液晶顯示器及其移位寄存裝置制造方法
【專利摘要】本發(fā)明公開一種液晶顯示器及其移位寄存裝置。移位寄存裝置包括多級串接在一起的移位寄存器。本發(fā)明通過將移位寄存器中負(fù)責(zé)停止輸出掃描信號的晶體管的通道長度制作得比移位寄存器中負(fù)責(zé)輸出掃描信號的晶體管的通道長度還要大，借以趨緩移位寄存器中負(fù)責(zé)輸出掃描信號的晶體管受到移位寄存器中負(fù)責(zé)停止輸出掃描信號的晶體管處于次臨界區(qū)的漏電流的影響的程度，從而確保移位寄存器得以正常輸出掃描信號。
【專利說明】液晶顯示器及其移位寄存裝置
[0001]本申請為分案申請，其母案的申請?zhí)枮?200910159002.4，申請日為:2009年7月29日， 申請人:為:友達(dá)光電股份有限公司，發(fā)明名稱為:液晶顯示器及其移位寄存裝置。
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0002]本發(fā)明涉及一種平面顯示器，且特別是有關(guān)于一種液晶顯示器及其移位寄存裝置。
【背景技術(shù)】
[0003]近年來，隨著半導(dǎo)體科技蓬勃發(fā)展，便攜式電子產(chǎn)品及平面顯示器產(chǎn)品也隨之興起。而在眾多平面顯示器的類型當(dāng)中，液晶顯示器(Liquid Crystal Display, LCD)基于其低電壓操作、無輻射線散射、重量輕以及體積小等優(yōu)點(diǎn)，隨即已成為各顯示器產(chǎn)品的主流。也亦因如此，無不驅(qū)使著各家廠商針對液晶顯示器的開發(fā)技術(shù)要朝向更微型化及低制作成本發(fā)展。
[0004]為了要降低液晶顯示器的制作成本，已有部份廠商研發(fā)出在液晶顯示面板采用非晶娃(amorphous silicon, a_Si )工藝的條件下,可將原先配置于液晶顯示面板的掃描側(cè)所使用的掃描驅(qū)動IC內(nèi)部的移位寄存器(shift register)轉(zhuǎn)移直接配置在液晶顯示面板的玻璃基板(glass substrate)上。因此,原先配置于液晶顯不面板的掃描側(cè)所使用的掃描驅(qū)動IC即可省略，借以達(dá)到降低液晶顯示器的制作成本的目的。
[0005]一般而言，直接制作在液晶顯示面板的玻璃基板上的移位寄存器主要會由多顆N型晶體管所組成。其中，部分N型晶體管用以負(fù)責(zé)在移位寄存器的操作期間輸出掃描信號以開啟液晶顯示面板內(nèi)對應(yīng)的一列像素，而其余N型晶體管則用以負(fù)責(zé)在移位寄存器的非操作期間停止輸出掃描信號。
[0006]然而,在實(shí)務(wù)上，由于用以負(fù)責(zé)輸出掃描信號與用以負(fù)責(zé)停止輸出掃描信號的N型晶體管的通道長度(channel length)都相同。因此，在此條件下，用以負(fù)責(zé)輸出掃描信號的N型晶體管很有可能會受到用以負(fù)責(zé)停止輸出掃描信號的N型晶體管處于次臨界區(qū)(sub-threshold region)的漏電流的影響而導(dǎo)致無法正常輸出掃描信號。如此一來,移位寄存器會失效以連帶影響液晶顯示器無法正常顯示影像畫面。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0007]有鑒于此，本發(fā)明提供一種移位寄存裝置，其包括多級串接在一起的移位寄存器。其中，第i級移位寄存器包括預(yù)充電單元、上拉單元，以及下拉單元，且i為正整數(shù)。預(yù)充電單元用以接收第(1-1)級移位寄存器所輸出的第一掃描信號，并據(jù)以輸出一充電信號。上拉單元耦接預(yù)充電單元，用以接收所述充電信號與第一時(shí)脈信號，并據(jù)以輸出第二掃描信號。下拉單元耦接預(yù)充電單元與上拉單元，用以接收第二時(shí)脈信號與第(i+1)級移位寄存器所輸出的第三掃描信號，并據(jù)以決定是否將所述第二掃描信號下拉至一參考電位。
[0008]于本發(fā)明的一示范性實(shí)施例中，預(yù)充電單元、上拉單元與下拉單元內(nèi)分別具有至少一晶體管。其中，下拉單元內(nèi)的晶體管具有第一通道長度，而預(yù)充電單元與上拉單元內(nèi)的
晶體管分別具有第二通道長度，且所述第一通道長度大于所述第二通道長度。
[0009]于本發(fā)明的一示范性實(shí)施例中，所述第一通道長度實(shí)質(zhì)上為所述第二通道長度的
1.01倍至4倍。
[0010]本發(fā)明另提供一種液晶顯示器，其包括液晶顯示面板與用以提供液晶顯示面板所
需的背光源的背光模塊。其中，液晶顯示面板包括基板與上述本發(fā)明所提供的移位寄存裝
置，且上述本發(fā)明所提供的移位寄存裝置為直接配置在液晶顯示面板的基板上。
[0011]應(yīng)了解的是，上述一般描述及以下【具體實(shí)施方式】僅為例示性及闡釋性的，其并不
能限制本發(fā)明所欲主張的范圍。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0012]圖1繪示為本發(fā)明一示范性實(shí)施例的液晶顯示器100的系統(tǒng)方塊圖；
[0013]圖2繪示為本發(fā)明一示范性實(shí)施例的移位寄存裝置SRD的方塊圖；
[0014]圖3A繪示為本發(fā)明一示范性實(shí)施例的第i級移位寄存器SRi的方塊圖；
[0015]圖3B繪示為本發(fā)明一示范性實(shí)施例的第i級移位寄存器SRi的電路圖；
[0016]圖4A繪示為N型晶體管 T3與T4的剖面示意圖；
[0017]圖4B繪示為N型晶體管Tl與T2的剖面示意圖；
[0018]圖5繪示為本發(fā)明一示范性實(shí)施例的第i級移位寄存器SRi中節(jié)點(diǎn)Q的實(shí)驗(yàn)波形圖。
[0019]其中，附圖標(biāo)記
[0020]
100:液晶顯示器101:顯示面板
103:源極驅(qū)動器105:時(shí)序控制單元
107:背光模塊301:預(yù)充電單元
303:上拉單元305:下拉單元
AA:顯示區(qū)SRD:移位寄存裝置
SR1-SRn:移位寄存器Tl~T4: N型晶體管
C:電容Q:節(jié)點(diǎn)
Vss:參考電位CV:充電信號
STV:起始信號CK、XCK:時(shí)脈信號
SS1-SSn:掃描信號D:漏極
S:源極G:柵極
L1、L2:通道長度Tpre、Tout:時(shí)間
A、B、C:曲線【具體實(shí)施方式】
[0021]現(xiàn)將詳細(xì)參考本發(fā)明的示范性實(shí)施例，在附圖中說明所述示范性實(shí)施例的實(shí)例。另外，凡可能之處，在附圖及實(shí)施方式中使用相同標(biāo)號的元件/構(gòu)件/符號代表相同或類似部分。
[0022]圖1繪示為本發(fā)明一示范性實(shí)施例的液晶顯示器100的系統(tǒng)方塊圖。請參照圖1,液晶顯示器100包括顯示面板101、源極驅(qū)動器103、時(shí)序控制單元105，以及用以提供顯示面板101所需的背光源的背光模塊107。顯示面板101的顯示區(qū)AA內(nèi)具有多個以矩陣排列的像素(圖中以MXN來表示，M、N皆為正整數(shù))。另外，顯示面板101的基板(未繪示，例如為玻璃基板)上的一側(cè)更直接配置有移位寄存裝置SRD。移位寄存裝置SRD受控于時(shí)序控制單元105，用以序列輸出掃描信號SS1?SSn以從顯示區(qū)AA內(nèi)的第一列像素逐一開啟至最后一列像素。
[0023]更清楚來說，圖2繪示為本發(fā)明一示范性實(shí)施例的移位寄存裝置SRD的方塊圖。請合并參照圖1與圖2，移位寄存裝置SRD包括N級電路結(jié)構(gòu)實(shí)質(zhì)上相同且彼此串接在一起的移位寄存器SR1?SRn。于本示范性實(shí)施例中，由于移位寄存器SR1?SRn的電路結(jié)構(gòu)與工作原理實(shí)質(zhì)上相同，故在此僅針對第i級移位寄存器SRi來做說明如下。
[0024]圖3A繪示為本發(fā)明一示范性實(shí)施例的第i級移位寄存器SRi的方塊圖。圖3B繪示為本發(fā)明一示范性實(shí)施例的第i級移位寄存器SRi的電路圖。請合并參照圖1?圖3B，第i級移位寄存器SRi包括預(yù)充電單元301、上拉單元303，以及下拉單元305。其中，預(yù)充電單元301用以接收第(1-Ι)級移位寄存器SRp1所輸出的掃描信號SSg，并據(jù)以輸出充電信號CV。于本示范性實(shí)施例中，除了第I級移位寄存器SR1中的預(yù)充電單元301為接收時(shí)序控制單元105所提供的起始信號STV外，其余移位寄存器中的預(yù)充電單元301為接收上一級移位寄存器所輸出的掃描信號。
[0025]舉例來說，第2級移位寄存器SR2中的預(yù)充電單元301為接收第I級移位寄存器SR1所輸出的掃描信號SS1，第3級移位寄存器SR3中的預(yù)充電單元301為接收第2級移位寄存器SR2所輸出的掃描信號SS2，依此類推至第N級移位寄存器SRn中的預(yù)充電單元301為接收第(N-1)級移位寄存器SIV1所輸出的掃描信號SSN_lt)
[0026]請繼續(xù)參照圖3A，上拉單元303耦接預(yù)充電單元301，用以接收預(yù)充電單元301所輸出的充電信號CV與時(shí)序控制器105所提供的時(shí)脈信號CK，并據(jù)以輸出掃描信號SSit5下拉單元305耦接預(yù)充電單元301與上拉單元303，用以接收時(shí)序控制器105所提供的時(shí)脈信號XCK與第(i+Ι)級移位寄存器SRi+1所輸出的掃描信號SSi+1,并據(jù)以決定是否將掃描信號SSiT拉至參考電位Vss (例如為接地電位，但并不限制于此)。其中，時(shí)序控制器105所提供的時(shí)脈信號CK與XCK的相位差為180度。
[0027]于此，請繼續(xù)參照圖3B,于本示范性實(shí)施例中，預(yù)充電單元301具有N型晶體管Tl。其中，N型晶體管Tl的柵極與源極耦接在一起以接收第(1-Ι)級移位寄存器SRp1所輸出的掃描信號SSp1，而N型晶體管Tl的漏極則用以輸出充電信號CV。
[0028]另外，上拉單元303具有N型晶體管T2與電容C。其中，N型晶體管T2的柵極耦接N型晶體管Tl的漏極、N型晶體管T2的源極用以接收時(shí)序控制器105所提供的時(shí)脈信號CK，而N型晶體管T2的漏極則用以輸出掃描信號SRitl電容C耦接在N型晶體管T2的柵極與漏極之間。[0029]再者，下拉單元305具有N型晶體管T3與T4。其中，N型晶體管Τ3的柵極用以接收時(shí)序控制器105所提供的時(shí)脈信號XCK、N型晶體管T3的源極耦接N型晶體管T2的漏極，而N型晶體管T4的漏極則耦接至參考電位Vss。N型晶體管T4的柵極用以接收第(i+1)級移位寄存器SRi+1所輸出的掃描信號SSi+1、N型晶體管T4的源極耦接N型晶體管T2的柵極，而N型晶體管T4的漏極則耦接至參考電位Vss。
[0030]于本示范性實(shí)施例中，N型晶體管Tl與T2具有相同的通道長度(channellength),而N型晶體管T3與T4具有相同的通道長度。但是，N型晶體管T3與T4的通道長度大于N型晶體管Tl與T2的通道長度。
[0031]更清楚來說，圖4A繪示為N型晶體管T3與T4的剖面示意圖，而圖4B繪示為N型晶體管Tl與T2的剖面示意圖。請合并參照圖4A與圖4B，從圖4A與圖4B可清楚看出，標(biāo)號D表不為N型晶體管Tl?T4的漏極、標(biāo)號S表不為N型晶體管Tl?T4的源極,而標(biāo)號G表不為N型晶體管Tl?T4的棚極。另外，標(biāo)號LI表不為N型晶體管T3與T4的通道長度，而標(biāo)號L2表示為N型晶體管Tl與T2的通道長度。
[0032]由此可知，在此所謂的“通道長度”指的是N型晶體管的漏極與源極間的距離，且在較佳狀況下，N型晶體管T3與T4的通道長度LI實(shí)質(zhì)上可以為N型晶體管Tl與T2的通道長度L2的1.01倍至4倍，但并不限制于此。也就是說，N型晶體管T3與T4的通道長度LI相對于N型晶體管Tl與T2的通道長度L2的倍數(shù)可端視實(shí)際設(shè)計(jì)需求而決定，容后再詳述。
[0033]基于上述，當(dāng)?shù)趇級移位寄存器SRi的預(yù)充電單元301接收到第(1-Ι)級移位寄存器SRp1所輸出的掃描信號SSp1時(shí)，N型晶體管Tl會被開啟以對節(jié)點(diǎn)Q進(jìn)行預(yù)充電。如此一來，當(dāng)時(shí)序控制器105所提供的時(shí)脈信號CK致能時(shí)，節(jié)點(diǎn)Q上的電壓會受時(shí)脈信號CK的率禹合效應(yīng)(coupling effect)的影響而被拉升,借以使得上拉單元303的NMOS晶體管T2會被開啟，從而輸出掃描信號SSi以開啟顯示區(qū)AA內(nèi)相應(yīng)的第i列像素。
[0034]緊接著，在預(yù)充電單元301與上拉單元303負(fù)責(zé)輸出掃描信號SSi之后，下拉單元305的N型晶體管T3會因?yàn)闀r(shí)序控制器105所提供的時(shí)脈信號XCK致能而被開啟。如此一來，掃描信號SSi會被下拉至參考電位Vss以關(guān)閉顯示區(qū)AA內(nèi)相應(yīng)的第i列像素。
[0035]另外，當(dāng)下拉單元305的N型晶體管T3將掃描信號SSi下拉至參考電位Vss之后，由于第(i+1)級移位寄存器SRi+1所輸出的掃描信號SSi+1會反饋至第i級移位寄存器SRJA下拉單元305的N型晶體管T4。如此一來，第i級移位寄存器SRi的下拉單元305的NMOS晶體管T4會被開啟，從而對節(jié)點(diǎn)Q進(jìn)行放電，以避免節(jié)點(diǎn)Q在預(yù)充電單元301與上拉單元303負(fù)責(zé)輸出掃描信號SSi之后受時(shí)脈信號CK的耦合。由此可知，當(dāng)預(yù)充電單元301與上拉單兀303負(fù)責(zé)輸出掃描信號SSi之后,下拉單兀305會負(fù)責(zé)停止輸出掃描信號SSit5
[0036]據(jù)此，當(dāng)時(shí)序控制單元105提供起始信號STV給第I級移位寄存器SR1的預(yù)充電單元301，且分別提供相位差180度的時(shí)脈信號CK與XCK給所有移位寄存器SR1?SRn的上拉單元303與下拉單元305時(shí)，移位寄存裝置SRD內(nèi)的移位寄存器SR1?SRn會序列輸出掃描信號SS1?SSN，以從顯示區(qū)AA內(nèi)的第一列像素逐一開啟至最后一列像素，而源極驅(qū)動器103會提供對應(yīng)的顯示資料給被移位寄存裝置SRD所開啟的列像素。如此一來，再加上背光模塊107所提供的背光源，則顯示面板101即會顯示影像畫面。
[0037]根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)所述及的內(nèi)容可知，由于用以負(fù)責(zé)輸出掃描信號與用以負(fù)責(zé)停止輸出掃描信號的N型晶體管的通道長度都相同。因此，在此條件下，用以負(fù)責(zé)輸出掃描信號的N型晶體管很有可能會受到用以負(fù)責(zé)停止輸出掃描信號的N型晶體管處于次臨界區(qū)的漏電流的影響而導(dǎo)致無法正常輸出掃描信號。如此一來，移位寄存器會失效以連帶影響液晶顯示器無法正常顯示影像畫面。
[0038]也亦因如此，當(dāng)移位寄存器SR1~SRn的N型晶體管Tl~T4的通道長度都相同的條件下(亦即L1=L2)，用以負(fù)責(zé)輸出掃描信號SS1~SSn的N型晶體管Tl與T2很有可能會受到用以負(fù)責(zé)停止輸出掃描信號SS1~SSn的N型晶體管T3與T4處于次臨界區(qū)的漏電流的影響而導(dǎo)致無法正常輸出掃描信號SS1~SSN。如此一來，移位寄存器SR1~SRn會失效以連帶影響液晶顯示器100無法正常顯示影像畫面。
[0039]有鑒于此，本示范性實(shí)施例特別將下拉單元305的N型晶體管T3與T4的通道長度LI制作的比預(yù)充電單元301與上拉單元303的N型晶體管Tl與T2的通道長度L2還要大(亦即L1>L2)，且下拉單元305的N型晶體管T3與T4的通道長度LI實(shí)質(zhì)上可以為預(yù)充電單元301與上拉單元303的N型晶體管Tl與T2的通道長度L2的1.01倍至4倍。
[0040]更清楚來說，圖5繪示為本發(fā)明一示范性實(shí)施例的第i級移位寄存器SRi中節(jié)點(diǎn)Q的實(shí)驗(yàn)波形圖。請合并參照圖3與圖5，從圖5可以清楚看出，于時(shí)間Tpre時(shí)，節(jié)點(diǎn)Q會被進(jìn)行預(yù)充電。另外，于時(shí)間Tout的區(qū)間中分別繪示有三條曲線A、B與C。其中，曲線A表示為下拉單元305的N型晶體管T3與T4的通道長度LI等于預(yù)充電單元301與上拉單元303的N型晶體管Tl與T2的通道長度L2的條件下(亦即L1=L2)，N型晶體管Tl與T2受到N型晶體管T3與T4處于次臨界區(qū)的漏電流的影響的程度。曲線B表示為下拉單元305的N型晶體管T3與T4的通道長度LI略大于預(yù)充電單元301與上拉單元303的N型晶體管Tl與T2的通道長度L2的條件下(亦即L1>L2)，N型晶體管Tl與T2受到N型晶體管T3與T4處于次臨界區(qū)的漏電流的影響的程度。曲線C表示為下拉單元305的N型晶體管T3與T4的通道長度LI遠(yuǎn)大于 預(yù)充電單元301與上拉單元303的N型晶體管Tl與T2的通道長度L2的條件下(亦即L1?L2)，N型晶體管Tl與T2受到N型晶體管T3與T4處于次臨界區(qū)的漏電流的影響的程度。
[0041]由此可知，當(dāng)下拉單元305的N型晶體管T3與T4的通道長度LI等于預(yù)充電單元301與上拉單元303的N型晶體管Tl與T2的通道長度L2時(shí)，N型晶體管Tl與T2受到N型晶體管T3與T4處于次臨界區(qū)的漏電流的影響的程度會比較嚴(yán)重，亦即曲線A于時(shí)間Tout的電壓降(voltage drop)幅度最大。因此,第i級移位寄存器SRi很有可能無法正常輸出掃描信號SSit5
[0042]另外，當(dāng)下拉單元305的N型晶體管T3與T4的通道長度LI越大于預(yù)充電單元301與上拉單元303的N型晶體管Tl與T2的通道長度L2時(shí)，N型晶體管Tl與T2受到N型晶體管T3與T4處于次臨界區(qū)的漏電流的影響的程度會越趨緩，亦即曲線B與C于時(shí)間tout的電壓降幅度相對于曲線A而言會越來越趨緩。因此，即可確保第i級移位寄存器SRi得以正常輸出掃描信號SSiO
[0043]綜上所述，本發(fā)明主要是通過將移位寄存器中負(fù)責(zé)停止輸出掃描信號的N型晶體管的通道長度制作的比移位寄存器中負(fù)責(zé)輸出掃描信號的N型晶體管的通道長度還要大，借以趨緩移位寄存器中負(fù)責(zé)輸出掃描信號的N型晶體管受到移位寄存器中負(fù)責(zé)停止輸出掃描信號的N型晶體管處于次臨界區(qū)的漏電流的影響的程度，從而確保移位寄存器得以正常輸出掃描信號。
[0044]另外，雖然上述示范性實(shí)施例提出了移位寄存器中預(yù)充電單元、上拉單元與下拉單元的某一種電路實(shí)施態(tài)樣，但是本發(fā)明并不限制于此。也就是說，只要移位寄存器中可以被區(qū)分有預(yù)充電單元、上拉單元與下拉單元的其他電路實(shí)施例，本發(fā)明就可將其下拉單元中的所有或部分N型晶體管的通道長度加大，借以趨緩移位寄存器中負(fù)責(zé)輸出掃描信號的N型晶體管受到移位寄存器中負(fù)責(zé)停止輸出掃描信號的N型晶體管處于次臨界區(qū)的漏電流的影響的程度。
[0045]當(dāng)然，本發(fā)明還可有其它多種實(shí)施例，在不背離本發(fā)明精神及其實(shí)質(zhì)的情況下，熟悉本領(lǐng)域的技術(shù)人員當(dāng)可根據(jù)本發(fā)明作出各種相應(yīng)的改變和變形，但這些相應(yīng)的改變和變形都應(yīng)屬于本發(fā)明所附的權(quán)利要求的保護(hù)范圍。
【權(quán)利要求】
1.一種移位寄存裝置，其特征在于，包括: 多級串接在一起的移位寄存器，其中第i級移位寄存器包括: 一預(yù)充電單元，至少具有一第一晶體管，接收第i_l級移位寄存器所輸出的一第一掃描信號，并據(jù)以輸出一充電信號，i為正整數(shù)； 一上拉單元，至少具有一第二晶體管，耦接該預(yù)充電單元，接收該充電信號與一第一時(shí)脈信號，并據(jù)以輸出一第二掃描信號；以及 一下拉單元，至少具有一第三晶體管與一第四晶體管，耦接該預(yù)充電單元與該上拉單元，接收一第二時(shí)脈信號與第(i+1)級移位寄存器所輸出的一第三掃描信號，并據(jù)以決定是否將該第二掃描信號下拉至一參考電位， 其中，該下拉單元內(nèi)的該第三晶體管與該第四晶體管具有一第一通道長度，該預(yù)充電單元與該上拉單元內(nèi)的所述第一晶體管與第二晶體管分別具有一第二通道長度，該第一通道長度大于該第二通道長度，且所述第一通道長度為所述第二通道長度的1.0l倍至4倍，借以確保移位寄存器得以正常輸出掃描信號。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的移位寄存裝置，其特征在于，該預(yù)充電單元內(nèi)的該第一晶體管為一第一 N型晶體管， 其中，該第一 N型晶體管的柵極與源極耦接在一起以接收該第一掃描信號，而該第一 N型晶體管的漏極則用以輸出該充電信號。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的移位寄存裝置，其特征在于，該上拉單元內(nèi)的該第二晶體管為一第二 N型晶體管， 其中，該第二 N型晶體管的柵極耦接該第一 N型晶體管的漏極，該第二 N型晶體管的源極用以接收該第一時(shí)脈信號，而該第二 N型晶體管的漏極則用以輸出該第二掃描信號。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的移位寄存裝置，其特征在于，該上拉單元內(nèi)更具有一電容，其耦接在該第二 N型晶體管的柵極與漏極之間。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的移位寄存裝置，其特征在于，該下拉單元內(nèi)的該第三晶體管為一第三N型晶體管， 其中，該第三N型晶體管的柵極用以接收該第二時(shí)脈信號，該第三N型晶體管的源極耦接該第二 N型晶體管的漏極，而該第三N型晶體管的漏極則耦接至該參考電位。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的移位寄存裝置，其特征在于，該下拉單元內(nèi)的該第四晶體管為一第四N型晶體管， 其中，該第四N型晶體管的柵極用以接收該第三掃描信號，該第四N型晶體管的源極耦接該第二 N型晶體管的柵極，而該第四N型晶體管的漏極則耦接至該參考電位。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的移位寄存裝置，其特征在于，該第一與該第二N型晶體管分別具有該第二通道長度，而該第三與該第四N型晶體管分別具有該第一通道長度。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的移位寄存裝置，其特征在于，該第三與該第四N型晶體管的該第一通道長度大于該第一與該第二 N型晶體管的該第二通道長度，而該第三與該第四N型晶體管的該第一通道長度實(shí)質(zhì)上為該第一與該第二 N型晶體管的該第二通道長度的1.01倍至4倍。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的移位寄存裝置，其特征在于，該第一與該第二時(shí)脈信號的相位差為180度。
10.一種液晶顯示器，其特征在于，包括: 一液晶顯示面板，包括一基板與一移位寄存裝置，該移位寄存裝置直接配置在該基板上，且具有多級串接在一起的移位寄存器，其中第i級移位寄存器包括: 一預(yù)充電單元，至少具有一第一晶體管，接收第i_l級移位寄存器所輸出的一第一掃描信號，并據(jù)以輸出一充電信號，i為正整數(shù)； 一上拉單元，至少具有一第二晶體管，耦接該預(yù)充電單元，接收該充電信號與一第一時(shí)脈信號，并據(jù)以輸出一第二掃描信號；以及 一下拉單元，至少具有一第三晶體管與一第四晶體管，耦接該預(yù)充電單元與該上拉單元，接收一第二時(shí)脈信號與第i+ι級移位寄存器所輸出的一第三掃描信號，并據(jù)以決定是否將該第二掃描信號下拉至一參考電位， 其中，該下拉單元內(nèi)的該第三晶體管與該第四晶體管具有一第一通道長度，該預(yù)充電單元與該上拉單元內(nèi)的所述第一晶體管與第二晶體管分別具有一第二通道長度，該第一通道長度大于該第二通道長度，且所述第一通道長度為所述第二通道長度的1.01倍至4倍，借以確保移位寄存器得以正常輸出掃描信號；以及 一背光模塊，提供該液晶顯示面板所需的背光源。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的液晶顯示器，其特征在于，該預(yù)充電單元內(nèi)的該第一晶體管為一第一 N型晶體管， 其中，該第一 N型晶體管的柵極與源極耦接在一起以接收該第一掃描信號，而該第一 N型晶體管的漏極則用以輸出該充電信號。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的液晶顯示器，其特征在于，該上拉單元內(nèi)的該第二晶體管為一第二 N型晶體管， 其中，該第二 N型晶體管的柵極耦接該第一 N型晶體管的漏極，該第二 N型晶體管的源極用以接收該第一時(shí)脈信號，而該第二 N型晶體管的漏極則用以輸出該第二掃描信號。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的液晶顯示器，其特征在于，該上拉單元內(nèi)更具有一電容，其耦接在該第二 N型晶體管的柵極與漏極之間。
14.根據(jù)權(quán)利要求12所述的液晶顯示器，其特征在于，該下拉單元內(nèi)的該第三晶體管為一第三N型晶體管， 其中，該第三N型晶體管的柵極用以接收該第二時(shí)脈信號，該第三N型晶體管的源極耦接該第二 N型晶體管的漏極，而該第三N型晶體管的漏極則耦接至該參考電位。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的液晶顯示器，其特征在于，該下拉單元內(nèi)的該第四晶體管為一第四N型晶體管， 其中，該第四N型晶體管的柵極用以接收該第三掃描信號，該第四N型晶體管的源極耦接該第二 N型晶體管的柵極，而該第四N型晶體管的漏極則耦接至該參考電位。
16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的液晶顯示器，其特征在于，該第一與該第二N型晶體管分別具有該第二通道長度，而該第三與該第四N型晶體管分別具有該第一通道長度。
17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的液晶顯示器，其特征在于，該第三與該第四N型晶體管的該第一通道長度大于該第一與該第二 N型晶體管的該第二通道長度，而該第三與該第四N型晶體管的該第一通道長度實(shí)質(zhì)上為該第一與該第二 N型晶體管的該第二通道長度的1.01倍至4倍。
18.根據(jù)權(quán)利要求10所述的液晶顯示器，其特征在于，該第一與該第二時(shí)脈信號的相位差為180度。`
【文檔編號】G09G3/36GK103514851SQ201310409640
【公開日】2014年1月15日 申請日期:2009年7月29日 優(yōu)先權(quán)日:2009年7月29日
【發(fā)明者】蔡東璋, 陳怡君 申請人:友達(dá)光電股份有限公司