專利名稱：電光裝置以及電子設(shè)備的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及例如像素電路微細化時有效的電光裝置以及電子設(shè)備。
背景技術(shù)：
近些年,提出了各種使用了有機發(fā)光二極管(Organic Light Emitting Diode,以下稱“OLED”)元件等發(fā)光元件的電光裝置。在該電光裝置中，一般構(gòu)成為與掃描線和數(shù)據(jù)線的交叉對應(yīng)，且與應(yīng)顯示的圖像的像素對應(yīng)地設(shè)置包含上述發(fā)光元件、晶體管等的像素電路。使用了 OLED的像素電路一般由決定能否從數(shù)據(jù)線輸入數(shù)據(jù)信號的寫入晶體管，和以該信息為基礎(chǔ)決定向OLED供給的電流量的驅(qū)動晶體管構(gòu)成。另外，像素電路具備對從數(shù)據(jù)線供給的數(shù)據(jù)信號進行保持的保持電容。并且，有以高畫質(zhì)化為目的，利用了更多的元件的技術(shù)(例如參照專利文獻I)。
專利文獻1:日本特開2003-271095號公報
然而，若在上述的像素電路的構(gòu)成中進行實際驅(qū)動，則因數(shù)據(jù)線的電位變動而產(chǎn)生噪聲。以驅(qū)動晶體管的柵極-源極間的電壓決定向OLED供給的電流，所以若該噪聲影響驅(qū)動晶體管的柵極節(jié)點、源極節(jié)點，則不能夠顯示準確的亮度，產(chǎn)生不均。特別是在以狹窄間距配置像素電路，不能夠使與柵極節(jié)點連接的保持電容較大的情況下，成為大問題。
在以往的構(gòu)造中，經(jīng)由寄生電容，數(shù)據(jù)線的噪聲傳播至驅(qū)動晶體管的柵極以及源極節(jié)點。由此，蓄積在保持電容的數(shù)據(jù)信號變化，經(jīng)由驅(qū)動晶體管向OLED元件供給的電流也同樣變化。該變化量被視覺確認為亮度不均，導(dǎo)致顯示品質(zhì)降低。發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明是鑒于上述情況完成的，解決課題之一為降低伴隨數(shù)據(jù)線的電位變動的畫質(zhì)劣化。
為了解決上述課題，在本發(fā)明所涉及的電光裝置的特征在于，具有:相互交叉的多個掃描線以及多個數(shù)據(jù)線；與上述掃描線和上述數(shù)據(jù)線的交叉對應(yīng)設(shè)置的多個像素電路；與上述多個像素電路的每一個對應(yīng)設(shè)置且供給規(guī)定的電位的固定電位布線；與上述固定電位線電連接的屏蔽布線，上述多個像素電路每一個具備:發(fā)光元件；對流過上述發(fā)光元件的電流進行控制的驅(qū)動晶體管；被連接于上述驅(qū)動晶體管的柵極和上述數(shù)據(jù)線之間，且根據(jù)向上述掃描線供給的掃描信號被控制導(dǎo)通狀態(tài)的開關(guān)晶體管，上述屏蔽布線從與該像素電路的相鄰的像素電路對應(yīng)的固定電位布線延伸配置至該像素電路的數(shù)據(jù)線的下部而形成，上述屏蔽布線的至少一部分與上述數(shù)據(jù)線交叉。
根據(jù)本發(fā)明，屏蔽布線從相鄰的像素電路的固定電位布線延伸配置至產(chǎn)生噪聲的數(shù)據(jù)線的下部，屏蔽布線的至少一部分與數(shù)據(jù)線交叉。因此，在該交叉位置，在數(shù)據(jù)線和屏蔽布線之間形成平行平板電容。因此，從數(shù)據(jù)線向驅(qū)動晶體管的柵極的電場強度變?nèi)?，大幅降低形成于?shù)據(jù)線與驅(qū)動晶體管的柵極之間的寄生電容。其結(jié)果，驅(qū)動晶體管的柵極從數(shù)據(jù)線受到的噪聲的影響減少，得到高顯示品質(zhì)。此外，也可以將屏蔽線的端部延伸配置在比數(shù)據(jù)線靠近驅(qū)動晶體管的柵極，或還可以設(shè)置至數(shù)據(jù)線的寬度方向的中途。
另外，雖然產(chǎn)生向屏蔽布線自身的噪聲的施加，但該屏蔽布線從接下來寫入映像信號的鄰接像素電路的固定電位布線延伸配置，所以不影響自身像素電路的顯示品質(zhì)。另夕卜，即便相鄰的像素電路受到噪聲引起的變動，在下一定時也寫入標準的映像信號，所以能夠抑制對顯示品質(zhì)的影響。
在本發(fā)明中，優(yōu)選在將上述屏蔽布線和上述數(shù)據(jù)線交叉的區(qū)域作為交叉區(qū)域時，將上述驅(qū)動晶體管的柵極配置在上述交叉區(qū)域的上述數(shù)據(jù)線的長邊方向的寬度內(nèi)。
在該構(gòu)成中，在交叉區(qū)域形成平行平板電容，驅(qū)動晶體管的柵極被配置在交叉區(qū)域的數(shù)據(jù)線的長邊方向的寬度內(nèi)，所以從數(shù)據(jù)線向處于平行平板電容附近的想要保護的驅(qū)動晶體管的柵極的電場強度變?nèi)?，大幅降低形成于?shù)據(jù)線與驅(qū)動晶體管的柵極之間的寄生電容，防止向驅(qū)動晶體管的柵極的噪聲的施加。
在本發(fā)明中，也可以是上述屏蔽布線形成于比上述數(shù)據(jù)線靠下層，并且形成于與上述驅(qū)動晶體管的柵極同層或比其靠上層的布線層。根據(jù)該構(gòu)成，平行平板電容優(yōu)先在上述布線層和數(shù)據(jù)線之間形成。因此，若在與想要保護的驅(qū)動晶體管的柵極同層或者比其靠上層的布線層形成屏蔽布線，則大部分的寄生電容形成為上述平行平板電容，得到更高噪聲抑制效果。
在本發(fā)明的電光裝置的特征在于，是具備具有第I發(fā)光元件的第I像素電路，和具有沿第I方向配置在上述第I發(fā)光元件的旁邊的第2發(fā)光元件的第2像素電路的電光裝置，具有:沿與上述第I方向交叉的第2方向配置，且與上述第I像素電路電連接的第I固定電位布線；沿上述第2方向配置，且與上述第I像素電路電連接的第I數(shù)據(jù)線；沿上述第2方向配置，且與上述第2像素電路電連接的第2固定電位布線；沿上述第2方向配置，且與上述第2像素電路電連接的第2數(shù)據(jù)線；與上述第I像素電路電連接，且對流過上述第I發(fā)光元件的電流進行控制的驅(qū)動晶體管；與上述第2固定電位布線連接的布線，其中，從與上述第I方向以及上述第2方向垂直的第3方向觀察，上述第I數(shù)據(jù)線以及上述布線重合。
根據(jù)本發(fā)明，從與第I方向以及第2方向垂直的第3方向觀察，與第2像素電路的第2固定電位布線連接的布線和產(chǎn)生噪聲的第I像素電路的第I數(shù)據(jù)線重合。因此，在該重合位置，且在第I數(shù)據(jù)線和上述布線之間形成平行平板電容。因此，從第I數(shù)據(jù)線向驅(qū)動晶體管的柵極的電場強度變?nèi)?，形成于第I數(shù)據(jù)線與驅(qū)動晶體管的柵極之間的寄生電容大幅減少。其結(jié)果，降低驅(qū)動晶體管的柵極從第I數(shù)據(jù)線受到的噪聲的影響，得到高顯示品質(zhì)。此外，可以將上述布線的端部延伸配置在比第I數(shù)據(jù)線靠近驅(qū)動晶體管的柵極，或也可以延伸配置至第I數(shù)據(jù)線的寬度方向的中途。
另外，產(chǎn)生向上述布線自身的噪聲的施加，但上述布線從接下來寫入映像信號的第2像素電路的第2固定電位布線延伸配置，所以不影響自身像素電路的顯示品質(zhì)。另外，即便第2像素電路受到噪聲引起的變動，在下一定時也寫入標準的映像信號，所以能夠抑制對顯示品質(zhì)的影響。
在本發(fā)明中，也可以是上述第I發(fā)光元件包含第I像素電極、與上述第I像素電極對置配置的對置電極和配置于上述第I像素電極和上述對置電極之間的有機發(fā)光層，上述第I像素電路具有被設(shè)置于上述驅(qū)動晶體管的柵極電極和上述第I柵極線之間的開關(guān)晶體管、和連接上述驅(qū)動晶體管的柵極電極和上述開關(guān)晶體管的中繼電極，從上述第I方向看，將上述中繼電極配置在上述布線的寬度內(nèi)。
在該構(gòu)成中，在上述布線和上述第I數(shù)據(jù)線的重合區(qū)域形成平行平板電容，從第I方向看，使驅(qū)動晶體管的柵極電極和開關(guān)晶體管連接的中繼電極被配置在上述布線的寬度內(nèi)，所以從數(shù)據(jù)線向處于平行平板電容附近的想要保護的驅(qū)動晶體管的柵極的電場強度變?nèi)?，大幅降低形成于第I數(shù)據(jù)線與驅(qū)動晶體管的柵極之間的寄生電容，防止向驅(qū)動晶體管的柵極的噪聲的施加。
在本發(fā)明中，也可以將上述中繼電極配置在上述第I數(shù)據(jù)線和上述驅(qū)動晶體管的柵極電極之間的層。另外，也可以將上述中繼電極配置在與上述驅(qū)動晶體管的柵極電極同層。
并且，在本發(fā)明中，也可以為上述第I發(fā)光元件和上述第2發(fā)光元件射出不同波長的光。
此外，本發(fā)明除了涉及電光裝置外，還可以涉及電光裝置的驅(qū)動方法、具有該電光裝置的電子設(shè)備。作為電子設(shè)備，能夠列舉典型的頭戴式顯示器(HMD)、電子取景器等顯示>j-U ρ α裝直。


圖1是表示本發(fā)明的一實施方式所涉及的電光裝置的構(gòu)成的立體圖。
圖2是表示該電光裝置的構(gòu)成的框圖。
圖3是表示該電光裝置中的像素電路的圖。
圖4是表示該電光裝置的動作的時序圖。
圖5是表示該電光裝置的像素電路的構(gòu)成的俯視圖。
圖6是表示以圖5中的A — Α’線切斷的構(gòu)成的局部剖視圖。
圖7是表示使用了實施方式等所涉及的電光裝置的HMD的立體圖。
圖8是表示HMD的光學(xué)構(gòu)成的圖。
具體實施方式
以下，參照附圖，對用于實施本發(fā)明的方式進行說明。
實施方式
圖1是表示本發(fā)明的實施方式所涉及的電光裝置10的構(gòu)成的立體圖。
電光裝置10例如是在頭戴式顯示器中顯示圖像的微顯示器。后面敘述電光裝置10的詳細內(nèi)容，但是是多個像素電路、驅(qū)動該像素電路的驅(qū)動電路等例如形成于硅基板的有機EL裝置，在像素電路使用作為發(fā)光元件的一個例子的0LED。
電光裝置10被收納于在顯示部開口的框狀的殼體72，且連接有FPC (FlexiblePrinted Circuits:柔性電路板)基板74的一端。在FPC基板74通過C0F(Chip On Film:覆晶薄膜)技術(shù)安裝有半導(dǎo)體芯片的控制電路5，且設(shè)置有多個端子76，與省略圖示的上級電路連接。從該上級電路經(jīng)由多個端子76與同步信號同步地供給圖像數(shù)據(jù)。同步信號包含垂直同步信號、水平同步信號、點時鐘信號。另外，圖像數(shù)據(jù)例如以8位規(guī)定應(yīng)顯示的圖像的像素的灰度等級。
控制電路5兼具電光裝置10的電源電路和數(shù)據(jù)信號輸出電路的功能。S卩，控制電路5除了將根據(jù)同步信號生成的各種的控制信號、各種電位供給至電光裝置10外，還將數(shù)字的圖像數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換為模擬的數(shù)據(jù)信號，并供給至電光裝置10。
圖2是表示第I實施方式所涉及的電光裝置10的構(gòu)成的圖。如該圖所示，電光裝置10大致分為掃描線驅(qū)動電路20、數(shù)據(jù)線驅(qū)動電路30和顯示部100。
其中，在顯示部100，與應(yīng)顯示的圖像的像素對應(yīng)的像素電路110被排列成矩陣狀。詳細而言，在顯示部100中，在圖中沿橫向延伸設(shè)置有m行的掃描線12，而且，在圖中沿縱向延伸且與各掃描線12相互保持電絕緣地設(shè)置有η列的數(shù)據(jù)線14。而且，與m行的掃描線12和η列的數(shù)據(jù)線14的交叉部對應(yīng)地設(shè)置有像素電路110。因此，在本實施方式中，像素電路110以縱m行X橫η列被排列成矩陣狀。
這里，m、n均是自然數(shù)。有時為了區(qū)別掃描線12以及像素電路110的矩陣中的行(row)，在圖中從上按順序稱作1、2、3、…、(m — l)、m行。同樣，有時為了區(qū)別數(shù)據(jù)線14以及像素電路110的矩陣的列(Column)，在圖中從左按順序稱作1、2、3、…、η — 1、η列。
在本實施方式中，按照各列沿數(shù)據(jù)線14分別設(shè)置有供電線16。向各供電線16供給共用的作為復(fù)位電位的電位Vorst。
由控制電路5向電光裝置10供給如下的控制信號。詳細而言，向電光裝置10供給用于控制掃描線驅(qū)動電路20的控制信號Ctrl、和用于控制數(shù)據(jù)線驅(qū)動電路30的控制信號 Ctr2。
掃描線驅(qū)動電路20根據(jù)控制信號Ctrl，生成用于在整個幀期間逐行按順序掃描掃描線12的掃描信號。這里，分別將向第1、2、3、…、(m — l)、m行的掃描線12供給的掃描信號記作 Gwr (I)、Gwr (2)、Gwr (3)、…、Gwr (m-1 )> Gwr (m)。
此外，掃描線驅(qū)動電路20除了生成掃描信號Gwr (I) Gwr Cm)夕卜，還逐行生成與該掃描信號同步的各種的控制信號，并供給至顯示部100，但在圖2中省略圖示。另外，所謂幀期間是指電光裝置10顯示I個鏡頭(畫面)的圖像所需要的期間，例如若同步信號所包含的垂直同步信號的頻率為120Hz，則是其I個周期量的8.3毫秒的期間。
另外，數(shù)據(jù)線驅(qū)動電路30通過控制電路5，針對位于通過掃描線驅(qū)動電路20選擇出的行的像素電路110，向第1、2、…、η列的數(shù)據(jù)線14供給與該像素電路110的灰度數(shù)據(jù)對應(yīng)的電位的數(shù)據(jù)信號Vd (I)、 Vd (2)、…、Vd (η)。
參照圖3，對像素 電路110進行說明。應(yīng)予說明，圖3示出與第i行以及該第i行的掃描線12和第j列以及相對該第j列在右側(cè)相鄰的第(j + I)列的數(shù)據(jù)線14的交叉對應(yīng)的2個像素的像素電路110。這里，i是一般表示像素電路110所排列的行時的符號，是I以上m以下的整數(shù)。同樣，j、(j + I)是一般表示像素電路110所排列的列時的符號，是I以上η以下的整數(shù)。在本實施方式中，與第i行以及該第i行的掃描線12和第j列的數(shù)據(jù)線14的交叉對應(yīng)的像素電路110相當于第I像素電路，與第i行以及該第i行的掃描線12和第(j + I)列的數(shù)據(jù)線14的交叉對應(yīng)的像素電路110相當于第2像素電路。S卩，第j列的數(shù)據(jù)線14是第I數(shù)據(jù)線，第(j + I)列的數(shù)據(jù)線是第2數(shù)據(jù)線。
如圖3所示，像素電路110包含P溝道MOS型的晶體管121 125、OLED130和保持電容132。各像素電路110的構(gòu)成彼此相同，所以以位于第i行第j列的像素電路為代表進行說明。
在第i行第j列的像素電路110中，晶體管122作為寫入晶體管發(fā)揮功能，其柵極節(jié)點與第i行的掃描線12連接，其漏極或者源極節(jié)點的一方與第j列的數(shù)據(jù)線14連接，另一方分別與晶體管121中的柵極節(jié)點g、保持電容132的一端和晶體管123的漏極節(jié)點連接。這里，為了與其他節(jié)點進行區(qū)別，將晶體管121的柵極節(jié)點記作g。
向第i行的掃描線12，換句話說向晶體管122的柵極節(jié)點供給掃描信號Gwr(i)。
晶體管121作為驅(qū)動晶體管發(fā)揮功能，其源極節(jié)點與供電線116連接，其漏極節(jié)點分別與晶體管123的源極節(jié)點和晶體管124的源極節(jié)點連接。這里，向供電線116供給在像素電路110中成為電源的高位側(cè)的基板電位Vel。
晶體管123作為補償用晶體管發(fā)揮功能，向其柵極節(jié)點供給控制信號Gcmp(i)。
晶體管124作為發(fā)光控制晶體管發(fā)揮功能，向其柵極節(jié)點供給控制信號Gel(i)，其漏極節(jié)點分別與晶體管125的源極節(jié)點和0LED130的陽極連接。
晶體管125作為初始化用晶體管發(fā)揮功能，向其柵極節(jié)點供給控制信號Gorst(i)，其漏極節(jié)點與和第j列對應(yīng)的供電線(固定電位布線)16連接，被保持在電位Vorst。
這里，晶體管121相當于第I晶體管，晶體管122相當于第2晶體管，晶體管123相當于第3晶體管。另外，晶體管125相當于第4晶體管，晶體管124相當于第5晶體管。
保持電容132的另一端與供電線116連接。因此，保持電容132保持晶體管121的源極.漏極間的電壓。此外，作為保持電容132，可以使用寄生于晶體管121的柵極節(jié)點g的電容，也可以使用在硅基板中通過利用相互不同的導(dǎo)電層夾持絕緣層而形成的電容。
在本實施方式中，電光裝置10形成于硅基板，所以晶體管121 125的基板電位為電位Vel。
0LED130的陽極是按照每個像素電路110獨立設(shè)置的像素電極。與此相對，OLED130的陰極是遍及整個像素電路110共用的共用電極118，在像素電路110中，被保持在成為電源的低位側(cè)的電位Vct。
OLED130是在上述硅基板中利用陽極和具有透光性的陰極夾持白色有機EL層而成的元件。而且，在0LED130的射出側(cè)(陰極側(cè))重合有與RGB的任意一個對應(yīng)的彩色濾光片。
在這樣的0LED130中，若電流從陽極流向陰極，則從陽極注入的空穴和從陰極注入的電子在有機EL層再次復(fù)合，生成激子，產(chǎn)生白色光。成為以下構(gòu)成，即此時產(chǎn)生的白色光透過與硅基板(陽極)相反側(cè)的陰極，經(jīng)由基于彩色濾光片的著色，在觀察者側(cè)被看到。
另外，在本實施方式中，與供電線16連接，且作為以抑制電場強度對晶體管121的柵極布線的影響為目的的布線(屏蔽布線)的屏蔽圖案117被延伸配置至與數(shù)據(jù)線14交叉的位置，在該交叉部形成有平行平板電容134。通過該平行平板電容134，從數(shù)據(jù)線14向晶體管121的柵極布線的電場強度變?nèi)?，寄生電?33大幅減少。后面進行詳細敘述。
電光裝置的動作
接下來，參照圖4，對電光裝置10的動作進行說明。圖4是用于說明電光裝置10中的各部的動作的時序圖。
如該圖所示，掃描信號Gwr (I) Gwr Cm)依次被切換成低(L)電平，在I個幀期間，按照每I個水平掃描期間(H)按順序掃描第I m行的掃描線12。
在I個水平掃描期間(H)的動作遍及各行的像素電路110共用。因此以下在水平掃描第i行的掃描期間，特別著重說明第i行第j列的像素電路110的動作。
在本實施方式中，若大致區(qū)分，第i行的掃描期間被分為圖4中(b)所示的初始化期間、(C)所示的補償期間和(d)所示的寫入期間。而且，(d)的寫入期間后間隔一段時間，成為(a)所示的發(fā)光期間，經(jīng)過I個幀的期間后再次至第i行的掃描期間。因此，按時間順序來講，反復(fù)(發(fā)光期間)一初始化期間一補償期間一寫入期間一(發(fā)光期間)這樣的循環(huán)。
發(fā)光期間
為便于說明，從成為初始化期間的前提的發(fā)光期間進行說明。如圖4所示，在第i行的發(fā)光期間，掃描信號Gwr (i)為高(H)電平，控制信號Gel (i)為低(L)電平。另外，作為邏輯信號的控制信號Gel (i)、Gcmp (i)、Gorst (i)中，控制信號Gel (i)為低(L)電平，控制信號Gcmp (i)、Gorst (i)為高(H)電平。
因此，在圖3所示的第i行第j列的像素電路110中，晶體管124導(dǎo)通，且晶體管122、123、125截止。因此，晶體管121將與柵極-源極間的電壓Vgs對應(yīng)的電流Ids供給至0LED130。如后所述，在本實施方式中，在發(fā)光期間的電壓Vgs是根據(jù)數(shù)據(jù)信號的電位從晶體管121的閾值電壓電平移位后的值。因此，在補償了晶體管121的閾值電壓的狀態(tài)下向OLED130供給與灰度等級對應(yīng)的電流。
此外，第i行的發(fā)光期間是水平掃描第i行以外的期間，所以數(shù)據(jù)線14的電位適當變動。但在第i行的像素電路110中，晶體管122截止，所以這里不考慮數(shù)據(jù)線14的電位變動。
初始化期間
接下來，若到達第i行的掃描期間，則首先作為第I期間開始(b)的初始化期間。在初始化期間，與發(fā)光期間相比，控制信號Gel (i )變化為高(H)電平，控制信號Gorst (i )變化為低(L)電平。
因此，在圖3所示的第i行第j列的像素電路110中，晶體管124截止，晶體管125導(dǎo)通。由此，向0LED130供給的電流的路徑被切斷，且0LED130的陽極復(fù)位為電位Vorst。
如上所述，0LED130是利用陽極和陰極夾持有機發(fā)光層而成的構(gòu)成，所以在陽極-陰極間并列寄生電容。在發(fā)光期間，在0LED130流過電路時，該0LED130的陽極-陰極間的兩端電壓被該電容保持，但該保持電壓因晶體管125的導(dǎo)通而被復(fù)位。因此，在本實施方式中，在之后的發(fā)光期間，在0LED130再次流過電流時，不易受在該電容保持的電壓的影響。
詳細而言，例如若為在從高亮度的顯示狀態(tài)轉(zhuǎn)為低亮度的顯示狀態(tài)時不復(fù)位的構(gòu)成，則亮度高(流過大電流)時的高電壓被保持，所以接下來，即便想流過小電流，也會流過過載電流，不能夠為低亮度的顯示狀態(tài)。與此相對，在本實施方式中，因晶體管125的導(dǎo)通，OLED130的陽極的電位被復(fù)位，所以提高低亮度側(cè)的再現(xiàn)性。
此外，在本實施方式中，以電位Vorst和共用電極118的電位Vct的差低于OLED130的發(fā)光閾值電壓的方式設(shè)定該電位Vorst。因此，在初始化期間(接下來說明的補償期間以及寫入期間)，0LED130是截止(非發(fā)光)狀態(tài)。
補償期間
在第i行的掃描期間中，接下來作為第2期間成為(C)的補償期間。在補償期間與初始化期間相比，掃描信號Gwr (i)以及控制信號Gcmp (i)成為低(L)電平。另一方面，在補償期間，在控制信號Gref被維持在高(H)電平的狀態(tài)下，控制信號/ Gini成為高(H)電平。
在補償期間，晶體管123導(dǎo)通，所以晶體管121成為二極管連接。因此，漏極電流流過晶體管121，對柵極節(jié)點g以及數(shù)據(jù)線14進行充電。詳細而言，電流按照供電線116 —晶體管121 —晶體管123 —晶體管122 —第j列的數(shù)據(jù)線14這樣的路徑流動。因此，因晶體管121的導(dǎo)通而處于相互連接狀態(tài)的數(shù)據(jù)線14以及柵極節(jié)點g的電位上升。
但對流過上述路徑的電流而言，若使晶體管121的閾值電壓為I Vth I，則隨著柵極節(jié)點g接近電位(Vel — I Vth I )而不易流動，所以至補償期間的結(jié)束，數(shù)據(jù)線14以及柵極節(jié)點g在電位(Vel — I Vth I )飽和。因此，保持電容132在至補償期間的結(jié)束，保持晶體管121的閾值電壓I Vth I。
寫入期間
初始化期間后，作為第3期間進入(d)的寫入期間。在寫入期間，控制信號Gcmp(i)為高(H)電平，所以晶體管121的二極管連接被解除。從第j列的數(shù)據(jù)線14至第i行第j列的像素電路110中的柵極節(jié)點g的路徑中的電位被保持電容132維持在(Vel — IVth I )。
發(fā)光期間
第i行的寫入期間結(jié)束后，到達發(fā)光期間。在該發(fā)光期間，如上所述，控制信號Gel(i)成為低(L)電平，所以在第i行第j列的像素電路110中，晶體管124導(dǎo)通。在補償了晶體管121的閾值電壓的狀態(tài)下向0LED130供給與灰度等級對應(yīng)的電流。
在第i行的掃描期間，即便在第j列的像素電路110以外的第i行的其他的像素電路110中，在時間上也并列執(zhí)行該動作。并且，實際在I個幀的期間，按照第1、2、3、…、(m - l)、m行的順序執(zhí)行該第i行的動作，且按照每個幀重復(fù)。
另外，如圖3中虛線所示那樣，在數(shù)據(jù)線14和像素電路110中的柵極節(jié)點g之間實際寄生寄生電容133。因此，若數(shù)據(jù)線14的電位變化幅度大，則經(jīng)由該寄生電容133向柵極節(jié)點g傳播，產(chǎn)生所謂的串擾、不均等，使顯示品質(zhì)降低。該寄生電容133的影響在像素電路110被微細化時顯著出現(xiàn)。
然而，在本實施方式中，如圖3所示，與供電線16連接的屏蔽圖案117被延伸配置至與數(shù)據(jù)線14交叉的位置，在該交叉部形成有平行平板電容134。通過該平行平板電容134，從數(shù)據(jù)線14向晶體管121的柵極布線的電場強度變?nèi)?，寄生電?33被大幅減少。
作為本發(fā)明的更加理想的構(gòu)成，優(yōu)選在產(chǎn)生噪聲的布線和受噪聲的影響的節(jié)點的最近旁，使從供電線16延伸配置的 屏蔽圖案117和數(shù)據(jù)線14交叉。由此，能夠大幅減少電場的影響。
另外，若根據(jù)本構(gòu)成，則產(chǎn)生對屏蔽圖案117自身的噪聲的施加，但從接下來寫入映像信號的鄰接像素延伸配置屏蔽圖案117，所以不會影響自身像素的顯示品質(zhì)。另外，SP便鄰接像素受到噪聲引起的變動，在下一定時也會寫入標準的映像信號，所以不會影響顯不品質(zhì)。
根據(jù)本實施方式，作為使晶體管125導(dǎo)通的期間，即0LED130的復(fù)位期間，能夠確保比掃描期間長的期間，例如2個水平掃描期間，所以在發(fā)光期間，能夠使被0LED130的寄生電容保持的電壓充分初始化。
另外，根據(jù)本實施方式，通過晶體管121向0LED130供給的電流Ids不受閾值電壓的影響。因此，根據(jù)本實施方式，晶體管121的閾值電壓即便在每個像素電路110有偏差，也會補償該偏差，向OLED130供給與灰度等級對應(yīng)的電流，所以抑制損壞顯示畫面的一致性的顯示不均的產(chǎn)生，其結(jié)果能夠進行高品質(zhì)的顯示。
并且，根據(jù)本實施方式，與供電線16連接的屏蔽圖案117被延伸配置至與數(shù)據(jù)線14交叉的位置，在該交叉部形成有平行平板電容134，所以從數(shù)據(jù)線14向晶體管121的柵極布線的電場強度變?nèi)?，能夠大幅減少寄生電容133。其結(jié)果，能夠可靠地防止經(jīng)由寄生電容133向柵極節(jié)點g傳播的、所謂的串擾、不均等的產(chǎn)生，能夠進行高品質(zhì)的顯示。
像素電路的構(gòu)造
接下來，參照圖5以及圖6，對該像素電路110的構(gòu)造進行說明。
圖5是表示一個像素電路110的構(gòu)成的俯視圖，圖6是沿圖5中的A — A’線切斷的局部剖視圖。
應(yīng)予說明，圖5表示從觀察側(cè)俯視頂部發(fā)光的像素電路110時的布線構(gòu)造，為了簡單化，省略在0LED130中的像素電極(陽極)以后形成的構(gòu)造體。另外，在以下各圖中，為了使各層、各部件、各區(qū)域等為能夠識別的大小，使比例尺不同。
首先，如圖6所示，設(shè)置有成為基礎(chǔ)的基板2?；?被設(shè)置成平板狀，但在圖5中，為了能夠容易理解各晶體管的位置，表示成島狀。
如圖6所示，在基板2形成有用于形成晶體管122以及晶體管123的有源區(qū)140。這里，有源區(qū)是形成MOS型晶體管的區(qū)域。另外，與該有源區(qū)140相同，如圖5所示，在基板2設(shè)置有有源區(qū)141、142、143。有源區(qū)141構(gòu)成晶體管121，有源區(qū)142構(gòu)成晶體管124，有源區(qū)143構(gòu)成晶體管125。
如圖6所示，以覆蓋有源區(qū)140 143的幾乎整個面的方式設(shè)置有柵極絕緣膜17。在柵極絕緣膜17的表面設(shè)置有鋁、多晶硅等柵極布線層，且通過圖案化該柵極布線層，設(shè)置有柵極電極144。柵極電極144是晶體管121的柵極電極，如圖5所示，在與該柵極電極144同層設(shè)置有晶體管122的柵極電極145、晶體管123的柵極電極146、晶體管124的柵極電極147以及晶體管125的柵極電極148。
在圖6中，以覆蓋柵極電極144或者柵極絕緣膜17的方式形成有第I層間絕緣膜18。在第I層間絕緣膜18的表面形成有導(dǎo)電性的布線層，且通過該布線層的圖案化形成有中繼電極41。另外，如圖5所示，在與該中繼電極41同層分別形成有中繼電極42、43、44、45。
其中，中繼電極41經(jīng)由對第I層間絕緣膜18開孔的接觸孔31與晶體管121的柵極電極144連接。另外，中繼電極41經(jīng)由分別對第I層間絕緣膜18以及柵極絕緣膜17開孔的接觸孔32與晶體管122以及晶體管123的有源區(qū)140連接。
此外，在圖4中，在不同種類的布線層彼此重合的部分中，在“□”標記上附加“ X ”標記的部分是接觸孔。
在圖5中，中繼電極42的一端經(jīng)由分別對第I層間絕緣膜18以及柵極絕緣膜17開孔的接觸孔33與晶體管122的有源區(qū)140連接，另一方面，中繼電極42的另一端經(jīng)由對后述的第2層間絕緣膜19開孔的接觸孔34與后述的數(shù)據(jù)線14連接。
中繼電極43的一端經(jīng)由分別對第I層間絕緣膜18以及柵極絕緣膜17開孔的接觸孔35與晶體管121的有源區(qū)141連接，另一方面，中繼電極43的另一端經(jīng)由分別對第I層間絕緣膜18以及柵極絕緣膜17開孔的接觸孔36與晶體管123的有源區(qū)140連接。
中繼電極44的一端經(jīng)由分別對第I層間絕緣膜18以及柵極絕緣膜17開孔的接觸孔37與晶體管125的有源區(qū)143連接，另一方面，中繼電極44的另一端經(jīng)由對后述的第2層間絕緣膜19開孔的接觸孔38與后述的供電線16連接。
中繼電極45的一端經(jīng)由分別對第I層間絕緣膜18以及柵極絕緣膜17開孔的接觸孔39與晶體管125的有源區(qū)143連接，另一方面，中繼電極45的另一端經(jīng)由分別對第I層間絕緣膜18以及柵極絕緣膜17開孔的接觸孔50與晶體管124的有源區(qū)142連接。
另外，在與上述的中繼電極41、42、43、44、45同層形成有掃描線12、控制線118、114,115ο
掃描線12經(jīng)由對第I層間絕緣膜18開孔的接觸孔51與晶體管122的柵極電極145連接。
控制線118經(jīng)由對第I層間絕緣膜18開孔的接觸孔52與晶體管123的柵極電極146連接。
控制線114經(jīng)由對第I層間絕緣膜18開孔的接觸孔53與晶體管125的柵極電極148連接。
控制線115經(jīng)由對第I層間絕緣膜18開孔的接觸孔54與晶體管124的柵極電極147連接。
并且，如圖6所示，在與上述的中繼電極41、42、43、44、45同層形成有屏蔽圖案117。俯看，屏蔽圖案117從供電線(固定電位布線)16的下方被延伸配置至數(shù)據(jù)線14的下方，如圖5所示，以比數(shù)據(jù)線14的長邊方向的寬度變寬的方式形成。這里，俯看是從權(quán)利要求書中的第3方向觀看。并且，下方指供電線(固定電位布線)16以及數(shù)據(jù)線14的基板2偵牝數(shù)據(jù)線14的長邊方向與權(quán)利要求書中的第2方向?qū)?yīng)。
通過像這樣構(gòu)成為屏蔽圖案117與數(shù)據(jù)線14交叉，形成平行平板電容134，從數(shù)據(jù)線14向中繼電極41以及與中繼電極41電連接的晶體管121的柵極電極144的電場強度變?nèi)?，能夠大幅降低形成于中繼電極41和數(shù)據(jù)線14之間的寄生電容133的影響。
作為本發(fā)明的更加理想的構(gòu)成，優(yōu)選在產(chǎn)生噪聲的布線，和受噪聲的影響的節(jié)點的最近旁，使從供電線(固定電位布線)16延伸配置的屏蔽圖案和數(shù)據(jù)線14交叉。更具體而言，優(yōu)選在將屏蔽圖案117和數(shù)據(jù)線14交叉的區(qū)域作為交叉區(qū)域時，將中繼電極41配置在交叉區(qū)域的數(shù)據(jù)線14的長邊方向的寬度內(nèi)。該情況下，在交叉區(qū)域形成有平行平板電容134，在交叉區(qū)域的數(shù)據(jù)線14的長邊方向的寬度內(nèi)配置有中繼電極41，所以從數(shù)據(jù)線14向處于平行平板電容134附近的與想要保護的晶體管121的柵極電連接的中繼電極41的電場強度變?nèi)?，形成于?shù)據(jù)線14與中繼電極41以及晶體管121的柵極間的寄生電容大幅減少，能夠抑制對晶體管121的柵極的噪聲的施加。
并且，根據(jù)本構(gòu)成，不追加新的制造工序就能夠形成屏蔽圖案117，因此能夠防止成本增加。
根據(jù)本構(gòu)成，產(chǎn)生對屏蔽圖案117本身的噪聲的施加，但在采用點依次操作的情況下，從接下來寫入映像的相鄰的像素延伸配置屏蔽圖案117，所以不會影響自身像素的顯示品質(zhì)。另外，即便相鄰的像素受到噪聲引起的變動，在下一定時也寫入標準的映像信號，所以不影響顯示品質(zhì)。
以覆蓋中繼電極41、42、43、44、45、掃描線12、控制線118、114、115、以及屏蔽圖案117，或者第I層間絕緣膜18的方式形成有第2層間絕緣膜19。在第2層間絕緣膜19的表面形成有導(dǎo)電性的布線層，且通過該布線層的圖案化，分別形成有數(shù)據(jù)線14、供電線16以及與電源線(圖示略)的連接部分119。
其中，供電線16經(jīng)由對第2層間絕緣膜19開孔的接觸孔55與屏蔽圖案117連接。
另外，如上所述，供電線16經(jīng)由對第2層間絕緣膜19開孔的接觸孔38與中間電極44連接。
并且，數(shù)據(jù)線14經(jīng)由對第2層間絕緣膜19開孔的接觸孔34與中間電極42連接。
另外，與電源線的連接部分119經(jīng)由對第2層間絕緣膜19、第I層間絕緣膜18、柵極絕緣膜17開孔的接觸孔56與晶體管121的有源區(qū)141連接。并且，與電源線的連接部分119經(jīng)由接觸孔57在比圖5所示的層更靠上層與電源線連接。
此外，圖3所示的電容132形成于比上述的供電線16、數(shù)據(jù)線14靠上層，但省略圖/Jn ο
圖示省略作為電光裝置I的之后的構(gòu)造，但在陽極按照每個像素電路110層疊由有機EL材料構(gòu)成的發(fā)光層，且在遍及各像素電路110而共用的透明電極作為兼作陰極的共用電極118被設(shè)置。由此，發(fā)光元件150成為利用相互對置的陽極和陰極夾持發(fā)光層而成的0LED，以與從陽極流向陰極的電流對應(yīng)的亮度發(fā)光，朝向與基板2相反方向被觀察(頂部發(fā)光構(gòu)造)。除此之外，設(shè)置用于從大氣隔離發(fā)光層的密封玻璃等，但省略說明。
另外，在圖5中，省略作為0LED130的陽極的像素電極的圖示。
應(yīng)用、變形例
本發(fā)明并不局限于上述的實施方式、應(yīng)用例等的實施方式等，例如能夠進行以下所述的各種變形。另外，也能夠?qū)θ我膺x擇出的一個或者多個以下所述的變形的方式進行適當組合。
控制電路
在實施方式中，與電光裝置10獨立設(shè)置供給數(shù)據(jù)信號的控制電路5，但也可以將控制電路5與掃描線驅(qū)動電路20、信號分離器30、電平移位電路40 —起集成在娃基板上。
基板
在實施方式中，采用將電光裝置10集成在硅基板的構(gòu)成，但也可以是集成在其他的半導(dǎo)體基板的構(gòu)成。另外，還可以應(yīng)用多晶硅工序形成于玻璃基板等。無論哪種，在像素電路110被微細化，在晶體管121中，針對柵極電壓Vgs的變化，漏極電流按指數(shù)函數(shù)較大變化的構(gòu)成中有效。
控制信號Gcmp (i)
在實施方式等中，以第i行來說，在寫入期間，使控制信號Gcmp (i)為高(H)電平，但也可以為低(L)電平。即，也可以為并行執(zhí)行使晶體管123導(dǎo)通引起的閾值補償和向節(jié)點柵極g的寫入的構(gòu)成。
晶體管的溝道型
在上述的實施方式等中，以P溝道型統(tǒng)一像素電路110中的晶體管121 125，但也可以以N溝道型統(tǒng)一。另外，也可以適當?shù)亟M合P溝道型以及N溝道型。
屏蔽圖案
在上述的實施方式中，對使屏蔽圖案117形成于與想要保護的晶體管的柵極布線同層的例子進行了說明，但本發(fā)明并不局限于這樣的構(gòu)成，也可以使屏蔽圖案117形成在比柵極布線靠上層的布線層。
在產(chǎn)生噪聲的布線，和其附近的想要保護的晶體管的柵極布線之間優(yōu)先形成寄生電容133。因此，若在與想要保護的晶體管的柵極布線同層或比其靠上層的布線形成屏蔽圖案117，則在產(chǎn)生噪聲的布線和屏蔽圖案117之間形成平行平板電容134，能夠得到更好的噪聲抑制效果。
其他
在實施方式等中，作為電光元件例示了作為發(fā)光元件的0LED，但例如無機發(fā)光二極管、LED(Light Emitting Diode:發(fā)光二極管)等，以與電流對應(yīng)的亮度發(fā)光的元件即可。
電子設(shè)備
接下來，對應(yīng)用了實施方式等和應(yīng)用例所涉及的電光裝置10的電子設(shè)備進行說明。電光裝置10適用于像素的小尺寸，高精細的顯示用途。因此，作為電子設(shè)備，以頭戴式顯示器為例進行說明。
圖7是表示頭戴式顯示器的外觀的圖，圖8是表示其光學(xué)構(gòu)成的圖。
首先，如圖7所示，頭戴式顯示器300在外觀上與一般眼鏡相同，具有眼鏡腿310、鼻架320、鏡片301L、301R。另外，如圖8所示，頭頭戴式顯示器300在鼻架320附近，且在鏡片301L、301R的內(nèi)側(cè)(圖中下偵彳)設(shè)置有左眼用的電光裝置IOL與右眼用的電光裝置10R。
以在圖8中位于左側(cè)的方式配置電光裝置IOL的圖像顯示面。由此，電光裝置IOL的顯示圖像經(jīng)由光學(xué)透鏡302L在圖中向9點鐘方向射出。半透半反鏡303L使電光裝置IOL的顯示圖像向6點鐘方向反射，另一方面使從12點鐘方向入射的光透過。
以位于與電光裝置IOL相反的右側(cè)的方式配置電光裝置IOR的圖像顯示面。由此，電光裝置IOR的顯示圖像經(jīng)由光學(xué)透鏡302R在圖中向3點鐘方向射出。半透半反鏡303R使電光裝置IOR的顯示圖像向6點鐘方向反射，另一方面使從12點鐘方向入射的光透過。
在該構(gòu)成中，頭戴式顯示器300的佩戴者能夠以與外面的樣子重疊的透過(see-through)狀態(tài)觀察電光裝置10LU0R的顯示圖像。
另外，在該頭戴式顯示器300中，伴有視差的兩眼圖像中，若使電光裝置IOL顯示左眼用圖像，使電光裝置IOR顯示右眼用圖像，則能夠使佩戴者感覺顯示的圖像猶如具有縱深感和立體感(3D顯示)。
此外，除了頭戴式顯示器300外，電光裝置10也能夠適用于攝像機、透鏡交換式的數(shù)碼相機等中的電子式取景器。
符號說明
10…電光裝置，12…掃描線，14…數(shù)據(jù)線，16…供電線(固定電位布線),20…掃描線驅(qū)動電路，30…數(shù)據(jù)線驅(qū)動電路，30 39…接觸孔，41 45…中間電極層，50 56…接觸孔，100...顯示部 ，110…像素電路，114、115…控制線供電線，116…供電線，117…屏蔽圖案，118…控制線，121 125…晶體管，130…0LED，132…保持電容，133…寄生電容，134...平行平板電容，140 143…有源區(qū)，144 148…柵極電極,300…頭戴式顯不器。
權(quán)利要求
1.一種電光裝置,其特征在于， 是具備具有第I發(fā)光元件的第I像素電路，和具有沿第I方向配置在所述第I發(fā)光元件的旁邊的第2發(fā)光元件的第2像素電路的電光裝置，其具有: 沿與所述第I方向交叉的第2方向配置，且與所述第I像素電路電連接的第I固定電位布線； 沿所述第2方向配置，且與所述第I像素電路電連接的第I數(shù)據(jù)線； 沿所述第2方向配置，且與所述第2像素電路電連接的第2固定電位布線； 沿所述第2方向配置，且與所述第2像素電路電連接的第2數(shù)據(jù)線； 對流過所述第I發(fā)光元件的電流進行控制的驅(qū)動晶體管； 與所述第2固定電位布線連接的布線， 其中，從與所述第I方向以及所述第2方向垂直的第3方向觀察，所述第I數(shù)據(jù)線以及所述布線重合。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電光裝置，其特征在于， 所述第I發(fā)光元件包含第I像素電極、與所述第I像素電極對置配置的對置電極、和配置在所述第I像素電極和所述對置電極之間的有機發(fā)光層， 所述第I像素電路具有設(shè)置于所述驅(qū)動晶體管的柵極電極和所述第I柵極線之間的開關(guān)晶體管、和連接所述驅(qū)動晶體管的柵極電極和所述開關(guān)晶體管的中繼電極， 從所述第I方向觀察，所述中繼電極被配置在所述布線的寬度內(nèi)。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的電光裝置，其特征在于， 所述中繼電極被配置于所述第I數(shù)據(jù)線和所述驅(qū)動晶體管的柵極電極之間的層。
4.根據(jù)權(quán)利要求2或者3所述的電光裝置，其特征在于， 所述中繼電極被配置成與所述驅(qū)動晶體管的柵極電極同層。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電光裝置，其特征在于， 所述第I發(fā)光元件和所述第2發(fā)光元件應(yīng)射出不同波長的光。
6.—種電光裝置,其特征在于,具有: 相互交叉 的多個掃描線以及多個數(shù)據(jù)線； 與所述掃描線和所述數(shù)據(jù)線的交叉對應(yīng)設(shè)置的多個像素電路； 與所述多個像素電路的每一個對應(yīng)設(shè)置，且供給規(guī)定的電位的固定電位布線； 與所述固定電位線電連接的屏蔽布線， 其中，所述多個像素電路的每一個具備: 發(fā)光兀件； 對流過所述發(fā)光元件的電流進行控制的驅(qū)動晶體管； 被連接于所述驅(qū)動晶體管的柵極和所述數(shù)據(jù)線之間，且根據(jù)向所述掃描線供給的掃描信號被控制導(dǎo)通狀態(tài)的開關(guān)晶體管， 所述屏蔽布線從與該像素電路的相鄰的像素電路對應(yīng)的固定電位布線被延伸配置至該像素電路的數(shù)據(jù)線的下部而形成，所述屏蔽布線的至少一部分與所述數(shù)據(jù)線交叉。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的電光裝置，其特征在于， 在將所述屏蔽布線和所述數(shù)據(jù)線交叉的區(qū)域作為交叉區(qū)域時，將所述驅(qū)動晶體管的柵極配置在所述交叉區(qū)域的所述數(shù)據(jù)線的長邊方向的寬度內(nèi)。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的電光裝置，其特征在于， 所述屏蔽布線形成于比所述數(shù)據(jù)線靠下層，并且形成于與所述驅(qū)動晶體管的柵極同層或比其靠上層的布線層。
9.一種電子設(shè)備,其特征在于， 具備權(quán)利要求1至8中任意一項所述的電光裝置。
全文摘要
本發(fā)明提供電光裝置以及電子設(shè)備，在與掃描線和數(shù)據(jù)線的交叉對應(yīng)設(shè)置的像素電路中，使屏蔽布線(1)從與和上述像素電路鄰接的像素電路連接的固定電位布線延伸配置至上述數(shù)據(jù)線的下部。以上述屏蔽布線的至少一部分與上述數(shù)據(jù)線交叉的方式形成。
文檔編號G09G3/32GK103137068SQ20121050945
公開日2013年6月5日 申請日期2012年12月3日 優(yōu)先權(quán)日2011年12月5日
發(fā)明者藤田伸, 北澤幸行 申請人:精工愛普生株式會社