專利名稱：一種像素驅(qū)動(dòng)電路、陣列基板和顯示裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種像素驅(qū)動(dòng)電路、陣列基板和顯示裝置。
背景技術(shù)：
有源矩陣有機(jī)發(fā)光二極管(ActiveMatrix/Organic Light EmittingDiode,AM0LED)顯示器是當(dāng)今平板顯示器研究領(lǐng)域的熱點(diǎn)之一，與液晶顯示器相比，有機(jī)發(fā)光二極管OLED具有低能耗、生產(chǎn)成本低、自發(fā)光、寬視角及響應(yīng)速度快等優(yōu)點(diǎn)，目前，在手機(jī)、PDA (PersonalDigital Assistant,掌上電腦)、數(shù)碼相機(jī)等顯示領(lǐng)域OLED已經(jīng)開(kāi)始取代傳統(tǒng)的IXD顯示屏。像素驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)是AMOLED顯示器核心技術(shù)內(nèi)容，具有重要的研究意義。與TFT-LCD (Thin Film Transistor Liquid Crystal Display,薄膜場(chǎng)效應(yīng)晶體管液晶顯示器)利用穩(wěn)定的電壓控制亮度不同，OLED屬于電流驅(qū)動(dòng)，需要穩(wěn)定的電流來(lái)控制發(fā)光。由于工藝制程和器件老化等原因，在現(xiàn)有的兩個(gè)晶體管T1、T2和一個(gè)存儲(chǔ)電容Cl的驅(qū)動(dòng)電路中(參照?qǐng)D1所示)，其中驅(qū)動(dòng)電流1_是由于數(shù)據(jù)線提供的電壓Vdata作用在驅(qū)動(dòng)晶體管(DTFT)飽和區(qū)域而產(chǎn)生的電流。它驅(qū)動(dòng)OLED來(lái)發(fā)光，其中驅(qū)動(dòng)電流計(jì)算公式為1。_ = K(Ves-Vth)2,其中Ves為驅(qū)動(dòng)晶體管柵極和源極之間的電壓，Vth為驅(qū)動(dòng)晶體管的閾值電壓，由于工藝制程和器件老化等原因，各像素點(diǎn)的驅(qū)動(dòng)TFT的閾值電壓(Vth)存在不均勻性，各像素點(diǎn)的驅(qū)動(dòng)TFT(即圖中T2)的閾值電壓存在不均勻性，這樣就導(dǎo)致了流過(guò)每個(gè)像素點(diǎn)OLED的電流發(fā)生變化，從而影響整個(gè)圖像的顯示效果。

實(shí)用新型內(nèi)容本實(shí)用新型的實(shí)施例提供一種像素驅(qū)動(dòng)電路、陣列基板和顯示裝置，能夠避免驅(qū)動(dòng)晶體管的閾值電壓漂移對(duì)有源發(fā)光器件驅(qū)動(dòng)電流的影響，進(jìn)而提高了顯示圖像的均勻性。為達(dá)到上述目的，本實(shí)用新型的實(shí)施例采用如下技術(shù)方案—方面，提供一種像素驅(qū)動(dòng)電路，包括數(shù)據(jù)線、第一掃描線、第二掃描線、信號(hào)控制線、發(fā)光器件、存儲(chǔ)電容、驅(qū)動(dòng)晶體管、第一開(kāi)關(guān)晶體管、第二開(kāi)關(guān)晶體管、第三開(kāi)關(guān)晶體管、第四開(kāi)關(guān)晶體管和第五開(kāi)關(guān)晶體管；第一開(kāi)關(guān)晶體管的柵極連接所述信號(hào)控制線，所述第一開(kāi)關(guān)晶體管的源極連接第一電平端，所述第一開(kāi)關(guān)晶體管的漏極連接所述存儲(chǔ)電容的第一極；第二開(kāi)關(guān)晶體管的柵極連接所述第一掃描線，所述第二開(kāi)關(guān)晶體管的源極連接低電平，所述第二開(kāi)關(guān)晶體管的漏極連接所述存儲(chǔ)電容的第二極；第三開(kāi)關(guān)晶體管的柵極連接所述第二掃描線，所述第三開(kāi)關(guān)晶體管的源極連接所述存儲(chǔ)電容的第二極；第四開(kāi)關(guān)晶體管的柵極連接所述第一掃描線，所述第四開(kāi)關(guān)晶體管的源極連接所述數(shù)據(jù)線，所述第四晶體管的漏極連接所述第三晶體管的漏極；[0011]所述驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極連接所述第四開(kāi)關(guān)晶體管的漏極，所述驅(qū)動(dòng)晶體管的源極連接所述存儲(chǔ)電容的第一極；第五開(kāi)關(guān)晶體管的柵極連接所述第一掃描線，所述第五開(kāi)關(guān)晶體管的源極連接所述驅(qū)動(dòng)晶體管的漏極，所述第五開(kāi)關(guān)晶體管的漏極連接所述低電平；所述發(fā)光器件的一極連接所述驅(qū)動(dòng)晶體管的漏極，所述發(fā)光器件的另一極連接第
二電平端?？蛇x的，所述第一開(kāi)關(guān)晶體管、所述第二開(kāi)關(guān)晶體管、所述第四開(kāi)關(guān)晶體管及所述第五開(kāi)關(guān)晶體管均為“N”型開(kāi)關(guān)晶體管，所述驅(qū)動(dòng)晶體管為“P”型開(kāi)關(guān)晶體管，所述第三開(kāi)關(guān)晶體管為“N”型或“P”型開(kāi)關(guān)晶體管。可選的，所述第一開(kāi)關(guān)晶體管、所述第二開(kāi)關(guān)晶體管、所述第四開(kāi)關(guān)晶體管、所述第五開(kāi)關(guān)晶體管及所述驅(qū)動(dòng)晶體管均為“P”型開(kāi)關(guān)晶體管，所述第三開(kāi)關(guān)晶體管為“N”型或“p”型開(kāi)關(guān)晶體管。可選的，所述第三開(kāi)關(guān)晶體管與所述第二開(kāi)關(guān)晶體管及第四開(kāi)關(guān)晶體管采用不同類型的開(kāi)關(guān)晶體管時(shí)，所述第一掃描線和所述第二掃描線輸入相同的時(shí)序掃描信號(hào)。—方面，提供一種陣列基板，包括上述的像素驅(qū)動(dòng)電路。一方面，提供一種顯示裝置，包括上述的陣列基板。本實(shí)用新型的實(shí)施例提供一種像素驅(qū)動(dòng)電路、陣列基板和顯示裝置，能夠通過(guò)電壓補(bǔ)償?shù)姆绞奖苊怛?qū)動(dòng)晶體管的閾值電壓漂移對(duì)有源發(fā)光器件驅(qū)動(dòng)電流的影響，進(jìn)而提高了顯示圖像的均勻性。

為了更清楚地說(shuō)明本實(shí)用新型實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見(jiàn)地，下面描述中的附圖僅僅是本實(shí)用新型的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來(lái)講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。圖1為現(xiàn)有技術(shù)提供的一種像素驅(qū)動(dòng)電路結(jié)構(gòu)示意圖；圖2為本實(shí)用新型實(shí)施例提供的一種像素驅(qū)動(dòng)電路結(jié)構(gòu)示意圖；圖3為實(shí)用新型另一實(shí)施例提供的一種像素驅(qū)動(dòng)電路結(jié)構(gòu)示意圖；圖4為本實(shí)用新型實(shí)施例提供的像素驅(qū)動(dòng)電路的信號(hào)時(shí)序狀態(tài)示意圖；圖5a為本實(shí)用新型實(shí)施例提供的像素驅(qū)動(dòng)電路在第一時(shí)間段的等效電路示意圖；圖5b為本實(shí)用新型實(shí)施例提供的像素驅(qū)動(dòng)電路在第二時(shí)間段的等效電路示意圖；圖5c為本實(shí)用新型實(shí)施例提供的像素驅(qū)動(dòng)電路在第三時(shí)間段的等效電路示意圖；圖6為本實(shí)用新型的實(shí)施例提供的如圖3所示的像素驅(qū)動(dòng)電路的信號(hào)時(shí)序狀態(tài)示意圖。
具體實(shí)施方式
下面將結(jié)合本實(shí)用新型實(shí)施例中的附圖，對(duì)本實(shí)用新型實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本實(shí)用新型一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒緦?shí)用新型中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒(méi)有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本實(shí)用新型保護(hù)的范圍。本實(shí)用新型所有實(shí)施例中采用的開(kāi)關(guān)晶體管和驅(qū)動(dòng)晶體管均可以為薄膜晶體管或場(chǎng)效應(yīng)管或其他特性相同的器件，由于這里采用的開(kāi)關(guān)晶體管的源極、漏極是對(duì)稱的，所以其源極、漏極是可以互換的。在本實(shí)用新型實(shí)施例中，為區(qū)分晶體管除柵極之外的兩極，將其中一極稱為源極，另一極稱為漏極。按附圖中的形態(tài)規(guī)定晶體管的中間端為柵極、信號(hào)輸入端為源極、信號(hào)輸出端為漏極。此外本實(shí)用新型實(shí)施例所采用的開(kāi)關(guān)晶體管包括P型開(kāi)關(guān)晶體管和N型開(kāi)關(guān)晶體管兩種，其中，P型開(kāi)關(guān)晶體管在柵極為低電平時(shí)導(dǎo)通，在柵極為高電平時(shí)截止，N型開(kāi)關(guān)晶體管為在柵極為高電平時(shí)導(dǎo)通，在柵極為低電平時(shí)截止。參照?qǐng)D2，為本實(shí)用新型實(shí)施例提供的一種像素驅(qū)動(dòng)電路，包括數(shù)據(jù)線、第一掃描線、第二掃描線、信號(hào)控制線、發(fā)光器件、存儲(chǔ)電容Cl、驅(qū)動(dòng)晶體管DTFT和、第一開(kāi)關(guān)晶體管Tl、第二開(kāi)關(guān)晶體管T2、第三開(kāi)關(guān)晶體管T3、第四開(kāi)關(guān)晶體管T4和第五開(kāi)關(guān)晶體管T5 ；第一開(kāi)關(guān)晶體管Tl的柵極連接信號(hào)控制線，第一開(kāi)關(guān)晶體管Tl的源極連接第一電平端，第一開(kāi)關(guān)晶體管Tl漏極連接存儲(chǔ)電容Cl的第一極；第二開(kāi)關(guān)晶體管T2的柵極連接第一掃描線，第二開(kāi)關(guān)晶體管T2的源極連接低電平，第二開(kāi)關(guān)晶體管T2的漏極連接存儲(chǔ)電容Cl的第二極；第三開(kāi)關(guān)晶體管T3的柵極連接第一掃描線，第三開(kāi)關(guān)晶體管T3的源極連接存儲(chǔ)電容Cl的第二極；第四開(kāi)關(guān)晶體管T4的柵極連接第一掃描線，第四開(kāi)關(guān)晶體管T4的源極連接數(shù)據(jù)線，第四晶體管T4的漏極連接第三晶體管T3的漏極；驅(qū)動(dòng)晶體管DTFT的柵極連接第四開(kāi)關(guān)晶體管T4的漏極，驅(qū)動(dòng)晶體管DTFT的源極；連接存儲(chǔ)電容Cl的第一極；第五開(kāi)關(guān)晶體管T5的柵極連接第一掃描線，第五開(kāi)關(guān)晶體管T5的源極連接驅(qū)動(dòng)晶體管DTFT的漏極，第五開(kāi)關(guān)晶體管T5的漏極連接低電平；發(fā)光器件的一極連接驅(qū)動(dòng)晶體管DTFT的漏極，發(fā)光器件的另一極連接第二電平端。其中，第一開(kāi)關(guān)晶體管Tl、第二開(kāi)關(guān)晶體管T2、第四開(kāi)關(guān)晶體管T3及第五開(kāi)關(guān)晶體管T4均為“N”型開(kāi)關(guān)晶體管，驅(qū)動(dòng)晶體管DTFT為“P”型開(kāi)關(guān)晶體管，第三開(kāi)關(guān)晶體管T3為“N”型或“P”型開(kāi)關(guān)晶體管?；蛘撸谝婚_(kāi)關(guān)晶體管Tl、第二開(kāi)關(guān)晶體管T2、第四開(kāi)關(guān)晶體管T4、第五開(kāi)關(guān)晶體管T5及驅(qū)動(dòng)晶體管DTFT均為“P”型開(kāi)關(guān)晶體管，第三開(kāi)關(guān)晶體管T3為“N”型或“P”型開(kāi)關(guān)晶體管。當(dāng)然在顯示面板的制程工藝中，若采用全“P”型的晶體管也有利于減少制程工藝，保證器件性能的統(tǒng)一'I"生。進(jìn)一步的，第三開(kāi)關(guān)晶體管T3與第二開(kāi)關(guān)晶體管T2及第四開(kāi)關(guān)晶體管T4采用不同類型的開(kāi)關(guān)晶體管時(shí)，第一掃描線和第二掃描線輸入相同的時(shí)序掃描信號(hào)。即第三開(kāi)關(guān)晶體管T3為“P”型、第二開(kāi)關(guān)晶體管T2及第四開(kāi)關(guān)晶體管T4為“N”型，或者第三開(kāi)關(guān)晶體管T3為“N”型、第二開(kāi)關(guān)晶體管T2及第四開(kāi)關(guān)晶體管T4為“P”型時(shí)，第一掃描線和第二掃描線輸入相同的時(shí)序掃描信號(hào)，此時(shí)在電路的制程過(guò)程中，第三開(kāi)關(guān)晶體管T3與第二開(kāi)關(guān)晶體管T2及第四開(kāi)關(guān)晶體管T4的柵極可以共用一根掃描線如圖3所示，其中第一開(kāi)關(guān)晶體管Tl、第二開(kāi)關(guān)晶體管T2、第四開(kāi)關(guān)晶體管T4、第五開(kāi)關(guān)晶體管T5驅(qū)動(dòng)晶體管DTFT均為“P”型，第四開(kāi)關(guān)晶體管T3開(kāi)關(guān)晶體管為“N”型。當(dāng)然這里的發(fā)光器件可以為有源發(fā)光二極管0LED，當(dāng)該OLED為底發(fā)射型OLED時(shí)，第二電平端的電平V2低于第一電平端的電平V1 ;優(yōu)選的，低電平為接地端；當(dāng)然圖2中是以底發(fā)射型OLED為例的。本實(shí)用新型實(shí)施例提供的像素驅(qū)動(dòng)電路能夠通過(guò)電壓補(bǔ)償?shù)姆绞奖苊怛?qū)動(dòng)晶體管的閾值電壓漂移對(duì)有源發(fā)光器件驅(qū)動(dòng)電流的影響，提高了顯示圖像的均勻性，此外采用統(tǒng)一類型的晶體管有利于減少制程工藝。參照以上實(shí)施例提供的像素驅(qū)動(dòng)電路本實(shí)用新型實(shí)施例還提供了以上各實(shí)施例像素驅(qū)動(dòng)電路的驅(qū)動(dòng)方法在第一階段，第一開(kāi)關(guān)晶體管Tl、第二開(kāi)關(guān)晶體管T2、第四開(kāi)關(guān)晶體管T4及第五開(kāi)關(guān)晶體管T5導(dǎo)通，第三開(kāi)關(guān)晶體管T3截止，第一電平端向存儲(chǔ)電容充電；在第二階段，第二開(kāi)關(guān)晶體管T2、第四開(kāi)關(guān)晶體管T4及第五開(kāi)關(guān)晶體管T5導(dǎo)通，第一開(kāi)關(guān)晶體管Tl、第三開(kāi)關(guān)晶體管T3截止，存儲(chǔ)電容Cl放電直至驅(qū)動(dòng)晶體管DTFT的柵極和源極的電壓差等于驅(qū)動(dòng)晶體管DTFT的閾值電壓；在第三階段，第一開(kāi)關(guān)晶體管Tl、第三開(kāi)關(guān)晶體管T3導(dǎo)通，第二開(kāi)關(guān)晶體管T2、第四開(kāi)關(guān)晶體管T4及第五開(kāi)關(guān)晶體管T5截止，第一電平端和第二電平端向發(fā)光器件施加導(dǎo)通信號(hào)。其中，第一開(kāi)關(guān)晶體管Tl、第二開(kāi)關(guān)晶體管T2、第四開(kāi)關(guān)晶體管T3及第五開(kāi)關(guān)晶體管T4均為“N”型開(kāi)關(guān)晶體管，驅(qū)動(dòng)晶體管DTFT為“P”型開(kāi)關(guān)晶體管，第三開(kāi)關(guān)晶體管T3為“N”型或“P”型開(kāi)關(guān)晶體管?；蛘撸谝婚_(kāi)關(guān)晶體管Tl、第二開(kāi)關(guān)晶體管T2、第四開(kāi)關(guān)晶體管T4、第五開(kāi)關(guān)晶體管T5及驅(qū)動(dòng)晶體管DTFT均為“P”型開(kāi)關(guān)晶體管，第三開(kāi)關(guān)晶體管T3為“N”型或“P”型開(kāi)關(guān)晶體管。這里以第一開(kāi)關(guān)晶體管Tl、第二開(kāi)關(guān)晶體管T2、第三開(kāi)關(guān)晶體管T3、第四開(kāi)關(guān)晶體管T4、第五開(kāi)關(guān)晶體管T5驅(qū)動(dòng)晶體管DTFT均為“P”型開(kāi)關(guān)晶體管為例進(jìn)行說(shuō)明，參照?qǐng)D2提供的像素電路，圖4提供的像素驅(qū)動(dòng)電路的信號(hào)時(shí)序狀態(tài)示意圖，同時(shí)參照?qǐng)D5a 5c所提供的像素驅(qū)動(dòng)電路的各個(gè)階段工作狀態(tài)的等效電路示意圖，本實(shí)用新型實(shí)施例提供一種像素驅(qū)動(dòng)電路的驅(qū)動(dòng)方法，包括在第一階段，即圖4所示的時(shí)序狀態(tài)示意圖中的第一時(shí)間段，第一掃描線和信號(hào)控制線施加低電平信號(hào)，第二掃描線和數(shù)據(jù)線施加高電平信號(hào)，第一開(kāi)關(guān)晶體管Tl、第二開(kāi)關(guān)晶體管T2、第四開(kāi)關(guān)晶體管T4和第五開(kāi)關(guān)晶體管T5導(dǎo)通，第三晶體管T3截止，此時(shí)第五開(kāi)關(guān)晶體管T5導(dǎo)通將有源發(fā)光二極管OLED的兩端短接，第一電平端向存儲(chǔ)電容Cl充電；此時(shí)形成電路的等效電路圖如圖5a所示，該過(guò)程中存儲(chǔ)電容Cl的第一極即圖中A點(diǎn)的電壓充至和第一電平端的電壓相同，此時(shí)A點(diǎn)電壓Va等于第一電平端的電壓V1 ;存儲(chǔ)電容Cl的第二極連接低電平，則第二極電壓即B點(diǎn)電壓Vb = O。在第二階段即圖4所示的時(shí)序狀態(tài)示意圖的第二時(shí)間段，第一掃描線施加低電平信號(hào)，第二掃描線、信號(hào)控制線和數(shù)據(jù)線施加高電平信號(hào)，第二開(kāi)關(guān)晶體管T2、第四開(kāi)關(guān)晶體管T4、第五開(kāi)關(guān)晶體管T5導(dǎo)通，第一開(kāi)關(guān)晶體管Tl、第三開(kāi)關(guān)晶體管T3截止，此時(shí)第五開(kāi)關(guān)晶體管T5導(dǎo)通仍然將有源發(fā)光二極管OLED的兩端短接，存儲(chǔ)電容Cl放電直至驅(qū)動(dòng)晶體管DTFT柵極和源極的電壓差等于驅(qū)動(dòng)晶體管DTFT的閾值電壓；此時(shí)形成電路的等效電路圖如圖5b所示，該過(guò)程中存儲(chǔ)電容Cl的第一極即圖中A點(diǎn)開(kāi)始放電，直到= Vth為止，其中Va即A點(diǎn)電壓，V。為C點(diǎn)電壓即驅(qū)動(dòng)晶體管DTFT的柵極電壓，此時(shí)\ = Vdata，其中Vdata為數(shù)據(jù)線提供的電壓值，Vth為此時(shí)驅(qū)動(dòng)晶體管DTFT的閾值電壓，最后A點(diǎn)的電壓變?yōu)閂data+Vth，該階段即為補(bǔ)償階段，同時(shí)起到緩沖作用為下一個(gè)階段做好準(zhǔn)備。在第三階段即圖4所示的時(shí)序狀態(tài)示意圖的第三時(shí)間段，第一掃描線施加高電平信號(hào)，數(shù)據(jù)線、第二掃描線和信號(hào)控制線施加低電平信號(hào)，第一開(kāi)關(guān)晶體管Tl、第三開(kāi)關(guān)晶體管T3導(dǎo)通，第二開(kāi)關(guān)晶體管T2、第四開(kāi)關(guān)晶體管T4和第五開(kāi)關(guān)晶體管T5截止，第一電平端和第二電平端向發(fā)光器件施加導(dǎo)通信號(hào)。此時(shí)形成的電路的等效電路圖如圖5c所示，該過(guò)程中存儲(chǔ)電容C I的第一極電壓重新回到和第一電平端相同的電壓值'，存儲(chǔ)電容Cl的第二極浮接，此時(shí)第一極和第二極的電壓實(shí)現(xiàn)等量跳變，則
權(quán)利要求1.一種像素驅(qū)動(dòng)電路，其特征在于，包括數(shù)據(jù)線、第一掃描線、第二掃描線、信號(hào)控制線、發(fā)光器件、存儲(chǔ)電容、驅(qū)動(dòng)晶體管、第一開(kāi)關(guān)晶體管、第二開(kāi)關(guān)晶體管、第三開(kāi)關(guān)晶體管、第四開(kāi)關(guān)晶體管和第五開(kāi)關(guān)晶體管； 第一開(kāi)關(guān)晶體管的柵極連接所述信號(hào)控制線，所述第一開(kāi)關(guān)晶體管的源極連接第一電平端，所述第一開(kāi)關(guān)晶體管的漏極連接所述存儲(chǔ)電容的第一極； 第二開(kāi)關(guān)晶體管的柵極連接所述第一掃描線，所述第二開(kāi)關(guān)晶體管的源極連接低電平，所述第二開(kāi)關(guān)晶體管的漏極連接所述存儲(chǔ)電容的第二極； 第三開(kāi)關(guān)晶體管的柵極連接所述第二掃描線，所述第三開(kāi)關(guān)晶體管的源極連接所述存儲(chǔ)電容的第二極； 第四開(kāi)關(guān)晶體管的柵極連接所述第一掃描線，所述第四開(kāi)關(guān)晶體管的源極連接所述數(shù)據(jù)線，所述第四晶體管的漏極連接所述第三晶體管的漏極； 所述驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極連接所述第四開(kāi)關(guān)晶體管的漏極，所述驅(qū)動(dòng)晶體管的源極連接所述存儲(chǔ)電容的第一極； 第五開(kāi)關(guān)晶體管的柵極連接所述第一掃描線，所述第五開(kāi)關(guān)晶體管的源極連接所述驅(qū)動(dòng)晶體管的漏極，所述第五開(kāi)關(guān)晶體管的漏極連接所述低電平； 所述發(fā)光器件的一極連接所述驅(qū)動(dòng)晶體管的漏極，所述發(fā)光器件的另一極連接第二電平端。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電路，其特征在于， 所述第一開(kāi)關(guān)晶體管、所述第二開(kāi)關(guān)晶體管、所述第四開(kāi)關(guān)晶體管及所述第五開(kāi)關(guān)晶體管均為“N”型開(kāi)關(guān)晶體管，所述驅(qū)動(dòng)晶體管為“P”型開(kāi)關(guān)晶體管，所述第三開(kāi)關(guān)晶體管為“N”型或“P”型開(kāi)關(guān)晶體管。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電路，其特征在于， 所述第一開(kāi)關(guān)晶體管、所述第二開(kāi)關(guān)晶體管、所述第四開(kāi)關(guān)晶體管、所述第五開(kāi)關(guān)晶體管及所述驅(qū)動(dòng)晶體管均為“P”型開(kāi)關(guān)晶體管，所述第三開(kāi)關(guān)晶體管為“N”型或“P”型開(kāi)關(guān)晶體管。
4.根據(jù)權(quán)利要求1 3任一項(xiàng)所述的電路，其特征在于，所述第三開(kāi)關(guān)晶體管與所述第二開(kāi)關(guān)晶體管及第四開(kāi)關(guān)晶體管采用不同類型的開(kāi)關(guān)晶體管時(shí)，所述第一掃描線和所述第二掃描線輸入相同的時(shí)序掃描信號(hào)。
5.一種陣列基板，其特征在于，包括 權(quán)利要求1 4所述的任一像素驅(qū)動(dòng)電路。
6.一種顯示裝置，包括 權(quán)利要求5所述的陣列基板。
專利摘要本實(shí)用新型實(shí)施例提供一種像素驅(qū)動(dòng)電路、陣列基板和顯示裝置，涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，能夠避免驅(qū)動(dòng)晶體管閾值電壓漂移對(duì)有源發(fā)光器件驅(qū)動(dòng)電流的影響。該像素驅(qū)動(dòng)電路，包括數(shù)據(jù)線、第一掃描線、第二掃描線、信號(hào)控制線、發(fā)光器件、存儲(chǔ)電容、驅(qū)動(dòng)晶體管、第一開(kāi)關(guān)晶體管、第二開(kāi)關(guān)晶體管、第三開(kāi)關(guān)晶體管、第四開(kāi)關(guān)晶體管和第五開(kāi)關(guān)晶體管。本實(shí)用新型實(shí)施例用于顯示器制造。
文檔編號(hào)G09G3/36GK202905119SQ20122065151
公開(kāi)日2013年4月24日 申請(qǐng)日期2012年11月30日 優(yōu)先權(quán)日2012年11月30日
發(fā)明者楊盛際, 吳俊緯, 劉英明 申請(qǐng)人:北京京東方光電科技有限公司