阱13內(nèi)。驅(qū)動(dòng)晶體管Tltev的源極/漏極區(qū)域的另ー區(qū)域(漏極區(qū)域25)和第二阱12電連接在一起。具體地，第一導(dǎo)電型(p+)的連接區(qū)域26形成在第二阱12的表面區(qū)域中。驅(qū)動(dòng)晶體管Tltev的源極/漏極區(qū)域的連接區(qū)域26和另一區(qū)域25通過(guò)接觸孔17、布線等(具體地，電容單元C1的另ー電極42)電連接。第三阱13在所有發(fā)光元件中處于相同的電勢(shì)。具體地，第三阱13通過(guò)硅半導(dǎo)體基底10處于第一預(yù)定電勢(shì)(例如，地電勢(shì))。第一阱11在每個(gè)發(fā)光元件I中電隔離。具體地，構(gòu)成每個(gè)發(fā)光元件I的驅(qū)動(dòng)晶體管Tltev由隔離區(qū)域15包圍，并且第一阱11由通過(guò)P型硅半導(dǎo)體基底10構(gòu)成的p型半導(dǎo)體層包圍。第一阱11用作關(guān)于第二阱12的保護(hù)環(huán)。第 ー阱11通過(guò)布線(未示出)處于第二預(yù)定電勢(shì)(例如，電源電勢(shì))。如作為包括示例I的顯示設(shè)備中的驅(qū)動(dòng)電路的修改的發(fā)光元件的示意性局部剖視圖的圖3所示，作為與第三阱13相同的第一導(dǎo)電型(p型)的阱(第四阱14)可以形成在硅半導(dǎo)體基底10的區(qū)域中，其中驅(qū)動(dòng)晶體管Tltev要與第三阱13的形成同時(shí)形成，并且第一阱11和第二阱12可以提供在第一導(dǎo)電型(p型)第四阱14內(nèi)?？商娲?，換句話說(shuō)，示例I的顯示設(shè)備具有多個(gè)發(fā)光元件，每個(gè)發(fā)光元件具有發(fā)光単元和用于驅(qū)動(dòng)該發(fā)光単元的驅(qū)動(dòng)電路。驅(qū)動(dòng)電路至少包括發(fā)光單元ELP、電容單元C1.由MOSFET構(gòu)成并且保持電容單元C1中的驅(qū)動(dòng)信號(hào)(亮度信號(hào))Vsig的視頻信號(hào)寫(xiě)入晶體管TSig、以及由MOSFET構(gòu)成并且基于電容單元C1中保持的驅(qū)動(dòng)信號(hào)(亮度信號(hào))Vsig驅(qū)動(dòng)發(fā)光單元ELP的驅(qū)動(dòng)晶體管Tfcv。驅(qū)動(dòng)晶體管！'tav形成在第一導(dǎo)電型第二阱12內(nèi)，該第一導(dǎo)電型第二阱12形成在第一導(dǎo)電型硅半導(dǎo)體基底10中形成的第二導(dǎo)電型第一阱11內(nèi)，視頻信號(hào)寫(xiě)入晶體管Tsig形成在第一導(dǎo)電型硅半導(dǎo)體基底10中，并且驅(qū)動(dòng)晶體管Tltev的源極/漏極區(qū)域的另一區(qū)域和第二阱12電連接在一起。硅半導(dǎo)體基底10中提供的驅(qū)動(dòng)晶體管Tltev和視頻信號(hào)寫(xiě)入晶體管Tsig用絕緣夾層61覆蓋。電容單元C1的另ー電極42和電介質(zhì)層(絕緣層)43形成在絕緣夾層61上，并且電容單元C1的一個(gè)電極41形成在電介質(zhì)層(絕緣層)43上。絕緣夾層61形成在電介質(zhì)層(絕緣層)43和電容單元C1的一個(gè)電極41上，并且掃描線SCL形成在絕緣夾層62上。絕緣夾層63形成在絕緣夾層62和掃描SCL上，并且數(shù)據(jù)線DTL形成在絕緣夾層63上。絕緣夾層64形成在絕緣夾層63和數(shù)據(jù)線DTL上，并且電流供應(yīng)線CSL形成在絕緣夾層64上。絕緣夾層65形成在絕緣夾層64和電流供應(yīng)線CSL上，并且構(gòu)成發(fā)光單元ELP的陽(yáng)極電極51形成在絕緣夾層65上。陽(yáng)極電極51暴露在其底部的具有開(kāi)ロ的絕緣夾層66形成在絕緣夾層65和陽(yáng)極電極51上,構(gòu)成發(fā)光單兀ELP的空穴傳送層、發(fā)光層、電子傳送層(具有這些層的層疊結(jié)構(gòu)的有機(jī)材料層52)和陰極電極53形成在絕緣夾層66和陽(yáng)極電極51上，并且絕緣夾層67形成在陰極電極53上。玻璃板(未示出)通過(guò)粘合劑層(未示出)粘貼到絕緣夾層67上。在一些情況下，不必執(zhí)行有機(jī)材料層52和陰極電極53的圖案形成。掃描線SCL、數(shù)據(jù)線DTL和電流供應(yīng)線CSL的層疊順序不限于上述層疊順序，并且是固有地任意的。上面描述的發(fā)光元件I可以通過(guò)已知方法制造，并且制造發(fā)光元件I時(shí)使用的各種材料可以是已知材料。將在以下描述的示例6中描述示例I的驅(qū)動(dòng)電路的操作。在示例I的顯示設(shè)備中，由于構(gòu)成驅(qū)動(dòng)電路的驅(qū)動(dòng)晶體管的源極/漏極區(qū)域的另一區(qū)域和第二阱電連接在一起，當(dāng)驅(qū)動(dòng)晶體管的源極/漏極區(qū)域的另一區(qū)域的電勢(shì)升高或電壓增大時(shí)，第二阱的電勢(shì)也升高或電壓増大。相應(yīng)地，可能抑制背柵極效應(yīng)的出現(xiàn)，以獲得驅(qū)動(dòng)電路的穩(wěn)定操作，并且抑制顯示設(shè)備的功耗的增加。雖然在現(xiàn)有技術(shù)中，必需排序用于控制以下描述的發(fā)光単元ELP中的亮度的驅(qū)動(dòng)信號(hào)(亮度信號(hào))Vsig的寬信號(hào)動(dòng)態(tài)范圍，但是在根據(jù)本公開(kāi)實(shí)施例的驅(qū)動(dòng)電路中，變得可能設(shè)置窄信號(hào)動(dòng)態(tài)范圍和抑制數(shù)據(jù)線的充電/放電電流，從而對(duì)顯示設(shè)備的低功耗做出貢獻(xiàn)。因?yàn)轵?qū)動(dòng)晶體管的源極/漏極區(qū)域的另ー區(qū)域和第二阱電連接在一起，所以當(dāng)發(fā)光單元ELP劣化時(shí)發(fā)光単元ELP的I-V特性劣化。因此即使當(dāng)陽(yáng)極電極的電勢(shì)較高時(shí)，也不出現(xiàn)問(wèn)題。 [示例2]示例2是示例I的修改。圖2B是構(gòu)成示例2的顯示設(shè)備中的驅(qū)動(dòng)電路的驅(qū)動(dòng)晶體管和視頻信號(hào)寫(xiě)入晶體管的提取部分的示意性局部剖視圖。在示例2中，第一導(dǎo)電型(p+)的連接區(qū)域26提供在第二阱12的表面區(qū)域。與第一示例的不同在于導(dǎo)電材料層27(具體地，金屬硅化物層)形成在連接區(qū)域26和源極區(qū)域25的表面上。利用該配置，可能可靠地將驅(qū)動(dòng)晶體管Tltev的源極/漏極區(qū)域的另一區(qū)域(源極區(qū)域25)和第二阱電連接在一起。具體地，導(dǎo)電材料層27可以通過(guò)SALICADE (自對(duì)準(zhǔn)硅化物(self-alignedsilicide))處理形成。也就是說(shuō)，在驅(qū)動(dòng)晶體管Tltev的柵極絕緣層22的形成、柵電極21的形成、用于形成LDD結(jié)構(gòu)的離子注入、柵極側(cè)壁23的形成、基于離子注入的源扱/漏極區(qū)域24和25的形成、以及基于離子注入的連接區(qū)域26的形成之后，在整個(gè)表面上形成金屬層(例如，鈷層)。執(zhí)行熱處理，并且硅半導(dǎo)體基底10中的硅原子與金屬層中的金屬原子反應(yīng)以形成金屬硅化物層。因此，形成導(dǎo)電材料層27。此時(shí)，金屬硅化物層可以形成在柵電極21的頂部表面上。其后，移除不與硅原子反應(yīng)的金屬層，并且退火金屬硅化物層以穩(wěn)定金屬硅化物層。以該方式，可能獲得穩(wěn)定地將驅(qū)動(dòng)晶體管Tltev的源扱/漏極區(qū)域的另ー區(qū)域(源極區(qū)域25)和第二阱電連接在一起的導(dǎo)電材料層27。[示例3]在以下描述的示例3或示例4-6中，執(zhí)行根據(jù)本公開(kāi)實(shí)施例的驅(qū)動(dòng)電路的操作。例如，以下描述的示例3或示例4-6中的驅(qū)動(dòng)驅(qū)動(dòng)電路的方法的概述如下。也就是說(shuō)，驅(qū)動(dòng)驅(qū)動(dòng)電路的方法包括以下步驟Ca)執(zhí)行用于施加第一節(jié)點(diǎn)初始化電壓到第一節(jié)點(diǎn)ND1并且施加第二節(jié)點(diǎn)初始化電壓到第二節(jié)點(diǎn)ND2的預(yù)處理，以便第一節(jié)點(diǎn)ND1和第二節(jié)點(diǎn)ND2之間的電勢(shì)差超過(guò)驅(qū)動(dòng)晶體管Itev的閾值電壓Vth，并且第二節(jié)點(diǎn)ND2和發(fā)光單元ELP的陰極電極之間的電勢(shì)差不超過(guò)發(fā)光單元ELP的閾值電壓Vth_EP，(b)在保持第一節(jié)點(diǎn)ND1的電勢(shì)以増大第二節(jié)點(diǎn)ND2的電勢(shì)的狀態(tài)下，設(shè)置驅(qū)動(dòng)晶體管Tltev的漏極區(qū)域的電勢(shì)高于在步驟(a)中的第二節(jié)點(diǎn)ND2的電勢(shì)，并且執(zhí)行用于使第一節(jié)點(diǎn)ND1和第二節(jié)點(diǎn)ND2之間的電勢(shì)差接近于驅(qū)動(dòng)晶體管Tltev的閾值電壓Vth的閾值電壓取消處理，(c)執(zhí)行用于通過(guò)響應(yīng)于來(lái)自掃描線SCL的信號(hào)變?yōu)閷?dǎo)通狀態(tài)的視頻信號(hào)寫(xiě)入晶體管Tsig施加來(lái)自數(shù)據(jù)線DTL的視頻信號(hào)電壓到第一節(jié)點(diǎn)ND1的寫(xiě)入處理，并且將驅(qū)動(dòng)晶體管Tltev置入導(dǎo)通狀態(tài)，Cd)響應(yīng)于來(lái)自掃描線SCL的信號(hào)將視頻信號(hào)寫(xiě)入晶體管Tsig置入截止?fàn)顟B(tài)，以將第一節(jié)點(diǎn)ND1置入浮置狀態(tài)，以及(e)允許基于第一節(jié)點(diǎn)ND1和第二節(jié)點(diǎn)ND2之間的電勢(shì)差的值的電流通過(guò)驅(qū)動(dòng)晶體管Tnrv從電流供應(yīng)單元100流入到發(fā)光單元ELP，以驅(qū)動(dòng)發(fā)光單元ELP。如上所述，在步驟(b)中，執(zhí)行其中使第一節(jié)點(diǎn)和第二節(jié)點(diǎn)之間的電勢(shì)差接近驅(qū)動(dòng)晶體管的閾值電壓的閾值電壓取消處理。質(zhì)量上的，在閾值電壓取消處理中，使第一節(jié)點(diǎn)ND1和第二節(jié)點(diǎn)ND2之間的電勢(shì)差(換句話說(shuō)，驅(qū)動(dòng)晶體管Itev的柵電極22和源極區(qū)域25之間的電勢(shì)差Vsg)如何接近驅(qū)動(dòng)晶體管Tltev的閾值電壓Vth取決于閾值電壓取消處理的時(shí)間。相應(yīng)地，例如，在確保閾值電壓取消處理的充足時(shí)間的形式中，第一節(jié)點(diǎn)ND1和第二節(jié)點(diǎn)ND2之間的電勢(shì)差達(dá)到驅(qū)動(dòng)晶體管Itev的閾值電壓Vth，并且驅(qū)動(dòng)晶體管Tltev置入截止?fàn)顟B(tài)。在閾值電壓取消處理的時(shí)間僅必需設(shè)置短的形式下，第一節(jié)點(diǎn)ND1和第二節(jié)點(diǎn)ND2之間的電勢(shì)差大于驅(qū)動(dòng)晶體管Tltev的閾值電壓Vth，并且驅(qū)動(dòng)晶體管Tltev可以不置入截止?fàn)顟B(tài)。作為閾 值電壓取消處理的結(jié)果，驅(qū)動(dòng)晶體管Tltev置入截止?fàn)顟B(tài)不是必需的。假設(shè)線順序驅(qū)動(dòng)構(gòu)成每個(gè)像素的發(fā)光元件，并且顯示幀速率是FR (次/秒)。也就是說(shuō)，同時(shí)驅(qū)動(dòng)構(gòu)成在第m (其中m=l，2，3， ，和M)行中排列的N個(gè)像素(3XN個(gè)子像素)的發(fā)光元件。換句話說(shuō)，在構(gòu)成一行的發(fā)光元件的每個(gè)中，按照這些發(fā)光元件所屬的行控制發(fā)光/不發(fā)光定吋。用于將視頻信號(hào)寫(xiě)入到構(gòu)成一行的每個(gè)像素的處理可以是用于同時(shí)寫(xiě)入視頻信號(hào)到所有像素的處理(同時(shí)寫(xiě)入處理)，或者用于順序?qū)懭胍曨l信號(hào)到每個(gè)像素的處理(順序?qū)懭胩幚??？梢愿鶕?jù)發(fā)光元件或驅(qū)動(dòng)電路的配置適當(dāng)?shù)剡x擇這些寫(xiě)入處理。下文中，將描述構(gòu)成第m行和第n (其中n=l，2，3， ，和N)列中的像素的ー個(gè)子像素的發(fā)光元件的驅(qū)動(dòng)或操作。相關(guān)子像素或發(fā)光元件下文中稱(chēng)為第(n，m)個(gè)子像素或第(n，m)個(gè)發(fā)光元件。執(zhí)行各種處理(閾值電壓取消處理、寫(xiě)入處理、以及以下描述的遷移率校正處理)，直到在第m行中排列的每個(gè)發(fā)光元件的水平掃描時(shí)段(第m個(gè)水平掃描時(shí)段)結(jié)束。在第m個(gè)水平掃描時(shí)段中執(zhí)行寫(xiě)入處理或遷移率校正處理是必須的。取決于發(fā)光元件或驅(qū)動(dòng)電路的類(lèi)型，閾值電壓取消處理或相關(guān)的處理可以在第m個(gè)水平掃描時(shí)段之前執(zhí)行。在上述各種處理結(jié)束之后，構(gòu)成第m行中排列的每個(gè)發(fā)光元件的發(fā)光單元發(fā)光。發(fā)光單元可以立刻或在上述各種處理結(jié)束之后過(guò)去預(yù)定時(shí)段(例如，用于預(yù)定數(shù)量的行的水平掃描時(shí)段)時(shí)發(fā)光。可以根據(jù)顯示設(shè)備的規(guī)格、發(fā)光元件或驅(qū)動(dòng)電路的配置等，適當(dāng)?shù)卦O(shè)置預(yù)定時(shí)段。在以下的描述中，為了描述方便，假設(shè)發(fā)光単元在各種處理結(jié)束之后立刻發(fā)光。構(gòu)成第m行中排列的每個(gè)發(fā)光元件的發(fā)光單元的發(fā)光在緊接第(m+m’)行中排列的每個(gè)發(fā)光元件的水平掃描時(shí)段的開(kāi)始之前持續(xù)。顯示設(shè)備的設(shè)計(jì)規(guī)范確定“m’”。也就是說(shuō)，在某一顯不巾貞中構(gòu)成第m行中排列的姆個(gè)發(fā)光兀件的發(fā)光單兀的發(fā)光持續(xù)直到第(m+m’ -I)個(gè)水平掃描時(shí)段。構(gòu)成第m行中排列的每個(gè)發(fā)光元件的發(fā)光單元從第(m+m’)個(gè)水平掃描時(shí)段的開(kāi)始維持在不發(fā)光狀態(tài)，直到在下一顯示幀中的第m個(gè)水平掃描時(shí)段內(nèi)完成寫(xiě)入處理或遷移率校正處理。如果提供上述不發(fā)光狀態(tài)的時(shí)段(下文中，簡(jiǎn)稱(chēng)為不發(fā)光時(shí)段)，可以減少由于主動(dòng)矩陣驅(qū)動(dòng)導(dǎo)致的余像模糊，并且可以獲得優(yōu)秀的運(yùn)動(dòng)圖像質(zhì)量。每個(gè)子像素(發(fā)光元件)的發(fā)光狀態(tài)/不發(fā)光狀態(tài)不限于以上描述的狀態(tài)。水平掃描時(shí)段的時(shí)間長(zhǎng)度是小于(1/FR)X (1/M)的時(shí)間長(zhǎng)度。當(dāng)(m+m’)的值超過(guò)M時(shí)，在下一顯示幀中處理超出的水平掃描時(shí)段。在以下的描述中，一個(gè)晶體管的兩個(gè)源極/漏極區(qū)域中，術(shù)語(yǔ)“源極/漏極區(qū)域的ー個(gè)區(qū)域”意味著連接到電流供應(yīng)單元或電源單元的源扱/漏極區(qū)域。當(dāng)晶體管處于導(dǎo)通狀態(tài)時(shí)，這意味著在源扱/漏極區(qū)域之間形成溝道的狀態(tài)。電流是否從某一晶體管的源極/漏極區(qū)域的ー個(gè)區(qū)域流到源極/漏極區(qū)域的另一區(qū)域無(wú)關(guān)緊要。當(dāng)晶體管處于截止?fàn)顟B(tài)時(shí)，這意味著在源極/漏極區(qū)域之間不形成溝道。當(dāng)某一晶體管的源極/漏極區(qū)域連接到另一晶體管的源極/漏極區(qū)域時(shí)，這包括其中某一晶體管的源極/漏極區(qū)域和另一晶體管的源扱/漏極區(qū)域占據(jù)相同的區(qū)域的形式。源扱/漏極區(qū)域可以由導(dǎo)電材料(諸如包含雜質(zhì)的多晶硅和非晶硅)形成，或者可以由金屬、合金、導(dǎo)電粒子、其層疊結(jié)構(gòu)或有機(jī)材料(導(dǎo)電聚合物)制造的層形成。在以下描述中使用的時(shí)序圖中，示意性地示出表示每個(gè)時(shí)段的水平軸的長(zhǎng)度(時(shí)間長(zhǎng)度)，并且該水平軸的長(zhǎng)度不意圖表示每個(gè)時(shí)段的時(shí)間長(zhǎng)度的比率。具體地，示例3的驅(qū)動(dòng)電路是具有五個(gè)晶體管和一個(gè)電容単元C1的驅(qū)動(dòng)電路(5Tr/lC驅(qū)動(dòng)電路)。圖4是構(gòu)成示例3的顯示設(shè)備的電路概念圖。圖5是5Tr/lC驅(qū)動(dòng)電路的等效電路圖。圖6是不意性驅(qū)動(dòng)時(shí)序圖。圖7A-7D和8A-8E不意性不出甸個(gè)晶體管的·導(dǎo)通/截止?fàn)顟B(tài)等。在以下描述的圖7A-7D、8A-8E和12A-12D、13A-13D、17A-17D、18A-18E以及22A-22F中，驅(qū)動(dòng)晶體管的源極/漏極區(qū)域的另一區(qū)域和第二阱的電連接未示出。5Tr/lC驅(qū)動(dòng)電路具有不例I或2中描述的視頻イ目號(hào)與入晶體管Tsig和驅(qū)動(dòng)晶體管Ttov、發(fā)光控制晶體管Ta—。、第一節(jié)點(diǎn)初始化晶體管Tndi、第二節(jié)點(diǎn)初始化晶體管Tnd2五個(gè)晶體管和一個(gè)電容単元Q。[發(fā)光控制晶體管TaJ發(fā)光控制晶體管Ta c的源極/漏極區(qū)域之一連接到電流供應(yīng)單元(ん)100，并且發(fā)光控制晶體管Ta c的源極/漏極區(qū)域另ー區(qū)域連接到驅(qū)動(dòng)晶體管Tltev的源極/漏極區(qū)域的ー個(gè)區(qū)域。發(fā)光控制晶體管Ta e的導(dǎo)通/截止操作由連接到發(fā)光控制晶體管Ta e的柵電極的發(fā)光控制晶體管控制線CLa e控制。[驅(qū)動(dòng)晶體管Tllrv]如上所述，驅(qū)動(dòng)晶體管Tltev的源極/漏極區(qū)域的ー個(gè)區(qū)域連接到發(fā)光控制晶體管Tel c的源極/漏極區(qū)域的另一區(qū)域。即，驅(qū)動(dòng)晶體管Tltev通過(guò)發(fā)光控制晶體管Ta e連接到電流供應(yīng)單元100。源極/漏極區(qū)域的另一區(qū)域驅(qū)動(dòng)晶體管Tltev的源極/漏極區(qū)域的另ー個(gè)連接到(I)發(fā)光單元ELP的陽(yáng)極電扱，(2)第二節(jié)點(diǎn)初始化晶體管Tnd2的源扱/漏極區(qū)域的另一區(qū)域，以及(3)電容單元C1的一個(gè)電極，并且形成第二節(jié)點(diǎn)ND2。驅(qū)動(dòng)晶體管Tltev的柵電極連接到(I)視頻信號(hào)寫(xiě)入晶體管Tsig的源扱/漏極區(qū)域的另ー區(qū)域，(2)第一節(jié)點(diǎn)初始化晶體管Tnm的源扱/漏極區(qū)域的另ー區(qū)域，以及(3)電容單元C1的另ー電極，并且形成第一節(jié)點(diǎn)ND115在發(fā)光單元ELP的發(fā)光狀態(tài)下，這樣驅(qū)動(dòng)驅(qū)動(dòng)晶體管Itev,以便漏極電流Ids根據(jù)表達(dá)式I流動(dòng)。在發(fā)光單元ELP的發(fā)光狀態(tài)下，驅(qū)動(dòng)晶體管Tltev的源極/漏極區(qū)域的ー個(gè)區(qū)域操作為漏極區(qū)域，并且源扱/漏極區(qū)域的另ー區(qū)域操作為源極區(qū)域。如示例I中所述，下文中驅(qū)動(dòng)晶體管Tltev的源極/漏極區(qū)域的ー個(gè)區(qū)域簡(jiǎn)稱(chēng)為漏極區(qū)域，源極/漏極區(qū)域的另一區(qū)域簡(jiǎn)稱(chēng)為源極區(qū)域。U :有效遷移率
L :溝道長(zhǎng)度W :溝道寬度Vgs :柵電極和源極區(qū)域之間的電勢(shì)差Vth:閾值電壓Cox (柵極絕緣層的相對(duì)介電常數(shù))X (真空介電常數(shù))/ (柵極絕緣層的厚度)k = (1/2) (W/L) Cox Ids=k * U (Vgs-Vth)2... (I)如果漏極電流Ids在發(fā)光單元ELP中流過(guò)，發(fā)光單元ELP發(fā)光。取決于漏極電流Ids值的量值控制發(fā)光單元ELP的發(fā)光狀態(tài)(亮度)。[視頻信號(hào)寫(xiě)入晶體管Tsig]如示例I中所述，視頻信號(hào)寫(xiě)入晶體管Tsig的源極/漏極區(qū)域的另一區(qū)域連接到驅(qū)動(dòng)晶體管Tltev的柵電扱。用于控制發(fā)光單元ELP的亮度的驅(qū)動(dòng)信號(hào)(亮度信號(hào))Vsig從視頻信號(hào)輸出電路102通過(guò)數(shù)據(jù)線DTL提供到源極/漏極區(qū)域的ー個(gè)區(qū)域。不同于Vsig的各種信號(hào)/電壓(用于預(yù)充電驅(qū)動(dòng)的信號(hào)、各種參考電壓等)可以通過(guò)數(shù)據(jù)線DTL提供到源極/漏極區(qū)域的ー個(gè)區(qū)域。視頻信號(hào)寫(xiě)入晶體管Tsig的導(dǎo)通/截止操作通過(guò)連接到視頻信號(hào)寫(xiě)入晶體管Tsig的柵電極的掃描線SCL控制。[第一節(jié)點(diǎn)初始化晶體管Tndi]如上所述，第一節(jié)點(diǎn)初始化晶體管Tnm的源極/漏極區(qū)域的另一區(qū)域連接到驅(qū)動(dòng)晶體管Tltev的柵電扱。用于初始化第一節(jié)點(diǎn)ND1的電勢(shì)的電壓Vms (即驅(qū)動(dòng)晶體管Tltev的柵電極的電勢(shì))提供到第一節(jié)點(diǎn)初始化晶體管Tnm的源極/漏極區(qū)域的ー個(gè)區(qū)域。第一節(jié)點(diǎn)初始化晶體管Tndi的導(dǎo)通/截止操作通過(guò)連接到第一節(jié)點(diǎn)初始化晶體管Tndi的柵電極的第一節(jié)點(diǎn)初始化晶體管控制線AZndi控制。第一節(jié)點(diǎn)初始化晶體管控制線AZndi連接到第一節(jié)點(diǎn)初始化晶體管控制電路104。[第二節(jié)點(diǎn)初始化晶體管Tnd2]如上所述，第二節(jié)點(diǎn)初始化晶體管Tnd2的源極/漏極區(qū)域的另一區(qū)域連接到驅(qū)動(dòng)晶體管Tltev的源極區(qū)域。用于初始化第二節(jié)點(diǎn)ND2的電勢(shì)的電壓Vss (即驅(qū)動(dòng)晶體管Tltev的源極區(qū)域的電勢(shì))提供到第二節(jié)點(diǎn)初始化晶體管Tnd2的源極/漏極區(qū)域的ー個(gè)區(qū)域。第二節(jié)點(diǎn)初始化晶體管Tnd2的導(dǎo)通/截止操作通過(guò)連接到第二節(jié)點(diǎn)初始化晶體管Tnd2的柵電極的第二節(jié)點(diǎn)初始化晶體管控制線AZnd2控制。第二節(jié)點(diǎn)初始化晶體管控制線AZnd2連接到第ニ節(jié)點(diǎn)初始化晶體管控制電路105。[發(fā)光單元ELP]如上所述，發(fā)光單元ELP的陽(yáng)極電極連接到驅(qū)動(dòng)晶體管Tltev的源極區(qū)域。電壓Vcat施加到發(fā)光單元ELP的陰極電扱。發(fā)光單元ELP的寄生電容由參考標(biāo)號(hào)Ca表示。假設(shè)發(fā)光單元ELP的發(fā)光要求的閾值電壓是Vth_a。也就是說(shuō)，如果等于或高于Vthi的電壓施加在發(fā)光單元ELP的陽(yáng)極電極和陰極電極之間，發(fā)光単元ELP發(fā)光。雖然在以下的描述中，電壓或電勢(shì)的值如下，但是這些值僅僅用于說(shuō)明，并且電壓或電勢(shì)不限于這些值。Vsig :用于控制發(fā)光單元ELP的亮度的驅(qū)動(dòng)信號(hào)(亮度信號(hào))…OV到IOVVcc :用于控制發(fā)光單元ELP的發(fā)光的電流供應(yīng)單元的電壓…20V
V0fs :用于初始化驅(qū)動(dòng)晶體管Tltev的柵電極的電勢(shì)的電壓(第一節(jié)點(diǎn)ND1的電勢(shì))…OVVss :用于初始化驅(qū)動(dòng)晶體管Itev的漏極區(qū)域的電勢(shì)的電壓(第二節(jié)點(diǎn)ND2的電勢(shì))…-IOVVth=驅(qū)動(dòng)晶體管Tltev的閾值電壓…3VVcat :施加到發(fā)光單元ELP的陰極電極的電壓…OVVthi :發(fā)光單元ELP的閾值電壓…3V下文中，將描述5Tr/lC驅(qū)動(dòng)電路。如上所述，雖然將描述在各種處理(閾值電壓取消處理、寫(xiě)入處理和遷移率校正處理)完成之后發(fā)光狀態(tài)立刻開(kāi)始的情況，但是形式不限于 此。同樣適用于以下描述的4Tr/lC驅(qū)動(dòng)電路、3Tr/lC驅(qū)動(dòng)電路和2Tr/lC驅(qū)動(dòng)電路。[時(shí)段-TP(5) _J (參見(jiàn)圖6和圖7)[時(shí)段-TP(5) _J是例如在先前的顯示幀中的操作，以及在各種先前的處理完成之后是第(n，m)個(gè)發(fā)光単元ELP處于發(fā)光狀態(tài)的時(shí)段。也就是說(shuō)，基于表達(dá)式(5)的漏極電流I’ ds在構(gòu)成第(n, m)個(gè)子像素的發(fā)光單元ELP中流動(dòng),并且構(gòu)成第(n, m)個(gè)發(fā)光單元ELP的亮度具有對(duì)應(yīng)于相關(guān)漏極電流I’ds的值。視頻信號(hào)寫(xiě)入晶體管Tsig、第一節(jié)點(diǎn)初始化晶體管Tm、以及第二節(jié)點(diǎn)初始化晶體管Tnd2處于截止?fàn)顟B(tài)，并且發(fā)光控制晶體管Ta c和驅(qū)動(dòng)晶體管!'DCT處于導(dǎo)通狀態(tài)。緊接第(m+m’)行中排列的發(fā)光單元ELP的水平掃描時(shí)段的開(kāi)始之前，第(n，m)個(gè)發(fā)光單元ELP的發(fā)光狀態(tài)持續(xù)。圖6中示出的[時(shí)段-TP (5)。]到[時(shí)段-TP (5)4]是從發(fā)光狀態(tài)結(jié)束時(shí)起在完成各種先前的處理之后緊接執(zhí)行下一寫(xiě)入處理之前的操作時(shí)段。也就是說(shuō)，[時(shí)段-TP (5)0]到[時(shí)段-TP(5)4]是從先前的顯示幀中的第(m+m’)個(gè)水平掃描時(shí)段開(kāi)始直到在當(dāng)前顯示幀中第(m-1)個(gè)水平掃描時(shí)段的結(jié)束的某一時(shí)間長(zhǎng)度的時(shí)段。[時(shí)段-TP (5)0]到[時(shí)段-TP (5) J可以包括在當(dāng)前顯示幀中的第m個(gè)水平掃描時(shí)段內(nèi)。在[時(shí)段-TP (5)0]到[時(shí)段-TP (5)4]中，第(n，m)個(gè)發(fā)光単元ELP處于不發(fā)光狀態(tài)。也就是說(shuō)，在[時(shí)段-TP (5)0]到[時(shí)段-TP (5) J和[時(shí)段-TP (5)3]到[時(shí)段-TP (5)4]中，由于發(fā)光控制晶體管Tac處于截止?fàn)顟B(tài)，所以發(fā)光單元ELP不發(fā)光。在[時(shí)段-TP (5)2]中，發(fā)光控制晶體管Tae處于導(dǎo)通狀態(tài)。然而，在該時(shí)段中，執(zhí)行以下描述的閾值電壓取消處理。雖然以下將詳細(xì)描述閾值電壓取消處理，但是如果假設(shè)滿足表達(dá)式(2)，發(fā)光單元ELP不發(fā)光。下文中，將首先描述[時(shí)段-TP (5)0]到[時(shí)段-TP (5)4]的每個(gè)時(shí)段。注意可以根據(jù)顯示設(shè)備的設(shè)計(jì)適當(dāng)?shù)卦O(shè)置[時(shí)段-TP (5)J的開(kāi)始的長(zhǎng)度或[時(shí)段-TP (5)J到[時(shí)段-TP (5)4]的每個(gè)時(shí)段。[時(shí)段-TP(5) 0]如上所述，在[時(shí)段-TP (5)J，第(n，m)個(gè)發(fā)光単元ELP處于不發(fā)光狀態(tài)。視頻信號(hào)寫(xiě)入晶體管Tsig、第一節(jié)點(diǎn)初始化晶體管Tndi、以及第ニ節(jié)點(diǎn)初始化晶體管Tnd2處于截止?fàn)顟B(tài)。在從[時(shí)段-TP (5)_J到[時(shí)段-TP (5)0]變化的時(shí)間，因?yàn)榘l(fā)光控制晶體管Tel。置入截止?fàn)顟B(tài)，所以第二節(jié)點(diǎn)ND2 (驅(qū)動(dòng)晶體管Tltev的源極區(qū)域或發(fā)光單元ELP的陽(yáng)極電扱)的電勢(shì)下降到(Vthi+Veat)，并且發(fā)光単元ELP置入不發(fā)光狀態(tài)。為了跟隨第二節(jié)點(diǎn)ND2的電勢(shì)下降，在浮置狀態(tài)下的第一節(jié)點(diǎn)ND1 (驅(qū)動(dòng)晶體管Tltev的柵電極)的電勢(shì)也下降。
[時(shí)段-TP(5)J (參見(jiàn)圖 7B 和 7C)在[時(shí)段-TP (5)J中執(zhí)行以下描述的用于執(zhí)行閾值電壓取消處理的預(yù)處理。也就是說(shuō)，在[時(shí)段-TP (5) J的開(kāi)始的時(shí)間，如果第一節(jié)點(diǎn)初始化晶體管控制線AZndi和第ニ節(jié)點(diǎn)初始化晶體管控 制線AZnd2基于第一節(jié)點(diǎn)初始化晶體管控制電路104和第二節(jié)點(diǎn)初始化晶體管控制電路105的操作處于高電平，第一節(jié)點(diǎn)初始化晶體管Tndi和第二節(jié)點(diǎn)初始化晶體管Tnd2置入導(dǎo)通狀態(tài)。結(jié)果，第一節(jié)點(diǎn)ND1的電勢(shì)變?yōu)閂ms (例如0V)。第二節(jié)點(diǎn)ND2的電勢(shì)變?yōu)閂ss (例如-10V)。在完成[時(shí)段-TP (5) J之前，如果第二節(jié)點(diǎn)初始化晶體管控制線AZnd2基于第二節(jié)點(diǎn)初始化晶體管控制電路105處于低電平，第二節(jié)點(diǎn)初始化晶體管Tnd2置入截止?fàn)顟B(tài)。第一節(jié)點(diǎn)初始化晶體管Tndi和第二節(jié)點(diǎn)初始化晶體管Tnd2可以同時(shí)置入導(dǎo)通狀態(tài)，第一節(jié)點(diǎn)初始化晶體管Tndi可以提前置入導(dǎo)通狀態(tài)，或者第二節(jié)點(diǎn)初始化晶體管Tnd2可以提前置入導(dǎo)通狀態(tài)。利用上述處理，驅(qū)動(dòng)晶體管Tltev的柵電極和源極區(qū)域之間的電勢(shì)差等于或大于Vth,并且驅(qū)動(dòng)晶體管Tltev變?yōu)閷?dǎo)通狀態(tài)。[時(shí)段-TP(5)2](參見(jiàn)圖 7D)接下來(lái)，執(zhí)行閾值電壓取消處理。也就是說(shuō)，如果發(fā)光控制晶體管控制線CLae基于發(fā)光控制晶體管控制電路103的操作處于高電平，同時(shí)第一節(jié)點(diǎn)初始化晶體管Tndi維持在導(dǎo)通狀態(tài)，發(fā)光控制晶體管Tae置入導(dǎo)通狀態(tài)。結(jié)果，當(dāng)?shù)谝还?jié)點(diǎn)ND1的電勢(shì)不改變(維持在Vms=OV)時(shí)，處于浮置狀態(tài)的第二節(jié)點(diǎn)ND2的電勢(shì)升高，并且使第一節(jié)點(diǎn)ND1和第二節(jié)點(diǎn)ND2之間的電勢(shì)差接近驅(qū)動(dòng)晶體管Tltev的閾值電壓Vth。如果驅(qū)動(dòng)晶體管Tltev的柵電極和源極區(qū)域之間的電勢(shì)差達(dá)到Vth，驅(qū)動(dòng)晶體管Tltev置入截止?fàn)顟B(tài)。具體地，使處于浮置狀態(tài)的第二節(jié)點(diǎn)ND2的電勢(shì)接近(VQfs-Vth=-3V>Vss)，并且最終變?yōu)?VQfs-Vth)。如果確保表達(dá)式(2)，換句話說(shuō)，如果選擇并確定電勢(shì)以便滿足表達(dá)式(2)，發(fā)光單元ELP不發(fā)光。質(zhì)量上，在閾值電壓取消處理中，第一節(jié)點(diǎn)ND1和第二節(jié)點(diǎn)ND2之間的電勢(shì)差(換句話說(shuō)，驅(qū)動(dòng)晶體管Tltev的柵電極和源極區(qū)域之間的電勢(shì)差)如何接近驅(qū)動(dòng)晶體管Itev的閾值電壓Vth取決于閾值電壓取消處理的時(shí)間。相應(yīng)地，例如，當(dāng)保證用于閾值電壓取消處理的足夠時(shí)間時(shí)，第一節(jié)點(diǎn)ND1和第二節(jié)點(diǎn)ND2之間的電勢(shì)差達(dá)到驅(qū)動(dòng)晶體管Tltev的閾值電壓Vth，并且驅(qū)動(dòng)晶體管Tltev置入截止?fàn)顟B(tài)。例如，當(dāng)閾值電壓取消處理的時(shí)間設(shè)置短時(shí)，第一節(jié)點(diǎn)ND1和第二節(jié)點(diǎn)ND2之間的電勢(shì)差大于驅(qū)動(dòng)晶體管Tltev的閾值電壓Vth，并且驅(qū)動(dòng)晶體管Tltev可以不置入截止?fàn)顟B(tài)。也就是說(shuō)，作為閾值電壓取消處理的結(jié)果，驅(qū)動(dòng)晶體管Itev置入截止?fàn)顟B(tài)不是必需的。(V0fs-Vth) <(Vth_EL+VCat)- (2)在[時(shí)段-TP (5)2]中，第二節(jié)點(diǎn)ND2的電勢(shì)例如最終變?yōu)?Vws-Vth)。也就是說(shuō)，僅取決于驅(qū)動(dòng)晶體管Itev的閾值電壓Vth和用于初始化驅(qū)動(dòng)晶體管Tltev的柵電極的電壓Vms確定第二節(jié)點(diǎn)ND2的電勢(shì)。換句話說(shuō)，第二節(jié)點(diǎn)ND2的電勢(shì)不取決于發(fā)光單元ELP的閾值電
壓 Vth-EL。[時(shí)段-TP(5)3](參見(jiàn)圖 8A)其后，如果發(fā)光控制晶體管控制線Cl?；诎l(fā)光控制晶體管控制電路103的操作處于低電平，同時(shí)第一節(jié)點(diǎn)初始化晶體管Tnm維持在導(dǎo)通狀態(tài)，發(fā)光控制晶體管Ta e置入截止?fàn)顟B(tài)。結(jié)果，第一節(jié)點(diǎn)ND1的電勢(shì)不改變(維持在Vms=OV),并且處于浮置狀態(tài)的第二節(jié)點(diǎn)ND2的電勢(shì)也不改變，并且保持在(VWs-Vth=-3V)。
[時(shí)段-TP(5)4](參見(jiàn)圖 8B)接下來(lái)，如果第一節(jié)點(diǎn)初始化晶體管控制線AZndi基于第一節(jié)點(diǎn)初始化晶體管控制電路104處于低電平，第一節(jié)點(diǎn)初始化晶體管Tndi置入截止?fàn)顟B(tài)。第一節(jié)點(diǎn)ND1和第二節(jié)點(diǎn)ND2的電勢(shì)實(shí)質(zhì)上不改變(實(shí)際上，電勢(shì)的變化由于靜電耦合出現(xiàn)，諸如寄生電容，但是該變化通?？珊雎?。接下來(lái)，將描述[時(shí)段-TP (5)5]到[時(shí)段-TP (5)7]的每個(gè)時(shí)段。如下面描述的，在[時(shí)段-TP (5)5]執(zhí)行寫(xiě)入處理，并且在[時(shí)段-TP (5)6]執(zhí)行遷移率校正處理。如以上描述的，在第m個(gè)水平掃描時(shí)段內(nèi)執(zhí)行這些處理是必需的。為了描述的方便，將假設(shè)[時(shí)段-TP (5)5]的開(kāi)始和[時(shí)段-TP (5)6]的結(jié)束分別匹配第m個(gè)水平掃描時(shí)段的開(kāi)始和結(jié)束來(lái)提供描述。[時(shí)段-TP(5)5](參見(jiàn)圖 8C)
其后，執(zhí)行對(duì)驅(qū)動(dòng)晶體管Tltev的寫(xiě)入處理。具體地，當(dāng)?shù)谝还?jié)點(diǎn)初始化晶體管Tm、第二節(jié)點(diǎn)初始化晶體管TND2、以及發(fā)光控制晶體管Ta。維持在截止?fàn)顟B(tài)時(shí)，如果數(shù)據(jù)線DTL的電勢(shì)基于視頻信號(hào)輸出電路102的操作，設(shè)置為用于控制發(fā)光單元ELP亮度的驅(qū)動(dòng)信號(hào)(亮度信號(hào))Vsig,并且然后掃描線SCL基于掃描電路101的操作處于高電平，則視頻信號(hào)寫(xiě)入晶體管Tsig置入導(dǎo)通狀態(tài)。結(jié)果，第一節(jié)點(diǎn)ND1的電勢(shì)升高到VSig。電容單元C1的電容具有值C1，發(fā)光單元ELP的寄生電容Ca的電容具有值ca。假設(shè)驅(qū)動(dòng)晶體管Tltev的柵電極和源極區(qū)域之間的寄生電容的值是cgs。當(dāng)驅(qū)動(dòng)晶體管Tltev的柵電極的電勢(shì)從Vws改變到Vsig吋，原理上，在電容單元C1的兩端的電勢(shì)(第一節(jié)點(diǎn)ND1和第ニ節(jié)點(diǎn)ND2的電勢(shì))改變。也就是說(shuō)，基于驅(qū)動(dòng)晶體管Tltev的柵電極的電勢(shì)(=第一節(jié)點(diǎn)NDi的電勢(shì))的改變(Vsig-Vws)的電荷劃分到電容單元C1、發(fā)光單元ELP的寄生電容Ca、以及驅(qū)動(dòng)晶體管Ttov的柵電極和源極區(qū)域之間的寄生電容中。順帶地，如果值Ca充分大于值C1和值cgs，則基于驅(qū)動(dòng)晶體管Tltev的柵極的電勢(shì)的改變(Vsig-Vws)的驅(qū)動(dòng)晶體管Tltev的源極區(qū)域(第二節(jié)點(diǎn)ND2)的電勢(shì)的改變小。一般，發(fā)光單元ELP的寄生電容Ca的電容值Ca大于電容單元C1的電容值C1以及驅(qū)動(dòng)晶體管Tltev的寄生電容的值cgs。為了描述的方便，除非特別要求，將不考慮由于第一節(jié)點(diǎn)ND1的電勢(shì)的變化導(dǎo)致的第二節(jié)點(diǎn)ND2的電勢(shì)的變化來(lái)提供描述。同樣適用于其他驅(qū)動(dòng)電路。不考慮由于第一節(jié)點(diǎn)ND1的電勢(shì)變化導(dǎo)致的第二節(jié)點(diǎn)ND2的電勢(shì)的變化來(lái)示出圖6的驅(qū)動(dòng)時(shí)序圖。當(dāng)驅(qū)動(dòng)晶體管Tltev的柵電極(第一節(jié)點(diǎn)ND1)的電勢(shì)是Vg，并且驅(qū)動(dòng)晶體管Tltev的源極區(qū)域(第二節(jié)點(diǎn)ND2)的電勢(shì)是Vs吋，Vg的值和Vs的值如下。因此，第一節(jié)點(diǎn)ND1和第二節(jié)點(diǎn)ND2之間的電勢(shì)差，也就是說(shuō)，驅(qū)動(dòng)晶體管Tltev的柵電極和源極區(qū)域之間的電勢(shì)差Vgs的電勢(shì)差可以通過(guò)表達(dá)式(3)表示。Vg=VsigVs=V0fe-VthVgs=￥sig-(Vofs-Vth) ... (3)也就是說(shuō)，對(duì)驅(qū)動(dòng)晶體管!'DCT的寫(xiě)入處理中獲得的Vgs僅取決于用于控制發(fā)光単元ELP的亮度的驅(qū)動(dòng)信號(hào)(亮度信號(hào))Vsig、驅(qū)動(dòng)晶體管Tltev的閾值電壓Vth、以及用于初始化驅(qū)動(dòng)晶體管Tltev的柵電極的電壓VMs。Vgs不取決于發(fā)光単元ELP的閾值電壓Vth_a。[時(shí)段-TP(5)6](參見(jiàn)圖 8D)其后，驅(qū)動(dòng)晶體管Itev的源極區(qū)域(第二節(jié)點(diǎn)ND2)的電勢(shì)基于驅(qū)動(dòng)晶體管Itev的遷移率y的量值校正(遷移率校正處理)。一般，當(dāng)使用多晶硅薄膜晶體管等制造驅(qū)動(dòng)晶體管Tltev時(shí)，遷移率U的變化不可避免地在各晶體管之間生成。相應(yīng)地，即使當(dāng)相同值的驅(qū)動(dòng)信號(hào)Vsig施加到遷移率y不同的多個(gè)驅(qū)動(dòng)晶體管Tltev的柵電極時(shí)，也存在流入具有大遷移率y的驅(qū)動(dòng)晶體管Tltev的漏極電流Ids和流入具有小遷移率U的驅(qū)動(dòng)晶體管Tltev的漏極電流Ids之間的差別。如果生成該差別，顯示設(shè)備的屏幕均勻性受到破壞。相應(yīng)地，具體地，如果發(fā)光控制晶體管控制線CLa?；诎l(fā)光控制晶體管控制電路103的操作處于高電平，同時(shí)驅(qū)動(dòng)晶體管Tltev維持在導(dǎo)通狀態(tài)，則發(fā)光控制晶體管Ta e置入導(dǎo)通狀態(tài)。接下來(lái)，如果當(dāng)預(yù)定時(shí)間Utl)已經(jīng)過(guò)去時(shí)掃描線SCL基于掃描電路101的操作處于低電平，則視頻信號(hào)寫(xiě)入晶體管Tsig置入截止?fàn)顟B(tài)，并且第一節(jié)點(diǎn)ND1 (驅(qū)動(dòng)晶體管Tltev的柵電極)置入浮置狀態(tài)。結(jié)果，當(dāng)驅(qū)動(dòng)晶體管Tltev的遷移率y的值大時(shí)，驅(qū)動(dòng)晶體管！'DCT的源極區(qū)域的電勢(shì)的升高量AV (電勢(shì)校正值)増大。當(dāng)驅(qū)動(dòng)晶體管Tltev的遷移率y的值·小吋，驅(qū)動(dòng)晶體管Tltev的源極區(qū)域的電勢(shì)的升高量AV(電勢(shì)校正值)減小。驅(qū)動(dòng)晶體管！^的柵電極和源極區(qū)域之間的電勢(shì)差Vgs從表達(dá)式(3)到表達(dá)式(4)修改。Vgs三VSig-(Vofs-Vth)-AV ... (4)用于執(zhí)行遷移率校正處理的預(yù)定時(shí)間([時(shí)段-TP (5)6]的完整時(shí)間可以預(yù)先確定為在顯示設(shè)備設(shè)計(jì)時(shí)的設(shè)計(jì)值。確定[時(shí)段-TP(5)6]的完整時(shí)間b，以便此時(shí)的驅(qū)動(dòng)晶體管Tltev的源極區(qū)域的電勢(shì)(Vws-Vth+AV)滿足表達(dá)式(2’)。相應(yīng)地，在[時(shí)段-TP (5)6]中，發(fā)光單元ELP不發(fā)光。利用遷移率校正處理，同時(shí)校正系數(shù)k( = (1/2) (ff/L) -CJ的變化。(V0fs-Vth+ A V) < (Vth_EL+VCat)…(2，)[時(shí)段-TP(5)7](參見(jiàn)圖 8E)利用上述操作，完成閾值電壓取消處理、寫(xiě)入處理和遷移率校正處理。另ー方面，如果掃描線SCL基于掃描電路101的操作處于低電平，結(jié)果，視頻信號(hào)寫(xiě)入晶體管Tsig置入截止?fàn)顟B(tài)，并且第一節(jié)點(diǎn)ND1,即，驅(qū)動(dòng)晶體管Tltev的柵電極置入浮置狀態(tài)。發(fā)光控制晶體管Tel c維持在導(dǎo)通狀態(tài)，并且發(fā)光控制晶體管Ta e的漏極區(qū)域連接到用于控制發(fā)光單元ELP的發(fā)光的電流供應(yīng)單元100 (電壓V。。，例如20V)。結(jié)果，第二節(jié)點(diǎn)ND2的電勢(shì)升高。如上所述，由于驅(qū)動(dòng)晶體管Tltev的柵電極處于浮置狀態(tài)，并且提供電容單元C1，所以驅(qū)動(dòng)晶體管Tltev的柵電極經(jīng)歷與所謂自舉(bootstrap)電路相同的現(xiàn)象，并且第一節(jié)點(diǎn)ND1的電勢(shì)也升高。結(jié)果，驅(qū)動(dòng)晶體管Tltev的柵電極和源極區(qū)域之間的電勢(shì)差Vgs保持在表達(dá)式(4)的值。因?yàn)榈诙?jié)點(diǎn)ND2的電勢(shì)升高并且超過(guò)(Vthi+Veat)，所以發(fā)光單元ELP開(kāi)始發(fā)光。此時(shí)，因?yàn)榘l(fā)光単元ELP中流動(dòng)的電流是從驅(qū)動(dòng)晶體管Tltev的漏極區(qū)域到源極區(qū)域流動(dòng)的漏極電流Ids，所以該電流可以通過(guò)表達(dá)式(I)表達(dá)。根據(jù)表達(dá)式(I)和(4)，表達(dá)式(I)可以修改為表達(dá)式(5)。Ids=k * U (Vsig-V0fs-AV)2- (5)相應(yīng)地，當(dāng)Vws設(shè)置到OV時(shí)，發(fā)光單元ELP中流動(dòng)的電流Ids與這樣的值的平方成比例，通過(guò)從用于控制發(fā)光單元ELP的亮度的驅(qū)動(dòng)信號(hào)(亮度信號(hào))Vsig減去由于驅(qū)動(dòng)晶體管的遷移率U導(dǎo)致的第二節(jié)點(diǎn)ND2 (驅(qū)動(dòng)晶體管Tltev的源極區(qū)域)的電勢(shì)校正值A(chǔ) V獲得該值。換句話說(shuō)，發(fā)光單元ELP中流動(dòng)的電流Ids不取決于發(fā)光單元ELP的閾值電壓Vthi和驅(qū)動(dòng)晶體管Tltev的閾值電壓Vth。也就是說(shuō)，發(fā)光単元ELP的發(fā)光量(亮度)不受發(fā)光単元ELP的閾值電壓Vthi和驅(qū)動(dòng)晶體管Tltev的閾值電壓Vth的影響。第(n，m)個(gè)發(fā)光單元ELP的売度具有對(duì)應(yīng)于相關(guān)電流Ids的值。隨著驅(qū)動(dòng)晶體管Tltev具有較大的遷移率U ,電勢(shì)校正值A(chǔ)V増大，以便表達(dá)式(4)的左側(cè)的Vgs的值減小。相應(yīng)地，在表達(dá)式(5)中，即使當(dāng)遷移率ii的值大吋，(Vsig-Vws-AV)2的值也減小，從而校正漏極電流Ids。也就是說(shuō)，在具有不同遷移率U的驅(qū)動(dòng)晶體管Itev中，如果驅(qū)動(dòng)信號(hào)(亮度信號(hào))Vsig的值相同，并且漏極電流Ids實(shí)質(zhì)上相同。結(jié)果，發(fā)光單元ELP中流動(dòng)的并且控制發(fā)光單元ELP的亮度的電流Ids被均勻化。也就是說(shuō)，可以校正由于遷移率U的變化(也稱(chēng)為k的變化)導(dǎo)致的發(fā)光單元的亮度的變化。發(fā)光單元ELP的發(fā)光狀態(tài)持續(xù)直到第(m+m’ -I)個(gè)水平掃描時(shí)段。該時(shí)間對(duì)應(yīng)于[時(shí)段-TP (5)_J的結(jié)束。 利用上述，完成發(fā)光單元ELP (第(n，m)個(gè)子像素)的發(fā)光的操作。在[時(shí)段-TP (5)7](參見(jiàn)圖8E)，如果第二節(jié)點(diǎn)ND2的電勢(shì)升高并且超過(guò)(Vth_EL+VCat),發(fā)光單元ELP的發(fā)光開(kāi)始。同時(shí)，當(dāng)由于第二節(jié)點(diǎn)ND2的電勢(shì)升高導(dǎo)致背柵極效應(yīng)出現(xiàn)時(shí)，驅(qū)動(dòng)晶體管Itev中流動(dòng)的電流Ids減少。順帶地，在根據(jù)本公開(kāi)實(shí)施例的驅(qū)動(dòng)電路中，因?yàn)轵?qū)動(dòng)晶體管的源極/漏極區(qū)域的另一區(qū)域和第二阱電連接在一起，隨著第二節(jié)點(diǎn)ND2的電勢(shì)升高第二阱的電勢(shì)也升高，并且不存在第二阱和驅(qū)動(dòng)晶體管!'tav的源極區(qū)域之間的電勢(shì)Vbs的變化。相應(yīng)地，不存在由于背柵極效應(yīng)導(dǎo)致驅(qū)動(dòng)晶體管Tltev中流動(dòng)的電流Ids減少的問(wèn)題。同樣適用于以下描述的示例4到6。[示例4]示例4涉及4Tr/lC驅(qū)動(dòng)電路。圖9是示例4的驅(qū)動(dòng)電路的概念圖。圖10是4Tr/lC驅(qū)動(dòng)電路的等效電路圖。圖11是示意性驅(qū)動(dòng)時(shí)序圖。圖12A到12D和13A到13D示意性示出每個(gè)晶體管的導(dǎo)通/截止?fàn)顟B(tài)等。在4Tr/lC驅(qū)動(dòng)電路中，第一節(jié)點(diǎn)初始化晶體管Tnm從以上描述的5Tr/lC驅(qū)動(dòng)電路中移除。也就是說(shuō)，4Tr/lC驅(qū)動(dòng)電路具有視頻信號(hào)寫(xiě)入晶體管Tsig、驅(qū)動(dòng)晶體管!'tav、發(fā)光控制晶體管Ta e和第二節(jié)點(diǎn)初始化晶體管Tnd2四個(gè)晶體管，以及ー個(gè)電容単元も。[發(fā)光控制晶體管TaJ發(fā)光控制晶體管Ta。的配置與5Tr/lC驅(qū)動(dòng)電路中描述的發(fā)光控制晶體管Ta。相同，并且因此將不重復(fù)其詳細(xì)的描述。[驅(qū)動(dòng)晶體管Tllrv]驅(qū)動(dòng)晶體管Tltev的配置與5Tr/lC驅(qū)動(dòng)電路中描述的驅(qū)動(dòng)晶體管Tltev相同，并且因此將不重復(fù)其詳細(xì)的描述。[第二節(jié)點(diǎn)初始化晶體管Tnd2]第二節(jié)點(diǎn)初始化晶體管Tnd2的配置與5Tr/lC驅(qū)動(dòng)電路中描述的第二節(jié)點(diǎn)初始化晶體管Tnd2相同，并且因此將不重復(fù)其詳細(xì)的描述。[視頻信號(hào)寫(xiě)入晶體管Tsig]視頻信號(hào)寫(xiě)入晶體管Tsig的配置與5Tr/lC驅(qū)動(dòng)電路中描述的視頻信號(hào)寫(xiě)入晶體管Tsig相同，并且因此將不重復(fù)其詳細(xì)的描述。雖然視頻信號(hào)寫(xiě)入晶體管Tsig的源極/漏極區(qū)域的ー個(gè)區(qū)域連接到數(shù)據(jù)線DTL，但是不僅用于控制發(fā)光単元ELP的亮度的驅(qū)動(dòng)信號(hào)(亮度信號(hào))Vsig而且用于初始化驅(qū)動(dòng)晶體管Tltev的柵電極的電壓Vms從視頻信號(hào)輸出電路102提供。該點(diǎn)不同于5Tr/lC驅(qū)動(dòng)電路中描述的視頻信號(hào)寫(xiě)入晶體管Tsig的操作。不同于Vsig或Vms的信號(hào)/電壓(例如，用于預(yù)充電驅(qū)動(dòng)的信號(hào))可以從視頻信號(hào)輸出電路102通過(guò)數(shù)據(jù)線DTL提供到源極/漏極區(qū)域的ー個(gè)區(qū)域。[發(fā)光單元ELP]發(fā)光單元ELP的配置與5Tr/lC驅(qū)動(dòng)電路中描述的發(fā)光単元ELP相同，并且因此將不重復(fù)其詳細(xì)的描述。下文中，將描述4Tr/lC驅(qū)動(dòng)電路的操作。[時(shí)段-TP(4) _J (圖 11 和 12A)
[時(shí)段-TP(4XJ例如是先前顯示幀中的操作，并且與5Tr/lC驅(qū)動(dòng)電路中的[時(shí)段-TP (5) _J相同的操作。圖11中示出的[時(shí)段-TP (4)0]到[時(shí)段-TP (4)4]是對(duì)應(yīng)于圖6中示出的[時(shí)段-TP (5)0]到[時(shí)段-TP (5) J的時(shí)段，并且是緊接在執(zhí)行下一寫(xiě)入處理之前的操作時(shí)段。類(lèi)似于5Tr/lC驅(qū)動(dòng)電路，在[時(shí)段-TP (4)0]到[時(shí)段-TP (4)J中，第(n，m)個(gè)發(fā)光単元ELP處于不發(fā)光狀態(tài)。4Tr/lC驅(qū)動(dòng)電路的操作不同于5Tr/lC驅(qū)動(dòng)電路的操作在干，除了圖6中所示的[時(shí)段-TP (4)5]到[時(shí)段-TP (4)6]之外，[時(shí)段-TP (4)2]到[時(shí)段-TP (4)J也包括在第m個(gè)水平掃描時(shí)段中。為了描述的方便，將假設(shè)[時(shí)段-TP (4)2]的開(kāi)始和[時(shí)段-TP (4)6]的結(jié)束分別匹配第m個(gè)水平掃描時(shí)段的開(kāi)始和結(jié)束來(lái)提供描述。下文中，將描述[時(shí)段-TP (4)0]到[時(shí)段-TP (4)J的每個(gè)時(shí)段。如5Tr/lC驅(qū)動(dòng)電路中所描述的，[時(shí)段-TP (4)J的開(kāi)始的長(zhǎng)度或[時(shí)段-TP (4)J到[時(shí)段-TP (4)4]的每個(gè)時(shí)段可以根據(jù)顯示設(shè)備的設(shè)計(jì)適當(dāng)?shù)卦O(shè)置。[時(shí)段-TP(4)0][時(shí)段-TP(4)J例如是從先前顯示幀到當(dāng)前顯示幀的操作，并且實(shí)質(zhì)上是與5Tr/lC驅(qū)動(dòng)電路中描述的[時(shí)段-TP (5)0]相同的操作。[時(shí)段-TP(4) J (參見(jiàn)圖 1 )[時(shí)段-TP(4) J對(duì)應(yīng)于5Tr/lC驅(qū)動(dòng)電路中描述的[時(shí)段-TP (5) J0在[時(shí)段-TP (4)J中，執(zhí)行以下描述的用于執(zhí)行閾值電壓取消處理的預(yù)處理。在[時(shí)段-TP (4)J的開(kāi)始吋，如果第二節(jié)點(diǎn)初始化晶體管控制線AZnd2基于第二節(jié)點(diǎn)初始化晶體管控制電路105處于高電平，則第二節(jié)點(diǎn)初始化晶體管Tnd2置入導(dǎo)通狀態(tài)。結(jié)果，第二節(jié)點(diǎn)ND2的電勢(shì)變?yōu)閂ss (例如-10V)。為了跟隨第二節(jié)點(diǎn)ND2的電勢(shì)下降，處于浮置狀態(tài)的第一節(jié)點(diǎn)ND1 (驅(qū)動(dòng)晶體管Tltev的柵電極)的電勢(shì)也下降。因?yàn)樵赱時(shí)段-TP (4) J中第一節(jié)點(diǎn)ND1的電勢(shì)取決于在[時(shí)段-TP (4)_J中的第一節(jié)點(diǎn)ND1的電勢(shì)(根據(jù)先前幀中的Vsig的值定義)，所以第一節(jié)點(diǎn)ND1的電勢(shì)不具有恒定值。[時(shí)段-TP(4)2](參見(jiàn)圖 12C)其后，如果數(shù)據(jù)線DTL的電勢(shì)基于視頻信號(hào)輸出電路102的操作設(shè)置到VMs，并且掃描線SCL基于掃描電路101的操作處于高電平，則視頻信號(hào)寫(xiě)入晶體管Tsig置入導(dǎo)通狀態(tài)。結(jié)果，第一節(jié)點(diǎn)ND1的電勢(shì)變?yōu)閂ms (例如0V)。第二節(jié)點(diǎn)ND2的電勢(shì)保持在Vss (例如-10V)。其后，如果第二節(jié)點(diǎn)初始化晶體管控制線AZnd2基于第二節(jié)點(diǎn)初始化晶體管控制電路105的操作處于低電平，則第二節(jié)點(diǎn)初始化晶體管Tnd2置入截止?fàn)顟B(tài)。與[時(shí)段-TP (4) J的開(kāi)始或[時(shí)段-TP (4) J的半程同時(shí)地，驅(qū)動(dòng)晶體管Itev的柵電極和源極區(qū)域之間的電勢(shì)差等于或大于vth，并且驅(qū)動(dòng)晶體管Tltev置入導(dǎo)通狀態(tài)。[時(shí)段-TP(4)3](參見(jiàn)圖 12D)接下來(lái)，執(zhí)行閾值電壓取消處理。也就是說(shuō)，如果發(fā)光控制晶體管控制線CLa?；诎l(fā)光控制晶體管控制電路103的操作處于高電平，同時(shí)視頻信號(hào)寫(xiě)入晶體管Tsig維持在導(dǎo)通狀態(tài)，則發(fā)光控制晶體管Ta c置入導(dǎo)通狀態(tài)。結(jié)果，當(dāng)?shù)谝还?jié)點(diǎn)ND1的電勢(shì)不改變(維持在Vms=OV)時(shí)，處于浮置狀態(tài)的第二節(jié)點(diǎn)ND2的電勢(shì)升高，并且使第一節(jié)點(diǎn)ND1和第二節(jié)點(diǎn)ND2之間的電勢(shì)差接近于驅(qū)動(dòng)晶體管Tltev的閾值電壓Vth。如果驅(qū)動(dòng)晶體管Itev的柵電極和源極區(qū)域之間的電勢(shì)差達(dá)到Vth，則驅(qū)動(dòng)晶體管Itev置入截止?fàn)顟B(tài)。具體地，使處于浮置狀態(tài)的第二節(jié)點(diǎn)ND2的電勢(shì)接近于(VWs-Vth=-3V)并且最終變?yōu)?VMs-Vth)。如果保證表達(dá)式(2)，換句話說(shuō)，如果選擇并且確定電勢(shì)以便滿足表達(dá)式(2)，則發(fā)光單元ELP不發(fā)光?！ぴ赱時(shí)段-TP (4)3]中，第二節(jié)點(diǎn)ND2的電勢(shì)最終變?yōu)槔?VQfs_Vth)。也就是說(shuō)，僅取決于驅(qū)動(dòng)晶體管Itev的閾值電壓Vth和用于初始化驅(qū)動(dòng)晶體管Itev的柵電極的電壓Vms確定第二節(jié)點(diǎn)ND2的電勢(shì)。第二節(jié)點(diǎn)ND2的電勢(shì)不取決于發(fā)光單元ELP的閾值電壓Vth_a。[時(shí)段-TP(4)J (參見(jiàn)圖 13A)其后，如果發(fā)光控制晶體管控制線CLa。基于發(fā)光控制晶體管控制電路103的操作處于低電平，同時(shí)視頻信號(hào)寫(xiě)入晶體管Tsig維持在導(dǎo)通狀態(tài)，則發(fā)光控制晶體管Tl。置入截止?fàn)顟B(tài)。結(jié)果，第一節(jié)點(diǎn)ND1的電勢(shì)不改變(維持在Vms=OV),并且處于浮置狀態(tài)的第二節(jié)點(diǎn)ND2的電勢(shì)實(shí)質(zhì)上不改變(實(shí)際上，電勢(shì)的改變由于靜電耦合出現(xiàn)，諸如寄生電容，但是該改變通?？珊雎?，并且保持在(VQfs-Vth=-3V)。接下來(lái)，將描述[時(shí)段-TP (4)5]到[時(shí)段-TP (4)7]的每個(gè)時(shí)段。這些時(shí)段實(shí)質(zhì)上是與5Tr/lC驅(qū)動(dòng)電路中描述的[時(shí)段-TP (5)5]到[時(shí)段-TP (5)7]相同的操作。[時(shí)段-TP(4)5](參見(jiàn)圖 13B)接下來(lái)，執(zhí)行對(duì)驅(qū)動(dòng)晶體管Itev的寫(xiě)入處理。具體地，當(dāng)視頻信號(hào)寫(xiě)入晶體管Tsig維持在導(dǎo)通狀態(tài)，并且第二節(jié)點(diǎn)初始化晶體管Tnd2和發(fā)光控制晶體管維持在截止?fàn)顟B(tài)時(shí)，數(shù)據(jù)線DTL的電勢(shì)基于視頻信號(hào)輸出電路102的操作從Vms切換到用于抑制發(fā)光單元ELP的亮度的驅(qū)動(dòng)信號(hào)(亮度信號(hào))VSig。結(jié)果，第一節(jié)點(diǎn)ND1的電勢(shì)升高到VSig。視頻信號(hào)寫(xiě)入晶體管Tsig置入截止?fàn)顟B(tài)一次，并且在視頻信號(hào)寫(xiě)入晶體管Tsig、第二節(jié)點(diǎn)初始化晶體管Tnd2和發(fā)光控制晶體管維持在截止?fàn)顟B(tài)時(shí)，數(shù)據(jù)線DTL的電勢(shì)基于視頻信號(hào)輸出電路102的操作改變到用于控制發(fā)光單元ELP的亮度的驅(qū)動(dòng)信號(hào)(亮度信號(hào))VSig。其后，如果掃描線SCL處于高電平(也就是說(shuō)，通過(guò)減慢的掃描信號(hào))，同時(shí)第二節(jié)點(diǎn)初始化晶體管Tnd2和發(fā)光控制晶體管維持在截止?fàn)顟B(tài)，則視頻信號(hào)寫(xiě)入晶體管Tsig置入導(dǎo)通狀態(tài)。相應(yīng)地，如5Tr/lC驅(qū)動(dòng)電路中所描述的，表達(dá)式(3)中描述的值可以獲得為第一節(jié)點(diǎn)ND1和第二節(jié)點(diǎn)ND2之間的電勢(shì)差，也就是說(shuō)，驅(qū)動(dòng)晶體管Tltev的柵電極和源極區(qū)域之間的電勢(shì)差Vgs。也就是說(shuō)，在4Tr/lC驅(qū)動(dòng)電路中在對(duì)驅(qū)動(dòng)晶體管Itev的寫(xiě)入處理中獲得的Vgs僅取決于用于控制發(fā)光單元ELP的亮度的驅(qū)動(dòng)信號(hào)(亮度信號(hào))Vsig、驅(qū)動(dòng)晶體管Tltev的閾值電壓vth、以及用于初始化驅(qū)動(dòng)晶體管Itev的柵電極的電壓VMs。Vgs不取決于發(fā)光單元ELP的閾值電壓V
th-EL °[時(shí)段-TP(4)6](參見(jiàn)圖 13C)其后，驅(qū)動(dòng)晶體管Itev的源極區(qū)域(第二節(jié)點(diǎn)ND2)的電勢(shì)基于驅(qū)動(dòng)晶體管Itev的遷移率μ的量值校正(遷移率校正處理)。具體地，可以執(zhí)行與5Tr/lC驅(qū)動(dòng)電路中描述的[時(shí)段-TP (5)6]相同的操作。用于執(zhí)行遷移率校正處理的預(yù)定時(shí)間([時(shí)段-TP (4)6]的完整時(shí)間h)可以預(yù)先確定為在顯示設(shè)備設(shè)計(jì)時(shí)的設(shè)計(jì)值。[時(shí)段-TP(4)7](參見(jiàn)圖 13D)利用上述操作，完成閾值電壓取消處理、寫(xiě)入處理、以及遷移率校正處理。因?yàn)閳?zhí) 行與5Tr/lC驅(qū)動(dòng)電路中描述的[時(shí)段-TP (5)7]相同的處理，并且第二節(jié)點(diǎn)ND2的電勢(shì)升高并且超過(guò)(Vthi+VCat)，所以發(fā)光單元ELP開(kāi)始發(fā)光。此時(shí)，因?yàn)榭梢酝ㄟ^(guò)表達(dá)式(5)獲得發(fā)光單元ELP中流過(guò)的電流，所以發(fā)光單元ELP中流過(guò)的電流Ids不取決于發(fā)光單元ELP的閾值電壓Vthi和驅(qū)動(dòng)晶體管Tltev的閾值電壓Vth。也就是說(shuō)，發(fā)光單元ELP的發(fā)光量(亮度)不受發(fā)光單元ELP的閾值電壓Vthi和驅(qū)動(dòng)晶體管Tltev的閾值電壓Vth的影響。還可能抑制由于驅(qū)動(dòng)晶體管Tltev的遷移率μ的變化導(dǎo)致的漏極電流Ids的變化的出現(xiàn)。發(fā)光單元ELP的發(fā)光狀態(tài)持續(xù)直到第(m+m’ _1)個(gè)水平掃描時(shí)段。該時(shí)間對(duì)應(yīng)于[時(shí)段-TP (4)-J的結(jié)束。利用上述，完成發(fā)光單元ELP (第(n，m)個(gè)子像素)的發(fā)光的操作。[示例5]示例5涉及3Tr/lC驅(qū)動(dòng)電路。圖14是示例5的驅(qū)動(dòng)電路的概念圖。圖15是3Tr/lC驅(qū)動(dòng)電路的等效電路圖。圖16是示意性驅(qū)動(dòng)時(shí)序圖。圖17A到17D和18A到18E示意性示出每個(gè)晶體管的導(dǎo)通/截止?fàn)顟B(tài)等。在3Tr/lC驅(qū)動(dòng)電路中，第一節(jié)點(diǎn)初始化晶體管Tnm和第二節(jié)點(diǎn)初始化晶體管Tm2從以上描述的5Tr/IC驅(qū)動(dòng)電路中移除。也就是說(shuō)，3Tr/lC驅(qū)動(dòng)電路具有視頻信號(hào)寫(xiě)入晶體管Tsig、發(fā)光控制晶體管和驅(qū)動(dòng)晶體管Tltev三個(gè)晶體管，以及一個(gè)電容單元Q。[發(fā)光控制晶體管TaJ發(fā)光控制晶體管Ta。的配置與5Tr/lC驅(qū)動(dòng)電路中描述的發(fā)光控制晶體管Ta c相同，并且因此將不重復(fù)其詳細(xì)的描述。[驅(qū)動(dòng)晶體管TDrv]驅(qū)動(dòng)晶體管Tltev的配置與5Tr/lC驅(qū)動(dòng)電路中描述的驅(qū)動(dòng)晶體管Tltev相同，并且因此將不重復(fù)其詳細(xì)的描述。[視頻信號(hào)寫(xiě)入晶體管Tsig]視頻信號(hào)寫(xiě)入晶體管Tsig的配置與5Tr/lC驅(qū)動(dòng)電路中描述的視頻信號(hào)寫(xiě)入晶體管Tsig相同，并且因此將不重復(fù)其詳細(xì)的描述。雖然視頻信號(hào)寫(xiě)入晶體管Tsig的源極/漏極區(qū)域的一個(gè)區(qū)域連接到數(shù)據(jù)線DTL，但是不僅用于控制發(fā)光單元ELP的亮度的驅(qū)動(dòng)信號(hào)(亮度信號(hào))VSig而且用于初始化驅(qū)動(dòng)晶體管Itev的柵電極的電壓VMs_H和電壓VMs<從視頻信號(hào)輸出電路102提供。該點(diǎn)不同于5Tr/lC驅(qū)動(dòng)電路中描述的視頻信號(hào)寫(xiě)入晶體管Tsig的操作。不同于Vsig或VMs_H/VMs<的信號(hào)/電壓(例如，用于預(yù)充電驅(qū)動(dòng)的信號(hào))可以從視頻信號(hào)輸出電路102通過(guò)數(shù)據(jù)線DTL提供到源極/漏極區(qū)域的一個(gè)區(qū)域。
電壓VMs_H和電壓VMs<的值例如是，但不限于如下。V0fs_H=約 30VV0fs-L=約 OV[值CEl和C1之間的關(guān)系]如以下描述的，在3Tr/lC驅(qū)動(dòng)電路中，必需使用數(shù)據(jù)線DTL改變第二節(jié)點(diǎn)ND2的電勢(shì)。在以上描述的5Tr/lC驅(qū)動(dòng)電路或4Tr/lC驅(qū)動(dòng)電路中，已經(jīng)假設(shè)值Ca充分大于值C1和值cgs，并且考慮基于驅(qū)動(dòng)晶體管Tltev的柵電極的電勢(shì)中的變化(Vsig-Vws)的驅(qū)動(dòng)晶體管Itev的源極區(qū)域(第二節(jié)點(diǎn)ND2)的電勢(shì)的變化(同樣適用 于以下描述的2Tr/lC驅(qū)動(dòng)電路)，來(lái)提供描述。在3Tr/lC驅(qū)動(dòng)電路中，為了設(shè)計(jì)，值C1設(shè)置為大于其他驅(qū)動(dòng)電路(例如，值C1是值cEL的1/4到1/3)。相應(yīng)地，相較于其他驅(qū)動(dòng)電路由于第一節(jié)點(diǎn)ND1的電勢(shì)的變化導(dǎo)致的第二節(jié)點(diǎn)ND2的電勢(shì)的變化大。為此，在3Tr/lC的情況下，將考慮由于第一節(jié)點(diǎn)ND1的電勢(shì)的變化導(dǎo)致的第二節(jié)點(diǎn)ND2的電勢(shì)的變化來(lái)提供描述?？紤]由于第一節(jié)點(diǎn)ND1的電勢(shì)的變化導(dǎo)致的第二節(jié)點(diǎn)ND2的電勢(shì)的變化示出圖16的驅(qū)動(dòng)時(shí)序圖。[發(fā)光單元ELP]發(fā)光單元ELP的配置與5Tr/lC驅(qū)動(dòng)電路中描述的發(fā)光單元ELP相同，并且因此將不重復(fù)其詳細(xì)的描述。下文中，將描述3Tr/lC驅(qū)動(dòng)電路的操作。[時(shí)段-TP(3) _J (參見(jiàn)圖 16 和 17A)[時(shí)段-TP(3X1]例如是先前顯示幀中的操作，并且實(shí)質(zhì)上是與5Tr/lC驅(qū)動(dòng)電路中描述的[時(shí)段-TP (5)_J相同的操作。圖16中示出的[時(shí)段-TP (3)0]到[時(shí)段-TP (3)4]是對(duì)應(yīng)于圖6中示出的[時(shí)段-TP (5)0]到[時(shí)段-TP (5) J的時(shí)段，并且是緊接在執(zhí)行下一寫(xiě)入處理之前的操作時(shí)段。類(lèi)似于5Tr/lC驅(qū)動(dòng)電路，在[時(shí)段-TP (3)0]到[時(shí)段-TP (3)4]中，第(n，m)個(gè)發(fā)光單元ELP處于不發(fā)光狀態(tài)。如圖16中所示，3Tr/lC驅(qū)動(dòng)電路的操作不同于5Tr/lC驅(qū)動(dòng)電路的操作在于，除了 [時(shí)段-TP (3)5]到[時(shí)段-TP (3)6]之外，[時(shí)段-TP (3) J到[時(shí)段-TP (3)4]也包括在第m個(gè)水平掃描時(shí)段中。為了描述的方便，將假設(shè)[時(shí)段-TP (3)J的開(kāi)始和[時(shí)段-TP (3)6]的結(jié)束分別匹配第m個(gè)水平掃描時(shí)段的開(kāi)始和結(jié)束來(lái)提供描述。下文中，將描述[時(shí)段-TP (3)0]到[時(shí)段-TP (3)4]的每個(gè)時(shí)段。如5Tr/lC驅(qū)動(dòng)電路中所描述的，可以根據(jù)用于顯示設(shè)備的設(shè)計(jì)適當(dāng)?shù)卦O(shè)置[時(shí)段-TP (3) J到[時(shí)段-TP (3) J的每個(gè)時(shí)段的長(zhǎng)度。[時(shí)段-TP(3)。](參見(jiàn)圖 17B)[時(shí)段-TP(3)J例如是從先前顯示幀到當(dāng)前顯示幀的操作，并且是實(shí)質(zhì)上與5Tr/lC驅(qū)動(dòng)電路中描述的[時(shí)段-TP (5)0]相同的操作。[時(shí)段-TP(3) J (參見(jiàn)圖 17C)在當(dāng)前顯示幀中的第m行的水平掃描時(shí)段開(kāi)始。在[時(shí)段_TP(3)J的開(kāi)始時(shí)，如果數(shù)據(jù)線DTL的電勢(shì)基于視頻信號(hào)輸出電路102的操作設(shè)置到用于初始化驅(qū)動(dòng)晶體管Itev的柵電極的電SVMs_H，并且隨后如果基于掃描電路101的操作掃描線SCL處于高電平，則視頻信號(hào)寫(xiě)入晶體管Tsig置入導(dǎo)通狀態(tài)。結(jié)果，第一節(jié)點(diǎn)ND1的電勢(shì)變?yōu)閂Ms_H。如上所述，為了設(shè)計(jì)，因?yàn)殡娙輪卧狢1的值C1大于驅(qū)動(dòng)電路，所以源極區(qū)域的電勢(shì)(第二節(jié)點(diǎn)ND2的電勢(shì))升高。因?yàn)榘l(fā)光單元ELP的兩端之間的電勢(shì)差超過(guò)閾值電壓Vthi，所以發(fā)光單元ELP置入導(dǎo)通狀態(tài)，但是驅(qū)動(dòng)晶體管!'DCT的源極區(qū)域的電勢(shì)再次 直接下降到(Vthi+V&t)。其間，雖然發(fā)光單元ELP可以發(fā)光，但是發(fā)光是瞬時(shí)的，并且不存在實(shí)踐使用的問(wèn)題。驅(qū)動(dòng)晶體管Itev的柵電極保持在電壓VMs_H。[時(shí)段-TP(3)2](參見(jiàn)圖 17C)其后，如果數(shù)據(jù)線DTL的電勢(shì)基于視頻信號(hào)輸出電路102的操作從用于初始化驅(qū)動(dòng)晶體管Tltev的柵電極的電壓VMs_H變化到電壓V^，則第一節(jié)點(diǎn)ND1的電勢(shì)變?yōu)閂Ms_p在第一節(jié)點(diǎn)ND1的電勢(shì)下降的情況下，第二節(jié)點(diǎn)ND2的電勢(shì)也下降。也就是說(shuō)，基于驅(qū)動(dòng)晶體管Tltev的柵電極的電勢(shì)的變化(VMs-L-VMs_h)的電荷劃分到電容單元C1、發(fā)光單元ELP的寄生電容Ca、以及驅(qū)動(dòng)晶體管Itev的柵電極和源極區(qū)域之間的寄生電容中。作為以下描述的[時(shí)段-TP (3)3]中的操作的假設(shè)，在[時(shí)段-TP (3)2]的結(jié)束時(shí)，必需第二節(jié)點(diǎn)ND2的電勢(shì)低于VMs_fVth。設(shè)置VMs_H等的值以便滿足各條件。也就是說(shuō)，利用上述處理，驅(qū)動(dòng)晶體管TDrv的柵電極和源極區(qū)域之間的電勢(shì)差等于或大于Vth，并且驅(qū)動(dòng)晶體管Tltev置入導(dǎo)通狀態(tài)。[時(shí)段-TP(3)3](參見(jiàn)圖 18A)接下來(lái)，執(zhí)行閾值電壓取消處理。也就是說(shuō)，如果發(fā)光控制晶體管控制線CLa?；诎l(fā)光控制晶體管控制電路103的操作處于高電平，同時(shí)視頻信號(hào)寫(xiě)入晶體管Tsig維持在導(dǎo)通狀態(tài)，則發(fā)光控制晶體管置入導(dǎo)通狀態(tài)。結(jié)果，雖然第一節(jié)點(diǎn)ND1的電勢(shì)不改變(維持在VMs<=0V)，但是處于浮置狀態(tài)的第二節(jié)點(diǎn)ND2的電勢(shì)升高，并且使第一節(jié)點(diǎn)ND1和第二節(jié)點(diǎn)ND2之間的電勢(shì)差接近于驅(qū)動(dòng)晶體管Tltev的閾值電壓Vth。如果驅(qū)動(dòng)晶體管Itev的柵電極和源極區(qū)域之間的電勢(shì)差達(dá)到Vth，則驅(qū)動(dòng)晶體管Itev置入截止?fàn)顟B(tài)。具體地，使處于浮置狀態(tài)的第二節(jié)點(diǎn)ND2的電勢(shì)接近于(VWs_fVth=-3V)并且最終變?yōu)?VMs_fVth)。如果保證表達(dá)式(2)，換句話說(shuō)，如果選擇并且確定電勢(shì)以便滿足表達(dá)式(2)，則發(fā)光單元ELP不發(fā)光。在[時(shí)段-TP (3)3]中，第二節(jié)點(diǎn)ND2的電勢(shì)變?yōu)槔?VQfs_L_Vth)。也就是說(shuō)，僅取決于驅(qū)動(dòng)晶體管Itev的閾值電壓Vth和用于初始化驅(qū)動(dòng)晶體管Tltev的柵電極的電壓VMs<確定第二節(jié)點(diǎn)ND2的電勢(shì)。第二節(jié)點(diǎn)ND2的電勢(shì)不取決于發(fā)光單元ELP的閾值電壓Vthi。[時(shí)段-TP(3)4](參見(jiàn)圖 18B)其后，如果發(fā)光控制晶體管控制線CLa。基于發(fā)光控制晶體管控制電路103的操作處于低電平，同時(shí)視頻信號(hào)寫(xiě)入晶體管Tsig維持在導(dǎo)通狀態(tài)，則發(fā)光控制晶體管Tl。置入截止?fàn)顟B(tài)。結(jié)果，第一節(jié)點(diǎn)ND1的電勢(shì)不改變(維持在￥%<=0￥)，并且處于浮置狀態(tài)的第二節(jié)點(diǎn)ND2的電勢(shì)不改變并且保持在(VQfs_「Vth=-3V)。接下來(lái)，將描述[時(shí)段-TP (3)5]到[時(shí)段-TP (3)7]的每個(gè)時(shí)段。這些時(shí)段實(shí)質(zhì)上是與5Tr/lC驅(qū)動(dòng)電路中描述的[時(shí)段-TP (5)5]到[時(shí)段-TP (5)7]相同的操作。[時(shí)段-TP(3)5](參見(jiàn)圖 18C)接下來(lái)，執(zhí)行對(duì)驅(qū)動(dòng)晶體管Tltev的寫(xiě)入處理。具體地，雖然視頻信號(hào)寫(xiě)入晶體管Tsig維持在導(dǎo)通狀態(tài)，并且發(fā)光控制晶體管維持在截止?fàn)顟B(tài)時(shí)，但是數(shù)據(jù)線DTL的電勢(shì)基于視頻信號(hào)輸出電路102的操作設(shè)置到用于控制發(fā)光單元ELP的亮度的驅(qū)動(dòng)信號(hào)(亮度信號(hào))Vsig0結(jié)果，第一節(jié)點(diǎn)ND1的電勢(shì)升高到VSig。視頻信號(hào)寫(xiě)入晶體管Tsig可以置入截止?fàn)顟B(tài)一次，并且在視頻信號(hào)寫(xiě)入晶體管Tsig和發(fā)光控制晶體管維持在截止?fàn)顟B(tài)時(shí)，數(shù)據(jù)線DTL的電勢(shì)可以改變到用于控制發(fā)光單元ELP的亮度的驅(qū)動(dòng)信號(hào)(亮度信號(hào))VSig。其后，如果掃描線SCL處于高電平(也就是說(shuō)，通過(guò)減慢的掃描信號(hào))，同時(shí)發(fā)光控制晶體管Ta。維持在截止?fàn)顟B(tài)，則視頻信號(hào)寫(xiě)入晶體管Tsig可以置入導(dǎo)通狀態(tài)。在[時(shí)段-TP (3) 5]中第一節(jié)點(diǎn)ND1的電勢(shì)從VMs_l升高到VSig。由此，如果考慮由于第一節(jié)點(diǎn)ND1的電勢(shì)的變化導(dǎo)致的第二節(jié)點(diǎn)ND2的電勢(shì)的變化，則第二節(jié)點(diǎn)NDs的
電勢(shì)稍微升高。也就是說(shuō)，.··.可以通過(guò)VQfs_fVth+α · (VSig-VQfs_J表示。建
立0〈 α〈I的關(guān)系，并且α的值通過(guò)電容單元C1、發(fā)光單元ELP的寄生電容Ca等定義。相應(yīng)地，如5Tr/lC驅(qū)動(dòng)電路中所描述的，表達(dá)式(3’)中描述的值可以獲得為第一節(jié)點(diǎn)ND1和第二節(jié)點(diǎn)ND2之間的電勢(shì)差，也就是說(shuō)，驅(qū)動(dòng)晶體管Tltev的柵電極和源極區(qū)域之間的電勢(shì)差Vgs。
Vgs-Vsig-(￥ofe-L-Vt,O-W-(Vsig-Vof8-L) - · - (3丨)也就是說(shuō)，在3Tr/lC驅(qū)動(dòng)電路中在對(duì)驅(qū)動(dòng)晶體管Itev的寫(xiě)入處理中獲得的Vgs僅取決于用于控制發(fā)光單元ELP的亮度的驅(qū)動(dòng)信號(hào)(亮度信號(hào))Vsig、驅(qū)動(dòng)晶體管Tltev的閾值電壓Vth、以及用于初始化驅(qū)動(dòng)晶體管Tltev的柵電極的電壓VMs_p Vgs不取決于發(fā)光單元ELP的閾值電壓V
th-EL °[時(shí)段-TP(3)6](參見(jiàn)圖 18D)其后，驅(qū)動(dòng)晶體管Itev的源極區(qū)域(第二節(jié)點(diǎn)ND2)的電勢(shì)基于驅(qū)動(dòng)晶體管Itev的遷移率μ的量值校正(遷移率校正處理)。具體地，可以執(zhí)行與5Tr/lC驅(qū)動(dòng)電路中描述的[時(shí)段-TP (5)6]相同的操作。用于執(zhí)行遷移率校正處理的預(yù)定時(shí)間([時(shí)段-TP (3)6]的完整時(shí)間h)可以預(yù)先確定為在顯示設(shè)備設(shè)計(jì)時(shí)的設(shè)計(jì)值。[時(shí)段-TP(3)7](參見(jiàn)圖 18E)利用上述操作，完成閾值電壓取消處理、寫(xiě)入處理、以及遷移率校正處理。因?yàn)閳?zhí)行與5Tr/lC驅(qū)動(dòng)電路中描述的[時(shí)段-TP (5)7]相同的處理，并且第二節(jié)點(diǎn)ND2的電勢(shì)升高并且超過(guò)(Vthi+VCat)，所以發(fā)光單元ELP開(kāi)始發(fā)光。此時(shí)，因?yàn)榭梢酝ㄟ^(guò)表達(dá)式(5)獲得發(fā)光單元ELP中流過(guò)的電流，所以發(fā)光單元ELP中流過(guò)的電流Ids不取決于發(fā)光單元ELP的閾值電壓Vthi和驅(qū)動(dòng)晶體管Tltev的閾值電壓Vth。也就是說(shuō)，發(fā)光單元ELP的發(fā)光量(亮度)不受發(fā)光單元ELP的閾值電壓Vthi和驅(qū)動(dòng)晶體管Tltev的閾值電壓Vth的影響。還可能抑制由于驅(qū)動(dòng)晶體管Tltev的遷移率μ的變化導(dǎo)致的漏極電流Ids的變化的出現(xiàn)。發(fā)光單元ELP的發(fā)光狀態(tài)持續(xù)直到第(m+m’ _1)個(gè)水平掃描時(shí)段。該時(shí)間對(duì)應(yīng)于[時(shí)段-TP (3)-J的結(jié)束。利用上述，完成發(fā)光單元ELP (第(n，m)個(gè)子像素)的發(fā)光的操作。[示例6]示例6涉及2Tr/lC驅(qū)動(dòng)電路。圖19是構(gòu)成示例6的顯示設(shè)備的電路的概念圖。圖20示出2Tr/lC驅(qū)動(dòng)電路的等效電路圖。圖21是示意性驅(qū)動(dòng)時(shí)序圖。圖22A到22F示意性示出每個(gè)晶體管的導(dǎo)通/截止?fàn)顟B(tài)等。在2Tr/lC驅(qū)動(dòng)電路中，第一節(jié)點(diǎn)初始化晶體管Tndi、發(fā)光控制晶體管Ta。和第二節(jié)點(diǎn)初始化晶體管Tnd2三個(gè)晶體管從以上描述的5Tr/lC驅(qū)動(dòng)電路中移除。也就是說(shuō)，2Tr/lC驅(qū)動(dòng)電路具有視頻信號(hào)寫(xiě)入晶體管Tsig和驅(qū)動(dòng)晶體管Tltev兩個(gè)晶體管，以及一個(gè)電容單元C1O[驅(qū)動(dòng)晶體管TDrv]驅(qū)動(dòng)晶體管Tltev的配置與5Tr/lC驅(qū)動(dòng)電路中描述的驅(qū)動(dòng)晶體管Tltev相同，并且因此將不重復(fù)其詳細(xì)的描述。驅(qū)動(dòng)晶體管Tltev的漏極區(qū)域連接到電流供應(yīng)單元100。用于控制發(fā)光單元ELP的發(fā)光的電壓用于控制驅(qū)動(dòng)晶體管Itev的源極區(qū)域的電勢(shì)的電壓VCC_L從電流供應(yīng)單元100提供。電壓Vcmi和的值可以如下。Vcc_h=20VVcc-L=-IOV
然而，電壓Vcxh^P Vcl不限于這些值。[視頻信號(hào)寫(xiě)入晶體管Tsig]視頻信號(hào)寫(xiě)入晶體管Tsig的配置與5Tr/lC驅(qū)動(dòng)電路中描述的視頻信號(hào)寫(xiě)入晶體管Tsig相同，并且因此將不重復(fù)其詳細(xì)的描述。[發(fā)光單元ELP]發(fā)光單元ELP的配置與5Tr/lC驅(qū)動(dòng)電路中描述的發(fā)光單元ELP相同，并且因此將不重復(fù)其詳細(xì)的描述。 下文中，將描述2Tr/lC驅(qū)動(dòng)電路的操作。[時(shí)段-TP(2) _J (參見(jiàn)圖 21 和 22A)[時(shí)段-TP(2X1]例如是先前顯示幀中的操作，并且實(shí)質(zhì)上是與5Tr/lC驅(qū)動(dòng)電路中的[時(shí)段-TP (5)_J相同的操作。圖21中示出的[時(shí)段-TP (2)0]到[時(shí)段-TP (2)2]是對(duì)應(yīng)于圖6中示出的[時(shí)段-TP (5)0]到[時(shí)段-TP (5) J的時(shí)段，并且是緊接在執(zhí)行下一寫(xiě)入處理之前的操作時(shí)段。類(lèi)似于5Tr/lC驅(qū)動(dòng)電路，在[時(shí)段-TP (2)0]到[時(shí)段-TP (2)2]中，第(11，m)個(gè)發(fā)光單元ELP處于不發(fā)光狀態(tài)。如圖21中所示，2Tr/lC驅(qū)動(dòng)電路的操作不同于5Tr/lC驅(qū)動(dòng)電路的操作在于，除了 [時(shí)段-TP (2)3]之外，[時(shí)段-TP (2) J到[時(shí)段-TP (2)2]也包括在第m個(gè)水平掃描時(shí)段中。為了描述的方便，將假設(shè)[時(shí)段-TP (2) J的開(kāi)始和[時(shí)段-TP (2)3]的結(jié)束分別匹配第m個(gè)水平掃描時(shí)段的開(kāi)始和結(jié)束來(lái)提供描述。下文中，將描述[時(shí)段-TP (2)0]到[時(shí)段-TP (2)2]的每個(gè)時(shí)段。如5Tr/lC驅(qū)動(dòng)電路中所描述的，可以根據(jù)用于顯示設(shè)備的設(shè)計(jì)適當(dāng)?shù)剡x擇[時(shí)段-TP (2) J到[時(shí)段-TP (2)3]的每個(gè)時(shí)段的長(zhǎng)度。[時(shí)段-TP(2)。](參見(jiàn)圖 22B)[時(shí)段-TPGX1]例如是從先前顯示幀到當(dāng)前顯示幀的操作。也就是說(shuō)，[時(shí)段-TP
(2)0]是從先前顯示幀中的第(m+m’)個(gè)水平掃描時(shí)段到當(dāng)前顯示幀中的第(m-Ι)個(gè)水平掃描時(shí)段的時(shí)段。在[時(shí)段-TP (2)J中，第(n, m)個(gè)發(fā)光單兀ELP處于不發(fā)光狀態(tài)。在從[時(shí)段-TP (2) 到[時(shí)段-TP (2) 0]的變化時(shí)，從電流供應(yīng)單元100提供的電壓從VCC_H切換到V。。+。結(jié)果，第二節(jié)點(diǎn)ND2(驅(qū)動(dòng)晶體管Tltev的源極區(qū)域或發(fā)光單元ELP的陽(yáng)極電極)的電勢(shì)下降到并且發(fā)光單元ELP置入不發(fā)光狀態(tài)。為了跟隨第二節(jié)點(diǎn)ND2的電勢(shì)下降，處于浮置狀態(tài)的第一節(jié)點(diǎn)ND1 (驅(qū)動(dòng)晶體管Tltev的柵電極)的電勢(shì)也下降。[時(shí)段-TP(2) J (參見(jiàn)圖 22C)
在當(dāng)前顯示幀中的第m行的水平掃描時(shí)段開(kāi)始。在[時(shí)段-TP (2) J的開(kāi)始時(shí)，如果掃描線SCL基于掃描電路101的操作處于高電平，則視頻信號(hào)寫(xiě)入晶體管Tsig置入導(dǎo)通狀態(tài)。結(jié)果，第一節(jié)點(diǎn)ND1的電勢(shì)變?yōu)閂ms (例如0V)。第二節(jié)點(diǎn)ND2的電勢(shì)保持在V。。+(例如-10V)。利用以上處理，驅(qū)動(dòng)晶體管Tltev的柵電極和源極區(qū)域之間的電勢(shì)差等于或大于Vth,并且驅(qū)動(dòng)晶體管Itev置入導(dǎo)通狀態(tài)。[時(shí)段-TP(2)2](參見(jiàn)圖 22D)接下來(lái)，執(zhí)行閾值電壓取消處理。也就是說(shuō)，雖然視頻信號(hào)寫(xiě)入晶體管Tsig維持在導(dǎo)通狀態(tài)，但是從電流供應(yīng)單元100提供的電壓從電壓V。。+切換到電壓V^H。結(jié)果，雖然第一節(jié)點(diǎn)ND1的電勢(shì)不改變(維持在VQfs=0V)，但是處于浮置狀態(tài)的第二節(jié)點(diǎn)ND2的電勢(shì)升高，·并且使第一節(jié)點(diǎn)ND1和第二節(jié)點(diǎn)ND2之間的電勢(shì)差接近于驅(qū)動(dòng)晶體管Itev的閾值電壓Vth。如果驅(qū)動(dòng)晶體管Itev的柵電極和源極區(qū)域之間的電勢(shì)差達(dá)到Vth，則驅(qū)動(dòng)晶體管Tltev置入截止?fàn)顟B(tài)。具體地，使處于浮置狀態(tài)的第二節(jié)點(diǎn)ND2的電勢(shì)接近于(VMs-Vth=-3V)并且最終變?yōu)?VMs_Vth)。如果保證表達(dá)式(2)，換句話說(shuō)，如果選擇并且確定電勢(shì)以便滿足表達(dá)式(2)，則發(fā)光單元ELP不發(fā)光。在[時(shí)段-TP (2)2]中，第二節(jié)點(diǎn)ND2的電勢(shì)最終變?yōu)槔?VQfs_Vth)。也就是說(shuō)，第二節(jié)點(diǎn)ND2的電勢(shì)僅取決于驅(qū)動(dòng)晶體管Tltev的閾值電壓Vth和用于初始化驅(qū)動(dòng)晶體管Itev的柵電極的電壓VMs。第二節(jié)點(diǎn)ND2的電勢(shì)不取決于發(fā)光單元ELP的閾值電壓Vth_a。[時(shí)段-TP(2)3](參見(jiàn)圖 22E)接下來(lái)，執(zhí)行對(duì)驅(qū)動(dòng)晶體管Itev的寫(xiě)入處理，并且基于驅(qū)動(dòng)晶體管Itev的遷移率μ的量值校正驅(qū)動(dòng)晶體管Itev的源極區(qū)域(第二節(jié)點(diǎn)ND2)的電勢(shì)(遷移率校正處理)。具體地，雖然視頻信號(hào)寫(xiě)入晶體管Tsig維持在導(dǎo)通狀態(tài)，但是數(shù)據(jù)線DTL的電勢(shì)基于視頻信號(hào)輸出電路102的操作設(shè)置到用于控制發(fā)光單元ELP的亮度的驅(qū)動(dòng)信號(hào)(亮度信號(hào))VSig。結(jié)果，第一節(jié)點(diǎn)ND1的電勢(shì)升高到VSig。視頻信號(hào)寫(xiě)入晶體管Tsig可以置入截止?fàn)顟B(tài)一次，數(shù)據(jù)線DTL的電勢(shì)可以改變到用于控制發(fā)光單元ELP的亮度的驅(qū)動(dòng)信號(hào)(亮度信號(hào))Vsig，然后，如果掃描線SCL處于高電平(也就是說(shuō)，通過(guò)減慢的掃描信號(hào))，則視頻信號(hào)寫(xiě)入晶體管Tsig可以置入導(dǎo)通狀態(tài)，以便驅(qū)動(dòng)晶體管Tltev置入導(dǎo)通狀態(tài)。不同于5Tr/lC驅(qū)動(dòng)電路的描述，因?yàn)殡妱?shì)Vrc_H從電流供應(yīng)單元100施加到驅(qū)動(dòng)晶體管Tltev的漏極區(qū)域，所以驅(qū)動(dòng)晶體管Tltev的源極區(qū)域的電勢(shì)升高。當(dāng)預(yù)定時(shí)間Utl)已經(jīng)過(guò)去時(shí)，如果掃描線SCL處于低電平，則視頻信號(hào)寫(xiě)入晶體管Tsig置入截止?fàn)顟B(tài)，并且第一節(jié)點(diǎn)ND1 (驅(qū)動(dòng)晶體管Tltev的柵電極)置入浮置狀態(tài)。[時(shí)段-TP (2)3]的完整時(shí)間h可以預(yù)先確定為顯示設(shè)備設(shè)計(jì)時(shí)的設(shè)計(jì)值，以便第二節(jié)點(diǎn)ND2的電勢(shì)變?yōu)?Vws-Vth+Λ V)。在[時(shí)段-TP (2)3]中，當(dāng)驅(qū)動(dòng)晶體管Itev的遷移率μ的值大時(shí)，驅(qū)動(dòng)晶體管Itev的源極區(qū)域的電勢(shì)的上升量AV大。當(dāng)驅(qū)動(dòng)晶體管Itev的遷移率μ的值小時(shí)，驅(qū)動(dòng)晶體管Ttov的源極區(qū)域的電勢(shì)的上升量AV小。[時(shí)段-TP(2)4](參見(jiàn)圖 22F)利用上述操作，完成閾值電壓取消處理、寫(xiě)入處理、以及遷移率校正處理。因?yàn)閳?zhí)行與5Tr/lC驅(qū)動(dòng)電路中描述的[時(shí)段-TP (5)7]相同的處理，并且第二節(jié)點(diǎn)ND2的電勢(shì)升高并且超過(guò)(Vthi+VCat)，所以發(fā)光單元ELP開(kāi)始發(fā)光。此時(shí)，因?yàn)榭梢酝ㄟ^(guò)表達(dá)式(5)獲得發(fā)光單元ELP中流過(guò)的電流，所以發(fā)光單元ELP中流過(guò)的電流Ids不取決于發(fā)光單元ELP的閾值電壓Vthi和驅(qū)動(dòng)晶體管Tltev的閾值電壓Vth。也就是說(shuō)，發(fā)光單元ELP的發(fā)光量(亮度)不受發(fā)光單元ELP的閾值電壓Vthi和驅(qū)動(dòng)晶體管Tltev的閾值電壓Vth的影響。還可能抑制由于驅(qū)動(dòng)晶體管Tltev的遷移率μ的變化導(dǎo)致的漏極電流Ids的變化的出現(xiàn)。發(fā)光單元ELP的發(fā)光狀態(tài)持續(xù)直到第(m+m’ _1)個(gè)水平掃描時(shí)段。該時(shí)間對(duì)應(yīng)于[時(shí)段-TP (2)-J的結(jié)束。利用上述，完成發(fā)光單元ELP (第(n，m)個(gè)子像素)的發(fā)光的操作。盡管已經(jīng)基于優(yōu)選示例描述了根據(jù)本公開(kāi)實(shí)施例的顯示設(shè)備和電子裝置，但是根據(jù)本公開(kāi)實(shí)施例的顯示設(shè)備和電子裝置不限于這些示例。示例中的顯示設(shè)備或驅(qū)動(dòng)電路的配置或結(jié)構(gòu)用于說(shuō)明，并且可以適當(dāng)?shù)馗淖儭ｒ?qū)動(dòng)方法用于說(shuō)明，并且可以適當(dāng)?shù)馗淖儭＠?，?Tr/lC驅(qū)動(dòng)電路的操作中，[時(shí)段-TP (2)3]可以劃分為[時(shí)段-TP (2)3]和[時(shí)段-TP (2)’ 3]兩個(gè)時(shí)段。在[時(shí)段-TP (2)3]中，如上所述，視頻信號(hào)寫(xiě)入晶體管Tsig可以置入截止?fàn)顟B(tài)一次，并且數(shù)據(jù)線DTL的電勢(shì)可以改變到用于控制發(fā)光單元ELP的亮度的·驅(qū)動(dòng)信號(hào)(亮度信號(hào))VSig。其后，在[時(shí)段-TP (2)’3]中，如果掃描線SCL處于高電平，則視頻信號(hào)寫(xiě)入晶體管Tsig可以置入導(dǎo)通狀態(tài)，以便驅(qū)動(dòng)晶體管Itev可以置入導(dǎo)通狀態(tài)。盡管在示例中，已經(jīng)描述了各種晶體管是η溝道型的情況，但是在一些情況下，驅(qū)動(dòng)電路的部分或全部可以由P溝道型晶體管構(gòu)成。根據(jù)本公開(kāi)實(shí)施例的顯示設(shè)備可以應(yīng)用于例如電視接收機(jī)、構(gòu)成數(shù)字相機(jī)的監(jiān)視器、構(gòu)成視頻相機(jī)的監(jiān)視器、構(gòu)成個(gè)人計(jì)算機(jī)的監(jiān)視器、個(gè)人數(shù)字助理(PDA)中的各種顯示器、移動(dòng)電話、智能電話、便攜式音樂(lè)播放器、游戲機(jī)、電子書(shū)和電子字典、電子取錄器(EVF)和頭戴顯示器(HMD)。也就是說(shuō)，根據(jù)本公開(kāi)實(shí)施例的電子裝置的示例包括電視接收機(jī)、數(shù)字相機(jī)、視頻相機(jī)、個(gè)人計(jì)算機(jī)、PDA、移動(dòng)電話、智能電話、便攜式音樂(lè)播放器、游戲機(jī)、電子書(shū)、電子字典、電子取錄器、和頭戴顯示器。根據(jù)本公開(kāi)實(shí)施例的顯示設(shè)備提供在這些電子裝置中。盡管在示例中，已經(jīng)描述了由有機(jī)電致發(fā)光發(fā)光單元專(zhuān)有地構(gòu)成的顯示器單元的情況，但是發(fā)光單元可以由自發(fā)光發(fā)光單元(諸如，無(wú)機(jī)電致發(fā)光單元、LED發(fā)光單元或半導(dǎo)體激光發(fā)光單元)構(gòu)成。本公開(kāi)包含涉及于2011年8月23日向日本專(zhuān)利局提交的日本優(yōu)先權(quán)專(zhuān)利申請(qǐng)JP2011-181797中公開(kāi)的主題，在此通過(guò)引用并入其全部?jī)?nèi)容。本領(lǐng)域的技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解，依賴于設(shè)計(jì)需求和其他因素，可以出現(xiàn)各種修改、組合、子組合和更改，只要它們?cè)跈?quán)利要求或其等效的范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1.ー種顯示設(shè)備，包括 多個(gè)發(fā)光元件，每個(gè)發(fā)光元件具有發(fā)光單元和用于驅(qū)動(dòng)所述發(fā)光単元的驅(qū)動(dòng)電路， 其中所述驅(qū)動(dòng)電路至少包括 (A)具有源極/漏極區(qū)域、溝道形成區(qū)域以及柵電極的驅(qū)動(dòng)晶體管， (B)具有源極/漏極區(qū)域、溝道形成區(qū)域以及柵電極的視頻信號(hào)寫(xiě)入晶體管，以及 (C)電容單元， 在所述驅(qū)動(dòng)晶體管中， (A-I)源極/漏極區(qū)域的ー個(gè)區(qū)域連接到對(duì)應(yīng)的電流供應(yīng)線， (A-2)源極/漏極區(qū)域的另一區(qū)域連接到發(fā)光單元并且連接到所述電容単元的一端，并且形成第二節(jié)點(diǎn)，以及 (A-3)柵電極連接到所述視頻信號(hào)寫(xiě)入晶體管的源極/漏極區(qū)域的另一區(qū)域，并且連接到電容單元的另一端，并且形成第一節(jié)點(diǎn)， 在所述視頻信號(hào)寫(xiě)入晶體管中， (B-I)源極/漏極區(qū)域的ー個(gè)區(qū)域連接到對(duì)應(yīng)的數(shù)據(jù)線，并且 (B-2)柵電極連接到對(duì)應(yīng)的掃描線， 所述驅(qū)動(dòng)晶體管形成在在第一導(dǎo)電型硅半導(dǎo)體基底中的第二導(dǎo)電型第一阱內(nèi)形成的第一導(dǎo)電型第二阱內(nèi)， 所述視頻信號(hào)寫(xiě)入晶體管形成在第一導(dǎo)電型硅半導(dǎo)體基底中，并且 所述驅(qū)動(dòng)晶體管的源極/漏極區(qū)域的另一區(qū)域和第二阱電連接在一起。
2.根據(jù)權(quán)利要求I的顯示設(shè)備， 其中所述視頻信號(hào)寫(xiě)入晶體管形成在在第一導(dǎo)電型硅半導(dǎo)體基底中形成的第一導(dǎo)電型第三阱內(nèi)，以及 所述第三阱在所有發(fā)光元件中處于相同的電勢(shì)。
3.根據(jù)權(quán)利要求I的顯示設(shè)備， 其中第一阱在每個(gè)發(fā)光元件中被電隔離。
4.一種電子裝置，包括 根據(jù)權(quán)利要求I的顯示設(shè)備。
全文摘要
一種顯示設(shè)備包括多個(gè)發(fā)光元件，每個(gè)發(fā)光元件具有發(fā)光單元和用于驅(qū)動(dòng)該發(fā)光單元的驅(qū)動(dòng)電路。該驅(qū)動(dòng)電路至少包括(A)具有源極/漏極區(qū)域、溝道形成區(qū)域以及柵電極的驅(qū)動(dòng)晶體管，(B)具有源極/漏極區(qū)域、溝道形成區(qū)域以及柵電極的視頻信號(hào)寫(xiě)入晶體管，以及(C)電容單元。在驅(qū)動(dòng)晶體管中，(A-1)源極/漏極區(qū)域的一個(gè)連接到對(duì)應(yīng)的電流供應(yīng)線，(A-2)源極/漏極區(qū)域的另一區(qū)域連接到發(fā)光單元并且連接到電容單元的一端，并且形成第二節(jié)點(diǎn)，以及(A-3)柵電極連接到視頻信號(hào)寫(xiě)入晶體管的源極/漏極區(qū)域的另一區(qū)域，并且連接到電容單元的另一端，并且形成第一節(jié)點(diǎn)。
文檔編號(hào)G09G3/32GK102956193SQ20121029232
公開(kāi)日2013年3月6日 申請(qǐng)日期2012年8月16日 優(yōu)先權(quán)日2011年8月23日
發(fā)明者山下淳一, 小野山有亮, 三并徹雄, 豐村直史, 山本哲郎, 內(nèi)野勝秀 申請(qǐng)人:索尼公司